KR20200130258A - 발광 소자, 광원 장치 및 프로젝터 - Google Patents

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KR20200130258A
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phosphor
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히로키 모리타
이즈시 코바야시
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소니 주식회사
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Abstract

발광 영역의 퍼짐을 한층 더 억제하고 지향성을 보다 더 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 형광체층(1002)과, 소정의 각도로 입사한 광을 출사하는 출사 각도 선택층(1001)을 적어도 구비하고, 해당 형광체층(1002)이 형광체(500)와 광산란체(600)를 포함하고, 해당 형광체층(1002)과 해당 광 출사 각도 선택층(1001)이 이 순서로 배치되는 발광 소자를 제공한다.

Description

발광 소자, 광원 장치 및 프로젝터
본 기술은 발광 소자, 광원 장치 및 프로젝터에 관한 것이다.
최근, 조명 기구, 디스플레이, 프로젝터 등과 같은 광학 디바이스에서는, 다양한 용도에서 필요한 방향으로 효율적으로 광을 출사하는 것의 요구가 있다.
예를 들면, 금속으로 형성되고, 2차원적으로 주기적인 배열로 형성된 복수의 나노 구조와, 여기광과는 다른 파장의 광을 발하는 파장 변환층을 구비하고, 상기 나노 구조에 있어서, 여기광이 입사하는 입사면에 평행한 소정의 제1 방향의 길이(예를 들면, 장변 길이)와, 상기 입사면에 평행하고 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향의 길이(단변 길이)가 다른 광학 장치가 제안되어 있다(특허문헌 1을 참조).
또한, 예를 들면, 포토루미네선스층(photoluminescent layer)과, 투광층과, 주기 구조를 가지며, 상기 주기 구조는, 복수의 볼록부 및 복수의 오목부 중 적어도 일방을 포함하고, 상기 포토루미네선스층이 발하는 광은, 공기 중의 파장이 λa인 제1 광을 포함하고, 인접하는 볼록부 사이 또는 오목부 사이의 거리를 Dint로 하고, 상기 제1 광에 대한 상기 포토루미네선스층의 굴절율을 nwav -a로 하면, λa/nwav -a<Dint<λa의 관계가 성립하고, 상기 주기 구조를 통해 상기 포토루미네선스층에 수직인 방향으로 출사하는 광의 스펙트럼에 있어서 강도가 피크로 되는 파장 A가, 상기 포토루미네선스층에 포함되는 포토루미네선스 재료의 발광 스펙트럼에 있어서 강도가 피크로 되는 파장 B로부터 어긋나 있는, 발광 소자가 제안되어 있다(특허문헌 2를 참조).
나아가, 예를 들면, 입사광에 의해 형광이 생기는 형광체층과, 상기 형광에 의해 제1 표면 플라즈몬(surface plasmon)을 여기시키는 플라즈몬 여기층이 순서대로 적층되고, 해당 플라즈몬 여기층에 있어서의 상기 형광체층과 접하는 면의 반대측 면에 발생하는 상기 제1 표면 플라즈몬 또는 광을 외부에 출사광으로서 취출하기 위한 출사부를 가지며, 상기 형광체층은, 상기 입사광에 의해 제2 표면 플라즈몬을 여기시키는 금속 미립자를 가지는, 광학 소자가 제안되어 있다(특허문헌 3을 참조).
특허문헌 1: 일본특허공개 제2017-157488호 공보 특허문헌 2: 일본특허공개 제2016-171228호 공보 특허문헌 3: 국제공개 제2012/049905호
그러나, 특허문헌 1~3에서 제안된 기술은, 발광 영역의 퍼짐(spread)을 한층 더 억제하거나 지향성을 보다 더 향상시키는 것이 어려울 수 있다.
이에, 본 기술은, 이러한 상황을 감안하여 이루어진 것이며, 발광 영역의 퍼짐을 한층 더 억제하고 지향성을 보다 더 향상시킬 수 있는 발광 소자, 및 이 발광 소자를 구비하는 광원 장치 및 프로젝터를 제공하는 것을 주 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상술한 목적을 해결하기 위해 주의깊게 연구를 행한 결과, 놀랍게도, 발광 영역의 퍼짐을 한층 더 억제하고 지향성을 보다 더 향상시킬 수 있는 것에 성공하여, 본 기술을 완성하는 것에 이르렀다.
즉, 본 기술에서는, 먼저, 형광체층과, 소정의 각도로 입사한 광을 출사하는 출사 각도 선택층을 적어도 구비하고, 상기 형광체층이 형광체와 광산란체를 포함하고, 상기 형광체층과 상기 출사 각도 선택층이 이 순서로 배치되는 발광 소자를 제공한다.
본 기술에 관련되는 발광 소자는 반사층을 더 구비하고,
본 기술에 관련되는 발광 소자에 있어서, 상기 반사층과, 상기 형광체층과, 상기 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치되어도 된다.
본 기술에 관련되는 발광 소자는 유전체 스페이서를 더 구비하고,
본 기술에 관련되는 발광 소자에 있어서, 상기 유전체 스페이서가, 상기 반사층과 상기 형광체층의 사이에 배치되어도 되고, 나아가, 상기 유전체 스페이서가, 파장 380nm∼780nm의 영역에 있어서, 2.5∼6.0의 유전율을 가지며, 10nm∼400nm의 두께를 가져도 된다.
본 기술에 관련되는 발광 소자에 있어서, 상기 형광체층이 금속 나노 입자를 더 포함하고,
상기 금속 나노 입자가 상기 형광체의 표면에 배치되어도 된다.
본 기술에 관련되는 발광 소자는 반사층을 더 구비하고, 상기 반사층과, 상기 형광체층과, 상기 출사 각도 선택층이 이 순서로 배치되고, 상기 형광체층이 금속 나노 입자를 더 포함하고, 상기 금속 나노 입자가 상기 형광체의 표면에 배치되어도 된다.
본 기술에 관련되는 발광 소자는, 반사층과, 유전체 스페이서를 더 구비하고,
상기 반사층과, 상기 유전체 스페이서와, 상기 형광체층과, 상기 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치되어도 되고,
상기 형광체층이 금속 나노 입자를 더 포함하고, 상기 금속 나노 입자가 상기 형광체의 표면에 배치되어도 되고, 나아가, 상기 유전체 스페이서가, 파장 380nm∼780nm의 영역에 있어서, 2.5∼6.0의 유전율을 가지며, 10nm∼400nm의 두께를 가져도 된다.
본 기술에 관련되는 발광 소자에 있어서, 상기 형광체가 저 재흡수성 형광체여도 된다.
본 기술에 관련되는 발광 소자에 있어서, 상기 출사 각도 선택층이 유전체막으로 구성되어도 된다.
본 기술에 관련되는 발광 소자에 있어서, 상기 출사 각도 선택층이 격자(grating) 구조 또는 패치 구조를 가져도 된다.
본 기술에 관련되는 발광 소자에 있어서, 상기 광산란체가 광산란 리플렉터(light-scattering reflector), 산란 입자 또는 공극이어도 된다.
또한, 본 기술에서는, 본 기술에 관련되는 발광 소자와, 여기광을 출사하는 광원과, 상기 발광 소자로의 상기 여기광의 조사 위치를 시간 경과에 따라 이동시키는 이동 기구를 구비하는 광원 장치를 제공한다.
나아가, 본 기술에서는, 본 기술에 관련되는 광원 장치와, 상기 광원 장치로부터 발해지는 광을 사용하여 화상을 생성하는 화상 생성 유닛과, 상기 화상 생성 유닛에 의해 생성된 화상을 투사하는 투영 유닛을 구비하는 프로젝터를 제공한다.
본 기술에 의하면, 발광 영역의 퍼짐을 한층 더 억제하고 지향성을 보다 더 향상시킬 수 있다. 한편, 여기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것이 아니고, 본 개시 중에 기재된 어떠한 효과여도 된다.
도 1은 본 기술을 적용한 제1 실시형태의 발광 소자의 구성예를 나타내는 단면도이다.
도 2는 형광체의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 관계성의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 3은 형광체의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 관계성의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 기술을 적용한 제2 실시형태의 발광 소자의 구성예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 기술을 적용한 제3 실시형태의 발광 소자의 구성예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 기술을 적용한 제4 실시형태의 발광 소자의 구성예를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 기술을 적용한 제4 실시형태의 발광 소자를 상방에서 본 평면도이다.
