KR860009604A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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다니이 아끼오
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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 제 1 의 실시예에서의 플라즈마 처리장치의 개략 단면도.
제 5 도는 본 발명의 제 2 의 실시예에서의 플라즈마 처리장치의 개략 단면도.
(41) : 진공용기, (44) : 시료대, (46) : 전극, (47) : 가스유량제어장치, (48) : 고주파전원, (49) : 진공펌프, (51) : 압력제어장치, (52) : 직류전원, (53) : 필터회로, (54) : 전류계, (81) : 진공용기, (83) : 시료대, (86) : 전극, (87) : 고주파전원, (88) : 진공펌프, (90) : 압력제어장치, (91) : 가스공급장치, (92) : 직류전원, (93) : 필터회로, (94) : 센서, (95) : 피이드백 회로, (101) : 진공용기, (102) : 시료, (103) : 시료대, (104) : 가열장치, (106) : 전극, (107) : 고주파전원, (108) : 진공펌프, (111) : 가스도입관, (112) : 가스유량제어장치, (113) : 직류전원, (121) : 진공용기, (123) : 시료대, (124) : 전극, (125) : 고주파전원, (126) : 진공펌프, (128) : 압력제어장치, (129) : 직류전원, (130) : 필터, (131) : 전류계, (141) : 진공용기, (142) : 시료, (143) : 시료대, (144) : 전극, (145) : 고주파전원, (146) : 진공펌프, (147) : 진공배기파이프, (148) : 압력제어장치, (149) : 직류전원, (150) : 필터, (151) : 센서, (152) : 피이드백회로.

Claims (12)

  1. 진공상태의 유지가 가능한 진공용기와 진공용기 내를 감압 분위기로 하기 위한 진공배기수단과 진공 용기 내의 압력을 소정의 값으로 하기 위한 압력제어 수단과 진공 용기 내에 피가공물에 플라즈마 CVD 막을 퇴적시키기 위한 가스를 도입하는 가스공급 수단과 피가공물을 가열제어하는 수단과 피가공물을 유지하는 피가공물 유지수단과 진공 용기내에 위치하고, 고주파 전력이 공급되어 소정의 압력상태에서 적어도 피가공물을 포함하는 공간에 저온 플라즈마를 발생시키는 전극과 전극에 정합회로를 개재해서 고주파전력을 공급하기 위한 고주파 전원과 전극에 고주파 전력과 함께 부의 직류전압을 필터회로를 개재해서 부하하기 위한 직류전류원으로 이루어지는 플라즈마 처리장치.
  2. 진공상태의 유지가 가능한 진공용기와 진공용기 내를 감압 분위기로 하기 위한 진공배기수단과 진공 용기 내의 압력을 소정의 값으로 하기 위한 압력제어 수단과 진공 용기 내에 피가공물에 플라즈마 CVD 막을 퇴적시키기 위한 가스를 도입하는 가스공급 수단과 피가공물을 가열제어하는 수단과 피가공물을 유지하는 피가공물 유지수단과 진공 용기내에 위치하고, 고주파 전력이 공급되어 소정의 압력상태에서 적어도 피가공물을 포함하는 공간에 저온 플라즈마를 발생시키는 전극과 전극에 정합회로를 개재해서 고주파전력을 공급하기 위한 고주파 전원과 전극에 고주파 전력과 함께 부의 직류전압을 필터회로를 개재해서 부하하기 위한 직류전원과 상기 직류전원과 필터회로와의 사이에 배치하여 직류전원과 필터회로의 구간에 흐르는 직류전류를 측정하기 위한 전류측정수단으로 이루어진 플라즈마 처리장치.
  3. 진공상태의 유지가 가능한 진공용기와 진공용기 내를 감압 분위기로 하기 위한 진공배기수단과 진공 용기 내의 압력을 소정의 값으로 하기 위한 압력제어 수단과 진공 용기 내에 피가공물에 플라즈마 CVD 막을 퇴적시키기 위한 가스를 도입하는 가스공급 수단과 피가공물을 가열제어하는 수단과 피가공물을 유지하는 피가공물 유지수단과 진공 용기내에 위치하고, 고주파 전력이 공급되어 소정의 압력상태에서 적어도 피가공물을 포함하는 공간에 저온 플라즈마를 발생시키는 전극과 전극에 정합회로를 개재해서 고주파전력을 공급하기 위한 고주파 전원과 전극에 고주파 전력과 함께 부의 직류전압을 필터회로를 개재해서 부하하기 위한 직류전원과 상기 직류전원과 필터회로와의 사이에 배치하여 직류전원과 필터회로의 구간에 흐르는 직류전류를 측정하기 위한 전류측정수단과 상기 전류측정 수단에 의해서 측정된 전류의 값에 따라서 직류전원으로부터의 부의 직류전압치를 제어하는 수단으로 이루어진 플라즈마 처리장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 부의 직류 전압이 필터 회로를 개재해서 고주파 전력치, 진공용기 내의 압력, 가스 조성, 가스 유량 등의 저온플라즈마 발생 조건에 따라서 제어하여 전극에 공급되는 플라즈마 처리장치.
