KR20210091651A - 블라스트 가공 장치 및 블라스트 가공 방법 - Google Patents

Abstract

블라스트 가공 장치(10)는, 워크(W)를 재치하는 테이블(12)과, 워크(W)의 표면을 향해서 분사재(M)를 분사하는 노즐(13)과, 이동 기구(15)와, 회전 기구(14)를 구비한다. 이동 기구(15)는, 노즐(13)이 분사재(M)를 분사하고 있는 상태에서, 노즐(13)을 워크(W)에 대해서 표면 상의 제1 방향으로 상대적으로 이동시키는 제1 주사 처리와, 노즐(13)이 분사재(M)를 분사하고 있는 상태에서, 노즐(13)을 워크(W)에 대해서 표면 상의 제2 방향으로 상대적으로 이동시키는 제2 주사 처리를 행한다. 회전 기구(14)는, 제1 주사 처리와 제2 주사 처리와의 사이에서, 제1 방향과 제2 방향에 의해서 형성되는 제1 회전 각도만큼 테이블(12)을 노즐(13)에 대해서 회전축(AX)을 축심으로 하여 상대적으로 회전시킨다.

Description

블라스트 가공 장치 및 블라스트 가공 방법{Blast Process Device and Blast Process Method}

본 개시는, 블라스트 가공 장치 및 블라스트 가공 방법에 관한 것이다.

종래, 노즐로부터 워크(work)를 향해서 분사재를 분사하는 것에 의해서 워크의 표면을 가공하는 블라스트 가공법이 알려져 있다. 이러한 블라스트 가공에서는, 워크에 대해서 노즐을 상대적으로 이동시킴으로써, 노즐이 워크 표면을 주사(走査)한다. 이것에 의해, 분사재는, 이동 궤적을 따라서 분사된다(특허 문헌 1 및 특허 문헌 2 참조).

특허 문헌 1 : 일본특허공개 제2007-176701호 공보 특허 문헌 2 : 국제공개 제2013/145348호

노즐을 이동시키는 경우에는, 노즐에 분사재를 공급하기 위한 호스 및 노즐에 압축 공기를 공급하기 위한 호스의 휨 상태가 변화되는 것에 의해서, 가공 정밀도에 영향을 미칠 우려가 있다. 노즐을 고정하고 워크를 이동시키는 경우에는, 호스의 휨 상태는 변화되지 않는데, 워크 표면을 균일하게 가공하기 위해서는 개선의 여지가 있다.

본 기술 분야에서는, 가공 정밀도의 향상이 원해지고 있다.

본 개시의 일측면에 관한 블라스트 가공 장치는, 워크(work)를 가공하는 장치이다. 이 블라스트 가공 장치는, 테이블과, 노즐과, 이동 기구와, 회전 기구를 구비한다. 테이블은, 워크를 재치(載置)한다. 노즐은, 워크의 표면을 향해서 분사재를 분사한다. 이동 기구는, 노즐을 테이블에 대해서 워크의 표면을 따른 평면 상에서 상대적으로 이동시킨다. 회전 기구는, 테이블을 노즐에 대해서 평면과 교차하는 회전축을 축심(軸心)으로 하여 상대적으로 회전시킨다. 이동 기구는, 제1 주사(走査) 처리와, 제2 주사 처리를 행한다. 제1 주사 처리는, 노즐이 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 노즐을 워크에 대해서, 워크의 표면 상의 제1 방향으로 상대적으로 이동시키는 처리이다. 제2 주사 처리는, 노즐이 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 노즐을 워크에 대해서 제2 방향으로 상대적으로 이동시키는 처리이다. 제2 방향은, 제1 방향과 교차하는, 워크의 표면 상의 방향이다. 회전 기구는, 제1 주사 처리와 제2 주사 처리와의 사이에서, 제1 방향과 제2 방향에 의해서 형성되는 제1 회전 각도만큼 테이블을 노즐에 대해서 회전축을 축심으로 하여 상대적으로 회전시킨다.

이 블라스트 가공 장치에서는, 노즐이 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 워크에 대해서 노즐을, (워크의 표면 상의 방향인) 제1 방향으로 상대적으로 이동시키는 제1 주사 처리가 행해지고, 그 후, 제1 방향과 제2 방향에 의해서 형성되는 제1 회전 각도만큼 테이블이 노즐에 대해서 회전축을 축심으로 하여 상대적으로 회전된다. 그리고, 노즐이 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 노즐을 워크에 대해서 워크의 표면 상의 제2 방향으로 상대적으로 이동시키는 제2 주사 처리가 행해진다. 제1 주사 처리에서, 워크에 가공 얼룩이 생겼다고 해도, 제2 주사 처리에서, 제1 주사 처리와 다른 방향으로 노즐을 이동시키므로, 가공 얼룩을 분산시킬 수 있다. 이것에 의해, 가공 정밀도가 균일화되므로, 가공 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.

이동 기구는, 제1 주사 처리에서, 제1 이동 궤적을 따라서 노즐이 분사재를 분사하도록, 노즐을 테이블에 대해서 상대적으로 이동시켜도 괜찮다. 제1 이동 궤적은, 복수의 제1 주사선과, 복수의 제1 이송선을 포함한다. 제1 주사선은, 제1 방향으로 연장되는 주사선이다. 제1 이송선은, 복수의 제1 주사선 중 서로 이웃하는 2개의 제1 주사선을 연결하는 선이다. 이동 기구는, 제2 주사 처리에서, 제2 이동 궤적을 따라서 노즐이 분사재를 분사하도록, 노즐을 테이블에 대해서 상대적으로 이동시켜도 괜찮다. 제2 이동 궤적은, 복수의 제2 주사선과, 복수의 제2 이송선을 포함한다. 제2 주사선은, 제2 방향으로 연장되는 주사선이다. 제2 이송선은, 복수의 제2 주사선 중 서로 이웃하는 2개의 제2 주사선을 연결하는 선이다. 이 경우, 노즐이 제1 이동 궤적을 따라서 테이블에 대해서 상대적으로 이동하는 것만으로, 제1 주사 처리를 행할 수 있다. 마찬가지로, 노즐이 제2 이동 궤적을 따라서 테이블에 대해서 상대적으로 이동하는 것만으로, 제2 주사 처리를 행할 수 있다.

회전축이 연장되는 방향으로부터 보아, 복수의 제1 이송선 및 복수의 제2 이송선 각각은, 워크의 표면과는 다른 위치에 마련되어도 괜찮다. 이 경우, 제1 주사 처리에서는, 복수의 제1 주사선을 따라서 워크의 표면에 분사재가 분사되고, 제2 주사 처리에서는, 복수의 제2 주사선을 따라서 워크의 표면에 분사재가 분사된다. 이 때문에, 복수의 제1 주사선의 배선 간격, 및 복수의 제2 주사선의 배선 간격을 적절히 설정하는 것에 의해서, 워크 표면 전체에 분사재를 분사할 수 있다.

노즐은, 제1 이동 궤적 및 제2 이동 궤적을 따라서 이동하고 있는 동안, 분사재를 계속 분사해도 괜찮다. 예를 들면, 분사재의 분사를 정지한 후, 분사재의 분사를 재개하는 경우, 분사 압력을 안정화시키는데 시간을 필요한 경우가 있다. 이것에 대해, 분사재를 계속 분사함으로써, 분사 압력의 안정화에 필요한 시간을 생략할 수 있으므로, 가공 시간을 단축하는 것이 가능해진다.

이동 기구는, 노즐이 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 노즐을 워크에 대해서 제2 방향과 교차하는, 워크의 표면 상의 제3 방향으로 상대적으로 이동시키는 제3 주사 처리를 더 행해도 괜찮다. 회전 기구는, 제2 주사 처리와 제3 주사 처리와의 사이에서, 제2 방향과 제3 방향에 의해서 형성되는 제2 회전 각도만큼 테이블을 노즐에 대해서 회전축을 축심으로 하여 상대적으로 회전시켜도 괜찮다. 제2 회전 각도는, 제1 회전 각도와 동일해도 좋다. 이 경우, 테이블을 노즐에 대해서 상대적으로 일정한 회전 각도만큼 회전시킬 때마다, 각 주사 처리가 행해지므로, 가공 얼룩을 효과적으로 분산시킬 수 있다. 이것에 의해, 가공 정밀도가 보다 한층 균일화되므로, 가공 정밀도를 더 향상시키는 것이 가능해진다.

회전 기구는, 회전축을 축심으로 하여 테이블을 회전시켜도 괜찮다. 이 경우, 노즐의 거동을 변경하지 않고, 테이블을 회전시키는 것만으로, 주사 방향을 변경할 수 있다. 따라서, 장치 구성을 복잡화하지 않고, 가공 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.

이동 기구는, 테이블을 이동시키는 제1 이동 기구와, 노즐을 이동시키는 제2 이동 기구를 구비해도 괜찮다. 예를 들면, 제1 이동 기구는 테이블을 1축 방향으로만 이동시키고, 제2 이동 기구는 노즐을 1축 방향으로만 이동시킴으로써, 상술의 블라스트 가공을 행할 수 있다. 따라서, 이동 기구의 구성을 간이하게 하는 것이 가능해진다.

노즐은, 고정되어도 괜찮다. 이동 기구는, 테이블을 이동시켜도 괜찮다. 이 경우, 노즐이 고정되어 있으므로, 노즐에 분사재 또는 압축 공기를 공급하기 위한 호스의 휨 상태는 변화하지 않는다. 따라서, 호스의 휨 상태의 변화에 기인한 가공 얼룩이 생기지 않으므로, 가공 정밀도를 더 향상시키는 것이 가능해진다.

