WO2021090721A1 - 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 - Google Patents

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WO2021090721A1
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寛三 加藤
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東京エレクトロン株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium.
  • Patent Document 1 includes a plurality of substrate support portions for supporting the substrate, a storage portion for storing the treatment liquid, a discharge nozzle for discharging the treatment liquid, and a pressurizing means for pressure-feeding the treatment liquid from the storage portion toward the discharge nozzle.
  • a substrate processing apparatus including a processing liquid discharging unit having the processing liquid is disclosed.
  • the discharge nozzle is connected to the pressurizing means via an air valve.
  • the present disclosure provides a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium useful for reducing a film thickness difference between substrates.
  • the substrate processing apparatus includes a rotation holding unit that holds and rotates the substrate, a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the surface of the substrate held by the rotation holding unit, and a rotation holding unit.
  • Supply processing including supplying the treatment liquid to the surface of the substrate by the treatment liquid supply unit while rotating the substrate at the rotation speed for supply, and the treatment liquid spreads along the surface of the substrate after the supply of the treatment liquid is completed.
  • the coating control unit that executes the coating process including rotating the substrate by the rotation holding unit, and the processing liquid supply start timing is detected during the execution of the supply process based on the time change of the discharge flow rate of the processing liquid.
  • Supply start timing so as to prevent the number of rotations of the substrate from deviating from the target rotation speed during the supply period of the processing liquid due to the deviation between the supply start detection unit and the supply start timing.
  • at least a condition changing unit for changing the supply completion timing of the treatment liquid or the rotation speed for supply is provided.
  • a substrate processing apparatus a substrate processing method, and a storage medium useful for reducing a film thickness difference between substrates are provided.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a substrate processing system.
  • FIG. 2 is a schematic view showing an example of a coating and developing apparatus.
  • FIG. 3 is a schematic view showing an example of the coating unit.
  • FIG. 4 is a block diagram showing an example of the functional configuration of the control device.
  • FIG. 5 is a graph showing an example of changing the supply completion timing according to the deviation of the supply start timing.
  • FIG. 6A is a graph showing an example of a time change of the rotation speed when there is no deviation in the supply start timing.
  • FIG. 6B is a graph showing an example of a time change of the rotation speed when there is a deviation in the supply start timing.
  • FIG. 7 is a block diagram showing an example of the hardware configuration of the control device.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a substrate processing system.
  • FIG. 2 is a schematic view showing an example of a coating and developing apparatus.
  • FIG. 3 is a schematic view showing an example of the coating unit
  • FIG. 8 is a flowchart showing an example of a procedure for forming a film of a coating film of a treatment liquid.
  • FIG. 9 is a flowchart showing an example of the supply processing procedure.
  • FIG. 10 is a flowchart showing an example of the coating process procedure.
  • FIG. 11 is a flowchart showing an example of the stop processing procedure.
  • FIG. 12 is a flowchart showing an example of the procedure for correcting the target timing.
  • FIG. 13 is a flowchart showing another example of the supply processing procedure.
  • FIG. 14 is a graph showing an example of changing the rotation speed according to the deviation of the supply start timing.
  • FIG. 15A is a graph showing an example of a time change of the rotation speed when there is no deviation in the supply start timing.
  • FIG. 15B is a graph showing an example of a time change of the rotation speed when there is a deviation in the supply start timing.
  • the substrate processing system 1 is a system that forms a photosensitive film, exposes the photosensitive film, and develops the photosensitive film on the substrate.
  • the substrate to be processed is, for example, a semiconductor wafer W.
  • the photosensitive film is, for example, a resist film.
  • the substrate processing system 1 includes a coating / developing device 2 and an exposure device 3.
  • the exposure apparatus 3 is an apparatus for exposing a resist film (photosensitive film) formed on the wafer W (substrate). Specifically, the exposure apparatus 3 irradiates the exposed portion of the resist film with energy rays for exposure by a method such as immersion exposure.
  • the coating / developing device 2 performs a process of applying a resist (chemical solution) to the surface of the wafer W (substrate) to form a resist film before the exposure process by the exposure device 3. Further, the coating / developing apparatus 2 develops the resist film after the exposure treatment.
  • the coating / developing device 2 (board processing device) includes a carrier block 4, a processing block 5, an interface block 6, and a control device 100.
  • the carrier block 4 introduces the wafer W into the coating / developing device 2 and derives the wafer W from the coating / developing device 2.
  • the carrier block 4 can support a plurality of carriers C for the wafer W, and incorporates a transfer device A1 including a transfer arm.
  • the carrier C accommodates, for example, a plurality of circular wafers W.
  • the transport device A1 takes out the wafer W from the carrier C, passes it to the processing block 5, receives the wafer W from the processing block 5, and returns it to the carrier C.
  • the processing block 5 has a plurality of processing modules 11, 12, 13, and 14.
  • the processing module 11 incorporates a coating unit U1, a heat treatment unit U2, and a transfer device A3 for transporting the wafer W to these units.
  • the processing module 11 forms an underlayer film on the surface of the wafer W by the coating unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the coating unit U1 coats the treatment liquid for forming the underlayer film on the wafer W.
  • the heat treatment unit U2 performs various heat treatments accompanying the formation of the underlayer film.
  • the processing module 12 incorporates a coating unit U1, a heat treatment unit U2, and a transfer device A3 for transporting the wafer W to these units.
  • the processing module 12 forms a resist film on the lower layer film by the coating unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the coating unit U1 coats the resist on the underlayer film as a treatment liquid for forming the resist film.
  • the coating unit U1 supplies the treatment liquid to the surface while rotating the wafer W, and then rotates the wafer W to spread the treatment liquid on the surface to form a film of the treatment liquid.
  • the heat treatment unit U2 performs various heat treatments accompanying the formation of the resist film. As a result, a resist film is formed on the surface of the wafer W.
  • the processing module 13 incorporates a coating unit U1, a heat treatment unit U2, and a transfer device A3 for transporting the wafer W to these units.
  • the processing module 13 forms an upper layer film on the resist film by the coating unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the coating unit U1 coats the treatment liquid for forming the upper layer film on the resist film.
  • the heat treatment unit U2 performs various heat treatments accompanying the formation of the upper layer film.
  • the processing module 14 incorporates a coating unit U1, a heat treatment unit U2, and a transfer device A3 for transporting the wafer W to these units.
  • the processing module 14 develops the resist film after exposure by the coating unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the coating unit U1 develops a resist film by applying a developing solution on the surface of the exposed wafer W and then rinsing it with a rinsing solution.
  • the heat treatment unit U2 performs various heat treatments associated with the development process. Specific examples of the heat treatment associated with the development treatment include heat treatment before the development treatment (PEB: Post Exposure Bake), heat treatment after the development treatment (PB: Post Bake), and the like.
  • a shelf unit U10 is provided on the carrier block 4 side in the processing block 5.
  • the shelf unit U10 is divided into a plurality of cells arranged in the vertical direction.
  • a transport device A7 including an elevating arm is provided in the vicinity of the shelf unit U10. The transfer device A7 raises and lowers the wafer W between the cells of the shelf unit U10.
  • a shelf unit U11 is provided on the interface block 6 side in the processing block 5.
  • the shelf unit U11 is divided into a plurality of cells arranged in the vertical direction.
  • the interface block 6 transfers the wafer W to and from the exposure apparatus 3.
  • the interface block 6 has a built-in transfer device A8 including a transfer arm, and is connected to the exposure device 3.
  • the transfer device A8 passes the wafer W arranged on the shelf unit U11 to the exposure device 3.
  • the transport device A8 receives the wafer W from the exposure device 3 and returns it to the shelf unit U11.
  • the coating unit U1 of the processing module 12 has a rotation holding unit 30 and a processing liquid supply unit 40.
  • the rotation holding unit 30 holds and rotates the wafer W.
  • the rotation holding unit 30 has, for example, a holding unit 32 and a rotation driving unit 34.
  • the holding portion 32 supports the central portion of the wafer W arranged horizontally with the surface Wa facing up, and holds the wafer W by, for example, vacuum suction.
  • the rotation drive unit 34 is an actuator powered by, for example, an electric motor or the like, and rotates the holding unit 32 around the vertical axis Ax. As a result, the wafer W on the holding portion 32 rotates.
  • the holding unit 32 may hold the wafer W so that the center of the wafer W substantially coincides with the axis Ax.
  • the processing liquid supply unit 40 supplies the processing liquid to the surface Wa of the wafer W held by the rotation holding unit 30 (holding unit 32).
  • the treatment liquid is a solution (resist) for forming the resist film R.
  • the processing liquid supply unit 40 includes, for example, a nozzle 42, a nozzle movement mechanism 52, a supply source 44, an on-off valve 46, and a flow rate measuring unit 48.
  • the nozzle 42 discharges the processing liquid onto the surface Wa of the wafer W held by the holding portion 32.
  • the nozzle 42 is arranged above the wafer W and discharges the processing liquid downward.
  • the nozzle moving mechanism 52 moves the nozzle 42 between a discharge position above the wafer W and a retracted position away from the discharge position by a power source such as an electric motor.
  • the supply source 44 supplies the processing liquid to the nozzle 42.
  • the supply source 44 sends the processing liquid toward the nozzle 42 by, for example, a pump or the like.
  • the on-off valve 46 is provided in the supply path between the nozzle 42 and the supply source 44.
  • the on-off valve 46 switches the open / closed state of the supply path between the open state and the closed state based on the operation command of the control device 100.
  • the on-off valve 46 is, for example, an air operation valve.
  • the flow rate measuring unit (flow rate sensor) 48 is provided in the supply path between the nozzle 42 and the on-off valve 46, and measures the flow rate of the processing liquid flowing through the supply path.
  • the flow rate measuring unit 48 outputs the measured value of the flow rate to the control device 100.
  • the discharge flow rate of the processing liquid from the nozzle 42 substantially coincides with the flow rate flowing through the supply path between the nozzle 42 and the on-off valve 46 (flow rate measured by the flow rate measuring unit 48).
  • the control device 100 controls each element of the coating / developing device 2.
  • the control device 100 controls the coating unit U1 of the processing module 12 to apply the processing liquid to the plurality of wafers W in order (individually) to form a film of the processing liquid.
  • the control device 100 has a coating control unit 102, a processing information storage unit 104, a flow rate acquisition unit 106, and a supply start as a functional configuration (hereinafter, referred to as a “functional module”). It has a detection unit 108 and a condition change unit 110.
  • the coating control unit 102 includes processing including supplying the processing liquid to the surface Wa of the wafer W (hereinafter, referred to as “supply processing”), and rotating the wafer W to spread the processing liquid along the surface Wa.
  • the including process (hereinafter referred to as “coating process”) is executed.
  • the coating control unit 102 rotates the wafer W at a predetermined rotation speed (hereinafter, referred to as “rotational speed ⁇ 1 for supply”) by the rotation holding unit 30, while the wafer W is rotated.
  • the treatment liquid is supplied to the surface Wa by the treatment liquid supply unit 40.
  • the coating control unit 102 outputs a command for starting the supply of the processing liquid (hereinafter, referred to as "start command") to the on-off valve 46.
  • start command a command for starting the supply of the processing liquid
  • the on-off valve 46 shifts the open / closed state of the supply path from the closed state to the open state.
  • the coating control unit 102 outputs a command (hereinafter, referred to as “completion command”) for completing (stopping) the supply of the processing liquid to the on-off valve 46.
  • completion command Upon receiving the completion command, the on-off valve 46 shifts the open / closed state of the supply path from the open state to the closed state.
  • the coating control unit 102 rotates the wafer W by the rotation holding unit 30 so that the processing liquid spreads along the surface Wa of the wafer W after the supply of the processing liquid is completed.
  • the coating control unit 102 may further execute a process of stopping the rotation of the wafer W by the rotation holding unit 30 (hereinafter, referred to as “stop processing”) within a predetermined deceleration period after the coating process.
  • stop processing a process of stopping the rotation of the wafer W by the rotation holding unit 30
  • the coating control unit 102 executes a supply treatment, a coating treatment, and a stop treatment in this order to form a resist film on one wafer W by the coating unit U1 (hereinafter, referred to as “film formation treatment”. ) Is executed.
