KR20200088365A - 수지 마스크 박리용 세정제 조성물 - Google Patents
수지 마스크 박리용 세정제 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200088365A KR20200088365A KR1020207016119A KR20207016119A KR20200088365A KR 20200088365 A KR20200088365 A KR 20200088365A KR 1020207016119 A KR1020207016119 A KR 1020207016119A KR 20207016119 A KR20207016119 A KR 20207016119A KR 20200088365 A KR20200088365 A KR 20200088365A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mass
- less
- component
- detergent composition
- resin mask
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 33
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims abstract description 26
- -1 ethyleneoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 26
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 20
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 118
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 44
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 27
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 20
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 20
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 11
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- CMCBDXRRFKYBDG-UHFFFAOYSA-N 1-dodecoxydodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCC CMCBDXRRFKYBDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 5
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 5
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012851 eutrophication Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- YHCCCMIWRBJYHG-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethylhexoxymethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)COCC(CC)CCCC YHCCCMIWRBJYHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- HLZKNKRTKFSKGZ-UHFFFAOYSA-N tetradecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCO HLZKNKRTKFSKGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 4
- LTSWUFKUZPPYEG-UHFFFAOYSA-N 1-decoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCCOCCCCCCCCCC LTSWUFKUZPPYEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSHOPPGMNYULAD-UHFFFAOYSA-N 1-tridecoxytridecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCCC CSHOPPGMNYULAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MJELOWOAIAAUJT-UHFFFAOYSA-N 3,6,9,12,15-pentaoxatricosan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCOCCOCCOCCOCCOCCO MJELOWOAIAAUJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WIGIPJGWVLNDAF-UHFFFAOYSA-N 8-methyl-1-(8-methylnonoxy)nonane Chemical compound CC(C)CCCCCCCOCCCCCCCC(C)C WIGIPJGWVLNDAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N dodecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCO LQZZUXJYWNFBMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229940043348 myristyl alcohol Drugs 0.000 description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUNFKDBVCDAULS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-[2-[2-(2-ethylhexoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCC(CC)COCCOCCOCCOCCOCCOCCO GUNFKDBVCDAULS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000252095 Congridae Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N Metaphosphoric acid Chemical compound OP(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001024304 Mino Species 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003242 anti bacterial agent Substances 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229940064004 antiseptic throat preparations Drugs 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- LAPRIVJANDLWOK-UHFFFAOYSA-N laureth-5 Polymers CCCCCCCCCCCCOCCOCCOCCOCCOCCO LAPRIVJANDLWOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000010534 mechanism of action Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
- C11D1/722—Ethers of polyoxyalkylene glycols having mixed oxyalkylene groups; Polyalkoxylated fatty alcohols or polyalkoxylated alkylaryl alcohols with mixed oxyalkylele groups
-
- C11D11/0047—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
- C11D3/0073—Anticorrosion compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
- C11D3/04—Water-soluble compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
수지 마스크 제거성이 우수하고, 배수 처리 부하가 작은, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물의 제공.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 무기 알칼리 (성분 A), 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 계면 활성제 (성분 B) 및 물 (성분 C) 을 함유하고, 성분 B 의 데이비스법에 의한 HLB 가 4.9 이상 7.9 이하인, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물에 관한 것이다.
R1-O-(EO)n(PO)m-H (Ⅰ)
단, 식 (Ⅰ) 중, R1 은 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알킬기 및 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, EO 는 에틸렌옥시기를 나타내고, n 은 EO 의 평균 부가 몰수로서 5 이상 12 이하의 수이고, PO 는 프로필렌옥시기를 나타내고, m 은 PO 의 평균 부가 몰수로서 0 이상 4 이하의 수이다.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 무기 알칼리 (성분 A), 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 계면 활성제 (성분 B) 및 물 (성분 C) 을 함유하고, 성분 B 의 데이비스법에 의한 HLB 가 4.9 이상 7.9 이하인, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물에 관한 것이다.
R1-O-(EO)n(PO)m-H (Ⅰ)
단, 식 (Ⅰ) 중, R1 은 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알킬기 및 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, EO 는 에틸렌옥시기를 나타내고, n 은 EO 의 평균 부가 몰수로서 5 이상 12 이하의 수이고, PO 는 프로필렌옥시기를 나타내고, m 은 PO 의 평균 부가 몰수로서 0 이상 4 이하의 수이다.
Description
본 개시는, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물, 그 세정제 조성물을 사용한 수지 마스크의 세정 방법 및 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 퍼스널 컴퓨터나 각종 전자 디바이스에 있어서는, 저소비 전력화, 처리 속도의 고속화, 소형화가 진행되고, 이것들에 탑재되는 패키지 기판 등의 배선은 해마다 미세화가 진행되고 있다. 이와 같은 미세 배선 그리고 필러나 범프와 같은 접속 단자 형성에는 지금까지 메탈 마스크법이 주로 사용되어 왔지만, 범용성이 낮은 점이나 배선 등의 미세화에 대한 대응이 곤란해진 점에서, 다른 새로운 방법으로 바뀌고 있다.
새로운 방법 중 하나로서, 드라이 필름 레지스트를 메탈 마스크 대신에 후막 수지 마스크로서 사용하는 방법이 알려져 있다. 이 수지 마스크는 최종적으로 박리·제거되는데, 그 때에 알칼리성의 박리용 세정제가 사용된다. 이와 같은 박리용 세정제로서, 예를 들어, 특허문헌 1 에는, (A) 질소 원자를 1 ∼ 4 개 갖는 아민 화합물, (B) 분자량 301 ∼ 5000 의 비이온성 계면 활성제, 그리고 (C) 물을 함유하는 레지스트용 박리제 조성물이 기재되어 있다.
특허문헌 2 에는, 환원제 및 계면 활성제를 함유하고, pH 가 10 ∼ 14 인 반도체 디바이스용 세정액이 기재되어 있다.
특허문헌 3 에는, (A) 계면 활성제를 1 질량％ 이상 30 질량％ 이하, (B) 방식제를 0.05 질량％ 이상 10 질량％ 이하, (C) 물을 5 질량％ 이상 60 질량％ 이하, 및 (D) 수용성 유기 용제를 30 질량％ 이상 95 질량％ 이하 함유하는 포토레지스트용 박리액이 기재되어 있다.
특허문헌 4 에는, 기판 상에 코팅되는 레지스트막의 가장자리부 또는 기판의 후면에 형성되는 불필요한 막 성분의 레지스트를 제거하고, 장비의 부식을 방지하기 위한, a) 무기 알칼리 화합물 0.1 내지 5 중량％, b) 유기 아민 0.1 내지 5 중량％, c) 유기 용제 0.1 내지 30 중량％, d) 아니온계 계면 활성제 및 논이온계 계면 활성제를 1 : 5 내지 25 의 중량비로 함유하는 계면 활성제 0.01 내지 5 중량％, 및 e) 물 60 내지 99 중량％ 를 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 시너 조성물이 기재되어 있다.