도 8은 본 기술을 적용한 제5 실시형태의 발광 소자의 구성예를 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 기술을 적용한 제5 실시형태의 발광 소자를 상방에서 본 평면도이다.
도 10은 본 기술을 적용한 제6 실시형태의 발광 소자의 구성예를 나타내는 단면도이다.
도 11은 발광 스폿 직경의 TiO2 산란 입자의 농도 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 12는 출사광 발산각의 유전막 임계각 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 13은 본 기술을 적용한 제7 실시형태의 광원 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 14는 본 기술을 적용한 제7 실시형태의 광원 장치를 상방에서 본 평면도이다.
도 15는 본 기술을 적용한 제8 실시형태의 프로젝터의 구성예를 나타내는 모식도이다.
이하, 본 기술을 실시하기 위한 바람직한 형태에 대해 설명한다. 이하에 설명하는 실시형태는, 본 기술의 대표적인 실시형태의 일례를 나타낸 것으로, 이에 의해 본 개시의 범위가 좁게 해석되어서는 안된다. 한편, 도면을 이용한 설명에 있어서는, 동일 또는 동등한 요소 또는 부재에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다.
한편, 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 본 기술의 개요
2. 제1 실시형태(발광 소자의 예 1)
3. 제2 실시형태(발광 소자의 예 2)
4. 제3 실시형태(발광 소자의 예 3)
5. 제4 실시형태(발광 소자의 예 4)
6. 제5 실시형태(발광 소자의 예 5)
7. 제6 실시형태(발광 소자의 예 6)
8. 제7 실시형태(광원 장치의 예)
9. 제8 실시형태(프로젝터의 예)
<1. 본 기술의 개요>
먼저, 본 기술의 개요에 대해 설명을 한다.
본 기술은 발광 소자, 광원 장치 및 프로젝터에 관한 것이다.
형광체 광원은, 형광체층 내부의 발광 영역의 퍼짐 및 출사 형광의 발산각(divergence angle)의 퍼짐에 의해, 광원과 그에 결합되는 광학계와의 결합 효율이 저하되는 경우가 있다. 형광체 광원에서는 회절 구조를 사용하여 출사 형광의 발산각을 억제하는 예가 있으나, 출사면에 대해 1개 또는 2개의 수직면 내의 발산각만 제어 가능하다고 하는 제약이 있다. 그러나, 이 예에서는, 발광 영역의 퍼짐 억제 대책은 적용되지 않고 있다. 또한, 금속 나노 입자와 벌크 매질의 표면 플라즈몬 현상에 의해 형광 발광이 증강되는 예가 있다. 그러나, 이 금속 나노 입자와 벌크 매질은 여기광이 다중 반사되는 환경 하에서 사용되지 않기 때문에, 여기 효율이 여전히 낮은 상태이다.
본 기술은, 에텐듀(Etendue)(= 발광 영역의 크기×출사 발산각)를 작게 할 수 있다. 나아가, 본 기술은, 발광량 감소를 최소한으로 할 수 있다.
에텐듀는, 다음의 A 및 B의 기술을 조합시킴으로써 저감할 수 있다.
A. 산란 구조에 의해 형광체층 내에서의 형광 발광 영역의 퍼짐을 억제한다(발광 영역의 퍼짐 억제),
B. 출사각 의존의 출사 각도 선택층(예를 들면, 유전체막)에 의해 출사각이 작은 형광만 출사되도록 하고, 임계각보다 큰 각도로 형광체층측으로부터 출사 각도 선택층(유전체막)으로 입사한 형광은 반사되어, 임계각 미만의 각도로 입사할 때까지 층 내부에서 산란을 반복한다(지향성의 향상),
또한, 형광이 형광체층 내부에서 다중 반사되기 때문에 형광체의 재흡수에 의해, 형광 발광량이 저하되고, 형광체 온도가 상승하는 경우가 있다. 형광 발광량 저하 및 형광체 온도 상승을 개선하기 위해, 다음의 C 기술에 의해 형광 발광 특성 및 온도 특성을 개선할 수 있다.
C. 재흡수율이 낮은 형광체를 사용한다(형광체 재흡수에 의한 발광 감쇠의 개선).
나아가, 본 기술은, 형광체층이 원형 기판 상에 형성되고 회전 구동되어 사용될 때, 여기광으로 조사되는 부분(여기광 조사부)의 온도를 시간적으로 완화시켜 방열 성능을 향상시킬 수 있다.
본 기술은, 에텐듀(= 발광 영역의 크기×출사 발산각)를 작게 하고, 나아가, 발광량 감소를 최소한으로 할 수 있으므로, 프로젝터용 광원, 투과형 공간 변조 패널, 스폿 조명, 자동차용 헤드라이트, 창 등에 바람직하게 적용할 수 있다.
<2. 제1 실시형태(발광 소자의 예 1)>
본 기술에 관련되는 제1 실시형태(발광 소자의 예 1)의 발광 소자는, 형광체층과, 소정의 각도로 입사한 광을 출사하는 출사 각도 선택층을 적어도 구비하고, 형광체층이 형광체와 광산란체를 포함하고, 형광체층과 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치되는 발광 소자이다. 여기서, 소정의 각도로 입사한 광이란, 임계각 이하로 형광체층 측으로부터 형광체층 표면을 경유하여 출사 각도 선택층에 광이 입사한 것을 의미한다. 한편, 임계각 이하로 광이 출사 각도 선택층에 입사하면, 출사 각도 선택층은 광을 출사하고, 임계각보다 큰 각도로 광이 출사 각도 선택층에 입사하면, 임계 각도 이하의 각도로 출사 각도 선택층에 광이 입사될 때까지 형광체층 내부에서 광은 산란을 반복한다.
본 기술에 관련되는 제1 실시형태의 발광 소자는 반사층을 더 구비해도 되고, 이 경우, 본 기술에 관련되는 제1 실시형태의 발광 소자는, 반사층과, 상기 형광체층과, 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치된다.
본 기술에 관련되는 제1 실시형태의 발광 소자에 의하면, 에텐듀가 저감될 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 형광체층에 저 재흡수성 형광체가 사용되는 경우에는, 본 기술에 관련되는 제1 실시형태의 발광 소자는, 발광 감쇠가 더욱 개선될 수 있다.
도 1에, 본 기술에 관련되는 제1 실시형태의 발광 소자의 일례인 발광 소자(1000)(도 1에서는 발광 소자(1000-1)임)를 나타낸다. 도 1은 발광 소자(1000-1)의 단면도이다.
발광 소자(1000-1)는, 형광체층(1002)과, 출사 각도 선택층(1001)과, 반사층(1003)을 구비하고, 반사층(1003)과, 형광체층(1002)과, 출사 각도 선택층(1001)이, 이 순서로 배치되어 있다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 발광 소자(1000-1)는, 입사광(여기광 B1 및 B2) 및 출사광(형광 발광 A1 및 A2) 측의 표면이 출사 각도 선택층(1001)이 된다. 형광체층(1002)에는, 형광체(500)와 광산란체(600)가 포함되어 있다. 출사광(형광 발광 A1 및 A2)의 출사각 C는, 출사 각도 선택층(1001)에 의해, 작게 할 수 있다.
발광 소자(1000-1)에 있어서는, 반사층(1003)(예를 들면, 미러 기판) 상에 임의의 두께가 되도록 형광체층(1002)이 유지되고, 형광체층(1002)의 입사광(여기광 B1 및 B2)및 출사광(형광 발광 A1 및 A2) 측의 표면에 출사 각도 선택층(1001)이 배치된다. 출사 각도 선택층(1001)은, 특별히 한정되지 않지만, 유전체막(예를 들면, 유전체 재료에 의한 박막의 다층막)으로 구성되어도 된다.