  • the coating control unit 102 executes the supply processing, the coating processing, and the stop processing in order according to a predetermined control condition.
  • the supply process, the coating process, and the stop process included in the film forming process may be collectively referred to as “unit process”.
  • the film forming process may include a unit process other than the above three unit processes.
  • the processing information storage unit 104 stores processing information for the coating control unit 102 to execute the film forming process.
  • the processing information includes, for example, a processing schedule that determines the order of unit processing included in the film forming process, and control conditions for executing each unit process.
  • the control conditions define the rotation speed ⁇ 1 for supply in the supply process, the supply completion timing of the treatment liquid, the rotation speed and the rotation period in the coating process, the deceleration period in the stop process, and the like.
  • the flow rate acquisition unit 106 acquires the measured value of the flow rate from the flow rate measurement unit 48.
  • the flow rate acquisition unit 106 acquires, for example, a flow rate measurement value from the flow rate measurement unit 48 at a predetermined cycle.
  • the measured value of the flow rate from the flow rate measuring unit 48 correlates with the discharge flow rate of the processing liquid from the nozzle 42.
  • the supply start detection unit 108 detects the supply start timing of the processing liquid during the execution of the supply processing based on the time change of the discharge flow rate of the treatment liquid.
  • the supply start timing is the timing (time) at which the supply of the treatment liquid (discharge of the treatment liquid) is actually started.
  • the coating control unit 102 outputs a start command for starting the supply of the processing liquid to the on-off valve 46 (hereinafter, referred to as “command output timing”), the supply of the processing liquid is not necessarily started, and the command output timing.
  • the supply of the treatment liquid is started with a delay.
  • One of the causes of this delay is, for example, a response delay until the on-off valve 46 that has received the start command starts to transition, and a response delay until the processing liquid starts to pass through the supply path that has transitioned to the open state. .. Due to individual differences in the processing liquid supply unit 40 (for example, the on-off valve 46) and changes over time in the processing liquid supply unit 40, the supply start timing is set between a plurality of supply processes (between wafers W to be processed). (In) variations can occur.
  • the supply start detecting unit 108 may calculate the timing (cycle) exceeding the predetermined value as the supply start timing.
  • the supply start detecting unit 108 may calculate the timing (cycle) exceeding the predetermined value as the supply start timing.
  • the supply start detecting unit 108 may calculate the cycle as the supply start timing. ..
  • the control condition stored in the processing information storage unit 104 may include a target value of the supply start timing (hereinafter, referred to as “target timing ts0”).
  • the target timing ts0 is a timing based on the command output timing, and may be the same timing as the command output timing, or may be a timing delayed by a certain time from the command output timing.
  • a certain time to be delayed from the command output timing is set in advance by simulation, actual machine test, or the like.
  • the condition changing unit 110 changes at least the supply completion timing of the processing liquid or the rotation speed ⁇ 1 for supply based on the supply start timing. That is, the condition changing unit 110 may change the supply completion timing of the processing liquid without changing the supply rotation speed ⁇ 1 based on the supply start timing, or may change the supply completion timing without changing the supply completion timing.
  • the rotation speed ⁇ 1 of the above may be changed, or the supply completion timing and the rotation speed ⁇ 1 for supply may be changed.
  • the rotation speed of the wafer W during the supply period of the processing liquid is a target value (hereinafter, referred to as “target rotation speed Rn0”) because the supply start timing deviates from the target timing ts0. At least the supply completion timing of the treatment liquid or the rotation speed ⁇ 1 for supply is changed so as to suppress the change from.
  • the number of rotations during the supply period of the treatment liquid is the total number of rotations of the wafer W during the period when the treatment liquid is actually supplied to the wafer W from the treatment liquid supply unit 40 (integrated value of the number of rotations).
  • the target rotation speed Rn0 is the number of rotations during the supply period of the treatment liquid when the supply of the treatment liquid is actually started at the target timing ts0.
  • the target rotation speed Rn0 correlates with the supply completion timing and the rotation speed ⁇ 1 for supply.
  • the condition changing unit 110 does not change the supply completion timing of the processing liquid and the rotation speed ⁇ 1 for supply when the supply start timing does not deviate from the target timing ts0.
  • the condition changing unit 110 changes the supply completion timing according to the deviation of the supply start timing with respect to the target timing ts0 (hereinafter, referred to as “deviation ⁇ t”).
  • the condition change unit 110 delays the supply completion timing in the supply process from the reference value defined in the control condition. ..
  • the condition changing unit 110 advances the supply completion timing in the supply process from the reference value.
  • the condition changing unit 110 may change the supply completion timing from the reference value so that the rotation speed during the supply period of the processing liquid substantially matches the target rotation speed Rn0 even if the supply completion timing is changed.
  • the condition changing unit 110 may change the deceleration period in the stop processing from the reference value defined in the control condition according to the change in the supply completion timing. Even if the supply completion timing or the like is changed in the process, the reference value itself defined in the control conditions is not changed. Therefore, the condition change unit 110 can perform the supply process for another wafer W performed after the supply process. ,
  • the supply completion timing is changed from the reference value again according to the deviation ⁇ t. That is, the condition changing unit 110 changes the supply completion timing from the reference value defined in the control condition according to the deviation ⁇ t for each supply process.
  • FIGS. 5, 6 (a) and 6 (b) exemplify a method of setting control conditions when the supply completion timing is changed according to the deviation ⁇ t.
  • the time change of the flow rate when the supply of the treatment liquid is started at the target timing ts0 is indicated by “Dr0”
  • the time change of the rotation speed is indicated by “Rv0”.
  • the time change of the flow rate when the supply of the processing liquid is started at the supply start timing delayed by the deviation ⁇ t from the target timing ts0 is indicated by “Dr1”
  • the time change of the rotation speed is indicated by “Rv1”.
  • a reference value of the supply completion timing when the supply of the processing liquid is started at the target timing ts0 (hereinafter, referred to as “reference completion timing te0”) is defined. ..
  • reference completion timing te0 a start command is output from the coating control unit 102 to the flow rate measuring unit 48.
  • the coating control unit 102 rotates the wafer W by the rotation holding unit 30 at a rotation speed ⁇ 0 lower than the rotation speed ⁇ 1 for supply in the initial period of the start of supply.
  • the initial period is predetermined so that the target timing ts0 is included in the period (stored in the processing information storage unit 104).
  • the initial period may be set so that the supply start timing is included within the expected range of variation in the supply start timing.
  • the coating control unit 102 supplies the processing liquid to the surface Wa of the wafer W by the processing liquid supply unit 40 while rotating the wafer W by the rotation holding unit 30 at the rotation speed ⁇ 1 for supply.
  • the rotation holding unit 30 may further rotate the wafer W at a rotation speed ⁇ 0 lower than the rotation speed ⁇ 1 for supply.
  • the coating control unit 102 accelerates the rotation of the wafer W from the rotation speed ⁇ 0 to the rotation speed ⁇ 1 by controlling the rotation holding unit 30, and rotates the wafer W at the rotation speed ⁇ 1. Continue to the holding unit 30.
  • the coating control unit 102 may rotate the wafer W by the rotation holding unit 30 at a rotation speed ⁇ 1 until the supply of the processing liquid is completed, for example.
  • the condition change unit 110 delays the supply completion timing te1 from the reference completion timing te0 as shown in FIG. If the supply completion timing is not delayed, the number of rotations during the supply period of the treatment liquid will decrease from the target number of rotations Rn0 due to the delay in the supply start timing. The decrease is suppressed.
  • FIG. 6A shows an example of controlling the rotation speed in each unit process when the supply start timing does not deviate ⁇ t in the supply process.
  • FIG. 6B shows an example of controlling the rotation speed in each unit process when a deviation ⁇ t occurs in the supply start timing in the supply process and the supply completion timing is delayed.
  • the example of rotating the wafer W at the rotation speed ⁇ 0 in the initial period is omitted.
  • the coating control unit 102 executes the coating process after the supply of the processing liquid is completed.
  • the coating control unit 102 reduces the rotation of the wafer W from the rotation speed ⁇ 1 to the rotation speed ⁇ 2 by controlling the rotation holding unit 30 in the coating process.
  • the coating control unit 102 causes the rotation holding unit 30 to continue rotating the wafer W at the rotation speed ⁇ 2.
  • the processing liquid supplied to the surface Wa of the wafer W moves from the peripheral edge portion of the wafer W toward the central portion along the surface Wa (a part of the processing liquid is brought to the central portion).
  • the coating control unit 102 rotates the wafer W for a predetermined period at the rotation speed ⁇ 2, and then accelerates the rotation of the wafer W from the rotation speed ⁇ 2 to the rotation speed ⁇ 3 by controlling the rotation holding unit 30. Then, the coating control unit 102 causes the rotation holding unit 30 to continue rotating the wafer W at the rotation speed ⁇ 3. As a result, the treatment liquid in a state where a part of the treatment liquid is brought to the center is spread along the surface Wa of the wafer W, and the coating of the treatment liquid is dried on the surface Wa.
  • the coating control unit 102 executes the stop processing after the coating processing is completed.
  • the coating control unit 102 stops the rotation of the wafer W within the deceleration period in the stop processing.
  • the coating control unit 102 decelerates until the rotation speed of the wafer W becomes zero in a part (first half portion) of the period Tz0 which is the deceleration period (rotation is reduced).
  • the rotation holding unit 30 is controlled so as to stop).
  • the coating control unit 102 waits until the deceleration period elapses in the remaining part (second half portion) of the period Tz0.
  • the end timing of the stop processing may be set according to the timing of carrying out the wafer W to be processed from the holding unit 32.
  • the condition changing unit 110 changes the deceleration period in the stop process so that the execution period of the film forming process including the supply process does not change even if the supply completion timing in the supply process is delayed. For example, as shown in FIG. 6B, the condition changing unit 110 does not change the execution period of the coating process when the supply completion timing is delayed according to the deviation ⁇ t (when the supply process is extended). , Decrease the deceleration period in the stop processing from the reference value specified in the control conditions.
  • the period Tx1 (length), which is the supply period of the treatment liquid (the period during which the treatment liquid is actually supplied), is the case where there is no deviation in the supply start timing. It substantially coincides with the period Tx0 (length), which is the supply period of the treatment liquid.
  • the period Ty1 which is the execution period of the coating process substantially coincides with the period Ty0 which is the execution period of the coating process when there is no deviation in the supply start timing.
  • the deceleration period Tz1 is shorter than the deceleration period Tz0 when there is no deviation in the supply start timing.
  • the condition changing unit 110 does not change the period until the rotation of the wafer W is stopped (although the deceleration is not changed), but sets the waiting period after the rotation of the wafer W is stopped. I'm shortening it.
  • the condition changing unit 110 may shorten the deceleration period by changing (increasing) the deceleration according to the change in the supply completion timing.
  • the condition changing unit 110 may change the execution period of the coating process according to the change of the supply completion timing.
  • the condition changing unit 110 does not have to change the execution period of the coating process and the execution period (deceleration period) of the stop process even if the supply completion timing is changed.
  • the control device 100 also has a function of correcting the target timing ts0 after executing the film forming process on the plurality of wafers W. As shown in FIG. 4, the control device 100 further includes a storage unit 120, a performance information storage unit 122, and a target correction unit 124 as functional modules.
  • the storage unit 120 accumulates the actual information of the supply start timing every time the supply process (deposition process) for the wafer W is executed.
  • the storage unit 120 outputs, for example, the supply start timing detected by the condition change unit 110 to the actual information storage unit 122 for each supply process.
  • the performance information storage unit 122 stores the performance information stored by the storage unit 120.
  • the storage unit 120 may store a plurality of detected values of the deviation ⁇ t as the actual information of the supply start timing.
  • the target correction unit 124 has an output timing and a target timing of a start command for the coating control unit 102 to start supplying the treatment liquid to the treatment liquid supply unit 40 based on the accumulated information in which the performance information is accumulated in the performance information storage unit 122. Correct the interval with ts0. For example, the target correction unit 124 updates the set value of the target timing ts0 stored in the processing information storage unit 104 so as to change the target timing ts0 based on the command output timing. The target correction unit 124 may correct the target timing ts0 every time a supply process for a predetermined number of wafers W is executed or every time a predetermined period elapses. In the supply process performed after the correction of the target timing ts0, the condition changing unit 110 changes at least the supply completion timing or the rotation speed ⁇ 1 for supply according to the deviation ⁇ t with respect to the corrected target timing ts0.