프린트 기판 등에 미세 배선을 형성하는 데에 있어서, 수지 마스크의 잔존은 물론이거니와, 미세 배선이나 범프 형성에 사용되는 땜납이나 도금액 등에 함유되는 보조제 등의 잔존을 저감시키기 위해, 세정제 조성물에는 높은 세정성이 요구된다. 수지 마스크는, 광이나 전자선 등에 의해 현상액에 대한 용해성 등의 물성이 변화하는 레지스트를 사용하여 형성되는 것이다. 그리고, 레지스트는, 광이나 전자선과의 반응 방법에서, 네거티브형과 포지티브형으로 크게 나뉘어져 있다. 네거티브형 레지스트는, 노광되면 현상액에 대한 용해성이 저하되는 특성을 갖고, 네거티브형 레지스트를 함유하는 층 (이하,「네거티브형 레지스트층」이라고도 한다) 은, 노광 및 현상 처리 후에 노광부가 수지 마스크로서 사용된다. 포지티브형 레지스트는, 노광되면 현상액에 대한 용해성이 증대되는 특성을 갖고, 포지티브형 레지스트를 함유하는 층 (이하,「포지티브형 레지스트층」이라고도 한다) 은, 노광 및 현상 처리 후에 노광부가 제거되고, 미노광부가 수지 마스크로서 사용된다. 이와 같은 특성을 갖는 수지 마스크를 사용함으로써, 금속 배선, 금속 필러나 땜납 범프와 같은 회로 기판의 미세한 접속부를 형성할 수 있다. 그러나, 이들 접속부 형성시에 사용되는 도금 처리나 가열 처리 등에 의해 수지 마스크의 특성이 변화하여, 다음 공정의 세정 공정에 있어서 수지 마스크를 제거하기 어려워진다. 특히, 네거티브형 레지스트는, 광이나 전자선과의 반응에 의해 경화되는 특성을 갖는 점에서, 네거티브형 레지스트를 사용하여 형성된 수지 마스크는, 접속부 형성시에 사용되는 도금 처리나 가열 처리 등에 의해 필요 이상으로 경화가 진행되어, 세정 공정에서 완전히 제거할 수 없거나, 혹은 제거에 걸리는 시간이 매우 길어짐으로써 기판이나 금속 표면에 데미지를 준다. 이와 같이 도금 처리 및/또는 가열 처리된 수지 마스크는 박리하기 어렵기 때문에, 세정제 조성물에는 높은 수지 마스크 제거성이 요구된다.
한편, 다양한 분야에 있어서 전자화가 진행되어 프린트 기판 등의 생산량이 증가하고 있다. 또한, 이용되는 기기나 장치의 소형화, 처리 속도의 고속화, 소비 전력을 저감시키기 위해, 배선이 미세화, 다층화되고, 박리·세정 공정이 증가하고, 세정제 조성물의 사용량도 증가하는 경향이 있다. 이 세정제 조성물의 사용량의 증가에 수반하여, 세정제 조성물이나 린스수 등의 폐액의 배수 처리 부하나 폐액 유입에 의한 호소 (湖沼) 의 부영양화도 증대되고 있는 점에서, 배수 처리 부하가 작고, 호소의 부영양화의 원인이 되는 질소 및 인을 함유하지 않고, 수지 마스크를 효율적으로 제거할 수 있는 세정제 조성물이 강하게 요망되고 있다. 그러나, 상기 특허문헌에 기재된 방법에서는, 높은 수지 마스크 제거성과 낮은 배수 처리 부하의 양립이 어렵다.
그래서, 본 개시는, 수지 마스크 제거성이 우수하고, 배수 처리 부하가 작은, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물, 그 세정제 조성물을 사용한 수지 마스크의 제거 방법 및 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 무기 알칼리 (성분 A), 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 계면 활성제 (성분 B) 및 물 (성분 C) 을 함유하고, 성분 B 의 데이비스법에 의한 HLB 가 4.9 이상 7.9 이하인, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물에 관한 것이다.
R1-O-(EO)n(PO)m-H
(Ⅰ)
단, 식 (Ⅰ) 중, R1 은 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알킬기 및 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, EO 는 에틸렌옥시기를 나타내고, n 은 EO 의 평균 부가 몰수로서 5 이상 12 이하의 수이고, PO 는 프로필렌옥시기를 나타내고, m 은 PO 의 평균 부가 몰수로서 0 이상 4 이하의 수이다.
본 개시는, 그 밖의 양태에 있어서, 수지 마스크가 부착된 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 포함하는, 수지 마스크의 제거 방법에 관한 것이다.
본 개시는, 그 밖의 양태에 있어서, 수지 마스크가 부착된 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 포함하는, 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
본 개시는, 그 밖의 양태에 있어서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의, 전자 부품의 제조에 대한 사용에 관한 것이다.
본 개시는, 그 밖의 양태에 있어서, 본 개시에 관련된 제거 방법 및 본 개시에 관련된 전자 부품의 제조 방법 중 어느 방법에 사용하기 위한 키트로서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 구성하는 성분 A ∼ C 중, 성분 A 를 함유하는 제 1 액과, 성분 B 를 함유하는 제 2 액을, 서로 혼합되지 않는 상태로 포함하고, 제 1 액 및 제 2 액 중 적어도 일방은, 성분 C 를 추가로 함유하는, 키트에 관한 것이다.
본 개시에 의하면, 일 양태에 있어서, 수지 마스크 제거성이 우수하고, 배수 처리 부하가 작은, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물을 제공할 수 있다.
본 개시는, 무기 알칼리 (성분 A), 소정의 계면 활성제 (성분 B) 및 물 (성분 C) 을 함유하는, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물을 사용함으로써, 낮은 배수 처리 부하여도, 수지 마스크, 특히 도금 처리 및/또는 가열 처리된 수지 마스크를 효율적으로 제거할 수 있다는 지견에 기초한다. 또한, 세정제 조성물 중에 질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물을 함유시키지 않음으로써, 호소 등의 부영양화를 억제할 수 있다는 지견에 기초한다.
즉, 본 개시는, 일 양태에 있어서, 무기 알칼리 (성분 A), 상기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 계면 활성제 (성분 B) 및 물 (성분 C) 을 함유하고, 성분 B 의 데이비스법에 의한 HLB 가 4.9 이상 7.9 이하인, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물 (이하,「본 개시에 관련된 세정제 조성물」이라고도 한다) 에 관한 것이다.
본 개시에 의하면, 수지 마스크 제거성이 우수하고, 배수 처리 부하가 작은, 세정제 조성물을 제공할 수 있다. 따라서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 낮은 배수 처리 부하여도, 수지 마스크, 특히, 도금 처리 및/또는 가열 처리된 수지 마스크를 효율적으로 제거할 수 있다. 그리고, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 사용함으로써, 높은 수율로 고품질의 전자 부품이 얻어질 수 있다. 또한, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 사용함으로써, 미세한 배선 패턴을 갖는 전자 부품을 효율적으로 제조할 수 있다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 효과의 작용 메커니즘의 상세한 내용은 불분명한 부분이 있지만, 이하와 같이 추정된다.
일반적으로, 수지 마스크의 박리는, 세정제 조성물의 성분이 수지 마스크에 침투하여, 수지 마스크가 팽윤되는 것에 의한 계면 스트레스에서 기인하는 것으로 생각되고 있다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물에서는, 성분 A (무기 알칼리) 와 성분 C (물) 가 수지 마스크에 침투함으로써, 수지 마스크에 배합되어 있는 알칼리 가용성 수지의 해리를 촉진시키고, 또한 전하 반발을 일으킴으로써 수지 마스크의 박리를 촉진시킨다. 이 때, 특정한 구조를 갖고, HLB 가 소정의 범위 내인 계면 활성제 (성분 B) 가 기판 표면과 수지 마스크 사이에 작용함으로써, 기판-수지 간의 밀착력이 저하되어 더욱 수지 마스크의 박리를 촉진시켜, 수지 마스크 제거성이 현격히 향상되는 것으로 추정된다.
또, 일반적으로, 논이온 계면 활성제가 아니온 계면 활성제 등의 전하를 갖는 계면 활성제보다 임계 미셀 농도 (CMC) 가 낮은 것이 알려져 있다. 본 개시에 있어서의 성분 B 는, 임계 미셀 농도 (CMC) 가 낮은 논이온 계면 활성제인 점에서, 적은 첨가량으로도 유효하게 작용하여, 성분 A (무기 알칼리) 및 성분 C (물) 의 수지 마스크에 대한 침투를 촉진시킴으로써, 세정제 조성물 중의 유기물 함유량을 저감시킬 수 있어, 배수 처리 부하의 증대를 억제할 수 있는 것으로 추정된다. 이로써, 효율적으로 또한 높은 청정도로 기판 상에 미세한 회로 (배선 패턴) 의 형성이 가능해지는 것으로 생각된다.
단, 본 개시는 이 메커니즘에 한정하여 해석되지 않아도 된다.
