KR20200110212A - 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품의 제조방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품의 제조방법 Download PDF

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Abstract

임프린트 장치는 패턴 형성 영역을 갖는 몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성한다. 임프린트 장치는, 상기 몰드의 상기 패턴 형성 영역의 위치를 계측하도록 구성된 몰드 계측부와, 상기 기판에 조사된 조사 광의 강도 분포를 제어하도록 구성된 광변조 소자와, 상기 조사 광의 위치를 계측하도록 구성된 조사 광 계측부와, 상기 몰드 계측부에 의한 상기 패턴 형성 영역의 위치의 계측 결과와 상기 조사 광 계측부에 의한 상기 조사 광의 위치의 계측 결과에 근거하여, 상기 패턴 형성 영역의 위치에 대한 상기 조사 광의 위치를 제어하도록 구성된 제어부를 구비한다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품의 제조방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINTING METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 micro-electromechanical system(MEMS) 등의 물품을 제조하는 방법으로서, 몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이 알려져 있다. 임프린트 방법에는, 기판 위에 임프린트 재를 공급하고, 공급된 임프린트 재와 몰드를 접촉시킨다(압인). 임프린트 재와 몰드를 접촉시킨 상태에서 임프린트 재를 경화시킨 후, 경화한 임프린트 재로부터 몰드를 분리함으로써(이형), 기판 위에 임프린트 재의 패턴이 형성된다.
임프린트 장치에서는, 기판 위의 숏 영역에 공급된 임프린트 재와 몰드를 접촉시킬 때에, 임프린트 재와 몰드에 가압력을 가한다. 이 때문에, 임프린트 재가 숏 영역의 외측으로 퍼지도록 이동한다. 이때, 숏 영역의 외측이나 기판 단부의 외측, 또는 몰드의 패턴 영역의 외측에 임프린트 재가 튀어나온다.
일본국 특개 2013-69918호 공보에는, 기판 위의 숏 영역에 공급된 임프린트 재와 몰드를 접촉시킬 때에, 패턴 형성 영역의 외측에 자외선(UV) 광을 조사하여, 패턴 형성 영역의 밖으로 튀어나오려고 하는 임프린트 재를 경화시키는 기술이 개시되어 있다. 이것에 의해, 일본국 특개 2013-69918호 공보에 기재된 임프린트 장치는 임프린트 재의 패턴 형성 영역 외부로의 튀어나옴을 방지한다.
임프린트 장치에 있어서, 패턴 형성 영역의 밖으로 튀어나오려고 하는 임프린트 재를 경화시키기 위해서는, 패턴 형성 영역의 외주 위치에 정밀하게 UV 광을 조사할 필요가 있다. 이 때문에, UV 광을 패턴 형성 영역의 위치에 조사하기 위해서, 디지털 미러 디바이스(DMD) 등의 공간 광 변조 소자를 거쳐, UV 광의 조사 패턴을 형성하는 방법이 생각된다.
그러나, 몰드의 반송 오차의 영향으로 인해 공간 광 변조 소자로부터의 UV 광의 조사 위치로부터 몰드의 패턴 형성 영역이 변위하면, 임프린트 재의 튀어나옴을 저감할 수 없을 수 있다.
본 발명의 일면에 따르면, 임프린트 장치는, 패턴 형성 영역을 갖는 몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이다. 임프린트 장치는, 상기 몰드의 상기 패턴 형성 영역의 위치를 계측하도록 구성된 몰드 계측부와, 상기 기판에 조사된 조사 광의 강도 분포를 제어하도록 구성된 광변조 소자와, 상기 조사 광의 위치를 계측하도록 구성된 조사 광 계측부와, 상기 몰드 계측부에 의한 상기 패턴 형성 영역의 위치의 계측 결과와 상기 조사 광 계측부에 의한 상기 조사 광의 위치의 계측 결과에 근거하여, 상기 패턴 형성 영역의 위치에 대한 상기 조사 광의 위치를 제어하도록 구성된 제어부를 구비한다.
본 발명의 또 다른 특징은 첨부도면을 참조하는 이하의 실시형태의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 임프린트 장치의 블록도이다.
도 2는 제1실시형태에 따른 패턴 조명부를 나타낸 블록도이다.
도 3은 제1실시형태에 따른 센서부를 나타낸 도면이다.
도 4는 제1실시형태에 따른 센서부와 몰드의 패턴부를 나타낸 도면이다.
도 5는 제1실시형태에 따른 임프린트 처리의 흐름도다.
도 6a 및 도 6b는 제1실시형태에 따른 몰드와 공간 광 변조 소자의 위치맞춤을 도시한 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 제2실시형태에 따른 몰드와 공간 광 변조 소자의 조사 패턴 제어를 도시한 도면이다.
도 8a 내지 도 8f는 물품의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태를 첨부도면에 근거하여 상세하게 설명한다. 이때, 각 도면에 있어서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조번호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략한다.
도 1은 제1실시형태에 따른 임프린트 장치(1)의 구성을 도시한 개략도다. 도 1을 참조해서 임프린트 장치(1)의 구성에 대해 설명한다. 본 실시형태에서는, 기판(15)이 배치되는 면을 XY면, XY면에 직교하는 방향을 Z방향으로 하고, 도 1에 나타낸 것과 같이 각 축을 결정한다. 임프린트 장치(1)는, 기판 위에 공급된 임프린트 재(16)를 몰드(14)와 접촉시킨다. 임프린트 장치(1)는, 임프린트 재에 경화용의 에너지를 주는 것에 의해, 몰드의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성한다. 도 1의 임프린트 장치(1)는, 물품으로서의 반도체 디바이스 등의 디바이스의 제조에 사용된다. 본 실시형태에서는 광경화법을 채용한 임프린트 장치(1)에 대해 설명한다.
임프린트 재(16)로서는, 경화성 조성물이 사용된다. 경화용 조성물은 경화용의 에너지가 주어짐으로써 경화하며, 미경화 상태의 수지로 부르는 경우도 있다. 경화용의 에너지로서는, 전자파, 열 등이 사용된다. 전자파의 파장은 예를 들어, 10nm 이상 1mm 이하의 범위에서 선택되고, 적외선, 가시광선, 자외선을 포함하는 빛을 사용한다.
경화성 조성물은, 빛의 조사에 의해, 또는, 가열에 의해 경화하는 조성물이다. 빛의 조사에 의해 경화하는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라, 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 폴리머 성분을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.