  • the control device 100 is composed of one or a plurality of control computers.
  • the control device 100 has a circuit 200 shown in FIG.
  • the circuit 200 has one or more processors 202, a memory 204, a storage 206, and an input / output port 208.
  • the storage 206 has a computer-readable storage medium, such as a hard disk.
  • the storage medium stores a program for causing the control device 100 to execute a substrate processing procedure including a film forming processing procedure described later.
  • the storage medium may be a removable medium such as a non-volatile semiconductor memory, a magnetic disk, or an optical disk.
  • the memory 204 temporarily stores the program loaded from the storage medium of the storage 206 and the calculation result by the processor 202.
  • the processor 202 constitutes each of the above-mentioned functional modules by executing the above-mentioned program in cooperation with the memory 204.
  • the input / output port 208 inputs / outputs an electric signal to / from the rotation drive unit 34, the on / off valve 46, the flow rate measurement unit 48, and the like in accordance with a command from the processor 202.
  • each functional module may be realized by an individual control computer.
  • the control device 100 includes a control computer including a function module for executing a wafer W film forming process (each unit process) by the coating / developing device 2, and a control computer including a function module for executing target timing correction. It may be configured.
  • each of these functional modules may be realized by a combination of two or more control computers.
  • the plurality of control computers may execute the board processing procedure described later in cooperation with each other in a state of being communicably connected to each other.
  • the hardware configuration of the control device 100 is not necessarily limited to the one in which each functional module is configured by a program.
  • each functional module of the control device 100 may be configured by a dedicated logic circuit or an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) in which the logic circuit is integrated.
  • ASIC Application Specific Integrated Circuit
  • the control device 100 controls the substrate processing system 1 so as to execute the substrate processing including the coating / developing process in the following procedure, for example.
  • the control device 100 controls the transfer device A1 so as to transfer the wafer W in the carrier C to the shelf unit U10, and controls the transfer device A7 so as to arrange the wafer W in the cell for the processing module 11.
  • control device 100 controls the transfer device A3 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to the coating unit U1 and the heat treatment unit U2 in the processing module 11. Further, the control device 100 controls the coating unit U1 and the heat treatment unit U2 so as to form an underlayer film on the surface Wa of the wafer W. After that, the control device 100 controls the transfer device A3 so as to return the wafer W on which the underlayer film is formed to the shelf unit U10, and controls the transfer device A7 so as to arrange the wafer W in the cell for the processing module 12. ..
  • control device 100 controls the transfer device A3 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to the coating unit U1 and the heat treatment unit U2 in the processing module 12. Further, the control device 100 controls the coating unit U1 and the heat treatment unit U2 so as to form the resist film R on the lower layer film of the wafer W. An example of the film forming treatment procedure performed in the coating unit U1 will be described later. After that, the control device 100 controls the transfer device A3 so as to return the wafer W to the shelf unit U10, and controls the transfer device A7 so as to arrange the wafer W in the cell for the processing module 13.
  • control device 100 controls the transfer device A3 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to each unit in the processing module 13. Further, the control device 100 controls the coating unit U1 and the heat treatment unit U2 so as to form an upper layer film on the resist film R of the wafer W. After that, the control device 100 controls the transfer device A3 so as to transfer the wafer W to the shelf unit U11.
  • control device 100 controls the transfer device A8 so as to send the wafer W housed in the shelf unit U11 to the exposure device 3. Then, in the exposure apparatus 3, the resist film R formed on the wafer W is exposed. After that, the control device 100 receives the exposed wafer W from the exposure device 3 and controls the transfer device A8 so as to arrange the wafer W in the cell for the processing module 14 in the shelf unit U11.
  • control device 100 controls the transfer device A3 so as to transfer the wafer W of the shelf unit U11 to the heat treatment unit U2 of the processing module 14. Then, the control device 100 controls to execute the heat treatment associated with the developing process and the developing process. This completes the coating / developing process.
  • FIG. 8 is a flowchart showing an example of a film forming processing procedure performed in the coating unit U1 of the processing module 12.
  • the control device 100 first executes step S01 in a state where the wafer W to be processed is placed on the holding unit 32.
  • step S01 for example, the coating control unit 102 rotates the wafer W at the rotation speed ⁇ 1 for supply by the rotation holding unit 30, and supplies the processing liquid to the surface Wa of the wafer W by the processing liquid supply unit 40. Execute the supply process (supply process procedure) including. An example of the supply processing procedure performed in step S01 will be described later.
  • step S02 the coating process (coating process) includes, for example, the coating control unit 102 rotating the wafer W by the rotation holding unit 30 so that the processing liquid spreads along the surface Wa of the wafer W after the supply of the processing liquid is completed. Step) is executed.
  • the coating control unit 102 may execute a part of the processing in step S01 and a part of the processing in step S02 at overlapping timings.
  • step S03 for example, the coating control unit 102 executes a stop process (stop process procedure) in which the rotation holding unit 30 stops the rotation of the wafer W within a predetermined deceleration period.
  • the control device 100 may carry out the wafer W to be processed from the rotation holding unit 30 by the transfer device.
  • the coating control unit 102 sequentially executes a series of film forming processes of steps S01 to S03 on the plurality of wafers W.
  • FIG. 9 is a flowchart showing an example of the supply processing procedure.
  • the control device 100 first executes step S11 in a state where the nozzle 42 is arranged at the discharge position above the wafer W held by the holding unit 32.
  • step S11 for example, the coating control unit 102 controls the rotation holding unit 30 so that the wafer W rotates at the rotation speed ⁇ 0.
  • step S12 for example, the coating control unit 102 outputs a start command to the on-off valve 46.
  • the on-off valve 46 shifts the open / closed state of the supply path between the supply source 44 and the nozzle 42 from the closed state to the open state.
  • step S13 for example, the flow rate acquisition unit 106 acquires the measured value of the flow rate from the flow rate measurement unit 48.
  • step S14 for example, the supply start detection unit 108 determines whether or not the measured value of the flow rate acquired by the flow rate acquisition unit 106 in step S13 is equal to or greater than a predetermined value.
  • control device 100 repeats steps S13 and S14. As a result, the acquisition of the flow rate is repeated until the measured value of the flow rate becomes equal to or higher than the predetermined value.
  • step S15 the supply start detection unit 108 detects the supply start timing.
  • the supply start detection unit 108 may detect the timing (time or cycle) when the measured value of the flow rate exceeds a predetermined value as the supply start timing.
  • step S16 the supply start detection unit 108 calculates the deviation ⁇ t between the supply start timing detected in step S15 and the target timing ts0.
  • step S17 the condition changing unit 110 determines whether or not the deviation ⁇ t is not zero.
  • step S18 the condition changing unit 110 changes the supply completion timing from the reference value according to the deviation ⁇ t so that the rotation speed during the supply period of the processing liquid does not change from the target rotation speed Rn0. Further, the condition changing unit 110 changes the deceleration period in the stop processing from the reference value according to the change width of the supply completion timing.
  • the control device 100 determines that the supply start timing is deviated from the target timing ts0 when the deviation ⁇ t (absolute value) is equal to or greater than a threshold value other than zero.
  • step S19 the control device 100 waits until the initial period elapses from the start of the supply process (start of step S11). After the lapse of the initial period, the control device 100 executes step S20.
  • step S20 the coating control unit 102 changes the rotation speed of the wafer W from the rotation speed ⁇ 0 to the rotation speed ⁇ 1 by controlling the rotation holding unit 30. As a result, the coating control unit 102 rotates the wafer W by the rotation holding unit 30 at the rotation speed ⁇ 1 for supply, and in the initial period before supplying the treatment liquid to the surface Wa of the wafer W by the rotation holding unit 30. , The rotation holding unit 30 rotates the wafer W at a rotation speed ⁇ 0 lower than the rotation speed ⁇ 1 for supply.
  • step S21 for example, the control device 100 waits until the output timing of the completion command for completing the supply of the processing liquid is reached.
  • the output timing of the completion command is, for example, a timing prior to the supply completion timing by a predetermined time. That is, the condition changing unit 110 changes the output timing of the completion command in accordance with the change of the supply completion timing.
  • step S22 for example, the coating control unit 102 outputs a completion command to the on-off valve 46.
  • the on-off valve 46 shifts the open / closed state of the supply path between the supply source 44 and the nozzle 42 from the open state to the closed state. Then, the passage of the treatment liquid in the supply path is blocked, and the supply of the treatment liquid to the surface Wa of the wafer W (discharge of the treatment liquid from the nozzle 42) is completed. This completes a series of supply processing procedures.
  • FIG. 10 is a flowchart showing an example of a coating processing procedure performed after the execution of the above-mentioned supply processing procedure.
  • the control device 100 executes steps S31 and S32.
  • step S31 for example, the coating control unit 102 controls the rotation holding unit 30 to reduce the rotation of the wafer W from the rotation speed ⁇ 1 to the rotation speed ⁇ 2.
  • step S32 for example, after the coating control unit 102 decelerates the rotation of the wafer W to the rotation speed ⁇ 2 (after the rotation speed of the wafer W becomes the rotation speed ⁇ 2), it waits until the first predetermined period elapses. To do.
  • the control device 100 may start the process of step S31 after the execution of step S22 of the supply process and before the supply of the processing liquid is completed.
  • step S33 for example, the coating control unit 102 accelerates the rotation of the wafer W from the rotation speed ⁇ 2 to the rotation speed ⁇ 3.
  • step S34 for example, after the coating control unit 102 accelerates the rotation of the wafer W to the rotation speed ⁇ 3 (after the rotation speed of the wafer W becomes the rotation speed ⁇ 3), it waits until the second predetermined period elapses. To do. As a result, the treatment liquid in the state where a part of the treatment liquid is brought to the center in step S32 spreads along the surface Wa of the wafer W, and the coating of the spread treatment liquid proceeds to dry.
  • the second predetermined period is set so that the coating film of the treatment liquid on the surface Wa is dried to a predetermined level.
  • the second predetermined period may be longer than the first predetermined period.
  • FIG. 11 is a flowchart showing an example of a stop processing procedure performed after the above-mentioned supply processing procedure and coating processing procedure are executed.
  • the control device 100 executes step S41.
  • step S41 for example, the coating control unit 102 stops the rotation of the wafer W by controlling the rotation holding unit 30 (the rotation speed of the wafer W is changed from the rotation speed ⁇ 3 to zero).
  • the coating control unit 102 may control the rotation drive unit 34 so that the stop of rotation of the wafer W is completed in a period shorter than the deceleration period.
  • step S42 the control device 100 waits until the deceleration period elapses after starting the execution of step S41. If the supply start timing is deviated from the target timing ts0 and the deceleration period is changed in step S18 of the supply process, the control device 100 waits until the changed deceleration period elapses. When the deceleration period elapses, the stop processing procedure ends.
  • the control device 100 executes a process of correcting the target timing ts0 (target correction procedure) in accordance with the execution of the plurality of film forming processes on the plurality of wafers W.
  • FIG. 12 is a flowchart showing an example of the target correction procedure.
  • the control device 100 first executes steps S51 and S52.
  • step S51 for example, when one supply process (film formation process) is executed, the storage unit 120 accumulates the actual information of the supply start timing detected in the supply process.
  • the storage unit 120 outputs the detected value of the supply start timing as the actual information to the actual information storage unit 122.
  • step S52 for example, the control device 100 determines whether or not a predetermined number of actual information is stored in the actual information storage unit 122.
  • the control device 100 repeats step S51 until the actual number of actual information reaches a predetermined number.
  • accumulated information indicating a plurality of detected values of the supply start timing in the plurality of supply processes is stored (accumulated) in the actual information storage unit 122.
  • step S53 the target correction unit 124 calculates an appropriate value of the target timing ts0 based on the accumulated information of the supply start timing stored in the actual information storage unit 122. As an example, the target correction unit 124 calculates the average value of the supply timing from the accumulated information, and calculates this average value as an appropriate value. Alternatively, the target correction unit 124 calculates the most frequently detected value of the supply timing as an appropriate value.
