KR20200099945A - 로드 포트 - Google Patents

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KR20200099945A
KR20200099945A KR1020190064444A KR20190064444A KR20200099945A KR 20200099945 A KR20200099945 A KR 20200099945A KR 1020190064444 A KR1020190064444 A KR 1020190064444A KR 20190064444 A KR20190064444 A KR 20190064444A KR 20200099945 A KR20200099945 A KR 20200099945A
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다다마사 이와모토
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티디케이가부시기가이샤
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Abstract

(과제) 용기 등을 필요 이상으로 대형화시키지 않고, 또한, 기판의 형상에 영향을 받지 않고, 기판의 상태를 양호한 정밀도로 또한 고속으로 검출할 수 있는 로드 포트를 제공하는 것.
(해결 수단) 복수의 기판(W)을 다단으로 수용하는 용기(2) 내에 연통하는 개구부(15)를 개방 가능하게 폐색함과 더불어, 개구부를 폐색하는 폐색 위치와 개구부를 개방하는 개방 위치 P2 사이에서 승강 이동하는 도어부(14)와, 도어부에 일체적으로 설치되고, 기판의 상태를 검출하는 매핑 센서(20)를 구비하고, 매핑 센서는, 기판을 향해 촬상용 광(La)을 조사하는 발광부(50), 및 발광부에 의해서 조명 된 조명 영역 내를 촬상하여 촬상 화상을 취득하는 촬상부(52)를 갖고, 발광부 및 촬상부 중 적어도 한쪽은, 용기(2)의 제1 내벽면(31)에서 반사된 반사광인 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부가 촬상부로 직접 향하지 않도록, 조정되어 있는 로드 포트(1)를 제공한다.

Description

로드 포트{LOAD PORT}
본 발명은, 로드 포트에 관한 것이다.
반도체 공장 등에서는, 실리콘 웨이퍼 등의 기판이 수용된 용기를 이용함으로써, 공장 내에 있어서 기판의 반송·보관을 행한다. 반도체 제조 장치의 분야에서는, 일반적으로, 소위 국소 환경(mini environment) 방식(국소 청정화 방식)이 적용되고 있으며, 용기의 내부를 높은 청정도로 유지하는 것이 가능해지고 있다.
이 국소 환경 방식에 있어서, 용기와 반도체 제조 장치 사이의 인터페이스 부분은, 통상, 로드 포트라 칭해지고 있으며, 널리 알려져 있다. 일반적으로, 로드 포트에는, 매핑 센서가 구비되어 있고, 이 매핑 센서에 의해, 기판의 수용 상태(겹침 배치의 유무, 비스듬한 배치의 유무 등)를 인식하는 것이 가능하게 되어 있다.
매핑 센서로는, 예를 들어 투과형 센서가 이용된다(특허 문헌 1 참조). 이 경우, 매핑 센서는, 광축을 수평 방향을 향하게 한 상태에서, 전후 방향으로 진퇴 가능하고 또한 상하 방향으로 승강 이동 가능한 매핑 디바이스(매핑 암이나 매핑 프레임 등)의 선단부 등에 장착된다. 매핑 디바이스를 전진시켜 매핑 센서를 용기의 개구부에 삽입하고, 하강 이동시킴으로써, 상기 매핑 센서로, 용기 내에 수용된 기판의 수용 상태를 인식하는 것이 가능하게 되어 있다.
일본국 특허 공개 2002-164411호 공보
상술한 종래의 매핑 센서에서는, 기판의 수용 상태를 인식하기 위해서는, 매핑 디바이스를 적절한 위치에 배치시켜, 특허 문헌 1에 나타낸 바와 같이, 1세트의 발광부와 수광부를 기판을 사이에 끼도록 배치할 필요가 있다. 이 점, 기판의 형상이 일반적인 반도체 웨이퍼와 같은 원형상인 경우에는, 기판의 외주면과 용기의 내벽면 사이의 스페이스를 개구부측에 충분히 확보하는 것이 가능하고, 1세트의 발광부와 수광부를 상기 스페이스에 배치하고, 기판을 사이에 끼도록 배치할 수 있다.
그러나, 기판의 형상이 예를 들면 정방형장이나 장방형상 등의 소위 각형 형상인 경우, 기판의 외주면과 용기의 내벽면 사이에, 상술한 스페이스가 발생하지 않고, 이 스페이스를 이용하여, 1세트의 발광부와 수광부를 기판을 사이에 끼도록 배치하는 것은 곤란하다. 또, 용기를 대형화함으로써, 상술한 스페이스를 형성하는 것은 가능할지도 모르나, 용기의 대형화는 로드 포트나 용기 반송계의 대형화를 초래한다는 점에서 바람직하지 않다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 용기 등을 필요 이상으로 대형화시키지 않고, 또한, 기판의 형상에 영향을 받지 않고, 기판의 상태를 정밀하게 또한 고속으로 검출할 수 있는 로드 포트를 제공하는 것이다.
(1) 본 발명에 따른 로드 포트는, 복수의 기판을 다단으로 수용하는 용기 내에 연통하는 개구부를 개방 가능하게 폐색함과 더불어, 상기 개구부를 폐색하는 폐색 위치와 상기 개구부를 개방하는 개방 위치 사이에서 승강 이동하는 도어부와, 상기 도어부에 일체적으로 설치되고, 상기 기판의 상태를 검출하는 매핑 센서를 구비하고, 상기 매핑 센서는, 상기 기판을 향해 촬상용 광을 조사하는 발광부, 및 상기 광의 반사광을 촬상하여 촬상 화상을 취득하는 촬상부를 갖고 있다.
본 발명에 따른 로드 포트에 의하면, 도어부가 폐색 위치로부터 개방 위치를 향해 하강 이동함으로써 개구부를 개방할 수 있으므로, 개구부를 통해서 용기 내에 액세스하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 예를 들면 개구부를 통해서 용기 내에 수용되어 있는 기판의 취출, 혹은 용기 내로의 기판의 수용을 행할 수 있다.
도어부에는 매핑 센서가 일체적으로 설치되어 있으므로, 도어부의 승강 이동에 수반해 매핑 센서를 이동시킬 수 있다. 그로 인해 매핑 센서는, 예를 들면 도어부가 폐색 위치로부터 개방 위치를 향해 하강 이동할 때에, 용기 내에 수용되어 있는 복수의 기판에 대해 개구부를 통해서 대향하면서 하강 이동한다. 구체적으로는, 매핑 센서는, 복수의 기판 중, 최상단에 위치하는 기판측으로부터 최하단에 위치하는 기판측을 향해 하강 이동한다.
이 때 매핑 센서는, 기판의 촬상 화상을 취득하면서 하강 이동을 행한다. 즉, 발광부가 기판을 향해 촬상용 광을 조사함과 더불어, 촬상부가 발광부에 의해서 조사된 광의 반사광의 촬상을 행하여 촬상 화상을 취득한다. 이에 의해, 매핑 센서측으로부터 기판을 본 시점에 있어서의 촬상 화상을 취득할 수 있고, 예를 들면 1장 혹은 복수장의 기판의 외주단이 찍힌 촬상 화상을 취득할 수 있다. 따라서, 촬상 화상에 의거해, 예를 들면 기판의 수용 상태를 파악할 수 있다.
또, 도어부에 일체적으로 설치된 매핑 센서를 이용하여, 도어부의 하강 이동에 연동하여 촬상 화상을 취득할 수 있으므로, 도어부의 동작과 매핑 센서의 검출 동작을 별개로 행할 필요가 없다. 그로 인해, 도어부의 하강 이동과 동시에, 복수의 기판의 상태를 검출할 수 있으므로, 처리 효율을 향상시킬 수 있음과 더불어 기판의 상태를 고속으로 검출할 수 있다.
또, 촬상 화상에 의거해 기판의 상태를 검출할 수 있으므로, 예를 들면 종래와 같이 기판의 화상(기판의 외주연부의 화상 등)을 취득하는 것을 목적으로 하지 않고 검출광의 반사를 이용하여 검출을 행하는 일반적인 반사형 광 센서를 이용하는 경우에 비해, 양호한 정밀도로 기판의 상태를 검출할 수 있다. 즉, 종래의 반사형 광 센서의 경우에는, 예를 들면 대상물(워크)에 대한 검출광의 위치 어긋남, 검출광의 반사 정도 혹은 검출광의 반사광량 등의 영향에 의해서 검출 정밀도가 저하하기 쉽다. 그러나, 촬상 화상에 의거해 기판의 상태를 검출하므로, 종래의 반사형 광 센서를 이용하는 경우에 있어서의 상술한 염려가 없고, 높은 정밀도의 검출을 행할 수 있다.
또한 촬상 화상에 의거해 기판의 상태를 검출할 수 있으므로, 종래의 투과형 광 센서와는 달리, 매핑 센서를 용기 내에 진입시킬 필요가 없다. 그로 인해, 로드 포트나 반송계를 필요 이상으로 대형화할 필요가 없다. 더하여, 각형의 기판과 같은 원형상이 아닌 형상의 기판이어도, 그 형상에 영향을 받지 않고 기판의 상태를 안정적으로 검출할 수 있다. 그 때문에, 다종 다양한 기판에 대해 유연하게 대응하는 것이 가능하며, 사용하기 쉽고 편리성이 뛰어난 로드 포트로 할 수 있다.