이동 기구는, 노즐을 이동시켜도 괜찮다. 이 경우, 테이블에 이동 기구를 마련할 필요가 없으므로, 장치 구성을 간이화하는 것이 가능해진다.

본 개시의 다른 측면에 관한 블라스트 가공 방법은, 워크를 가공하는 방법이다. 이 블라스트 가공 방법은, 제1 주사 처리를 행하는 것과, 워크를 노즐에 대해서 상대적으로 회전시키는 것과, 제2 주사 처리를 행하는 것을 구비한다. 제1 주사 처리는, 노즐이 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 워크에 대해서 노즐을, 워크의 표면 상의 제1 방향으로 상대적으로 이동시키는 처리이다. 워크는, 제1 주사 처리 후, 워크의 표면을 따른 평면과 교차하는 회전축을 축심으로 하여 소정의 회전 각도만큼 노즐에 대해서 상대적으로 회전된다. 제2 주사 처리는, 노즐이 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 워크에 대해서 노즐을 제1 방향과 교차하는, 워크의 표면 상의 제2 방향으로 상대적으로 이동시키는 처리이다. 회전 각도는, 제1 방향과 제2 방향에 의해서 형성되는 각도이다.

이 블라스트 가공 방법에서는, 노즐이 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 워크에 대해서 노즐을, (워크의 표면 상의 방향인) 제1 방향으로 상대적으로 이동시키는 제1 주사 처리가 행해지고, 그 후, 제1 방향과 제2 방향에 의해서 형성되는 회전 각도만큼 워크가 노즐에 대해서(회전축을 축심으로 하여) 상대적으로 회전된다. 그리고, 노즐이 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 워크에 대해서 노즐을, (워크의 표면 상의 방향인) 제2 방향으로 상대적으로 이동시키는 제2 주사 처리가 행해진다. 제1 주사 처리에서, 워크에 가공 얼룩이 생겼다고 해도, 제2 주사 처리에서, 제1 주사 처리와 다른 방향으로 노즐을 이동시키므로, 가공 얼룩을 분산시킬 수 있다. 이것에 의해, 가공 정밀도가 균일화되므로, 가공 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.

본 개시의 각 측면 및 각 실시 형태에 의하면, 가공 정밀도를 향상할 수 있는 블라스트 가공 장치 및 블라스트 가공 방법을 제공할 수 있다.

도 1은, 일 실시 형태에 관한 블라스트 가공 장치를 포함하는 블라스트 가공 시스템을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는, 도 1의 블라스트 가공 장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은, 도 1의 공급 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는, 일 실시 형태에 관한 블라스트 가공 방법을 나타내는 플로우 차트이다.
도 5는, 도 4의 블라스트 가공 공정을 상세하게 나타내는 플로우 차트이다.
도 6은, 도 2의 블라스트 가공 장치가 실시하는 블라스트 가공을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은, 제1 주사 처리와 제2 주사 처리와의 관계를 설명하기 위한 도면이다.

이하, 도면을 참조하면서 본 개시의 실시 형태가 상세하게 설명된다. 또, 도면의 설명에서 동일 요소에는 동일 부호가 부여되고, 중복하는 설명은 생략된다.

도 1은, 일 실시 형태에 관한 블라스트 가공 장치를 포함하는 블라스트 가공 시스템을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 2는, 도 1의 블라스트 가공 장치의 구성을 나타내는 사시도이다. 도 3은, 도 1의 공급 장치의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타내어지는 블라스트 가공 시스템(1)은, 블라스트 가공 장치(10)와, 분급 기구(20)와, 집진기(30)와, 공급 장치(40)와, 제어 장치(50)를 구비하고 있다.

블라스트 가공 장치(10)는, 공급 장치(40)로부터 공급된 분사재(M)를 워크(W)를 향해서 분사함으로써, 워크(W)를 가공하는 장치이다. 블라스트 가공 장치(10)의 분사 방식은, 예를 들면, 흡인식이다. 분사재(M)의 예로서는, 알루미나질(質)의 입자, 탄화규소질의 입자, 및 글라스 비즈(beads)를 들 수 있다. 워크(W)는, 예를 들면, 경취 재료에 의해서 구성되어 있다. 경취 재료의 예로서는, 질화 알루미늄, 알루미나, 글라스, 탄탈산 리튬, 실리콘, 및 사파이어를 들 수 있다. 가공의 예로서는, 절단 가공, 홈 가공, 드릴 가공, 엠보스 패턴 가공, 및 조면화(粗面化) 가공을 들 수 있다. 워크(W)로서, 프린트 기판, LED(Light　Emitting　Diode)의 사파이어 기판, 및 C-MOS(Complementary　Metal-Oxide　Semiconductor) 등에 이용되는 글라스 기판 또는 실리콘 기판이 이용되어도 괜찮다.

블라스트 가공 장치(10)는, 케이스(11)와, 테이블(12)과, 노즐(13)을 구비하고 있다. 케이스(11)는, 그 내부에 블라스트 가공실(R)을 형성한다. 케이스(11)의 하부는, 하부를 향함에 따라 폭이 좁아지는 테이퍼 형상의 회수 공간(V)을 형성한다. 테이블(12)은, 워크(W)를 재치하기 위한 받침대이다. 테이블(12)은, 블라스트 가공실(R) 내에 마련되어 있다. 테이블(12)은, 재치면(12a)을 가진다. 워크(W)는, 재치면(12a)에 재치되어 고정된다. 재치면(12a)은, 워크(W)를 흡착 고정하는 흡착면이라도 좋다.

노즐(13)은, 워크(W)의 표면(가공면)을 향해서 분사재(M)를 분사한다. 노즐(13)은, 블라스트 가공실(R) 내에 마련되고, 테이블(12)의 상부에 배치되어 있다. 노즐(13)의 선단에는, 분사구(13a)가 마련되어 있다. 분사구(13a)가 테이블(12)의 재치면(12a)과 서로 마주하도록, 노즐(13)은 블라스트 가공실(R) 내에 마련되어 있다. 노즐(13)은, 압축 공기와 함께 분사재(M)를 분사한다. 노즐(13)은, 예를 들면, 흡인식 노즐이다. 노즐(13)은, 직압식(直壓式) 노즐이라도 좋다. 노즐(13)에는, 호스(16)의 일단과, 호스(17)의 일단이 접속되어 있다. 노즐(13)은, 호스(16)로부터 공급되는 분사재(M)를, 호스(17)로부터 공급되는 압축 공기와 함께 고기(固氣) 2상류(相流)로서 분사한다.

도 2에 나타내어지는 바와 같이, 블라스트 가공 장치(10)는, 회전 기구(14)와, 이동 기구(15)를 더 구비하고 있다. 회전 기구(14)는, 테이블(12)을 노즐(13)에 대해서 XY 평면 상에서 회전축(AX)을 축심(軸心)으로 하여 상대적으로 회전시키기 위한 기구이다. 여기서, 「테이블(12)을 노즐(13)에 대해서 회전축(AX)을 축심으로 하여 상대적으로 회전시킨다」라고 하는 것은, 노즐(13)을 고정하고 테이블(12)만을 회전축(AX)을 축심으로 하여 회전시키는 것, 테이블(12)을 고정하고 노즐(13)만을 회전축(AX)을 축심으로 하여 회전시키는 것, 그리고 테이블(12) 및 노즐(13) 양쪽 모두를 회전축(AX)을 축심으로 하여 회전시키는 것을 포함한다. 회전축(AX)은, Z축 방향으로 연장되고, XY 평면과 교차(직교)한다. XY 평면은, 워크(W)의 표면을 따른 평면이다. 본 실시 형태에서는, 회전 기구(14)는, 회전축(AX)을 축심으로 하여 테이블(12)을 회전시킨다. 회전 기구(14)는, 테이블(12)의 재치면(12a)과는 반대측의 이면(裏面)에 마련되어 있다. 회전 기구(14)는, 테이블(12)을 회전 기구(14)에 접속하는 접속 기구(샤프트)와, 해당 접속 기구를 회전 구동하는 모터를 가지고 있다. 회전 기구(14)는, 모터를 구동하는 것에 의해서, 테이블(12)을 XY 평면 상에서 회전시킨다.

이동 기구(15)는, 노즐(13)을 테이블(12)에 대해서 XY 평면 상에서 상대적으로 이동시키기 위한 기구이다. 여기서, 「노즐(13)을 테이블(12)에 대해서 상대적으로 이동시킨다」라고 하는 것은, 테이블(12)을 고정하고 노즐(13)만을 이동시키는 것, 노즐(13)을 고정하고 테이블(12)만을 이동시키는 것, 그리고 테이블(12) 및 노즐(13) 양쪽 모두를 이동시키는 것을 포함한다. 본 실시 형태에서는, 이동 기구(15)는, 테이블(12)을 이동시키는 이동 기구(51)(제1 이동 기구)와, 노즐(13)을 이동시키는 이동 기구(52)(제2 이동 기구)를 구비하고 있다.

이동 기구(51)는, 블라스트 가공실(R) 내에 마련되고, 테이블(12)의 하부에 배치되어 있다. 이동 기구(51)는, Y축 방향으로 연장되는 레일(51a)을 가지고 있다. 이동 기구(51)는, 테이블(12)을 회전 기구(14)와 함께 레일(51a)에 이동 가능하게 접속하는 접속 기구와, 해당 접속 기구를 구동하는 모터를 더 가지고 있다. 이동 기구(51)는, 모터를 구동하는 것에 의해서, 테이블(12)을 Y축 방향으로 이동시킨다. 이동 기구(51)에 의한 테이블(12)의 이동 속도는, 워크(W)의 크기, 형상, 및 재료, 그리고 워크(W)에 형성되는 패턴 등에 따라 적절히 설정된다.