임프린트 재(16)는, 스핀코터나 슬릿 코터에 의해 기판 위에 막 형상으로 부여되어도 된다. 임프린트 재는, 액체 분사 헤드에 의해, 액적 형상, 또는, 복수의 액적이 연결되어서 형성된 섬 형상 또는 막 형상으로 기판 위에 부여되어도 된다. 임프린트 재의 점도(예를 들어, 25℃에 있어서의 점도)는, 예를 들면, 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하다.
기판(15)에는, 글래스, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용된다. 필요에 따라, 표면에 기판과는 다른 재료로 이루어진 부재가 형성되어 있어도 된다. 구체적으로는, 기판(15)으로서는, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이 사용된다.
본 실시형태에 따른 임프린트 장치(1)는, 임프린트 재의 경화법으로서 광경화법을 채용하고 있다. 도 1에 나타낸 것과 같이, 기판 위의 임프린트 재에 대하여 빛을 조사하는 노광 조사부의 광축에 평행한 방향(예를 들어, 몰드(14)를 임프린트 재(16)에 누르는 방향)를 Z축으로 한다. Z축에 수직한 평면 내에 있어서 서로 직교하는 방향을 X축 및 Y축으로 한다.
임프린트 장치(1)는, 경화 광조사부(2)와, 몰드 유지 기구(3)와, 기판 스테이지(4)와, 도포부(5)와, 패턴 광조사부(6)와, 센서부(7)와, 제어부(8)와, 얼라인먼트 계측부(9)를 갖는다. 또한, 임프린트 장치(1)는, 기판 스테이지(4)를 재치하는 베이스 플레이트(10)와, 몰드 유지 기구(3)를 고정하는 브리지 플레이트(11)와, 베이스 플레이트(10)로부터 연장 설치되고, 제진기(12)를 거쳐 브리지 플레이트(11)를 지지하는 지주(13)를 갖는다. 제진기(12)는, 바닥면으로부터 브리지 플레이트(11)에 전해지는 진동을 저감(제거)한다. 또한, 임프린트 장치(1)는, 몰드 반송부(미도시)와 기판 반송부(미도시)를 갖는다. 몰드 반송부는 몰드(14)를 임프린트 장치(1)의 외부에서 몰드 유지 기구(3)에 반송한다. 기판 반송부는 기판(15)을 임프린트 장치(1)의 외부에서 기판 스테이지(4)에 반송한다.
경화 광조사부(2)는, 임프린트 처리에 있어서, 기판(15) 위의 임프린트 재(16)에 대하여, 다이크로익 미러(17) 및 몰드(14)를 거쳐, 경화 광(18)을 조사한다. 경화 광조사부(2)는, 예를 들면, 광원과, 이러한 광원으로부터 출사된 경화 광(18)을 임프린트 처리에 적합하도록 조정하는 광학 소자를 포함한다. 본 실시형태에서는, 경화 광(18)으로서 자외선을 조사할 경우에 대해 설명한다.
몰드(14)는, 기판(15) 위에 놓인 임프린트 재(16)를 성형하도록 구성된다. 몰드는 템플릿 또는 원판으로도 불린다. 몰드(14)는, 다각형(사각형)의 외형 형상을 갖고, 기판(15)(위의 임프린트 재(16))에 전사해야 할 패턴(예를 들어, 요철 패턴)이 형성된 패턴부(패턴 형성 영역)(19)를 갖는다. 몰드(14)의 기판(15)에 대향하는 면의 중심 부근에 주위로부터 돌출한 패턴부(19)(메사부로도 불린다)가 설치되어 있다. 패턴부(19)는, 회로 패턴 등의 기판(15)에 전사해야 할 요철 패턴이 3차원 형상으로 형성되어 있다. 몰드(14)는, 석영 등 경화 광(18)을 투과시키는 것이 가능한 재료로 구성되어 있다. 또한, 몰드(14)는, 기판(15)에 대향하는 면과는 반대측의 면(예를 들어, 경화 광(18)의 입사측의 면)에, 몰드(14)(패턴부(19))의 변형을 쉽게 하기 위한 캐비티(오목부)가 설치되어 있다. 몰드(14)에 설치된 캐비티는, 원형의 평면 형상을 갖고, 캐비티의 깊이는, 패턴부(19)의 크기나 재료에 따라 적절히 설정된다. 몰드(14)의 패턴부(19)는 위치맞춤에 사용되는 얼라인먼트 마크를 갖는다.
몰드 유지 기구(3)는, 몰드(14)를 유지하는 몰드 유지부(20)와, 몰드 유지부(20)를 유지해서 몰드(14)(몰드 유지부(20))를 이동시키는 몰드 구동부(21)를 포함한다.
몰드 유지부(20)는, 몰드(14)의 경화 광(18)의 입사측의 면의 외주 영역을 진공흡착력이나 정전력에 의해 끌어 당김으로써 몰드(14)를 유지한다. 예를 들면, 몰드 유지부(20)가 진공흡착력에 의해 몰드(14)를 유지할 경우, 몰드 유지부(20)는, 외부에 설치된 진공펌프에 접속되고, 이러한 진공펌프의 온 및 오프에 의해 몰드(14)의 착탈(예를 들어, 유지 및 해제)이 전환된다.
몰드 구동부(21)는, 기판(15) 위의 임프린트 재(16)에 대한 몰드(14)의 누름(압인처리), 또는, 기판(15) 위의 임프린트 재(16)로부터의 몰드(14)의 분리(이형처리)를 행하도록, 몰드(14)를 Z축 방향으로 이동시킨다. 몰드 구동부(21)에 적용가능한 액추에이터는, 리니어모터 및 에어 실린더를 포함한다. 몰드 구동부(21)는, 몰드(14)를 고정밀도로 위치 결정하기 위해서, 조동 구동계와 미동 구동계 등의 복수의 구동계를 포함해도 된다. 몰드 구동부(21)는, Z축 방향 뿐만 아니라, X축 방향과 Y축 방향으로 몰드(14)를 이동하도록 구성되어 있어도 된다. 몰드 구동부(21)는, 몰드(14)의 Z축 주위의 회전 방향(θZ 방향)의 위치와 몰드(14)의 기울기(X축 주위의 회전 방향 및 Y축 주위의 회전 방향)를 조정하기 위한 틸트 기능을 갖도록 구성되어 있어도 된다.
