KR20220003542A - 갈륨 및 인듐을 함유하는 반도체 층 시스템을 증착하기 위한 방법 - Google Patents

갈륨 및 인듐을 함유하는 반도체 층 시스템을 증착하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 층 시스템을 증착하기 위한 방법에 관한 것으로, 제1 층 시퀀스는 갈륨 함유 층들을 포함하고, 제2 층 시퀀스는 인듐 함유 층들을 포함한다. 상기 인듐 함유 층들의 증착 시 공정 챔버 내 잔류물들로부터 비롯된 갈륨이 인듐 함유 층 내로 통합되는 상황을 방지하기 위해, 제1 공정 단계에서 추가로 인듐 함유 반응성 가스가 공정 챔버(2) 내로 공급되고 제1 공정 파라미터들(2)은 제1 층 또는 층 시퀀스(11)가 인듐을 함유하지 않도록 설정되거나, 또는 제1 공정 단계와 제2 공정 단계 사이의 중간 단계에서 인듐 함유 반응성 가스가 공정 챔버(2) 내로 공급되고, 이때 공정 파라미터들은 기판(4)상에 인듐이 증착되지 않도록 설정되며, 제2 공정 단계에서 제2 공정 파라미터들은 제2 층이 갈륨을 함유하지 않도록 설정된다.

Description

갈륨 및 인듐을 함유하는 반도체 층 시스템을 증착하기 위한 방법
본 발명은 CVD-반응기의 공정 챔버 내로 캐리어 가스와 함께 반응성 가스를 공급함으로써 기판상에 반도체 층 시스템을 증착하기 위한 방법에 관한 것으로, 이때 제1 공정 단계에서 제1 공정 파라미터들에서 하나 이상의 갈륨 함유 제1 반응성 가스의 공급에 의해 갈륨 함유 제1 층 또는 층 시퀀스가 증착되고, 후속하여 제2 공정 단계에서 제2 공정 파라미터들에서 하나 이상의 인듐 함유 제2 반응성 가스의 공급에 의해 인듐 함유 제2 층 또는 층 시퀀스가 증착된다.
특히 MOCVD-반응기 내에서 실시되는 상기 유형의 방법에 의해, 특히 HEMT를 제조하기 위한 반도체 다층 구조물들이 제조된다. 기판, 특히 실리콘 기판상에 우선 실리콘 도핑 된 AlN-층이 증착된다. 실리콘 도핑 된 AlN-층 상에 AlGaN-층이 증착된다. 이와 같은 AlGaN-층은 재차 AlN-층을 지지한다. 층 시퀀스는 추가 AlGaN-층들 및 u-GaN-채널을 형성하는 GaN-층을 포함한다. 그런 다음 이와 같은 갈륨 함유 층 또는 층 시퀀스 상에 경우에 따라 AlN으로 구성된 중간층의 중간 증착하에 인듐 함유 층 또는 층 시퀀스가 증착되고, 이때 이와 같은 층은 AlInN을 포함할 수 있다.
갈륨 함유 제1 층 시퀀스의 증착 동안에 공정 챔버의 벽들 및 특히 기판을 지지하는 공정 챔버 바닥에 마주 놓인 공정 챔버 천장에 갈륨을 함유하는 기생 증착물들이 형성된다. 추후의 제2 공정 단계에서, 갈륨이 인듐 함유 층 내로 통합됨으로써, 이와 같은 갈륨은 인듐 함유 제2 층 또는 층 시퀀스의 층 품질에 방해 요소로 작용할 수 있다.
본 발명의 과제는, 제2 층 또는 층 시퀀스 내로 갈륨 원자들의 바람직하지 않은 통합을 억제하는 조치들을 제안하는 것이다.
상기 과제는 청구항들에 제시된 발명에 의해 해결되고, 이때 종속 청구항들은 제1항에 제시된 발명의 바람직한 개선예들뿐만 아니라, 상기 과제의 독립적인 해결책들을 나타낸다.
우선적으로 그리고 실질적으로, 제1 공정 단계에서 갈륨 원자들을 함유하는 반응성 가스에 대해 추가로 인듐 원자들을 함유하는 반응성 가스가 공정 챔버 내로 공급되도록 제안된다. 예를 들어 트리메틸 갈륨과 동시에 예를 들어 트리메틸 인듐 또는 트리에틸 인듐이 공정 챔버 내로 공급될 수 있다. 그러나 제1 공정 파라미터들은 제1 공정 단계에서 갈륨 함유 층 내로 인듐이 통합되지 않도록 설정된다. 이를 위해, 특히 제1 공정 단계 동안에 기판의 표면 온도가 1000 ℃를 초과하도록 제안된다. 또한, 그 사용이 증착될 층으로 인듐의 증착을 촉진하지 않거나, 또는 심지어 억제하는 수소가 캐리어 가스로서 사용되도록 제안된다. 이에 대해 대안적으로 제1 공정 단계 이후에 중간 단계가 실시될 수 있고, 상기 중간 단계에서 인듐 함유 반응성 가스, 예를 들어 TMI 또는 TEI가 공정 챔버 내로 공급된다. 이 경우에도 캐리어 가스로서 바람직하게 H2가 사용된다. 온도는 바람직하게 1000 ℃ 위에 놓인다. 공정 파라미터들은 기판상에 인듐이 증착되지 않도록 선택된다. 제1 공정 단계 또는 중간 단계 동안에, 특히 100 ℃ 주변 온도로 냉각된 공정 챔버 천장에서 교환 반응이 일어난다. 인듐 함유 반응성 가스, 다시 말해 특히 유기 금속 인듐 화합물은 공정 챔버 천장 또는 공정 챔버의 다른 벽에 부착되는 갈륨과 반응한다. 이 경우, 공정 챔버 천장 상에 응축된 원소형(elemental) 갈륨 또는 갈륨 화합물이 고려될 수 있다. 반응 시 인듐 화합물은 갈륨과 반응하고, 이때 특히 유기 금속 인듐 화합물은 원소형 갈륨과 원소형 인듐 및 휘발성 유기 금속 갈륨 화합물로 반응할 수 있다. 원소형 인듐은 공정 챔버 천장 상에 유지될 수 있다. 교환 반응은 공정 챔버 벽에 적어도 일시적으로 부착되는 인듐 화합물을 야기할 수도 있다. 그러나 방법의 한 가지 변형예에서, 예를 들어 가스 유입 부재가 하강하거나, 또는 가스 유입 부재 아래에 배치된 석영 또는 흑연으로 구성된 보호판이 하강함으로써, 결과적으로 가열된 서셉터로부터 더 가까운 거리 및 냉각된 가스 유입 부재로부터 더 먼 거리로 인해 상기 보호판의 표면 온도가 증가하면서 공정 챔버 천장은 100 ℃ 위의 온도로 제공될 수도 있다. 이 경우 이와 같은 조건들에서 중간 단계가 실시되고, 상기 중간 단계에서는 제1 공정 단계에서보다 가스 유입 부재의 가스 배출면 또는 보호판이 가열된 서셉터로부터 더 가까운 거리를 갖는다. 이와 같은 중간 단계에서 인듐 함유 반응성 가스는 특히 캐리어 가스, 예컨대 수소와 함께 공정 챔버 내로 공급된다. 중간 단계 이후에 갈륨 함유 제1 층 또는 층 시퀀스 상에 인듐 함유 층 또는 층 시퀀스가 증착된다. 이는 바람직하게 1000 ℃ 미만의 온도에서, 그리고 바람직하게 캐리어 가스로서 질소에 의해 이루어진다. 제1 공정 단계 또는 중간 단계 동안에 바람직하게, 공정 챔버 천장 상에 존재하는 갈륨 원자들만큼의 인듐 원자들이 공정 챔버 내로 공급된다. 이를 위해, 특히 100 ℃ 미만의 공정 챔버 천장 온도들에서 인듐 대 갈륨의 몰비(mole ratio)가 최소 삼분의 일에 놓이도록 제안된다. 더 높은 공정 챔버 천장 온도들에서 몰비는 더 작을 수 있는데, 예를 들어 최소 십분의 일일 수 있다. 본 발명에 따른 방법에 의해 갈륨 함유 층, 예를 들어 질화갈륨 층 또는 알루미늄-질화갈륨 층의 증착 동안에 공정 챔버 벽들에서 갈륨이 기생 증착하는 상황이 방지된다. 또한, 트리메틸 인듐 또는 트리에틸 인듐의 동시 공급에 의해 이미 존재하는 갈륨 함유 기생 코팅이 제거되거나 또는 인듐 함유 층에 의해 교환될 수 있다. 이때 전체 압력은 100 mbar 미만 또는 200 mbar 미만에 놓일 수 있다. 그런 다음 더 낮은 온도들에서 이루어지는 제2 공정 단계 동안에 인듐 함유 층이 증착되지만, 상기 인듐 함유 층은 갈륨을 함유하지 않는다.
본 발명의 실시예들은 다음에서 도면들에 의해 더 상세하게 설명된다.
도 1은 본 발명에 따른 방법에 의해 증착된 층 시스템을 개략적으로 보여주고,
도 2는 제1 작동 상태에서 상기 방법을 실시하기 위한 장치를 보여주며, 그리고
도 3은 제2 작동 상태에서 도 2에 따른 장치를 보여준다.
도 2 및 도 3에 도시된 장치는 진공화 가능한 반응기 하우징(1)을 구비한 MOCVD-반응기이다. 상기 하우징(1) 내부에는 냉각된 가스 배출판(6)을 구비한 샤워헤드(showerhead) 형태의 가스 유입 부재(5)가 위치한다. 이를 위해, 상기 가스 배출판 내에 냉각 채널들이 위치하고, 상기 냉각 채널들을 통해 냉매가 관류할 수 있다. 상기 가스 배출판(6)을 통해 이러한 가스 배출판(6)에 걸쳐서 균일하게 분포 배치된 복수의 가스 배출 개구가 진행하고, 외부로부터 상기 가스 유입 부재(5) 내로 공급되는 공정 가스는 상기 가스 배출 개구들로부터 공정 챔버(2) 내로 유입될 수 있다.
본 실시예에서 상기 가스 배출판(6) 아래에 관통 개구들(9)을 구비한 보호판(10)이 위치하고, 상기 보호판(10)이 상기 가스 배출판(6) 바로 아래에 배치되어 있는 도 2에 따른 작동 상태에서 상기 관통 개구들은 상기 가스 배출 개구들(7)과 동일 평면에 놓인다. 상기 가스 배출판(6)은 석영 또는 흑연으로 구성될 수 있다. 상기 가스 유입 부재(5) 및 상기 가스 배출판(6)은 금속, 특히 스테인리스 강으로 구성될 수 있다.
코팅된 흑연 몸체로 구성될 수 있는 서셉터(3)는 상기 공정 챔버(2)의 바닥을 형성한다. 상기 서셉터(3)는 하나 또는 복수의 기판(4)을 지지하고, 상기 기판들은 상기 공정 챔버(2) 내에서 반도체 층 또는 반도체 층 시퀀스에 의해 코팅된다.
상기 서셉터(3)는 회전축을 중심으로 회전 구동될 수 있다. 상기 서셉터(3)는 아래에서 가열 장치(8)에 의해 공정 온도로 제공되고, 상기 공정 온도는 상기 기판들(4) 상에서, 또는 상기 공정 챔버(2) 쪽으로 향하는 상기 서셉터(3)의 넓은 측면 상에서 도시되지 않은 온도 측정기들에 의해 측정될 수 있다.
도 1은 도 2 및 도 3에 도시된 장치에서 본 발명에 따른 방법에 의해 증착될 수 있는 층 시퀀스를 보여준다.
코팅 공정의 제1 단계로써 제1 공정 단계 순서(11)에서 갈륨, 알루미늄 및 질소를 함유할 수 있는 층 시퀀스가 증착된다. 이와 같은 층 시퀀스는 인듐을 함유하지 않는다. 이를 위해, 가스 유입 부재(5)를 통해 암모니아 및 알루미늄과 갈륨의 유기 금속 화합물들 형태의 공정 가스들이 공정 챔버(2) 내로 유입된다. 이때 공정 챔버(2)는 1000 ℃를 초과하는 온도로 가열된다. 이때 온도는 기판(4)상에서, 또는 상기 공정 챔버(2) 쪽으로 향하는 서셉터(3)의 상부면 상에서 측정된다.
제1 층 시퀀스(11)의 증착 동안에 상기 공정 챔버(2)에 인접하는 표면들, 다시 말해 특히 보호판(10)의 하부면에 갈륨 함유 증착물들이 야기될 수 있다. 상기 증착물들을 제거하거나, 또는 상기 증착물들의 갈륨을 제거하기 위해, 제1 공정 단계들(11) 중 하나의 단계에서, 그리고 특히 상기 공정 단계들(11) 중 마지막 단계에서 유기 금속 갈륨 성분들, 다시 말해 예를 들어 TMG에 대해 추가로 인듐 함유 반응성 가스가 상기 공정 챔버(2) 내로 유입된다. 이 경우, TMI 또는 TEI 또는 다른 유기 금속 인듐 화합물이 고려될 수 있다. 공정 파라미터들은 이와 같은 공정 단계들에서 증착된 층 내로 인듐이 통합되지 않도록 선택된다. 이를 위해, 서셉터 표면의 온도는 1000 ℃ 위로 유지된다.
그러나 갈륨, 알루미늄 및 인듐의 유기 금속 화합물들 대신에 무기 금속 화합물들, 예를 들어 염화물들이 반응성 가스로서 사용될 수도 있다.
후속하는 단계에서 인듐 함유 층(12, 13)이 층 시스템 상에 증착된다. 이는 상기 공정 챔버(2) 내로 인듐 함유 반응성 가스를 공급함으로써 이루어진다.
본 발명의 한 가지 변형예에서 제1 층 시퀀스(11)는 인듐 함유 반응성 가스 없이 증착될 수 있다. 그 다음에 중간 단계에서 더 높은 온도에서 인듐 함유 반응성 가스가 공정 챔버 내로 공급될 수 있다. 이 경우에 온도는 기판들(4) 상에 인듐이 증착되지 않을 만큼 높게 선택된다. 상기 공정 챔버(2) 쪽으로 향하는 보호판(10)의 표면 온도를 높이기 위해, 이와 같은 보호판은 - 도 3에 도시된 것처럼 - 가열된 서셉터(3)의 방향으로 하강할 수 있다. 상기 제1 층 시퀀스(11)의 증착 동안에, 그리고/또는 상기 중간 단계 동안에 캐리어 가스로서 수소가 사용된다. 더 낮은 공정 온도들에서 실시되는 후속하는 인듐 함유 층들의 증착 공정 단계에서는 캐리어 가스로서 질소가 사용될 수 있다.
특히 적어도 인듐을 함유하는 층들을 포함하는 제2 층 시퀀스는 알루미늄 및 질소도 함유할 수 있다. 이를 위해, 제2 층 또는 층 시퀀스의 증착 시 추가로 알루미늄 함유 반응성 가스, 특히 유기 금속 알루미늄-화합물이 공정 챔버 내로 공급된다. 질소일 수 있는 캐리어 가스와 함께, 상기 층의 질소 성분들을 전달하는 암모니아가 공정 챔버 내로 공급된다.
전술된 실시예들은 본 출원서가 전체적으로 포괄하는 발명들을 설명하기 위해 이용되는데, 상기 발명들은 적어도 다음 특징 조합들에 의해 선행 기술을 각각 독립적으로도 개선하며, 이때 두 개, 복수의 또는 모든 이와 같은 특징 조합은 서로 조합될 수도 있다:
제1 공정 단계에서 추가로 인듐 함유 반응성 가스가 공정 챔버(2) 내로 공급되고 제1 공정 파라미터들(2)은 제1 층 또는 층 시퀀스(11)가 인듐을 함유하지 않도록 설정되거나, 또는 제1 공정 단계와 제2 공정 단계 사이의 중간 단계에서 인듐 함유 반응성 가스가 공정 챔버(2) 내로 공급되고, 이때 공정 파라미터들은 기판(4)상에 인듐이 증착되지 않도록 설정되며, 제2 공정 단계에서 제2 공정 파라미터들은 제2 층이 갈륨을 함유하지 않도록 설정되는 것을 특징으로 하는, 방법.
제1 공정 단계 또는 중간 단계에서 기판 온도는 1000 ℃를 초과하고, 제2 공정 단계에서 기판 온도는 1000 ℃ 미만인 것을 특징으로 하는, 방법.
제1 공정 단계 또는 중간 단계에서 캐리어 가스는 H2이고, 제2 공정 단계에서는 N2인 것을 특징으로 하는, 방법.
중간 단계 동안에 공정 챔버 천장의 표면 온도는 제1 공정 단계 및/또는 제2 공정 단계 동안에 공정 챔버 천장의 표면 온도와 다른, 그리고 특히 더 높은 온도를 갖고, 그리고/또는 중간 단계 동안에 공정 챔버 높이는 감소한 것을 특징으로 하는, 방법.
제1 공정 단계 또는 중간 단계에서 공정 챔버 높이는 공정 챔버 천장을 형성하는 가스 유입 부재(5) 또는 상기 가스 유입 부재(5) 아래에 배치된 보호판(10)이 하강함으로써 감소하는 것을 특징으로 하는, 방법.
상기 가스 유입 부재(5)는 가스 배출면 상에 균일하게 배치된 가스 배출 개구들(7)을 구비한 샤워헤드이고, 이때 상기 가스 배출면은 능동적으로 냉각되는 것을 특징으로 하는, 방법.
제1 공정 단계 및 제2 공정 단계 동안에 최소 300 ㎜의 지름을 갖는 동일한 기판(4)상에 HEMT를 제조하기 위한 층들이 증착되고, 이때 공정 챔버 높이는 9 내지 25 ㎜인 것을 특징으로 하는, 방법.
제1 층 또는 층 시퀀스(11)는 GaN, AlGaN 또는 GaAs를 함유하고, 그리고/또는 제2 층(12)은 AlInN을 함유하며, 그리고/또는 상기 제1 층 또는 층 시퀀스와 상기 제2 층 또는 층 시퀀스 사이에 AlN으로 구성된 중간층(13)이 증착되는 것을 특징으로 하는, 방법.
제1 공정 단계 또는 중간 단계 동안에 공정 챔버 천장의 온도는 100 ℃ 미만의 온도들로 유지되고, 이때 특히 제1 공정 단계에서 인듐 대 갈륨의 몰비는 최소 1/3이거나, 또는 공정 챔버 천장 온도가 100 ℃를 초과하고 인듐 대 갈륨의 몰비는 1/10보다 큰 것을 특징으로 하는, 방법.
공개된 모든 특징들은 (그 자체로, 그러나 서로 조합된 상태로도) 본 발명에서 중요하다. 그에 따라, 우선권 서류들의 특징들을 본 출원서의 청구범위에 수용할 목적으로도, 본 출원서의 공개 내용에는 관련된/첨부된 우선권 서류들(예비 출원서의 사본)의 공개 내용도 전체적으로 포함된다. 특히 종속 청구항들에 기초하여 분할 출원을 실시하기 위해, 종속 청구항들은, 인용 청구항의 특징들 없이도, 자체 특징들에 의해 선행 기술의 독립적이고 진보적인 개선예들을 특징짓는다. 각각의 청구항에 제시된 발명은 추가로, 전술된 상세 설명에 제시된, 특히 도면 부호들이 제공되고 그리고/또는 도면 부호 목록에 제시된 하나 또는 복수의 특징을 포함할 수 있다. 또한, 특히 특징들이 개별적인 사용 목적을 위해 명백히 불필요하거나 기술적으로 동일하게 작용하는 다른 수단들에 의해 대체될 수 있는 경우에 한 해, 본 발명은 전술된 상세 설명에 언급된 개별 특징들이 구현되어 있지 않은 설계 형태들과도 관련이 있다.
1 CVD-반응기
2 공정 챔버
3 서셉터
4 기판
5 가스 유입 부재
6 가스 배출판
7 가스 배출 개구
8 가열 장치
9 가스 관통 개구
10 보호판
11 제1 층 시퀀스
12 제2 층 시퀀스
13 중간 층

Claims (13)

  1. CVD-반응기(1)의 공정 챔버(2) 내로 캐리어 가스와 함께 반응성 가스를 공급함으로써 기판(4)상에 반도체 층 시스템을 증착하기 위한 방법으로서,
    제1 공정 단계에서 제1 공정 파라미터들에서 하나 이상의 갈륨 함유 제1 반응성 가스의 공급에 의해 갈륨을 함유하지만 인듐을 함유하지 않는 제1 층 또는 층 시퀀스(11)가 증착되고, 후속하여 제2 공정 단계에서 제2 공정 파라미터들에서 하나 이상의 인듐 함유 제2 반응성 가스의 공급에 의해 인듐 함유 제2 층 또는 층 시퀀스(12, 13)가 증착되며,
    상기 제1 공정 단계에서 추가로 인듐 함유 반응성 가스가 상기 공정 챔버 내로 공급되거나, 또는 상기 제1 공정 단계와 상기 제2 공정 단계 사이의 중간 단계에서 기판(4)상에 인듐이 증착되지 않도록, 인듐 함유 반응성 가스가 상기 공정 챔버 내로 공급되고, 상기 제2 공정 단계에서 기판(4)상에 갈륨이 증착되지 않는 것을 특징으로 하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공정 파라미터들(2)은 상기 제1 층 또는 층 시퀀스(11)가 인듐을 함유하지 않도록 설정되고, 상기 제2 공정 파라미터들은 상기 제2 층이 갈륨을 함유하지 않도록 설정되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 공정 단계는 인듐이 증착되지 않을 만큼 높은 기판 온도에서 실시되고, 상기 제2 공정 단계에서 기판 온도는 상기 제1 공정 단계의 기판 온도보다 더 낮은 것을 특징으로 하는, 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 공정 단계 또는 상기 중간 단계 동안에 공정 챔버 천장에서 상기 공정 챔버 천장에 응축된 갈륨과 상기 인듐 함유 반응성 가스 사이의 화학적 교환 반응이 실시되고, 그리고/또는 상기 반응 시 상기 공정 챔버 천장에 부착되는 갈륨 또는 상기 공정 챔버 천장에 부착되는 갈륨 화합물이 적어도 부분적으로 인듐 또는 인듐 화합물로 교환되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 공정 단계 또는 상기 중간 단계에서 기판 온도는 1000 ℃를 초과하고, 상기 제2 공정 단계에서 기판 온도는 1000 ℃ 미만인 것을 특징으로 하는, 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 공정 단계 또는 상기 중간 단계에서 캐리어 가스는 H2이고, 상기 제2 공정 단계에서는 N2인 것을 특징으로 하는, 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중간 단계 동안에 상기 공정 챔버 천장의 표면 온도는 상기 제1 공정 단계 및/또는 상기 제2 공정 단계 동안에 상기 공정 챔버 천장의 표면 온도와 다른, 그리고 특히 더 높은 온도를 갖고, 그리고/또는 상기 중간 단계 동안에 공정 챔버 높이는 감소한 것을 특징으로 하는, 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 공정 단계 또는 상기 중간 단계에서 상기 공정 챔버 높이는 상기 공정 챔버 천장을 형성하는 가스 유입 부재(5) 또는 상기 가스 유입 부재(5) 아래에 배치된 보호판(10)이 하강함으로써 감소하는 것을 특징으로 하는, 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 유입 부재(5)는 가스 배출면 상에 균일하게 배치된 가스 배출 개구들(7)을 구비한 샤워헤드(showerhead)이고, 상기 가스 배출면은 능동적으로 냉각되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 공정 단계 및 상기 제2 공정 단계 동안에 최소 300 ㎜의 지름을 갖는 동일한 기판(4)상에 HEMT를 제조하기 위한 층들이 증착되고, 공정 챔버 높이는 9 내지 25 ㎜인 것을 특징으로 하는, 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 층 또는 층 시퀀스(11)는 GaN, AlGaN 또는 GaAs를 함유하고, 그리고/또는 상기 제2 층(12)은 AlInN을 함유하며, 그리고/또는 상기 제1 층 또는 층 시퀀스와 상기 제2 층 또는 층 시퀀스 사이에 AlN으로 구성된 중간층(13)이 증착되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 공정 단계 또는 상기 중간 단계 동안에 상기 공정 챔버 천장의 온도는 100 ℃ 미만의 온도들로 유지되고, 그리고/또는 상기 제1 공정 단계에서 인듐 대 갈륨의 몰비(mole ratio)는 최소 1/3이거나, 또는 상기 공정 챔버 천장 온도가 100 ℃를 초과하고 인듐 대 갈륨의 몰비는 1/10보다 큰 것을 특징으로 하는, 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 하나 또는 복수의 특징을 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법.
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