본 개시에 있어서 수지 마스크란, 에칭, 도금, 가열 등의 처리로부터 물질 표면을 보호하기 위한 마스크, 즉, 보호막으로서 기능하는 마스크이다. 수지 마스크로는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 노광 또는 현상 공정 후의 레지스트층, 노광 및 현상 중 적어도 일방의 처리가 실시된 (이하,「노광 및/또는 현상 처리된」이라고도 한다) 레지스트층, 혹은 경화된 레지스트층을 들 수 있다. 수지 마스크를 형성하는 수지 재료로는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 필름상의 감광성 수지, 또는 레지스트 필름을 들 수 있다. 레지스트 필름은 범용의 것을 사용할 수 있다.
[성분 A : 무기 알칼리]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 무기 알칼리 (성분 A) 를 함유한다. 성분 A 는, 1 종 또는 2 종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
성분 A 로는, 예를 들어, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬, 수산화칼슘, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 규산나트륨 및 규산칼륨에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합을 들 수 있고, 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨 및 탄산칼륨에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합이 바람직하고, 수산화나트륨 및 수산화칼륨 중 적어도 일방이 보다 바람직하다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서, 0.1 질량％ 이상이 바람직하고, 0.3 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.5 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 그리고, 수지 마스크 제거성 향상의 관점에서, 15 질량％ 이하가 바람직하고, 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 7.5 질량％ 이하가 더욱 바람직하다. 보다 구체적으로는, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 0.1 질량％ 이상 15 질량％ 이하가 바람직하고, 0.3 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.5 질량％ 이상 7.5 질량％ 이하가 더욱 바람직하다. 성분 A 가 2 종 이상의 무기 알칼리로 이루어지는 경우, 성분 A 의 함유량은 그것들의 합계 함유량을 말한다.
본 개시에 있어서「세정제 조성물의 사용시에 있어서의 각 성분의 함유량」이란, 세정시, 즉, 세정제 조성물의 세정에 대한 사용을 개시하는 시점에서의 각 성분의 함유량을 말한다.
[성분 B : 계면 활성제]
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 함유되는 계면 활성제 (성분 B) 는, 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 계면 활성제로서, 데이비스법에 의한 HLB 가 4.9 이상 7.9 이하인 계면 활성제이다. 성분 B 는, 1 종 또는 2 종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
R1-O-(EO)n(PO)m-H
(Ⅰ)
단, 식 (Ⅰ) 중, R1 은 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알킬기 및 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, EO 는 에틸렌옥시기를 나타내고, n 은 EO 의 평균 부가 몰수로서 5 이상 12 이하의 수이고, PO 는 프로필렌옥시기를 나타내고, m 은 PO 의 평균 부가 몰수로서 0 이상 4 이하의 수이다.
식 (Ⅰ) 중, R1 은, 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알킬기 및 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종으로서, 수지 마스크 박리성 향상 및 박리 시간을 짧게 하는 관점에서, 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 알킬기 및 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 알케닐기가 바람직하다. R1 의 탄소수는, 동일한 관점에서, 8 이상이고, 바람직하게는 9 이상, 보다 바람직하게는 10 이상이며, 그리고, 14 이하이고, 바람직하게는 12 이하, 보다 바람직하게는 11 이하이다. 즉, R1 의 탄소수는, 8 이상 14 이하로서, 바람직하게는 9 이상 12 이하, 보다 바람직하게는 10 이상 11 이하, 더욱 바람직하게는 10 이다. R1 의 구체예로는, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 데실기, 이소데실기, 2-프로필헵틸기, 도데실기, 트리데실기, 및 테트라데실기에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다.
식 (Ⅰ) 중, (EO)n(PO)m 은, 에틸렌옥시기 단독으로 구성되어 있어도 되고, 에틸렌옥시기와 프로필렌옥시기로 구성되어 있어도 된다. (EO)n(PO)m 이 에틸렌옥시기와 프로필렌옥시기로 구성되는 경우, PO 와 EO 의 부가 형태는, 랜덤 배열, 블록 배열 중 어느 것이어도 되고, EO 와 PO 의 부가 순서는 불문한다.
식 (Ⅰ) 중, n 은, 수지 마스크 박리성 향상 및 박리 시간을 짧게 하는 관점에서, 5 이상이고, 바람직하게는 6 이상, 보다 바람직하게는 7 이상이며, 그리고, 12 이하이고, 바람직하게는 11 이하, 보다 바람직하게는 10 이하, 더욱 바람직하게는 9 이하이다. 즉, n 은 5 이상 12 이하의 수로서, 바람직하게는 5 이상 11 이하, 보다 바람직하게는 6 이상 10 이하, 더욱 바람직하게는 7 이상 9 이하이다.
식 (Ⅰ) 중, m 은, 박리 시간을 짧게 하는 관점에서, 0 이상이며, 그리고, 4 이하이고, 바람직하게는 3 이하, 보다 바람직하게는 2 이하이다. 즉, m 은 0 이상 4 이하의 수로서, 바람직하게는 0 이상 3 이하, 보다 바람직하게는 0 이상 2 이하이다.
성분 B 의 구체예로는, 폴리에틸렌글리콜 (9) 라우릴에테르, 폴리에틸렌글리콜 (8) 2-에틸헥실에테르, 폴리에틸렌글리콜 (6) 2-에틸헥실에테르, 폴리에틸렌글리콜 (7) 데실에테르, 폴리에틸렌글리콜 (8.5) 이소데실에테르, 폴리에틸렌글리콜 (10) 트리데실에테르, 폴리에틸렌글리콜 (9) 데실에테르, 펜타에틸렌글리콜모노옥틸에테르, 폴리에틸렌글리콜 (12) 알킬 (2 급 도데실 및 2 급 테트라데실 혼합) 에테르 등을 들 수 있다. ( ) 내의 수치는 평균 부가 몰수를 나타낸다.
성분 B 는, 데이비스법에 의한 HLB 가 4.9 이상 7.9 이하이다. 데이비스법에 의한 HLB 란, Davis, J. T. ; Proc. Intern. Congr. Surface Activity, 2nd, London, 1, 426 (1957) 에 기재된 관능기에 의해 결정되는 기수를 사용하여, HLB 값을「7 ＋ 친수기의 기수의 총합 － 친유기의 기수의 총합」으로 정의하는 값으로서, 수지 마스크 박리성 향상 및 박리 시간을 짧게 하는 관점에서, HLB 는 4.9 이상이고, 바람직하게는 5.5 이상, 보다 바람직하게는 6 이상, 더욱 바람직하게는 6.15 이상이며, 그리고, 7.9 이하이고, 바람직하게는 6.9 이하, 보다 바람직하게는 6.7 이하, 더욱 바람직하게는 6.5 이하이다. 보다 구체적으로는, HLB 는 4.9 이상 7.9 이하로서, 바람직하게는 5.5 이상 6.9 이하, 보다 바람직하게는 6 이상 6.7 이하, 더욱 바람직하게는 6.15 이상 6.5 이하이다.
성분 B 의 임계 미셀 농도 (CMC) 는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 수지 마스크 박리성 향상 및 박리 시간을 짧게 하는 관점에서, 0.00001 질량％ 이상이 바람직하고, 0.00005 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.0001 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 그리고, 동일한 관점에서, 0.1 질량％ 이하가 바람직하고, 0.05 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.01 질량％ 이하가 더욱 바람직하다. 보다 구체적으로는, 성분 B 의 임계 미셀 농도 (CMC) 는, 0.00001 질량％ 이상 0.1 질량％ 이하가 바람직하고, 0.00005 질량％ 이상 0.05 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.0001 질량％ 이상 0.01 질량％ 이하가 더욱 바람직하다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 수지 마스크 박리성 향상 및 박리 시간을 짧게 하는 관점에서, 0.0001 질량％ 이상이 바람직하고, 0.001 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.01 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 0.1 질량％ 이상이 보다 더 바람직하고, 그리고, 동일한 관점에서, 10 질량％ 이하가 바람직하고, 3 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 2 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 1.2 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다. 보다 구체적으로는, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 0.0001 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 바람직하고, 0.001 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.01 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 0.1 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.1 질량％ 이상 3 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.1 질량％ 이상 2 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.1 질량％ 이상 1.2 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다. 성분 B 가 2 종 이상의 계면 활성제로 이루어지는 경우, 성분 B 의 함유량은 그것들의 합계 함유량을 말한다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 B 에 대한 성분 A 의 질량비 (A/B) 는, 수지 마스크 박리성 향상 및 박리 시간을 짧게 하는 관점에서, 0.3 이상이 바람직하고, 0.4 이상이 보다 바람직하고, 0.5 이상이 더욱 바람직하고, 그리고, 동일한 관점에서, 50000 이하가 바람직하고, 1000 이하가 보다 바람직하고, 100 이하가 더욱 바람직하고, 80 이하가 보다 더 바람직하다. 보다 구체적으로는, 질량비 (A/B) 는 0.3 이상 50000 이하가 바람직하고, 0.4 이상 1000 이하가 보다 바람직하고, 0.5 이상 100 이하가 더욱 바람직하고, 0.5 이상 80 이하가 보다 더 바람직하다.