  • step S54 for example, the target correction unit 124 changes (updates) the set value of the target timing ts0 stored in the processing information storage unit 104 to an appropriate value calculated in step S53. As a result, the set value of the target timing ts0 is corrected.
  • the control device 100 may change the supply rotation speed ⁇ 1 based on the supply start timing without changing the supply completion timing.
  • the condition changing unit 110 changes the supply rotation speed ⁇ 1 according to the deviation ⁇ t of the supply start timing with respect to the target timing ts0.
  • the condition changing unit 110 uses the rotation speed ⁇ 1 for supply in the supply process as a reference defined as a control condition. Greater than the value.
  • the condition changing unit 110 sets the rotation speed ⁇ 1 for supply in the supply process to be smaller than the reference value.
  • the condition changing unit 110 changes the rotation speed ⁇ 1 for supply from the reference value so that the rotation speed during the supply period of the processing liquid substantially matches the target rotation speed Rn0 even if the rotation speed ⁇ 1 for supply is changed. May be good.
  • FIG. 13 is a flowchart showing an example of a supply processing procedure when the rotation speed ⁇ 1 for supply is changed.
  • the control device 100 first executes steps S71 to S76. Steps S71 to S76 are performed in the same manner as steps S11 to S16. That is, also in this case, as shown in FIG. 14, the coating control unit 102 rotates the wafer W by the rotation holding unit 30 at a rotation speed ⁇ 0 lower than the rotation speed ⁇ 1 for supply in the initial period of the supply process.
  • step S77 similarly to step S17, the condition changing unit 110 determines whether or not the deviation ⁇ t is not zero. When it is determined that the deviation ⁇ t is not zero (when it is determined that the supply start timing is deviated from the target timing ts0), the control device 100 executes step S78.
  • step S78 for example, the condition changing unit 110 changes the rotation speed ⁇ 1 for supply according to the deviation ⁇ t so that the rotation speed during the supply period of the processing liquid does not change from the target rotation speed Rn0. For example, as shown in FIG. 14, the condition changing unit 110 changes the rotation speed ⁇ 1 for supply from the reference value ⁇ 1r to the correction value ⁇ 1c.
  • the condition changing unit 110 does not change the supply completion timing even if the rotation speed ⁇ 1 for supply is changed, so the deceleration period is not changed.
  • the execution period of each unit process (execution period of the film forming process) is not changed even if the deviation ⁇ t occurs.
  • step S77 when it is determined that the deviation ⁇ t is zero (when it is determined that the supply start timing does not deviate from the target timing ts0), the control device 100 does not execute step S78.
  • Step S79 and S80 are performed in the same manner as steps S19 and S20.
  • step S81 the coating control unit 102 waits until the output timing of the completion command for completing the supply of the processing liquid is reached, as in step S11.
  • step S82 is performed in the same manner as in step S22.
  • the control device 100 may control the rotation holding unit 30 so that the wafer W rotates at the rotation speed ⁇ 1 in step S11 (step S71) of the supply process. In this case, the control device 100 may omit step S20 (step S80). In this way, the control device 100 may rotate the wafer W by the rotation holding unit 30 at the rotation speed ⁇ 1 for supply during the period including the target timing ts0 (immediately after the start of the supply process).
  • the control device 100 may change the supply completion timing and the supply rotation speed ⁇ 1 based on the supply start timing. In this case, the control device 100 may preferentially change either the supply completion timing or the rotation speed ⁇ 1 for supply. For example, the control device 100 may further change one of the prioritized amounts to be changed when the amount to be changed exceeds the changeable range.
  • the condition changing unit 110 changes either the supply completion timing or the supply rotation speed ⁇ 1 based on the supply start timing, and then the supply completion timing and the supply rotation speed ⁇ 1 based on the discharge flow rate of the processing liquid.
  • the other of may be further modified.
  • the control device 100 may continue to acquire the measured value of the flow rate from the flow rate measuring unit 48 even after the detection of the supply start timing.
  • the control device 100 may acquire the integrated flow rate obtained by integrating the time change of the flow rate from the start of supply as the measured value of the flow rate.
  • the control condition stored in the processing information storage unit 104 may include a target value of the flow rate after the start of supply of the processing liquid (hereinafter, referred to as “target flow rate”).
  • the condition changing unit 110 shifts the discharge flow rate from the target flow rate (according to the deviation of the discharge flow rate from the target flow rate).
  • the rotation speed ⁇ 1 for supply may be changed after the deviation of the discharge flow rate is detected.
  • the condition changing unit 110 may increase the rotation speed ⁇ 1 for supply when the discharge flow rate exceeds the target flow rate.
  • the condition change unit 110 changes the rotation speed ⁇ 1 for supply according to the deviation ⁇ t of the supply start timing, the discharge flow rate deviates from the target flow rate (according to the deviation of the discharge flow rate with respect to the target flow rate).
  • the supply completion timing may be changed.
  • the condition changing unit 110 may advance the supply completion timing when the discharge flow rate exceeds the target flow rate.
  • the coating / developing apparatus 2 supplies a processing liquid to supply the processing liquid to the rotation holding unit 30 that holds and rotates the wafer W and the surface Wa of the wafer W held by the rotation holding unit 30.
  • Supply processing including supplying the treatment liquid to the surface Wa of the wafer W by the treatment liquid supply unit 40 while rotating the wafer W by the unit 40 and the rotation holding unit 30 at the rotation speed ⁇ 1 for supply, and the treatment liquid.
  • the coating control unit 102 that executes the coating process including rotating the wafer W by the rotation holding unit 30 so that the processing liquid spreads along the surface Wa of the wafer W after the supply of the processing liquid is completed, and the time of the discharge flow rate of the processing liquid.
  • the supply start detection unit 108 which detects the supply start timing of the treatment liquid during the execution of the supply processing, and the supply start timing deviate from the target timing ts0 based on the change.
  • the condition change unit 110 for changing at least the supply completion timing of the processing liquid or the rotation speed ⁇ 1 for supply is provided based on the supply start timing. Be prepared.
  • the substrate processing procedure is to hold and rotate the wafer W, supply the processing liquid to the surface Wa of the wafer W, and rotate the wafer W at the rotation speed ⁇ 1 for supply.
  • a supply process including supplying the treatment liquid to the surface Wa of the wafer W, and a coating process including rotating the wafer W so that the treatment liquid spreads along the surface Wa of the wafer W after the supply of the treatment liquid is completed.
  • the number of rotations during the supply period of the treatment liquid is executed next to the treatment, and at the start of the process of spreading the treatment liquid along the surface Wa. It was found that it affects the liquid distribution (remaining amount) of the treatment liquid in.
  • the supply start timing may vary due to individual differences in each element of the processing liquid supply unit or changes over time. If the supply timing varies, the number of rotations during the supply of the processing liquid changes between the wafers W to be processed, and at the start of the processing of spreading the processing liquid along the surface Wa, a remaining amount difference occurs between the wafers W. It ends up. If the remaining amount difference is different, a film thickness difference will occur between the wafers W.
  • the coating / developing apparatus 2 and the substrate processing procedure at least the supply completion timing or the supply is used so that the rotation speed is suppressed from changing from the target rotation speed Rn0 based on the supply start timing.
  • the rotation speed ⁇ 1 is changed. Therefore, the variation in the remaining amount of the processing liquid between the wafers W at the start of the coating process is suppressed (the difference in the remaining amount between the wafers W is reduced). Therefore, the coating / developing apparatus 2 and the substrate processing procedure are useful for reducing the film thickness difference between the wafers W.
  • the condition changing unit 110 may change the supply completion timing according to the deviation ⁇ t of the supply start timing with respect to the target timing ts0.
  • the number of rotations can be adjusted so as to approach the target number of rotations Rn0 by adjusting the time for supplying the treatment liquid, so that the number of rotations can be easily adjusted.
  • the coating control unit 102 may further execute a stop process of stopping the rotation of the wafer W by the rotation holding unit 30 within a predetermined deceleration period.
  • the condition changing unit 110 may change the deceleration period according to the change in the supply completion timing. In this case, it is possible to prevent the execution period of a series of processes including the supply process from changing due to the change in the supply completion timing. Therefore, since it is not necessary to change the execution period of the coating process, the influence on the film thickness difference between the wafers W in the coating process is also reduced. Therefore, it is more useful for reducing the film thickness difference between the wafers W.
  • the condition changing unit 110 may further change the rotation speed ⁇ 1 for supply according to the deviation of the discharge flow rate of the treatment liquid from the target flow rate after the supply of the treatment liquid is started. In this case, the variation in the supply amount of the processing liquid in the supply process among the wafers W is also suppressed. Therefore, it is more useful for reducing the film thickness difference between the wafers W.
  • the condition changing unit 110 may change the rotation speed ⁇ 1 for supply according to the deviation ⁇ t of the supply start timing with respect to the target timing ts0.
  • the rotation speed can be adjusted to approach the target rotation speed Rn0 while suppressing the influence on the execution period of the supply process.
  • the condition changing unit 110 may further change the supply completion timing according to the deviation of the discharge flow rate of the processing liquid from the target flow rate after the supply of the processing liquid is started. In this case, the variation in the supply amount of the processing liquid in the supply process among the wafers W is also suppressed. Therefore, it is more useful for reducing the film thickness difference between the wafers W.
  • the coating control unit 102 rotates the wafer W by the rotation holding unit 30 at the rotation speed ⁇ 1 for supply, and before supplying the processing liquid to the surface Wa of the wafer W by the processing liquid supply unit 40. Further, the wafer W may be further rotated by the rotation holding unit 30 at a rotation speed ⁇ 0 lower than the rotation speed ⁇ 1 for supply in a predetermined initial period including the target timing ts0. Even if a deviation ⁇ t occurs at the supply start timing, the rotation speed at the start of supply is small, so the amount of change in the number of rotations due to this deviation ⁇ t is small. Therefore, it is more useful for reducing the film thickness difference between the wafers W.
  • the coating / developing apparatus 2 described above is coated and controlled based on the storage unit 120 that stores the actual information of the supply start timing and the accumulated information in which the actual information is accumulated each time the supply process for the wafer W is executed.
  • the unit 102 may further include a target correction unit 124 for correcting the interval between the output timing of the start command for starting the processing liquid supply to the processing liquid supply unit 40 and the target timing ts0.
  • the set value of the target timing ts0 can be adjusted according to the tendency of the deviation ⁇ t of the supply start timing.
  • the substrate to be processed is not limited to the semiconductor wafer, and may be, for example, a glass substrate, a mask substrate, an FPD (Flat Panel Display), or the like.
  • Substrate processing system 1 ... Substrate processing system, 2 ... Coating / developing device, 30 ... Rotation holding unit, 40 ... Processing liquid supply unit, 100 ... Control device, 102 ... Coating control unit, 108 ... Supply start detection unit, 110 ... Condition change unit, 120 ... Accumulation unit, 124 ... Target correction unit, U1 ... Coating unit, W ... Wafer.

