DE102019111598A1 - Verfahren zum Abscheiden eines Halbleiter-Schichtsystems, welches Gallium und Indium enthält - Google Patents

Verfahren zum Abscheiden eines Halbleiter-Schichtsystems, welches Gallium und Indium enthält Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden eines Halbleiter-Schichtsystems, bei dem eine erste Schichtenfolge Gallium enthaltende Schichten aufweist und eine zweite Schichtenfolge Indium enthaltende Schichten. Um zu vermeiden, dass beim Abscheiden der Indium enthaltenden Schichten Gallium aus Rückständen in der Prozesskammer in die Indium enthaltende Schicht eingebaut wird, wird vorgeschlagen, dass im ersten Prozessschritt zusätzlich ein Indium enthaltendes reaktives Gas in die Prozesskammer (2) eingespeist wird und die ersten Prozessparameter (2) so eingestellt werden, dass die erste Schicht oder Schichtenfolge (11) kein Indium enthält oder dass in einem Zwischenschritt zwischen dem ersten und dem zweiten Prozessschritt ein Indium enthaltendes reaktives Gas in die Prozesskammer (2) eingespeist wird und dabei die Prozessparameter so eingestellt werden, dass kein Indium auf dem Substrat (4) abgeschieden wird, und im zweiten Prozessschritt die zweiten Prozessparameter so eingestellt werden, dass die zweite Schicht kein Gallium enthält.

Description

  • Gebiet der Technik
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden eines Halbleiter-Schichtsystems auf einem Substrat durch Einspeisen reaktiver Gase zusammen mit einem Trägergas in eine Prozesskammer eines CVD-Reaktors, wobei in einem ersten Prozessschritt bei ersten Prozessparametern eine erste, Gallium enthaltende Schicht oder Schichtenfolge durch Einspeisen zumindest eines Gallium enthaltenden ersten reaktiven Gases und nachfolgend in einem zweiten Prozessschritt bei zweiten Prozessparameter eine zweite, Indium enthaltende Schicht oder Schichtenfolge durch Einspeisen zumindest eines Indium enthaltenden zweiten reaktiven Gases abgeschieden werden.
  • Stand der Technik
  • Mit einem derartigen Verfahren, welches insbesondere in einem MOCVD-Reaktor durchgeführt wird, werden Halbleiter-Mehrschichtstrukturen insbesondere für die Fertigung von HEMTs hergestellt. Auf einem Substrat, insbesondere einem Siliziumsubstrat, wird zunächst eine Silizium-dotierte AlN-Schicht abgeschieden. Auf Letztere wird eine AlGaN-Schicht abgeschieden. Diese wiederum trägt eine AlN-Schicht. Die Schichtenfolge enthält weitere AlGaN-Schichten und eine einen u-GaN-Channel bildende GaN-Schicht. Auf diese Gallium enthaltende Schicht oder Schichtenfolge wird dann gegebenenfalls unter Zwischenabscheiden einer Zwischenschicht aus AlN eine Indium enthaltende Schicht oder Schichtenfolge abgeschieden, wobei diese Schicht AlInN aufweisen kann.
  • Während des Abscheidens der Gallium enthaltenden ersten Schichtenfolge bilden sich an Wänden der Prozesskammer und insbesondere an der Prozesskammerdecke, die einem Prozesskammerboden, der die Substrate trägt, gegenüberliegt, parasitäre Abscheidungen, die Gallium enthalten. In dem späteren, zweiten Prozessschritt kann sich dieses Gallium störend auf die Schichtqualität der Indium enthaltenden zweiten Schicht oder Schichtenfolge auswirken, indem Gallium in die Indium enthaltende Schicht eingebaut wird.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Maßnahmen vorzuschlagen, mit denen der unerwünschte Einbau von Galliumatomen in die zweite Schicht oder Schichtenfolge unterdrückt wird.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei die Unteransprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der im Anspruch 1 angegebenen Erfindung, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe darstellen.
