CN114616056B - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 Download PDF

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Abstract

基板处理装置具备：旋转保持部，其用于保持基板并使所述基板旋转；处理液供给部，其用于向基板的表面供给处理液；涂布控制部，其执行供给处理和涂布处理，所述供给处理包括一边使基板以供给用的旋转速度旋转、一边向该基板的表面供给处理液，所述涂布处理包括在处理液的供给完成之后使基板旋转以使处理液沿着基板的表面扩展；供给开始检测部，其在供给处理的执行过程中基于处理液的喷出流量的时间变化来检测处理液的供给开始定时；以及条件变更部，其基于供给开始定时来至少变更处理液的供给完成定时或供给用的旋转速度，以抑制因供给开始定时相对于目标定时偏离而引起处理液的供给期间中的基板的旋转次数从目标旋转次数偏离。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
背景技术
专利文献1中公开了一种基板处理装置，该基板处理装置具备处理液喷出部和用于支承基板的多个基板支承部，所述处理液喷出部具有用于贮存处理液的贮存部、用于喷出处理液的喷出喷嘴以及用于从贮存部向喷出喷嘴加压输送处理液的加压单元。在该基板处理装置中，喷出喷嘴经由气阀来与加压单元连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-251890号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种对降低基板间的膜厚差有用的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
用于解决问题的方案
本公开的一个方面所涉及的基板处理装置具备：旋转保持部，其用于保持基板并使所述基板旋转；处理液供给部，其用于向保持于旋转保持部的基板的表面供给处理液；涂布控制部，其执行供给处理和涂布处理，供给处理包括一边由旋转保持部使基板以供给用的旋转速度旋转、一边由处理液供给部向该基板的表面供给处理液，涂布处理包括在处理液的供给完成之后由旋转保持部使基板旋转以使处理液沿着基板的表面扩展；供给开始检测部，其在供给处理的执行过程中基于处理液的喷出流量的时间变化来检测处理液的供给开始定时；以及条件变更部，其基于供给开始定时来至少变更处理液的供给完成定时或供给用的旋转速度，以抑制因供给开始定时相对于目标定时偏离而引起处理液的供给期间中的基板的旋转次数从目标旋转次数偏离。
发明的效果
根据本公开，提供一种对降低基板间的膜厚差有用的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
附图说明
图1是表示基板处理系统的一例的示意图。
图2是表示涂布显影装置的一例的示意图。
图3是表示涂布单元的一例的示意图。
图4是表示控制装置的功能结构的一例的框图。
图5是表示与供给开始定时的偏离相应的供给完成定时的变更的一例的曲线图。
图6的(a)是表示供给开始定时不存在偏离的情况下的旋转速度的时间变化的一例的曲线图。图6的(b)是表示供给开始定时存在偏离的情况下的旋转速度的时间变化的一例的曲线图。
图7是表示控制装置的硬件结构的一例的框图。
图8是表示处理液的覆膜的成膜处理过程的一例的流程图。
图9是表示供给处理过程的一例的流程图。
图10是表示涂布处理过程的一例的流程图。
图11是表示停止处理过程的一例的流程图。
图12是表示目标定时的修正过程的一例的流程图。
图13是表示供给处理过程的其它例的流程图。
图14是表示与供给开始定时的偏离相应的旋转速度的变更的一例的曲线图。
图15的(a)是表示供给开始定时不存在偏离的情况下的旋转速度的时间变化的一例的曲线图。图15的(b)是表示供给开始定时存在偏离的情况下的旋转速度的时间变化的一例的曲线图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明一个实施方式。在说明中，对相同要素或具有同一功能的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[基板处理系统]
首先，参照图1和图2来说明基板处理系统1的概要结构。基板处理系统1是针对基板实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的基板例如是半导体的晶圆W。感光性覆膜例如是抗蚀剂膜。基板处理系统1具备涂布显影装置2和曝光装置3。曝光装置3是对形成于晶圆W(基板)上的抗蚀剂膜(感光性覆膜)进行曝光的装置。具体地说，曝光装置3通过浸液曝光等方法来向抗蚀剂膜的曝光对象部分照射曝光用的能量射线。在由曝光装置3进行的曝光处理之前，涂布显影装置2进行向晶圆W(基板)的表面涂布抗蚀剂(药液)来形成抗蚀剂膜的处理。另外，在曝光处理之后，涂布显影装置2进行抗蚀剂膜的显影处理。
(涂布显影装置)
如图1和图2所示，涂布显影装置2(基板处理装置)具备承载件块4、处理块5、接口块6以及控制装置100。
承载件块4用于进行向涂布显影装置2内的晶圆W的导入以及从涂布显影装置2内的晶圆W的导出。例如，承载件块4能够支承晶圆W用的多个承载件C，该承载件块4内置有包括交接臂的搬送装置A1。承载件C例如收容多张圆形的晶圆W。搬送装置A1用于从承载件C取出晶圆W并将该晶圆W交接给处理块5，并用于从处理块5接受晶圆W并将该晶圆W返回到承载件C内。处理块5具有多个处理模块11、12、13、14。
处理模块11内置有涂布单元U1、热处理单元U2以及用于向这些单元搬送晶圆W的搬送装置A3。处理模块11通过涂布单元U1和热处理单元U2来在晶圆W的表面上形成下层膜。涂布单元U1用于在晶圆W上涂布下层膜形成用的处理液。热处理单元U2用于进行伴随下层膜的形成的各种热处理。
处理模块12内置有涂布单元U1、热处理单元U2以及用于向这些单元搬送晶圆W的搬送装置A3。处理模块12通过涂布单元U1和热处理单元U2来在下层膜上形成抗蚀剂膜。涂布单元U1用于在下层膜上涂布抗蚀剂来作为抗蚀剂膜形成用的处理液。例如，涂布单元U1在一边使晶圆W旋转一边向该晶圆W的表面供给处理液之后，通过使该晶圆W旋转来使表面上的处理液扩展而形成处理液的覆膜。热处理单元U2用于进行伴随抗蚀剂膜的形成的各种热处理。由此，在晶圆W的表面形成抗蚀剂膜。
处理模块13内置有涂布单元U1、热处理单元U2以及用于向这些单元搬送晶圆W的搬送装置A3。处理模块13通过涂布单元U1和热处理单元U2来在抗蚀剂膜上形成上层膜。涂布单元U1用于在抗蚀剂膜上涂布上层膜形成用的处理液。热处理单元U2用于进行伴随上层膜的形成的各种热处理。
