KR20210038320A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20210038320A
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요시카즈 오타니
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신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판 품질을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치(10)는, 기판(W1)과, 기판(W1)의 주위를 둘러싸는 링(W2)과, 기판(W1)의 하면 및 링(W2)의 하면에 점착하는 다이싱 테이프(W3)를 갖는 처리 대상물(W)을 지지하는 테이블(20)과, 테이블(20)의 회전수에 따라, 회전 기구(30)에 의해 회전하는 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면, 회전 기구(30)에 의해 회전하는 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부, 및 회전 기구(30)에 의해 회전하는 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 기판(W1)과 링(W2) 사이 중 어느 하나를 향해, 기판(W1)을 처리하기 위한 처리액에 혼화되지 않고 처리액보다 비중이 큰 액체를 토출하여, 처리 대상물(W)의 기판(W1)과 링(W2) 사이에 액체를 공급하는 액 공급부(50)를 구비한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명의 실시형태는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스의 한층 더한 박형화나 비용 절감이 요구되고 있다. 그래서, 반도체 디바이스를 지지하는 기판 상에 있어서, 반도체 디바이스를 일괄적으로 제조하는 것이 행해져 오고 있다. 반도체 디바이스를 지지하는 기판(지지 기판)으로서, 예컨대, 반도체용 웨이퍼나 액정 패널용 유리 기판을 이용하여, 배선 형성이나 칩 배치, 몰드 밀봉 등의 각종 처리가 지지 기판의 접착층 상에 행해져, 접착층 상에 반도체 디바이스가 형성된다. 그 후, 형성된 반도체 디바이스로부터 지지 기판이 박리된다. 지지 기판의 박리 공정에서는, 예컨대, 반도체 디바이스와 지지 기판 사이의 접착층을 레이저 조사에 의해 열화시켜, 반도체 디바이스로부터 지지 기판을 박리한다.
박리 공정이 행해지기에 앞서, 최종적으로 반도체 디바이스를 개개의 칩으로 분리하기 위해서, 지지 기판과 반대의 반도체 디바이스측의 면에 점착 테이프인 다이싱 테이프가 부착된다. 부착되는 다이싱 테이프에는, 반송이나 지지를 행하기 위한 링이, 다이싱 테이프 상의 지지 기판 및 반도체 디바이스를 둘러싸도록 다이싱 테이프에 부착된다. 따라서, 다이싱 테이프의 점착면(점착성을 갖는 면)의 중앙 영역이 지지 기판 및 반도체 디바이스에 의해 덮여지고, 다이싱 테이프의 점착면의 외연(外緣) 영역이 환형의 링에 의해 덮여진다. 다이싱 테이프의 점착면의 중앙 영역과 외연 영역 사이의 환형의 영역(반도체 디바이스와 링 사이의 다이싱 테이프의 점착면)은 노출된다.
박리 공정에 의해 반도체 디바이스로부터 지지 기판을 박리한 후에는, 다이싱 테이프 상에 반도체 디바이스만이 달라붙은 상태가 된다. 또한, 지지 기판 상에 반도체 디바이스를 형성하기 때문에, 일괄적으로 형성되는 반도체 디바이스는 지지 기판과 동일한 외형으로 형성된다. 즉, 반도체용 웨이퍼를 지지 기판으로 한 경우, 반도체 디바이스의 외형은 반도체 웨이퍼와 동일한 원반형이 된다. 이후, 원반형으로 형성된 반도체 디바이스를 예로 설명한다. 또한, 반도체 디바이스를 간단히 디바이스(혹은 기판)라고 칭한다.
디바이스로부터 지지 기판이 박리되었을 때에는, 접착층인 접착물(예컨대, 카본)이 디바이스에 잔류한다. 이 때문에, 잔류한 접착물을 디바이스로부터 제거할 필요가 발생한다. 접착물의 제거 공정에서는, 예컨대, 복수의 척 핀(고정 부재)에 의해 링을 위로부터 눌러, 디바이스를 링 및 다이싱 테이프와 함께 테이블에 고정한다. 그리고, 디바이스의 중심을 회전 중심으로 하여 디바이스를 다이싱 테이프 및 링과 함께 수평면 내에서 회전시키고, 디바이스의 중심 부근에 용제 등의 세정액(처리액의 일례)을 공급하며, 디바이스의 중심 부근에 공급한 세정액을 디바이스 전면(全面)(둘레 방향)으로 확산시키고 디바이스로부터 배출하여, 디바이스로부터 접착물을 제거한다.
디바이스로부터 제거된 접착물은 세정액과 함께 디바이스로부터 배출되지만, 배출된 접착물이 디바이스와 링 사이의 다이싱 테이프의 점착면에 부착되는 경우가 있다. 접착물이 부착되면, 반송 공정이나 다이싱 공정 등에 있어서, 다이싱 테이프로부터 떨어져 디바이스(기판)에 부착되어, 디바이스가 오염되기 때문에, 디바이스 품질, 즉 기판 품질이 저하된다.
[특허문헌 1] 일본 특허 제6004100호 공보
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판 품질을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리 장치는,
기판과, 상기 기판의 주위를 둘러싸는 링과, 상기 기판의 하면 및 상기 링의 하면에 점착하는 다이싱 테이프를 갖는 처리 대상물을 지지하는 테이블과,
상기 테이블을 평면 내에서 회전시키는 회전 기구와,
상기 테이블의 회전수에 따라, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 링의 상면, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판의 외주 단부, 및 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이 중 어느 하나를 향해, 상기 기판을 처리하기 위한 처리액에 혼화되지 않고 그 처리액보다 비중이 큰 액체를 토출하여, 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이에 상기 액체를 공급하는 액 공급부와,
상기 액 공급부에 의해 상기 액체가 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이에 공급되어 있는 상태에서, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판의 상면에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부
를 구비한다.
본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리 방법은,
기판과, 상기 기판의 주위를 둘러싸는 링과, 상기 기판의 하면 및 상기 링의 하면에 점착하는 다이싱 테이프를 갖는 처리 대상물을 테이블에 의해 지지하는 공정과,
상기 테이블을 평면 내에서 회전 기구에 의해 회전시키는 공정과,
상기 테이블의 회전수에 따라, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 링의 상면, 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판의 외주 단부, 및 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이 중 어느 하나를 향해, 상기 기판을 처리하기 위한 처리액에 혼화되지 않고 그 처리액보다 비중이 큰 액체를 토출하여, 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이에 상기 액체를 액 공급부에 의해 공급하는 공정과,
상기 액 공급부에 의해 상기 액체가 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이에 공급되어 있는 상태에서, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판의 상면에 상기 처리액을 처리액 공급부에 의해 공급하는 공정
을 갖는다.
본 발명의 실시형태에 의하면, 기판 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일부를 도시한 평면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 제1 실시형태에 따른 액 공급을 설명하기 위한 제1 도면이다.
도 5는 제1 실시형태에 따른 액 공급을 설명하기 위한 제2 도면이다.
도 6은 제1 실시형태에 따른 액 공급을 설명하기 위한 제3 도면이다.
도 7은 제2 실시형태에 따른 노즐 각도 변경을 설명하기 위한 제1 도면이다.
도 8은 제2 실시형태에 따른 노즐 각도 변경을 설명하기 위한 제2 도면이다.
<제1 실시형태>
제1 실시형태에 대해 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한다.
(기본 구성)
도 1에 도시된 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(10)는, 테이블(20)과, 회전 기구(회전 구동부)(30)와, 처리액 공급부(40)와, 액 공급부(50)와, 제어부(60)를 구비하고 있다.
처리 대상물(W)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(예컨대, 디바이스)(W1)과, 링(W2)과, 다이싱 테이프(W3)를 갖고 있다. 기판(W1)은, 다이싱 테이프(W3)의 중앙에 부착된다. 링(W2)은, 환형으로 형성되어 있고, 다이싱 테이프(W3) 상의 기판(W1)의 주위를 둘러싸도록 다이싱 테이프(W3)에 부착된다. 따라서, 다이싱 테이프(W3)의 점착면의 중앙 영역이 기판(W1)에 의해 덮여지고, 다이싱 테이프(W3)의 점착면의 외연 영역이 환형의 링(W2)에 의해 덮여져 있다. 이 때문에, 다이싱 테이프(W3)의 점착면의 중앙 영역과 외연 영역 사이의 환형의 영역, 즉 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 상면은 노출되어 있다.
테이블(20)은, 본체(21)와, 지지체(22)와, 복수의 척 핀(23)을 갖고 있다. 이 테이블(20)은, 컵(도시하지 않음)에 의해 둘러싸여 있고, 컵 내의 대략 중앙에 위치되며, 수평면 내에서 회전 가능하게 회전 기구(30) 상에 설치되어 있다. 테이블(20)은, 예컨대, 스핀 테이블이라고 불린다.
본체(21)는, 중앙이 원기둥형으로 솟아오르는 볼록 형상으로 형성되어 있다. 이 본체(21)의 볼록부의 상면은, 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 하면에 다이싱 테이프(W3)를 통해 대향한 상태에서 기판(W1)을 지지한다. 지지체(22)는, 환형으로 형성되어 있고, 본체(21)의 볼록부(돌출부)를 둘러싸도록 본체(21)의 환형의 평탄부에 설치되어 있다. 이 지지체(22)는, 처리 대상물(W)의 링(W2)의 하면에 다이싱 테이프(W3)를 통해 대향한 상태에서 링(W2)을 지지한다. 각 척 핀(23)은, 각각 편심 회전 가능하게 본체(21)의 환형의 평탄부에 설치되어 있다. 이들의 척 핀(23)은, 각각 동기하여 편심 회전함으로써, 처리 대상물(W)의 링(W2)의 외주면을 내측으로 누르면서, 처리 대상물(W)을 수평 상태로 유지한다. 이때, 처리 대상물(W)의 중심은, 테이블(20)의 회전축 상에 위치된다.
이 테이블(20)은, 본체(21) 및 지지체(22)에 의해 처리 대상물(W)을 지지하고, 각 척 핀(23)에 의해 본체(21) 및 지지체(22)에 고정하며, 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면의 높이가 기판(W1)의 상면의 높이보다 낮아지도록(예컨대 2 ㎜ 정도의 수 ㎜ 낮아지도록) 처리 대상물(W)을 지지한다.
회전 기구(30)는, 테이블(20)을 지지하도록 설치되고, 그 테이블(20)을 수평면(평면의 일례) 내에서 회전시키도록 구성되어 있다. 이 회전 기구(30)는, 회전축(31)과, 모터(32)를 갖고 있다. 회전축(31)의 일단은 테이블(20)의 하방의 중앙에 연결되어 있고, 회전축(31)의 타단은 모터(32)에 연결되어 있다. 모터(32)는 그 회전축(31)을 회전시킨다. 회전 기구(30)는, 모터(32)의 구동에 의해 회전축(31)을 통해 테이블(20)을 수평면 내에서 회전시킨다.
처리액 공급부(40)는, 노즐(41)을 갖고 있다. 이 처리액 공급부(40)는, 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 중앙 부근의 상방[예컨대, 기판(W1)의 중앙 부근 바로 위]에 노즐(41)을 위치시키고, 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 중앙 부근에 노즐(41)로부터 제1 처리액(예컨대, p-멘탄이나 시클로펜타논 등의 용제)이나 제2 처리액(예컨대, IPA: 이소프로필알코올)을 공급한다. 한편, 제1 처리액은, 예컨대, DIW(초순수)와 비상용성의 액체이고, 기판(W1)에 잔류한 접착물을 기판(W1)으로부터 박리하기 위한 액체이다.
노즐(41)은, 예컨대, 노즐 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 테이블(20)의 상방을 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)을 따라 수평 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있다. 노즐 이동 기구로서는, 예컨대, 아암을 갖는 요동 기구나 리니어 가이드 등이 이용된다. 이 노즐(41)은, 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 중앙 부근에 대향하고, 그 중앙 부근을 향해 처리액을 토출한다. 노즐(41)에는, 기판 처리 장치(10) 밖의 2개의 탱크(도시하지 않음)로부터 2종류의 처리액이 개별적으로 공급된다. 노즐(41)로부터 토출되는 제1 처리액의 토출량은 조정 밸브(41a)의 개방도 조정에 의해 변경되고, 노즐(41)로부터 토출되는 제2 처리액의 토출량은 조정 밸브(41b)의 개방도 조정에 의해 변경된다.
액 공급부(50)는, 제1 노즐(51)과, 제2 노즐(52)을 갖고 있다. 이 액 공급부(50)는, 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면의 상방[예컨대, 링(W2)의 상면 바로 위]에 제1 노즐(51)을 위치시키고, 그 링(W2)의 상면에 제1 노즐(51)로부터 액체(예컨대, DIW)를 공급한다. 또한, 액 공급부(50)는, 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부의 상방[예컨대, 기판(W1)의 외주면 바로 위]에 제2 노즐(52)을 위치시키고, 그 기판(W1)의 외주 단부에 제2 노즐(52)로부터 액체(예컨대, DIW)를 공급한다. 이 액체는, 제1 처리액에 혼화되지 않고 제1 처리액보다 비중이 큰(제1 처리액보다 밀도가 큰) 것이다.