  • Zunächst und im Wesentlichen wird vorgeschlagen, dass im ersten Prozessschritt zusätzlich zu dem Galliumatome enthaltenden reaktiven Gas ein Indiumatome enthaltendes reaktives Gas in die Prozesskammer eingespeist wird. Gleichzeitig mit beispielsweise Trimethylgallium kann beispielsweise Trimethylindium oder auch Triethylindium in die Prozesskammer eingespeist werden. Die ersten Prozessparameter sind jedoch derart eingestellt, dass im ersten Prozessschritt kein Indium in die Gallium enthaltende Schicht eingebaut wird. Hierzu wird insbesondere vorgeschlagen, dass die Oberflächentemperatur der Substrate während des ersten Prozessschrittes größer ist als 1000°C. Ferner wird vorgeschlagen, als Trägergas Wasserstoff zu verwenden, dessen Verwendung das Abscheiden von Indium in die abzuscheidende Schicht nicht begünstigt beziehungsweise sogar unterdrückt. Alternativ dazu kann nach dem ersten Prozessschritt ein Zwischenschritt durchgeführt werden, bei dem ein Indium enthaltendes reaktives Gas, beispielsweise TMI oder TEI in die Prozesskammer eingespeist wird. Auch hier wird als Trägergas bevorzugt H2 verwendet. Die Temperatur liegt bevorzugt über 1000°C. Die Prozessparameter sind so gewählt, dass auf dem Substrat kein Indium abgeschieden wird. Während des ersten Prozessschrittes beziehungsweise des Zwischenschrittes findet an der Prozesskammerdecke, die insbesondere auf Temperaturen um die 100°C gekühlt ist, eine Austauschreaktion statt. Das Indium enthaltende reaktive Gas, also insbesondere die metallorganische Indium-Verbindung, reagiert mit Gallium, welches an der Prozesskammerdecke oder einer anderen Wand der Prozesskammer haftet. Es kann sich dabei um elementares Gallium oder eine Gallium-Verbindung handeln, welche(s) auf der Prozesskammerdecke kondensiert ist. Bei der Reaktion reagiert die Indium-Verbindung mit dem Gallium, wobei insbesondere die metallorganische Indium-Verbindung mit dem elementaren Gallium zu elementarem Indium und einer flüchtigen metallorganischen Gallium-Verbindung reagieren kann. Elementares Indium kann auf der Prozesskammerdecke verbleiben. Die Austauschreaktion kann auch zu einer Indium-Verbindung führen, die an der Prozesskammerwand zumindest temporär anhaftet. In einer Variante des Verfahrens kann die Prozesskammerdecke aber auch auf eine Temperatur über 100°C gebracht werden, beispielsweise dadurch, dass das Gaseinlassorgan abgesenkt wird beziehungsweise eine unter dem Gaseinlassorgan angeordnete Schutzplatte aus Quarz oder aus Graphit abgesenkt wird, so dass ihre Oberflächentemperatur aufgrund der größeren Nähe zum beheizten Suszeptor und des größeren Abstandes zum gekühlten Gaseinlassorgan ansteigt. Unter diesen Bedingungen wird dann ein Zwischenschritt durchgeführt, bei dem die Gasaustrittsfläche des Gaseinlassorgans oder eine Schutzplatte einen geringeren Abstand zum beheizten Suszeptor besitzt, als im ersten Prozessschritt. In diesem Zwischenschritt wird das Indium enthaltende reaktive Gas insbesondere zusammen mit einem Trägergas, beispielsweise Wasserstoff, in die Prozesskammer eingespeist. Nach dem Zwischenschritt wird auf die erste, Gallium enthaltende Schicht oder Schichtenfolge eine Indium enthaltende Schicht oder Schichtenfolge abgeschieden. Dies erfolgt bevorzugt bei Temperaturen unter 1000°C und bevorzugt mit Stickstoff als Trägergas. Während des ersten Prozessschrittes oder des Zwischenschrittes werden bevorzugt soviele Indiumatome in die Prozesskammer eingespeist, wie Galliumatome auf der Prozesskammerdecke vorhanden sind. Hierzu wird insbesondere vorgeschlagen, dass bei Prozesskammer-Deckentemperaturen von kleiner als 100°C das Moleverhältnis von Indium zu Gallium bei mindestens einem Drittel liegt. Bei höheren Prozesskammer-Deckentemperaturen kann das Moleverhältnis geringer sein und beispielsweise mindestens ein Zehntel betragen. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird während des Abscheidens einer Gallium enthaltenden Schicht, beispielsweise einer Galliumnitritschicht oder einer Aluminium-Galliumnitritschicht das parasitäre Abscheiden von Gallium an Wänden der Prozesskammer vermindert. Es kann auch vorgesehen sein, dass sich durch das gleichzeitige Einspeisen von Trimethylindium oder Triethylindium eine bereits vorhandene parasitäre, Gallium enthaltende Beschichtung entfernt beziehungsweise durch eine Indium enthaltende Schicht ausgetauscht wird. Die Totaldrücke können dabei unter 100 mbar oder unter 200 mbar liegen. Während des zweiten Prozessschrittes, der bei niedrigeren Temperaturen stattfindet, wird dann eine Indium enthaltende Schicht abgeschieden, die aber kein Gallium enthält.
