KR20200118056A - 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체, 근적외선 흡수체, 근적외선 흡수물 적층체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체 - Google Patents

근적외선 흡수 재료 미립자 분산체, 근적외선 흡수체, 근적외선 흡수물 적층체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체 Download PDF

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스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
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Abstract

종래의 기술에 따른 텅스텐 산화물이나 복합 텅스텐 산화물을 포함하는 근적외선 미립자 분산체, 근적외선 흡수체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체보다도 높은 근적외선 흡수성을 발휘할 수 있는, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체, 근적외선 흡수체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체를 제공한다. 아크릴 수지 중에, 육방정의 결정 구조를 포함하는 복합 텅스텐 산화물 미립자와, 실란 화합물이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 제공한다.

Description

근적외선 흡수 재료 미립자 분산체, 근적외선 흡수체, 근적외선 흡수물 적층체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체
본 발명은, 가시광 영역에 있어서는 투명성을 갖고 근적외선 영역에 있어서는 흡수성을 갖는, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체, 근적외선 흡수체, 근적외선 흡수물 적층체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체에 관한 것이다.
일반적으로 자유 전자를 포함하는 재료는, 태양 광선의 영역 주변인 파장 200㎚ 내지 2600㎚의 전자파에 대하여, 플라스마 진동에 의한 반사 흡수 응답을 나타낸다는 것이 알려져 있다. 그리고 당해 재료를 구성하는 분말의 입자를, 광의 파장보다 작은 직경을 갖는 미립자로 하면, 당해 재료의 가시광 영역(파장 380㎚ 내지 780㎚)에 있어서의 기하학 산란이 저감되어 가시광 영역의 투명성이 얻어진다는 것이 알려져 있다.
또한 본 발명에 있어서 「투명성」이란, 가시광 영역의 광에 대하여 산란이 적어서 가시광의 투과성이 높다는 의미로 이용하고 있다.
한편, 출원인은 특허문헌 1에 있어서, 기판에 대한 성막 시에 대규모 제조 설비를 필요로 하지 않고 성막 후의 고온 열처리도 불필요하면서 가시광선을 투과시키고 근적외선을 효율적으로 차폐하는, 입자경 1㎚ 이상 800㎚의 텅스텐 산화물 미립자 및/또는 복합 텅스텐 산화물 미립자를 고체 매체에 분산한 적외선 차폐 재료 미립자 분산체를 개시하였다.
WO2005/037932 재공표 특허 공보
그러나 본 발명자들의 추가적인 검토에 따르면, 특허문헌 1에 기재된 분산체에서는, 고체 매체 중에 있어서 근적외선 흡수 재료 미립자가 응집하여 투명성이 저하되어 버리는 경우가 있다는 과제를 지견하였다.
본 발명은, 이와 같은 상황을 감안하여, 종래의 기술에 따른 텅스텐 산화물이나 복합 텅스텐 산화물을 포함하는 근적외선 미립자 분산체, 근적외선 흡수체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체보다도 우수한 투명성을 담보하면서 높은 근적외선 흡수성을 발휘할 수 있는, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체, 근적외선 흡수체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명자들은 연구를 행하였다. 그리고 아크릴 수지는, 유리와 동등 또는 그 이상으로 투명성이 우수하고 내후성, 내약품성, 광학 특성도 우수하다는 이유에서, 아크릴 수지 중에 있어서의 근적외선 흡수 재료 미립자의 응집을 억제하는 관점에서 연구를 행하였으며, 당해 연구 결과, 아크릴 수지 중에 복합 텅스텐 산화물 미립자와 실란 화합물이 포함되어 있는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체, 당해 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 이용한 근적외선 흡수체, 근적외선 흡수물 적층체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체의 구성에 상도하여 본 발명을 완성한 것이다.
즉, 상술한 과제를 해결하기 위한 제1 발명은,
아크릴 수지 중에 복합 텅스텐 산화물 미립자와 실란 화합물이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체이다.
제2 발명은,
상기 실란 화합물이, 실란 커플링제, 알콕시실란 화합물, 실리콘레진으로부터 선택되는 어느 한 종류 이상인 것을 특징으로 하는, 제1 발명에 기재된 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체이다.
제3 발명은,
상기 실란 화합물이, 아미노기, 에폭시기, 머캅토기, (메트)아크릴기, 비닐기, 페닐기, 이소시아네이트기, 이미다졸기로부터 선택되는 1종류 이상의 관능기를 갖는 것을 특징으로 하는, 제2 발명에 기재된 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체이다.
제4 발명은,
상기 실리콘레진을 구성하는 모노머 단위가 R-SiO1.6(단, 식 중의 R은 수소 원자 또는 유기기)으로 표기되는 것을 특징으로 하는, 제2 발명에 기재된 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체이다.
제5 발명은,
상기 실리콘레진의 중량 평균 분자량이 1500 이상 200000 이하인 것을 특징으로 하는, 제2 또는 제4 발명에 기재된 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체이다.
제6 발명은,
상기 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자경이 1㎚ 이상 200㎚ 이하인 것을 특징으로 하는, 제1 내지 제5 발명 중 어느 것에 기재된 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체이다.
제7 발명은,
상기 복합 텅스텐 산화물 미립자가 일반식 MxWyOz(단, M 원소는, H, He, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류 원소, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, Bi, I로부터 선택되는 1종류 이상의 원소이고, W는 텅스텐, O는 산소이고, 0.20≤x/y≤0.37, 2.2≤z/y≤3.0)로 표기되는 것을 특징으로 하는, 제1 내지 제6 발명 중 어느 것에 기재된 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체이다.
제8 발명은,
상기 M 원소가, Cs, Rb로부터 선택되는 1종류 이상의 원소인 것을 특징으로 하는, 제7 발명에 기재된 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체이다.
제9 발명은,
상기 복합 텅스텐 산화물 미립자가, 육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자를 포함하는 것을 특징으로 하는, 제1 내지 제8 발명 중 어느 것에 기재된 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체이다.
제10 발명은,
상기 근적외선 흡수 재료 미립자의 표면이, Si, Ti, Zr, Al로부터 선택되는 1종류 이상의 원소를 함유하는 산화물로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는, 제1 내지 제9 발명 중 어느 것에 기재된 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체이다.
제11 발명은,
제1 내지 제10 발명 중 어느 것에 기재된 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체가, 판상, 필름상, 박막상으로부터 선택되는 어느 것으로 성형된 것임을 특징으로 하는 근적외선 흡수체이다.
제12 발명은,
제11 발명에 기재된 근적외선 흡수체가, 기재 상에 적층된 것임을 특징으로 하는 근적외선 흡수물 적층체이다.
제13 발명은,
제11 발명에 기재된 근적외선 흡수체가, 판유리, 플라스틱판, 근적외선 흡수 기능을 갖는 미립자를 포함하는 플라스틱판으로부터 선택되는 2매 이상의 접합판 사이에 존재하고 있는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수용 접합 구조체이다.
제14 발명은,
제12 발명에 기재된 근적외선 흡수물 적층체가, 판유리, 플라스틱판, 근적외선 흡수 기능을 갖는 미립자를 포함하는 플라스틱판으로부터 선택되는 접합판과 대향하고 있거나, 또는 판유리, 플라스틱판, 근적외선 흡수 기능을 갖는 미립자를 포함하는 플라스틱판으로부터 선택되는 2매 이상의 접합판 사이에 존재하고 있는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수용 접합 구조체이다.
본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체는, 종래의 기술에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체, 근적외선 흡수체, 근적외선 흡수물 적층체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체와 비교하여, 투명성을 담보하면서 근적외선 흡수성을 발휘할 수 있어서 우수한 광학 특성을 갖는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체, 근적외선 흡수체, 근적외선 흡수물 적층체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체를 제공할 수 있다.
도 1은 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체에 있어서의 가시광 투과율과 일사 투과율의 그래프이다.
도 2는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체에 있어서의 가시광 투과율과 헤이즈값의 그래프이다.
본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체는, 아크릴 수지 중에 복합 텅스텐 산화물 미립자와 실란 화합물을 포함하고 있는 것이다.
상술한 구성을 갖는 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체는, 소정 조건에 따른 기계적인 분쇄가 실시된 복합 텅스텐 산화물 미립자가, 실란 화합물을 포함하는 아크릴 수지 중에 있어서 분산 상태를 유지하고 있는 것이다. 당해 구성을 갖는 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체는, 수지 재료 등과 같은 내열 온도가 낮은 기재 재료 상에, 필름상, 박막상 등의 형상을 갖는 근적외선 흡수체를 마련하여, 근적외선 흡수물 적층체를 얻는 등의 응용이 가능하다. 또한 근적외선 흡수체나 근적외선 흡수물 적층체의 제조나 형성 시에 대형 장치를 필요로 하지 않으므로 제조 장치가 저렴하다는 이점이 있다.
한편, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료는 도전성 재료이지만, 미립자로서 아크릴 수지의 매트릭스 중에 분산되어 있으므로 입자 1개 1개가 고립된 상태로 분산되어 있다. 이 때문에, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료는 전파 투과성을 발휘하여 각종 창재 등으로서 범용성을 갖는다.
또한 본 발명에 따른 근적외선 흡수체는, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체가, 판상, 필름상, 박막상으로부터 선택되는 어느 형상으로 형성된 것이다.
또한 본 발명에 따른 근적외선 흡수물 적층체는, 근적외선 재료 미립자 흡수체가 기재 상에 적층되어 있는 것이다.
그리고 본 발명에 따른 근적외선 흡수용 접합 구조체는, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체가 근적외선 흡수체의 형상을 취하고, 판유리, 플라스틱판, 일사 흡수 기능을 갖는 미립자를 포함하는 플라스틱판으로부터 선택되는 2매 이상의 접합판 사이에 존재하고 있는 것, 및 근적외선 흡수물 적층체와, 판유리, 플라스틱판, 일사 흡수 기능을 갖는 미립자를 포함하는 플라스틱판으로부터 선택되는 접합판을 조합한 것이다.
이하, 본 발명에 대하여 1. 아크릴 수지, 2. 실란 화합물, 3. 복합 텅스텐 산화물 미립자, 4. 복합 텅스텐 산화물 미립자의 제조 방법, 5. 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액과 그의 제조 방법, 6. 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체와 그의 제조 방법, 7. 근적외선 흡수체와 그의 제조 방법, 8 근적외선 흡수물 적층체와 그의 제조 방법, 9. 근적외선 흡수용 접합 구조체와 그의 제조 방법, 10. 정리의 순으로 상세히 설명한다.
1. 아크릴 수지
본 발명에 따른 고체 매체인 아크릴 수지로서는, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트를 주원료로 하고, 필요에 따라, 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 아크릴산에스테르, 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴에, 니트릴, 메타크릴로니트릴 등을 공중합 성분으로서 이용한 중합체 또는 공중합체를 들 수 있다. 또한 다단으로 중합한 아크릴 수지를 이용할 수도 있다.
2. 실란 화합물
본 발명에 따른 실란 화합물은, 후술하는 근적외선 흡수 재료 미립자와 아크릴 수지를 혼합할 때, 동시에 혼합되고 용융 혼련됨으로써 당해 근적외선 흡수 재료 미립자의 해응(解凝)을 촉진하고, 또한 당해 근적외선 흡수 재료 미립자의 아크릴 수지 중에 있어서의 분산 상태를 담보하는 효과를 발휘하는 것이다.
구체적으로는, 후술하는 근적외선 흡수 재료 미립자와, 실란 화합물과, 상술한 고체 매체로서의 아크릴 수지를 균일하게 혼합한 후, 용융 혼련하여 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 얻고, 얻어진 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 성형하여 근적외선 흡수체를 얻는 것이다.
실란 화합물의 첨가량은, 근적외선 흡수 재료 미립자 100질량부에 대하여 1질량부 이상 200질량부 이하로 하는 것이 바람직하다.
이는, 실란 화합물의 첨가량을 근적외선 흡수 재료 미립자 100질량부에 대하여 1질량부 이상으로 하면, 당해 실란 화합물의 첨가 효과를 얻는 관점에서 바람직하고, 200질량부 이하로 하면, 당해 실란 화합물을 아크릴 수지 중으로 용이하게 용융 혼련하는 관점에서 바람직하기 때문이다.
실란 화합물로서는, 아미노기, 에폭시기, 머캅토기, (메트)아크릴기, 비닐기, 페닐기, 이소시아네이트기, 이미다졸기로부터 선택되는 1종류 이상의 관능기를 갖는 것이 바람직하다.
또한 실란 화합물로서는, 실리콘레진, 실란 커플링제, 알콕시실란 화합물로부터 선택되는 1종류 이상인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명에 바람직하게 이용되는 실란 화합물에 대하여 (1) 실리콘레진, (2) 실란 커플링제, (3) 알콕시실란 화합물의 순으로 설명한다.
(1) 실리콘레진
본 발명에 이용하는 실리콘레진은, 당해 실리콘레진을 구성하는 모노머 단위가 일반식: R-SiO1.6(단, 식 중 R은 수소 원자 또는 유기기임)으로 표기되는 것임이 바람직하다. 또한 유기기란, 일반식: -CnHm으로 표기되는 탄화수소기이다.
또한 당해 실리콘레진의 중량 평균 분자량은 1500 이상 200000 이하인 것이 바람직하다. 당해 실리콘레진의 중량 평균 분자량이 1500 이상 있음으로써 근적외선 흡수 재료 미립자를 충분히 분산할 수 있다. 한편, 중량 평균 분자량이 200000 이하 있음으로써 아크릴 수지 중에 용이하게 함유시킬 수 있다.
본 발명에 이용하는 실리콘레진은, 시판품이면 KR-480(신에쓰 실리콘 제조), Z-6018, 220FLAK, FCA-107, 233FLAKE, 249FLAKE, SH6018FLAKE, 255FLAKE, 217FLAKE(이상, 도레이 다우코닝 제조), SILRES603, SILRES604, SILRES605, SILRES H44, SILRES SY300, SILRES REN100, SILRES SY430, SILRES IC836(이상, 아사히 가세이 바커 실리콘사 제조), TSR160(모멘티브사 제조) 등을 바람직하게 들 수 있다.
(2) 실란 커플링제
본 발명에 이용하는 실란 커플링제는, 시판품이면 KBM-30, KBM-402, KBM-403, KBE-402, KBE-403, KBM-1043, KBM-502, KBM-503, KBE-502, KBE-503, KBM-5103, KBM-602, KBM-603, KBM-903, KBE-903, KBE-9103P, KBM-573, KBM-575(이상, 신에쓰 실리콘 제조) 등을 바람직하게 들 수 있다.
(3) 알콕시실란 화합물
본 발명에 이용하는 알콕시실란 화합물은, 알콕시실란 화합물의 구체예로서는 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 트리메톡시실란, 트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 메틸트리-n-부톡시실란, 에틸트리메톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, 이소프로필트리에톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, 이소부틸트리에톡시실란, sec-부틸트리이소프로폭시실란, tert-부틸트리메톡시실란, tert-부틸트리에톡시실란, n-헥실트리메톡시실란, 덱실트리메톡시실란, 덱실트리에톡시실란, 시클로헥실트리메톡시실란, 시클로헥실트리에톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, 데실트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리(2-메톡시메틸)실란, 에티닐트리메톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 벤질트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리(3,3,3-트리플루오로에톡시)실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 2-시아노에틸트리메톡시실란, 2-시아노에틸트리에톡시실란, 디에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 메틸디에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디메틸디이소프로폭시실란, 디메틸디-n-부톡시실란, 메틸프로필디메톡시실란, 메틸-tert-부틸디메톡시실란, 메틸-tert-부틸디에톡시실란, 메틸-n-헥실디메톡시실란, 메틸텍실디메톡시실란, 시클로헥실메틸디메톡시실란, 시클로헥실메틸디에톡시실란, 메틸비닐디메톡시실란, 알릴메틸디메톡시실란, 메틸페닐디메톡시실란, 2-시아노에틸메틸디메톡시실란, 메틸-이소프로폭시디메톡시실란, 메틸-tert-부톡시디메톡시실란, 디-n-프로필디메톡시실란, 디-tert-부틸디메톡시실란, 디시클로펜틸디메톡시실란, 디시클로헥실디메톡시실란, 디알릴디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 디메틸메톡시실란, 디메틸에톡시실란, 트리메틸메톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 트리메틸시클로헥실옥시실란, 트리메틸페녹시실란, 이소프로필디메틸에톡시실란, tert-부틸디메틸메톡시실란, tert-부틸디메틸에톡시실란, tert-부틸디메틸시클로헥실옥시실란, tert-부틸디메틸페녹시실란, 디메틸텍실메톡시실란, 디메틸텍실에톡시실란, 디메틸텍실시클로헥실옥시실란, 디메틸텍실페녹시실란, 시클로헥실디메틸메톡시실란, 트리에틸메톡시실란, 트리에틸에톡시실란, 트리에틸시클로헥실옥시실란, 트리에틸페녹시실란, 트리이소프로필메톡시실란, 트리시클로헥실메톡시실란, 트리페닐메톡시실란 등을 들 수 있다.
본 발명에 이용하는 알콕시실란 화합물은, 시판품이면 KBM-13, KBM-22, KBM-103, KBE-13, KBE-22, KBE-103, KBM-3033, KBE-3033, KBM-3063, KBE-3063, KBE-3083, KBM-3103C, KBM-3066, KBM-7103(이상, 신에쓰 실리콘 제조), Z-2306, Z-6210, Z-6265, Z-6341, Z-6366, Z-6383, Z-6582, Z-6583, Z-6586, Z-6125(이상, 도레이 다우코닝 제조) 등을 바람직하게 들 수 있다.
3. 복합 텅스텐 산화물 미립자
본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체에 이용되는 복합 텅스텐 산화물 미립자는 일반식 MxWyOz(단, M 원소는, H, He, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류 원소, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, Bi, I로부터 선택되는 1종류 이상의 원소이고, W는 텅스텐, O는 산소이고, 0.20≤x/y≤0.37, 2.2≤z/y≤3.0)로 표기되는 것을 특징으로 한다.
일반적으로 삼산화텅스텐(WO3) 중에는 유효한 자유 전자가 존재하지 않기 때문에 근적외선 영역의 흡수 반사 특성이 적어서 적외선 흡수 재료로서는 유효하지 않다. 여기서, 삼산화텅스텐의 텅스텐에 대한 산소의 비율을 3보다 저감시킴으로써, 당해 텅스텐 산화물 중에 자유 전자가 생성된다는 것이 알려져 있다.
또한 당해 텅스텐 산화물에 M 원소를 첨가한 것이 상기 복합 텅스텐 산화물이다.
당해 구성을 취함으로써 복합 텅스텐 산화물 중에 자유 전자가 생성되어, 근적외선 영역에 자유 전자 유래의 흡수 특성이 발현되어 파장 1000㎚ 부근의 근적외선 흡수 재료로서 유효한 것으로 된다. 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체는 적외선 흡수 재료 미립자로서 상기 복합 텅스텐 산화물을 함유하고 있으며, 당해 복합 텅스텐 산화물이 근적외선을 흡수하고 이를 열로 변환함으로써 근적외선 흡수성을 구비하고 있다.
또한 당해 관점에서, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자는, 육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자를 포함하는 것이 바람직하다.
당해 복합 텅스텐 산화물에 대하여, 상술한 산소량의 제어와, 자유 전자를 생성하는 원소의 첨가를 병용함으로써, 보다 효율이 좋은 근적외선 흡수 재료를 얻을 수 있다. 구체적으로는, 당해 산소량의 제어와 자유 전자를 생성하는 M 원소의 첨가를 병용한 근적외선 흡수 재료의 일반식을 MxWyOz(단, M은 상기 M 원소, W는 텅스텐, O는 산소)라 기재하였을 때, 0.001≤x/y≤1, 바람직하게는 0.20≤x/y≤0.37의 관계를 만족시키는 복합 텅스텐 산화물이다.
여기서, M 원소가 첨가된 상기 복합 텅스텐 산화물에 있어서의 안정성의 관점에서 M 원소는, H, He, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류 원소, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, Bi, I로부터 선택되는 1종류 이상의 원소인 것이 보다 바람직하다.
또한, M 원소가 첨가된 당해 MxWyOz에 있어서의 안정성의 관점에서 M 원소는, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류 원소, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re로부터 선택되는 1종류 이상의 원소인 것이 보다 바람직하다.
게다가 근적외선 흡수 재료로서의 광학 특성, 내후성을 향상시키는 관점도 생각한다면, 상기 M 원소는, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속 원소, 전이 금속 원소, 4B족 원소, 5B족 원소에 속하는 것임이 더욱 바람직하다.
다음으로, 당해 MxWyOz에 있어서 산소량의 제어를 나타내는 z/y의 값에 대하여 설명한다. MxWyOz로 표기되는 적외선 흡수 재료에 있어서도, z/y의 값에 따라, 상술한 WyOz로 표기되는 근적외선 흡수 재료와 마찬가지의 기구가 작용하는 것에 더해, z/y=3.0에 있어서도, 상술한 M 원소의 첨가량에 따른 자유 전자의 공급이 있기 때문에 2.2≤z/y≤3.0이 바람직하다.
여기서, M 원소로서는 Cs와 Rb가 가장 바람직하다. 하지만 M 원소가 상기 Cs나 Rb에 한정되는 것은 아니다. M 원소가 Cs나 Rb 이외의 원소이더라도, WO6 단위로 형성되는 육각형 공극에 첨가 M 원소로서 존재하면 된다.
육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자가 균일한 결정 구조를 가질 때, 첨가 M 원소의 첨가량은 0.001≤x/y≤1, 바람직하게는 0.2≤x/y≤0.5, 더욱 바람직하게는 0.20≤x/y≤0.37, 가장 바람직하게는 x/y=0.33이다. 이는, 이론상 z/y=3일 때 x/y=0.33으로 됨으로써, 첨가 M 원소가 육각형 공극의 전부에 배치될 것으로 생각되었기 때문이다.
여기서 본 발명자들은, 복합 텅스텐 산화물 미립자의 근적외선 흡수 기능을 보다 향상시킬 것을 생각하여 검토를 거듭하여, 함유될 자유 전자의 양을 보다 증가시키는 구성에 상도하였다.
즉, 당해 자유 전자량을 증가시킬 방책으로서, 당해 복합 텅스텐 산화물 미립자에 기계적인 처리를 가하여, 포함되는 육방정에 적당한 왜곡이나 변형을 부여하는 것에 상도한 것이다. 당해 적당한 왜곡이나 변형이 부여된 육방정에 있어서는, 결정자 구조를 구성하는 원자에 있어서의 전자 궤도의 중첩 상태가 변화하여 자유 전자의 양이 증가할 것으로 생각된다.
그래서, 소성 공정에 의하여 생성된 복합 텅스텐 산화물의 미립자로부터 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액을 제조할 때의 분산 공정에 있어서, 복합 텅스텐 산화물의 미립자를 소정 조건 하에서 분쇄함으로써 결정 구조에 왜곡이나 변형을 부여하여 자유 전자량을 증가시켜, 복합 텅스텐 산화물 미립자의 근적외선 흡수 기능을 더욱 향상시킬 것을 연구하였다.
그리고 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자는, 그의 입자경이 1㎚ 이상 200㎚ 이하인 것이 바람직하지만 100㎚ 이하의 것임이 더욱 바람직하다는 것을 지견하였다. 그리고 보다 우수한 근적외선 흡수 특성을 발휘시키는 관점에서 당해 입자경은 10㎚ 이상 100㎚ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10㎚ 이상 80㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎚ 이상 60㎚ 이하, 가장 바람직하게는 10㎚ 이상 40㎚ 이하이다. 입자경이 10㎚ 이상 40㎚ 이하의 범위이면, 가장 우수한 적외선 흡수 특성이 발휘된다는 것을 지견하였다.
여기서 입자경이란, 응집해 있지 않은 개개의 근적외선 흡수 재료 미립자가 갖는 직경, 즉 1차 입자경의 평균값이며, 후술할 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체에 포함되는 근적외선 흡수 재료 미립자의 평균 입자경이지, 복합 텅스텐 산화물 미립자의 응집체의 직경을 포함하는 것은 아니어서 분산 입자경과는 다른 것이다.
또한 평균 입자경은 근적외선 흡수 재료 미립자의 전자 현미경상으로부터 산출된다.
당해 적외선 흡수 재료 미립자 분산체에 포함되는 복합 텅스텐 산화물 미립자의 평균 입자경은, 단면 가공으로 취출한 복합 텅스텐 산화물 미립자의 박편화 시료의 투과형 전자 현미경상으로부터, 복합 텅스텐 산화물 미립자 100개의 1차 입자경을 화상 처리 장치를 이용하여 측정하고 그의 평균값을 산출함으로써 구할 수 있다. 당해 박편화 시료를 취출하기 위한 단면 가공에는 마이크로톰, 크로스 섹션 폴리셔, 집속 이온 빔(FIB) 장치 등을 이용할 수 있다.
또한 복합 텅스텐 산화물 미립자는 단결정인 것이 바람직하다는 것이 지견되었다.
복합 텅스텐 산화물 미립자가 단결정인 것은, 투과형 전자 현미경 등에 의한 전자 현미경상에 있어서, 각 미립자 내부에 결정립계가 관찰되지 않고 한결같은 격자 줄무늬만이 관찰되는 점에서 확인할 수 있다. 또한 복합 텅스텐 산화물 미립자에 있어서 아몰퍼스상의 체적 비율이 50% 이하인 것은, 마찬가지로 투과형 전자 현미경상에 있어서, 미립자 전체에 한결같은 격자 줄무늬가 관찰되고, 격자 줄무늬가 불명료한 개소가 거의 관찰되지 않는 점에서 확인할 수 있다. 따라서 복합 텅스텐 산화물 미립자에 있어서 아몰퍼스상의 체적 비율은, 미립자 중의 한결같은 격자 줄무늬가 관찰되는 영역과 격자 줄무늬가 불명료한 영역의 비율을 관찰함으로써 확인할 수 있다.
또한 아몰퍼스상은 각 미립자 외주부에 존재하는 경우가 많으므로, 각 미립자 외주부에 주목함으로써 아몰퍼스상의 체적 비율을 산출 가능한 경우가 많다. 예를 들어 진구형 복합 텅스텐 산화물 미립자에 있어서, 격자 줄무늬가 불명료한 아몰퍼스상이 당해 미립자 외주부에 층상으로 존재하는 경우, 그의 입자경의 10% 이하의 두께이면, 당해 복합 텅스텐 산화물 미립자에 있어서의 아몰퍼스상의 체적 비율은 50% 이하이다.
또한 본 발명에 따른 복합 텅스텐 산화물 미립자를 함유하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체는 근적외선 영역, 특히 파장 1000㎚ 부근의 광을 크게 흡수하기 때문에, 그의 투과 색조는 청색계로부터 녹색계로 되는 것이 많다.
또한 「6. 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체와 그의 제조 방법」에서 후술할 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체에 있어서의 광 산란은, 근적외선 흡수 재료 미립자의 응집을 고려할 필요가 있어서 분산 입자경에서 검토할 필요가 있다. 그리고 당해 근적외선 흡수 재료 미립자의 분산 입자경은 그의 사용 목적에 따라 각각 선정할 수 있다.
또한 상술한 근적외선 흡수 재료 미립자의 분산 입자경이란, 복합 텅스텐 산화물 미립자의 응집체의 직경을 포함하는 개념이며, 상술한 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료의 입자경과는 다른 개념이다.
먼저, 투명성을 유지한 응용에 사용하는 경우에는 800㎚ 이하의 분산 입자경을 갖고 있는 것이 더욱 바람직하다. 이는, 분산 입자경이 800㎚보다도 작은 입자는, 산란에 의하여 광을 완전히 차폐하는 일이 없어서, 가시광선 영역의 시인성을 유지하고 동시에 효율적으로 투명성을 유지할 수 있기 때문이다. 특히 가시광 영역의 투명성을 중시하는 경우에는, 또한 입자에 의한 산란을 고려하는 것이 바람직하다.
이 입자에 의한 산란의 저감을 중시할 때, 분산 입자경은 바람직하게는 200㎚ 이하, 보다 바람직하게는 10㎚ 이상 200㎚ 이하가 좋으며, 더욱 바람직하게는 10㎚ 이상 100㎚ 이하이다. 당해 이유는, 분산 입자경이 작으면, 기하학 산란 혹은 미 산란에 의한, 적외선 흡수막이 젖빛 유리처럼 되어서 선명한 투명성이 얻어지지 않게 되는 것을 회피할 수 있기 때문이다. 즉, 분산 입자경이 200㎚ 이하로 되면, 상술한 기하학 산란 혹은 미 산란이 저감되어 레일리 산란 영역으로 된다. 레일리 산란 영역에서는, 산란광은 분산 입자경의 6승에 비례하기 때문에, 분산 입자경의 감소에 수반하여 산란이 저감되어 투명성이 향상되기 때문이다. 또한 분산 입자경이 100㎚ 이하로 되면, 산란광은 매우 적어져서 바람직하다. 광의 산란을 회피하는 관점에서는 분산 입자경이 작은 편이 바람직하고, 분산 입자경이 10㎚ 이상이면 공업적인 제조는 용이하다.
상술한 분산 입자경을 800㎚ 이하로 함으로써, 근적외선 흡수 재료 미립자를 매체 중에 분산시킨 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체의 헤이즈값을, 가시광 투과율 85% 이하에 있어서 10% 이하로 할 수 있다. 특히 분산 입자경을 100㎚ 이하로 함으로써 헤이즈를 1% 이하로 할 수 있다.
본 발명에 따른 근적외선 흡수 미립자의 분산 입자경은 800㎚ 이하인 것이 바람직하다. 이는, 근적외선 흡수 미립자인 복합 텅스텐 산화물의 근적외선 흡수가, 「국재 표면 플라스몬 공명」이라 칭해지는 나노 입자 특유의 광 흡수, 산란에 기초하고 있는 데 따른 것이다.
즉, 복합 텅스텐 산화물의 분산 입자경이 800㎚ 이하일 때 국재 표면 플라스몬 공명이 생겨서, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체에 조사되는 근적외선을 근적외선 흡수 미립자가 효율적으로 흡수하여 열에너지로 변환하기 쉬워진다.
분산 입자경이 200㎚ 이하이면 국재 표면 플라스몬 공명이 더욱 강해져서, 조사되는 근적외선을 보다 강력하게 흡수하기 때문에 보다 바람직하다.
또한 본 발명에 따른 근적외선 흡수 미립자의 분산 입자경이 200㎚ 이하이면 근적외선 흡수 특성과 투명성을 유지할 수 있다.
또한 당해 미립자를 적당한 고체 매체 중 또는 고체 매체 표면에 분산시켜 제조한 근적외선 흡수체는, 스퍼터링법, 증착법, 이온 플레이팅법 및 과학 기상법(CVD법) 등의 진공 성막법 등의 건식법으로 제작한 막이나, CVD법이나 스프레이법으로 제작한 막과 비교하여, 광의 완충 효과를 이용하지 않더라도 태양 광선, 특히 근적외선 영역의 광을 보다 효율적으로 흡수하고 동시에 가시광 영역의 광을 투과시킨다는 것을 지견한 것이다.
4. 복합 텅스텐 산화물 미립자의 제조 방법
본 발명에 따른, 상기 일반식 MxWyOz로 표기되는 복합 텅스텐 산화물 미립자는, 텅스텐 산화물 미립자의 출발 원료인 텅스텐 화합물과 상기 M 원소를 함유하는 단체 또는 화합물을 0.20≤x/y≤0.37의 비율로 혼합한 혼합체를 환원성 가스 분위기, 혹은 환원성 가스와 불활성 가스의 혼합 가스 분위기 중, 또는 불활성 가스 분위기 중에서 열처리하는 고상 반응법으로 제조할 수 있다. 당해 열처리를 거쳐 소정의 입자경으로 되도록 분쇄 처리 등으로 미립자화되어 얻어진 복합 텅스텐 산화물 미립자는 충분한 근적외선 흡수력을 가져서, 근적외선 흡수 재료 미립자로서 바람직한 성질을 갖고 있다.
본 발명에 따른, 상기 일반식 MxWyOz로 표기되는 복합 텅스텐 산화물 미립자를 얻기 위한 출발 원료인 텅스텐 화합물에는, 삼산화텅스텐 분말, 이산화텅스텐 분말, 혹은 텅스텐 산화물의 수화물, 혹은 육염화텅스텐 분말, 혹은 텅스텐산암모늄 분말, 혹은 육염화텅스텐을 알코올 중에 용해시킨 후 건조하여 얻어지는 텅스텐 산화물의 수화물 분말, 혹은 육염화텅스텐을 알코올 중에 용해시킨 후 물을 첨가하여 침전시키고 이를 건조하여 얻어지는 텅스텐 산화물의 수화물 분말, 혹은 텅스텐산암모늄 수용액을 건조하여 얻어지는 텅스텐 화합물 분말, 금속 텅스텐 분말로부터 선택된 어느 한 종류 이상의 분말과, 상기 M 원소를 함유하는 단체 또는 화합물의 분말을, 0.20≤x/y≤0.37의 비율로 혼합한 분말을 이용할 수 있다.
또한 당해 복합 텅스텐 산화물 미립자를 얻기 위한 출발 원료인 텅스텐 화합물이 용액 또는 분산액이면, 각 원소는 용이하게 균일 혼합 가능하게 된다.
당해 관점에서 복합 텅스텐 산화물 미립자의 출발 원료가, 육염화텅스텐의 알코올 용액 또는 텅스텐산암모늄 수용액과, 상기 M 원소를 함유하는 화합물의 용액을 혼합한 후, 건조한 분말인 것이 더욱 바람직하다.
마찬가지의 관점에서 복합 텅스텐 산화물 미립자의 출발 원료가, 육염화텅스텐을 알코올 중에 용해시킨 후 물을 첨가하여 침전을 생성시킨 분산액과, 상기 M 원소를 함유하는 단체 또는 화합물의 분말, 또는 상기 M 원소를 함유하는 화합물의 용액을 혼합한 후, 건조한 분말인 것도 바람직하다.
상기 M 원소를 함유하는 화합물로서는, M 원소의 텅스텐산염, 염화물염, 질산염, 황산염, 옥살산염, 산화물, 탄산염, 수산화물 등을 들 수 있지만 이들에 한정되지 않으며, 용액상으로 되는 것이면 된다. 또한 당해 복합 텅스텐 산화물 미립자를 공업적으로 제조하는 경우에 텅스텐 산화물의 수화물 분말이나 삼산화텅스텐과, M 원소의 탄산염이나 수산화물을 이용하면, 열처리 등의 단계에서 유해한 가스 등이 발생하는 일이 없어서 바람직한 제조법이다.
여기서, 복합 텅스텐 산화물 미립자를 얻기 위한 출발 원료인 텅스텐 화합물과, 상기 M 원소를 함유하는 화합물의 혼합체를 이용하여, 복합 텅스텐 산화물을 얻는 열처리 조건에 대하여 설명한다.
먼저 출발 원료인 상기 혼합체를 환원성 가스 분위기 중, 또는 환원성 가스와 불활성 가스의 혼합 가스 분위기 중, 또는 불활성 가스 분위기 중에서 열처리한다.
열처리 조건은, 환원성 분위기 중의 열처리 조건으로서 먼저, 텅스텐 화합물 출발 원료와 M 원소를 함유하는 단체 또는 화합물을 혼합한 분말, 또는 상기 텅스텐 화합물 출발 원료의 용액 또는 분산액과 상기 M 원소를 함유하는 화합물의 용액 또는 분산액을 혼합한 후 건조하여 얻어진 분말을 환원성 가스 분위기 중에서 100℃ 이상 850℃ 이하에서 열처리하는 것이 바람직하다. 열처리 온도가 100℃ 이상이면 환원 반응이 충분히 진행되어 바람직하다. 또한 850℃ 이하이면 환원이 지나치게 진행되는 일이 없어서 바람직하다. 환원성 가스는 특별히 한정되지 않지만 H2가 바람직하다. 또한 환원성 가스로서 H2를 이용하는 경우에는, 환원 분위기의 조성으로서의 H2는 체적비로 0.1% 이상 있는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 체적비로 2% 이상이 좋다. H2가 체적비로 0.1% 이상이면 효율적으로 환원을 진행시킬 수 있다.
이어서, 필요에 따라, 결정성의 향상이나 흡착된 환원성 가스의 제거를 위하여, 여기서 얻어진 입자를 또한 불활성 가스 분위기 중에서 550℃ 이상 1200℃ 이하의 온도에서 열처리하는 것이 좋다. 불활성 가스 분위기 중에 있어서의 열처리 조건으로서는 550℃ 이상이 바람직하다. 550℃ 이상에서 열처리된 복합 텅스텐 화합물 출발 원료는 충분한 도전성을 나타낸다. 또한 불활성 가스로서는 Ar, N2 등의 불활성 가스를 이용하는 것이 좋다. 결정성이 양호한 복합 텅스텐 산화물의 제작에는 이하의 열처리 조건을 제안할 수 있다. 단, 출발 원료나 목적으로 하는 화합물의 종류에 따라 열처리 조건은 다르므로 하기 방법에 한정되지 않는다.
결정성이 양호한 복합 텅스텐 산화물을 제조하는 경우에는, 열처리 온도는 높은 편이 바람직하고, 환원 온도는, 출발 원료나 환원 시의 H2 온도에 따라 다르지만 600℃ 내지 850℃가 바람직하다. 또한 그 후의 불활성 분위기에서의 열처리 온도는 700℃ 내지 1200℃가 바람직하다.
이들 소성 처리 시간은 온도에 따라 적당히 선택하면 되지만, 5분 간 이상 5시간 이하이면 된다. 이와 같이 하여 얻어진 복합 텅스텐 산화물 입자를 적당한 용매와 함께, 예를 들어 비즈 밀, 볼 밀, 샌드 밀, 페인트 셰이커, 초음파 호모게나이저 등으로부터 선택되는 기재에 투입하고 습식 분쇄하여 당해 복합 텅스텐 산화물 입자를 보다 미립자화할 수 있다.
당해 열처리에 의하여 복합 텅스텐 산화물에 있어서 2.2≤z/y≤3.0으로 한다.
한편, 복합 텅스텐 산화물의 제조 방법은 고상 반응법에 한정되지 않는다. 적당한 제조 조건을 설정함으로써 열 플라스마법으로도 제조할 수 있다. 당해 적당하게 설정해야 할 제조 조건으로서, 예를 들어 열 플라스마 중에 원료 공급할 때의 공급 속도, 원료 공급에 이용하는 캐리어 가스의 유량, 플라스마 영역을 유지하는 플라스마 가스의 유량, 및 플라스마 영역의 바로 외측을 흐르게 할 시스 가스의 유량 등을 들 수 있다.
이상 설명한, 복합 텅스텐 산화물이나 복합 텅스텐 산화물 입자를 얻는 열처리 공정을, 본 발명에 따른 제1 공정이라 기재하는 경우가 있다.
상기 열처리 공정에서 얻어진 복합 텅스텐 산화물의 벌크체나 입자의 미립자화는, 「5. 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액과 그의 제조 방법」에서 후술할 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액을 거치는 것이 바람직하다. 당해 복합 텅스텐 산화물 입자를 적당한 용매와 혼합하여 근적외선 흡수 재료 미립자의 분산액을 얻는 과정에서 당해 혼합물을 습식 분쇄하여 근적외선 흡수 재료의 미립자화를 진척시키면서 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액을 얻는다. 당해 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액으로부터 근적외선 흡수 재료 미립자를 얻기 위해서는 공지된 방법으로 용매를 제거하면 된다.
또한 복합 텅스텐 산화물의 벌크체나 입자의 미립자화는, 제트 밀 등을 이용하는 건식 미립자화도 가능하다. 단, 건식 미립자화이더라도, 얻어지는 복합 텅스텐 산화물의 입자에 소정의 입자경을 부여할 수 있는 분쇄 조건(미립자화 조건)을 정하는 것은 물론이다. 예를 들어 제트 밀을 이용한다면, 적절한 분쇄 조건으로 되는 풍량이나 처리 시간으로 되는 제트 밀을 선택하면 된다.
이상 설명한, 복합 텅스텐 산화물이나 복합 텅스텐 산화물 입자를 미립자화하여 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자를 얻는 공정을, 본 발명에 따른 제2 공정이라 기재하는 경우가 있다.
상술한 제2 공정에서 얻어진 복합 텅스텐 산화물 미립자인 근적외선 흡수 재료 미립자의 표면을, Si, Ti, Zr, Al로부터 선택되는 1종류 이상의 금속을 함유하는 산화물로 피복하는 것은, 내후성 향상의 관점에서 바람직하다. 피복 방법은 특별히 한정되지 않지만, 당해 근적외선 흡수 재료 미립자를 분산한 용액 중에 상술한 금속의 알콕시드를 첨가함으로써 근적외선 흡수 재료 미립자의 표면을 피복하는 것이 가능하다.
5. 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액과 그의 제조 방법
상술한 바와 같이, 제1 공정에서 얻어진 복합 텅스텐 산화물 미립자를 적당한 용매 중에 혼합·분산한 것이, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액이다. 당해 용매는 특별히 한정되는 것은 아니며, 도포·반죽 조건, 도포·반죽 환경, 나아가 무기 결합제나 수지 결합제를 함유시키고자 할 때는 당해 결합제에 맞추어 적당히 선택하면 된다. 예를 들어 물, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 이소프로필알코올, 이소부틸알코올, 디아세톤알코올 등의 알코올류, 메틸에테르, 에틸에테르, 프로필에테르 등의 에테르류, 에스테르류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 디에틸케톤, 시클로헥사논, 이소부틸케톤 등의 케톤류, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소류와 같은 각종 유기 용매를 사용 가능하다.
또한 원하는 바에 따라 당해 분산액에 산이나 알칼리를 첨가하여 pH 조정을 해도 된다.
또한 당해 용매에는 수지의 모노머나 올리고머를 이용해도 된다.
한편, 분산액 중에 있어서의 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 안정성을 한층 더 향상시키기 위하여 각종 분산제, 계면 활성제, 커플링제 등의 첨가도 물론 가능하다.
당해 분산제, 계면 활성제, 커플링제는 용도에 맞추어 선정 가능하지만, 아민을 함유하는 기, 수산기, 카르복실기, 또는 에폭시기를 관능기로서 갖는 것임이 바람직하다. 이들 관능기는, 표면 처리 적외선 흡수 재료 미립자의 표면에 흡착하여 응집을 방지하여 균일하게 분산시키는 효과를 갖는다. 이들 관능기 중 어느 것을 분자 중에 갖는 고분자계 분산제는 더욱 바람직하다.
시판 중인 분산제에 있어서의 바람직한 구체예로서는, 루브리졸사 제조의 SOLSPERSE(등록 상표) 3000, 9000, 11200, 13000, 13240, 13650, 13940, 16000, 17000, 18000, 20000, 21000, 24000SC, 24000GR, 26000, 27000, 28000, 31845, 32000, 32500, 32550, 32600, 33000, 33500, 34750, 35100, 35200, 36600, 37500, 38500, 39000, 41000, 41090, 53095, 55000, 56000, 76500 등;
빅 케미 저팬(주) 제조의 Disperbyk(등록 상표)-101, 103, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 116, 130, 140, 142, 145, 154, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 170, 171, 174, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 190, 2000, 2001, 2020, 2025, 2050, 2070, 2095, 2150, 2155, Anti-Terra(등록 상표)-U, 203, 204, BYK(등록 상표)-P104, P104S, 220S, 6919 등;
에프카 애디티브즈사 제조의 EFKA(등록 상표)-4008, 4046, 4047, 4015, 4020, 4050, 4055, 4060, 4080, 4300, 4330, 4400, 4401, 4402, 4403, 4500, 4510, 4530, 4550, 4560, 4585, 4800, 5220, 6230, BASF 저팬(주)사 제조의 JONCRYL(등록 상표)-67, 678, 586, 611, 680, 682, 690, 819, JDX5050 등;
오쓰카 가가쿠 가부시키가이샤 제조의 TERPLUS(등록 상표) MD1000, D1180, D1330 등;
미쓰비시 케미컬사 제조의 다이아날(등록 상표) BR-87, 116 등;
도아 고세이(주) 제조의 아루폰(등록 상표) UC-3000, UF-5022, UG-4010, UG-4035, UG-4070 등;
아지노모토 파인테크노(주) 제조의 아지스퍼(등록 상표) PB-711, PB-821, PB-822 등을 사용할 수 있다.
또한 시판 중인 액상이나 과립상의 아크릴 수지나 메타크릴 수지를 이용하는 것도 유익하다.
또한 당해 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액에 있어서, 근적외선 흡수 재료 미립자 100중량부에 대하여 용매를 80중량부 이상 포함하면 분산액으로서의 보존성을 담보하기 쉽고, 그 후의 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 제작할 때의 작업성도 확보할 수 있다.
복합 텅스텐 산화물 미립자의 용매에 대한 분산 방법은, 미립자를 분산액 중에 균일하게 분산하는 방법이며, 당해 복합 텅스텐 산화물 미립자의 입자경이 800㎚ 이하, 바람직하게는 200㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎚ 이상 100㎚ 이하로 조제로 할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 비즈 밀, 볼 밀, 샌드 밀, 페인트 셰이커, 초음파 호모게나이저 등을 들 수 있다.
이들 기재를 이용한 기계적인 분산 처리 공정에 의하여, 복합 텅스텐 산화물 미립자의 용매 중으로의 분산과 동시에 복합 텅스텐 산화물 입자끼리의 충돌 등에 의하여 미립자화가 진행됨과 함께, 당해 복합 텅스텐 산화물 입자에 포함되는 육방정의 결정 구조에 왜곡이나 변형을 부여하여, 당해 결정자 구조를 구성하는 원자에 있어서의 전자 궤도의 중첩 상태가 변화하여 자유 전자량의 증가가 진행된다.
또한 당해 복합 텅스텐 산화물 입자의 미립자화의 진행 속도는 분쇄 장치의 장치 정수에 따라 다르다. 따라서 미리 시험적인 분쇄를 실시하여 복합 텅스텐 산화물 미립자에 소정의 입자경을 부여할 수 있는 분쇄 장치, 분쇄 조건을 구해 두는 것이 긴요하다.
또한 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액을 거쳐 근적외선 흡수 재료 미립자의 미립자화를 행하고, 그 후, 용매를 제거하여 근적외선 흡수 재료 미립자의 분산분을 얻는 경우에도, 소정의 입자경을 부여할 수 있는 분쇄 조건(미립자화 조건)을 정하는 것은 물론이다. 당해 분산분은 근적외선 흡수 미립자 분산액의 건조 고화물의 일종이며, 상술한 분산제를 포함하고 있기 때문에, 적당한 용매와 혼합함으로써 당해 용매 중에 재분산시킬 수 있다.
본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액의 상태는, 복합 텅스텐 산화물 미립자를 용매 중에 분산하였을 때의 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 상태를 측정함으로써 확인할 수 있다. 예를 들어 본 발명에 따른 복합 텅스텐 산화물 미립자가 용매 중에 있어서 미립자 및 미립자의 응집 상태로서 존재하는 액으로부터 시료를 샘플링하여, 시판되고 있는 다양한 입도 분포계로 측정함으로써 확인할 수 있다. 입도 분포계로서는, 예를 들어 동적 광 산란법을 원리로 한 오쓰카 덴시(주)사 제조의 ELS-8000 등의 공지된 측정 장치를 이용할 수 있다.
또한 복합 텅스텐 산화물 미립자의 결정 구조는, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액의 용매를 제거하여 얻어지는 복합 텅스텐 산화물 미립자에 대하여 X선 회절 측정을 행함으로써, 당해 미립자에 포함되는 결정 구조를 특정할 수 있다.
우수한 근적외선 흡수 특성을 발휘시키는 관점에서 근적외선 흡수 미립자의 결정자경은 1㎚ 이상 200㎚ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1㎚ 이상 100㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎚ 이상 70㎚ 이하이다. 결정자경의 측정은, 분말 X선 회절법(θ-2θ법)에 의한 X선 회절 패턴의 측정과, 리트벨트법에 의한 해석을 이용한다. X선 회절 패턴의 측정에는, 예를 들어 스펙트리스 가부시키가이샤 PANalytical 제조의 분말 X선 회절 장치 「X'Pert-PRO/MPD」 등을 이용하여 행할 수 있다.
복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자경은, 광학 특성의 관점에서 바람직하게는 200㎚ 이하, 보다 바람직하게는 100㎚ 이하까지 충분히 미세한 것이 바람직하다. 또한 당해 복합 텅스텐 산화물 미립자는 균일하게 분산되어 있는 것이 바람직하다.
복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자경이 바람직하게는 200㎚ 이하, 보다 바람직하게는 10㎚ 이상 200㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎚ 이상 100㎚ 이하이면, 제조되는 근적외선 흡수체가, 단조로이 투과율이 감소한 회색계의 것으로 되어 버리는 것을 회피할 수 있기 때문이다.
또한 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체의 분산 입자경이란, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체 또는 근적외선 흡수체 중에 분산된, 복합 텅스텐 산화물 미립자의 단체 입자 및 당해 복합 텅스텐 산화물 미립자가 응집한 응집 입자의 입자경을 의미하는 개념이다.
본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체에 있어서의, 근적외선 흡수 재료 미립자인 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자경은, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체로부터 단면 가공으로 취출한 박편화 시료의 투과형 전자 현미경상으로부터, 복합 텅스텐 산화물 미립자 100개의 입자경을 화상 처리 장치를 이용하여 측정하고 그의 평균값을 산출함으로써 구할 수 있다.
당해 박편화 시료를 취출하기 위한 단면 가공에는 마이크로톰, 크로스 섹션 폴리셔, 집속 이온 빔(FIB) 장치 등을 이용할 수 있다. 또한 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체 또는 근적외선 흡수체에 포함되는 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자경이란, 매트릭스인 고체 매체 중에서 분산되어 있는, 근적외선 흡수 재료 미립자인 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자경의 평균값이다.
한편, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액에 있어서, 복합 텅스텐 산화물 미립자가 응집하여 조대한 응집체로 되고, 당해 조대화된 입자가 다수 존재하면, 당해 조대 입자가 광 산란원으로 된다. 이 결과, 당해 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액이, 근적외선 흡수막이나 근적외선 흡수체로 되었을 때 흐림(헤이즈)이 커져서 가시광 투과율이 감소하는 원인으로 되는 일이 있다. 따라서 복합 텅스텐 산화물 미립자의 조대 입자 생성을 회피하는 것이 바람직하다.
얻어진 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액으로부터 근적외선 흡수 재료 미립자를 얻기 위해서는 공지된 방법으로 용매를 제거하면 되는데, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액을 감압 건조하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액을 교반하면서 감압 건조하여 용매 성분을 분리하면 된다. 건조 공정의 감압 시의 압력값은 적당히 선택된다.
당해 감압 건조법을 이용함으로써 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액으로부터의 용매의 제거 효율이 향상함과 함께, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산분이 장시간 고온에 노출되는 일이 없으므로, 당해 분산분 중에 분산되어 있는 근적외선 흡수 재료 미립자의 응집이 일어나지 않아서 바람직하다. 또한 근적외선 흡수 재료 미립자의 생산성도 높아지고, 증발한 용매를 회수하는 것도 용이하여, 환경적 배려로부터도 바람직하다.
건조 공정에 이용하는 설비로서는, 가열 및 감압이 가능하고 당해 분산분의 혼합이나 회수를 하기 쉽다는 관점에서 진공 유동 건조기, 진공 가열 교반 분쇄기, 진동 유동 건조기, 드럼 건조기 등이 바람직하지만 이들에 한정되지 않는다.
6. 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체와 그의 제조 방법
본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체는, 상기 근적외선 흡수 재료 미립자와, 상술한 실란 화합물과, 아크릴 수지를 포함한다.
그리고 근적외선 흡수 재료 미립자 100질량부에 대하여 고체 매체로서의 아크릴 수지를 80질량부 이상 포함하면, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 바람직하게 형성할 수 있다.
당해 근적외선 흡수 재료 미립자를 고체 매체로서의 아크릴 수지에 혼합하고 용융 혼련할 때는, 「2. 실란 화합물」에서 설명한 실란 화합물을 첨가한다.
또한 실란 화합물의 첨가량은, 근적외선 흡수 재료 미립자 100질량부에 대하여 1질량부 이상 200질량부 이하로 하는 것이 바람직하다.
그리고 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체는, 실란 화합물을 함유시킨 고체 매체에 근적외선 흡수 재료 미립자를 용융 혼련시킨 것이다.
또한 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체에 있어서, 첨가해야 할 고체 매체의 전량이 아니라 일부의 적당량을 첨가함으로써, 마스터 뱃치의 형태인 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 제조하는 것도 바람직한 구성이다.
마스터 뱃치의 형태인 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 제조하는 경우, 실란 화합물을 함유시킨 고체 매체와 근적외선 흡수 재료 미립자의 혼합물을 벤트식 1축 혹은 2축의 압출기로 혼련하여 펠릿상으로 가공함으로써, 본 발명에 따른 마스터 뱃치의 형태의 적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 얻을 수 있다.
마스터 뱃치의 펠릿은, 가장 일반적인, 용융 압출된 스트랜드를 커트하는 방법에 의하여 얻을 수 있다. 따라서 그의 형상으로서는 원주형이나 각기둥형의 것을 들 수 있다. 또한 용융 압출물을 직접 커트하는, 이른바 핫 커트법을 취하는 것도 가능하다. 이러한 경우에는 구형에 가까운 형상을 취하는 것이 일반적이다.
이와 같이 본 발명에 따른 마스터 뱃치는, 어느 형태 또는 형상을 취할 수 있는 것이다. 하지만, 후술할 근적외선 흡수체를 성형할 때, 당해 마스터 뱃치의 펠릿은, 희석에 사용되는 고체 매체의 펠릿과 동일한 형태 및 형상을 갖고 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체 중에 있어서, 복합 텅스텐 산화물 미립자는 분산 상태를 유지하고 있으므로, 당해 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체는, 수지 재료 등의, 내열 온도가 낮은 기재 재료에 대한 적용이 가능하고, 근적외선 흡수체 형성 시에 대형 장치를 필요로 하지 않아서 저렴하다는 이점이 있다.
또한 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체의 고체 용매의 매트릭스 중에 분산된 복합 텅스텐 산화물 미립자의 평균 입자경과, 당해 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 형성하는 데 이용한 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액 중이나 근적외선 흡수체 형성용 분산액 중에 분산된 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자경이 다른 경우가 있다. 이는, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액이나 근적외선 흡수체 형성용 분산액으로부터 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 얻을 때, 당해 분산액 중에서 응집해 있던 복합 텅스텐 산화물 미립자의 응집이 풀어지기 때문이다.
7. 근적외선 흡수체와 그의 제조 방법
본 발명에 따른 근적외선 흡수체는, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를, 공지된 방법에 의하여 판상, 필름상, 박막상으로부터 선택되는 어느 형상으로 성형한 것이다. 한편, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체가 마스터 뱃치의 형태인 경우에는, 공지된 방법으로 소정량의 고체 매체인 아크릴 수지 매체와 혼합하고, 공지된 방법에 의하여 판상, 필름상, 박막상으로부터 선택되는 어느 형상으로 성형한 것이다.
본 발명에 따른 근적외선 흡수체는, 종래의 기술에 따른 근적외선 흡수체와 비교하여 태양 광선, 특히 근적외선 영역의 광을 보다 효율적으로 흡수하고 동시에 가시광 영역의 고투과율을 유지하는 우수한 광학 특성을 발휘한다. 그리고 흡수된 근적외선은 열로 변환된다.
본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 이용함으로써, 근적외선 흡수성이 우수한 근적외선 흡수체를 얻을 수 있다.
여기서, 본 발명에 있어서 근적외선 흡수성이란, 근적외선 영역에 있는 파장780㎚ 내지 1200㎚의 광을 잘 흡수하는 것을 의미하는 개념이다.
태양 광선은 다양한 파장으로 구성되어 있는데, 크게 자외선, 가시광선, 적외선으로 분류할 수 있으며, 그 중에서 적외선이 약 46%를 차지하고 있다는 것이 알려져 있다. 그리고 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자는 근적외선 영역, 특히 파장 1000㎚ 부근의 광을 크게 흡수한다.
따라서 근적외선 흡수성은 태양 광선의 투과율, 즉 일사 투과율로 평가할 수 있다. 일사 투과율이 낮은 경우에는, 근적외 영역의 광을 잘 흡수하고 있는 점에서 근적외선 흡수성이 우수하다고 판단할 수 있다.
이 결과, 예를 들어 본 발명의 근적외선 흡수체를 필름상으로 하여 창에 부착한 경우, 실내의 밝기를 유지한 채 일사열의 실내로의 침입을 억제할 수 있다.
이상, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체가 마스터 뱃치인 경우, 공지된 방법으로 소정량의 고체 매체인 아크릴 수지 매체와 혼합하고, 공지된 방법에 의하여 판상, 필름상, 박막상으로부터 선택되는 어느 형상으로 성형하는 방법에 대하여 설명하였지만, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자를, 마스터 뱃치를 거치지 않고 기재인 고체 매체 중에 분산시키는 것도 가능하다.
근적외선 흡수 재료 미립자를 고체 매체 중에 분산시키기 위해서는, 당해 근적외선 흡수 재료 미립자 100질량부에 대하여 1질량부 이상 200질량부 이하의 실란 화합물과 함께 고체 매체 표면으로부터 침투시켜도 되지만, 고체 매체인 아크릴 수지 매체를, 그의 용융 온도 이상으로 온도를 높여 용융시킨 후, 근적외선 흡수 재료 미립자와, 당해 근적외선 흡수 재료 미립자 100질량부에 대하여 1질량부 이상 200질량부 이하의 실란 화합물과, 아크릴 수지 매체를 혼합하는 것도 바람직하다. 이와 같이 하여 얻어진 것을 소정의 방법으로 필름이나 판(보드)상으로 형성하여 근적외선 흡수체를 얻을 수 있다.
또한 아크릴 수지 매체에 근적외선 흡수 재료 미립자를 분산하는 방법으로서, 먼저 아크릴 수지와, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액과, 당해 근적외선 흡수 재료 미립자 100질량부에 대하여 1질량부 이상 200질량부 이하의 실란 화합물을 혼합하여 혼합물을 얻는다. 얻어진 혼합물로부터 분산 용매를 증발시킨 후, 아크릴 수지의 용융 온도인 260℃ 정도로 가열하여 아크릴 수지를 용융시키고 혼합하고 냉각하는 것에 의해서도 근적외선 흡수체의 제작이 가능하다.
8. 근적외선 흡수물 적층체와 그의 제조 방법
본 발명에 따른 근적외선 흡수물 적층체는, 근적외선 흡수체가 소정의 기재의 표면에 형성된 것이다.
본 발명에 따른 근적외선 흡수물 적층체는, 소정의 기재의 표면에 근적외선 흡수체를 형성함으로써 제조할 수 있다.
당해 근적외선 흡수물 적층체의 기재로서는, 원하는 바에 따라 필름이어도 보드여도 되며 형상은 한정되지 않는다. 투명 기재 재료로서는, PET, 아크릴, 우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에틸렌, 에틸렌아세트산비닐 공중합체, 염화비닐, 불소수지 등을 각종 목적에 따라 사용 가능하다. 또한 수지 이외로는 유리를 이용할 수 있다.
9. 근적외선 흡수용 접합 구조체 및 그의 제조 방법
본 발명에 따른 근적외선 흡수용 접합 구조체 중 하나는, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 이용하여 성형된 근적외선 흡수체가, 판유리, 플라스틱판, 근적외선 흡수 기능을 갖는 미립자를 포함하는 플라스틱판으로부터 선택되는 2매 이상의 접합판 사이에 존재하고 있는 것이다.
또한 본 발명에 따른 근적외선 흡수용 접합 구조체 중 하나는, 본 발명에 따른 근적외선 흡수물 적층체가, 판유리, 플라스틱판, 일사 흡수 기능을 갖는 미립자를 포함하는 플라스틱판으로부터 선택되는 접합판과 대향한 것, 또는 판유리, 플라스틱판, 일사 흡수 기능을 갖는 미립자를 포함하는 플라스틱판으로부터 선택되는 2매 이상의 접합판 사이에 존재하고 있는 것이다.
본 발명에 따른 근적외선 흡수체를 이용한 근적외선 흡수 접합 투명 기재에는 다양한 형태가 있다.
예를 들어 투명 기재로서 무기 유리를 이용한 근적외선 흡수 접합 무기 유리는, 근적외선 흡수체를 끼워넣고 존재시킨 대향하는 복수 매의 무기 유리를 공지된 방법으로 맞대어 일체화함으로써 얻어진다. 얻어진 근적외선 흡수 접합 무기 유리는, 예를 들어 카포트, 스타디움, 쇼핑 몰, 공항 등의 지붕재, 창재 등의 건축재로서 사용할 수 있다. 또한 자동차의 창(루프, 쿼터 윈도), 자동차의 프런트 글래스 등으로서도 사용할 수 있다.
상술한 본 발명에 따른 근적외선 흡수체나 근적외선 흡수물 적층체를, 2매 이상의 대향하는 투명 기재 사이에 끼워넣거나, 본 발명에 따른 근적외선 흡수물 적층체를 투명 기재와 대향시킴으로써, 본 발명에 따른 근적외선 흡수용 접합 구조체를 제조할 수 있다.
투명 기재로서 투명 수지를 이용하여, 상술한 무기 유리를 이용한 경우와 마찬가지로 판유리, 플라스틱, 근적외선 흡수 기능을 갖는 미립자를 포함하는 플라스틱으로부터 선택되는 2매 이상의 대향하는 투명 기재 사이에 근적외선 흡수막을 끼워넣거나, 본 발명에 따른 근적외선 흡수물 적층체를 투명 기재와 대향시킴으로써 근적외선 흡수 접합 투명 기재를 얻을 수 있다. 용도는, 근적외선 흡수 접합 무기 유리와 마찬가지이다.
또한 용도에 따라서는 근적외선 흡수막 단체로서 사용하는 것도 가능하다. 또한 무기 유리나 투명 수지 등의 투명 기재의 편면 또는 양면에 당해 근적외선 흡수막을 존재시켜 근적외선 흡수물 적층체로서 사용하는 것도 물론 가능하다.
10. 정리
본 발명에 따른 적외선 흡수 재료 미립자 분산체, 근적외선 흡수체, 근적외선 흡수물 적층체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체는, 종래의 기술에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체, 근적외선 흡수체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체와 비교하여 태양 광선, 특히 근적외선 영역의 광을 보다 효율적으로 흡수하고 동시에 가시광 영역의 고투과율을 유지하는 등, 우수한 광학 특성을 발휘하였다.
그리고 근적외선 흡수 재료 미립자가 아크릴 수지 중에 분산되어 있는, 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체를 이용하여 기재 표면에 성막한 근적외선 흡수체는, 스퍼터링법, 증착법, 이온 플레이팅법 및 화학 기상법(CVD법) 등의 진공 성막법 등의 건식법으로 제작한 막과 비교하더라도 태양 광선, 특히 근적외선 영역의 광을 효율적으로 흡수하고 동시에 가시광 영역의 고투과율을 유지하는 등, 우수한 광학 특성을 발휘하였다.
또한 본 발명에 따른 근적외선 흡수체, 근적외선 흡수물 적층체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체는, 진공 장치 등의 대규모 장치를 사용하는 일 없이 저렴하게 제조 가능하여 공업적으로 유용하다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 복합 텅스텐 산화물 미립자의 결정자경의 측정에는, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산액으로부터 용매를 제거하여 얻어지는 복합 텅스텐 산화물 미립자 분산분을 이용하였다. 그리고 당해 복합 텅스텐 산화물 미립자의 X선 회절 패턴을, 분말 X선 회절 장치(스펙트리스 가부시키가이샤 PANalytical 제조의 X'Pert-PRO/MPD)를 이용하여 분말 X선 회절법(θ-2θ법)에 의하여 측정하였다. 얻어진 X선 회절 패턴과 리트벨트법에 의한 해석으로부터, 당해 미립자에 포함되는 결정자경을 측정하였다.
또한 본 발명에 따른 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체에 있어서의 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자경은, 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체의 박편화 시료의 투과형 전자 현미경(히타치 세이사쿠쇼(주)사 제조의 HF-2200)상(2만 배)으로부터 화상 해석을 이용하여 측정하였다.
또한 Cs 텅스텐 산화물 미립자를 포함한 근적외선 흡수 아크릴 수지 성형체의 가시광 투과율 및 일사 투과율은, 히타치 세이사쿠쇼(주) 제조의 분광 광도계 U-4100을 이용하여 JIS R 3106:1988에 기초하여 측정하였다. 또한 헤이즈값은, 무라카미 시키사이 기주쓰 겐큐죠(주)사 제조의 HM-150W를 이용하여 JIS K 7136:2000에 기초하여 측정하였다.
(실시예 1)
물 6.70㎏에 탄산세슘(Cs2CO3) 7.43㎏을 용해시켜 용액을 얻었다. 당해 용액을 텅스텐산(H2WO4) 34.57㎏에 첨가하고 충분히 교반 혼합한 후, 교반하면서 건조하여 건조물을 얻었다(W와 Cs의 몰비가 1:0.33 상당임). 당해 건조물을, N2 가스를 캐리어로 한 5체적% H2 가스를 공급하면서 가열하여 800℃의 온도에서 5.5시간 소성한, 그 후, 당해 공급 가스를 N2 가스만으로 전환하고 실온까지 강온하여 Cs 텅스텐 산화물 입자 a를 얻었다.
당해 Cs 텅스텐 산화물 입자 a 15질량%와, 관능기로서 아민을 함유하는 기를 갖는 아크릴계 고분자 분산제(아민가 48㎎KOH/g, 분해 온도 250℃의 아크릴계 분산제)(이하, 「분산제 a」라 기재함) 12질량%와, 톨루엔 73질량%를 합계 60g 칭량하였다. 당해 칭량물을, 0.3㎜φZrO2 비즈를 240g 넣은 페인트 셰이커(아사다 뎃코사 제조)에 장전하여 24시간 분쇄·분산 처리함으로써, 근적외선 흡수 재료 미립자 톨루엔 분산액 (A-1액)을 조제하였다.
A-1액에 있어서의 근적외선 흡수 재료 미립자(Cs 텅스텐 산화물 미립자 a)의 분산 입자경은 72.4㎚였다.
여기서, A-1액으로부터 용매를 제거한 후의 분산분에 있어서의 Cs 텅스텐 산화물 미립자 a의 결정자경은 25㎚였다.
한편, A-1액에 분산제 a를 20g 첨가하여 근적외선 흡수 재료 미립자 톨루엔 분산액 (A-2액)을 얻었다.
A-2액으로부터, 진공 가열 교반 분쇄기(이시카와 제조)를 이용하여 용매 제거를 행하여 Cs 텅스텐 산화물 미립자 분산분 b를 얻었다. 얻어진 Cs 텅스텐 산화물 미립자 분산분 b(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 1.6질량%와, 알콕시실란 화합물(KBM-103, 신에쓰 실리콘 제조)을 0.32질량%와, 잔부의 메타크릴 수지를 혼합하고 블렌더를 이용하여 균일하게 혼합한 후, 2축 압출기를 이용하여 260℃에서 용융 혼련하고, 압출된 스트랜드를 펠릿상으로 커트하여 근적외선 흡수체용 마스터 뱃치를 얻었다. 당해 마스터 뱃치의 박편화 시료로부터, 근적외선 흡수체에 있어서의 분산 입자경을 측정하였다.
얻어진 마스터 뱃치(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 0.045질량%와, 잔부의 메타크릴 수지를 혼합하여 혼합물을 얻었다. 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 1㎜로 성형함으로써, Cs 텅스텐 산화물 미립자가 아크릴 수지 전체에 균일하게 분산된, 실시예 1에 따른 근적외선 흡수체 e를 얻었다.
당해 실시예 1에 따른 근적외선 흡수체에 있어서의 근적외선 흡수 재료 미립자, 근적외선 흡수체에 있어서의 실란 화합물 및 아크릴 수지의 조성, 근적외선 흡수 재료 미립자의 분산 입자경, 근적외선 흡수체의 플레이트 두께를 표 1에 기재한다.
얻어진 실시예 1에 따른 근적외선 흡수체 e의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 81.6%일 때의 일사 투과율은 51.6%, 헤이즈값은 1.1%였다.
당해 실시예 1에 따른 근적외선 흡수체 e의 광학 특성의 측정 결과를 표 1에 기재한다.
(실시예 2)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지로 조작하여 실시예 2에 따른 근적외선 흡수체 f를 얻었다.
당해 실시예 2에 따른 근적외선 흡수체에 있어서의 근적외선 흡수 재료 미립자, 근적외선 흡수체에 있어서의 실란 화합물 및 아크릴 수지의 조성, 근적외선 흡수 재료 미립자의 분산 입자경, 근적외선 흡수체의 플레이트 두께를 표 1에 기재한다. 이하, 실시예 3 내지 24, 비교예 1 내지 4에 있어서도 마찬가지로 표 1에 기재한다.
실시예 2에 따른 근적외선 흡수체 f의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 74.2%일 때의 일사 투과율은 39.2%, 헤이즈값은 1.7%였다.
당해 실시예 2에 따른 근적외선 흡수체 f의 광학 특성의 측정 결과를 표 1에 기재한다.
이하, 실시예 3 내지 16에 있어서는, 근적외선 흡수체에 있어서의 근적외선 흡수 재료 미립자, 근적외선 흡수체에 있어서의 실란 화합물 및 아크릴 수지의 조성, 근적외선 흡수 재료 미립자의 분산 입자경, 근적외선 흡수체의 플레이트 두께 및 광학 특성을 표 1에 기재하고, 실시예 17 내지 24, 비교예 1 내지 4에 있어서는, 근적외선 흡수체에 있어서의 근적외선 흡수 재료 미립자, 근적외선 흡수체에 있어서의 실란 화합물 및 아크릴 수지의 조성, 근적외선 흡수 재료 미립자의 분산 입자경, 근적외선 흡수체의 플레이트 두께 및 광학 특성을 표 2에 기재한다.
(실시예 3)
상기 얻어진 마스터 뱃치(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 0.094질량%와, 잔분의 메타크릴 수지를 혼합한 것을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지로 조작하여 근적외선 흡수체 g를 얻었다.
실시예 3에 따른 근적외선 흡수체 g의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 71.2%일 때의 일사 투과율은 35.1%, 헤이즈값은 1.8%였다.
(실시예 4)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 실시예 3과 마찬가지로 조작하여 실시예 4에 따른 근적외선 흡수체 h를 얻었다.
실시예 4에 따른 근적외선 흡수체 h의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 58.4%일 때의 일사 투과율은 24.6%, 헤이즈값은 2.7%였다.
(실시예 5)
상기 얻어진 Cs 텅스텐 산화물 미립자 분산분 b(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 1.6질량%와, 실리콘레진(217FLAKE; 도레이 다우 제조)을 0.32질량%와, 잔분의 메타크릴 수지를 혼합하여 혼합물을 얻었다. 얻어진 혼합물을 블렌더를 이용하여 균일하게 혼합한 후, 2축 압출기를 이용하여 260℃에서 용융 혼련하고, 압출된 스트랜드를 펠릿상으로 커트하여 근적외선 흡수체용 마스터 뱃치를 얻은 것을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지로 조작하여 실시예 5에 따른 근적외선 흡수체 i를 얻었다.
실시예 5에 따른 근적외선 흡수체 i의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 80.0%일 때의 일사 투과율은 49.1%, 헤이즈값은 1.7%였다.
(실시예 6)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 실시예 5와 마찬가지로 조작하여 실시예 6에 따른 근적외선 흡수체 j를 얻었다.
실시예 6에 따른 근적외선 흡수체 j의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 71.7%일 때의 일사 투과율은 36.7%, 헤이즈값은 2.6%였다.
(실시예 7)
얻어진 마스터 뱃치(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 0.094질량%와, 잔분의 메타크릴 수지를 혼합한 것을 제외하고, 실시예 5와 마찬가지로 근적외선 흡수체 k를 얻었다.
실시예 7에 따른 근적외선 흡수체 k의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 69.5%일 때의 일사 투과율은 33.9%, 헤이즈값은 2.8%였다.
(실시예 8)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 실시예 7과 마찬가지로 근적외선 흡수체 l을 얻었다.
실시예 8에 따른 근적외선 흡수체 l의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 56.2%일 때의 일사 투과율은 23.4%, 헤이즈값은 4.1%였다.
(실시예 9)
상기 얻어진 Cs 텅스텐 산화물 미립자 분산분 b(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 1.6질량%와, 실란 커플링제(KBM-903, 신에쓰 실리콘 제조)를 0.32질량%와, 잔분의 메타크릴 수지를 혼합하여 혼합물을 얻었다. 얻어진 혼합물을 블렌더를 이용하여 균일하게 혼합한 후, 2축 압출기를 이용하여 260℃에서 용융 혼련하고, 압출된 스트랜드를 펠릿상으로 커트하여 근적외선 흡수체용 마스터 뱃치를 얻은 것을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지로 조작하여 실시예 9에 따른 근적외선 흡수체 m을 얻었다.
실시예 9에 따른 근적외선 흡수체 m의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 81.2%일 때의 일사 투과율은 50.9%, 헤이즈값은 2.0%였다.
(실시예 10)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 실시예 9와 마찬가지로 조작하여 실시예 10에 따른 근적외선 흡수체 n을 얻었다.
실시예 10에 따른 근적외선 흡수체 n의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 70.5%일 때의 일사 투과율은 35.5%, 헤이즈값은 3.0%였다.
(실시예 11)
얻어진 마스터 뱃치(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 0.094질량%와, 잔분의 메타크릴 수지를 혼합한 것을 제외하고, 실시예 9와 마찬가지로 근적외선 흡수체 o를 얻었다.
실시예 11에 따른 근적외선 흡수체 o의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 69.1%일 때의 일사 투과율은 33.3%, 헤이즈값은 3.3%였다.
(실시예 12)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 실시예 11과 마찬가지로 근적외선 흡수체 p를 얻었다.
실시예 12에 따른 근적외선 흡수체 p의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 55.4%일 때의 일사 투과율은 22.5%, 헤이즈값은 4.9%였다.
(실시예 13)
상기 얻어진 Cs 텅스텐 산화물 미립자 분산분 b(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 1.6질량%와, 실란 커플링제(KBM-5103, 신에쓰 실리콘 제조)를 0.32질량%와, 잔분의 메타크릴 수지를 혼합하여 혼합물을 얻었다. 얻어진 혼합물을 블렌더를 이용하여 균일하게 혼합한 후, 2축 압출기를 이용하여 260℃에서 용융 혼련하고, 압출된 스트랜드를 펠릿상으로 커트하여 근적외선 흡수체용 마스터 뱃치를 얻은 것을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지로 조작하여 실시예 13에 따른 근적외선 흡수체 q를 얻었다.
실시예 13에 따른 근적외선 흡수체 q의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 80.9%일 때의 일사 투과율은 51.3%, 헤이즈값은 1.8%였다.
(실시예 14)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 실시예 13과 마찬가지로 조작하여 실시예 14에 따른 근적외선 흡수체 r을 얻었다.
실시예 14에 따른 근적외선 흡수체 r의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 72.0%일 때의 일사 투과율은 37.4%, 헤이즈값은 2.8%였다.
(실시예 15)
얻어진 마스터 뱃치(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 0.094질량%와, 잔분의 메타크릴 수지를 혼합한 것을 제외하고, 실시예 13과 마찬가지로 근적외선 흡수체 s를 얻었다.
실시예 15에 따른 근적외선 흡수체 s의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 69.2%일 때의 일사 투과율은 33.2%, 헤이즈값은 3.1%였다.
(실시예 16)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 실시예 15와 마찬가지로 근적외선 흡수체 t를 얻었다.
실시예 16에 따른 근적외선 흡수체 t의 광학 특성을 측정한 바, 표 1에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 55.8%일 때의 일사 투과율은 23.1%, 헤이즈값은 4.6%였다.
(실시예 17)
상기 얻어진 Cs 텅스텐 산화물 미립자 분산분 b(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 1.6질량%와, 알콕시실란(KBM-3063, 신에쓰 실리콘 제조)을 0.32질량%와, 잔분의 메타크릴 수지를 혼합하여 혼합물을 얻었다. 얻어진 혼합물을 블렌더를 이용하여 균일하게 혼합한 후, 2축 압출기를 이용하여 260℃에서 용융 혼련하고, 압출된 스트랜드를 펠릿상으로 커트하여 근적외선 흡수체용 마스터 뱃치를 얻은 것을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지로 조작하여 실시예 17에 따른 근적외선 흡수체 u를 얻었다.
실시예 17에 따른 근적외선 흡수 폴리아크릴 수지 성형체 u의 광학 특성을 측정한 바, 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 80.5%일 때의 일사 투과율은 50.1%, 헤이즈값은 1.8%였다.
(실시예 18)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 실시예 17과 마찬가지로 조작하여 실시예 18에 따른 근적외선 흡수체 v를 얻었다.
실시예 18에 따른 근적외선 흡수체 v의 광학 특성을 측정한 바, 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 70.9%일 때의 일사 투과율은 35.5%, 헤이즈값은 2.9%였다.
(실시예 19)
얻어진 마스터 뱃치(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 0.094 질량%%와, 잔분의 메타크릴 수지를 혼합한 것을 제외하고, 실시예 17과 마찬가지로 근적외선 흡수체 w를 얻었다.
실시예 19에 따른 근적외선 흡수체 w의 광학 특성을 측정한 바, 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 69.0%일 때의 일사 투과율은 33.4%, 헤이즈값은 3.1%였다.
(실시예 20)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 실시예 19와 마찬가지로 근적외선 흡수체 x를 얻었다.
실시예 20에 따른 근적외선 흡수체 x의 광학 특성을 측정한 바, 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 55.2%일 때의 일사 투과율은 22.5%, 헤이즈값은 4.7%였다.
(실시예 21)
상기 얻어진 Cs 텅스텐 산화물 미립자 분산분 b(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 1.6질량%와, 알콕시실란(KBM-7053, 신에쓰 실리콘 제조)을 0.32질량%와, 잔분의 메타크릴 수지를 혼합하여 혼합물을 얻었다. 얻어진 혼합물을 블렌더를 이용하여 균일하게 혼합한 후, 2축 압출기를 이용하여 260℃에서 용융 혼련하고, 압출된 스트랜드를 펠릿상으로 커트하여 근적외선 흡수체용 마스터 뱃치를 얻은 것을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지로 조작하여 실시예 21에 따른 근적외선 흡수체 y를 얻었다.
실시예 21에 따른 근적외선 흡수체 y의 광학 특성을 측정한 바, 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 81.2%일 때의 일사 투과율은 51.1%, 헤이즈값은 1.8%였다.
(실시예 22)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 실시예 21과 마찬가지로 조작하여 실시예 22에 따른 근적외선 흡수체 z를 얻었다.
실시예 22에 따른 근적외선 흡수체 z의 광학 특성을 측정한 바, 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 72.5%일 때의 일사 투과율은 36.5%, 헤이즈값은 2.8%였다.
(실시예 23)
얻어진 마스터 뱃치(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 0.094질량%와, 잔분의 메타크릴 수지를 혼합한 것을 제외하고, 실시예 21과 마찬가지로 근적외선 흡수체 α를 얻었다.
실시예 23에 따른 근적외선 흡수체 α의 광학 특성을 측정한 바, 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 70.3%일 때의 일사 투과율은 34.4%, 헤이즈값은 3.0%였다.
(실시예 24)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 실시예 23과 마찬가지로 근적외선 흡수체 β를 얻었다.
실시예 24에 따른 근적외선 흡수체 β의 광학 특성을 측정한 바, 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 56.3%일 때의 일사 투과율은 23.5%, 헤이즈값은 4.4%였다.
(비교예 1)
2축 압출기를 이용하여 260℃에서 용융 혼련할 때 알콕시실란 화합물을 첨가하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1에 따른 근적외선 흡수체 m을 얻었다.
얻어진 근적외선 흡수체 γ의 광학 특성을 측정한 바, 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 80.4%일 때의 일사 투과율은 51.2%, 헤이즈값은 2.1%였다.
(비교예 2)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 비교예 1과 마찬가지로 근적외선 흡수체 δ를 얻었다.
얻어진 근적외선 흡수체 n의 광학 특성을 측정한 바, 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 71.4%일 때의 일사 투과율은 37.4%, 헤이즈값은 3.3%였다.
(비교예 3)
얻어진 마스터 뱃치(Cs 텅스텐 산화물 미립자 Cs0.33WO3으로서)를 0.094질량%와, 메타크릴 수지를 혼합한 것을 제외하고, 비교예 1과 마찬가지로 근적외선 흡수체 ε을 얻었다.
얻어진 근적외선 흡수체 o의 광학 특성을 측정한 바, 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 68.5%일 때의 일사 투과율은 33.5%, 헤이즈값은 3.7%였다.
(비교예 4)
상기 얻어진 혼합물을 사출 성형 금형에 충전하고 250℃에서 플레이트상의 두께 2㎜로 성형한 것을 제외하고, 비교예 3과 마찬가지로 근적외선 흡수체 ζ를 얻었다.
얻어진 근적외선 흡수체의 광학 특성을 측정한 바, 표 2에 나타낸 바와 같이 가시광 투과율 54.0%일 때의 일사 투과율은 22.1%, 헤이즈값은 5.7%였다.
(정리)
이상, 설명한 실시예, 비교예의 결과로부터, 알콕시실란 화합물(KBM-103, KBM-3063, KBM-7103; 신에쓰 실리콘 제조)을 첨가한 실시예 1 내지 4, 17 내지 24에 따른 근적외선 흡수체와, 실리콘레진(217FLAKE; 도레이 다우 제조)을 첨가한 실시예 5 내지 8에 따른 근적외선 흡수체와, 실란 커플링제(KBM-903, KBM-5103; 신에쓰 실리콘 제조)를 첨가한 실시예 9 내지 16에 따른 근적외선 흡수체, 및 실란 화합물을 첨가하지 않는 비교예 1 내지 4에 따른 근적외선 흡수체의 광학적 특성을 비교하였다.
또한 당해 광학적 특성 비교의 편의를 위하여 종축에 일사 투과율, 횡축에 가시광 투과율을 취하고, 실시예 1 내지 4를 ◆로 플롯하여 굵은 실선으로 잇고, 실시예 5 내지 8을 ■로 플롯하여 1점 쇄선으로 잇고, 실시예 9 내지 12를 ×로 플롯하여 긴 파선으로 잇고, 실시예 13 내지 16을 *로 플롯하여 2점 쇄선으로 잇고, 실시예 17 내지 20을 ●로 플롯하여 짧은 파선으로 잇고, 실시예 21 내지 24를 +로 플롯하여 중간 파선으로 잇고, 비교예 1 내지 4를 ▲로 플롯하여 가는 실선으로 이은 그래프인 도 1, 종축에 헤이즈값, 횡축에 가시광 투과율을 취하고, 도 1과 마찬가지로 실시예 1 내지 4를 ◆로 플롯하여 굵은 실선으로 잇고, 실시예 5 내지 8을 ■로 플롯하여 1점 쇄선으로 잇고, 실시예 9 내지 12를 ×로 플롯하여 긴 파선으로 잇고, 실시예 13 내지 16을 *로 플롯하여 2점 쇄선으로 잇고, 실시예 17 내지 20을 ●로 플롯하여 짧은 파선으로 잇고, 실시예 21 내지 24를 +로 플롯하여 중간 파선으로 잇고, 비교예 1 내지 4를 ▲로 플롯하여 가는 실선으로 이은 그래프인 도 2를 작성하였다.
도 1로부터, 실시예 1 내지 4, 실시예 5 내지 8, 실시예 9 내지 12, 실시예 13 내지 16, 실시예 17 내지 20, 및 실시예 21 내지 24에 따른 근적외선 흡수체는, 비교예 1 내지 4에 따른 근적외선 흡수체와 비교하여 일사 투과율이 동등 또는 낮다는 것이 판명되었다. 또한 도 2로부터, 실시예 1 내지 4 및 실시예 5 내지 8에 따른 근적외선 흡수체는, 비교예 1 내지 4에 따른 근적외선 흡수체와 비교하여 헤이즈값이 낮다는 것도 판명되었다.
이상으로부터 실시예 1 내지 24에 따른 근적외선 흡수체는, 비교예 1 내지 4에 따른 근적외선 흡수체와 비교하여 투명성을 담보하면서 근적외선 흡수성을 발휘할 수 있어서 우수한 광학 특성을 갖는다는 것을 확인할 수 있었다.
Figure pct00001
Figure pct00002

Claims (14)

  1. 아크릴 수지 중에 복합 텅스텐 산화물 미립자와 실란 화합물이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실란 화합물이, 실란 커플링제, 알콕시실란 화합물, 실리콘레진으로부터 선택되는 어느 한 종류 이상인 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 실란 화합물이, 아미노기, 에폭시기, 머캅토기, (메트)아크릴기, 비닐기, 페닐기, 이소시아네이트기, 이미다졸기로부터 선택되는 1종류 이상의 관능기를 갖는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체.
  4. 제2항에 있어서, 상기 실리콘레진을 구성하는 모노머 단위가 R-SiO1.6(단, 식 중의 R은 수소 원자 또는 유기기)으로 표기되는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체.
  5. 제2항 또는 제4항에 있어서, 상기 실리콘레진의 중량 평균 분자량이 1500 이상 200000 이하인 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자의 분산 입자경이 1㎚ 이상 200㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자가 일반식 MxWyOz(단, M 원소는, H, He, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류 원소, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, Bi, I로부터 선택되는 1종류 이상의 원소이고, W는 텅스텐, O는 산소이고, 0.20≤x/y≤0.37, 2.2≤z/y≤3.0)로 표기되는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체.
  8. 제7항에 있어서, 상기 M 원소가, Cs, Rb로부터 선택되는 1종류 이상의 원소인 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자가, 육방정의 결정 구조를 갖는 복합 텅스텐 산화물 미립자를 포함하는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복합 텅스텐 산화물 미립자의 표면이, Si, Ti, Zr, Al로부터 선택되는 1종류 이상의 원소를 함유하는 산화물로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체가, 판상, 필름상, 박막상으로부터 선택되는 어느 것으로 성형된 것임을 특징으로 하는 근적외선 흡수체.
  12. 제11항에 기재된 근적외선 흡수체가, 기재 상에 적층된 것임을 특징으로 하는 근적외선 흡수물 적층체.
  13. 제11항에 기재된 근적외선 흡수체가, 판유리, 플라스틱판, 근적외선 흡수 기능을 갖는 미립자를 포함하는 플라스틱판으로부터 선택되는 2매 이상의 접합판 사이에 존재하고 있는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수용 접합 구조체.
  14. 제12항에 기재된 근적외선 흡수물 적층체가, 판유리, 플라스틱판, 근적외선 흡수 기능을 갖는 미립자를 포함하는 플라스틱판으로부터 선택되는 접합판과 대향하고 있거나, 또는 판유리, 플라스틱판, 근적외선 흡수 기능을 갖는 미립자를 포함하는 플라스틱판으로부터 선택되는 2매 이상의 접합판 사이에 존재하고 있는 것을 특징으로 하는 근적외선 흡수용 접합 구조체.
KR1020207023247A 2018-02-08 2019-02-01 근적외선 흡수 재료 미립자 분산체, 근적외선 흡수체, 근적외선 흡수물 적층체 및 근적외선 흡수용 접합 구조체 KR102575326B1 (ko)

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2022285451A1 (en) * 2021-06-03 2023-11-23 Kristalbond Technologies Sdn Bhd A transparent film-forming composition for producing a near-infrared shielding coating and a method of producing thereof

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005037932A1 (ja) 2003-10-20 2005-04-28 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 赤外線遮蔽材料微粒子分散体、赤外線遮蔽体、及び赤外線遮蔽材料微粒子の製造方法、並びに赤外線遮蔽材料微粒子
JP2005232334A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 無機化合物樹脂分散体、成形ペレット及び成形品
JP2009224591A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波遮蔽フィルタ、及び画像表示装置
JP2009271515A (ja) * 2008-04-11 2009-11-19 Bridgestone Corp 近赤外線遮蔽体、及びこれを用いたディスプレイ用光学フィルタ
JP2011080003A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Sumitomo Dow Ltd 電磁波吸収性フィラーおよびそれからなる電磁波吸収性樹脂組成物
JP2014094493A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明樹脂積層体とその製造方法、ならびに熱線遮蔽機能を有するプライマー層形成用のプライマー液
JP2016155256A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 コニカミノルタ株式会社 遮熱フィルム、およびその製造方法
WO2017073691A1 (ja) * 2015-10-30 2017-05-04 住友金属鉱山株式会社 粘着剤層、近赤外線遮蔽フィルム、合わせ構造体、積層体、及び粘着剤組成物
CN107083101A (zh) * 2017-03-03 2017-08-22 厦门纳诺泰克科技有限公司 一种含钨金属氧化物纳米颗粒分散体及其制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3907750A (en) * 1970-03-03 1975-09-23 Owens Illinois Inc Reaction products of silicon monoxide and olefins and methods of making the same
HUE030919T2 (en) * 2004-02-18 2017-06-28 Huntsman Advanced Mat Licensing (Switzerland) Gmbh Flame retardant compositions using siloxanes
US20100220388A1 (en) * 2007-06-08 2010-09-02 Bridgestone Corporation Near-infrared shielding material, laminate including the same, and optical filter for display including the same
EP2358790B2 (en) * 2008-12-16 2016-09-21 Dow Corning Corporation Preparation of siloxanes
JP5706314B2 (ja) * 2009-03-06 2015-04-22 株式会社ブリヂストン 熱線遮蔽性積層体、及びこれを用いた熱線遮蔽性合わせガラス
JP6059513B2 (ja) * 2012-11-14 2017-01-11 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
TW201410613A (zh) * 2013-06-18 2014-03-16 Taiflex Scient Co Ltd 可塑化隔熱組成物、透明隔熱中間膜及包含其之透明隔熱夾層板
US9434652B2 (en) 2013-07-23 2016-09-06 Industrial Technology Research Institute Infrared absorption material, method for fabricating the same, and thermal isolation structure employing the same
CN104341000B (zh) * 2013-08-05 2017-09-29 北京化工大学 纳米掺杂vib族金属氧化物颗粒或其分散体的制备方法和用途
EP3318610B1 (en) * 2015-06-30 2020-10-21 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Heat-ray shielding film, heat-ray shielding laminated transparent base material, automobile, building, dispersion, mixed composition, dispersion production method, dispersion solution, and dispersion solution production method
WO2017159791A1 (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 住友金属鉱山株式会社 近赤外線遮蔽材料微粒子分散体、近赤外線遮蔽体および近赤外線遮蔽用合わせ構造体、並びに、それらの製造方法
JP6269805B1 (ja) 2016-12-27 2018-01-31 住友大阪セメント株式会社 分散液、塗布液、及び熱線遮蔽フィルム
CN110603283B (zh) * 2017-05-05 2022-02-11 美国陶氏有机硅公司 氢化硅烷化可固化的有机硅树脂

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005037932A1 (ja) 2003-10-20 2005-04-28 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 赤外線遮蔽材料微粒子分散体、赤外線遮蔽体、及び赤外線遮蔽材料微粒子の製造方法、並びに赤外線遮蔽材料微粒子
JP2005232334A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 無機化合物樹脂分散体、成形ペレット及び成形品
JP2009224591A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波遮蔽フィルタ、及び画像表示装置
JP2009271515A (ja) * 2008-04-11 2009-11-19 Bridgestone Corp 近赤外線遮蔽体、及びこれを用いたディスプレイ用光学フィルタ
JP2011080003A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Sumitomo Dow Ltd 電磁波吸収性フィラーおよびそれからなる電磁波吸収性樹脂組成物
JP2014094493A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明樹脂積層体とその製造方法、ならびに熱線遮蔽機能を有するプライマー層形成用のプライマー液
JP2016155256A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 コニカミノルタ株式会社 遮熱フィルム、およびその製造方法
WO2017073691A1 (ja) * 2015-10-30 2017-05-04 住友金属鉱山株式会社 粘着剤層、近赤外線遮蔽フィルム、合わせ構造体、積層体、及び粘着剤組成物
CN107083101A (zh) * 2017-03-03 2017-08-22 厦门纳诺泰克科技有限公司 一种含钨金属氧化物纳米颗粒分散体及其制备方法

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