특히, 본 발명에 따른 로드 포트에서는, 상기 발광부 및 상기 촬상부 중 적어도 한쪽은, 상기 용기의 내벽면에서 반사된 상기 반사광인 내벽면 반사광의 광축 중심부가 상기 촬상부로 직접 향하지 않도록, 조정되어 있다. 그로 인해, 촬상부는, 광강도가 강한 내벽면 반사광의 광축 중심부를 피하면서, 용기 내에 수용되어 있는 기판의 외주단에서 반사된 반사광(기판 반사광)의 촬상을 행할 수 있다. 따라서, 촬상 화상에 내벽면 반사광의 광축 중심부가 찍히는 것을 방지하여, 기판의 외주단이 선명히 찍힌 촬상 화상을 취득하는 것이 가능해진다. 따라서, 본 발명에 따른 로드 포트에 의하면, 당해 촬상 화상에 의거해, 기판의 상태를 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
(2) 상기 광의 광축 및 상기 촬상부의 촬상축 중 적어도 한쪽이, 상기 개구부의 반대측에 위치하는 상기 용기의 내벽면, 또는 상기 개구부의 개구면에 대해 경사져 있어도 된다.
이 경우에는, 발광부 및 촬상부 중 적어도 한쪽은, 개구부의 반대측에 위치하는 용기의 내벽면에 대해 경사지도록 각도 조정되게 된다. 또는, 발광부 및 촬상부의 적어도 한편은, 개구부의 개구면에 대해 경사지도록, 각도 조정되게 된다. 그 때, 내벽면 반사광이 개구부를 향해 되돌아올 때, 그 광축 중심부가 촬상부로부터 떨어진 위치를 향하도록, 경사 각도를 적절히 조정함으로써, 촬상부는, 광강도가 강한 내벽면 반사광의 광축 중심부를 피하면서, 기판 반사광을 촬상할 수 있다. 이에 의해, 상술한 선명한 촬상 화상을 취득하는 것이 가능해져, 당해 촬상 화상에 의거하는 높은 정밀도의 검출을 행할 수 있다.
(3) 바람직하게는, 상기 광의 광축 및 상기 촬상부의 촬상축 중 적어도 한쪽은, 상기 용기의 측방을 향해 경사져 있다.
이 경우에는, 발광부 및 촬상부 중 적어도 한쪽은, 개구부의 반대측에 위치하는 용기의 내벽면에 대해 측방으로 경사지도록, 각도 조정되게 된다. 또는, 발광부 및 촬상부 중 적어도 한쪽은, 개구부의 개구면에 대해 측방으로 경사지도록, 각도 조정되게 된다. 그 때, 내벽면 반사광이 개구부를 향해 되돌아올 때, 그 광축 중심부가 촬상부를 피해 측방을 향하도록, 경사 각도를 적절히 조정함으로써, 촬상부는, 광강도가 강한 내벽면 반사광의 광축 중심부를 피하면서, 기판 반사광을 촬상할 수 있다.
(4) 상기 광의 광축은, 상기 용기의 측방에 위치하는 내벽면을 향해 연장되어 있어도 된다.
이 경우에는, 발광부는, 용기의 측방에 위치하는 내벽면을 향하도록, 각도 조정되게 된다. 그로 인해, 발광부로부터 조사된 광은, 당해 내벽면을 향해 나아간 후, 그 내벽면에서 반사하여, 내벽면 반사광으로서 다른 내벽면을 향해 나아간다. 또, 다른 내벽면을 향해 나아간 내벽면 반사광은, 그 내벽면에서 반사하여, 또 다른 내벽면을 향해 나아가거나, 혹은 개구부(촬상부)를 향해 나아간다. 만일, 이 내벽면 반사광이 촬상부를 향해 나아갔다고 해도, 상술한 바와 같이 복수회의 반사를 거친 후(또는 긴 광로 길이를 거친 후)에는, 반사될 때마다 광의 산란 및 흡수가 일어나므로, 촬상부에 도달할 무렵에는, 이 내벽면 반사광의 광축 중심부의 광강도는 충분히 약해져 있는 것이라고 상정된다. 따라서, 광강도가 강한 내벽면 반사광이 촬상부에 입사하는 것을 방지하는 것이 가능해져, 상술한 선명한 화상을 취득할 수 있다. 또한, 상기 (3)에 있어서도, 경사 각도에 따라서는, 이러한 효과를 얻는 것이 가능하다.
(5) 상기 광의 광축만이, 상기 개구부의 반대측에 위치하는 상기 용기의 내벽면, 또는 상기 개구부의 개구면에 대해 경사져 있어도 된다.
이 경우에는, 발광부는, 상기 내벽면에 대해 경사지도록, 각도 조정되게 된다. 또는, 발광부는, 개구부의 개구면에 대해 경사지도록, 각도 조정되게 된다. 한편, 촬상부는, 용기 내에 수용되어 있는 기판에 대해 개구부를 통해서 대향한 상태로 배치된다. 그로 인해, 촬상부는, 용기 내의 시야를 충분히 확보하면서, 광강도가 강한 내벽면 반사광의 광축 중심부를 피하면서, 기판 반사광의 촬상을 행할 수 있다. 따라서, 상술한 선명한 촬상 화상을 넓은 시야로 취득하는 것이 가능해져, 당해 촬상 화상에 의거하는 높은 정밀도의 검출을 행할 수 있다.
(6) 상기 광의 광축 및 상기 촬상부의 촬상축 중 적어도 한쪽은, 상기 용기의 높이 방향을 향해 경사져 있어도 된다.
이 경우에는, 발광부 및 촬상부 중 적어도 한쪽은, 개구부의 반대측에 위치하는 용기의 내벽면에 대해 상방 또는 하방으로 경사지도록, 각도 조정되게 된다. 그 때, 내벽면 반사광이 개구부를 향해 되돌아올 때, 그 광축 중심부가 촬상부를 피해 그 상방 또는 하방을 향하도록, 경사 각도를 적절히 조정함으로써, 촬상부는, 광강도가 강한 내벽면 반사광의 광축 중심부를 피하면서, 기판 반사광을 촬상할 수 있다.
(7) 상기 발광부와 상기 촬상부는, 상기 개구부를 따라서, 그 측방에 소정의 간격을 두고 이격하여 배치되어 있어도 된다.
이 경우에는, 발광부 및 촬상부 중 적어도 한쪽은, 각각 이격하여 배치되도록, 위치 조정되게 된다. 그 때, 내벽면 반사광이 개구부를 향해 되돌아올 때, 그 광축 중심부가 촬상부로부터 측방으로 떨어진 위치를 향하도록, 각각의 간격을 적절히 조정함으로써, 촬상부는, 광강도가 강한 내벽면 반사광의 광축 중심부를 피하면서, 기판 반사광을 촬상할 수 있다.
(8) 상기 발광부는 발광부 설치용 하우징에 설치되고, 상기 촬상부는 촬상부 설치용 하우징에 설치되어 있고, 상기 발광부 설치용 하우징과 상기 촬상부 설치용 하우징은, 별체로 되어 있어도 된다.
이 경우에는, 발광부 설치용 하우징 및 촬상부 설치용 하우징을 개재하여, 발광부 및 촬상부를 별개 독립하여 위치 조정하는 것이 가능해져, 각각의 간격의 조정 범위를 넓힐 수 있다. 그로 인해, 위치 조정의 자유도를 높일 수 있고, 발광부 및 촬상부 중 적어도 한쪽을 최적의 위치에 배치시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 로드 포트 및 로드 포트에 재치(載置)되는 용기를 나타내는 종단면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 로드 포트의 도어부를 하강 이동시켰을 때의 상태를 나타내는 로드 포트 및 로드 포트에 탑재되는 용기의 종단면도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 로드 포트의 평면도이다.
도 4은 도 1에 나타낸 용기의 사시도이다.
도 5a는 도 1에 나타낸 매핑 센서의 주변을 확대한 사시도이다.
도 5b는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 로드 포트가 갖는 매핑 센서의 주변을 확대한 사시도이다.
도 5c는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 로드 포트가 갖는 매핑 센서의 주변을 확대한 사시도이다.
도 5d는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 로드 포트가 갖는 매핑 센서의 주변을 확대한 사시도이다.
도 6a은 도 5a에 나타낸 매핑 센서를 구성하는 발광부로부터 조사되는 광의 광로를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6b는 도 5b에 나타낸 매핑 센서를 구성하는 발광부로부터 조사되는 광의 광로를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6c는 도 5c에 나타낸 매핑 센서를 구성하는 발광부로부터 조사되는 광의 광로를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6d는 도 5d에 나타낸 매핑 센서를 구성하는 발광부로부터 조사되는 광의 광로를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6e는 본 발명의 제5 실시형태에 따른 로드 포트가 갖는 매핑 센서를 구성하는 발광부로부터 조사되는 광의 광로를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6f는 도 5a에 나타낸 매핑 센서의 변형예를 구성하는 발광부로부터 조사되는 광의 광로를 설명하기 위한 모식도이다.
도 7은 도 5a~도 5d에 나타낸 매핑 센서의 변형예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 5a~도 5d에 나타낸 매핑 센서를 이용하여, 반도체 웨이퍼의 촬상 화상을 취득하고 있는 상태를 설명하기 위한 모식도이다.
도 9는 도 5a~도 5d에 나타낸 매핑 센서의 조사부에서 조사되는 조사 영역을 설명하기 위한 모식도이다.
도 10은 도 5a~도 5d에 나타낸 매핑 센서에서 취득되는 촬상 화상의 일례를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명에 따른 로드 포트의 제6 실시형태를 나타내는 종단면도이다.
(제1 실시형태)
이하, 본 발명을, 도면에 나타낸 실시형태에 의거해 설명한다.
도 1에 나타낸 로드 포트(1)는, 복수의 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 용기(보관용 용기)(2)와 반도체 제조 장치(도시 대략) 사이의 인터페이스 부분으로서의 역할을 하는 유닛이고, 설비 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module)(EFEM)의 일부를 구성한다. 설비 전방 단부 모듈은, 웨이퍼 반송용 로봇 암 등이 설치되는 국소 환경을 형성하고, 로봇 암은, 로드 포트(1)에 의해서 국소 환경에 접속된 용기(2) 내로부터, 용기(2) 내에 수용되는 반도체 웨이퍼(W)를 취출해, 반도체 처리 장치에 반송한다. 또한, 용기(2)로는, 예를 들면 FOUP(Front-Opening Unified Pod) 등을 들 수 있다.