[성분 C : 물]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 물 (성분 C) 을 함유한다. 성분 C (물) 로는, 이온 교환수, RO 수, 증류수, 순수, 초순수가 사용될 수 있다. 물의 함유량은, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용 양태에 맞춰 적절히 설정하면 된다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량은, 수지 마스크 박리성 향상 및 박리 시간을 짧게 하는 관점에서, 84 질량％ 이상이 바람직하고, 85 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 90 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 95 질량％ 이상이 보다 더 바람직하고, 그리고, 동일한 관점에서, 99.5 질량％ 이하가 바람직하고, 99.4 질량％ 이하가 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량은, 84 질량％ 이상 99.5 질량％ 이하가 바람직하고, 85 질량％ 이상 99.5 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 90 질량％ 이상 99.4 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 95 질량％ 이상 99.4 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다.
[임의 성분]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 상기 성분 A ∼ C 이외에, 필요에 따라 임의 성분을 추가로 함유할 수 있다. 임의 성분으로는, 통상적인 세정제에 사용될 수 있는 성분을 들 수 있으며, 예를 들어, 성분 B 이외의 계면 활성제, 킬레이트제, 증점제, 분산제, 방청제, 염기성 물질, 유기 용제, 고분자 화합물, 가용화제, 산화 방지제, 방부제, 소포제, 항균제 등을 들 수 있다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 임의 성분의 함유량은, 0 질량％ 이상 2.0 질량％ 이하가 바람직하고, 0 질량％ 이상 1.5 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0 질량％ 이상 1.3 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 0 질량％ 이상 1.0 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 B 및 임의 성분 유래의 유기물의 총 함유량은, 배수 처리 부하를 저감시키는 관점에서, 10 질량％ 이하가 바람직하고, 3 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 2 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 1 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.5 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 그리고, 수지 마스크 박리성 향상 및 박리 시간을 짧게 하는 관점에서, 0.0001 질량％ 이상이 바람직하고, 0.01 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.1 질량％ 이상이 더욱 바람직하다. 보다 구체적으로는, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 B 및 임의 성분 유래의 유기물의 총 함유량은, 0.0001 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 바람직하고, 0.01 질량％ 이상 3 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.01 질량％ 이상 2 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 0.01 질량％ 이상 1 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.1 질량％ 이상 0.5 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 배수 처리 부하를 저감시키고, 배수역의 부영양화를 억제하는 관점에서, 질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물을 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다. 본 개시에 있어서「질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물을 실질적으로 함유하지 않는다」란, 본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물의 합계 함유량이 0.1 질량％ 미만인 것을 말한다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물의 합계 함유량은, 배수 처리 부하를 저감시키고, 배수역의 부영양화를 억제하는 관점에서, 0.05 질량％ 이하가 바람직하고, 0.01 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0 질량％ 가 더욱 바람직하다. 질소 함유 화합물로는, 세정제 조성물로서 종래부터 널리 사용되고 있는 질소 함유 화합물을 들 수 있으며, 예를 들어, 아민 및 그 염, 암모니아, 그리고 암모늄염에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상의 조합을 들 수 있다. 상기 아민으로는, 예를 들어, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 등의 아미노알콜을 들 수 있다. 상기 암모늄염으로는, 예를 들어, 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH) 등의 4 급 암모늄염을 들 수 있다. 인 함유 화합물로는, 세정제 조성물로서 종래부터 널리 사용되고 있는 인 함유 화합물을 들 수 있으며, 예를 들어, 인산 및 그 염, 피로인산, 폴리인산, 메타인산 등의 축합 인산 및 그 염 등의 무기 인산, 그리고 유기 인산, 인산에스테르에서 선택되는 적어도 1 종 또는 2 종 이상의 조합을 들 수 있다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 일 실시형태에 있어서, 환원제를 추가로 함유하는 것이어도 되고, 그 밖의 실시형태에 있어서, 환원제를 실질적으로 함유하지 않는 것이어도 된다. 본 개시에 있어서「환원제를 실질적으로 함유하지 않는다」란, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 환원제의 함유량이 0.01 질량％ 미만인 것을 말한다.
[세정제 조성물의 제조 방법]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 상기 성분 A ∼ C 및 필요에 따라 상기 서술한 임의 성분을 공지된 방법으로 배합함으로써 제조할 수 있다. 예를 들어, 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 적어도 상기 성분 A ∼ C 를 배합하여 이루어지는 것으로 할 수 있다. 따라서, 본 개시는, 적어도 상기 성분 A ∼ C 를 배합하는 공정을 포함하는, 세정제 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 개시에 있어서「배합한다」란, 성분 A ∼ C 및 필요에 따라 그 밖의 성분을 동시에 또는 임의의 순서로 혼합하는 것을 포함한다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 제조 방법에 있어서, 각 성분의 바람직한 배합량은, 상기 서술한 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 각 성분의 바람직한 함유량과 동일하게 할 수 있다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 분리나 석출 등을 일으켜 보관 안정성을 저해하지 않는 범위에서 성분 C 의 물의 양을 줄인 농축물로서 조제해도 된다. 세정제 조성물의 농축물은, 수송 및 저장의 관점에서, 희석 배율 3 배 이상의 농축물로 하는 것이 바람직하고, 보관 안정성의 관점에서, 희석 배율 10 배 이하의 농축물로 하는 것이 바람직하다. 세정제 조성물의 농축물은, 사용시에 성분 A ∼ C 가 상기 서술한 함유량 (즉, 세정시의 함유량) 이 되도록 물로 희석시켜 사용할 수 있다. 또한 세정제 조성물의 농축물은, 사용시에 각 성분을 따로 첨가하여 사용할 수도 있다. 본 개시에 있어서 농축액의 세정제 조성물의「사용시」또는「세정시」란, 세정제 조성물의 농축물이 희석된 상태를 말한다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물이 농축물인 경우, 세정제 조성물의 농축물 중의 성분 A 의 함유량은, 수지 마스크 박리성 향상의 관점에서, 1 질량％ 이상이 바람직하고, 2 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 5 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 10 질량％ 이상이 보다 더 바람직하고, 그리고, 금속 부식 억제 및 보존 안정성의 관점에서, 40 질량％ 이하가 바람직하고, 30 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 20 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 15 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다. 보다 구체적으로는, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 농축물 중의 성분 A 의 함유량은, 1 질량％ 이상 40 질량％ 이하가 바람직하고, 2 질량％ 이상 30 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 5 질량％ 이상 20 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 10 질량％ 이상 15 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물이 농축물인 경우, 세정제 조성물의 농축물 중의 성분 B 의 함유량은, 수지 마스크 박리성 향상의 관점에서, 0.0003 질량％ 이상이 바람직하고, 0.01 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.1 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 0.5 질량％ 이상이 보다 더 바람직하고, 그리고, 보존 안정성 및 배수 처리 부하를 저감시키는 관점에서, 30 질량％ 이하가 바람직하고, 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 5 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 2 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다. 보다 구체적으로는, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 농축물 중의 성분 B 의 함유량은, 0.0003 질량％ 이상 30 질량％ 이하가 바람직하고, 0.01 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.1 질량％ 이상 5 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 0.5 질량％ 이상 2 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물이 농축물인 경우, 세정제 조성물의 농축물 중의 성분 C 의 함유량은, 수지 마스크 박리성 향상, 박리 시간을 짧게 하는 관점 및 세정제 조성물을 안정화하는 관점에서, 50 질량％ 이상이 바람직하고, 60 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 70 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 그리고, 동일한 관점에서, 95 질량％ 이하가 바람직하고, 90 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 85 질량％ 이하가 더욱 바람직하다. 보다 구체적으로는, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 농축물 중의 성분 C 의 함유량은, 50 질량％ 이상 95 질량％ 이하가 바람직하고, 60 질량％ 이상 90 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 70 질량％ 이상 85 질량％ 이하가 더욱 바람직하다.
