CN102543685A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够抑制在喷射喷嘴的前端部附近所残留的药液向被处理膜上滴落的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置（1）具有：喷射喷嘴（20）；喷嘴移动机构（21），使喷射喷嘴（20）相对于支持构件（12）在高度方向以及水平方向相对移动；旋转驱动部（14），使基体材料（W）旋转。喷嘴移动机构（21）使喷射喷嘴（20）从比待机位置更靠上方的第一上方位置向靠近基体材料（W）的方向水平移动到第二上方位置，从第二上方位置向下方位置下降。然后，喷射喷嘴移动机构（21）使喷射喷嘴（20）水平移动到晶片（W）上的喷出位置。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及对基体材料上的被处理膜实施使用了药液的处理的技术。
背景技术
在半导体制造工艺中，利用光刻工序在晶片上形成抗蚀剂图形，将该抗蚀剂图形用作刻蚀掩模。一般地，光刻工序包括：在实施了前处理的晶片的被加工面涂敷感光性树脂材料(光致抗蚀剂)并且进行干燥来形成感光性树脂膜的工序；曝光工序，利用透过底版的光对该感光性树脂膜进行曝光，将底版的图形转印到感光性树脂膜上；显影工序，使用药液(显影液)对转印到感光性树脂膜上的图形进行显影。作为显影方式，公知有例如喷射显影方式或浸渍（dip）显影方式。喷射显影方式是如下方式：以高压使显影液从喷射喷嘴的前端部喷出，向感光性树脂膜的表面供给显影液。例如，在日本特开2007-134367号公报(专利文献1)中公开了这种喷射显影方式。
[专利文献1]：日本特开2007-134367号公报(例如，段落0032～0034，图1)。
但是，在喷射显影方式中存在如下问题：当使用相同的喷射喷嘴对多个晶片连续执行显影处理时，显影液残留在喷射喷嘴前端部的喷出口附近并成为液滴，滴落到感光性树脂膜上。在喷射喷嘴前端部的喷出口附近所残留的显影液与外部气体接触而变质，所以，当残留的显影液比新鲜的显影液先行滴落到感光性树脂膜上时，存在引起显影不良的危险。在该情况下，存在如下问题：抗蚀剂图形的膜厚产生偏差或者抗蚀剂图形的尺寸精度(例如，微小开口部的尺寸精度)降低。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够抑制在喷射喷嘴的前端部附近所残留的显影液等药液滴落到被处理膜上。
本发明提供一种基板处理装置，其特征在于，具有：支持构件，对在上表面具有被处理膜的基体材料进行支持；喷射喷嘴，喷出用于处理所述被处理膜的药液；喷嘴移动机构，使所述喷射喷嘴相对于所述支持构件分别在高度方向以及水平方向相对移动；旋转驱动部，使所述基体材料旋转；喷嘴移动控制部，对所述喷射喷嘴移动机构的动作进行控制；喷出控制部，使所述药液从所述喷射喷嘴朝向所述被处理膜喷出；以及旋转控制部，对所述旋转驱动部的动作进行控制，所述喷嘴移动机构具有：水平移动机构，使所述喷射喷嘴从比所述基体材料的位置高的第一上方位置向靠近所述基体材料的方向水平移动到比所述基体材料的外缘部更靠外侧的第二上方位置；升降机构，使所述喷射喷嘴从所述第二上方位置向比该第二上方位置低并且比所述基体材料的位置高的下方位置下降，在所述喷射喷嘴向所述下方位置移动之后，所述水平移动机构使所述喷射喷嘴从该下方位置水平移动到所述基体材料的正上方的喷出位置。
本发明提供一种基板处理装置中的基板处理方法，该基板处理装置具有：支持构件，对在上表面具有被处理膜的基体材料进行支持；喷射喷嘴，喷出用于处理所述被处理膜的药液；喷嘴移动机构，使所述喷射喷嘴相对于所述支持构件在高度方向以及水平方向相对移动；旋转驱动部，使所述基体材料旋转，该基板处理方法的特征在于，具有如下步骤：使所述喷嘴移动机构将所述喷射喷嘴从比所述基体材料的位置高的第一上方位置向靠近所述基体材料的方向水平移动到比所述基体材料的外缘部更靠外侧的第二上方位置；使所述喷嘴移动机构将所述喷射喷嘴从所述第二上方位置向比该第二上方位置低并且比所述基体材料的位置高的下方位置下降；在所述喷射喷嘴向所述下方位置移动之后，使所述喷嘴移动机构将所述喷射喷嘴从该下方位置水平移动到所述基体材料的正上方的喷出位置。
根据本发明，能够抑制喷射喷嘴的前端部附近所残留的药液滴落在被处理膜上。
附图说明
图1是示意性地示出作为本发明的实施方式1的基板处理装置的显影装置的主要结构的图。
图2是示出图1所示的显影装置的一部分的平面图。
图3是示意性地示出实施方式1的显影处理的顺序（sequence）的一例的时序图。
图4是示出实施方式1的喷射喷嘴的移动路径(去路径)的图。
图5是示意性地示出显影液的喷出状态的图。
图6是示出实施方式1的喷射喷嘴的移动路径(回路径)的图。
图7是示出实施方式1的冲洗喷嘴的移动路径(去路径)的图。
图8是示意性地示出实施方式2的显影处理的顺序的一例的时序图。
图9是示意性地示出实施方式3的显影处理的顺序的一例的时序图。
附图标记说明：
W 半导体晶片
1 显影装置
10 内杯体
10h 开口部
10s 外侧倾斜面
11 外杯体
11h 开口部
12 旋转盘
13 旋转轴
14 旋转驱动机构
15 液接收部
20 喷射喷嘴
21 喷射喷嘴移动机构
210 臂构件
22 控制阀
23 显影液供给源
24 待机舱
30 冲洗喷嘴
31 冲洗喷嘴移动机构
310 臂构件
32 控制阀
33 清洗液供给源
34 待机舱
40 控制器
41 旋转控制部
42 喷射喷嘴移动控制部
43 冲洗喷嘴移动控制部
44 显影液喷出控制部
45 清洗液喷出控制部。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的各种实施方式进行说明。
实施方式1
图1是示意性地示出作为本发明的实施方式1的基板处理装置的显影装置1的主要结构的图，图2是示出图1所示的显影装置1的一部分的平面图。以示意剖面示出图1的结构的一部分。如图1所示，显影装置1具有：旋转盘(支持构件)12，支持半导体晶片W(以下，仅称为“晶片W”。)的背面；旋转驱动机构14，经由旋转轴13使旋转盘12旋转。显影装置1是如下装置：对在晶片W的上表面形成的被处理膜即感光性树脂膜(未图示)实施喷射显影方式的显影处理。该感光性树脂膜是利用例如旋涂法涂敷形成的抗蚀剂膜。在晶片W被搬入到显影装置1中之前，利用曝光装置以通过掩模底版的光进行曝光，将该掩模底版的图形转印到该抗蚀剂膜上。
旋转盘12对装载在显影装置1内的晶片W的背面的大致中心部进行真空吸附，使晶片W保持为水平状态(晶片W的上表面垂直于Z轴方向的状态)。旋转驱动机构14包括受到控制器40的旋转控制部41的控制而进行动作的驱动马达(未图示)，使旋转盘12围绕其中心轴A1进行旋转，从而使晶片W旋转。晶片W的旋转速度(单位：rpm)由控制器40的旋转控制部41控制。
此外，如图1以及图2所示，显影装置1具有：环状的外杯体(环状构件)11，具有在上方开口的圆形的开口部11h；环状的内杯体(药液限制构件)10，配置在该外杯体11的内部空间。在图1中，以示意剖面示出这些内杯体10和外杯体11。内杯体10具有直径比外杯体11的开口部11h小的圆形的开口部10h。此外，外杯体11和内杯体10分别以包围晶片W的外缘部的方式配置，如图2所示，能够通过外杯体11的开口部11h和内杯体10的开口部10h从上方观察晶片W的整体。如后述那样，通过这些开口部10h、11h，显影液或清洗液被喷出到晶片W的表面。内杯体10具有用于将从旋转的晶片W飞散的显影液或清洗液向下方引导的环状的内侧倾斜面10g。内侧倾斜面10g相对于晶片W的表面以约45°倾斜。飞散到该内侧倾斜面10g的显影液或清洗液被内侧倾斜面10g弹回到下方。
此外，内杯体10具有朝向晶片W的相反侧(外侧)的环状的外侧倾斜面10s。如图2所示，能够通过外杯体11的开口部11h从上方观察该外侧倾斜面10s。
另一方面，在晶片W的下方，如图1的剖面图所示，以包围旋转盘12和旋转轴13的方式配置有环状的液接收部15。该液接收部15具有如下结构：存留从晶片W的上表面流出到下方的显影液或清洗液并且将这些显影液或清洗液引导到废液用的外部排出口(未图示)。此外，虽然未图示，但是，在晶片W的下方还设置有排气管或将清洗液喷出到晶片W的背面的背面清洗喷嘴。
在显影处理开始之前，如图1以及图2所示，使喷射喷嘴20处于待机舱24之上的待机位置。该喷射喷嘴20具有如下机构：使从显影液供给源23经由控制阀22以高压供给的药液(显影液)从其前端部20t的喷出口向下方以扇形喷出。控制阀22具有如下功能：受到控制器40的显影液喷出控制部44的控制进行动作，对从喷射喷嘴20喷出的显影液的流量进行调整。显影液供给源23供给例如使正型或者负型的抗蚀剂膜的曝光部或者非曝光部溶解的显影液。能够对正型的抗蚀剂膜供给例如TMAH(四甲基氢氧化铵)等水系碱性显影液。
此外，如图2所示，喷射喷嘴20以使其前端部20t的喷出口朝向下方的状态安装在棒状的臂构件210上。喷射喷嘴移动机构21包括：升降机构，使臂构件210在高度方向(±Z轴方向) 相对于晶片W相对地升降；水平移动机构，如图2所示，使臂构件210在水平方向(±X轴方向) 相对于晶片W相对移动。喷射喷嘴移动机构21的升降机构例如由使臂构件210上下运动的气缸构成即可，但是，并不限定于此。此外，喷射喷嘴移动机构21的水平移动机构例如能够由驱动马达和将该驱动马达的旋转力变换为直线运动的驱动带构成。并且，显影装置1也可以具有使喷射喷嘴20沿着臂构件210的长尺寸方向(Y轴方向)移动的驱动机构。
另一方面，如图1以及图2所示，在清洗处理开始之前，冲洗喷嘴30处于待机舱34上的待机位置。该冲洗喷嘴30具有如下机构：使从清洗液供给源33经由控制阀32以高压供给的清洗液(例如，纯水)从其前端部30t的喷出口朝向下方喷出。控制阀32具有如下功能：受到控制器40的清洗液喷出控制部45的控制来进行动作，对从冲洗喷嘴30喷出的清洗液的流量进行调整。
此外，如图2所示，冲洗喷嘴30以使其前端部30t的喷出口朝向下方的状态安装在棒状的臂构件310上。如图2所示，冲洗喷嘴移动机构31具有使臂构件310沿着X-Y平面水平旋转的机构。并且，冲洗喷嘴移动机构31也可以具有使臂构件310沿着其长尺寸方向自由伸缩的机构。
控制器(顺序控制部)40包括：对旋转驱动机构14的动作进行控制的旋转控制部41；对喷射喷嘴移动机构21的动作进行控制的喷射喷嘴移动控制部42；对喷射喷嘴20用的控制阀22的动作进行控制的显影液喷出控制部44；对冲洗喷嘴移动机构31的动作进行控制的冲洗喷嘴移动控制部43；对冲洗喷嘴30用的控制阀32的动作进行控制的清洗液喷出控制部45。这样的控制器40例如能够由CPU等微处理器、ROM(Read Only Memory)等非易失性存储器、RAM(Random Access Memory)、定时器电路、输入输出接口构成。微处理器从非易失性存储器中读出程序或者执行形式的文件并进行执行，由此，能够实现控制器40的功能。
然后，以下参照图3对上述显影装置1的动作进行说明。图3是示意性地示出实施方式1的显影处理的顺序的一例的时序图。图3的图表的横轴表示经过时间(顺序时间)，其纵轴表示晶片W的转速(单位：rpm)。
在初始状态(时刻t=t0)，晶片W的旋转停止，喷射喷嘴20位于待机舱24上的待机位置，冲洗喷嘴30位于待机舱34上的待机位置。当顺序开始时，喷射喷嘴移动机构21使喷射喷嘴20上下移动(步骤ST10)。具体地说，如图4(A)所示，喷射喷嘴移动机构21使喷射喷嘴20沿着路径P1从待机位置上升到比外杯体11的上端高的位置。接着，喷射喷嘴移动机构21使喷射喷嘴20沿着路径P2向晶片W的方向水平移动，使喷射喷嘴20的前端部20t的喷出口处于外侧倾斜面10s的正上方。接着，喷射喷嘴移动机构21使喷射喷嘴20沿着路径P3下降。并且，当使喷射喷嘴20从待机位置突然向晶片W的方向水平移动时，喷射喷嘴20碰撞外杯体11，所以，需要使喷射喷嘴20沿着路径P1上升。
然后，喷射喷嘴移动机构21使喷射喷嘴20在水平方向移动，使喷射喷嘴20的前端部20t处于晶片W的中心部附近的正上方的喷出位置(步骤ST11)。具体地说，如图4(B)所示，喷射喷嘴移动机构21使喷射喷嘴20沿着路径P4水平移动到喷出位置。此时的水平移动的速度设定为例如100mm/秒左右的低速。
但是，当在时刻t11喷射喷嘴20到达路径P3的终点位置时，与此相对应地，如图3所示，旋转驱动机构14受到旋转控制部41的控制，使晶片W开始旋转。在晶片W的转速达到目标转速(例如，约2500rpm)且晶片W的高速旋转稳定之后的时刻t12，如图5(A)、(B)所示，显影液喷出控制部44使显影液开始从喷射喷嘴20的前端部20t朝向晶片W喷出(步骤ST12)。图5(A)是从Y轴方向示意性地示出显影液S1喷出的状态的图，图5(B)是从X轴方向示意性地示出显影液S1喷出的状态的图。为了便于说明，在这些图5(A)、(B)中未示出内杯体10、外杯体11。如图5(B)所示，扩展为具有与晶片W的直径大致相同的宽度Δ(称为喷射宽度。)的扇形的显影液S1喷出到晶片W上的抗蚀剂膜上。设定针对晶片W的喷射喷嘴20的喷出位置或显影液的流量，由此，能够适当调整喷射宽度Δ。到达晶片W的显影液S1受到高速旋转的晶片W的离心力的作用，扩展到晶片W的整个面。
另一方面，旋转驱动机构14在时刻t12～t13之间使晶片W的转速降低，在时刻t13使晶片W停止旋转。此外，在时刻t13，显影液喷出控制部44使显影液停止从喷射喷嘴20喷出。
然后，在从时刻t13开始经过了预定时间(例如，0.5秒～1秒左右)的时刻t14，喷射喷嘴移动控制部42使从喷射喷嘴20的喷出位置向待机位置的移动开始 (步骤ST13)。具体地说，如图6所示，喷射喷嘴移动控制部42使喷射喷嘴20沿着路径P10上升。接着，喷射喷嘴移动控制部42使喷射喷嘴20沿着路径P11水平移动到待机位置的上方的位置。并且，喷射喷嘴移动控制部42使喷射喷嘴20沿着路径P12下降到待机位置。
然后，在经过预定时间后，如图7所示，冲洗喷嘴移动控制部43使冲洗喷嘴30旋转移动到晶片W的中心部附近的上方的喷出位置(步骤ST14)。并且，冲洗喷嘴30的喷出位置不需要与喷射喷嘴20的喷出位置相同。然后，如图3所示，在冲洗喷嘴30移动到喷出位置之后的时刻t15，旋转控制部41使晶片W开始旋转，使晶片W的转速上升到目标转速(例如，约2000rpm)。同时，清洗液喷出控制部45使清洗液开始从冲洗喷嘴30喷出(步骤ST15)。所喷出的清洗液受到高速旋转的晶片W的离心力而扩展到晶片W的整个面。
然后，在当前时刻到达时刻t16时，清洗液喷出控制部45使清洗液停止从冲洗喷嘴30喷出。同时，冲洗喷嘴移动控制部43使冲洗喷嘴30从喷出位置旋转移动到待机位置(步骤ST16)。并且，旋转控制部41在从时刻t16到时刻t17的十秒～数十秒间使晶片W的转速上升到更高的目标转速(例如，约4000rpm)，进行旋转干燥(步骤ST17)。然后，在当前时刻到达时刻t18时，顺序结束。
如以上所说明的那样，在本实施方式中，如图4(A)所示，使喷射喷嘴20在路径P1上升，在路径P2水平移动，在路径P3下降到晶片W的外缘部的外侧的位置。因此，在路径P3的终点位置，由于晶片W停止时的冲击或者惯性，即使喷射喷嘴20的喷出口附近的残留显影液滴落或者飞散，也能够降低附着到晶片W上的抗蚀剂膜的可能性。此处，也能够使不需要的残留显影液从喷射喷嘴20抖落。此外，路径P3的终点位置设定为内杯体10的外侧倾斜面10s的正上方位置，所以，即使残留显影液滴落或者飞散，该残留显影液也被朝向晶片W的相反侧的外侧倾斜面10s反弹，所以，防止了显影液从该外侧倾斜面10s飞散到晶片W一侧。并且，如图4(B)所示，喷射喷嘴20以低速从路径P3的终点位置移动到喷出位置，所以，能够抑制残留显影液由于喷射喷嘴20的水平移动时的振动或惯性而滴落到晶片W上。因此，在从喷射喷嘴20的待机位置向喷出位置移动时，能够抑制喷射喷嘴20的喷出口附近的残留显影液滴落并附着到抗蚀剂膜上。
此外，在本实施方式中，如图3所示，在喷射喷嘴20到达图4的路径P3的终点位置之后的时刻t13，使晶片W开始旋转。因此，即使在路径P3的终点位置由于喷射喷嘴20停止时的冲击或者惯性而使残留显影液从喷射喷嘴20飞散到晶片W上，该残留显影液也不在晶片W上的抗蚀剂膜上扩展为条纹状。以往，使晶片W开始旋转之后，使喷射喷嘴20从待机位置移动到喷出位置，所以，在喷射喷嘴20停止时，在残留显影液从喷射喷嘴20飞散到晶片W上时受到高速旋转的晶片W的离心力，存在该残留显影液扩展为放射状或者圆弧状的条纹这样的问题。相对于此，在本实施方式中，在喷射喷嘴20到达图4的路径P3的终点位置之后开始晶片W的旋转，所以，例如在路径P3的终点，在喷射喷嘴20停止时，即使残留显影液从喷射喷嘴20飞散到晶片W上，也能够抑制显影不良的产生范围。
并且，能够在显影液的喷出之前或者喷出之后、或者在执行了多次显影处理之后进行以高压使新鲜的显影液从位于待机位置的喷射喷嘴20喷出而将残留显影液从喷射喷嘴20除去这样的去除（dispense）处理。但是存在如下问题：去除处理是不仅将与外部气体接触而变质了的残留显影液废弃也将新鲜的显影液废弃的处理，所以，成为制造成本上升的一个原因。本实施方式的显影装置1能够使去除处理的次数大幅度减少或者取消去除处理，所以，也能够抑制半导体装置的制造成本。
实施方式2
然后，对本发明的实施方式2进行说明。关于实施方式2的显影装置，除了显影处理的顺序之外，具有与实施方式1的显影装置相同的结构。图8是示意性地示出实施方式2的显影处理的顺序的一例的时序图。
与实施方式1的情况同样地，当顺序开始时，喷射喷嘴移动机构21使喷射喷嘴20上下移动(步骤ST10)。具体地说，如图4(A)所示，喷射喷嘴移动机构21使喷射喷嘴20在路径P1上升，在路径P2水平移动，在路径P3下降到晶片W的外缘部的外侧的位置。
然后，喷射喷嘴移动机构21使喷射喷嘴20在水平方向移动，使喷射喷嘴20的前端部20t处于晶片W的中心部附近的正上方的喷出位置(步骤ST21)。具体地说，如图4(B)所示，喷射喷嘴移动机构21使喷射喷嘴20沿着路径P4以低速水平移动到喷出位置。但是，如图8所示，在使喷射喷嘴20水平移动的期间(时刻t21～t22)，旋转控制部41不使晶片W开始旋转。
当喷射喷嘴20移动到喷出位置时(时刻t22)，与此相对应地，旋转驱动机构14受到旋转控制部41的控制，使晶片W开始旋转。直至晶片W的转速达到目标转速(例如，约2500rpm)且晶片W的高速旋转稳定为止，喷射喷嘴20在喷出位置待机(步骤ST22)。并且，在晶片W的高速旋转稳定之后的时刻t23，如图5(A)、(B)所示，显影液喷出控制部44使显影液开始从喷射喷嘴20的前端部20t朝向晶片W喷出(步骤ST23)。同时，旋转驱动机构14在时刻t23～t24之间使晶片W的转速降低，在时刻t24使晶片W的旋转停止。此外，在时刻t24，显影液喷出控制部44使显影液停止从喷射喷嘴20喷出。接着，在从时刻t24开始经过了预定时间(例如，0.5秒～1秒左右)的时刻t25，如图6所示，喷射喷嘴移动控制部42使喷射喷嘴20开始从喷出位置向待机位置移动(步骤ST24)。
在喷射喷嘴20返回待机位置之后，进行与实施方式1的情况同样的清洗工序。即，冲洗喷嘴移动控制部43使冲洗喷嘴30旋转移动到晶片W的中心部附近的上方的喷出位置(步骤ST14)。接着，在时刻t26，旋转控制部41使晶片W开始旋转，使晶片W的转速上升到目标转速。此外，清洗液喷出控制部45使清洗液开始从冲洗喷嘴30喷出(步骤ST15)。在当前时刻达到时刻t27时，清洗液喷出控制部45使清洗液停止从冲洗喷嘴30喷出。同时，冲洗喷嘴移动控制部43使冲洗喷嘴30从喷出位置旋转移动到待机位置(步骤ST16)。并且，旋转控制部41使晶片W的转速上升到更高的目标转速，维持该转速直至时刻t28，由此，进行旋转干燥(步骤ST17)。然后，在当前时刻达到时刻t29时，顺序结束。
如以上说明的那样，根据实施方式2，如图8所示，在喷射喷嘴20从路径P3的终点位置向喷出位置的水平移动的期间(时刻t21～t22)，晶片W不旋转而停止。因此，例如，在喷射喷嘴20在路径P4的终点位置(喷出位置)停止时，即使残留显影液从喷射喷嘴20飞散到晶片W上，也能够可靠地防止该残留显影液在抗蚀剂膜上扩展为放射状或者圆弧状的条纹。
实施方式3
然后，对本发明的实施方式3进行说明。关于实施方式3的显影装置，除了显影处理的顺序之外，具有与实施方式1的显影装置1相同的结构。图9是示意性地示出实施方式3的显影处理的顺序的一例的时序图。
如图9所示，显影液喷出控制部44在比喷射喷嘴20到达喷出位置的预定时刻t33提前了偏移时间（offset time）δ(例如，0.5秒)的时刻t32使显影液开始从喷射喷嘴20喷出(步骤ST12B)。其他方面与实施方式1的图3的顺序大致相同。
这样，根据实施方式3，例如，即便在由于喷射喷嘴20的移动停止时的冲击或惯性而使附着在喷射喷嘴20上的残留显影液飞散到晶片W上的情况下，也能够在该残留显影液附着在晶片W上的一瞬间之前使新鲜的显影液以高压喷出。因此，能够防止残留显影液比新鲜的显影液先行附着所导致的显影不良的发生。
并且，能够将该偏移时间δ决定为任意的值，但是，以在显影液开始喷出之后新鲜的显影液碰到晶片W的位置处于不大幅度偏离晶片W的中心的允许范围内的方式设定偏移时间δ即可。

Claims (19)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
支持构件，对在上表面具有被处理膜的基体材料进行支持；
喷射喷嘴，喷出用于处理所述被处理膜的药液；
喷嘴移动机构，使所述喷射喷嘴相对于所述支持构件在高度方向以及水平方向分别相对移动；
旋转驱动部，使所述基体材料旋转；
喷嘴移动控制部，对所述喷射喷嘴移动机构的动作进行控制； 
喷出控制部，从所述喷射喷嘴朝向所述被处理膜喷出所述药液；以及
旋转控制部，对所述旋转驱动部的动作进行控制，
所述喷嘴移动机构具有：
水平移动机构，使所述喷射喷嘴从比所述基体材料的位置高的第一上方位置向靠近所述基体材料的方向水平移动到比所述基体材料的外缘部更靠外侧的第二上方位置；以及
升降机构，使所述喷射喷嘴从所述第二上方位置向比该第二上方位置低并且比所述基体材料的位置高的下方位置下降，
在所述喷射喷嘴向所述下方位置移动之后，所述水平移动机构使所述喷射喷嘴从该下方位置水平移动到所述基体材料的正上方的喷出位置。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述旋转驱动部在所述喷射喷嘴移动到所述下方位置之前不使所述基体材料旋转，在所述喷射喷嘴从所述第二上方位置到达所述下方位置之后使所述基体材料开始旋转。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述喷射喷嘴从所述第二上方位置到达所述下方位置之后，所述旋转驱动部使所述基体材料开始旋转。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
在比所述喷射喷嘴到达所述喷出位置的预定时刻提前了偏移时间的时刻，所述喷出控制部使所述药液开始从所述喷射喷嘴喷出。
5.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述喷射喷嘴从所述下方位置移动到所述喷出位置之后，所述旋转驱动部使所述基体材料开始旋转。
6.如权利要求1至5的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有药液限制构件，该药液限制构件具有朝向所述基体材料的相反侧的方向的倾斜面，
所述第一下方位置设定在所述倾斜面的正上方。
7.如权利要求1至6的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述基体材料的转速达到预定的目标转速之后，所述喷出控制部使所述药液从所述喷射喷嘴朝向所述被处理膜喷出。
8.如权利要求1至7的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述升降机构使所述喷射喷嘴从比所述基体材料的外缘部更靠外侧的待机位置向所述第一上方位置上升。
9.如权利要求1至8的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有包围所述基体材料的外缘部的环状构件，
所述环状构件具有比所述待机位置高并且比所述第一上方位置低的上端。
10.如权利要求1至9的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述被处理膜是实施了曝光处理的感光性树脂膜，
所述药液是使所述感光性树脂膜的曝光部或者非曝光部溶解的显影液。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基体材料是半导体晶片。
12.一种基板处理装置中的基板处理方法，该基板处理装置具有：支持构件，对在上表面具有被处理膜的基体材料进行支持；喷射喷嘴，喷出用于处理所述被处理膜的药液；喷嘴移动机构，使所述喷射喷嘴相对于所述支持构件在高度方向以及水平方向相对移动；旋转驱动部，使所述基体材料旋转，该基板处理方法的特征在于，具有如下步骤：
使所述喷嘴移动机构将所述喷射喷嘴从比所述基体材料的位置高的第一上方位置向靠近所述基体材料的方向水平移动到比所述基体材料的外缘部更靠外侧的第二上方位置；
使所述喷嘴移动机构将所述喷射喷嘴从所述第二上方位置向比该第二上方位置低并且比所述基体材料的位置高的下方位置下降；
在所述喷射喷嘴向所述下方位置移动之后，使所述喷嘴移动机构将所述喷射喷嘴从该下方位置水平移动到所述基体材料的正上方的喷出位置。
13.如权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，还具有如下步骤：
在所述喷射喷嘴移动到所述下方位置之前不使所述基体材料旋转，在所述喷射喷嘴从所述第二上方位置到达所述下方位置之后，对所述旋转驱动部的动作进行控制，使所述基体材料开始旋转。
14.如权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述喷射喷嘴从所述第二上方位置到达所述下方位置之后，使所述基体材料开始旋转。
15.如权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，还具有如下步骤：
在比所述喷射喷嘴到达所述喷出位置的预定时刻提前了偏移时间的时刻，使所述药液开始从所述喷射喷嘴喷出。
16.如权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述喷射喷嘴从所述下方位置移动到所述喷出位置之后，使所述基板开始旋转。
17.如权利要求12至16的任意一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理装置还具有药液限制构件，该药液限制构件具有朝向所述基体材料的相反侧的方向的倾斜面，
所述第一下方位置设定在所述倾斜面的正上方。
18.如权利要求12至17的任意一项所述的基板处理方法，其特征在于，还具有如下步骤：
在所述基体材料的转速达到预定的目标转速之后，从所述喷射喷嘴朝向所述被处理膜喷出所述药液。
19.如权利要求12至18的任意一项所述的基板处理方法，其特征在于，还具有如下步骤：
使所述喷嘴移动机构将所述喷射喷嘴从比所述基体材料的外缘部更靠外侧的待机位置向所述第一上方位置上升。
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