KR850004352A - 반도체 ic중의 트랜지스터의 도통상태의 시험방법 및 장치 - Google Patents
반도체 ic중의 트랜지스터의 도통상태의 시험방법 및 장치 Download PDFInfo
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Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 집적 회로내의 접속점 및 그 논리 상태의 도시도.
제2도는 본 발명에 의한 집적회로 시험 장치의 블럭도.
제3도는 시험중에 공급전류의 상관 2중 샘플링을 행하는 아날로그 회로를 포함하는 제2도의 장치의 전자 부분의 블럭도.
제4A 및 4B도는 제3도의 상관 2중 샘플링 회로의 일실시예를 도시하는 상세도.
Claims (11)
- 반도체 IC중의 트랜지스터의 도통상태를 시험하는 방법에 있어서, 상기 IC에 부하를 통하여 전력을 공급하는 공정과 상기 IC에 클럭 신호를 주는 공정과, 상기 클럭 신호를 소정시간 기간에서 정지하는 공정과, 상기 트랜지스터에 집속한 복사빔을 조사하는 공정, 및 상기 IC에 공급된 전류의 변화를 측정하기 위하여, 상기 부하수단의 단부에 나타나는 전압 변화를 측정하는 공정을 포함하는 반도체 IC중의 트랜지스터의 도통 상태를 시험하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전압 변화 측정공정이, 상기 부하 수단에 접속된 상관 2중 샘플링 회로에 의하여 행하여지는 상관 2중 샘플링인 것을 특징으로 하는 반도체 IC중의 트랜지스터의 도통상태 시험방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전압 변화측정에 의하여 얻어진 아날로그 신호가 디지탈 신호로 변환되는 것을 특징으로 하는 반도체 IC중의 트랜지스터의 도통상태 시험방법.
- 제1항에 있어서, 집속한 레이저 빔을 상기 집속한 복사빔으로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 IC중의 트랜지스터의 도통상태 시험방법.
- 제1항에 있어서, 상기 부하수단이, 상기 클럭신호를 정지하는 공정이 종료할 때 까지는 스위치 수단에 의하여 바이패스되고 있고, 그 후 상기 스위치가 열리는 것을 특징으로 하는 반도체 IC중의 트랜지스터의 도통상태 시험방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전압변화를 측정하는 공정이, 상기 트랜지스터에 복사빔을 조사하지 않는 상태에서 제1의 측정치를 얻고, 이어서 상기 트랜지스터에 복사빔을 조사한 상태에서 제2의 측정치를 얻고, 상기 제1의 측정치를 상기 제2의 측정치로부터 감산하는 단계를 포함하는 반도체 IC중의 트랜지스터의 도통상태 시험방법.
- 반도체 ICI중의 트랜지스터의 도통상태를 시험하는 장치에 있어서, 전위와 상기 전원을 시혐해야 할 반도체 CI에 접속하는 부하수단과, 상기 반도체 IC중의 트랜지스터에 선택적으로 레이저빔을 조사하는 레이저 수단과, 상기 반도체 C클럭 신호를 공급하는 클럭수단과, 차동수단과, 상기 부하 수단을 상기 차동 증폭수단에 용량접속하는 용량수단, 및 소정시간에 있어서 상기 클럭 수단을 정지시키고 그 후 상기 레이저 수단에 반도체 IC중의 트랜지스터에 레이저빔을 조사시키고, 또 상기 차동 증폭수단에 상기 부하수단을 양단의 전압을 차동증폭시키는 제어수단을 구비한 반도체 CI중의 트랜지스터의 도통상태 시험장치.
- 제7항에 있어서, 상기 클럭 수단이 정지될 때 까지, 상기 부하수단을 전기적으로 바이패스하는 스위치 수단을 구비한 반도체 IC중의 트랜지스터의 도통상태 시험장치.
- 제8항에 있어서, 상기 차동 증폭 수단이 복수의 증폭단을 포함하고 있고, 이들 증폭단이 버퍼 수단을 통하여 서로 접속되고 있는 반도체 IC중의 트랜지스터의 도통상태 시험장치.
- 제9항에 있어서, 상기 부하 수단으로부터 증폭된 아날로그 값인 전압을 디지탈 신호로 변환하는 A-D 변환수단을 구비한 반도체 IC중의 트랜지스터의 도통상태 시험장치.
- 제7항에 있어서, 상기 부하 수단이 저항인 것을 특징으로 하는 반도체 IC중의 트랜지스터의 도통상태 시험장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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