KR20230129362A - 플라즈마 처리 장치, 정전 흡착 방법 및 정전 흡착 프로그램 - Google Patents

플라즈마 처리 장치, 정전 흡착 방법 및 정전 흡착 프로그램 Download PDF

Info

Publication number
KR20230129362A
KR20230129362A KR1020230116328A KR20230116328A KR20230129362A KR 20230129362 A KR20230129362 A KR 20230129362A KR 1020230116328 A KR1020230116328 A KR 1020230116328A KR 20230116328 A KR20230116328 A KR 20230116328A KR 20230129362 A KR20230129362 A KR 20230129362A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma processing
focus ring
electrode
direct current
electrode plate
Prior art date
Application number
KR1020230116328A
Other languages
English (en)
Inventor
쇼이치로 마츠야마
나오키 다마루
야스하루 사사키
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20230129362A publication Critical patent/KR20230129362A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32201—Generating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32633—Baffles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32697—Electrostatic control
    • H01J37/32706—Polarising the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Stored Programmes (AREA)

Abstract

본 발명은 포커스링의 흡착력의 저하를 억제하는 것을 목적으로 한다.
[해결수단] 정전척(25)의 외주부(25b)에는, 포커스링(30)이 배치되고, 내부에 포커스링(30)과 대향하도록 전극판(29)이 설치되어 있다. 직류 전원(28)은, 플라즈마 처리의 기간중에, 전극판(29)에 대하여 주기적으로 상이한 극성의 전압을 인가, 또는, 단계적으로 절대치가 큰 전압을 인가한다.