이동 기구(52)는, 블라스트 가공실(R) 내에 마련되고, 노즐(13)의 상부에 배치되어 있다. 이동 기구(52)는, X축 방향으로 연장되는 레일(52a)을 가지고 있다. 이동 기구(52)는, 노즐(13)을 레일(52a)에 이동 가능하게 접속하는 접속 기구와, 해당 접속 기구를 구동하는 모터를 더 가지고 있다. 이동 기구(52)는, 모터를 구동하는 것에 의해서, 노즐(13)을 X축 방향으로 이동시킨다. 이동 기구(52)에 의한 노즐(13)의 이동 속도는, 워크(W)의 크기, 형상, 및 재료, 그리고 워크(W)에 형성되는 패턴 등에 따라 적절히 설정된다.

상술의 구성을 가지는 블라스트 가공 장치(10)에서, 워크(W)가 가공된다. 블라스트 가공의 상세에 대해서는 후술한다. 노즐(13)로부터 워크(W)를 향해서 분사된 분사재(M)는, 케이스(11)의 회수 공간(V)에 회수된다. 케이스(11)의 저부에는, 회수된 분사재(M)를 분급 기구(20)에 공급하기 위한 개구(11a)가 형성되어 있다. 개구(11a)에는, 회수관(21)의 일단이 접속되어 있다. 회수관(21)의 타단은, 분급 기구(20)에 접속되어 있다.

분급 기구(20)는, 노즐(13)로부터 워크(W)에 분사된 분사재(M)를 포함하는 분립체(粉粒體)를 흡인하고, 재이용 가능한 분사재(M)와 그것 이외의 분립체인 분진(블라스트 가공에 의해서 생긴 워크(W)의 절삭분(切削粉) 및 재이용 불가능한 사이즈가 된 분사재(M) 등의 총칭)으로 분리하는 기구이다. 분급 기구(20)는, 예를 들면 사이클론식의 분급기이다. 분급 기구(20)에는, 도관(導管)(31)의 일단이 접속되어 있다. 도관(31)의 타단은 집진기(30)에 접속되어 있다.

집진기(30)는, 분사재(M)의 파편 및 워크(W)의 절삭분을 수집하는 장치이다. 집진기(30)는, 도관(31)을 흡인하고, 케이스(11)의 개구(11a)로부터 회수관(21), 분급 기구(20), 및 도관(31)을 통과하여 집진기(30)를 향하는 기류를 생성한다. 이 기류에 의해서, 케이스(11)의 회수 공간(V)에 회수된 사용이 끝난 분사재(M)를 포함하는 분립체가 분급 기구(20)로 반송된다. 집진기(30)의 작동에 의해서, 분급 기구(20)의 내부에서는 선회하는 기류가 발생하고 있고, 질량이 무거운 분립체(재이용 가능한 분사재(M))는 하부로 낙하한다. 한편, 질량이 가벼운 분립체(분진)는, 도관(31)을 통해서 집진기(30)에 흡인된다. 집진기(30)에 의해서 흡인된 분진은, 필터를 이용하여 포착된다.

공급 장치(40)는, 블라스트 가공 장치(10)에 분사재(M)를 공급하기 위한 장치이다. 공급 장치(40)는, 분급 기구(20)의 하부에 마련된다. 도 3에 나타내어지는 바와 같이, 공급 장치(40)는, 호퍼(41)와, 밸브체(42)와, 바이브레이터(43)와, 반송 기구(44)를 구비하고 있다.

호퍼(41)는, 분사재(M)를 저류(貯留)하기 위한 용기이다. 호퍼(41)는, 하부를 향함에 따라 횡단면의 면적이 축소되는 형상을 가진다. 또, 호퍼(41)의 횡단면의 형상은 원형이라도 좋고, 다각형이라도 좋다.

밸브체(42)는, 분급 기구(20)와 호퍼(41)와의 연결부에 마련되어 있고, 분급 기구(20)의 공간과 호퍼(41)의 공간을 연통 또는 폐지하는 기능을 가진다. 분급 기구(20)의 하부에 재이용 가능한 분사재(M)가 소정량 퇴적되면, 밸브체(42)가 열리는 것에 의해서, 소정량의 분사재(M)가 호퍼(41)로 낙하한다. 그 후, 밸브체(42)가 닫혀지는 것에 의해서, 분급 기구(20)의 공간과 호퍼(41)의 공간이 폐지된다. 밸브체(42)를 개폐하는 타이밍은, 재이용 가능한 분사재(M)의 퇴적량으로 제어되어도 되고, 시간으로 제어되어도 괜찮다.

밸브체(42)는, 분급 기구(20)와 호퍼(41)가 연통하고 있는 경우에, 퇴적된 재이용 가능한 분사재(M)가 집진기(30)를 향하는 기류를 타고 날아오를 우려가 있는 경우에 마련되는 기구이다. 따라서, 이러한 우려가 없는 경우에는, 밸브체(42)는 생략되어도 괜찮다.

바이브레이터(43)는, 호퍼(41)를 진동시키는 장치이다. 바이브레이터(43)의 예로서는, 에어 바이브레이터, 피스톤식 바이브레이터, 및 회전식 바이브레이터를 들 수 있다. 바이브레이터(43)는, 예를 들면, 호퍼(41)의 측벽에 장착된다. 바이브레이터(43)는, 호퍼(41)를 진동시키는 것에 의해서, 호퍼(41) 내의 분사재(M)의 편재(偏在)(브리징(bridging)) 또는 잔류를 억제하고, 이것에 의해, 분사재(M)가 호퍼(41)로부터 반송 기구(44)로 원활히 공급된다. 바이브레이터(43)는, 호퍼(41)의 하단 근방에 마련되는 것에 의해, 호퍼(41) 내의 분사재(M)의 편재 또는 잔류가 보다 한층 억제되어, 분사재(M)의 공급이 원활하게 된다.

반송 기구(44)는, 호퍼(41)로부터 일정량의 분사재(M)를 취출하고, 취출한 분사재(M)를, 호스(16)를 통해서 노즐(13)에 공급한다. 반송 기구(44)는, 트로프(trough)(45)와, 반송 스크루(46)와, 모터(47)와, 규제판(48)을 구비하고 있다. 트로프(45)는, 양단이 폐색된 원통 형상을 가지고 있다. 트로프(45)의 일방의 단부(45a)는 호퍼(41)의 하부에 위치하고, 그 상면에는, 공급구(45c)가 형성되어 있다. 공급구(45c)는, 호퍼(41)의 하단에 연결되어 있다. 트로프(45)의 타방의 단부(45b)의 하면에는, 배출구(45d)가 형성되어 있다.

반송 스크루(46)는, 트로프(45)에 수용되어 있다. 반송 스크루(46)는, 반송축(46a) 및 날개(46b)를 구비하고 있다. 반송축(46a)은, 단부(45a)를 폐색하는 측벽을 관통하고 있고, 모터(47)에 연결되어 있다. 날개(46b)는, 서로 이웃하는 2개의 날개(46b)가 소정 간격으로 늘어서도록 나선 모양으로 반송축(46a)의 외주면에 고정되어 있다. 모터(47)는, 반송 스크루(46)를 회전 구동한다.

규제판(48)은, 트로프(45) 내의 분사재(M)의 겉보기 밀도(충전율)를 높이기 위한 부재이다. 규제판(48)은, 트로프(45)의 내부 공간을 나누는 형상을 가지고 있다. 본 실시 형태에서는, 규제판(48)은, 원형의 판 모양 부재이다. 규제판(48)은, 반송축(46a)의 선단에 마련되고, 반송축(46a)의 선단에 고정되어 있다. 규제판(48)의 둘레 가장자리부가 트로프(45)의 내벽에 고정되어도 괜찮다. 규제판(48)에는, 분사재(M)가 통과 가능한 관통공이 마련되어 있다. 관통공은, 반송축(46a)이 연장되는 방향으로, 규제판(48)을 관통하고 있다. 규제판(48)의 개구율은, 분사재(M)의 입경(粒徑), 및 소망의 겉보기 밀도(apparent density) 등에 따라 설정된다. 규제판(48)의 개구율은, 반송축(46a)이 연장되는 방향으로부터 규제판(48)을 본 경우의, 규제판(48)의 외주에 의해서 둘러싸이는 면적 중, 관통공이 차지하는 면적의 비율이다.

호퍼(41)에 저류되어 있는 분사재(M) 중 일정량의 분사재(M)가 공급구(45c)로부터 트로프(45)의 내부에 도입되고, 반송 스크루(46)의 회전에 의해서, 단부(45a)로부터 단부(45b)를 향해 일정 속도로 전진한다. 그리고, 분사재(M)가 규제판(48)에 이르면, 규제판(48)에 의해서 분사재(M)가 압축되는 것에 의해, 분사재(M)끼리의 사이의 공기가 제거되어, 분사재(M)의 겉보기 밀도가 높여진다. 이것에 의해, 규제판(48)의 바로 앞에서, 분사재(M)의 겉보기 밀도가 소정 밀도에 이르러, 큰 덩어리가 된다. 이 덩어리가 관통공을 통과할 때에 파쇄되어, 분사재(M)가 단부(45b)에 이른다. 단부(45b)에는 반송축(46a)이 배치되어 있지 않으므로, 규제판(48)을 통과한 분사재(M)는 반송축(46a)에 부착되지 않고, 배출구(45d)로부터 외부로 배출된다. 이와 같이 하여, 공급 장치(40)는, 블라스트 가공 장치(10)에 분사재(M)를 일정량씩 공급한다.

