KR20200116001A - 3 차원 스트레인 게이지 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001006 Constantan Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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- H01L41/1132—
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
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- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
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- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/16—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/302—Sensors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H01L41/047—
-
- H01L41/47—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N35/00—Magnetostrictive devices
- H10N35/01—Manufacture or treatment
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
컴팩트 스트레인 게이지는 가변 기판, 가변 기판 상에 형성되어 있는 적어도 하나의 전도성 패턴, 전도성 패턴 위에 형성되어 있는 전기 절연성 레이어, 전기 절연성 레이어 위에 형성되어 있으면서 적어도 부분적으로는 전도성 패턴 위에 놓여 있는 적어도 하나의 전기 접속 패드, 및 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 전도성 패턴을 적어도 하나의 전기 접속 패드에 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 바이어를 포함한다.
Description
본 발명은 대체로 스트레인 게이지에 관한 것이다.
다양한 타입들의 스트레인 게이지들은 당해 기술분야에 알려져 있다.
본 발명은 개선된 스트레인 게이지를 제공하는 것을 추구한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르는 스트레인 게이지가 제공되어 있는데, 스트레인 게이지는 가변 기판(deformable substrate), 가변 기판 상에 형성되어 있는 적어도 하나의 전도성 패턴(conductive pattern), 전도성 패턴 위에 형성되어 있는 전기 절연성 레이어(electrically insulating layer), 전기 절연성 레이어 위에 형성되어 있으면서 적어도 부분적으로 전도성 패턴 위에 놓여 있는 적어도 하나의 전기 접속 패드(electrical connection pad), 및 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 전도성 패턴을 적어도 하나의 전기 접속 패드에 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 바이어(via)를 포함한다.
또한 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르는 스트레인 게이지가 제공되어 있는데, 스트레인 게이지는 제 1 평면에 배치되어 있는 가변 기판, 가변 기판 상에 형성되어 있는 전도성 패턴, 전도성 패턴 위에 형성되어 있는 전기 절연성 레이어, 적어도 부분적으로 제 1 평면에 대해 수직하는 방향으로 제 1 평면으로부터 공간적으로 떨어져 있는 제 2 평면에 배치되어 있는 적어도 하나의 전기 접속 패드, 및 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 전도성 패턴을 적어도 하나의 전기 접속 패드에 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 바이어를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 스트레인 게이지는 컴팩트 스트레인 게이지(compact strain gage)이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 적어도 하나의 전도성 패턴은 접착제를 이용해서 가변 기판에 부착되어 있다. 이를 대신하여, 적어도 하나의 전도성 패턴은 캐스팅 기법을 이용하여 가변 기판에 부착되어 있다.
바람직하게도, 가변 기판과 적어도 하나의 전기 접속 패드는 상호간에 평행한 평면들에 놓여 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 적어도 하나의 전도성 패턴과 적어도 하나의 전기 접속 패드는 상호간에 평행한 평면들에 놓여 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 적어도 하나의 전기 접속 패드는 적어도 부분적으로 전도성 패턴 위에 놓여 있다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에 따르는 스트레인 게이지가 추가로 제공되어 있는데, 스트레인 게이지는 가변 기판, 가변 기판 상에 형성되어 있는 적어도 2개의 전도성 패턴들, 적어도 2개의 전도성 패턴들 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제 1 전기 절연성 레이어, 적어도 하나의 제 1 전기 절연성 레이어 위에 형성되어 있으면서 적어도 2개의 전도성 패턴들을 전기적으로 상호접속하는 적어도 하나의 전기 상호접속 라인, 적어도 하나의 전기 상호접속 라인 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제 2 전기 절연성 레이어, 적어도 하나의 전기 절연성 레이어 위에 형성되어 있으면서 적어도 부분적으로 전도성 패턴들 위에 놓여 있는 적어도 2개의 전기 접속 패드들, 적어도 하나의 제 1 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 적어도 2개의 전도성 패턴들을 적어도 하나의 전기 상호접속 라인에 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 제 1 바이어, 및 적어도 하나의 제 2 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 적어도 하나의 전기 접속 라인을 적어도 2개의 전기 접속 패드들과 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 제 2 바이어를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 적어도 2개의 전도성 패턴들은 접착제를 이용해서 가변 기판에 부착되어 있다. 이를 대신하여, 적어도 2개의 전도성 패턴들은 캐스팅 기법을 이용하여 가변 기판에 부착되어 있다.