형광체(500)는, 예를 들면, 유기 재료, 무기 재료, YAG계, ZnS, ZnSe, CdS 및 CdSe로부터 선택되는 적어도 1종의 재료를 구성 재료로서 포함해도 된다. 형광체(500)는, 저 재흡수성 형광체로 구성되는 것이 바람직하다. 저 재흡수성 형광체로 구성됨으로써, 발광 감쇠가 개선될 수 있다. 형광체(500)의 발광 반치폭은, 특별히 한정되지 않지만 130nm 이하여도 된다. 또한, 형광체(500)는, 예를 들면 형광체 입자이다. 형광체 입자의 경우, 예를 들면, 양자점일 때에는, 평균 입자 직경은, 특별히 한정되지 않지만, 2nm∼10nm인 것이 바람직하고, 또한, Ce:YAG 형광체일 때에는, 평균 입자 직경은, 특별히 한정되지 않지만, 1∼50㎛인 것이 바람직하다. 형광체층(1002) 중의 형광체(500)(예를 들면, 형광체 입자)의 농도도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 양자점일 때에는, 농도는 2∼34Vol%인 것이 바람직하고, 예를 들면, Ce:YAG 형광체일 때에는, 농도는 40∼70Vol%인 것이 바람직하다.
광산란체(600)는 산란 입자여도 되고, 산란 입자는, 실리카계 및 산화물 중 적어도 1종의 재료를 구성 재료로 해도 되고, 형광체층(1002) 중의 광산란체(600)(예를 들면, 산란 입자)의 농도는, 특별히 한정되지 않지만, 0.5 Vol% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 광산란체(600)는 공극이어도 된다. 광산란체(600)에 의해, 형광체층(1002) 내에서의 형광 발광 영역의 퍼짐을 억제할 수 있다.
반사층(1003)은 미러 기판이어도 되고, 유전체 재료 및 금속 재료 중 적어도 1종의 재료를 구성 재료로 해도 되고, 파장 380∼780nm의 영역에 있어서의 반사율이 80% 이상인 것이 바람직하다. 흡수 스펙트럼과 발광 스펙트럼의 중첩률은, 특별히 한정되지 않지만, 중첩률이 작은 것이 바람직하고, 예를 들면, 중첩률이 10% 이하여도 된다.
도 2에, 형광체의 흡수 스펙트럼과 발광 스펙트럼의 관계성을 나타낸다. 도 2의 그래프에 있어서, 종축은, 흡수율(Absorptance)(도 2에서 화살표(P2)로 나타내는 종축) 및 형광 발광 강도(Fluorescence emission intensity)(도 2에서 화살표(Q2)로 나타내는 종축)이며, 횡축은 파장이다. 도 2를 참조하면, 흡수 스펙트럼과 발광 스펙트럼이 겹쳐 있는 파장 영역의 존재를 확인할 수 있고, 발광 파장 영역에서의 흡수율이 높은 것을 알 수 있다.
도 3에, 저 재흡수성 형광체의 흡수 스펙트럼과 발광 스펙트럼의 관계성을 나타낸다. 도 3의 그래프에 있어서, 종축은 흡수율(도 3에서 화살표(P3)로 나타내는 종축) 및 형광 발광 강도(도 3에서 화살표(Q3)로 나타내는 종축)이며, 횡축은 파장이다. 도 3을 참조하면, 흡수 스펙트럼과 발광 스펙트럼이 겹쳐 있는 파장 영역의 존재는, 거의 없는 것을 확인할 수 있고, 발광 파장 영역에 있어서의 흡수율이 낮은 것을 알 수 있다.
도 11에, Mie 산란을 일으키는 입자 직경 1.0㎛의 산란 입자(TiO2)의 체적 농도에 대한, 형광 발광 스폿 직경의 광학 시뮬레이션 1의 결과 그래프를 나타낸다. 한편, 상기 광학 시뮬레이션 1에서는, 입자 직경 1.0㎛의 산란 입자를 사용했지만, Mie 산란을 일으키는 스케일이라면, 산란 입자의 입자 직경은 특별히 한정되지 않는다. 도 11의 그래프에 있어서, 종축은 발광 스폿의 직경(mm)(Diameter of fluorescence area)이며, 횡축은 TiO2 농도(vol%)(TiO2 농도)이다.
이하에, 광학 시뮬레이션 1의 내용에 대해 상세하게 설명한다.
(목적)
발광 영역의 크기에 대한 형광체층 내부에 포함되는 TiO2 입자 농도의 영향도를 확인하였다.
(계산 방법)
형광체 내부의 TiO2 입자의 농도를 변화시키고, 형광체층 표면의 발광 원형 영역의 직경을 계산하였다.
(결과)
TiO2 입자 농도가 높은 쪽이 발광 사이즈는 작아지는 것을 확인하였다. 즉, 농도 0.5 Vol% 이상으로 되면 발광 스폿 사이즈는 작아지고, 스폿의 직경은 φ 1.32mm로 된다. 산란 입자 비첨가 상태와 비교하여 10%의 발광 스폿 사이즈 축소가 가능해지는 것을 확인할 수 있었다.
나아가, 도 12에, 형광 출사광의 유전체막(출사 각도 선택층)의 임계각 의존성의 광학 시뮬레이션 2의 결과를 나타낸다. 광학 시뮬레이션 2에서는 TiO2 산란 입자의 직경 1.0㎛, 체적 농도를 0.5 Vol%로 설정하여 계산하였다. 종축은 출사광 발산각(Beam divergence angle)(도)이며, 횡축은 임계각(Angle which can emission)(도)이다.
이하에, 광학 시뮬레이션 2의 내용에 대해 상세하게 설명한다.
(목적)
발광 발산각에 대한 유전체 다층막(출사 각도 선택층)의 출사 임계각의 영향도를 확인하였다.
(계산 방법)
형광체층 측으로부터 유전체 다층막에 입사하는 각도를 θ로 한다. θ보다 작은 각도로 형광체층 측으로부터 유전체막에 입사한 경우에만 유전막을 투과하여 형광 출사된다는 제약을 설정하였다. θ를 20도, 30도, 40도로 변화시켰을 때의 발산각을 계산하였다.
(결과)
θ가 20도일 때가 가장 형광 발산각이 작아지는 것을 확인하였다. 유전체 다층막의 임계각을 40도에서 20도까지 작게 함으로써 출사광 발산각은 74도에서 12도까지 작게 하는 것이 가능해졌다. 한편, 광학 시뮬레이션 2의 결과에 의거하면, 20도보다 작은 영역 쪽이 보다 지향성이 증가한다고 생각된다.
<3. 제2 실시형태(발광 소자의 예 2)>
본 기술에 관련되는 제2 실시형태(발광 소자의 예 2)의 발광 소자는, 형광체층과, 소정의 각도로 입사한 광을 출사하는 출사 각도 선택층과, 반사층과, 유전체 스페이서를 적어도 구비하고, 형광체층이 형광체와 광산란체를 포함하고, 반사층과, 유전체 스페이서와, 형광체층과, 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치되는 발광 소자이다.
본 기술에 관련되는 제2 실시형태의 발광 소자에 있어서, 유전체 스페이서는, 임의의 파장 범위에 있어서, 임의의 유전율 및 두께를 가져도 되지만, 파장 380nm∼780nm의 영역에 있어서, 2.5∼6.0의 유전율을 가지며, 10nm∼400nm의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
본 기술에 관련되는 제2 실시형태의 발광 소자에 의하면, 에텐듀가 저감될 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 형광체층에 저 재흡수성 형광체가 사용되는 경우에는, 본 기술에 관련되는 제2 실시형태의 발광 소자는, 발광 감쇠가 더욱 개선될 수 있다.
도 4에, 본 기술에 관련되는 제2 실시형태의 발광 소자의 일례인 발광 소자(1000)(도 4에서는, 발광 소자(1000-4)임)를 나타낸다. 도 4는 발광 소자(1000-4)의 단면도이다.
발광 소자(1000-4)는, 형광체층(1002)과, 출사 각도 선택층(1001)과, 유전체 스페이서(1004)와 반사층(1003)을 구비하고, 반사층(1003)과, 유전체 스페이서(1004)와, 형광체층(1002)과, 출사 각도 선택층(1001)이, 이 순서로 배치되어 있다. 발광 소자(1000-4)는, 입사광(도 4에서는 도시하지 않지만, 여기광임) 및 출사광(도 4에서는 도시하지 않지만, 형광 발광임) 측의 표면이 출사 각도 선택층(1001)이 된다. 형광체층(1002)에는, 형광체(500)와 광산란체(600)가 포함되어 있다.