[피세정물]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 수지 마스크가 부착된 피세정물의 세정에 사용될 수 있다. 피세정물로는, 예를 들어, 전자 부품 및 그 제조 중간물을 들 수 있다. 전자 부품으로는, 예를 들어, 프린트 기판, 웨이퍼, 구리판 및 알루미늄판 등의 금속판에서 선택되는 적어도 1 개의 부품을 들 수 있다. 상기 제조 중간물은, 전자 부품의 제조 공정에 있어서의 중간 제조물로서, 수지 마스크 처리 후의 중간 제조물을 포함한다. 수지 마스크가 부착된 피세정물의 구체예로는, 예를 들어, 수지 마스크를 사용한 납땜이나 도금 처리 (구리 도금, 알루미늄 도금, 니켈 도금 등) 등의 처리를 실시하는 공정을 거침으로써, 배선이나 접속 단자 등이 기판 표면에 형성된 전자 부품 등을 들 수 있다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 세정 효과의 점에서, 수지 마스크, 혹은 도금 처리 및/또는 가열 처리된 수지 마스크가 부착된 피세정물의 세정에 바람직하게 사용될 수 있다. 수지 마스크로는, 예를 들어, 네거티브형 수지 마스크여도 되고, 포지티브형 수지 마스크여도 되며, 본 개시의 효과가 발휘되기 쉬운 점에서는, 네거티브형 수지 마스크가 바람직하다. 네거티브형 수지 마스크로는, 예를 들어, 노광 및/또는 현상 처리된 네거티브형 드라이 필름 레지스트를 들 수 있다. 본 개시에 있어서 네거티브형 수지 마스크란, 네거티브형 레지스트를 사용하여 형성되는 것이며, 예를 들어, 노광 및/또는 현상 처리된 네거티브형 레지스트층을 들 수 있다. 본 개시에 있어서 포지티브형 수지 마스크란, 포지티브형 레지스트를 사용하여 형성되는 것이며, 예를 들어, 노광 및/또는 현상 처리된 포지티브형 레지스트층을 들 수 있다.
[수지 마스크 제거 방법]
본 개시는, 일 양태에 있어서, 수지 마스크가 부착된 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물에 접촉시키는 것을 포함하는, 수지 마스크의 제거 방법 (이하,「본 개시에 관련된 제거 방법」이라고도 한다) 에 관한 것이다. 본 개시에 관련된 제거 방법은, 수지 마스크가 부착된 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 갖는다. 피세정물로는, 상기 서술한 피세정물을 들 수 있다. 피세정물에 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 접촉시키는 방법, 또는 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 세정하는 방법으로는, 예를 들어, 세정제 조성물을 넣은 세정 욕조 내에 침지시킴으로써 접촉시키는 방법이나, 세정제 조성물을 스프레이상으로 사출하여 접촉시키는 방법 (샤워 방식), 침지 중에 초음파 조사하는 초음파 세정 방법 등을 들 수 있다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 희석시키지 않고 그대로 세정에 사용할 수 있다. 본 개시에 관련된 제거 방법은, 세정제 조성물에 피세정물을 접촉시킨 후, 물로 린스하고, 건조시키는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 본 개시에 관련된 제거 방법이면, 수지 마스크, 특히 도금 처리 및/또는 가열 처리된 수지 마스크를 효율적으로 제거할 수 있다. 본 개시에 관련된 제거 방법은, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 세정력이 발휘되기 쉬운 점에서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물과 피세정물의 접촉시에 초음파를 조사하는 것이 바람직하고, 그 초음파는 비교적 고주파수인 것이 보다 바람직하다. 상기 초음파의 조사 조건은, 동일한 관점에서, 예를 들어, 26 ∼ 72 ㎑, 80 ∼ 1500 W 가 바람직하고, 36 ∼ 72 ㎑, 80 ∼ 1500 W 가 보다 바람직하다.
[전자 부품의 제조 방법]
본 개시에 관련된 전자 부품의 제조 방법은, 일 양태에 있어서, 수지 마스크가 부착된 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 포함한다. 피세정물로는, 상기 서술한 피세정물을 들 수 있다. 본 개시에 관련된 전자 부품의 제조 방법은, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 사용하여 세정을 실시함으로써, 금속의 부식을 억제하면서, 전자 부품에 부착된 수지 마스크를 효과적으로 제거할 수 있기 때문에, 신뢰성이 높은 전자 부품의 제조가 가능해진다. 또한, 본 개시에 관련된 제거 방법을 실시함으로써, 전자 부품에 부착된 수지 마스크의 제거가 용이해지는 점에서, 세정 시간을 단축화시킬 수 있어, 전자 부품의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
[키트]
본 개시는, 본 개시에 관련된 제거 방법 및 본 개시에 관련된 전자 부품의 제조 방법 중 어느 방법에 사용하기 위한 키트 (이하,「본 개시에 관련된 키트」라고도 한다) 에 관한 것이다.
본 개시에 관련된 키트의 일 실시형태로는, 예를 들어, 성분 A 를 함유하는 용액 (제 1 액) 과, 성분 B 를 함유하는 용액 (제 2 액) 을, 서로 혼합되지 않는 상태로 포함하고, 제 1 액 및 제 2 액 중 적어도 일방은, 성분 C 를 추가로 함유하는, 키트 (2 액형 세정제 조성물) 를 들 수 있다. 제 1 액 및 제 2 액은, 사용시에 혼합되고, 필요에 따라 희석되어도 된다. 제 1 액 및 제 2 액의 각각에는, 필요에 따라 상기 서술한 임의 성분이 함유되어 있어도 된다. 본 개시에 관련된 키트에 의하면, 수지 마스크 제거성이 우수하고, 배수 처리 부하가 작은 세정제 조성물이 얻어질 수 있다.
본 개시에 관련된 키트로는, 입수성 및 작업성의 관점에서, 성분 A 를 30 질량％ 이상 50 질량％ 이하 함유하고, 성분 C 를 잔부로서 함유하는 제 1 액과, 성분 B 만으로 이루어지는 제 2 액을 갖는 키트 ; 성분 A 를 30 질량％ 이상 50 질량％ 이하 함유하고, 성분 C 를 잔부로서 함유하는 제 1 액과, 성분 B 를 1 질량％ 이상 99 질량％ 이하 함유하고, 성분 C 를 잔부로서 함유하는 제 2 액을 갖는 키트 ; 또는, 성분 A 를 30 질량％ 이상 50 질량％ 이하 함유하고, 성분 C 를 잔부로서 함유하는 제 1 액과, 성분 B 를 1 질량％ 이상 99 질량％ 이하 함유하고, 임의 성분 및 성분 C 를 잔부로서 함유하는 제 2 액을 갖는 키트 ; 를 바람직하게 들 수 있다. 이들 키트는, 성분 C 로 이루어지는 제 3 액을 추가로 가질 수 있고, 제 3 액을 사용하여, 상기 제 1 액과 상기 제 2 액의 혼합물을 임의의 농도로 희석시키는 것이 보다 바람직하다.
본 개시는 또한 이하의 세정제 조성물, 제거 방법, 제조 방법에 관한 것이다.
＜1＞ 무기 알칼리 (성분 A), 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 계면 활성제 (성분 B) 및 물 (성분 C) 을 함유하고,
성분 B 의 데이비스법에 의한 HLB 가 4.9 이상 7.9 이하인, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물.
R1-O-(EO)n(PO)m-H
(Ⅰ)
단, 식 (Ⅰ) 중, R1 은 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알킬기 및 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, EO 는 에틸렌옥시기를 나타내고, n 은 EO 의 평균 부가 몰수로서 5 이상 12 이하의 수이고, PO 는 프로필렌옥시기를 나타내고, m 은 PO 의 평균 부가 몰수로서 0 이상 4 이하의 수이다.
＜2＞ 식 (Ⅰ) 중, R1 은, 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알킬기 및 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종으로서, 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 알킬기 및 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 알케닐기가 바람직한, ＜1＞ 에 기재된 세정제 조성물.
＜3＞ 식 (Ⅰ) 중, R1 의 탄소수는, 8 이상으로서, 바람직하게는 9 이상, 보다 바람직하게는 10 이상인, ＜1＞ 또는 ＜2＞ 에 기재된 세정제 조성물.
＜4＞ 식 (Ⅰ) 중, R1 의 탄소수는, 14 이하로서, 바람직하게는 12 이하, 보다 바람직하게는 11 이하인, ＜1＞ 내지 ＜3＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜5＞ 식 (Ⅰ) 중, R1 의 탄소수는, 8 이상 14 이하로서, 바람직하게는 9 이상 12 이하, 보다 바람직하게는 10 이상 11 이하, 더욱 바람직하게는 10 인, ＜1＞ 내지 ＜4＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜6＞ 식 (Ⅰ) 중의 R1 은, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 데실기, 이소데실기, 2-프로필헵틸기, 도데실기, 트리데실기, 및 테트라데실기에서 선택되는 적어도 1 종인, ＜1＞ 내지 ＜5＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜7＞ 식 (Ⅰ) 중, EO 와 PO 의 부가 형태는, 랜덤 배열, 블록 배열 중 어느 것이어도 되고, EO 와 PO 의 부가 순서는 불문하는, ＜1＞ 내지 ＜6＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜8＞ 식 (Ⅰ) 중, n 은, 5 이상으로서, 바람직하게는 6 이상, 보다 바람직하게는 7 이상인, ＜1＞ 내지 ＜7＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜9＞ 식 (Ⅰ) 중, n 은, 12 이하로서, 바람직하게는 11 이하, 보다 바람직하게는 10 이하, 더욱 바람직하게는 9 이하인, ＜1＞ 내지 ＜8＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜10＞ 식 (Ⅰ) 중, n 은, 5 이상 12 이하의 수로서, 바람직하게는 5 이상 11 이하, 보다 바람직하게는 6 이상 10 이하, 더욱 바람직하게는 7 이상 9 이하인, ＜1＞ 내지 ＜9＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜11＞ 식 (Ⅰ) 중, m 은, 0 이상 4 이하의 수로서, 바람직하게는 0 이상 3 이하, 보다 바람직하게는 0 이상 2 이하인, ＜1＞ 내지 ＜10＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜12＞ 성분 B 의 HLB 는, 4.9 이상으로서, 바람직하게는 5.5 이상, 보다 바람직하게는 6 이상, 더욱 바람직하게는 6.15 이상인, ＜1＞ 내지 ＜11＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜13＞ 성분 B 의 HLB 는, 7.9 이하로서, 바람직하게는 6.9 이하, 보다 바람직하게는 6.7 이하, 더욱 바람직하게는 6.5 이하인, ＜1＞ 내지 ＜12＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜14＞ 성분 B 의 HLB 는, 4.9 이상 7.9 이하로서, 바람직하게는 5.5 이상 6.9 이하, 보다 바람직하게는 6 이상 6.7 이하, 더욱 바람직하게는 6.15 이상 6.5 이하인, ＜1＞ 내지 ＜13＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜15＞ 성분 B 의 임계 미셀 농도 (CMC) 는, 0.00001 질량％ 이상이 바람직하고, 0.00005 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.0001 질량％ 이상이 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜14＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜16＞ 성분 B 의 임계 미셀 농도 (CMC) 는, 0.1 질량％ 이하가 바람직하고, 0.05 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.01 질량％ 이하가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜15＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜17＞ 성분 B 의 임계 미셀 농도 (CMC) 는, 0.00001 질량％ 이상 0.1 질량％ 이하가 바람직하고, 0.00005 질량％ 이상 0.05 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.0001 질량％ 이상 0.01 질량％ 이하가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜16＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜18＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 0.1 질량％ 이상이 바람직하고, 0.3 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.5 질량％ 이상이 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜17＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜19＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 15 질량％ 이하가 바람직하고, 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 7.5 질량％ 이하가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜18＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜20＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 0.1 질량％ 이상 15 질량％ 이하가 바람직하고, 0.3 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.5 질량％ 이상 7.5 질량％ 이하가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜19＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜21＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 0.0001 질량％ 이상이 바람직하고, 0.001 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.01 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 0.1 질량％ 이상이 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜20＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜22＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 10 질량％ 이하가 바람직하고, 3 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 2 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 1.2 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜21＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜23＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 0.0001 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 바람직하고, 0.001 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.01 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 0.1 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.1 질량％ 이상 3 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.1 질량％ 이상 2 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.1 질량％ 이상 1.2 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜22＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜24＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량이, 0.1 질량％ 이상 15 질량％ 이하이고,
세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량이, 0.0001 질량％ 이상 10 질량％ 이하인, ＜1＞ 내지 ＜23＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜25＞ 성분 B 에 대한 성분 A 의 질량비 (A/B) 는, 0.3 이상이 바람직하고, 0.4 이상이 보다 바람직하고, 0.5 이상이 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜24＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜26＞ 성분 B 에 대한 성분 A 의 질량비 (A/B) 는, 50000 이하가 바람직하고, 1000 이하가 보다 바람직하고, 100 이하가 더욱 바람직하고, 80 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜25＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜27＞ 성분 B 에 대한 성분 A 의 질량비 (A/B) 는, 0.3 이상 50000 이하가 바람직하고, 0.4 이상 1000 이하가 보다 바람직하고, 0.5 이상 100 이하가 더욱 바람직하고, 0.5 이상 80 이하가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜26＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜28＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량은, 84 질량％ 이상이 바람직하고, 85 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 90 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 95 질량％ 이상이 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜27＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜29＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량은, 99.5 질량％ 이하가 바람직하고, 99.4 질량％ 이하가 보다 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜28＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜30＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량은, 84 질량％ 이상 99.5 질량％ 이하가 바람직하고, 85 질량％ 이상 99.5 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 90 질량％ 이상 99.4 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 95 질량％ 이상 99.4 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜29＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜31＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 유기물의 총 함유량은, 10 질량％ 이하가 바람직하고, 3 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 2 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 1 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.5 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜30＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜32＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 유기물의 총 함유량은, 0.0001 질량％ 이상이 바람직하고, 0.01 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.1 질량％ 이상이 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜31＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜33＞ 세정제 조성물의 사용시에 있어서의 유기물의 총 함유량은, 0.0001 질량％ 이상 10 질량％ 이하가 바람직하고, 0.01 질량％ 이상 3 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.01 질량％ 이상 2 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 0.01 질량％ 이상 1 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.1 질량％ 이상 0.5 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜32＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜34＞ 질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물을 실질적으로 함유하지 않는, ＜1＞ 내지 ＜33＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜35＞ 세정제 조성물 중의 질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물의 합계 함유량은, 0.05 질량％ 이하가 바람직하고, 0.01 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0 질량％ 가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜34＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜36＞ 수지 마스크가, 노광 및 현상 중 적어도 일방의 처리가 실시된 네거티브형 드라이 필름 레지스트인, ＜1＞ 내지 ＜35＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.
＜37＞ 수지 마스크가 부착된 피세정물을 ＜1＞ 내지 ＜36＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 포함하는, 수지 마스크의 제거 방법.
＜38＞ 피세정물이, 전자 부품의 제조 중간물인, ＜37＞ 에 기재된 제거 방법.
＜39＞ 수지 마스크가 부착된 피세정물을 ＜1＞ 내지 ＜36＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 포함하는, 전자 부품의 제조 방법.
＜40＞ ＜1＞ 내지 ＜36＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물의, 전자 부품의 제조에 대한 사용.
