KR20240005803A

KR20240005803A - 매칭 네트워크의 반복적인 튜닝을 위한 시스템 및 방법

Info

Publication number: KR20240005803A
Application number: KR1020237041067A
Authority: KR
Inventors: 딘 모; 앤소니 올리베티; 키스 로우즈; 개리 러셀
Original assignee: 코멧 테크놀로지스 유에스에이, 인크.
Priority date: 2021-04-29
Filing date: 2022-04-04
Publication date: 2024-01-12
Also published as: EP4331004A1; WO2022231783A1; US20220351941A1; CN117597763A; US11527385B2; TW202304257A

Abstract

본 개시는 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스에서 매칭 네트워크 내의 커패시터를 교정하기 위한 방법을 포함할 수 있다. 방법은 매칭 네트워크에서 커패시터를 식별하는 단계, 매칭 네트워크 전체의 임피던스를 측정하는 단계, 커패시터를 제로 스텝 값으로부터 미리 정의된 스텝 값으로 구동하는 단계를 포함할 수 있다. 방법은 제로 스텝 값과 미리 정의된 스텝 값 사이의 각각의 스텝에서의 임피던스를 측정하는 단계, 미리 정의된 임피던스 곡선에 대해 각각의 스텝 값에 대한 측정된 임피던스를 식별하는 단계, 및 미리 정의된 임피던스 곡선에 대해 각각의 스텝 값에 대한 측정된 임피던스를 식별하는 것에 기초하여 커패시터 위치를 특정 임피던스에 매칭시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 매칭 네트워크의 교정은 또한 가장 자주 사용되는 커패시터 값의 범위에서 보고된 스텝 대 퍼센트 비율을 최적화함으로써 향상될 수 있다.

Description

매칭 네트워크의 반복적인 튜닝을 위한 시스템 및 방법

관련 출원에 대한 상호 참조

본 출원은 2021년 4월 29일에 출원된 미국 정규 특허 출원 제17/244,193호에 대한 우선권을 주장하며, 그 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다.

무선 주파수(RF) 플라즈마 강화 프로세싱은 상이한 유형의 막을 에칭하고, 낮은 프로세싱 온도 내지 중간 프로세싱 온도에서 박막을 증착하고, 표면 처리 및 세정을 수행하기 위해, 반도체 제조에서 광범위하게 사용된다. 이러한 프로세스의 한 가지 특성은 반응 챔버 내부의 전구체로부터 중성 종 및 이온을 생성하고, 이온 충격을 위한 에너지를 제공하고/하거나, 다른 액션을 수행하는 데 사용되는 플라즈마, 즉 부분적으로 이온화된 가스의 사용이다. 무선 주파수 플라즈마 강화 프로세싱은 무선 주파수 프로세싱 디바이스로 알려진 것에 의해 수행된다.

무선 주파수 프로세싱 디바이스는 플라즈마 반응 챔버로 신호를 전송하는 무선 주파수 생성기를 포함할 수 있다. 가변 임피던스를 가질 수 있는 무선 주파수 매칭 디바이스는 무선 주파수 생성기와 플라즈마 반응 챔버 사이에 위치될 수 있다. 무선 주파수 매칭 디바이스는 무선 주파수 매칭 디바이스의 임피던스를 변화시킴으로써 제어되거나 달리 튜닝될 수 있다. 무선 주파수 매칭 디바이스를 튜닝하는 것은 플라즈마 반응 챔버 및/또는 무선 주파수 매칭 디바이스로부터의 반사 전력을 감소시키며, 이는 무선 주파수 생성기로부터 플라즈마 반응 챔버로 그리고 플라즈마 프로세스로 전달되는 전력을 증가시킬 수 있다.

본 개시는 첨부된 도면과 함께 읽을 때 다음의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 업계의 표준 관행에 따라 다양한 특징이 축척으로 그려지지 않는다는 점이 강조된다. 사실상, 다양한 특징의 치수는 설명의 명확성을 위해 임의로 증가되거나 감소될 수 있다.
도 1은 본 개시의 실시예에 따른 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스의 블록도 표현이다.
도 2는 본 개시의 실시예에 따른 매칭 네트워크의 개략적인 표현이다.
도 3은 본 개시의 실시예에 따른 플라즈마 프로세싱 디바이스의 개략적인 표현이다.
도 4는 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스에 대한 최소 및 최대 커패시턴스 포인트의 사용을 예시하는 그래프/플롯이다.
도 5는 본 개시의 실시예에 따른 네트워크 임피던스에 기초하는 보고된 커패시터 위치의 사용을 예시하는 그래프/플롯이다.
도 6a는 본 개시의 실시예에 따른 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스에서 매칭 네트워크를 튜닝하기 위한 하나의 예시적인 방법의 흐름도이다.
도 6b는 본 개시의 실시예에 따른 도 6a의 방법을 구현하는 데 사용될 수 있는 컴포넌트의 블록도이다.
도 7은 본 개시의 하나 이상의 예에 따른 하드웨어 프로세서 및 액세스 가능한 기계 판독가능 명령어(예를 들어, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 저장된 명령어)를 갖는 예시적인 컴퓨팅 디바이스이다.
도 8은 본 개시의 실시예에 따른 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스에서 매칭 네트워크를 튜닝하기 위한 하나의 예시적인 방법의 흐름도이다.
도 9는 본 개시의 하나 이상의 예에 따른 하드웨어 프로세서 및 액세스 가능한 기계 판독가능 명령어(예를 들어, 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체에 저장된 명령어)를 갖는 예시적인 컴퓨팅 디바이스이다.
도 10은 본 개시의 하나 이상의 예에 따른 기능 및 프로세스를 구현하는 데 사용될 수 있는 컴퓨터 프로세싱 디바이스의 개략적인 표현이다.

이제, 이하에서 청구되는 주제의 예시적인 예가 개시될 것이다. 명확성을 위해, 실제 구현의 모든 특징이 본 명세서의 모든 예에 대해 설명되지는 않는다. 임의의 그러한 실제 구현의 개발에서는, 구현마다 달라지는 시스템 관련 및 비즈니스 관련 제약의 준수와 같은 개발자의 특정 목표를 달성하기 위해 수많은 구현 특정 결정이 이루어질 수 있다는 것을 알 것이다. 더욱이, 그러한 개발 노력은, 비록 복잡하고 시간 소모적이더라도, 본 개시의 이익을 갖는 이 분야의 통상의 기술자들에게는 일상적인 일일 것이라는 것을 알 것이다.

또한, 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 관사 "a"는 특허 기술에서의 그의 통상적인 의미, 즉 "하나 이상"을 갖도록 의도된다. 본 명세서에서, 용어 "약"은 값에 적용될 때 일반적으로 값을 생성하는 데 사용되는 장비의 허용오차 범위 내에 있는 것을 의미하거나, 일부 예에서는 명백하게 달리 명시되지 않는 한, 플러스 또는 마이너스 10%, 또는 플러스 또는 마이너스 5%, 또는 플러스 또는 마이너스 1%를 의미한다. 또한, 본 명세서에서, "실질적으로"라는 용어는 본 명세서에서 사용되는 바와 같이 대부분, 또는 거의 전부, 또는 전부, 또는 예를 들어 약 51% 내지 약 100%의 범위를 갖는 양을 의미한다. 더욱이, 본 명세서에서의 예는 단지 예시를 위한 것이며, 한정이 아니라 설명의 목적으로 제시된다.

본 개시의 실시예는 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스에서 매칭 네트워크를 튜닝하고 달리 제어하기 위한 시스템 및 방법을 제공할 수 있다. 동작 동안, 무선 주파수 생성기는 반응 챔버 내에 플라즈마를 형성하기 위해 활성화될 수 있다. 플라즈마는 소스 가스가 반응 챔버 내로 주입되고 무선 주파수 생성기에 의해 반응 챔버 내에 전력이 공급된 후에 생성될 수 있다.

특정 조건 하에서, 반응 챔버에 공급되는 전력은 반응 챔버로부터 다시 반사될 수 있다. 반사 전력의 한 가지 원인은 시스템의 특성 임피던스와 반응 챔버 내에서 플라즈마에 의해 형성된 부하의 미스매치일 수 있다. 반사 전력의 방지를 돕기 위해, 무선 주파수 생성기와 반응 챔버 사이에 매칭 네트워크가 배치될 수 있다. 이러한 매칭 네트워크는 다수의 가변 커패시터 또는 다른 임피던스 요소를 포함할 수 있다. 가변 커패시터는 반응 챔버 내의 복합 부하 임피던스가 무선 주파수 생성기의 임피던스와 매칭되도록 튜닝될 수 있다.

매칭 네트워크를 제어하거나 달리 튜닝하는 다수의 방법이 사용되었지만, 이러한 방법은 임피던스 매칭을 안정적이고 효율적으로 유발하지 못할 수 있다. 매칭 네트워크는 스테퍼 모터를 포함할 수 있으며, 이는 특정 스테퍼 모터에 고유한 기능인 특정 수의 스텝을 갖는다. 동작 동안, 커패시터는 0% 내지 100%의 범위를 갖는 모터에 의해 구동될 수 있으며, 결과적으로 모터는 다수의 클릭을 가질 수 있다. 본 개시의 실시예는 레시피를 제공할 수 있고/있거나, "스텝 대 퍼센트 비율"에 적어도 부분적으로 기초하여 커패시터 위치의 조정을 허용할 수 있다.

본 개시의 실시예는 위에서 식별된 현재 경험한 문제를 최소화하거나 적어도 다루기 위해 스텝 대 퍼센트 비율을 사용하여 매칭 네트워크를 교정하기 위한 시스템 및 방법을 제공할 수 있다. 예를 들어, 위의 문제를 다루는 것은 매칭 네트워크 내에서 하나 이상의 커패시터의 특성을 조정하는 것을 포함할 수 있다.

도 1을 참조하면, 본 개시의 실시예에 따른 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 시스템(100)의 측면 블록도 표현이 예시되어 있다. 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 시스템(100)은 제1 무선 주파수 생성기(105) 및 제2 무선 주파수 생성기(110), 제1 임피던스 매칭 네트워크(115), 제2 임피던스 매칭 네트워크(120), 피복(sheath)(125), 플라즈마 급전 디바이스, 예컨대 샤워헤드(130) 또는 동등한 피급전 요소, 예컨대 전극, 및 받침대(135)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 플라즈마 전력 디바이스는 플라즈마를 생성하기 위해 전력을 도입하는 임의의 디바이스를 지칭할 수 있으며, 예를 들어, 샤워헤드(130) 및/또는 다른 유형의 전극뿐만 아니라 안테나 등을 포함할 수 있다.

무선 주파수 플라즈마 프로세싱 시스템(100)은 하나 이상의 임피던스 매칭 네트워크(115, 120)를 통해 반응 챔버(140)에 전력을 전달하는 하나 이상의 제1 및 제2 무선 주파수 생성기(105, 110)를 포함할 수 있다. 이 예에서, 무선 주파수 전력은 제1 무선 주파수 생성기(105)로부터 제1 임피던스 매칭 네트워크(115)를 통해 샤워헤드(130)로 반응 챔버(140) 내의 플라즈마로, 샤워헤드(130) 이외의 전극(도시되지 않음)으로, 또는 플라즈마에 전자기적으로 전력을 제공하는 유도성 안테나(도시되지 않음)로 흐른다. 그 후, 전력은 플라즈마로부터 접지 및/또는 받침대(135) 및/또는 제2 임피던스 매칭 네트워크(120)로 흐른다. 일반적으로, 제1 임피던스 매칭 네트워크(115)는 반응 챔버(140) 내부의 부하 임피던스의 변동을 보상하여, 샤워헤드(130)와 제1 임피던스 매칭 네트워크(115)의 결합 임피던스가 제1 임피던스 매칭 네트워크(115) 내에서 반응성 컴포넌트(별도로 도시되지 않음), 예컨대 가변 커패시터를 조정함으로써 제1 무선 주파수 생성기(105)의 최적 부하 임피던스와 동일하게 된다.

특정 예에서, 제1 무선 주파수 생성기(105)는 약 400KHz 내지 150MHz의 RF 주파수로 전력을 공급할 수 있는 반면, 받침대(135)에 연결된 제2 무선 주파수 생성기(110)는 제1 무선 주파수 생성기(105)의 무선 주파수보다 낮은 무선 주파수로 전력을 공급할 수 있다. 그러나, 특정 구현에서, 제2 무선 주파수 생성기(110)는 제1 무선 주파수 생성기(105)의 무선 주파수보다 낮은 무선 주파수로 전력을 공급하지 않을 수 있다. 전형적으로, 제1 및 제2 무선 주파수 생성기(105, 110)의 주파수는 제1 무선 주파수 생성기(105)가 제2 무선 주파수 생성기(110)의 주파수의 정수 배수도 정수 분수도 아닌 무선 주파수에 있게 한다.

임피던스 매칭 네트워크(115, 120)는 부하 임피던스가 소스 임피던스와 매칭되도록 그들의 내부 반응 요소를 조정하도록 설계된다. 플라즈마 프로세싱 디바이스(100)의 다른 예에서, 상이한 수의 무선 주파수 전력 생성기(105/110)가 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 상이한 수의 임피던스 매칭 네트워크(115/120)가 사용될 수 있다. 임피던스 매칭 네트워크(115/120)는 코일 및 가변 커패시터와 같은 다수의 내부 컴포넌트를 포함할 수 있으며, 이는 아래에서 더 상세히 설명될 것이다.

도 2를 참조하면, 본 개시의 실시예에 따른 매칭 네트워크의 개략적인 표현이 도시되어 있다. 이 실시예에서, 도 1과 관련하여 전술한 것과 같은 매칭 네트워크(200)가 매칭 분기(205) 및 스플리터 분기(210)를 갖는 것으로 예시된다. 매칭 분기(205)는 입력(215)으로부터 무선 주파수 전력을 수신한다. 매칭 분기(205)의 제1 가변 커패시터(220)는 입력(215)으로부터 무선 주파수 전력을 수신한다. 제1 가변 커패시터(220)는 대략 10-2000pF 정격의 커패시터를 포함할 수 있다.

제1 가변 커패시터(220)는 접지(230)에 연결되는 제2 커패시터(225)에 연결된다. 제2 커패시터(225)는 또한 제3 가변 커패시터(235)에 연결된다. 제3 가변 커패시터(235)는 대략 10-2000pF 정격의 커패시터를 포함할 수 있다. 제3 가변 커패시터(235)는 또한 인덕터(240)에 연결되고, 인덕터(240)는 스플리터 분기(210)에 더 연결된다.

스플리터 분기(210)는 매칭 분기(205)로부터 무선 주파수 전력을 수신하고, 수신된 무선 주파수 전력을 제4 가변 커패시터(245)와 제5 가변 커패시터(250) 사이에 분할한다. 제4 가변 커패시터(245)는 대략 10-2000pF로 정격화될 수 있는 반면, 제5 가변 커패시터(250)는 약 10-2000pF로 정격화될 수 있다.

제5 가변 커패시터(250)는 내부 코일(255)에 연결된다. 제5 가변 커패시터(245)와 내부 코일(255) 사이에는 하나 이상의 센서(260)가 배치될 수 있다. 센서(260)는 예를 들어 제5 가변 커패시터(250)와 접지(275) 사이의 전압을 측정하는 데 사용될 수 있다. 유사하게, 제4 가변 커패시터(245)는 외부 코일(265)에 연결된다. 제4 가변 커패시터(245)와 외부 코일(265) 사이에는 하나 이상의 센서(270)가 배치될 수 있다. 센서(270)는 예를 들어 제4 가변 커패시터(245)와 접지(290) 사이의 전압을 측정하는 데 사용될 수 있다.

내부 코일(255)은 접지(275)에 더 연결될 수 있고, 외부 코일(265)은 센서(280) 및 제6 커패시터(285)를 포함하는 회로에 연결될 수 있다. 센서(280)는 예를 들어 외부 코일(265)과 접지(290) 사이의 전압을 측정하는 데 사용될 수 있다. 내부 코일(255) 및 외부 코일(265)은 오프셋 박스(295)에 의해 표시된 바와 같이, 매칭 네트워크(200) 회로의 외부에 위치될 수 있다.

전술한 바와 같이, 도 2에 예시된 회로는 제1 가변 커패시터(220), 제3 가변 커패시터(235), 제4 가변 커패시터(245) 및 제5 가변 커패시터(250)를 튜닝하는 데 사용될 수 있다. 제1 가변 커패시터(220), 제3 가변 커패시터(235), 제4 가변 커패시터(245) 및 제5 가변 커패시터(250)를 튜닝함으로써, 내부 코일(255) 및 외부 코일(265)에 제공되는 전력이 조정될 수 있다.

일 실시예에서 전류 분할비 매칭 네트워크로서 매칭 네트워크(200)에 사용될 수 있는 회로는 매칭 네트워크(200)에 배치되거나 그것에 달리 연결될 수 있는 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러(도시되지 않음)를 사용하여 제어될 수 있다. 적절한 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러 및 관련 컴포넌트는 도 3과 관련하여 추가로 설명될 것이다.

다른 실시예에서, 매칭 네트워크(200)의 회로는 더 적거나 추가적인 컴포넌트를 포함할 수 있고, 회로의 배향은 상이할 수 있다. 예를 들어, 더 적거나 더 많은 수의 가변 커패시터, 인덕터, 센서 등이 존재할 수 있다. 추가적으로, 특정 실시예에서, 코일, 안테나 등의 상이한 배향이 반응 챔버(도 2에 도시되지 않음)에 튜닝된 무선 주파수 전력을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 본 명세서에 개시된 시스템 및 방법은 유도 결합 플라즈마("ICP"), 용량 결합 플라즈마("CCP"), 헬리콘 파 소스("FIWS"), 또는 임의의 다른 플라즈마 프로세싱 디바이스에서 사용될 수 있다.

도 3을 참조하면, 본 개시의 실시예에 따른 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스(300)의 개략적인 표현이 도시되어 있다. 이 실시예에서, 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스(300)는 무선 주파수 생성기(305)를 포함한다. 무선 주파수 생성기(305)는 반응 챔버(310)에 전력을 제공하도록 구성된다. 무선 주파수 생성기(305)는 약 400KHz 내지 약 150MHz의 무선 주파수로 전력을 제공할 수 있다. 특정 실시예에서, 제2 무선 주파수 생성기(도시되지 않음)가 또한 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스(300) 내에 존재할 수 있고, 무선 주파수 생성기(305)와 동일하거나, 그보다 더 낮거나 더 높은 무선 주파수로 전력을 제공할 수 있다.

반응 챔버(310)는 반도체 산업과 관련된 것과 같은 제조 동작의 프로세싱을 가능하게 하는 다양한 컴포넌트를 포함할 수 있다. 반응 챔버(310)는 반응 챔버(310) 내에서 발생하는 특정 특성을 측정하기 위한 하나 이상의 센서(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 반응 챔버(310)는 또한 동작 동안 제조될 기판이 배치될 수 있는 받침대(또한 도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 반응 챔버(310)는 또한 위에서 설명된 것과 같은 코일(개별적으로 도시되지 않음)은 물론 샤워헤드 등을 포함하거나 그것들에 달리 연결될 수 있다.

무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스(300)는 또한 매칭 네트워크(315)를 포함할 수 있다. 매칭 네트워크(315)는 무선 주파수 생성기(305)와 반응 챔버(310) 사이에 위치될 수 있다. 매칭 네트워크(315)는 위에서 더 상세히 설명된 바와 같이, 가변 커패시터(도시되지 않음)뿐만 아니라, 무선 주파수 생성기(305)와 반응 챔버(310) 사이의 임피던스를 균형화하기 위한 다른 컴포넌트를 포함할 수 있다. 동작 동안, 매칭 네트워크는 예를 들어 매칭 임피던스를 제공하기 위해 커패시터 위치를 조정함으로써 튜닝될 수 있다.

동작 동안, 무선 주파수 생성기(305)로부터 반응 챔버(310) 내의 플라즈마(도시되지 않음)로 전력이 공급됨에 따라, 반응 챔버(310)로부터 전력이 반사될 수 있는 것과 같은 조건이 발생할 수 있다. 이러한 반사 전력은 비효율적인 프로세싱, 기판의 손상, 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스(300)의 컴포넌트의 손상 등을 초래할 수 있는 바람직하지 않은 조건을 초래할 수 있다. 조건을 해결하고, 무선 주파수 프로세싱 디바이스(300)의 동작성을 향상시키기 위해, 튜닝 모듈(337)은 커패시터 위치를 조정하기 위해 매칭 네트워크(315)에 커맨드를 제공하여 반사 전력을 최소화하기 위한 매칭 임피던스를 제공할 수 있는 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러(335)를 포함한다. 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러(335)는 이러한 커맨드 또는 동작 동안 획득된 데이터를 저장하기 위해 저장 디바이스(340)에 연결될 수 있다.

동작 동안, 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러(335)는 매칭 네트워크(315) 내에서 커패시터를 식별할 수 있다. 식별은 자동으로 발생하거나 오퍼레이터에 의해 제어될 수 있다. 커패시터를 식별하는 것과 함께, 매칭 네트워크 전체의 임피던스가 측정될 수 있다. 매칭 네트워크(315) 전체의 임피던스를 측정하는 것은 매칭 네트워크(315) 내의 하나 이상의 커패시터 및/또는 다른 컴포넌트에 대한 복수의 임피던스 값을 측정하는 것을 포함할 수 있다. 그런 다음, 커패시터는 그의 사용 가능한 범위 내의 최소 커패시턴스 포인트를 나타내는 제로 스텝 값으로부터 구동될 수 있다. 예를 들어, 특정 실시예에서, 미리 정의된 스텝 값은 약 2000 스텝일 수 있는 반면, 다른 실시예에서, 미리 정의된 스텝 값은 2000 스텝보다 많거나 작을 수 있다. 동작 동안, 커패시터는 실제로는 2000 스텝 및/또는 미리 정의된 스텝 값에 의해 정의된 수의 스텝 전부에서 사용되지는 않는다. 그러나, 각각의 스텝 값에서의 임피던스를 결정함으로써 - 스텝 수는 동작의 세부사항에 의해 결정되고, 예를 들어 1000 내지 2000 또는 그 이상으로 변할 수 있음 -, 매칭 네트워크(315) 내의 특정 커패시터 위치에 대한 임피던스가 식별될 수 있다.

각각의 스텝에 대해 임피던스가 측정된 후, 특정 커패시터 위치에 대한 임피던스는 예를 들어 테이블 또는 데이터베이스에 저장될 수 있으며, 동작 동안 매칭 네트워크(315)의 동작을 조정하기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 특정 커패시터 위치에 대한 임피던스는 매칭 네트워크(315)의 동작 동안에 참조될 수 있다. 따라서, 커패시터 위치가 매칭 네트워크(315) 내에서 조정됨에 따라, 커패시터 위치는 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러(335)와 관련된 메모리에 저장될 수 있는 테이블 및/또는 데이터베이스 내에 제시된 바와 같이, 미리 정의된 임피던스 곡선에 기초하여 조정될 수 있다. 매칭 네트워크(315)를 위한 커패시터의 각각의 위치에 대해 측정된 임피던스를 사용하여, 커패시터의 보고된 위치의 테이블이 구성되고, 이에 따라 플라즈마 프로세싱 레시피를 위한 초기 튜닝 조건이 최적화된다.

전술한 바와 같이, 동작 동안, 커패시터는 모든 스텝에서 사용되는 것이 아니라, 커패시터는 일반적으로는 선택된 영역 내에서 사용된다. 본 명세서에 제공된 실시예를 사용하여, 특정 커패시터에 대한 사용 영역이 식별될 수 있고, 이에 따라 커패시터의 스텝 대 퍼센트 사용이 식별될 수 있다. 커패시터가 사용되는 영역을 식별함으로써, 스텝 대 퍼센트 사용 비율을 증가시켜 동작 동안 커패시터 위치의 반복성을 높일 수 있다. 예를 들어, 특정 실시예에서, 커패시터 위치가 기간의 약 90%에서 발생하는 스텝 값 범위가 식별될 수 있다. 다른 실시예에서, 기간은 50% 초과, 60% 초과, 70% 초과, 80% 초과, 95% 초과 등의 커패시터 위치 로케이션을 포함할 수 있다. 하나 이상의 동작에 대한 매칭 네트워크(315) 내의 사용 범위를 식별함으로써, 스텝 대 퍼센트 사용 비율이 증가될 수 있고, 이에 따라 커패시터 위치 보고의 반복성을 증가시킬 수 있다. 따라서, 특정 실시예에서, 스텝 대 퍼센트 사용 비율이 데이터베이스/데이터 구조에 저장될 수 있고, 보고된 커패시터 위치 반복성을 개선하는 데 사용될 수 있다.

도 4 및 도 5로 참조하면, 본 개시의 실시예에 따른 최소 및 최대 커패시턴스 포인트를 사용한 그래프와 네트워크 임피던스에 기초하는 보고된 커패시터 위치를 사용한 그래프가 각각 도시되어 있다. 도 4는 50의 샘플 크기에 대한 최소 및 최대 커패시턴스 포인트에 기초하는 커패시터 위치의 반복성을 예시한다. 예시된 바와 같이, 최소값과 최대값을 사용하여 약 20의 스텝 대 퍼센트 비율을 사용하는 것은 비교적 넓은 커패시터 위치 대역을 유발한다.

도 5는 본 개시의 실시예에 따른 네트워크 임피던스에 기초하여 보고된 커패시터 위치를 사용하는 것을 예시한다. 스텝 대 퍼센트 사용 비율을 최적화함으로써, 최적화된 커패시터 위치를 결정할 때 커패시터의 실제 사용에 대해 20개 미만의 스텝이 사용될 수 있다. 따라서, 특정 동작에 대한 커패시터 위치는 보다 반복적으로 적용될 수 있는데, 이는 최소값 및 최대값만이 아니라 동작 동안의 커패시터의 실제 사용이 고려되기 때문이다.

도 6a를 참조하면, 본 개시의 실시예에 따른 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스에서 매칭 네트워크를 교정하기 위한 방법(600)의 흐름도가 도시되어 있다. 방법(600)은 매칭 네트워크에서 커패시터를 식별하는 단계(블록 605)를 포함할 수 있다. 식별하는 단계는 매칭 네트워크 내에서 특정 커패시터를 결정하는 단계를 포함할 수 있고/있거나, 매칭 네트워크 내에서 2개 이상의 커패시터를 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 커패시터는 위에서 설명한 것과 같은 가변 커패시터를 포함할 수 있다.

동작 동안, 방법(600)은 매칭 네트워크 전체의 임피던스를 측정하는 단계(블록 610)를 더 포함할 수 있다. 매칭 네트워크의 임피던스를 측정하는 단계는 매칭 네트워크 내의 특정 커패시터, 다수의 커패시터를 측정하는 단계, 및/또는 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스의 다른 양태를 측정하는 단계를 포함할 수 있다. 측정하는 단계는 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스 내의 하나 이상의 센서를 사용하여 매칭 네트워크 내의 총 임피던스를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.

동작 동안, 방법(600)은 커패시터를 제로 스텝 값으로부터 미리 정의된 스텝 값으로 구동하는 단계(블록 615)를 더 포함할 수 있다. 미리 결정된 스텝 값은 매칭 네트워크의 특정 동작 양태를 포함하여, 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스의 동작 제약에 따라 달라질 수 있다. 특정 실시예에서, 미리 정의된 스텝 값은 적어도 2000 스텝을 포함할 수 있는 반면, 다른 실시예에서는 2000개보다 많거나 적은 스텝이 있을 수 있다. 커패시터를 구동함으로써, 커패시터 위치가 특정 스텝 값에 대해 결정될 수 있고, 이에 따라 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스의 양태가 분석될 수 있게 된다.

동작 동안, 방법(600)은 제로 스텝 값과 미리 정의된 스텝 값 사이의 각각의 스텝에서의 임피던스를 측정하는 단계(블록 620)를 더 포함할 수 있다. 각각의 스텝에서의 임피던스를 측정함으로써, 각각의 커패시터 위치에 대한 임피던스가 결정될 수 있다. 측정하는 단계는 또한 커패시터가 특정 조건에 대해 동작하는 스텝 값을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 커패시터는 동작하는 대부분의 시간 동안 특정 위치에 있을 수 있다. 일반적으로 사용되는 조건에 대해, 더 높은 스텝 대 퍼센트 비율이 사용되어, 커패시터 위치의 증가된 정확도 및 반복성이 보고된다.

동작 동안, 방법(600)은 미리 정의된 임피던스 곡선에 대해 각각의 스텝 값에 대한 측정된 임피던스를 식별하는 단계(블록 625)를 더 포함할 수 있다. 미리 정의된 임피던스 곡선은 커패시터 및/또는 매칭 네트워크 및/또는 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스 내의 커패시터에 대한 선행 테스트 및/또는 진단에 기초한 공지된 값을 포함할 수 있다.

동작 동안, 방법(600)은 미리 정의된 임피던스 곡선에 대해 각각의 스텝 값에 대한 측정된 임피던스를 식별하는 것에 기초하여 커패시터 위치를 특정 임피던스에 매칭시키는 단계(블록 630)를 더 포함할 수 있다. 커패시터 위치 범위가 매칭 네트워크 내의 특정 커패시터에 대해 알려질 때, 커패시터 위치는 특정 동작에 대한 정확하고/하거나 최적화된 커패시터 위치를 획득하는 반복성을 증가시키기 위해 튜닝될 수 있다. 따라서, 특정 동작에 대한 특정 위치에서의 커패시터의 스텝 값 대 퍼센트 사용을 최적화하는 것은 매칭 네트워크에 대한 반복성을 더 증가시킬 수 있다. 매칭 네트워크 내에의 커패시터에 대해 가장 많이 사용된 동작 범위를 사용함으로써, 스텝 대 퍼센트 비율이 최적화될 수 있으며, 이에 따라 매칭 네트워크의 동작 동안 커패시터 위치의 반복성을 증가시킬 수 있다.

도 6b는 방법(600)을 구현하는 데 사용될 수 있는 다수의 컴포넌트를 포함하는 블록도(650)를 예시한다. 구체적으로, 블록도(650)는 임피던스 분석기(655), 매치 컴포넌트(665) 및 스플리터(675) 사이의 하나의 가능한 관계를 예시한다.

이제, 도 7을 참조하면, 본 개시의 하나 이상의 예에 따른 하드웨어 프로세서 및 액세스 가능한 기계 판독가능 명령어(600)를 갖는 예시적인 컴퓨팅 디바이스가 도시되어 있다. 도 7은 도 6과 관련하여 위에서 설명된 동일한 양태를 제공하며, 따라서, 명확성을 위해, 여기서는 도면들에서의 차이점만을 설명할 것이다. 도 7은 하드웨어 프로세서(730), 및 하나 이상의 개시된 예시적인 구현과 관련하여 위에서 설명된 바와 같은 데이터를 관리하기 위해 기계 판독가능 매체(735)에 저장된 액세스 가능한 기계 판독가능 명령어를 갖는 예시적인 컴퓨팅 디바이스(725)를 제공한다. 도 6은 도 6과 관련하여 상세히 설명된 블록(605, 610, 615, 620, 625, 630)에서 설명된 흐름을 수행하도록 구성된 컴퓨팅 디바이스(725)를 예시한다. 그러나, 컴퓨팅 디바이스(725)는 또한 본 개시에서 설명된 다른 방법, 기술, 기능, 또는 프로세스의 흐름을 수행하도록 구성될 수 있다.

도 8을 참조하면, 본 개시의 실시예에 따른 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스에서 매칭 네트워크를 교정하기 위한 방법의 흐름도가 도시되어 있다. 동작 동안, 방법(800)은 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스에서 매칭 네트워크에서 커패시터를 교정하는 단계를 포함할 수 있다. 방법(800)은 공지된 플라즈마 프로세싱 조건을 문서화하는 단계(805)를 포함할 수 있다.

동작 동안, 방법(800)은 플라즈마 프로세싱 조건에 대한 커패시터 값 범위를 기록하는 단계(블록 810)를 더 포함할 수 있다. 방법(800)은 플라즈마 프로세싱 조건에 자주 사용되는 커패시터 값 범위를 결정하는 단계(블록 815)를 더 포함할 수 있다.

동작 동안, 방법(800)은 가장 자주 사용되는 커패시터 값 범위에서 스텝 대 퍼센트 비율을 최적화하는 단계를 더 포함할 수 있다. 방법(800)은 커패시터 값에 대해 미리 정의된 임피던스 곡선을 전개(develop)하는 단계(블록 825)를 더 포함할 수 있다.

동작 동안, 방법(800)은 커패시터를 미리 정의된 임피던스 곡선에 대해 교정하는 단계(블록 830)를 더 포함할 수 있다. 방법(800)은 커패시터 교정을 매칭 네트워크 내로 로딩하는 단계(블록 835)를 더 포함할 수 있다.

이제, 도 9를 참조하면, 본 개시의 하나 이상의 예에 따른 하드웨어 프로세서 및 액세스 가능한 기계 판독가능 명령어를 갖는 예시적인 컴퓨팅 디바이스가 도시되어 있다. 도 9는 도 8과 관련하여 위에서 설명된 동일한 구조적 컴포넌트를 제공하며, 따라서, 명확성을 위해, 여기서는 도면에서의 차이점만이 설명될 것이다. 도 9는 하드웨어 프로세서(930), 및 하나 이상의 개시된 예시적인 구현과 관련하여 위에서 설명된 바와 같은 데이터를 관리하기 위해 기계 판독가능 매체(935)에 저장된 액세스 가능한 기계 판독가능 명령어를 갖는 예시적인 컴퓨팅 디바이스(925)를 제공한다. 도 8은 도 8과 관련하여 상세히 설명된 블록(805, 810, 815, 820, 825, 830, 835)에서 설명된 흐름을 수행하도록 구성된 컴퓨팅 디바이스(925)를 예시한다. 그러나, 컴퓨팅 디바이스(925)는 또한 본 개시에서 설명된 다른 방법, 기술, 기능 또는 프로세스의 흐름을 수행하도록 구성될 수 있다.

이제, 도 10을 참조하면, 본 개시의 하나 이상의 예에 따른 기능 및 프로세스를 구현하는 데 사용될 수 있는 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)의 개략적인 표현이 도시되어 있다. 도 10은 본 개시의 시스템, 방법 및 프로세스를 구현하는 데 사용될 수 있는 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)를 예시한다. 예를 들어, 도 10에 예시된 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)는 클라이언트 디바이스 또는 물리적 서버 디바이스를 나타낼 수 있고, 컴퓨팅 디바이스의 추상화 레벨에 따라 하드웨어 또는 가상 프로세서(들)를 포함할 수 있다. (추상화 없는) 일부 예에서, 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000) 및 그의 요소는 도 10에 도시된 바와 같이, 각각 물리적 하드웨어와 관련된다. 대안적으로, 일부 예에서, 하나의, 더 많은 또는 모든 요소가 에뮬레이터 또는 가상 기계를 추상화 레벨로서 사용하여 구현될 수 있다. 어쨌든, 물리적 하드웨어로부터 얼마나 많은 추상화 레벨이 떨어져 있는지에 상관없이, 가장 낮은 레벨의 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)는 물리적 하드웨어 상에서 구현될 수 있다. 일 구현에서, 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)는 가입자가 하나 이상의 데이터 센터에 원격으로 액세스하도록 허용할 수 있다. 유사하게, 가입자에 의해 사용되는 관리 툴은 이러한 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000) 상에서 실행되는 소프트웨어 솔루션을 포함할 수 있다.

도 10은 본 개시의 하나 이상의 예에 따른 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)를 도시한다. 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)는 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스의 튜닝 모듈, 매칭 네트워크 또는 다른 컴포넌트와 관련된 양태와 같은 본 개시의 양태를 구현하는 데 사용될 수 있다. 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)는 하나 이상의 인쇄 회로 보드(달리 도시되지 않음) 상에 배치된 하나 이상의 중앙 프로세싱 유닛(단일 "CPU" 또는 복수의 "CPU")(1005)을 포함할 수 있다. 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)는 이 분야에 공지된 임의의 유형의 프로세싱 디바이스 또는 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러를 더 포함할 수 있다. 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)는 또한 프로세서로서 컨트롤러의 기능을 수행할 수 있으며, 도 1 내지 도 9와 관련하여 전술한 방법 및 시스템에 따라 사용될 수 있다. 따라서, 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)는 컨트롤러, 프로세서일 수 있고, 컨트롤러 및/또는 프로세서의 기능을 수행할 수 있으며, 매칭 네트워크 내의 커패시터 위치를 결정하는 데 사용될 수 있다.

하나 이상의 CPU(1005) 각각은 단일-코어 프로세서(독립적으로 예시되지 않음) 또는 다중-코어 프로세서(독립적으로 예시되지 않음)일 수 있다. 다중 코어 프로세서는 전형적으로 동일한 물리적 다이(도시되지 않음) 상에 배치되는 복수의 프로세서 코어(도시되지 않음) 또는 동일한 기계적 패키지(도시되지 않음) 내에 집합적으로 배치되는 다수의 다이(도시되지 않음) 상에 배치되는 복수의 프로세서 코어(도시되지 않음)를 포함한다. 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)는 예를 들어 호스트 브리지(1010) 및 입력/출력("IO") 브리지(1015)와 같은 하나 이상의 코어 로직 디바이스를 포함할 수 있다.

CPU(1005)는 호스트 브리지(1010)에 대한 인터페이스(1008), 시스템 메모리(1020)에 대한 인터페이스(1018), 및 하나 이상의 IO 디바이스, 예를 들어, 그래픽 프로세싱 유닛("GFX")(1025)에 대한 인터페이스(1023)를 포함할 수 있다. GFX(1025)는 하나 이상의 그래픽 프로세서 코어(독립적으로 도시되지 않음), 및 디스플레이(1030)에 대한 인터페이스(1028)를 포함할 수 있다. 특정 실시예에서, CPU(1005)는 GFX(1025)의 기능성을 통합할 수 있고, 디스플레이(1030)와 직접(도시되지 않음) 인터페이스할 수 있다. 호스트 브리지(1010)는 CPU(1005)에 대한 인터페이스(1008), IO 브리지(1015)에 대한 인터페이스(1013), CPU(1005)가 시스템 메모리(1020)에 대한 인터페이스(1018)를 포함하지 않는 실시예의 경우에 시스템 메모리(1020)에 대한 인터페이스(1016), 및 CPU(1005)가 통합 GFX(1025) 또는 GFX(1025)에 대한 인터페이스(1023)를 포함하지 않는 실시예의 경우에 GFX(1025)에 대한 인터페이스(1021)를 포함할 수 있다.

이 분야의 통상의 기술자는 CPU(1005) 및 호스트 브리지(1010)가 칩 카운트, 마더보드 풋프린트, 열 설계 전력 및 전력 소비를 감소시키기 위해 전체적으로 또는 부분적으로 통합될 수 있음을 인식할 것이다. IO 브리지(1015)는 호스트 브리지(1010)에 대한 인터페이스(1013), 하나 이상의 IO 확장 디바이스(1035)에 대한 하나 이상의 인터페이스(1033), 키보드(1040)에 대한 인터페이스(1038), 마우스(1045)에 대한 인터페이스(1043), 하나 이상의 로컬 저장 디바이스(1050)에 대한 인터페이스(1048), 및 하나 이상의 네트워크 인터페이스 디바이스(1055)에 대한 인터페이스(1053)를 포함할 수 있다.

각각의 로컬 저장 디바이스(1050)는 솔리드 스테이트 메모리 디바이스, 솔리드 스테이트 메모리 디바이스 어레이, 하드 디스크 드라이브, 하드 디스크 드라이브 어레이, 또는 임의의 다른 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체일 수 있다. 각각의 네트워크 인터페이스 디바이스(1055)는 예를 들어 이더넷, 광섬유 채널, 와이맥스, 와이파이, 블루투스, EtherCAT, 디바이스 넷, Mod 버스, RS-232, 또는 네트워크 통신을 용이하게 하기에 적합한 임의의 다른 네트워크 프로토콜을 포함하는 하나 이상의 네트워크 인터페이스를 제공할 수 있다. 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)는 하나 이상의 로컬 스토리지 디바이스(1050)에 더하여 또는 그 대신에, 하나 이상의 네트워크 부착 저장 디바이스(1060)를 포함할 수 있다. 네트워크 부착 저장 디바이스(1060)는 솔리드 스테이트 메모리 디바이스, 솔리드 스테이트 메모리 디바이스 어레이, 하드 디스크 드라이브, 하드 디스크 드라이브 어레이, 또는 임의의 다른 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체일 수 있다. 네트워크 부착 저장 디바이스(1060)는 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)와 함께 위치될 수 있거나 위치되지 않을 수 있고, 하나 이상의 네트워크 인터페이스 디바이스(1055)에 의해 제공되는 하나 이상의 네트워크 인터페이스를 통해 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)에 의해 액세스될 수 있다.

이 분야의 통상의 기술자는 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)가 예를 들어 해싱(도시되지 않음)과 같은 특정 기능을 보다 효율적인 방식으로 수행하도록 구성되는 하나 이상의 주문형 집적 회로("ASIC")를 포함할 수 있음을 인식할 것이다. 하나 이상의 ASIC는 CPU(1005), 호스트 브리지(1010) 또는 IO 브리지(1015)의 인터페이스와 직접 인터페이스할 수 있다. 대안적으로, 때때로 마이닝 시스템(mining system)으로 지칭되는 주문형 컴퓨팅 디바이스(도시되지 않음)는 칩 카운트, 마더보드 풋프린트, 열 설계 전력, 및 전력 소비를 감소시키기 위해, 하나 이상의 해싱 ASIC을 통해 해싱과 같은 원하는 기능을 수행하는 데 필요한 컴포넌트만으로 축소될 수 있다. 따라서, 이 분야의 통상의 기술자는 하나 이상의 CPU(1005), 호스트 브리지(1010), IO 브리지(1015), 또는 ASIC 또는 다양한 서브세트, 수퍼세트, 또는 이들의 기능 또는 특징 조합이 전체적으로 또는 부분적으로 통합될 수 있거나, 하나 이상의 예시적인 실시예에 따른 응용, 설계 또는 폼 팩터에 기초하여 달라질 수 있는 방식으로 다양한 디바이스 사이에 분산될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 따라서, 컴퓨터 프로세싱 디바이스(1000)에 대한 설명은 단지 예시적인 것이며, 해싱 기능을 포함하지만 이에 한정되지 않는 컴퓨팅 동작을 수행하기에 적합한 컴퓨팅 디바이스를 구성하는 컴포넌트의 유형, 종류 또는 구성을 제한하기 위한 것이 아니다. 추가적으로, 이 분야의 통상의 기술자는 컴퓨팅 디바이스(1000), 주문형 컴퓨팅 디바이스(도시되지 않음), 또는 이들의 조합이 독립형, 데스크탑, 서버, 또는 랙 장착 가능한 폼 팩터로 배치될 수 있다는 것을 인식할 것이다.

이 분야의 통상의 기술자는 컴퓨팅 디바이스(1000)가 하나 이상의 예시적인 실시예에 따른 클라우드 기반 서버, 서버, 워크스테이션, 데스크탑, 랩탑, 넷북, 태블릿, 스마트폰, 모바일 디바이스, 및/또는 임의의 다른 유형의 컴퓨팅 디바이스일 수 있음을 인식할 것이다.

특정 실시예에서, 본 개시의 이점은 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스들에서 매칭 네트워크와 관련된 커패시터 위치의 반복성을 개선하기 위한 컴퓨터 실행가능한 명령어를 제공할 수 있다.

특정 실시예에서, 본 개시의 이점은 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스들에서 매칭 네트워크와 관련된 커패시터의 튜닝의 개선된 반복성을 제공할 수 있다.

특정 실시예에서, 본 개시의 이점은 플라즈마 프로세싱 조건에 대한 최적화된 커패시터 위치를 저장하기 위한 방법을 제공할 수 있으며, 이는 커패시터 궤적의 일관성을 증가시킬 수 있다.

전술한 설명은 설명의 목적으로 본 개시에 대한 완전한 이해를 제공하기 위해 특정 명명법을 사용하였다. 그러나, 이 분야의 기술자에게는, 본 명세서에 설명된 시스템 및 방법을 실시하기 위해 특정 상세가 요구되지 않는다는 것이 명백할 것이다. 구체적인 예에 대한 위의 설명은 예시 및 설명의 목적으로 제시된다. 이는 포괄적인 것은 아니며, 본 개시를 설명된 정확한 형태로 제한하기 위한 것이 아니다. 분명히, 위의 가르침에 비추어 많은 수정과 변형이 가능하다. 예는 본 개시의 원리 및 실제 응용을 최상으로 설명하기 위해, 이에 따라 이 분야의 다른 기술자로 하여금 본 개시 및 다양한 예를 고려되는 특정 용도에 적합한 다양한 수정과 함께 최상으로 이용할 수 있게 하기 위해 도시되고 설명된다. 본 개시의 범위는 아래의 청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되도록 의도된다.

Claims

무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스에서 매칭 네트워크 내의 커패시터를 교정하기 위한 방법으로서,
상기 매칭 네트워크에서 상기 커패시터를 식별하는 단계;
상기 매칭 네트워크 전체의 임피던스를 측정하는 단계;
상기 커패시터를 제로 스텝 값으로부터 미리 정의된 스텝 값으로 구동하는 단계;
상기 제로 스텝 값과 상기 미리 정의된 스텝 값 사이의 각각의 스텝에서의 임피던스를 측정하는 단계;
미리 정의된 임피던스 곡선에 대해 각각의 스텝 값에 대한 상기 측정된 임피던스를 식별하는 단계; 및
상기 미리 정의된 임피던스 곡선에 대해 각각의 스텝 값에 대한 상기 측정된 임피던스를 식별하는 것에 기초하여 커패시터 위치를 특정 임피던스에 매칭시키는 단계
를 포함하는, 커패시터를 교정하기 위한 방법.
제1항에 있어서, 상기 미리 정의된 스텝 값은 약 2000 스텝인, 커패시터를 교정하기 위한 방법.
제항에 있어서, 플라즈마 프로세싱 조건에 대한 커패시터 값의 범위를 식별하는 단계를 더 포함하는, 커패시터를 교정하기 위한 방법.
제1항에 있어서, 상기 측정하는 단계는 상기 매칭 네트워크의 임피던스에 기초하여 커패시터 위치를 보고하는 단계를 포함하는, 커패시터를 교정하기 위한 방법.
제1항에 있어서, 가장 자주 사용되는 상기 커패시터 값의 범위에서 스텝 대 퍼센트 비율을 최적화하는 단계를 더 포함하는, 방법.
제5항에 있어서, 상기 최적화하는 단계는 기간의 빈도에 기초하여 상기 커패시터가 사용되는 스텝 값 범위를 식별하는 단계를 포함하는, 커패시터를 교정하기 위한 방법.
매칭 네트워크로서,
상기 매칭 네트워크에 연결된 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러를 포함하고, 상기 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러는:
상기 매칭 네트워크에서 커패시터를 식별하고,
상기 매칭 네트워크 전체의 임피던스를 측정하고,
상기 커패시터를 제로 스텝 값으로부터 미리 정의된 스텝 값으로 구동하고,
상기 제로 스텝 값과 상기 미리 정의된 스텝 값 사이의 각각의 스텝에서의 임피던스를 측정하고,
미리 정의된 임피던스 곡선에 대해 각각의 스텝 값에 대한 상기 측정된 임피던스를 식별하고,
미리 정의된 임피던스 곡선에 대해 각각의 스텝 값에 대한 상기 측정된 임피던스를 식별하는 것에 기초하여 커패시터 위치를 특정 임피던스에 매칭시키는, 매칭 네트워크.
제7항에 있어서, 상기 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러는 또한, 적어도 위치 값을 보고하기 위해 커패시터 교정을 구현하는, 매칭 네트워크.
제7항에 있어서, 상기 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러는 또한, 상기 커패시터가 기간의 약 90 퍼센트에서 사용되는 스텝 값 범위를 식별하는, 매칭 네트워크.
제7항에 있어서, 상기 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러는 또한, 상기 매칭 네트워크 내의 커패시터를 식별하고, 상기 커패시터가 사용되는 스텝 값 범위를 식별하는, 매칭 네트워크.
제10항에 있어서, 상기 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러는 또한, 상기 커패시터의 교정을 미리 정의된 임피던스 곡선에 매칭시키는, 매칭 네트워크.
제7항에 있어서, 상기 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러는 또한, 상기 매칭 네트워크의 임피던스에 기초하여 커패시터 위치를 보고하는, 매칭 네트워크.
제7항에 있어서, 상기 프로그래밍 가능한 로직 컨트롤러는 또한, 플라즈마 프로세싱 조건에 대한 커패시터 값의 범위를 기록하는, 매칭 네트워크.
무선 주파수 플라즈마 프로세싱 디바이스에서 매칭 네트워크 내의 커패시터를 교정하기 위한 방법으로서,
복수의 공지된 플라즈마 프로세싱 조건을 문서화하는 단계;
플라즈마 프로세싱 조건에 대한 커패시터 값의 범위를 기록하는 단계;
상기 플라즈마 프로세싱 조건에 자주 사용되는 상기 커패시터 값의 범위를 결정하는 단계;
가장 자주 사용되는 상기 커패시터 값의 범위에서 스텝 대 퍼센트 비율을 최적화하는 단계;
상기 커패시터 값에 대한 미리 정의된 임피던스 곡선을 전개하는(developing) 단계;
상기 미리 정의된 임피던스 곡선에 대해 상기 커패시터를 교정하는 단계; 및
커패시터 교정을 상기 매칭 네트워크에 로딩하는 단계
를 포함하는, 커패시터를 교정하기 위한 방법.
제14항에 있어서, 상기 커패시터 교정은 가장 자주 사용되는 커패시터 위치를 포함하는, 커패시터를 교정하기 위한 방법.
제14항에 있어서, 상기 기록된 커패시터 값의 범위는 전체 커패시터 범위의 서브세트인 커패시터 범위를 포함하는, 커패시터를 교정하기 위한 방법.
제14항에 있어서, 상기 매칭 네트워크의 임피던스를 측정하는 단계를 더 포함하는, 커패시터를 교정하기 위한 방법.
제14항에 있어서, 상기 측정하는 단계는 상기 커패시터에 대한 약 2000개의 임피던스 스텝을 측정하는 단계를 포함하는, 커패시터를 교정하기 위한 방법.