발광 소자(1000-4)는, 상술한 바와 같이, 형광체층(1002)과 반사층(미러 기판)(1003)의 사이에 유전체 스페이서(1004)가 배치된 구조이다. 이 경우, 미러 기판(1003)은 금속 미러를 사용하고, 여기광 또는 형광에 의해 금속 표면에 표면 플라즈몬이 여기된다. 여기된 표면 플라즈몬은 강한 전계(electric field)를 발생시켜 형광체(500)를 여기시키고, 형광 발광량을 증강시킬 수 있다. 예를 들면, 투명 산화물의 굴절율 관점에서는, 유전 스페이서(1004)는 파장 380nm∼780nm의 영역에 있어서 유전율이 2.5∼6.0의 재료여도 된다. 유전 스페이서(1004)의 두께는, 예를 들면 유전체 스페이서의 유전율과 공기 매질에서의 표면 플라즈몬이 만들어 내는 전계 침입 깊이(electric field penetration depth)의 관점에서는, 10nm∼400nm의 범위여도 된다. 상기한 바와 같이 지정된 유전율 및 두께로 하면, 표면 플라즈몬에 의한 형광체의 여기 효율이 보다 양호하게 된다.
본 기술에 관련되는 제2 실시형태의 발광 소자에 관하여, 이상 설명한 내용 이외에는, 본 기술에 관련되는 제1 실시형태의 발광 소자의 란에서 설명한 내용이 본 기술에 관련되는 제2 실시형태의 발광 소자에 그대로 적용될 수 있다.
<4. 제3 실시형태(발광 소자의 예 3)>
본 기술에 관련되는 제3 실시형태(발광 소자의 예 3)의 발광 소자는, 형광체층과, 소정의 각도로 입사한 광을 출사하는 출사 각도 선택층을 적어도 구비하고, 형광체층이 형광체와 광산란체와 금속 나노 입자를 포함하고, 금속 나노 입자가 형광체의 표면에 배치되고, 형광체층과 광 출사 각도 선택층이 이 순서로 배치되는 발광 소자이다.
본 기술에 관련되는 제3 실시형태의 발광 소자는 반사층을 더 구비해도 되고, 이 경우, 본 기술에 관련되는 제3 실시형태의 발광 소자는, 반사층과, 형광체층과, 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치된다. 또한, 본 기술에 관련되는 제3 실시형태의 발광 소자는, 반사층과, 유전체 스페이서를, 더 구비해도 되고, 이 경우, 반사층과, 유전체 스페이서와, 형광체층과, 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치된다.
본 기술에 관련되는 제3 실시형태의 발광 소자가 유전체 스페이서를 구비할 때, 유전체 스페이서는, 임의의 파장 범위에 있어서, 임의의 유전율 및 두께를 가져도 되지만, 파장 380nm∼780nm의 영역에 있어서, 2.5∼6.0의 유전율을 가지며, 10nm∼400nm의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
본 기술에 관련되는 제3 실시형태의 발광 소자에 의하면, 에텐듀가 저감될 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 형광체층에 저 재흡수성 형광체가 사용되는 경우에는, 본 기술에 관련되는 제3 실시형태의 발광 소자는, 발광 감쇠가 더욱 개선될 수 있다.
도 5에, 본 기술에 관련되는 제3 실시형태의 발광 소자의 일례인 발광 소자(1000)(도 5에서는, 발광 소자(1000-5)임)를 나타낸다. 도 5는 발광 소자(1000-5)의 단면도이다.
발광 소자(1000-5)는 형광체층(1002)과, 출사 각도 선택층(1001)과, 반사층(1003)을 구비하고, 반사층(1003)과, 형광체층(1002)과, 출사 각도 선택층(1001)이, 이 순서로 배치되어 있다. 발광 소자(1000-5)는, 입사광(도 5에서는 도시하지 않지만, 여기광임) 및 출사광(도 5에서는 도시하지 않지만, 형광 발광임) 측의 표면이 출사 각도 선택층(1001)이 된다. 형광체층(1002)에는, 형광체(500)와 광산란체(600)가 포함되어 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 형광체(500)의 표면에는 금속 나노 입자(700)가 배치되어 있다.
발광 소자(1000-5)는, 상술한 바와 같이, 형광체(500)의 표면에 금속 나노 입자(700)를 배치한 구조이다. 금속 나노 입자(700)의 표면에 여기광 또는 형광에 의해 표면 플라즈몬이 여기되어, 전계가 국지적(localized)이 된다. 여기광뿐 아니라, 국지화된 강한 전계에 의해서도 형광체를 여기시킬 수 있고, 형광 발광량을 증강시킬 수 있다. 유전체막(출사 각도 선택층(1001))과 미러(반사층(1003))의 사이에서 광의 다중 반사가 있기 때문에 효율적으로 플라즈몬을 여기시킬 수 있다. 금속 나노 입자는, 임의의 평균 입자 직경을 가져도 되지만, 200nm 이하의 평균 입자 직경을 가지는 것이 바람직하고, Au, Ag 및 Ti 중 적어도 1종의 금속을 구성 재료로 해도 된다. 금속 나노 입자(700)와 형광체(500) 사이의 거리는, 특별히 한정되지 않지만 20nm 이하인 것이 바람직하다.
본 기술에 관련되는 제3 실시형태의 발광 소자에 관하여, 이상 설명한 내용 이외에는, 본 기술에 관련되는 제1 실시형태의 발광 소자의 란에서 설명한 내용이 본 기술에 관련되는 제3 실시형태의 발광 소자에 그대로 적용될 수 있다.
<5. 제4 실시형태(발광 소자의 예 4)>
본 기술에 관련되는 제4 실시형태(발광 소자의 예 4)의 발광 소자는, 형광체층과, 소정의 각도로 입사한 광을 출사하는 출사 각도 선택층을 적어도 구비하고, 형광체층이 형광체와 광산란체를 포함하고, 형광체층과 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치되고, 출사 각도 선택층이 격자 구조를 가지는 발광 소자이다.
본 기술에 관련되는 제4 실시형태의 발광 소자는 반사층을 더 구비해도 되고, 이 경우, 본 기술에 관련되는 제4 실시형태의 발광 소자는, 반사층과, 형광체층과, 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치된다. 또한, 본 기술에 관련되는 제4 실시형태의 발광 소자는, 반사층과, 유전체 스페이서를, 더 구비해도 되고, 이 경우, 반사층과, 유전체 스페이서와, 형광체층과, 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치된다.
본 기술에 관련되는 제4 실시형태의 발광 소자가 유전체 스페이서를 구비할 때, 유전체 스페이서는, 임의의 파장 범위에 있어서, 임의의 유전율 및 두께를 가져도 되지만, 파장 380nm∼780nm의 영역에 있어서, 2.5∼6.0의 유전율을 가지며, 10nm∼400nm의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
본 기술에 관련되는 제4 실시형태의 발광 소자에 의하면, 에텐듀가 저감될 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 형광체층에 저 재흡수성 형광체가 사용되는 경우에는, 본 기술에 관련되는 제4 실시형태의 발광 소자는, 발광 감쇠가 더욱 개선될 수 있다.
도 6에, 본 기술에 관련되는 제4 실시형태의 발광 소자의 일례인 발광 소자(1000)(도 6에서는, 발광 소자(1000-6)임)를 나타낸다. 도 6은 발광 소자(1000-6)의 단면도이다. 또한, 도 7은 발광 소자(1000-6)를 상방에서 본 평면도이다.
발광 소자(1000-6)는, 형광체층(1002)과, 출사 각도 선택층(1006)과, 반사층(1003)을 구비하고, 반사층(1003)과, 형광체층(1002)과, 출사 각도 선택층(1006)이, 이 순서로 배치되어 있다. 발광 소자(1000-6)는, 입사광(도 6에서는 도시하지 않지만, 여기광임) 및 출사광(도 6에서는 도시하지 않지만, 형광 발광임) 측의 표면이 출사 각도 선택층(1006)이 된다. 형광체층(1002)에는, 형광체(500)와 광산란체(600)가 포함되어 있다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 출사 각도 선택층(1006)은 격자 구조를 가진다.
도 7을 참조하면서, 격자 구조를 더욱 상세하게 설명한다. 도 7을 참조하면, 출사 각도 선택층(1006)은, 발광 소자(1000-6)의 종방향(도 7 중에서는 상하 방향)으로 선 형상으로 연장하고, 발광 소자(1000-6)의 횡방향(도 7 중에서는 좌우 방향)으로는, 출사 각도 선택층(1006)과 형광체층(1002)에 의해, 대략 일정 간격의 피치가 형성되어 있다.
형광체층(1002)의 표면에 격자 구조를 가지는 출사 각도 선택층(1006)이 배치된다. 격자의 재료 및 피치 간격에 의해 회절 파장과 회절 방향을 제어하여, 지향성을 향상시킬 수 있다. 격자(회절 격자)를 갖는 출사 각도 선택층(1006)의 구성 재료로서는, 특별히 한정되지 않지만, 파장 380∼780nm의 영역에 있어서 투과율이 80% 이상인 재료인 것이 바람직하다.
본 기술에 관련되는 제4 실시형태의 발광 소자에 관하여, 이상 설명한 내용 이외에는, 본 기술에 관련되는 제1 실시형태의 발광 소자의 란에서 설명한 내용이 본 기술에 관련되는 제4 실시형태의 발광 소자에 그대로 적용될 수 있다.
<6. 제5 실시형태(발광 소자의 예 5)>
본 기술에 관련되는 제5 실시형태(발광 소자의 예 5)의 발광 소자는, 형광체층과, 소정의 각도로 입사한 광을 출사하는 출사 각도 선택층을 적어도 구비하고, 형광체층이 형광체와 광산란체를 포함하고, 형광체층과 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치되고, 출사 각도 선택층이 패치 구조를 가지는 발광 소자이다.
본 기술에 관련되는 제5 실시형태의 발광 소자는 반사층을 더 구비해도 되고, 이 경우, 본 기술에 관련되는 제5 실시형태의 발광 소자는, 반사층과, 형광체층과, 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치된다. 또한, 본 기술에 관련되는 제5 실시형태의 발광 소자는, 반사층과, 유전체 스페이서를, 더 구비해도 되고, 이 경우, 반사층과, 유전체 스페이서와, 형광체층과, 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치된다.
본 기술에 관련되는 제5 실시형태의 발광 소자가 유전체 스페이서를 구비할 때, 유전체 스페이서는, 임의의 파장 범위에 있어서, 임의의 유전율 및 두께를 가져도 되지만, 파장 380nm∼780nm의 영역에 있어서, 2.5∼6.0의 유전율을 가지며, 10nm∼400nm의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
본 기술에 관련되는 제5 실시형태의 발광 소자에 의하면, 에텐듀가 저감될 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 형광체층에 저 재흡수성 형광체가 사용되는 경우에는, 본 기술에 관련되는 제5 실시형태의 발광 소자는, 발광 감쇠가 더욱 개선될 수 있다.
도 8에, 본 기술에 관련되는 제5 실시형태의 발광 소자의 일례인 발광 소자(1000)(도 8에서는, 발광 소자(1000-8)임)를 나타낸다. 도 8은 발광 소자(1000-8)의 단면도이다. 또한, 도 8은 발광 소자(1000-8)를 상방에서 본 평면도이다.
발광 소자(1000-8)는, 형광체층(1002)과, 출사 각도 선택층(1007)과, 반사층(1003)을 구비하고, 반사층(1003)과, 형광체층(1002)과, 출사 각도 선택층(1007)이, 이 순서로 배치되어 있다. 발광 소자(1000-8)는, 입사광(도 8에서는 도시하지 않지만, 여기광임) 및 출사광(도 8에서는 도시하지 않지만, 형광 발광임) 측의 표면이 출사 각도 선택층(1007)이 된다. 형광체층(1002)에는, 형광체(500)와 광산란체(600)가 포함되어 있다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 출사 각도 선택층(1007)은 패치 구조를 갖는다.
도 9를 참조하면서, 패치 구조를 더욱 상세하게 설명한다. 도 9를 참조하면, 출사 각도 선택층(1007)은, 형광체층(1002)의 표면에, 종횡방향(도 9 중에서는 상하 방향 및 좌우 방향)에 있어서, 대략 일정 간격으로 대략 원형상의 패치로 형성되어 있다. 대략 원형상의 패치는 모스 아이 구조(moth-eye structure)를 가져도 된다.
발광 소자(1000-8)가 구비하는 출사 각도 선택층(1007)이, 패치 구조(예를 들면, 원형 패치 구조)를 가짐으로써, 형광체층에 대해 전체 방향의 수직면 내에 대하여 지향성을 향상시킬 수 있다.
본 기술에 관련되는 제5 실시형태의 발광 소자에 관하여, 이상 설명한 내용 이외에는, 본 기술에 관련되는 제1 실시형태의 발광 소자의 란에서 설명한 내용이 본 기술에 관련되는 제5 실시형태의 발광 소자에 그대로 적용될 수 있다.
<7. 제6 실시형태(발광 소자의 예 6)>
본 기술에 관련되는 제6 실시형태(발광 소자의 예 6)의 발광 소자는, 형광체층과, 소정의 각도로 입사한 광을 출사하는 출사 각도 선택층을 적어도 구비하고, 형광체층이 형광체와 광산란체를 포함하고, 형광체층과 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치되고, 광산란체가 광산란 리플렉터인 발광 소자이다.
본 기술에 관련되는 제6 실시형태의 발광 소자는 반사층을 더 구비해도 되고, 이 경우, 본 기술에 관련되는 제6 실시형태의 발광 소자는, 반사층과, 형광체층과, 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치된다. 또한, 본 기술에 관련되는 제6 실시형태의 발광 소자는, 반사층과, 유전체 스페이서를, 더 구비해도 되고, 이 경우, 반사층과, 유전체 스페이서와, 형광체층과, 광 출사 각도 선택층이, 이 순서로 배치된다.
본 기술에 관련되는 제6 실시형태의 발광 소자가 유전체 스페이서를 구비할 때, 유전체 스페이서는, 임의의 파장 범위에 있어서, 임의의 유전율 및 두께를 가져도 되지만, 파장 380nm∼780nm의 영역에 있어서, 2.5∼6.0의 유전율을 가지며, 10nm∼400nm의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
본 기술에 관련되는 제6 실시형태의 발광 소자에 의하면, 에텐듀가 저감될 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 형광체층에 저 재흡수성 형광체가 사용되는 경우에는, 본 기술에 관련되는 제6 실시형태의 발광 소자는, 발광 감쇠가 더욱 개선될 수 있다.
도 10에, 본 기술에 관련되는 제6 실시형태의 발광 소자의 일례인 발광 소자(1000)(도 10에서는, 발광 소자(1000-10)임)를 나타낸다. 도 10은 발광 소자(1000-10)의 단면도이다.
발광 소자(1000-10)는, 형광체층(1002)과, 출사 각도 선택층(1001)을 구비하고, 형광체층(1002)과, 출사 각도 선택층(1001)이, 이 순서로 배치되어 있다. 발광 소자(1000-10)는, 입사광(도 10에서는 도시하지 않지만, 여기광임) 및 출사광(도 10에서는 도시하지 않지만, 형광 발광임) 측의 표면이 출사 각도 선택층(1001)이 된다. 형광체층(1002)에는, 형광체(500)와, 광산란체인 광산란 리플렉터(1005)가 포함되어 있다. 도 10에서는, 광산란 리플렉터(1005)는, 형광체층(1002)의 일방의 측면부(예를 들면, 도 10에서는, 형광체층(1002)의 좌측면부)로부터, 형광체층(1002)의 저면부(도 10에서는, 형광체층(1002)의 하부)를 거쳐, 형광체층(1002)의 타방의 측면부(예를 들면, 도 10에서는, 형광체층(1002)의 우측면부)까지 배치되어 있다.
발광 소자(1000-10)에 있어서는, 산란 구조로서 광산란성이 높은 리플렉터를 적용한 구조(광산란 리플렉터(1005))를 사용한다. 형광체층(1002)의 저면부의 광산란 리플렉터(1005)의 리플렉터 구조는 미세 구조가 주기적 또는 비주기적으로 가공되어 형성되어 있다. 광산란 리플렉터(1005)는, 형광체층(1002)의 내측벽면에 있어서는 경사 구조를 가지고 있고, 형광 발광 영역이 퍼지기 어려운 효과를 얻을 수 있다. 광산란 리플렉터(1005)의 구성 재료는, 특별히 한정되지 않지만, 파장 380∼780nm의 영역에 있어서 반사율이 80% 이상인 고체 재료인 것이 바람직하다.
본 기술에 관련되는 제6 실시형태의 발광 소자에 관하여, 이상 설명한 내용 이외에는, 본 기술에 관련되는 제1 실시형태의 발광 소자의 란에서 설명한 내용이 본 기술에 관련되는 제6 실시형태의 발광 소자에 그대로 적용될 수 있다.
<8. 제7 실시형태(광원 장치의 예)>
본 기술에 관련되는 제7 실시형태(광원 장치의 예)의 광원 장치는, 본 기술에 관련되는 제1∼제6 실시형태 중 적어도 1개의 실시형태의 발광 소자와, 여기광을 출사하는 광원과, 상기 발광 소자로의 상기 여기광의 조사 위치를 시간 경과에 따라 이동시키는 이동 기구를 구비하는 광원 장치이다.
도 13은 본 기술에 관련되는 제7 실시형태의 광원 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다. 이 광원 장치(100)는, 청색 파장 영역의 레이저광, 및 그 레이저광에 의해 여기되는 형광 물질로부터 생기는 적색 파장 영역 내지 녹색 파장 영역의 광을 합성하여 백색광을 출사하는 타입의, 프로젝터용의 광원 장치이다.
도 13의 A에 나타내는 바와 같이, 광원 장치(100)는, 저부에 설치된 베이스(1)와, 베이스(1)에 고정되는 측벽부(2)를 갖는다. 또한, 광원 장치(100)는, 측벽부(2)에 접속되는 전면부(3) 및 상면부(4)와, 상면부(4)에 접속되는 덮개부(5)를 갖는다. 이들 측벽부(2), 전면부(3), 상면부(4) 및 덮개부(5)에 의해, 광원 장치(100)의 하우징부(10)가 구성된다.
베이스(1)는 일방향으로 긴 형상을 갖는다. 베이스(1)가 연장하는 긴 길이 방향이 광원 장치(100)의 좌우 방향으로 되고, 긴 길이 방향에 직교하는 짧은 길이 방향이 전후 방향이 된다. 따라서, 짧은 길이 방향으로 대향하는 2개의 긴 길이 방향 부분의 일방이 전방측(6)이 되고, 타방이 후방측(7)이 된다. 또한, 긴 길이 방향 및 짧은 길이 방향의 양쪽에 직교하는 방향이, 광원 장치(100)의 높이 방향이 된다. 도 13에 나타내는 예에서는, x축, y축 및 z축 방향이 각각 좌우 방향, 전후 방향 및 높이 방향이 된다.
도 13의 B는, 전면부(3), 상면부(4) 및 덮개부(5)의 도시를 생략한 도면이며, 광원 장치(100)의 내부의 구성예를 나타내는 도면이다. 도 13의 B에 나타내는 바와 같이, 측벽부(2)에는, 전방측(6)의 중앙에 노치(notch)(9)가 형성되고, 또한, 후방측(7)에는 개구(11)가 형성되어 있다. 측벽부(2)의 전방측(6)의 노치(9)에는, 형광 광학 유닛(50)이 배치된다. 형광 광학 유닛(50)은, 광의 출사측이 전방측을 향하도록, 노치(9)를 통해 베이스(1)에 고정된다. 따라서, 형광 광학 유닛(50)으로부터 출사되는 광의 광축(C)은, 평면에서 볼 때 베이스(1)의 대략 중앙을 통해, y축에 평행한 방향을 따라 연장한다(도 14 참조). 한편, 형광 광학 유닛(50)에는, 본 기술에 관련되는 제1∼제6 실시형태 중, 적어도 1개의 실시형태의 발광 소자가 포함되어 있다.
형광 광학 유닛(50)의 후방측(7)에는 2개의 집광 유닛(30)이 배치된다. 집광 유닛(30)은, 광축(C)을 대칭으로 하여 배치된다. 각 집광 유닛(30)은, 제1 파장 영역의 여기광을 출사하는 광원으로서, 예를 들면, 레이저광을 출사하는 레이저 광원(31)을 갖는다. 레이저 광원(31)은, 예를 들면, 복수개 설치되어 있다.
도 14는 도 13의 B에 나타내는 광원 장치(100)를 상방에서 본 평면도이다.
집광 유닛(30)은, 복수의 레이저 광원(31)을 포함하는 광원 유닛(32)과, 복수의 레이저 광원(31)으로부터 출사된 각 레이저광(B1)을 소정의 집광 에어리어(또는 집광 포인트)(8)에 집광하는 집광 광학계(34)를 구비한다. 또한, 집광 유닛(30)은, 광원 유닛(32) 및 집광 광학계(34)를 1개의 유닛으로서 지지하는 메인 프레임(33)(도 13의 B 참조)을 구비한다.
도 13의 B에 나타내는 바와 같이, 측벽부(2)의 후방측(7)의 개구(11)에, 2개의 광원 유닛(32)이 긴 길이 방향에 늘어서도록 배치된다. 각 집광 유닛(30)은, 복수의 레이저 광원(31)으로부터의 레이저광을 형광 광학 유닛(50)에 집광한다.
복수의 레이저 광원(31)은, 예를 들면, 제1 파장 영역으로서 400nm 이상 500nm 이하의 파장 영역 내에 발광 강도의 피크 파장을 갖는 청색 레이저광(B1)을 발진 가능한 청색 레이저 광원이다. 레이저 광원(31)으로서는, 레이저광을 발하는 광원이 아니고, LED 등의 다른 고체 광원이 사용되어도 된다.
도 13의 A에 나타내는 바와 같이, 상면부(4)는, 2개의 집광 유닛(30)의 상방에 배치된다. 상면부(4)는, 측벽부(2) 및 2개의 집광 유닛(30)에 접속된다. 전면부(3)는, 형광 광학 유닛(50), 상면부(4) 및 베이스(1)에 접속된다. 덮개부(5)는, 2개의 집광 유닛(30) 사이의 영역을 덮도록 배치되고, 상면부(4)와 접속된다.
부재끼리를 고정 및 접속하는 방법은 한정되지 않는다. 예를 들면, 소정의 계합부를 통해 부재끼리가 계합되고, 나사조임 등에 의해 부재끼리가 고정 및 접속된다.
도 14에 나타내는 바와 같이, 상기 집광 광학계(34)는, 비구면 미러(35)와, 평면 미러(36)를 갖는다. 비구면 미러(35)는, 복수의 레이저 광원(31)으로부터의 출사광을 반사시키고, 평면 미러(36)에 집광한다. 비구면 미러(35)에 의해 반사된 출사광이 상술한 바와 같이 소정의 집광 에어리어(8)에 집광하도록, 평면 미러(36)는, 그 반사된 출사광을 반사한다. 후술하는 바와 같이 형광 광학 유닛(50)에 포함되는 형광체 유닛의 형광체층(53)에 집광 에어리어(8)가 배치된다.
한편, 상기한 메인 프레임(33)은, 광원 유닛(32), 비구면 미러(35) 및 평면 미러(36)를 1개의 유닛으로서 지지한다.
형광 광학 유닛(50)은, 형광체 유닛 및 형광 광 콜리메이터 렌즈를 구비해도 된다.
형광체 유닛은, 예를 들면 원반 형상의 회전판인 투명 기판과, 이 투명 기판을 회전시키는 구동부로서의 모터와, 예를 들면, 투명 기판의 일면측에 설치된, 본 기술에 관련되는 제1∼제6 실시형태 중 적어도 1개의 실시형태의 발광 소자를 포함해도 된다. 투명 기판은, 상기 발광 소자를 지지하는 지지체로서 기능해도 된다. 모터 및 투명 기판은, 상기 발광 소자를 시간 경과에 따라 이동시키는 이동 기구로서 기능한다. 이동 기구에 의해, 상기 발광 소자에 대한, 여기광의 조사 위치가 시간 경과에 따라 이동하므로, 여기광의 조사 위치에는, 여기되지 않은 형광체 원자가 차례로 배치되게 되고, 상기 발광 소자는, 효율적으로 발광할 수 있다.
<9. 제8 실시형태(프로젝터의 예)>
본 기술에 관련되는 제8 실시형태(프로젝터의 예)의 프로젝터는, 본 기술에 관련되는 제7 실시형태의 광원 장치와, 상기 광원 장치로부터 발해지는 광을 사용하여 화상을 생성하는 화상 생성 유닛과, 상기 화상 생성 유닛에 의해 생성된 화상을 투사하는 투영 유닛을 구비하는 프로젝터이다.
도 15는 본 기술에 관련되는 제8 실시형태의 프로젝터의 구성예를 나타내는 모식도이다.
프로젝터(400)는, 광원 장치(100)와, 광원 장치(100)로부터 발해지는 광을 사용하여 화상을 생성하는 화상 생성 유닛(200)과, 화상 생성 유닛(200)에 의해 생성된 화상 광을 투사하는 투영 유닛(300)을 구비한다.
화상 생성 유닛(200)은 인테그레이터 소자(integrator element)(210), 편광 변환 소자(215), 집광 렌즈(216), 다이크로익 미러(dichroic mirror)(220 및 222), 미러(226, 227 및 228), 릴레이 렌즈(250 및 260)를 갖는다. 또한, 화상 생성 유닛(200)은, 필드 렌즈(field lens)(230)(230R, 230G 및 230B), 액정 라이트 밸브(liquid crystal light valve)(240R, 240G 및 240B), 다이크로익 프리즘(270)을 갖는다.
인테그레이터 소자(210)는, 전체로서, 광원 장치(100)로부터 액정 라이트 밸브(240R, 240G 및 240B)에 조사되는 입사광을, 균일한 휘도 분포로 정돈하는 기능을 갖는다. 예를 들면, 인테그레이터 소자(210)는, 2차원으로 배열된 도시하지 않는 복수의 마이크로렌즈를 갖는 제1 플라이아이 렌즈(fly-eye lens)(211), 및 그 각 마이크로렌즈에 1개씩 대응하도록 배열된 복수의 마이크로렌즈를 갖는 제2 플라이아이 렌즈(212)를 포함하고 있다.
광원 장치(100)로부터 인테그레이터 소자(210)에 입사하는 평행광은, 제1 플라이아이 렌즈(211)의 마이크로렌즈에 의해 복수의 광속으로 분할되어, 제2 플라이아이 렌즈(212)에 있어서의 대응하는 마이크로렌즈에 각각 결상된다. 제2 플라이아이 렌즈(212)의 마이크로렌즈 각각이, 이차 광원으로서 기능하고, 복수의 평행광을 편광 변환 소자(215)에 입사광으로서 조사한다.
편광 변환 소자(215)는, 인테그레이터 소자(210) 등을 통해 입사하는 입사광의, 편광 상태를 가지런히 하는 기능을 가진다. 이 편광 변환 소자(215)는, 예를 들면 광원 장치(100)의 출사측에 배치된 집광 렌즈(216) 등을 통해, 청색광(B3), 녹색광(G3) 및 적색광(R3)을 포함하는 출사광을 출사한다.
다이크로익 미러(220 및 222)는, 소정의 파장 영역의 색광을 선택적으로 반사하고, 그 이외의 파장 영역의 광을 투과시키는 성질을 가진다. 예를 들면, 다이크로익 미러(220)가, 적색광(R3)을 선택적으로 반사한다. 다이크로익 미러(222)는, 다이크로익 미러(220)를 투과한 녹색광(G3) 및 청색광(B3) 중 녹색광(G3)을 선택적으로 반사한다. 남는 청색광(B3)이, 다이크로익 미러(222)를 투과한다. 이에 의해, 광원 장치(100)로부터 출사된 광이, 다른 색의 복수의 색광으로 분리된다.
분리된 적색광(R3)은 미러(226)에 의해 반사되고, 필드 렌즈(230R)를 통과함으로써 평행화된 후, 적색광의 변조용 액정 라이트 밸브(240R)에 입사한다. 녹색광(G3)은, 필드 렌즈(230G)를 통과함으로써 평행화된 후, 녹색광의 변조용 액정 라이트 밸브(240G)에 입사한다. 청색광(B3)은, 릴레이 렌즈(250)를 통해 미러(227)에 의해 반사되고, 나아가 릴레이 렌즈(260)를 통해 미러(228)에 의해 반사된다. 미러(228)에 의해 반사된 청색광(B3)은, 필드 렌즈(230B)를 통과함으로써 평행화된 후, 청색광의 변조용 액정 라이트 밸브(240B)에 입사한다.
액정 라이트 밸브(240R, 240G 및 240B)는, 화상 정보를 포함한 화상 신호를 공급하는 도시하지 않는 신호원(예를 들면, PC 등)과 전기적으로 접속되어 있다. 액정 라이트 밸브(240R, 240G 및 240B)는, 공급되는 각 색의 화상 신호에 기초하여 입사광을 화소마다 변조하고, 각각 적색 화상, 녹색 화상 및 청색 화상을 생성한다. 변조된 각 색의 광(형성된 화상)은, 다이크로익 프리즘(270)에 입사하여 합성된다. 다이크로익 프리즘(270)은, 3개의 방향으로부터 입사한 각 색의 광을 서로 겹치게 하여 합성하고, 투영 유닛(300)을 향해 출사한다.
투영 유닛(300)은 복수의 310 등을 가지며, 다이크로익 프리즘(270)에 의해 합성된 광을 도시하지 않는 스크린에 조사한다. 이에 의해, 풀 컬러의 화상이 표시된다.
광원 장치(100)의 형상 등을 적절히 설정함으로써, 프로젝터(400)의 외형의 디자인성의 향상 등을 도모하는 것이 가능해진다.
한편, 본 기술에 관련되는 실시형태는, 상술한 각 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 본 기술의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
또한, 본 명세서에 기재된 효과는 어디까지나 예시이며 한정되는 것이 아니고, 또한 다른 효과가 있어도 된다.
또한, 본 기술은, 이하와 같은 구성을 취할 수도 있다.
[1]
형광체층과, 소정의 각도로 입사한 광을 출사하는 출사 각도 선택층을 적어도 구비하고,
상기 형광체층이 형광체와 광산란체를 포함하고,
상기 형광체층과 상기 출사 각도 선택층이 이 순서로 배치되는, 발광 소자.
[2]
반사층을 더 구비하고,
상기 반사층과, 상기 형광체층과, 상기 출사 각도 선택층이 이 순서로 배치되는, [1]에 기재된 발광 소자.
[3]
유전체 스페이서를 더 구비하고,
상기 유전체 스페이서가, 상기 반사층과 상기 형광체층의 사이에 배치되는, [2]에 기재된 발광 소자.
[4]
상기 유전체 스페이서가, 파장 380nm∼780nm의 영역에 있어서, 2.5∼6.0의 유전율을 가지며, 10nm∼400nm의 두께를 가지는, [3]에 기재된 발광 소자.
[5]
상기 형광체층이 금속 나노 입자를 더 포함하고,
상기 금속 나노 입자가 상기 형광체의 표면에 배치되는, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
[6]
반사층을 더 구비하고,
상기 반사층과, 상기 형광체층과, 상기 출사 각도 선택층이 이 순서로 배치되는, [5]에 기재된 발광 소자.
[7]
유전체 스페이서를 더 구비하고,
상기 유전체 스페이서가, 상기 반사층과 상기 형광체층의 사이에 배치되는, [6]에 기재된 발광 소자.
[8]
상기 유전체 스페이서가, 파장 380nm∼780nm의 영역에 있어서, 2.5∼6.0의 유전율을 가지며, 10nm∼400nm의 두께를 가지는, [7]에 기재된 발광 소자.
[9]
상기 형광체가 저 재흡수성 형광체인, [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
[10]
상기 출사 각도 선택층이 유전체막으로 구성되는, [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
[11]
상기 출사 각도 선택층이 격자 구조를 가지는, [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
[12]
상기 출사 각도 선택층이 패치 구조를 가지는, [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
[13]
상기 광산란체가 광산란 리플렉터인, [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
[14]
상기 광산란체가 산란 입자인, [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
[15]
상기 광산란체가 공극인, [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
[16]
[1] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자와, 여기광을 출사하는 광원과, 상기 발광 소자로의 상기 여기광의 조사 위치를 시간 경과에 따라 이동시키는 이동 기구를 구비하는 광원 장치.
[17]
[16]에 기재된 광원 장치와,
상기 광원 장치로부터 발해지는 광을 사용하여 화상을 생성하는 화상 생성 유닛과,
상기 화상 생성 유닛에 의해 생성된 화상을 투사하는 투영 유닛을 구비하는, 프로젝터.
1000 (1000-1 ∼ 1000-10) : 발광 소자
1001, 1006, 1007: 출사 각도 선택층
1002: 형광체층
1003: 반사층
1004: 유전체 스페이서
1005: 광산란 리플렉터(광산란체)
500: 형광체
600: 광산란체
700: 금속 나노 입자

Claims (17)

  1. 형광체층과, 미리 정해진 각도로 입사한 광을 출사하는 출사 각도 선택층을 적어도 구비하고,
    상기 형광체층이 형광체와 광산란체를 포함하고,
    상기 형광체층과 상기 출사 각도 선택층이 이 순서로 배치되는, 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    반사층을 더 구비하고,
    상기 반사층과, 상기 형광체층과, 상기 출사 각도 선택층이 이 순서로 배치되는, 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    유전체 스페이서를 더 구비하고,
    상기 유전체 스페이서가, 상기 반사층과 상기 형광체층의 사이에 배치되는, 발광 소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 유전체 스페이서가, 파장 380nm∼780nm의 영역에 있어서, 2.5∼6.0의 유전율을 가지며, 10nm∼400nm의 두께를 가지는, 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 형광체층이 금속 나노 입자를 더 포함하고,
    상기 금속 나노 입자가 상기 형광체의 표면에 배치되는, 발광 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    반사층을 더 구비하고,
    상기 반사층과, 상기 형광체층과, 상기 출사 각도 선택층이 이 순서로 배치되는, 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    유전체 스페이서를 더 구비하고,
    상기 유전체 스페이서가, 상기 반사층과 상기 형광체층의 사이에 배치되는, 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 유전체 스페이서가, 파장 380nm∼780nm의 영역에 있어서, 2.5∼6.0의 유전율을 가지며, 10nm∼400nm의 두께를 가지는, 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 형광체가 저 재흡수성 형광체인, 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 출사 각도 선택층이 유전체막으로 구성되는, 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 출사 각도 선택층이 격자 구조를 가지는, 발광 소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 출사 각도 선택층이 패치 구조를 가지는, 발광 소자.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 광산란체가 광산란 리플렉터(light-scattering reflector)인, 발광 소자.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 광산란체가 산란 입자인, 발광 소자.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 광산란체가 공극인, 발광 소자.
  16. 제1항에 기재된 발광 소자와, 여기광을 출사하는 광원과, 상기 발광 소자로의 상기 여기광의 조사 위치를 시간 경과에 따라 이동시키는 이동 기구를 구비하는, 광원 장치.
  17. 제16항에 기재된 광원 장치와,
    상기 광원 장치로부터 발해지는 광을 사용하여 화상을 생성하는 화상 생성 유닛과,
    상기 화상 생성 유닛에 의해 생성된 화상을 투사하는 투영 유닛을 구비하는, 프로젝터.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11474422B2 (en) * 2018-07-27 2022-10-18 Materion Corporation Reflective color correction for phosphor illumination systems
US20220136679A1 (en) * 2019-02-06 2022-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Wavelength conversion element, light source device, vehicle headlight, transmissive lighting device, display device, and lighting device
JP7484130B2 (ja) * 2019-11-01 2024-05-16 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、光源装置およびプロジェクター

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012049905A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Sharp Corp バイアス回路、ｌｎａ、およびｌｎｂ
JP2016171228A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子、発光装置および検知装置
JP2017157488A (ja) 2016-03-03 2017-09-07 コニカミノルタ株式会社 光学装置、光源装置及び投影装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5469278A (en) * 1992-09-25 1995-11-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal panel and viewfinder for video camera and projection display using liquid crystal panel
US6515314B1 (en) * 2000-11-16 2003-02-04 General Electric Company Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material
JP4231418B2 (ja) * 2004-01-07 2009-02-25 株式会社小糸製作所 発光モジュール及び車両用灯具
GB0413121D0 (en) * 2004-06-11 2004-07-14 Pelikon Ltd Improved displays
CN101539270B (zh) * 2008-03-17 2011-06-08 绎立锐光科技开发(深圳)有限公司 具有发射角度选择特性的光波长转换方法
JP2010205650A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
CN103154804B (zh) * 2010-10-15 2015-12-02 日本电气株式会社 光学装置、光源以及投影型显示装置
JP2012098438A (ja) * 2010-11-01 2012-05-24 Seiko Epson Corp 波長変換素子、光源装置及びプロジェクター
JP5961343B2 (ja) * 2011-03-22 2016-08-02 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクター
WO2012137583A1 (ja) * 2011-04-07 2012-10-11 日本電気株式会社 光学素子、カラーホイール、照明装置および投射型表示装置
JP2012247625A (ja) * 2011-05-27 2012-12-13 Minebea Co Ltd カラーホイール
JP2012255060A (ja) * 2011-06-08 2012-12-27 Panasonic Corp 蛍光体材料およびそれを用いたプラズマディスプレイパネル
WO2013103039A1 (ja) * 2012-01-07 2013-07-11 日本電気株式会社 光学素子、光学装置、画像表示装置および励起光の吸収率向上方法
JPWO2014020954A1 (ja) * 2012-07-31 2016-07-21 日本電気株式会社 光学素子、照明装置、画像表示装置、光学素子の作動方法
JP6163754B2 (ja) * 2012-12-28 2017-07-19 日亜化学工業株式会社 発光装置に用いるバンドパスフィルタおよびこれを用いた発光装置
JP6107190B2 (ja) * 2013-02-08 2017-04-05 ウシオ電機株式会社 蛍光光源装置
JP5683625B2 (ja) * 2013-03-15 2015-03-11 スタンレー電気株式会社 発光装置、それを用いた車両用灯具、およびヘッドランプ
JP2016018010A (ja) * 2014-07-04 2016-02-01 セイコーエプソン株式会社 波長変換装置、照明装置およびプロジェクター
GB2529395A (en) 2014-08-15 2016-02-24 Aubin Ltd Composition
WO2016039322A1 (ja) 2014-09-09 2016-03-17 ウシオ電機株式会社 蛍光光源装置
JP5900563B1 (ja) * 2014-09-09 2016-04-06 ウシオ電機株式会社 蛍光光源装置
JP2016061852A (ja) * 2014-09-16 2016-04-25 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、光源装置、およびプロジェクター
JP2016114728A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 コニカミノルタ株式会社 波長変換部材及び画像形成装置
WO2016121721A1 (ja) * 2015-01-28 2016-08-04 コニカミノルタ株式会社 波長変換部材及び画像形成装置
CN106896632A (zh) * 2015-12-03 2017-06-27 精工爱普生株式会社 荧光体、波长转换元件、光源装置和投影仪
JPWO2017169628A1 (ja) * 2016-03-30 2019-02-28 ソニー株式会社 発光素子および光源装置ならびに投射型表示装置
EP3279952A1 (en) * 2016-08-05 2018-02-07 Maven Optronics Co., Ltd. Moisture-resistant chip scale packaging light-emitting device
JP2018025711A (ja) * 2016-08-12 2018-02-15 セイコーエプソン株式会社 蛍光発光素子、光源装置およびプロジェクター
JP2019049619A (ja) * 2017-09-08 2019-03-28 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、光源装置およびプロジェクター
US11233189B2 (en) * 2018-12-11 2022-01-25 Facebook Technologies, Llc Nanovoided tunable birefringence

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012049905A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Sharp Corp バイアス回路、ｌｎａ、およびｌｎｂ
JP2016171228A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子、発光装置および検知装置
JP2017157488A (ja) 2016-03-03 2017-09-07 コニカミノルタ株式会社 光学装置、光源装置及び投影装置

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