제어 장치(50)는, 블라스트 가공 시스템(1)을 통괄 제어하기 위한 컨트롤러이다. 제어 장치(50)는, 예를 들면, CPU(Central　Processing　Unit) 등의 프로세서와, RAM(Random　Access　Memory) 및 ROM(Read　Only　Memory) 등의 메모리와, 터치 패널, 마우스 및 키보드 등의 입력 장치와, 디스플레이 등의 출력 장치와, 네트워크 카드 등의 통신 장치를 포함하는 컴퓨터 시스템으로서 구성된다. 메모리에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램에 근거하는 프로세서의 제어하에서 각 하드웨어를 동작시키는 것에 의해, 제어 장치(50)의 기능이 실현된다.

제어 장치(50)는, 예를 들면, 회전 기구(14), 이동 기구(15), 분급 기구(20), 집진기(30), 및 공급 장치(40)에 통신 가능하게 접속되어 있다. 제어 장치(50)는, 회전 기구(14), 이동 기구(15), 분급 기구(20), 집진기(30), 및 공급 장치(40)에 제어 신호를 송출한다. 제어 장치(50)로부터 송출되는 제어 신호에 의해서, 테이블(12)의 이동 방향, 이동 속도, 회전 방향, 및 회전 각도, 노즐(13)의 이동 방향 및 이동 속도, 분급 기구(20)의 작동 및 작동 정지, 집진기(30)의 작동 및 작동 정지, 및 공급 장치(40)의 작동 및 작동 정지가 제어된다.

다음으로, 블라스트 가공 장치(10)가 실시하는 블라스트 가공 방법의 일련의 처리를 설명한다. 도 4는, 일 실시 형태에 관한 블라스트 가공 방법을 나타내는 플로우 차트이다. 도 5는, 도 4의 블라스트 가공 공정을 상세하게 나타내는 플로우 차트이다. 도 6은, 도 2의 블라스트 가공 장치가 실시하는 블라스트 가공을 설명하기 위한 도면이다. 도 6에서는, XY 평면 상에서의 워크(W)의 방향(회전 각도)을 명확하게 하기 위해서, 가상적인 기준 위치 Pref가 워크(W)에 나타내어져 있다.

도 4에 나타내어지는 바와 같이, 먼저, 워크(W)의 준비 공정(공정 S1)이 행해진다. 공정 S1에서는, 워크(W)의 표면에 마스크 패턴이 형성된다. 구체적으로는, 워크(W)가 가온(加溫)되고, 가온된 워크(W)(의 표면)에 라미네이트기(機)에 의해서 마스크재가 장착된다. 그리고, 마스크재가 장착된 워크(W)가 노광기에 배치된다. 노광기에서, CCD(Charge　Coupled　Device) 카메라를 이용하여 패턴 원판(原版)의 위치가 워크(W)에 맞추어져, 노광된다. 그 후, 노광된 워크(W)가 현상기에 배치된다. 현상기에서, 워크(W)를 회전시키면서 현상액을 내뿜는 것에 의해서, 마스크 패턴이 형성된다.

이어서, 블라스트 가공의 준비 공정(공정 S2)이 행해진다. 공정 S2에서는, 회전 기구(14) 및 이동 기구(15)의 동작 패턴이 제어 장치(50)에 설정된다. 동작 패턴에는, 노즐(13)의 이동 궤적 및 이동 속도, 테이블(12)의 회전 각도, 및 주사 횟수 등이 포함된다. 동작 패턴을 나타내는 설정 정보가 제어 장치(50)의 메모리에 기억된다. 그리고, 분사재(M)가 공급 장치(40)의 호퍼(41)에 투입된다. 분사량에 따른 양의 분사재(M)가 투입된다. 그리고, 호스(17)를 통해서 압축 공기가 노즐(13)에 공급되고, 압력 밸브를 조작하는 것에 의해서 분사재(M)의 분사 압력이 소정의 압력으로 조정된다. 이 때, 호스(16)를 통해서 분사재(M)가 노즐(13)에 공급되고, 노즐(13)로부터 분사재(M)가 분사되어도 괜찮다. 분사 압력의 조정 후, 압축 공기의 공급이 정지된다.

이어서, 블라스트 가공 공정(공정 S3)이 행해진다. 공정 S3의 각 처리는, 제어 장치(50)의 제어하에서 실시되지만, 설명을 간이하게 하기 위해서, 제어 장치(50)로부터 각 요소로 송출되는 제어 신호의 설명을 생략한다. 공정 S3에서는, 도 5에 나타내어지는 바와 같이, 먼저, 워크(W)가 셋팅된다(공정 S31). 구체적으로는, 케이스(11)의 도어(미도시)가 열리고, 반송 로봇에 의해서, 워크(W)가 테이블(12)의 재치면(12a) 상에 재치된다. 워크(W)가 재치면(12a) 상에 재치된 후, 케이스(11)의 도어가 닫혀진다.

이어서, 블라스트 가공 시스템(1)의 각 장치의 작동이 개시된다(공정 S32). 예를 들면, 집진기(30)의 작동이 개시된 후, 호스(17)를 통해서 압축 공기가 노즐(13)로 공급된다. 그 후, 공급 장치(40)의 작동이 개시되어, 호스(16)를 통해서 분사재(M)가 노즐(13)로 공급된다.

이어서, 1회째의 주사 처리가 행해진다(공정 S33). 도 6에 나타내어지는 바와 같이, 이동 기구(15)는, 노즐(13)이 분사재(M)를 분사하고 있는 상태에서, 노즐(13)을 워크(W)에 대해서 워크(W)의 표면 상의 방향 D1(제1 방향)으로 상대적으로 이동시킨다(제1 주사 처리). 방향 D1은, 워크(W)의 표면에 설정된 방향이며, 워크(W)를 고정한 경우의 방향이다. 즉, 워크(W)가 회전 각도(θ)만큼 회전하면 방향 D1도 동일 방향으로 회전 각도(θ)만큼 회전한다. 구체적으로는, 이동 기구(15)는, 제1 주사 처리에서, 노즐(13)이 이동 궤적(MP1)(제1 이동 궤적)을 따라서 분사재(M)를 분사하도록 노즐(13)을 테이블(12)에 대해서 상대적으로 이동시킨다.

이동 궤적(MP1)은, 지그재그 형상을 가지며, 복수의 주사선(SL1)(제1 주사선)과, 복수의 이송선(PL1)(제1 이송선)을 포함한다. 주사선(SL1)은, 워크(W)의 표면 상의 방향 D1으로 연장되는 선분이다. 복수의 주사선(SL1)은, 서로 동일 길이를 가지며, 등간격으로 서로 평행하게 배치되어 있다. 복수의 주사선(SL1)의 일부는, 워크(W)의 표면 상에 마련되어 있다. 이송선(PL1)은, 방향 D1과 교차(직교)하는 방향으로 연장되는 선분이다. 복수의 이송선(PL1)은, 서로 동일 길이를 가진다. 복수의 이송선(PL1) 각각은, 복수의 주사선(SL1) 중 서로 이웃하는 2개의 주사선(SL1)을 연결한다. 복수의 이송선(PL1) 각각은, 회전축(AX)이 연장되는 방향(Z축 방향)으로부터 보아, 워크(W)의 표면과는 다른 위치(워크(W)의 표면의 외측)에 마련되어 있다.

본 실시 형태에서는, 이동 기구(52)가 노즐(13)을 X축 방향으로 이동시키고, 이동 기구(51)가 테이블(12)을 Y축 방향으로 이동시킨다. 이 때문에, 주사선(SL1)의 연장 방향이 X축 방향으로 일치하고, 이송선(PL1)의 연장 방향이 Y축 방향으로 일치하도록, 테이블(12)의 회전 각도가 조정된다. 그리고, 노즐(13)이 이동 궤적(MP1)의 일단의 상부에 위치하도록, 테이블(12) 및 노즐(13)의 위치가 조정된다. 그리고, 이동 기구(52)가 노즐(13)을 이동 궤적(MP1)의 일단으로부터 X축 정방향으로 이동시키는 것에 의해서, 노즐(13)은, 1회째의 주사선(SL1)을 따라서 분사재(M)를 분사한다. 그리고, 1회째의 주사선(SL1)의 단부에 노즐(13)이 도달한 것에 따라서, 이동 기구(51)가 테이블(12)을 Y축 정방향으로 1피치분(分) 이동시킨다. 이 때, 노즐(13)은 분사재(M)를 계속 분사하고 있으므로, 1회째의 이송선(PL1)을 따라서 분사재(M)가 분사된다.

그리고, 테이블(12)이 1피치 이동한 것에 따라서, 이동 기구(52)가 노즐(13)을 X축 부방향으로 이동시키는 것에 의해서, 노즐(13)은, 2회째의 주사선(SL1)을 따라서 분사재(M)를 분사한다. 2회째의 주사선(SL1)의 단부에 노즐(13)이 도달한 것에 따라서, 이동 기구(51)가 테이블(12)을 Y축 정방향으로 1피치분 이동시킨다. 이상의 동작을 반복하는 것에 의해서, 노즐(13)은 이동 궤적(MP1)의 일단으로부터 타단까지, 이동 궤적(MP1)을 따라서 분사재(M)를 분사한다. 그리고, 노즐(13)이 이동 궤적(MP1)의 타단에 도달하면, 이동 기구(15)는, 노즐(13)이 이동 궤적(MP1)의 타단으로부터 일단을 향하여, 이동 궤적(MP1)을 따라서 분사재(M)를 분사하도록, 노즐(13)을 테이블(12)에 대해서 상대적으로 이동시킨다. 또, 노즐(13)은, 이동 궤적(MP1)을 따라서 이동하고 있는 동안, 분사재(M)를 계속 분사하고 있다.

이어서, 노즐(13)이 이동 궤적(MP1)의 일단에 도달하면, 회전 기구(14)는, 회전 각도(θ)(제1 회전 각도)만큼 테이블(12)을 노즐(13)에 대해서 회전축(AX)을 축심으로 하여 상대적으로 회전시킨다(공정 S34). 즉, 회전 기구(14)는, 제1 주사 처리와 후술의 제2 주사 처리와의 사이에서, 회전 각도(θ)만큼 테이블(12)을 노즐(13)에 대해서 회전축(AX)을 축심으로 하여 상대적으로 회전시킨다. 여기에서는, 회전 기구(14)는, 테이블(12)을 회전축(AX)을 축심으로 하여 회전 각도(θ)만큼 회전시킨다. 회전 각도(θ)는, 예를 들면, 22.5도 이상 120도 이하의 범위에서 설정된다. 회전 각도(θ)는, 예를 들면, 360도의 약수로서 360도보다도 작은 각도로 설정된다. 본 실시 형태에서는, 회전 각도(θ)는 90도이다.

이어서, 2회째의 주사 처리가 행해진다(공정 S35). 도 6에 나타내어지는 바와 같이, 이동 기구(15)는, 노즐(13)이 분사재(M)를 분사하고 있는 상태에서, 노즐(13)을 워크(W)에 대해서 워크(W)의 표면 상의 방향 D2(제2 방향)로 상대적으로 이동시킨다(제2 주사 처리). 방향 D2는, 워크(W)의 표면에 설정된 방향이며, 워크(W)를 고정한 경우의 방향이다. 즉, 워크(W)가 회전 각도(θ)만큼 회전하면 방향 D2도 동일 방향으로 회전 각도(θ)만큼 회전한다. 방향 D2는 방향 D1과 교차하고, 방향 D1과 방향 D2가 이루는 각도는 회전 각도(θ)이다.

구체적으로는, 이동 기구(15)는, 제2 주사 처리에서, 노즐(13)이 이동 궤적(MP2)(제2 이동 궤적)을 따라서 분사재(M)를 분사하도록 노즐(13)을 테이블(12)에 대해서 상대적으로 이동시킨다. 워크(W)를 기준으로 한 경우, 이동 궤적(MP2)은, 이동 궤적(MP1)을 테이블(12)의 회전 방향과 반대 방향으로 회전 각도(θ)만큼 회전시키는 것에 의해서 얻어진다. 여기에서는, 워크(W)가 회전 각도(θ)만큼 회전하므로, XY 평면에서 이동 궤적(MP2)은 이동 궤적(MP1)과 동일하다. 즉, 주사선(SL2)의 연장 방향이 X축 방향에 일치하고, 이송선(PL2)의 연장 방향이 Y축 방향에 일치한다.

이동 궤적(MP2)은, 이동 궤적(MP1)과 동일한 형상을 가지며, 복수의 주사선(SL2)(제2 주사선)과, 복수의 이송선(PL2)(제2 이송선)을 포함한다. 주사선(SL2)은, 워크(W)의 표면 상의 방향 D2로 연장되는 선분이다. 복수의 주사선(SL2)은, 서로 동일 길이를 가지며, 등간격으로 서로 평행하게 배치되어 있다. 복수의 주사선(SL2)의 일부는, 워크(W)의 표면 상에 마련되어 있다. 이송선(PL2)은, 방향 D2와 교차(직교)하는 방향으로 연장되는 선분이다. 복수의 이송선(PL2)은, 서로 동일 길이를 가진다. 복수의 이송선(PL2) 각각은, 복수의 주사선(SL2) 중 서로 이웃하는 2개의 주사선(SL2)을 연결한다. 복수의 이송선(PL2) 각각은, 회전축(AX)이 연장되는 방향(Z축 방향)으로부터 보아, 워크(W)의 표면과는 다른 위치(워크(W)의 표면의 외측)에 마련되어 있다.

1회째의 주사 처리와 마찬가지로, 이동 기구(52)가 노즐(13)을 이동 궤적(MP2)의 일단으로부터 X축 정방향으로 이동시키는 것에 의해서, 노즐(13)은, 1회째의 주사선(SL2)을 따라서 분사재(M)를 분사한다. 그리고, 1회째의 주사선(SL2)의 단부에 노즐(13)이 도달한 것에 따라서, 이동 기구(51)가 테이블(12)을 Y축 정방향으로 1피치분 이동시킨다. 이 때, 노즐(13)은 분사재(M)를 계속 분사하고 있으므로, 1회째의 이송선(PL2)을 따라서 분사재(M)가 분사된다. 그리고, 테이블(12)이 1피치 이동한 것에 따라서, 이동 기구(52)가 노즐(13)을 X축 부방향으로 이동시키는 것에 의해서, 노즐(13)은, 2회째의 주사선(SL2)을 따라서 분사재(M)를 분사한다. 2회째의 주사선(SL2)의 단부에 노즐(13)이 도달한 것에 따라서, 이동 기구(51)가 테이블(12)을 Y축 정방향으로 1피치분 이동시킨다.

이상의 동작을 반복하는 것에 의해서, 노즐(13)은 이동 궤적(MP2)의 일단으로부터 타단까지, 이동 궤적(MP2)을 따라서 분사재(M)를 분사한다. 그리고, 노즐(13)이 이동 궤적(MP2)의 타단에 도달하면, 이동 기구(15)는, 노즐(13)이 이동 궤적(MP2)의 타단으로부터 일단을 향하여, 이동 궤적(MP2)을 따라서 분사재(M)를 분사하도록, 노즐(13)을 테이블(12)에 대해서 상대적으로 이동시킨다. 또, 노즐(13)은, 이동 궤적(MP2)을 따라서 이동하고 있는 동안, 분사재(M)를 계속 분사하고 있다.

이어서, 노즐(13)이 이동 궤적(MP2)의 일단에 도달하면, 제어 장치(50)는, 소정 횟수의 회전이 행해졌는지 여부를 판정한다(공정 S36). 소정 횟수는, 워크(W)를 360도 회전시키는 회전수(N)를 이용하여, (360/θ)×N-1회로 나타내어진다. 소정 횟수는, 회전 각도(θ)가 90도이며, 회전수(N)가 11인 경우, 43회이다. 여기에서는, 1회의 회전밖에 행해져 있지 않으므로, 제어 장치(50)는, 소정 횟수의 회전이행해져 있지 않다고 판정하고(공정 S36；NO), 회전 기구(14)는, 회전 각도(θ)(제2 회전 각도)만큼 테이블(12)을 노즐(13)에 대해서 회전축(AX)을 축심으로 하여 상대적으로 더 회전시킨다(공정 S34). 즉, 회전 기구(14)는, 제2 주사 처리와 후술의 제3 주사 처리와의 사이에서, 회전 각도(θ)만큼 테이블(12)을 노즐(13)에 대해서 회전축(AX)을 축심으로 하여 상대적으로 회전시킨다. 여기에서는, 회전 기구(14)는, 테이블(12)을 회전축(AX)을 축심으로 하여 회전 각도(θ)만큼 회전시킨다.

이어서, 3회째의 주사 처리가 행해진다(공정 S35). 도 6에 나타내어지는 바와 같이, 이동 기구(15)는, 노즐(13)이 분사재(M)를 분사하고 있는 상태에서, 노즐(13)을 워크(W)에 대해서 워크(W)의 표면 상의 방향 D3(제3 방향)으로 상대적으로 이동시킨다(제3 주사 처리). 방향 D3는, 워크(W)의 표면에 설정된 방향이며, 워크(W)를 고정한 경우의 방향이다. 즉, 워크(W)가 회전 각도(θ)만큼 회전하면 방향 D3도 동일 방향으로 회전 각도(θ)만큼 회전한다. 방향 D3는 방향 D2와 교차하고, 방향 D2와 방향 D3가 이루는 각도는 회전 각도(θ)이다. 본 실시 형태에서는, 회전 각도(θ)가 90도이므로, 방향 D3는 방향 D1과 동일 방향이다.

구체적으로는, 이동 기구(15)는, 제3 주사 처리에서, 노즐(13)이 이동 궤적(MP3)을 따라서 분사재(M)를 분사하도록 노즐(13)을 테이블(12)에 대해서 상대적으로 이동시킨다. 워크(W)를 기준으로 한 경우, 이동 궤적(MP3)은, 이동 궤적(MP2)을 테이블(12)의 회전 방향과 반대 방향으로 회전 각도(θ)만큼 회전시키는 것에 의해서 얻어진다. 여기에서는, 워크(W)가 회전 각도(θ)만큼 회전하므로, XY 평면에서 이동 궤적(MP3)은 이동 궤적(MP1, MP2) 각각과 동일하다. 즉, 주사선(SL3)의 연장 방향이 X축 방향에 일치하고, 이송선(PL3)의 연장 방향이 Y축 방향에 일치한다.

이동 궤적(MP3)은, 이동 궤적(MP2)과 동일한 형상을 가지며, 복수의 주사선(SL3)과, 복수의 이송선(PL3)을 포함한다. 주사선(SL3)은, 방향 D3로 연장되는 선분이다. 복수의 주사선(SL3)은, 서로 동일 길이를 가지며, 등간격으로 서로 평행하게 배치되어 있다. 복수의 주사선(SL3)의 일부는, 워크(W)의 표면 상에 마련되어 있다. 이송선(PL3)은, 방향 D3와 교차(직교)하는 방향으로 연장되는 선분이다. 복수의 이송선(PL3)은, 서로 동일 길이를 가진다. 복수의 이송선(PL3) 각각은, 복수의 주사선(SL3) 중 서로 이웃하는 2개의 주사선(SL3)을 연결한다. 복수의 이송선(PL3) 각각은, 회전축(AX)이 연장되는 방향(Z축 방향)으로부터 보아, 워크(W)의 표면과는 다른 위치(워크(W)의 표면의 외측)에 마련되어 있다.

1, 2회째의 주사 처리와 마찬가지로, 이동 기구(52)가 노즐(13)을 이동 궤적(MP3)의 일단으로부터 X축 정방향으로 이동시키는 것에 의해서, 노즐(13)은, 1회째의 주사선(SL3)을 따라서 분사재(M)를 분사한다. 그리고, 1회째의 주사선(SL3)의 단부에 노즐(13)이 도달한 것에 따라서, 이동 기구(51)가 테이블(12)을 Y축 정방향으로 1피치분 이동시킨다. 이 때, 노즐(13)은 분사재(M)를 계속 분사하고 있으므로, 1회째의 이송선(PL3)을 따라서 분사재(M)가 분사된다. 그리고, 테이블(12)이 1피치 이동한 것에 따라서, 이동 기구(52)가 노즐(13)을 X축 부방향으로 이동시키는 것에 의해서, 노즐(13)은, 2회째의 주사선(SL3)을 따라서 분사재(M)를 분사한다. 2회째의 주사선(SL3)의 단부에 노즐(13)이 도달한 것에 따라서, 이동 기구(51)가 테이블(12)을 Y축 정방향으로 1피치분 이동시킨다.

이상의 동작을 반복하는 것에 의해서, 노즐(13)은 이동 궤적(MP3)의 일단으로부터 타단까지, 이동 궤적(MP3)을 따라서 분사재(M)를 분사한다. 그리고, 노즐(13)이 이동 궤적(MP3)의 타단에 도달하면, 이동 기구(15)는, 노즐(13)이 이동 궤적(MP3)의 타단으로부터 일단을 향하여, 이동 궤적(MP3)을 따라서 분사재(M)를 분사하도록, 노즐(13)을 테이블(12)에 대해서 상대적으로 이동시킨다. 또, 노즐(13)은, 이동 궤적(MP3)을 따라서 이동하고 있는 동안, 분사재(M)를 계속 분사하고 있다.

이어서, 노즐(13)이 이동 궤적(MP3)의 일단에 도달하면, 제어 장치(50)는, 소정 횟수의 회전이 행해졌는지 여부를 판정한다(공정 S36). 여기에서는, 2회의 회전밖에 행해져 있지 않으므로, 제어 장치(50)는, 소정 횟수의 회전이 행해져 있지 않다고 판정하고(공정 S36；NO), 회전 기구(14)는, 회전 각도(θ)만큼 테이블(12)을 노즐(13)에 대해서 회전축(AX)을 축심으로 하여 상대적으로 더 회전시킨다(공정 S34). 즉, 회전 기구(14)는, 제3 주사 처리와 후술의 제4 주사 처리와의 사이에서, 회전 각도(θ)만큼 테이블(12)을 노즐(13)에 대해서 회전축(AX)을 축심으로 하여 상대적으로 회전시킨다. 여기에서는, 회전 기구(14)는, 테이블(12)을 회전축(AX)을 축심으로 하여 회전 각도(θ)만큼 회전시킨다.

이어서, 4회째의 주사 처리가 행해진다(공정 S35). 도 6에 나타내어지는 바와 같이, 이동 기구(15)는, 노즐(13)이 분사재(M)를 분사하고 있는 상태에서, 노즐(13)을 워크(W)에 대해서 워크(W)의 표면 상의 방향 D4로 상대적으로 이동시킨다(제4 주사 처리). 방향 D4는, 워크(W)의 표면에 설정된 방향이며, 워크(W)를 고정한 경우의 방향이다. 즉, 워크(W)가 회전 각도(θ)만큼 회전하면 방향 D4도 동일 방향으로 회전 각도(θ)만큼 회전한다. 방향 D4는 방향 D3와 교차하고, 방향 D3와 방향 D4가 이루는 각도는 회전 각도(θ)이다. 본 실시 형태에서는, 회전 각도(θ)가 90도이므로, 방향 D4는 방향 D2와 동일 방향이다.

구체적으로는, 이동 기구(15)는, 제4 주사 처리에서, 노즐(13)이 이동 궤적(MP4)을 따라서 분사재(M)를 분사하도록 노즐(13)을 테이블(12)에 대해서 상대적으로 이동시킨다. 워크(W)를 기준으로 한 경우, 이동 궤적(MP4)은, 이동 궤적(MP3)을 테이블(12)의 회전 방향과 반대 방향으로 회전 각도(θ)만큼 회전시키는 것에 의해서 얻어진다. 여기에서는, 워크(W)가 회전 각도(θ)만큼 회전하므로, XY 평면에서 이동 궤적(MP4)은 이동 궤적(MP1, MP2, MP3) 각각과 동일하다. 즉, 주사선(SL4)의 연장 방향이 X축 방향에 일치하고, 이송선(PL4)의 연장 방향이 Y축 방향에 일치한다.

이동 궤적(MP4)은, 이동 궤적(MP3)과 동일한 형상을 가지며, 복수의 주사선(SL4)과, 복수의 이송선(PL4)을 포함한다. 주사선(SL4)은, 방향 D4로 연장되는 선분이다. 복수의 주사선(SL4)은, 서로 동일 길이를 가지며, 등간격으로 서로 평행하게 배치되어 있다. 복수의 주사선(SL4)의 일부는, 워크(W)의 표면 상에 마련되어 있다. 이송선(PL4)은, 방향 D4와 교차(직교)하는 방향으로 연장되는 선분이다. 복수의 이송선(PL4)은, 서로 동일 길이를 가진다. 복수의 이송선(PL4) 각각은, 복수의 주사선(SL4) 중 서로 이웃하는 2개의 주사선(SL4)을 연결한다. 복수의 이송선(PL4) 각각은, 회전축(AX)이 연장되는 방향(Z축 방향)으로부터 보아, 워크(W)의 표면과는 다른 위치(워크(W)의 표면의 외측)에 마련되어 있다.

1~3회째의 주사 처리와 마찬가지로, 이동 기구(52)가 노즐(13)을 이동 궤적(MP4)의 일단으로부터 X축 정방향으로 이동시키는 것에 의해서, 노즐(13)은, 1회째의 주사선(SL4)을 따라서 분사재(M)를 분사한다. 그리고, 1회째의 주사선(SL4)의 단부에 노즐(13)이 도달한 것에 따라서, 이동 기구(51)가 테이블(12)을 Y축 정방향으로 1피치분 이동시킨다. 이 때, 노즐(13)은 분사재(M)를 계속 분사하고 있으므로, 1회째의 이송선(PL4)을 따라서 분사재(M)가 분사된다. 그리고, 테이블(12)이 1피치 이동한 것에 따라서, 이동 기구(52)가 노즐(13)을 X축 부방향으로 이동시키는 것에 의해서, 노즐(13)은, 2회째의 주사선(SL4)을 따라서 분사재(M)를 분사한다. 2회째의 주사선(SL4)의 단부에 노즐(13)이 도달한 것에 따라서, 이동 기구(51)가 테이블(12)을 Y축 정방향으로 1피치분 이동시킨다.

이상의 동작을 반복하는 것에 의해서, 노즐(13)은 이동 궤적(MP4)의 일단으로부터 타단까지, 이동 궤적(MP4)을 따라서 분사재(M)를 분사한다. 그리고, 노즐(13)이 이동 궤적(MP4)의 타단에 도달하면, 이동 기구(15)는, 노즐(13)이 이동 궤적(MP4)의 타단으로부터 일단을 향하여, 이동 궤적(MP4)을 따라서 분사재(M)를 분사하도록, 노즐(13)을 테이블(12)에 대해서 상대적으로 이동시킨다. 또, 노즐(13)은, 이동 궤적(MP4)을 따라서 이동하고 있는 동안, 분사재(M)를 계속 분사하고 있다.

이어서, 노즐(13)이 이동 궤적(MP4)의 일단에 도달하면, 제어 장치(50)는, 소정 횟수의 회전이 행해졌는지 여부를 판정한다(공정 S36). 여기에서는, 3회의 회전밖에 행해져 있지 않으므로, 제어 장치(50)는, 소정 횟수의 회전이 행해져 있지 않다고 판정하고(공정 S36；NO), 회전 기구(14)는, 회전 각도(θ)만큼 테이블(12)을 노즐(13)에 대해서 회전축(AX)을 축심으로 하여 상대적으로 더 회전시킨다(공정 S34). 여기에서는, 회전 기구(14)는, 테이블(12)을 회전축(AX)을 축심으로 하여 회전 각도(θ)만큼 회전시킨다. 이것에 의해, 워크(W)가 360도 회전했으므로, 상술의 제1 주사 처리~제4 주사 처리가 순서대로 반복된다.

그리고, 공정 S36에서, 제어 장치(50)가 소정 횟수의 회전이 행해졌다고 판정한 경우(공정 S36；YES), 블라스트 가공 시스템(1)의 각 장치가 정지된다(공정 S37). 공정 S37에서는, 예를 들면, 공급 장치(40)가 정지된 후, 압축 공기의 공급이 정지된다.

이어서, 워크(W)가 회수된다(공정 S38). 구체적으로는, 케이스(11)의 도어가 열리고, 워크(W)의 표면에 부착한 분진이 미도시의 에어 블로우에 의해서 제거된다. 그리고, 반송 로봇에 의해서, 워크(W)가 테이블(12)의 재치면(12a)으로부터 외부로 반송되어, 워크(W)가 회수된다. 워크(W)가 회수된 후, 반송 로봇에 의해서, 다른 워크(W)가 테이블(12)의 재치면(12a) 상에 재치되고, 워크(W)가 재치면(12a) 상에 재치된 후, 케이스(11)의 도어가 닫여져 있어도 괜찮다. 이 경우, 공정 S32~공정 S38가 다시 실시된다. 다른 워크(W)를 가공하지 않는 경우에는, 집진기(30)가 정지되어도 괜찮다.

이상에 의해, 블라스트 가공 장치(10)가 실시하는 블라스트 가공 방법의 일련의 처리가 종료된다.

여기서, 제1 주사 처리와 제2 주사 처리와의 관계를 설명한다. 도 7은, 제1 주사 처리와 제2 주사 처리와의 관계를 설명하기 위한 도면이다. 또, 도 7에 나타내어지는 예에서는, 회전 각도(θ)는 60도이다. 도 7에서는, 설명의 편의상, 워크(W)의 표면의 중심을 통과하는 주사선(SL1) 및 주사선(SL2)만이 도시되어 있다.

위에서 설명한 바와 같이, 공정 S33의 제1 주사 처리에서, 워크(W)의 표면 상의 방향 D1으로 연장되는 주사선(SL1)을 따라서 분사재(M)가 분사된다. 이어서, 공정 S34에서, 회전축(AX)(도 2 참조)을 축심으로 하여 테이블(12)이 회전 각도(θ)(60도)만큼 회전된다. 이어서, 공정 S35의 제2 주사 처리에서, 워크(W)의 표면 상의 방향 D2로 연장되는 주사선(SL2)을 따라서 분사재(M)가 분사된다. 도 7에 나타내어지는 바와 같이, 주사선(SL1)과 주사선(SL2)이 이루는 각도는, 회전 각도(θ)와 동일하다. 즉, 방향 D1과 방향 D2가 이루는 각도는, 회전 각도(θ)와 동일하다. 마찬가지로, 연속하는 2개의 주사 처리에서의 선행하는 주사 처리에서 이용되는 주사선(주사선의 방향)과 후속의 주사 처리에서 이용되는 주사선(주사선의 방향)이 이루는 각도도, 회전 각도(θ)와 동일하다.

이상 설명한 블라스트 가공 장치(10) 및 블라스트 가공 방법의 작용 효과를 설명한다. 워크(W)의 표면에 대해서 노즐(13)을 이동하면서 분사재(M)를 분사하면, 호스(16, 17)의 휨 상태의 변화에 의해서, 분사재 또는 압축 공기의 흐름 방향이 바뀌어, 분사 압력이 변화할 수 있다. 또, 워크(W)의 표면에서, 1개의 주사선을 따라서 분사재가 분사되는 영역과, 다른 주사선을 따라서 분사재가 분사되는 영역이, 부분적으로 겹쳐지는 것에 의해서, 가공 얼룩(줄무늬 얼룩)이 생기는 경우가 있다. 이와 같이 주사 방향(워크(W)에 대한 노즐(13)의 상대적인 이동 방향)에 기인하여, 가공의 깊이가 불규칙한 경우가 있다.

이것에 대해, 블라스트 가공 장치(10) 및 블라스트 가공 방법에서는, 노즐(13)이 분사재(M)를 분사하고 있는 상태에서, 노즐(13)을 워크(W)에 대해서 워크(W)의 표면 상의 방향 D1으로 상대적으로 이동시키는 제1 주사 처리가 행해지고, 그 후, 회전 각도(θ)만큼 테이블(12)이 노즐(13)에 대해서 회전축(AX)을 축심으로 하여 상대적으로 회전된다. 그리고, 노즐(13)이 분사재(M)를 분사하고 있는 상태ㅇ에서 노즐(13)을 워크(W)에 대해서 워크(W)의 표면 상의 방향 D2로 상대적으로 이동시키는 제2 주사 처리가 행해진다. 게다가, 회전 각도(θ)만큼 테이블(12)이 노즐(13)에 대해서 회전축(AX)을 축심으로 하여 상대적으로 회전되고, 노즐(13)이 분사재(M)를 분사하고 있는 상태에서, 노즐(13)을 워크(W)에 대해서 워크(W)의 표면 상의 방향 D3로 상대적으로 이동시키는 제3 주사 처리가 행해진다. 게다가, 회전 각도(θ)만큼 테이블(12)이 노즐(13)에 대해서 회전축(AX)을 축심으로 하여 상대적으로 회전되고, 노즐(13)이 분사재(M)를 분사하고 있는 상태에서, 노즐(13)을 워크(W)에 대해서 워크(W)의 표면 상의 방향 D4로 상대적으로 이동시키는 제4 주사 처리가 행해진다. 이 때문에, 제1 주사 처리에서, 워크에 가공 얼룩이 생겼다고 해도, 제2 주사 처리, 제3 주사 처리, 및 제4 주사 처리에서, 제1 주사 처리와 다른 방향으로 노즐을 이동시키므로, 가공 얼룩을 분산시킬 수 있다. 이것에 의해, 가공 정밀도가 균일화되므로, 가공 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.

노즐(13)에 대해서 테이블(12)을 상대적으로 일정한 회전 각도(θ)만큼 회전시킬 때마다, 각 주사 처리가 행해지므로, 가공 얼룩을 효과적으로 분산시킬 수 있다. 이것에 의해, 가공 정밀도가 보다 한층 균일화되므로, 가공 정밀도를 더 향상시키는 것이 가능해진다.

노즐(13)이 이동 궤적(MP1, MP2, MP3, MP4)을 따라서 테이블(12)에 대해서 상대적으로 이동하는 것만으로, 제1 주사 처리, 제2 주사 처리, 제3 주사 처리, 및 제4 주사 처리를 각각 행할 수 있다.

회전축(AX)이 연장되는 방향으로부터 보아, 이송선(PL1, PL2, PL3, PL4) 각각은, 워크(W)의 표면의 외측(워크(W)의 표면과는 다른 위치)에 마련되어 있다. 즉, 이송선(PL1, PL2, PL3, PL4)은, 워크(W)의 표면 상에는 마련되어 있지 않다. 이 때문에, 제1 주사 처리에서는, 복수의 주사선(SL1)을 따라서 워크(W)의 표면에 분사재(M)가 분사되고, 제2 주사 처리에서는, 복수의 주사선(SL2)을 따라서 워크(W)의 표면에 분사재(M)가 분사되고, 제3 주사 처리에서는, 복수의 주사선(SL3)을 따라서 워크(W)의 표면에 분사재(M)가 분사되고, 제4 주사 처리에서는, 복수의 주사선(SL4)을 따라서 워크(W)의 표면에 분사재(M)가 분사된다. 이 때문에, 주사선(SL1)의 배선 간격, 주사선(SL2)의 배선 간격, 주사선(SL3)의 배선 간격, 및 주사선(SL4)의 배선 간격을 적절히 설정하는 것에 의해서, 워크(W) 표면 전체에 분사재(M)를 분사할 수 있다.

노즐(13)은, 이동 궤적(MP1, MP2, MP3, MP4)을 따라서 이동하고 있는 동안, 분사재(M)를 계속 분사하고 있다. 예를 들면, 분사재(M)의 분사를 정지한 후, 분사재(M)의 분사를 재개하는 경우, 분사 압력을 안정화시키는데 시간을 필요한 경우가 있다. 이것에 대해, 분사재(M)를 계속 분사함으로써, 분사 압력의 안정화에 필요한 시간을 생략할 수 있으므로, 가공 시간을 단축하는 것이 가능해진다.

회전 기구(14)는, 테이블(12)을 회전축(AX)을 축심으로 하여 회전시킨다. 이 때문에, 노즐(13)의 거동을 변경하지 않고, 테이블(12)을 회전시키는 것만으로, 주사 방향을 변경할 수 있다. 따라서, 블라스트 가공 장치(10)의 장치 구성을 복잡화하지 않고, 가공 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.

이동 기구(15)는, 테이블(12)을 이동시키는 이동 기구(51)와, 노즐(13)을 이동시키는 이동 기구(52)를 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 이동 기구(51)는 테이블을 Y축 방향으로만 이동시키고, 이동 기구(52)는 노즐(13)을 X축 방향으로만 이동시킴으로써, 상술의 블라스트 가공을 행할 수 있다. 따라서, 이동 기구(51, 52)로서 1축 이동형의 이동 기구를 이용할 수 있으므로, 이동 기구(15)의 구성을 간이하게 하는 것이 가능해진다.

상기 실시 형태에서는, 워크(W)는, 경취 재료에 의해서 구성되어 있다. 이러한 워크(W)를 블라스트 가공하는 경우에는, 워크(W)의 표면(가공면)에 작은 파괴를 주어 워크(W)의 표면을 깎으므로, 분사 압력의 변동의 영향을 받기 쉽다.

또, 본 개시에 관한 블라스트 가공 장치 및 블라스트 가공 방법은 상기 실시 형태에 한정되지 않는다.

워크(W)의 형성 재료는, 경취 재료에 한정되지 않고, 금속 재료, 및 수지 재료 등이라도 괜찮다.

이동 궤적(MP1, MP2, MP3, MP4)은, 이송선(PL1, PL2, PL3, PL4)을 각각 포함하지 않아도 괜찮다.

상기 실시 형태에서는, 1회의 주사 처리에서, 노즐(13)이 이동 궤적(MP1, MP2, MP3, MP4) 각각을 따라 왕복 이동하고 있지만, 이동 궤적(MP1, MP2, MP3, MP4) 각각을 따라 편도 이동해도 괜찮다. 노즐(13)은, 1회의 주사 처리에서, 이동 궤적(MP1, MP2, MP3, MP4) 각각을 3회 이상 이동해도 괜찮다. 노즐(13)이 이동 궤적(MP1, MP2, MP3, MP4) 각각을 따라 왕복 이동하는 경우, 주사 처리의 종료시에서의 테이블(12)과 노즐(13)과의 위치 관계를, 주사 처리 개시시의 테이블(12)과 노즐(13)과의 위치 관계와 동일하게 할 수 있다.

상기 실시 형태에서는, 회전 각도(θ)는, 90도이지만, 다른 각도라도 괜찮다. 회전 각도(θ)에 따라 이동 궤적의 수가 변경된다. 상기 실시 형태에서는, 회전 기구(14)는, 주사 처리마다 일정한 회전 각도(θ)로 테이블(12)을 회전하고 있지만, 다른 회전 각도로 테이블(12)을 회전해도 괜찮다.

상기 실시 형태에서는, 노즐(13)은, 이동 궤적(MP1, MP2, MP3, MP4)을 따라서 이동하고 있는 동안, 분사재(M)를 계속 분사하고 있지만, 이송선(PL1, PL2, PL3, PL4)을 따라서 이동하고 있는 동안은 분사재(M)의 분사를 정지해도 괜찮다. 노즐(13)은, 주사선(SL1, SL2, SL3, SL4) 중, 워크(W)의 표면 상에 마련되어 있지 않은 부분을 따라서 이동하고 있는 동안, 분사재(M)의 분사를 정지해도 괜찮다.

상기 실시 형태에서는, 회전 기구(14)는, 테이블(12)을 회전축(AX)을 축심으로 하여 회전시키고 있지만, 회전 기구(14)의 구성은 이것에 한정되지 않는다. 회전 기구(14)는, 노즐(13)을 회전축(AX)을 축심으로 하여 회전시켜도 괜찮다. 이 경우, 회전 기구(14)는, 예를 들면, 노즐(13)과 함께 이동 기구(15)를 회전 각도(θ)로 회전시킨다.

상기 실시 형태에서는, 이동 기구(15)는, 테이블(12)을 Y축 방향으로 이동시키는 이동 기구(51)와, 노즐(13)을 X축 방향으로 이동시키는 이동 기구(52)를 구비하고 있지만, 이동 기구(15)의 구성은 이것에 한정되지 않는다.

노즐(13)은, 고정되어도 좋고, 이동 기구(15)는, 테이블(12)을 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동시켜도 괜찮다. 이동 기구(15)는, 예를 들면, XY 스테이지이다. 이 경우, 노즐(13)이 고정되어 있으므로, 호스(16, 17)의 휨 상태는 변화하지 않는다. 따라서, 호스(16, 17)의 휨 상태의 변화에 기인한 가공 얼룩이 생기지 않으므로, 가공 정밀도를 더 향상시키는 것이 가능해진다.

이동 기구(15)는, 테이블(12)을 이동시키지 않고, 노즐(13)을 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동시켜도 괜찮다. 이동 기구(15)는, 예를 들면, XY 스테이지이다. 이 경우, 테이블(12)에 이동 기구를 마련할 필요가 없으므로, 블라스트 가공 장치(10)의 장치 구성을 간이하게 하는 것이 가능해진다. 또, 테이블(12)이 이동하는 스페이스를 확보할 필요가 없으므로, 블라스트 가공 장치(10)가 대형화되는 것을 억제할 수 있다.

1 - 블라스트 가공 시스템 10 - 블라스트 가공 장치
12 - 테이블 13 - 노즐
14 - 회전 기구 15 - 이동 기구
51 - 이동 기구(제1 이동 기구) 52 - 이동 기구(제2 이동 기구)
AX - 회전축 D1 - 방향(제1 방향)
D2 - 방향(제2 방향) D3 - 방향(제3 방향)
D4 - 방향 M - 분사재
MP1 - 이동 궤적(제1 이동 궤적) MP2 - 이동 궤적(제2 이동 궤적)
MP3 - 이동 궤적 MP4 - 이동 궤적
PL1 - 이송선(제1 이송선) PL2 - 이송선(제2 이송선)
PL3 - 이송선 PL4 - 이송선
SL1 - 주사선(제1 주사선) SL2 - 주사선(제2 주사선)
SL3 - 주사선 SL4 - 주사선
W - 워크

Claims (10)

1. 워크(work)를 가공하는 블라스트 가공 장치로서,
   상기 워크를 재치(載置)하는 테이블과,
   상기 워크의 표면을 향해서 분사재를 분사하는 노즐과,
   상기 노즐을 상기 테이블에 대해서 상기 워크의 상기 표면을 따른 평면 상에서 상대적으로 이동시키는 이동 기구와,
   상기 테이블을 상기 노즐에 대해서 상기 평면과 교차하는 회전축을 축심(軸心)으로 하여 상대적으로 회전시키는 회전 기구를 구비하며,
   상기 이동 기구는,
   상기 노즐이 상기 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 상기 노즐을 상기 워크에 대해서 상기 워크의 상기 표면 상의 제1 방향으로 상대적으로 이동시키는 제1 주사(走査) 처리와,
   상기 노즐이 상기 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 상기 노즐을 상기 워크에 대해서 상기 제1 방향과 교차하는 상기 워크의 상기 표면 상의 제2 방향으로 상대적으로 이동시키는 제2 주사 처리를 행하며,
   상기 회전 기구는, 상기 제1 주사 처리와 상기 제2 주사 처리와의 사이에서, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향에 의해서 형성되는 제1 회전 각도만큼 상기 테이블을 상기 노즐에 대해서 상기 회전축을 축심으로 하여 상대적으로 회전시키는 블라스트 가공 장치.
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 이동 기구는,
   상기 제1 주사 처리에서, 상기 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 주사선과, 상기 복수의 제1 주사선 중 서로 이웃하는 2개의 제1 주사선을 연결하는 복수의 제1 이송선을 포함하는 제1 이동 궤적을 따라서 상기 노즐이 상기 분사재를 분사하도록, 상기 노즐을 상기 테이블에 대해서 상대적으로 이동시키고,
   상기 제2 주사 처리에서, 상기 제2 방향으로 연장되는 복수의 제2 주사선과, 상기 복수의 제2 주사선 중 서로 이웃하는 2개의 제2 주사선을 연결하는 복수의 제2 이송선을 포함하는 제2 이동 궤적을 따라서 상기 노즐이 상기 분사재를 분사하도록, 상기 노즐을 상기 테이블에 대해서 상대적으로 이동시키는 블라스트 가공 장치.
3. 청구항 2에 있어서,
   상기 회전축이 연장되는 방향으로부터 보아, 상기 복수의 제1 이송선 및 상기 복수의 제2 이송선 각각은, 상기 워크의 상기 표면과는 다른 위치에 마련되는 블라스트 가공 장치.
4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
   상기 노즐은, 상기 제1 이동 궤적 및 상기 제2 이동 궤적을 따라서 이동하고 있는 동안, 상기 분사재를 계속 분사하는 블라스트 가공 장치.
5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 이동 기구는, 상기 노즐이 상기 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 상기 노즐을 상기 워크에 대해서 상기 제2 방향과 교차하는 상기 워크의 상기 표면 상의 제3 방향으로 상대적으로 이동시키는 제3 주사 처리를 더 행하고,
   상기 회전 기구는, 상기 제2 주사 처리와 상기 제3 주사 처리와의 사이에서, 상기 제2 방향과 상기 제3 방향에 의해서 형성되는 제2 회전 각도만큼 상기 테이블을 상기 노즐에 대해서 상기 회전축을 축심으로 하여 상대적으로 회전시키며,
   상기 제2 회전 각도는, 상기 제1 회전 각도와 동일한 블라스트 가공 장치.
6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 회전 기구는, 상기 회전축을 축심으로 하여 상기 테이블을 회전시키는 블라스트 가공 장치.
7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 이동 기구는, 상기 테이블을 이동시키는 제1 이동 기구와, 상기 노즐을 이동시키는 제2 이동 기구를 구비하는 블라스트 가공 장치.
8. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 노즐은, 고정되어 있고,
   상기 이동 기구는, 상기 테이블을 이동시키는 블라스트 가공 장치.
9. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 이동 기구는, 상기 노즐을 이동시키는 블라스트 가공 장치.
10. 워크를 가공하는 블라스트 가공 방법으로서,
    노즐이 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 상기 워크에 대해서 상기 노즐을 상기 워크의 표면 상의 제1 방향으로 상대적으로 이동시키는 제1 주사 처리를 행하는 것과,
    상기 제1 주사 처리 후, 상기 워크의 상기 표면을 따른 평면과 교차하는 회전축을 축심으로 하여 소정의 회전 각도만큼 상기 워크를 상기 노즐에 대해서 상대적으로 회전시키는 것과,
    상기 노즐이 상기 분사재를 분사하고 있는 상태에서, 상기 워크에 대해서 상기 노즐을 상기 제1 방향과 교차하는 상기 워크의 상기 표면 상의 제2 방향으로 상대적으로 이동시키는 제2 주사 처리를 행하는 것을 구비하며,
    상기 회전 각도는, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향에 의해서 형성되는 각도인 블라스트 가공 방법.

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