임프린트 장치(1)는, 본 실시형태와 같이, 몰드(14)를 Z축 방향으로 이동시킴으로써, 또는 기판(15)(기판 스테이지(4))을 Z축 방향으로 이동시킴으로써 압인처리 및 이형처리를 행해도 된다. 이와 달리, 임프린트 장치(1)는, 몰드(14)와 기판(15)의 양쪽을 상대적으로 Z축 방향으로 이동시킴으로써, 압인처리 및 이형처리를 행해도 된다.
몰드 유지부(20) 및 몰드 구동부(21)는, 경화 광조사부(2)로부터의 경화 광(18)이 기판(15) 위에 놓인 임프린트 재(16)에 조사되도록, 중심부(내측)에 개구(22)를 갖는다. 개구(22)에는, 개구(22)의 일부와 몰드(14)로 둘러싸이는 공간을 밀폐하기 위해, 경화 광(18)을 투과시키는 광 투과부재(23)가 배치된다. 이러한 밀봉 공간 내의 압력은, 진공펌프 등 압력 조정장치에 의해 조정된다. 압력 조정장치는, 예를 들면, 기판(15) 위의 임프린트 재(16)와 몰드(14)를 접촉시킬 때(예를 들어, 압인처리시)에, 밀봉 공간 내의 압력을 외부의 압력보다도 높게한다. 이에 따라, 몰드(14)의 패턴부(19)를 기판(15)을 향해서 볼록 형상으로 휘게 한다(변형시킨다). 이에 따라, 기판(15) 위의 임프린트 재(16)에 대하여 패턴부(19)의 중심 부근으로부터 몰드(14)의 패턴부(19)를 접촉시킬 수 있다. 이렇게 패턴부(19)의 중심에서 밖을 향해서 접촉시킴으로써, 몰드(14)와 임프린트 재(16) 사이에 공기가 잔류하는 것을 저감할 수 있다. 따라서, 몰드(14)의 패턴부(19)(예를 들어, 오목부)의 구석구석까지 임프린트 재(16)를 충전시킬 수 있다. 임프린트 장치(1)는, 몰드(14)의 패턴부(19)와 기판(15) 위의 임프린트 재(16)가 접촉한 상태에서 경화 광(18)을 조사함으로써 임프린트 재(16)를 경화시킨다. 이것에 의해, 기판(15) 위의 임프린트 재(16)에는 몰드(14)의 패턴이 전사된다.
기판 스테이지(4)는, 기판(15)을 유지하는 기판 유지부(24)와, 기판 유지부(24)를 유지해서 기판(15)(기판 유지부(24))을 각 축 방향으로 이동시키는 스테이지 구동부(25)를 포함한다. 기판 스테이지(4)는, 기판(15)을 유지하고, 기판(15) 위의 임프린트 재(16)와 몰드(14)를 접촉시킬 때 몰드(14)와 기판(15)의 위치를 조정하기 위해 기판(15)을 이동할 수 있다.
기판 유지부(24)는, 기판(15)의 이면을 진공흡착력이나 정전력에 의해 끌어 당김으로써 기판(15)을 유지한다. 예를 들면, 기판 유지부(24)가 진공흡착력에 의해 기판(15)을 유지할 경우, 기판 유지부(24)는 외부에 설치된 진공펌프에 접속된다. 이에 따라, 이러한 진공펌프의 온 및 오프에 의해 기판(15)의 착탈(유지 및 유지의 해제) 사이의 전환이 구동된다.
스테이지 구동부(25)에 적용가능한 액추에이터는, 예를 들면, 리니어 모터와 평면 모터를 포함한다. 스테이지 구동부(25)는, 기판(15)을 고정밀도로 위치 결정하기 위해서, X축 및 Y축의 각 방향에 대하여, 조동 구동계와 미동 구동계 등의 복수의 구동계로 구성되어 있어도 된다. 스테이지 구동부(25)는, X축 방향 및 Y축 방향 뿐만 아니라, Z축 방향으로 기판(15)을 이동하도록 구성되어 있어도 된다. 또한, 스테이지 구동부(25)는, 기판(15)의 Z축 주위의 회전 방향(예를 들어, θZ 방향)의 위치나 기판(15)의 기울기(예를 들어, X축 주위의 회전 방향 및 Y축 주위의 회전 방향)를 조정하기 위한 틸트 기능을 가져도 된다.
임프린트 장치(1)는, 기판 스테이지(4)의 위치를 계측하기 위해서, X축, Y축 및 Z축의 각 방향에 대응한 인코더 시스템(6)(스테이지 계측부)을 갖는다. 인코더 시스템(6)은, 인코더 헤드(27)로부터 방출된 빔으로 인코더 스케일(28)을 조사함으로써, 기판 스테이지(4)의 위치를 계측할 수 있다. 인코더 시스템(6)은, 기판 스테이지(4)의 위치를 실시간으로 계측한다.
도포부(5)(디스펜서)는, 몰드 유지 기구(3)의 근방에 배치되고, 기판(15)에 미경화의 임프린트 재(16)(미경화의 수지로도 불린다)를 공급(도포)한다. 본 실시형태의 임프린트 재(16)는, 경화 광(18)으로서 자외선이 조사될 때 경화하는 성질을 갖는 자외선 경화성의 수지 재료다. 임프린트 재(16)는, 반도체 디바이스의 제조공정 등의 각종 정보에 따라 선택된다. 도포부(5)로부터 공급되는 임프린트 재(16)의 공급량은, 기판(15)에 형성되는 임프린트 재(16)의 패턴의 두께(잔여 막두께) 또는 밀도에 따라 결정된다. 도포부(5)는 임프린트 장치(1)의 외부에 설치되어서 있어도 된다. 이 경우, 임프린트 장치(1)의 외부에서 기판(15) 위에 미리 임프린트 재(16)를 공급한다. 그후, 임프린트 장치(1)는, 임프린트 재(16)가 공급된 기판(15)에 대하여 압인처리와 이형처리를 행함으로써, 기판(15) 위에 임프린트 재의 패턴을 형성한다.
패턴 광조사부(6)는, 다이크로익 미러(29)를 거쳐 기판(15) 위에 원하는 강도 분포를 가진 패턴 광(30)을 조사한다. 도 2를 참조용해서 패턴 광조사부(6)에 대해서 상세하게 설명한다.
도 2는, 패턴 광조사부(6)의 구성을 도시한 개략도다. 패턴 광조사부(6)는, 예를 들면, 광원(31)과, 광학 소자 32, 공간 광 변조 소자(33), 소자 구동기구(34) 및 광학 소자 35를 포함한다. 본 실시형태에 있어서, 광원(31)은, 임프린트 재(16)를 경화시키는 파장을 갖는 빛과, 임프린트 재(16)를 경화시키지 않는 파장을 갖는 빛을 조사한다. 예를 들면, 광원(31)은 임프린트 재(16)를 경화시키는 파장의 빛으로서 400nm의 파장을 갖는 빛과, 임프린트 재(16)를 경화시키지 않는 파장의 빛으로서 470nm의 파장을 갖는 빛을 조사한다. 광원(31)로부터 조사된 빛은 광학 소자 32에 의해, 공간적으로 진폭, 위상 또는 편광을 변조하는 공간 광 변조 소자(33)로 이끌어진다. 공간 광 변조 소자(33)(광변조 소자)로서는, 예를 들면, 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD), 액정 디스플레이(LCD) 디바이스, liquid crystal on silicon(LCOS) 디바이스 등이 사용된다. 공간 광 변조 소자(33)을 사용함으로써, 기판(15) 위에 조사되는 패턴 광(30)의 조사 영역과 광강도를 자유롭게 설정할 수 있다. 공간 광 변조 소자(33)는, 소자 구동기구(34)에 의해, 공간 광 변조 소자(33)의 표면을 따른 방향으로 구동된다. 소자 구동기구(34)는, 공간 광 변조 소자(33)에 포함되는 복수의 화소의 전체를 일방향으로 이동시켜, 임프린트 장치(1)에 대하여 공간 광 변조 소자(33)의 위치를 바꿀 수 있다. 이것에 의해, 패턴 광조사부(6)는, 광원(31)로부터 조사되는 빛이 공간 광 변조 소자(33)에 부딪치는 위치를 조정할 수 있다. 패턴 광조사부(6)에 포함되는 광원(31), 공간 광 변조 소자(33) 및 소자 구동기구(34)는 제어부(8)에 의해 제어된다. 공간 광 변조 소자(33)에 의해 조사 영역과 광강도가 제어된 패턴 광(30)은, 광학 소자 35에 의해, 몰드(14) 및 기판(15)에 조사되는 배율이 조정된다.
센서부(7)는, 기판 스테이지(4)(기판 유지부(24))에 유지된 기판(15)과 같은 높이가 되도록, 기판 스테이지(4)에 배치되어 있다. 도 3을 참조해서 센서부(7)에 대해서 상세하게 설명한다.
도 3은, 센서부(7)의 구성을 도시한 개략도다. 도 3에 나타낸 것과 같이, 센서부(7)는 검출 소자(36)와 거리 센서(37)를 포함한다. 광검출 소자(36)는, 기판 스테이지(4) 위에 조사되는 빛의 광량(조사량)을 계측한다. 본 실시형태에서는 기판 스테이지(4) 위에 조사되는 빛은 패턴 광조사부(6)로부터 조사된 패턴 광(30))이다. 광검출 소자(36)는, 예를 들면, 수광한 빛에 따라 전기신호를 출력하는 광전변환 소자이다. 광검출 소자(36)는, 임프린트 처리가 행해지지 않고 있는 기간에, 기판 스테이지(4)에 의해 구동되어 패턴 광(30)이 조사되는 영역을 주사하면서, 기판(15)에 조사되는 패턴 광(30)의 광량을 계측한다. 광검출 소자(36)는 기판(15)에 조사되는 패턴 광(30)의 광량을 계측하는 조사 광 계측부다.
거리 센서(37)는 기판 스테이지(4)로부터 몰드(14)의 표면까지의 거리를 계측할 수 있다. 거리 센서(37)는, 예를 들면, 레이저식 변위계다. 거리 센서(37)는, 몰드(14)가 임프린트 장치(1)의 몰드 유지 기구(3)에 반송된 후, 몰드(14)까지의 거리를 계측함으로써, 몰드(14)의 위치와 자세와, 몰드(14)에 설치된 패턴부(19)의 외형 형상과 위치를 결정할 수 있다. 거리 센서(37)는, 몰드의 위치를 계측할 수 있는 몰드 계측부다.
도 4에 나타낸 것과 같이, 센서부(7)의 광검출 소자(36)를 기판(15)의 표면을 따른 방향(예를 들어, XY면을 따른 방향)으로 주사함으로써 패턴 광(30)의 광량과 조사 영역을 계측할 수 있다. 마찬가지로, 센서부(7)의 거리 센서(37)를 기판(15)의 표면을 따른 방향으로 주사함으로써 몰드(14)의 표면까지의 거리를 계측함으로써, 패턴부(19)(메사부)의 위치를 측정할 수 있다.
제어부(8)는, 중앙처리장치(CPU), 메모리 등을 포함하는 컴퓨터로 구성되고, 메모리에 격납된 프로그램에 따라 임프린트 장치(1)에 포함된 각 부를 제어한다. 제어부(8)는, 임프린트 장치(1)의 각 부의 동작 및 조정을 제어함으로써 기판 위에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 제어한다. 제어부(8)는, 인코더 시스템(6)의 계측값에 근거하여, 기판 스테이지(4)(기판(15)과 센서부(7))의 위치 결정을 실행할 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 제어부(8)는, 센서부(7)의 계측 결과에 근거하여, 패턴 광조사부(6)를 제어한다. 제어부(8)는, 임프린트 장치(1)의 다른 부분과 일체로(예를 들어, 공통의 하우징 내에) 구성하거나, 임프린트 장치(1)의 다른 부분과는 별체로(예를 들어, 다른 하우징 내에) 구성해도 된다.
얼라인먼트 계측부(9)는, 임프린트 처리를 행할 때에, 얼라인먼트 광(38)을 몰드(14) 및 기판(15)에 조사하고, 몰드(14) 및 기판(15)에 형성된 얼라인먼트 마크로부터의 빛을 검출한다. 이에 따라, 얼라인먼트 계측부(9)는, 몰드(14) 및 기판(15)의 위치를 계측할 수 있다.
(임프린트 처리에 대해서)
다음에, 도 5의 흐름도를 참조해서 임프린트 장치(1)에 의해 행해지는 임프린트 처리에 대해 설명한다. 도 5는, 임프린트 장치(1)에 의해 행해지는 임프린트 처리를 나타낸 흐름도다.
스텝 S101에 있어서, 공간 광 변조 소자(33)에 포함되는 화소의 위치를 측정한다(조사 광 계측 단계). 스텝 S101에서는, 패턴 광조사부(6)로부터 패턴부(19)의 외주(메사 엣지로도 불린다)를 따른 조명 패턴(조사 영역)을 갖는 조사 광을 패턴 광(30)으로서 조사한다. 이때, 도 4에 나타낸 것과 같이, 센서부(7)가 패턴 광(30)의 아래를 주사하도록 기판 스테이지(4)를 구동하면서 광량의 측정을 행한다. 임프린트 장치(1)는, 기판 스테이지(4)의 위치와 패턴 광(30)을 생성한 공간 광 변조 소자(33)에 포함되는 화소의 위치를 기억한다. 기판 스테이지(4)의 위치는 센서부(7)의 광검출 소자(36)가 공간 광 변조 소자(33)로부터의 패턴 광을 수광한 위치이다. 임프린트 장치(1)는, 이 측정 결과를 사용하여 공간 광 변조 소자(33)에 포함되는 화소의 위치를 계측할 수 있다. 본 실시형태에서는, 패턴 광(30)으로서, 패턴부(19)의 외주를 따른 조명 패턴(조사 영역)을 갖는 조사 광을 사용한다. 이와 달리, 다른 조사 영역을 갖는 패턴 광을 사용해도 된다.
스텝 S102에서는, 몰드 반송부를 사용해서 임프린트 장치(1)의 외부에서 몰드(14)를 몰드 유지 기구(3)(몰드 유지부(20))에 반송한다.
스텝 S103에서는, 몰드(14)의 패턴부(19)의 측면(패턴부(19)의 외주)의 위치를 측정한다(몰드 계측 단계). 스텝 S103에서는, 도 4에 나타낸 것과 같이, 센서부(7)의 거리 센서(37)가 몰드(14)의 패턴부(19) 아래를 주사하도록 기판 스테이지(4)를 구동시키면서 센서부(7)로부터 몰드(14)까지의 거리를 측정한다. 임프린트 장치(1)에서 사용되는 몰드(14)의 패턴부(19)는 주위의 면으로부터 수십 μm 만큼 돌출하고 있기 때문에, 측정한 거리의 변화량을 사용하여 패턴부(19)의 측면의 위치를 검출할 수 있다.
본 실시형태에서는, 센서부(7)로부터 몰드(14) 및 패턴부(19)까지의 거리를 측정함으로써 패턴부(19)의 측면의 위치를 계측한다. 이와 달리, 몰드 유지 기구(3)에 설치된 몰드(14)의 단부면까지의 거리를 계측하는 센서를 몰드 계측부로서 사용해도 된다. 몰드 유지 기구(3)에 설치된 센서로부터 몰드 유지 기구(3)에 유지된 몰드(14)의 단부면까지의 거리를 측정함으로써, 패턴부(19)의 측면의 위치를 검출해도 된다.
스텝 S102 및 스텝 S103은 스텝 S101 이전에 실시해도 된다.
스텝 S104에서는, 스텝 S101에서 구한 공간 광 변조 소자(33)의 화소의 위치와 스텝 S103에서 구한 패턴부(19)의 측면의 상대적인 위치를 맞춘다(위치 조정 단계). 스텝 S101에서 구한 공간 광 변조 소자(33)의 화소의 위치와 스텝 S103에서 구한 패턴부(19)의 측면의 위치로부터 공간 광 변조 소자(33)의 화소의 위치와 패턴부(19)의 측면의 거리를 구한다. 이 구한 거리에 따라 몰드 구동부(21) 및 소자 구동기구(34)의 어느 한쪽 또는 양쪽을 구동한다.
도 6a 및 도 6b는 스텝 S104에 있어서의 몰드(14)와 공간 광 변조 소자(33)의 위치맞춤을 설명하는 개략도이다. 도6a는, 몰드 유지부(20)에 의해 몰드(14)가 반송되어 유지된 상태를 나타낸다. 도6a에 도시된 상태에서 광원(31)으로부터 조사된 빛은, 공간 광 변조 소자(33) 위의 ON 화소(40)에서 반사되어, 기판(15) 위에 패턴 광(30)의 강도 분포(41)를 형성한다. 강도 분포(41)와 패턴부(19)의 단부면(42)(패턴부(19)의 외주) 사이의 도6a에 도시된 위치 관계에서 패턴 광(30)을 조사한 경우에는, 원하는 위치(패턴부(19)의 단부면(42))에 빛을 조사할 수 없다.
공간 광 변조 소자(33)에 형성된 1 화소의 크기에 대하여 몰드(14)(패턴부(19))가 크게 변위한 경우에는, ON 화소(40)의 위치를 변경함으로써 원하는 위치에 패턴 광을 조사할 수 있다. 그러나, 도 6a에 나타낸 것과 같이 공간 광 변조 소자(33)의 1 화소의 크기에 대하여 약간(예를 들면, 기판 위에 있어서의 1 화소의 크기보다 작게) 몰드(14)가 변위한 경우에는, ON 화소(40)의 위치를 변경하는 것만으로는 원하는 위치에 패턴 광을 조사할 수 없다.
패턴 광조사부(6)는, 예를 들면, 압인시에 패턴부(19)의 단부면(42)으로부터 임프린트 재(16)의 튀어나옴을 저감할 목적으로 패턴 광(30)을 조사할 경우가 있다. 이 경우, 몰드(14)의 단부면(42)에 따라 패턴 광(30)을 조사할 필요가 있다. 도6a에 나타낸 패턴부(19)의 단부면(42)에 대하여 강도 분포(41)를 갖는 패턴 광(30)이 조사되었을 경우에는, 좌측의 단부면(42)에 임프린트 재(16)가 부여되지 않거나, 우측의 단부면(42)에서 임프린트 재가 스며나오거나, 그 양쪽이 생길 가능성이 있다.