제1 노즐(51) 및 제2 노즐(52)은, 예컨대, 각각 노즐 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 테이블(20)의 상방을 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)을 따라 수평 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있다. 노즐 이동 기구로서는, 예컨대, 아암을 갖는 요동 기구나 리니어 가이드 등이 이용된다. 제1 노즐(51)은, 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면에 대향하고, 그 상면을 향해 액체를 토출한다. 제2 노즐(52)은, 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부에 대향하고, 그 외주 단부를 향해 액체를 토출한다. 제1 노즐(51) 및 제2 노즐(52)의 수평 이격 거리는, 예컨대 200 ㎜ 정도이다. 이들의 제1 노즐(51) 및 제2 노즐(52)에는, 기판 처리 장치(10) 밖의 탱크(도시하지 않음)로부터 액체가 공급된다. 제1 노즐(51)로부터 토출되는 액체의 토출량은 조정 밸브(51a)의 개방도 조정에 의해 변경되고, 제2 노즐(52)로부터 토출되는 액체의 토출량은 조정 밸브(52a)의 개방도 조정에 의해 변경된다.
제어부(60)는, 각부를 집중적으로 제어하는 마이크로 컴퓨터와, 기판 처리에 관한 기판 처리 정보나 각종 프로그램 등을 기억하는 기억부(모두 도시하지 않음)를 구비하고 있다. 이 제어부(60)는, 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여, 테이블(20)의 각 척 핀(23)에 의한 처리 대상물 유지 동작, 회전 기구(30)에 의한 테이블(20)의 회전 동작, 처리액 공급부(40)에 의한 처리액 공급 동작, 액 공급부(50)에 의한 액 공급 동작 등의 제어를 행한다. 예컨대, 모터(32)는 제어부(60)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동은 제어부(60)에 의해 제어된다. 또한, 각 조정 밸브(41a, 41b, 51a, 52a)는, 예컨대, 전자 밸브이고, 제어부(60)에 전기적으로 접속되어 있으며, 그 구동은 제어부(60)에 의해 제어된다.
(기판 처리 공정)
다음으로, 전술한 기판 처리 장치(10)가 행하는 기판 처리 공정의 흐름에 대해 설명한다. 이 기판 처리 공정은, 처리 대상물(W)의 기판(W1) 상에 잔류한 접착물을 제거하는 공정이다. 한편, 하기의 각종 수치는 어디까지나 예시이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 예컨대, 단계 1로부터 6까지의 공정이 연속해서 실행된다. 제1 처리액으로서는 용제(세정액의 일례)가 이용되고, 제2 처리액으로서는 IPA가 이용되며, 액체로서는 DIW가 이용된다. 한편, 처리 대상물(W)은 각 척 핀(23)에 의해 테이블(20)에 고정되고, 기판 처리 공정 중, 테이블(20)은 회전하고 있다. 테이블(20)의 회전수나 처리 시간은 제어부(60)에 의해 변경된다. 또한, 용제나 IPA, DIW의 개개의 토출량은, 각 조정 밸브(41a, 41b, 51a, 52a)가 제어부(60)에 의해 제어되어 변경된다.
단계 1에서는, DIW가 제1 노즐(51)로부터 토출되어, 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면에 공급된다. 이 단계 1에서는, 제1 노즐(51)로부터 토출되는 DIW의 토출량은 380 ㎖/min이고, 테이블(20)의 회전수(제1 회전수)는 20 rpm이며, 처리 시간(토출 시간)은 10 s이다.
DIW의 토출량은 척 핀(23)의 상부 및 척 핀(23)의 주위를 피액(被液)할 수 있는 양이고, 기판(W1) 상에는 공급되지 않는 양인 것이 바람직하다. 또한, 테이블(20)의 회전수(회전 속도)는, DIW를 액막의 상태로 유지할 수 있는 회전 속도로 설정되어 있다. DIW는, 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면에 도달하고, 링(W2)의 상면으로 확산된다. 이때, 링(W2)은 회전하고 있어, 링(W2)의 상면에 공급된 DIW는, 링(W2)의 외측 및 내측으로 확산된다. 이때의 테이블(20)의 단위 시간당의 회전수, 즉, 처리 대상물(W)의 링(W2)의 단위 시간당의 회전수(제1 회전수)는, 링(W2)의 상면에서의 원심력의 작용이 약한 회전수이기 때문에, 제1 노즐(51)로부터 토출되어 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면에 도달한 DIW가, 회전하는 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 기판(W1)과 링(W2) 사이에 흐르도록 설정되어 있다. 또한, 처리 시간은, 설정된 DIW의 토출량에 의해 기판(W1)과 링(W2) 사이를 피액하는 데 필요한 시간으로 설정되어 있다. 예컨대, 처리 시간은, 설정된 DIW의 토출량이 380 ㎖/min이라고 하면 10 s이다. DIW의 토출량, 테이블(20)의 회전수 및 처리 시간은, 미리 실험 등으로 구해져 설정되어 있다.
단계 1에 있어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 노즐(51)로부터 토출된 DIW(도 4 중의 크로스 해칭에 의한 빈틈없이 칠한 영역에 의해 나타냄)는, 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면에 도달하고, 링(W2)의 외측 및 링(W2)의 내측[기판(W1)측]으로 확산된다. 이 때문에, 링(W2)의 내측으로 확산되는 DIW는, 기판(W1)과 링(W2) 사이에 유입되고, 기판(W1), 링(W2) 및 다이싱 테이프(W3)에 의해 둘러싸이는 환형의 공간에 저류된다. 이에 의해, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면에는 DIW의 액막이 형성되고, 또한, 링(W2)의 상면에도 DIW의 액막이 형성된다.
단계 2에서는, 용제가 노즐(41)로부터 토출되어, 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 중앙 부근에 공급되고, 또한, DIW가 제1 노즐(51)로부터 토출되어(단계 1부터 계속), 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면에 공급된다. 이 단계 2에서는, 제1 노즐(51)로부터 토출되는 DIW의 토출량은 380 ㎖/min이고, 테이블(20)의 회전수(제1 회전수)는 20 rpm이며, 처리 시간(토출 시간)은 240 s이다. 한편, 노즐(41)로부터 토출되는 용제의 토출량은 480 ㎖/min이다(도시하지 않음).
테이블(20)의 회전수(회전 속도)는, 기판(W1) 상에 용제를 액막의 상태로 유지할 수 있는 회전 속도로 설정되어 있기 때문에, 접착물을 용제에 반응시키기 쉬워진다. 처리 시간은, 용제가 후술하는 레이저 흡수층을 용해하기 위해서 필요한 시간으로 설정되어 있다. 용제의 토출량은, 전술한 설정된 처리 시간 내에, 레이저 흡수층을 충분히 용해할 수 있는 공급량으로 설정되어 있다. 테이블(20)의 회전수, 처리 시간 및 용제의 토출량은, 미리 실험 등으로 구해져 설정되어 있다.
단계 2에 있어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(W1) 및 링(W2) 사이나 링(W2)의 상면에 DIW의 액막이 존재한 상태에서, 노즐(41)로부터 토출된 용제(도 5 중의 도트에 의한 빈틈없이 칠한 영역에 의해 나타냄)는, 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 중앙 부근에 도달하고, 처리 대상물(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W1)의 상면 전체로 확산된다. 기판(W1)의 상면에는 용제의 액막이 형성되고, 기판(W1)으로부터 접착물[도 4 중의 기판(W1) 상의 굵은 검은선에 의해 나타냄]이 용제에 의해 서서히 용융된다. 단계 2는, 기판(W1) 상의 접착물을 용융하기 위한 단계이다. 접착물은 용융되어, 기판(W1)으로부터 박리된다. 기판(W1)으로부터 박리된 접착물은, 기판(W1) 상의 용제의 액막에 부유한다. 한편, 기판(W1) 상의 접착물은, 용융의 진행이 빠른 부분부터 먼저 박리되어 가서, 기판(W1) 상의 용제의 액막에 부유하게 된다.
여기서, 예컨대, 접착물은, 레이저 흡수층이 기판(W1) 상에 적층되고, 기판(W1) 상의 레이저 흡수층 상에 레이저 반응층이 적층되어 구성되어 있다. 기판(W1)측의 레이저 흡수층이 용제에 의해 용해되고, 접착물은 기판(W1)으로부터 박리되어 제거된다. 지지 기판의 박리 공정 전에 있어서, 디바이스[기판(W1)]는 접착층을 통해 지지 기판에 지지되어 있다. 이 접착층은 2층 구조(레이저 반응층과 레이저 흡수층)이다. 지지 기판과의 박리 시에는, 지지 기판측으로부터 레이저를 조사하면, 레이저광에 의해 반응층이 파괴된다. 레이저 흡수층에 의해 레이저광은, 흡수되어 디바이스측에는 영향을 주지 않도록 하고 있다. 레이저 반응층이 파괴되면, 지지 기판을 박리할 수 있다. 디바이스측에는, 파괴된 레이저 반응층 및 레이저 흡수층, 즉, 접착층이 남는 상태가 된다. 디바이스는 파괴된 접착층의 상부(레이저 반응층)가 상면에서 노출된 상태로 다이싱 테이프(W3)에 지지되는 상태가 된다. 제1 처리액인 용제는, 이 2층의 접착층 중, 레이저 흡수층을 용해시켜, 레이저 흡수층 위에 형성하는 레이저 반응층째로 함께 제거한다.
또한, 단계 2에 있어서, 제1 노즐(51)로부터 토출된 DIW는, 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면을 향해 진행하지만, 기판(W1)의 상면으로부터 흘러 오는 용제에 혼화되지 않고, 링(W2)의 상면에 도달하여 링(W2)의 외측 및 내측으로 확산된다. DIW는, 용제에 혼화되지 않고 용제보다 비중이 큰 액체이다. 링(W2)의 내측으로 확산되는 DIW는, 기판(W1)과 링(W2) 사이에 유입되고, 기판(W1), 링(W2) 및 다이싱 테이프(W3)에 의해 둘러싸이는 공간에 저류된다. 이에 의해, 기판(W1) 및 링(W2) 사이에는 DIW의 액막이 유지되고, 또한, 링(W2)의 주위에도 DIW의 액막이 유지된다. 한편, 전술한 바와 같이 DIW는, 용제에 혼화되지 않고 용제보다 비중이 큰 것이다. 그 때문에, 기판(W1)의 상면으로부터 배출된 용제는, 기판(W1)의 상면으로부터 기판(W1)과 링(W2) 사이에 형성되는 DIW의 액막에 유입되었을 때, 기판(W1)과 링(W2) 사이에 형성되는 DIW의 액막과 혼화되지 않고, DIW의 액막 위를 흐르게 된다(도 5 참조).
통상, 단계 2에서는, 기판(W1)으로부터 제거된 접착물은, 기판(W1) 상의 용제의 액막에 부유하여 머물고 있으나, 부유하는 접착물 중에는, 용제의 흐름에 의해 용제와 함께 기판(W1)으로부터 배출되는 것도 있다. 즉, 기판(W1) 상의 용제의 액막에 부유하는 접착물 중 일부는, 기판(W1) 및 링(W2) 사이나 링(W2)의 상면에 존재하는 DIW의 액막 위를 흐르는 용제와 함께 흘러, 처리 대상물(W)로부터 배출된다. 이때, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면이 DIW의 액막에 의해 덮여져 있는 상태에서, 처리 대상물(W)로부터 접착물이 용제와 함께 배출되기 때문에, 접착물이 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면에 부착되는 것을 억제할 수 있다. DIW가 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면을 덮는 것 및 DIW는 용제와 혼화되지 않고, 또한, 비중이 큰 관계이기 때문에, 용제와 함께 흐르는 접착물은, 기판(W1)과 링(W2) 사이에 있어서 DIW의 액막 상을 흐른다. 이 때문에, 접착물이 기판(W1)과 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 척 핀(23)의 주위에 DIW의 액막을 형성함으로써, 용제와 함께 흐르는 접착물은, 척 핀(23)의 주위에 있어서 DIW의 액막 상을 흐르기 때문에, 척 핀(23)에의 접착물의 부착을 억제할 수 있다.
또한, 테이블(20)은, 링(W2)의 상면의 높이가 기판(W1)의 상면의 높이보다 낮아지는 위치에서 처리 대상물(W)을 지지하고 있다. 이에 의해, 기판(W1)으로부터 제거된 접착물이 링(W2)에 걸려 잔류하는 것이 억제되기 때문에, 접착물의 배출 효율을 향상시킬 수 있다. 한편, 테이블(20)이, 링(W2)의 상면의 높이가 기판(W1)의 상면의 높이 이상이 되는 위치에서 처리 대상물(W)을 지지하는 경우, 기판(W1)으로부터 제거된 접착물이 링(W2)에 걸려 잔류하는 경우가 있다.
단계 3에서는, 용제가 노즐(41)로부터 토출되어(단계 2부터 계속), 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 중앙 부근에 공급되고, DIW가 제1 노즐(51)로부터 토출되어(단계 2부터 계속), 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면에 공급되며, 또한, DIW가 제2 노즐(52)로부터 토출되어, 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부에 공급된다. 이 단계 3에서는, 제1 노즐(51)로부터 토출되는 DIW의 토출량은 380 ㎖/min이고, 제2 노즐(52)로부터 토출되는 DIW의 토출량은 200 ㎖/min이며, 테이블(20)의 회전수(제2 회전수)는 400 rpm이고, 처리 시간(토출 시간)은 60 s이다. 한편, 노즐(41)로부터 토출되는 용제의 토출량은 480 ㎖/min이다(도시하지 않음).
DIW의 토출량은, 테이블(20)의 회전수가 제2 회전수로 변경되었을 때에, 기판(W1)과 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면을 피액할 수 있는 토출량으로 설정되어 있다. 테이블(20)의 회전수(회전 속도)는, 기판(W1) 상에서 부유하는 접착물을 기판(W1) 밖으로 배출시킬 수 있는 속도로 설정되어 있다. 처리 시간은, 설정된 테이블(20)의 회전수와 함께, 접착물이 기판(W1) 상으로부터 전부 배출되는 시간으로 설정되어 있다. DIW의 토출량, 테이블(20)의 회전수 및 처리 시간은, 미리 실험 등으로 구해져 설정되어 있다.
단계 3에 있어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 처리 대상물(W)의 기판(W1)과 링(W2) 사이에 DIW의 액막이 계속 형성되고, 또한, 기판(W1)의 상면에는 용제의 액막이 계속 형성된다. 테이블(20)의 회전수가 올라가고(20 rpm→400 rpm), 처리 대상물(W) 상의 용제의 액막에 부유하는 접착물은, 기판(W1) 및 링(W2) 사이나 링(W2)의 상면에 존재하는 DIW의 액막 위를 흐르는 용제와 함께 흘러, 처리 대상물(W)로부터 흘러 떨어진다. 단계 3은, 단계 2에서 용융되어 기판(W1) 상의 용제에 부유하는 접착물을 처리 대상물(W)로부터 배출하기 위한 단계이다.
한편, 단계 3에 있어서, 노즐(41)에 의한 용제의 공급, 제1 노즐(51)에 의한 DIW의 공급, 각 노즐에 의한 DIW의 공급은, 전술한 단계 2와 동일하지만, 덧붙여, 제2 노즐(52)에 의한 DIW의 공급이 행해진다. 제2 노즐(52)로부터 토출된 DIW는, 기판(W1)의 상면으로부터 흘러 오는 용제에 혼화되지 않고, 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부에 도달하여, 기판(W1)과 링(W2) 사이에 유입되고, 기판(W1), 링(W2) 및 다이싱 테이프(W3)에 의해 둘러싸이는 공간에 저류된다. 테이블(20)의 회전수가 올라가면(20 rpm→400 rpm), 원심력이 작용하여, 제1 노즐(51)로부터 토출된 DIW가 기판(W1) 및 링(W2) 사이에 유입되기 어려워져, 다이싱 테이프(W3)의 노출면(점착면)에 형성되는 액막이 얇아진다. 또한, 노출면의 일부에서는, 액막이 완전히 없는 상태가 된다. 그러나, 제2 노즐(52)로부터 토출된 DIW가 기판(W1) 및 링(W2) 사이에 공급되어, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 DIW의 액막의 두께(막 두께)가 유지되기 때문에, 용제의 공급 중, 기판(W1)과 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면은 DIW의 액막에 의해 확실히 덮여진다. 이에 의해, 테이블(20)의 회전수를 올려도, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면이 DIW의 액막에 의해 덮여져 있는 상태가 된다. 결과로서, 기판(W1) 상의 용제의 액막에 부유하는 접착물은, 기판(W1) 및 링(W2) 사이나 링(W2)의 상면에 존재하는 DIW의 액막 위를 흐르는 용제와 함께 흘러, 처리 대상물(W)로부터 접착물이 용제와 함께 배출된다. 따라서, 기판(W1)으로부터 제거된 접착물이, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 노즐(51)에 의한 공급만으로는, DIW의 액막이 얇아지는 상태 및 액막이 없어지는 상태가 되기 때문에, 제2 노즐(52)에 의해, 더욱 액량을 어시스트함으로써 DIW의 액막의 형성을 유지하도록 한다. 또한, 제2 노즐(52)은, 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부를 향해 DIW를 토출함으로써, 원심력의 영향을 고려하여, 기판(W1)과 링(W2) 사이에 DIW의 액막을 형성할 수 있도록 하고 있다. 링(W2)의 상면에 제2 노즐(52)로부터 DIW를 공급해도, 회전수가 제2 회전수가 됨으로써 원심력이 증가하기 때문에, DIW가 링(W2)의 내측으로 흐르지 않고 외측으로 배출되어 버린다. 이 때문에, 제2 노즐(52)에 의해, 기판(W1)의 외주 단부에 DIW를 공급하여, 그 외주 단부의 외측에 위치하는, 기판(W1)과 링(W2) 사이의 다이싱 테이프의 점착면에 DIW가 흘러가고, 거기에 DIW의 액막을 형성하도록 하고 있다. 한편, 단계 3에서도 용제(제1 처리액)를 공급하고 있고, 단계 4에서 용제의 공급을 정지한다.
또한, 처리 대상물(W)로부터 접착물을 배출하기 위해서, 테이블(20)의 회전수를 단계 2보다 올린다(20 rpm→400 rpm). 이에 의해, 처리 대상물(W) 상에서의 원심력이 강해지고, 처리 대상물(W)로부터의 접착물 배출이 촉진되기 때문에, 용제와 함께 흐르는 접착물을 배출하는 배출 성능(접착물의 배출 성능)을 향상시킬 수 있다. 즉, 단계 2에서 기판(W1) 상에 용제의 액막을 형성하고, 기판(W1)의 접착물을 용융하여 용제의 액막에 부유시키며, 단계 3에서 테이블(20)의 회전수를 올려, 용제에 부유하는 접착물을 처리 대상물(W) 상으로부터 용제와 함께 배출한다. 테이블(20)의 회전수를 올림으로써, 접착물의 배출 성능을 향상시키는 것이 가능하다. 즉, 기판(W1)의 회전수(회전 속도)를 상승시킴으로써, 원심력을 발생시켜, 기판(W1)의 표면 상에 부유한 접착물을 원심력으로 기판(W1)의 외측으로 배출한다. 이에 의해, 기판(W1)의 표면 상으로부터 접착물을 제거할 수 있다. 한편, 기판(W1)의 회전수를 상승했을 때에도, 기판(W1) 중앙에 용제의 공급을 계속하고 있다. 이것은, 기판(W1)의 표면 상의 액막이 원심력에 의해 얇아져, 기판(W1)의 표면 상으로부터 박리한 접착물이, 재차 기판(W1)의 표면 상에 부착되는 것을 억제하기 위함이다. 또한, 기판(W1) 상으로부터 접착물을 배출하는 배출 성능을 보조도 한다.
단계 4에서는, IPA만이 노즐(41)로부터 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 중앙 부근에 공급된다. 이 단계 4에서는, 테이블(20)의 회전수는 400 rpm이고, 처리 시간(토출 시간)은 60 s이다. 한편, 노즐(41)로부터 공급되는 IPA의 양은 200 ㎖/min이다(도시하지 않음).
단계 4에 있어서, 기판(W1) 상에 잔류하는 용제를 제거하기 위해서, IPA를 공급한다. 한편, 용제를 배출하기 위해서는, 용제와 혼화 가능하고 휘발성이 높은 액체를 이용하는 것이 바람직하다. 테이블(20)의 회전수(회전 속도)는, 기판(W1) 상에 잔류하는 처리액을 기판(W1) 밖으로 배출시킬 수 있는 속도로 설정되어 있다. 처리 시간은, 설정된 테이블(20)의 회전수와 함께, 용제의 잔류가 기판(W1) 상으로부터 전부 없어지는 시간으로 설정되어 있다. 테이블(20)의 회전수 및 처리 시간은, 미리 실험 등으로 구해져 설정되어 있다.
단계 5에서는, 모든 액 공급이 없는 상태에서, 고속 회전에 의해 건조가 행해진다. 이 단계 5에서는, 테이블(20)의 회전수는 1000 rpm이고, 처리 시간은 50 s이다. 기판(W1) 상이 건조하는 데 필요한 회전수, 처리 시간은, 미리 실험 등으로 구해져 설정되어 있다.
단계 6에서는, 고속 회전에 의한 건조를 정지하기 위해서, 모든 액 공급이 없는 상태에서, 회전 속도가 느려진다. 이 단계 6에서는, 테이블(20)의 회전수는 50 rpm이고, 처리 시간은 10 s이다.
전술한 기판 처리 공정에서는, 단계 2에 있어서, 제1 노즐(51)은, 회전 기구(30)에 의해 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면을 향해 DIW를 토출하여, 처리 대상물(W)의 기판(W1)과 링(W2) 사이에 DIW를 공급한다. 이에 의해, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면이나 링(W2)의 상면이 DIW의 액막에 의해 덮여진다. 이 상태에서, 노즐(41)은, 회전 기구(30)에 의해 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 중앙 부근을 향해 용제를 토출한다. 또한, 단계 3에 있어서, 테이블(20)의 회전수가 상승하면, 제2 노즐(52)은, 회전 기구(30)에 의해 회전하는 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부를 향해 DIW를 토출하여, 처리 대상물(W)의 기판(W1)과 링(W2) 사이에 DIW를 공급한다. 이에 의해, 테이블(20)의 회전수가 예컨대 100 rpm 이상으로 상승해도(고속 회전), 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 DIW의 액막의 두께가 얇아져도, 그 기판(W1) 및 링(W2) 사이에 DIW가 공급되어, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 DIW의 액막의 두께가 유지된다. 따라서, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면이 DIW의 액막에 의해 덮여져 있는 상태가 확실히 유지된다.
이와 같이 하여, 용제의 공급 중, 기판(W1)과 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면이나 링(W2)의 상면은, DIW의 액막에 의해 확실히 덮여져 있다. 이에 의해, 기판(W1)으로부터 제거된 접착물이 용제와 함께 기판(W1)으로부터 배출되어도, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면이나 링(W2)의 상면에 부착되는 것이 억제된다. 따라서, 다이싱 테이프(W3)의 점착면이나 링(W2)의 상면에 부착된 접착물이, 반송 공정이나 다이싱 공정(예컨대 후공정) 등에서 다이싱 테이프(W3)나 링(W2)으로부터 떨어져 기판(W1)에 부착되어, 기판(W1)이 오염되는 것이 억제되기 때문에, 기판 품질을 향상시킬 수 있다.
여기서, 예컨대, 제1 노즐(51)이 기판(W1)의 외주 단부에 공급하면, DIW가 기판(W1)의 단부면측으로부터 중심 방향으로 확산되어 버린다. 즉, 제1 회전수에서는, 원심력이 약하기 때문에 기판(W1)의 외주로 배출하는 성능이 나타나지 않는다. 이 때문에, 기판(W1)의 중심 방향으로 DIW가 확산되면, 단계 2에서 기판(W1)의 중심에 공급되는 용제가 기판(W1)의 외주로 확산되는 것을 저해하여, 용제가 기판(W1)의 외주부에서의 접착물과 반응할 수 없게 된다. 전술한 바와 같이, DIW와 제1 처리액인 용제는 혼화되지 않는 것이고, DIW 쪽이 제1 처리액인 용제보다 비중이 크다. 그 때문에, DIW가 기판(W1)의 외주 단부로부터 중심 방향으로 확산되면, 기판(W1)의 중심으로부터 공급된 용제가, 기판(W1)의 외주 부근에서, DIW와는 혼화되지 않고 DIW 위를 흐르는 상태가 된다. 즉, 기판(W1)의 외주 부근은, 용제가 기판(W1) 상의 접착물에 접촉하는 것이 어려워져, 기판(W1) 상의 접착물에 대해 용제를 공급할 수 없다. 즉, 테이블(20)의 회전수에 따라 DIW의 공급 위치를 변경하고 있는 이유는, 상기한 바와 같이, 기판(W1) 상에 공급되는 제1 처리액인 용제가, DIW에 의해 저해되지 않고, 기판(W1)의 외주까지 확산되어, 기판(W1) 상의 접착물의 박리를 확실히 행하는 것과, 기판(W1)과 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면에의 접착물의 부착을 억제하기 위함이다.
이상 설명한 바와 같이, 제1 실시형태에 의하면, 처리 대상물(W)을 테이블(20)에 의해 지지하고, 그 테이블(20)을 회전 기구(30)에 의해 회전시키며, 테이블(20)의 회전수에 따라, 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면, 또는 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부를 향해, 제1 처리액(예컨대, 용제)에 혼화되지 않고 제1 처리액보다 비중이 큰 액체(예컨대, DIW)를 토출하여, 처리 대상물(W)의 기판(W1)과 링(W2) 사이에 액체를 공급하고, 액체가 처리 대상물(W)의 기판(W1)과 링(W2) 사이에 공급되어 있는 상태에서, 회전하는 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 상면에 처리액을 공급한다.
즉, 제1 처리액에 혼화되지 않고 제1 처리액보다 비중이 큰 액체가 기판(W1) 및 링(W2) 사이에 유입되고, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면이 DIW의 액막에 의해 덮여진다. 이 때문에, 기판(W1)으로부터 제거된 접착물은, 기판(W1) 및 링(W2) 사이나 링(W2)의 상면에 존재하는 DIW의 액막 위를 흐르는 제1 처리액과 함께 처리 대상물(W)로부터 배출되기 때문에, 그때에 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면에 부착되는 것이 억제된다. 따라서, 다이싱 테이프(W3)의 점착면에 부착된 접착물이, 반송 도중이나 다이싱 공정 등의 후공정에서 다이싱 테이프(W3)로부터 떨어져 기판(W1)에 부착되어, 기판(W1)이 오염되는 것이 억제되기 때문에, 기판 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 링(W2)의 상면의 높이가 기판(W1)의 상면의 높이보다 낮아지는 위치에서 테이블(20)이 처리 대상물(W)을 지지함으로써, 접착물의 배출 성능을 향상시키는 것이 가능해지고, 또한, 링(W2)의 상면을 액막에 의해 덮는 것이 가능해진다. 이에 의해, 기판(W1)으로부터 제거된 접착물이, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면이나 링(W2)의 상면에 부착되는 것이 확실히 억제된다. 따라서, 다이싱 테이프(W3)의 점착면이나 링(W2)의 상면에 부착된 접착물이, 반송 도중이나 다이싱 공정 등의 후공정에서 다이싱 테이프(W3)나 링(W2)으로부터 떨어져 기판(W1)에 부착되어, 기판(W1)이 오염되는 것이 확실히 억제되기 때문에, 기판 품질을 보다 확실히 향상시킬 수 있다.
또한, 제2 노즐(52)에 의한 DIW의 공급이 행해진다. 제1 노즐(51)에 의한 공급만으로는, DIW의 액막이 얇아지는 상태 및 액막이 없어지는 상태가 되기 때문에, 제2 노즐(52)에 의해, 더욱 액량을 어시스트함으로써 DIW의 액막을 유지한다. 또한, 제2 노즐(52)은, 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부를 향해 DIW를 토출함으로써, 원심력의 영향을 고려하여, 기판(W1)과 링(W2) 사이에 DIW의 액막을 형성한다. 이에 의해 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 DIW의 액막의 두께(막 두께)가 유지되기 때문에, 용제의 공급 중, 기판(W1)과 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면은 DIW의 액막에 의해 확실히 덮여진다. 이에 의해, 테이블(20)의 회전수를 올려도, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면이 DIW의 액막에 의해 덮여져 있는 상태가 된다. 결과로서, 기판(W1) 상의 용제의 액막에 부유하는 접착물은, 기판(W1) 및 링(W2) 사이나 링(W2)의 상면에 존재하는 DIW의 액막 위를 흐르는 용제와 함께 흘러, 처리 대상물(W)로부터 접착물이 용제와 함께 배출된다. 따라서, 기판(W1)으로부터 제거된 접착물이, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
<제2 실시형태>
제2 실시형태에 대해 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다. 한편, 제2 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 상위점(노즐 각도 변경)에 대해 설명하고, 그 외의 설명은 생략한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 액 공급부(50)는, 제1 실시형태에 따른 각부에 더하여, 각도 변경부(53)를 구비하고 있다. 이 각도 변경부(53)는, 제1 노즐(51)의 경사 각도 및 제2 노즐(52)의 경사 각도를 각각 변경하는 것이 가능하게 형성되어 있다. 이하, 제1 노즐(51)을 예로 하여 설명한다. 제1 노즐(51)은, 테이블(20)의 회전 방향, 즉 처리 대상물(W)[기판(W1)]의 회전 방향의 상류측에 쓰러뜨려져 있다. 예컨대, 각도 변경부(53)는, 연결 부재나 모터 등을 갖는 각도 변경 기구(도시하지 않음)에 의해 구성되어 있다. 각도 변경부(53)는 제어부(60)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동은 제어부(60)에 의해 제어된다.
도 8에 도시된 바와 같이, 테이블(20)의 회전수가 제1 회전수(예컨대, 20 rpm)인 경우(느리다), 회전 방향에 평행한 평면 내에 있어서 연직 방향에 대한 노즐 각도는 A1도가 되고[노즐 각도(A1)로 함], 중심 방향에 평행한 평면 내에 있어서 연직 방향에 대한 노즐 각도는 A2도가 된다[노즐 각도(A2)로 함]. A2도는 A1도보다 작다(A2<A1). 테이블(20)의 회전수가 제2 회전수(예컨대, 400 rpm)인 경우(빠르다), 회전 방향에 평행한 평면 내에 있어서 연직 방향에 대한 노즐 각도는 A2도가 되고, 중심 방향에 평행한 평면 내에 있어서 연직 방향에 대한 노즐 각도는 A1도가 된다. 이러한 소정값으로 노즐 각도가 되도록, 각도 변경부(53)는, 테이블(20)의 회전수에 따라, 제1 노즐(51)이 액체를 토출하는 각도(토출 각도)를 변경한다. 한편, 각도 변경부(53)는, 제2 노즐(52)이 액체를 토출하는 각도도 동일하게 변경한다.
여기서, 노즐 각도(A1)와 노즐 각도(A2)는, 기판(W1)의 회전 속도(회전수)가 저속(제1 회전수)이기 때문에, 기판(W1)과 링(W2) 사이에 액막이 형성되기 쉬운 각도이다. 그러나, 기판(W1)측으로 DIW가 흘러 오지 않도록 하고 싶다. 이 때문에, 회전 방향에 대한 노즐 각도(A1)를 크게 함으로써, 기판(W1)과 링(W2) 사이에 액막을 형성시킴과 동시에, 공급된 DIW의 배출을 재촉하고 있다. 또한, 기판(W1)의 중심 방향에 대해 노즐 각도(A2)를 작게 함으로써, 기판(W1)의 중심측에 DIW가 유입되지 않도록 하고 있다.
또한, 노즐 각도(A1)와 노즐 각도(A2)는, 기판(W1)의 회전 속도가 상승하고, 기판(W1)과 링(W2) 사이에 액막이 유지되도록 설정된다. 제1 실시형태와 마찬가지로 기판(W1)의 회전 속도가 상승하면(제2 회전수), 기판(W1)과 링(W2) 사이의 액막이, 원심력으로 배출되어 버려, 기판(W1)과 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면이 노출되어 버린다. 이 점착면을 피액하기 위해서, 노즐 각도(A1)는, 회전 방향에 대한 기울기가 작아지는 각도가, 노즐 각도(A2)는, 중심 방향에 대한 기울기가 커지는 각도가 되도록 설정된다.
이상 설명한 바와 같이, 제2 실시형태에 의하면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 테이블(20)의 회전수에 따라, 제1 노즐(51) 또는 제2 노즐(52)이 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 표면[예컨대, 기판(W1)의 상면이나 링(W2)의 상면]에 대해 액체를 토출하는 각도를 변경함으로써, 액체를 기판(W1) 및 링(W2) 사이나 링(W2)의 상면에 확실히 공급하는 것이 가능해지고, 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면이나 링(W2)의 상면을 DIW의 액막에 의해 확실히 덮을 수 있다. 이에 의해, 기판(W1)으로부터 제거된 접착물이 기판(W1) 및 링(W2) 사이의 다이싱 테이프(W3)의 점착면이나 링(W2)의 상면에 부착되는 것이 확실히 억제된다. 따라서, 다이싱 테이프(W3)의 점착면이나 링(W2)의 상면에 부착된 접착물이, 반송 도중이나 다이싱 공정 등의 후공정에서 다이싱 테이프(W3)나 링(W2)으로부터 떨어져 기판(W1)에 부착되어, 기판(W1)이 오염되는 것이 확실히 억제되기 때문에, 기판 품질을 보다 확실히 향상시킬 수 있다.
