KR860006827A - 반도체의 산화방법 - Google Patents

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KR860006827A
KR860006827A KR1019860001254A KR860001254A KR860006827A KR 860006827 A KR860006827 A KR 860006827A KR 1019860001254 A KR1019860001254 A KR 1019860001254A KR 860001254 A KR860001254 A KR 860001254A KR 860006827 A KR860006827 A KR 860006827A
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KR
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semiconductor
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oxidizing gas
strong oxidizing
energy beam
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KR1019860001254A
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Inventor
도시유끼 사메시마 (외 1)
Original Assignee
오오가 노리오
쏘니 가부시기 가이샤
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
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    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
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Abstract

내용 없음

Description

반도체의 산화방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명의 제1의 실시예의 KrF 엑시머레이저에 의해 광분해를 하여 산화막을 형성하는 방법을 나타낸 모식도. 제2도는 에너지비임의 파장과 그 실리콘기판에 대한 기능의 관계 및 에너지비임의 파장과 강산화성 가스의 광분해의 관계를 나타낸 도면. 제3도는 오존의 황흡수스펙트럼을 나타낸 특성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
(2), (12), (22), (32), (42): 실리콘기판, a: XeF 엑시머레이저의 레이저빔, b, c: KrF 엑시머레이저의 레이저비임, d: 저압수은등의 비임, e: YAG레이저빔의 4차 고조파, f: XeCl: 에너지비임의 레이저비임.

Claims (1)

  1. 강산화성가스(强酸化性 gas)를 광분해 가능한 에너지를 갖는 에너지비임을 사용하여 이 강산화성가스를 광분해하고, 광분해된 여기(勵起) 상태의 산소원자에 의해 반도체의 표면을 산화하는 반도체의 산화방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860001254A 1985-02-28 1986-02-22 반도체의 산화방법 KR860006827A (ko)

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