KR20220093344A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

기판 처리 장치는, 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와, 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 기판을 공급용의 회전 속도로 회전시키면서, 당해 기판의 표면에 처리액을 공급시키는 것을 포함하는 공급 처리와, 처리액의 공급 완료 후에 처리액이 기판의 표면을 따라 확산되도록 기판을 회전시키는 것을 포함하는 도포 처리를 실행하는 도포 제어부와, 처리액의 토출 유량의 시간 변화에 기초하여, 처리액의 공급 개시 타이밍을 공급 처리의 실행 중에 검출하는 공급 개시 검출부와, 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍에 대하여 어긋나는 것에 기인하여, 처리액의 공급 기간 중에 있어서의 기판의 회전 횟수가 목표 회전 횟수로부터 어긋나는 것을 억제하도록, 공급 개시 타이밍에 기초하여, 적어도 처리액의 공급 완료 타이밍 또는 공급용의 회전 속도를 변경하는 조건 변경부를 구비한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
본 개시는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 기판을 지지하는 복수의 기판 지지부와, 처리액을 저류하는 저류부, 처리액을 토출하는 토출 노즐 및 저류부로부터 토출 노즐을 향해 처리액을 압송하는 가압 수단을 가지는 처리액 토출부를 구비하는 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 이 기판 처리 장치에서는, 토출 노즐이 에어 벨브를 개재하여 가압 수단과 접속되어 있다.
일본특허공개공보 2008-251890호
본 개시는, 기판 간의 막 두께 차를 저감하는데 유용한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체를 제공한다.
본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와, 회전 유지부에 유지된 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 회전 유지부에 의해 기판을 공급용의 회전 속도로 회전시키면서, 상기 기판의 표면에 처리액 공급부에 의해 처리액을 공급시키는 것을 포함하는 공급 처리와, 처리액의 공급 완료 후에 처리액이 기판의 표면을 따라 확산되도록 회전 유지부에 의해 기판을 회전시키는 것을 포함하는 도포 처리를 실행하는 도포 제어부와, 처리액의 토출 유량의 시간 변화에 기초하여, 처리액의 공급 개시 타이밍을 공급 처리의 실행 중에 검출하는 공급 개시 검출부와, 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍에 대하여 어긋나는 것에 기인하여, 처리액의 공급 기간 중에 있어서의 기판의 회전 횟수가 목표 회전 횟수로부터 어긋나는 것을 억제하도록, 공급 개시 타이밍에 기초하여, 적어도 처리액의 공급 완료 타이밍 또는 공급용의 회전 속도를 변경하는 조건 변경부를 구비한다.
본 개시에 따르면, 기판 간의 막 두께 차를 저감하는데 유용한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체가 제공된다.
도 1은 기판 처리 시스템의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 2는 도포 현상 장치의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 3은 도포 유닛의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 4는 제어 장치의 기능 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 5는 공급 개시 타이밍의 어긋남에 따른 공급 완료 타이밍의 변경의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 6의 (a)는 공급 개시 타이밍에 어긋남이 없는 경우의 회전 속도의 시간 변화의 일례를 나타내는 그래프이다. 도 6의 (b)는 공급 개시 타이밍에 어긋남이 있는 경우의 회전 속도의 시간 변화의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 7은 제어 장치의 하드웨어 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 8은 처리액의 피막의 성막 처리 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 9는 공급 처리 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 10은 도포 처리 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 11은 정지 처리 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 12는 목표 타이밍의 수정 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 13은 공급 처리 순서의 다른 예를 나타내는 순서도이다.
도 14는 공급 개시 타이밍의 어긋남에 따른 회전 속도의 변경의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 15의 (a)는 공급 개시 타이밍에 어긋남이 없는 경우의 회전 속도의 시간 변화의 일례를 나타내는 그래프이다. 도 15의 (b)는 공급 개시 타이밍에 어긋남이 있는 경우의 회전 속도의 시간 변화의 일례를 나타내는 그래프이다.
이하, 도면을 참조하여 일실시 형태에 대하여 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일한 부호를 부여하여, 중복되는 설명을 생략한다.
[기판 처리 시스템]
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 설명한다. 기판 처리 시스템(1)은, 기판에 대하여, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광, 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상의 기판은, 예를 들면 반도체의 웨이퍼(W)이다. 감광성 피막은, 예를 들면 레지스트막이다. 기판 처리 시스템(1)은 도포·현상 장치(2)와, 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는, 웨이퍼(W)(기판) 상에 형성된 레지스트막(감광성 피막)을 노광하는 장치이다. 구체적으로, 노광 장치(3)는, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 노광용의 에너지선을 조사한다. 도포·현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리의 전에, 웨이퍼(W)(기판)의 표면에 레지스트(약액)를 도포하여 레지스트막을 형성하는 처리를 행한다. 또한, 도포·현상 장치(2)는, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다.
(도포·현상 장치)
도 1 및 도 2에 나타나는 바와 같이, 도포·현상 장치(2)(기판 처리 장치)는 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)과, 제어 장치(100)를 구비한다.
캐리어 블록(4)은, 도포·현상 장치(2) 내로의 웨이퍼(W)의 도입 및 도포·현상 장치(2) 내로부터의 웨이퍼(W)의 도출을 행한다. 예를 들면 캐리어 블록(4)은, 웨이퍼(W)용의 복수의 캐리어(C)를 지지 가능하며, 전달 암을 포함하는 반송 장치(A1)를 내장하고 있다. 캐리어(C)는, 예를 들면 원형의 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한다. 반송 장치(A1)는, 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(5)에 건네고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(C) 내로 되돌린다. 처리 블록(5)은, 복수의 처리 모듈(11, 12, 13, 14)을 가진다.
처리 모듈(11)은 도포 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(11)은, 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성한다. 도포 유닛(U1)은, 하층막 형성용의 처리액을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 열 처리 유닛(U2)은, 하층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다.
처리 모듈(12)은 도포 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(12)은, 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 하층막 상에 레지스트막을 형성한다. 도포 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용의 처리액으로서, 레지스트를 하층막의 위에 도포한다. 예를 들면, 도포 유닛(U1)은, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 표면에 처리액을 공급한 후에, 당해 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 표면 상의 처리액을 확산시켜, 처리액의 피막을 형성한다. 열 처리 유닛(U2)은, 레지스트막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트막이 형성된다.
처리 모듈(13)은 도포 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(13)은, 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 레지스트막 상에 상층막을 형성한다. 도포 유닛(U1)은, 상층막 형성용의 처리액을 레지스트막의 위에 도포한다. 열 처리 유닛(U2)은, 상층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다.
처리 모듈(14)은 도포 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(14)은, 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해, 노광 후의 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 도포 유닛(U1)은, 노광이 끝난 웨이퍼(W)의 표면 상에 현상액을 도포한 후, 이를 린스액에 의해 씻어냄으로써, 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 열 처리 유닛(U2)은, 현상 처리에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 현상 처리에 수반하는 열 처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB : Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB : Post Bake) 등을 들 수 있다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛(U10)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 암을 포함하는 반송 장치(A7)가 마련되어 있다. 반송 장치(A7)는, 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 웨이퍼(W)를 승강시킨다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛(U11)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U11)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.
인터페이스 블록(6)은, 노광 장치(3)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 예를 들면 인터페이스 블록(6)은, 전달 암을 포함하는 반송 장치(A8)를 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 반송 장치(A8)는, 선반 유닛(U11)에 배치된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)에 건넨다. 반송 장치(A8)는, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 되돌린다.
(액 처리 유닛)
이어서, 도 3을 참조하여, 처리 모듈(12)의 도포 유닛(U1)의 일례에 대하여 설명한다. 도 3에 나타나는 바와 같이, 도포 유닛(U1)은 회전 유지부(30)와, 처리액 공급부(40)를 가진다.
회전 유지부(30)는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시킨다. 회전 유지부(30)는, 예를 들면 유지부(32)와, 회전 구동부(34)를 가진다. 유지부(32)는, 표면(Wa)을 위로 하여 수평으로 배치된 웨이퍼(W)의 중심부를 지지하고, 당해 웨이퍼(W)를 예를 들면 진공 흡착 등에 의해 유지한다. 회전 구동부(34)는, 예를 들면 전동 모터 등을 동력원으로 한 액츄에이터이며, 연직인 축선(Ax) 둘레로 유지부(32)를 회전시킨다. 이에 의해, 유지부(32) 상의 웨이퍼(W)가 회전한다. 유지부(32)는, 웨이퍼(W)의 중심이 축선(Ax)에 대략 일치하도록 웨이퍼(W)를 유지해도 된다.
처리액 공급부(40)는, 회전 유지부(30)(유지부(32))에 유지된 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액을 공급한다. 처리액은, 레지스트막(R)을 형성하기 위한 용액(레지스트)이다. 처리액 공급부(40)는, 예를 들면, 노즐(42)과, 노즐 이동 기구(52)와, 공급원(44)과, 개폐 밸브(46)와, 유량 측정부(48)를 가진다. 노즐(42)은, 유지부(32)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액을 토출한다. 예를 들면, 노즐(42)은, 웨이퍼(W)의 상방에 배치되어, 처리액을 하방으로 토출한다. 노즐 이동 기구(52)는, 전동 모터 등의 동력원에 의해, 웨이퍼(W)의 상방의 토출 위치와, 당해 토출 위치로부터 떨어진 퇴피 위치와의 사이에서 노즐(42)을 이동시킨다.
공급원(44)은, 처리액을 노즐(42)에 공급한다. 공급원(44)은, 예를 들면 펌프 등에 의해 처리액을 노즐(42)을 향해 보낸다. 개폐 밸브(46)는, 노즐(42)과 공급원(44)과의 사이의 공급로에 마련된다. 개폐 밸브(46)는, 제어 장치(100)의 동작 지령에 기초하여, 공급로의 개폐 상태를 개방 상태와 폐쇄 상태로 전환한다. 개폐 밸브(46)는, 예를 들면 에어 오퍼레이션 밸브이다. 유량 측정부(유량 센서)(48)는, 노즐(42)과 개폐 밸브(46)와의 사이의 공급로에 마련되어, 당해 공급로를 흐르는 처리액의 유량을 측정한다. 유량 측정부(48)는, 유량의 측정값을 제어 장치(100)에 출력한다. 노즐(42)로부터의 처리액의 토출 유량은, 노즐(42)과 개폐 밸브(46)와의 사이의 공급로를 흐르는 유량(유량 측정부(48)에 의해 측정되는 유량)과 대략 일치한다.
(제어 장치)
제어 장치(100)는, 도포·현상 장치(2)의 각 요소를 제어한다. 제어 장치(100)는, 예를 들면, 처리 모듈(12)의 도포 유닛(U1)을 제어함으로써, 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 차례로(개별로) 처리액을 도포하여, 처리액의 피막을 형성한다. 제어 장치(100)는, 도 4에 나타나는 바와 같이, 기능 상의 구성(이하, '기능 모듈'이라 함)으로서, 도포 제어부(102)와, 처리 정보 기억부(104)와, 유량 취득부(106)와, 공급 개시 검출부(108)와, 조건 변경부(110)를 가진다.
도포 제어부(102)는, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액을 공급하는 것을 포함하는 처리(이하, '공급 처리'라 함)와, 웨이퍼(W)를 회전시켜 표면(Wa)을 따라 처리액을 확산시키는 것을 포함하는 처리(이하, '도포 처리'라 함)를 실행한다. 구체적으로, 도포 제어부(102)는, 공급 처리에 있어서, 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 정해진 회전 속도(이하, '공급용의 회전 속도(ω1)'라 함)로 회전시키면서, 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액 공급부(40)에 의해 처리액을 공급시킨다.
도포 제어부(102)는, 처리액의 공급을 개시시키기 위한 지령(이하, '개시 지령'이라 함)을 개폐 밸브(46)에 출력한다. 개폐 밸브(46)는, 개시 지령을 받으면, 공급로의 개폐 상태를 폐쇄 상태에서 개방 상태로 천이시킨다. 도포 제어부(102)는, 처리액의 공급을 완료(정지)시키기 위한 지령(이하, '완료 지령'이라 함)을 개폐 밸브(46)에 출력한다. 개폐 밸브(46)는, 완료 지령을 받으면, 공급로의 개폐 상태를 개방 상태에서 폐쇄 상태로 천이시킨다.
도포 제어부(102)는, 도포 처리에 있어서, 처리액의 공급 완료 후에 처리액이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 따라 확산되도록 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 도포 제어부(102)는, 도포 처리 후의 정해진 감속 기간 내에 웨이퍼(W)의 회전을 회전 유지부(30)에 의해 정지시키는 처리(이하, '정지 처리'라 함)를 더 실행해도 된다. 도포 제어부(102)는 공급 처리, 도포 처리 및 정지 처리를 이 순으로 실행함으로써, 1 매의 웨이퍼(W)에 도포 유닛(U1)에 의해 레지스트의 피막을 형성시키는 처리(이하, '성막 처리'라 함)를 실행한다. 도포 제어부(102)는, 정해진 제어 조건에 따라, 공급 처리, 도포 처리 및 정지 처리를 차례로 실행한다. 이하에서는, 성막 처리에 포함되는 공급 처리, 도포 처리 및 정지 처리를 총칭하여 '단위 처리'라 하는 경우가 있다. 또한 성막 처리에는, 상기 3 개의 단위 처리 이외의 단위 처리가 포함되어 있어도 된다.
처리 정보 기억부(104)는, 도포 제어부(102)가 성막 처리를 실행하기 위한 처리 정보를 기억한다. 처리 정보에는, 예를 들면, 성막 처리에 포함되는 단위 처리의 순서를 정하는 처리 스케줄, 및 각 단위 처리를 실행할 시의 제어 조건이 포함된다. 제어 조건은, 일례로서, 공급 처리에서의 공급용의 회전 속도(ω1), 및 처리액의 공급 완료 타이밍, 도포 처리에서의 회전 속도 및 회전시키는 기간, 그리고 정지 처리에서의 감속 기간 등을 정한다.
유량 취득부(106)는, 유량 측정부(48)로부터 유량의 측정값을 취득한다. 유량 취득부(106)는, 예를 들면, 정해진 주기에 유량 측정부(48)로부터 유량의 측정값을 취득한다. 유량 측정부(48)로부터의 유량의 측정값은, 노즐(42)로부터의 처리액의 토출 유량에 상관한다.
공급 개시 검출부(108)는, 처리액의 토출 유량의 시간 변화에 기초하여, 처리액의 공급 개시 타이밍을 공급 처리의 실행 중에 검출한다. 공급 개시 타이밍이란, 처리액의 공급(처리액의 토출)이 실제로 개시되는 타이밍(시각)이다. 처리액의 공급을 개시시키기 위한 개시 지령을 도포 제어부(102)가 개폐 밸브(46)에 출력한 타이밍(이하, '지령 출력 타이밍'이라 함)에서는, 반드시 처리액의 공급은 개시되지 않고, 지령 출력 타이밍으로부터 지연되어 처리액의 공급이 개시된다. 이 지연의 한 요인으로서는, 예를 들면, 개시 지령을 받은 개폐 밸브(46)가 천이하기 시작할 때까지의 응답 지연, 및 개방 상태로 천이한 공급로를 처리액이 통과하기 시작할 때까지의 응답 지연 등을 들 수 있다. 처리액 공급부(40)(예를 들면, 개폐 밸브(46))의 개체 차, 및 처리액 공급부(40)의 경시 변화 등에 기인하여, 공급 개시 타이밍에는, 복수의 공급 처리 간에서(처리 대상의 웨이퍼(W) 간에서) 불균일이 생길 수 있다.
공급 개시 검출부(108)는, 유량 측정부(48)에 의한 측정값이 정해진 값을 초과한 경우에, 정해진 값을 초과한 타이밍(주기)을 공급 개시 타이밍으로서 산출해도 된다. 혹은, 공급 개시 검출부(108)는, 유량 측정부(48)에 의한 측정값의 변화량이 정해진 값을 초과한 경우에, 정해진 값을 초과한 타이밍(주기)을 공급 개시 타이밍으로서 산출해도 된다. 예를 들면, 공급 개시 검출부(108)는, 유량 측정부(48)에 의한 측정값과 하나 전의 주기에서의 측정값과의 변화가 정해진 값을 초과한 경우에, 당해 주기를 공급 개시 타이밍으로서 산출해도 된다. 처리 정보 기억부(104)가 기억하는 제어 조건에는, 공급 개시 타이밍의 목표값(이하, '목표 타이밍(ts0)'이라 함)이 포함되어도 된다. 목표 타이밍(ts0)은, 지령 출력 타이밍을 기준으로 하는 타이밍이며, 지령 출력 타이밍과 동일한 타이밍이어도 되고, 지령 출력 타이밍부터 일정한 시간만큼 지연된 타이밍이어도 된다. 지령 출력 타이밍으로부터 지연시키는 일정한 시간은, 시뮬레이션 또는 실제 기기 시험 등으로 미리 설정된다.
조건 변경부(110)는, 공급 개시 타이밍에 기초하여, 적어도 처리액의 공급 완료 타이밍 또는 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경한다. 즉, 조건 변경부(110)는, 공급 개시 타이밍에 기초하여, 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경하지 않고 처리액의 공급 완료 타이밍을 변경해도 되고, 공급 완료 타이밍을 변경하지 않고 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경해도 되며, 공급 완료 타이밍과 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경해도 된다.
조건 변경부(110)는, 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 어긋나는 것에 기인하여, 처리액의 공급 기간 중에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 횟수가 목표값(이하, '목표 회전 횟수(Rn0)'라 함)으로부터 변화하는 것을 억제하도록, 적어도 처리액의 공급 완료 타이밍 또는 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경한다. 처리액의 공급 기간 중의 회전 횟수란, 처리액 공급부(40)로부터 처리액이 웨이퍼(W)에 실제로 공급되고 있는 기간에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 횟수의 총 수(회전 횟수의 적산값)이다. 목표 회전 횟수(Rn0)는, 목표 타이밍(ts0)에 있어서 처리액의 공급이 실제로 개시된 경우에서의 처리액의 공급 기간 중의 회전 횟수이다. 목표 회전 횟수(Rn0)는, 공급 완료 타이밍과 공급용의 회전 속도(ω1)에 상관한다. 또한 조건 변경부(110)는, 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 어긋나지 않는 경우, 처리액의 공급 완료 타이밍 및 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경하지 않는다.
조건 변경부(110)는, 일례로서, 목표 타이밍(ts0)에 대한 공급 개시 타이밍의 어긋남(이하, '어긋남(Δt)'이라 함)에 따라 공급 완료 타이밍을 변경한다. 조건 변경부(110)는, 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 지연된 경우(어긋남(Δt)이 양의 값인 경우), 당해 공급 처리에서의 공급 완료 타이밍을 제어 조건에 정해진 기준값으로부터 지연시킨다. 조건 변경부(110)는, 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 빨랐을 경우(어긋남(Δt)이 음의 값인 경우), 당해 공급 처리에서의 공급 완료 타이밍을 기준값으로부터 앞당긴다. 조건 변경부(110)는, 공급 완료 타이밍을 변경해도 처리액의 공급 기간 중의 회전 횟수가 목표 회전 횟수(Rn0)에 대략 일치하도록, 공급 완료 타이밍을 기준값으로부터 변화시켜도 된다. 조건 변경부(110)는, 공급 완료 타이밍의 변경에 따라 정지 처리에서의 감속 기간을 제어 조건에 정해진 기준값으로부터 변경해도 된다. 또한, 당해 처리에 있어서 공급 완료 타이밍 등이 변경되어도, 제어 조건에 정해지는 기준값 자체는 변경되지 않으므로, 조건 변경부(110)는, 당해 공급 처리의 다음에 행해지는 다른 웨이퍼(W)에 대한 공급 처리에서는, 어긋남(Δt)에 따라, 공급 완료 타이밍을 다시 기준값으로부터 변경한다. 즉, 조건 변경부(110)는, 공급 처리마다, 어긋남(Δt)에 따라, 공급 완료 타이밍을 제어 조건에 정해진 기준값으로부터 변경한다.
도 5, 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)는, 어긋남(Δt)에 따라 공급 완료 타이밍을 변경하는 경우의 제어 조건의 설정 방법을 예시하고 있다. 도 5에서는, 목표 타이밍(ts0)에 처리액의 공급이 개시된 경우의 유량의 시간 변화가 'Dr0'로 나타내지고, 회전 속도의 시간 변화가 'Rv0'로 나타내져 있다. 목표 타이밍(ts0)으로부터 어긋남(Δt)만큼 지연된 공급 개시 타이밍에 처리액의 공급이 개시되는 경우의 유량의 시간 변화가 'Dr1'으로 나타내지고, 회전 속도의 시간 변화가 'Rv1'으로 나타내져 있다. 처리 정보 기억부(104)가 기억하는 제어 조건에서는, 목표 타이밍(ts0)에 처리액의 공급이 개시된 경우에서의 공급 완료 타이밍의 기준값(이하, '기준 완료 타이밍(te0)'이라 함)이 정해져 있다. 시간이 0일 때에, 도포 제어부(102)로부터 유량 측정부(48)에 개시 지령이 출력되어 있다.
도 5에 나타나는 바와 같이, 도포 제어부(102)는, 공급 개시의 초기 기간에 있어서 공급용의 회전 속도(ω1)보다 낮은 회전 속도(ω0)로 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 초기 기간은, 그 기간 내에 목표 타이밍(ts0)이 포함되도록 미리 정해진다(처리 정보 기억부(104)에 기억되어 있다). 초기 기간은, 공급 개시 타이밍이 불균일의 상정 폭 내이면, 그 기간 내에 공급 개시 타이밍이 포함되도록 설정되어도 된다. 도포 제어부(102)는, 공급 처리를 실행할 시에, 공급용의 회전 속도(ω1)로 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액 공급부(40)에 의해 처리액을 공급시키기 전의 초기 기간에 있어서, 공급용의 회전 속도(ω1)보다 낮은 회전 속도(ω0)로 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키는 것을 더 실행해도 된다.
초기 기간의 경과 후, 도포 제어부(102)는, 회전 유지부(30)를 제어함으로써, 웨이퍼(W)의 회전을 회전 속도(ω0)로부터 회전 속도(ω1)까지 가속시켜, 회전 속도(ω1)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 것을 회전 유지부(30)에 계속시킨다. 도포 제어부(102)는, 예를 들면, 처리액의 공급이 완료될 때까지, 회전 속도(ω1)로 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시켜도 된다.
조건 변경부(110)는, 실제의 공급 개시 타이밍(ts1)이, 목표 타이밍(ts0)에 대하여 어긋남(Δt)만큼 지연된 경우, 도 5에 나타나는 바와 같이, 공급 완료 타이밍(te1)을 기준 완료 타이밍(te0)로부터 지연시킨다. 공급 완료 타이밍을 지연시키지 않는 경우에는, 공급 개시 타이밍의 지연에 의해, 처리액의 공급 기간 중의 회전 횟수가 목표 회전 횟수(Rn0)로부터 감소해 버리는데, 공급 완료 타이밍을 지연시킴으로써, 회전 횟수의 상기 감소가 억제된다.
도 6의 (a)는, 공급 처리에 있어서 공급 개시 타이밍에 어긋남(Δt)이 생기지 않았을 경우에서의 각 단위 처리에서의 회전 속도의 제어예를 나타낸다. 도 6의 (b)는, 공급 처리에 있어서 공급 개시 타이밍에 어긋남(Δt)이 생겨, 공급 완료 타이밍을 지연시킨 경우의 각 단위 처리에서의 회전 속도의 제어예를 나타낸다. 또한, 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)에서는, 초기 기간에 있어서 회전 속도(ω0)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 것의 예시는 생략되어 있다.
도포 제어부(102)는, 처리액의 공급 완료 후에 도포 처리를 실행한다. 도포 제어부(102)는, 도포 처리에 있어서, 회전 유지부(30)를 제어함으로써 웨이퍼(W)의 회전을 회전 속도(ω1)로부터 회전 속도(ω2)로 감속시킨다. 그리고, 도포 제어부(102)는, 회전 속도(ω2)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 것을 회전 유지부(30)에 계속시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 공급된 처리액이, 표면(Wa)을 따라 웨이퍼(W)의 주연부로부터 중심부를 향해 이동한다(처리액의 일부가 중심부로 밀려든다). 도포 제어부(102)는, 회전 속도(ω2)로 정해진 기간만큼 웨이퍼(W)를 회전시킨 후, 회전 유지부(30)를 제어함으로써 웨이퍼(W)의 회전을 회전 속도(ω2)로부터 회전 속도(ω3)로 가속한다. 그리고, 도포 제어부(102)는, 회전 속도(ω3)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 것을 회전 유지부(30)에 계속시킨다. 이에 의해, 일부가 중심부로 밀려든 상태의 처리액이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 따라 확산되고, 표면(Wa) 상에 있어서 처리액의 피막의 건조가 진행된다.
도포 제어부(102)는, 도포 처리의 완료 후에 정지 처리를 실행한다. 도포 제어부(102)는, 정지 처리에 있어서, 감속 기간 내에 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다. 일례로서, 도포 제어부(102)는, 도 6의 (a)에 나타나는 바와 같이, 감속 기간인 기간(Tz0)의 일부(전반 부분)에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 제로가 될 때까지 감속(회전이 정지)하도록 회전 유지부(30)를 제어한다. 그리고, 도포 제어부(102)는, 기간(Tz0)의 나머지의 일부(후반 부분)에서는 감속 기간이 경과할 때까지 대기한다. 정지 처리의 종료 타이밍은, 처리 대상의 웨이퍼(W)를 유지부(32)로부터 반출하는 타이밍에 맞추어 설정되어도 된다. 조건 변경부(110)는, 공급 처리에서의 공급 완료 타이밍을 지연시켜도, 공급 처리를 포함하는 성막 처리의 실행 기간이 변화하지 않도록, 정지 처리에서의 감속 기간을 변경한다. 예를 들면, 조건 변경부(110)는, 도 6의 (b)에 나타나는 바와 같이, 어긋남(Δt)에 따라 공급 완료 타이밍을 지연시킨 경우(공급 처리를 연장한 경우), 도포 처리의 실행 기간은 변화시키지 않고, 정지 처리에서의 감속 기간을 제어 조건에 정해진 기준값으로부터 감소시킨다.
도 6의 (a) 및 도 6의 (b)를 비교하면, 처리액의 공급 기간(실제로 처리액이 공급되는 기간)인 기간(Tx1)(길이)은, 공급 개시 타이밍에 어긋남이 없는 경우의 처리액의 공급 기간인 기간(Tx0)(길이)과 대략 일치한다. 도포 처리의 실행 기간인 기간(Ty1)은, 공급 개시 타이밍에 어긋남이 없는 경우의 도포 처리의 실행 기간인 기간(Ty0)과 대략 일치한다. 한편, 감속 기간인 기간(Tz1)은, 공급 개시 타이밍에 어긋남이 없는 경우의 감속 기간인 기간(Tz0)에 비해 짧게 되어 있다. 이 예에서는, 조건 변경부(110)는, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킬 때까지의 기간은 변경시키고 있지 않지만(감속도는 변경하고 있지 않지만), 웨이퍼(W)의 회전이 정지하고 나서의 대기 기간을 짧게 하고 있다. 이에 의해, 공급 처리의 개시부터 정지 처리의 종료까지의 실행 기간이 대략 일정하게 유지된다. 또한, 조건 변경부(110)는, 공급 완료 타이밍의 변경에 따라, 감속도를 변경함(크게 함)으로써 감속 기간을 짧게 해도 된다. 조건 변경부(110)는, 공급 완료 타이밍의 변경에 따라, 도포 처리의 실행 기간을 변경해도 된다. 혹은, 조건 변경부(110)는, 공급 완료 타이밍을 변경해도, 도포 처리의 실행 기간과 정지 처리의 실행 기간(감속 기간)을 변경하지 않아도 된다.
제어 장치(100)는, 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 성막 처리를 실행한 후에, 목표 타이밍(ts0)을 수정하는 기능도 가진다. 제어 장치(100)는, 도 4에 나타나는 바와 같이, 기능 모듈로서, 축적부(120)와, 실적 정보 기억부(122)와, 목표 수정부(124)를 더 가진다.
축적부(120)는, 웨이퍼(W)에 대한 공급 처리(성막 처리)가 실행될 때마다, 공급 개시 타이밍의 실적 정보를 축적한다. 축적부(120)는, 예를 들면, 공급 처리마다, 조건 변경부(110)가 검출한 공급 개시 타이밍을 실적 정보 기억부(122)에 출력한다. 실적 정보 기억부(122)는, 축적부(120)에 의해 축적되는 실적 정보를 기억한다. 또한 축적부(120)는, 공급 개시 타이밍의 실적 정보로서, 어긋남(Δt)의 복수의 검출값을 축적해도 된다.
목표 수정부(124)는, 실적 정보 기억부(122)에 실적 정보가 축적된 축적 정보에 기초하여, 도포 제어부(102)가 처리액 공급부(40)에 처리액의 공급을 개시시키는 개시 지령의 출력 타이밍과 목표 타이밍(ts0)과의 간격을 수정한다. 예를 들면, 목표 수정부(124)는, 지령 출력 타이밍을 기준으로 한 목표 타이밍(ts0)을 변경하도록, 처리 정보 기억부(104)에 기억되어 있는 목표 타이밍(ts0)의 설정값을 갱신한다. 목표 수정부(124)는, 정해진 매수의 웨이퍼(W)에 대한 공급 처리가 실행될 때마다, 혹은, 정해진 기간의 경과마다, 목표 타이밍(ts0)을 수정해도 된다. 목표 타이밍(ts0)의 수정 후에 있어서 행해지는 공급 처리에서는, 조건 변경부(110)는, 수정 후의 목표 타이밍(ts0)에 대한 어긋남(Δt)에 따라, 적어도 공급 완료 타이밍 또는 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경한다.
제어 장치(100)는, 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 예를 들면 제어 장치(100)는, 도 7에 나타나는 회로(200)를 가진다. 회로(200)는, 하나 또는 복수의 프로세서(202)와, 메모리(204)와, 스토리지(206)와, 입출력 포트(208)를 가진다. 스토리지(206)는, 예를 들면 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체를 가진다. 기억 매체는, 후술의 성막 처리 순서를 포함하는 기판 처리 순서를 제어 장치(100)에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체는, 불휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의 취출 가능한 매체여도 된다. 메모리(204)는, 스토리지(206)의 기억 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(202)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기억한다. 프로세서(202)는, 메모리(204)와 협동하여 상기 프로그램을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다. 입출력 포트(208)는, 프로세서(202)로부터의 지령에 따라, 회전 구동부(34), 개폐 밸브(46) 및 유량 측정부(48) 등과의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다.
제어 장치(100)가 복수의 제어용 컴퓨터로 구성되는 경우, 각 기능 모듈이 각각, 개별의 제어용 컴퓨터에 의해 실현되어 있어도 된다. 제어 장치(100)는, 도포·현상 장치(2)에 의한 웨이퍼(W)의 성막 처리(각 단위 처리)를 실행하는 기능 모듈을 포함하는 제어용 컴퓨터와, 목표 타이밍의 수정을 실행하는 기능 모듈을 포함하는 제어용 컴퓨터로 구성되어도 된다. 혹은, 이들 각 기능 모듈이 각각, 2 개 이상의 제어용 컴퓨터의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다. 이들의 경우, 복수의 제어용 컴퓨터는, 서로 통신 가능하게 접속된 상태에서, 후술하는 기판 처리 순서를 제휴하여 실행해도 된다. 또한, 제어 장치(100)의 하드웨어 구성은, 반드시 프로그램에 의해 각 기능 모듈을 구성하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 제어 장치(100)의 각 기능 모듈은, 전용의 논리 회로 또는 이를 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.
[기판 처리 순서]
이어서, 기판 처리 방법의 일례로서, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 기판 처리 순서를 설명한다. 제어 장치(100)는, 예를 들면 이하의 순서로 도포·현상 처리를 포함하는 기판 처리를 실행하도록 기판 처리 시스템(1)을 제어한다. 먼저 제어 장치(100)는, 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 반송하도록 반송 장치(A1)를 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(11)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(11) 내의 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에 하층막을 형성하도록 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 하층막이 형성된 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(12)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(12) 내의 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 웨이퍼(W)의 하층막 상에 레지스트막(R)을 형성하도록 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 도포 유닛(U1)에 있어서 행해지는 성막 처리 순서의 일례에 대해서는 후술한다. 이 후 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(13)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(13) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막(R) 상에 상층막을 형성하도록 도포 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U11)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U11)에 수용된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로 보내도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 그리고, 노광 장치(3)에 있어서, 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막(R)에 노광 처리가 실시된다. 이 후 제어 장치(100)는, 노광 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로부터 받아, 당해 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U11)에 있어서의 처리 모듈(14)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A8)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U11)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14)의 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 현상 처리에 수반하는 열 처리, 및 현상 처리를 실행하도록 제어를 행한다. 이상에 의해 도포·현상 처리가 종료된다.
(성막 처리 순서)
도 8은 처리 모듈(12)의 도포 유닛(U1)에 있어서 행해지는 성막 처리 순서의 일례를 나타내는 순서도이다. 제어 장치(100)는, 처리 대상의 웨이퍼(W)가 유지부(32)에 배치된 상태에서, 먼저 단계(S01)를 실행한다. 단계(S01)에서는, 예를 들면, 도포 제어부(102)가, 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 공급용의 회전 속도(ω1)로 회전시키면서, 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액 공급부(40)에 의해 처리액을 공급시키는 것을 포함하는 공급 처리(공급 처리 순서)를 실행한다. 단계(S01)에서 행해지는 공급 처리 순서의 일례에 대해서는 후술한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S02, S03)를 실행한다. 단계(S02)에서는, 예를 들면, 도포 제어부(102)가, 처리액의 공급 완료 후에 처리액이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 따라 확산되도록 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키는 것을 포함하는 도포 처리(도포 처리 순서)를 실행한다. 또한 도포 제어부(102)는, 단계(S01)의 일부의 처리와 단계(S02)의 일부의 처리를 중복된 타이밍에 실행해도 된다. 단계(S03)에서는, 예를 들면, 도포 제어부(102)가, 정해진 감속 기간 내에 웨이퍼(W)의 회전을 회전 유지부(30)에 의해 정지시키는 정지 처리(정지 처리 순서)를 실행한다. 단계(S02, S03)에서 각각 행해지는 도포 처리 순서 및 정지 처리 순서의 일례에 대해서는 후술한다. 제어 장치(100)는, 단계(S03)의 종료 시점에서, 반송 장치에 의해 회전 유지부(30)로부터 처리 대상의 웨이퍼(W)를 반출시켜도 된다. 도포 제어부(102)는, 복수의 웨이퍼(W)에 대하여, 단계(S01 ~ S03)의 일련의 성막 처리를 차례로 실행한다.
(공급 처리 순서)
도 9는 공급 처리 순서의 일례를 나타내는 순서도이다. 여기서는, 공급 완료 타이밍을 변경하는 경우를 예로 설명한다. 제어 장치(100)는, 유지부(32)에 유지된 웨이퍼(W)의 상방의 토출 위치에 노즐(42)이 배치되어 있는 상태에서, 먼저 단계(S11)를 실행한다. 단계(S11)에서는, 예를 들면, 도포 제어부(102)가, 웨이퍼(W)가 회전 속도(ω0)로 회전하도록 회전 유지부(30)를 제어한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S12, S13, S14)를 실행한다. 단계(S12)에서는, 예를 들면, 도포 제어부(102)가, 개시 지령을 개폐 밸브(46)에 출력한다. 이에 의해, 개폐 밸브(46)가, 공급원(44)과 노즐(42)과의 사이의 공급로의 개폐 상태를 폐쇄 상태에서 개방 상태로 천이시킨다. 단계(S13)에서는, 예를 들면, 유량 취득부(106)가, 유량 측정부(48)로부터 유량의 측정값을 취득한다. 단계(S14)에서는, 예를 들면, 공급 개시 검출부(108)가, 단계(S13)에 있어서 유량 취득부(106)가 취득한 유량의 측정값이 정해진 값 이상인지 여부를 판단한다. 유량의 측정값이 정해진 값보다 작다고 판단된 경우, 제어 장치(100)는, 단계(S13, S14)를 반복한다. 이에 의해, 유량의 측정값이 정해진 값 이상이 될 때까지, 유량의 취득이 반복된다.
단계(S14)에 있어서, 유량의 측정값이 정해진 값 이상이라고 판단된 경우, 제어 장치(100)는, 단계(S15, S16)를 실행한다. 단계(S15)에서는, 예를 들면, 공급 개시 검출부(108)가, 공급 개시 타이밍을 검출한다. 공급 개시 검출부(108)는, 유량의 측정값이 정해진 값을 초과한 타이밍(시각 또는 주기)을 공급 개시 타이밍으로서 검출해도 된다. 단계(S16)에서는, 예를 들면, 공급 개시 검출부(108)가, 단계(S15)에 있어서 검출한 공급 개시 타이밍과 목표 타이밍(ts0)과의 사이의 어긋남(Δt)을 산출한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S17)를 실행한다. 단계(S17)에서는, 예를 들면, 조건 변경부(110)가, 어긋남(Δt)이 제로가 아닌지 여부를 판단한다. 어긋남(Δt)이 제로가 아니라고 판단된 경우(공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 어긋나 있다고 판단된 경우), 제어 장치(100)는, 단계(S18)를 실행한다. 단계(S18)에서는, 예를 들면, 조건 변경부(110)가, 처리액의 공급 기간 중의 회전 횟수가 목표 회전 횟수(Rn0)로부터 변화하지 않도록, 어긋남(Δt)에 따라 공급 완료 타이밍을 기준값으로부터 변경한다. 또한, 조건 변경부(110)는, 공급 완료 타이밍의 변경 폭에 따라, 정지 처리에 있어서의 감속 기간을 기준값으로부터 변경한다. 한편, 어긋남(Δt)이 제로라고 판단된 경우(공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 어긋나 있지 않다고 판단된 경우), 제어 장치(100)는, 단계(S18)를 실행하지 않는다. 또한 제어 장치(100)는, 어긋남(Δt)(절대값)이 제로 이외의 임계치 이상인 경우에, 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 어긋나 있다고 판단해도 된다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S19)를 실행한다. 단계(S19)에서는, 예를 들면, 제어 장치(100)가 공급 처리의 개시(단계(S11)의 개시)부터 초기 기간이 경과할 때까지 대기한다. 초기 기간의 경과 후에, 제어 장치(100)는, 단계(S20)를 실행한다. 단계(S20)에서는, 예를 들면, 도포 제어부(102)가, 회전 유지부(30)를 제어함으로써 웨이퍼(W)의 회전을 회전 속도(ω0)로부터 회전 속도(ω1)로 변경한다. 이에 의해, 도포 제어부(102)는, 공급용의 회전 속도(ω1)로 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 회전 유지부(30)에 의해 처리액을 공급시키기 전의 초기 기간에 있어서, 공급용의 회전 속도(ω1)보다 낮은 회전 속도(ω0)로 회전 유지부(30)에 의해, 웨이퍼(W)를 회전시키는 것을 실행한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S21, S22)를 실행한다. 단계(S21)에서는, 예를 들면, 제어 장치(100)가, 처리액의 공급을 완료시키기 위한 완료 지령의 출력 타이밍이 될 때까지 대기한다. 완료 지령의 출력 타이밍은, 예를 들면, 공급 완료 타이밍부터 정해진 시간만큼 전의 타이밍이다. 즉, 조건 변경부(110)는, 공급 완료 타이밍의 변경에 수반하여, 완료 지령의 출력 타이밍을 변경한다. 완료 지령의 출력 타이밍이 되면, 제어 장치(100)는, 단계(S22)를 실행한다. 단계(S22)에서는, 예를 들면, 도포 제어부(102)가, 완료 지령을 개폐 밸브(46)에 출력한다. 이에 의해, 개폐 밸브(46)가, 공급원(44)과 노즐(42)과의 사이의 공급로의 개폐 상태를 개방 상태에서 폐쇄 상태로 천이시킨다. 그리고, 공급로 내의 처리액의 통과가 차단되어, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 대한 처리액의 공급(노즐(42)로부터의 처리액의 토출)이 완료된다. 이에 의해, 일련의 공급 처리 순서가 종료된다.
(도포 처리 순서)
도 10은 상술한 공급 처리 순서의 실행 후에 행해지는 도포 처리 순서의 일례를 나타내는 순서도이다. 제어 장치(100)는, 먼저, 단계(S31, S32)를 실행한다. 단계(S31)에서는, 예를 들면, 도포 제어부(102)가, 회전 유지부(30)를 제어함으로써, 웨이퍼(W)의 회전을 회전 속도(ω1)로부터 회전 속도(ω2)로 감속시킨다. 단계(S32)에서는, 예를 들면, 도포 제어부(102)가, 웨이퍼(W)의 회전을 회전 속도(ω2)로 감속시키고 나서(웨이퍼(W)의 회전 속도가 회전 속도(ω2)가 되고 나서), 제 1 정해진 기간이 경과할 때까지 대기한다. 이에 의해, 단계(S01)에 있어서 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 공급된 처리액이, 주연부로부터 중심부로 이동한다(처리액의 일부가 중심부로 밀려든다). 또한 제어 장치(100)는, 공급 처리의 단계(S22)의 실행 후에, 처리액의 공급이 완료되기 전에, 단계(S31)의 처리를 개시해도 된다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S33, S34)를 실행한다. 단계(S33)에서는, 예를 들면, 도포 제어부(102)가, 웨이퍼(W)의 회전을 회전 속도(ω2)로부터 회전 속도(ω3)까지 가속시킨다. 단계(S34)에서는, 예를 들면, 도포 제어부(102)가, 웨이퍼(W)의 회전을 회전 속도(ω3)까지 가속시키고 나서(웨이퍼(W)의 회전 속도가 회전 속도(ω3)가 되고 나서), 제 2 정해진 기간이 경과할 때까지 대기한다. 이에 의해, 단계(S32)에 있어서 일부가 중심부로 밀려든 상태의 처리액이, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 따라 확산되고, 확산된 처리액의 피막의 건조가 진행된다. 제 2 정해진 기간은, 표면(Wa) 상의 처리액의 피막이 정해진 레벨까지 건조되도록 설정된다. 제 2 정해진 기간은, 제 1 정해진 기간보다 길어도 된다. 제 2 정해진 기간이 경과하면, 일련의 도포 처리 순서가 종료된다.
(정지 처리 순서)
도 11은 상술한 공급 처리 순서 및 도포 처리 순서의 실행 후에 행해지는 정지 처리 순서의 일례를 나타내는 순서도이다. 제어 장치(100)는, 먼저, 단계(S41)를 실행한다. 단계(S41)에서는, 예를 들면, 도포 제어부(102)가, 회전 유지부(30)를 제어함으로써, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다(웨이퍼(W)의 회전 속도를 회전 속도(ω3)로부터 제로로 변경한다). 도포 제어부(102)는, 감속 기간보다 짧은 기간에 있어서 웨이퍼(W)의 회전의 정지가 완료되도록, 회전 구동부(34)를 제어해도 된다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S42)를 실행한다. 단계(S42)에서는, 예를 들면, 제어 장치(100)가, 단계(S41)의 실행을 개시하고 나서 감속 기간이 경과할 때까지 대기한다. 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 어긋나 있고, 공급 처리의 단계(S18)에 있어서, 감속 기간이 변경되어 있는 경우에는, 제어 장치(100)는, 변경 후의 감속 기간이 경과할 때까지 대기한다. 감속 기간이 경과하면, 정지 처리 순서가 종료된다.
(목표 수정 순서)
제어 장치(100)는, 복수의 웨이퍼(W)에 대한 복수의 성막 처리의 실행에 맞추어, 목표 타이밍(ts0)을 수정하는 처리(목표 수정 순서)를 실행한다. 도 12는 목표 수정 순서의 일례를 나타내는 순서도이다. 제어 장치(100)는, 먼저 단계(S51, S52)를 실행한다. 단계(S51)에서는, 예를 들면, 1 회의 공급 처리(성막 처리)가 실행되면, 축적부(120)가, 당해 공급 처리에 있어서 검출된 공급 개시 타이밍의 실적 정보를 축적한다. 축적부(120)는, 공급 개시 타이밍의 검출값을 실적 정보로서 실적 정보 기억부(122)에 출력한다. 단계(S52)에서는, 예를 들면, 제어 장치(100)가, 정해진 수의 실적 정보가 실적 정보 기억부(122)에 축적되었는지 여부를 판단한다. 제어 장치(100)는, 실적 정보가 정해진 수에 달할 때까지, 단계(S51)를 반복한다. 이에 의해, 복수 회의 공급 처리에서의 공급 개시 타이밍의 복수의 검출값을 나타내는 축적 정보가 실적 정보 기억부(122)에 기억된다(축적된다).
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S53, S54)를 실행한다. 단계(S53)에서는, 예를 들면, 목표 수정부(124)가, 실적 정보 기억부(122)에 축적되어 있는 공급 개시 타이밍의 축적 정보에 기초하여 목표 타이밍(ts0)의 적정값을 산출한다. 일례로서, 목표 수정부(124)는, 축적 정보로부터 공급 타이밍의 평균값을 산출하고, 이 평균값을 적정값으로서 산출한다. 혹은, 목표 수정부(124)는, 가장 빈도가 높은 공급 타이밍의 검출값을, 적정값으로서 산출한다. 단계(S54)에서는, 예를 들면, 목표 수정부(124)가, 처리 정보 기억부(104)에 기억되어 있는 목표 타이밍(ts0)의 설정값을, 단계(S53)에서 산출한 적정값으로 변경한다(갱신한다). 이에 의해, 목표 타이밍(ts0)의 설정값이 수정된다.
(변형예)
제어 장치(100)는, 공급 개시 타이밍에 기초하여, 공급 완료 타이밍을 변경하지 않고, 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경해도 된다. 조건 변경부(110)는, 일례로서, 목표 타이밍(ts0)에 대한 공급 개시 타이밍의 어긋남(Δt)에 따라, 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경한다. 조건 변경부(110)는, 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 지연된 경우(어긋남(Δt)이 양의 값인 경우), 당해 공급 처리에서의 공급용의 회전 속도(ω1)를 제어 조건에 정해진 기준값보다 크게 한다. 조건 변경부(110)는, 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 빨랐을 경우(어긋남(Δt)이 음의 값인 경우), 당해 공급 처리에서의 공급용의 회전 속도(ω1)를 기준값보다 작게 한다. 조건 변경부(110)는, 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경해도 처리액의 공급 기간의 회전 횟수가 목표 회전 횟수(Rn0)에 대략 일치하도록, 공급용의 회전 속도(ω1)를 기준값으로부터 변화시켜도 된다.
도 13은 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경하는 경우의 공급 처리 순서의 일례를 나타내는 순서도이다. 제어 장치(100)는, 먼저 단계(S71 ~ S76)를 실행한다. 단계(S71 ~ S76)는, 단계(S11 ~ S16)와 동일하게 행해진다. 즉, 이 경우도, 도 14에 나타나는 바와 같이, 도포 제어부(102)는, 공급 처리의 초기 기간에 있어서 공급용의 회전 속도(ω1)보다 낮은 회전 속도(ω0)로 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S77)를 실행한다. 단계(S77)에서는, 단계(S17)와 마찬가지로, 조건 변경부(110)가, 어긋남(Δt)이 제로가 아닌지 여부를 판단한다. 어긋남(Δt)이 제로가 아니라고 판단된 경우(공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 어긋나 있다고 판단된 경우), 제어 장치(100)는, 단계(S78)를 실행한다. 단계(S78)에서는, 예를 들면, 조건 변경부(110)가, 처리액의 공급 기간 중의 회전 횟수가 목표 회전 횟수(Rn0)로부터 변화하지 않도록, 어긋남(Δt)에 따라, 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경한다. 예를 들면, 도 14에 나타나는 바와 같이, 조건 변경부(110)는, 공급용의 회전 속도(ω1)를 기준값(ω1r)으로부터 수정값(ω1c)으로 변경한다. 공급용의 회전 속도(ω1)를 기준값(ω1r)으로 유지한 경우에는, 공급 개시 타이밍의 지연에 의해 처리액의 공급 기간 중의 회전 횟수가 목표 회전 횟수(Rn0)로부터 감소해 버리지만, 공급용의 회전 속도(ω1)의 설정값이 기준값(ω1r)보다 큰 수정값(ω1c)으로 변경됨으로써, 회전 횟수의 상기 감소가 억제된다.
이 예에서는, 조건 변경부(110)는, 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경해도 공급 완료 타이밍을 변경하지 않으므로, 감속 기간을 변경하지 않는다. 이 경우, 도 15의 (a) 및 도 15의 (b)에 나타나는 바와 같이, 어긋남(Δt)이 생겨도, 각 단위 처리의 실행 기간(성막 처리의 실행 기간)이 변경되지 않는다. 한편, 단계(S77)에 있어서, 어긋남(Δt)이 제로라고 판단된 경우(공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 어긋나 있지 않다고 판단된 경우), 제어 장치(100)는, 단계(S78)를 실행하지 않는다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S79, S80, S81, S82)를 실행한다. 단계(S79, S80)는 단계(S19, S20)와 동일하게 행해진다. 단계(S81)에서는, 도포 제어부(102)가, 단계(S11)와 마찬가지로, 처리액의 공급을 완료시키기 위한 완료 지령의 출력 타이밍이 될 때까지 대기한다. 단, 단계(S21)와 달리, 완료 지령의 출력 타이밍은, 어긋남(Δt)에 따라 변경되지 않는다. 단계(S82)는, 단계(S22)와 동일하게 행해진다.
제어 장치(100)는, 공급 처리의 단계(S11)(단계 S71)에 있어서, 웨이퍼(W)가 회전 속도(ω1)로 회전하도록 회전 유지부(30)를 제어해도 된다. 이 경우, 제어 장치(100)는, 단계(S20)(단계(S80))를 생략해도 된다. 이와 같이, 제어 장치(100)는, 목표 타이밍(ts0)을 포함하는 기간에 있어서(공급 처리의 개시 직후부터), 공급용의 회전 속도(ω1)로 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시켜도 된다.
제어 장치(100)(조건 변경부(110))는, 공급 개시 타이밍에 기초하여, 공급 완료 타이밍과 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경해도 된다. 이 경우, 제어 장치(100)는, 공급 완료 타이밍과 공급용의 회전 속도(ω1) 중 어느 일방을 우선하여 변경해도 된다. 예를 들면, 제어 장치(100)는, 우선시키는 일방의 변경해야 할 양이 변경 가능한 범위를 초과한 경우에, 타방을 더 변경해도 된다.
조건 변경부(110)는, 공급 개시 타이밍에 기초하여, 공급 완료 타이밍 및 공급용의 회전 속도(ω1) 중 어느 일방을 변경한 후에, 처리액의 토출 유량에 기초하여, 공급 완료 타이밍 및 공급용의 회전 속도(ω1)의 타방을 더 변경해도 된다. 이 경우, 제어 장치(100)는, 공급 개시 타이밍의 검출 후에 있어서도, 유량 측정부(48)로부터의 유량의 측정값의 취득을 계속해도 된다. 제어 장치(100)는, 유량의 측정값으로서, 공급 개시부터의 유량의 시간 변화를 적분하여 얻어지는 적산한 유량을 취득해도 된다. 처리 정보 기억부(104)가 기억하는 제어 조건에는, 처리액의 공급 개시 후에 있어서의 유량의 목표값(이하, '목표 유량'이라 함)이 포함되어도 된다.
조건 변경부(110)는, 공급 개시 타이밍의 어긋남(Δt)에 따라 공급 완료 타이밍을 변경한 경우에, 토출 유량이 목표 유량에 대하여 어긋남에 따라(목표 유량에 대한 토출 유량의 어긋남에 따라), 토출 유량의 당해 어긋남을 검출한 후에서의 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경해도 된다. 일례로서, 조건 변경부(110)는, 토출 유량이 목표 유량을 초과하고 있는 경우에, 공급용의 회전 속도(ω1)를 증가시켜도 된다. 조건 변경부(110)는, 공급 개시 타이밍의 어긋남(Δt)에 따라 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경한 경우에, 토출 유량이 목표 유량에 대하여 어긋남에 따라(목표 유량에 대한 토출 유량의 어긋남에 따라), 공급 완료 타이밍을 변경해도 된다. 일례로서, 조건 변경부(110)는, 토출 유량이 목표 유량을 초과하고 있는 경우에, 공급 완료 타이밍을 앞당겨도 된다.
[실시 형태의 효과]
이상 설명한 실시 형태에 따른 도포·현상 장치(2)는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 회전 유지부(30)와, 회전 유지부(30)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액을 공급하는 처리액 공급부(40)와, 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 공급용의 회전 속도(ω1)로 회전시키면서, 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액 공급부(40)에 의해 처리액을 공급시키는 것을 포함하는 공급 처리와, 처리액의 공급 완료 후에 처리액이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 따라 확산되도록 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키는 것을 포함하는 도포 처리를 실행하는 도포 제어부(102)와, 처리액의 토출 유량의 시간 변화에 기초하여, 처리액의 공급 개시 타이밍을 공급 처리의 실행 중에 검출하는 공급 개시 검출부(108)와, 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 어긋나는 것에 기인하여, 처리액의 공급 기간 중에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 횟수가 목표 회전 횟수(Rn0)로부터 어긋나는 것을 억제하도록, 공급 개시 타이밍에 기초하여, 적어도 처리액의 공급 완료 타이밍 또는 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경하는 조건 변경부(110)를 구비한다.
이상 설명한 실시 형태에 따른 기판 처리 순서는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 것과, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액을 공급하는 것과, 웨이퍼(W)를 공급용의 회전 속도(ω1)로 회전시키면서, 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액을 공급하는 것을 포함하는 공급 처리와, 처리액의 공급 완료 후에 처리액이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)을 따라 확산되도록 웨이퍼(W)를 회전시키는 것을 포함하는 도포 처리를 실행하는 것과, 처리액의 토출 유량의 시간 변화에 기초하여, 처리액의 공급 개시 타이밍을 공급 처리의 실행 중에 검출하는 것과, 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍(ts0)에 대하여 어긋나는 것에 기인하여, 처리액의 공급 기간 중에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전 횟수가 목표 회전 횟수(Rn0)로부터 어긋나는 것을 억제하도록, 공급 개시 타이밍에 기초하여, 적어도 처리액의 공급 완료 타이밍 또는 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경하는 것을 포함한다.
회전하고 있는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액을 공급하는 처리에 있어서, 처리액의 공급 기간 중에 있어서의 회전 횟수가, 당해 처리의 다음에 실행되고, 처리액을 표면(Wa)을 따라 확산시키는 처리의 개시 시에 있어서의 처리액의 액 분포(잔량)에 영향을 주는 것이 발견되었다. 한편, 웨이퍼(W)를 향해 처리액을 공급하는 처리액 공급부로부터의 공급 개시 시점에 있어서, 처리액 공급부의 각 요소의 개체 차 또는 경시 변화 등에 의해, 공급 개시 타이밍이 불균일해지는 경우가 있다. 공급 타이밍이 불균일해지면, 처리액의 공급 중의 회전 횟수가 처리 대상의 웨이퍼(W) 간에서 변화하고, 처리액을 표면(Wa)을 따라 확산시키는 처리의 개시 시에 있어서, 웨이퍼(W) 간에 있어서 잔량 차가 생겨 버린다. 잔량 차가 상이하면 웨이퍼(W) 간에 있어서 막 두께 차가 생겨 버린다.
이에 대하여, 상기 도포·현상 장치(2) 및 기판 처리 순서에서는, 공급 개시 타이밍에 기초하여, 회전 횟수가 목표 회전 횟수(Rn0)로부터 변화하는 것이 억제되도록, 적어도 공급 완료 타이밍 또는 공급용의 회전 속도(ω1)가 변경된다. 이 때문에, 도포 처리 개시 시에 있어서의 처리액의 잔량의 웨이퍼(W) 간에서의 불균일이 억제된다(웨이퍼(W) 간에서의 잔량 차가 축소된다). 따라서, 상기 도포·현상 장치(2) 및 기판 처리 순서는, 웨이퍼(W) 간의 막 두께 차를 저감하는데 유용하다.
조건 변경부(110)는, 목표 타이밍(ts0)에 대한 공급 개시 타이밍의 어긋남(Δt)에 따라 공급 완료 타이밍을 변경해도 된다. 이 경우, 처리액을 공급시키는 시간을 조절함으로써, 회전 횟수를 목표 회전 횟수(Rn0)에 가까워지도록 조절할 수 있으므로, 회전 횟수의 조절이 용이하다.
도포 제어부(102)는, 도포 처리 후에, 정해진 감속 기간 내에 웨이퍼(W)의 회전을 회전 유지부(30)에 의해 정지시키는 정지 처리를 더 실행해도 된다. 조건 변경부(110)는, 공급 완료 타이밍의 변경에 따라 감속 기간을 변경해도 된다. 이 경우, 공급 완료 타이밍의 변경에 기인하여, 공급 처리를 포함하는 일련의 처리의 실행 기간이 변화하는 것이 억제된다. 이 때문에, 도포 처리의 실행 기간을 변경할 필요가 없으므로, 도포 처리에서의 웨이퍼(W) 간의 막 두께 차에의 영향도 저감된다. 따라서, 웨이퍼(W) 간의 막 두께 차를 저감하는데 더 유용하다.
조건 변경부(110)는, 처리액의 공급 개시 후에, 처리액의 토출 유량이 목표 유량에 대하여 어긋남에 따라 공급용의 회전 속도(ω1)를 더 변경해도 된다. 이 경우, 공급 처리에 있어서의 처리액의 공급량의 웨이퍼(W) 간에서의 불균일도 억제된다. 따라서, 웨이퍼(W) 간의 막 두께 차를 저감하는데 더 유용하다.
조건 변경부(110)는, 목표 타이밍(ts0)에 대한 공급 개시 타이밍의 어긋남(Δt)에 따라 공급용의 회전 속도(ω1)를 변경해도 된다. 이 경우, 공급 처리의 실행 기간에 대한 영향을 억제하면서, 회전 횟수를 목표 회전 횟수(Rn0)에 가까워지도록 조절할 수 있다.
조건 변경부(110)는, 처리액의 공급 개시 후에, 처리액의 토출 유량이 목표 유량에 대하여 어긋남에 따라 공급 완료 타이밍을 더 변경해도 된다. 이 경우, 공급 처리에 있어서의 처리액의 공급량의 웨이퍼(W) 간에서의 불균일도 억제된다. 따라서, 웨이퍼(W) 간의 막 두께 차를 저감하는데 더 유용하다.
도포 제어부(102)는, 공급 처리에 있어서, 공급용의 회전 속도(ω1)로 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 당해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 처리액 공급부(40)에 의해 처리액을 공급시키기 전에, 목표 타이밍(ts0)을 포함하는 정해진 초기 기간에 있어서 공급용의 회전 속도(ω1)보다 낮은 회전 속도(ω0)로 회전 유지부(30)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키는 것을 더 실행해도 된다. 공급 개시 타이밍에 어긋남(Δt)이 생겨도, 공급 개시 시의 회전 속도가 작으므로, 이 어긋남(Δt)에 기인한 회전 횟수의 변화량은 작다. 따라서, 웨이퍼(W) 간의 막 두께 차를 저감하는데 더 유용하다.
이상 설명한 도포·현상 장치(2)는, 웨이퍼(W)에 대한 공급 처리가 실행될 때마다, 공급 개시 타이밍의 실적 정보를 축적하는 축적부(120)와, 실적 정보가 축적된 축적 정보에 기초하여, 도포 제어부(102)가 처리액 공급부(40)에 처리액의 공급을 개시시키는 개시 지령의 출력 타이밍과 목표 타이밍(ts0)과의 간격을 수정하는 목표 수정부(124)를 더 구비해도 된다. 이 구성에서는, 공급 개시 타이밍의 어긋남(Δt)의 경향에 맞추어, 목표 타이밍(ts0)의 설정값을 조절할 수 있다.
또한, 처리 대상의 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 예를 들면 글라스 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 등이어도 된다.
1 : 기판 처리 시스템
2 : 도포·현상 장치
30 : 회전 유지부
40 : 처리액 공급부
100 : 제어 장치
102 : 도포 제어부
108 : 공급 개시 검출부
110 : 조건 변경부
120 : 축적부
124 : 목표 수정부
U1 : 도포 유닛
W : 웨이퍼

Claims (10)

  1. 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
    상기 회전 유지부에 유지된 상기 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 회전 유지부에 의해 상기 기판을 공급용의 회전 속도로 회전시키면서, 상기 기판의 표면에 상기 처리액 공급부에 의해 상기 처리액을 공급시키는 것을 포함하는 공급 처리와, 상기 처리액의 공급 완료 후에 상기 처리액이 상기 기판의 표면을 따라 확산되도록 상기 회전 유지부에 의해 상기 기판을 회전시키는 것을 포함하는 도포 처리를 실행하는 도포 제어부와,
    상기 처리액의 토출 유량의 시간 변화에 기초하여, 상기 처리액의 공급 개시 타이밍을 상기 공급 처리의 실행 중에 검출하는 공급 개시 검출부와,
    상기 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍에 대하여 어긋나는 것에 기인하여, 상기 처리액의 공급 기간 중에 있어서의 상기 기판의 회전 횟수가 목표 회전 횟수로부터 어긋나는 것을 억제하도록, 상기 공급 개시 타이밍에 기초하여, 적어도 상기 처리액의 공급 완료 타이밍 또는 상기 공급용의 회전 속도를 변경하는 조건 변경부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 조건 변경부는, 상기 목표 타이밍에 대한 상기 공급 개시 타이밍의 어긋남에 따라 상기 공급 완료 타이밍을 변경하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 도포 제어부는, 상기 도포 처리 후에, 정해진 감속 기간 내에 상기 기판의 회전을 상기 회전 유지부에 의해 정지시키는 정지 처리를 더 실행하고,
    상기 조건 변경부는, 상기 공급 완료 타이밍의 변경에 따라 상기 감속 기간을 변경하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 조건 변경부는, 상기 처리액의 공급 개시 후에, 상기 처리액의 토출 유량이 목표 유량에 대하여 어긋남에 따라 상기 공급용의 회전 속도를 더 변경하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 조건 변경부는, 상기 목표 타이밍에 대한 상기 공급 개시 타이밍의 어긋남에 따라 상기 공급용의 회전 속도를 변경하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 조건 변경부는, 상기 처리액의 공급 개시 후에, 상기 처리액의 토출 유량이 목표 유량에 대하여 어긋남에 따라 상기 공급 완료 타이밍을 더 변경하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도포 제어부는, 상기 공급 처리에 있어서, 상기 공급용의 회전 속도로 상기 회전 유지부에 의해 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 표면에 상기 처리액 공급부에 의해 상기 처리액을 공급시키기 전에, 상기 목표 타이밍을 포함하는 정해진 초기 기간에 있어서 상기 공급용의 회전 속도보다 낮은 회전 속도로 상기 회전 유지부에 의해 상기 기판을 회전시키는 것을 더 실행하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판에 대한 상기 공급 처리가 실행될 때마다, 상기 공급 개시 타이밍의 실적 정보를 축적하는 축적부와,
    상기 실적 정보가 축적된 축적 정보에 기초하여, 상기 도포 제어부가 상기 처리액 공급부에 상기 처리액의 공급을 개시시키는 개시 지령의 출력 타이밍과 상기 목표 타이밍과의 간격을 수정하는 목표 수정부를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  9. 기판을 유지하여 회전시키는 것과,
    상기 기판의 표면에 처리액을 공급하는 것과,
    상기 기판을 공급용의 회전 속도로 회전시키면서, 상기 기판의 표면에 상기 처리액을 공급하는 것을 포함하는 공급 처리와, 상기 처리액의 공급 완료 후에 상기 처리액이 상기 기판의 표면을 따라 확산되도록 상기 기판을 회전시키는 것을 포함하는 도포 처리를 실행하는 것과,
    상기 처리액의 토출 유량의 시간 변화에 기초하여, 상기 처리액의 공급 개시 타이밍을 상기 공급 처리의 실행 중에 검출하는 것과,
    상기 공급 개시 타이밍이 목표 타이밍에 대하여 어긋나는 것에 기인하여, 상기 처리액의 공급 기간 중에 있어서의 상기 기판의 회전 횟수가 목표 회전 횟수로부터 어긋나는 것을 억제하도록, 상기 공급 개시 타이밍에 기초하여, 적어도 상기 처리액의 공급 완료 타이밍 또는 상기 공급용의 회전 속도를 변경하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 기재된 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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