<다른 실시형태>
전술한 설명에 있어서는, 테이블(20)의 회전수에 따라, 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면, 혹은, 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부를 향해 액 공급부(50)에 의해 액체를 토출하는 것을 예시하였으나, 이것에 한하는 것은 아니며, 예컨대, 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 기판(W1)과 링(W2) 사이를 향해 토출하도록 해도 좋다. 한편, 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면 및 기판(W1)의 외주 단부의 양쪽에 동시에 액체를 공급하는 것도 가능하고, 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부 및 기판(W1)과 링(W2) 사이의 양쪽에, 또한, 테이블(20)에 의해 지지된 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면, 기판(W1)의 외주 단부 및 기판(W1)과 링(W2) 사이의 3개소에 동시에 액체를 공급하는 것도 가능하다.
또한, 전술한 설명에 있어서는, 제1 노즐(51) 및 제2 노즐(52)의 2개의 노즐을 설치하는 것을 예시하였으나, 이것에 한하는 것은 아니며, 예컨대, 제1 노즐(51)만을 설치하고, 그 제1 노즐(51)을 이동 기구에 의해 이동시켜 제2 노즐(52) 대신에 이용하도록 해도 좋다. 즉, 제1 노즐(51)은, 테이블(20)의 회전수가 제1 회전수인 경우, 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면을 향해 액체를 토출하고, 테이블(20)의 회전수가 제2 회전수인 경우, 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부를 향해 액체를 토출한다. 한편, 제1 노즐(51)은, 테이블(20)의 회전수가 제1 회전수로부터 제2 회전수로 변경되기 전에, 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 링(W2)의 상면을 향해 액체를 토출하는 위치로부터, 테이블(20) 상의 처리 대상물(W)의 기판(W1)의 외주 단부를 향해 액체를 토출하는 위치로 이동한다. 또한, 제1 노즐(51) 및 제2 노즐(52) 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 링(W2) 및 기판(W1)의 둘레 방향으로 소정의 간격으로 복수 설치하는 것도 가능하다.
또한, 전술한 설명에 있어서는, 제1 노즐(51)의 경사 각도 및 제2 노즐(52)의 경사 각도는 동일하지만, 이것에 한하는 것은 아니며, 상이해도 좋다. 또한, 제1 노즐(51) 및 제2 노즐(52)은, 전술한 바와 같이 기울어져 있지 않아도 좋고, 연직 방향에 평행해도 좋다. 또한, 제1 노즐(51) 및 제2 노즐(52)의 개개의 경사 각도를 테이블(20)의 회전수에 따라 변경하고 있으나, 테이블(20)의 회전수마다 경사 각도가 상이한 복수의 노즐을 설치해 두고, 이들 노즐을 테이블(20)의 회전수에 따라 선택해서 이용하여, 테이블(20)의 회전수에 따라 노즐의 경사 각도를 변경하도록 해도 좋다.
이상, 본 발명의 몇 가지 실시형태를 설명하였으나, 이들의 실시형태는, 예 로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규의 실시형태는, 그 외의 여러 가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되고, 특허청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.
10: 기판 처리 장치 20: 테이블
30: 회전 기구 40: 처리액 공급부
50: 액 공급부 W: 처리 대상물
W1: 기판 W2: 링
W3: 다이싱 테이프

Claims (8)

  1. 기판과, 상기 기판의 주위를 둘러싸는 링과, 상기 기판의 하면 및 상기 링의 하면에 점착하는 다이싱 테이프를 갖는 처리 대상물을 지지하는 테이블과,
    상기 테이블을 평면 내에서 회전시키는 회전 기구와,
    상기 테이블의 회전수에 따라, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 링의 상면, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판의 외주 단부, 및 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이 중 어느 하나를 향해, 상기 기판을 처리하기 위한 처리액에 혼화되지 않고 상기 처리액보다 비중이 큰 액체를 토출하여, 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이에 상기 액체를 공급하는 액 공급부와,
    상기 액 공급부에 의해 상기 액체가 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이에 공급되어 있는 상태에서, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판의 상면에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 테이블은, 상기 링의 상면의 높이가 상기 기판의 상면의 높이보다 낮아지도록 상기 처리 대상물을 지지하는 것인 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액 공급부는, 상기 테이블의 회전수가 제1 회전수인 경우, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 링의 상면을 향해 상기 액체를 토출하고, 상기 테이블의 회전수가 상기 제1 회전수보다 큰 제2 회전수인 경우, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판의 외주 단부, 또는 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이를 향해 상기 액체를 토출하며,
    상기 제1 회전수는, 상기 액 공급부에 의해 토출되어 상기 처리 대상물의 상기 링의 상면에 도달한 상기 액체가, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 링과 상기 기판 사이에 흐르도록 설정되는 것인 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 액 공급부는, 상기 테이블의 회전수에 따라, 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물에 대해 상기 액체를 토출하는 각도를 변경하는 것인 기판 처리 장치.
  5. 기판과, 상기 기판의 주위를 둘러싸는 링과, 상기 기판의 하면 및 상기 링의 하면에 점착하는 다이싱 테이프를 갖는 처리 대상물을 테이블에 의해 지지하는 공정과,
    상기 테이블을 평면 내에서 회전 기구에 의해 회전시키는 공정과,
    상기 테이블의 회전수에 따라, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 링의 상면, 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판의 외주 단부, 및 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이 중 어느 하나를 향해, 상기 기판을 처리하기 위한 처리액에 혼화되지 않고 상기 처리액보다 비중이 큰 액체를 토출하여, 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이에 상기 액체를 액 공급부에 의해 공급하는 공정과,
    상기 액 공급부에 의해 상기 액체가 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이에 공급되어 있는 상태에서, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판의 상면에 상기 처리액을 처리액 공급부에 의해 공급하는 공정
    을 포함하는 기판 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 테이블은, 상기 링의 상면의 높이가 상기 기판의 상면의 높이보다 낮아지도록 상기 처리 대상물을 지지하는 것인 기판 처리 방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 액 공급부는, 상기 테이블의 회전수가 제1 회전수인 경우, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 링의 상면을 향해 상기 액체를 토출하고, 상기 테이블의 회전수가 상기 제1 회전수보다 큰 제2 회전수인 경우, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판의 외주 단부, 또는 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 기판과 상기 링 사이를 향해 상기 액체를 토출하며,
    상기 제1 회전수는, 상기 액 공급부에 의해 토출되어 상기 처리 대상물의 상기 링의 상면에 도달한 상기 액체가, 상기 회전 기구에 의해 회전하는 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물의 상기 링과 상기 기판 사이에 흐르도록 설정되는 것인 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 액 공급부는, 상기 테이블의 회전수에 따라, 상기 테이블에 의해 지지된 상기 처리 대상물에 대해 상기 액체를 토출하는 각도를 변경하는 것인 기판 처리 방법.
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