  • Figurenliste
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
    • 1 schematisch ein mit dem erfindungsgemäßen Verfahren abgeschiedenes Schichtensystem,
    • 2 eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens in einer ersten Betriebsstellung und
    • 3 die Vorrichtung gemäß 2 in einer zweiten Betriebsstellung.
  • Beschreibung der Ausführungsformen
  • Die in den 2 und 3 dargestellte Vorrichtung ist ein MOCVD-Reaktor mit einem Reaktorgehäuse 1, welches evakuierbar ist. Innerhalb des Gehäuses 1 befindet sich ein Gaseinlassorgan 5 in Form eines Showerheads mit einer gekühlten Gasaustrittsplatte 6. Hierzu befinden sich in der Gasaustrittsplatte Kühlkanäle, durch die ein Kühlmittel hindurchfließen kann. Durch die Gasaustrittsplatte 6 verlaufen eine Vielzahl von gleichmäßig über die Gasaustrittsplatte 6 verteilt angeordnete Gasaustrittsöffnungen, aus denen ein Prozessgas, welches von außen in das Gaseinlassorgan 5 eingespeist wird, in eine Prozesskammer 2 einströmen kann.
  • Beim Ausführungsbeispiel befindet sich unterhalb der Gasaustrittsplatte 6 eine Schutzplatte 10 mit Durchtrittsöffnungen 9, die mit einer Betriebsstellung gemäß 2, in der die Schutzplatte 10 unmittelbar unterhalb der Gasaustrittsplatte 6 angeordnet ist, mit den Gasaustrittsöffnungen 7 fluchtet. Die Gasaustrittsplatte 6 kann aus Quarz oder Graphit bestehen. Das Gaseinlassorgan 5 und die Gasaustrittsplatte 6 können aus Metall, insbesondere Edelstahl, bestehen.
  • Den Boden der Prozesskammer 2 bildet ein Suszeptor 3 aus, der aus einem beschichteten Graphitkörper bestehen kann. Der Suszeptor 3 trägt ein oder mehrere Substrate 4, die in der Prozesskammer 2 mit einer Halbleiterschicht beziehungsweise einer Halbleiterschichtenfolge beschichtet werden.
  • Der Suszeptor 3 kann um eine Drehachse drehangetrieben werden. Der Suszeptor 3 wird von unten mit einer Heizeinrichtung 8 auf eine Prozesstemperatur gebracht, die mit nicht dargestellten Temperaturmessgeräten auf den Substraten 4 beziehungsweise auf der zur Prozesskammer 2 weisenden Breitseitenfläche des Suszeptors 3 gemessen werden kann.
  • Die 1 zeigt eine Schichtenfolge, die in der in den 2 und 3 dargestellten Vorrichtung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren abgeschieden werden kann.
  • In einer ersten Phase des Beschichtungsprozesses wird in einer ersten Prozessschrittfolge 11 eine Schichtenfolge abgeschieden, die Gallium, Aluminium und Stickstoff enthalten kann. Diese Schichtenfolge enthält kein Indium. Hierzu werden durch das Gaseinlassorgan 5 Prozessgase in Form von Ammoniak und metallorganischen Verbindungen von Aluminium und Gallium in die Prozesskammer 2 eingeleitet. Die Prozesskammer 2 wird dabei auf eine Temperatur aufgeheizt, die über 1000°C liegt. Die Temperatur wird dabei auf dem Substrat 4 beziehungsweise auf der zur Prozesskammer 2 weisenden Oberseite des Suszeptors 3 gemessen.