바람직하게도, 가변 기판과 적어도 2개의 전기 접속 패드들은 상호간에 평행한 평면들에 놓여 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 적어도 2개의 전도성 패턴들과 적어도 2개의 전기 접속 패드들은 상호간에 평행한 평면들에 놓여 있다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에 따르는 스트레인 게이지가 더욱 추가로 제공되어 있는데, 스트레인 게이지는 제 1 평면에 배치되어 있는 가변 기판, 가변 기판 상에 형성되어 있는 적어도 2개의 전도성 패턴들, 적어도 2개의 전도성 패턴들 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제 1 전기 절연성 레이어, 적어도 하나의 제 1 전기 절연성 레이어 위에 형성되어 있으면서 적어도 2개의 전도성 패턴들을 전기적으로 상호접속하는 적어도 하나의 전기 상호접속 라인, 적어도 하나의 전기 상호접속 라인 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제 2 전기 절연성 레이어, 적어도 부분적으로 제 1 평면에 대해 수직하는 방향으로 제 1 평면으로부터 공간적으로 떨어져 있는 제 2 평면에 배치되어 있는 적어도 2개의 전기 접속 패드들, 적어도 하나의 제 1 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 적어도 2개의 전도성 패턴들을 적어도 하나의 전기 상호접속 라인에 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 제 1 바이어, 및 적어도 하나의 제 2 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 적어도 하나의 전기 접속 라인을 적어도 2개의 전기 접속 패드들과 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 제 2 바이어를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 적어도 하나의 제 1 바이어는 제 1 평면과 제 2 평면 사이에서 제 3 평면을 따라 뻗어 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 적어도 하나의 전도성 패턴은 접착제를 이용해서 가변 기판에 부착되어 있다. 이를 대신하여, 적어도 하나의 전도성 패턴은 캐스팅 기법을 이용하여 가변 기판에 부착되어 있다.
바람직하게도, 적어도 2개의 전도성 패턴들과 적어도 2개의 전기 접속 패드들은 상호간에 평행한 평면에 놓여 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 적어도 하나의 전기 접속 패드는 적어도 부분적으로 전도성 패턴 위에 놓여 있다.
본 발명은 도면과 관련하여 다음에 오는 상세한 설명으로부터 더욱 완전히 이해되고 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제작되고 조작되는 스트레인 게이지의 단순화된 도면이고, 평평한 부분 및 라인 I-I를 따라 절단된 단면 부분을 포함한다.
도 2는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따라 제작되고 조작되는 스트레인 게이지의 단순화된 도면이고, 평평한 부분 및 라인 II-II를 따라 절단된 단면 부분을 포함한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제작되고 조작되는 스트레인 게이지의 단순화된 도면이고, 평평한 부분 및 라인 I-I를 따라 절단된 단면 부분을 포함한다.
도 2는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따라 제작되고 조작되는 스트레인 게이지의 단순화된 도면이고, 평평한 부분 및 라인 II-II를 따라 절단된 단면 부분을 포함한다.
이어서 도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제작되고 조작되는 스트레인 게이지의 단순화된 도면이다.
도 1에 나타나 있는 바와 같이, 스트레인 게이지는 바람직하게는, 7-50 미크론의 두께를 가지되 통상적으로 폴리머로 형성된, 그리고 바람직하게는 폴리이미드로 형성된 가변 기판(100)을 포함한다. 통상적으로, 가변 기판(100)은 제 1 평면(102)에 놓여 있다.
적어도 하나의 전도성 패턴(110)은 통상적으로 접합 기법, 리소그래피 기법 및 화학 기법 중 적어도 한가지에 의해 가변 기판(100) 상에 형성된다. 일 실시예에서, 전도성 패턴(110)은, 바람직하게는 대략 2 미크론의 두께를 가지되 에폭시로 된 얇은 레이어(112)를 이용해서 폴리이미드 필름에 부착된다. 통상적으로, 에폭시 레이어(112)는 제 2 평면(114)에 놓여 있다.