  5. 진공상태의 유지가 가능한 진공용기와 상기 진공용기 내를 감압 분위기로 하기 위한 진공배기수단과 상기 진공 용기 내의 압력을 소정의 값으로 하기 위한 압력제어 수단과 상기 진공 용기 내에 피가공물에 플라즈마 CVD 막을 퇴적시키기 위한 불활성 가스를 함유하는 가스를 도입하는 가스공급 수단과 피가공물을 가열제어하는 수단과 피가공물을 유지하는 피가공물 유지수단과 진공 용기내에 위치하고, 고주파 전력이 공급되어 소정의 압력상태에서 적어도 피가공물을 포함하는 공간에 저온 플라즈마를 발생시키는 전극과 전극에 정합회로를 개재해서 고주파전력을 공급하기 위한 고주파전력과 전극에 고주파 전력과 함께 50V에서부터 1000V의 부의 전압을 필터회로를 개재해서 부하하기 위한 직류전원으로 이루어진 플라즈마 처리장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 가스의 조성을 피가공물 표면에 퇴적하는 플라즈마 CVD 막의 조성원소를 함유하는 화학물가스와 적어도 알곤가스 혹은 크세논가스와의 혼합가스로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 전극의 재질은, 적어도 저온플라즈마의 분위기에 위치하는 부분이 피가공물표면에 형성하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 전극의 재질은 적어도 저온플라즈마의 분위기에 위치하는 부분의 재질이 플라즈마 CVD 막과 동일재질로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 진공상태의 유지가 가능한 진공용기와 진공용기 내를 감압 분위기로 하기 위한 진공배기수단과 진공용기내의 압력을 소정의 값으로 하기 위한 압력제어 수단과 진공 용기 내에 피가공물을 드라이 에칭하기 위한 가스를 도입하는 가스공급 수단과 피가공물을 유지하는 피가공물 유지수단과 진공 용기내에 위치하고 고주파 전력이 공급되어 소정의 압력상태에서 적어도 피가공물을 포함하는 공간에 저온 플라즈마를 발생시키는 전극과 전극에 정합회로를 개재해서 고주파전력을 공급하기 위한 고주파전원과 전극에 고주파 전력과 함께 부의 직류전압을 필터회로를 개재해서 부하하기 위한 직류전원으로 이루어진 플라즈마 처리장치.
  10. 진공상태의 유지가 가능한 진공용기와 진공용기 내를 감압 분위기로 하기 위한 진공배기수단과 진공 용기 내의 압력을 소정의 값으로 하기 위한 압력제어 수단과 진공 용기 내에 피가공물을 드라이 에칭하기 위한 가스를 도입하는 가스공급 수단과 피가공물을 유지하는 피가공물 유지수단과 진공 용기내에 위치하고 고주파 전력이 공급되어 소정의 압력상태에서 적어도 피가공물을 포함하는 공간에 저온 플라즈마를 발생시키는 전극과 전극에 정합회로를 개재해서 고주파전력을 공급하기 위한 고주파전원과 전극에 고주파 전력과 함께 부의 직류전압을 필터회로를 개재해서 부하하기 위한 직류전원과 상기 직류전원과 필터회로의 구간에 흐르는 직류전류를 측정하기 위한 측정수단으로 이루어진 플라즈마 처리장치.
  11. 진공상태의 유지가 가능한 진공용기와 진공용기내를 감압분위기로 하기 위한 진공배기수단과 진공용기내의 압력을 소정의 값으로 하기 위한 압력제어수단과 진공용기내에 피가공물을 드라이에칭하기 위한 가스를 도입하는 가스공급수단과 피가공물을 유지하는 피가공물 유지수단과 진공용기내에 위치하고, 고주파전력이 공급되어 소정의 압력상태에서 적어도 피가공물을 포함하는 공간에 저온플라즈마를 발생시키는 전극과 전극에 정합회로를 개재해서 고주파전력을 공급하기 위한 고주파전원과 전극에 고주파전력과 함께 부의 적류전압을 필터회로를 개재해서 부하하기 위한 직류전원과 상기 직류전원과 필터회로와의 사이에 배치하여, 직류전원과 필터회로의 구간에 흐르는 직류전류를 측정하기 위한 전류측정수단과 상기 전류측정수단에 의해서 측정된 전류의 값에 따라서 직류전원으로부터의 부의 직류전합치를 제어하는 수단으로 이루어진 플라즈마 처리장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 부의 직류전아이 필터회로를 개재해서 고주파 전력치, 진공용기 내의 압력, 가스조성 가스유량 등의 저온 플라즈마 발생조건에 따라서 제어하여 전극에 공급되는 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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