CN111684569B - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 Download PDF

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Abstract

涂布/显影装置(2)具备：去除液供给部(50)，其具有用于向晶圆(W)的周缘部喷出去除液的去除液喷嘴(52)；驱动部(60)，其使包括去除液喷嘴(52)的移动体(51)移动；传感器(70)，其检测与移动体(51)的位置有关的信息；以及控制部(100)，其构成为执行以下控制：向驱动部(60)输出用于使移动体(51)从将去除液喷嘴(52)配置于晶圆(W)的周缘(Wc)外的第一位置(P1)移动至将去除液喷嘴(52)配置于晶圆(W)的周缘部上的第二位置(P2)的控制指令；以及基于在移动体(51)从第一位置(P1)向第二位置(P2)移动的中途由传感器(70)检测出的信息同控制指令的关系来校正控制指令，以使移动体(51)的移动完成位置与第二位置(P2)的偏差缩小。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
背景技术
在专利文献1中公开了一种装置，其具备：喷嘴机构，其将形成于半导体基板周边端部的药剂膜溶解并去除；传感器，其安装于喷嘴机构，探测半导体基板周边部的位置；驱动机构，其使喷嘴机构移动；以及控制系统，其基于由传感器探测到的信号来控制驱动机构，使得药剂膜的周边部以期望的宽度被溶解并去除。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7-142332号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的目的在于提供一种有效提高处理液的在基板的周缘部上的供给位置的精度的基板处理装置。
用于解决问题的方案
本公开所涉及的基板处理装置具备：液供给部，其具有用于向基板的周缘部喷出处理液的喷嘴；驱动部，其使包括喷嘴的移动体移动；传感器，其检测与移动体的位置有关的信息；以及控制部，其构成为执行以下控制：向驱动部输出用于使移动体从将喷嘴配置于基板的周缘外的第一位置移动至将喷嘴配置于基板的周缘部上的第二位置的控制指令；以及基于在移动体从第一位置向第二位置移动的中途由传感器检测出的信息与控制指令的关系来校正控制指令，以使移动体的移动完成位置与第二位置的偏差缩小。
根据本基板处理装置，在移动体移动的中途检测与移动体的位置有关的信息，并且基于该信息来校正控制指令，由此能够缩小移动体的移动完成位置与第二位置的偏差。此外，根据基于与移动体的位置有关的信息同控制指令的关系的方式，无需如检测基板的周缘的方式那样在移动体自身配置传感器，因此能够避免由于传感器的配置引起的移动体的大型化等。另外，通过基于与移动体的位置有关的信息同控制指令的关系，不用检测基板的周缘等，能够在任意的定时以持有富余的方式校正控制指令。因而，本基板处理装置对于提高处理液的在基板的周缘部上的供给位置的精度是有效的。
控制部可以构成为还执行以下控制：控制驱动部，以使移动体在喷嘴到达基板的周缘上之前暂时停止从第一位置向第二位置移动，并且所述控制部基于在移动体暂时停止从第一位置向第二位置移动时由传感器检测出的信息来校正控制指令。在该情况下，能够在喷嘴到达基板的周缘部上之前的定时以持有富余的方式校正控制指令。
控制部可以构成为还执行以下控制：控制液供给部，以使喷嘴在移动体暂时停止从第一位置向第二位置移动时喷出处理液。在该情况下，利用暂时停止的定时开始进行处理液的喷出，能够抑制开始喷出时的处理液中包含的微粒附着于基板。
控制部可以构成为：在移动体暂时停止从第一位置向第二位置的移动的期间开始后，基于在经过用于使移动体的振动衰减的待机时间后由传感器检测出的信息来校正控制指令。在该情况下，能够抑制由于由传感器检测的信息的偏差使得处理液的供给位置的精度下降。
控制部可以构成为：在移动体暂时停止从第一位置向第二位置的移动的期间开始后，导出在比移动体的振动周期长的规定期间由传感器检测出的信息的统计值，基于该统计值来校正控制指令。在该情况下，能够抑制由于位置信息的偏差使得处理液的供给位置的精度下降。
控制部可以构成为还执行以下控制：基于与校正后的控制指令相应的移动体的移动完成位置与第二位置的偏差，来调整控制指令的校正量。在该情况下，能够进一步缩小移动体的移动完成位置与第二位置的偏差。
本公开所涉及的基板处理方法包括：控制驱动部，以使包括向基板的周缘部喷出处理液的喷嘴的移动体从将喷嘴配置于基板的周缘外的第一位置移动至将喷嘴配置于基板的周缘部上的第二位置；以及基于在移动体从第一位置向第二位置移动的中途检测出的与移动体的位置有关的信息同针对驱动部的控制指令的关系来校正针对驱动部的控制指令，以使移动体的移动完成位置与第二位置的偏差缩小。
本公开所涉及的存储介质为存储有用于使装置执行上述基板处理方法的程序的、计算机可读取的存储介质。
发明的效果
根据本公开，能够提供对于提高处理液的在基板的周缘部上的供给位置的精度有效的基板处理装置。
附图说明
图1是表示基板液处理系统的概要结构的立体图。
图2是表示基板处理装置的概要结构的截面图。
图3是表示涂布单元的概要结构的示意图。
图4是表示控制部的硬件结构的框图。
图5是表示成膜处理过程的流程图。
图6是表示涂布处理过程的流程图。
图7是表示涂布处理的执行期间的晶圆的状态的示意图。
图8是表示周缘去除处理过程的流程图。
图9是表示周缘去除处理过程的流程图。
图10是表示周缘去除处理的执行期间的晶圆的状态的示意图。
图11是表示周缘去除处理的执行期间的晶圆的状态的示意图。
图12是例示动作次数与相对于目标位置的偏离量的关系的曲线图。
图13是表示周缘去除处理过程的变形例的流程图。
图14是表示周缘去除处理过程的变形例的流程图。
图15是表示周缘去除处理过程的其它变形例的流程图。
图16是表示周缘去除处理过程的其它变形例的流程图。
具体实施方式
〔基板处理系统〕
基板处理系统1为对基板实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的基板例如为半导体的晶圆W。感光性覆膜例如为抗蚀膜。基板处理系统1具备涂布/显影装置2和曝光装置3。曝光装置3对形成于晶圆W(基板)上的抗蚀膜(感光性覆膜)进行曝光处理。具体地说，通过浸液曝光等方法对抗蚀膜的曝光对象部分照射能量线。涂布/显影装置2在曝光装置3进行曝光处理之前进行在晶圆W(基板)的表面形成抗蚀膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀膜的显影处理。
〔基板处理装置〕
下面，作为基板处理装置的一例，说明涂布/显影装置2的结构。如图1和图2所示，涂布/显影装置2具备承载件块4、处理块5、接口块6以及控制部100。
承载件块4向涂布/显影装置2内导入晶圆W并且从涂布/显影装置2内导出晶圆W。例如，承载件块4能够支承晶圆W所用的多个承载件C，并且内置有交接臂A1。承载件C例如收容多张圆形的晶圆W。交接臂A1从承载件C取出晶圆W并将该晶圆W交至处理块5，从处理块5接受晶圆W并将该晶圆W送回承载件C内。
处理块5具有多个处理模块11、12、13、14。处理模块11、12、13内置有涂布单元U1、热处理单元U2以及向这些单元搬送晶圆W的搬送臂A3。
处理模块11通过涂布单元U1和热处理单元U2在晶圆W的表面上形成下层膜。处理模块11的涂布单元U1在晶圆W上涂布用于形成下层膜的处理液。处理模块11的热处理单元U2进行伴随下层膜的形成而执行的各种热处理。
处理模块12通过涂布单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀膜。处理模块12的涂布单元U1在下层膜之上涂布用于形成抗蚀膜的处理液。处理模块12的热处理单元U2进行伴随抗蚀膜的形成而执行的各种热处理。
处理模块13通过涂布单元U1和热处理单元U2在抗蚀膜上形成上层膜。处理模块13的涂布单元U1在抗蚀膜之上涂布用于形成上层膜的液体。处理模块13的热处理单元U2进行伴随上层膜的形成而执行的各种热处理。
处理模块14内置有显影单元U3、热处理单元U4以及向这些单元搬送晶圆W的搬送臂A3。
处理模块14通过显影单元U3和热处理单元U4对曝光后的抗蚀膜进行显影处理。显影单元U3在曝光完毕的晶圆W的表面上涂布显影液，之后通过利用冲洗液将该显影液冲掉来进行抗蚀膜的显影处理。热处理单元U4进行伴随显影处理而执行的各种热处理。作为热处理的具体例，列举显影处理前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake：曝光后烘烤)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake：后烘)等。
在处理块5内的靠承载件块4侧设置有架单元U10。架单元U10被划分为沿上下方向排列的多个层格。在架单元U10的附近设置有升降臂A7。升降臂A7使晶圆W在架单元U10的层格之间升降。
在处理块5内的靠接口块6侧设置有架单元U11。架单元U11被划分为沿上下方向排列的多个层格。
接口块6与曝光装置3之间进行晶圆W的交接。例如，接口块6内置有交接臂A8，并且与曝光装置3连接。交接臂A8将配置于架单元U11的晶圆W交至曝光装置3，从曝光装置3接受晶圆W并将该晶圆W送回架单元U11。
控制部100控制涂布/显影装置2，使之例如按以下的过程执行涂布/显影处理。首先，控制部100控制交接臂A1，以将承载件C内的晶圆W搬送至架单元U10，并且控制升降臂A7，以将该晶圆W配置于处理模块11用的层格。
接着，控制部100控制搬送臂A3，以将架单元U10的晶圆W搬送至处理模块11内的涂布单元U1和热处理单元U2，并且控制涂布单元U1和热处理单元U2，以在该晶圆W的表面上形成下层膜。之后，控制部100控制搬送臂A3，以将形成有下层膜的晶圆W送回架单元U10，并且控制升降臂A7，以将该晶圆W配置于处理模块12用的层格。
接着，控制部100控制搬送臂A3，以将架单元U10的晶圆W搬送至处理模块12内的涂布单元U1和热处理单元U2，并且控制涂布单元U1和热处理单元U2，以在该晶圆W的下层膜上形成抗蚀膜。之后，控制部100控制搬送臂A3，以将晶圆W送回架单元U10，并且控制升降臂A7，以将该晶圆W配置于处理模块13用的层格。
接着，控制部100控制搬送臂A3，以将架单元U10的晶圆W搬送至处理模块13内的各单元，并且控制涂布单元U1和热处理单元U2，以在该晶圆W的抗蚀膜上形成上层膜。之后，控制部100控制搬送臂A3，以将晶圆W搬送至架单元U11。
接着，控制部100控制交接臂A8，以将架单元U11的晶圆W送出至曝光装置3。之后，控制部100控制交接臂A8，以从曝光装置3接受被实施了曝光处理的晶圆W，并将晶圆W配置于架单元U11中的处理模块14用的层格。
接着，控制部100控制搬送臂A3，以将架单元U11的晶圆W搬送至处理模块14内的各单元，并且控制显影单元U3和热处理单元U4，以对该晶圆W的抗蚀膜实施显影处理。之后，控制部100控制搬送臂A3，以将晶圆W送回架单元U10，并且控制升降臂A7和交接臂A1，以将该晶圆W送回承载件C内。通过以上过程，涂布/显影处理完成。
此外，基板处理装置的具体结构不限于以上所例示的涂布/显影装置2的结构。基板处理装置可以为具备涂布单元U1和能够控制该涂布单元U1的控制部100的任意的基板处理装置。
〔涂布单元〕
接着，具体地说明上述涂布单元U1的结构。如图3所示，涂布单元U1具备旋转保持部20、涂布液供给部30、驱动部40、去除液供给部50、驱动部60以及传感器70。
旋转保持部20保持晶圆W并且使其旋转。例如，旋转保持部20具有保持部21和旋转驱动部22。保持部21支承以表面Wa向上的方式水平地配置的晶圆W的中心部，例如通过真空吸附等保持该晶圆W。旋转驱动部22例如为以电动马达等为动力源的致动器，使保持部21绕铅垂的旋转中心CL1旋转。由此，晶圆W也旋转。
涂布液供给部30向晶圆W的表面Wa供给涂布液(例如用于形成下层膜、抗蚀膜或上层膜的处理液)。涂布液供给部30具有涂布液源33和包括用于向晶圆W喷出涂布液的涂布液喷嘴32的移动体31。涂布液喷嘴32在晶圆W的表面Wa侧(下方)具有开口，向下方喷出涂布液。涂布液源33向涂布液喷嘴32供给涂布液。
驱动部40使包括涂布液喷嘴32的移动体31移动。例如，驱动部40具有电动马达等动力源41以及将动力源41的电力传递至移动体31的传递机构42。传递机构42例如具有减速机43、同步带44等，将动力源41的转矩转换为平移力并传递至移动体31。
去除液供给部50向晶圆W的表面Wa的周缘部(周缘Wc的附近部分)供给用于去除成分为涂布液的覆膜的处理液(下面将其称作“去除液”。)。去除液供给部50具有去除液源53以及包括用于向晶圆W的周缘部喷出去除液的去除液喷嘴52的移动体51。去除液喷嘴52向晶圆W的表面Wa侧(下方)开口，向下方喷出去除液。去除液源53向去除液喷嘴52供给去除液。去除液例如为使成分为涂布液的覆膜溶解的有机溶剂。
驱动部60使包括去除液喷嘴52的移动体51移动。例如，驱动部60具有电动马达等动力源61以及将动力源61的动力传递至移动体51的去除液喷嘴52。动力源61可以为能够以开环方式(不伴有控制量的反馈的控制方式)进行控制的马达，也可以为能够以闭环方式(伴有控制量的反馈的控制方式)进行控制的马达。作为能够以开环方式进行控制的马达的具体例，列举步进马达等。作为能够以闭环方式进行控制的马达的具体例，列举伺服马达等。
传递机构62例如具有减速机63、同步带64等，将动力源61的转矩转换为平移力并传递至移动体51。在具有这样的传递机构62的情况下，移动体51的位置可能产生由于传递机构62的特性引起的误差(例如由减速机63的背隙和同步带64的伸长)引起的误差。另外，由于传递机构62的特性变化(例如同步带64的伸长量的变化)会引起该误差随时间而变化。
传感器70检测与移动体51的位置有关的信息。与移动体51的位置有关的信息可以为直接表示移动体51的位置的信息，也可以为间接表示移动体51的位置的信息。作为传感器70的具体例，列举通过光学式或磁性等的线性标尺来检测移动体51的位置的位置传感器、激光位移计等非接触式的距离传感器等。另外，传感器70例如可以为光遮断器等检测移动体51到达该设置位置的传感器。在该情况下，能够检测移动体51到达该设置位置的到达时刻来作为与位置有关的信息。还能够基于到达时刻相对于目标时刻(忽略了上述的误差的设计上的时刻)的延迟或超前来得到与位置有关的信息。
如以上那样构成的涂布单元U1由控制部100进行控制。控制部100构成为执行以下控制：向驱动部60输出用于使移动体51从将去除液喷嘴52配置于晶圆W的周缘Wc外的第一位置P1移动至将去除液喷嘴52配置于晶圆W的周缘部上的第二位置P2的控制指令；以及基于在移动体51从第一位置P1向第二位置P2移动的中途由传感器70检测出的信息与控制指令的关系来校正控制指令，以使移动体51的移动完成位置与第二位置P2的偏差缩小。
控制部100可以构成为还执行以下控制：控制驱动部60以使移动体51在来自去除液喷嘴52的去除液的供给位置到达晶圆W的周缘Wc之前暂时停止从第一位置P1向第二位置P2移动，并且基于在移动体51暂时停止从第一位置P1向第二位置P2移动时由传感器70检测出的信息来校正控制指令。控制部100可以构成为还执行以下控制：控制去除液供给部50，以使去除液喷嘴52在移动体51暂时停止从第一位置P1向第二位置P2移动时喷出去除液。控制部100可以构成为：在移动体51暂时停止从第一位置P1向第二位置P2移动的期间开始后，基于在经过用于使移动体51的振动衰减的待机时间后由传感器70检测出的信息来校正控制指令。控制部100可以构成为：在移动体51暂时停止从第一位置P1向第二位置P2移动的期间开始后，导出在比移动体51的振动周期长的规定期间由传感器70检测出的信息的统计值，基于该统计值来校正控制指令。
例如，控制部100具有旋转控制部119、涂布液喷嘴移动控制部112、涂布液供给控制部111、去除液喷嘴移动控制部114、去除液供给控制部113、控制指令保持部116、控制指令校正部117以及校正量调整部118，来作为功能上的结构(下面称作“功能模块”。)。
旋转控制部119控制旋转保持部20，使之保持晶圆W并使该晶圆W旋转。涂布液喷嘴移动控制部112控制驱动部40，以使移动体31在将涂布液喷嘴32配置于被旋转保持部20保持的晶圆W的周缘Wc外的待机位置与将涂布液喷嘴32配置于该晶圆W的表面Wa的中心上的涂布目标位置之间移动。
涂布液供给控制部111控制涂布液供给部30，设置向被旋转控制部119保持的晶圆W的表面Wa供给涂布液。例如，涂布液供给控制部111控制涂布液供给部30，以使涂布液源33在移动体31处于涂布目标位置的状态下向涂布液喷嘴32供给涂布液。
去除液喷嘴移动控制部114控制驱动部60，以使移动体51在将去除液喷嘴52配置于被旋转保持部20保持的晶圆W的周缘Wc外的待机位置(第一位置)与将去除液喷嘴52配置于该晶圆W的周缘部上的去除目标位置(第二位置)之间移动。例如，去除液喷嘴移动控制部114向驱动部60输出用于使移动体51从上述待机位置移动至上述去除目标位置的控制指令(下面称作“往路控制指令”。)和用于使移动体51从上述去除目标位置移动至上述待机位置的控制指令(下面称作“复路控制指令”。)。去除液喷嘴移动控制部114可以构成为以上述开环方式控制驱动部60，也可以构成为以上述闭环方式控制驱动部60。
去除液喷嘴移动控制部114可以构成为还执行以下控制：控制驱动部60，以使移动体51在去除液喷嘴52到达晶圆W的周缘Wc上之前暂时停止从待机位置向去除目标位置移动。去除液喷嘴52到达晶圆W的周缘Wc上是指去除液喷嘴52的开口的中心线与沿着表面Wa的平面之间的交点到达周缘Wc。暂时停止是指按照控制指令进行的移动停止。即，在按照控制指令进行的移动停止后，由于惯性引起的振动持续的状态也属于暂时停止的状态。
去除液供给控制部113控制去除液供给部50，以使去除液喷嘴52向晶圆W的周缘部喷出去除液。例如，去除液供给控制部113控制去除液供给部50，以使去除液源53至少在去除液喷嘴52处于晶圆W的周缘部上的状态下向去除液喷嘴52供给去除液。去除液供给控制部113可以控制去除液供给部50，以使去除液喷嘴52在移动体51暂时停止从待机位置向去除目标位置移动时喷出去除液。例如，去除液供给控制部113可以控制去除液供给部50，以使去除液源53在移动体51暂时停止从待机位置向去除目标位置移动时开始向去除液喷嘴52供给去除液，之后继续从去除液源53向去除液喷嘴52供给去除液直至针对晶圆W的周缘部进行的去除液的喷出完成为止。
控制指令保持部116存储上述往路控制指令和上述复路控制指令。控制指令校正部117基于在移动体51的从待机位置向去除目标位置移动的中途由传感器70检测出的信息与往路控制指令的关系来校正往路控制指令，以使移动体51的移动完成位置与去除目标位置的偏差缩小。例如，控制指令校正部117基于由传感器70检测出的信息与往路控制指令的关系，来计算移动体51的位置相对于往路控制指令的偏差，并且校正往路控制指令以使该偏差缩小。更具体地说，在基于由传感器70检测出的信息得到的移动体51的位置没有到达该信息的检测时间点的目标位置(忽略了误差的情况下的设计上的到达预定位置)的情况下，控制指令校正部117校正往路控制指令，以使该检测时间点以后的移动体51的移动距离延长。另一方面，在基于由传感器70检测出的信息得到的移动体51的位置超过该信息的检测时间点的目标位置的情况下，控制指令校正部117校正往路控制指令，以使该检测时间点以后的移动体51的移动距离缩短。
此外，在传感器70为检测移动体51到达该设置位置的传感器的情况下，控制指令校正部117如以下那样校正控制指令。即，在移动体51到达传感器70的设置位置的到达时刻比目标时刻晚的情况下，控制指令校正部117校正往路控制指令，以使上述检测时间点以后的移动体51的移动距离延长。另一方面，在移动体51到达传感器70的设置位置的到达时刻比目标时刻早的情况下，控制指令校正部117校正往路控制指令，以使上述检测时间点以后的移动体51的移动距离缩短。
控制指令校正部117可以构成为：基于在移动体51暂时停止从待机位置向去除目标位置移动时由传感器70检测出的信息，来校正往路控制指令。控制指令校正部117可以构成为：在移动体51暂时停止从待机位置向去除目标位置移动的期间开始后，基于在经过用于使移动体51的振动衰减的待机时间后由传感器70检测出的信息来校正控制指令。控制指令校正部117可以构成为：在移动体51暂时停止从待机位置向去除目标位置移动的期间开始后，导出在比移动体51的振动周期长的规定期间由传感器70检测出的信息的统计值(例如平均值)，基于该统计值来校正控制指令。
校正量调整部118基于与由控制指令校正部117校正后的往路控制指令相应的移动体51的移动完成位置与去除目标位置的偏差，来调整控制指令校正部117对控制指令的校正量。控制指令校正部117对控制指令的校正量例如是使上述检测时间点以后的移动体51的移动距离延长或缩短的量。
更具体地说，校正量调整部118基于与由控制指令校正部117校正后的往路控制指令相应的移动体51的移动完成位置与去除目标位置的偏差，在判断为校正量过小的情况下增加校正量，在判断为校正量过大的情况下减小校正量。作为判断为校正量过小的情况下的具体例，列举以下情况：尽管使上述检测时间点以后的移动距离延长了，移动体51的移动完成位置仍没有到达去除目标位置；以及尽管使上述检测时间点以后的移动距离缩短了，移动体51的移动完成位置还是超过了去除目标位置。作为判断为校正量过大的情况下的具体例，列举以下情况：使上述检测时间点以后的移动距离延长了的结果是移动体51的移动完成位置超过了去除目标位置；以及使上述检测时间点以后的移动距离缩短了的结果是移动体51的移动完成位置没有到达去除目标位置。
控制部100由一个或多个控制用计算机构成。例如，控制部100具有图4所示的电路120。电路120具有一个或多个处理器121、存储器122、存储装置123、输入输出端口124以及计时器125。存储装置123具有例如硬盘等可由计算机读取的存储介质。存储介质存储有用于使涂布单元U1执行后述的基板处理过程的程序。存储介质可以为非易失性的半导体存储器、磁盘、光盘等可取出的介质。存储器122暂时地存储从存储装置123的存储介质加载来的程序和处理器121的运算结果。处理器121通过与存储器122协作地执行上述程序来构成上述的各功能模块。输入输出端口124按照来自处理器121的指令，与旋转保持部20、涂布液供给部30、驱动部40、去除液供给部50、驱动部60以及传感器70之间进行电信号的输入输出。计时器125例如通过对固定周期的基准脉冲进行计数来测量经过时间。此外，控制部100的硬件结构未必限于通过程序来构成各功能模块。例如控制部100的各功能模块可以由专用的逻辑电路或将该专用的逻辑电路集成所得到的ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit：专用集成电路)构成。
〔成膜处理过程〕
下面，作为基板处理方法的一例，说明在涂布单元U1中执行的成膜处理过程。如图5所示，控制部100首先依次执行步骤S01、S02。在步骤S01中，旋转控制部119控制旋转保持部20，以使旋转驱动部22在保持部21保持着晶圆W的状态下开始进行晶圆W的旋转。步骤S02为控制涂布液供给部30和驱动部40以在晶圆W的表面Wa上进行涂布液的涂布的步骤。在后文中叙述具体的内容。
接着，控制部100依次执行步骤S03、S04。步骤S03、S04为控制旋转保持部20以使通过步骤S02形成的涂布液的液膜干燥来形成覆膜的步骤。在步骤S03中，旋转控制部119控制旋转保持部20，以使晶圆W的旋转速度变更为预先设定的用于干燥的旋转速度。在步骤S04中，旋转控制部119在经过预先设定的干燥期间之前待机。
接着，控制部100依次执行步骤S05、S06。步骤S05、S06为控制去除液供给部50和驱动部60以将通过步骤S02、S03、S04形成的覆膜的周缘部去除的步骤。在步骤S05中，旋转控制部119控制旋转保持部20，以使晶圆W的旋转速度变更为预先设定的用于去除周缘的旋转速度。步骤S06为控制去除液供给部50和驱动部60以向晶圆W的周缘部供给去除液的步骤。在后文中叙述具体的内容。
接着，控制部100依次执行步骤S07、S08、S09。在步骤S07中，旋转控制部119控制旋转保持部20，以使晶圆W的旋转速度变更为预先设定的用于干燥的旋转速度。在步骤S08中，旋转控制部119在经过预先设定的干燥期间之前待机。在步骤S09中，旋转控制部119控制旋转保持部20，以使通过旋转驱动部22进行的晶圆W的旋转停止。通过以上步骤，成膜过程完成。
(涂布处理过程)
接着，例示上述的步骤S02的具体过程。如图6所示，控制部100依次执行步骤S11、S12、S13、S14、S15。在步骤S11中，涂布液喷嘴移动控制部112控制驱动部40，以使移动体31从上述待机位置移动至上述涂布目标位置。由此，涂布液喷嘴32移动至晶圆W的中心上(参照图7的(a))。在步骤S12中，涂布液供给控制部111控制涂布液供给部30，以使涂布液源33开始向涂布液喷嘴32供给涂布液L1(参照图7的(b))。在步骤S13中，涂布液供给控制部111在经过预先设定的涂布期间之前待机。在步骤S14中，涂布液供给控制部111控制涂布液供给部30，以使涂布液源33停止向涂布液喷嘴32供给涂布液。在步骤S15中，涂布液喷嘴移动控制部112控制驱动部40，以使移动体31从上述涂布目标位置移动至上述待机位置(参照图7的(c))。由此，涂布液喷嘴32移动至晶圆W的周缘Wc外。通过以上步骤，涂布处理过程完成。通过执行涂布处理过程，在晶圆W的表面Wa上形成涂布液L1的液膜。
(周缘去除处理过程)
接着，例示上述的步骤S06的具体过程。该过程包括：控制驱动部60，以使移动体51从上述待机位置移动至上述去除目标位置；以及基于在移动体51的从待机位置向去除目标位置移动的中途检测出的与移动体51的位置有关的信息同针对驱动部60的控制指令的关系，来校正针对驱动部60的控制指令，以使移动体51的移动完成位置与去除目标位置的偏差缩小。
如图8所示，控制部100首先执行步骤S21。在步骤S21中，去除液喷嘴移动控制部114向驱动部60输出使移动体51从待机位置移动至暂时停止目标位置的控制指令(下面称作“往路第一控制指令”。)。驱动部60在根据往路第一控制指令使移动体51移动后，使该移动体51暂时停止(参照图10的(a))。暂时停止目标位置被设定为去除液喷嘴52不会到达晶圆W的周缘Wc上的位置。
接着，控制部100执行步骤S22、S23、S24。在步骤S22中，控制指令校正部117在经过预先设定的为了使移动体51的振动衰减的待机时间之前待机。在步骤S23中，控制指令校正部117获取由传感器70检测出的信息。在步骤S24中，控制指令校正部117基于在步骤S23中获取到的信息与往路控制指令的关系来校正往路控制指令，以使移动体51的移动完成位置与去除目标位置的偏差缩小。例如，控制指令校正部117根据基于在步骤S23中获取到的信息得到的移动体51的位置(下面称作“当前位置”。)与上述暂时停止目标位置的关系，来计算移动体51的位置相对于往路控制指令的偏差，并且校正从暂时停止目标位置到去除目标位置的控制指令(下面称作“往路第二控制指令”。)，以使该偏差缩小。更具体地说，在移动体51的当前位置没有到达上述暂时停止目标位置的情况下，控制指令校正部117校正往路第二控制指令，以使再次开始移动后的移动体51的移动距离延长。另一方面，在移动体51的当前位置超过了上述暂时停止目标位置的情况下，控制指令校正部117校正往路第二控制指令，以使再次开始移动后的移动体51的移动距离缩短。
接着，控制部100执行步骤S25、S26、S27。在步骤S25中，去除液供给控制部113控制去除液供给部50，以使去除液源53开始向去除液喷嘴52供给去除液L2(参照图10的(b))。在步骤S26中，去除液喷嘴移动控制部114在经过预先设定的虚拟喷出时间之前待机。在步骤S27中，向驱动部60输出在步骤S24中进行了校正的往路第二控制指令。驱动部60根据往路第二控制指令使移动体51再次开始移动，并且使移动体51在移动至去除目标位置或其附近后暂时停止。由此，向晶圆W的周缘部供给去除液L2(参照图10的(c))。
如图9所示，控制部100接着依次执行步骤S31、S32、S33。在步骤S31中，校正量调整部118在经过预先设定的为了使移动体51的振动衰减的待机时间之前待机。在步骤S32中，校正量调整部118获取由传感器70检测出的信息。在步骤S33中，校正量调整部118根据基于在步骤S32中获取到的信息得到的移动体51的位置(下面称作“当前位置”。)与去除目标位置的偏差，来调整下次以后的步骤S24中的控制指令的校正量。更具体地说，校正量调整部118基于移动体51的当前位置与去除目标位置的偏差，在判断为步骤S24中的校正量过小的情况下，使下次以后的步骤S24中的校正量增加，在判断为步骤S24中的校正量过大的情况下，使下次以后的步骤S24中的校正量减小。例如，校正量调整部118在尽管在步骤S24中使再次开始移动后的移动距离延长了、移动体51的当前位置仍没有到达去除目标位置的情况下或者尽管在步骤S24中使再次开始移动后的移动距离缩短了、移动体51的当前位置仍超过了去除目标位置的情况下，使下次以后的步骤S24中的校正量增加。另一方面，校正量调整部118当在步骤S24中使再次开始移动后的移动距离延长了的结果是移动体51的移动完成位置超过了去除目标位置的情况下或者在步骤S24中使再次开始移动后的移动距离缩短了的结果是移动体51的移动完成位置没有到达去除目标位置的情况下，使下次以后的步骤S24中的校正量减小。
接着，控制部100执行步骤S34、S35、S36。在步骤S34中，去除液喷嘴移动控制部114向驱动部60输出使移动体51暂时停止从去除目标位置向目标位置移动的控制指令(下面称作“复路第一控制指令”。)。驱动部60在根据复路第一控制指令使移动体51移动后，使该移动体51暂时停止(参照图11的(a))。在步骤S35中，去除液供给控制部113控制去除液供给部50，以使去除液源53停止向去除液喷嘴52供给去除液L2。在步骤S36中，去除液喷嘴移动控制部114向驱动部60输出使移动体51从暂时停止目标位置移动至待机位置的控制指令(下面称作“复路第二控制指令”。)。驱动部60在根据复路第二控制指令使移动体51移动后，使该移动体51停止(参照图11的(b))。通过以上步骤，周缘去除处理过程完成。通过执行周缘去除处理过程，表面Wa上的覆膜F1(通过上述步骤S03、S04形成的覆膜)的周缘部被去除。
〔本实施方式的效果〕
如以上所说明的那样，涂布/显影装置2具备：去除液供给部50，其具有用于向晶圆W的周缘部喷出去除液的去除液喷嘴52；驱动部60，其使包括去除液喷嘴52的移动体51移动；传感器70，其检测与移动体51的位置有关的信息；以及控制部100，其构成为执行以下控制：向驱动部60输出用于使移动体51从将去除液喷嘴52配置于晶圆W的周缘Wc外的第一位置P1移动至使去除液喷嘴52配置于晶圆W的周缘部上的第二位置P2的控制指令；以及基于在移动体51的从第一位置P1向第二位置P2移动的中途由传感器70检测出的信息与控制指令的关系来校正控制指令，以使移动体51的移动完成位置与第二位置P2的偏差缩小。
根据该涂布/显影装置2，在移动体51移动的中途检测与移动体51的位置有关的信息，基于该信息来校正控制指令，由此能够使移动体51的移动完成位置与第二位置P2的偏差缩小。此外，根据基于与移动体51的位置有关的信息同控制指令的关系的方式，无需如检测晶圆W的周缘Wc的方式那样在移动体51自身配置传感器70，因此能够避免由于传感器70的配置引起的移动体51的大型化等。另外，通过基于与移动体51的位置有关的信息同控制指令的关系，不用检测晶圆W的周缘Wc等，能够在任意的定时以持有富余的方式校正控制指令。因而，本涂布/显影装置2对于提高去除液的在晶圆W的周缘部上的供给位置的精度是有效的。
图12是例示动作次数与相对于目标位置的偏离量的关系的曲线图。“相对于目标位置的偏离量”为同往路控制指令相应的移动体51的移动完成位置与去除目标位置的偏差。曲线图中的虚线表示控制指令校正部117不进行对控制指令的校正的情况下的目标位置的偏离量。曲线图中的实线表示控制指令校正部117进行对控制指令的校正的情况下的目标位置的偏离量。
关于虚线所示的偏离量，在动作次数少的阶段中大幅度偏离上限值UL和下限值LL的范围，随着动作次数增加而逐渐收敛于上限值UL和下限值LL的范围内。认为这是由于同步带64的伸长量逐渐稳定。但是，即使在收敛于上限值UL和下限值LL的范围内后，虚线所示的偏离量也多次到达接近下限值LL的值。认为这是由于即使在同步带64的伸长量稳定后也依然残留有减速机63的背隙等的影响。与此相对地，关于实线所示的偏离量，也同样在动作次数少的阶段中以具有足够的余量的方式收敛于上限值UL和下限值LL的范围内，即使动作次数增加，该倾向也是相同的。像这样，通过控制指令校正部117来校正控制指令对于提高处理液的在基板的周缘部上的供给位置的精度是有效的。
控制部100可以构成为还执行以下控制：控制驱动部60以使移动体51在去除液喷嘴52到达晶圆W的周缘Wc上之前暂时停止从第一位置P1向第二位置P2移动，并且基于在移动体51暂时停止从第一位置P1向第二位置P2移动时由传感器70检测出的信息来校正控制指令。在该情况下，能够在去除液喷嘴52到达晶圆W的周缘部上之前的定时以持有富余的方式校正控制指令。
控制部100可以构成为还执行以下控制：控制去除液供给部50，以使去除液喷嘴52在移动体51暂时停止从第一位置P1向第二位置P2移动时喷出去除液。在该情况下，利用暂时停止的定时来开始进行去除液的喷出，能够抑制开始喷出时的去除液中包含的微粒附着于晶圆W。
控制部100可以构成为：在移动体51暂时停止从第一位置P1向第二位置P2移动的期间开始后，基于在经过用于使经过移动体51的振动衰减的待机时间后由传感器70检测出的信息来校正控制指令。在该情况下，能够抑制由于由传感器70检测的信息的偏差使得去除液的供给位置的精度下降。
控制部100可以构成为还执行以下控制：基于与校正后的控制指令相应的移动体51的移动完成位置与第二位置P2的偏差，来调整控制指令的校正量。在该情况下，能够进一步缩小移动体51的移动完成位置与第二位置P2的偏差。
〔变形例〕
控制部100可以构成为：在移动体51暂时停止从第一位置P1向第二位置P2移动的期间开始后，导出在比移动体51的振动周期长的规定期间由传感器70检测出的信息的统计值，基于该统计值来校正控制指令。在该情况下，能够抑制由于位置信息的偏差使得去除液的供给位置的精度下降。下面，具体地例示像这样构成的控制部100进行的周缘去除处理过程。如图13所示，控制部100首先执行步骤S41。在步骤S41中，与步骤S21同样地，去除液喷嘴移动控制部114将上述往路第一控制指令输出至驱动部60。
接着，控制部100执行步骤S42、S43。在步骤S42中，控制指令校正部117获取由传感器70检测出的信息。在步骤S43中，控制指令校正部117确认是否经过了被预先设定为比移动体51的振动周期长的数据收集期间。在步骤S43中，在判定为没有经过数据收集期间的情况下，控制部100使处理返回步骤S42。之后，重复获取由传感器70检测出的信息，直至经过数据收集期间为止。
在步骤S43中，在判定为经过了数据收集期间的情况下，控制部100执行步骤S44。在步骤S44中，控制指令校正部117导出在步骤S42中由传感器70检测出的信息的统计值(例如平均值)。
接着，控制部100执行步骤S45。在步骤S45中，控制指令校正部117基于在步骤S44中导出的统计值与往路第一控制指令的关系来校正往路控制指令，以使移动体51的移动完成位置与去除目标位置的偏差缩小。步骤S45的具体处理内容除了使用上述统计值作为由传感器70检测出的信息这一点以外与上述步骤S24相同。
接着，控制部100依次执行与步骤S25、S26、S27相同的步骤S46、S47、S48。在步骤S46中，去除液供给控制部113控制去除液供给部50，以使去除液源53开始向去除液喷嘴52供给去除液L2。在步骤S47中，去除液喷嘴移动控制部114在经过预先设定的虚拟喷出时间之前待机。在步骤S48中，将在步骤S45中进行了校正的往路第二控制指令输出至驱动部60。
如图14所示，控制部100接着执行步骤S51、S52。在步骤S51中，控制指令校正部117获取由传感器70检测出的信息。在步骤S52中，控制指令校正部117确认是否经过了被预先设定为比移动体51的振动周期长的数据收集期间。在步骤S52中，在判定为没有经过数据收集期间的情况下，控制部100使处理返回步骤S52。之后，重复获取由传感器70检测出的信息直至经过数据收集期间为止。
在步骤S52中，在判定为经过了数据收集期间的情况下，控制部100执行步骤S53。在步骤S53中，控制指令校正部117导出在步骤S52中由传感器70检测出的信息的统计值(例如平均值)。
接着，控制部100执行步骤S54。在步骤S54中，校正量调整部118根据基于在步骤S53中导出的统计值得到的移动体51的位置(下面称作“当前位置”。)与去除目标位置的偏差，来调整下次之后的步骤S45中的控制指令的校正量。步骤S54的具体处理内容除了使用上述统计值作为由传感器70检测出的信息的点以外与上述步骤S33相同。
接着，控制部100依次执行与步骤S34、S35、S36相同的步骤S55、S56、S57。在步骤S55中，去除液喷嘴移动控制部114将上述复路第一控制指令输出至驱动部60。在步骤S56中，去除液供给控制部113控制去除液供给部50，以使去除液源53停止向去除液喷嘴52供给去除液L2。在步骤S57中，去除液喷嘴移动控制部114将上述复路第二控制指令输出至驱动部60。通过以上步骤，周缘去除处理过程完成。
控制部可以构成为不使移动体51在待机位置与去除目标位置之间的移动暂时停止。下面，具体地例示像这样构成的控制部100进行的周缘去除处理过程。
如图15所示，控制部100首先依次执行步骤S61、S62。在步骤S61中，去除液喷嘴移动控制部114根据往路控制指令来控制驱动部60，以使移动体51开始从待机位置向去除目标位置移动。在步骤S62中，去除液供给控制部113在用于使移动体51移动的驱动部60的控制进度到达预先设定的喷出开始阶段之前待机。喷出开始阶段例如为用于使移动体51移动至预先设定的喷出开始位置的控制指令(下面称作“往路第一控制指令”。)的输出完成的阶段。
接着，控制部100依次执行与步骤S23、S24、S25相同的步骤S63、S64、S65。在步骤S63中，控制指令校正部117获取由传感器70检测出的信息。在步骤S64中，控制指令校正部117基于在步骤S63中获取到的信息与往路第一控制指令的关系来校正往路控制指令，以使移动体51的移动完成位置与去除目标位置的偏差缩小。在步骤S65中，去除液供给控制部113控制去除液供给部50，以使去除液源53开始向去除液喷嘴52供给去除液L2。
接着，控制部100依次执行步骤S66、S67。在步骤S66中，去除液喷嘴移动控制部114在用于使移动体51移动的驱动部60的控制进度到达预先设定的移动停止阶段之前待机。移动停止阶段为在步骤S64中进行了校正的往路控制指令的输出完成的阶段。在步骤S67中，去除液供给控制部113控制驱动部60，以使移动体51停止移动。
如图16所示，控制部100接着依次执行与步骤S32、S33相同的步骤S71、S72。在步骤S71中，校正量调整部118获取由传感器70检测的信息。在步骤S72中，校正量调整部118根据基于在步骤S71中获取到的信息得到的移动体51的位置与去除目标位置的偏差，来调整下次之后的步骤S64中的控制指令的校正量。
接着，控制部100依次执行步骤S73、S74、S75、S76、S77。在步骤S73中，去除液喷嘴移动控制部114根据复路控制指令来控制驱动部60，以开始移动体51的从去除目标位置向待机位置的移动。在步骤S74中，去除液供给控制部113在用于使移动体51移动的驱动部60的控制进度到达预先设定的喷出停止阶段之前待机。喷出停止阶段例如为用于使移动体51移动至预先设定的喷出停止位置的控制指令(下面称作“复路第一控制指令”。)的输出完成的阶段。在步骤S75中，去除液供给控制部113控制去除液供给部50，以使去除液源53停止向去除液喷嘴52供给去除液L2。在步骤S76中，去除液喷嘴移动控制部114在用于使移动体51移动的驱动部60的控制进度到达预先设定的移动停止阶段之前待机。移动停止阶段为复路控制指令的输出完成的阶段。在步骤S77中，去除液喷嘴移动控制部114控制驱动部60，以使移动体51停止移动。通过以上步骤，周缘去除处理过程完成。
以上说明了实施方式，但本发明未必限定于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。向基板的周缘部供给处理液的处理不限于向基板的周缘部供给上述去除液的处理。向基板的周缘部供给处理液的处理也可以为向基板的周缘部供给涂布液以在基板的周缘部形成覆膜的处理。作为处理对象的基板不限于半导体晶圆，例如也可以为玻璃基板、掩模基板、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。
附图标记说明
2：涂布/显影装置(基板处理装置)；50：去除液供给部(液供给部)；51：移动体；52：去除液喷嘴(喷嘴)；60：驱动部；70：传感器；100：控制部；P1：第一位置；P2：第二位置；W：晶圆(基板)；Wc：周缘。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，具备：
液供给部，其具有用于向基板的周缘部喷出处理液的喷嘴；
驱动部，其使包括所述喷嘴的移动体移动；
传感器，其检测与所述移动体的位置有关的信息；以及
控制部，其构成为执行以下控制：向驱动部输出用于使所述移动体从将所述喷嘴配置于所述基板的周缘外的第一位置移动至将所述喷嘴配置于所述基板的周缘部上的第二位置的控制指令；以及基于在所述移动体从所述第一位置向所述第二位置移动的中途由所述传感器检测出的所述信息与所述控制指令的关系来校正所述控制指令，以使所述移动体的移动完成位置与所述第二位置的偏差缩小，
所述控制部构成为还执行以下控制：控制所述驱动部以使所述移动体在所述喷嘴到达所述基板的周缘上之前暂时停止从所述第一位置向所述第二位置移动，并且基于在所述移动体暂时停止从所述第一位置向所述第二位置移动时由所述传感器检测出的所述信息来校正所述控制指令。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为还执行以下控制：控制所述液供给部，以使所述喷嘴在所述移动体暂时停止从所述第一位置向所述第二位置移动时喷出所述处理液。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为：在所述移动体暂时停止从所述第一位置向所述第二位置移动的期间开始后，基于在经过用于使所述移动体的振动衰减的待机时间后由所述传感器检测出的所述信息来校正所述控制指令。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为：在所述移动体暂时停止从所述第一位置向所述第二位置移动的期间开始后，导出在比所述移动体的振动周期长的规定期间由所述传感器检测出的所述信息的统计值，基于该统计值来校正所述控制指令。
5.一种基板处理装置，具备：
液供给部，其具有用于向基板的周缘部喷出处理液的喷嘴；
驱动部，其使包括所述喷嘴的移动体移动；
传感器，其检测与所述移动体的位置有关的信息；以及
控制部，其构成为执行以下控制：向驱动部输出用于使所述移动体从将所述喷嘴配置于所述基板的周缘外的第一位置移动至将所述喷嘴配置于所述基板的周缘部上的第二位置的控制指令；以及基于在所述移动体从所述第一位置向所述第二位置移动的中途由所述传感器检测出的所述信息与所述控制指令的关系来校正所述控制指令，以使所述移动体的移动完成位置与所述第二位置的偏差缩小，
所述控制部构成为还执行以下控制：基于与校正后的所述控制指令相应的所述移动体的移动完成位置与所述第二位置的偏差，来调整所述控制指令的校正量。
6.一种基板处理方法，包括：
控制驱动部，以使包括用于向基板的周缘部喷出处理液的喷嘴的移动体从将所述喷嘴配置于所述基板的周缘外的第一位置移动至将所述喷嘴配置于所述基板的周缘部上的第二位置；以及
基于在所述移动体从所述第一位置向所述第二位置移动的中途检测出的与所述移动体的位置有关的信息同针对所述驱动部的控制指令的关系，来校正针对所述驱动部的控制指令，以使所述移动体的移动完成位置与所述第二位置的偏差缩小，
其中，所述基板处理方法还包括：控制所述驱动部以使所述移动体在所述喷嘴到达所述基板的周缘上之前暂时停止从所述第一位置向所述第二位置移动，并且基于在所述移动体暂时停止从所述第一位置向所述第二位置移动时检测出的所述信息来校正所述控制指令。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理方法还包括：使所述喷嘴在所述移动体暂时停止从所述第一位置向所述第二位置移动时喷出所述处理液。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述移动体暂时停止从所述第一位置向所述第二位置移动的期间开始后，基于在经过用于使所述移动体的振动衰减的待机时间后检测出的所述信息来校正所述控制指令。
9.根据权利要求6或7所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述移动体暂时停止从所述第一位置向所述第二位置移动的期间开始后，导出在比所述移动体的振动周期长的规定期间检测出的所述信息的统计值，基于该统计值来校正所述控制指令。
10.一种基板处理方法，包括：
控制驱动部，以使包括用于向基板的周缘部喷出处理液的喷嘴的移动体从将所述喷嘴配置于所述基板的周缘外的第一位置移动至将所述喷嘴配置于所述基板的周缘部上的第二位置；以及
基于在所述移动体从所述第一位置向所述第二位置移动的中途检测出的与所述移动体的位置有关的信息同针对所述驱动部的控制指令的关系，来校正针对所述驱动部的控制指令，以使所述移动体的移动完成位置与所述第二位置的偏差缩小，
其中，所述基板处理方法还包括：基于与校正后的所述控制指令相应的所述移动体的移动完成位置与所述第二位置的偏差，来调整所述控制指令的校正量。
11.一种可由计算机读取的存储介质，存储有用于使装置执行根据权利要求6～10中的任一项所述的基板处理方法的程序。
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