KR20200128030A - 신규 화합물, 당해 화합물을 포함하여 이루어지는 광 중합 개시제 및 당해 광 중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 장파장의 활성 에너지선을 흡수하여 고효율로 라디칼과 높은 강도의 염기를 발생하고, 또한 염기 발생 반응이 연쇄적으로 일어나 반응 효율이 우수한 신규 화합물, 당해 화합물을 포함하는 광 중합 개시제 및 당해 광 중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 신규 화합물은, 하기식 (1):
Figure pct00024

(식 (1) 중, R1, R2, R3, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수산기, 알콕시기 또는 상기의 치환기 이외의 유기기 등을 나타낸다. R4는 각각 독립적으로 티오에테르 결합을 포함하는 유기기 등을 나타낸다. A는 하기식 (1-1) 또는 (1-2):
Figure pct00025

(식 (1-1) 중, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 복소환기 등을 나타낸다. 식 (1-2) 중, R9 및 R10은 각각 독립적으로 아미노기 또는 치환 아미노기를 나타낸다.)로 나타나는 치환기를 나타낸다.)로 나타나는 화합물이다.

Description

신규 화합물, 당해 화합물을 포함하여 이루어지는 광 중합 개시제 및 당해 광 중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물
본 발명은, 신규 화합물, 당해 화합물을 포함하여 이루어지고 활성 에너지선의 조사에 의해 염기와 라디칼을 발생하는 광 중합 개시제 및, 당해 광 중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
빛, 적외선, 전자선 또는 X선 등의 활성 에너지선의 조사에 의해 강산을 발생하는 광 산 발생제나, 당해 광 산 발생제를 수지 성분에 배합한 화학 증폭형 레지스트가 종래부터 알려져 있고, 여러가지 용도에 이용되고 있다.
이와 같은 화학 증폭형 레지스트에서는, 활성 에너지선의 조사에 의해 발생하는 강산이 촉매로서 수지 성분에 작용하고, 현상액에 대한 수지의 용해성을 변화시킴으로써 패턴 형성이 행해진다. 지금까지 고감도화나 고해상도화를 목적으로 하여 여러가지 레지스트 재료의 개발이 행해져 왔지만, 광 산 발생제와 수지와의 조합은 한정되어 있어, 새로운 화학 증폭형 레지스트의 개발이 요구되고 있다.
활성 에너지선의 조사에 의한 모노머나 프리폴리머의 광 경화 기술은, 라디칼계, 양이온계 및 음이온계의 3종류로 대별되지만, 이들 중에서 가장 널리 개발의 대상으로 되어 있는 것이 광 라디칼 개시제에 광 조사를 하여 비닐 모노머를 중합시키는 기술이다. 또한, 빛의 작용으로 산을 발생시키고, 이 산을 촉매로 하여 양이온 중합시키는 기술의 연구도 이루어지고 있다.
그러나, 라디칼 중합계의 경우에는, 공기 중의 산소에 의해 중합 반응이 저해되기 때문에, 산소를 차단하기 위한 특별한 궁리가 필요하다. 또한, 양이온 중합계의 경우에는, 산소에 의한 저해가 없는 점에서는 유리하기는 하지만, 경화 후도 잔존하는 광 산 발생제로부터 발생한 강산에 의한 부식성이나 수지의 변성의 우려가 지적되고 있다. 이 때문에, 강산과 같은 부식성 물질을 포함하지 않고, 공기 중의 산소에 의한 저해를 받는 일 없이, 고효율로 신속하게 반응이 진행되는 감광성 수지 조성물의 개발이 강하게 요망되고 있다.
상기의 문제를 극복하는 수단의 하나로서, 염기 촉매에 의한 중합 반응이나 화학 반응을 이용하는 방법, 예를 들면, 빛의 작용에 의해 발생하는 염기를 촉매로 하여 수지를 화학 변성시키는 방법을 이용한 감광성 수지 조성물의 포토레지스트나 광 경화 재료 등으로의 응용이 검토되고 있다. 보다 구체적으로는, 에폭시기를 갖는 수지(화합물)가 염기의 작용에 의해 가교 반응을 일으켜 경화하는 것을 이용하여, 빛이나 열의 작용에 의해 개시제 혹은 촉매로서 작용하는 아민류를 에폭시 수지층 내에서 발생시키고, 이어서 가열 처리에 의해 경화시키는 방법이 제안되어 있다.
예를 들면 특허문헌 1 내지 4에는, 유기 강염기를 발생하는 광 염기 발생제에 대해서 기재되어 있다. 그러나, 특허문헌 1 내지 4의 광 염기 발생제는 분자가 이온성이기 때문에, 산업계에서 범용으로 사용되는 유기 용제에 대한 용해성이 낮고, 수지와 혼합했을 때의 보존 안정성도 낮기 때문에 개선이 요구되고 있었다.
특허문헌 5에는, α-아미노케톤 화합물을 잠재성 염기 촉매로서 이용한 감광성 수지 조성물에 대해서 기재되어 있다.
그러나 동(同)문헌에 기재된 α-아미노케톤 화합물은 활성 에너지선 조사에 의해 발생하는 염기의 양이 적어, 충분히 염기 촉매 반응을 진행시킬 수 없기 때문에, 실용적이지 않다.
특허문헌 6에는, 장파장 영역의 활성 에너지선을 흡수하여, 고효율로 염기와 라디칼을 발생하는 광 염기 발생제가 개시되어 있다.
그러나, 동문헌의 광 염기 발생제는 발생하는 염기가 지방족 1급 아민이고, 효율적으로 염기 촉매 반응을 진행시키려면 염기 강도가 충분하지 않다.
비특허문헌 1에는, 활성 에너지선의 조사에 의해 효율적으로 지방족 2급 아민을 발생하는 광 염기 발생제에 대해서 기재되어 있지만, 동문헌의 광 염기 발생제는 흡수 파장이 짧아, 장파장 영역의 빛을 흡수할 수 없기 때문에 감도가 낮고, 실용적이지 않다.
일본공개특허공보 2005-264156호 일본공개특허공보 2007-101685호 일본특허 제5725515호 일본특허 제5561693호 일본특허 제3250072호 일본공개특허공보 2017-105749호
Chem.Lett., 2014, 43, 612-614 아리미츠 코지 등 고분자 논문집 Vol. 71, No.2(2014), p53-58(Feb., 25, 2014)
본 발명은, 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 예를 들면, 실록산계 화합물 등의 가교 반응에 이용한 경우에, 장파장의 활성 에너지선을 흡수하여 고효율로 라디칼과 높은 강도의 염기를 발생하고, 그 후의 염기 촉매 반응 효율이 우수한 신규 화합물, 당해 화합물을 포함하는 광 중합 개시제 및 당해 광 중합 개시제를 함유하는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 특정 구조의 화합물을 광 중합 개시제로서 이용함으로써 상기의 과제가 해결되는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 연구는,
(1) 하기식 (1)
Figure pct00001
(식 (1) 중, R1은 수산기, 알콕시기 또는 상기의 치환기 이외의 유기기를 나타낸다. R2, R3, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기, 메르캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니오기 또는 상기의 치환기 이외의 유기기를 나타내고, 복수 존재하는 각각의 R2, R3, R5 및 R6은 서로 동일해도 상이해도 좋다. 또한, 동일한 벤젠환상에 존재하는 R2와 R3이 결합하여 환 구조를 형성해도 좋고, 동일한 벤젠환상에 존재하는 R5와 R6이 결합하여 환 구조를 형성해도 좋다. R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 티오에테르 결합을 포함하는 유기기를 나타내지만, R4의 적어도 한쪽은 티오에테르 결합을 포함하는 유기기이다. 또한, R4가 나타내는 티오에테르 결합을 포함하는 유기기와 R3 또는 R5가 결합하여 환 구조를 형성해도 좋다. A는 하기식 (1-1) 또는 (1-2)
Figure pct00002
(식 (1-1) 중, R7 및 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 혹은 복소환기를 나타내거나, 또는 R7과 R8이 결합하여 복소환을 형성해도 좋다. 식 (1-2) 중, R9 및 R10은 각각 독립적으로 아미노기 또는 치환 아미노기를 나타낸다.)
로 나타나는 치환기를 나타낸다.)
로 나타나는 화합물,
(2) R4의 한쪽이, 티오에테르 결합을 포함하는 알킬기 또는 티오에테르 결합을 포함하는 아릴기이고, 다른 한쪽이 수소 원자, 티오에테르 결합을 포함하는 알킬기 또는 티오에테르 결합을 포함하는 아릴기인 전항 (1)에 기재된 화합물,
(3) R1이 수산기인 전항 (1) 또는 (2)에 기재된 화합물,
(4) 전항 (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 광 중합 개시제,
(5) 전항 (4)에 기재된 광 중합 개시제 및, 광 중합 개시제의 존재하에 있어서 광 조사에 의해 혹은 광 조사와 가열에 의해 중합할 수 있는 고분자 전구체를 함유하는 감광성 수지 조성물,
(6) 상기 고분자 전구체가, 에폭시기, 이소시아네이트기, 옥세탄기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 말레이미드기 및 티이란기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 치환기를 갖는 화합물; 폴리실록산 전구체; 폴리이미드 전구체 및 폴리벤조옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 전항 (5)에 기재된 감광성 수지 조성물,
(7) 상기 고분자 전구체가, 에폭시기를 갖는 화합물을 포함하는 전항 (6)에 기재된 감광성 수지 조성물,
(8) 상기 고분자 전구체가, 아크릴로일기를 갖는 화합물과 폴리실록산계 전구체를 포함하는, 전항 (6)에 기재된 감광성 수지 조성물 및,
(9) 전항 (5) 내지 (8) 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물의 경화물
에 관한 것이다.
본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물은, 활성 에너지선의 조사에 의해 염기와 라디칼을 발생할 수 있다. 또한 발생하는 염기는 염기 강도가 높은 아민 또는 염기 촉매로서 기능하는 아민이고, 개열(開裂)의 양자 수율도 높기 때문에, 당해 화합물은 종래의 광 염기 발생제와 비교하여 우수한 감도를 갖는 광 중합 개시제로서 이용할 수 있는 것이다. 또한 당해 화합물을 함유하는 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 활성 에너지선이 조사되었을 때에 금속을 부식시키는 산이 발생하지 않기 때문에, 금속으로 이루어지는 재료 등에도 적합하게 이용할 수 있다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하에, 본 발명을 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명에 있어서의 활성 에너지선이란, 파장을 특정한 경우를 제외하고, 가시광 뿐만 아니라, 전자선과 같은 입자선 및, 전자파와 입자선을 총칭하는 방사선 또는 전리 방사선 등도 포함하는 것으로 한다. 본 명세서에서는, 활성 에너지선의 조사를 노광이라고도 한다. 또한, 파장 365㎚, 405㎚, 436㎚의 활성 에너지선을 각각, i선, h선, g선이라고도 표기하는 경우가 있다.
본 발명의 화합물은 하기식 (1)로 나타난다.
Figure pct00003
식 (1) 중, R1은 수산기, 알콕시기 또는 상기의 치환기 이외의 유기기를 나타낸다.
식 (1)의 R1이 나타내는 알콕시기로서는 탄소수 1 내지 18의 알콕시기인 것이 바람직하고, 그의 구체예로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, iso-부톡시기, sec-부톡시기, t-부톡시기, n-펜톡시기, iso-펜톡시기, neo-펜톡시기, n-헥실옥시기 및 n-도데실옥시기 등을 들 수 있다.
식 (1)의 R1이 나타내는 유기기의 구체예로서는, 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 2 내지 18의 알케닐기, 탄소수 2 내지 18의 알키닐기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 1 내지 18의 아실기, 탄소수 7 내지 18의 아로일기, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1 내지 18의 알킬티오기 및 할로겐 원자 등을 들 수 있다.
식 (1)의 R1이 나타내는 유기기의 구체예로서의 탄소수 1 내지 18의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, iso-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기 및 n-도데실기 등의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기, 그리고 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기 및 사이클로헥실기 등의 환상의 알킬기를 들 수 있고, 탄소수 2 내지 6의 알킬기인 것이 바람직하고, 탄소수 2 내지 6의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.
식 (1)의 R1이 나타내는 유기기의 구체예로서의 탄소수 2 내지 18의 알케닐기로서는, 비닐기, 프로페닐기, 1-부테닐기, iso-부테닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 2-메틸-1-부테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 2-메틸-2-부테닐기, 2,2-디시아노비닐기, 2-시아노-2-메틸카복실비닐기 및 2-시아노-2-메틸술폰비닐기 등을 들 수 있다.
식 (1)의 R1이 나타내는 유기기의 구체예로서의 탄소수 2 내지 18의 알키닐기로서는, 에티닐기, 1-프로피닐기 및 1-부티닐기 등을 들 수 있다.
식 (1)의 R1이 나타내는 유기기의 구체예로서의 탄소수 6 내지 12의 아릴기로서는, 페닐기, 나프틸기 및 톨릴기 등을 들 수 있고, 탄소수 6 내지 10의 아릴기인 것이 바람직하다.
식 (1)의 R1이 나타내는 유기기의 구체예로서의 탄소수 1 내지 18의 아실기로서는, 포르밀기, 아세틸기, 에틸카보닐기, n-프로필카보닐기, iso-프로필카보닐기, n-부틸카보닐기, n-펜틸카보닐기, iso-펜틸카보닐기, neo-펜틸카보닐기, 2-메틸부틸카보닐기 및 니트로벤질카보닐기 등을 들 수 있다.
식 (1)의 R1이 나타내는 유기기의 구체예로서의 탄소수 7 내지 18의 아로일기로서는, 벤조일기, 톨루오일기, 나프토일기 및 프탈로일기 등을 들 수 있다.
식 (1)의 R1이 나타내는 유기기의 구체예로서의 탄소수 1 내지 18의 알킬티오기로서는 메틸티오기, 에틸티오기, n-프로필티오기, iso-프로필티오기, n-부틸티오기, iso-부틸티오기, sec-부틸티오기, t-부틸티오기, n-펜틸티오기, iso-펜틸티오기, 2-메틸부틸티오기, 1-메틸부틸티오기, neo-펜틸티오기, 1,2-디메틸프로필티오기 및 1,1-디메틸프로필티오기 등을 들 수 있다.
식 (1)의 R1이 나타내는 유기기의 구체예로서의 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자를 들 수 있다.
식 (1)에 있어서의 R1로서는, 수산기 또는 알콕시기인 것이 바람직하고, 수산기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기인 것이 보다 바람직하고, 수산기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기인 것이 더욱 바람직하고, 수산기인 것이 특히 바람직하다.
식 (1) 중, R2, R3, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기, 메르캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니오기 또는 상기의 치환기 이외의 유기기를 나타내고, 복수 존재하는 각각의 R2, R3, R5 및 R6은 서로 동일해도 상이해도 좋다. 또한, 동일한 벤젠환상에 존재하는 R2와 R3이 결합하여 환 구조를 형성해도 좋고, 동일한 벤젠환상에 존재하는 R5와 R6이 결합하여 환 구조를 형성해도 좋고, 당해 환 구조는 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 좋다.
식 (1)의 R2, R3, R5 및 R6이 나타내는 할로겐으로서는, 식 (1)의 R1이 나타내는 유기기의 구체예로서의 할로겐 원자와 동일한 것을 들 수 있다.
식 (1)의 R2, R3, R5 및 R6이 나타내는 알콕시기로서는, 식 (1)의 R1이 나타내는 알콕시기와 동일한 것을 들 수 있다.
식 (1)의 R2, R3, R5 및 R6이 나타내는 유기기의 구체예로서는, 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 할로겐화 알킬기, 이소시아노기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 티오시아네이트기, 이소티오시아네이트기, 알콕시카보닐기, 카바모일기, 티오카바모일기, 카복실기, 카복실레이트기, 아실기, 아실옥시기, 하이드록시이미노기 등을 들 수 있다.
식 (1)의 R2, R3, R5 및 R6이 나타내는 유기기의 구체예로서의 알킬기, 아릴기 및 아실기로서는, 식 (1)의 R1이 나타내는 유기기의 구체예로서의 알킬기, 아릴기 및 아실기와 동일한 것을 들 수 있다.
이들 유기기는, 당해 유기기 중에 탄화수소 이외의 헤테로 원자 등의 결합을 포함하고 있어도 좋고, 또한, 당해 유기기는 탄화수소기 이외의 치환기를 갖고 있어도 좋고, 이들은 직쇄상이라도 분기상이라도 상관없다. R2, R3, R5 및 R6에 있어서의 유기기는, 통상, 1가의 유기기이지만, 후술하는 환상 구조를 형성하는 경우 등에는, 2가 이상의 유기기가 될 수 있다.
상기 R2, R3, R5 및 R6이 나타내는 유기기 중에 포함하고 있어도 좋은 탄화수소 이외의 결합은, 본 발명의 효과를 해치지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카보닐 결합, 티오카보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 카보네이트 결합, 술포닐 결합, 술피닐 결합, 아조 결합 등을 들 수 있다. 내열성의 점에서, 유기기 중의 탄화수소 이외의 결합으로서는, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카보닐 결합, 티오카보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합(-N=C(-R)-, -C(=NR)-: 여기에서 R은 수소 원자 또는 유기기를 나타냄), 카보네이트 결합, 술포닐 결합, 술피닐 결합이 바람직하다.
상기 R2, R3, R5 및 R6이 나타내는 유기기가 갖고 있어도 좋은 탄화수소기 이외의 치환기는, 본 발명의 효과를 해치지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술피드기, 시아노기, 이소시아노기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 티오시아네이트기, 이소티오시아네이트기, 실릴기, 실라놀기, 알콕시기, 알콕시카보닐기, 카바모일기, 티오카바모일기, 니트로기, 니트로소기, 카복실기, 카복실레이트기, 아실기, 아실옥시기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 하이드록시이미노기, 포화 또는 불포화 알킬에테르기, 포화 또는 불포화 알킬티오에테르기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아미노기(-NH2, -NHR, -NRR': 여기에서, R 및 R'는 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타냄) 및, 암모니오기 등을 들 수 있다. 상기 치환기에 포함되는 수소는, 탄화수소기에 의해 치환되어 있어도 좋다. 또한, 상기 치환기에 포함되는 탄화수소기는, 직쇄상, 분기쇄상 및, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 중에서도, R2, R3, R5 및 R6의 유기기 중의 탄화수소기 이외의 치환기로서는, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술피드기, 시아노기, 이소시아노기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 티오시아네이트기, 이소티오시아네이트기, 실릴기, 실라놀기, 알콕시기, 알콕시카보닐기, 카바모일기, 티오카바모일기, 니트로기, 니트로소기, 카복실기, 카복실레이트기, 아실기, 아실옥시기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 하이드록시이미노기, 포화 또는 불포화 알킬에테르기, 포화 또는 불포화 알킬티오에테르기, 아릴에테르기 및, 아릴티오에테르기가 바람직하다.
동일한 벤젠환상에 존재하는 R2와 R3이 결합하여 형성하는 환상 구조 및, 동일한 벤젠환상에 존재하는 R5와 R6이 결합하여 형성하는 환상 구조는, 포화 또는 불포화의 지환식 탄화수소, 복소환 및, 축합환, 그리고 당해 지환식 탄화수소, 복소환 및, 축합환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2종 이상이 조합되어 이루어지는 구조라도 좋다. 예를 들면, R2와 R3이 결합하여, 및/또는 R5와 R6이 결합하여, R2, R3, R5 및 R6이 결합하고 있는 벤젠환의 원자를 공유하여 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 인덴 등의 축합환을 형성하고 있어도 좋다.
R2, R3, R5 및 R6이 나타내는 유기기의 바람직한 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등의 탄소수 4 내지 23의 사이클로알킬기; 사이클로펜테닐기, 사이클로헥세닐기 등의 탄소수 4 내지 23의 사이클로알케닐기; 페녹시메틸기, 2-페녹시에틸기, 4-페녹시부틸기 등의 탄소수 7 내지 26의 아릴옥시알킬기(-ROAr기); 벤질기, 3-페닐프로필기 등의 탄소수 7 내지 20의 아르알킬기; 시아노메틸기, β-시아노에틸기 등의 시아노기를 갖는 탄소수 2 내지 21의 알킬기; 하이드록시메틸기 등의 수산기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기 등의 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 아세트아미드기, 벤젠술폰아미드기(C6H5SO2NH-) 등의 탄소수 2 내지 21의 아미드기, 메틸티오기, 에틸티오기 등의 탄소수 1 내지 20의 알킬티오기(-SR기), 아세틸기, 벤조일기 등의 탄소수 1 내지 20의 아실기, 메톡시카보닐기, 아세톡시기 등의 탄소수 2 내지 21의 에스테르기(-COOR기 및 -OCOR기), 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 톨릴기 등의 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 벤질기, 시아노기 및, 메틸티오기(-SCH3)인 것이 바람직하다. 또한, 상기의 알킬 부분은 직쇄라도 분기상이라도 환상이라도 좋다.
또한, R2, R3, R5 및 R6의 적어도 1개가 수산기인 화합물의 경우, R2, R3, R5 및 R6에 수산기를 포함하지 않는 화합물과 비교하여, 염기성 수용액 등에 대한 용해성이 향상함과 함께, 식 (1)로 나타나는 화합물의 흡수 파장의 장파장화가 가능하다.
식 (1)에 있어서의 R2, R3, R5 및 R6으로서는, 모두가 수소 원자인 것이 바람직하다.
식 (1) 중, R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 티오에테르 결합을 포함하는 유기기를 나타내지만, R4의 적어도 한쪽은 티오에테르 결합을 포함하는 유기기이다. 또한, R4가 나타내는 티오에테르 결합을 포함하는 유기기와 R3 또는 R5가 결합하여 환 구조를 형성해도 좋다.
여기에서 말하는 유기기로서는, 상기한 식 (1)의 R2, R3, R5 및 R6이 나타내는 유기기와 동일한 것을 들 수 있지만, 알킬기 또는 아릴기가 바람직하다. 즉, 식 (1)의 R4로서는, 알킬티오기 또는 아릴티오기가 바람직하고, 탄소수 1 내지 20의 알킬티오기가 보다 바람직하다. 여기에서, 티오에테르 결합을 포함하는 유기기는, 티오에테르 결합을 포함하는 알킬기(아릴기)를 예로 들어 설명하면, 「-S-Alkyl기(Aryl기)」의 태양을 포함하는 것이고, 이 경우, 티오에테르 결합의 황 원자가, 식 (1)의 화학식을 구성하는 골격의 벤젠환에 직접 결합하게 된다.
R4가 나타내는 티오에테르 결합을 포함하는 유기기와 R3 또는 R5가 결합하여 형성하는 환상 구조는, 포화 또는 불포화의 지환식 탄화수소, 복소환 및, 축합환, 그리고 당해 지환식 탄화수소, 복소환 및, 축합환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2종 이상이 조합되어 이루어지는 구조라도 좋다.
식 (1) 중, A는 하기식 (1-1) 또는 (1-2)로 나타나는 치환기를 나타낸다.
Figure pct00004
식 (1-1) 중, R7 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 혹은 복소환기를 나타내거나, 또는 R7과 R8이 결합하여 복소환을 형성해도 좋다.
식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 알킬기의 구체예로서는, 식 (1)의 R1이 나타내는 유기기의 구체예로서의 탄소수 1 내지 18의 알킬기나, 후술하는 식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기로서의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.
식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기로서는, 복소환 화합물의 복소환으로부터 수소 원자를 1개 제거한 잔기이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 푸라닐기, 티에닐기, 티에노티에닐기, 피롤일기, 이미다졸릴기, N-메틸이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 피리딜기, 피라질기, 피리미딜기, 퀴놀릴기, 인돌일기, 벤조피라질기, 벤조피리미딜기, 벤조티에닐기, 나프토티에닐기, 벤조푸라닐기, 벤조티아졸릴기, 피리디노티아졸릴기, 벤조이미다졸릴기, 피리디노이미다졸릴기, N-메틸벤조이미다졸릴기, 피리디노-N-메틸이미다졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 피리디노옥사졸릴기, 벤조티아디아졸릴기, 피리디노티아디아졸릴기, 벤조옥사디아졸릴기, 피리디노옥사디아졸릴기, 카르바졸릴기, 페녹사디닐기 및 페노티아디닐기 등을 들 수 있고, 피리딜기, 이미다졸릴기, N-메틸이미다졸릴기가 바람직하고, 피리딜기가 보다 바람직하다.
식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.
식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기에 제한은 없지만, 예를 들면 알킬기, 알콕시기, 방향족기, 복소환기, 할로겐 원자, 하이드록실기, 메르캅토기, 니트로기, 알킬 치환 아미노기, 아릴 치환 아미노기, 비치환 아미노기(NH2기), 시아노기, 이소시아노기 등을 들 수 있고, 알킬기, 방향족기, 복소환기, 할로겐 원자가 보다 바람직하고, 방향족기, 복소환기가 더욱 바람직하다.
식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기로서의 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, iso-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, iso-펜틸기, t-펜틸기, sec-펜틸기, n-헥실기, iso-헥실기, n-헵틸기, sec-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, sec-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기 및 n-에이코실기 등의 탄소수 1 내지 20의 알킬기인 것이 바람직하고, 탄소수 1 내지 12의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1 내지 6의 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 탄소수 1 내지 4의 알킬기인 것이 특히 바람직하다.
식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기로서의 알콕시기란, 산소 원자와 알킬기가 결합한 치환기이고, 알콕시기가 갖는 알킬기의 구체예로서는, 예를 들면 식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기로서의 알킬기의 항에 기재한 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 바람직한 것도 동일한 것을 들 수 있다.
식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기로서의 방향족기로서는, 방향족 화합물의 방향환으로부터 수소 원자를 1개 제거한 잔기이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 페닐기, 비페닐기, 테르페닐기, 쿼터페닐기, 톨릴기, 인데닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오렌일기, 피레닐기, 페난트닐기 및 메스틸기 등을 들 수 있고, 페닐기, 비페닐기, 테르페닐기, 쿼터페닐기, 나프틸기 또는 안트릴기가 바람직하고, 페닐기, 비페닐기, 테르페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하다.
식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기로서의 복소환기의 구체예로서는, 식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기의 항에 기재한 복소환기와 동일한 것을 들 수 있고, 바람직한 것도 동일한 것을 들 수 있다.
식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기로서의 할로겐 원자의 구체예로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자를 들 수 있고, 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하고, 불소 원자가 보다 바람직하다.
식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기로서의 알킬 치환 아미노기는, 모노알킬 치환 아미노기 및 디알킬 치환 아미노기의 어느 것에도 제한되지 않고, 이들 알킬 치환 아미노기에 있어서의 알킬기로서는, 예를 들면 식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기로서의 알킬기의 항에 기재한 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 바람직한 것도 동일한 것을 들 수 있다.
식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기로서의 아릴 치환 아미노기는, 모노아릴 치환 아미노기 및 디아릴 치환 아미노기의 어느 것에도 제한되지 않고, 이들 아릴 치환 아미노기에 있어서의 아릴기로서는, 예를 들면 식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기로서의 방향족기와 동일한 것 및, R7 및 R8이 나타내는 복소환기의 항에 기재한 복소환기와 동일한 것을 들 수 있고, 바람직한 것도 동일한 것을 들 수 있다.
식 (1-1)의 R7과 R8이 결합하여 형성하는 복소환은, 2종류 이상의 원소에 의해 구성되는 환 구조이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 티오펜환, 푸란환, 피롤환, 피리딘환, 이미다졸환, 피라졸환, 옥사졸환, 티아졸환, 피라진환, 티아진환 등을 들 수 있고, 피리딘환, 이미다졸환이 바람직하고, 피리딘환이 보다 바람직하다.
식 (1-1)의 R7과 R8이 결합하여 형성하는 복소환은, 치환기를 갖고 있어도 좋다.
식 (1-1)의 R7과 R8이 결합하여 형성하는 복소환이 갖는 치환기에 제한은 없지만, 예를 들면 식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.
식 (1-1)에 있어서의 R7 및 R8로서는, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 18의 알킬기이거나, 또는 R7과 R8이 결합하여 복소환을 형성하는 것이 바람직하고, R7과 R8이 결합하여 복소환을 형성하는 것이 보다 바람직하다.
식 (1-2) 중, R9 및 R10은 각각 독립적으로 아미노기 또는 치환 아미노기를 나타낸다.
식 (1-2)의 R9 및 R10이 나타내는 치환 아미노기로서는, 알킬 치환 아미노기 및 아릴 치환 아미노기를 들 수 있고, 구체예로서는, 식 (1-1)의 R7 및 R8이 나타내는 복소환기가 갖는 치환기로서 든 알킬 치환 아미노기 및 아릴 치환 아미노기와 동일한 것을 들 수 있다.
식 (1-2)의 R9 및 R10으로서는, 각각 독립적으로 알킬 치환 아미노기 또는 아릴 치환 아미노기인 것이 바람직하고, 알킬 치환 아미노기인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물은, 활성 에너지선이 조사됨으로써, 하기식으로 나타나는 바와 같이 개열 반응과 탈탄산 반응을 수반하여 라디칼과 염기성 화합물을 생성하고, 당해 발생한 라디칼에 의해, 라디칼 중합성기를 갖는 고분자 전구체의 라디칼 중합을 개시할 수 있다. 또한 라디칼과 동시에 발생한 염기성 화합물은, 후술하는 고분자 전구체와 가교 반응할 수 있을 뿐만 아니라, 당해 발생한 염기의 촉매 작용에 의해 고분자 전구체의 경화 개시 온도를 내릴 수 있다.
Figure pct00005
다음으로 본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물의 합성 방법에 대해서 설명한다.
본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물은, 공지의 방법의 응용으로 합성할 수 있다. 예를 들면, 우선 하기식 (21)로 나타나는 벤조인 유도체에, 금속 수산화물의 존재하에서 파라포름알데히드류를 실온하에서 30분간 반응시켜 식 (22-1)로 나타나는 중간체 화합물로 한 후, 황산 등의 존재하에서 아질산 나트륨을 반응시켜 하기식 (23)으로 나타나는 중간체 화합물을 얻는다. 이어서, 상기에서 얻어진 식 (23)으로 나타나는 중간체 화합물에 촉매의 존재하에서 일산화 탄소 및 염소를 반응시켜 하기식 (24)로 나타나는 중간체 화합물로 하고, 마지막으로 아민 화합물을 반응시킴으로써 식 (1)로 나타나는 화합물을 얻을 수 있다. 정제법은, 합성에 의해 얻어진 화합물의 결정성이 높은 정석(晶析)법이 적합하지만, 용제 등으로 세정함으로써 정제할 수도 있다. 또한, 식 (21) 내지 (24) 및 아민 화합물 AH 중의 R1 내지 R6 및 A는 식 (1)에 있어서의 R1 내지 R6 및 A와 동일한 의미를 나타낸다.
Figure pct00006
또한, 식 (1)에 있어서의 A가 식 (1-1)로 나타나는 치환기의 화합물인 경우는, J.Photopolym.Sci.Technol 27, 2, 2014에 기재된 방법을 응용하여, 예를 들면, 하기식 (21)로 나타나는 벤조인 유도체에, 금속 수산화물의 존재하에서 파라포름알데히드류를 실온하에서 30분간 반응시켜 식 (22-2)로 나타나는 중간체 화합물로 한 후, 당해 중간체 화합물에, 주석이나 납 등의 유기 화합물의 촉매의 존재하에서 이소시아네이트류를 반응시킴으로써 식 (1)로 나타나는 화합물을 얻을 수 있다. 정제법은 상기와 마찬가지이다. 또한, 식 (21), (22-2) 및 이소시아네이트류 중의 R1 내지 R8은, 식 (1)에 있어서의 R1 내지 R8과 동일한 의미를 나타낸다.
Figure pct00007
식 (1)로 나타나는 화합물의 구체예를 하기식 (a) 내지 (i)에 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
Figure pct00008
Figure pct00009
<광 중합 개시제의 작용>
본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물을 광 중합 개시제로서 이용하는 경우, 고분자 전구체의 중(축)합 반응에 충분히 기여할 수 있는 라디칼과 염기성 화합물을 발생시키기 위해, 노광 파장의 적어도 일부에 대하여 흡수를 가질 필요가 있다. 일반적인 노광 광원인 고압 수은등의 파장은, 365㎚, 405㎚ 및 436㎚이기 때문에, 이들 파장의 활성 에너지선 중 적어도 1개에 대하여 흡수를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 적용 가능한 고분자 전구체의 종류가 더욱 증가하는 점에서 바람직하다.
식 (1)로 나타나는 화합물을 광 중합 개시제로서 이용하는 경우, 그의 몰 흡광 계수가, 파장 365㎚의 활성 에너지선에 대하여 100 이상이거나, 또는 파장 405㎚의 활성 에너지선에 대하여 1 이상인 것이, 적용 가능한 고분자 전구체의 종류가 더욱 증가하는 점에서 바람직하다.
또한, 본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물이 상기 파장 영역에 흡수를 갖는 것은, 당해 파장 영역에 흡수를 갖지 않는 용매(예를 들면, 아세토니트릴)에, 식 (1)로 나타나는 염기 발생제를 1×10－4㏖/L 이하의 농도(통상, 1×10－5 내지 1×10－4㏖/L 정도. 적절한 흡수 강도가 되도록, 적절히, 조절해도 좋음)로 용해하고, 자외 가시 분광 광도계(예를 들면, UV-2550 (주)시마즈세이사쿠쇼 제조)에 의해 흡광도를 측정함으로써 확인할 수 있다.
본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제(광 염기 발생제)는, 종래 공지의 광 염기 발생제와 비교하여 우수한 감도를 갖기 때문에, 여러가지로 응용이 가능하다. 염기성 물질에 의해 또는 염기성 물질의 존재하에서의 가열에 의해 중(축)합 반응할 수 있는, 후술하는 고분자 전구체와의 조합에 한정되지 않고, 산-염기 지시약 등의 염기에 의해 구조나 물성이 변화하는 화합물과 조합하여, 여러가지 감광성 조성물이 얻어진다.
이러한 감광성 조성물은, 도료, 인쇄 잉크, 시일제, 또는 접착제, 혹은, 표시 장치, 반도체 장치, 전자 부품, 미소 전기 기계 시스템(Micro Electro Mechanical System(MEMS)), 광학 부재 또는 건축 재료의 형성 재료로서 이용할 수 있다.
예를 들면, 본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제(광 염기 발생제)와 산-염기 지시약을 적어도 포함하는 화상 형성층을, 기재 상에 피복 또는 기재에 함침시켜 이루어지는 화상 형성 매체에 있어서, 화상 형성층을 노광하면, 상기 광 염기 발생제가, 산-염기 지시약과 반응하는 염기를 생성하여, 화상이 형성되는 것을 특징으로 하는 화상 형성 매체와 같은 표시 장치 등에도 응용할 수 있다.
<감광성 수지 조성물>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제와, 당해 광 중합 개시제의 존재하에 있어서 광 조사에 의해 혹은 광 조사와 가열에 의해 중합할 수 있는 고분자 전구체를 함유한다. 고분자 전구체의 중합 반응에 수반하는 용해성의 변화에 의해, 노광부와 미노광부와의 사이에서 용해성에 차이가 발생하는 것, 즉, 용해성 콘트라스트가 커짐으로써, 본 발명의 감광성 수지를 이용한 경화물 패턴의 형성이 가능해진다.
<고분자 전구체>
본 발명의 감광성 수지 조성물이 함유하는 고분자 전구체란, 라디칼 또는 염기성 물질에 의해, 혹은 염기성 물질의 존재하에서의 가열에 의해 일어나는 중합 반응에 의해 고분자량화하여 경화물이 될 수 있는 화합물을 의미하고, 소위 모노머(단량체)도 본 명세서에서 고분자 전구체에 포함된다. 상기의 중합 반응으로서는, 라디칼에 의해 유발되는 고분자 전구체끼리의 중축합 반응 및, 활성 에너지선의 조사에 의해 식 (1)로 나타나는 화합물로부터 발생하는 염기성 화합물(아민류)과 고분자 전구체와의 중축합 반응의 양자를 들 수 있지만, 식 (1)로 나타나는 화합물로부터 발생한 염기성 화합물이 촉매로서 작용하여, 가열 경화 시의 반응 개시 온도를 내리는 역할을 다하는 경우도, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 태양에 포함된다. 고분자 전구체의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 중량(또는 수) 평균 분자량으로 500 내지 10,000 정도이다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 함유하는 고분자 전구체로서는, 식 (1)로 나타나는 화합물로부터 발생하는 라디칼에 의해 유발되는 중합 반응에 의해 고분자량화할 수 있는 화합물, 식 (1)로 나타나는 화합물로부터 발생하는 염기성 물질에 의해 또는 당해 염기성 물질의 존재하에서의 가열에 의해 중(축)합 반응할 수 있는 화합물 및, 당해 염기성 화합물의 촉매로서의 작용에 의해 중(축)합 반응의 반응 개시 온도가 인하되는 화합물이면 특별히 제한 없이 사용이 가능하다. 이하에 고분자 전구체의 구체예를 들지만, 본 발명의 감광성 수지 조성물이 함유할 수 있는 고분자 전구체는 이들에 한정되는 것은 아니다.
<라디칼 중합 반응에 의해 고분자가 되는 고분자 전구체>
식 (1)로 나타나는 화합물로부터 발생하는 라디칼에 의해 유발되는 중합 반응에 의해 고분자량화할 수 있는 고분자 전구체로서는, 라디칼 중합성의 치환기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 라디칼 중합성의 치환기를 갖는 화합물로서는, 분자 내에 이중 결합을 갖는 화합물이 바람직하고, 알릴기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기 또는 말레이미드기 등을 갖는 화합물이 바람직하다.
말레이미드기를 포함하는 화합물로서는 분자 중에 말레이미드기를 1개 이상 함유하는 화합물이고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족/지환족 말레이미드 수지, 방향족 말레이미드 수지 등을 들 수 있다.
구체예로서는, N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-프로필말레이미드, N-헥실말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, 말레이미드카본산, N-페닐말레이미드, N-메틸페닐말레이미드, 3,4,4'-트리아미노디페닐메탄, 트리아미노페놀 등과 무수 말레인산과의 반응으로 얻어지는 다관능 말레이미드 화합물, 트리스(4-아미노페닐)-포스페이트, 트리스(4-아미노페닐)-티오포스페이트와 무수 말레인산과의 반응으로 얻어지는 말레이미드 화합물, 트리스(4-말레이미드페닐)메탄 등의 트리스말레이미드 화합물, 비스(3,4-디말레이미드페닐)메탄, 테트라말레이미드벤조페논, 테트라말레이미드나프탈렌, 트리에틸렌테트라민과 무수 말레인산과의 반응으로 얻어지는 말레이미드 등의 테트라말레이미드 화합물, 페놀노볼락형 말레이미드 수지, 이소프로필리덴비스(페녹시페닐말레이미드)페닐말레이미드아르알킬 수지, 식 (2)로 나타나는 비페닐렌형 페닐말레이미드아르알킬 수지, 식 (3) 또는 식 (4)로 나타나는 폴리말레이미드로 나타나는 폴리말레이미드, 벤젠디알데히드와 아닐린과의 축합에 의해 얻어지는 폴리아닐린의 폴리말레이미드 등이다. 또한, 이들 폴리말레이미드에 방향족의 디아민을 부가시킨 폴리아미노폴리말레이미드 수지를 이용할 수도 있다. 또한 노볼락형의 말레이미드 수지는 분자량 분포를 갖기 때문에 바니시 안정성이 높고, 벤조옥사진 수지와의 혼련에 적합하다. 이들은 시판의 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법도 이용하여 제조할 수도 있다.
알릴기를 포함하는 화합물로서는 분자 내에 알릴기를 적어도 2개(2개 이상) 갖는 단량체, 단량체 단위에 알릴기를 적어도 2개(2개 이상) 갖는 단독 중합 혹은 공중합 폴리머를 들 수 있다. 예를 들면, 디알릴오르토프탈레이트, 디알릴이소프탈레이트, 디알릴테레프탈레이트 등의 디카본산 디알릴에스테르, 트리알릴시아누레이트, 테트라메틸올메탄테트라아글레이트, 트리멜리트산 트리알릴 등의 모노머, 또한, 이들의 단독 중합 폴리머(예를 들면 모노머의 1개의 이중 결합만을 중합시킨 다수 모노머의 중합체), 예를 들면 트리멜리트산 트리알릴의 중합체(중량 평균 분자량(Mw)이 2×104이고, 중량 평균 분자량과 수 평균 분자량과의 비(Mw/Mn＝1.8(분산도))), 트리알릴시아누레이트의 중합체(Mw＝2.8×104, Mw/Mn＝1.5)를 들 수 있고, 나아가서는 이들 모노머의 적어도 2종의 공중합 폴리머, 예를 들면 트리알릴시아누레이트 또는 트리알릴이소시아누레이트와 디알릴프탈레이트(오르토, 이소, 테레프탈산의 디알릴에스테르의 적어도 1종)의 공중합체(중량 평균 분자량 15000∼18000, Mw/Mn＝1.5∼1.6, 요오드가 65∼70, 공중합 몰비 0:1∼1:1) 등의 트리알릴시아누레이트 또는 트리알릴이소시아누레이트와 디카본산 디알릴에스테르와의 공중합 폴리머 등을 들 수 있다. 단독 중합 폴리머와 공중합 폴리머의 중량 평균 분자량은 2,000∼100,000이 바람직하다. 2,000 미만에서는 지촉(指觸) 건조성이 향상하는 정도가 낮아지고, 100,000을 초과하면 희알칼리 현상성이 저하하는 경우가 있다. 이들 중, 트리알릴이소시아누레이트 또는 그의 단독 혹은 공중합 폴리머가 바람직하다.
아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 화합물(단 에폭시기를 갖는 화합물은 제외함)의 구체예로서는, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,9-노난디올디아크릴레이트 및 1,10-데칸디올디아크릴레이트 등의 디올의 디아크릴레이트; 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜에 에틸렌옥사이드 그리고 프로필렌옥사이드의 적어도 어느 1종을 부가하여 얻은 디올의 디아크릴레이트 및 카프로락톤 변성 하이드록시피발산 네오펜틸글리콜디아크릴레이트 등의 글리콜의 디아크릴레이트; 비스페놀 A의 EO 부가물의 디아크릴레이트, 비스페놀 A의 PO 부가물의 디아크릴레이트, 트리사이클로데칸디메탄올디아크릴레이트, 수소 첨가 디사이클로펜타디에닐디아크릴레이트 및 사이클로헥실디아크릴레이트 등의 환상 구조를 갖는 디아크릴레이트; 등을 들 수 있다.
아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 화합물의 시판품의 구체예로서는, 라이트 아크릴레이트 1,6HX-A, 1,9ND-A, 3EG-A 및 4EG-A(모두 상품명, 쿄에이샤카가쿠 가부시키가이샤 제조); HDDA, 1,9-NDA, DPGDA 및 TPGDA(모두 상품명, 다이셀·올넥스 가부시키가이샤 제조), 비스코트 #195, #230, #230D, #260, #310HP, #335HP 및 #700HV(모두 상품명, 오사카유키카가쿠코교 가부시키가이샤 제조), 아로닉스 M-208, M-211B, M-220, M-225, M-240, M-270(모두 상품명, 토아고세 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 점도 및 식 (1)로 나타나는 화합물과의 상용성의 관점에서, 탄소수 4 내지 12의 알킬쇄를 갖는 디올의 디아크릴레이트, 특히 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,9-노난디올디아크릴레이트 및 1,10-데칸디올디아크릴레이트가 바람직하다.
<분자 간 반응에 의해 고분자가 되는 고분자 전구체>
식 (1)로 나타나는 화합물로부터 발생하는 염기성 물질에 의한, 또는 당해 염기성 물질의 존재하에서의 가열에 의한 분자 간 반응에 의해 고분자량화할 수 있는 고분자 전구체로서는, 당해 염기성 물질과 반응할 수 있는 치환기를 갖는 화합물 및/또는 당해 염기성 물질의 존재하에서의 가열에 의해 분자 간에 결합을 형성하는 반응(가교 반응)에 의해 고분자량화할 수 있는 화합물을 들 수 있다. 염기성 물질과 반응할 수 있는 치환기 및 염기성 물질의 존재하에서의 가열에 의해 분자 간에 결합을 형성하는 반응을 할 수 있는 치환기로서는, 에폭시기, 옥세탄기, 티이란기, 이소시아네이트기, 하이드록실기, 실라놀기 등을 들 수 있다. 또한, 고분자 전구체에는, 분자 간에서 가수 분해·중축합하는 화합물도 포함되고, 분자 간에서 가수 분해·중축합 반응할 수 있는 치환기로서는, 폴리실록산 전구체의 -SiX(여기에서, X는 알콕시기, 아세톡시기, 옥심기, 엔옥시기, 아미노기, 아미녹시기, 아미드기 및, 할로겐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수 분해성기)를 들 수 있다.
염기성 물질과 반응할 수 있는 치환기를 갖는 화합물로서는, 상기의 치환기를 적어도 1종 갖는 화합물을 들 수 있고, 예를 들면, 분자 내에 1개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물, 분자 내에 1개 이상의 옥세탄기를 갖는 화합물 및, 분자 내에 1개 이상의 티이란기를 갖는 화합물을 들 수 있다.
이하에 에폭시기를 갖는 화합물에 대해서 구체적으로 설명하지만, 옥세탄기, 티이란기를 갖는 화합물에 대해서도 마찬가지로 이용하는 것이 가능하다.
<에폭시기를 갖는 화합물>
분자 내에 1개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물로서는, 분자 내에 1개 이상의 에폭시기를 갖는 것이면 특별히 제한 없이, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다.
본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제는, 일반적으로는 분자 내에 1개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 경화 촉매로서의 기능도 갖는다.
분자 내에 1개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물을 이용하는 경우는, 에폭시기와의 반응성을 갖는 관능기를 분자 내에 2개 이상 갖는 화합물을 병용해도 좋다. 여기에서 에폭시기와의 반응성을 갖는 관능기로서는, 예를 들면, 카복실기, 페놀성 수산기, 메르캅토기, 1급 또는 2급의 방향족 아미노기 등을 들 수 있다. 에폭시기와의 반응성을 갖는 관능기를 분자 내에 2개 이상 갖는 화합물로서는, 중량 평균 분자량 3,000 내지 100,000의 폴리머의 측쇄에 상기 관능기를 도입한 화합물을 들 수 있고, 이것을 병용하는 것은 바람직한 태양의 하나이다. 상기 폴리머의 중량 평균 분자량이 3,000 미만인 경우는, 막의 강도가 저하함과 함께 경화막의 표면에 택(끈적임)이 발생하여, 불순물 등이 부착되기 쉬워질 우려가 있고, 100,000보다도 큰 경우는 용융 점도나 용제에 용해했을 때의 점도가 증대할 우려가 있다.
분자 내에 1개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 비스페놀 A와 에피클로로하이드린으로부터 유도되는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F와 에피클로로하이드린으로부터 유도되는 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 디페닐에테르형 에폭시 수지, 하이드로퀴논형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 3관능형 에폭시 수지나 4관능형 에폭시 수지 등의 다관능형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 이소시아누레이트형 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 에폭시 수지는 할로겐화되어 있어도 좋고, 수소 첨가되어 있어도 좋다. 에폭시 수지의 시판품으로서는, 예를 들면 미츠비시케미컬 가부시키가이샤 제조의 jER828, 1001, 801N, 806, 807, 152, 604, 630, 871, YX8000, YX8034, YX4000, DIC 가부시키가이샤 제조의 에피클론 830, EXA835LV, HP4032D, HP820, 가부시키가이샤 ADEKA 제조의 EP4100 시리즈, EP4000 시리즈, EPU 시리즈, 다이셀카가쿠 가부시키가이샤 제조의 셀록사이드 시리즈(2021, 2021P, 2083, 2085, 3000 등), 에폴리드 시리즈, EHPE 시리즈, 토토카세이샤 제조의 YD 시리즈, YDF 시리즈, YDCN 시리즈, YDB 시리즈, 나가세켐텍스샤 제조의 데나콜 시리즈, 쿄에이샤카가쿠샤 제조의 에포라이트 시리즈 등을 들 수 있지만 이들에 한정되는 것은 아니다. 이들 에폭시 수지는, 2종 이상을 병용해도 좋다. 이들 중에서도, 분자량이 상이한 그레이드가 널리 입수 가능하고, 접착성이나 반응성 등을 임의로 설정할 수 있는 점에서, 비스페놀형 에폭시 수지가 바람직하다.
<옥세탄기를 갖는 화합물>
분자 내에 1개 이상의 옥세탄기를 갖는 화합물로서는 4,4'-(3-에틸옥세탄-3-일메틸옥시메틸)비페닐(OXBP), 3-에틸-3-하이드록시메틸옥세탄(EHO), 1,4-비스[{(3-에틸-3-옥세타닐)메톡시}메틸]벤젠(XDO), 디[1-에틸(3-옥세타닐)]메틸에테르(DOX), 디[1-에틸(3-옥세타닐)]메틸에테르(DOE), 1,6-비스[(3-에틸-3-옥세타닐)메톡시]헥산(HDB), 9,9-비스[2-메틸-4-{2-(3-옥세타닐)}부톡시페닐]플루오렌, 9,9-비스[4-[2-{2-(3-옥세타닐)}부톡시]에톡시페닐]플루오렌 등의 2관능 옥세탄 화합물이나, 옥세탄화 노볼락 수지 등의 다관능 옥세탄 화합물을 들 수 있다.
<티이란기를 갖는 화합물>
분자 내에 1개 이상의 티이란기를 갖는 화합물로서는 분자 내에 적어도 1개 이상의 티이란환을 갖는 것이고, 구체예로서는, 비스(2,3-에피티오프로필)술피드, 비스(2,3-에피티오프로필티오)에탄, 비스(2,3-에피티오프로필티오)프로판, 비스(2,3-에피티오프로필티오)부탄, 비스(5,6-에피티오-3-티오헥산)술피드, 비스(2,3-에피티오프로필)디술피드, 비스(3,4-에피티오부틸)디술피드, 비스(4,5-에피티오펜틸)디술피드, 비스(5,6-에피티오헥실)디술피드를 들 수 있지만, 비스(2,3-에피티오프로필)술피드, 비스(2,3-에피티오프로필)디술피드가 특히 바람직하다.
한편, 분자 간에서 가교 반응을 하는 화합물로서는, 예를 들면, 분자 내에 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물 및 분자 내에 2개 이상의 하이드록실기를 갖는 화합물의 조합을 들 수 있고, 당해 이소시아네이트기와 하이드록실기와의 반응에 의해, 분자 간에 우레탄 결합이 형성되어 고분자가 될 수 있다.
<이소시아네이트기를 갖는 화합물>
분자 내에 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물로서는, 분자 내에 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 것이면 특별히 제한 없이, 공지의 것을 사용할 수 있다. 이러한 화합물로서는, p-페닐렌디이소시아네이트, 2,4-톨루엔디이소시아네이트, 2,6-톨루엔디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등으로 대표되는 저분자 화합물 외에, 올리고머, 중량 평균 분자량 3,000 이상의 폴리머의 측쇄 또는 말단에 이소시아네이트기가 존재하는 화합물을 이용해도 좋다.
<하이드록실기를 갖는 화합물>
분자 내에 2개 이상의 하이드록실기를 갖는 화합물은, 통상, 분자 내에 하이드록실기를 갖는 화합물과 조합하여 이용된다. 이러한 하이드록실기를 갖는 화합물로서는, 분자 내에 2개 이상의 하이드록실기를 갖는 것이면 특별히 제한 없이, 공지의 것을 사용할 수 있다. 이러한 화합물로서는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린, 디글리세린, 펜타에리트리톨 등의 저분자 화합물 외에, 중량 평균 분자량 3,000 이상의 폴리머의 측쇄 또는 말단에 하이드록실기가 존재하는 화합물을 이용해도 좋다.
<폴리실록산 전구체>
또한, 분자 간에 가수 분해·중축합하는 화합물로서는, 예를 들면 폴리실록산 전구체도 들 수 있다. 폴리실록산 전구체로서는, YnSiX(4－n)(여기에서, Y는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 플루오로알킬기, 비닐기, 페닐기, 또는 수소를 나타내고, X는 알콕시기, 아세톡시기, 옥심기, 엔옥시기, 아미노기, 아미녹시기, 아미드기 및, 할로겐 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수 분해성기를 나타낸다. n은 0 내지 3의 정수를 나타낸다.)으로 나타나는 유기 규소 화합물 및 당해 유기 규소 화합물의 가수 분해 중축합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 상기식 YnSiX(4－n)에 있어서 n이 0 내지 2인 것이 바람직하다. 또한, 실리카 분산 올리고머 용액의 조제가 하기 쉽고 입수도 용이한 점에서, 상기 가수 분해성기로서는, 알콕시기인 것이 바람직하다. 상기 유기 규소 화합물로서는, 특별히 제한 없이, 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 트리메톡시실란, 트리에톡시실란, 메틸트리클로로실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 메틸트리 t-부톡시실란, 에틸트리브롬실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, n-헥실트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라부톡시실란, 디메톡시디에톡시실란, 디메틸디클로로실란, 디메틸디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-메타아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸디에톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 불소계 실란 커플링제로서 알려진 플루오로알킬실란 및, 그들의 가수 분해 축합물 혹은 공(共)가수 분해 축합물; 그리고, 그들의 혼합물을 들 수 있다.
<분자 내 폐환 반응에 의해 고분자가 되는 고분자 전구체>
분자 내 폐환 반응에 의해 고분자량화할 수 있는 고분자 전구체로서는 폴리이미드 전구체, 폴리벤조옥사졸 전구체 등을 들 수 있다. 이들 전구체는 2종류 이상의 고분자 전구체의 혼합물이라도 좋다.
이하, 본 발명의 바람직한 고분자 전구체인 폴리이미드 전구체와 폴리벤조옥사졸 전구체에 대해서 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
<폴리이미드 전구체>
폴리이미드 전구체로서는, 하기 화학식 (8)로 나타나는 반복 단위를 갖는 폴리암산이 적합하게 이용된다. 식 (8) 중, R11은 4가의 유기기이다. R12는 2가의 유기기이다. R13 및 R14는, 수소 원자, 또는 유기기이다. n은 1 이상의 자연수이다. R13 및 R14의 유기기로서는, 예를 들면, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기 및, 이들에 에테르 결합을 함유한 CnH2nOCmH2m＋1 등으로 나타나는 구조 등을 들 수 있다.
Figure pct00010
폴리암산은, 산 2무수물과 디아민을 용액 중에서 혼합하는 것만으로 얻어지기 때문에, 1단계의 반응으로 합성할 수 있어, 합성이 용이하고 저비용으로 입수할 수 있기 때문에 바람직하다.
고분자 전구체가 상기식 (8)로 나타나는 반복 단위를 갖는 폴리암산인 경우, 염기성 물질의 촉매 효과에 의해 이미드화에 필요로 하는 온도를 통상 300℃ 미만, 바람직하게는 250℃ 이하까지 내리는 것이 가능하다. 일반적인 폴리암산은 이미드화에 300℃ 이상의 고온이 필요하기 때문에, 용도가 제한되어 있었지만, 이미드화에 필요로 하는 온도를 내리는 것이 가능하게 됨으로써, 보다 광범위의 용도에 적용 가능하게 되었다.
폴리이미드 전구체를 제조하는 방법으로서는, 종래 공지의 수법을 적용할 수 있다. 예를 들면, 산 2무수물과 디아민으로부터 전구체인 폴리아미드산을 합성하는 수법이나, 산 2무수물에 1가의 알코올, 아미노 화합물 또는 에폭시 화합물 등을 반응시켜 얻어진 에스테르산이나 아미드산 모노머의 카본산에, 디아미노 화합물이나 그의 유도체를 반응시키는 수법 등을 들 수 있지만 이것에 한정되지 않는다.
<폴리벤조옥사졸 전구체>
폴리벤조옥사졸 전구체로서는, 하기 화학식 (9)로 나타나는 반복 단위를 갖는 폴리아미드알코올이 적합하게 이용된다.
Figure pct00011
식 (9) 중, R15는 2가의 유기기이고, R16은 4가의 유기기이다. n은 1 이상의 자연수이다. 식 (9)로 나타나는 반복 단위를 갖는 폴리아미드알코올은, 단일의 반복 단위로 이루어지는 것이라도, 2종 이상의 반복 단위로 이루어지는 것이라도 좋다.
상기 폴리벤조옥사졸 전구체를 얻기 위한 반응에 적용 가능한 디카본산 및 그의 유도체로서는, 예를 들면, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 4,4'-벤조페논디카본산, 3,4'-벤조페논디카본산, 3,3'-벤조페논디카본산, 4,4'-비페닐디카본산, 3,4'-비페닐디카본산, 3,3'-비페닐디카본산, 4,4'-디페닐에테르디카본산, 3,4'-디페닐에테르디카본산, 3,3'-디페닐에테르디카본산, 4,4'-디페닐술폰디카본산, 3,4'-디페닐술폰디카본산, 3,3'-디페닐술폰디카본산, 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴 2벤조산, 4,4'-디카복시디페닐아미드, 1,4-페닐렌디에탄산, 1,1-비스(4-카복시페닐)-1-페닐-2,2,2-트리플루오로에탄, 비스(4-카복시페닐)테트라페닐디실록산, 비스(4-카복시페닐)테트라메틸디실록산, 비스(4-카복시페닐)술폰, 비스(4-카복시페닐)메탄, 5-t-부틸이소프탈산, 5-브로모이소프탈산, 5-플루오로이소프탈산, 5-클로로이소프탈산, 2,2-비스-(p-카복시페닐)프로판, 4,4'-(p-페닐렌디옥시) 2벤조산, 2,6-나프탈렌디카본산, 혹은 이들의 산 할로겐화물 및, 하이드록시벤조트리아졸 등과의 활성 에스테르체 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 이들은 단독으로 혹은 2종류 이상을 조합하여 이용된다.
또한, 상기 폴리벤조옥사졸 전구체를 얻기 위한 반응에 적용 가능한 하이드록시디아민의 구체예로서는, 예를 들면, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시비페닐, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시디페닐술폰, 비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 2,2-비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스-(4-아미노-3-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 비스-(4-아미노-3-하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스-(4-아미노-3-하이드록시페닐)프로판, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시벤조페논, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시디페닐에테르, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시디페닐에테르, 1,4-디아미노-2,5-디하이드록시벤젠, 1,3-디아미노-2,4-디하이드록시벤젠, 3-디아미노-4,6-디하이드록시벤젠 등을 들 수 있지만 이들에 한정되는 것은 아니다. 이들은 단독으로 혹은 2종류 이상을 조합하여 이용된다.
폴리이미드 전구체나 폴리벤조옥사졸 전구체 등의 고분자 전구체는, 감광성 수지 조성물로 했을 때의 감도를 높여, 마스크 패턴을 정확하게 재현하는 패턴 형상을 얻기 위해, 1㎛의 막두께일 때에, 노광 파장에 대하여 적어도 5％ 이상의 투과율을 나타내는 것이 바람직하고, 15％ 이상의 투과율을 나타내는 것이 보다 바람직하다. 노광 파장에 대하여 폴리이미드 전구체나 폴리벤조옥사졸 전구체 등의 고분자 전구체의 투과율이 높다는 것은, 그만큼, 활성 에너지선의 로스가 적다는 것이어서, 고감도의 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.
또한, 일반적인 노광 광원인 고압 수은등을 이용하여 노광을 행하는 경우에는, 적어도 436㎚, 405㎚, 365㎚의 파장의 활성 에너지선 중 1개의 파장의 활성 에너지선에 대한 투과율이, 두께 1㎛의 필름에 성막했을 때에 바람직하게는 5％ 이상, 더욱 바람직하게는 15％, 특히 바람직하게는 50％ 이상이다.
폴리이미드 전구체나 폴리벤조옥사졸 전구체 등의 고분자 전구체의 중량 평균 분자량은, 그의 용도에도 의하지만, 3,000 내지 1,000,000의 범위인 것이 바람직하고, 5,000 내지 500,000의 범위인 것이 더욱 바람직하고, 10,000 내지 500,000의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 중량 평균 분자량이 3,000 미만이면, 도막 또는 필름으로 한 경우에 충분한 강도가 얻어지기 어렵다. 또한, 가열 처리 등을 실시하여 폴리이미드 등의 고분자로 했을 때의 막의 강도도 낮아진다. 한편, 중량 평균 분자량이 1,000,000을 초과하면 점도가 상승하고, 용해성도 저하하기 쉬워, 표면이 평활하고 막두께가 균일한 도막 또는 필름이 얻어지기 어렵다.
여기에서 이용하고 있는 분자량이란, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산의 값을 말하고, 폴리이미드 전구체 등의 고분자 전구체 그 자체의 분자량이라도 좋고, 무수 아세트산 등으로 화학적 이미드화 처리를 행한 후의 것이라도 좋다.
또한, 폴리이미드 전구체나 폴리벤조옥사졸 전구체 합성 시에 이용하는 용매는, 극성 용매가 바람직하고, 대표적인 것으로서, N-메틸-2-피롤리돈, N-아세틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸포름아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸메톡시아세트아미드, 디메틸술폭시드, 헥사메틸포스포아미드, 피리딘, 디메틸술폰, 테트라메틸렌술폰, 디메틸테트라메틸렌술폰, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 사이클로펜탄온, γ-부티로락톤, α-아세틸-γ-부티로락톤 등이 있고, 이들 용매는 단독으로 혹은 2종류 이상을 조합하여 이용된다. 그 외에도 용매로서 조합하여 이용되는 것으로서 벤젠, 벤조니트릴, 1,4-디옥산, 테트라하이드로푸란, 부티로락톤, 자일렌, 톨루엔, 사이클로헥산온 등의 비극성 용매를 들 수 있고, 이들 용매는, 원료의 분산매, 반응 조절제, 혹은 생성물로부터의 용매의 휘산 조절제, 피막 평활제 등으로서 사용된다.
폴리암산이나 폴리벤조옥사졸 전구체는, 염기성 물질의 작용에 의해 고분자량화함으로써 용해성이 저하하기 때문에, 상기식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제로부터 발생하는 염기성 물질에 의한 용해성의 저하와 조합함으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 노광부와 미노광부의 용해성의 콘트라스트를 더욱 크게 할 수 있는 이점을 갖는다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 1종 또는 복수종의 고분자 전구체를 포함할 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 고분자 전구체의 함유량(복수종의 고분자 전구체를 이용하는 경우는, 고분자 전구체의 총 함유량)은, 얻어지는 패턴의 막 물성, 특히 막 강도나 내열성의 점에서, 감광성 수지 조성물의 고형분 전체에 대하여, 30질량％ 이상인 것이 바람직하고, 50질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제의 함유량은, 감광성 수지 조성물에 포함되는 고분자 전구체의 고형분에 대하여 통상 0.1 내지 95질량％, 바람직하게는 0.5 내지 60질량％이다. 광 중합 개시제의 함유량이 0.1질량％ 미만이면 노광부와 미노광부의 용해성의 콘트라스트를 충분히 크게 할 수 없을 우려가 있고, 95질량％를 초과하면 감광성 수지 조성물의 경화물의 제(諸)특성이 발현하기 어려워질 우려가 있다. 에폭시계 화합물과 조합하는 경우 등, 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제로부터 광 조사에 의해 발생한 염기성 화합물이 경화제로서 이용되는 경우의 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제의 함유량은, 감광성 수지 조성물에 포함되는 고분자 전구체의 고형분에 대하여 통상 0.1 내지 95질량％, 바람직하게는 0.5 내지 60질량％이다.
또한, 식 (1)로 나타나는 화합물로부터 발생한 염기성 화합물이 촉매로서 작용하는 경우의 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제의 함유량은, 감광성 수지 조성물에 포함되는 고분자 전구체의 고형분에 대하여 통상, 0.1 내지 30질량％, 바람직하게는 0.5 내지 20질량％이다.
<그 외의 성분>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제와 고분자 전구체와의 단순한 혼합물이라도 좋지만, 추가로, 용매, 광 또는 열 경화성 성분, 고분자 전구체 이외의 비중합성 바인더 수지 등의 그 외의 성분을 배합해도 좋다.
감광성 수지 조성물을 용해, 분산 또는 희석하는 용제로서는, 각종의 범용 용제를 이용할 수 있다. 또한, 고분자 전구체로서 폴리아미드산을 이용하는 경우에는, 폴리아미드산의 합성 반응에 의해 얻어진 용액을 그대로 이용하고, 거기에 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제와 필요에 따라서 다른 성분을 혼합해도 좋다.
사용 가능한 범용 용제로서는, 예를 들면, 디에틸에테르, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜모노에테르류(소위 셀로솔브류); 메틸에틸케톤, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로펜탄온, 사이클로헥산온 등의 케톤류; 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 상기 글리콜모노에테르류의 아세트산 에스테르(예를 들면, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트), 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 옥살산 디메틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸 등의 에스테르류; 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 사이클로헥산올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 글리세린 등의 알코올류; 염화 메틸렌, 1,1-디클로로에탄, 1,2-디클로로에틸렌, 1-클로로프로판, 1-클로로부탄, 1-클로로펜탄, 클로로벤젠, 브롬벤젠, o-디클로로벤젠, m-디클로로벤젠 등의 할로겐화 탄화수소류; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸메톡시아세트아미드 등의 아미드류; N-메틸-2-피롤리돈, N-아세틸-2-피롤리돈 등의 피롤리돈류; γ-부티로락톤, α-아세틸-γ-부티로락톤 등의 락톤류; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드류, 디메틸술폰, 테트라메틸렌술폰, 디메틸테트라메틸렌술폰 등의 술폰류, 헥사메틸포스포아미드 등의 인산 아미드류, 그 외의 유기 극성 용매류 등을 들 수 있고, 나아가서는, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 피리딘 등의 방향족 탄화수소류 및, 그 외의 유기 비극성 용매류 등도 들 수 있다. 이들 용매는 단독 혹은 조합하여 이용된다.
그 중에서도, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 메틸에틸케톤, 사이클로펜탄온, 사이클로헥산온, 아세트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤 등의 극성 용매, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소류 및, 이들 용매로 이루어지는 혼합 용매를 적합한 것으로서 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 광 경화성 성분을 병용할 수 있다. 광 경화성 성분으로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 1개 또는 2개 이상 갖는 화합물을 이용할 수 있고, 예를 들면, 아미드계 모노머, (메타)아크릴레이트 모노머, 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트 올리고머, 에폭시(메타)아크릴레이트 및, 하이드록실기 함유(메타)아크릴레이트, 스티렌 등의 방향족 비닐 화합물을 들 수 있다. 또한, 폴리이미드 전구체가, 폴리암산 등의 카본산 성분을 구조 내에 갖는 경우에는, 3급 아미노기를 갖는 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물을 이용하면, 폴리이미드 전구체의 카본산과 이온 결합을 형성하여, 감광성 수지 조성물로 했을 때의 노광부와 미노광부의 용해 속도의 콘트라스트가 커진다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제 이외의 광 중합 개시제(광 염기 발생제)를 병용해도 좋다.
병용할 수 있는 광 중합 개시제는 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 광 라디칼 중합 개시제를 이용할 수 있다. 이 광 라디칼 중합 개시제로서는, 빛, 레이저, 전자선 등에 의해 라디칼을 발생하고, 라디칼 중합 반응이 개시되는 화합물이면 모두 이용할 수 있다.
병용할 수 있는 광 중합 개시제로서는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 벤조인과 벤조인알킬에테르류; 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온 등의 알킬페논계; 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논 등의 아세토페논류; 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, N,N-디메틸아미노아세토페논 등의 아미노아세토페논류; 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논 등의 안트라퀴논류; 2,4-디메틸티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디이소프로필티옥산톤 등의 티옥산톤류; 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈류; 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체; 리보플라빈테트라부틸레이트; 2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조티아졸 등의 티올 화합물; 2,4,6-트리스-s-트리아진, 2,2,2-트리브로모에탄올, 트리브로모메틸페닐술폰 등의 유기 할로겐 화합물; 벤조페논, 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논 등의 벤조페논류 또는 잔톤류; 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드계; 비스(사이클로펜타디에닐)디페닐티타늄, 비스(사이클로펜타디에닐)디클로로티타늄, 비스(사이클로펜타디에닐)-비스(2,3,4,5,6펜타플루오로페닐)티타늄, 비스(사이클로펜타디에닐)-비스(2,6-디플루오로-3-(피롤-1-일)페닐)티타늄 등의 티타노센류 등을 들 수 있다.
이들 광 중합 개시제는, 단독으로 또는 2종류 이상의 혼합물로서 사용할 수 있고, 나아가서는 N,N-디메틸아미노벤조산 에틸에스테르, N,N-디메틸아미노벤조산 이소아밀에스테르, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 트리에틸아민, 트리에탄올아민 등의 3급 아민류 등의 광 개시 조제를 더할 수 있다.
시판되어 있는 광 중합 개시제의 예로서는, 이르가큐어 261, 184, 369, 651, 500, 819, 907, 784, 2959, 다로큐어 1116, 1173, CGI1700, CGI1750, CGI1850, CG-24-61, 루시린 TPO, CGI-784(이상, BASF 재팬샤 제조의 상품명), DAICATII(다이셀카가쿠코교샤 제조의 상품명), UVAC1591(다이셀·UCB샤 제조의 상품명), 로드실포토이니시에이터 2074(로디아샤 제조의 상품명), 유베크릴 P36(UCB샤 제조의 상품명), 에자큐어 KIP150, KIP65LT, KIP100F, KT37, KT55, KTO46, KIP75/B, ONE(프라텔리·람베르티샤 제조의 상품명) 등을 들 수 있다.
광 중합 개시제를 병용하는 경우의 광 중합 개시제의 배합 비율은, 본 발명의 감광성 수지 조성물 100질량부 중, 0.5 내지 10질량부의 범위가 바람직하다.
상기의 광 중합 개시제에 대신하여, 또는 상기의 광 중합 개시제와 아울러, 식 (1) 이외의 광 염기 발생제를 사용할 수 있다. 광 염기 발생제는, 자외선이나 가시광 등의 광 조사에 의해 분자 구조가 변화하거나, 또는, 분자가 개열함으로써, 에폭시기를 갖는 (메타)아크릴레이트 화합물과 열 경화 성분과의 부가 반응의 촉매로서 기능할 수 있는 1종 이상의 염기성 물질을 생성하는 화합물이다. 발생하는 염기성 물질로서, 예를 들면 2급 아민, 3급 아민을 들 수 있다.
병용할 수 있는 광 염기 발생제로서, 예를 들면, α-아미노아세토페논 화합물, 옥심에스테르 화합물이나, 아실옥시이미노기, N-포르밀화 방향족 아미노기, N-아실화 방향족 아미노기, 니트로벤질카바메이트기, 알콕시벤질카바메이트기 등의 치환기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 옥심에스테르 화합물, α-아미노아세토페논 화합물이 바람직하다. α-아미노아세토페논 화합물로서는, 특히, 2개 이상의 질소 원자를 갖는 것이 바람직하다. 그 외의 광 염기 발생제로서, WPBG-018(상품명: 9-anthrylmethyl N,N'-diethylcarbamate, 와코준야쿠 제조), WPBG-027(상품명: (E)-1-[3-(2-hydroxyphenyl)-2-propenoyl]piperidine), WPBG-082(상품명: guanidinium 2-(3-benzoylphenyl)propionate), WPBG-140(상품명: 1-(anthraquinon-2-yl)ethylimidazolecarboxylate) 등을 사용할 수도 있다. α-아미노아세토페논 화합물은, 분자 중에 벤조인에테르 결합을 갖고, 광 조사를 받으면 분자 내에서 개열이 일어나, 경화 촉매 작용을 가져오는 염기성 물질(아민)이 생성된다. α-아미노아세토페논 화합물의 구체예로서는, (4-모르폴리노벤조일)-1-벤질-1-디메틸아미노프로판(이르가큐어 369, 상품명, BASF 재팬샤 제조)이나 4-(메틸티오벤조일)-1-메틸-1-모르폴리노에탄(이르가큐어 907, 상품명, BASF 재팬샤 제조), 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부탄온(이르가큐어 379, 상품명, BASF 재팬샤 제조) 등의 시판의 화합물 또는 그의 용액을 이용할 수 있다.
병용할 수 있는 옥심에스테르 화합물로서는, 광 조사에 의해 염기성 물질을 생성하는 화합물이면 모두 사용할 수 있다. 이러한 옥심에스테르 화합물의 시판품으로서는, BASF 재팬샤 제조의 CGI-325, 이르가큐어 OXE01, 이르가큐어 OXE02, 아데카샤 제조 N-1919, NCI-831 등을 들 수 있다. 또한, 일본특허 제4344400호 공보에 기재된, 분자 내에 2개의 옥심에스테르기를 갖는 화합물도 적합하게 이용할 수 있다.
그 외에, 일본공개특허공보 2004-359639호, 일본공개특허공보 2005-097141호, 일본공개특허공보 2005-220097호, 일본공개특허공보 2006-160634호, 일본공개특허공보 2008-094770호, 일본공표특허공보 2008-509967호, 일본공표특허공보 2009-040762호, 일본공개특허공보 2011-80036호 기재의 카르바졸옥심에스테르 화합물 등을 들 수 있다.
염기 발생제로부터 발생한 소량의 염기의 작용에 의해, 분해나 전위 반응하여 염기를 발생시키는 염기 증식제를 병용해도 좋다. 염기 증식제로서는, 예를 들면, 9-플루오레닐메틸카바메이트 결합을 갖는 화합물, 1,1-디메틸-2-시아노메틸카바메이트 결합((CN)CH2C(CH3)2OC(O)NR2)을 갖는 화합물, 파라니트로벤질카바메이트 결합을 갖는 화합물, 2,4-디클로로벤질카바메이트 결합을 갖는 화합물, 그 외에도 일본공개특허공보 2000-330270호의 단락 0010 내지 0032에 기재되어 있는 우레탄계 화합물이나, 일본공개특허공보 2008-250111호의 단락 0033 내지 0060에 기재되어 있는 우레탄계 화합물 등을 들 수 있다.
고분자를 투과하는 파장의 활성 에너지선의 에너지를 효율 좋게 염기 발생제에 활용시키고 싶은 경우, 즉, 염기 발생제의 감도를 향상시키고 싶은 경우에는, 증감제의 첨가가 효과를 발휘하는 경우가 있다. 특히, 폴리이미드 전구체가 360㎚ 이상의 파장 영역에도 흡수를 갖는 경우에는, 증감제의 첨가에 의한 효과가 크다. 증감제로 불리는 화합물의 구체예로서는, 티옥산톤이나 디에틸티옥산톤 등 및 그의 유도체, 쿠마린 및 그의 유도체, 케토쿠마린 및 그의 유도체, 케토비스쿠마린 및 그의 유도체, 사이클로펜탄온 및 그의 유도체, 사이클로헥산온 및 그의 유도체, 티오피릴륨염 및 그의 유도체, 티옥산텐이나 잔텐 및 그의 유도체 등을 들 수 있다. 쿠마린, 케토쿠마린 및, 그의 유도체의 구체예로서는, 3,3'-카보닐비스쿠마린, 3,3'-카보닐비스(5,7-디메톡시쿠마린) 및 3,3'-카보닐비스(7-아세톡시쿠마린) 등을 들 수 있다. 티옥산톤 및, 그의 유도체의 구체예로서는, 디에틸티옥산톤 및 이소프로필티옥산톤 등을 들 수 있다. 나아가서는 벤조페논, 아세토페논, 페난트렌, 2-니트로플루오렌, 5-니트로아세나프텐, 벤조퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논 및 1,2-나프토퀴논 등을 들 수 있다. 이들은, 염기 발생제와의 조합에 의해, 특별히 우수한 효과를 발휘하기 때문에, 염기 발생제의 구조에 의해 최적인 증감 작용을 나타내는 증감제가 적절히 선택된다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 가공 특성이나 각종 기능성을 부여하기 위해, 여러가지 유기 또는 무기의 저분자 또는 고분자 화합물, 예를 들면, 염료, 계면 활성제, 레벨링제, 가소제, 미립자 등을 배합해도 좋다. 미립자에는, 폴리스티렌 및 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 유기 미립자, 콜로이달 실리카, 카본 및 층상 규산염 등의 무기 미립자 등이 포함되고, 그들은 다공질이나 중공 구조라도 좋다. 또한, 그의 기능 또는 형태로서는 안료, 필러 및 섬유 등이 있다.
용제 이외의 임의 성분의 배합 비율은, 감광성 수지 조성물의 고형분 전체에 대하여, 0.1 내지 95질량％의 범위가 바람직하다. 0.1질량％ 미만이면, 첨가물을 첨가한 효과가 발휘되기 어렵고, 95질량％를 초과하면, 최종적으로 얻어지는 수지 경화물의 특성이 최종 생성물에 반영되기 어렵다.
본 발명의 감광성 수지 조성물을 여러가지 코팅 프로세스나 성형 프로세스에 이용함으로써, 필름이나 3차원적 형상의 성형물을 제작할 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물의 일 실시 형태로서 폴리이미드 전구체나 폴리벤조옥사졸 전구체를 고분자 전구체로서 이용한 경우, 얻어지는 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸은, 내열성, 치수 안정성, 절연성 등의 특성의 관점에서, 질소 중에서 측정한 5％ 중량 감소 온도가, 250℃ 이상인 것이 바람직하고, 300℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 특히, 땜납 리플로우의 공정에 제공되는 전자 부품 등의 용도에 이용하는 경우에는, 5％ 중량 감소 온도가 300℃ 이하이면, 땜납 리플로우의 공정에서 발생한 분해 가스에 의해 기포 등의 문제가 발생할 우려가 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸의 유리 전이 온도는, 내열성의 관점에서는 높으면 높을수록 바람직하지만, 광 도파로와 같이 열 성형 프로세스에 제공되는 용도에 있어서는, 120 내지 450℃ 정도의 유리 전이 온도를 나타내는 것이 바람직하고, 200 내지 380℃ 정도의 유리 전이 온도를 나타내는 것이 더욱 바람직하다.
여기에서 본 발명에 있어서의 유리 전이 온도는, 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸을 필름 형상으로 할 수 있는 경우에는, 동적 점탄성 측정에 의해, tanδ(tanδ＝손실 탄성률(E'')/저장 탄성률(E'))의 피크 온도로부터 구해진다. 동적 점탄성의 측정은, 예를 들면, 점탄성 측정 장치 SolidAnalyzer RSAII(Rheometric Scientific샤 제조)에 의해, 주파수 3㎐, 승온 속도 5℃/min의 조건에서 행할 수 있다. 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸을 필름 형상으로 할 수 없는 경우에는, 시차 열분석(DTA)의 베이스라인의 변곡점의 온도로 판단한다.
본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸 필름의 치수 안정성의 관점에서, 선 열팽창 계수는 60ppm 이하가 바람직하고, 40ppm 이하가 보다 바람직하다. 반도체 소자 등의 제조 프로세스에 있어서 실리콘 웨이퍼 상에 막을 형성하는 경우에는, 밀착성이나 기판의 휨의 관점에서 20ppm 이하가 더욱 바람직하다.
본 발명에 있어서의 선 열팽창 계수란, 본 발명에서 얻어지는 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸의 필름의 열기계 분석 장치(TMA)에 의해 구할 수 있다. 열기계 분석 장치(예를 들면, ThermoPlus TMA8310((주)리가쿠 제조))에 의해, 승온 속도를 10℃/min, 평가 샘플의 단면적당의 하중이 동일하게 되도록 인장 하중 1g/25,000㎛2의 조건에서 얻어진다.
이상에 서술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 고분자 전구체에 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제를 혼합할 뿐이라는 간편한 수법으로 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있는 점에서, 비용 퍼포먼스가 우수하다. 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제를 구성하는 방향족 성분 함유 카본산, 그리고, 염기성 물질은 염가로 입수하는 것이 가능하고 감광성 수지 조성물로서의 가격도 억제된다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제에 의해, 다종 다양한 고분자 전구체의 최종 생성물로의 반응 촉진에 적용할 수 있어, 최종적으로 얻어지는 고분자의 구조를 광범위로부터 선택할 수 있다. 또한, 활성 에너지선의 조사에 의해 발생한 아민 등의 염기성 물질의 촉매 효과에 의해, 예를 들면 폴리이미드 전구체나 폴리벤조옥사졸 전구체로부터 최종 생성물로의 이미드화 등의 환화 등의 반응에 필요로 하는 처리 온도를 저감할 수 있기 때문에, 프로세스로의 부하나 제품으로의 열에 의한 대미지를 저감하는 것이 가능하다. 또한, 활성 에너지선의 조사와 가열에 의해 염기를 발생하는 본 발명의 염기 발생제는, 고분자 전구체로부터 최종 생성물을 얻는 공정에 가열 공정이 포함되는 경우, 당해 가열 공정을 이용할 수 있기 때문에, 활성 에너지선의 조사량을 저감하는 것이 가능하고, 공정의 유효 이용도 가능하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 인쇄 잉크, 도료, 시일제, 접착제, 전자 재료, 광 회로 부품, 성형 재료, 레지스트 재료, 건축 재료, 광 조형, 광학 부재 등, 수지 재료가 이용되는 공지의 모든 분야, 제품에 이용할 수 있다. 도료, 시일제, 접착제와 같이, 전체면 노광하여 이용하는 용도에도, 영구막이나 박리막 등 패턴을 형성하는 용도에도, 어느 것이나 적합하게 이용할 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 내열성, 치수 안정성, 절연성 등의 특성이 유효로 되는 광범위한 분야, 제품, 예를 들면, 도료, 인쇄 잉크, 시일제, 또는 접착제, 혹은, 표시 장치, 반도체 장치, 전자 부품, 미소 전기 기계 시스템(Micro Electro Mechanical System(MEMS)), 광 조형물, 광학 부재 또는 건축 재료의 형성 재료로서 적합하게 이용된다. 예를 들면 구체적으로는, 전자 부품의 형성 재료로서는, 봉지 재료, 층 형성 재료로서, 프린트 배선 기판, 층간 절연막, 배선 피복막 등에 이용할 수 있다. 또한, 표시 장치의 형성 재료로서는, 층 형성 재료나 화상 형성 재료로서, 컬러 필터, 플렉시블 디스플레이용 필름, 레지스트 재료, 배향막 등에 이용할 수 있다. 또한, 반도체 장치의 형성 재료로서는, 레지스트 재료, 버퍼 코팅막과 같은 층 형성 재료 등에 이용할 수 있다. 또한, 광학 부품의 형성 재료로서는, 광학 재료나 층 형성 재료로서, 홀로그램, 광 도파로, 광 회로, 광 회로 부품, 반사 방지막 등에 이용할 수 있다. 또한, 건축 재료로서는, 도료, 코팅제 등에 이용할 수 있다. 또한, 광 조형물의 재료로서도 이용할 수 있다. 인쇄물, 도료, 시일제, 접착제, 표시 장치, 반도체 장치, 전자 부품, 미소 전기 기계 시스템, 광 조형물, 광학 부재 또는 건축 재료, 어느 것의 물품이 제공된다.
상기와 같은 특징을 갖는 점에서, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 패턴 형성용 재료로서도 이용하는 것이 가능하다. 특히, 폴리이미드 전구체 또는 폴리벤조옥사졸 전구체를 함유하는 감광성 수지 조성물을 패턴 형성용 재료(레지스트)로서 이용한 경우, 그에 따라 형성된 패턴은, 폴리이미드 또는 폴리벤조옥사졸로 이루어지는 영구막으로서 내열성이나 절연성을 부여하는 성분으로서 기능하고, 예를 들면, 컬러 필터, 플렉시블 디스플레이용 필름, 전자 부품, 반도체 장치, 층간 절연막, 배선 피복막, 광 회로, 광 회로 부품, 반사 방지막, 그 외의 광학 부재 또는 전자 부재를 형성하는 데에 적합하다.
<패턴 형성 방법>
본 발명의 패턴 형성 방법은, 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물로 이루어지는 도막 또는 성형체를 형성하고, 당해 도막 또는 성형체를, 소정 패턴 형상으로 활성 에너지선을 조사하고, 조사 후 또는 조사와 동시에 가열하고, 상기 조사 부위의 용해성을 변화시킨 후, 현상하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 감광성 수지 조성물을 어떠한 지지체 상에 도포하는 등 하여 도막을 형성하거나, 적합한 성형 방법으로 성형체를 형성하고, 당해 도막 또는 성형체를, 소정의 패턴 형상으로 활성 에너지선을 조사하고, 조사 후 또는 조사와 동시에 가열함으로써, 노광부에 있어서만, 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제가 개열하여 라디칼과 염기성 물질이 생성된다. 염기성 물질은, 노광부의 고분자 전구체의 고분자량화 반응을 촉진하는 촉매로서 작용한다.
폴리이미드 전구체 또는 폴리벤조옥사졸 전구체와 같이, 염기의 촉매 작용에 의해 열 경화 온도가 저하하는 고분자 전구체를 이용하는 경우에는, 우선, 이들 고분자 전구체 및 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제를 조합한 감광성 수지 조성물의 도막 또는 당해 감광성 수지 조성물로 이루어지는 성형체 상의 패턴을 남기고 싶은 부분을 노광한다. 노광에 의해, 또는 노광과 동시에 가열함으로써 발생하는 염기성 물질에 의해, 노광부의 열 경화 온도가 선택적으로 저하한다. 노광 후 또는 노광과 동시에, 노광부는 경화하지만 미노광부는 경화하지 않는 온도로 가열 처리하여 노광부만을 경화시킨다. 염기성 물질을 발생시키기 위한 가열 처리와, 노광부만을 경화시키기 위한 가열 처리(노광 후 베이크)는, 동일한 공정으로 해도 좋고, 다른 공정으로 해도 좋다. 다음으로, 소정의 현상액(유기 용매나 염기성 수용액 등)으로 미노광부를 용해하여 열 경화물로 이루어지는 패턴을 형성한다. 이 패턴에, 추가로 필요에 따라서 가열을 실시하여 열 경화를 완결시킨다. 이상의 공정에 의해, 통상 네거티브형의 소망하는 2차원 수지 패턴(일반적인 평면 패턴) 또는 3차원 수지 패턴(입체적으로 성형된 형상)이 얻어진다.
또한, 에폭시기나 시아네이트기를 갖는 화합물 및 고분자와 같이, 염기의 촉매 작용에 의해, 반응이 개시하는 바와 같은 고분자 전구체를 이용하는 경우에 있어서도, 우선, 이들 고분자 전구체 및 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제를 조합한 감광성 수지 조성물의 도막 또는 당해 감광성 수지 조성물로 이루어지는 성형체 상의 패턴을 남기고 싶은 부분을 노광한다. 노광에 의해, 또는 노광과 동시에 가열함으로써 발생하는 라디칼과 염기성 물질에 의해 노광부의 아크릴로일기, 에폭시기 또는 시아네이트기를 갖는 화합물의 고분자화 반응이 일어나, 노광부만이 경화한다. 염기성 물질을 발생시키기 위한 가열 처리와, 노광부만을 경화시키기 위한 가열 처리(노광 후 베이크)는, 동일한 공정으로 해도 좋고, 다른 공정으로 해도 좋다. 다음으로, 소정의 현상액(유기 용매나 염기성 수용액 등)으로 미노광부를 용해하여 열 경화물로 이루어지는 패턴을 형성한다. 이 패턴에, 추가로 필요에 따라서 가열을 실시하여 열 경화를 완결시킨다. 이상의 공정에 의해, 통상 네거티브형의 소망하는 2차원 수지 패턴(일반적인 평면 패턴) 또는 3차원 수지 패턴(입체적으로 성형된 형상)이 얻어진다.
본 발명의 감광성 수지 조성물을 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 메틸에틸케톤, 사이클로펜탄온, 사이클로헥산온, 아세트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤 등의 극성 용매, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소류 및, 이들 용매를 복수종 포함하는 혼합 용매 등에 용해 후, 침지법, 스프레이법, 플렉소 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 스크린 인쇄법, 스핀 코팅법, 디스펜스법 등에 의해, 실리콘 웨이퍼, 금속 기판, 세라믹 기판, 수지 필름 등의 기재 표면에 도포하고, 가열하여 용제의 대부분을 제거함으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물로 이루어지는 점착성이 없는 도막(드라이 필름)을 기재 표면에 형성할 수 있다. 도막의 두께에는 특별히 제한은 없지만, 0.5 내지 50㎛인 것이 바람직하고, 감도 및 현상 속도면에서 1.0 내지 20㎛인 것이 보다 바람직하다. 용제를 제거할 때의 건조 조건은, 예를 들면, 80 내지 100℃에서 1 내지 20분간이다.
이 도막에, 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통과시켜, 활성 에너지선을 조사하여 패턴 형상으로 노광을 행하고, 가열 후, 미노광 부분을 적절한 현상액으로 제거함으로써, 소망의 패턴화된 경화막을 얻을 수 있다.
노광 공정에 이용되는 노광 방법이나 노광 장치는 특별히 한정되는 일 없이, 밀착 노광이라도 간접 노광이라도 좋고, g선 스텝퍼, i선 스텝퍼, 초고압 수은등을 이용하는 콘택트/프록시미티 노광기, 미러 프로젝션 노광기, 또는 그 외의 자외선, 가시광선, X선, 전자선 등을 조사 가능한 투영기나 선원을 사용할 수 있다.
보호기를 탈리시켜 염기를 발생시키기 위해, 노광 전, 노광 후 또는 노광과 동시에 실시되는 가열의 온도는, 조합하는 고분자 전구체나 목적에 의해 적절히 선택하면 좋지만, 감광성 수지 조성물이 놓여진 환경의 온도(예를 들면, 실온)에 있어서도 서서히 염기가 발생하기 때문에, 속(速)경화의 필요가 없는 용도로 이용하는 경우 등은 가열을 실시하지 않아도 상관없다. 또한, 활성 에너지선의 조사에 의해 유발되는 열에 의해 염기를 발생시켜도 좋다. 가열 온도가 높을수록 효율 좋게 염기가 발생하기 때문에, 30℃ 이상이 바람직하고, 60℃ 이상이 보다 바람직하고, 100℃ 이상이 더욱 바람직하고, 120℃ 이상이 특히 바람직하다. 그러나, 예를 들면 60℃ 이상의 가열에서 미노광부가 경화하는 고분자 전구체도 있기 때문에, 적합한 가열 온도는, 상기에 한정되지 않는다. 고분자 전구체가 에폭시 수지인 경우, 바람직한 열 처리의 온도의 범위는 에폭시 수지의 종류에 의해 적절히 선택되지만, 통상 100℃ 내지 150℃ 정도이다.
또한, 가열에 의해 노광 전에 보호기를 탈리하는 경우는, 도막을 건조할 때의 가열 공정이라도 좋고, 다른 가열 공정이라도 좋다. 이 경우의 가열 온도는, 보호기가 탈리 가능한 온도를 적절히 선택하면 좋지만, 50 내지 180℃가 바람직하고, 가열 시간은 10초간 내지 60분간이 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물의 도막은, 가교 반응을 물리적으로 촉진하기 위해서나, 노광부만 경화시키는 반응을 행하기 위해, 노광 공정과 현상 공정의 사이에, 노광 후 베이크(PostExposure Bake: PEB)를 행하는 것이 바람직하다. 당해 PEB는, 활성 에너지선의 조사 및 가열에 의해 발생한 염기성 화합물의 작용에 의해, 염기성 화합물이 존재하는 노광부와, 염기성 화합물이 존재하지 않는 미노광부에서 이미드화율 등의 경화 반응의 반응률이 상이한 온도에서 행하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 이미드화의 경우, 바람직한 열 처리 온도의 범위는, 통상 60 내지 200℃ 정도이고, 보다 바람직하게는 120 내지 200℃이다. 열 처리 온도가 60℃보다도 낮으면, 이미드화의 효율이 나쁘고, 현실적인 프로세스 조건에서 노광부, 미노광부의 이미드화율의 차이를 발생시키는 것이 어려워진다. 한편, 열 처리 온도가 200℃를 초과하면, 아민이 존재하고 있지 않은 미노광부에서도 이미드화가 진행할 우려가 있어, 노광부와 미노광부의 용해성의 차이가 발생하기 어렵다. 이 열 처리는, 공지의 어떠한 방법으로 행해도 좋고, 예를 들면, 공기 또는 질소 분위기하의 순환 오븐이나, 핫 플레이트에 의한 가열 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 광 중합 개시제로부터는, 활성 에너지선의 조사와 가열에 의해 라디칼과 염기성 화합물이 발생하지만, 이 염기성 화합물을 발생시키기 위한 가열 처리와 PEB 처리는 동일한 공정으로 해도 좋고, 다른 공정으로 해도 좋다.
(현상액)
현상 공정에 이용되는 현상액으로서는, 미노광부를 선택적으로 용해할 수 있는 용액이나 용제이기만 하면 특별히 한정되지 않고, 본 발명의 감광성 수지 조성물이 함유하는 고분자 전구체에 맞추어 염기성 수용액이나 유기 용제 등으로부터 적절히 선택하는 것이 가능하다.
현상액으로서의 염기성 수용액은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 농도가, 0.01 내지 10질량％, 바람직하게는, 0.05 내지 5질량％의 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액 외에, 디에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 탄산수소 나트륨, 탄산수소 칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산 디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 사이클로헥실아민, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 테트라메틸암모늄 등을 용질로 한 수용액 등을 들 수 있다.
이들 용질은, 1종류를 이용해도 2종류 이상을 혼합하여 이용해도 좋고, 현상액 중에 차지하는 물의 함유량이 50％ 이상, 바람직하게는 70％ 이상이기만 하면 유기 용매 등을 포함하고 있어도 좋다.
또한, 현상액으로서의 유기 용제는 특별히 한정되지 않지만, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 디메틸아크릴아미드 등의 극성 용매, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알코올류, 아세트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류, 사이클로펜탄온, 사이클로헥산온, 이소부틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류, 그 외 테트라하이드로푸란, 클로로포름, 아세토니트릴 등을, 단독으로 혹은 2종류 이상을 조합하여 이용해도 좋다.
현상 후는 물 또는 빈용매로 세정을 행한다. 이 경우, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올류, 락트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류 등을 물에 더해도 좋다.
세정 후는 80 내지 100℃에서 건조하여 패턴을 안정된 것으로 한다. 이 릴리프 패턴을, 내열성이 있는 것으로 하기 위해 180 내지 500℃, 바람직하게는 200 내지 350℃의 온도에서 수십분 내지 수시간 가열함으로써 패턴화된 고내열성 수지층이 형성된다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세하게 설명하지만, 이들 실시예는, 본 발명을 적합하게 설명하기 위한 예시에 불과하고, 하등 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 또한, 합성예 및 실시예 중의 부는 질량부이다.
실시예 1: 본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물의 합성
(공정 1) 식 (31)로 나타나는 중간체 화합물의 합성
시안화 칼륨 1.9부에, 물 10부 및 에탄올 53부를 더하여 용해시킨 후, 질소 분위기하에서 초음파 처리함으로써 반응액의 탈기(脫氣)를 행했다. 이 용액에 하기식 (30)으로 나타나는 4-(메틸티오)벤즈알데히드 10부를 적하하고, 80℃로 가온하여 반응을 개시했다. 30분간 교반 후, 반응액을 3℃까지 냉각하여 석출한 결정을 흡인 여과로 회수했다. 회수한 결정을 대량의 에탄올을 이용하여 재결정에 의해 정제하여, 하기식 (31)로 나타나는 중간체 화합물을 7.6부 얻었다.
Figure pct00012
(공정 2) 식 (32)로 나타나는 중간체 화합물의 합성
교반기, 환류 냉각관 및 교반 장치를 구비한 플라스크에, 파라포름알데히드 9.0부와 디메틸술폭시드 170부를 더하여 교반한 후, 수산화 칼륨 1.4부를 에탄올 5부에 용해시킨 용액을 적하하여, 파라포름알데히드가 완전하게 용해될 때까지 교반했다. 상기에서 얻어진 디메틸술폭시드 용액에, 공정 1에서 얻어진 식 (31)로 나타나는 중간체 화합물 50부를 디메틸술폭시드 30부에 용해시킨 용액을 30분간에 걸쳐 적하하고, 실온에서 2시간 교반했다. 그 후 35％ 염산 2.6부를 적하하여 중화하고, 반응을 종료시켰다. 이 반응 용액에 톨루엔과 포화 식염수를 더하여 유기층에 반응 생성물을 추출한 후, 분리 및 농축한 유기층을 정석하여 하기식 (32)로 나타나는 중간체 화합물을 40부 얻었다.
Figure pct00013
(공정 3) 식 (33)으로 나타나는 중간체 화합물의 합성
플라스크 중에 1,1'-카보닐디이미다졸 8.2부, 톨루엔 27부를 더하여 균일하게 될 때까지 교반했다. 다음으로 공정 2에서 얻어진 식 (32)로 나타나는 중간체 화합물 10.2부를 더하여, 실온에서 3시간 교반을 계속한 후, 냉각에 의해 반응액을 정석하여 하기식 (33)으로 나타나는 중간체 화합물을 7.5부 얻었다.
Figure pct00014
(공정 4) 하기식 (C-1)로 나타나는 본 발명의 화합물(광 중합 개시제 C-1)의 합성
플라스크 중에 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔 0.08부, 피페리딘 1.0부, 톨루엔 28부를 더하여 균일하게 될 때까지 교반했다. 다음으로 공정 3에서 얻어진 식 (33)으로 나타나는 중간체 화합물 2.0부를 더하여, 액온 60℃에서 3시간 교반을 계속한 후, 냉각에 의해 반응액을 정석하여 하기식 (C-1)로 나타나는 본 발명의 화합물(개시제 C-1)을 1.3부 얻었다.
Figure pct00015
실시예 2: 본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물의 합성
(공정 5) 하기식 (C-2)로 나타나는 본 발명의 화합물(광 중합 개시제 C-2)의 합성
피페리딘 대신에 1,1,3,3-테트라메틸구아니딘을 이용한 것 이외는 공정 4와 마찬가지로 하여 하기식 (C-2)로 나타나는 본 발명의 화합물(개시제 C-2)을 1.5부 얻었다.
Figure pct00016
실시예 3: 본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물의 합성
(공정 6) 하기식 (C-3)으로 나타나는 본 발명의 화합물(광 중합 개시제 C-3)의 합성
피페리딘 대신에 디에틸아민을 이용한 것 이외는 공정 4와 마찬가지로 하여, 하기식 (C-3)으로 나타나는 본 발명의 화합물(개시제 C-3)을 2.3부 얻었다.
Figure pct00017
실시예 4: 본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물의 합성
(공정 7) 하기식 (C-4)로 나타나는 본 발명의 화합물(광 중합 개시제 C-4)의 합성
피페리딘 대신에 2-아미노피리딘을 이용한 것 이외는 공정 4와 마찬가지로 하여, 하기식 (C-4)로 나타나는 본 발명의 화합물(개시제 C-4)을 1.1부 얻었다.
Figure pct00018
실시예 5: 본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물의 합성
(공정 8) 하기식 (C-5)로 나타나는 본 발명의 화합물(광 중합 개시제 C-5)의 합성
피페리딘 대신에 2-메틸아미노피리딘을 이용한 것 이외는 공정 4와 마찬가지로 하여, 하기식 (C-5)로 나타나는 본 발명의 화합물(개시제 C-5)을 1.6부 얻었다.
Figure pct00019
실시예 6: 본 발명의 식 (1)로 나타나는 화합물의 합성
(공정 9) 하기식 (C-6)으로 나타나는 본 발명의 화합물(광 중합 개시제 C-6)의 합성
피페리딘 대신에 2-아미노-5-시아노피리딘을 이용한 것 이외는 공정 4와 마찬가지로 하여, 하기식 (C-6)으로 나타나는 본 발명의 화합물(개시제 C-6)을 1.6부 얻었다.
Figure pct00020
(실시예 7 내지 12 및 비교예 1 내지 3: 감광성 수지 조성물의 조제)
표 1에 기재된 배합량(질량부)에 따라 각 성분을 혼합하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.
(감광성 수지 조성물로 이루어지는 피막의 제작 및 가열 처리)
막두께 100㎛의 양면 이(易)접착 PET 필름(코스모샤인 A4300:100 토요보세키샤 제조) 상에, #14의 바 코터를 이용하여 실시예 7 내지 12 및 비교예 1 내지 3에서 얻어진 감광성 수지 조성물을 각각 도포한 후, 오븐을 이용하여 80℃×1분간의 가열 처리(노광 전 베이크)를 행하여, 용매를 증류 제거했다.
(노광 처리 및 가열 처리)
상기에서 얻어진 PET 필름 상의 피막에, 벨트 컨베이어식 고압 수은등 노광기를 이용하여 1패스의 노광량이 100mJ/㎠(벨트 컨베이어에서 고압 수은등까지의 높이 100㎜)의 조건으로 3패스의 노광을 행했다. 그 후, 오븐을 이용하여 60℃×15분간의 가열 처리(노광 후 베이크)를 행하여, 각 감광성 수지 조성물의 경화물(막두께 약 10㎛의 경화막)을 얻었다.
상기에서 얻어진 각 감광성 수지 조성물의 경화물에 대해서, 이하의 평가를 행하고, 결과를 표 1에 나타냈다.
(1) 연필 경도:
JIS K-5600에 준한 방법으로 750g의 가중으로 측정했다.
(2) 내찰상성:
#0000의 스틸 울을 이용하여 1000g의 하중으로 20회 문지른 후, 표면의 상태를 육안으로 관찰하여 이하의 평가 기준으로 평가했다.
○; 전혀 흠집이 나 있지 않다
△; 약간 흠집이 나 있다
×; 명백한 흠집이 나 있다
Figure pct00021
실시예의 감광성 수지 조성물은, 동(同)조건으로 조사를 행한 경우, 우수한 연필 경도 및 우수한 내찰상성을 갖는 점에서, 고압 수은등의 파장으로도, 고효율로 경화 반응이 진행되는 것을 알 수 있었다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명의 광 중합 개시제는 발생하는 염기 강도가 강하고, 당해 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물은 장파장의 활성 에너지선의 조사에 의해 고효율로 경화 반응이 진행되고, 또한 금속 기판을 부식할 우려가 없기 때문에 유용하다.

Claims (9)

  1. 하기식 (1)
    Figure pct00022

    (식 (1) 중, R1은 수산기, 알콕시기 또는 상기의 치환기 이외의 유기기를 나타내고; R2, R3, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기, 메르캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니오기 또는 상기의 치환기 이외의 유기기를 나타내고, 복수 존재하는 각각의 R2, R3, R5 및 R6은 서로 동일해도 상이해도 좋고; 또한, 동일한 벤젠환상에 존재하는 R2와 R3이 결합하여 환 구조를 형성해도 좋고, 동일한 벤젠환상에 존재하는 R5와 R6이 결합하여 환 구조를 형성해도 좋고; R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 티오에테르 결합을 포함하는 유기기를 나타내지만, R4의 적어도 한쪽은 티오에테르 결합을 포함하는 유기기이고; 또한, R4가 나타내는 티오에테르 결합을 포함하는 유기기와 R3 또는 R5가 결합하여 환 구조를 형성해도 좋고; A는 하기식 (1-1) 또는 (1-2)
    Figure pct00023

    (식 (1-1) 중, R7 및 R8은, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 혹은 복소환기를 나타내거나, 또는 R7과 R8이 결합하여 복소환을 형성해도 좋고; 식 (1-2) 중, R9 및 R10은 각각 독립적으로 아미노기 또는 치환 아미노기를 나타냄)
    로 나타나는 치환기를 나타냄)
    로 나타나는 화합물.
  2. 제1항에 있어서,
    R4의 한쪽이, 티오에테르 결합을 포함하는 알킬기 또는 티오에테르 결합을 포함하는 아릴기이고, 다른 한쪽이 수소 원자, 티오에테르 결합을 포함하는 알킬기 또는 티오에테르 결합을 포함하는 아릴기인 화합물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    R1이 수산기인 화합물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 광 중합 개시제.
  5. 제4항에 기재된 광 중합 개시제 및, 광 중합 개시제의 존재하에 있어서 광 조사에 의해 혹은 광 조사와 가열에 의해 중합할 수 있는 고분자 전구체를 함유하는 감광성 수지 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 고분자 전구체가, 에폭시기, 이소시아네이트기, 옥세탄기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 말레이미드기 및 티이란기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 치환기를 갖는 화합물; 폴리실록산 전구체; 폴리이미드 전구체 및 폴리벤조옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 감광성 수지 조성물.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 고분자 전구체가, 에폭시기를 갖는 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 고분자 전구체가, 아크릴로일기를 갖는 화합물과 폴리실록산계 전구체를 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  9. 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물의 경화물.
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