KR20220047510A - 하전 입자선 장치, 및 제어 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는, 스테이지를 고속으로 이동하면서 스테이지 이동의 영향을 받지 않는 화상을 취득하는 하전 입자선 장치를 제공하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 하전 입자선 장치를, 하전 입자선을 시료에 조사하는 하전 입자원(101)과, 시료를 설치하는 스테이지(106)와, 스테이지의 이동량을 계측하는 계측부(122)와, 편향기(104)와, 스테이지의 이동량에 따라서 편향기의 편향량을 조정하는 피드백 제어부인 편향기 오프셋 제어부(123)와, 하전 입자선의 조사에 의해 시료로부터 방출되는 이차 하전 입자를 검출하는 복수의 검출기(111, 112), 피드백 제어부에 의해 조정된 편향량에 의거하여, 복수의 검출기로부터 출력되는 각 신호의 합성 비율을 산출하는 합성 비율 산출부(118)와, 합성 비율을 이용해서 각 신호를 합성함에 의해 합성 화상을 생성하는 화상 생성부(115)로 구성한다.

Description

하전 입자선 장치, 및 제어 방법{CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE, AND CONTROL METHOD}
본 개시는, 하전 입자선 장치에 관한 것이며, 특히 시료를 유지하는 스테이지의 이동량에 따라서 복수의 검출기에서 취득하는 신호의 합성 비율을 변화시키는 기술에 관한 것이다.
전자현미경이나 이온현미경 등의 하전 입자선 장치는, 미세한 구조를 갖는 다양한 시료의 관찰에 이용되고 있다. 예를 들면, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서의 프로세스 관리를 목적으로 해서, 하전 입자선 장치의 하나인 주사 전자현미경이, 시료인 반도체 웨이퍼 상에 형성된 반도체 디바이스 패턴의 치수 계측이나 결함 검사 등의 측정에 응용되고 있다.
반도체 디바이스 패턴의 치수 계측이나 결함 검사에서는 단위 시간당의 측정점수, 즉 스루풋이 중요하고, 스루풋을 향상하기 위한 방법으로서, 웨이퍼를 유지하는 스테이지를 고속으로 이동하고, 스테이지가 정지하기 전에 촬상을 개시하는 방법이 있다. 이때, 촬상 시의 스테이지 이동분을 편향기에 피드백 제어함으로써 스테이지가 완전히 정지되어 있지 않아도, 어긋남이 없는 화상을 취득하는 방법이 특허문헌 1에 개시되어 있다.
또한, 최근에는 반도체 디바이스의 삼차원화가 진전되고 있어, 반도체 디바이스 패턴의 치수 계측 장치나 결함 검사 장치에는 하층 패턴을 고(高)콘트라스트로 촬상하는 것도 중요시되고 있다. 여기에서, 특허문헌 2에서는 방출되는 방향에 따라서 이차 전자를 선택적으로 검출함으로써 각도 변별하여, 하층의 형상이 명료한 화상을 생성하는 것이 개시되어 있다. 특히, 시료에 조사되는 전자선이 통과하는 개구를 이용해서 이차 전자를 각도 변별하는 방법이 개시되어 있다.
일본국 특허4927506호 공보 일본국 특허5948084호 공보 일본국 특개2019-46642호 공보
특허문헌 1에 기재된 스테이지 드리프트 보정 방법과, 특허문헌 2에 기재된 복수의 검출기에 의한 각도 변별 기능을 단순히 조합하면, 스테이지 이동량에 따라서 각 검출기의 검출 신호량이 변화한다는 과제가 있다. 이는, 특허문헌 1에 기재된 스테이지 드리프트 보정 방법에서는 스테이지 이동량에 따라서 편향기에 편향장을 인가할 필요가 있기 때문에, 편향장의 양에 따라서 웨이퍼에서 발생한 이차 하전 입자가 편향되어, 각 검출기에 도달하는 이차 하전 입자의 양이 변동되기 때문이다.
특허문헌 2나 특허문헌 3에서는, 편향기의 편향장에 따라서, 이차 하전 입자의 궤도를 제어하는 다른 편향기에서 이차 하전 입자의 검출량을 조정하는 방법이 개시되어 있지만, 스테이지 이동의 시간이 밀리초로 빠른 전형적인 경우, 이차 하전 입자의 궤도를 변화시키는 편향기의 응답이 시간에 맞추지 못해, 이차 하전 입자의 궤도를 제어할 수는 없다는 과제가 있다.
본 발명에서는, 상기 과제를 해결하기 위하여, 하전 입자선을 시료에 조사하는 하전 입자원과, 시료를 설치하는 스테이지와, 하전 입자선을 편향하는 편향기와, 하전 입자선의 조사에 의해 시료로부터 방출되는 이차 하전 입자를 검출하는 복수의 검출기와, 편향기가 지정하는 하전 입자선의 편향량을 조정하는 피드백 제어부와, 피드백 제어부에 의해 조정된 편향량에 의거하여, 복수의 검출기의 각 신호의 합성 비율을 산출하고, 합성 비율에 의거하여 각 신호를 합성해서 합성 화상을 생성하는 화상 생성부를 구비하는 하전 입자선 장치를 제공한다.
또한, 본 발명에 있어서는, 상기 과제를 해결하기 위하여, 하전 입자선 장치의 제어 방법으로서, 하전 입자선 장치는, 하전 입자선을 시료에 조사하는 하전 입자원과, 시료를 설치하는 스테이지와, 스테이지의 이동량을 계측하는 계측부와, 하전 입자선을 편향하는 편향기와, 하전 입자선의 조사에 의해 시료로부터 방출되는 이차 하전 입자를 검출하는 복수의 검출기와, 편향기가 지정하는 하전 입자선의 편향량을 조정하는 피드백 제어부와, 화상 생성부를 구비하고, 피드백 제어부는, 스테이지의 이동량에 따라서, 하전 입자선의 편향량을 조정하고, 화상 생성부는, 피드백 제어부에 의해 조정된 편향량에 의거하여, 복수의 검출기의 각 신호의 합성 비율을 산출하고, 합성 비율에 의거하여 각 신호를 합성해서 합성 화상을 생성하는, 하전 입자선 장치의 제어 방법을 제공한다.
본 발명을 이용함으로써, 스테이지를 고속으로 이동하면서 스테이지 이동의 영향을 받지 않는 화상을 취득할 수 있다.
도 1은, 실시예 1에 따른 하전 입자선 장치의 구성도.
도 2는, 실시예 1에 따른 보정 함수를 결정하기 위한 플로를 설명하기 위한 도면.
도 3은, 실시예 1에 따른 보정을 실행하기 위한 플로를 설명하기 위한 도면.
도 4는, 실시예 2에 따른 하전 입자선 장치의 구성도.
도 5는, 실시예 2에 따른 보정 함수를 결정하기 위한 플로를 설명하기 위한 도면.
도 6은, 실시예 2에 따른 보정을 실행하기 위한 플로를 설명하기 위한 도면.
도 7은, 실시예 3에 따른 하전 입자선 장치의 구성도.
도 8은, 실시예 3에 따른 보정을 실행하기 위한 플로를 설명하기 위한 도면.
도 9는, 실시예 4에 따른 하전 입자선 장치의 구성도.
도 10은, 실시예 4에 따른 화상에 있어서의 히스토그램의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 11은, 실시예 4에 따른 보정을 실행하기 위한 플로를 설명하기 위한 도면.
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 따라 순차 설명한다. 또, 본 실시예에서 나타내는 도면은 본 발명의 원리에 따른 구체적인 실시예를 나타내고 있지만, 이들은 본 발명의 이해를 위한 것이며, 절대로 본 발명을 한정적으로 해석하기 위하여 이용되는 것은 아니다. 이하의 실시예에서는 하전 입자원으로서 전자를 이용하는 주사 전자현미경(SEM; Scanning Electron Microscope)을 예로 설명하지만, 하전 입자원으로서 각종 이온을 이용하는 경우에도 동등한 효과를 얻을 수 있다.
(실시예 1)
도 1을 이용해서 본 실시예의 주사 전자현미경의 전체 구성에 대하여 설명한다. 도 1 중의 연직 방향을 Z 방향, 수평 방향을 X 방향 및 Y 방향으로 한다. SEM은, 전자선으로 시료를 주사하는 전자선 광학계와, 진공 중에서 시료를 유지하는 스테이지 기구계와, 전자선의 주사에 의해서 시료로부터 방출되는 이차 전자를 검출하는 검출계와, 각부(各部)로부터 출력되는 데이터를 처리함과 함께 각부를 제어하는 제어계를 구비한다.
전자선 광학계는, 전자선원(101), 대물 렌즈(103), 편향기(104), 셔터(120)를 갖는다. 전자선원(101)은, 소정의 가속 전압에 의해서 가속된 일차 전자선(102)을 시료(105)에 조사하는 선원이다. 대물 렌즈(103)는 일차 전자선(102)을 시료(105)의 표면에서 수속시키는 렌즈이다. 편향기(104)는, 시료(105)의 표면을 주사하기 위하여 일차 전자선(102)을 편향시키는 자계나 전계를 발생시키는 코일이나 전극이다.
또, 전자선원(101)과 대물 렌즈(103)의 중심을 잇는 직선은 광축(121)이라 하고, 편향기(104)에 의해서 편향되지 않는 일차 전자선(102)은 광축(121)을 따라 시료(105)에 조사된다. 셔터(120)는, 기계적으로 광축(121)을 개폐하거나, 전기적 또는 자기적으로 일차 전자선(102)을 편향함에 의해, 시료(105)에의 일차 전자선(102)의 조사를 제어한다.
스테이지 기구계는, 가동 스테이지(106)를 갖는다. 가동 스테이지(106)는, 시료(105)를 유지함과 함께, X 방향 및 Y 방향으로 시료(105)를 이동시킨다. 가동 스테이지(106)에 유지되는 시료(105)에는, 접지 전압보다도 낮은 음전압이 인가되어도 되고, 인가되는 음전압에 의해서 일차 전자선(102)은 감속 작용을 받는다. 가동 스테이지(106)의 좌표는 스테이지 좌표 계측부(122)에 의해서 계측된다. 스테이지 좌표 계측부(122)의 구성의 일례로서는, 레이저광을 가동 스테이지(106)에 조사하고, 가동 스테이지(106)에서 반사된 레이저광을 검출함으로써 가동 스테이지(106)의 좌표를 계측할 수 있다. 이는 일례이며, 가동 스테이지(106)의 좌표를 계측할 수 있으면 다른 방법이어도 된다.
검출계는, 이차 전자 조리개(109), 제1 검출기(111), 제2 검출기(112)를 갖는다. 이차 전자 조리개(109)는, 예를 들면 원형의 개구(109a)를 갖는 금속판이며, 시료(105)로부터 방출되는 이차 전자(108)의 일부가 개구(109a)를 통과한다. 개구(109a)를 통과하는 이차 전자(108)는, 시료(105)로부터 방출되는 방향과 광축(121)이 이루는 각도가 비교적 작으므로, 개구(109a)를 통과하는지의 여부에 따라서 이차 전자(108)가 각도 변별된다. 즉 개구(109a)는, 시료(105)로부터 방출되는 이차 전자(108)의 각도 변별에 이용된다.
또 개구(109a)의 위치를 광축(121)에 일치시켜서 일차 전자선(102)이 개구(109a)를 통과할 수 있도록 해도 되고, 일차 전자선(102)이 통과하는 구멍과는 별개로 이차 전자(108)의 각도 변별용의 개구(109a)가 마련되어도 된다. 이후에는, 이차 전자 조리개(109)의 개구(109a)의 위치가 광축(121)에 일치하는 경우에 대하여 설명한다.
제1 검출기(111)는, 이차 전자 조리개(109)보다도 시료(105)의 측에 마련되고, 이차 전자 조리개(109)에 이차 전자(108)가 충돌함에 의해 발생하는 삼차 전자(110)를 검출하는 검출기이다. 즉 제1 검출기(111)는, 삼차 전자(110)를 검출함에 의해, 이차 전자 조리개(109)의 개구(109a)를 통과하지 않는 이차 전자(108)를 간접적으로 검출한다.
제2 검출기(112)는, 이차 전자 조리개(109)보다도 전자선원(101)의 측에 마련되고, 개구(109a)를 통과하는 이차 전자(108)를 검출하는 검출기이다. 제1 검출기(111)나 제2 검출기(112)에는, 신틸레이터·라이트 가이드·광전자 증배관으로 구성되는 E-T 검출기나 반도체 검출기가 이용되어도 되고, 다른 구성의 검출기가 이용되어도 된다. 예를 들면, 원환(圓環) 형상의 반도체 검출기나 MCP(Micro-Channel Plate)로 이차 전자 조리개(109)를 구성함에 의해, 이차 전자 조리개(109)를 제1 검출기(111)로서 기능시켜도 된다.
제어계는, 리타딩 제어부(107), 제1 검출기 제어부(113), 제2 검출기 제어부(114), 화상 생성부(115), 입출력부(116), 기억부(117), 합성 비율 산출부(118), 편향기 오프셋 제어부(123), SEM 제어부(119)를 갖는다.
리타딩 제어부(107)는, 가동 스테이지(106)의 위의 시료(105)에 인가되는 음전압을 제어하는 회로이다. 편향기 오프셋 제어부(123)는, 스테이지 좌표 계측부(122)에서 계측된 가동 스테이지(106)의 이동량을 바탕으로, 편향기(104)에 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압을 인가하는 피드백 제어부이다. 제1 검출기 제어부(113) 및 제2 검출기 제어부(114)는, 제1 검출기(111) 및 제2 검출기(112)를 각각 제어하여, 게인이나 오프셋을 조정하는 회로이다.
화상 생성부(115)는, 제1 검출기(111)로부터 출력되는 제1 신호 또는 제2 검출기(112)로부터 출력되는 제2 신호에 의거해서 화상을 생성하는 연산기이며, 예를 들면, MPU(Micro Processing Unit)나 GPU(Graphics Processing Unit) 등이다.
입출력부(116)는, 시료(105)를 관찰하기 위한 조건인 관찰 조건을 입력하거나, 화상 생성부(115)에 의해서 생성되는 화상을 표시하는 장치이며, 예를 들면 키보드나 마우스, 터치패널, 액정 디스플레이 등이다.
기억부(117)는, 각종 데이터나 프로그램이 기억되는 장치이며, 예를 들면 HDD(Hard Disk Drive)나 SSD(Solid State Drive) 등이다. 기억부(117)에는, SEM 제어부(119) 등에 의해서 실행되는 프로그램이나 입출력부(116)로부터 입력되는 관찰 조건, 화상 생성부(115)에 의해서 생성되는 화상 등이 기억된다.
합성 비율 산출부(118)는, 화상 생성부(115)가 제1 신호와 제2 신호를 합성해서 합성 화상을 생성할 때에 이용하는 합성 비율을 산출하는 연산기이며, 예를 들면 MPU 등으로 구성된다. 합성 비율이 산출되는 처리의 흐름에 대해서는, 이후 도 3을 이용해서 설명한다.
SEM 제어부(119)는, 각부를 제어함과 함께, 각부에서 생성되는 데이터를 처리하거나 송신하는 연산기이며, 예를 들면 CPU(Central Processing Unit)나 MPU 등이다. SEM 제어부(119)의 CPU나 MPU 등은, 화상 생성부(115)의 CPU나 MPU 등이나, 합성 비율 산출부(118)의 MPU 등을 겸용할 수 있다.
본 실시예에서는, 시료(105) 중 원하는 관찰 장소로 가동 스테이지(106)가 이동한 후, 가동 스테이지(106)가 완전히 정지하지 않고 드리프트하는 드리프트양을 스테이지 좌표 계측부(122)에서 계측하고, 드리프트양에 따라서 편향기 오프셋 제어부(123)로부터 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압을 출력하고, 합성비 산출부(118)에 있어서 상기 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압 출력에 따른 합성비를 산출한다. 구체적인 처리의 흐름에 대하여 도 2 및 도 3을 이용해서 설명한다. 본 처리는 도 2에 나타내는 보정 함수의 결정과, 도 3에 나타내는 보정의 실행의 2가지로 이루어진다.
<도 2 : 보정 함수의 결정>
(S201)
평탄한 표면을 갖는 시료(105)인 교정 시료가 가동 스테이지(106)에 유지되어, 주사 전자현미경에 반입된다. 또 교정 시료는 평탄한 표면을 가질 뿐만 아니라, 균질한 재질인 것이 바람직하다. 예를 들면 실리콘의 베어 웨이퍼가 교정 시료로서 이용된다.
(S202)
가동 스테이지(106)는, 평탄한 표면이 시야 내에 배치되도록, 교정 시료를 이동시킨다. 이때, 컨테미네이션을 방지하기 위하여, 전회의 보정 함수를 결정했을 때에 사용한 장소와는 다른 장소로 이동하는 것이 바람직하다.
(S203)
SEM 제어부(119)는 N=0을 설정함과 함께 셔터(120)를 열고, 교정 시료에의 일차 전자선(102)의 조사를 개시한다. 또 N은 측정을 실시하는 편향기 오프셋의 점수이다.
(S204)
편향기 오프셋 제어부(123)로부터 편향기(104)에 대해서 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압인 N×ΔD를 출력한다. 이때, 출력하는 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압의 양 ΔD는 기억부(117)에 기록되어 있다.
(S205)
제1 검출기(111)로부터 출력되는 제1 신호 및 제2 검출기(112)로부터 출력되는 제2 신호를 기억부(117)에 기록한다.
(S206)
SEM 제어부(119)는, N의 값이 미리 정해진 문턱값 Nth에 도달했는지의 여부를 판정한다. N의 값이 문턱값 Nth에 도달하여 있지 않으면 S204로 처리가 진행되고, 도달했으면 S207로 처리가 진행된다.
(S207)
SEM 제어부(119)는 기억부(117)에 기록되어 있는 편향기 오프셋마다의 제1 신호 및 제2 신호로부터 제1 및 제2 검출기의 검출 신호량비를 산출한다. 구체적으로는, 제1 신호를 I1, 제2 신호를 I2, 제1 검출기의 검출 신호량비를 P1, 제2 검출기의 검출 신호량비를 P2로 하면, 하기 식(1),
[식 1]
Figure pat00001
로 결정된다. 결정한 검출 신호량비 P1 및 P2를 기억부(117)에 기록한다.
(S208)
가동 스테이지(106)에 유지되어 있는 교정 시료를 주사 전자현미경의 외부에 반출하여 처리를 종료한다.
<도 3 : 보정의 실행>
(S301)
유저가 관찰을 원하는 시료(105)인 관찰 시료가 가동 스테이지(106)에 유지되어, 주사 전자현미경에 반입된다.
(S302)
유저가 관찰을 원하는 좌표로 가동 스테이지(106)는 관찰 시료를 이동시킨다.
(S303)
관찰 장소로 이동 직후의 가동 스테이지(106)의 좌표를 스테이지 좌표 계측부(122)에서 계측한다.
(S304)
화상 취득을 개시한다. 이때, 일차 전자선(102)의 주사 속도나 프레임 적산수, 픽셀수, 배율 등은 입출력부(116)로부터 유저에 의해 입력된다.
(S305)
가동 스테이지(106)의 좌표를 스테이지 좌표 계측부(122)에서 계측하고, S303에서 계측한 좌표와의 차분을 스테이지 드리프트양으로 한다.
(S306)
S305에서 결정한 스테이지 드리프트양에 따라서, 편향기 오프셋 제어부(123)로부터 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압을 편향기(104)에 대해서 출력한다.
(S307)
S306에서 출력한 편향기의 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압에 따라서, 제1 신호 및 제2 신호의 합성비를 합성비 산출부(118)에서 산출하고, 화상 생성부(115)에서 합성 화상을 생성한다.
(S308)
SEM 제어부(119)는, 화상 취득이 완료되었는지의 여부를 판정한다. 화상 취득이 완료되어 있지 않으면 S305로 처리가 진행되고, 도달하여 있으면 S309로 처리가 진행된다.
(S309)
가동 스테이지(106)에 유지되어 있는 관찰 시료를 주사 전자현미경의 외부에 반출하여 처리를 종료한다.
처리 후의 합성 화상은 기억부(117)에 기록된다. 또한, 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압의 값과 합성비 산출부(118)에서 산출된 합성비도 합성 화상의 부대 정보로서 기억부(117)에 기록된다. 그리고, 합성 화상과 부대 정보는 유저가 원할 때 입출력부(116)에서 확인할 수 있다.
이상 설명한 처리의 흐름에 의해서, 가동 스테이지(106)의 스테이지 드리프트양에 의거하여 편향기(104)에 인가되는 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압에 따라서, 제1 검출기 및 제2 검출기의 검출률 변동이 보정되기 때문에, 스테이지가 드리프트해도 균질한 합성 화상이 생성된다. 또, S305 내지 S307의 처리는 프레임 적산 동안에 실시해도 되고, 일차 전자선(102)의 1라인 주사 동안에 실시해도 된다.
(실시예 2)
실시예 1에서는 가동 스테이지(106)의 스테이지 드리프트양에 따라서 편향기(104)에 인가되는 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압에 따라서 제1 검출기 및 제2 검출기의 검출률이 변동을 보정하는 방법에 대하여 나타냈다. 상기 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압에 따른 검출률의 변동량은, 시료(105)의 높이(Z 좌표)나 기울기, 일차 전자선(102)의 시료(105)에의 조사 에너지 등의 조건에 따라서 변동한다. 그래서, 본 실시예에서는 이들 조건마다 검출률의 변동량을 보정하는 제어 방법의 실시예를 개시한다.
일례로서, 도 4에, 시료(105)의 높이(Z 좌표)마다 검출률의 변동량을 보정하기 위한 장치 구성을 나타낸다. 본 구성은, 도 1의 구성에 광조사부(401), 광검출부(404), 및 시료 높이 계측부(405)가 추가되어 있다. 광조사부(401)로부터 입사광(402)이 시료(105)를 향해서 조사된다. 시료(105)에서 반사된 반사광(403)은 광검출부(404)에서 검출된다. 시료 높이 계측부(405)에서는 시료(105)의 Z 좌표에 따라서 반사광(403)의 광검출부(404)에서의 위치가 변화하는 것을 이용해서 시료(105)의 Z 좌표를 계측한다.
도 4의 장치 구성을 이용해서 보정 함수를 결정하는 방법을 도 5에 나타낸다.
<도 5 : 보정 함수의 결정>
(S501)
복수의 높이를 갖는 높이 교정용 시료가 가동 스테이지(106)에 유지되어, 주사 전자현미경에 반입된다. 또 교정 시료는 평탄한 표면을 가질 뿐만 아니라, 균질한 재질인 것이 바람직하다.
(S502∼S507)
도 2에 있어서의 S202 내지 S207과 마찬가지이다.
(S508)
SEM 제어부(119)는, S501에서 반입한 높이 교정용 시료에 준비되어 있는 모든 높이에서 측정이 완료되어 있는지를 판정한다. 모든 높이에서 측정이 완료되어 있지 않은 경우는 S502로 진행하고, 측정이 완료되어 있는 경우는 S509로 진행한다.
(S509)
가동 스테이지(106)에 유지되어 있는 높이 교정 시료를 주사 전자현미경의 외부에 반출하여 처리를 종료한다. 이상의 처리에 의해서, 시료(105)의 높이마다 보정 함수를 결정할 수 있다.
<도 6 : 보정의 실행>
(S601, S602)
도 3에 있어서의 S301 및 S302와 마찬가지이다.
(S603)
관찰 장소로 이동 직후의 가동 스테이지(106)의 XY 좌표를 스테이지 좌표 계측부(122)에서, 시료(105)의 Z 좌표를 시료 높이 계측부(405)에서 각각 계측한다.
(S604∼S606)
도 3에 있어서의 S304 내지 S306과 마찬가지이다.
(S607)
S603에서 계측한 관찰 시료의 Z 좌표 및 S306에서 출력한 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압에 따라서 제1 신호 및 제2 신호의 합성비를 합성비 산출부(118)에서 산출하고, 화상 생성부(115)에서 합성 화상을 생성한다.
(S608, S609)
도 3에 있어서의 S308 및 S309와 마찬가지이다.
상기한 처리에 의해서, 시료(105)의 높이를 고려하여, 가동 스테이지(106)의 스테이지 드리프트양에 따라서 편향기(104)에 인가되는 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압에 따라서 제1 검출기 및 제2 검출기의 검출률 변동이 보정된다.
이상, 시료(105)의 높이를 고려한 경우의 검출률 변동 보정 방법에 대하여 기술했지만, 여기에서 개시한 방법은 시료(105)의 높이 이외의 파라미터 변동에 대해서도 적응할 수 있다. 예를 들면, 도 4에서 시료(105)의 높이를 계측하는 대신에, 시료(105)의 기울기를 계측하는, 도시를 생략한 센서를 탑재하고, 도 5의 보정 함수 결정의 플로에 있어서, 기울기가 서로 다른 교정 시료를 이용해서 보정 함수를 결정하고, 도 6의 보정 실행의 플로에 있어서, 관찰 시료의 기울기로부터 합성비를 결정하면 된다.
이들 보정 함수 결정은, 일차 전자선(102)의 시료(105)에의 입사 에너지나 입사 각도마다 실시할 수도 있고, 주사 전자현미경이 설치되어 있는 환경의 온도나 기압 등의 환경 센서의 값을 이용해서 실시할 수도 있다. 즉, 시료의 높이, 시료의 기울기, 하전 입자선의 시료에의 입사 에너지, 하전 입자선의 시료에의 입사 각도, 당해 하전 입자선 장치가 설치되어 있는 환경의 온도, 및 당해 하전 입자선 장치가 설치되어 있는 환경의 기압의 적어도 하나 이상을 계측하기 위한 센서의 값을 이용하면 된다.
(실시예 3)
본 개시는 가동 스테이지(106)의 드리프트를 편향기 오프셋 제어부(123)에서 보정하는 것 이외에도, 편향기 오프셋 제어부(123)로부터 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압을 편향기(104)에 인가하는 경우에 적응할 수 있다. 구체적으로는 도 7에 나타내는 실시예 3의 하전 입자선 장치의 구성을 생각할 수 있다. 도 1의 구성에 대해서, 실시예 3의 구성에서는, 스테이지 좌표 계측부(122)가 없어지고, 대신에 이차 전자 편향기(701), 수속 렌즈(703) 및 시간 계측부(702)가 추가되어 있다. 이차 전자 편향기(701)는 자장과 전장을 직교시킨 광학 소자이며, 일차 전자선(102)은 직진시키고, 이차 전자(108)는 편향시키는 작용을 갖는다. 수속 렌즈(703)는 일차 전자선(102)을 수속시키는 작용을 갖는다.
이차 전자 편향기(701)나 수속 렌즈(703)에서는 장치 설치 환경의 변화나 전원의 안정성, 운전 환경의 변화에 의해서 일차 전자선(102)에 작용하는 장이 변화하는 경우가 있다. 예를 들면, 수속 렌즈(703)에 있어서 일차 전자선(102a)과 같이 편향된다. 이 편향된 일차 전자선(102a)의 궤도는 편향기 오프셋 제어부(123)로부터 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압을 편향기(104)에 인가함으로써 되돌릴 수 있다.
여기에서, 편향된 일차 전자선(102a)을 되돌리기 위해서 필요한 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압의 양은, 이차 전자 편향기(701)의 동작 조건이나 수속 렌즈(703)의 동작 조건을 결정한 시각으로부터 현재까지의 경과 시간의 함수이다. 전술의 이차 전자 편향기(701)의 동작 조건이나 수속 렌즈(703)의 동작 조건을 결정한 시각을 기준 시각으로 하고, 기준 시각으로부터 현재까지의 경과 시간은 시간 계측부(702)에서 계측된다.
기준 시각으로부터의 경과 시간에 대해서 편향기 오프셋 제어부(123)로부터 출력되는 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압은 미리 장치 설계자가 결정하여, 기억부(117)에 저장되어 있다. 또한, 기준 시각을 언제로 설정할지도 미리 장치 설계자가 결정해 둔다.
검출률의 보정 함수는 도 2에 기재된 플로에서 결정된 것을 이용할 수 있다. 도 8에 보정의 실행의 플로를 나타낸다.
<도 8 : 보정의 실행>
(S801∼S803)
도 3에 있어서의 S301, S302 및 S304와 마찬가지이다.
(S804)
시간 계측부(702)에서 현재 시각을 계측하고, 기준 시각으로부터의 경과 시간을 산출한다.
(S805)
S804에서 결정한 경과 시간에 따라서 편향기 오프셋 제어부(123)로부터 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압을 편향기(104)에 대해서 출력한다.
(S806)
S805에서 출력한 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압에 따라서 제1 신호 및 제2 신호의 합성비를 합성비 산출부(118)에서 산출하고, 화상 생성부(115)에서 합성 화상을 생성한다.
(S807)
SEM 제어부(119)는, 화상 취득이 완료되었는지의 여부를 판정한다. 화상 취득이 완료되어 있지 않으면 S804로 처리가 진행되고, 도달하여 있으면 S808로 처리가 진행된다.
(S808)
가동 스테이지(106)에 유지되어 있는 관찰 시료를 주사 전자현미경의 외부에 반출하여 처리를 종료한다.
이상의 처리에 의해, 시간 경과에 수반하여 편향되는 일차 전자선(102a)을 되돌리면서, 검출률의 변동을 보정할 수 있다.
(실시예 4)
실시예 1, 2 및 3에서는, 합성 비율 산출부(118)에 있어서 산출되는 제1 신호와 제2 신호의 합성 비율이 편향기 오프셋 제어부(123)로부터 출력되는 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압에 의존해서 변화시키고 있었다. 그러나, 합성 비율 산출부(118)에서 결정하는 합성 비율은 일정값으로 해서, 제1 검출기 제어부(113) 및 제2 검출기 제어부(114)에 있어서의 게인과 오프셋을 조정함으로써도 동등한 효과를 얻을 수 있다.
구체적으로는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 편향기 오프셋 제어부(123)로부터 출력되는 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압에 따른 게인과 오프셋을, 검출기 게인 산출부(901)에서 산출하고, 제1 검출기 제어부(113) 및 제2 검출기 제어부(114)에 설정함으로써 실현할 수 있다.
통상적으로, 제1 검출기 제어부(113) 및 제2 검출기 제어부(114)에서 결정되는 게인과 오프셋은, 각각 제1 검출기(111) 및 제2 검출기(112)에서 취득한 화상의 도 10에 나타낸 히스토그램에 있어서, 최소 계조값 IMin과 최대 계조값 IMax가 소정의 값으로 되도록 조정된다.
그러나, 본 실시예에서는, 제1 검출기(111) 및 제2 검출기(112)에 있어서의 최소 계조값 IMin과 최대 계조값 IMax가 도 2의 S207에서 결정되는 제1 검출기의 검출 신호량비 P1 및 제2 검출기의 검출 신호량비 P2에 따라서 변동하고, 변동한 최소 계조값 IMin과 최대 계조값 IMax를 실현할 수 있도록 제1 검출기 제어부(113) 및 제2 검출기 제어부(114)에서 게인과 오프셋이 결정된다. 제1 검출기의 검출 신호량비 P1 및 제2 검출기의 검출 신호량비 P2와 최소 계조값 IMin 및 최대 계조값 IMax의 관계는 설계자가 미리 결정하여, 기억부(117)에 저장되어 있다.
제1 검출기의 검출 신호량비 P1 및 제2 검출기의 검출 신호량비 P2는 도 2에 기재된 플로에서 결정된 것을 이용할 수 있다. 본 실시예의 보정의 실행의 플로를 도 11에 나타낸다.
<도 11 : 보정의 실행>
(S1101∼S1106, S1108, S1109)
도 3에 있어서의 S301∼S306, S308 및 S309와 마찬가지이다.
(S1107)
S1106에서 출력한 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압에 따라서, 제1 검출기 제어부(113) 및 제2 검출기 제어부(114)에서 게인과 오프셋 조정하여, 얻어진 제1 신호 및 제2 신호를 미리 결정되어 있는 합성비로 화상 생성부(115)에서 합성 화상을 생성한다.
이상, 본 실시예에 있어서는, 제1 검출기 제어부(113) 및 제2 검출기 제어부(114)에서 결정되는 게인과 오프셋의 조정에 의해, 편향기 오프셋 제어부(123)로부터 출력되는 오프셋 전류 혹은 오프셋 전압에 의존해서 변동하는 검출률을 보정한 화상을 취득할 수 있다.
본 발명은, 이상에 설명한 실시예로 한정되는 것은 아니며, 또한, 다양한 변형예가 포함된다. 예를 들면, 상기한 실시예는, 본 발명을 알기 쉽게 설명하기 위하여 상세히 설명한 것이며, 반드시 설명한 모든 구성을 구비하는 것으로 한정되는 것은 아니다. 또한, 어느 실시예의 구성의 일부를, 다른 실시예의 구성으로 치환하는 것이 가능하고, 또한, 어느 실시예의 구성에 다른 실시예의 구성을 더하는 것도 가능하다. 또한, 각 실시예의 구성의 일부에 대하여, 다른 실시예에 포함되는 구성을 추가·삭제·치환하는 것도 가능하다.
또한, 전술한 각 구성, 기능, 제어부 등은, 그들의 일부 또는 전부를 실현하는 프로그램을 작성하는 예를 중심으로 설명했지만, 그들의 일부 또는 전부를 예를 들면 집적 회로로 설계하는 것 등에 의해 하드웨어로 실현해도 되는 것은 물론이다. 즉, 처리부의 전부 또는 일부의 기능은, 프로그램 대신에, 예를 들면, ASIC(Application Specific Integrated Circuit), FPGA(Field Programmable Gate Array) 등의 집적 회로 등에 의해 실현해도 된다.
101 : 전자선원 102 : 일차 전자선
102a : 편향된 일차 전자선 103 : 대물 렌즈
104 : 편향기 105 : 시료
106 : 가동 스테이지 107 : 리타딩 제어부
108 : 이차 전자 109 : 이차 전자 조리개
109a : 개구 110 : 삼차 전자
111 : 제1 검출기 112 : 제2 검출기
113 : 제1 검출기 제어부 114 : 제2 검출기 제어부
115 : 화상 생성부 116 : 입출력부
117 : 기억부 118 : 합성비 산출부
119 : SEM 제어부 120 : 셔터
121 : 광축 122 : 스테이지 좌표 계측부
123 : 편향기 오프셋 제어부 401 : 광조사부
402 : 입사광 403 : 반사광
404 : 광검출부 701 : 이차 전자 편향기
702 : 시간 계측부 901 : 검출기 게인 산출부

Claims (12)

  1. 하전 입자선을 시료에 조사하는 하전 입자원과,
    상기 시료를 설치하는 스테이지와,
    상기 하전 입자선을 편향하는 편향기와,
    상기 하전 입자선의 조사에 의해 상기 시료로부터 방출되는 이차 하전 입자를 검출하는 복수의 검출기와,
    상기 편향기가 지정하는 상기 하전 입자선의 편향량을 조정하는 피드백 제어부와,
    상기 피드백 제어부에 의해 조정된 편향량에 의거하여, 상기 복수의 검출기의 각 신호의 합성 비율을 산출하고, 상기 합성 비율에 의거하여 상기 각 신호를 합성해서 합성 화상을 생성하는 화상 생성부를 구비하는
    것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 스테이지의 이동량을 계측하는 계측부를 더 구비하고,
    상기 피드백 제어부는, 상기 스테이지의 이동량에 따라서, 상기 하전 입자선의 편향량을 조정하는
    것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    기억부를 더 구비하고,
    상기 피드백 제어부에 의해 조정된 상기 편향량과 상기 합성 비율의 관계를, 교정 시료를 이용해서 미리 결정하고, 상기 기억부에 유지하는
    것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 합성 화상의 생성 시의 상기 편향량과 상기 각 신호의 합성 비율은,
    상기 합성 화상의 부대 정보로서 상기 기억부에 기록되는
    것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 화상 생성부에 있어서 상기 합성 화상을 생성하는 처리를,
    상기 편향기에 의한 상기 하전 입자선의 1라인 주사마다, 혹은, 1프레임 주사마다 실시하는
    것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 시료의 높이, 상기 시료의 기울기, 상기 하전 입자선의 상기 시료에의 입사 에너지, 상기 하전 입자선의 상기 시료에의 입사 각도, 당해 하전 입자선 장치가 설치되어 있는 환경의 온도, 및 당해 하전 입자선 장치가 설치되어 있는 환경의 기압의 적어도 하나 이상을 계측하기 위한 센서를 갖고,
    상기 피드백 제어부에 의해 조정된 상기 편향량에 더해서, 상기 센서 중, 적어도 하나의 상기 센서로 계측한 결과에 의거하여, 상기 복수의 검출기로부터 출력되는 각 신호의 합성 비율을 산출하는
    것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 하전 입자선의 조사에 의해 시료로부터 방출되는 이차 하전 입자를 편향하기 위한 이차 하전 입자 편향기 혹은 상기 복수의 검출기와 상기 하전 입자원 사이에 설치된 상기 하전 입자선을 수속하기 위한 수속 렌즈와,
    시간을 계측하기 위한 시간 계측부를 더 구비하고,
    상기 시간 계측부에서 기준 시각과 현재 시각의 차분인 경과 시간이 계측되고,
    상기 편향기가 지정하는 상기 하전 입자선의 편향량은, 상기 경과 시간에 따라서 상기 피드백 제어부에 의해 조정되는
    것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기준 시각은 상기 이차 하전 입자 편향기의 동작 조건 혹은 상기 수속 렌즈의 동작 조건을 결정한 시각, 혹은 상기 이차 하전 입자 편향기에서 발생시키는 편향장 혹은 상기 수속 렌즈에서 발생시키는 편향장을 변경한 시각인
    것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 검출기에 있어서의 게인과 오프셋양을 조정하는 검출기 제어부와,
    상기 피드백 제어부에 의해 조정된 상기 편향량에 의거하여, 상기 검출기 제어부에서 설정하는 상기 게인과 오프셋양을 산출하기 위한 검출기 게인 산출부를 더 구비하고,
    상기 화상 생성부는, 상기 복수의 검출기로부터 출력되는 각 신호를 일정한 합성비에 의해 합성하는
    것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  10. 하전 입자선 장치의 제어 방법으로서,
    상기 하전 입자선 장치는, 하전 입자선을 시료에 조사하는 하전 입자원과, 상기 시료를 설치하는 스테이지와, 상기 스테이지의 이동량을 계측하는 계측부와, 상기 하전 입자선을 편향하는 편향기와, 상기 하전 입자선의 조사에 의해 상기 시료로부터 방출되는 이차 하전 입자를 검출하는 복수의 검출기와, 상기 편향기가 지정하는 상기 하전 입자선의 편향량을 조정하는 피드백 제어부와, 화상 생성부를 구비하고,
    상기 피드백 제어부는, 상기 스테이지의 이동량에 따라서, 상기 하전 입자선의 편향량을 조정하고,
    상기 화상 생성부는, 상기 피드백 제어부에 의해 조정된 편향량에 의거하여, 상기 복수의 검출기의 각 신호의 합성 비율을 산출하고, 상기 합성 비율에 의거하여 상기 각 신호를 합성해서 합성 화상을 생성하는
    것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치의 제어 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 피드백 제어부에 의해 조정된 상기 편향량과 상기 합성 비율의 관계를, 교정 시료를 이용해서 미리 결정하는
    것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치의 제어 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 하전 입자선 장치는, 상기 시료의 높이, 상기 시료의 기울기, 상기 하전 입자선의 상기 시료에의 입사 에너지, 상기 하전 입자선의 상기 시료에의 입사 각도, 당해 하전 입자선 장치가 설치되어 있는 환경의 온도, 및 당해 하전 입자선 장치가 설치되어 있는 환경의 기압의 적어도 하나 이상을 계측하기 위한 센서를 더 구비하고,
    상기 피드백 제어부에 의해 조정된 상기 편향량에 더해서, 상기 센서 중, 적어도 하나의 상기 센서로 계측한 결과에 의거하여, 상기 복수의 검출기로부터 출력되는 각 신호의 합성 비율을 산출하는
    것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치의 제어 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11887809B2 (en) * 2022-01-24 2024-01-30 Fei Company Auto-tuning stage settling time with feedback in charged particle microscopy

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002134048A (ja) * 2000-10-27 2002-05-10 Hitachi Ltd 荷電粒子線装置
JP2008130361A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置の撮像方法
JP2012033336A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置および該装置の制御方法
KR20140119079A (ko) * 2012-02-28 2014-10-08 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 주사 전자 현미경
JP2019046642A (ja) 2017-09-01 2019-03-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2220871B1 (ko) * 1973-07-27 1978-01-20 Jeol Ltd
EP1306878B1 (en) * 2001-10-10 2010-10-13 Applied Materials Israel Ltd. Method and device for aligning a charged particle beam column
WO2013172790A1 (en) 2012-05-16 2013-11-21 Nanyang Technological University Methods for determining a result of applying a function to an input and evaluation devices
JP6340216B2 (ja) * 2014-03-07 2018-06-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
JP6581940B2 (ja) * 2016-04-15 2019-09-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡装置
JP6981380B2 (ja) * 2018-08-02 2021-12-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
KR102577946B1 (ko) * 2019-01-23 2023-09-14 주식회사 히타치하이테크 전자빔 관찰 장치, 전자빔 관찰 시스템, 전자빔 관찰 장치에 있어서의 화상 보정 방법 및 화상 보정을 위한 보정 계수 산출 방법
WO2020183551A1 (ja) * 2019-03-08 2020-09-17 株式会社日立ハイテク 荷電粒子ビーム装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002134048A (ja) * 2000-10-27 2002-05-10 Hitachi Ltd 荷電粒子線装置
JP2008130361A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置の撮像方法
JP4927506B2 (ja) 2006-11-21 2012-05-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置の撮像方法
JP2012033336A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置および該装置の制御方法
KR20140119079A (ko) * 2012-02-28 2014-10-08 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 주사 전자 현미경
JP5948084B2 (ja) 2012-02-28 2016-07-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
JP2019046642A (ja) 2017-09-01 2019-03-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡

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