＜41＞ ＜37＞ 또는 ＜38＞ 에 기재된 제거 방법 및 ＜39＞ 에 기재된 전자 부품의 제조 방법 중 어느 방법에 사용하기 위한 키트로서, ＜1＞ 내지 ＜36＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물을 구성하는 성분 A ∼ C 중, 성분 A 를 함유하는 제 1 액과, 성분 B 를 함유하는 제 2 액을, 서로 혼합되지 않는 상태로 포함하고, 제 1 액 및 제 2 액 중 적어도 일방은, 성분 C 를 추가로 함유하는, 키트.
실시예
이하에 실시예에 의해 본 개시를 구체적으로 설명하지만, 본 개시는 이들 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.
1. 실시예 1 ∼ 19 및 비교예 1 ∼ 14 의 세정제 조성물의 조제
100 ㎖ 유리 비커에 유효분 환산으로 수산화나트륨 (성분 A) 4.00 g, 폴리에틸렌글리콜 (9) 라우릴에테르 (성분 B) 1.00 g 및 물 (성분 C) 95.00 g 을 배합하고, 그것을 교반하여 균일하게 혼합함으로써, 실시예 1 의 세정제 조성물을 조제하였다. 그리고, 실시예 2 ∼ 19 및 비교예 1 ∼ 14 의 세정제 조성물을, 실시예 1 과 동일한 방법에 의해, 성분 A ∼ C 이외의 성분을 함유하는 경우에는 그것들도 동시에 배합하여, 표 1 에 나타내는 유효분이 되는 조성비로 조제하였다. 각 세정제 조성물의 각 성분의 함유량 (질량％, 유효분) 을 표 1 에 나타냈다.
실시예 1 ∼ 19 및 비교예 1 ∼ 14 의 세정제 조성물의 성분으로는 하기의 것을 사용하였다.
수산화나트륨 (성분 A) [칸토 화학 주식회사 제조, 시카 특급, 고형분 48 질량％]
수산화칼륨 (성분 A) [칸토 화학 주식회사 제조, 시카 특급, 고형분 48 질량％]
테트라메틸암모늄하이드록시드 (비성분 A) [쇼와 전공 주식회사 제조, TMAH (25 ％)]
B1 : 폴리에틸렌글리콜 (9) 라우릴에테르 (성분 B) [아오키 유지 공업 주식회사 제조, 블라우논 EL-1509P]
B3 : 폴리에틸렌글리콜 (6) 2-에틸헥실에테르 (성분 B) [아오키 유지 공업 주식회사 제조, 블라우논 EH-6]
B4 : 폴리에틸렌글리콜 (7) 데실에테르 (성분 B) [아오키 유지 공업 주식회사 제조, 파인서프 D-1370]
B5 : 폴리에틸렌글리콜 (8.5) 이소데실에테르 (성분 B) [아오키 유지 공업 주식회사 제조, 파인서프 D-85]
B6 : 폴리에틸렌글리콜 (10) 트리데실에테르 (성분 B) [아오키 유지 공업 주식회사 제조, 파인서프 TD-100]
B8 : 폴리에틸렌글리콜 (9) 데실 (Guerbet) 에테르 (성분 B) [BASF 사 제조, 루텐졸 XL90]
B9 : 펜타에틸렌글리콜모노옥틸에테르 (성분 B) [SIGMA-ALDRICH 사 제조]
B10 : 폴리에틸렌글리콜 (12) 알킬 (2 급 도데실 및 2 급 테트라데실 혼합) 에테르 (성분 B) [주식회사 닛폰 촉매 제조, 소프타놀 120]
B11 : 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르 (비성분 B) [닛폰 유화제 주식회사 제조, 부틸트리글리콜 (BTG)]
B12 : 폴리에틸렌글리콜 (3) 라우릴에테르 (비성분 B) [아오키 유지 공업 주식회사 제조, 블라우논 EL-1503P]
B13 : 폴리에틸렌글리콜 (5) 라우릴에테르 (비성분 B) [아오키 유지 공업 주식회사 제조, 블라우논 EL-1505]
B14 : 폴리에틸렌글리콜 (40) 라우릴에테르 (비성분 B) [아오키 유지 공업 주식회사 제조, 블라우논 EL-1540P]
B15 : 폴리에틸렌글리콜 (7) 올레일에테르 (비성분 B) [아오키 유지 공업 주식회사 제조, 블라우논 EN-1507]
B16 : 폴리에틸렌글리콜 (4) 2-에틸헥실에테르 (비성분 B) [아오키 유지 공업 주식회사 제조, 블라우논 EH-4]
벤조트리아졸 [도쿄 화성 공업 주식회사 제조, 1,2,3-벤조트리아졸]
2-에틸헥산산 [도쿄 화성 공업 주식회사 제조]
하이드록실아민 [와코 순약 공업 주식회사 제조, 50 ％ 하이드록실아민 용액]
물 (성분 C) [오르가노 주식회사 제조의 순수 장치 G-10DSTSET 로 제조한 1 μS/㎝ 이하의 순수]
또한, 화합물명 중 ( ) 내의 수치는 평균 부가 몰수를 나타낸다.
합성예 1 (계면 활성제 B2 (성분 B))
헥사에틸렌글리콜모노 2-에틸헥실에테르 (1 몰,「블라우논 EH-6」아오키 유지 공업 주식회사 제조) 와 촉매량의 수산화칼륨 (나칼라이테스크 주식회사 제조) 을 오토클레이브에 주입하고, 질소 치환 후, 감압하에서 탈수를 실시하여 계 내의 수분을 0.2 ％ 이하로 하고, 에틸렌옥사이드 (2 몰) 를 160 ℃, 0.3 ㎫ 이하에서 부가, 숙성시켜, EO 부가체 (계면 활성제 B2) 를 얻었다. 얻어진 계면 활성제 B2 는, 식 (Ⅰ) 로 표현하면, R1 : 2-에틸헥실기, n : 8, m : 0 이다.
합성예 2 (계면 활성제 B7 (성분 B))
라우릴알코올 (0.7 몰,「칼콜 2098」카오 주식회사 제조) 과 미리스틸알코올 (0.3 몰,「칼콜 4098」카오 주식회사 제조) 과 촉매량의 수산화칼륨 (나칼라이테스크 주식회사 제조) 을 오토클레이브에 주입하고, 질소 치환 후, 감압하에서 탈수를 실시하여 계 내의 수분을 0.2 ％ 이하로 하고, 에틸렌옥사이드 (5 몰) 를 160 ℃, 0.3 ㎫ 이하에서 부가, 숙성시켜, EO 부가체를 얻었다. 계속해서 프로필렌옥사이드 (1.5 몰) 를 125 ℃, 0.3 ㎫ 이하에서 부가, 숙성시켜, EO-PO 부가체를 얻었다. 또한, 에틸렌옥사이드 (5 몰) 를 160 ℃, 0.3 ㎫ 이하에서 부가, 숙성시켜, EO-PO-EO 부가체 (계면 활성제 B7) 를 얻었다. 얻어진 계면 활성제 B7 은, 식 (Ⅰ) 로 표현하면, R1 : 도데실기 또는 테트라데실기, n : 10, m : 1.5 이다.
합성예 3 (계면 활성제 B17 (비성분 B))
폴리에틸렌글리콜 (9) 알킬 (2 급 도데실 및 2 급 테트라데실 혼합) 에테르 (1 몰,「소프타놀 90」주식회사 닛폰 촉매 제조) 와 촉매량의 수산화칼륨 (나칼라이테스크 주식회사 제조) 을 오토클레이브에 주입하고, 질소 치환 후, 감압하에서 탈수를 실시하여 계 내의 수분을 0.2 ％ 이하로 하고, 프로필렌옥사이드 (5 몰) 를 125 ℃, 0.3 ㎫ 이하에서 부가, 숙성시켜, EO-PO 부가체 (계면 활성제 B17) 를 얻었다. 얻어진 계면 활성제 B17 은, 식 (Ⅰ) 로 표현하면, R1 : 도데실기 또는 테트라데실기, n : 9, m : 5 이다.
