JPS60194508A - ワイヤボンデイングにより形成されたインダクタンス - Google Patents
ワイヤボンデイングにより形成されたインダクタンスInfo
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- JPS60194508A JPS60194508A JP5068484A JP5068484A JPS60194508A JP S60194508 A JPS60194508 A JP S60194508A JP 5068484 A JP5068484 A JP 5068484A JP 5068484 A JP5068484 A JP 5068484A JP S60194508 A JPS60194508 A JP S60194508A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0033—Printed inductances with the coil helically wound around a magnetic core
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/004—Printed inductances with the coil helically wound around an axis without a core
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
- H01F2027/2814—Printed windings with only part of the coil or of the winding in the printed circuit board, e.g. the remaining coil or winding sections can be made of wires or sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はハイブリッドＩＣ，ＭＳＩやＬＳＩなどのＩＣ
その他の電子回路に使用するのに適するインダクタンス
に関するものである。
その他の電子回路に使用するのに適するインダクタンス
に関するものである。
（従来技術）
従来、例えばハイブリッドＩＣにおいてインダクタンス
を使用する場合には１個別部品として製造されたインダ
クタンスを他のＩＣ部品とともに基板上に組み立てるこ
とが行なわれている。そのため、インダクタンスが大型
になり、でき上るハイブリッドＩＣも大型化するととも
に、製造プロセスも多くなる問題がある。
を使用する場合には１個別部品として製造されたインダ
クタンスを他のＩＣ部品とともに基板上に組み立てるこ
とが行なわれている。そのため、インダクタンスが大型
になり、でき上るハイブリッドＩＣも大型化するととも
に、製造プロセスも多くなる問題がある。
（目的）
本発明は、ハイブリッドＩＣその他の電子回路で使用さ
れるインダクタンスであって、小型に、かつ他のプロセ
スと同一プロセスで同一基板上に形成できるインダクタ
ンスを提供することを目的とするものである。
れるインダクタンスであって、小型に、かつ他のプロセ
スと同一プロセスで同一基板上に形成できるインダクタ
ンスを提供することを目的とするものである。
（＃成）
本発明のインダクタンスは、基板表面に相互に平行に形
成された複数個の導体パターンと、これら導体パターン
間をワイヤボンディング法により結線する金属線とによ
りループを形成して構成されたものである。
成された複数個の導体パターンと、これら導体パターン
間をワイヤボンディング法により結線する金属線とによ
りループを形成して構成されたものである。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例を表わし、表面が絶縁
性の基板１の表面に、導体パターン２−１〜２−５が相
互に平行に形成されており、導体パターン２−１の端部
ａと隣接導体パターン２−２の反対側の端部すとの間、
導体パターン２−２の端部ａと隣接する導体パターン２
−３の反対側の端部すとの間というように、導体パター
ン２−１〜２−５が端部ａ、ｂ間でワイヤボンディング
が施されて金属線３−１〜３−４により結線されている
。このようにして、導体パターン２−１〜２−５との間
を金属線３−１〜３−４により一本のループを形成し、
第２図の等価回路に示されるようなインダクタンスを構
成している。４．５はそれぞれ両端の導体パターン２−
１．２−５の外部接続用パターンである。
性の基板１の表面に、導体パターン２−１〜２−５が相
互に平行に形成されており、導体パターン２−１の端部
ａと隣接導体パターン２−２の反対側の端部すとの間、
導体パターン２−２の端部ａと隣接する導体パターン２
−３の反対側の端部すとの間というように、導体パター
ン２−１〜２−５が端部ａ、ｂ間でワイヤボンディング
が施されて金属線３−１〜３−４により結線されている
。このようにして、導体パターン２−１〜２−５との間