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Abstract

基板処理装置は、基板を保持して回転させる回転保持部と、基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、基板を供給用の回転速度で回転させつつ、当該基板の表面に処理液を供給させることを含む供給処理と、処理液の供給完了後に処理液が基板の表面に沿って広がるように基板を回転させることを含む塗布処理とを実行する塗布制御部と、処理液の吐出流量の時間変化に基づいて、処理液の供給開始タイミングを供給処理の実行中に検出する供給開始検出部と、供給開始タイミングが目標タイミングに対してずれることに起因して、処理液の供給期間中における基板の回転回数が目標回転回数からずれることを抑制するように、供給開始タイミングに基づいて、少なくとも処理液の供給完了タイミング又は供給用の回転速度を変更する条件変更部とを備える。

Description

基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
　本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体に関する。
　特許文献１には、基板を支持する複数の基板支持部と、処理液を貯留する貯留部、処理液を吐出する吐出ノズル及び貯留部から吐出ノズルに向けて処理液を圧送する加圧手段を有する処理液吐出部とを備える基板処理装置が開示されている。この基板処理装置では、吐出ノズルがエアバルブを介して加圧手段と接続されている。
特開２００８－２５１８９０号公報
　本開示は、基板間の膜厚差を低減するのに有用な基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体を提供する。
　本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板を保持して回転させる回転保持部と、回転保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、回転保持部により基板を供給用の回転速度で回転させつつ、当該基板の表面に処理液供給部により処理液を供給させることを含む供給処理と、処理液の供給完了後に処理液が基板の表面に沿って広がるように回転保持部により基板を回転させることを含む塗布処理とを実行する塗布制御部と、処理液の吐出流量の時間変化に基づいて、処理液の供給開始タイミングを供給処理の実行中に検出する供給開始検出部と、供給開始タイミングが目標タイミングに対してずれることに起因して、処理液の供給期間中における基板の回転回数が目標回転回数からずれることを抑制するように、供給開始タイミングに基づいて、少なくとも処理液の供給完了タイミング又は供給用の回転速度を変更する条件変更部とを備える。
　本開示によれば、基板間の膜厚差を低減するのに有用な基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体が提供される。
図１は、基板処理システムの一例を示す模式図である。 図２は、塗布現像装置の一例を示す模式図である。 図３は、塗布ユニットの一例を示す模式図である。 図４は、制御装置の機能構成の一例を示すブロック図である。 図５は、供給開始タイミングのずれに応じた供給完了タイミングの変更の一例を示すグラフである。 図６（ａ）は、供給開始タイミングにずれがない場合の回転速度の時間変化の一例を示すグラフである。図６（ｂ）は、供給開始タイミングにずれがある場合の回転速度の時間変化の一例を示すグラフである。 図７は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図８は、処理液の被膜の成膜処理手順の一例を示すフローチャートである。 図９は、供給処理手順の一例を示すフローチャートである。 図１０は、塗布処理手順の一例を示すフローチャートである。 図１１は、停止処理手順の一例を示すフローチャートである。 図１２は、目標タイミングの修正手順の一例を示すフローチャートである。 図１３は、供給処理手順の別の例を示すフローチャートである。 図１４は、供給開始タイミングのずれに応じた回転速度の変更の一例を示すグラフである。 図１５（ａ）は、供給開始タイミングにずれがない場合の回転速度の時間変化の一例を示すグラフである。図１５（ｂ）は、供給開始タイミングにずれがある場合の回転速度の時間変化の一例を示すグラフである。
　以下、図面を参照して一実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
［基板処理システム］
　まず、図１及び図２を参照して基板処理システム１の概略構成を説明する。基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と、露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分に露光用のエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行う。また、塗布・現像装置２は、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
（塗布・現像装置）
　図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２（基板処理装置）は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００とを備える。
　キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。
　処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
　処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液として、レジストを下層膜の上に塗布する。例えば、塗布ユニットＵ１は、ウェハＷを回転させながら表面に処理液を供給した後に、当該ウェハＷを回転させることで表面上の処理液を広げて、処理液の被膜を形成する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。これにより、ウェハＷの表面にレジスト膜が形成される。
　処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
　処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。塗布ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。現像処理に伴う熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（PEB：Post　Exposure　Bake）、現像処理後の加熱処理（PB：Post　Bake）等が挙げられる。
　処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。
　処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
　インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
（液処理ユニット）
　続いて、図３を参照して、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１の一例について説明する。図３に示されるように、塗布ユニットＵ１は、回転保持部３０と、処理液供給部４０とを有する。
　回転保持部３０は、ウェハＷを保持して回転させる。回転保持部３０は、例えば保持部３２と、回転駆動部３４とを有する。保持部３２は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部３４は、例えば電動モータ等を動力源としたアクチュエータであり、鉛直な軸線Ａｘまわりに保持部３２を回転させる。これにより、保持部３２上のウェハＷが回転する。保持部３２は、ウェハＷの中心が軸線Ａｘに略一致するようにウェハＷを保持してもよい。
　処理液供給部４０は、回転保持部３０（保持部３２）に保持されたウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給する。処理液は、レジスト膜Ｒを形成するための溶液（レジスト）である。処理液供給部４０は、例えば、ノズル４２と、ノズル移動機構５２と、供給源４４と、開閉バルブ４６と、流量測定部４８とを有する。ノズル４２は、保持部３２に保持されたウェハＷの表面Ｗａに処理液を吐出する。例えば、ノズル４２は、ウェハＷの上方に配置され、処理液を下方に吐出する。ノズル移動機構５２は、電動モータ等の動力源によって、ウェハＷの上方の吐出位置と、当該吐出位置から離れた退避位置との間でノズル４２を移動させる。
　供給源４４は、処理液をノズル４２に供給する。供給源４４は、例えばポンプ等により処理液をノズル４２に向けて送り出す。開閉バルブ４６は、ノズル４２と供給源４４との間の供給路に設けられる。開閉バルブ４６は、制御装置１００の動作指令に基づいて、供給路の開閉状態を開状態と閉状態とに切り替える。開閉バルブ４６は、例えばエアオペレーションバルブである。流量測定部（流量センサ）４８は、ノズル４２と開閉バルブ４６との間の供給路に設けられ、当該供給路を流れる処理液の流量を測定する。流量測定部４８は、流量の測定値を制御装置１００に出力する。ノズル４２からの処理液の吐出流量は、ノズル４２と開閉バルブ４６との間の供給路を流れる流量（流量測定部４８により測定される流量）と略一致する。
（制御装置）
　制御装置１００は、塗布・現像装置２の各要素を制御する。制御装置１００は、例えば、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１を制御することで、複数のウェハＷに対して順に（個別に）処理液を塗布して、処理液の被膜を形成する。制御装置１００は、図４に示されるように、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、塗布制御部１０２と、処理情報記憶部１０４と、流量取得部１０６と、供給開始検出部１０８と、条件変更部１１０とを有する。
　塗布制御部１０２は、ウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給することを含む処理（以下、「供給処理」という。）と、ウェハＷを回転させて表面Ｗａに沿って処理液を広げることを含む処理（以下、「塗布処理」という。）とを実行する。具体的には、塗布制御部１０２は、供給処理において、回転保持部３０によりウェハＷを所定の回転速度（以下、「供給用の回転速度ω１」という。）で回転させつつ、当該ウェハＷの表面Ｗａに処理液供給部４０により処理液を供給させる。
　塗布制御部１０２は、処理液の供給を開始させるための指令（以下、「開始指令」という。）を開閉バルブ４６に出力する。開閉バルブ４６は、開始指令を受けると、供給路の開閉状態を閉状態から開状態に遷移させる。塗布制御部１０２は、処理液の供給を完了（停止）させるための指令（以下、「完了指令」という。）を開閉バルブ４６に出力する。開閉バルブ４６は、完了指令を受けると、供給路の開閉状態を開状態から閉状態に遷移させる。
　塗布制御部１０２は、塗布処理において、処理液の供給完了後に処理液がウェハＷの表面Ｗａに沿って広がるように回転保持部３０によりウェハＷを回転させる。塗布制御部１０２は、塗布処理の後の所定の減速期間内にウェハＷの回転を回転保持部３０により停止させる処理（以下、「停止処理」という。）を更に実行してもよい。塗布制御部１０２は、供給処理、塗布処理、及び停止処理をこの順に実行することで、１枚のウェハＷに塗布ユニットＵ１によりレジストの被膜を形成させる処理（以下、「成膜処理」という。）を実行する。塗布制御部１０２は、所定の制御条件に従って、供給処理、塗布処理及び停止処理を順に実行する。以下では、成膜処理に含まれる供給処理、塗布処理、及び停止処理を総称して「単位処理」という場合がある。なお、成膜処理には、上記３つの単位処理以外の単位処理が含まれていてもよい。
　処理情報記憶部１０４は、塗布制御部１０２が成膜処理を実行するための処理情報を記憶する。処理情報には、例えば、成膜処理に含まれる単位処理の順序を定める処理スケジュール、及び各単位処理を実行する際の制御条件が含まれる。制御条件は、一例として、供給処理での供給用の回転速度ω１、及び処理液の供給完了タイミング、塗布処理での回転速度及び回転させる期間、並びに停止処理での減速期間等を定める。
　流量取得部１０６は、流量測定部４８から流量の測定値を取得する。流量取得部１０６は、例えば、所定の周期で流量測定部４８から流量の測定値を取得する。流量測定部４８からの流量の測定値は、ノズル４２からの処理液の吐出流量に相関する。
　供給開始検出部１０８は、処理液の吐出流量の時間変化に基づいて、処理液の供給開始タイミングを供給処理の実行中に検出する。供給開始タイミングとは、処理液の供給（処理液の吐出）が実際に開始されるタイミング（時刻）である。処理液の供給を開始させるための開始指令を塗布制御部１０２が開閉バルブ４６に出力したタイミング（以下、「指令出力タイミング」という。）では、必ずしも処理液の供給は開始されず、指令出力タイミングから遅れて処理液の供給が開始される。この遅れの一因としては、例えば、開始指令を受けた開閉バルブ４６が遷移し始めるまでの応答遅れ、及び開状態に遷移した供給路を処理液が通過し始めるまでの応答遅れ等が挙げられる。処理液供給部４０（例えば、開閉バルブ４６）の個体差、及び処理液供給部４０の経時変化等に起因して、供給開始タイミングには、複数の供給処理間で（処理対象のウェハＷ間で）ばらつきが生じ得る。
　供給開始検出部１０８は、流量測定部４８による測定値が所定値を越えた場合に、所定値を越えたタイミング（周期）を供給開始タイミングとして算出してもよい。あるいは、供給開始検出部１０８は、流量測定部４８による測定値の変化量が所定値を越えた場合に、所定値を越えたタイミング（周期）を供給開始タイミングとして算出してもよい。例えば、供給開始検出部１０８は、流量測定部４８による測定値と一つ前の周期での測定値との変化が所定値を越えた場合に、当該周期を供給開始タイミングとして算出してもよい。処理情報記憶部１０４が記憶する制御条件には、供給開始タイミングの目標値（以下、「目標タイミングｔｓ０」という。）が含まれてもよい。目標タイミングｔｓ０は、指令出力タイミングを基準とするタイミングであり、指令出力タイミングと同じタイミングであってもよいし、指令出力タイミングから一定の時間だけ遅れたタイミングであってもよい。指令出力タイミングから遅らせる一定の時間は、シミュレーション又は実機試験等で予め設定される。