스텝 S104에서, 본 실시형태의 임프린트 장치(1)는, 패턴부(19)의 단부면(42)의 위치와 패턴 광(30)의 강도 분포(41)(공간 광 변조 소자(33)의 화소의 위치)의 어긋남 량 Δx를 구한다. 구한 어긋남 량 Δx에 근거하여, 임프린트 장치(1)는, 도 6b에 나타낸 것과 같은 위치 관계가 되도록 공간 광 변조 소자(33)를 구동한다. 기판(15) 위에 있어서의 화소의 위치가 전체적으로 Δx만큼 시프트하도록, 소자 구동기구(34)에 의해 공간 광 변조 소자(33)의 전체를 구동한다. 이와 달리, 몰드 구동부(21)에 의해, 몰드(14)의 위치를 Δx만큼 시프트하도록 몰드(14)를 구동시키거나, 공간 광 변조 소자(33) 및 몰드(14)의 양쪽을 구동시켜도 된다. 이렇게, 몰드 구동부(21)가, 임프린트 장치(1)에 대하여 몰드(14)의 전체의 위치를 변경함으로써, 몰드의 패턴 형성 영역의 위치와 패턴 광의 위치를 조정할 수 있다.
스텝 S105에서는, 기판 반송부를 사용해서 임프린트 장치(1)의 외부에서 기판(15)을 기판 유지부(24)(기판 스테이지(4))에 반송한다.
스텝 S106에서는, 스텝 S105에서 반송한 기판(15)에 형성된 숏 영역 위에 임프린트 재(16)를 도포(공급)한다. 기판(15)의 원하는 숏 영역이 도포부(5)의 아래에 오도록 스테이지 구동부(25)를 구동하여, 기판(15)의 숏 영역 위에 임프린트 재(16)를 도포한다.
스텝 S107에서는, 압인처리를 행하여, 기판(15)의 숏 영역 위의 임프린트 재(16)와 몰드(14)의 패턴부(19)를 접촉시킨다. 스텝 S106에서, 임프린트 재(16)가 공급된 기판(15)의 숏 영역을 몰드(14)의 아래에 오도록 스테이지 구동부(25)를 구동한다. 그후, 임프린트 장치(1)는, 개구(22), 몰드(14) 및 광 투과부재(23)로 둘러싸인 공간의 압력을 조정하면서 몰드 구동부(21)를 구동시켜 몰드(14)의 패턴부(19)를 기판(15)의 숏 영역 위의 임프린트 재(16)에 접촉시킨다.
스텝 S108에서는, 패턴 광(30)을 조사한다. 패턴 광(30)은 임프린트 재(16)를 경화시키는 파장을 갖는 빛이거나, 또는 임프린트 재(16)를 경화시키지 않는 파장을 갖는 빛이어도 된다. 임프린트 재(16)를 경화시키는 파장을 갖는 빛은, 스텝 S107에서 실행되는 압인처리시에 패턴부(19)의 영역 외부로 튀어나오려고 하는 임프린트 재(16)의 점성을 높이기 위해 패턴부(19)의 외주에 조사된다. 임프린트 재(16)를 경화시키지 않는 파장을 갖는 빛은, 기판(15) 위의 숏 영역을 열변형시키기 위해 기판(15) 위에 형성된 숏 영역 및 그것의 주변에 조사된다.
스텝 S109에서는, 기판(15)과 몰드(14)의 위치맞춤을 행한다. 얼라인먼트 계측부(9)는 기판(15)과 몰드(14)에 형성된 얼라인먼트 마크의 상대 위치를 계측한다. 이 얼라인먼트 마크의 계측 결과에 근거하여, 스테이지 구동부(25) 및 몰드 구동부(21)의 어느 한쪽 또는 양쪽을 구동시켜 기판(15)과 몰드(14)의 위치맞춤을 행한다. 이때, 몰드 구동부(21)의 구동량에 따라 소자 구동기구(34)를 구동해서 공간 광 변조 소자(33)에 포함되는 복수의 화소의 전체의 위치를 조정해도 된다.
스텝 S110에서는, 기판(15) 위의 임프린트 재(16)를 경화시킨다. 임프린트 장치(1)는, 기판(15) 위의 임프린트 재(16)와 몰드(14)를 접촉시킨 상태에서 경화 광조사부(2)에 의한 경화 광(18)의 조사에 의해 임프린트 재(16)를 경화시켜서 패턴을 형성한다.
스텝 S104는, 스텝 S105 내지 스텝 S110과 병행하여 행할 수 있다. 스텝 S108은, 스텝 S109 및 스텝 S110과 병행하여 행할 수 있다.
스텝 S111에서는, 경화한 임프린트 재(16)로부터 몰드(14)를 분리한다(이형). 스텝 S111에서는, 스텝 S110에서 임프린트 재(16)를 경화시킨 후, 몰드(14)와 기판(15)의 간격을 넓힘으로써, 경화한 임프린트 재(16)로부터 몰드(14)를 분리한다. 이와 달리, 개구(22), 몰드(14) 및 광 투과부재(23)로 둘러싸인 공간의 압력을 조정하면서 몰드 구동부(21)를 구동시켜 몰드(14)를 기판(15)으로부터 이형할 수 있다.
스텝 S112에서는, 기판(15)에 형성된 숏 영역에 대하여 패턴 형성이 완료하였는지 아닌지를 확인한다. 기판(15) 위에 패턴이 형성되지 않은 숏 영역이 있는 경우, 스텝 S106으로 처리가 되돌아가 다시 임프린트 처리(스텝 S106 내지 S111)를 행한다. 기판(15)에 형성된 모든 숏 영역에 대하여 임프린트 재(16)의 패턴이 형성된 경우에는, 스텝 S113으로 처리를 진행한다.
스텝 S113에서는, 기판 반송부를 사용해서 기판(15)을 기판 유지부(24)(기판 스테이지(4))로부터 임프린트 장치(1)의 외부에 반출한다. 스텝 S113에서 기판을 반출한 후에, 새로운 기판에 대하여 임프린트 처리에 의해 패턴을 형성할 경우에는, 스텝 S105로부터 처리를 개시할 수 있다.
전술한 것과 같이, 본 실시형태에 따른 임프린트 장치(1)는, 몰드(14)(패턴부(19))의 위치를 계측한 결과와 공간 광 변조 소자(33)에 형성된 화소의 위치를 계측한 결과에 근거하여, 공간 광 변조 소자(33)와 몰드(14)의 상대적인 위치를 조정할 수 있다. 이 때문에, 공간 광 변조 소자(33)에 의해 형성된 패턴 광(30)을 몰드(14)나 기판(15)의 원하는 영역에 조사할 수 있다.
다음에, 제2실시형태의 몰드(14)와 공간 광 변조 소자(33)의 상대 위치맞춤에 대해 설명한다. 본 실시형태에 따른 임프린트 처리의 단계들 중, 스텝 S104 이외의 스텝들은 제1실시형태의 임프린트 처리와 같다. 따라서, 본 실시형태에서는 제1실시형태와 다른 스텝 S104에 대해서 이하 상세하게 설명한다.
본 실시형태의 스텝 S104에서는, 스텝 S101에서 측정된 공간 광 변조 소자(33)의 화소의 위치와, 스텝 S103에서 측정된 패턴부(19)의 측면의 위치에 대응하여, 공간 광 변조 소자(33)에 의해 형성되는 패턴 광(30)의 조사 위치 또는 광강도를 변경한다.
도 7a 및 도7b는 본 실시형태의 스텝 S104에 있어서 행해지는 몰드(14)와 공간 광 변조 소자(33)의 위치맞춤을 설명하는 개략도이다. 본 실시형태에서는, 스텝 S102에서 몰드 유지부에 반송된 몰드(14)와 공간 광 변조 소자(33)의 화소 사이의 위치 관계가 도6a에 도시된 상태인 경우, 공간 광 변조 소자(33)의 OFF 화소(39)와 ON 화소(40)의 위치를 전환한다. 더구나, 본 실시형태에서는, 패턴부(19)의 단부면(42)(원하는 위치)에 조사되는 빛의 강도를 조정하기 위해서, 공간 광 변조 소자(33)로부터의 조사 광의 강도를 조정한다. 예를 들면, 도 7b에 도시된 합성 강도 분포(45)와 같이, 패턴부(19)의 단부면(42)에 조사되는 패턴 광(30)의 강도 분포가 균등하게 되도록 공간 광 변조 소자(33)에 형성된 OFF 화소(39)와 ON 화소(40)의 위치를 전환한다.
도 7a 및 도 7b를 참조해서 패턴 광(30)의 강도 분포를 조정하는 방법에 대해 설명한다. 스텝 S102에서 몰드 유지부에 반송된 몰드(14)와 공간 광 변조 소자(33)의 화소의 위치 관계가 도6a에 도시된 상태인 경우, 도7a에 나타낸 것과 같이 2개의 ON 화소(40) 중 한 쪽의 위치를 전환한다. 본 실시형태에서는, -X 방향에 위치하는 패턴부(19)의 단부면(42)을 조사하는 공간 광 변조 소자(33)의 ON 화소(40)의 위치를 -X 방향으로 1개의 화소만큼 어긋나게 하고 있다. 이에 따라, 도7a에 도시된 2개의 패턴부(19)의 단부면(42)에는, 균등하게 패턴 광(30)의 강도 분포(41)가 형성되어 있는 것을 알 수 있다.
도 7b는, 패턴 광(30)의 조사 영역과 광강도를 변경하는 방법을 나타낸다. 도 7b를 참조하면, 패턴부(19)(숏 영역)의 내측에서, ON 화소(40)에 인접해서 ON 시간을 짧게 한 화소(43)를 배치한다. 예를 들면, ON 화소(40)가 100msec 동안 ON(예를 들어, 기판(15) 위에 패턴 광(30)을 조사하는 것)인 경우, 화소 43은 20msec 동안 ON한다. 기판(15) 위에는, ON 화소(40)에 의해 형성된 패턴 광(30)의 강도 분포(41)와 화소 43에 의해 형성된 패턴 광(30)의 강도 분포(44)가 합성되어, 합성 강도 분포(45)를 갖는 패턴 광(30)이 조사된다.
전술한 것과 같이, 본 실시형태에 따른 임프린트 장치(1)는, 몰드(14)(패턴부(19))의 위치를 계측한 결과와, 공간 광 변조 소자(33)의 화소의 위치를 계측한 결과에 근거하여, 공간 광 변조 소자(33)에 의해 조사된 패턴 광(30)의 조사 영역과 광강도를 조정할 수 있다. 이 때문에, 공간 광 변조 소자(33)에 의해 형성되어 광강도가 조정된 패턴 광(30)을 몰드(14)나 기판(15)의 원하는 영역에 조사할 수 있다.
본 실시형태에 따른 방법에 의해, 공간 광 변조 소자(33)와 몰드(14)의 패턴부(19)의 위치가 어긋나 있는 경우에도, 패턴 광조사부(6)의 광원(31)으로부터 조사된 조사 광의 강도를 조정함으로써 임프린트 재의 튀어나옴을 억제할 수 있다.
상기한 임프린트 장치(1)는 광경화법을 사용해서 임프린트 재를 경화시키는 임프린트 방법에 대해 설명하였다. 그러나, 본 실시형태는 광경화법에 한정되지 않고, 열 경화법을 사용해도 된다. 광경화법에서는, 자외선 경화 수지를 사용하여 수지를 거쳐 기판에 몰드를 누른 상태에서 자외선을 조사해서 수지를 경화시킨 후, 경화한 수지로부터 몰드를 분리하여 패턴이 형성된다. 본 실시형태에서는, 경화 광으로서 자외선을 조사하지만, 빛의 파장은, 기판 위에 공급되는 임프린트 재에 따라 적절히 결정할 수 있다. 이에 대하여, 열 가하는 방법에서는, 열가소성 수지를 유리 전이 온도 이상의 온도로 가열하고, 수지의 유동성을 높인 상태에서 수지를 거쳐 기판에 대해 몰드를 누르고, 수지를 냉각한 후에 수지로부터 몰드를 분리하여 패턴이 형성된다.
(물품의 제조방법)
임프린트 장치에 의해 형성된 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 항구적으로 사용되거나, 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은, 전기회로 소자, 광학 소자, micro electro mechanical system(MEMS), 기록 소자, 센서, 및 몰드이다. 전기회로 소자로의 예로는, 다이내믹 랜덤 액세스 메모리(DRAM), 스태틱 랜덤 액세스 메모리(SRAM), 플래시 메모리, 자기 랜덤 액세스 메모리(MRAM)와 같은, 휘발성 또는 불휘발성의 반도체 메모리, 대규모 집적회로(LSI), 전하 결합 소자(CCD), 이미지센서, 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA)와 같은 반도체 소자를 들 수 있다. 몰드의 예로서는 임프린트용의 몰드를 들 수 있다.
경화물의 패턴은, 물품의 적어도 일부의 구성부재로서 그대로 사용되거나, 또는, 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공에 있어서, 에칭, 이온주입 등이 행해진 후, 레지스트 마스크가 제거된다.
다음에, 물품의 구체적인 제조방법에 대해 설명한다. 도8a에 나타낸 것과 같이, 기판(1z)을 준비한다. 기판(1z) 위에는, 절연체 등의 피가공재(2z)가 형성된다. 그후, 잉크젯법 등에 의해, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트 재(3z)를 부여한다. 도 8a는, 복수의 액적 형상의 임프린트 재(3z)가 기판 위에 부여된 상태를 나타내고 있다.
도 8b에 나타낸 것과 같이, 임프린트용의 몰드(4z)를, 그것의 요철 패턴이 형성된 측을 기판 위의 임프린트 재(3z)에 대향하여 위치시킨다. 도 8c에 나타낸 것과 같이, 임프린트 재(3z)가 부여된 기판(1z)과 몰드(4z)를 접촉시켜, 압력을 가한다. 임프린트 재(3z)는 몰드(4z)와 피가공재(2z)의 틈에 충전된다. 이 상태에서, 경화용의 에너지로서 빛을 몰드(4z)를 거쳐 조사하면, 임프린트 재(3z)가 경화한다.
도 8d에 나타낸 것과 같이, 임프린트 재(3z)를 경화시킨 후, 몰드(4z)와 기판(1z)을 분리하고, 기판(1z) 위에 임프린트 재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 몰드의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응하고 몰드의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응하는 형상을 갖는다. 즉, 임프린트 재(3z)에 몰드(4z)의 요철 패턴이 전사된다.
도 8e에 나타낸 것과 같이, 경화물의 패턴을 내 에칭 마스크로 사용하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없거나 또는 얇게 잔존한 부분이 제거되어 홈(5z)이 형성된다. 도 8f에 나타낸 것과 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 본 실시형태에서는, 경화물의 패턴을 제거한다. 이와 달리, 경화물의 패턴을 가공후에도 제거하지 않고, 예를 들면, 반도체 소자에 포함되는 층간절연용의 막, 즉, 물품의 구성부재로서 이용해도 된다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은, 이들 실시형태에 한정되지 않고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.
예시적인 실시형태들을 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 이러한 실시형태에 한정되지 않는다는 것은 자명하다. 이하의 청구범위의 보호범위는 가장 넓게 해석되어 모든 변형, 동등물 구조 및 기능을 포괄하여야 한다.

Claims (10)

  1. 패턴 형성 영역을 갖는 몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서,
    상기 몰드의 상기 패턴 형성 영역의 위치를 계측하도록 구성된 몰드 계측부와,
    상기 기판에 조사된 조사 광의 강도 분포를 제어하도록 구성된 광변조 소자와,
    상기 조사 광의 위치를 계측하도록 구성된 조사 광 계측부와,
    상기 몰드 계측부에 의한 상기 패턴 형성 영역의 위치의 계측 결과와 상기 조사 광 계측부에 의한 상기 조사 광의 위치의 계측 결과에 근거하여, 상기 패턴 형성 영역의 위치에 대한 상기 조사 광의 위치를 제어하도록 구성된 제어부를 구비한 임프린트 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 몰드 계측부에 의한 계측 결과와 상기 조사 광 계측부에 의한 계측 결과를 사용하여 상기 몰드의 상기 패턴 형성 영역과 상기 조사광의 상대 위치들을 구하고, 상기 조사 광의 위치를 제어하여 상기 상대 위치들을 맞추는 임프린트 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 광변조 소자를 구동하도록 구성된 소자 구동기구를 더 구비하고,
    상기 제어부는 상기 소자 구동기구를 제어하여 상기 임프린트 장치에 대한 상기 광변조 소자의 위치를 변경함으로써 상기 조사 광의 위치를 제어하는 임프린트 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 몰드를 구동하도록 구성된 몰드 구동부를 더 구비하고,
    상기 제어부는 상기 몰드 구동부를 제어하여 상기 임프린트 장치에 대한 상기 몰드의 위치를 변경함으로써 상기 패턴 형성 영역의 위치에 대한 상기 조사 광의 위치를 제어하는 임프린트 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 몰드 계측부는, 상기 몰드가 몰드 유지부에 의해 유지된 상태에서 상기 몰드의 상기 패턴 형성 영역까지의 거리를 계측함으로써 상기 패턴 형성 영역의 위치를 계측하는 임프린트 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 몰드 계측부는 상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 유지부에 설치되고,
    상기 기판 유지부에 의해 상기 몰드의 상기 패턴 형성 영역을 따른 방향으로 주사를 행하고, 상기 몰드 계측부는 상기 패턴 형성 영역까지의 거리를 계측함으로써 상기 패턴 형성 영역의 위치를 계측하는 임프린트 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 몰드 계측부는 상기 몰드의 측면의 위치를 계측함으로써 상기 몰드의 상기 패턴 형성 영역의 위치를 계측하는 임프린트 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 조사 광 계측부는 상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 유지부에 설치되고,
    상기 조사 광 계측부는, 상기 기판 유지부를 상기 기판의 표면을 따른 방향으로 주사함으로써, 상기 기판에 조사되는 조사 광의 조사 영역을 계측하는 임프린트 장치.
  9. 패턴 형성 영역을 갖는 몰드를 사용해서 기판 위에 임프린트 재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법으로서,
    상기 몰드의 상기 패턴 형성 영역의 위치를 계측하는 단계와,
    상기 기판에 조사되는 조사 광의 강도 분포를 제어하는 광변조 소자로부터 상기 조사 광의 위치를 계측하는 단계와,
    상기 몰드의 상기 패턴 형성 영역의 위치의 계측단계에서의 상기 패턴 형성 영역의 위치의 계측 결과와 상기 조사 광의 위치의 계측단계에서의 상기 조사 광의 위치의 계측 결과에 근거하여, 상기 패턴 형성 영역의 위치에 대한 상기 조사 광의 위치를 조정하는 단계를 포함하는 임프린트 방법.
  10. 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 기재된 임프린트 장치를 사용하여 기판 위의 조성물을 성형하는 단계와,
    상기 성형단계에서 상기 조성물이 성형된 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하는 물품의 제조방법.
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