JP2002265531A - 塩基増殖性不飽和化合物、塩基増殖性樹脂及び該樹脂を含む組成物 - Google Patents

塩基増殖性不飽和化合物、塩基増殖性樹脂及び該樹脂を含む組成物

Info

Publication number
JP2002265531A
JP2002265531A JP2001071013A JP2001071013A JP2002265531A JP 2002265531 A JP2002265531 A JP 2002265531A JP 2001071013 A JP2001071013 A JP 2001071013A JP 2001071013 A JP2001071013 A JP 2001071013A JP 2002265531 A JP2002265531 A JP 2002265531A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base
group
proliferating
resin
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001071013A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunihiro Ichimura
國宏 市村
Koji Arimitsu
晃二 有光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP2001071013A priority Critical patent/JP2002265531A/ja
Publication of JP2002265531A publication Critical patent/JP2002265531A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 塩基増殖性不飽和化合物を提供する。 【解決手段】 下記一般式(1) 【化1】 (式中、Xは水素原子又はメチル基、Yは二価の有機
基、R1、R2は水素原子又はメチル基、R3、R4はそれ
らのハメット置換基定数σmの総和が0〜0.85であ
る置換基を示す)で表される塩基増殖性不飽和化合物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、塩基の作用によっ
て塩基を発生する塩基増殖性不飽和化合物、塩基増殖性
樹脂、塩基増殖性樹脂組成物、塩基反応性組成物、感光
性組成物、高分子パターン形成方法及び高分子成形品の
製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】活性エネルギー線に感じる樹脂あるいは
その組成物は、光、赤外線、遠赤外線、電子線、あるい
はX線などの活性線の作用によって生じる化学的な構造
変化を画像形成材料として用いたり、モノマーやプレポ
リマーの硬化を表面被覆処理に用いるなど、多方面に実
用化されている。活性線のうち、広く用いられているも
のが光であり、以下、活性エネルギー線を光に特定し説
明する場合があるが、本発明の樹脂あるいはその組成物
に対する活性エネルギー線は光に限定されるものではな
い。これまでに、モノマーやプレポリマーの活性エネル
ギー線による硬化速度を向上させるために、さまざまな
試みがなされてきた。もっとも広く開発の対象となって
きたのが、光の作用で発生するラジカル種を開始剤とし
て、多数のビニルモノマーを連鎖的に重合させる光重合
系である。また、光の作用で酸を発生させ、この酸を触
媒とするカチオン重合系も活発な開発の対象である。し
かしながら、ラジカル重合系の場合には、空気中の酸素
によって重合反応が阻害されるために、とくに薄膜系で
は硬化が抑制されるために、酸素遮断のための特別な工
夫が必要とされる。一方、カチオン重合系では、このよ
うな酸素阻害効果がない点で有利であるが、酸発生剤か
ら発生する強酸が硬化後も残存するために、その腐食性
や樹脂の変性が問題として指摘されている。また、光や
電子線による照射と熱処理とを組み合わせたハイブリッ
ド型硬化技術も同様に、表面被覆物の高速処理や無溶媒
製造プロセスを実現するものとして、広く実用に供され
ている。さらには、潜在的に酸や塩基を熱的に発生する
原理を取り入れた一液性の感熱硬化樹脂組成物も広く検
討の対象となっているが、いずれも、省エネルギーの観
点から、熱処理過程での硬化をより迅速に行うことが待
望されていた。
【0003】このような問題点を克服するひとつの方法
として、塩基触媒による重合反応や化学反応を用いるこ
とが提案されている。たとえば、光や熱の作用によって
塩基を発生させ、これを触媒として樹脂を化学変性する
方法がある。たとえばエポキシ基を有する化合物は塩基
の作用によって架橋反応を起こすので、光や熱の作用に
よって開始剤あるいは触媒としてのアミン類をエポキシ
系樹脂層内で発生させ、ついで、加熱処理などによって
硬化させる方法がある。しかしながら、活性エネルギー
線の作用による硬化速度は低いために、実用に供される
には至っていない。このように、活性エネルギー線を利
用して液状物を迅速に固化又は硬化させる硬化技術をい
っそう高性能化するために、空気中の酸素による阻害効
果を受けず、生成する強酸のような腐食性物質を含ま
ず、さらには、高効率で反応が進行する樹脂組成物が強
く望まれていた。
【0004】触媒反応では、そこに関与する触媒分子の
数は変化することがないために、なんらかの被毒作用に
よって触媒は失活して反応が停止する。あるいは、固体
中での拡散が強く抑制されることによっても、触媒反応
は停止する。したがって、触媒反応をさらに高効率化さ
せるためには、たとえば、触媒作用を有する分子の数を
触媒反応の過程で増加させればよい。すなわち、自己触
媒的に分解し、新たに触媒能を有する分子を生成する物
質を見いだせばよい。実際に、これまでに自己触媒的に
分解して強酸を発生し、強酸の濃度が非線形的に増大す
る特性を有する、酸増殖反応が提案されている(特開平
8−248561、有光晃二、市村國宏、増殖反応を組
み込んだ高感度有機系光画像形成材料、機能材料、17
(12),16-24(1997)参照)。このように増殖的に酸
が増加する酸増殖剤が見いだされており、それらを添加
することによって高性能化が図られる樹脂組成物も知ら
れている(Koji Arimitu, Kazuaki Kudo and Kunihiro
Ichimura, J.Am.Chem.Soc.,120,37-45(1998)参照)。
そこで、本発明者らは、塩基の作用によって自ら分解し
て新たな塩基を生成する塩基増殖反応、および、それを
実現する塩基増殖剤を見いだすべく、鋭意検討を重ねて
きた。その結果、ある種のウレタン誘導体が実際に、塩
基増殖反応を起こすことを見いだした(M.Miyamoto, K.
Arimitu and K.Ichimura, J.Photopolym.Sci.Technol.,
12, 315(1999)およびK.Arimitsu, M.Miyamoto and
K.Ichimura, J.Photopolym.Sci.Technol., 12, 315 (19
99))。この増殖反応で発生する塩基は主として1級あ
るいは2級の脂肪族アミンであり、比較的揮発性に富ん
でいる。この塩基増殖反応を効率よく行わせるために
は、通常加熱処理を必要とする。そのため増殖反応で発
生するアミンはこの開放系での加熱処理の過程で蒸発飛
散し、たとえば、エポキシ樹脂のアミン硬化を行う場合
に十分な塩基増殖剤の添加効果が認められないという欠
点があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、新しい塩基
増殖性不飽和化合物、塩基増殖性樹脂、塩基増殖性樹脂
組成物、塩基反応性組成物、該塩基反応性組成物を用い
る高分子パターン形成方法及び該塩基反応性組成物を用
いる高分子成形品の製造方法を提供することをその課題
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、以下に示す塩基増殖
性不飽和化合物、塩基増殖性樹脂、塩基増殖性樹脂組成
物、塩基反応性組成物、感光性組成物、パターン形成方
法及び高分子成形品の製造方法が提供される。 (1)下記一般式(1)
【化4】 (式中、Xは水素原子又はメチル基、Yは二価の有機
基、R1、R2は水素原子又はメチル基、R3、R4はそれ
らのハメット置換基定数σmの総和が0〜0.85であ
る置換基を示す)で表される塩基増殖性不飽和化合物。 (2)下記一般式(2)
【化5】 (式中、Xは水素原子又はメチル基、Yは二価の有機
基、R1、R2は水素原子又はメチル基、R3、R4はそれ
らのハメット置換基定数σmの総和が+0.10〜0で
ある置換基を示す)で表されるモノマー単位を少なくと
も主鎖の一部に含有するポリマーからなることを特徴と
する塩基増殖性樹脂。 (3)下記一般式(3)
【化6】 (式中、Xは水素原子又はメチル基、Yは二価の有機
基、R1、R2は水素原子又はメチル基、R3、R4はそれ
らのハメット置換基定数σmの総和が0〜0.85であ
る置換基を示し、Zは水素原子又はメチル基を示し、A
は活性エネルギー線の照射により塩基を発生する基を示
し、m及びnは分子中に含まれる各モノマー単位の割合
(モル%)を示す)で表されるコポリマーからなる光塩
基発生性塩基増殖性樹脂。 (4)前記(2)の塩基増殖性樹脂と塩基発生剤とから
なることを特徴とする塩基増殖性樹脂組成物。 (5)該塩基発生剤が、加熱により塩基を発生する化合
物からなる前記(4)の組成物。 (6)該塩基発生剤が、活性エネルギー線の照射により
塩基を発生する化合物からなる前記(4)の組成物。 (7)前記(2)の塩基増殖性樹脂、塩基発生剤及び塩
基反応性物質からなることを特徴とする塩基反応性組成
物。 (8)該塩基発生剤が、加熱又は活性エネルギー線の照
射により塩基を発生する化合物からなる前記(7)の組
成物。 (9)前記(2)の塩基増殖性樹脂、光塩基発生剤及び
重合性エポキシ化合物からなることを特徴とする感光性
組成物。 (10)前記(3)の光塩基発生性塩基増殖性樹脂と塩
基反応性物質とからなることを特徴とする塩基反応性組
成物。 (11)前記(3)の光塩基発生性塩基増殖性樹脂と重
合性エポキシ化合物とからなることを特徴とする感光性
組成物。 (12)前記(9)又は(11)の感光性組成物をパタ
ーン形成材料として用いることを特徴とするパターン形
成方法。 (13)前記(9)の感光性組成物に活性エネルギー線
をパターン状に照射し、加熱処理を施すことを特徴とす
る高分子パターンの形成方法。 (14)前記(9)又は(11)の感光性組成物からな
る成形品に活性エネルギー線を照射し、加熱処理を施す
ことを特徴とする高分子成形品の製造方法。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明による前記一般式(1)の
塩基増殖性不飽和化合物は、ビニル系モノマーとして使
用することができる。このものは、塩基触媒反応によっ
て分解して新たに触媒能を有する塩基としての1級アミ
ンを発生し、これが新たな触媒として機能して増殖的に
多数のアミンを生成する。ある種のウレタン誘導体は加
熱によって分解することが良く知られている。たとえ
ば、フェノールのような酸性度が比較的高い芳香族水酸
基とイソシアナートからなるウレタンは熱分解してイソ
シアナートを再生する。また、脂肪族アルコールからな
るある種のウレタン誘導体は熱分解してアミンを発生す
ることも知られている(特開平11−269138号公
報)。前記一般式(1)で表される本発明のビニル基を
有するウレタン誘導体は塩基の存在下で分解が起こるこ
とを特徴とし、その結果自己触媒的な塩基増殖反応を引
き起こすことが従来のウレタン誘導体の熱分解反応と本
質的に異なる。この塩基増殖反応は、前記一般式(1)
におけるR3およびR4が結合した炭素に結合している水
素原子が塩基の作用によって引き抜かれ、ついで、カル
バミン酸が脱離し、これがさらに分解して、塩基と二酸
化炭素を生成する。ここで発生する塩基がふたたびウレ
タン誘導体から水素原子を引き抜きことによって、増殖
反応が進み、最終的には、アミンとオレフィンと二酸化
炭素を生成する。
【0008】本発明による前記一般式(1)で表される
塩基増殖性基を含有する本発明のモノマーは、下記一般
式(4)
【化7】 (式中、XおよびYは前記と同じ意味を持つ)で表され
るイソシアネート基で置換された(メタ)アクリレート
と、下記一般式(5)
【化8】 (式中、R1、R2、R3およびR4は前記と同じ意味を持
つ)で表されるアルコールとを反応させることにより、
製造することができる。この反応を促進するために、慣
用のウレタン形成用触媒が好適に用いられる。
【0009】前記一般式(1)、(2)、(3)及び
(5)において、R1およびR2は水素原子又はメチル基
であるが、上記の増殖的分解反応が起こるためには、β
位の水素がアミンによってプロトンとして脱離してカル
バニオンを形成する必要がある。このため、R3、R
4は、少なくともそのいずれかは電子吸引基であること
が求められる。電子吸引性の程度は、置換基定数σ
たは芳香族置換基定数σによって見積もることができ
る。これらの置換基定数については、文献「田部浩三、
竹下常一著、「酸塩基触媒」、産業図書(1965年)
の第301から305頁に詳述されている。一般式
(2)及び(3)で示されるポリマー(樹脂)の増殖的
な分解反応が起こるためには、R3およびR4の置換基定
数σの総和が0〜0.85、好ましくは0.80、よ
り好ましくは0.02〜0.70、さらに好ましくは
0.02〜0.60である。これ未満の値であれば塩基
増殖反応の速度が著しく低いし、これより高い値の場合
には、ウレタン基自体が容易に熱分解して著しく安定性
に劣る。また、R3及びR4は、オレフィン性二重結合と
共役し得る置換基であることが好ましい。
【0010】本発明でR3及びR4として好適に用いられ
る電子吸引性であり、かつ、オレフィン性二重結合と共
役しうる置換基としては、ビニル基、クロチル基、フェ
ニル基、置換フェニル基、芳香族性複素環残基(チエニ
ル基、ピリジル基、フリル基、ピリミジル基、チアゾリ
ル基等)、シアノ基、ホルミル基、ケトン性カルボニル
基、エステル性カルボニル基、アミド性カルボニル基、
アンモニオ基、ニトロ基、アセトアミド基、トリフルオ
ロメトキシ基、フェノキシ基、アルコキシ基、アセトキ
シ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、
アリールチオ基、アルキルチオ基、イミド基、などをあ
げることができる。また、R3とR4とは結合して環状構
造を形成していてもよい。たとえば、R3とR4は結合し
てフルオレニル基、インダニル基などの環状基であるこ
とができる。
【0011】前記一般式(1)、(2)、(3)及び
(4)において、Yは2価有機基を示すが、この2価有
機基には、2価脂肪族基及び2価芳香族基が包含され
る。2価脂肪族基において、その炭素数は、1〜20、
好ましくは2〜14である。2価脂肪族基には、鎖状及
び環状のものが包含される。鎖状のものには、アルキレ
ン基及びアルケニレン基が包含されるが、好ましい鎖状
脂肪族基は、炭素数3〜10、好ましくは4〜8のアル
キレン基である。2価環状脂肪族基には、炭素数5〜2
0、好ましくは6〜10の脂肪族環を有するものが包含
される。前記脂肪族基には、置換基が結合していてもよ
い。この場合の置換基は、前記反応に対して不活性なも
のである。このような置換基には、ハロゲン原子、炭素
数1〜6のアルコキシ基、炭素数1〜6のアルコキシカ
ルボニル基、炭素数1〜6のアシル基等が包含される。
また、鎖状脂肪族基は、その主鎖中に、酸素原子、窒素
原子、イオウ原子等のヘテロ原子を含有していてもよ
い。
【0012】前記2価芳香族基には、その芳香環が炭素
環又は複素環からなるものが包含される。また、その炭
素環からなる芳香族基には、単独(ベンゼン環)、縮合
多環(ナフタレン環、ピレン環、アズレン環、フルオレ
ン環、アントラセン環、クリセン環等)及び鎖状多環
(ビフェニル環、ターフェニル環等)が包含される。複
素環からなる芳香族基は、窒素原子、酸素原子、イオウ
原子等のヘテロ原子の少なくとも1つを含有するヘテロ
芳香族基である。このような芳香族基には、その環構成
原子数が4〜20、好ましくは5〜10のものが包含さ
れる。その複素環を例示すれば、チオフェン環、ベンゾ
チオフェン環、チアンスレン環、フラン環、ベンゾフラ
ン環、カルバゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピロ
リジン環等が挙げられる。前記2価芳香族基には、置換
基が結合していてもよい。この場合の置換基は、前記反
応に対して不活性なものである。このような置換基に
は、ハロゲン原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数
1〜6のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基等が包
含される。
【0013】前記一般式(4)で表される化合物の具体
例としては、以下のものを示すことができる。
【化9】
【0014】前記一般式(5)で表されるアルコールの
具体例として、以下のものを例示することができる。
【化10】
【0015】前記一般式(1)で表される本発明の塩基
増殖性不飽和化合物の具体例としては、以下のものを例
示することができる。
【化11】
【化12】
【0016】前記一般式(4)の化合物と前記一般式
(5)の化合物との反応は、反応溶媒中でウレタン形成
用触媒の存在下、室温〜150℃、好ましくは40〜1
20℃で実施することができる。反応溶媒としては、ベ
ンゼン、トルエン等の芳香族溶媒を用いることができ
る。触媒としては、ジブチルチンラウレート等の有機ス
ズ化合物を用いることができる。
【0017】本発明による前記一般式(2)で表される
ポリマー(樹脂)は、前記一般式(1)で表される不飽
和化合物〔モノマー(A)〕を単独重合させることによ
り、あるいはビニル系モノマー(B)と共重合させるこ
とにより得ることができる。前記ビニル系モノマーとし
ては、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸
エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリ
ル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)
アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、
(メタ)アクリル酸2エチルヘキシル、(メタ)アクリ
ル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸フェニル、(メタ)
アクリル酸2テトラヒドロフルフリル、(メタ)アクリ
ル酸2ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2ヒドロ
キシプロピル、(メタ)アクリル酸グリシジル、(メ
タ)アクリル酸メトキシジエチレングリコール、(メ
タ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸ジ
エチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸トリフルオロ
メチル、(メタ)アクリル酸2,2,3,3テトラフル
オロエチル、(メタ)アクリル酸2,2,3,3,4,
4,4ヘキサフルオロブチル、(メタ)アクリル酸パー
フルオロオクチルエチル、(メタ)アクリルアミド、N
イソプロピル(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリ
ルモルホリド、N,Nジメチル(メタ)アクリルアミ
ド、Nビニルピロリドン、スチレン、メチルビニルエー
テル、無水マレイン酸などを挙げることができる。
【0018】前記一般式(1)のモノマー(A)の重合
反応及び前記一般式(1)のモノマー(A)と前記ビニ
ルモノマー(B)との共重合反応は、従来公知の方法に
従って、ラジカル重合開始剤等の存在下で実施される。
この場合、その重合反応は40〜120℃、好ましくは
50〜100℃で実施され、必要に応じ、反応溶媒とし
て、ベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン、などの
有機溶媒が用いられる。また、当該モノマーを公知の方
法によって水に分散させて行う懸濁重合法を用いること
もできる。
【0019】前記一般式(1)で表されるモノマー
(A)と前記ビニルモノマー(B)との割合を示すと、
全モノマー量〔モノマー(A)とモノマー(B)との合
計量〕に対して、モノマー(A)の割合は1〜100モ
ル%、好ましくは10〜90モル%であり、モノマー
(B)の割合は、99〜0モル%、好ましくは90〜1
0モル%である。本発明による前記一般式(1)の不飽
和化合物の単独重合体又は共重合体におけるその平均重
合度は、通常、10〜100000、好ましくは100
〜10000である。
【0020】本発明によれば、前記一般式(1)のモノ
マーと、光照射によって塩基を発生するビニルモノマー
(B')とを反応させて、前記一般式(3)で表される
共重合体を得ることができる。この場合の共重合反応
も、従来公知の方法に従って、ラジカル重合開始剤等の
存在下で実施される。この場合、その重合温度は、40
〜120℃、好ましくは50〜100℃であり、必要に
応じ、反応溶媒として、トルエン、ベンゼン、テトラヒ
ドロフラン等を用いることができる。また、当該モノマ
ーを公知の方法によって水に分散させて行う懸濁重合法
を用いることもできる。前記一般式(1)で表されるモ
ノマー(A)と光照射によって塩基を発生するビニルモ
ノマー(B’)との割合を示すと、全モノマー量(モノ
マー(A)+モノマーB+モノマー(B’)との合計
量)に対し、モノマー(A)の割合は10〜99モル
%、好ましくは20〜90モル%であり、モノマー
(B’)の割合は、1〜30モル%、好ましくは5〜2
0モル%である。本発明による前記一般式(3)で表さ
れる共重合体におけるその平均重合度は、通常、10〜
100000、好ましくは100〜10000である。
【0021】前記光塩基発生性ビニルモノマーは、下記
一般式(6)で表すことができる。
【化13】 前記式中、Zは水素原子又はメチル基を示し、Aは活性
エネルギー線(光、紫外線、電子線等)により塩基を発
生する基を示す。前記光塩基発生基Aとしては、下記の
ものを例示することができる。
【0022】
【化14】 (1) −COO−[R5]p−N=C(R6)(R7) 式中、R5は2価連結基を示し、pは0又は1の数を示
し、R6、R7は脂肪族基又は芳香族基を示すが、その少
なくとも一方は芳香族基を示す。2価連結基R5には、
炭素数1〜10、好ましくは1〜8のアルキレン基や、
式−RNHCOO−(式中、Rは炭素数1〜10、好ま
しくは1〜6のアルキレン基を示す)で表される基が包
含される。R6、R7に関する脂肪族基には炭素数1〜1
0、好ましくは1〜6のアルキル基が包含される。
6、R7に関する芳香族基には、ベンゼン環やナフタレ
ン環等の芳香環を含むアリール基やアリールアルキル基
が包含される。
【0023】
【化15】 (2) −COO−R8+N(R9)(R10)−R11−Ar 式中、R8は2価連結基を示し、R9、R10は脂肪族基を
示し、R11は2価連結基を示し、Arは芳香族基を示
す。2価連結基R8及びR11には、炭素数1〜10、好
ましくは1〜8のアルキレン基が包含される。R9、R
10に関する脂肪族基には、炭素数1〜10、好ましくは
1〜6のアルキル基が包含される。芳香族基Arには、
ベンゼン環、ナフタレン環、ビフェニル環、ターフェニ
ル環等の芳香環を有するアリール基や、−Ph−CO−
h(Ph:芳香環)、−Ph−O−Ph(Ph:芳香環)
等の含酸素置換基を有するアリール基が包含される。
【0024】
【化16】 (3) −COO−R−NHCOOC(Ar1)(Ar2) 式中、Rは2価連結基を示し、Ar1、Ar2は芳香族基
又は芳香族カルボニル基を示す。前記2価連結基には、
炭素数1〜10、好ましくは1〜8のアルキレン基が包
含される。芳香族基には、ベンゼン環やナフタレン環等
の芳香環を含むアリール基やアリールアルキル基が包含
される。これらのアリール基は、アルコキシ基等の置換
基を有することができる。芳香族カルボニル基には、ベ
ンゼン環やナフタレン環等の芳香環を有するカルボニル
基が包含される。
【0025】
【化17】 (4) −COORNHCOOR’−Ar 式中、R、R’は2価連結基を示し、Arは芳香族基を
示す。前記連結基には、炭素数1〜10、好ましくは1
〜8のアルキレン基が包含される。前記芳香族基には、
ベンゼン環やナフタレン環等の芳香環を有するアリール
基が包含される。アリール基は、アルコキシ基等の置換
基を有することができる。
【0026】前記一般式(6)で表される光塩基発生性
ビニルモノマーの具体例としては、例えば、以下のもの
を挙げることができる。
【0027】
【化18】
【0028】本発明による前記一般式(2)で表される
樹脂は、そのウレタン基が塩基の存在下で、下記式のよ
うに二酸化炭素の発生を伴って分解し、アミノ基とオレ
フィンを生成する。
【化19】 ここで発生するアミノ基は、そのウレタン基自体の分解
を引き起こすために十分な塩基性を有するために、この
反応は自己触媒的に進行する。すなわち、前記一般式
(1)のモノマーからは、増殖的にアミノ基が発生す
る。低分子ウレタン系塩基増殖剤は、溶液中あるいは高
分子膜中で増殖的に分解してアミンを発生することは知
られているが、前記一般式(2)で表されるウレタン基
を樹脂本体に結合したものでも、増殖反応が円滑に進行
することは意外なことであった。
【0029】本発明によれば、前記一般式(2)で表さ
れる樹脂と、塩基発生剤とからなる塩基増殖性組成物が
提供される。塩基発生剤には、加熱により塩基を発生す
るものや、活性エネルギー線(光やX線等の電磁波や電
子線等)の照射により塩基を発生するもの等が包含され
る。このような塩基発生剤は従来公知のものであり、各
種のものを用いることができる。例えば、光の作用によ
って塩基を発生する塩基発生剤としては、化学増幅型フ
ォトレジストに利用されるものが用いられる(有機エレ
クトロニクス材料研究会編、「イメージング用有機材
料」、ぶんしん出版(1993年参照))。また、これ
らの光塩基発生剤の感光波長領域を拡大するために、適
宜光増感剤を共存させることもできる。これらの物質の
光分解によって生成する塩基は、光反応性物質とともに
塩基増殖剤に作用して塩基の発生を促進する。以下に本
発明に好ましく用いられる光塩基発生剤を例示する。
【0030】
【化20】
【0031】
【化21】
【0032】
【化22】
【0033】
【化23】
【0034】
【化24】
【0035】
【化25】
【0036】前記No(1)〜(10)の化合物は、オ
キシムエステル系化合物であって、光の作用によりシッ
フ塩基を発生し、この加水分解によってアミンを生成す
る。ここで、No(9)及びNo(10)の化合物は高
分子化合物であって、その高分子側鎖に対する光照射に
よってアミンを発生する。No(21)〜(28)の化
合物は、ベンゾイン系化合物であって、光分解によって
アミンを発生する。No(31)〜(35)の化合物は
ジメトキシベンジルウレタン系化合物であって、光分解
によってアミンを発生する。No(41)〜(43)の
化合物は、オルトニトロベンジルウレタン系化合物であ
って、光分解によってアミンを発生する。No(61)
〜(64)には、他の光塩基発生剤を示す。No(6
1)の化合物は光の照射により塩基としてアンモニアを
発生する。No(62)の化合物は光の照射により塩基
としてヒドロキシドイオンを発生する。No(63)の
化合物は光の照射により塩基としてアミンを発生する。
No(64)の化合物は光の照射により塩基としてアミ
ンを発生する。
【0037】加熱によって塩基を発生する塩基発生剤と
しては、例えば、以下のものを示すことができる。
【化26】
【0038】前記一般式(2)で表される樹脂(重合体
又は共重合体)と、塩基発生剤とからなる本発明の塩基
増殖性樹脂組成物において、その塩基発生剤の割合は特
に制約されないが、塩基増殖性樹脂100重量部当り、
通常、1〜100重量部、好ましくは3〜20重量部の
割合である。前記塩基増殖性樹脂組成物は、熱や光など
の作用により、その塩基を増殖的に発生する。この組成
物は、これを各種の塩基反応性物質に配合することによ
り、その塩基反応性物質の反応を加熱や光照射により開
始させることができる。
【0039】本発明によれば、塩基反応性物質、前記一
般式(2)の塩基増殖性樹脂及び塩基発生剤を含有する
塩基反応性組成物が提供される。この組成物は液状又は
固体状であることができる。塩基反応性物質には、塩基
の作用により、分解反応や、脱離反応、縮合反応、重合
反応等の化学反応を生起する1種又は2種以上の化学物
質が包含される。この化学物質は、低分子物質や、オリ
ゴマー、高分子(ポリマー)等であることができる。塩
基反応性物質は、塩基触媒反応を起こす残基で置換され
た高分子物質であることができ、また、塩基触媒により
縮合反応を起こす樹脂組成物又はポリマーであることが
できる。それらの例を以下に示す。
【0040】
【化27】 (前記式中、nは重合度を示し、20〜10000の数
を示す)
【0041】前記No(1)〜(10)の高分子化合物
のうち、 No(1)〜(4)の化合物は塩基の作用に
より脱離及び脱炭酸の反応を生じる。No(5)〜
(6)の化合物は塩基の作用により脱離反応を生じる。
No.(7)〜(8)の物質(混合物)は、塩基の作用
により脱水縮合及び架橋の反応を生じる。 No.
(9)の物質(ポリマー)は塩基の作用により脱炭酸の
反応を生じる。 No.(10)の物質は塩基の作用に
よりポリイミド形成の反応を生じる。
【0042】塩基反応性物質は、少なくとも2つのエポ
キシ基を有する物質であることができる。少なくとも2
つのエポキシ基を有する化合物に塩基(アミン)を作用
させることによって、そのエポキシ化合物をそのエポキ
シ基の開環重合によりポリマーとすることができる。ま
た、エポキシ化合物にアミンを付加反応させることによ
り、そのエポキシ化合物を化学変性することができる。
重合反応性を示すエポキシ化合物の具体例を以下に示
す。
【0043】
【化28】
【0044】重合反応性を示す他のエポキシ化合物(エ
ポキシ樹脂)の例を以下に示す。
【0045】
【化29】 (nは1〜5の数を示す)
【化30】 (nは1〜10の数を示す)
【化31】 (nは重合度を示し、10〜10000の数を示す)
【0046】前記塩基反応性組成物において、塩基反応
性物質の割合は、塩基増殖性樹脂中のウレタン残基1当
量当り、0.1〜10当量、好ましくは0.4〜5当
量、より好ましくは0.5〜3当量である。
【0047】前記塩基反応性組成物に、低分子塩基増殖
剤を添加することができる。低分子塩基増殖剤として
は、脂肪族の1級あるいは2級アミンを下記一般式
(7)
【化32】 (式中、R1、R2、R3及びR4は前記を同じ意味を持
つ)で表されるアルコキシアルボニル基で置換したウレ
タン基を一つあるいは二つ持つ化合物が好適に用いられ
る。これらのモノあるいはビスウレタン誘導体は増殖的
にアミンを発生するので、この添加によって、塩基増殖
性プレポリマーの反応がさらに加速される。このために
用いられる低分子塩基増殖剤を以下に例示する。
【0048】
【化33】
【0049】
【化34】
【0050】前記組成物には、必要に応じ、顔料、シリ
カ粒子等の補助添加成分を適量加えることができる。
【0051】本発明によれば、前記一般式(3)で表さ
れる共重合体からなる光塩基発生剤が提供される。この
ものは、液状又は固体状であることができる。この樹脂
は、これに光等の活性エネルギー線を照射すると、樹脂
中に含まれている光塩基発生基Aが分解して塩基を発生
する。そして、この塩基は、樹脂中に含まれるウレタン
基を分解して塩基を発生させる。このウレタン基から発
生した塩基により樹脂中に含まれるウレタン基が分解さ
れる。このようにして、組成物中には、塩基量が増殖的
に増大していく。本発明による前記一般式(3)で表さ
れる樹脂は、前記のように、光の作用により、塩基を増
殖的に発生する。従って、この樹脂は光塩基発生剤とし
て使用することができ、これを各種の塩基反応性物質に
配合することにより、その塩基反応性物質の反応を光照
射により開始させることができる。
【0052】本発明による好ましい塩基反応性組成物は
光により重合反応を開始する感光性組成物である。この
組成物は、重合性エポキシ化合物と前記一般式(2)塩
基増殖性樹脂と光塩基発生剤とからなるか又は重合性エ
ポキシ化合物と前記一般式(3)の光塩基発生性塩基増
殖性樹脂とからなり、必要に応じ、低分子塩基増殖剤、
重合性エポキシ化合物用硬化剤や硬化促進剤、その他充
填剤等の補助成分を含む組成物である。この組成物はパ
ターン形成材料や皮膜形成材料として有利に用いられ
る。
【0053】この感光性組成物を用いてパターンを形成
するには、例えば、塩基増殖性樹脂と光塩基発生剤から
なる感光性組成物を有機溶媒に溶解して塗布液を作り、
この塗布液を基板等の適当な固体表面に塗布し、乾燥し
て塗膜を形成する。この塗膜に対して、パターン露光を
行って塩基を発生させる。ついで、加熱処理を行いなが
ら塩基増殖性樹脂の連鎖的な分解を促して塩基量を増殖
させ、エポキシ化合物を重合させる。パターンを形成す
るために必要な露光時間は、光塩基発生剤の種類、エポ
キシ化合物の種類、露光エネルギー等によって変動する
が、数秒から数分である。露光後の加熱温度は40度か
ら150度の範囲、より好ましくは60度から130度
の範囲であり、加熱時間は10秒から5分、より好まし
くは10秒から5分である。これを露光部と未露光部と
で溶解度に差を生じる溶媒中に浸漬して現像を行ってパ
ターンを得る。ウレタン基が分解してアミノ基が発生す
るので、現像液として水あるいは酸性水溶液を用いるこ
とができる。
【0054】前記感光性組成物を用いて硬化被膜を形成
するには、例えば、その感光性組成物を有機溶媒に溶解
して塗布液を作り、この塗布液を基板等の適当な固体表
面に塗布し、乾燥して塗膜を形成する。この塗膜に対し
て、光を照射して塩基を発生させる。ついで、加熱処理
を行いながら塩基増殖性の連鎖的な分解を促して塩基量
を増殖させ、これによってエポキシ樹脂を重合させる。
加熱処理の条件は、露光エネルギー、光塩基発生剤の種
類、エポキシ化合物の種類、などによって変動するが、
その加熱温度は60度から150度の範囲、より好まし
くは80度から130度の範囲である。加熱時間は10
秒から30分、より好ましくは30秒から10分であ
る。このようにして固体表面上にエポキシ樹脂の硬化被
膜が形成される。前記固体表面には、ガラス、プラスチ
ック、金属、セラミックス等が包含される。本発明の感
光性組成物は、これを形成した後、光を照射し、必要に
応じて加熱することにより、所要形状の成形体とするこ
とができる。
【0055】
【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。
【0056】実施例1 130mgのジブチルチンラウレートを添加した乾燥ベ
ンゼン50mlに9−フルオレニルメタノール10gを
溶解し、この溶液に45mlのベンゼンに溶解した2−
イソシアネートエチルメタクリレート(No.4−2)
7.92gを80℃で撹拌しながら窒素雰囲気下で滴下
した。滴下後80℃で3時間撹拌し、反応溶液を減圧濃
縮し、得られた固体をエタノールで再結晶することによ
り、2(9−フルオレニルメチルオキシカルボニルアミ
ノ)エチルメタクリレート(No.1−15)を得た。
収率92%。融点113.5〜114.5℃。HNM
R(200MHz,DCCl3)δ(ppm):1.9
5(3H,s,CH3),3.52(2H,q,J=
5.5Hz,COOCH 2CH2NH),4.2〜4.3
(3H,m,COOCH 2CH2NH,COOCH2
),4.42(2H,d,J=6.7Hz,COO
2CH),5.03(1H,br,NH),5.60
(1H,s,C=CH),6.13(1H,s,C=C
H),7.3〜7.8(8H,m,ArH)。IR(K
Br,cm):3320(NH),3066(C
H),1719(エステルCO),1690(ウレタン
CO)。元素分析値:C71.91%,H6.17%,
N3.93%.C2121NO3としての計算値:C7
1.78%,H6.02%,N3。99%。
【0057】実施例2 130mgのジブチルチンラウレートを添加した乾燥ベ
ンゼン80mlに2−シアノエタノール10.0gを溶
解し、この溶液に90mlのベンゼンに溶解した2−イ
ソシアネートエチルメタクリレート(No.4−2)2
1.8gを80℃で撹拌しながら窒素雰囲気下で滴下し
た。滴下後80℃で1時間撹拌し、反応溶液を減圧濃縮
した。得られた固体をエタノールで再結晶することによ
り、2(2−シアノエトキシカルボニルアミノ)エチル
メタクリレート(No.1−1)を得た。収率89%。
融点68.0〜69.0℃。HNMR(200MH
z,DCCl3)δ(ppm):1.95(3H,d
d,J=1.0,1.6Hz,CH3C=CH),2.
70(2H,t,J=6.2Hz,CH2CN),3.
52(2H,q,J=5.5Hz,CH2NH),4.
25(2H,t,J=5.7Hz,CH 2CH2NH),
4.28(2H,t,J=6.3Hz,CH 2CH2
N),5.17(1H,br,NH),5.60〜5.
64(1H,m,C=CH),6.12〜6.15(1
H,s,C=CH)。IR(KBr,cm):332
9(NH),2250(CN),1719(エステルC
O),1689(ウレタンCO)。元素分析値:C5
3.00%,H6.24%,N12.38%.C1014
24としての計算値:C53.09%,H6.24
%,N12.38%。
【0058】実施例3 130mgのジブチルチンラウレートを添加した乾燥ベ
ンゼン80mlに2−ヒドロキシブタン酸メチル10g
を溶解し、この溶液に20mlのベンゼンに溶解した2
−イソシアネートエチルメタクリレート(No.4−
2)13.13gを80℃で撹拌しながら窒素雰囲気下
で滴下した。滴下後80℃で1時間撹拌し、反応溶液を
減圧濃縮した。残査をシリカゲルクロマトグラフィーに
よって精製し、2(1−メトキシカルボニルプロピル−
2)オキシカルボニルアミノ)エチルメタクリレート
(No.1−5)を収率80%で得た。IR(c
):3329(NH),1720(エステルC
O),1690(ウレタンCO)。元素分析値:C5
0.25%,H6.54%,N7.68%.C1524
28としての計算値:C50.02%,H6.71%,
N7.78%。
【0059】実施例4 実施例1で合成した2(9−フルオレニルメチルオキシ
カルボニルアミノ)エチルメタクリレート(No.1−
15)10.0gおよびアゾビスイソブチロニトリル3
0mgをテトラヒドロフラン(THF)23.5gに溶
解し、この溶液を還流冷却器をとりつけた三口フラスコ
に入れ、窒素ガスで15分間バブリングした。ついで窒
素雰囲気下で撹拌下65℃で10時間加熱した。室温ま
で冷却してから反応溶液をメタノール中に投じ、沈殿を
ろ過して集め、メタノールで十分に洗浄した後、減圧乾
燥による8.5gのポリ[2(9−フルオレニルメチル
オキシカルボニルアミノ)エチルメタクリレート]を得
た。Mw=34000,Mw/Mn=2.4。IR(K
Br,cm):1719(エステルCO)。
【0060】実施例5 実施例1で合成した2(9−フルオレニルメチルオキシ
カルボニルアミノ)エチルメタクリレート(No.1−
15)5.00g、N−ビニルピロリドン1.5gおよ
びアゾビスイソブチロニトリル50mgをTHF50.
0gに溶解し、この溶液を還流冷却器をとりつけた三口
フラスコに入れ、窒素ガスで15分間バブリングした。
ついで窒素雰囲気下で撹拌下65℃で6時間加熱した。
室温まで冷却してから反応溶液をメタノール中に投じ、
沈殿をろ過して集め、メタノールで十分に洗浄した後、
減圧乾燥による6.1gのコポリマーを得た。Mw=2
3000,Mw/Mn=1.8。NMRスペクトルよ
り、共重合比は1.0であった。
【0061】実施例6 実施例2で合成した2(2−シアノエトキシカルボニル
アミノ)エチルメタクリレート(No.1−1)1.0
gおよびアゾビスイソブチロニトリル3mgをジメチル
ホルムアシド(DMF)3.0gに溶解し、この溶液を
還流冷却器をとりつけた三口フラスコに入れ、窒素ガス
で15分間バブリングした。ついで窒素雰囲気下で撹拌
下65℃で7時間加熱した。室温まで冷却してから反応
溶液をメタノール中に投じ、沈殿をろ過して集め、メタ
ノールで十分に洗浄した後、減圧乾燥により0.7gの
ポリ[2(2−シアノエトキシカルボニルアミノ)エチ
ルメタクリレート]を得た。
【0062】実施例7 実施例2で合成した2(2−シアノエトキシカルボニル
アミノ)エチルメタクリレート(No.1−1)10.
0gおよびグリシジルメタクリレート10.0gおよび
アゾビスイソブチロニトリルをTHFに溶解し、実施例
5と同様にして重合を行った。NMRスペクトルより、
塩基増殖性モノマーとグリシジルメタクリレートとの共
重合比は1.0:1.1であった。Mw=25000,
Mw/Mn=2.8。IR(KBr,cm):225
0cm(CN)、1719(エステルCO)。
【0063】実施例8 実施例4で得たポリ[2(9−フルオレニルメチルオキ
シカルボニルアミノ)エチルメタクリレート]80mg
と光塩基発生剤である1,3ビス[1(o−ニトロベン
ジルオキシカルボニル)ピペリジニル−4)プロパン
(No.12)8mgをシクロヘキサノン1.0mlに
溶解し、この溶液をシリコンウエハ上に1200rpm
でスピン塗布し、130℃で60秒加熱して膜厚0.3
8μmのフィルムを調製した。このフィルムにHgXe
ランプからの光を照射し、110℃にポストベーキング
を行ってウレタン結合に基づくC=Oの赤外吸収帯の時
間変化を追跡した。その結果、10分加熱後に急激に吸
収帯の共同が減少し、増殖的にアミンが形成しているこ
とが示唆された。また、同じ条件で露光、ポストベーキ
ングした後に10%の酢酸水溶液に浸漬したところ、6
秒間での露光では、膜はすべて溶解した。また、ポスト
ベーキング温度が130℃の場合には、2秒の露光です
べての膜が酢酸水溶液に溶解した。また、酢酸水溶液に
代わりに、グリコール酸や乳酸の水溶液を用いてもほぼ
同じ結果が得られた。
【0064】実施例9 実施例8で調製した薄膜にフォトマスク越しにHgXe
ランプからの光を照射し、110℃にポストベーキング
を行い、10%酢酸水溶液で現像したところ、少なくと
も2ミクロンの解像性を示す明瞭なポジ画像が得られ
た。
【0065】実施例10 実施例4で得たポリ[2(9フルオレニルメチルオキシ
カルボニルアミノ)エチルメタクリレート]100mg
と光塩基発生剤である1,3−ビス[1(oニトロベン
ジルオキシカルボニル)ピペリジニル4)プロパン(N
o.52)5mgおよび3,4−シクロヘキサンカルボ
ン酸3,4エポキシシクロヘキスルメチルエステル(セ
ロキサイド2021)30mgをシクロヘキサノン1.
0mlに溶解し、この溶液をシリコンウエハ上に120
0rpmでスピン塗布し、130℃で60秒加熱して薄
膜を得た。これを実施例7と同様にしてマスク越しにH
gXeランプによって6秒間露光した。これを130℃
で1分間ポストベーキングしてからシクロヘキサンで現
像したところ、明瞭なネガ画像が得られた。
【0066】実施例11 実施例5で得たコポリマーと光塩基発生剤である1,3
ビス−[1(o−ニトロベンジルオキシカルボニル)ピ
ペリジニル4)プロパン(No.52)10重量%をシ
クロヘキサノンに溶解して8重量%溶液とし、これを1
200rpmでシリコンウエハ上にスピン塗布した。こ
の薄膜をフォトマスク越しにHgXeランプによって露
光した。これを130℃で10分間ポストベーキングし
てから純水で現像したところ、明瞭なポジ画像が得られ
た。15mW/cmの紫外線で露光した場合、0.1
秒の露光により完全に膜は溶解した。また、フォトマス
ク越しに露光してからポストベーキングおよび水現像を
行うことによって、2μmの解像性が得られた。
【0067】実施例12 実施例7で得たコポリマーと1,3ビス[1(o−ニト
ロベンジルオキシカルボニル)ピペリジニル4)プロパ
ン(No.52)10重量%をシクロヘキサノンに溶解
して8重量%溶液とし、実施例11と同様にして薄膜を
得た。これをXeランプによって露光した後、100℃
で5分間加熱したところ、膜はシクロヘキサンに不溶化
した。フォトマスク越しの露光により、明瞭なネガ画像
が得られた。
【0068】実施例13 実施例4で得たポリ[2(9−フルオレニルメチルオキ
シカルボニルアミノ)エチルメタクリレート]80m
g、光塩基発生剤である1,3ビス[1(o−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル)ピペリジニル4)プロパン
(No.52)8mgおよび塩基増殖剤である1,3−
ビス{[1(9−フルオレニルオキシカルボニル)]ピ
ペリジル−4}プロパン(No.5)15mgをシクロ
ヘキサノン1.0mlに溶解し、この溶液をシリコンウ
エハ上に1200rpmでスピン塗布し、130℃で6
0秒加熱して膜厚0.40μmのフィルムを調製した。
このフィルムにHgXeランプからの光を照射した後、
110℃にポストベーキングを行い、ついで、10%の
酢酸水溶液に浸漬したところ、4秒間での露光では、膜
はすべて溶解した。
【0069】
【発明の効果】本発明の塩基増殖性不飽和化合物は、こ
れを重合体又は共重合体とすることにより、塩基の作用
により、塩基を増殖的に発生する樹脂を得ることができ
る。この樹脂は、塩基反応性物質を反応させるための反
応開始剤として用いることができる。本発明による前記
塩基増殖性樹脂と塩基反応性物質(例えば、エポキシ化
合物等)と塩基発生剤とを含む組成物は、感光性組成物
として使用することができる。この組成物は、熱や光に
敏感に感応する樹脂となり、パターン状に露光すること
によってパターン形成も可能となる。この組成物はリソ
グラフィー用レジスト材料として好適に用いられる。さ
らにエポキシ化合物のようにアミンと反応する塩基反応
性物質を共存させることによって、その組成物を光や熱
によって硬化させることができる。こうして調製される
硬化物は接着性に富んでいるので、基板表面を強固に被
覆することができる。したがって、本発明の組成物によ
って、各種紫外線硬化型インキ、熱硬化性塗料等の製造
に好適に用いることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09K 3/00 C09K 3/00 K G03F 7/004 503 G03F 7/004 503B 7/028 7/028 7/038 503 7/038 503 Fターム(参考) 2H025 AD01 AD03 BD03 CA22 CC20 4F071 AA31 AC12 AC14 AC19 AE22 AG12 AG15 AG28 AH19 BA02 BB02 BC02 4H006 AA01 AB76 RA06 RA16 4J002 BG071 EL027 ER006 EV236 FD206 FD207 GP03 4J100 AL08P AL08Q BA11P BA20P BA38P BA40P BA55P BC69P BD12Q CA01 CA04 DA28 JA38

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(1) 【化1】 (式中、Xは水素原子又はメチル基、Yは二価の有機
    基、R1、R2は水素原子又はメチル基、R3、R4はそれ
    らのハメット置換基定数σmの総和が+0.10〜0で
    ある置換基を示す)で表される塩基増殖性不飽和化合
    物。
  2. 【請求項2】 下記一般式(2) 【化2】 (式中、Xは水素原子又はメチル基、Yは二価の有機
    基、R1、R2は水素原子又はメチル基、R3、R4はそれ
    らのハメット置換基定数σmの総和が0〜0.85であ
    る置換基を示す)で表されるモノマー単位を少なくとも
    主鎖の一部に含有するポリマーからなることを特徴とす
    る塩基増殖性樹脂。
  3. 【請求項3】 下記一般式(3) 【化3】 (式中、Xは水素原子又はメチル基、Yは二価の有機
    基、R1、R2は水素原子又はメチル基、R3、R4はそれ
    らのハメット置換基定数σmの総和が0〜0.85であ
    る置換基を示し、Zは水素原子又はメチル基を示し、A
    は活性エネルギー線の照射により塩基を発生する基を示
    し、m及びnは分子中に含まれる各モノマー単位の割合
    (モル%)を示す)で表されるコポリマーからなること
    を特徴とする光塩基発生性塩基増殖性樹脂。
  4. 【請求項4】 請求項2の塩基増殖性樹脂と塩基発生剤
    とからなることを特徴とする塩基増殖性樹脂組成物。
  5. 【請求項5】 該塩基発生剤が、加熱により塩基を発生
    する化合物からなる請求項4の組成物。
  6. 【請求項6】 該塩基発生剤が、活性エネルギー線の照
    射により塩基を発生する化合物からなる請求項4の組成
    物。
  7. 【請求項7】 請求項2の塩基増殖性樹脂、塩基発生剤
    及び塩基反応性物質からなることを特徴とする塩基反応
    性組成物。
  8. 【請求項8】 該塩基発生剤が、加熱又は活性エネルギ
    ー線の照射により塩基を発生する化合物からなる請求項
    7の組成物。
  9. 【請求項9】 請求項2の塩基増殖性樹脂、光塩基発生
    剤及び重合性エポキシ化合物からなることを特徴とする
    感光性組成物。
  10. 【請求項10】 請求項3の光塩基発生性塩基増殖性樹
    脂と塩基反応性物質とからなることを特徴とする塩基反
    応性組成物。
  11. 【請求項11】 請求項3の光塩基発生性塩基増殖性樹
    脂と重合性エポキシ化合物とからなることを特徴とする
    感光性組成物。
  12. 【請求項12】 請求項9又は11の感光性組成物をパ
    ターン形成材料として用いることを特徴とするパターン
    形成方法。
  13. 【請求項13】 請求項9又は11の感光性組成物に活
    性エネルギー線をパターン状に照射し、加熱処理を施す
    ことを特徴とする高分子パターンの形成方法。
  14. 【請求項14】 請求項9又は11の感光性組成物から
    なる成形品に活性エネルギー線を照射し、加熱処理を施
    すことを特徴とする高分子成形品の製造方法。
JP2001071013A 2001-03-13 2001-03-13 塩基増殖性不飽和化合物、塩基増殖性樹脂及び該樹脂を含む組成物 Pending JP2002265531A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001071013A JP2002265531A (ja) 2001-03-13 2001-03-13 塩基増殖性不飽和化合物、塩基増殖性樹脂及び該樹脂を含む組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001071013A JP2002265531A (ja) 2001-03-13 2001-03-13 塩基増殖性不飽和化合物、塩基増殖性樹脂及び該樹脂を含む組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002265531A true JP2002265531A (ja) 2002-09-18

Family

ID=18928790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001071013A Pending JP2002265531A (ja) 2001-03-13 2001-03-13 塩基増殖性不飽和化合物、塩基増殖性樹脂及び該樹脂を含む組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002265531A (ja)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006095670A1 (ja) * 2005-03-11 2006-09-14 Sekisui Chemical Co., Ltd. 塩基増殖剤及び塩基反応性硬化性組成物
JP2007241205A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Koji Arimitsu 感活性エネルギー線塩基発生剤、感活性エネルギー線塩基発生剤組成物、塩基反応性組成物及びパターン形成方法
WO2007111092A1 (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法
WO2007144967A1 (ja) * 2006-06-13 2007-12-21 Sekisui Chemical Co., Ltd. パターン膜の製造方法及び感光性樹脂組成物
WO2009019979A1 (ja) * 2007-08-09 2009-02-12 Sekisui Chemical Co., Ltd. 光硬化性組成物
JP2009093186A (ja) * 2003-02-26 2009-04-30 Samsung Electronics Co Ltd 硬化性作用基で表面修飾されたカーボンナノチューブを用いたパターン薄膜形成方法および高分子複合体の製造方法
JP2010254982A (ja) * 2009-03-31 2010-11-11 Dainippon Printing Co Ltd 塩基発生剤、樹脂組成物、当該樹脂組成物からなるパターン形成用材料、当該樹脂組成物を用いたパターン形成方法並びに物品
JP2011225645A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Tokyo Univ Of Science エポキシ樹脂硬化用微粒子及びエポキシ樹脂硬化用微粒子の製造方法
US8236476B2 (en) 2008-01-08 2012-08-07 International Business Machines Corporation Multiple exposure photolithography methods and photoresist compositions
US8426115B2 (en) 2009-08-04 2013-04-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and resist composition
JP2013174663A (ja) * 2012-02-23 2013-09-05 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法
WO2014017618A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device and electronic device using the same
JP2014134570A (ja) * 2013-01-08 2014-07-24 Eiweiss Kk 光塩基発生剤組成物
WO2014185303A1 (ja) * 2013-05-13 2014-11-20 和光純薬工業株式会社 チオキサンテン系化合物、塩基増殖剤及び当該塩基増殖剤を含有する塩基反応性樹脂組成物
WO2015199219A1 (ja) * 2014-06-27 2015-12-30 富士フイルム株式会社 熱塩基発生剤、熱硬化性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス
WO2016163525A1 (ja) * 2015-04-10 2016-10-13 株式会社ニコン 高分子化合物、表面処理剤、表面処理剤を用いた積層体、トランジスタ、積層体の製造方法
KR20170139624A (ko) * 2015-05-29 2017-12-19 후지필름 가부시키가이샤 폴리이미드 전구체 조성물, 감광성 수지 조성물, 경화막, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스 및 폴리이미드 전구체 조성물의 제조 방법
WO2019168113A1 (ja) * 2018-03-01 2019-09-06 日本化薬株式会社 新規化合物、該化合物を含んでなる光重合開始剤及び該光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物
JP2019157059A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 日本化薬株式会社 ディスプレイ用接着剤
CN111465593A (zh) * 2018-03-02 2020-07-28 日本化药株式会社 新颖化合物、含有该化合物的光聚合引发剂及含有该光聚合引发剂的感光性树脂组合物
JPWO2021149738A1 (ja) * 2020-01-21 2021-07-29
WO2022049958A1 (ja) * 2020-09-02 2022-03-10 ユニマテック株式会社 アクリルエラストマー共重合体およびその架橋性組成物
CN114751843A (zh) * 2022-03-24 2022-07-15 山东能源集团有限公司 一种maun单体、其制备方法及应用
WO2023286571A1 (ja) * 2021-07-16 2023-01-19 富士フイルム株式会社 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス

Cited By (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009093186A (ja) * 2003-02-26 2009-04-30 Samsung Electronics Co Ltd 硬化性作用基で表面修飾されたカーボンナノチューブを用いたパターン薄膜形成方法および高分子複合体の製造方法
CN101137620B (zh) * 2005-03-11 2011-05-25 积水化学工业株式会社 碱增殖剂及碱反应性固化性组合物
WO2006095670A1 (ja) * 2005-03-11 2006-09-14 Sekisui Chemical Co., Ltd. 塩基増殖剤及び塩基反応性硬化性組成物
KR101269716B1 (ko) 2005-03-11 2013-05-30 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 염기 증식제 및 염기 반응성 경화성 조성물
US7714162B2 (en) 2005-03-11 2010-05-11 Sekisui Chemical Co., Ltd. Base multiplying agents and base-reactive curable compositions
JP2007241205A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Koji Arimitsu 感活性エネルギー線塩基発生剤、感活性エネルギー線塩基発生剤組成物、塩基反応性組成物及びパターン形成方法
WO2007111092A1 (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法
JP5180825B2 (ja) * 2006-06-13 2013-04-10 積水化学工業株式会社 パターン膜の製造方法
US8119323B2 (en) 2006-06-13 2012-02-21 Sekisui Chemical Co., Ltd. Process for producing patterned film and photosensitive resin composition
WO2007144967A1 (ja) * 2006-06-13 2007-12-21 Sekisui Chemical Co., Ltd. パターン膜の製造方法及び感光性樹脂組成物
WO2009019979A1 (ja) * 2007-08-09 2009-02-12 Sekisui Chemical Co., Ltd. 光硬化性組成物
US8536242B2 (en) 2007-08-09 2013-09-17 Sekisui Chemical Co., Ltd. Photocurable composition
US8568960B2 (en) 2008-01-08 2013-10-29 International Business Machines Corporation Multiple exposure photolithography methods
US9235119B2 (en) 2008-01-08 2016-01-12 Globalfoundries Inc. Exposure photolithography methods
US8236476B2 (en) 2008-01-08 2012-08-07 International Business Machines Corporation Multiple exposure photolithography methods and photoresist compositions
US8846296B2 (en) 2008-01-08 2014-09-30 International Business Machines Corporation Photoresist compositions
JP2010254982A (ja) * 2009-03-31 2010-11-11 Dainippon Printing Co Ltd 塩基発生剤、樹脂組成物、当該樹脂組成物からなるパターン形成用材料、当該樹脂組成物を用いたパターン形成方法並びに物品
US8741546B2 (en) 2009-08-04 2014-06-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and resist composition
US8426115B2 (en) 2009-08-04 2013-04-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and resist composition
JP2011225645A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Tokyo Univ Of Science エポキシ樹脂硬化用微粒子及びエポキシ樹脂硬化用微粒子の製造方法
JP2013174663A (ja) * 2012-02-23 2013-09-05 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法
WO2014017618A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film using the same, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device and electronic device using the same
JP2014026179A (ja) * 2012-07-27 2014-02-06 Fujifilm Corp 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、並びに、これらを用いる電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
JP2014134570A (ja) * 2013-01-08 2014-07-24 Eiweiss Kk 光塩基発生剤組成物
WO2014185303A1 (ja) * 2013-05-13 2014-11-20 和光純薬工業株式会社 チオキサンテン系化合物、塩基増殖剤及び当該塩基増殖剤を含有する塩基反応性樹脂組成物
JPWO2014185303A1 (ja) * 2013-05-13 2017-02-23 和光純薬工業株式会社 チオキサンテン系化合物、塩基増殖剤及び当該塩基増殖剤を含有する塩基反応性樹脂組成物
CN106471089A (zh) * 2014-06-27 2017-03-01 富士胶片株式会社 热碱产生剂、热硬化性树脂组合物、硬化膜、硬化膜的制造方法以及半导体装置
KR101859954B1 (ko) * 2014-06-27 2018-05-21 후지필름 가부시키가이샤 열염기 발생제, 열경화성 수지 조성물, 경화막, 경화막의 제조 방법 및 반도체 디바이스
WO2015199219A1 (ja) * 2014-06-27 2015-12-30 富士フイルム株式会社 熱塩基発生剤、熱硬化性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス
JPWO2015199219A1 (ja) * 2014-06-27 2017-06-01 富士フイルム株式会社 熱塩基発生剤、熱硬化性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス
CN106471089B (zh) * 2014-06-27 2018-10-19 富士胶片株式会社 热碱产生剂、热硬化性树脂组合物及其用途
US10550281B2 (en) 2015-04-10 2020-02-04 Nikon Corporation Polymer compound, surface treatment agent, laminated body using surface treatment agent, transistor, method for manufacturing laminated body
JPWO2016163525A1 (ja) * 2015-04-10 2018-02-01 株式会社ニコン 高分子化合物、表面処理剤、表面処理剤を用いた積層体、トランジスタ、積層体の製造方法
WO2016163525A1 (ja) * 2015-04-10 2016-10-13 株式会社ニコン 高分子化合物、表面処理剤、表面処理剤を用いた積層体、トランジスタ、積層体の製造方法
US20180079864A1 (en) * 2015-05-29 2018-03-22 Fujifilm Corporation Polyimide precursor composition, photosensitive resin composition, cured film, method for producing cured film, a semiconductor device, and method for producing polyimide precursor composition
KR20170139624A (ko) * 2015-05-29 2017-12-19 후지필름 가부시키가이샤 폴리이미드 전구체 조성물, 감광성 수지 조성물, 경화막, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스 및 폴리이미드 전구체 조성물의 제조 방법
KR101985215B1 (ko) * 2015-05-29 2019-06-03 후지필름 가부시키가이샤 폴리이미드 전구체 조성물, 감광성 수지 조성물, 경화막, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스 및 폴리이미드 전구체 조성물의 제조 방법
US10538627B2 (en) 2015-05-29 2020-01-21 Fujifilm Corporation Polyimide precursor composition, photosensitive resin composition, cured film, method for producing cured film, a semiconductor device, and method for producing polyimide precursor composition
WO2019168113A1 (ja) * 2018-03-01 2019-09-06 日本化薬株式会社 新規化合物、該化合物を含んでなる光重合開始剤及び該光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物
US11608316B2 (en) 2018-03-01 2023-03-21 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Compound, photopolymerization initiator containing said compound, and photosensitive resin composition containing said photopolymerization initiator
JP7232241B2 (ja) 2018-03-01 2023-03-02 日本化薬株式会社 新規化合物、該化合物を含んでなる光重合開始剤及び該光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物
CN111448183A (zh) * 2018-03-01 2020-07-24 日本化药株式会社 新颖化合物、含有该化合物的光聚合引发剂及含有该光聚合引发剂的感光性树脂组合物
JPWO2019168113A1 (ja) * 2018-03-01 2021-02-25 日本化薬株式会社 新規化合物、該化合物を含んでなる光重合開始剤及び該光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物
CN111465593A (zh) * 2018-03-02 2020-07-28 日本化药株式会社 新颖化合物、含有该化合物的光聚合引发剂及含有该光聚合引发剂的感光性树脂组合物
CN111465593B (zh) * 2018-03-02 2023-06-23 日本化药株式会社 新颖化合物、含有该化合物的光聚合引发剂及含有该光聚合引发剂的感光性树脂组合物
JP2019157059A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 日本化薬株式会社 ディスプレイ用接着剤
JPWO2021149738A1 (ja) * 2020-01-21 2021-07-29
JP6999862B2 (ja) 2020-01-21 2022-01-19 株式会社クラレ 硬化性組成物、それを用いた硬化物、及び硬化物の製造方法
WO2021149738A1 (ja) * 2020-01-21 2021-07-29 株式会社クラレ 硬化性組成物、それを用いた硬化物、及び硬化物の製造方法
JPWO2022049958A1 (ja) * 2020-09-02 2022-03-10
JP7253119B2 (ja) 2020-09-02 2023-04-05 ユニマテック株式会社 アクリルエラストマー共重合体およびその架橋性組成物
CN116018378A (zh) * 2020-09-02 2023-04-25 优迈特株式会社 丙烯酸系弹性体共聚物及其交联性组合物
WO2022049958A1 (ja) * 2020-09-02 2022-03-10 ユニマテック株式会社 アクリルエラストマー共重合体およびその架橋性組成物
CN116018378B (zh) * 2020-09-02 2023-09-26 优迈特株式会社 丙烯酸系弹性体共聚物及其交联性组合物
WO2023286571A1 (ja) * 2021-07-16 2023-01-19 富士フイルム株式会社 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス
CN114751843A (zh) * 2022-03-24 2022-07-15 山东能源集团有限公司 一种maun单体、其制备方法及应用
CN114751843B (zh) * 2022-03-24 2024-04-30 山东能源集团有限公司 一种maun单体、其制备方法及应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002265531A (ja) 塩基増殖性不飽和化合物、塩基増殖性樹脂及び該樹脂を含む組成物
JP5184129B2 (ja) 光感応性酸発生剤およびそれらを含むフォトレジスト
JP3884758B2 (ja) 塩基増殖剤及び塩基反応性硬化性組成物
JP2000330270A (ja) 塩基増殖剤、塩基増殖剤組成物、塩基反応性組成物及びパターン形成方法
JP5071803B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP5561693B2 (ja) 新規な化合物、塩基発生剤及び当該塩基発生剤を含有する感光性樹脂組成物
JPH0239783B2 (ja)
JP2010084144A (ja) 塩基発生剤及び当該塩基発生剤を含有する感光性樹脂組成物
JP2001226430A (ja) 再溶解性酸架橋型高分子及び該高分子と光酸発生剤とを組み合わせた感光性樹脂組成物
JP5224016B2 (ja) 感活性エネルギー線塩基発生剤、感活性エネルギー線塩基発生剤組成物、塩基反応性組成物及びパターン形成方法
JPWO2014155960A1 (ja) 光塩基発生剤
JP5561694B2 (ja) 塩基発生剤及び当該塩基発生剤を含有する感光性樹脂組成物
Beecher et al. Photogeneration of polymeric amines: synthesis, photocrosslinking and photoimaging of copolymers containing photoactive carbamate pendant groups
JP2002128750A (ja) 塩基増殖性プレポリマー
JP5515560B2 (ja) 感光性樹脂組成物、当該感光性樹脂組成物からなるパターン形成用材料、パターン形成方法、及び当該感光性樹脂組成物を用いた物品、並びに光潜在性樹脂硬化促進剤
JPH05181265A (ja) アリールトリフレート化合物、放射線酸発生剤、放射線酸発生剤系及び感放射線組成物
JP2004250650A (ja) 塩基増殖性シロキサン樹脂及び感光性樹脂組成物
JP2012092328A (ja) 塩基発生剤、感光性樹脂組成物、当該感光性樹脂組成物からなるパターン形成用材料、当該感光性樹脂組成物を用いたレリーフパターンの製造方法並びに物品
JP2012093744A (ja) 感光性樹脂組成物、当該感光性樹脂組成物からなるパターン形成用材料、当該感光性樹脂組成物を用いたレリーフパターンの製造方法並びに物品
US8404795B2 (en) Photolytic acid-generating polymers and monomers for their construction
JP2004099579A (ja) 塩基増殖性シリコン化合物、塩基増殖剤シロキサン樹脂及び感光性樹脂組成物
JP2004176035A (ja) ラジカル発生剤及び感光性樹脂組成物
Ito et al. Photo-Initiated Amine-Formation in a Polymer Matrix and Its Application to Thermal Cross-Linking of Poly (Glycidyl Methacrylate) Films.
JPH083319A (ja) 有機ケイ素化合物、レジスト、熱重合性組成物及び光重合性組成物
Naitoh et al. Photoreactive fluorinated polyimide protected by tetrahydropyranyl (THP) group based on chemical amplification: acid generation in polyimide film and lithographic properties