로드 포트(1)는, 제어 박스(10), 가동 테이블(11), 프레임(12), 지지 프레임(13), 도어부(14), 구동부(16), 로드(17), 센서 도그(18) 및 매핑 센서(20) 등을 갖는다. 제어 박스(10)는, 도어부(14)를 작동시키는 구동부(16)나, 매핑 센서(20)에 의한 각종 동작을 제어하기 위한 제어부(40) 등을 내부에 포함하고 있다.
가동 테이블(11)은, 기판(본 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼(W))을 내부에 수용하고, 반도체 웨이퍼(W)를 보관 및 반송하는 용기(2)가, 착탈 가능하게 재치 가능하게 되어 있다. 가동 테이블(11)은, 용기(2)를 상부에 재치한 상태에서, Y축방향으로 이동하는 이동 테이블 등으로 구성되고, 용기(2)의 수용구(4)를, 프레임(12)의 개구부(15)에 접속할 수 있다. 또한, 도면에 있어서, Y축은 가동 테이블(11)의 이동 방향(전후 방향)을 나타낸다. 특히, 전후 방향 중, Y축 양방향을 전방이라 하고, Y축 음방향을 후방이라 한다. 또, X축은 좌우 방향을 나타내고, Z축은 상하 방향을 나타낸다.
여기서, 용기(2)에 대해서 간단하게 설명한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 용기 본체(3)의 내부에는, 전후 방향으로 연장되는 수용 선반(8)이 좌우 방향으로 대향하도록 형성되어 있음과 더불어, 상하에 일정한 간격을 두고 복수단 형성되어 있다. 반도체 웨이퍼(W)는, 이들 복수의 수용 선반(8)을 이용하여 수용되어 있다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(W)는 상하에 다단으로 배열된 상태로 용기(2) 내에 수용되어 있다.
본 실시형태에서는, 각형의 반도체 웨이퍼(W)를 예로 들어 설명하지만, 반도체 웨이퍼(W)의 형상은 각형으로 한정되는 것이 아니라, 예를 들면 원형상으로 형성되어 있어도 무방하다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 프레임(12)은, 가동 테이블(11)로부터 상방으로 연장되어 있고, 가동 테이블(11) 및 가동 테이블(11)에 설치된 용기(2)는, 프레임(12)에 대해 전후 방향으로 접근·이격하도록 이동한다. 프레임(12)에는, 용기(2)의 수용구(4)에 대향하도록 개구부(15)가 형성되어 있고, 개구부(15)는, 도어부(14)에 의해서 개폐된다. 프레임(12)에 의해, 반도체 제조 장치에 있어서의 처리실 내와 반도체 제조 장치의 외부에 위치하는 외부 공간을 나누는 것이 가능하게 되어 있다.
도어부(14)는, 개구부(15)를 개폐함과 더불어, 용기(2)의 수용구(4)에 착탈 가능하게 설치되는 덮개부(5)에 걸어맞춰지고, 수용구(4)를 개폐할 수 있다. 로드 포트(1)에서는, 가동 테이블(11)이 용기(2)를 프레임(12)에 접촉하는 위치까지 전방으로 이동시킨 후, 도어부(14)가 용기(2)의 덮개부(5)에 걸어맞춰져 국소 환경 내로 끌어들임으로써, 용기(2)의 내부와 국소 환경을, 용기(2)의 수용구(4)를 개재하여 연결할 수 있다.
도어부(14)의 하단 가장자리부에는, 지지 프레임(13)이 일체적으로 연결되어 있다. 지지 프레임(13)에는, 제어 박스(10) 내에 배치되어 있는 구동부(16)가 연결되어 있고, 구동부(16)가 상하 방향으로 연장되는 로드(17)를 따라서 하강 이동함으로써, 도어부(14)는 지지 프레임(13)을 개재하여 하강 이동하는 것이 가능해지고 있다.
매핑 센서(20)는, 반도체 웨이퍼(W)의 상태를 검출한다. 도 1 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 매핑 센서(20)는, 도어부(14)의 상단 가장자리부에 일체적으로 고정되어 있다. 구체적으로는, 매핑 센서(20)는, 도어부(14)의 상단 가장자리부 중 좌우 방향의 중앙에 위치하는 부분에, 예를 들면 도시하지 않은 체결 수단 등에 의해서 고정되어 있다.
매핑 센서(20)는, 용기(2) 내에 수용되어 있는 복수의 반도체 웨이퍼(W) 중 최상단에 위치하는 반도체 웨이퍼(W)보다 상방에 배치되어 있다. 또한, 매핑 센서(20)를, 도어부(14)의 상단 가장자리부에 좌우 방향으로 이동 가능하게 고정해도 무방하다. 이 경우에는, 필요에 따라서 매핑 센서(20)의 위치를 조정하는 것이 가능해진다.
도 5a에 나타낸 바와 같이, 매핑 센서(20)는, 반도체 웨이퍼(W)측을 향하는 전방을 향해 촬상용 광(La)을 조사하는 발광부(50)와, 발광부(50)로부터 조사된 광(La)의 반사광(발광부(50)에 의해서 조명된 조명 영역(S) 내)을 촬상하여 촬상 화상(51)(도 10 참조)을 취득하는 촬상부(52)를 구비하고 있다. 도 6a에 나타낸 바와 같이, 광(La)의 반사광에는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼(W)의 외주단에서 반사된 반사광인 기판 반사광(Lb), 및 용기 본체(3)의 내벽면에서 반사된 반사광인 내벽면 반사광(Lc)이 포함된다. 또한, 도 5a에 나타낸 바와 같이, 촬상부(52)는, 광(La)의 광축(Oa)에 교차하는 가상의 촬상면(V)을 촬상해 촬상 화상(51)을 취득한다. 따라서 매핑 센서(20)는, 2차원의 촬상 화상(51)을 취득하는 화상 취득 센서(혹은 면광전 센서)로 되어 있다.
발광부(50)는, 예를 들면 LED이며, 소정의 파장 대역으로 조정된 광(La)을 조사한다. 또한, 발광부(50)의 발광 타이밍은, 예를 들면 제어부(40)에 의해서 제어되어 있다. 발광부(50)는, 도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 발광 각도나 발광 강도 등의 조정에 의해서, 조명 영역(S) 내에 반도체 웨이퍼(W)가 1장 포함되도록 광(La)을 조사한다.
도 5a에 나타낸 바와 같이, 발광부(50)로부터 조사되는 광(La)은, 광축(Oa)을 중심으로 하여 원심 방향으로 확산을 갖고 있다. 이하에서는, 광강도가 강한 광축(Oa)의 주위를 「광축(Oa)의 중심부」라 부른다. 발광부(50)로부터 조사된 직후에 있어서의(발광부(50)의 단면에 있어서의) 광(La)의 광축(Oa)을 중심으로 한 원심 방향으로의 확산 폭을 R로 했을 때에, 「광축(Oa)의 중심부」는, 예를 들면, 광축(Oa)을 중심으로 하는 반경 3R 이하의 원으로 둘러싸인 영역으로서 정의된다.
도 6a에 나타낸 바와 같이, 발광부(50)는, 개구부(15)의 반대측에 위치하는 용기 본체(3)의 제1 내벽면(31)에 대해 측방으로 경사지도록, 각도 조정되어 있다. 혹은, 발광부(50)는, 개구부(15)의 개구면(150)에 대해 측방으로 경사지도록, 각도 조정되어 있다.
그 때문에, 발광부(50)로부터 조사된 광(La)의 광축(Oa)은, 개구부(15)의 반대측에 위치하는 용기 본체(3)의 내벽면인 제1 내벽면(31), 또는 개구부(15)의 개구면(150)에 대해, 용기 본체(3)의 측방(좌우 방향을 따라서 측방)을 향해 경사지게 된다. 따라서, 발광부(50)로부터 조사된 광(La)의 광축(Oa)은, 제1 내벽면(31)에 대해 비스듬하게(비스듬한 측방) 나아가게 된다. 또, 광(La)의 광축(Oa)은, 각형의 반도체 웨이퍼(W)의 외주연부에 대해, 반도체 웨이퍼(W)의 측방을 향해 경사지게 된다.
또, 도시한 예에서는, 발광부(50)는, 촬상부(52)가 배치되어 있는 측과는 반대측을 향해 경사지도록, 각도 조정되어 있다. 그 때문에, 광(La)의 광축(Oa)은, 제3 내벽면(33)측이 아니라, 그 좌우 방향을 따라서 반대측에 있는 제2 내벽면(32) 측을 향해 연장되게 된다. 특히, 본 실시형태에서는, 광(La)의 광축(Oa)은, 제1 내벽면(31) 중, 좌우 방향을 따라서 제2 내벽면(32)측의 부분과 교차한다.
도 5a에 나타낸 바와 같이, 촬상부(52)에는 상기와 같은 각도 조정이 이루어지지 않고, 발광부(50)에만 상기와 같은 각도 조정이 이루어져 있다. 그 때문에, 광(La)의 광축(Oa)과 촬상부(52)의 촬상축(Od)은 대략 평행하게는 되어 있지 않다.
