KR840008196A - 반도체 기어장치 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 26
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 7
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 A,B는 본 발명의 제1원리(原理)를 설명하기 위한 원리도.
제4도는 본 발명의 제2원리를 설명하기 위한 원리도.
제5도는 본 발명의 1실시예의 DRAM의 개요도.
Claims (24)
- 다음 사항으로 되는 반도체 기억장치. 반도체 기판; 상기 반도체 기판위에 행과 열상으로 형성된 메모리 셀, 상기 메모리셀은 제1의 MISFET와 상기 제1의 MISFET에 직열로 접속된 제1의 캐파시터와를 포함한다. 상기 제1의 캐파시터는 제1 및 제2의 전극을 가지며, 상기 반도체 기판위에 형성된 더미셀, 상기 더미셀은 제2의 MISFET와 상기 제2의 MISFET에 집열로 접속된 제2의 캐파시터와를 포함한다. 상기 제2의 캐파시터는 제3 및 제4의 전극을 가지며, 상기 제2의 캐파시터는 상기 제1의 캐파시터의 대략 1/2의 용량을 가지며, 상기 반도체 기판위에 행상으로 형성된 비트선, 상기 비트선은 상기 제1 및 제2의 MISFET에 접속된다. 상기 반도체 기판위에 열상으로 형성된 워드선, 상기 워드선은 상기 비트선에 교차하는 방향으로 연재한다. 그리고, 상기 제3의 전극에 대한 상기 제4의 전극의 어긋남에 기인하는 상기 제2의 캐파시터의 면적의 변동량은 상기 제1의 전극에 대한 상기 제3의 전극의 어긋남에 기인하는 상기 제1의 캐파시터의 면적의 변동량에 대해 일정한 비율이다.
- 특허청구의 범위 제1항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제2의 캐파시터의 면적의 변동량은, 상기 제1의 캐파시터의 면적의 변동량의 대략 1/2이다.
- 특허청구의 범위 제2항 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제3의 전극의 형상은 상기 제1의 전극의 형상과 대략 비슷하다.
- 특허청구의 범위 제3항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제1의 전극은 상기 반도체 기판으로 된다. 상기 제1의 전극은 상기 반도체 기판위에 형성된 절연막에 의해서 규정된다. 상기 제2의 전극은 상기 반도체 기판위에 형성된 다결정 실리콘층으로 된다.
- 특허청구의 범위 제4항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제3의 전극은 상기 반도체 기판으로 된다. 제의 제3의 전극은 상기 반도체 기판위에 형성된 상기 절연막에 의해서 규정된다. 상기 제4의 전극은 상기 반도체 기판위에 형성된 상기 다결정 실리콘 층으로 된다.
- 특허청구의 범위 제3항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제3의 전극과 상기 제4의 전극이 상기 제2의 MISFET측에 있어서의 교차하는 각도는 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극이 상기 제1의 MISFET측에 있어서의 교차하는 각도에 대해서 일정한 관계에 있다.
- 특허청구의 범위 제6항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제3의 전극과 상기 제4의 전극이 교차하는 각도는 90도이며, 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극이 교차하는 각도는 45도이다.
- 특허청구의 범위 제2항의 반도체 기억장치에 있어서 상기 비트선은 2개의 더미셀에 접속한다.
- 특허청구의 범위 제8항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 각 비트선에 접속되는 상기 2개의 더미셀은 상기 제2의 캐파시터의 상기 면적의 변동량이 증가하는 제2의 캐파시터와 상기 제3의 전극에 대한 상기 제4의 전극의 동일의 편차에 대하여 상기 면적의 변동량이 감소하는 제2캐파시터를 갖는다.
- 특허청구의 범위 제9항은 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제1 및 제3의 전극은 상기 반도체 기판으로 된다. 상기 제1 및 제3의 전극은 상기 반도체 기판위에 형성된 절연막에 의해서 규정되는 상기 제2 및 제4의 전극은 상기 반도체 기판위에 형성된 다결정 실리콘층으로 된다.
- 다음 사항으로 되는 반도체 기억장치. 반도체 기판; 상기 반도체 기판위에 열과 행상으로 형성된 메모리셀, 상기 메모리셀은 제1의 MISFET와 상기 제1의 MISFET에 직열로 접속된 제1의 캐파시터와를 포함하는 상기 제1의 캐파시터는 제1 및 제2의 전극을 가지며, 상기 반도체 기판위에 형성된 더미셀, 상기 더미셀은 제2의 MISFET와 상기 제2의 MISFET에 직열로 접속된 제2의 캐파시터와를 포함하는 상기 제2의 캐파시터는 제3 및 제4의 전극을 가지며, 상기 반도체 기판위에 행상으로 형성된 비트선, 상기 비트선은 상기 제1 및 제2의 MISFET에 접속된다. 그리고, 상기 반도체 기판위에 열상으로 형성된 워드선, 상기 원드선은 상기 비트선에 교차하는 방향으로 연재한다. 상기 워드선은 상기 제1의 MISFET에 접속된 제1의 워드선과 상기 제2의 MISFET에 접속된 제2의 워드선으로 되는 상기 제1 및 제2의 워드선은 실질적으로 동일의 저항치를 갖는다.
- 특허청구의 범위 제11항의 반도체 기억장치에 있어서 상기 제1 및 제2의 워드선의 아래에 동일의 수의 단차가 존재한다.
- 특허청구의 범위 제12항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제1 및 제2의 워드선의 아래에 실질적으로 동일의 단차가 각각 동일의 수가 존재한다.
- 특허청구의 범위 제11항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제1의 워드선의 일부가 상기 제1의 캐파시터 위에 연재한다.
- 특허청구의 범위 제14항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제2의 워드선의 아래에 상기 제1의 워드선의 아래에 존재하는 단차와 실질적으로 동일의 단차가 각각 동일의 수가 존재한다.
- 특허청구의 범위 제15항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제2의 워드선 아래에 상기 제1의 전극과 동시에 형성되는 층 및 상기 제2의 전극과 동시에 형성되는 층이 존재한다.
- 특허청구의 범위 제15항의 반도체 기억장치에 있어서 상기 제2의 워드선의 부분이 상기 제2의 캐파시터 위에 연재한다.
- 특허청구의 범위 제17항의 반도체 기억장치에 있어서 상기 제1 및 제3의 전극은 동시에 형성된 층이며, 상기 제2 및 제4의 전극은 동시에 형성된 층이다.
- 특허청구의 범위 제18항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제1 및 제3의 전극은 상기 반도체 기판으로 되고, 상기 제2 및 제4의 전극은 다결정 실리콘층으로 된다.
- 특허청구의 범위 제11항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제1 및 제2의 워드선은 동일재료로 된다.
- 특허청구의 범위 제20항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 워드선이 상기 재료로서 적어도 일부에 고융점 금속이 사용된다.
- 특허청구의 범위 제20항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 워드선의 상기 재료로서 적어도 일부에 고융점 금속의 실리사이드가 사용된다.
- 특허청구의 범위 제11항의 반도체 기억장치에 있어서 상기 제1의 전극은 상기 반도체 기판으로 된다. 상기 제1의 전극은 상기 반도체 기판의 주표면위에 형성된 절연막에 의해서 규정된다. 상기 제2의 전극은 상기 반도체 기판위에 형성된 다결정 실리콘층으로 된다. 상기 제1의 워드선의 일부는 상기 제1의 캐파시터 위에 연재된다. 상기 제1의 워드선의 아래에 상기 절연막에 의해서 생기는 단차 및 상기 다결정 실리콘에 의해서 생기는 단차가 존재한다.
- 특허청구의 범위 제23항의 반도체 기억장치에 있어서, 상기 제2의 전극은 상기 반도체 기판으로 된다. 상기 제2의 전극은, 상기 반도체 기판의 주표면위에 형성된 상기 절연막에 의해서 규정된다. 상기 제4의 전극은 상기 반도체 기판위에 형성된 상기 다결정 실리콩 층으로 되고, 상기 제2의 워드선의 일부는 상기 제2의 캐파시터 위에 연재된다. 상기 제2의 워드선의 아래에 상기 절연막에 의해서 생기는 단차 및 상기 다결정 실를콘에 의해서 생기는 단차가 존재한다.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP47149 | 1983-03-23 | ||
| JP58047149A JPS59172761A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR840008196A true KR840008196A (ko) | 1984-12-13 |
Family
ID=12767038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019840001418A KR840008196A (ko) | 1983-03-23 | 1984-03-20 | 반도체 기어장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59172761A (ko) |
| KR (1) | KR840008196A (ko) |
| DE (1) | DE3410794A1 (ko) |
| FR (1) | FR2543348A1 (ko) |
| GB (1) | GB2137018A (ko) |
| IT (1) | IT1173897B (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0760858B2 (ja) * | 1984-10-26 | 1995-06-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体メモリ装置 |
| EP0464251B1 (en) * | 1990-07-06 | 1996-03-13 | Fujitsu Limited | Dynamic random access memory having improved layout and method of arranging memory cell pattern |
| JP3171240B2 (ja) * | 1998-01-13 | 2001-05-28 | 日本電気株式会社 | 抵抗素子、それを用いた半導体装置およびこれらの製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE789501A (fr) * | 1971-09-30 | 1973-03-29 | Siemens Ag | Condensateur electrique dans un circuit integre, utilise notamment comme memoire pour une memoire a semiconducteur |
| US4140967A (en) * | 1977-06-24 | 1979-02-20 | International Business Machines Corporation | Merged array PLA device, circuit, fabrication method and testing technique |
| JPS5457921A (en) * | 1977-10-18 | 1979-05-10 | Fujitsu Ltd | Sense amplifier circuit |
| JPS5559759A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| DE3029108A1 (de) * | 1980-07-31 | 1982-02-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Monolithisch integrierter halbleiterspeicher |
| JPS57186354A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory storage and manufacture thereof |
| US4413330A (en) * | 1981-06-30 | 1983-11-01 | International Business Machines Corporation | Apparatus for the reduction of the short-channel effect in a single-polysilicon, one-device FET dynamic RAM array |
| DE3137708A1 (de) * | 1981-09-22 | 1983-04-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integratorschaltung mit einem differenzverstaerker |
| FR2519461A1 (fr) * | 1982-01-06 | 1983-07-08 | Hitachi Ltd | Dispositif de memoire a semi-conducteurs et procede de fabrication d'un tel dispositif |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP58047149A patent/JPS59172761A/ja active Pending
-
1984
- 1984-02-07 FR FR8401839A patent/FR2543348A1/fr not_active Withdrawn
- 1984-02-23 GB GB08404743A patent/GB2137018A/en not_active Withdrawn
- 1984-03-20 IT IT20144/84A patent/IT1173897B/it active
- 1984-03-20 KR KR1019840001418A patent/KR840008196A/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-03-23 DE DE19843410794 patent/DE3410794A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2137018A (en) | 1984-09-26 |
| JPS59172761A (ja) | 1984-09-29 |
| FR2543348A1 (fr) | 1984-09-28 |
| DE3410794A1 (de) | 1984-09-27 |
| IT1173897B (it) | 1987-06-24 |
| IT8420144A0 (it) | 1984-03-20 |
| GB8404743D0 (en) | 1984-03-28 |
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|---|---|---|---|
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