다른 실시예에서, 폴리이미드 가변 기판(100)은 에폭시 접착제의 사용 없이 전도성 패턴(110) 위에 캐스팅된다. 도 1의 도시에서, 단지 단일의 전도성 패턴(110)이 나타나 있는데, 다수의 전도성 패턴(110)들이 단일의 가변 기판(100) 상에 형성될 수 있다는 점을 알 수 있다. 통상적으로, 전도성 패턴(110)은 제 3 평면(116)에 놓여 있다.
전도성 패턴(110)은 바람직하게는 금속 합금, 통상적으로 니켈-구리 합금인 콘스탄탄으로 형성되고, 또는 이를 대신하여 니켈-크롬 합금이나 임의의 다른 적합한 금속으로 형성되며, 바람직하게는 2.5 미크론 내지 5 미크론의 두께를 가진다. 바람직하게는 10 미크론 내지 40 미크론의 피치를 가지는 대체로 평행한 기다란 라인들의 연속적인 나란한 어레이를 정의하기 위해서 바람직하게는 리소그래픽 기법에 의해 패턴형성된다. 어레이의 양쪽 단부들은, 마찬가지로 제 3 평면(116)에 놓여 있는 한 쌍의 내부 접속 패드(118)들과 일체형으로 접속되어 있다.
통상적으로 10 미크론 내지 12 미크론의 두께를 가지되 통상적으로 에폭시로 형성된 전기 절연성 레이어(120)는 전도성 패턴(110) 위에 형성된다. 전기 절연성 레이어(120)는 통상적으로 제 1 평면(102), 제 2 평면(114) 및 제 3 평면(116)에 대해 평행한 제 4 평면(122)에 놓여 있다.
한 쌍의 전기 접속 패드(130)는 통상적으로 스퍼터링(sputtering), 증발 플레이팅(evaporation plating)이나 침투 플레이팅(immersion plating) 또는 이들의 임의의 적합한 조합에 의해 전기 절연성 레이어(120) 위에 형성되고, 적어도 부분적으로는 전도성 패턴(110)과 내부 접속 패드(118)들 위에 놓여 있다. 전기 접속 패드(130)들은 통상적으로 평면들(102, 114, 116, 122)에 대해 평행한 제 5 평면(132)에 놓여 있다.
본 발명의 실시예의 특별한 특징은, 한 쌍의 전기 접속 패드(130)들 각각이 전기 절연성 레이어(120)를 통해 뻗어 있는 바이어(150)에 의해 한 쌍의 내부 접속 패드(118)들 중 대응하는 하나에 전기적으로 접속된다는 점이다. 바이어(150)들은 바람직하게는 리소그래픽 기법에 의해 전기 절연성 레이어(120)에 형성된 구멍들을 통한 플레이팅에 의해 형성된다. 바이어(150)들은 통상적으로 제 4 평면(122)에 놓여 있다.
도 1의 스트레인 게이지가 구부러지거나 늘어나거나 압축되거나 또는 이와 달리 평평하지 않도록 구성될 수 있다는 점을 알 수 있다.
이어서 도 2를 참조하면, 도 2는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따라 제작되고 조작되는 스트레인 게이지의 단순화된 도면이다.
도 2에 나타나 있는 바와 같이, 스트레인 게이지는 바람직하게는, 7-50 미크론의 두께를 가지되 통상적으로 폴리머로 형성된, 그리고 바람직하게는 폴리이미드로 형성된 가변 기판(200)을 포함한다. 통상적으로, 가변 기판(200)은 제 1 평면(202)에 놓여 있다.
적어도 하나의 전도성 패턴(210)은 가변 기판(200) 상에 형성된다. 일 실시예에서, 전도성 패턴(210)은, 바람직하게는 대략 2 미크론의 두께를 가지되 에폭시로 된 얇은 레이어(212)를 이용해서 가변 기판(200)에 부착된다. 통상적으로, 에폭시 레이어(212)는 제 2 평면(214)에 놓여 있다.
대체 실시예에서, 폴리이미드 가변 기판(200)은 에폭시 접착제의 사용없이 전도성 패턴(210) 위에 캐스팅된다.
도 2의 도시된 실시예에서, 폐쇄형 휘트스톤 브리지 회로 구성으로 접속되어 있는 4개의 전도성 패턴(210)들이 나타나 있는데, 다수의 전도성 패턴(210)들이 임의의 적합한 전기 회로 구성으로 단일의 가변 기판(200) 상에 형성될 수 있다는 점을 알 수 있다. 통상적으로, 전도성 패턴(210)은 평면들(202, 214)에 대해 평행한 제 3 평면(216)에 놓여 있다.
전도성 패턴(210)들 각각은 바람직하게는 금속 합금, 통상적으로 니켈-구리 합금인 콘스탄탄으로 형성되고, 또는 이를 대신하여 니켈-크롬 합금이나 임의의 다른 적합한 금속으로 형성되며, 바람직하게는 2.5 미크론 내지 5 미크론의 두께를 가진다. 바람직하게는 10 미크론 내지 40 미크론의 피치를 가지는 대체로 평행한 기다란 라인들의 연속적인 나란한 어레이를 정의하기 위해서 바람직하게는 리소그래픽 기법에 의해 패턴형성된다. 각각의 어레이의 양쪽 단부들은, 마찬가지로 제 3 평면(216)에 놓여 있는 한 쌍의 내부 접속 패드(218)들과 일체형으로 접속되어 있다.
통상적으로 10 미크론 내지 12 미크론의 두께를 가지되 통상적으로 에폭시로 형성된 제 1 전기 절연성 레이어(220)는 전도성 패턴(210) 위에 형성된다. 제 1 전기 절연성 레이어(220)는 통상적으로 제 1 평면(202), 제 2 평면(214) 및 제 3 평면(216)에 대해 평행한 제 4 평면(222)에 놓여 있다.
복수의 전기 상호접속 라인(230)들은 통상적으로 스퍼터링, 증발 플레이팅이나 침투 플레이팅에 의해 제 1 전기 절연성 레이어(220) 위에 형성되고, 적어도 부분적으로는 전도성 패턴(210)과 내부 접속 패드(218)들 위에 놓여 있다. 전기 상호접속 라인(230)들은 통상적으로 평면들(202, 214, 216, 222)에 대해 평행한 제 5 평면(232)에 놓여 있다. 전기 상호접속 라인(230)들은 다양한 전도성 패턴(210)들의 내부 접속 패드(218)들을 상호접속한다.
본 발명의 실시예의 특별한 특징은, 내부 접속 패드(130)들 각각이 제 1 전기 절연성 레이어(220)를 통해 뻗어 있는 바이어(250)에 의해 대응하는 전기 상호접속 라인(230)에 전기적으로 접속된다는 점이다. 바이어(250)들은 바람직하게는 리소그래픽 기법에 의해 제 1 전기 절연성 레이어(220)에 형성된 구멍들을 통한 플레이팅에 의해 형성된다. 바이어(250)들은 통상적으로 제 4 평면(222)에 놓여 있다.
통상적으로 10 미크론 내지 12 미크론의 두께를 가지되 통상적으로 에폭시로 형성된 제 2 전기 절연성 레이어(260)는 전기 상호접속 라인(230)들 위에 형성된다. 제 2 전기 절연성 레이어(260)는 통상적으로 평면들(202, 214, 216, 222, 232)에 대해 평행한 제 6 평면(262)에 놓여 있다.
복수의 전기 접속 패드(280)들은 통상적으로 스퍼터링, 증발 플레이팅이나 침투 플레이팅 또는 이들의 임의의 적합한 조합에 의해 제 2 전기 절연성 레이어(260) 위에 형성되고, 적어도 부분적으로는 전도성 패턴(210), 내부 접속 패드(218)들 및 전기 상호접속 라인(230)들 위에 놓여 있다. 전기 접속 패드(218)들은 통상적으로 평면들(202, 214, 216, 222, 232, 262)에 대해 평행한 제 7 평면(282)에 놓여 있다.
본 발명의 실시예의 특별한 특징은, 한 쌍의 전기 접속 패드(130)들 각각이 제 2 전기 절연성 레이어(260)를 통해 뻗어 있는 바이어(290)에 의해 전기 상호접속 라인(230)들 중 대응하는 하나에 전기적으로 접속된다는 점이다. 바이어(290)들은 바람직하게는 리소그래픽 기법에 의해 전기 절연성 레이어(260)에 형성된 구멍들을 통한 플레이팅에 의해 형성된다. 바이어(290)들은 통상적으로 제 6 평면(262)에 놓여 있다.
도 2의 스트레인 게이지가 구부러지거나 늘어나거나 압축되거나 또는 이와 달리 평평하지 않도록 구성될 수 있다는 점을 알 수 있다.
도 2에 나타나 있는 일반적인 타입의 스트레인 게이지가, 예컨대 스트레인 게이지 안에 저항기들을 포함하는 추가적인 기능성을 제공하기 위하여 추가적인 전기 절연성 레이어들과 추가적인 전기 전도성 라인들로 형성될 수 있다는 점 역시 알 수 있다.
다양한 전도성 패턴들 사이의 상호접속들이 개방형 휘트스톤 브리지, 하프 브리지, 쿼터 브리지 또는 로제트와 같은 임의의 적합한 상호접속들일 수 있다는 점을 추가로 알 수 있다.
당해 기술분야에서의 통상의 기술자라면 본 발명이 이상에서 특별히 기술되어 나타나 있는 바에 의해 제한되지 않는다는 점을 알 수 있을 것이다. 오히려, 본 발명의 범위는 본 명세서에 기술되어 있는 다양한 특징들의 조합들과 하위조합들 양자 모두 뿐만 아니라 종래 기술에 있지 않는 그 수정예들을 포함한다.
Claims (20)
- 가변 기판;
상기 가변 기판 상에 형성되어 있는 적어도 하나의 전도성 패턴;
상기 전도성 패턴 위에 형성되어 있는 전기 절연성 레이어;
상기 전기 절연성 레이어 위에 형성되어 있으면서 적어도 부분적으로는 상기 전도성 패턴 위에 놓여 있는 적어도 하나의 전기 접속 패드; 및
상기 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 상기 전도성 패턴을 상기 적어도 하나의 전기 접속 패드에 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 바이어;
를 구비하는 것을 특징으로 하는 컴팩트 스트레인 게이지. - 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 전도성 패턴은 접착제를 이용해서 상기 가변 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 컴팩트 스트레인 게이지. - 제 1 항에 있어서,
상기 가변 기판과 상기 적어도 하나의 전기 접속 패드는 상호간에 평행한 평면들에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 컴팩트 스트레인 게이지. - 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 전도성 패턴과 상기 적어도 하나의 전기 접속 패드는 상호간에 평행한 평면들에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 컴팩트 스트레인 게이지. - 제 1 평면에 배치되어 있는 가변 기판;
상기 가변 기판 상에 형성되어 있는 전도성 패턴;
상기 전도성 패턴 위에 형성되어 있는 전기 절연성 레이어;
적어도 부분적으로 상기 제 1 평면에 대해 수직하는 방향으로 상기 제 1 평면으로부터 공간적으로 떨어져 있는 제 2 평면에 배치되어 있는 적어도 하나의 전기 접속 패드; 및
상기 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 상기 전도성 패턴을 상기 적어도 하나의 전기 접속 패드에 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 바이어;
를 구비하는 것을 특징으로 하는 컴팩트 스트레인 게이지. - 제 5 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 전도성 패턴은 접착제를 이용해서 상기 가변 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 컴팩트 스트레인 게이지. - 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 전도성 패턴과 상기 적어도 하나의 전기 접속 패드는 상호간에 평행한 평면들에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 컴팩트 스트레인 게이지. - 제 5 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 전기 접속 패드는 적어도 부분적으로 상기 전도성 패턴 위에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 컴팩트 스트레인 게이지. - 가변 기판;
상기 가변 기판 상에 형성되어 있는 적어도 2개의 전도성 패턴들;
상기 적어도 2개의 전도성 패턴들 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제 1 전기 절연성 레이어;
상기 적어도 하나의 제 1 전기 절연성 레이어 위에 형성되어 있으면서 상기 적어도 2개의 전도성 패턴들을 전기적으로 상호접속하는 적어도 하나의 전기 상호접속 라인;
상기 적어도 하나의 전기 상호접속 라인 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제 2 전기 절연성 레이어;
상기 적어도 하나의 전기 절연성 레이어 위에 형성되어 있으면서 적어도 부분적으로는 상기 전도성 패턴들 위에 놓여 있는 적어도 2개의 전기 접속 패드들;
상기 적어도 하나의 제 1 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 상기 적어도 2개의 전도성 패턴들을 상기 적어도 하나의 전기 상호접속 라인에 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 제 1 바이어; 및
상기 적어도 하나의 제 2 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 상기 적어도 하나의 전기 접속 라인을 상기 적어도 2개의 전기 접속 패드들과 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 제 2 바이어;
를 구비하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지. - 제 9 항에 있어서,
상기 적어도 2개의 전도성 패턴들은 접착제를 이용해서 상기 가변 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지. - 제 9 항에 있어서,
상기 가변 기판과 상기 적어도 2개의 전기 접속 패드들은 상호간에 평행한 평면들에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지. - 제 9 항에 있어서,
상기 적어도 2개의 전도성 패턴들과 상기 적어도 2개의 전기 접속 패드들은 상호간에 평행한 평면들에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지. - 제 1 평면에 배치되어 있는 가변 기판;
상기 가변 기판 상에 형성되어 있는 적어도 2개의 전도성 패턴들;
상기 적어도 2개의 전도성 패턴들 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제 1 전기 절연성 레이어;
상기 적어도 하나의 제 1 전기 절연성 레이어 위에 형성되어 있으면서 상기 적어도 2개의 전도성 패턴들을 전기적으로 상호접속하는 적어도 하나의 전기 상호접속 라인;
상기 적어도 하나의 전기 상호접속 라인 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 제 2 전기 절연성 레이어;
적어도 부분적으로 상기 제 1 평면에 대해 수직하는 방향으로 상기 제 1 평면으로부터 공간적으로 떨어져 있는 제 2 평면에 배치되어 있는 적어도 2개의 전기 접속 패드들;
상기 적어도 하나의 제 1 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 상기 적어도 2개의 전도성 패턴들을 상기 적어도 하나의 전기 상호접속 라인에 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 제 1 바이어; 및
상기 적어도 하나의 제 2 전기 절연성 레이어를 통해 뻗어 있으면서 상기 적어도 하나의 전기 접속 라인을 적어도 2개의 전기 접속 패드들과 전기적으로 접속하는 적어도 하나의 제 2 바이어;
를 구비하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지. - 제 13 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 제 1 바이어는 상기 제 1 평면과 제 2 평면 사이에서 제 3 평면을 따라 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지. - 제 13 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 전도성 패턴은 접착제를 이용해서 상기 가변 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지. - 제 14 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 전도성 패턴은 접착제를 이용해서 상기 가변 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지. - 제 13 항에 있어서,
상기 적어도 2개의 전도성 패턴들과 상기 적어도 2개의 전기 접속 패드들은 상호간에 평행한 평면들에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지. - 제 14 항에 있어서,
상기 적어도 2개의 전도성 패턴들과 상기 적어도 2개의 전기 접속 패드들은 상호간에 평행한 평면들에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지. - 제 13 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 전기 접속 패드는 적어도 부분적으로 상기 전도성 패턴 위에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지. - 제 14 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 전기 접속 패드는 적어도 부분적으로 상기 전도성 패턴 위에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/366,502 | 2019-03-27 | ||
| US16/366,502 US11137241B2 (en) | 2019-03-27 | 2019-03-27 | Three dimensional strain gage |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200116001A true KR20200116001A (ko) | 2020-10-08 |
Family
ID=66951797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190104863A KR20200116001A (ko) | 2019-03-27 | 2019-08-27 | 3 차원 스트레인 게이지 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11137241B2 (ko) |
| EP (1) | EP3715810B1 (ko) |
| JP (1) | JP7373926B2 (ko) |
| KR (1) | KR20200116001A (ko) |
| CN (1) | CN111750771B (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP1669298S (ko) * | 2019-07-17 | 2020-10-05 | ||
| JP1661600S (ja) * | 2019-07-17 | 2020-06-15 | ひずみゲージ |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5354695A (en) * | 1992-04-08 | 1994-10-11 | Leedy Glenn J | Membrane dielectric isolation IC fabrication |
| JPH0464279A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Fujitsu Ltd | 多層薄膜配線基板 |
| JP2536274B2 (ja) * | 1990-10-25 | 1996-09-18 | 日本電気株式会社 | ポリイミド多層配線基板の製造方法 |
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| JP2000111368A (ja) | 1998-10-08 | 2000-04-18 | Nippon Soken Inc | 圧力、歪み及び温度の同時測定装置、同時測定方法及び薄膜センサ |
| JP3679687B2 (ja) * | 2000-06-08 | 2005-08-03 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路装置 |
| US6818469B2 (en) * | 2002-05-27 | 2004-11-16 | Nec Corporation | Thin film capacitor, method for manufacturing the same and printed circuit board incorporating the same |
| US7340960B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-03-11 | Analatom Inc. | Miniature sensor |
| KR101340996B1 (ko) * | 2007-03-13 | 2013-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| CN101843181B (zh) * | 2007-11-01 | 2014-05-28 | 大日本印刷株式会社 | 内置元件电路板 |
| CN101644974A (zh) * | 2009-09-04 | 2010-02-10 | 福州华映视讯有限公司 | 触控面板及其制作方法、以及触控式显示装置 |
| JP5427733B2 (ja) | 2010-08-27 | 2014-02-26 | 株式会社日立製作所 | 力学量測定装置 |
| CN104951128B (zh) * | 2014-03-31 | 2019-10-18 | Lg伊诺特有限公司 | 具有用于感测图案的交叉结构的触摸面板 |
| TW201539266A (zh) * | 2014-04-10 | 2015-10-16 | Wintek Corp | 觸控面板 |
| EP3146534A4 (en) * | 2014-05-19 | 2018-04-18 | The Regents of The University of California | Flexible sensor apparatus |
| JP6251897B2 (ja) | 2014-10-24 | 2017-12-27 | ユニパルス株式会社 | 歪みゲージおよび歪みゲージの抵抗値調整方法 |
| CN105955534B (zh) * | 2016-05-09 | 2018-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示模组及其制作方法 |
| CN106289594A (zh) * | 2016-11-02 | 2017-01-04 | 吉林大学 | 可实现三维变形量和三维压力高精度同步测量的传感阵列 |
| US10557770B2 (en) | 2017-09-14 | 2020-02-11 | Sensata Technologies, Inc. | Pressure sensor with improved strain gauge |
| US10438895B1 (en) * | 2018-06-08 | 2019-10-08 | American Semiconductor, Inc. | Flexible micro-module |
-
2019
- 2019-03-27 US US16/366,502 patent/US11137241B2/en active Active
- 2019-06-17 EP EP19180601.7A patent/EP3715810B1/en active Active
- 2019-06-25 JP JP2019117527A patent/JP7373926B2/ja active Active
- 2019-08-21 CN CN201910773807.1A patent/CN111750771B/zh active Active
- 2019-08-27 KR KR1020190104863A patent/KR20200116001A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3715810A1 (en) | 2020-09-30 |
| EP3715810B1 (en) | 2023-03-08 |
| JP7373926B2 (ja) | 2023-11-06 |
| US11137241B2 (en) | 2021-10-05 |
| JP2020160039A (ja) | 2020-10-01 |
| CN111750771B (zh) | 2023-09-01 |
| US20200309505A1 (en) | 2020-10-01 |
| CN111750771A (zh) | 2020-10-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal |