KR890701467A - 질화알루미늄의 제조방법 - Google Patents
질화알루미늄의 제조방법Info
- Publication number
- KR890701467A KR890701467A KR1019890700782A KR890700782A KR890701467A KR 890701467 A KR890701467 A KR 890701467A KR 1019890700782 A KR1019890700782 A KR 1019890700782A KR 890700782 A KR890700782 A KR 890700782A KR 890701467 A KR890701467 A KR 890701467A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- produced
- mixture
- temperature
- aln
- producing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/82—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (10)
- (1) (a)(상기식에서 R1과 R2는 각각 1 내지 4개의 탄소원자를 함유한 알칼리를 나타낸다.) (b) AlCl3의 혼합물을 생성하는 단계, (2)단계 (1)에서 생성된 혼합물은 0℃ 내지 150℃의 온도에서 반응시키고, 그것에 의해 Cl2-Al-NH-Si-(R1)3, Cl2-Al-NH-Si-(R2)3, (R1)3-Si-Cl과 (R2)3-Si-Cl의 혼합물을 생성하는 단계, (3)단계 (2)에서 생성된 화합물을 고온에서 (R1)3-Si-Cl, (R2)3-Si-Cl,H2Cl2와 AlN으로 변화시키는 단계, (4) 변화된 혼합물로부터 H2, Cl2와 AlN을 분리시키는 단계로 이루어지는 질화알루미늄의 제조방법.
- (1) (a)(b) AlCl3의 혼합물을 생성하는 단계, (2)단계 (1)에서 생성된 혼합물을 0℃ 내지 150℃의 온도에서 반응시켜를 생성하는 단계, (3)단계 (2)에서 생성된를 170℃ 내지 200℃를 온도로 유지하여 Cl-Al-NH와 (CH3)3-SiCl을 생성하는 단계, (4)단계 (3)에서 생성된 Cl-Al-NH를 적어도 450℃의 온도에서 유지하여 H2, Cl2와 AlN을 생성하는 단계로 이루어지는 질화알루미늄의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 단계 (1)에서 생성된 혼합물을 0℃ 내지 150℃에서 0.5 내지 5시간동안 반응시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 단계 (2)에서 생성된 Cl2-Al-NH-Si(CH3)3가 미세한 분말이고, 상기한 분말이 단계 (2)에서 생성된(CH3)3-Si-Cl로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제4항에 있어서, Cl2-Al-NH-Si(CH3)3분말을 170 내지 200℃의 온도로 유지하여 Cl-Al-NH와 (CH3)3-Si-Cl을 생성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제5항에 있어서, 생성된 Cl-Al-NH가 미세한 분말이고, 상기한 분말이 제2항에서 발견되는 (CH3)3-Si-Cl로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, Cl-Al-NH분말을 450℃ 이상의 온도에서 적어도 1시간 동안, 그리고나서 700℃ 이상의 온도에서 적어도 1시간동안 유지하여 AlN을 생성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 단계 (1)에서 생성된 혼합물이 염화메틸렌, 이황화탄소, 디클로로에탄과 화학반응을 일으키지 않고 AlCl3와 실라잔을 용해시키는 다른 용매로 이루어지는 군으로부터 선택한 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 단계 (2)에서 생성된 Cl2-Al-NH-Si(CH3)3와 단계 (3)에서 발견되는 Cl-Al-NH중 하나 또는 둘다를 암모니아 또는 수소로 이루어지는 군으로부터 선택한 활성가스의 존재하에 고온에 두는 것을 특징으로 하는 방법.
- (1) (a)(b) AlCl3의 혼합물을 생성하는 단계, (2)단계 (1)에서 생성된 혼합물을 60℃ 내지 150℃의 온도에서 반응시켜를 생성하는 단계, (3)단계, (2)에서 생성된 Cl2-Al-N-[Si(CH3)3]2를 170℃ 내지 200℃의 온도에서 유지하여 2(CH3)3-SiCl과 비결정 AlN을 생성하는 단계, (4)단계 (3)에서 생성된 AlN을 적어도 700℃로 가열하여 물질을 결정 AlN으로 변화시키는 단계로 이루어지는 질화알루미늄의 제조방법.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/092,329 US4767607A (en) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | Method for production of high purity aluminum nitrides |
US092,329 | 1987-09-02 | ||
PCT/US1988/002942 WO1989001911A1 (en) | 1987-09-02 | 1988-09-01 | Method for production of high purity aluminum nitrides |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR890701467A true KR890701467A (ko) | 1989-12-20 |
Family
ID=22232714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890700782A KR890701467A (ko) | 1987-09-02 | 1988-09-01 | 질화알루미늄의 제조방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4767607A (ko) |
KR (1) | KR890701467A (ko) |
AU (1) | AU2522288A (ko) |
CA (1) | CA1301430C (ko) |
IL (1) | IL87580A0 (ko) |
WO (1) | WO1989001911A1 (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5340896A (en) * | 1990-10-09 | 1994-08-23 | Jensen James A | Thermoset polymeric precursors for aluminum nitride |
US5457173A (en) * | 1990-10-09 | 1995-10-10 | Lanxide Technology Company, Lp | Polymer precursors for aluminum nitride |
US5260397A (en) * | 1990-10-09 | 1993-11-09 | Jensen James A | Thermoset polymeric precursor for aluminum nitride |
CA2045002A1 (en) * | 1990-10-09 | 1992-04-10 | James A. Jensen | Polymer precursors for aluminum nitride |
US5075265A (en) * | 1990-12-10 | 1991-12-24 | Ford Motor Company | Preparation of aluminum oxynitride from organosiloxydihaloalanes |
US5455322A (en) * | 1992-06-12 | 1995-10-03 | Lanxide Technology Company, Lp | Aluminum nitride from inorganic polymers |
DE4241287A1 (de) * | 1992-12-08 | 1994-06-09 | Bayer Ag | Siliciumaluminiumnitridkeramik und Vorläuferverbindungen, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie deren Verwendung |
US5939151A (en) * | 1996-10-25 | 1999-08-17 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for reactive plasma atomization |
JP4729180B2 (ja) * | 2001-02-02 | 2011-07-20 | 株式会社茨木研究所 | 窒化アルミニウムの製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6028781B2 (ja) * | 1977-08-03 | 1985-07-06 | 財団法人特殊無機材料研究所 | 耐熱性セラミツクス焼結成形体の製造方法 |
JPS5839764B2 (ja) * | 1978-03-10 | 1983-09-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム質粉末の製造方法 |
JPS6191008A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Nec Corp | 窒化アルミニウム粉末の合成方法 |
JPS61151006A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム質粉末の製造方法 |
US4687657A (en) * | 1986-06-09 | 1987-08-18 | Celanese Corporation | Fabrication of SiC - AlN alloys |
-
1987
- 1987-09-02 US US07/092,329 patent/US4767607A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-08-23 CA CA000575399A patent/CA1301430C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-08-28 IL IL87580A patent/IL87580A0/xx unknown
- 1988-09-01 KR KR1019890700782A patent/KR890701467A/ko not_active Application Discontinuation
- 1988-09-01 AU AU25222/88A patent/AU2522288A/en not_active Abandoned
- 1988-09-01 WO PCT/US1988/002942 patent/WO1989001911A1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2522288A (en) | 1989-03-31 |
IL87580A0 (en) | 1989-01-31 |
WO1989001911A1 (en) | 1989-03-09 |
US4767607A (en) | 1988-08-30 |
CA1301430C (en) | 1992-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
BR9916345A (pt) | Processos de separação de uma mistura compreendendo pelo menos um hidrofluoroalcano e fluoreto de hidrogênio, e de preparação de um hidrofluoroalcano, e, composição de azeotrópicos ou pseudo-azeotrópicos | |
ZA897579B (en) | Process for the synthesis of polymers based on boron and nitrogen | |
KR890701467A (ko) | 질화알루미늄의 제조방법 | |
GB1236913A (en) | Manufacture of silicon carbide | |
KR910006899B1 (ko) | 질화붕소 기재의 세라믹 생성물 | |
KR880006252A (ko) | 사이클릭 실라잔 및 할로겐화 디실란으로부터 유도된 예비세라믹 중합체 및 그의 제조방법 | |
KR850004102A (ko) | 이소시아네이트 화합물의 제조방법 | |
KR880001684A (ko) | 수소화갈륨-드리알킬아민 부가물, 및 iii-v 화합물 필름의 사용방법 | |
KR920007921A (ko) | 실리콘 디이미드, 이의 제조방법 및 이로부터 수득된 실리콘 니트라이드 | |
ATE106854T1 (de) | Verfahren zur herstellung von siliziumnitrid. | |
KR930007957A (ko) | 무색 투명한 알콕시실란 단량체의 제조방법 | |
GB1134964A (en) | Improvements in or relating to the production of layers of a silicon or germanium nitrogen compound on semiconductor crystals | |
PT1343735E (pt) | Processo para a preparacao de carboneto de volframio | |
JPS54124898A (en) | Preparation of silicon nitride | |
KR940002224A (ko) | 2-클로로-5-아미노메틸-피리딘의 제조방법 | |
KR950703512A (ko) | 디니트로톨루엔의 제조방법(A Process for preparing dinitrotoluene) | |
JPS61286394A (ja) | オレフイン性シラザンの製造方法 | |
KR900012940A (ko) | 유기규소 화합물의 제조방법 | |
KR930009917A (ko) | 질화 붕소의 신규 제조방법 및 이에 의해 수득된 질화 붕소 | |
KR910002710A (ko) | 저탄소함량의 실리콘 디이미드의 제조방법 | |
KR890005009A (ko) | 탄소함유 내화물 및 그의 제조방법 | |
US4952670A (en) | Polymeric hydridothiosilazanes, processes for the preparation thereof, silicon nitride-containing ceramic materials which can be prepared therefrom, and the preparation thereof | |
JP2754223B2 (ja) | 重合体ヒドリドシラザン類,その製造方法並びにそれから窒化珪素含有セラミック材料を製造する方法 | |
US2615044A (en) | Preparation of guanidine thiocyanate | |
KR860008123A (ko) | 신규 디아민 유도체의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |