JP3000746B2 - 半導体装置の特性測定方法 - Google Patents
半導体装置の特性測定方法Info
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- JP3000746B2 JP3000746B2 JP3248571A JP24857191A JP3000746B2 JP 3000746 B2 JP3000746 B2 JP 3000746B2 JP 3248571 A JP3248571 A JP 3248571A JP 24857191 A JP24857191 A JP 24857191A JP 3000746 B2 JP3000746 B2 JP 3000746B2
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- JP
- Japan
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- signal
- semiconductor device
- limiter circuit
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の特性測定方
法に関し、特に半導体検査装置による半導体装置の測定
方法に関する。
法に関し、特に半導体検査装置による半導体装置の測定
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体検査装置を用いた半導体装
置の電気的特性を測定する場合、半導体検査装置の発生
するシステムノイズ等の影響を軽減するため、微小信
号、一般的には数ｍＶ〜数十ｍＶ以下の信号を扱うに
は、被測定半導体装置の近傍で信号を増幅し、検査装置
に入力し測定する方法をとる。
置の電気的特性を測定する場合、半導体検査装置の発生
するシステムノイズ等の影響を軽減するため、微小信
号、一般的には数ｍＶ〜数十ｍＶ以下の信号を扱うに
は、被測定半導体装置の近傍で信号を増幅し、検査装置
に入力し測定する方法をとる。
【０００３】また、高周波信号の場合は、同軸ケーブル
を使用し、低インピーダンス約５０Ωで整合をとり入力
する方法が用いられる。いずれの場合においても、検査
装置の入力信号レベルは、その測定系から数Ｖ程度が最
良の入力レベルとなる。
を使用し、低インピーダンス約５０Ωで整合をとり入力
する方法が用いられる。いずれの場合においても、検査
装置の入力信号レベルは、その測定系から数Ｖ程度が最
良の入力レベルとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の、検査装置
を用いた半導体装置の電気的特性では、大きなレベルの
成分を含んだ信号における微小変化を検出するには信号
全体を増幅してしまうため、その成分比が変わらない。
また検査装置の許容入力レベル以上の入力は出来ないた
め、増幅して入力することが出来ない場合もあり、測定
精度を得るのが困難であるという問題点があった。
を用いた半導体装置の電気的特性では、大きなレベルの
成分を含んだ信号における微小変化を検出するには信号
全体を増幅してしまうため、その成分比が変わらない。
また検査装置の許容入力レベル以上の入力は出来ないた
め、増幅して入力することが出来ない場合もあり、測定
精度を得るのが困難であるという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の測定方法は、被
測定半導体装置からの被測定信号を、上限値及び下限値
を制御できるリミッタ回路にて、上限値及び下限値を制
限し、この制限された信号を入力とする増幅器で増幅し
て、検査装置（以下ＩＣテスターと呼ぶ）で測定する。
測定半導体装置からの被測定信号を、上限値及び下限値
を制御できるリミッタ回路にて、上限値及び下限値を制
限し、この制限された信号を入力とする増幅器で増幅し
て、検査装置（以下ＩＣテスターと呼ぶ）で測定する。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１は本発明の一実施例の機能ブロック図
である。図２は図１に示した実施例の各部の信号波形図
である。
である。図２は図１に示した実施例の各部の信号波形図
である。
【０００８】図１において、１は被測定半導体装置（以
下ＤＶＴと呼ぶ）であり、このＤＶＴの被測定信号を例
として図２（ａ）の波形とする。この波形の振幅を１Ｖ
程度とすると、この信号をリミッタ回路２に入力しリミ
ッタ回路の上限値制御端子ｃ、と下限値制御端子ｂに電
圧を与える。この電圧を、図２（ａ）のｆ付近の形状を
数ｍＶ以下で測定する場合はｇ〜ｈの範囲になる様に設
定し、なおかつそのｇ，ｈ間の幅が数十ｍＶとなる様に
する。リミッタ回路の出力は、図２（ａ）の波形の振幅
が、制御された同図（ｄ）の波形が得られる。このリミ
ッタ回路の出力信号を増幅器３に入力し、増幅度を２０
〜４０ＤＢとし出力すると図２（ｅ）の波形の信号がえ
られ、この波形は図２（ａ）のｆ付近のみの波形を拡大
したものとなる。
下ＤＶＴと呼ぶ）であり、このＤＶＴの被測定信号を例
として図２（ａ）の波形とする。この波形の振幅を１Ｖ
程度とすると、この信号をリミッタ回路２に入力しリミ
ッタ回路の上限値制御端子ｃ、と下限値制御端子ｂに電
圧を与える。この電圧を、図２（ａ）のｆ付近の形状を
数ｍＶ以下で測定する場合はｇ〜ｈの範囲になる様に設
定し、なおかつそのｇ，ｈ間の幅が数十ｍＶとなる様に
する。リミッタ回路の出力は、図２（ａ）の波形の振幅
が、制御された同図（ｄ）の波形が得られる。このリミ
ッタ回路の出力信号を増幅器３に入力し、増幅度を２０
〜４０ＤＢとし出力すると図２（ｅ）の波形の信号がえ
られ、この波形は図２（ａ）のｆ付近のみの波形を拡大
したものとなる。
【０００９】また制御電圧を変えることにより、図２
（ａ）の波形の任意の部分のみを拡大して、ＩＣテスタ
ーの測定系に入力することが出来る。
（ａ）の波形の任意の部分のみを拡大して、ＩＣテスタ
ーの測定系に入力することが出来る。
【００１０】図３は本発明による他の実施例であり、Ｄ
ＶＴの被測定信号に直流電位を含んでいる場合、増幅器
で増幅すると飽和する場合が生じるため、直流電位を除
去する。直流レベルシフト回路と、前記信号の振幅が小
さい場合（数１０ｍＶ以下）はリミッタ回路入力前に一
度増幅してから、前述の様に波形の一部分を増幅する方
法である。
ＶＴの被測定信号に直流電位を含んでいる場合、増幅器
で増幅すると飽和する場合が生じるため、直流電位を除
去する。直流レベルシフト回路と、前記信号の振幅が小
さい場合（数１０ｍＶ以下）はリミッタ回路入力前に一
度増幅してから、前述の様に波形の一部分を増幅する方
法である。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、振幅の大
きな信号（数１０ｍＶ〜１Ｖ以上）における波形の、所
望の一部分のみをＤＶＴ近傍で増幅できるので、ノイズ
等の影響を軽減でき、波形の一部の微小変化（数１０ｍ
Ｖ以下）を精度よく簡単に測定出来る。
きな信号（数１０ｍＶ〜１Ｖ以上）における波形の、所
望の一部分のみをＤＶＴ近傍で増幅できるので、ノイズ
等の影響を軽減でき、波形の一部の微小変化（数１０ｍ
Ｖ以下）を精度よく簡単に測定出来る。
【図１】本発明の一実施例の機能ブロック図。
【図２】図１に示した実施例の各点における信号波形
図。
図。
【図３】本発明による実施例２の機能ブロック図。
１ 被測定半導体装置 ２ リミッタ回路 ３ 増幅回路 ４ 検査装置の測定系 ｂ リミッタ回路の下限値制御端子 ｃ リミッタ回路の上限値制御端子 ５ 直流レベルシフト回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 31/26 G01R 19/00 - 19/32 H01L 21/66
Claims (1)
- 【請求項１】 自動検査測定を用いる半導体装置の電気
的特性測定において、初測定半導体装置の測定端子に、
上限値及び下限値を制御できるリミッタ回路と、このリ
ミッタ回路の出力を増幅する増幅器を接続し、測定信号
をリミッタ回路にて、その上，下限値で設定したレベル
に制限し、この信号を次段の増幅器で増幅して、測定す
ることを特徴とする半導体装置の電気的特性測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248571A JP3000746B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体装置の特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248571A JP3000746B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体装置の特性測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0587867A JPH0587867A (ja) | 1993-04-06 |
| JP3000746B2 true JP3000746B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=17180122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3248571A Expired - Lifetime JP3000746B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体装置の特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3000746B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5457013B2 (ja) * | 2008-11-18 | 2014-04-02 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 振動補償制御回路、及び撮像装置 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3248571A patent/JP3000746B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0587867A (ja) | 1993-04-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991012 |