  • Während des Abscheidens der ersten Schichtenfolge 11 kann es an den Oberflächen, die an die Prozesskammer 2 angrenzen, also insbesondere an der Unterseite der Schutzplatte 10 zu Gallium enthaltenden Belegungen kommen. Um die Belegungen zu entfernen beziehungsweise das Gallium der Belegungen zu entfernen, wird in einem der ersten Prozessschritte 11 und insbesondere in einem letzten der Prozessschritte 11 zusätzlich zu der metallorganischen Gallium-Komponente, also beispielsweise TMG ein, ein Indium enthaltendes reaktives Gas in die Prozesskammer 2 eingeleitet. Es kann sich dabei um TMI oder um TEI oder eine andere metallorganische Indiumverbindung handeln. Die Prozessparameter sind hier so gewählt, dass kein Indium in die bei diesen Prozessschritten abgeschiedene Schicht eingebaut wird. Hierzu werden die Temperaturen der Suszeptoroberfläche auf über 1000°C gehalten.
  • Anstelle von metallorganischen Verbindungen des Galliums, des Aluminiums und des Indiums können aber auch anorganische Metallverbindungen, beispielsweise Chloride als reaktive Gase verwendet werden.
  • In einem nachfolgenden Schritt wird eine Indium enthaltende Schicht 12, 13 auf das Schichtensystem abgeschieden. Dies erfolgt durch Einspeisen eines reaktiven, Indium enthaltenden Gases in die Prozesskammer 2.
  • In einer Variante der Erfindung kann vorgesehen sein, dass die erste Schichtenfolge 11 ohne ein Indium enthaltendes reaktives Gas abgeschieden wird. In einem Zwischenschritt, kann sodann bei erhöhter Temperatur ein Indium enhaltendes reaktives Gas in die Prozesskammer eingespeist werden. Hier ist die Temperatur so hoch gewählt, dass kein Indium auf den Substraten 4 abgeschieden wird. Um die Temperatur der zur Prozesskammer 2 weisenden Oberfläche der Schutzplatte 10 zu erhöhen, kann diese - wie die 3 zeigt - in Richtung auf den beheizten Suszeptor 3 abgesenkt werden. Während des Abscheidens der ersten Schichtenfolge 11 und/oder des Zwischenschrittes wird Wasserstoff als Trägergas verwendet. Beim anschließenden Abscheiden der Indium enthaltenden Schichten, welcher Prozessschritt bei niedrigeren Prozesstemperaturen durchgeführt wird, kann als Trägergas Stickstoff verwendet werden.
  • Es ist insbesondere vorgesehen, dass die zweite Schichtenfolge, die Schichten aufweist, die zumindest Indium enthalten, auch Aluminium und Stickstoff enthalten. Hierzu wird beim Abscheiden der zweiten Schicht oder Schichtenfolge zusätzlich ein Aluminium enthaltendes reaktives Gas, insbesondere eine metallorganische Aluminium-Verbindung, in die Prozesskammer eingespeist. Zusammen mit einem Trägergas, welches Stickstoff sein kann, wird Ammoniak in die Prozesskammer eingespeist, das die Stickstoffkomponente der Schicht liefert.
  • Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinationen auch kombiniert sein können, nämlich:
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass im ersten Prozessschritt zusätzlich ein Indium enthaltendes reaktives Gas in die Prozesskammer 2 eingespeist wird und die ersten Prozessparameter 2 so eingestellt werden, dass die erste Schicht oder Schichtenfolge 11 kein Indium enthält oder dass in einem Zwischenschritt zwischen dem ersten und dem zweiten Prozessschritt ein Indium enthaltendes reaktives Gas in die Prozesskammer 2 eingespeist wird und dabei die Prozessparameter so eingestellt werden, dass kein Indium auf dem Substrat 4 abgeschieden wird, und im zweiten Prozessschritt die zweiten Prozessparameter so eingestellt werden, dass die zweite Schicht kein Gallium enthält.
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Substrattemperatur im ersten Prozessschritt oder im Zwischenschritt größer 1000°C ist und dass die Substrattemperatur im zweiten Prozessschritt kleiner als 1000°C ist.
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Trägergas im ersten Prozessschritt oder im Zwischenschritt H2 ist und im zweiten Prozessschritt N2 ist.
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass während des Zwischenschrittes die Oberflächentemperatur der Prozesskammerdecke eine andere und insbesondere eine größere Temperatur ist, als während des ersten und/oder zweiten Prozessschritts und/oder dass während des Zwischenschrittes die Prozesskammerhöhe vermindert ist.
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass im ersten Prozessschritt oder im Zwischenschritt die Prozesskammerhöhe dadurch vermindert wird, dass ein die Prozesskammerdecke bildendes Gaseinlassorgan 5 oder eine unterhalb des Gaseinlassorganes 5 angeordnete Schutzplatte 10 abgesenkt wird.
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Gaseinlassorgan 5 ein Showerhead mit gleichmäßig auf einer Gasaustrittsfläche angeordneten Gasaustrittsöffnungen 7 ist, wobei die Gasaustrittsfläche aktiv gekühlt wird.
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass während des ersten und des zweiten Prozessschrittes auf demselben Substrat 4, welches einen Durchmesser von mindestens 300 mm aufweist, Schichten zur Fertigung eines HEMT abgeschieden werden, wobei die Prozesskammerhöhe 9 bis 25 mm beträgt.
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die erste Schicht oder Schichtenfolge 11 GaN, AlGaN oder GaAs enthält und/oder dass die zweite Schicht 12 AlInN enthält und/oder dass zwischen erster Schicht oder Schichtenfolge und zweiter Schicht oder Schichtenfolge eine Zwischenschicht 13 aus AlN abgeschieden wird.
  • Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass während des ersten Prozessschrittes oder des Zwischenschrittes die Temperatur der Prozesskammerdecke auf Temperaturen unterhalb 100°C gehalten wird, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass im ersten Prozessschritt das Mole-Verhältnis von Indium zu Gallium zumindest 1/3 beträgt oder dass die Prozesskammer-Deckentemperatur größer 100°C ist und das Mole-Verhältnis von Indium zu Gallium größer 1/10 ist.
  • Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbesondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden können.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    CVD-Reaktor
    2
    Prozesskammer
    3
    Suszeptor
    4
    Substrat
    5
    Gaseinlassorgan
    6
    Gasaustrittsplatte
    7
    Gasaustrittsöffnung
    8
    Heizeinrichtung
    9
    Gasdurchtrittsöffnung
    10
    Schutzplatte
    11
    erste Schichtenfolge
    12
    zweite Schichtenfolge
    13
    Zwischenschicht

Claims (10)

  1. Verfahren zum Abscheiden eines Halbleiter-Schichtsystems auf einem Substrat (4) durch Einspeisen reaktiver Gase zusammen mit einem Trägergas in eine Prozesskammer (2) eines CVD-Reaktors (1), wobei in einem ersten Prozessschritt bei ersten Prozessparametern eine erste, Gallium enthaltende Schicht oder Schichtenfolge (11) durch Einspeisen zumindest eines Gallium enthaltenden ersten reaktiven Gases und nachfolgend in einem zweiten Prozessschritt bei zweiten Prozessparametern eine zweite, Indium enthaltende Schicht (12, 13) oder Schichtenfolge durch Einspeisen zumindest eines Indium enthaltenden zweiten reaktiven Gases abgeschieden werden, dadurch gekennzeichnet, dass im ersten Prozessschritt zusätzlich ein Indium enthaltendes reaktives Gas in die Prozesskammer (2) eingespeist wird und die ersten Prozessparameter (2) so eingestellt werden, dass die erste Schicht oder Schichtenfolge (11) kein Indium enthält oder dass in einem Zwischenschritt zwischen dem ersten und dem zweiten Prozessschritt ein Indium enthaltendes reaktives Gas in die Prozesskammer (2) eingespeist wird und dabei die Prozessparameter so eingestellt werden, dass kein Indium auf dem Substrat (4) abgeschieden wird, und im zweiten Prozessschritt die zweiten Prozessparameter so eingestellt werden, dass die zweite Schicht kein Gallium enthält.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrattemperatur im ersten Prozessschritt oder im Zwischenschritt größer 1000°C ist und dass die Substrattemperatur im zweiten Prozessschritt kleiner als 1000°C ist.
  3. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägergas im ersten Prozessschritt oder im Zwischenschritt H2 ist und im zweiten Prozessschritt N2 ist.
  4. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass während des Zwischenschrittes die Oberflächentemperatur der Prozesskammerdecke eine andere und insbesondere eine größere Temperatur ist, als während des ersten und/oder zweiten Prozessschritts und/oder dass während des Zwischenschrittes die Prozesskammerhöhe vermindert ist.
  5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im ersten Prozessschritt oder im Zwischenschritt die Prozesskammerhöhe dadurch vermindert wird, dass ein die Prozesskammerdecke bildendes Gaseinlassorgan (5) oder eine unterhalb des Gaseinlassorganes (5) angeordnete Schutzplatte (10) abgesenkt wird.
  6. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Gaseinlassorgan (5) ein Showerhead mit gleichmäßig auf einer Gasaustrittsfläche angeordneten Gasaustrittsöffnungen (7) ist, wobei die Gasaustrittsfläche aktiv gekühlt wird.
  7. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass während des ersten und des zweiten Prozessschrittes auf demselben Substrat (4), welches einen Durchmesser von mindestens 300 mm aufweist, Schichten zur Fertigung eines HEMT abgeschieden werden, wobei die Prozesskammerhöhe 9 bis 25 mm beträgt.
  8. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht oder Schichtenfolge (11) GaN, AlGaN oder GaAs enthält und/oder dass die zweite Schicht (12) AlInN enthält und/oder dass zwischen erster Schicht oder Schichtenfolge und zweiter Schicht oder Schichtenfolge eine Zwischenschicht (13) aus AlN abgeschieden wird.
  9. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass während des ersten Prozessschrittes oder des Zwischenschrittes die Temperatur der Prozesskammerdecke auf Temperaturen unterhalb 100°C gehalten wird, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass im ersten Prozessschritt das Mole-Verhältnis von Indium zu Gallium zumindest 1/3 beträgt oder dass die Prozesskammer-Deckentemperatur größer 100°C ist und das Mole-Verhältnis von Indium zu Gallium größer 1/10 ist.
  10. Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
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KR1020217037090A KR20220003542A (ko) 2019-05-06 2020-05-05 갈륨 및 인듐을 함유하는 반도체 층 시스템을 증착하기 위한 방법

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114141918B (zh) * 2021-11-30 2023-07-18 江苏第三代半导体研究院有限公司 适用于大电流条件工作的发光二极管外延结构及制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014104218A1 (de) * 2014-03-26 2015-10-01 Aixtron Se CVD-Reaktor mit Vorlaufzonen-Temperaturregelung
DE102014106871A1 (de) * 2014-05-15 2015-11-19 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten auf einem Substrat und einer höhenverstellbaren Prozesskammer
US20180069085A1 (en) * 2016-09-02 2018-03-08 IQE, plc Nucleation layer for growth of iii-nitride structures

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008263023A (ja) * 2007-04-11 2008-10-30 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法
US20110244663A1 (en) * 2010-04-01 2011-10-06 Applied Materials, Inc. Forming a compound-nitride structure that includes a nucleation layer
US8133806B1 (en) * 2010-09-30 2012-03-13 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition
DE102011056538A1 (de) * 2011-12-16 2013-06-20 Aixtron Se Verfahren zum Entfernen unerwünschter Rückstände aus einem MOCVD-Reaktor sowie zugehörige Vorrichtung
DE102013101706A1 (de) * 2013-02-21 2014-09-04 Aixtron Se CVD-Vorrichtung sowie Verfahren zum Reinigen einer Prozesskammer einer CVD-Vorrichtung
DE102013104105A1 (de) * 2013-04-23 2014-10-23 Aixtron Se MOCVD-Schichtwachstumsverfahren mit nachfolgendem mehrstufigen Reinigungsschritt
DE102013111854A1 (de) * 2013-10-28 2015-05-21 Aixtron Se Verfahren zum Entfernen von Ablagerungen an den Wänden einer Prozesskammer
CN104393039B (zh) * 2014-10-23 2017-02-15 西安电子科技大学 InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014104218A1 (de) * 2014-03-26 2015-10-01 Aixtron Se CVD-Reaktor mit Vorlaufzonen-Temperaturregelung
DE102014106871A1 (de) * 2014-05-15 2015-11-19 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten auf einem Substrat und einer höhenverstellbaren Prozesskammer
US20180069085A1 (en) * 2016-09-02 2018-03-08 IQE, plc Nucleation layer for growth of iii-nitride structures

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ammar, H. B. et al.: Gallium incorporation in InAlN: role oft he chamber design and history, and the effects of growth pressure. In: Phys. Status Solidi A, Vol. 214, 2017, 1 - 6. *
Hiroki, M. et al.: Unintentional Ga incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of In-containing III-nitride semiconductors. In: Journal of Crystal Growth, Vol. 382, 2013, 36 – 40. *
Lumbantoruan, F. et al.: Structural and electrical properties analysis of InAlGaN/GaN heterostructures grown at elevated temperatures by MOCVD. In: Journal of Crystal Growth, Vol. 501,, 2018, 7 -12. *

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