　条件変更部１１０は、供給開始タイミングに基づいて、少なくとも処理液の供給完了タイミング又は供給用の回転速度ω１を変更する。すなわち、条件変更部１１０は、供給開始タイミングに基づいて、供給用の回転速度ω１を変更せずに処理液の供給完了タイミングを変更してもよいし、供給完了タイミングを変更せずに供給用の回転速度ω１を変更してもよいし、供給完了タイミングと供給用の回転速度ω１とを変更してもよい。
　条件変更部１１０は、供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対してずれることに起因して、処理液の供給期間中におけるウェハＷの回転回数が目標値（以下、「目標回転回数Ｒｎ０」という。）から変化することを抑制するように、少なくとも処理液の供給完了タイミング又は供給用の回転速度ω１を変更する。処理液の供給期間中の回転回数とは、処理液供給部４０から処理液がウェハＷに実際に供給されている期間におけるウェハＷの回転回数の総数（回転回数の積算値）である。目標回転回数Ｒｎ０は、目標タイミングｔｓ０において処理液の供給が実際に開始された場合での処理液の供給期間中の回転回数である。目標回転回数Ｒｎ０は、供給完了タイミングと供給用の回転速度ω１とに相関する。なお、条件変更部１１０は、供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対してずれない場合、処理液の供給完了タイミング及び供給用の回転速度ω１を変更しない。
　条件変更部１１０は、一例として、目標タイミングｔｓ０に対する供給開始タイミングのずれ（以下、「ズレΔｔ」という。）に応じて供給完了タイミングを変更する。条件変更部１１０は、供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対して遅れた場合（ズレΔｔが正の値である場合）、当該供給処理での供給完了タイミングを制御条件に定められた基準値から遅らせる。条件変更部１１０は、供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対して早かった場合（ズレΔｔが負の値である場合）、当該供給処理での供給完了タイミングを基準値から早める。条件変更部１１０は、供給完了タイミングを変更しても処理液の供給期間中の回転回数が目標回転回数Ｒｎ０に略一致するように、供給完了タイミングを基準値から変化させてもよい。条件変更部１１０は、供給完了タイミングの変更に応じて停止処理での減速期間を制御条件に定められた基準値から変更してもよい。なお、当該処理において供給完了タイミング等が変更されても、制御条件に定められる基準値自体は変更されないので、条件変更部１１０は、当該供給処理の次に行われる別のウェハＷに対する供給処理では、ズレΔｔに応じて、供給完了タイミングを改めて基準値から変更する。つまり、条件変更部１１０は、供給処理ごとに、ズレΔｔに応じて、供給完了タイミングを制御条件に定められた基準値から変更する。
　図５、図６（ａ）及び図６（ｂ）は、ズレΔｔに応じて供給完了タイミングを変更する場合の制御条件の設定方法を例示している。図５では、目標タイミングｔｓ０で処理液の供給が開始された場合の流量の時間変化が「Ｄｒ０」で示され、回転速度の時間変化が「Ｒｖ０」で示されている。目標タイミングｔｓ０からズレΔｔだけ遅れた供給開始タイミングで処理液の供給が開始される場合の流量の時間変化が「Ｄｒ１」で示され、回転速度の時間変化が「Ｒｖ１」で示されている。処理情報記憶部１０４が記憶する制御条件では、目標タイミングｔｓ０で処理液の供給が開始された場合での供給完了タイミングの基準値（以下、「基準完了タイミングｔｅ０」という。）が定められている。時間が０であるときに、塗布制御部１０２から流量測定部４８に開始指令が出力されている。
　図５に示されるように、塗布制御部１０２は、供給開始の初期期間において供給用の回転速度ω１よりも低い回転速度ω０で回転保持部３０によりウェハＷを回転させる。初期期間は、その期間内に目標タイミングｔｓ０が含まれるように予め定められる（処理情報記憶部１０４に記憶されている）。初期期間は、供給開始タイミングがばらつきの想定幅内であれば、その期間内に供給開始タイミングが含まれるように設定されてもよい。塗布制御部１０２は、供給処理を実行する際に、供給用の回転速度ω１で回転保持部３０によりウェハＷを回転させつつ、当該ウェハＷの表面Ｗａに処理液供給部４０により処理液を供給させる前の初期期間において、供給用の回転速度ω１よりも低い回転速度ω０で回転保持部３０によりウェハＷを回転させることを更に実行してもよい。
　初期期間の経過後、塗布制御部１０２は、回転保持部３０を制御することで、ウェハＷの回転を回転速度ω０から回転速度ω１まで加速させ、回転速度ω１でウェハＷを回転させることを回転保持部３０に継続させる。塗布制御部１０２は、例えば、処理液の供給が完了するまで、回転速度ω１で回転保持部３０によりウェハＷを回転させてもよい。
　条件変更部１１０は、実際の供給開始タイミングｔｓ１が、目標タイミングｔｓ０に対してズレΔｔだけ遅れた場合、図５に示されるように、供給完了タイミングｔｅ１を基準完了タイミングｔｅ０から遅らせる。供給完了タイミングを遅らせない場合には、供給開始タイミングの遅れにより、処理液の供給期間中の回転回数が目標回転回数Ｒｎ０から減少してしまうが、供給完了タイミングを遅らせることで、回転回数の上記減少が抑制される。
　図６（ａ）は、供給処理において供給開始タイミングにズレΔｔが生じなかった場合での各単位処理での回転速度の制御例を示す。図６（ｂ）は、供給処理において供給開始タイミングにズレΔｔが生じ、供給完了タイミングを遅らせた場合の各単位処理での回転速度の制御例を示す。なお、図６（ａ）及び図６（ｂ）では、初期期間において回転速度ω０でウェハＷを回転させることの例示は省略されている。
　塗布制御部１０２は、処理液の供給完了後に塗布処理を実行する。塗布制御部１０２は、塗布処理において、回転保持部３０を制御することでウェハＷの回転を回転速度ω１から回転速度ω２に減速させる。そして、塗布制御部１０２は、回転速度ω２でウェハＷを回転させることを回転保持部３０に継続させる。これにより、ウェハＷの表面Ｗａに供給された処理液が、表面Ｗａに沿ってウェハＷの周縁部から中心部に向かって移動する（処理液の一部が中心部に寄せられる）。塗布制御部１０２は、回転速度ω２で所定期間だけウェハＷを回転させた後、回転保持部３０を制御することでウェハＷの回転を回転速度ω２から回転速度ω３に加速する。そして、塗布制御部１０２は、回転速度ω３でウェハＷを回転させることを回転保持部３０に継続させる。これにより、一部が中心部に寄せられた状態の処理液がウェハＷの表面Ｗａに沿って広げられ、表面Ｗａ上において処理液の被膜の乾燥が進行する。
　塗布制御部１０２は、塗布処理の完了後に停止処理を実行する。塗布制御部１０２は、停止処理において、減速期間内にウェハＷの回転を停止させる。一例として、塗布制御部１０２は、図６（ａ）に示されるように、減速期間である期間Ｔｚ０の一部（前半部分）において、ウェハＷの回転速度がゼロになるまで減速する（回転が停止する）ように回転保持部３０を制御する。そして、塗布制御部１０２は、期間Ｔｚ０の残りの一部（後半部分）では減速期間が経過するまで待機する。停止処理の終了タイミングは、処理対象のウェハＷを保持部３２から搬出するタイミングに合わせて設定されてもよい。条件変更部１１０は、供給処理での供給完了タイミングを遅らせても、供給処理を含む成膜処理の実行期間が変化しないように、停止処理での減速期間を変更する。例えば、条件変更部１１０は、図６（ｂ）に示されるように、ズレΔｔに応じて供給完了タイミングを遅らせた場合（供給処理を延長した場合）、塗布処理の実行期間は変化させずに、停止処理での減速期間を制御条件に定められた基準値から減少させる。
　図６（ａ）及び図６（ｂ）を比較すると、処理液の供給期間（実際に処理液が供給される期間）である期間Ｔｘ１（長さ）は、供給開始タイミングにずれがない場合の処理液の供給期間である期間Ｔｘ０（長さ）と略一致する。塗布処理の実行期間である期間Ｔｙ１は、供給開始タイミングにずれがない場合の塗布処理の実行期間である期間Ｔｙ０と略一致する。一方、減速期間である期間Ｔｚ１は、供給開始タイミングにずれがない場合の減速期間である期間Ｔｚ０に比べて短くなっている。この例では、条件変更部１１０は、ウェハＷの回転を停止させるまでの期間は変更させていないが（減速度は変更していないが）、ウェハＷの回転が停止してからの待機期間を短くしている。これにより、供給処理の開始から停止処理の終了までの実行期間が略一定に保たれる。なお、条件変更部１１０は、供給完了タイミングの変更に応じて、減速度を変更すること（大きくすること）で減速期間を短くしてもよい。条件変更部１１０は、供給完了タイミングの変更に応じて、塗布処理の実行期間を変更してもよい。あるいは、条件変更部１１０は、供給完了タイミングを変更しても、塗布処理の実行期間と停止処理の実行期間（減速期間）とを変更しなくてもよい。
　制御装置１００は、複数のウェハＷに対して成膜処理を実行した後に、目標タイミングｔｓ０を修正する機能も有する。制御装置１００は、図４に示されるように、機能モジュールとして、蓄積部１２０と、実績情報記憶部１２２と、目標修正部１２４とを更に有する。
　蓄積部１２０は、ウェハＷに対する供給処理（成膜処理）が実行される度に、供給開始タイミングの実績情報を蓄積する。蓄積部１２０は、例えば、供給処理ごとに、条件変更部１１０が検出した供給開始タイミングを実績情報記憶部１２２に出力する。実績情報記憶部１２２は、蓄積部１２０により蓄積される実績情報を記憶する。なお、蓄積部１２０は、供給開始タイミングの実績情報として、ズレΔｔの複数の検出値を蓄積してもよい。
　目標修正部１２４は、実績情報記憶部１２２に実績情報が蓄積された蓄積情報に基づいて、塗布制御部１０２が処理液供給部４０に処理液の供給を開始させる開始指令の出力タイミングと目標タイミングｔｓ０との間隔を修正する。例えば、目標修正部１２４は、指令出力タイミングを基準とした目標タイミングｔｓ０を変更するように、処理情報記憶部１０４に記憶されている目標タイミングｔｓ０の設定値を更新する。目標修正部１２４は、所定枚数のウェハＷに対する供給処理が実行される度に、あるいは、所定期間の経過ごとに、目標タイミングｔｓ０を修正してもよい。目標タイミングｔｓ０の修正後において行われる供給処理では、条件変更部１１０は、修正後の目標タイミングｔｓ０に対するズレΔｔに応じて、少なくとも供給完了タイミング又は供給用の回転速度ω１を変更する。
　制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図７に示される回路２００を有する。回路２００は、一つ又は複数のプロセッサ２０２と、メモリ２０４と、ストレージ２０６と、入出力ポート２０８とを有する。ストレージ２０６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の成膜処理手順を含む基板処理手順を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ２０４は、ストレージ２０６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ２０２による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ２０２は、メモリ２０４と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート２０８は、プロセッサ２０２からの指令に従って、回転駆動部３４、開閉バルブ４６、及び流量測定部４８等との間で電気信号の入出力を行う。
　制御装置１００が複数の制御用コンピュータで構成される場合、各機能モジュールがそれぞれ、個別の制御用コンピュータによって実現されていてもよい。制御装置１００は、塗布・現像装置２によるウェハＷの成膜処理（各単位処理）を実行する機能モジュールを含む制御用コンピュータと、目標タイミングの修正を実行する機能モジュールを含む制御用コンピュータとで構成されてもよい。あるいは、これらの各機能モジュールがそれぞれ、２つ以上の制御用コンピュータの組み合わせによって実現されていてもよい。これらの場合、複数の制御用コンピュータは、互いに通信可能に接続された状態で、後述する基板処理手順を連携して実行してもよい。なお、制御装置１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application　Specific　Integrated　Circuit）により構成されていてもよい。
［基板処理手順］
　続いて、基板処理方法の一例として、基板処理システム１において実行される基板処理手順を説明する。制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を含む基板処理を実行するように基板処理システム１を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜Ｒを形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。塗布ユニットＵ１において行われる成膜処理手順の一例については後述する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷのレジスト膜Ｒ上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。
　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１に収容されたウェハＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。そして、露光装置３において、ウェハＷに形成されたレジスト膜Ｒに露光処理が施される。その後制御装置１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて、当該ウェハＷを棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。
　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。そして、制御装置１００は、現像処理に伴う熱処理、及び現像処理を実行するように制御を行う。以上により塗布・現像処理が終了する。
（成膜処理手順）
　図８は、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１において行われる成膜処理手順の一例を示すフローチャートである。制御装置１００は、処理対象のウェハＷが保持部３２に載置された状態で、まずステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、例えば、塗布制御部１０２が、回転保持部３０によりウェハＷを供給用の回転速度ω１で回転させつつ、当該ウェハＷの表面Ｗａに処理液供給部４０により処理液を供給させることを含む供給処理（供給処理手順）を実行する。ステップＳ０１で行われる供給処理手順の一例については後述する。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ０２，Ｓ０３を実行する。ステップＳ０２では、例えば、塗布制御部１０２が、処理液の供給完了後に処理液がウェハＷの表面Ｗａに沿って広がるように回転保持部３０によりウェハＷを回転させることを含む塗布処理（塗布処理手順）を実行する。なお、塗布制御部１０２は、ステップＳ０１の一部の処理とステップＳ０２の一部の処理とを重複したタイミングで実行してもよい。ステップＳ０３では、例えば、塗布制御部１０２が、所定の減速期間内にウェハＷの回転を回転保持部３０により停止させる停止処理（停止処理手順）を実行する。ステップＳ０２，Ｓ０３でそれぞれ行われる塗布処理手順及び停止処理手順の一例については後述する。制御装置１００は、ステップＳ０３の終了時点で、搬送装置により回転保持部３０から処理対象のウェハＷを搬出させてもよい。塗布制御部１０２は、複数のウェハＷに対して、ステップＳ０１～Ｓ０３の一連の成膜処理を順に実行する。
（供給処理手順）
　図９は、供給処理手順の一例を示すフローチャートである。ここでは、供給完了タイミングを変更する場合を例に説明する。制御装置１００は、保持部３２に保持されたウェハＷの上方の吐出位置にノズル４２が配置されている状態で、まずステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、例えば、塗布制御部１０２が、ウェハＷが回転速度ω０で回転するように回転保持部３０を制御する。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ１２，Ｓ１３，Ｓ１４を実行する。ステップＳ１２では、例えば、塗布制御部１０２が、開始指令を開閉バルブ４６に出力する。これにより、開閉バルブ４６が、供給源４４とノズル４２との間の供給路の開閉状態を閉状態から開状態に遷移させる。ステップＳ１３では、例えば、流量取得部１０６が、流量測定部４８から流量の測定値を取得する。ステップＳ１４では、例えば、供給開始検出部１０８が、ステップＳ１３において流量取得部１０６が取得した流量の測定値が所定値以上であるかどうかを判断する。流量の測定値が所定値よりも小さいと判断された場合、制御装置１００は、ステップＳ１３，Ｓ１４を繰り返す。これにより、流量の測定値が所定値以上となるまで、流量の取得が繰り返される。
　ステップＳ１４において、流量の測定値が所定値以上であると判断された場合、制御装置１００は、ステップＳ１５，Ｓ１６を実行する。ステップＳ１５では、例えば、供給開始検出部１０８が、供給開始タイミングを検出する。供給開始検出部１０８は、流量の測定値が所定値を越えたタイミング（時刻又は周期）を供給開始タイミングとして検出してもよい。ステップＳ１６では、例えば、供給開始検出部１０８が、ステップＳ１５において検出した供給開始タイミングと目標タイミングｔｓ０との間のズレΔｔを算出する。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ１７を実行する。ステップＳ１７では、例えば、条件変更部１１０が、ズレΔｔがゼロではないかどうかを判断する。ズレΔｔがゼロではないと判断された場合（供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対してずれていると判断された場合）、制御装置１００は、ステップＳ１８を実行する。ステップＳ１８では、例えば、条件変更部１１０が、処理液の供給期間中の回転回数が目標回転回数Ｒｎ０から変化しないように、ズレΔｔに応じて供給完了タイミングを基準値から変更する。また、条件変更部１１０は、供給完了タイミングの変更幅に応じて、停止処理における減速期間を基準値から変更する。一方、ズレΔｔがゼロである判断された場合（供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対してずれていないと判断された場合）、制御装置１００は、ステップＳ１８を実行しない。なお、制御装置１００は、ズレΔｔ（絶対値）がゼロ以外の閾値以上である場合に、供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対してずれていると判断してもよい。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ１９を実行する。ステップＳ１９では、例えば、制御装置１００が供給処理の開始（ステップＳ１１の開始）から初期期間が経過するまで待機する。初期期間の経過後に、制御装置１００は、ステップＳ２０を実行する。ステップＳ２０では、例えば、塗布制御部１０２が、回転保持部３０を制御することでウェハＷの回転を回転速度ω０から回転速度ω１に変更する。これにより、塗布制御部１０２は、供給用の回転速度ω１で回転保持部３０によりウェハＷを回転させつつ、当該ウェハＷの表面Ｗａに回転保持部３０により処理液を供給させる前の初期期間において、供給用の回転速度ω１よりも低い回転速度ω０で回転保持部３０により、ウェハＷを回転させることを実行する。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ２１，Ｓ２２を実行する。ステップＳ２１では、例えば、制御装置１００が、処理液の供給を完了させるための完了指令の出力タイミングとなるまで待機する。完了指令の出力タイミングは、例えば、供給完了タイミングから所定時間だけ前のタイミングである。つまり、条件変更部１１０は、供給完了タイミングの変更に伴って、完了指令の出力タイミングを変更する。完了指令の出力タイミングとなると、制御装置１００は、ステップＳ２２を実行する。ステップＳ２２では、例えば、塗布制御部１０２が、完了指令を開閉バルブ４６に出力する。これにより、開閉バルブ４６が、供給源４４とノズル４２との間の供給路の開閉状態を開状態から閉状態に遷移させる。そして、供給路内の処理液の通過が遮断され、ウェハＷの表面Ｗａへの処理液の供給（ノズル４２からの処理液の吐出）が完了する。これにより、一連の供給処理手順が終了する。
（塗布処理手順）
　図１０は、上述の供給処理手順の実行後に行われる塗布処理手順の一例を示すフローチャートである。制御装置１００は、まず、ステップＳ３１，Ｓ３２を実行する。ステップＳ３１では、例えば、塗布制御部１０２が、回転保持部３０を制御することで、ウェハＷの回転を回転速度ω１から回転速度ω２に減速させる。ステップＳ３２では、例えば、塗布制御部１０２が、ウェハＷの回転を回転速度ω２に減速させてから（ウェハＷの回転速度が回転速度ω２となってから）、第１所定期間が経過するまで待機する。これにより、ステップＳ０１においてウェハＷの表面Ｗａに供給された処理液が、周縁部から中心部に移動する（処理液の一部が中心部に寄せられる）。なお、制御装置１００は、供給処理のステップＳ２２の実行後に、処理液の供給が完了する前に、ステップＳ３１の処理を開始してもよい。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ３３，Ｓ３４を実行する。ステップＳ３３では、例えば、塗布制御部１０２が、ウェハＷの回転を回転速度ω２から回転速度ω３まで加速させる。ステップＳ３４では、例えば、塗布制御部１０２が、ウェハＷの回転を回転速度ω３まで加速させてから（ウェハＷの回転速度が回転速度ω３となってから）、第２所定期間が経過するまで待機する。これにより、ステップＳ３２において一部が中心部に寄せられた状態の処理液が、ウェハＷの表面Ｗａに沿って広がり、広がった処理液の被膜の乾燥が進行する。第２所定期間は、表面Ｗａ上の処理液の被膜が所定レベルまで乾燥するように設定される。第２所定期間は、第１所定期間よりも長くてもよい。第２所定期間が経過すると、一連の塗布処理手順が終了する。
（停止処理手順）
　図１１は、上述の供給処理手順及び塗布処理手順の実行後に行われる停止処理手順の一例を示すフローチャートである。制御装置１００は、まず、ステップＳ４１を実行する。ステップＳ４１では、例えば、塗布制御部１０２が、回転保持部３０を制御することで、ウェハＷの回転を停止させる（ウェハＷの回転速度を回転速度ω３からゼロに変更する）。塗布制御部１０２は、減速期間よりも短い期間においてウェハＷの回転の停止が完了するように、回転駆動部３４を制御してもよい。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ４２を実行する。ステップＳ４２では、例えば、制御装置１００が、ステップＳ４１の実行を開始してから減速期間が経過するまで待機する。供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対してずれており、供給処理のステップＳ１８において、減速期間が変更されている場合には、制御装置１００は、変更後の減速期間が経過するまで待機する。減速期間が経過すると、停止処理手順が終了する。
（目標修正手順）
　制御装置１００は、複数のウェハＷに対する複数の成膜処理の実行に合わせて、目標タイミングｔｓ０を修正する処理（目標修正手順）を実行する。図１２は、目標修正手順の一例を示すフローチャートである。制御装置１００は、まずステップＳ５１，Ｓ５２を実行する。ステップＳ５１では、例えば、１回の供給処理（成膜処理）が実行されると、蓄積部１２０が、当該供給処理において検出された供給開始タイミングの実績情報を蓄積する。蓄積部１２０は、供給開始タイミングの検出値を実績情報として実績情報記憶部１２２に出力する。ステップＳ５２では、例えば、制御装置１００が、所定数の実績情報が実績情報記憶部１２２に蓄積されたかどうかを判断する。制御装置１００は、実績情報が所定数に達するまで、ステップＳ５１を繰り返す。これにより、複数回の供給処理での供給開始タイミングの複数の検出値を示す蓄積情報が実績情報記憶部１２２に記憶される（蓄積される）。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ５３，Ｓ５４を実行する。ステップＳ５３では、例えば、目標修正部１２４が、実績情報記憶部１２２に蓄積されている供給開始タイミングの蓄積情報に基づいて目標タイミングｔｓ０の適正値を算出する。一例として、目標修正部１２４は、蓄積情報から供給タイミングの平均値を算出し、この平均値を適正値として算出する。あるいは、目標修正部１２４は、最も頻度が高い供給タイミングの検出値を、適正値として算出する。ステップＳ５４では、例えば、目標修正部１２４が、処理情報記憶部１０４に記憶されている目標タイミングｔｓ０の設定値を、ステップＳ５３で算出した適正値に変更する（更新する）。これにより、目標タイミングｔｓ０の設定値が修正される。
（変形例）
　制御装置１００は、供給開始タイミングに基づいて、供給完了タイミングを変更せずに、供給用の回転速度ω１を変更してもよい。条件変更部１１０は、一例として、目標タイミングｔｓ０に対する供給開始タイミングのズレΔｔに応じて、供給用の回転速度ω１を変更する。条件変更部１１０は、供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対して遅れた場合（ずれΔｔが正の値である場合）、当該供給処理での供給用の回転速度ω１を制御条件に定められた基準値よりも大きくする。条件変更部１１０は、供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対して早かった場合（ずれΔｔが負の値である場合）、当該供給処理での供給用の回転速度ω１を基準値よりも小さくする。条件変更部１１０は、供給用の回転速度ω１を変更しても処理液の供給期間の回転回数が目標回転回数Ｒｎ０に略一致するように、供給用の回転速度ω１を基準値から変化させてもよい。
　図１３は、供給用の回転速度ω１を変更する場合の供給処理手順の一例を示すフローチャートである。制御装置１００は、まずステップＳ７１～Ｓ７６を実行する。ステップＳ７１～Ｓ７６は、ステップＳ１１～Ｓ１６と同様に行われる。つまり、この場合も、図１４に示されるように、塗布制御部１０２は、供給処理の初期期間において供給用の回転速度ω１よりも低い回転速度ω０で回転保持部３０によりウェハＷを回転させる。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ７７を実行する。ステップＳ７７では、ステップＳ１７と同様に、条件変更部１１０が、ズレΔｔがゼロではないかどうかを判断する。ズレΔｔがゼロではないと判断された場合（供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対してずれていると判断された場合）、制御装置１００は、ステップＳ７８を実行する。ステップＳ７８では、例えば、条件変更部１１０が、処理液の供給期間中の回転回数が目標回転回数Ｒｎ０から変化しないように、ズレΔｔに応じて、供給用の回転速度ω１を変更する。例えば、図１４に示されるように、条件変更部１１０は、供給用の回転速度ω１を基準値ω１ｒから修正値ω１ｃに変更する。供給用の回転速度ω１を基準値ω１ｒに維持した場合には、供給開始タイミングの遅れにより処理液の供給期間中の回転回数が目標回転回数Ｒｎ０から減少してしまうが、供給用の回転速度ω１の設定値が基準値ω１ｒよりも大きい修正値ω１ｃに変更されることで、回転回数の上記減少が抑制される。
　この例では、条件変更部１１０は、供給用の回転速度ω１を変更しても供給完了タイミングを変更しないので、減速期間を変更しない。この場合、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示されるように、ズレΔｔが生じても、各単位処理の実行期間（成膜処理の実行期間）が変更されない。一方、ステップＳ７７において、ズレΔｔがゼロである判断された場合（供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対してずれていないと判断された場合）、制御装置１００は、ステップＳ７８を実行しない。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ７９，Ｓ８０，Ｓ８１，Ｓ８２を実行する。ステップＳ７９，Ｓ８０は、ステップＳ１９，Ｓ２０と同様に行われる。ステップＳ８１では、塗布制御部１０２が、ステップＳ１１と同様に、処理液の供給を完了させるための完了指令の出力タイミングとなるまで待機する。ただし、ステップＳ２１と異なり、完了指令の出力タイミングは、ズレΔｔに応じて変更されない。ステップＳ８２は、ステップＳ２２と同様に行われる。
　制御装置１００は、供給処理のステップＳ１１（ステップＳ７１）において、ウェハＷが回転速度ω１で回転するように回転保持部３０を制御してもよい。この場合、制御装置１００は、ステップＳ２０（ステップＳ８０）を省略してもよい。このように、制御装置１００は、目標タイミングｔｓ０を含む期間において（供給処理の開始直後から）、供給用の回転速度ω１で回転保持部３０によりウェハＷを回転させてもよい。
　制御装置１００（条件変更部１１０）は、供給開始タイミングに基づいて、供給完了タイミングと供給用の回転速度ω１とを変更してもよい。この場合、制御装置１００は、供給完了タイミングと供給用の回転速度ω１とのいずれか一方を優先して変更してもよい。例えば、制御装置１００は、優先させる一方の変更すべき量が変更可能な範囲を越えた場合に、他方を更に変更してもよい。
　条件変更部１１０は、供給開始タイミングに基づき、供給完了タイミング及び供給用の回転速度ω１のいずれか一方を変更した後に、処理液の吐出流量に基づいて、供給完了タイミング及び供給用の回転速度ω１の他方を更に変更してもよい。この場合、制御装置１００は、供給開始タイミングの検出後においても、流量測定部４８からの流量の測定値の取得を継続してもよい。制御装置１００は、流量の測定値として、供給開始からの流量の時間変化を積分して得られる積算した流量を取得してもよい。処理情報記憶部１０４が記憶する制御条件には、処理液の供給開始後における流量の目標値（以下、「目標流量」という。）が含まれてもよい。
　条件変更部１１０は、供給開始タイミングのズレΔｔに応じて供給完了タイミングを変更した場合に、吐出流量が目標流量に対してずれるのに応じて（目標流量に対する吐出流量のずれに応じて）、吐出流量の当該ずれを検出した後での供給用の回転速度ω１を変更してもよい。一例として、条件変更部１１０は、吐出流量が目標流量を越えている場合に、供給用の回転速度ω１を増加させてもよい。条件変更部１１０は、供給開始タイミングのズレΔｔに応じて供給用の回転速度ω１を変更した場合に、吐出流量が目標流量に対してずれるのに応じて（目標流量に対する吐出流量のずれに応じて）、供給完了タイミングを変更してもよい。一例として、条件変更部１１０は、吐出流量が目標流量を越えている場合に、供給完了タイミングを早めてもよい。
［実施形態の効果］
　以上説明した実施形態に係る塗布・現像装置２は、ウェハＷを保持して回転させる回転保持部３０と、回転保持部３０に保持されたウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給する処理液供給部４０と、回転保持部３０によりウェハＷを供給用の回転速度ω１で回転させつつ、当該ウェハＷの表面Ｗａに処理液供給部４０により処理液を供給させることを含む供給処理と、処理液の供給完了後に処理液がウェハＷの表面Ｗａに沿って広がるように回転保持部３０によりウェハＷを回転させることを含む塗布処理とを実行する塗布制御部１０２と、処理液の吐出流量の時間変化に基づいて、処理液の供給開始タイミングを供給処理の実行中に検出する供給開始検出部１０８と、供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対してずれることに起因して、処理液の供給期間中におけるウェハＷの回転回数が目標回転回数Ｒｎ０からずれることを抑制するように、供給開始タイミングに基づいて、少なくとも処理液の供給完了タイミング又は供給用の回転速度ω１を変更する条件変更部１１０とを備える。
　以上説明した実施形態に係る基板処理手順は、ウェハＷを保持して回転させることと、ウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給することと、ウェハＷを供給用の回転速度ω１で回転させつつ、当該ウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給することを含む供給処理と、処理液の供給完了後に処理液がウェハＷの表面Ｗａに沿って広がるようにウェハＷを回転させることを含む塗布処理とを実行することと、処理液の吐出流量の時間変化に基づいて、処理液の供給開始タイミングを供給処理の実行中に検出することと、供給開始タイミングが目標タイミングｔｓ０に対してずれることに起因して、処理液の供給期間中におけるウェハＷの回転回数が目標回転回数Ｒｎ０からずれることを抑制するように、供給開始タイミングに基づいて、少なくとも処理液の供給完了タイミング又は供給用の回転速度ω１を変更することとを含む。
　回転しているウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給する処理において、処理液の供給期間中における回転回数が、当該処理の次に実行され、処理液を表面Ｗａに沿って広げる処理の開始時における処理液の液分布（残量）に影響を与えることが見出された。一方、ウェハＷに向けて処理液を供給する処理液供給部からの供給開始時点において、処理液供給部の各要素の個体差又は経時変化等により、供給開始タイミングがばらつく場合がある。供給タイミングがばらつくと、処理液の供給中の回転回数が処理対象のウェハＷ間で変化し、処理液を表面Ｗａに沿って広げる処理の開始時において、ウェハＷ間において残量差が生じてしまう。残量差が異なるとウェハＷ間において膜厚差が生じてしまう。
　これに対して、上記塗布・現像装置２及び基板処理手順では、供給開始タイミングに基づいて、回転回数が目標回転回数Ｒｎ０から変化することが抑制されるように、少なくとも供給完了タイミング又は供給用の回転速度ω１が変更される。このため、塗布処理開始時における処理液の残量のウェハＷ間でのばらつきが抑制される（ウェハＷ間での残量差が縮小する）。従って、上記塗布・現像装置２及び基板処理手順は、ウェハＷ間の膜厚差を低減するのに有用である。
　条件変更部１１０は、目標タイミングｔｓ０に対する供給開始タイミングのズレΔｔに応じて供給完了タイミングを変更してもよい。この場合、処理液を供給させる時間を調節することで、回転回数を目標回転回数Ｒｎ０に近づくように調節することができるので、回転回数の調節が容易である。
　塗布制御部１０２は、塗布処理の後に、所定の減速期間内にウェハＷの回転を回転保持部３０により停止させる停止処理を更に実行してもよい。条件変更部１１０は、供給完了タイミングの変更に応じて減速期間を変更してもよい。この場合、供給完了タイミングの変更に起因して、供給処理を含む一連の処理の実行期間が変化することが抑制される。このため、塗布処理の実行期間を変更する必要がないので、塗布処理でのウェハＷ間の膜厚差への影響も低減される。従って、ウェハＷ間の膜厚差を低減するのに更に有用である。
　条件変更部１１０は、処理液の供給開始後に、処理液の吐出流量が目標流量に対してずれるのに応じて供給用の回転速度ω１を更に変更してもよい。この場合、供給処理における処理液の供給量のウェハＷ間でのばらつきも抑制される。従って、ウェハＷ間の膜厚差を低減するのに更に有用である。
　条件変更部１１０は、目標タイミングｔｓ０に対する供給開始タイミングのズレΔｔに応じて供給用の回転速度ω１を変更してもよい。この場合、供給処理の実行期間への影響を抑えつつ、回転回数を目標回転回数Ｒｎ０に近づくように調節することができる。
　条件変更部１１０は、処理液の供給開始後に、処理液の吐出流量が目標流量に対してずれるのに応じて供給完了タイミングを更に変更してもよい。この場合、供給処理における処理液の供給量のウェハＷ間でのばらつきも抑制される。従って、ウェハＷ間の膜厚差を低減するのに更に有用である。
　塗布制御部１０２は、供給処理において、供給用の回転速度ω１で回転保持部３０によりウェハＷを回転させつつ、当該ウェハＷの表面Ｗａに処理液供給部４０により処理液を供給させる前に、目標タイミングｔｓ０を含む所定の初期期間において供給用の回転速度ω１よりも低い回転速度ω０で回転保持部３０によりウェハＷを回転させることを更に実行してもよい。供給開始タイミングにズレΔｔが生じても、供給開始時の回転速度が小さいので、このズレΔｔに起因した回転回数の変化量は小さい。従って、ウェハＷ間の膜厚差を低減するのに更に有用である。
　以上説明した塗布・現像装置２は、ウェハＷに対する供給処理が実行される度に、供給開始タイミングの実績情報を蓄積する蓄積部１２０と、実績情報が蓄積された蓄積情報に基づいて、塗布制御部１０２が処理液供給部４０に処理液の供給を開始させる開始指令の出力タイミングと目標タイミングｔｓ０との間隔を修正する目標修正部１２４とを更に備えてもよい。この構成では、供給開始タイミングのズレΔｔの傾向に合わせて、目標タイミングｔｓ０の設定値を調節することができる。
　なお、処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat　Panel　Display）などであってもよい。
　１…基板処理システム、２…塗布・現像装置、３０…回転保持部、４０…処理液供給部、１００…制御装置、１０２…塗布制御部、１０８…供給開始検出部、１１０…条件変更部、１２０…蓄積部、１２４…目標修正部、Ｕ１…塗布ユニット、Ｗ…ウェハ。

Claims (10)

  1. 　基板を保持して回転させる回転保持部と、
    　前記回転保持部に保持された前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
    　前記回転保持部により前記基板を供給用の回転速度で回転させつつ、当該基板の表面に前記処理液供給部により前記処理液を供給させることを含む供給処理と、前記処理液の供給完了後に前記処理液が前記基板の表面に沿って広がるように前記回転保持部により前記基板を回転させることを含む塗布処理とを実行する塗布制御部と、
    　前記処理液の吐出流量の時間変化に基づいて、前記処理液の供給開始タイミングを前記供給処理の実行中に検出する供給開始検出部と、
    　前記供給開始タイミングが目標タイミングに対してずれることに起因して、前記処理液の供給期間中における前記基板の回転回数が目標回転回数からずれることを抑制するように、前記供給開始タイミングに基づいて、少なくとも前記処理液の供給完了タイミング又は前記供給用の回転速度を変更する条件変更部とを備える、基板処理装置。
  2. 　前記条件変更部は、前記目標タイミングに対する前記供給開始タイミングのずれに応じて前記供給完了タイミングを変更する、請求項１記載の基板処理装置。
  3. 　前記塗布制御部は、前記塗布処理の後に、所定の減速期間内に前記基板の回転を前記回転保持部により停止させる停止処理を更に実行し、
    　前記条件変更部は、前記供給完了タイミングの変更に応じて前記減速期間を変更する、請求項２記載の基板処理装置。
  4. 　前記条件変更部は、前記処理液の供給開始後に、前記処理液の吐出流量が目標流量に対してずれるのに応じて前記供給用の回転速度を更に変更する、請求項２又は３記載の基板処理装置。
  5. 　前記条件変更部は、前記目標タイミングに対する前記供給開始タイミングのずれに応じて前記供給用の回転速度を変更する、請求項１記載の基板処理装置。
  6. 　前記条件変更部は、前記処理液の供給開始後に、前記処理液の吐出流量が目標流量に対してずれるのに応じて前記供給完了タイミングを更に変更する、請求項５記載の基板処理装置。
  7. 　前記塗布制御部は、前記供給処理において、前記供給用の回転速度で前記回転保持部により前記基板を回転させつつ、当該基板の表面に前記処理液供給部により前記処理液を供給させる前に、前記目標タイミングを含む所定の初期期間において前記供給用の回転速度よりも低い回転速度で前記回転保持部により前記基板を回転させることを更に実行する、請求項１～６のいずれか一項記載の基板処理装置。
  8. 　前記基板に対する前記供給処理が実行される度に、前記供給開始タイミングの実績情報を蓄積する蓄積部と、
    　前記実績情報が蓄積された蓄積情報に基づいて、前記塗布制御部が前記処理液供給部に前記処理液の供給を開始させる開始指令の出力タイミングと前記目標タイミングとの間隔を修正する目標修正部とを更に備える、請求項１～７のいずれか一項記載の基板処理装置。
  9. 　基板を保持して回転させることと、
    　前記基板の表面に処理液を供給することと、
    　前記基板を供給用の回転速度で回転させつつ、当該基板の表面に前記処理液を供給することを含む供給処理と、前記処理液の供給完了後に前記処理液が前記基板の表面に沿って広がるように前記基板を回転させることを含む塗布処理とを実行することと、
    　前記処理液の吐出流量の時間変化に基づいて、前記処理液の供給開始タイミングを前記供給処理の実行中に検出することと、
    　前記供給開始タイミングが目標タイミングに対してずれることに起因して、前記処理液の供給期間中における前記基板の回転回数が目標回転回数からずれることを抑制するように、前記供給開始タイミングに基づいて、少なくとも前記処理液の供給完了タイミング又は前記供給用の回転速度を変更することとを含む、基板処理方法。
  10. 　請求項９記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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