도 6a에 나타낸 바와 같이, 광(La)의 광축(Oa)과 개구부(15)의 개구면(150)이 이루는 각도(좌우 방향에 대한 광축(Oa)의 경사 각도) Θ1은,Θ1＜90도이며, 바람직하게는 Θ1＜88도이며, 더욱 바람직하게는 80＜Θ1＜85도이다. 또, 용기 본체(3)의 제1 내벽면(31)과, 개구부(15)의 개구면(150)과, 반도체 웨이퍼(W)의 외주연부가 대략 평행하게 되어 있는 경우, 광(La)의 광축(Oa)과 용기 본체(3)의 제1 내벽면(31)이 이루는 각도 Θ2, 및 광(La)의 광축(Oa)과 반도체 웨이퍼(W)의 외주연부가 이루는 각도 Θ3에 대해서도 상기 범위와 동일해진다.
단, 본 실시형태에서는, 각도 Θ1~Θ은, 광(La)의 광축(Oa)이 제2 내벽면(32)과 교차하지 않는 범위에서 설정된다. 즉, 광축(Oa)이, 제1 내벽면(31)과 제2 내벽면(32)이 교차하는 용기 본체(3)의 모서리부를 향해 나아갈 때의 각도 Θ1~Θ3의 값이, 각도 Θ1~Θ3의 하한치가 된다.
또한, 광(La)의 광축(Oa)과 제2 내벽면(32) 또는 제3 내벽면(33)(혹은, 도 5a에 나타낸 촬상부(52)의 촬상축(Od))이 이루는 각도(전후 방향에 대한 광축(Oa)의 경사 각도)는, (90-Θ1)도로 설정된다.
발광부(50)에 대해, 상기와 같은 각도 조정이 행해진 경우, 내벽면 반사광(Lc)은, 제1 내벽면(31)으로부터 용기 본체(3)의 측방에 위치하는 내벽면인 제2 내벽면(32)을 향해 비스듬하게 나아간 후, 제2 내벽면(32)에서 반사하여, 제2 내벽면(32)으로부터 개구부(15)를 향해 비스듬하게 나아간다.
이와 같이, 광(La)은 제1 내벽면(31)에 대해 비스듬하게 나아가, 내벽면 반사광(Lc)은 제2 내벽면(32) 및 개구부(15)에 대해 비스듬하게 나아가므로, 광(La) 및 내벽면 반사광(Lc)의 광로 길이는, 각각 용기 본체(3)의 전후 방향을 따른 길이 LL1보다 커진다. 예를 들어, 광(La)의 광로 길이는, LL1/sinΘ1과 대략 동일해진다. 따라서, 광(La) 및 내벽면 반사광(Lc)의 광로 길이의 합은, 상기 길이 LL1의 2배(2 LL1)보다 커진다.
개구부(15)를 향해 나아가는 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부는, 개구면(150)에 있어서, 촬상부(52)를 피하도록, 촬상부(52)에 대해, 좌우 방향을 따라서 측방(우측)으로 이격한 위치를 통과한다. 즉, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부는, 제2 내벽면(32)과 교차하는 개구면(150)의 좌우 방향의 단부와, 촬상부(52) 사이를 통과해, 상기와 같은 각도 조정이 행해지지 않았던 경우와 동일한 광량으로, 촬상부(52)를 향하는(입사하는) 경우가 없다. 이와 같이, 발광부(50)는, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부가 촬상부(52)를 향하지 않도록, 조정되어 있다.
도시한 예에서는, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부의 통과 위치와 촬상부(52)는 충분히 떨어져 있고, 광축(Oc)의 중심부 전역이 촬상부(52)를 향하지 않도록 조정되어 있다. 단, 광축(Oc)의 중심부의 대부분이 촬상부(52)를 향하고 있지 않으면, 그 일부가 촬상부(52)에 입사해도 된다.
내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부는, 제2 내벽면(32)에서 1회 반사한 후, 개구부(15)를 향하고 있으며, 직접 개구부(15)로는 향하고 있지 않다. 즉, 발광부(50)는, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부가 개구부(15)(또한, 촬상부(52))로 직접 향하지 않도록, 조정되어 있다.
또한, 각도 Θ1~Θ3의 값에 따라서는, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부가, 제2 내벽면(32)에서 반사하지 않고, 개구부(15)를 직접 향하는 경우도 상정된다. 예를 들어, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부가, 제2 내벽면(32)에서 반사하지 않고 직접, 제2 내벽면(32)과 교차하는 개구면(150)의 좌우 방향의 단부 등을 향해도 된다.
도 5a에 나타낸 바와 같이, 촬상부(52)는, 예를 들면 CMOS 등의 고체 촬상 소자이고, 예를 들면 발광 강도에 대응한 촬상 화상(51)을 취득함과 더불어, 취득한 촬상 화상(51)을 제어부(40)에 출력한다. 촬상부(52)에는, 기판 반사광(Lb) 및 내벽면 반사광(Lc) 등이 입사한다. 또한, 촬상부(52)의 촬상 타이밍은, 예를 들면 제어부(40)에 의해서 제어되고 있다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 조명 영역(S) 내에 반도체 웨이퍼(W)가 1장 포함되도록 발광부(50)가 광(La)을 조사하므로, 예를 들면 도 10에 나타낸 바와 같이 촬상부(52)는 반도체 웨이퍼(W)가 1장만 찍힌 촬상 화상(51)을 취득하는 것이 가능하게 되어 있다.
매핑 센서(20)는, 도어부(14)의 상하 방향으로의 이동에 따라, 상하 방향으로 이동할 수 있다. 구체적으로는, 매핑 센서(20)는, 복수의 반도체 웨이퍼(W) 중, 최상단에 위치하는 반도체 웨이퍼(W)측으로부터 최하단에 위치하는 반도체 웨이퍼(W)를 향해 하강 이동한다(도 1 및 도 2 참조). 그리고, 매핑 센서(20)는, 반도체 웨이퍼(W)보다 후방측에 소정 거리 떨어진 위치에 있어서, 도어부(14)가 하강 이동할 때에, 촬상 화상(51)의 취득을 행한다. 촬상부(52)의 초점 거리, 화각 등은, 상기 소정 거리에서 촬상 화상(51)을 적절히 취득할 수 있도록 적절히 조정되어 있다.
제어부(40)는, 매핑 센서(20)에서 취득된 촬상 화상(51)을, 데이터 기록부(도시 생략)에 기록한다. 또한, 제어부(40)는, 촬상 화상(51)을 도시하지 않은 표시 모니터에 출력해도 무방하다. 또한, 제어부(40)에는, 하강 이동하는 매핑 센서(20)의, 반도체 웨이퍼(W)에 대한 상대 위치를 나타내는 위치 검출 신호가 위치 검출 센서(60)(도 1 참조)로부터 입력된다.
위치 검출 센서(60)에 대해서 간단하게 설명한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 로드(17)에는 Z축방향을 따라서 세로로 긴 센서 도그(18)가 장착되어 있다. 위치 검출 센서(60)는, 구동체(16)에 장착되고, 구동체(16)의 승강 이동에 수반해, 센서 도그(18)를 따라서 승강 이동한다.
위치 검출 센서(60)는, 예를 들면 센서 도그(18)를 사이에 끼고 좌우 방향으로 대향하도록 배치된, 도시하지 않은 광조사부 및 수광부를 갖는 투과형 광 센서로 되어 있다. 위치 검출 센서(60)는, 수광부가 광조사부로부터의 검출광을 수광하면서 센서 도그(18)를 따라서 승강 이동함과 더불어, 수광부에 의한 수광 결과에 대응한 위치 검출 신호를 제어부(40)에 출력하고 있다.
센서 도그(18)로는, 예를 들면 슬릿 캠이 이용된다. 슬릿 캠에는, 복수의 슬릿이 상하 방향으로 일정한 간격을 두고 배치되어 있다. 각 슬릿의 슬릿 위치는, 매핑 센서(20)에 의한 촬상 화상(51)의 취득과 동시에, 위치 검출 센서(60)에 의해서 검출된다. 슬릿의 수 및 피치는, 용기(2)에 설치된 복수의 수용 선반(8)의 수 및 피치에 대응하고 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 제어부(40)는 위치 검출 센서(60)에서 검출된 위치 검출 신호에 의거해, 반도체 웨이퍼(W)에 대한 매핑 센서(20)의 상대 위치를 파악하는 것이 가능해진다.
이에 의해, 제어부(40)는, 매핑 센서(20)에서 취득된 촬상 화상(51)이, 용기(2)의 몇 단째의 수용 선반(8)에 수용되어 있는 반도체 웨이퍼(W)의 촬상 화상(51)인지를 파악할 수 있다. 그리고 제어부(40)는, 매핑 센서(20)에서 취득된 촬상 화상(51)을, 용기(2) 내에서의 반도체 웨이퍼(W)의 수용 위치에 대응지어 데이터 기록부에 기록한다.
매핑 센서(20)는, 제어부(40)로부터의 지시를 받아 반도체 웨이퍼(W)의 촬상 화상(51)을 취득하면서 하강 이동한다. 즉, 도 5a에 나타낸 바와 같이 발광부(50)가 반도체 웨이퍼(W)를 향해 촬상용 광(La)을 조사함과 더불어, 촬상부(52)가 발광부(50)에 의해서 조사된 광(La)의 반사광(기판 반사광(Lb1) 혹은 내벽면 반사광(Lc))의 촬상을 행하여 촬상 화상(51)을 취득한다. 또한, 촬상 화상(51)을 형성하는 광에는, 광(La)의 반사광 외에, 다른 광원으로부터의 반사광이 포함되어 있어도 된다.
이 때, 촬상부(52)가 광(La)의 광축 O에 교차하는 촬상면(V)을 촬상하여 촬상 화상(51)을 취득하므로, 매핑 센서(20)측에서 본 시점에 있어서의 촬상 화상(51)을 취득할 수 있어, 도 10에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 외주단이 찍힌 촬상 화상(51)을 취득할 수 있다.
특히, 도 8및 도 9에 나타낸 바와 같이, 발광부(50)가 조명 영역(S) 내에 반도체 웨이퍼(W)가 1장만 포함되도록 광(La)을 조사하므로, 촬상부(52)는 1장의 반도체 웨이퍼(W)의 외주단만이 찍힌 촬상 화상(51)을 취득할 수 있다. 그리고 매핑 센서(20)는, 취득한 촬상 화상(51)을 제어부(40)에 출력한다.
그리고 제어부(40)는, 매핑 센서(20)에서 취득된 촬상 화상(51)을, 용기(2) 내에서의 반도체 웨이퍼(W)의 수용 위치에 대응지어 데이터 기록부(도시 생략)에 기록함과 더불어, 필요에 따라서 표시 모니터에 표시한다.
따라서, 데이터 기록부 혹은 표시 모니터를 개재하여, 예를 들면 작업자가 촬상 화상(51)을 파악할 수 있어, 촬상 화상(51)에 의거해 각 반도체 웨이퍼(W)의 수용 상태를 파악할 수 있다. 예를 들면, 동일한 수용 선반(8)에 반도체 웨이퍼(W)가 겹쳐져 수용되어 있는 겹침 배치의 유무, 상이한 단의 수용 선반(8)에 반도체 웨이퍼(W)가 비스듬하게 수용되어 있는 비스듬한 배치의 유무, 수용 선반(8)에 반도체 웨이퍼(W)가 수용되어 있는지 아닌지의 반도체 웨이퍼(W)의 유무 등을 파악할 수 있다.
게다가, 매핑 센서(20)에서 취득된 촬상 화상(51)을, 용기(2) 내에서의 반도체 웨이퍼(W)의 수용 위치에 대응짓고 있으므로, 수용 상태가 불량인 반도체 웨이퍼(W)가 있었던 경우에는, 그 불량의 반도체 웨이퍼(W)의 수용 위치(즉 몇 단째의 수용 선반(8)에 수용되어 있는지에 대해서)를 정확하게 파악할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 수용 상태가 불량인 반도체 웨이퍼(W)에 대해 핸들링 로봇이 액세스하지 않도록 제어하는 것 등이 가능하다.
특히, 도어부(14)에 일체적으로 형성된 매핑 센서(20)를 이용하여, 도어부(14)의 하강 이동에 수반해 촬상 화상(51)을 취득할 수 있으므로, 도어부(14)의 동작과 매핑 센서(20)의 검출 동작을 별개로 행할 필요가 없다. 그 때문에, 도어부(14)의 하강 동작과 동시에, 복수의 반도체 웨이퍼(W)의 상태를 검출할 수 있으므로, 처리 효율을 향상시킬 수 있음과 더불어 반도체 웨이퍼(W)의 상태를 고속으로 검출할 수 있다. 따라서, 예를 들면 반도체 웨이퍼(W)의 유무를 검출하는 매핑 작업을 효율적으로 행할 수 있다.
또, 촬상 화상(51)에 의거해 반도체 웨이퍼(W)의 상태를 검출할 수 있으므로, 예를 들면 종래와 같이 기판의 화상(기판의 외주연부의 화상 등)을 취득하는 것을 목적으로 하지 않고 검출광의 반사를 이용하여 검출을 행하는 일반적인 반사형 광 센서를 이용하는 경우에 비해, 양호한 정밀도로 반도체 웨이퍼(W)의 상태를 검출할 수 있다. 즉, 종래의 반사형 광 센서의 경우에는, 예를 들면 대상물(워크)에 대한 검출광의 위치 어긋남, 검출광의 반사 정도 혹은 검출광의 반사광량 등의 영향에 의해서 검출 정밀도가 저하하기 쉽다.
그러나, 본 실시형태의 로드 포트(1)에 의하면, 촬상 화상(51)에 의거해 반도체 웨이퍼(W)의 상태를 검출하므로, 종래의 반사형 광 센서를 이용하는 경우에 있어서의 상술한 염려가 없고, 높은 정밀도의 검출을 행할 수 있다. 따라서, 예를 들면 반도체 웨이퍼(W)의 유무를 검출하는 매핑 작업을 양호한 정밀도로 행할 수 있다.
또한 촬상 화상(51)에 의거해 반도체 웨이퍼(W)의 상태를 검출할 수 있으므로, 종래의 투과형 광 센서와는 달리, 매핑 센서(20)를 용기(2) 내에 진입시킬 필요가 없다. 그 때문에, 매핑 센서(20)를 용기(2) 내에 진입시키기 위한 구성이 불필요해져, 그 만큼, 구성을 간략화하기 쉽다. 따라서, 로드 포트(1)의 소형화를 도모할 수 있다.
또한, 각형의 반도체 웨이퍼(W)이더라도 대응하는 것이 가능하므로로, 반도체 웨이퍼(W)의 형상에 영향을 받지 않고 반도체 웨이퍼(W)의 상태를 안정적으로 검출할 수 있다. 그로 인해, 다종 다양한 반도체 웨이퍼(W)에 대해 유연하게 대응하는 것이 가능하고, 사용하기 쉽고 편리성이 뛰어난 로드 포트(1)로 할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 로드 포트(1)에 의하면, 소형화를 도모하면서, 반도체 웨이퍼(W)의 형상에 영향을 받지 않고, 반도체 웨이퍼(W)의 상태를 양호한 정밀도로 또한 고속으로 검출할 수 있다. 따라서, 용기(2)의 수용 선반(8)에 대한 각 반도체 웨이퍼(W)의 수용 상태(겹침 배치의 유무, 비스듬한 배치의 유무, 반도체 웨이퍼(W)의 유무 등)를, 신속하게 판단할 수 있다. 특히, 반도체 웨이퍼(W)의 유무를 검출하는 매핑 작업을 높은 정밀도로 또한 고속으로 행할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼(W)가 1장만 찍히도록 촬상 화상(51)을 취득하므로, 반도체 웨이퍼(W)의 상태의 검출을 1장마다 행할 수 있어, 높은 정밀도의 검출을 행할 수 있다.
특히, 본 실시형태에 따른 로드 포트(1)에서는, 발광부(50)가, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부가 촬상부(52)에 직접 향하지 않도록, 조정되어 있다. 그로 인해, 촬상부(52)는, 광강도가 강한 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부를 피하면서, 용기 본체(3) 내에 수용되어 있는 반도체 웨이퍼(W)의 외주단에서 반사된 기판 반사광(Lb)의 촬상을 행할 수 있다. 따라서, 촬상 화상(51)에 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부가 찍히는 것을 방지하여, 반도체 웨이퍼(W)의 외주단이 선명하게 찍힌 촬상 화상(51)을 취득하는 것이 가능해진다. 따라서, 본 실시형태에 따른 로드 포트(1)에 의하면, 당해 촬상 화상(51)에 의거해, 반도체 웨이퍼(W)의 상태를 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 발광부(50)는, 제1 내벽면(31)에 대해 경사지도록, 각도 조정되는 한편, 촬상부(52)는, 용기 본체(3) 내에 수용되어 있는 반도체 웨이퍼(W)에 대해 개구부(15)의 개구면(150)을 통해서 대향한 상태로 배치된다. 그로 인해, 촬상부(52)는, 용기 본체(3) 내의 시야를 충분히 확보하면서, 광강도가 강한 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부를 피하면서, 기판 반사광(Lc)의 촬상을 행할 수 있다. 따라서, 상술한 선명한 촬상 화상(51)을 넓은 시야로 취득하는 것이 가능해져, 당해 촬상 화상(51)에 의거하는 높은 정밀도의 검출을 행할 수 있다.
또한, 도 6f에 나타낸 매핑 센서(20E)와 같이, 발광부(50E)로부터 조사된 광(La)의 광축(Oa)은, 용기 본체(3)의 측방에 위치하는 제2 내벽면(32)을 향해 연장되어 있어도 된다(제2 내벽면(32)과 교차해도 된다). 광(La)의 광축(Oa)과 개구부(15)의 개구면(150)이 이루는 각도(좌우 방향에 대한 광축(Oa)의 경사 각도) Θ4는, Θ4＞0도이며, 바람직하게는 Θ4＞5도이다.
이 경우에는, 발광부(50E)는, 제2 내벽면(32)을 향하도록, 각도 조정되게 된다. 그로 인해, 발광부(50E)로부터 조사된 광(La)은, 제2 내벽면(32)을 향해 나아간 후, 제2 내벽면(32)에서 반사해, 내벽면 반사광(Lc)으로서, 제2 내벽면(32)으로부터 제1 내벽면(31)을 향해 나아간다. 또, 제1 내벽면(31)을 향해 나아간 내벽면 반사광(Lc)은, 제1 내벽면(31)에서 반사하여, 제1 내벽면(31)으로부터 제3 내벽면(33)을 향해 나아간다. 또한, 제3 내벽면(33)을 향해 나아간 내벽면 반사광(Lc)은, 제3 내벽면(33)에서 반사하여, 제3 내벽면(33)으로부터 개구부(15)를 향해 나아간다.
도시한 예에서는, 개구부(15)를 향해 나아가는 내벽면 반사광(Lc)은, 촬상부(52)로 직접 향하고 있지 않다. 만일, 이 내벽면 반사광(Lc)이 촬상부(52)를 향해 나아갔다고 해도, 상술한 바와 같이 복수회의 반사를 거친 후(또는 긴 광로 길이를 거친 후)에는, 반사될 때마다 광(La)의 산란 및 흡수가 일어나므로, 촬상부(52)에 도달할 무렵에는, 이 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부의 광강도는 충분히 약해져 있는 것이라고 상정된다. 따라서, 본 실시형태에 의한 로드 포트(1E)에 의하면, 광강도가 강한 내벽면 반사광(Lc)이 촬상부(52)에 입사하는 것을 방지하는 것이 가능해져, 상술한 선명한 화상을 취득할 수 있다. 또한, 도 6a에 나타낸 예에서도, 이러한 효과를 얻는 것이 가능하다.
(제2 실시형태)
다음에, 본 발명에 따른 로드 포트의 제2 실시형태에 대해서 도면을 참조해 설명한다.
또한, 제2 실시형태에 있어서는, 제1 실시형태에 있어서의 구성 요소와 동일한 부분에 대해서는, 동일한 부호를 부여해 그 설명을 생략한다.
도 6b에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 의한 로드 포트(1A)는, 매핑 센서(20A)를 갖는다. 매핑 센서(20A)에 있어서, 촬상부(52A)는, 개구부(15)의 반대측에 위치하는 용기 본체(3)의 제1 내벽면(31)에 대해 측방으로 경사지도록, 각도 조정되어 있다. 혹은, 촬상부(52A)는, 개구부(15)의 개구면(150)에 대해 측방으로 경사지도록, 각도 조정되어 있다.
그 때문에, 도 5b에 나타낸 촬상부(52A)의 촬상축(Od)은, 개구부(15)의 반대측에 위치하는 용기 본체(3)의 제1 내벽면(31), 또는 개구부(15)의 개구면(150)에 대해, 용기 본체(3)의 측방(좌우 방향을 따라서 측방)을 향해 경사지게 된다. 따라서, 촬상부(52A)의 촬상축(Od)은, 용기 본체(3)의 제1 내벽면(31)에 대해 경사지고, 또, 촬상부(52A)의 촬상축(Od)은, 각형의 반도체 웨이퍼(W)의 외주연부에 대해, 반도체 웨이퍼(W)의 측방을 향해 경사지게 된다.
또, 도시한 예에서는, 촬상부(52A)는, 발광부(50)가 배치되어 있는 측과는 반대측을 향해 경사지도록, 각도 조정되어 있다. 그로 인해, 촬상부(52A)의 촬상축(Od)은, 제2 내벽면(32)측이 아니라, 제3 내벽면(33)측을 향해 연장되어 있다. 특히, 본 실시형태에서는, 촬상부(52A)의 촬상축(Od)은, 제1 내벽면(31) 중, 좌우 방향을 따라서 제3 내벽면(33)측의 부분과 교차한다.
도 5b에 나타낸 바와 같이, 발광부(50)에는 상기와 같은 각도 조정이 이루어져 있지 않고, 촬상부(52A)에만 상기와 같은 각도 조정이 이루어져 있다. 그 때문에, 광(La)의 광축(Oa)과 촬상부(52)의 촬상축(Od)은 대략 평행하게는 되어 있지 않다.
촬상부(52A)의 촬상축(Od)과 개구부(15)의 개구면(150)이 이루는 각도(좌우 방향에 대한 촬상축(Od)의 경사 각도) Θ5는, Θ5＜90도이며, 바람직하게는 Θ5＜88도이며, 더욱 바람직하게는 80＜Θ5＜85도이다. 또, 용기 본체(3)의 제1 내벽면(31)과, 개구부(15)의 개구면(150)과, 반도체 웨이퍼(W)의 외주연부가 대략 평행하게 되어 있는 경우, 촬상부(52A)의 촬상축(Od)과 용기 본체(3)의 제1 내벽면(31)이 이루는 각도 Θ6, 및 촬상부(52A)의 촬상축(Od)과 반도체 웨이퍼(W)의 외주연부가 이루는 각도 Θ7에 대해서도 상기 범위와 동일해진다.
단, 본 실시형태에서는, 각도 Θ5~Θ7은, 촬상부(52A)의 촬상축(Od)이 제2 내벽면(33)과 교차하지 않는 범위에서 설정된다. 즉, 촬상축(Od)이, 제1 내벽면(31)과 제3 내벽면(33)이 교차하는 용기 본체(3)의 모서리부를 향해 나아갈 때의 각도 Θ5~Θ7의 값이, 각도 Θ5~Θ7의 하한치가 된다.
또한, 촬상부(52A)의 촬상축(Od)과 제2 내벽면(32) 또는 제3 내벽면(33)(혹은, 도 5b에 나타낸 발광부(50)의 광축(Oa))이 이루는 각도(전후 방향에 대한 촬상축(Od)의 경사 각도)는, (90-Θ5)도로 설정된다.
이와 같이, 촬상축(Od)은 제1 내벽면(31)에 대해 경사져 있기 때문에, 개구면(150)과 제1 내벽면(31) 사이에 위치하는 촬상축(Od)의 길이는, 용기 본체(3)의 전후 방향을 따른 길이 LL1보다 커진다(LL1/sinΘ5와 대략 동일해진다).
촬상부(52A)에 대해, 상기와 같은 각도 조정이 행해진 경우, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부는, 상기와 같은 각도 조정이 행해지지 않았던 경우와 동일한 광량으로, 촬상부(52A)를 향하는 일이 없다. 이와 같이, 촬상부(52A)는, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부가 촬상부(52A)를 향하지 않도록 조정되어 있다. 또한, 광축(Oc)의 중심부의 대부분이 촬상부(52A)를 향하고 있지 않으면, 그 일부가 촬상부(52A)에 입사해도 된다.
본 실시형태에 있어서도, 제1 실시형태와 동일한 효과가 얻어지고, 광강도가 강한 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부가 촬상부(52A)에 입사하는 것을 방지하는 것이 가능해져, 상술한 선명한 화상을 취득할 수 있다.
(제3 실시형태)
다음에, 본 발명에 따른 로드 포트의 제3 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
또한, 제3 실시형태에 있어서는, 제1 실시형태에 있어서의 구성 요소와 동일한 부분에 대해서는, 동일한 부호를 부여해 그 설명을 생략한다.
도 5c에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 의한 로드 포트(1B)는, 매핑 센서(20B)를 갖는다. 매핑 센서(20B)에 있어서, 발광부(50B)는 발광부 설치용 하우징(500)에 설치되고, 촬상부(52B)는 촬상부 설치용 하우징(520)에 설치되어 있다. 발광부 설치용 하우징(500)과 촬상부 설치용 하우징(520)은, 별체로 이루어지고, 도시한 형상(직방체)으로 한정되지 않고 다양한 형상을 취할 수 있다. 발광부(50B) 및 촬상부(52B)는, 각각 내벽면(31)에 대해 정면을 향하도록 배치되어 있다.
도 6c에 나타낸 바와 같이, 발광부(50B)(발광부 설치용 하우징(500)) 및 촬상부(52B)(촬상부 설치용 하우징(520))는, 각각 이격하여 배치되도록, 위치 조정되어 있고, 개구부(15)의 개구면(150)을 따라서, 그 측방에 소정의 간격을 두고 이격하여 배치되어 있다.
발광부(50B)와 촬상부(52B) 사이의 간격 LL2는, 내벽면 반사광(Lc)이 개구부(15)를 향해 되돌아올 때, 그 광축(Oc)의 중심부가 촬상부(52B)로부터 측방으로 떨어진 위치를 향하도록, 적절히 조정된다. 예를 들어, 상기 간격 LL2는, 10mm 이상이다.
발광부(50B)와 촬상부(52B) 사이에 상기와 같은 위치 조정이 행해진 경우, 개구부(15)를 향해 되돌아오는 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부는, 발광부(50B)와 촬상부(52B) 사이를 통과한다. 즉, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부는, 상기와 같은 위치 조정이 행해지지 않았던 경우(혹은, 발광부(50B) 및 촬상부(52B)가 동일한 하우징에 설치되어 있었던 경우)와 동일한 광량으로, 촬상부(52B)를 향하는(입사하는) 일이 없다. 이와 같이, 발광부(50B) 및 촬상부(52B)는, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부가 촬상부(52B)를 향하지 않도록, 조정되어 있다.
도시한 예에서는, 발광부(50B)와 촬상부(52B)는 충분히 떨어져 있고, 광축(Oc)의 중심부 전역이 촬상부(52B)를 향하지 않도록 조정되어 있다. 단, 광축(Oc)의 중심부의 대부분이 촬상부(52B)를 향하고 있지 않으면, 그 일부가 촬상부(52B)에 입사해도 된다.
본 실시형태에 있어서도, 촬상부(52B)는, 광강도가 강한 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부를 피하면서, 기판 반사광(Lb)을 촬상할 수 있고, 제1 실시형태와 동일한 효과가 얻어진다.
또, 본 실시형태에서는, 발광부 설치용 하우징(500) 및 촬상부 설치용 하우징(520)을 개재하여, 발광부(50B) 및 촬상부(52B)를 별개 독립하여 위치 조정하는 것이 가능해져, 각각의 간격의 조정 범위를 넓힐 수 있다. 그로 인해, 위치 조정의 자유도를 높일 수 있어, 발광부(50B) 및 촬상부(52B)를 최적의 위치에 배치시킬 수 있다.
(제4 실시형태)
다음에, 본 발명에 따른 로드 포트의 제4 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
또한, 제4 실시형태에 있어서는, 제3 실시형태에 있어서의 구성 요소와 동일한 부분에 대해서는, 동일한 부호를 부여해 그 설명을 생략한다.
도 6d에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 의한 로드 포트(1C)는, 매핑 센서(20C)를 갖는다. 매핑 센서(20C)에서는, 도 6c에 나타낸 매핑 센서(20B)에 있어서, 발광부(50B)에 대해, 도 6f에 나타낸 발광부(50E)와 동일한 각도 조정이 이루어져 있다.
즉, 발광부 설치용 하우징(500)에 설치된 발광부(50C)는, 제1 내벽면(31) 및 개구부(15)의 개구면(150)에 대해 측방으로 경사지도록, 각도 조정되어 있고, 광(La)의 광축(Oa)은 제1 내벽면(32)과 교차하고 있다.
본 실시형태에서는, 제1 실시형태 및 제3 실시형태와 동일한 효과가 얻어지고, 광강도가 강한 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부가 촬상부(52B)에 입사하는 것을 방지하는 것이 가능해져, 상술한 선명한 화상을 취득할 수 있다. 또한, 발광부(50B)에 대해, 도 6a에 나타낸 발광부(50)와 동일한 각도 조정이 이루어짐으로써, 광(La)의 광축(Oa)이 제2 내벽면(31)과 교차하고 있어도 된다.
(제5 실시형태)
다음에, 본 발명에 따른 로드 포트의 제5 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
또한, 제5 실시형태에 있어서는, 제1 실시형태에 있어서의 구성 요소와 동일한 부분에 대해서는, 동일한 부호를 부여해 그 설명을 생략한다.
도 6e에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 의한 로드 포트(1D)는, 매핑 센서(20D)를 갖는다. 매핑 센서(20D)에 있어서는, 발광부(50D)는, 개구부(15)의 반대측에 위치하는 용기 본체(3)의 제1 내벽면(31)에 대해 연직 방향(도시한 예에서는, 상방이나 하방이어도 된다. 이하, 동일.)으로 경사하도록, 각도 조정되어 있다. 혹은, 발광부(50D)는, 개구부(15)의 개구면(150)에 대해 상방으로 경사지도록, 각도 조정되어 있다.
그 때문에, 발광부(50D)로부터 조사된 광(La)의 광축(Oa)은, 개구부(15)의 반대측에 위치하는 용기 본체(3)의 제1 내벽면(31), 또는 개구부(15)의 개구면(150)에 대해, 용기 본체(3)의 상방을 향해 경사지게 된다. 따라서, 발광부(50D)로부터 조사된 광(La)의 광축(Oa)은, 제1 내벽면(31)에 대해 비스듬하게(비스듬한 상방) 나아가게 된다.
상세한 도시는 생략하나, 촬상부(52)에는 상기와 같은 각도 조정이 이루어져 있지 않고, 발광부(50D)에만 상기와 같은 각도 조정이 이루어져 있다. 그 때문에, 광(La)의 광축(Oa)과 촬상부(52)의 촬상축(Od)은, 연직 방향과 직교하는 평면에서 봤을 때에, 대략 평행하게는 되어 있지 않다(상하 방향에서 보았을 때에, 상이한 방향으로 연장되어 있다).
전후 방향에 대한 발광부(50)의 경사 각도 Θ8은, 내벽면 반사광(Lc)이 개구부(15)를 향해 되돌아올 때, 그 광축(Oc)의 중심부가 촬상부(52)(도시 생략)를 피해 그 상방을 향하도록, 적절히 조정된다. 예를 들어, 상기 각도 Θ8은, 5도 이상이다.
도시한 예에서는, 발광부(50D)는, 광(La)의 광축(Oa)이, 제1 내벽면(31)을 향해 비스듬한 상방으로 연장되도록(제1 내벽면(31)과 교차하도록), 각도 조정되어 있는데, 제4 내벽면(34) 또는 제5 내벽면(35)을 향해 비스듬한 상방으로 연장되도록, 각도 조정되어도 된다. 이 경우, 광(La)의 광축(Oa)은, 제4 내벽면(34) 또는 제5 내벽면(35)과 교차하게 된다.
발광부(50D)에 상기와 같은 각도 조정이 행해진 경우, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부는, 상기와 같은 각도 조정이 행해지지 않았던 경우와 동일한 광량으로, 촬상부(52)를 향하는(입사하는) 일이 없다. 이와 같이, 발광부(50D) 및 촬상부(52)는, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부가 촬상부(52)로 향하지 않도록, 조정되어 있다. 또한, 발광부(50D)로부터 조사된 광(La)의 광축(Oa)은, 1 또는 복수의 반도체 웨이퍼(W)에서 반사하면서(간접적으로), 또는 직접, 개구부(15)를 향한다. 또, 제1 내벽면(31)에서 반사된 내벽면 반사광(Lc)은, 간접적으로, 또는 직접, 개구부(15)를 향해 나아간다.
또한, 발광부(50D)는, 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부 전역이 촬상부(52)로 향하지 않도록 조정되어 있는 것이 바람직하다. 단, 광축(Oc)의 중심부의 대부분이 촬상부(52)를 향하고 있지 않으면, 그 일부가 촬상부(52)에 입사해도 된다.
본 실시형태에 있어서도, 촬상부(52)는, 광강도가 강한 내벽면 반사광(Lc)의 광축(Oc)의 중심부를 피하면서, 기판 반사광(Lb)을 촬상할 수 있어, 제1 실시형태와 동일한 효과가 얻어진다.
(제6 실시형태)
다음에, 본 발명에 따른 로드 포트의 제6 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
또한, 제6 실시형태에 있어서는, 제1 실시형태에 있어서의 구성 요소와 동일한 부분에 대해서는, 동일한 부호를 부여해 그 설명을 생략한다.
도 11에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 로드 포트(1E)는, 매핑 판단부(70)를 갖는다.
매핑 판단부(70)는, 제어부(40)로부터, 매핑 센서(20)에서 취득된 촬상 화상(51)을 취득한다. 이 촬상 화상(51)에는, 위치 검출 센서(60)에서 검출된 위치 검출 신호가 대응지어져 있다. 매핑 판단부(70)는, 용기(2)에 대한 반도체 웨이퍼(W)의 수용 상태(겹침 배치의 유무, 비스듬한 배치의 유무, 반도체 웨이퍼(W)의 유무 등)를 판단해, 그 결과를 위치 검출 신호에 대응지어 데이터 기록부에 기록한다.
본 실시형태에 의하면, 특히, 미리 설정한 각종 조건에 의거해 매핑 판단부(70)에 수용 상태를 판단시키는 것이 가능해지므로, 보다 높은 정밀도로 또한 고속으로 반도체 웨이퍼(W)의 수용 상태를 판단할 수 있다. 따라서, 효율적으로 매핑 작업을 행할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 로드 포트(1E)에 있어서, 용기 본체(3)에 대한 수용 상태가 정상이 된 반도체 웨이퍼(W)를 미리 매핑 센서(20)에서 촬상한 기준 촬상 화상을 데이터 기록부에 기록해 두어도 된다. 게다가, 매핑 판단부(70)가, 매핑 센서(20)에서 실제로 촬상된 촬상 화상(51)과, 데이터 기록부에 기록된 기준 촬상 화상을 비교함으로써, 반도체 웨이퍼(W)의 수용 상태의 양부를 판단하도록 구성해도 무방하다.
이와 같이 구성한 경우에는, 매핑 판단부(70)가 매핑 센서(20)에서 실제로 촬상된 촬상 화상(51)과 미리 촬상된 기준 촬상 화상을 비교함으로써, 반도체 웨이퍼(W)의 수용 상태의 양부를 더욱 높은 정밀도로 또한 신속하게 판단할 수 있다.
또한, 본 발명은, 상술한 실시형태에만 한정되지 않고, 다른 실시예나 변형예를 포함하는 것은 말할 필요도 없다. 예를 들면, 상기 각 실시형태에 있어서, 발광부(50) 및 촬상부(52) 등에 대해서, 각각의 경사 각도나 간격 등을 제어부(40)혹은 그 외의 제어 수단에 의해서 제어 가능하게 구성해도 된다. 이 경우에는, 필요에 따라서 발광부(50) 및 촬상부(52) 등의 경사 각도나 위치 등을 조정하는 것이 가능해진다.
상기 제1 실시형태에 있어서, 각도 Θ1~Θ3의 각각의 값은 반드시 동일하지 않아도 된다. 예를 들어, Θ1의 값이 Θ2의 값과 상이해도 된다.
상기 제1 실시형태에 있어서, 도 6a에 나타낸 촬상부(52)에 대해서, 도 6b에 나타낸 촬상부(52A)와 동일한 각도 조정이 이루어져 있어도 된다.
상기 제2 실시형태에 있어서, 도 6b에 나타낸 촬상부(52A)의 촬상축(Od)은, 제3 내벽면(33)을 향해 연장되어 있어도 된다(제3 내벽면(33)과 교차해도 된다).
상기 제4 실시형태에서는, 도 6d에 나타낸 바와 같이, 광(La)의 광축(Oa)은 제2 내벽면(32)을 향해 연장되어 있는데, 제1 내벽면(31)을 향해 연장되어 있어도 된다.
상기 제4 실시형태에 있어서, 촬상부(52B)에 대해서, 도 6b에 나타낸 촬상부(52A)와 동일한 각도 조정이 이루어져 있어도 된다. 또, 그 때에, 광(La)의 광축(Oa)은, 제3 내벽면(33)을 향해 연장되어 있어도 된다(제3 내벽면(33)과 교차해도 된다).
상기 제5 실시형태에 있어서, 도 6e에 나타낸 발광부(50D) 및 촬상부(52)에 대해서, 도 6a~도 6d 및 도 6f와 동일한 각도 조정이 이루어져 있어도 된다.
상기 제5 실시형태에 있어서, 촬상부(52)에 대해서, 발광부(50D)와 동일한 각도 조정이 이루어져 있어도 된다. 즉, 촬상부(52)는, 개구부(15)의 반대측에 위치하는 용기 본체(3)의 제1 내벽면(31)에 대해 연직 방향(상방 또는 하방)으로 경사지도록, 각도 조정되어 있어도 된다. 혹은, 촬상부(52)는, 개구부(15)의 개구면(150)에 대해 상방 또는 하방으로 경사지도록, 각도 조정되어 있어도 된다.
상기 제1 실시형태에 있어서, 발광부(50)를 촬상부(52)가 배치되어 있는 측을 향해 경사지도록 각도 조정해도 된다. 또, 상기 제2 실시형태에 있어서, 촬상부(52A)를 발광부(50)가 배치되어 있는 측을 향해 경사지도록 각도 조정해도 된다. 또, 상기 제4 실시형태에 있어서, 발광부(50C)를 촬상부(52B)가 배치되어 있는 측을 향해 경사지도록 각도 조정해도 된다.
상기 각 실시형태에 있어서, 예를 들어 도 7에 나타낸 매핑 센서(20)에 대해 본 발명을 적용해도 된다. 즉, 동 도면에 나타낸 바와 같이, 촬상부(52)의 주위를 둘러싸도록 배치된 복수의 LED를 갖는 링형상의 발광부(50)를 매핑 센서(20)에 구비시켜도 된다.
상기 각 실시형태에 있어서, 매핑 센서(20~20E)를 개구부(15)의 개구면(150)에 대해 전후 방향을 따라서 전방으로 이동 가능하게 구성해도 된다.
상기 각 실시형태에 있어서, 발광부(50) 등으로부터 조사되는 광(La)의 광량을 제어하기 위한 기구를 설치해도 된다. 예를 들어, 발광부(50) 등의 단면의 정면에, 광(La)의 광량을 저감시키기 위한 필터 혹은 슬릿 등을 설치해도 된다.
상기 각 실시형태에 의한 로드 포트에 있어서, 특허 문헌 1에 나타낸 투과형 광 센서와 본 발명에 따른 매핑 센서(20~20E)의 양쪽을 구비시켜도 된다.
또, 상기 각 실시형태에서는, 기판으로서 반도체 웨이퍼(W)를 예로 들어 설명했는데, 이 경우로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 반도체 패키지용 유리 웨이퍼 등이어도 무방하다.
또, 상기 각 실시형태에서는, 도어부(14)의 상단 가장자리부에 매핑 센서(20~20E)를 장착했는데, 매핑 센서(20~20E)의 위치는 도어부(14)의 상단 가장자리부로 한정되는 것은 아니다. 매핑 센서(20~20E)는, 도어부(14)에 일체적으로 고정되어 있으면 되고, 그 장착 위치는 도어부(14)의 상단 가장자리부에 한정되지 않는다. 이 때, 매핑 센서(20~20E)는, 용기(2)에 수용되어 있는 복수의 반도체 웨이퍼(W) 중 최상단에 위치하는 반도체 웨이퍼(W)와 동등한 높이, 혹은 그보다 상방에 위치하고 있으면 된다.
또한, 상기 각 실시형태에서는, 도어부(14)에 1개의 매핑 센서(20~20E)를 장착했는데, 매핑 센서(20~20E)의 수는 1개로 한정되는 것이 아니라, 복수 장착해도 무방하다. 이 경우, 예를 들면 복수의 매핑 센서(20~20E)로, 반도체 웨이퍼(W)의 동일 시야를 촬상하도록 구성해도 무방하고, 상이한 시야를 촬상하도록 구성해도 무방하다.
예를 들면 제6 실시형태에 있어서, 2개의 매핑 센서(20)를 이용하여 동일 시야를 촬상하는 경우에는, 공통의 촬영 영역을 2개의 촬상부(52)로 촬상할 수 있으므로, 한쪽의 매핑 센서(20)에서 취득된 촬상 화상(51)과, 다른쪽의 매핑 센서(20)에서 취득된 촬상 화상(51)을 예를 들면 비교 처리하는 등의 화상 처리를 행함으로써, 노이즈가 제거된 보다 선명한 촬상 화상(51)을 취득하는 것이 가능하다. 이에 의해, 이 촬상 화상(51)에 의거해 매핑 판단부(70)에 의해, 반도체 웨이퍼(W)의 수용 상태를 더욱 정확하게 판단할 수 있다.
또, 제6 실시형태에 있어서, 2개의 매핑 센서(20)를 이용하여 상이한 시야를 촬상하는 경우에는, 예를 들면 공통의 반도체 웨이퍼(W)에 대해서, 한쪽의 매핑 센서(20)에서 취득된 촬상 화상(51)에 의거한 수용 상태의 판단과, 다른쪽의 매핑 센서(20)에서 취득된 촬상 화상(51)에 의거한 수용 상태의 판단을 행할 수 있다.
따라서, 예를 들면 2개의 촬상 화상(51)에 의거한 수용 상태의 판단이 둘 다 「양」인 경우에, 반도체 웨이퍼(W)의 수용 상태가 「양」이라고 판단하고, 어느 한쪽의 촬상 화상(51)에 의거한 수용 상태의 판단이 「불량」인 경우에, 반도체 웨이퍼(W)의 수용 상태가 「불량」이라고 판단하는 것이 가능해진다. 그로 인해, 반도체 웨이퍼(W)의 수용 상태를 더욱 정확하게 판단할 수 있다.
또, 상기 각 실시형태에 있어서, 매핑 센서(20~20E)의 발광부(50)는, 도어부(14)의 하강에 수반해 촬상용 광(La)을 상시 조사(소위 스태틱 점등 방식)해도 무방하고, 반도체 웨이퍼(W)의 위치에 대응하여 촬상용 광(La)을 간헐 조사(소위 펄스 점등 방식)해도 무방하다. 펄스 점등 방식으로 한 경우에는, 간헐 조사에 대응하여 촬상부(52)가 촬상 화상(51)을 취득하면 된다.
또, 상기 각 실시형태에 있어서, 센서 도그(18)를 이용하여, 반도체 웨이퍼(W)에 대한 매핑 센서(20~20E)의 상대 위치를 검출하도록 구성했는데, 센서 도그(18)를 이용하는 경우로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도어부(14)의 승강 이동을 인코더로 검출해, 인코더로부터의 출력 신호에 의거해 반도체 웨이퍼(W)에 대한 매핑 센서(20~20E)의 상대 위치를 검출해도 무방하다.
S:조명 영역
W:반도체 웨이퍼(기판)
1, 1A, 1B, 1C, 1D, 1E:로드 포트
2:용기
3:용기 본체
4:수용구
5:덮개부
10:제어 박스
11:가동 테이블
12:프레임
13:지지 프레임
14:도어부
15:개구부
150:개구면
16:구동부
17:로드
18:센서 도그
20, 20A, 20B, 20C, 20D, 20E:매핑 센서
40:제어부
50, 50B, 50C, 50D, 50E:발광부
500:발광부 설치용 하우징
51:촬상 화상
52, 52A, 52B:촬상부
520:촬상부 설치용 하우징
60:위치 검출 센서
70:매핑 판단부

Claims (14)

  1. 복수의 기판을 다단으로 수용하는 용기 내에 연통하는 개구부를 개방 가능하게 폐색함과 더불어, 상기 개구부를 폐색하는 폐색 위치와 상기 개구부를 개방하는 개방 위치 사이에서 승강 이동하는 도어부와,
    상기 도어부에 일체적으로 설치되고, 상기 기판의 상태를 검출하는 매핑 센서를 구비하고,
    상기 매핑 센서는, 상기 기판을 향해 촬상용 광을 조사하는 발광부, 및 상기 광의 반사광을 촬상하여 촬상 화상을 취득하는 촬상부를 갖는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광부 및 상기 촬상부 중 적어도 한쪽은, 상기 용기의 내벽면에서 반사된 상기 반사광인 내벽면 반사광의 광축 중심부가 상기 촬상부로 직접 향하지 않도록, 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 광의 광축 및 상기 촬상부의 촬상축 중 적어도 한쪽이, 상기 개구부의 반대측에 위치하는 상기 용기의 내벽면, 또는 상기 개구부의 개구면에 대해 경사져 있는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 광의 광축 및 상기 촬상부의 촬상축 중 적어도 한쪽은, 상기 용기의 측방을 향해 경사져 있는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 광의 광축은, 상기 용기의 측방에 위치하는 내벽면을 향해 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  6. 청구항 3 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광의 광축만이, 상기 개구부의 반대측에 위치하는 상기 용기의 내벽면, 또는 상기 개구부의 개구면에 대해 경사져 있는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  7. 청구항 3 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광의 광축 및 상기 촬상부의 촬상축 중 적어도 한쪽은, 상기 용기의 높이 방향을 향해 경사져 있는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 광의 광축 및 상기 촬상부의 촬상축 중 적어도 한쪽은, 상기 용기의 높이 방향을 향해 경사져 있는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  9. 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광부와 상기 촬상부는, 상기 개구부를 따라서, 그 측방에 소정의 간격을 두고 이격하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  10. 청구항 6에 있어서,
    상기 발광부와 상기 촬상부는, 상기 개구부를 따라서, 그 측방에 소정의 간격을 두고 이격하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 발광부와 상기 촬상부는, 상기 개구부를 따라서, 그 측방에 소정의 간격을 두고 이격하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  12. 청구항 9에 있어서,
    상기 발광부는 발광부 설치용 하우징에 설치되고, 상기 촬상부는 촬상부 설치용 하우징에 설치되어 있고,
    상기 발광부 설치용 하우징과 상기 촬상부 설치용 하우징은, 별체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 발광부는 발광부 설치용 하우징에 설치되고, 상기 촬상부는 촬상부 설치용 하우징에 설치되어 있고,
    상기 발광부 설치용 하우징과 상기 촬상부 설치용 하우징은, 별체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 발광부는 발광부 설치용 하우징에 설치되고, 상기 촬상부는 촬상부 설치용 하우징에 설치되어 있고,
    상기 발광부 설치용 하우징과 상기 촬상부 설치용 하우징은, 별체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 로드 포트.
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