を金属線３−１〜３−４により一本のループを形成し、
第２図の等価回路に示されるようなインダクタンスを構
成している。４．５はそれぞれ両端の導体パターン２−
１．２−５の外部接続用パターンである。
ここで、表面が絶縁性の基板１としては、セラミック、
ガラス、シリコンもしくはプラスチックなどの絶縁性基
板、又はアルミニウム、鉄もしくはステンレスなどの導
体板上に絶縁層を設けた基板などを用いることができる
。
ガラス、シリコンもしくはプラスチックなどの絶縁性基
板、又はアルミニウム、鉄もしくはステンレスなどの導
体板上に絶縁層を設けた基板などを用いることができる
。
導体パターン２−１〜２−５は、厚膜印刷、真空蒸着又
はスパッタリング法などの方法により基板１上にＡ Ｑ
＋ Ａ ｕ ｔ Ｎ ｉ ｅ Ｃｒ ＋ Ｎ Ｉ Ｃ
ｒ ｔＣｕ、Ｐｔなどの導体層を形成した後、フォトリ
ングラフィ法などのパターン化技法によりパターン化し
て形成すればよい。導体パターン２−１〜２−５は、厚
さが数千へ〜数μｍ、幅が数μｍ以上、相互の間隔も数
μｍ以上とするのが適当である。
はスパッタリング法などの方法により基板１上にＡ Ｑ
＋ Ａ ｕ ｔ Ｎ ｉ ｅ Ｃｒ ＋ Ｎ Ｉ Ｃ
ｒ ｔＣｕ、Ｐｔなどの導体層を形成した後、フォトリ
ングラフィ法などのパターン化技法によりパターン化し
て形成すればよい。導体パターン２−１〜２−５は、厚
さが数千へ〜数μｍ、幅が数μｍ以上、相互の間隔も数
μｍ以上とするのが適当である。
金属線３−１〜３−４は一般にワイヤボンディング法で
使用されるＡｕやＡＱが適当であり、その太さは数十μ
ｍ〜数百μｍが適当である。
使用されるＡｕやＡＱが適当であり、その太さは数十μ
ｍ〜数百μｍが適当である。
第１図の実施例では、ループの繰返し数、すなわちイン
ダクタンスのターン数は４であるが、この繰返し数は自
由に設定することができる。
ダクタンスのターン数は４であるが、この繰返し数は自
由に設定することができる。
第３図は、第１図のように形成されるインダク。
タンスを２個結合させたものである。基板ｌ上で、−組
の導体パターン２−１〜２−５の間に他の一組の導体パ
ターン６−１〜６−４を形成し、各導体パターンの組ご
とに第１図と同様にワイヤボンディング３−１〜３−４
と７−１〜７−３を施して２個のインダクタンス８，９
を構成している。
の導体パターン２−１〜２−５の間に他の一組の導体パ
ターン６−１〜６−４を形成し、各導体パターンの組ご
とに第１図と同様にワイヤボンディング３−１〜３−４
と７−１〜７−３を施して２個のインダクタンス８，９
を構成している。
４．５と１０．１１はそれぞれ各インダクタンス８．９
の外部接続用パターンである。このようにして構成され
る２個のインダクタンス８と９は第４図の等価回路に示
されるように結合している。
の外部接続用パターンである。このようにして構成され
る２個のインダクタンス８と９は第４図の等価回路に示
されるように結合している。
同様にして、３個以上のインダクタンスを結合させるこ
とができる。
とができる。
このように構成されたインダクタンスに、第５図のよう
に樹脂などを塗布して封止すれば、機械的に強くなり、
外力から保護することができる。
に樹脂などを塗布して封止すれば、機械的に強くなり、
外力から保護することができる。
また、樹脂に金Ｈｔ粉を混合させるなど、樹脂の透磁率
を選択することによりインダクタンスを所望の値に設定
することができる。樹脂封止は、一般にＩＣやハイブリ
ッドＩＣの組立てプロセスに含まれているので、そのプ
ロセスを共用すればよい・（効果） 本発明のインダクタンスは導体パターンとワイヤボンデ
ィングにより形成されるので、ＩＣやハイブリッドＩＣ
の同一基板に同一平面上に直接形成することができ、小
型にすることができる。
を選択することによりインダクタンスを所望の値に設定
することができる。樹脂封止は、一般にＩＣやハイブリ
ッドＩＣの組立てプロセスに含まれているので、そのプ
ロセスを共用すればよい・（効果） 本発明のインダクタンスは導体パターンとワイヤボンデ
ィングにより形成されるので、ＩＣやハイブリッドＩＣ
の同一基板に同一平面上に直接形成することができ、小
型にすることができる。
また、導体パターン形成プロセスである導体層形成やパ
ターン化プロセス、及び金属線結線のワイヤボンディン
グプロセスは、一般にＩＣやハイブリッドＩＣの製造プ
ロセスに含まれているものである。したがって、ワイヤ
ボンディングにより組立てを行なうＩＣやハイブリッド
ＩＣにおいては、本発明のインダクタンス形成のプロセ
スを増設することなく、他の回路部分の形成プロセスや
配線プロセスを共用して簡単に製造することができ、特
に効果が大きい。
ターン化プロセス、及び金属線結線のワイヤボンディン
グプロセスは、一般にＩＣやハイブリッドＩＣの製造プ
ロセスに含まれているものである。したがって、ワイヤ
ボンディングにより組立てを行なうＩＣやハイブリッド
ＩＣにおいては、本発明のインダクタンス形成のプロセ
スを増設することなく、他の回路部分の形成プロセスや
配線プロセスを共用して簡単に製造することができ、特
に効果が大きい。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は同実
施例の等価回路図、第３図は他の実施例を示す斜視図、
第４図は同実施例の等価回路図、第５図は樹脂封止を施
した実施例を示す断面図で。 ある。 ｌ・・・・・・基板、 ２−１〜２−５．６−１〜６−
４・・・・・・導体パターン、 ３−１〜３−４．７−１〜７−３・・・・・・金属線。 特許出願人 株式会社リコー
施例の等価回路図、第３図は他の実施例を示す斜視図、
第４図は同実施例の等価回路図、第５図は樹脂封止を施
した実施例を示す断面図で。 ある。 ｌ・・・・・・基板、 ２−１〜２−５．６−１〜６−
４・・・・・・導体パターン、 ３−１〜３−４．７−１〜７−３・・・・・・金属線。 特許出願人 株式会社リコー
Claims (1)
- （１）表面が絶縁性の基板表面に相互に平行に形成され
た複数個の導体パターンと、 該複数個の導体パターンとの間でループを構成するよう
に、異なる導体パターンの端部間をワイヤボンディング
法で結線する金属線と、からなることを特徴とするイン
ダクタンス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5068484A JPS60194508A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | ワイヤボンデイングにより形成されたインダクタンス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5068484A JPS60194508A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | ワイヤボンデイングにより形成されたインダクタンス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60194508A true JPS60194508A (ja) | 1985-10-03 |
Family
ID=12865747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5068484A Pending JPS60194508A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | ワイヤボンデイングにより形成されたインダクタンス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60194508A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629124A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-04 | Nomura Denki Kk | 微小コイル装置 |
| JPH08162329A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Nec Corp | チップインダクタ及びその製造方法 |
| JP2007180073A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Tdk Corp | フィルタ素子 |
| JP2017501574A (ja) * | 2013-12-23 | 2017-01-12 | クアルコム，インコーポレイテッド | ３次元ワイヤボンド型インダクタ |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP5068484A patent/JPS60194508A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629124A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-04 | Nomura Denki Kk | 微小コイル装置 |
| JPH08162329A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Nec Corp | チップインダクタ及びその製造方法 |
| JP2007180073A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Tdk Corp | フィルタ素子 |
| JP4525589B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2010-08-18 | Ｔｄｋ株式会社 | フィルタ素子 |
| JP2017501574A (ja) * | 2013-12-23 | 2017-01-12 | クアルコム，インコーポレイテッド | ３次元ワイヤボンド型インダクタ |
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