Description

플라즈마 처리 장치, 정전 흡착 방법 및 정전 흡착 프로그램{PLASMA PROCESSING APPARATUS, ELECTROSTATIC ATTRACTION METHOD, AND ELECTROSTATIC ATTRACTION PROGRAM}
본 발명의 여러가지 측면 및 실시형태는, 플라즈마 처리 장치, 정전 흡착 방법 및 정전 흡착 프로그램에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 대하여 플라즈마를 이용하여, 에칭 등의 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치가 알려져 있다. 이러한 플라즈마 처리 장치에서는, 플라즈마의 균일화를 목적으로 피처리체의 외주부에 포커스링이 설치된다.
플라즈마 처리 장치에서는, 포커스링의 위치 어긋남을 억제하는 다음과 같은 기술이 알려져 있다. 플라즈마 처리 장치에서는, 포커스링이 배치되는 배치대에 정전척을 설치하고, 플라즈마 처리 기간중에 정전척에 대하여 일정한 전압을 인가하여 정전척의 정전력에 의해 포커스링을 흡착한다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2016-122740호 공보
그런데, 최근 플라즈마 처리 장치는, 피처리체에 대한 플라즈마 처리 기간이 길어지는 경향이 있다. 예컨대, 3차원 NAND 플래시 메모리는, 디바이스의 세대가 진행됨에 따라서 적층수가 증가하는 경향이 있고, 가공에 요하는 플라즈마 처리 기간도 길어졌다.
그러나, 플라즈마 처리 장치에서는, 정전척에 대하여 일정한 전압을 인가하여 포커스링의 흡착을 행하는 경우, 플라즈마 처리 기간이 길어지면, 포커스링의 흡착력이 저하되는 경우가 있다.
본 발명의 일측면에 관한 플라즈마 처리 장치는, 배치대와 전압 인가부를 갖는다. 배치대는, 포커스링이 배치되고, 내부에 상기 포커스링과 대향하도록 전극이 설치되어 있다. 전압 인가부는, 플라즈마 처리의 기간중에, 전극에 대하여 주기적으로 상이한 극성의 전압을 인가, 또는 단계적으로 절대치가 큰 전압을 인가한다.
본 발명의 여러가지 측면 및 실시형태에 의하면, 포커스링의 흡착력의 저하를 억제할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
도 1은 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 전극판의 설치 양태의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 종래 기술에 의한 전하의 마이그레이션을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 종래 기술에 의한 전열 가스의 누설량을 측정한 실험 결과의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는 인가 전압의 변화 패턴을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 본 실시형태에 의한 전하의 마이그레이션을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 실시형태에 의한 전열 가스의 누설량을 측정한 실험 결과의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 전력 밀도와 전환 주기의 관계의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9a는 인가 전압의 변화 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 9b는 인가 전압의 변화 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 9c는 인가 전압의 변화 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 10은 전극판의 설치 양태의 일례를 나타내는 도면이다.
도 11은 실시형태의 정전 흡착 처리의 타임챠트의 일례를 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본원이 개시하는 플라즈마 처리 장치, 정전 흡착 방법 및 정전 흡착 프로그램의 실시형태에 관해 상세히 설명한다. 또, 각 도면에 있어서 동일하거나 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것으로 한다. 또한, 본 실시형태에 의해 개시하는 발명이 한정되지는 않는다. 각 실시형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절하게 조합하는 것이 가능하다.
도 1은, 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 또, 본 실시형태에서는, 플라즈마 처리 장치(1)가 RIE(Reactive Ion Etching)형의 플라즈마 처리 장치인 예에 관해 설명하지만, 플라즈마 처리 장치(1)는, 표면파 플라즈마를 이용한 플라즈마 에칭 장치나 플라즈마 CVD 장치 등이어도 좋다.
도 1에 있어서, 플라즈마 처리 장치(1)는, 금속제, 예컨대, 알루미늄 또는 스테인리스강제(鋼製)의 보안 접지된 원통형의 처리 용기(10)를 가지며, 상기 처리 용기(10) 내에, 피처리체(기판)로서의 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」로 칭함)(W)를 배치하는 원판형의 서셉터(하부 전극)(11)가 배치되어 있다. 이 서셉터(11)는, 예컨대 알루미늄으로 이루어지며, 절연성의 통형상 유지 부재(12)를 통해 처리 용기(10)의 바닥으로부터 수직 상방으로 연장된 통형상 지지부(13)에 지지되어 있다.
처리 용기(10)의 측벽과 통형상 지지부(13) 사이에는 배기로(14)가 형성되고, 이 배기로(14)의 입구 또는 도중에 고리형의 배플판(15)이 배치되고, 바닥부에 배기구(16)가 설치되고, 상기 배기구(16)에 배기관(17)을 통해 배기 장치(18)가 접속되어 있다. 여기서, 배기 장치(18)는, 진공 펌프를 가지며, 처리 용기(10) 내의 처리 공간을 미리 정해진 진공도까지 감압한다. 또한, 배기관(17)은 가변식 버터플라이 밸브인 자동 압력 제어 밸브(automatic pressure control valve)(이하 「APC」라고 함)(도시되지 않음)를 가지며, 상기 APC는 자동적으로 처리 용기(10) 내의 압력 제어를 행한다. 또한, 처리 용기(10)의 측벽에는, 웨이퍼(W)의 반입 반출구(19)를 개폐하는 게이트 밸브(20)가 부착되어 있다.
서셉터(11)에는, 제1 정합기(22a)를 통해 제1 고주파 전원(21a)이 접속되어 있다. 또한, 서셉터(11)에는, 제2 정합기(22b)를 통해 제2 고주파 전원(21b)이 접속되어 있다. 제1 고주파 전원(21a)은, 플라즈마 발생용 전원이며, 플라즈마 처리시에, 미리 정해진 주파수(예컨대, 100 MHz)의 고주파 전력을 서셉터(11)에 공급한다. 제2 고주파 전원(21b)은, 이온 인입용(바이어스용) 전원이며, 플라즈마 처리시에, 제1 고주파 전원(21a)보다 낮은 미리 정해진 주파수(예컨대, 13 MHz)의 고주파 전력을 서셉터(11)에 공급한다. 처리 용기(10)의 천장부에는, 후술하는 접지 전위의 상부 전극으로서의 샤워 헤드(24)가 배치되어 있다. 이에 따라, 서셉터(11)와 샤워 헤드(24)의 사이에는, 제1 고주파 전원(21a) 및 제2 고주파 전원(21b)으로부터의 2주파의 고주파 전압이 인가된다.
서셉터(11)의 상면에는 웨이퍼(W)를 정전 흡착력으로 흡착하는 정전척(25)이 설치되어 있다. 이 정전척(25)은, 웨이퍼(W)가 배치되는 원판형의 중심부(25a)와, 중심부(25a)를 둘러싸도록 형성된 고리형의 외주부(25b)를 갖는다. 중심부(25a)는, 외주부(25b)에 대하여 도면 중 상방으로 돌출되어 있다. 외주부(25b)의 상면에는, 중심부(25a)를 고리형에 둘러싸는 포커스링(30)이 배치되어 있다. 또한, 중심부(25a)는, 도전막으로 이루어진 전극판(26)을 한쌍의 유전막 사이에 끼워 넣는 것에 의해 구성된다. 외주부(25b)는, 도전막으로 이루어진 전극판(29)을 한쌍의 유전막 사이에 끼워 넣는 것에 의해 구성된다. 본 실시형태에서는, 고리형의 축방향으로 2개의 전극판(29)을 나란히 배치하고 있다. 전극판(26)에는 직류 전원(27)이 전기적으로 접속되어 있다. 2개의 전극판(29)에는, 직류 전원(28)이 각각 개별로 전기적으로 접속되어 있다. 직류 전원(27) 및 직류 전원(28)은, 공급하는 직류 전압의 레벨 및 극성의 변경이 가능하게 되어 있다. 직류 전원(27)은, 후술하는 제어부(43)로부터의 제어에 의해, 전극판(26)에 직류 전압을 인가한다. 직류 전원(28)은, 후술하는 제어부(43)로부터의 제어에 의해, 2개의 전극판(29)에 각각 개별로 직류 전압을 인가한다. 정전척(25)은, 직류 전원(27)으로부터 전극판(26)에 인가된 전압에 의해 쿨롱력 등의 정전력을 발생시키고, 정전력에 의해 정전척(25)에 웨이퍼(W)를 흡착 유지한다. 또한, 정전척(25)은, 직류 전원(28)으로부터 전극판(29)에 인가된 전압에 의해 쿨롱력 등의 정전력을 발생시키고, 정전력에 의해 정전척(25)에 포커스링(30)을 흡착 유지한다. 또, 전극판(29)의 설치 양태에 관한 세부사항은 후술한다.
또한, 서셉터(11)의 내부에는, 예컨대 원주 방향으로 연장된 고리형의 냉매실(31)이 설치되어 있다. 이 냉매실(31)에는, 칠러 유닛(32)으로부터 배관(33, 34)을 통해 미리 정해진 온도의 냉매, 예컨대 냉각수가 순환 공급되고, 상기 냉매의 온도에 의해 정전척(25) 상의 웨이퍼(W)의 처리 온도를 제어한다.
또한, 정전척(25)에는, 가스 공급 라인(36)을 통해 전열 가스 공급부(35)가 접속되어 있다. 가스 공급 라인(36)은, 정전척(25)의 중심부(25a)에 이르는 웨이퍼측 라인(36a)과, 정전척(25)의 외주부(25b)에 이르는 포커스링측 라인(36b)으로 분기되어 있다. 전열 가스 공급부(35)는, 웨이퍼측 라인(36a)을 이용하여, 정전척(25)의 중심부(25a)와 웨이퍼(W) 사이에 끼인 공간에 전열 가스를 공급한다. 또한, 전열 가스 공급부(35)는, 포커스링측 라인(36b)을 이용하여, 정전척(25)의 외주부(25b)와 포커스링(30) 사이에 끼인 공간에 전열 가스를 공급한다. 전열 가스로는, 열전도성을 갖는 가스, 예컨대 He 가스 등이 적합하게 이용된다. 전열 가스는, 열매체의 일례에 해당하고, 전열 가스 공급부(35)는, 열매체를 공급하는 공급부의 일례에 해당한다.
천장부의 샤워 헤드(24)는, 다수의 가스 통기 구멍(37a)을 갖는 하면의 전극판(37)과, 상기 전극판(37)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(38)를 갖는다. 또한, 상기 전극 지지체(38)의 내부에 버퍼실(39)이 설치되고, 이 버퍼실(39)의 가스 도입구(38a)에는 처리 가스 공급부(40)로부터의 가스 공급 배관(41)이 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(10)의 주위에는, 고리형 또는 동심형으로 연장되는 자석(42)이 배치되어 있다.
이 플라즈마 처리 장치(1)의 각 구성 요소는, 제어부(43)에 접속되어 있다. 예컨대, 배기 장치(18), 제1 고주파 전원(21a), 제2 고주파 전원(21b), 직류 전원(27, 28), 칠러 유닛(32), 전열 가스 공급부(35) 및 처리 가스 공급부(40)는, 제어부(43)에 접속되어 있다. 제어부(43)는, 플라즈마 처리 장치(1)의 각 구성 요소를 제어한다.
제어부(43)는, 도시하지 않은 중앙 처리 장치(CPU), 및 메모리와 같은 기억 장치를 구비하고, 기억 장치에 기억된 프로그램 및 처리 레시피를 판독하여 실행함으로써, 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서 원하는 처리를 실행한다. 예컨대, 제어부(43)는, 포커스링(30)을 정전 흡착하기 위한 정전 흡착 처리를 행한다. 또, 제어부(43)에 의해 실행되는 정전 흡착 처리의 세부사항은 후술한다.
이 플라즈마 처리 장치(1)의 처리 용기(10) 내에서는, 자석(42)에 의해 한 방향으로 향하는 수평 자계가 형성되고, 서셉터(11)와 샤워 헤드(24) 사이에 인가된 고주파 전압에 의해 연직(鉛直) 방향의 RF 전계가 형성되고, 이에 따라, 처리 용기(10) 내에 있어서 처리 가스를 통한 마그네트론 방전이 행해지고, 서셉터(11)의 표면 근방에 있어서 처리 가스로부터 고밀도의 플라즈마가 생성된다.
이 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 건식 에칭 처리시에, 우선 게이트 밸브(20)를 개방 상태로 하여 가공 대상의 웨이퍼(W)를 처리 용기(10) 내에 반입하고, 정전척(25) 위에 배치한다. 그리고, 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 처리 가스 공급부(40)로부터 처리 가스(예컨대, 미리 정해진 유량 비율의 C4F8 가스, O2 가스 및 Ar 가스로 이루어진 혼합 가스)를 미리 정해진 유량 및 유량비로 처리 용기(10) 내에 도입하고, 배기 장치(18) 등에 의해 처리 용기(10) 내의 압력을 미리 정해진 값으로 한다. 또한, 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 제1 고주파 전원(21a) 및 제2 고주파 전원(21b)으로부터 각각 고주파 전력을 서셉터(11)에 공급한다. 또한, 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 직류 전원(27)으로부터 직류 전압을 정전척(25)의 전극판(26)에 인가하여, 웨이퍼(W)를 정전척(25) 상에 흡착한다. 또한, 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 직류 전원(28)으로부터 직류 전압을 정전척(25)의 전극판(29)에 인가하여, 포커스링(30)을 정전척(25) 상에 흡착한다. 샤워 헤드(24)로부터 토출된 처리 가스는 전술한 바와 같이 플라즈마화하고, 이 플라즈마에 의해 생성되는 라디칼이나 이온에 의해 웨이퍼(W)의 표면이 에칭된다.
다음으로, 도 1에 나타낸 전극판(29)의 설치 양태에 관해 설명한다. 도 2는, 전극판의 설치 양태의 일례를 나타내는 도면이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 2개의 전극판(29)은, 정전척(25)의 외주부(25b)의 내부의, 포커스링(30)에 대응하는 영역에 설치되어 있다. 이하에서는, 2개의 전극판(29) 중, 내측의 전극판(29)을 내주측 전극판(29-1)으로 하고, 외측의 전극판(29)을 외주측 전극판(29-2)으로 한다.
내주측 전극판(29-1)은, 포커스링(30)의 내주측에 고리형으로 배치되어 있다. 외주측 전극판(29-2)은, 포커스링(30)의 외주측에 고리형으로 배치되어 있다. 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)은, 직류 전원(28)에 전기적으로 접속되어 있다. 또, 본 실시형태에서는, 하나의 직류 전원(28)으로부터 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)에 전력을 공급하는 경우를 설명하지만, 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)에 대응하여 직류 전원(28)을 2개 설치하고, 개별로 전력을 공급해도 좋다.
그런데, 최근 플라즈마 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)에 대한 플라즈마 처리 기간이 길어지는 경향이 있다. 예컨대, 3차원 NAND 플래시 메모리는, 디바이스의 세대가 진행됨에 따라서 적층수가 증가하는 경향이 있고, 가공에 요하는 플라즈마 처리 기간도 길어졌다. 그 때문에, 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 예컨대 3차원 NAND 프로세스 구축을 위해, 장시간(예컨대, 60분)에 걸쳐 정전척(25)의 흡착력을 유지할 필요가 있다.
그러나, 플라즈마 처리 장치(1)는, 고온, 고바이어스 환경에서, 플라즈마 처리 기간이 길어지면, 정전척(25)의 흡착력이 저하되는 현상이 발생한다. 예컨대, 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 플라즈마 처리 기간이 길어지면, 정전척(25)에 대한 포커스링(30)의 흡착력이 저하된다.
정전척(25)에는, 유전체로서 세라믹이 이용되고 있다. 세라믹으로는, 예컨대, 알루미나판, 세라믹 용사(溶射), 산화이트륨판, FC 용사 등을 들 수 있다. 이러한 세라믹은, 온도가 높아질수록 저항율이 저하되는 경향이 있다. 이 때문에, 고온, 고바이어스 환경에서는, 정전척(25)을 구성하는 유전막의 유전체에 대한 전하의 마이그레이션이 생겨 정전척(25)의 흡착력이 저하되는 현상이 발생한다.
도 3은, 종래 기술에 의한 전하의 마이그레이션을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 3에는, 정전척(25)의 외주부(25b)의 구성이 간략화되어 나타나 있다. 정전척(25)에는, 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)이 포함되어 있다. 예컨대, 종래 기술과 같이, 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)에 대하여 일정한 플러스의 전압을 인가하여 포커스링(30)의 흡착을 행한다. 이 경우, 예컨대 도 3에 나타낸 바와 같이, 포커스링(30)의 마이너스의 전하가 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)으로 마이그레이션하고, 정전척(25)에 대한 포커스링(30)의 흡착력이 저하된다.
플라즈마 처리 장치(1)에서는, 정전척(25)에 대한 포커스링(30)의 흡착력이 저하되면, 포커스링(30)과 정전척(25) 사이에 공급되는 전열 가스의 누설이 커진다.
플라즈마 처리 장치(1)에서는, 전열 가스의 누설이 커지면, 포커스링(30)으로부터의 발열(拔熱)의 효율이 저하되고, 플라즈마 처리로부터의 열에 의해 포커스링(30)이 고온이 되어 플라즈마 처리의 처리 특성이 변동해 버린다. 또한, 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 전열 가스의 누설이 커지면, 진공도가 저하되어 플라즈마의 특성에 변화하고, 플라즈마 처리의 처리 특성이 변동해 버린다.
도 4는, 종래 기술에 의한 전열 가스의 누설량을 측정한 실험 결과의 일례를 나타내는 도면이다. 도 4의 예는, 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)에 대하여 일정한 플러스의 전압을 인가하여 포커스링(30)을 흡착시켜, 정전척(25)과 포커스링(30) 사이에 끼인 공간에 공급되는 전열 가스의 누설량을 측정한 실험 결과의 일례를 나타내고 있다. 도 4에 있어서, 종축은, 정전척(25)과 포커스링(30) 사이에 끼인 공간에 전열 가스로서 공급되는 He 가스의 누설량(sccm)을 나타내고 있다. 횡축은, 포커스링(30)의 흡착을 시작하고 나서의 경과 시간(sec)을 나타내고 있다. 도 4의 예에서는, 1000초를 경과하는 부근에서 He 가스의 누설량이 급격히 증가하는 에러가 발생하여, 제어 정지가 발생하고 있다.
따라서, 제어부(43)는, 플라즈마 처리의 기간중에, 주기적으로 상이한 극성의 전압을 인가하도록 직류 전원(27, 28)을 제어한다. 예컨대, 제어부(43)는, 플라즈마 처리의 기간중에, 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)에 대하여 주기적으로 상이한 극성의 전압을 인가하도록 직류 전원(28)을 제어한다.
도 5는, 인가 전압의 변화 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 5에는, 정전척(25)의 외주부(25b)의 구성이 간략화되어 나타나 있다. 예컨대, 제어부(43)는, 플라즈마 처리의 기간중에, 직류 전원(28)을 제어하여, 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)에 대하여 주기적으로 상이한 극성의 전압을 인가한다. 도 5의 예에서는, 내주측 전극판(29-1)과 외주측 전극판(29-2)에 대하여, 서로 플러스와 마이너스의 전압이 교대로 인가되어 있다.
도 6은, 본 실시형태에 의한 전하의 마이그레이션을 모식적으로 나타내는 도면이다. 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)에는, 전압이 인가됨으로써 전하의 마이그레이션이 발생하지만, 인가되는 전압의 극성이 주기적으로 변함으로써 전하의 마이그레이션이 캔슬되기 때문에, 정전척(25)에 대한 포커스링(30)의 흡착력을 유지할 수 있다.
도 7은, 실시형태에 의한 전열 가스의 누설량을 측정한 실험 결과의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7의 예는, 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)에 대하여, 도 5에 나타낸 바와 같이 서로 플러스와 마이너스의 일정한 전압을 교대로 전환하여 인가함으로써 포커스링(30)을 흡착시켜, 정전척(25)과 포커스링(30) 사이에 끼인 공간에 공급되는 전열 가스의 누설량을 측정한 실험 결과의 일례를 나타내고 있다. 도 7에 있어서, 종축은, 정전척(25)과 포커스링(30) 사이에 끼인 공간에 전열 가스로서 공급되는 He 가스의 누설량(sccm)을 나타내고 있다. 횡축은, 포커스링(30)의 흡착을 시작하고 나서의 경과 시간(sec)을 나타내고 있다. 인가 전압의 전환 주기는, 예컨대 300초로 하고 있다. 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)에 대하여 주기적으로 상이한 극성의 전압을 인가한 경우, 정전척(25)에 대한 포커스링(30)의 흡착력을 유지할 수 있기 때문에, 도 7에 나타낸 바와 같이, 1000초를 경과한 경우에도 He 가스의 누설량을 크게 증가시키지 않고 유지할 수 있다.
전하의 마이그레이션은, 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)에 대한 인가 전압이 높고, 정전척(25)의 포커스링(30)과 대향하는 부분의 전력 밀도가 높아질수록 속도가 빠르다. 이 때문에, 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)에 대한 인가 전압의 극성을 전환하는 전환 주기는, 인가 전압이 높고, 전력 밀도가 높아질수록 짧은 편이 바람직하다. 도 8은, 전력 밀도와 전환 주기의 관계의 일례를 나타내는 도면이다. 도 8에 있어서, 종축은, 플라즈마 처리에 있어서 포커스링(30)을 흡착하여 유지하는 유지 시간(sec)을 나타내고 있다. 횡축은, 정전척(25)의 포커스링(30)과 대향하는 부분의 전력 밀도(W/cm2)를 나타내고 있다. 도 8이 나타내는 그래프 L은, 전력 밀도로 포커스링(30)을 흡착한 경우에 누설량이 급격히 증가하는 유지 시간을 나타내고 있다. 플라즈마 처리에 있어서, 포커스링(30)을 흡착할 때의 전력 밀도에 대하여, 포커스링(30)의 유지 시간이 그래프 L의 좌측 영역 A1이 되는 경우는, 인가 전압을 전환하지 않더라도 포커스링(30)의 흡착력을 유지할 수 있다. 한편, 플라즈마 처리에 있어서, 포커스링(30)을 흡착할 때의 전력 밀도에 대하여, 포커스링(30)의 유지 시간이 그래프 L의 우측 영역 A2가 되는 경우는, 인가 전압을 전환하지 않으면 포커스링(30)의 흡착력을 유지할 수 없다. 인가 전압을 전환하는 주기는, 전력 밀도에 대하여, 영역 A1이 되는 유지 시간의 주기로 한다.
또, 인가 전압의 변화의 패턴은, 이것으로 한정되지는 않는다. 도 9a는, 인가 전압의 변화 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 예컨대, 제어부(43)는, 플라즈마 처리의 기간중에, 직류 전원(28)을 제어하여, 내주측 전극판(29-1) 및 외주측 전극판(29-2)의 인가 전압의 극성을 교대로 변화시켜도 좋다. 도 9a의 예에서는, 내주측 전극판(29-1)과 외주측 전극판(29-2)의 인가 전압의 극성이 교대로 순서대로 전환되었다.
또한, 전극판(29)은, 외주부(25b)에 1개 형성되어 있어도 좋고, 3개 이상 형성되어 있어도 좋다.
도 9b는, 인가 전압의 변화 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 9b의 예는, 외주부(25b)에 1개의 전극판(29)이 형성되어 있는 경우의 인가 전압의 변화 패턴의 일례를 나타내고 있다. 예컨대, 제어부(43)는, 플라즈마 처리의 기간중에, 직류 전원(28)을 제어하여, 전극판(29)에 주기적으로 상이한 극성의 전압을 인가시켜도 좋다.
도 9c는, 인가 전압의 변화 패턴의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 9c의 예는, 외주부(25b)에 3개의 전극판(29)(29-1, 29-2, 29-3)이 1개 형성되어 있는 경우의 인가 전압의 변화 패턴의 일례를 나타내고 있다. 예컨대, 제어부(43)는, 플라즈마 처리의 기간중에, 직류 전원(28)을 제어하여, 전극판(29-1, 29-2, 29-3)의 인가 전압의 극성을 1개씩 순서대로 변화시켜도 좋다. 도 9c의 예에서는, 전극판(29-1, 29-2, 29-3)의 인가 전압의 극성이 1개씩 순서대로 전환되었다. 도 9c의 예에서는, 전극판(29-1, 29-2, 29-3) 중 어느 전극판(29)의 인가 전압의 극성이 전환될 때에도, 다른 전극판(29)의 인가 전압이 유지되기 때문에, 포커스링(30)의 흡착을 유지할 수 있다.
또한, 전극판(29)은, 외주부(25b)에 고리형의 둘레 방향으로 나란히 복수 배치해도 좋다.
도 10은, 전극판의 설치 양태의 일례를 나타내는 도면이다. 도 10에는, 상부에 정전척(25)의 외주부(25b)를 상방으로부터 본 개략도를 나타내고, 하부에 정전척(25)의 외주부(25b)를 측면으로부터 본 개략도를 나타내고 있다. 도 10의 예에서는, 외주부(25b)에 3개의 전극판(29)(29-1, 29-2, 29-3)이 둘레 방향으로 나란히 배치되어 있다.
또한, 본 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치(1)는, 전극판(29)에 대하여 주기적으로 상이한 극성의 전압을 인가함으로써, 포커스링(30)의 흡착을 유지하는 경우를 설명했지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 전극판(29)에 대하여 단계적으로 절대치가 큰 전압을 인가하여 포커스링(30)의 흡착을 유지해도 좋다. 예컨대, 제어부(43)는, 직류 전원(28)을 제어하여, 전극판(29)에 대하여 단계적으로 절대치가 큰 전압을 인가해도 좋다.
또한, 본 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치(1)는, 제어부(43)가 직류 전원(28)을 제어하여 전극판(29)에 인가하는 전압을 주기적으로 상이한 극성으로 전환하는 경우를 설명했지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 직류 전원(28)이 자율적으로, 전극판(29)에 인가하는 전압을 주기적으로 상이한 극성으로 전환해도 좋다.
다음으로, 실시형태의 제어부(43)에 의해 실행되는 정전 흡착 처리에 관해 설명한다. 도 11은, 실시형태의 정전 흡착 처리의 타임챠트의 일례를 나타내는 도면이다. 도 11은, 도 9a에 나타낸 인가 전압의 변화 패턴을 실현하는 경우의 타임챠트의 일례를 나타내고 있다.
도 11에 있어서, 「Time」은 각 스텝의 시간이며, 단위를 초(sec)로 하고 있다. 「HV A」는, 외주측 전극판(29-2)에 인가되는 전압이며, 단위를 볼트(V)로 하고 있다. 「HV B」는, 내주측 전극판(29-1)에 인가되는 전압이며, 단위를 볼트(V)로 하고 있다. 「FR B.P」는, 포커스링(30)과 정전척(25) 사이에 끼인 공간에 공급하는 전열 가스의 압력이며, 단위를 토르(torr)로 하고 있다. 제어부(43)는, 직류 전원(28)을 제어하여, 순서대로 각 스텝의 전압을 인가한다. 도 11에는, 순서대로 각 스텝의 전압을 인가했을 때의 전열 가스의 누설량을 측정한 실험 결과의 일례도 나타나 있다. 도 11에 나타낸 바와 같이 주기적으로 상이한 극성의 전압을 인가한 경우, 플라즈마 처리 기간이 길어진 경우에도 He 가스의 누설량을 증가시키지 않고 유지할 수 있다.
이상, 본 실시형태에 관한 플라즈마 처리 장치(1)는, 서셉터(11)와 직류 전원(28)을 갖는다. 서셉터(11)에는 정전척(25)이 설치되어 있다. 정전척(25)의 외주부(25b)에는, 포커스링(30)이 배치되고, 내부에 포커스링(30)과 대향하도록 전극판(29)이 설치되어 있다. 직류 전원(28)은, 플라즈마 처리의 기간중에, 전극판(29)에 대하여 주기적으로 상이한 극성의 전압을 인가, 또는 단계적으로 절대치가 큰 전압을 인가한다. 이에 따라, 플라즈마 처리 장치(1)는, 포커스링(30)의 흡착력의 저하를 억제할 수 있다. 그 결과, 플라즈마 처리 장치(1)는, 정전척(25)과 포커스링(30) 사이에 끼인 공간의 밀폐성을 확보할 수 있고, 플라즈마 처리 기간에 있어서, 포커스링(30)과 정전척(25) 사이에 끼인 공간에 공급되는 전열 가스의 누설량의 증대를 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관한 정전척(25)의 외주부(25b)는, 포커스링(30)의 직경 방향에 대하여 복수의 전극판(29)이 설치되어 있다. 이에 따라, 플라즈마 처리 장치(1)는, 전극판(29)마다 인가하는 전압을 제어할 수 있기 때문에, 포커스링(30)의 흡착력이 한번에 없어지는 것을 억제할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 장치(1)는, 전극판(29)마다 인가하는 전압을 바꿈으로써, 전극판(29)마다 흡착력을 제어할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관한 직류 전원(28)은, 복수의 전극판(29)에 인가되는 전압의 극성을 전부, 또는 1개씩 순서대로 전환한다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 이와 같이 복수의 전극판(29)에 인가되는 전압의 극성을 전부, 또는 1개씩 순서대로 전환함으로써 포커스링(30)의 흡착력의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 장치(1)는, 이와 같이 복수의 전극판(29)에 인가되는 전압의 극성을 하나씩 순서대로 전환함으로써, 전압의 극성의 전환 타이밍에 포커스링(30)의 흡착력이 일시적으로 없어지는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관한 직류 전원(28)은, 각 주기에 있어서, 복수의 전극판(29)에 상이한 극성의 전압이 인가되도록 전압을 인가한다. 이에 따라, 플라즈마 처리 장치(1)는, 복수의 전극판(29)에 각각 인가되는 전압에 의해 주위에 미치는 영향을 서로 약하게 할 수 있다.
상기 실시형태에서는, 플라즈마 처리 장치(1)를, 용량 결합 플라즈마(CCP : Capacitively Coupled Plasma)의 플라즈마 에칭 장치로서 구성한 경우를 예로 설명했지만, 전술한 실시형태에 한정되지 않고 여러가지 변형 양태를 구성할 수 있다. 예컨대, 전술한 플라즈마 처리 장치(1)는, CCP 타입의 플라즈마 처리 장치(1)였지만, 임의의 플라즈마 처리 장치(1)에 채용될 수 있다. 예컨대, 플라즈마 처리 장치(1)는, Inductively Coupled Plasma(ICP), Radial Line Slot Antenna, Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR), Helicon Wave Plasma(HWP) 중 어느 타입이라도 적용할 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 기판으로서 웨이퍼(W)에 대하여 플라즈마 에칭을 행하는 경우를 예로 설명했지만, FPD(Flat Panel Display) 등, 기판으로서 유리 기판 등에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 그 밖의 플라즈마 처리 장치에 적용해도 좋다.
1 : 플라즈마 처리 장치 10 : 처리 용기
11 : 서셉터 21a : 제1 고주파 전원
21b : 제2 고주파 전원 25 : 정전척
25a : 중심부 25b : 외주부
26 : 전극판 27 : 직류 전원
28 : 직류 전원 29 : 전극판
30 : 포커스링 43 : 제어부
W : 웨이퍼

Claims (8)

  1. 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    플라즈마를 이용하여 플라즈마 처리를 수행하도록 구성된 처리 용기;
    상기 처리 용기 내에 제공되고, 기판 배치부 및 포커스링 배치부를 포함하는 배치대 - 상기 포커스링 배치부는 상기 기판 배치부를 둘러쌈 -;
    상기 포커스링 배치부 상에 배치된 포커스링;
    상기 포커스링 배치부 내부에 배치된 제1 전극 및 제2 전극;
    상기 제1 전극에 제1 직류 전압을 인가하고, 상기 제2 전극에 제2 직류 전압을 인가하도록 구성된 직류 전원; 및
    상기 제1 직류 전압 및 상기 제2 직류 전압의 각각의 극성이 독립적이고 주기적으로 전환되도록, 상기 직류 전원을 제어하도록 구성된 제어부
    를 포함하는, 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는 또한, 상기 배치대와 상기 포커스링 사이의 전하의 마이그레이션(migration)이 발생되기 전에 상기 제1 직류 전압 및 상기 제2 직류 전압의 각각의 극성이 전환되도록, 상기 직류 전원을 제어하도록 구성되는 것인, 플라즈마 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 극성의 전환 주기는, 전극에 인가된 직류 전압에 대응하는 전력 밀도에 기초하여 결정되는 것인, 플라즈마 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 극성의 전환 주기는, 상기 포커스링과 상기 배치대 사이를 흐르는 전열 가스(heat transfer gas)의 유량에 기초하여 결정되는 것인, 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 직류 전압의 극성의 전환은, 상기 제2 전극의 극성의 전환과 동시에 수행되는 것인, 플라즈마 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2 직류 전압의 극성의 전환은, 상기 제1 전극의 극성이 전환된 후에 수행되는 것인, 플라즈마 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 포커스링의 원주 방향으로 제공되는 것인, 플라즈마 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 포커스링의 직경 방향으로 제공되는 것인, 플라즈마 처리 장치.
KR1020230116328A 2017-06-02 2023-09-01 플라즈마 처리 장치, 정전 흡착 방법 및 정전 흡착 프로그램 KR20230129362A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017110452A JP6861579B2 (ja) 2017-06-02 2017-06-02 プラズマ処理装置、静電吸着方法および静電吸着プログラム
JPJP-P-2017-110452 2017-06-02
KR1020180061733A KR102575644B1 (ko) 2017-06-02 2018-05-30 플라즈마 처리 장치, 정전 흡착 방법 및 정전 흡착 프로그램

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180061733A Division KR102575644B1 (ko) 2017-06-02 2018-05-30 플라즈마 처리 장치, 정전 흡착 방법 및 정전 흡착 프로그램

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230129362A true KR20230129362A (ko) 2023-09-08

Family

ID=64458796

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180061733A KR102575644B1 (ko) 2017-06-02 2018-05-30 플라즈마 처리 장치, 정전 흡착 방법 및 정전 흡착 프로그램
KR1020230116328A KR20230129362A (ko) 2017-06-02 2023-09-01 플라즈마 처리 장치, 정전 흡착 방법 및 정전 흡착 프로그램

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180061733A KR102575644B1 (ko) 2017-06-02 2018-05-30 플라즈마 처리 장치, 정전 흡착 방법 및 정전 흡착 프로그램

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10879050B2 (ko)
JP (1) JP6861579B2 (ko)
KR (2) KR102575644B1 (ko)
CN (2) CN111668085B (ko)
SG (1) SG10201804649VA (ko)
TW (2) TWI781175B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7346269B2 (ja) * 2019-01-17 2023-09-19 東京エレクトロン株式会社 静電吸着部の制御方法、及びプラズマ処理装置
CN111446144B (zh) * 2019-01-17 2024-04-19 东京毅力科创株式会社 静电吸附部的控制方法和等离子体处理装置
JP7333712B2 (ja) 2019-06-05 2023-08-25 東京エレクトロン株式会社 静電チャック、支持台及びプラズマ処理装置
JP7398909B2 (ja) 2019-09-12 2023-12-15 東京エレクトロン株式会社 静電吸着方法及びプラズマ処理装置
JP7325294B2 (ja) * 2019-10-17 2023-08-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP7365912B2 (ja) * 2020-01-10 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 エッジリング及び基板処理装置
JP7390219B2 (ja) 2020-03-11 2023-12-01 東京エレクトロン株式会社 エッジリングの保持方法、プラズマ処理装置、及び基板処理システム
JP2022042379A (ja) * 2020-09-02 2022-03-14 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
JP2022111771A (ja) * 2021-01-20 2022-08-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム及びプラズマ処理方法
JP2023039828A (ja) 2021-09-09 2023-03-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016122740A (ja) 2014-12-25 2016-07-07 東京エレクトロン株式会社 静電吸着方法及び基板処理装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58114437A (ja) * 1981-12-26 1983-07-07 Fujitsu Ltd 静電吸着方法
JPH0513555A (ja) * 1991-07-01 1993-01-22 Toto Ltd 静電チヤツク及び静電チヤツクに対する電圧印加方法
JPH06244271A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Ulvac Japan Ltd 静電吸着装置
JP4330737B2 (ja) * 1999-11-24 2009-09-16 株式会社アルバック 真空処理方法
JP4559595B2 (ja) * 2000-07-17 2010-10-06 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置及びプラズマ処理装置
US6760213B2 (en) * 2002-03-04 2004-07-06 Hitachi High-Technologies Corporation Electrostatic chuck and method of treating substrate using electrostatic chuck
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
JP4504061B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP4847909B2 (ja) * 2007-03-29 2011-12-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及び装置
US20090109595A1 (en) * 2007-10-31 2009-04-30 Sokudo Co., Ltd. Method and system for performing electrostatic chuck clamping in track lithography tools
JP2010232476A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP5657262B2 (ja) * 2009-03-27 2015-01-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5496568B2 (ja) * 2009-08-04 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2011040658A (ja) * 2009-08-17 2011-02-24 Fujitsu Semiconductor Ltd 処理物保持装置、静電チャックの制御方法及び半導体装置の製造方法
CN103733318B (zh) * 2011-08-19 2016-08-31 株式会社爱发科 真空处理装置以及真空处理方法
JP5976377B2 (ja) * 2012-04-25 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、処理装置
JP2015072825A (ja) * 2013-10-03 2015-04-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
GB201321463D0 (en) * 2013-12-05 2014-01-22 Oxford Instr Nanotechnology Tools Ltd Electrostatic clamping method and apparatus
JP6552346B2 (ja) * 2015-09-04 2019-07-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9922857B1 (en) * 2016-11-03 2018-03-20 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016122740A (ja) 2014-12-25 2016-07-07 東京エレクトロン株式会社 静電吸着方法及び基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180132534A (ko) 2018-12-12
TW202300698A (zh) 2023-01-01
CN108987233B (zh) 2020-07-03
SG10201804649VA (en) 2019-01-30
US11764038B2 (en) 2023-09-19
KR102575644B1 (ko) 2023-09-05
TWI781175B (zh) 2022-10-21
CN111668085A (zh) 2020-09-15
TW201908523A (zh) 2019-03-01
JP6861579B2 (ja) 2021-04-21
US20180350565A1 (en) 2018-12-06
US20210074522A1 (en) 2021-03-11
CN108987233A (zh) 2018-12-11
CN111668085B (zh) 2023-06-27
US10879050B2 (en) 2020-12-29
JP2018206935A (ja) 2018-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102582878B1 (ko) 정전 흡착 방법 및 기판 처리 장치
KR102575644B1 (ko) 플라즈마 처리 장치, 정전 흡착 방법 및 정전 흡착 프로그램
TW202335168A (zh) 用於具有多個嵌入式電極的基板支撐件的方法
TWI689033B (zh) 於載置台吸附被吸附物之方法及處理裝置
CN109509694B (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理方法
US9530657B2 (en) Method of processing substrate and substrate processing apparatus
US20240006154A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP7204350B2 (ja) 載置台、基板処理装置及びエッジリング
TW202141563A (zh) 電漿處理裝置
JP2021010026A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7390219B2 (ja) エッジリングの保持方法、プラズマ処理装置、及び基板処理システム
US20210082671A1 (en) Electrostatic attraction method and plasma processing apparatus
JP2018164092A (ja) 静電吸着方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP6781320B2 (ja) 静電吸着方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
CN111029237A (zh) 基板支承组件、等离子体处理装置、以及等离子体处理方法
US11984303B2 (en) Holding method of edge ring, plasma processing apparatus, and substrate processing system

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal