KR870009248A - 주파수 안정화광원 - Google Patents

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KR870009248A
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미노루 니시오카
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다니이 아끼오
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Abstract

내용 없음

Description

주파수 안정화광원
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1실시예의 사시도.
제7도는 유한푸우리에격자의 극특성을 나타내는 그래프
제10도는 본 발명의 제2실시예의 사시도.

Claims (13)

  1. 반도체레이저소자와, 연속 일차미분계수를 가진 주름형상의 유한 포우리에회절격자를 구비하고, 상기 반도체레이저소자는 그 일면에서 포우리에회절격자를 향하여 광을 방사하고, 상기 포우리에회절격자로부터의 회절광은 상기 반도체레이저소자로 귀환하므로써 당해 반도체레이저소자가 그 타면에서 단일 스펙트럼출력광을 방사하도록 된 주파수 안정화광원.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유한포우리에 회절격자는 선형주름을 가진 평면회절격자이고, 상기 반도체레이져소자와 상기 회절격자 사이에는 상기 반도체레이저소자의 일면으로부터의 광을 접속하는 렌즈가 배치된 것을 특징으로 하는 주파수 안정화광원.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유한포우리에회절격자는 곡선형주름을 가진 평면회절격자인 것을 특징으로 하는 주파수 안정화광원.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유한포우리에회절격자는 오목회절격자인 것을 특징으로 하는 주파수 안정화광원.
  5. 반도체레이저소자와, 사인파주름형회절격자를 구비하고, 상기 반도체레이저소자는 그 일면에서 사인파 주름형회질격자를 향하여 광을 방사하고, 상기 회절격자로부터의 회절광은 상기 반도체레이저소자로 귀환하므로써 당해 반도체레이저소자가 그 타면에서 단일 스펙트럼출력광을 방사하도록 된 주파수안정화광원.
  6. 제5항에 있어서, 상기 사인파주름형회절격자는 선형주름을 가진 평면회절격자이고, 상기 반도체레이저소자와 상기 회절격자 사이에는 상기 반도체레이저소자의 일면으로부터의 광을 접속하는 렌즈가 배치된 것을 특징으로 하는 주파수안정화광원.
  7. 제5항에 있어서, 상기 사인파 주름형회절격자는 곡선형주름을 가진 평면회절격자인 것을 특징으로 하는 주파수 안정화광원.
  8. 제5항에 있어서, 상기 사인파 주름형회절격자는 오목회절격자인 것을 특징으로 하는 주파수 안정화광원.
  9. 반도체레이저소자와, 이 반도체레이저소자의 활성층에 대하여 일정한 각도로 경사진 분산방향을 가지도록 배치된 사인파 주름형회절격자를 구비하고, 상기 반도체레이저소자는 그 일면에서 상기 회절격자를 향하여 광을 방사하고, 상기 회절격자로부터의 회절광은 상기 반도체레이저소자로 귀환하고, 의사광성분은 상기 활성층으로부터 격리되므로써 상기 반도체레이저소자는 그것의 다른 면에서 단일 스펙트럼출력광을 방사하는 것을 특징으로 하는 주파수 안정화광원.
  10. 제9항에 있어서, 상기 사인파 주름형회절격자는 선형주름을 가진 평면회절격자이고, 상기 반도체레이저소자와 상기 회절격자 사이에는 상기 일면으로부터의 광을 접속하는 렌즈가 배치된 것을 특징으로 하는 주파수 안정화광원.
  11. 제9항에 있어서, 상기 사인파 주름형회절격자는 곡선형주름을 가진 평면회절격자인 것을 특징으로 하는 주파수 안정화광원.
  12. 제9항에 있어서, 상기 사인파 주름형회절격자는 오목회절격자인 것을 특징으로 하는 주파수 안정화광원
  13. 제9항에 있어서, 상기경사각은 90°인 것을 특징으로 하는 주파수 안정화광원.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870002915A 1986-03-31 1987-03-30 주파수 안정화광원 KR910000827B1 (ko)

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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD294619A7 (de) * 1989-05-31 1991-10-10 Jenoptik Carl Zeiss Jena Gmbh,De Anordnung zur rueckkopplung von laserdiodenstrahlung
DE3932097A1 (de) * 1989-09-26 1991-04-04 Max Planck Gesellschaft Optischer pulskompressor
US5011264A (en) * 1989-12-28 1991-04-30 General Dynamics Corp., Electronics Divn. Wide linear dynamic range optical modulator
US5222071A (en) * 1991-02-21 1993-06-22 Board Of Trustees Leland Stanford, Jr. University Dynamic optical grating device
JP2755504B2 (ja) * 1991-06-10 1998-05-20 松下電器産業株式会社 位相同期型半導体レーザ
US5386426A (en) * 1992-09-10 1995-01-31 Hughes Aircraft Company Narrow bandwidth laser array system
US5351262A (en) * 1992-09-10 1994-09-27 Bell Communications Research, Inc. Multi-stripe array grating integrated cavity laser
US5715092A (en) * 1994-06-29 1998-02-03 Eastman Kodak Company Ferroelectric light frequency doubler device with a surface coating and having an inverted domain structure
US6370290B1 (en) * 1997-09-19 2002-04-09 Uniphase Corporation Integrated wavelength-select transmitter
US6289028B1 (en) 1998-02-19 2001-09-11 Uniphase Telecommunications Products, Inc. Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength
US6134253A (en) * 1998-02-19 2000-10-17 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength
US6560253B1 (en) 1999-01-14 2003-05-06 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength
US6501782B1 (en) 1999-10-25 2002-12-31 Aculight Corporation Compact laser apparatus
US6456756B1 (en) 1999-10-25 2002-09-24 Aculight Corporation Fiber raman amplifier pumped by an incoherently beam combined diode laser
US6538817B1 (en) 1999-10-25 2003-03-25 Aculight Corporation Method and apparatus for optical coherence tomography with a multispectral laser source
US6529542B1 (en) 2000-04-04 2003-03-04 Aculight Corporation Incoherent beam combined optical system utilizing a lens array
JP3849967B2 (ja) * 2000-05-19 2006-11-22 シャープ株式会社 光ピックアップ
US6587214B1 (en) 2000-06-26 2003-07-01 Jds Uniphase Corporation Optical power and wavelength monitor
US6693928B2 (en) 2000-10-10 2004-02-17 Spectrasensors, Inc. Technique for filtering chirp from optical signals
US6611341B2 (en) 2000-10-10 2003-08-26 Spectrasensors, Inc. Method and system for locking transmission wavelengths for lasers in a dense wavelength division multiplexer utilizing a tunable etalon
US6671296B2 (en) * 2000-10-10 2003-12-30 Spectrasensors, Inc. Wavelength locker on optical bench and method of manufacture
US6587484B1 (en) 2000-10-10 2003-07-01 Spectrasensor, Inc,. Method and apparatus for determining transmission wavelengths for lasers in a dense wavelength division multiplexer
US6486950B1 (en) 2000-12-05 2002-11-26 Jds Uniphase Corporation Multi-channel wavelength monitor
JP4085970B2 (ja) * 2003-12-03 2008-05-14 ソニー株式会社 外部共振器型半導体レーザ
DE102004016638A1 (de) * 2004-03-30 2005-10-20 Zeiss Carl Beugungsgitter, insbesondere Reflexionsgitter
EP1856777A4 (en) * 2005-01-24 2009-04-29 Thorlabs Inc COMPACT MULTIMODE LASER WITH QUICK SPECTRAL SCAN
US8467430B2 (en) * 2010-09-23 2013-06-18 Daylight Solutions, Inc. Continuous wavelength tunable laser source with optimum orientation of grating and gain medium
CN102280808A (zh) * 2011-06-20 2011-12-14 青岛镭创光电技术有限公司 一种自倍频激光器
TW201401699A (zh) * 2012-04-09 2014-01-01 Sony Corp 半導體雷射裝置組立體
JP7137321B2 (ja) * 2018-02-28 2022-09-14 浜松ホトニクス株式会社 可動回折格子、外部共振器型レーザモジュール、可動回折格子の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4289371A (en) * 1979-05-31 1981-09-15 Xerox Corporation Optical scanner using plane linear diffraction gratings on a rotating spinner
JPS5785281A (en) * 1980-11-17 1982-05-27 Takumi Tomijima Fixing system for oscillation wavelength of semiconductor laser by diffraction grating
US4601036A (en) * 1982-09-30 1986-07-15 Honeywell Inc. Rapidly tunable laser

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US4913525A (en) 1990-04-03
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DE3782355T2 (de) 1993-04-01
KR910000827B1 (ko) 1991-02-09
EP0240293B1 (en) 1992-10-28
EP0240293A3 (en) 1988-09-14

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