处理模块14内置有涂布单元U1、热处理单元U2以及用于向这些单元搬送晶圆W的搬送装置A3。处理模块14通过涂布单元U1和热处理单元U2来进行曝光后的抗蚀剂膜的显影处理。涂布单元U1在已曝光的晶圆W的表面上涂布显影液之后利用冲洗液将该显影液冲洗掉，由此进行抗蚀剂膜的显影处理。热处理单元U2用于进行伴随显影处理的各种热处理。作为伴随显影处理的热处理的具体例，能够列举显影处理前的加热处理(PEB：Post ExposureBake：曝光后烘烤)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake：后烘烤)等。
在处理块5内的承载件块4侧设置有架单元U10。架单元U10被划分为沿上下方向排列的多个小室(cell)。在架单元U10的附近设置有包括升降臂的搬送装置A7。搬送装置A7使晶圆W在架单元U10的小室彼此之间进行升降。
在处理块5内的接口块6侧设置有架单元U11。架单元U11被划分为沿上下方向排列的多个小室。
接口块6用于与曝光装置3之间进行晶圆W的交接。例如接口块6内置有包括交接臂的搬送装置A8，该接口块6与曝光装置3连接。搬送装置A8用于将配置于架单元U11的晶圆W交接给曝光装置3。搬送装置A8用于从曝光装置3接受晶圆W并将该晶圆W返回到架单元U11。
(液处理单元)
接下来，参照图3来说明处理模块12的涂布单元U1的一例。如图3所示，涂布单元U1具有旋转保持部30和处理液供给部40。
旋转保持部30用于保持晶圆W并使所述晶圆W旋转。旋转保持部30例如具有保持部32和旋转驱动部34。保持部32支承以使表面Wa朝上的方式水平地配置的晶圆W的中心部，并通过例如真空吸附等来保持该晶圆W。旋转驱动部34例如是以电动马达等为动力源的致动器，用于使保持部32绕铅垂的轴线Ax旋转。由此使保持部32上的晶圆W旋转。也可以是，保持部32以使晶圆W的中心与轴线Ax大致一致的方式保持晶圆W。
处理液供给部40用于向保持于旋转保持部30(保持部32)的晶圆W的表面Wa供给处理液。处理液是用于形成抗蚀剂膜R的溶液(抗蚀剂)。处理液供给部40例如具有喷嘴42、喷嘴移动机构52、供给源44、开闭阀46以及流量测定部48。喷嘴42用于向保持于保持部32的晶圆W的表面Wa喷出处理液。例如，喷嘴42配置于晶圆W的上方，向下方喷出处理液。喷嘴移动机构52利用电动马达等动力源来使喷嘴42在晶圆W的上方的喷出位置与远离该喷出位置的退避位置之间移动。
供给源44用于向喷嘴42供给处理液。供给源44例如利用泵等向喷嘴42送出处理液。开闭阀46设置于喷嘴42与供给源44之间的供给路。开闭阀46基于控制装置100的动作指令来使供给路的开闭状态在开状态与闭状态之间进行切换。开闭阀46例如是气动阀。流量测定部(流量传感器)48设置于供给路的位于喷嘴42与开闭阀46之间的部分，测定流过该供给路的处理液的流量。流量测定部48将流量的测定值输出到控制装置100。从喷嘴42喷出处理液的喷出流量与流过供给路的位于喷嘴42与开闭阀46之间的部分的流量(由流量测定部48测定的流量)大致一致。
(控制装置)
控制装置100控制涂布显影装置2的各要素。控制装置100例如通过控制处理模块12的涂布单元U1，来对多个晶圆W依次(独立地)涂布处理液，以形成处理液的覆膜。如图4所示，作为功能上的结构(以下称为“功能模块”。)，控制装置100具有涂布控制部102、处理信息存储部104、流量获取部106、供给开始检测部108以及条件变更部110。
涂布控制部102执行包括向晶圆W的表面Wa供给处理液的处理(以下称为“供给处理”。)、以及包括使晶圆W旋转来使处理液沿着表面Wa扩展的处理(以下称为“涂布处理”。)。具体地说，在供给处理中，涂布控制部102一边由旋转保持部30使晶圆W以规定的旋转速度(以下称为“供给用的旋转速度ω1”。)进行旋转、一边由处理液供给部40向该晶圆W的表面Wa供给处理液。
涂布控制部102向开闭阀46输出用于开始处理液的供给的指令(以下称为“开始指令”。)。开闭阀46当接受到开始指令时，使供给路的开闭状态从闭状态迁移为开状态。涂布控制部102向开闭阀46输出用于完成(停止)处理液的供给的指令(以下称为“完成指令”。)。开闭阀46当接受到完成指令时，使供给路的开闭状态从开状态迁移为闭状态。
在涂布处理中，涂布控制部102在处理液的供给完成之后由旋转保持部30使晶圆W旋转，以使处理液沿着晶圆W的表面Wa扩展。也可以是，涂布控制部102还执行由旋转保持部30使晶圆W的旋转在涂布处理之后的规定的减速期间内停止的处理(以下称为“停止处理”。)。涂布控制部102通过依次地执行供给处理、涂布处理以及停止处理，来执行由涂布单元U1在一张晶圆W上形成抗蚀剂的覆膜的处理(以下称为“成膜处理”。)。涂布控制部102按照规定的控制条件来依次地执行供给处理、涂布处理以及停止处理。下面，有时将成膜处理中包括的供给处理、涂布处理以及停止处理统称为“单位处理”。此外，在成膜处理中也可以包括除上述3个单位处理以外的单位处理。
处理信息存储部104存储用于涂布控制部102执行成膜处理的处理信息。处理信息中例如包含决定成膜处理所包括的单位处理的顺序的处理时间表、以及执行各单位处理时的控制条件。作为一例，控制条件决定供给处理中的供给用的旋转速度ω1和处理液的供给完成定时、涂布处理中的旋转速度和旋转的期间以及停止处理中的减速期间等。
流量获取部106从流量测定部48获取流量的测定值。流量获取部106例如以规定的周期从流量测定部48获取流量的测定值。从流量测定部48获取的流量的测定值与从喷嘴42喷出处理液的喷出流量相关。
供给开始检测部108在供给处理的执行过程中基于处理液的喷出流量的时间变化来检测处理液的供给开始定时。供给开始定时是指实际开始进行处理液的供给(处理液的喷出)的定时(时刻)。在涂布控制部102向开闭阀46输出用于开始处理液的供给的开始指令的定时(以下称为“指令输出定时”。)，不一定开始进行处理液的供给，而是迟于指令输出定时开始进行处理液的供给。作为该延迟的一个原因，例如能够举出到接受到开始指令的开闭阀46开始迁移为止的响应延迟、以及到处理液开始通过被迁移为开状态的供给路为止的响应延迟等。由于处理液供给部40(例如开闭阀46)的个体差异以及处理液供给部40的随时间变化等原因，在多个供给处理期间(在作为处理对象的晶圆W之间)，供给开始定时可能产生偏差。
也可以是，在流量测定部48的测定值超过了规定值的情况下，供给开始检测部108将超过规定值的定时(周期)计算为供给开始定时。或者，还可以是，在流量测定部48的测定值的变化量超过了规定值的情况下，供给开始检测部108将超过规定值的定时(周期)计算为供给开始定时。例如，可以是，在流量测定部48的测定值与前一个周期中的测定值的变化超过了规定值的情况下，供给开始检测部108将该周期计算为供给开始定时。处理信息存储部104所存储的控制条件中也可以包含供给开始定时的目标值(以下称为“目标定时ts0”。)。目标定时ts0是以指令输出定时为基准的定时，可以是与指令输出定时相同的定时，也可以是迟于指令输出定时固定的时间的定时。迟于指令输出定时的固定的时间是通过模拟或实机试验等预先设定的。
条件变更部110基于供给开始定时来至少变更处理液的供给完成定时或供给用的旋转速度ω1。即，可以是，条件变更部110不基于供给开始定时变更供给用的旋转速度ω1，而基于供给开始定时变更处理液的供给完成定时，也可以是，不基于供给开始定时变更供给完成定时，而基于供给开始定时变更供给用的旋转速度ω1，还可以是，基于供给开始定时变更供给完成定时和供给用的旋转速度ω1。
条件变更部110至少变更处理液的供给完成定时或供给用的旋转速度ω1，以抑制因供给开始定时相对于目标定时ts0偏离而引起处理液的供给期间中的晶圆W的旋转次数从目标值(以下称为“目标旋转次数Rn0”。)变化。处理液的供给期间中的旋转次数是指从处理液供给部40向晶圆W实际供给处理液的期间的晶圆W的旋转次数的总数(旋转次数的累计值)。目标旋转次数Rn0是在目标定时ts0实际开始进行处理液的供给的情况下的处理液的供给期间中的旋转次数。目标旋转次数Rn0与供给完成定时及供给用的旋转速度ω1相关。此外，在供给开始定时相对于目标定时ts0未产生偏离的情况下，条件变更部110不变更处理液的供给完成定时和供给用的旋转速度ω1。
作为一例，条件变更部110与供给开始定时相对于目标定时ts0的偏离(以下称为“偏离Δt”。)相应地变更供给完成定时。在供给开始定时相对于目标定时ts0延迟的情况(偏离Δt为正值的情况)下，条件变更部110使该供给处理中的供给完成定时迟于控制条件中决定的基准值。在供给开始定时相对于目标定时ts0提前的情况(偏离Δt为负值的情况)下，条件变更部110使该供给处理中的供给完成定时早于基准值。也可以是，条件变更部110使供给完成定时从基准值变化，以使虽然变更供给完成定时但是处理液的供给期间中的旋转次数与目标旋转次数Rn0大致一致。条件变更部110也可以使停止处理中的减速期间与供给完成定时的变更相应地从控制条件中决定的基准值变更。此外，在该处理中即使变更供给完成定时等，也不变更控制条件中决定的基准值自身，因此，在该供给处理之后进行的针对其它晶圆W的供给处理中，条件变更部110使供给完成定时与偏离Δt相应地重新从基准值变更。也就是说，条件变更部110在每次的供给处理中，使供给完成定时与偏离Δt相应地从控制条件中决定的基准值变更。
图5、图6的(a)以及图6的(b)例示了与偏离Δt相应地变更供给完成定时的情况下的控制条件的设定方法。在图5中，用“Dr0”表示在目标定时ts0开始进行了处理液的供给的情况下的流量的时间变化，用“Rv0”表示旋转速度的时间变化。用“Dr1”表示在从目标定时ts0延迟了偏离Δt的供给开始定时开始进行处理液的供给的情况下的流量的时间变化，用“Rv1”表示旋转速度的时间变化。在处理信息存储部104所存储的控制条件中，决定有在目标定时ts0开始进行了处理液的供给的情况下的供给完成定时的基准值(以下称为“基准完成定时te0”。)。在时间为0时，从涂布控制部102向流量测定部48输出开始指令。
如图5所示，涂布控制部102在供给开始的初始期间由旋转保持部30使晶圆W以比供给用的旋转速度ω1低的旋转速度ω0进行旋转。以在初始期间的期间内包含目标定时ts0的方式预先决定初始期间(存储于处理信息存储部104)。也可以以如果供给开始定时在偏差的设想幅度内则在初始期间的期间内包含供给开始定时的方式设定初始期间。涂布控制部102也可以在执行供给处理时，在一边由旋转保持部30使晶圆W以供给用的旋转速度ω1进行旋转、一边由处理液供给部40向该晶圆W的表面Wa供给处理液之前的初始期间，还执行由旋转保持部30使晶圆W以比供给用的旋转速度ω1低的旋转速度ω0进行旋转。
在经过初始期间之后，涂布控制部102通过控制旋转保持部30，来使晶圆W的旋转从旋转速度ω0加速至旋转速度ω1，并让旋转保持部30使晶圆W继续以旋转速度ω1旋转。涂布控制部102例如可以由旋转保持部30使晶圆W以旋转速度ω1旋转到处理液的供给完成为止。
在实际的供给开始定时ts1相对于目标定时ts0延迟偏离Δt的情况下，如图5所示，条件变更部110使供给完成定时te1迟于基准完成定时te0。在不使供给完成定时延迟的情况下，处理液的供给期间中的旋转次数会因供给开始定时的延迟而从目标旋转次数Rn0减少，通过使供给完成定时延迟，抑制旋转次数的上述减少。
图6的(a)示出在供给处理中供给开始定时未产生偏离Δt的情况下的各单位处理中的旋转速度的控制例。图6的(b)示出在供给处理中供给开始定时产生偏离Δt、从而使供给完成定时延迟的情况下的各单位处理中的旋转速度的控制例。此外，在图6的(a)和图6的(b)中，省略了在初始期间使晶圆W以旋转速度ω0旋转的例示。
涂布控制部102在处理液的供给完成之后执行涂布处理。在涂布处理中，涂布控制部102通过控制旋转保持部30来使晶圆W的旋转从旋转速度ω1减速为旋转速度ω2。然后，涂布控制部102让旋转保持部30使晶圆W继续以旋转速度ω2旋转。由此，被供给到晶圆W的表面Wa的处理液沿着表面Wa从晶圆W的周缘部向中心部移动(处理液的一部分靠近到中心部)。涂布控制部102在使晶圆W以旋转速度ω2旋转规定期间之后，通过控制旋转保持部30来使晶圆W的旋转从旋转速度ω2加速为旋转速度ω3。然后，涂布控制部102让旋转保持部30使晶圆W继续以旋转速度ω3旋转。由此，一部分靠近到中心部的状态的处理液沿着晶圆W的表面Wa扩展，使表面Wa上的处理液的覆膜的干燥进展。
涂布控制部102在涂布处理完成之后执行停止处理。在停止处理中，涂布控制部102使晶圆W的旋转在减速期间内停止。作为一例，如图6的(a)所示，涂布控制部102控制旋转保持部30，以在作为减速期间的期间Tz0的一部分(前半部分)使晶圆W的旋转速度减速到0(旋转停止)。然后，涂布控制部102进行等待，直到期间Tz0的剩余的一部分(后半部分)的减速期间经过为止。停止处理的结束定时可以根据从保持部32搬出作为处理对象的晶圆W的定时来设定。条件变更部110变更停止处理中的减速期间，使得虽然使供给处理中的供给完成定时进行了延迟，但使包括供给处理的成膜处理的执行期间不发生变化。例如，如图6的(b)所示，条件变更部110在使供给完成定时与偏离Δt相应地延迟了的情况下(延长了供给处理的情况下)，不使涂布处理的执行期间变化，而使停止处理中的减速期间从控制条件中决定的基准值减少。
当将图6的(a)与图6的(b)进行比较时，作为处理液的供给期间(实际供给处理液的期间)的期间Tx1(长度)与作为供给开始定时不存在偏离的情况下的处理液的供给期间的期间Tx0(长度)大致一致。作为涂布处理的执行期间的期间Ty1与作为供给开始定时不存在偏离的情况下的涂布处理的执行期间的期间Ty0大致一致。另一方面，作为减速期间的期间Tz1与作为供给开始定时不存在偏离的情况下的减速期间的期间Tz0相比变短。在该例子中，条件变更部110不变更直到使晶圆W的旋转停止为止的期间(不变更减速度)，而是缩短从晶圆W的旋转停止起的等待期间。由此，从供给处理开始起到停止处理结束为止的执行期间保持大致固定。此外，也可以是，条件变更部110通过变更(增大)减速度来使减速期间与供给完成定时的变更相应地缩短。也可以是，条件变更部110与供给完成定时的变更相应地变更涂布处理的执行期间。或者，还可以是，条件变更部110即使变更供给完成定时，也不变更涂布处理的执行期间和停止处理的执行期间(减速期间)。
控制装置100还具有在对多个晶圆W执行成膜处理之后修正目标定时ts0的功能。如图4所示，作为功能模块，控制装置100还具有累积部120、实绩信息存储部122以及目标修正部124。
每当执行对晶圆W的供给处理(成膜处理)时，累积部120累积供给开始定时的实绩信息。累积部120例如在每次的供给处理中将由条件变更部110检测出的供给开始定时输出到实绩信息存储部122。实绩信息存储部122存储由累积部120累积的实绩信息。此外，累积部120也可以累积偏离Δt的多个检测值来作为供给开始定时的实绩信息。
目标修正部124基于在实绩信息存储部122中累积实绩信息而得到的累积信息，来修正涂布控制部102使处理液供给部40开始供给处理液的开始指令的输出定时与目标定时ts0的间隔。例如，目标修正部124更新存储于处理信息存储部104的目标定时ts0的设定值，以变更以指令输出定时为基准的目标定时ts0。可以是，每当执行对规定张数的晶圆W的供给处理时、或者每当经过规定期间时，目标修正部124修正目标定时ts0。在修正目标定时ts0之后进行的供给处理中，条件变更部110与相对于修正后的目标定时ts0的偏离Δt相应地，至少变更供给完成定时或供给用的旋转速度ω1。
控制装置100由一个或多个控制用计算机构成。例如，控制装置100具有图7所示的电路200。电路200具有一个或多个处理器202、存储器204、存储装置206以及输入输出端口208。存储装置206例如具有硬盘等能够由计算机读取的存储介质。存储介质存储有用于使控制装置100执行后述的包括成膜处理过程的基板处理过程的程序。存储介质可以是非易失性的半导体存储器、磁盘以及光盘等能够取出的介质。存储器204暂态地存储从存储装置206的存储介质加载的程序以及处理器202的运算结果。处理器202通过与存储器204协同动作来执行上述程序，来构成上述的各功能模块。输入输出端口208按照来自处理器202的指令，来与旋转驱动部34、开闭阀46以及流量测定部48等之间进行电信号的输入输出。
在控制装置100由多个控制用计算机构成的情况下，各功能模块也可以分别由独立的控制用计算机来实现。控制装置100也可以由包括执行由涂布显影装置2对晶圆W的成膜处理(各单位处理)的功能模块的控制用计算机、以及包括执行目标定时的修正的功能模块的控制用计算机构成。或者，这些各功能模块也可以分别由2个以上的控制用计算机的组合来实现。在这些情况下，多个控制用计算机可以在以能够彼此通信的方式连接的状态下协作地执行后述的基板处理过程。此外，控制装置100的硬件结构不一定限于通过程序来构成各功能模块的硬件结构。例如，控制装置100的各功能模块也可以由专用的逻辑电路或集成有该专用的逻辑电路的ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。
[基板处理过程]
接下来，作为基板处理方法的一例，说明在基板处理系统1中执行的基板处理过程。控制装置100控制基板处理系统1，以例如按照以下的过程来执行包括涂布显影处理的基板处理。首先，控制装置100控制搬送装置A1，以将承载件C内的晶圆W搬送到架单元U10，并控制搬送装置A7，以将该晶圆W配置于处理模块11用的小室。
接着，控制装置100控制搬送装置A3，以将架单元U10的晶圆W搬送到处理模块11内的涂布单元U1和热处理单元U2。另外，控制装置100控制涂布单元U1和热处理单元U2，以在该晶圆W的表面Wa上形成下层膜。之后，控制装置100控制搬送装置A3，以将形成了下层膜的晶圆W返回到架单元U10，并控制搬送装置A7，以将该晶圆W配置于处理模块12用的小室。
接着，控制装置100控制搬送装置A3，以将架单元U10的晶圆W搬送到处理模块12内的涂布单元U1和热处理单元U2。另外，控制装置100控制涂布单元U1和热处理单元U2，以在该晶圆W的下层膜上形成抗蚀剂膜R。对于在涂布单元U1中进行的成膜处理过程的一例，将在后文叙述。之后，控制装置100控制搬送装置A3，以将晶圆W返回到架单元U10，并控制搬送装置A7，以将该晶圆W配置于处理模块13用的小室。
接着，控制装置100控制搬送装置A3，以将架单元U10的晶圆W搬送到处理模块13内的各单元。另外，控制装置100控制涂布单元U1和热处理单元U2，以在该晶圆W的抗蚀剂膜R上形成上层膜。之后，控制装置100控制搬送装置A3，以将晶圆W搬送到架单元U11。
接着，控制装置100控制搬送装置A8，以将收容于架单元U11的晶圆W送出到曝光装置3。然后，在曝光装置3中，对形成于晶圆W的抗蚀剂膜R实施曝光处理。之后，控制装置100控制搬送装置A8，以从曝光装置3接受被实施曝光处理后的晶圆W，并将该晶圆W配置于架单元U11中的处理模块14用的小室。
接着，控制装置100控制搬送装置A3，以将架单元U11的晶圆W搬送到处理模块14的热处理单元U2。然后，控制装置100进行控制，以执行显影处理以及伴随显影处理的热处理。通过以上过程，涂布显影处理结束。
(成膜处理过程)
图8是表示在处理模块12的涂布单元U1中进行的成膜处理过程的一例的流程图。控制装置100在作为处理对象的晶圆W被载置于保持部32的状态下，首先执行步骤S01。在步骤S01中，例如，涂布控制部102执行供给处理(供给处理过程)，该供给处理包括一边由旋转保持部30使晶圆W以供给用的旋转速度ω1进行旋转、一边由处理液供给部40向该晶圆W的表面Wa供给处理液。对于在步骤S01中进行的供给处理过程的一例，将在后文叙述。
接着，控制装置100执行步骤S02、S03。在步骤S02中，例如，涂布控制部102执行涂布处理(涂布处理过程)，该涂布处理包括在处理液的供给完成之后由旋转保持部30使晶圆W旋转，以使处理液沿着晶圆W的表面Wa扩展。此外，涂布控制部102也可以将步骤S01的一部分处理与步骤S02的一部分处理在重复的定时执行。在步骤S03中，例如，涂布控制部102执行由旋转保持部30使晶圆W的旋转在规定的减速期间内停止的停止处理(停止处理过程)。对于在步骤S02、S03中分别进行的涂布处理过程和停止处理过程的一例，将在后文叙述。控制装置100可以在步骤S03的结束时刻点由搬送装置将作为处理对象的晶圆W从旋转保持部30搬出。涂布控制部102对多个晶圆W依次执行步骤S01～步骤S03的一系列的成膜处理。
(供给处理过程)
图9是表示供给处理过程的一例的流程图。在此，以变更供给完成定时的情况为例进行说明。控制装置100在保持于保持部32的晶圆W的上方的喷出位置配置有喷嘴42的状态下，首先执行步骤S11。在步骤S11中，例如，涂布控制部102控制旋转保持部30，以使晶圆W以旋转速度ω0旋转。
接着，控制装置100执行步骤S12、S13、S14。在步骤S12中，例如，涂布控制部102向开闭阀46输出开始指令。由此，开闭阀46使供给源44与喷嘴42之间的供给路的开闭状态从闭状态迁移为开状态。在步骤S13中，例如，流量获取部106从流量测定部48获取流量的测定值。在步骤S14中，例如，供给开始检测部108判断在步骤S13中由流量获取部106获取到的流量的测定值是否为规定值以上。在判断为流量的测定值小于规定值的情况下，控制装置100重复步骤S13、S14。由此，重复流量的获取，直到流量的测定值成为规定值以上为止。
在步骤S14中判断为流量的测定值成为规定值以上的情况下，控制装置100执行步骤S15、S16。在步骤S15中，例如，供给开始检测部108检测供给开始定时。供给开始检测部108可以检测流量的测定值超过规定值的定时(时刻或周期)来作为供给开始定时。在步骤S16中，例如，供给开始检测部108计算在步骤S15中检测出的供给开始定时与目标定时ts0之间的偏离Δt。
接着，控制装置100执行步骤S17。在步骤S17中，例如，条件变更部110判断偏离Δt是否不为0。在判断为偏离Δt不为0的情况下(在判断为供给开始定时相对于目标定时ts0偏离的情况下)，控制装置100执行步骤S18。在步骤S18中，例如，条件变更部110使供给完成定时与偏离Δt相应地从基准值变更，以使处理液的供给期间中的旋转次数不从目标旋转次数Rn0变化。另外，条件变更部110使停止处理中的减速期间与供给完成定时的变更幅度相应地从基准值变更。另一方面，在判断为偏离Δt为0的情况下(在判断为供给开始定时相对于目标定时ts0没有偏离的情况下)，控制装置100不执行步骤S18。此外，也可以是，在偏离Δt(绝对值)为除0以外的阈值以上的情况下，控制装置100判断为供给开始定时相对于目标定时ts0偏离。
接着，控制装置100执行步骤S19。在步骤S19中，例如，控制装置100进行等待，直到从供给处理的开始(步骤S11的开始)起经过了初始期间为止。在经过了初始期间之后，控制装置100执行步骤S20。在步骤S20中，例如，涂布控制部102通过控制旋转保持部30将晶圆W的旋转从旋转速度ω0变更为旋转速度ω1。由此，涂布控制部102在一边由旋转保持部30使晶圆W以供给用的旋转速度ω1旋转、一边由旋转保持部30向该晶圆W的表面Wa供给处理液之前的初始期间，执行由旋转保持部30使晶圆W以比供给用的旋转速度ω1低的旋转速度ω0旋转。
接着，控制装置100执行步骤S21、S22。在步骤S21中，例如，控制装置100进行等待，直到到达了用于使处理液的供给完成的完成指令的输出定时为止。完成指令的输出定时例如是距供给完成定时规定时间前的定时。也就是说，条件变更部110伴随供给完成定时的变更来变更完成指令的输出定时。当成为了完成指令的输出定时时，控制装置100执行步骤S22。在步骤S22中，例如，涂布控制部102向开闭阀46输出完成指令。由此，开闭阀46使供给路的位于供给源44与喷嘴42之间的部分的开闭状态从开状态迁移为闭状态。然后，供给路内的处理液的通过被切断，向晶圆W的表面Wa的处理液的供给(从喷嘴42的处理液的喷出)完成。由此，一系列的供给处理过程结束。
(涂布处理过程)
图10是表示在执行上述的供给处理过程之后进行的涂布处理过程的一例的流程图。控制装置100首先执行步骤S31、S32。在步骤S31中，例如，涂布控制部102通过控制旋转保持部30来使晶圆W的旋转从旋转速度ω1减速为旋转速度ω2。在步骤S32中，例如，涂布控制部102进行等待，直到从使晶圆W的旋转减速为旋转速度ω2起(从晶圆W的旋转速度成为旋转速度ω2起)经过了第一规定期间为止。由此，在步骤S01中被供给到晶圆W的表面Wa的处理液从周缘部向中心部移动(处理液的一部分靠近到中心部)。此外，也可以是，控制装置100在供给处理的步骤S22的执行之后且处理液的供给完成之前开始步骤S31的处理。
接着，控制装置100执行步骤S33、S34。在步骤S33中，例如，涂布控制部102使晶圆W的旋转从旋转速度ω2加速至旋转速度ω3。在步骤S34中，例如，涂布控制部102进行等待，直到从使晶圆W的旋转加速至旋转速度ω3起(从晶圆W的旋转速度成为旋转速度ω3起)经过了第二规定期间为止。由此，在步骤S32中一部分靠近到中心部的状态的处理液沿着晶圆W的表面Wa扩展，从而扩展的处理液的覆膜的干燥进展。第二规定期间被设定为使表面Wa上的处理液的覆膜干燥到规定水平为止。第二规定期间可以比第一规定期间长。当经过了第二规定期间时，一系列的涂布处理过程结束。
(停止处理过程)
图11是表示在上述的供给处理过程和涂布处理过程的执行后进行的停止处理过程的一例的流程图。控制装置100首先执行步骤S41。在步骤S41中，例如，涂布控制部102通过控制旋转保持部30来使晶圆W的旋转停止(将晶圆W的旋转速度从旋转速度ω3变更为0)。可以是，涂布控制部102控制旋转驱动部34，以在比减速期间短的期间完成晶圆W的旋转停止。
接着，控制装置100执行步骤S42。在步骤S42中，例如，控制装置100进行等待，直到从开始执行步骤S41起经过了减速期间为止。在供给开始定时相对于目标定时ts0偏离、从而在供给处理的步骤S18中变更了减速期间的情况下，控制装置100进行等待，直到经过了变更后的减速期间为止。当经过了减速期间时，停止处理过程结束。
(目标修正过程)
控制装置100配合针对多张晶圆W的多个成膜处理的执行来执行修正目标定时ts0的处理(目标修正过程)。图12是表示目标修正过程的一例的流程图。控制装置100首先执行步骤S51、S52。在步骤S51中，例如，当执行1次供给处理(成膜处理)时，累积部120累积在该供给处理中检测出的供给开始定时的实绩信息。累积部120将供给开始定时的检测值作为实绩信息输出到实绩信息存储部122。在步骤S52中，例如，控制装置100判断在实绩信息存储部122中是否累积了规定数量的实绩信息。控制装置100重复步骤S51，直到实绩信息达到规定数量为止。由此，在实绩信息存储部122中存储(累积)表示多次供给处理中的供给开始定时的多个检测值的累积信息。
接着，控制装置100执行步骤S53、S54。在步骤S53中，例如，目标修正部124基于实绩信息存储部122中累积的供给开始定时的累积信息，来计算目标定时ts0的适当值。作为一例，目标修正部124根据累积信息来计算供给定时的平均值，将该平均值计算为适当值。或者，目标修正部124将频度最高的供给定时的检测值计算为适当值。在步骤S54中，例如，目标修正部124将存储于处理信息存储部104的目标定时ts0的设定值变更(更新)为在步骤S53中计算出的适当值。由此，修正目标定时ts0的设定值。
(变形例)
也可以是，控制装置100不基于供给开始定时变更供给完成定时，而基于供给开始定时变更供给用的旋转速度ω1。作为一例，条件变更部110与供给开始定时相对于目标定时ts0的偏离Δt，来变更供给用的旋转速度ω1。在供给开始定时相对于目标定时ts0延迟的情况下(偏离Δt为正值的情况下)，条件变更部110使该供给处理中的供给用的旋转速度ω1比控制条件中决定的基准值大。在供给开始定时相对于目标定时ts0提前的情况下(偏离Δt为负值的情况下)，条件变更部110使该供给处理中的供给用的旋转速度ω1比基准值小。也可以是，条件变更部110使供给用的旋转速度ω1从基准值变化，以使虽然变更供给用的旋转速度ω1但是处理液的供给期间的旋转次数与目标旋转次数Rn0大致一致。
图13是表示变更供给用的旋转速度ω1的情况下的供给处理过程的一例的流程图。控制装置100首先执行步骤S71～步骤S76。步骤S71～步骤S76与步骤S11～步骤S16同样地进行。也就是说，在该情况下，如图14所示，涂布控制部102也在供给处理的初始期间由旋转保持部30使晶圆W以比供给用的旋转速度ω1低的旋转速度ω0旋转。
接着，控制装置100执行步骤S77。在步骤S77中，与步骤S17同样，条件变更部110判断偏离Δt是否不为0。在判断为偏离Δt不为0的情况下(在判断为供给开始定时相对于目标定时ts0偏离的情况下)，控制装置100执行步骤S78。在步骤S78中，例如，条件变更部110与偏离Δt相应地变更供给用的旋转速度ω1，以使处理液的供给期间中的旋转次数不从目标旋转次数Rn0变化。例如，如图14所示，条件变更部110将供给用的旋转速度ω1从基准值ω1r变更为修正值ω1c。在将供给用的旋转速度ω1维持为基准值ω1r的情况下，由于供给开始定时的延迟，导致处理液的供给期间中的旋转次数从目标旋转次数Rn0减少，通过将供给用的旋转速度ω1的设定值变更为比基准值ω1r大的修正值ω1c，抑制旋转次数的上述减少。
在该例子中，条件变更部110虽然变更供给用的旋转速度ω1但是不变更供给完成定时，因此不变更减速期间。在该情况下，如图15的(a)和图15的(b)所示，即使产生偏离Δt，各单位处理的执行期间(成膜处理的执行期间)也不被变更。另一方面，在步骤S77中判断为偏离Δt为0的情况下(在判断为供给开始定时相对于目标定时ts0未产生偏离的情况下)，控制装置100不执行步骤S78。
接着，控制装置100执行步骤S79、S80、S81、S82。步骤S79、S80与步骤S19、S20同样地进行。在步骤S81中，与步骤S11同样的是，涂布控制部102进行等待，直到到达用于使处理液的供给完成的完成指令的输出定时。但是，与步骤S21不同的是，完成指令的输出定时未被与偏离Δt相应地变更。步骤S82与步骤S22同样地进行。
也可以是，在供给处理的步骤S11(步骤S71)中，控制装置100控制旋转保持部30，以使晶圆W以旋转速度ω1旋转。在该情况下，控制装置100也可以省略步骤S20(步骤S80)。像这样，也可以是，控制装置100在包括目标定时ts0的期间(从供给处理一开始起)，由旋转保持部30使晶圆W以供给用的旋转速度ω1旋转。
也可以是，控制装置100(条件变更部110)基于供给开始定时来变更供给完成定时和供给用的旋转速度ω1。在该情况下，控制装置100可以优先地变更供给完成定时和供给用的旋转速度ω1中的任一方。例如，可以是，在优先的一方的应变更的量超过了能够变更的范围的情况下，控制装置100进一步变更另一方。
也可以是，条件变更部110在基于供给开始定时变更了供给完成定时和供给用的旋转速度ω1中的任一方之后，基于处理液的喷出流量来进一步变更供给完成定时和供给用的旋转速度ω1中的另一方。在该情况下，可以是，控制装置100在供给开始定时的检测之后还继续进行从流量测定部48的流量测定值的获取。控制装置100也可以获取对从供给开始起的流量的时间变化进行积分而得到的累计的流量来作为流量的测定值。处理信息存储部104存储的控制条件中也可以包含处理液的供给开始后的流量的目标值(以下称为“目标流量”。)。
也可以是，条件变更部110在与供给开始定时的偏离Δt相应地变更了供给完成定时的情况下，响应于喷出流量相对于目标流量发生偏离(与喷出流量相对于目标流量的偏离相应地)，来变更在检测到喷出流量的该偏离之后的供给用的旋转速度ω1。作为一例，在喷出流量超过目标流量的情况下，条件变更部110可以使供给用的旋转速度ω1增加。也可以是，条件变更部110在与供给开始定时的偏离Δt相应地变更了供给用的旋转速度ω1的情况下，响应于喷出流量相对于目标流量发生偏离(与喷出流量相对于目标流量的偏离相应地)变更供给完成定时。作为一例，在喷出流量超过目标流量的情况下，条件变更部110可以使供给完成定时提前。
[实施方式的效果]
以上说明的实施方式所涉及的涂布显影装置2具备：旋转保持部30，其用于保持晶圆W并使所述晶圆W旋转；处理液供给部40，其用于向保持于旋转保持部30的晶圆W的表面Wa供给处理液；涂布控制部102，其执行供给处理和涂布处理，所述供给处理包括一边由旋转保持部30使晶圆W以供给用的旋转速度ω1旋转、一边由处理液供给部40向该晶圆W的表面Wa供给处理液，所述涂布处理包括在处理液的供给完成之后由旋转保持部30使晶圆W旋转以使处理液沿着晶圆W的表面Wa扩展；供给开始检测部108，其在供给处理的执行过程中基于处理液的喷出流量的时间变化来检测处理液的供给开始定时；以及条件变更部110，其基于供给开始定时来至少变更处理液的供给完成定时或供给用的旋转速度ω1，以抑制因供给开始定时相对于目标定时ts0偏离而引起处理液的供给期间中的晶圆W的旋转次数从目标旋转次数Rn0偏离。
以上说明的实施方式所涉及的基板处理过程包括：保持晶圆W并使所述晶圆W旋转；向晶圆W的表面Wa供给处理液；执行供给处理和涂布处理，所述供给处理包括一边使晶圆W以供给用的旋转速度ω1旋转、一边向该晶圆W的表面Wa供给处理液，所述涂布处理包括在处理液的供给完成之后使晶圆W旋转以使处理液沿着晶圆W的表面Wa扩展；在供给处理的执行过程中基于处理液的喷出流量的时间变化来检测处理液的供给开始定时；以及基于供给开始定时来至少变更处理液的供给完成定时或供给用的旋转速度ω1，以抑制因供给开始定时相对于目标定时ts0偏离而引起处理液的供给期间中的晶圆W的旋转次数从目标旋转次数Rn0偏离。
在向旋转的晶圆W的表面Wa供给处理液的处理中具有以下发现：处理液的供给期间中的旋转次数会对在该处理之后执行的、使处理液沿着表面Wa扩展的处理开始时的处理液的液分布(余量)造成影响。另一方面，在从向晶圆W供给处理液的处理液供给部开始供给处理液的供给开始时间点方面，由于处理液供给部的各要素的个体差异或随时间的变化等，有时供给开始定时产生偏差。当供给定时产生偏差时，处理液的供给期间的旋转次数在作为处理对象的晶圆W之间发生变化，在使处理液沿着表面Wa扩展的处理的开始时，在晶圆W之间产生余量差。当余量差不同时，在晶圆W之间产生膜厚差。
与此相对，在上述涂布显影装置2和基板处理过程中，基于供给开始定时来至少变更供给完成定时或供给用的旋转速度ω1，以抑制旋转次数从目标旋转次数Rn0变化。因此，抑制晶圆W之间的在涂布处理开始时的处理液的余量的偏差(在晶圆W之间的余量差缩小)。因而，上述涂布显影装置2和基板处理过程对降低晶圆W之间的膜厚差有用。
也可以是，条件变更部110与供给开始定时相对于目标定时ts0的偏离Δt相应地变更供给完成定时。在该情况下，能够通过调节供给处理液的时间，来调节旋转次数，以使旋转次数接近目标旋转次数Rn0，因此，容易进行旋转次数的调节。
也可以是，涂布控制部102在涂布处理之后还执行停止处理，在所述停止处理中，由旋转保持部30使晶圆W的旋转在规定的减速期间内停止。也可以是，条件变更部110与供给完成定时的变更相应地变更减速期间。在该情况下，抑制因供给完成定时的变更而引起包括供给处理的一系列的处理的执行期间发生变化。因此，由于无需变更涂布处理的执行期间，因此也降低了对晶圆W之间的涂布处理中的膜厚差的影响。因而，对降低晶圆W之间的膜厚差更有用。
也可以是，条件变更部110在处理液的供给开始之后，还响应于处理液的喷出流量相对于目标流量发生偏离来变更供给用的旋转速度ω1。在该情况下，也抑制晶圆W之间的在供给处理中的处理液的供给量的偏差。因而，对降低晶圆W之间的膜厚差更有用。
也可以是，条件变更部110与供给开始定时相对于目标定时ts0的偏离Δt相应地变更供给用的旋转速度ω1。在该情况下，能够在抑制对供给处理的执行期间的影响的同时，调节旋转次数以使旋转次数接近目标旋转次数Rn0。
也可以是，条件变更部110在处理液的供给开始之后，还响应于处理液的喷出流量相对于目标流量发生偏离来变更供给完成定时。在该情况下，也抑制晶圆W之间的在供给处理中的处理液的供给量的偏差。因而，对降低晶圆W之间的膜厚差更有用。
也可以是，在供给处理中一边由旋转保持部30使晶圆W以供给用的旋转速度ω1旋转、一边由处理液供给部40向该晶圆W的表面Wa供给处理液之前，涂布控制部102还执行以下处理：在包括目标定时ts0的规定的初始期间由旋转保持部30使晶圆W以比供给用的旋转速度ω1低的旋转速度ω0旋转。由于供给开始时的旋转速度小，因此，即使供给开始定时产生偏离Δt，因该偏离Δt而引起的旋转次数的变化量也小。因而，对降低晶圆W之间的膜厚差更有用。
也可以是，以上说明的涂布显影装置2还具备：累积部120，每当执行对晶圆W的供给处理时，累积部120累积供给开始定时的实绩信息；以及目标修正部124，其基于累积实绩信息而得到的累积信息来修正涂布控制部102使处理液供给部40开始供给处理液的开始指令的输出定时与目标定时ts0的间隔。在该结构中，能够根据供给开始定时的偏离Δt的倾向来调节目标定时ts0的设定值。
此外，作为处理对象的基板不限于半导体晶圆，例如也可以是玻璃基板、掩模基板、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。
附图标记说明
1：基板处理系统；2：涂布显影装置；30：旋转保持部；40：处理液供给部；100：控制装置；102：涂布控制部；108：供给开始检测部；110：条件变更部；120：累积部；124：目标修正部；U1：涂布单元；W：晶圆。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，具备：
旋转保持部，其用于保持基板并使所述基板旋转；
处理液供给部，其用于向保持于所述旋转保持部的所述基板的表面供给处理液；
涂布控制部，其执行供给处理和涂布处理，所述供给处理包括一边由所述旋转保持部使所述基板以供给用的旋转速度旋转、一边由所述处理液供给部向该基板的表面供给所述处理液，所述涂布处理包括在所述处理液的供给完成之后由所述旋转保持部使所述基板旋转以使所述处理液沿着所述基板的表面扩展；
供给开始检测部，其在所述供给处理的执行过程中基于所述处理液的喷出流量的时间变化来检测所述处理液的供给开始定时；以及
条件变更部，其基于所述供给开始定时来至少变更所述处理液的供给完成定时，以抑制因所述供给开始定时相对于目标定时偏离而引起所述处理液的供给期间中的所述基板的旋转次数从目标旋转次数偏离，
所述涂布控制部在所述涂布处理之后还执行停止处理，在所述停止处理中，由所述旋转保持部使所述基板的旋转在规定的减速期间内停止，
所述条件变更部与所述供给完成定时的变更相应地变更所述减速期间。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述供给处理中一边由所述旋转保持部使所述基板以所述供给用的旋转速度旋转、一边由所述处理液供给部向该基板的表面供给所述处理液之前，所述涂布控制部还执行以下处理：在包括所述目标定时的规定的初始期间由所述旋转保持部使所述基板以比所述供给用的旋转速度低的旋转速度旋转。
3.一种基板处理装置，具备：
旋转保持部，其用于保持基板并使所述基板旋转；
处理液供给部，其用于向保持于所述旋转保持部的所述基板的表面供给处理液；
涂布控制部，其执行供给处理和涂布处理，所述供给处理包括一边由所述旋转保持部使所述基板以供给用的旋转速度旋转、一边由所述处理液供给部向该基板的表面供给所述处理液，所述涂布处理包括在所述处理液的供给完成之后由所述旋转保持部使所述基板旋转以使所述处理液沿着所述基板的表面扩展；
供给开始检测部，其在所述供给处理的执行过程中基于所述处理液的喷出流量的时间变化来检测所述处理液的供给开始定时；以及
条件变更部，其基于所述供给开始定时来至少变更所述处理液的供给完成定时，以抑制因所述供给开始定时相对于目标定时偏离而引起所述处理液的供给期间中的所述基板的旋转次数从目标旋转次数偏离，
所述条件变更部在所述处理液的供给开始之后，还响应于所述处理液的喷出流量相对于目标流量发生偏离来变更所述供给用的旋转速度。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述供给处理中一边由所述旋转保持部使所述基板以所述供给用的旋转速度旋转、一边由所述处理液供给部向该基板的表面供给所述处理液之前，所述涂布控制部还执行以下处理：在包括所述目标定时的规定的初始期间由所述旋转保持部使所述基板以比所述供给用的旋转速度低的旋转速度旋转。
5.一种基板处理装置，具备：
旋转保持部，其用于保持基板并使所述基板旋转；
处理液供给部，其用于向保持于所述旋转保持部的所述基板的表面供给处理液；
涂布控制部，其执行供给处理和涂布处理，所述供给处理包括一边由所述旋转保持部使所述基板以供给用的旋转速度旋转、一边由所述处理液供给部向该基板的表面供给所述处理液，所述涂布处理包括在所述处理液的供给完成之后由所述旋转保持部使所述基板旋转以使所述处理液沿着所述基板的表面扩展；
供给开始检测部，其在所述供给处理的执行过程中基于所述处理液的喷出流量的时间变化来检测所述处理液的供给开始定时；以及
条件变更部，其基于所述供给开始定时来至少变更所述供给用的旋转速度，以抑制因所述供给开始定时相对于目标定时偏离而引起所述处理液的供给期间中的所述基板的旋转次数从目标旋转次数偏离。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述条件变更部在所述处理液的供给开始之后，还响应于所述处理液的喷出流量相对于目标流量发生偏离来变更所述处理液的供给完成定时。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述供给处理中一边由所述旋转保持部使所述基板以所述供给用的旋转速度旋转、一边由所述处理液供给部向该基板的表面供给所述处理液之前，所述涂布控制部还执行以下处理：在包括所述目标定时的规定的初始期间由所述旋转保持部使所述基板以比所述供给用的旋转速度低的旋转速度旋转。
8.一种基板处理装置，具备：
旋转保持部，其用于保持基板并使所述基板旋转；
处理液供给部，其用于向保持于所述旋转保持部的所述基板的表面供给处理液；
涂布控制部，其执行供给处理和涂布处理，所述供给处理包括一边由所述旋转保持部使所述基板以供给用的旋转速度旋转、一边由所述处理液供给部向该基板的表面供给所述处理液，所述涂布处理包括在所述处理液的供给完成之后由所述旋转保持部使所述基板旋转以使所述处理液沿着所述基板的表面扩展；
供给开始检测部，其在所述供给处理的执行过程中基于所述处理液的喷出流量的时间变化来检测所述处理液的供给开始定时；
条件变更部，其基于所述供给开始定时来至少变更所述处理液的供给完成定时或所述供给用的旋转速度，以抑制因所述供给开始定时相对于目标定时偏离而引起所述处理液的供给期间中的所述基板的旋转次数从目标旋转次数偏离；
累积部，每当执行对所述基板的所述供给处理时，所述累积部累积所述供给开始定时的实绩信息；以及
目标修正部，其基于累积所述实绩信息而得到的累积信息来修正所述涂布控制部使所述处理液供给部开始供给所述处理液的开始指令的输出定时与所述目标定时的间隔。
9.一种基板处理方法，包括：
保持基板并使所述基板旋转；
向所述基板的表面供给处理液；
执行供给处理和涂布处理，所述供给处理包括一边使所述基板以供给用的旋转速度旋转、一边向该基板的表面供给所述处理液，所述涂布处理包括在所述处理液的供给完成之后使所述基板旋转以使所述处理液沿着所述基板的表面扩展；
在所述供给处理的执行过程中基于所述处理液的喷出流量的时间变化来检测所述处理液的供给开始定时；
基于所述供给开始定时来至少变更所述处理液的供给完成定时，以抑制因所述供给开始定时相对于目标定时偏离而引起所述处理液的供给期间中的所述基板的旋转次数从目标旋转次数偏离；
在所述涂布处理之后还执行停止处理，在所述停止处理中，使所述基板的旋转在规定的减速期间内停止；以及
与所述供给完成定时的变更相应地变更所述减速期间。
10.一种基板处理方法，包括：
保持基板并使所述基板旋转；
向所述基板的表面供给处理液；
执行供给处理和涂布处理，所述供给处理包括一边使所述基板以供给用的旋转速度旋转、一边向该基板的表面供给所述处理液，所述涂布处理包括在所述处理液的供给完成之后使所述基板旋转以使所述处理液沿着所述基板的表面扩展；
在所述供给处理的执行过程中基于所述处理液的喷出流量的时间变化来检测所述处理液的供给开始定时；
基于所述供给开始定时来至少变更所述处理液的供给完成定时，以抑制因所述供给开始定时相对于目标定时偏离而引起所述处理液的供给期间中的所述基板的旋转次数从目标旋转次数偏离；以及
在所述处理液的供给开始之后，还响应于所述处理液的喷出流量相对于目标流量发生偏离来变更所述供给用的旋转速度。
11.一种基板处理方法，包括：
保持基板并使所述基板旋转；
向所述基板的表面供给处理液；
执行供给处理和涂布处理，所述供给处理包括一边使所述基板以供给用的旋转速度旋转、一边向该基板的表面供给所述处理液，所述涂布处理包括在所述处理液的供给完成之后使所述基板旋转以使所述处理液沿着所述基板的表面扩展；
在所述供给处理的执行过程中基于所述处理液的喷出流量的时间变化来检测所述处理液的供给开始定时；以及
基于所述供给开始定时来至少变更所述供给用的旋转速度，以抑制因所述供给开始定时相对于目标定时偏离而引起所述处理液的供给期间中的所述基板的旋转次数从目标旋转次数偏离。
12.一种基板处理方法，包括：
保持基板并使所述基板旋转；
向所述基板的表面供给处理液；
执行供给处理和涂布处理，所述供给处理包括一边使所述基板以供给用的旋转速度旋转、一边向该基板的表面供给所述处理液，所述涂布处理包括在所述处理液的供给完成之后使所述基板旋转以使所述处理液沿着所述基板的表面扩展；
在所述供给处理的执行过程中基于所述处理液的喷出流量的时间变化来检测所述处理液的供给开始定时；
基于所述供给开始定时来至少变更所述处理液的供给完成定时或所述供给用的旋转速度，以抑制因所述供给开始定时相对于目标定时偏离而引起所述处理液的供给期间中的所述基板的旋转次数从目标旋转次数偏离，
每当执行对所述基板的所述供给处理时，累积所述供给开始定时的实绩信息；以及
基于累积所述实绩信息而得到的累积信息来修正使得开始供给所述处理液的开始指令的输出定时与所述目标定时的间隔。
13.一种计算机可读取的存储介质，其存储有使装置执行根据权利要求9～12中的任一项所述的基板处理方法的程序。
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