합성예 4 (계면 활성제 B18 (비성분 B))
옥탄올 (1 몰,「칼콜 0898」카오 주식회사 제조) 과 촉매량의 수산화칼륨 (나칼라이테스크 주식회사 제조) 을 오토클레이브에 주입하고, 질소 치환 후, 감압하에서 탈수를 실시하여 계 내의 수분을 0.2 ％ 이하로 하고, 프로필렌옥사이드 (3 몰) 를 125 ℃, 0.3 ㎫ 이하에서 부가, 숙성시켜, PO 부가체 (계면 활성제 B18) 를 얻었다. 얻어진 계면 활성제 B18 은, 식 (Ⅰ) 로 표현하면, R1 : 옥틸기, n : 0, m : 3 이다.
합성예 5 (계면 활성제 B19 (비성분 B))
라우릴알코올 (0.7 몰,「칼콜 2098」카오 주식회사 제조) 과 미리스틸알코올 (0.3 몰,「칼콜 4098」카오 주식회사 제조) 과 촉매량의 수산화칼륨 (나칼라이테스크 주식회사 제조) 을 오토클레이브에 주입하고, 질소 치환 후, 감압하에서 탈수를 실시하여 계 내의 수분을 0.2 ％ 이하로 하고, 프로필렌옥사이드 (5 몰) 를 125 ℃, 0.3 ㎫ 이하에서 부가, 숙성시켜, PO 부가체 (계면 활성제 B19) 를 얻었다. 얻어진 계면 활성제 B19 는, 식 (Ⅰ) 로 표현하면, R1 : 도데실기 또는 테트라데실기, n : 0, m : 5 이다.
2. 세정제 조성물의 평가
조제한 실시예 1 ∼ 19 및 비교예 1 ∼ 14 의 세정제 조성물의 수지 마스크 제거성을 평가하였다.
[테스트 피스의 제조]
다이렉트 이메징 (직접 묘화) 용 감광성 필름 (히타치 화성 주식회사 제조, 포텍 RD-1225, 네거티브형 드라이 필름 레지스트) 을 유리 에폭시 다층 기판 (히타치 화성 주식회사 제조, MCL-E-679FG) 의 표면에 하기 조건에서 라미네이트하고, 선택적으로 노광 처리하여 노광부를 경화시킨 후 (노광 공정), 현상 처리함으로써 미노광부를 제거하여 (현상 공정), 레지스트 패턴 (하기 5 개의 패턴 형상의 네거티브형 수지 마스크) 을 갖는 기판을 얻었다. 그리고, 상기 현상 처리로 미노광부가 제거된 영역을 구리 도금 처리함으로써, 테스트 피스 (4 ㎝ × 4.5 ㎝) 를 얻었다.
(1) 라미네이트 : 클린 롤러 (주식회사 레이온 공업 제조, RY-505Z) 및 진공 어플리케이터 (롬 ＆ 하스사 제조, VA7024/HP5) 를 사용하여 롤러 온도 50 ℃, 롤러압 1.4 Bar, 처리 시간 30 초로 실시한다.
(2) 노광 : 프린트 기판용 직접 묘화 장치 (주식회사 SCREEN 그래픽 앤드 프레시전 솔루션즈 제조, Mercurex LI-9500) 를 사용하여, 노광량 15 mJ/㎠ 로 노광을 실시한다.
(3) 패턴 형상 : 하기의 5 패턴
빈틈없이 모두 칠한 패턴 (민인쇄) : 30 ㎛ × 30 ㎛ 이상의 면적을 갖는 부분
줄무늬상 패턴 1 : 라인 폭 L 과 라인 간격 S 의 비 (L/S) ＝ 30 ㎛/30 ㎛ 의 줄무늬상 패턴
줄무늬상 패턴 2 : L/S ＝ 25 ㎛/25 ㎛ 의 줄무늬상 패턴
줄무늬상 패턴 3 : L/S ＝ 20 ㎛/20 ㎛ 의 줄무늬상 패턴
줄무늬상 패턴 4 : L/S ＝ 15 ㎛/15 ㎛ 의 줄무늬상 패턴
(4) 현상 : 기판용 현상 장치 (암팍 과기 주식회사 제조, LT-980366), 30 ℃ 의 1 ％ 탄산나트륨 수용액을 사용하여, 스프레이압 0.2 ㎫, 47 초간으로, 미노광부의 수지 마스크를 제거한다.
[세정 시험 1]
100 ㎖ 유리 비커에 실시예 1 ∼ 19 및 비교예 1 ∼ 14 의 각 세정제 조성물을 100 g 첨가하여 50 ℃ 로 가온시키고, 회전자 (불소 수지 (PTFE), φ8 ㎜ × 25 ㎜) 를 사용하여 회전수 300 rpm 으로 교반한 상태에서, 테스트 피스를 3 분간 침지시킨다. 그리고, 100 ㎖ 유리 비커에 물을 100 g 첨가한 헹굼조에 침지시켜 헹군 후, 자연 건조시킨다.
[세정 시험 2]
100 ㎖ 유리 비커에 실시예 1 ∼ 19 및 비교예 1 ∼ 14 의 각 세정제 조성물을 100 g 첨가하여 30 ℃ 로 가온시키고, 교반 및 요동은 실시하지 않고, 테스트 피스를 침지시킨다.
[수지 마스크 제거성 평가 1 (박리성)]
광학 현미경「디지털 마이크로스코프 VHX-2000」(주식회사 키엔스 제조) 을 사용하여, 세정 시험 1 을 실시한 후의 테스트 피스의 각 부위에 잔존하는 수지 마스크의 유무를 300 배로 확대해서 육안 확인하여, 수지 마스크 제거성을 평가한다. 각 줄무늬상 패턴 1 ∼ 4 중에서, 완전히 제거할 수 있었던 줄무늬상 패턴의 L/S 의 값을 계측하고, 하기 평가 기준으로 평가한 결과를 표 1 에 나타낸다.
＜평가 기준＞
1 : 모든 줄무늬상 패턴을 완전 박리할 수 있었다
2 : 줄무늬상 패턴 1 ∼ 3 까지 완전 박리할 수 있었다
3 : 줄무늬상 패턴 1 ∼ 2 까지 완전 박리할 수 있었다
4 : 줄무늬상 패턴 1 만 완전 박리할 수 있었다
5 : 어느 줄무늬상 패턴도 박리할 수 없었다
[수지 마스크 제거성 평가 2 (박리 시간)]
세정 시험 2 를 실시하고, 육안으로, 빈틈없이 모두 칠한 패턴 (민인쇄) 이 완전히 테스트 피스로부터 박리될 때까지의 시간 (초) 을 측정한다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
표 1 의 결과로부터, 무기 알칼리 (성분 A) 와 소정의 계면 활성제 (성분 B) 를 함유하는 실시예 1 ∼ 19 의 세정제 조성물은, 무기 알칼리 (성분 A) 또는 소정의 계면 활성제 (성분 B) 를 함유하지 않는 비교예 1 ∼ 14 의 세정제 조성물에 비해, 효율적으로 수지 마스크를 제거할 수 있는 것을 알 수 있었다.
산업상 이용가능성
본 개시를 사용함으로써, 배수 처리 부하를 크게 하지 않고, 수지 마스크를 효율적으로 제거할 수 있다. 따라서, 본 개시의 세정제 조성물은, 전자 부품의 제조 공정에서 사용되는 세정제 조성물로서 유용하고, 수지 마스크가 부착된 전자 부품의 세정 공정의 단축화 및 제조되는 전자 부품의 성능·신뢰성의 향상이 가능해져, 반도체 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.
Claims (11)
- 무기 알칼리 (성분 A), 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 계면 활성제 (성분 B) 및 물 (성분 C) 을 함유하고,
성분 B 의 데이비스법에 의한 HLB 가 4.9 이상 7.9 이하인, 수지 마스크 박리용 세정제 조성물.
R1-O-(EO)n(PO)m-H (Ⅰ)
단, 식 (Ⅰ) 중, R1 은 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알킬기 및 탄소수 8 이상 14 이하의 직사슬 또는 분기 사슬의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, EO 는 에틸렌옥시기를 나타내고, n 은 EO 의 평균 부가 몰수로서 5 이상 12 이하의 수이고, PO 는 프로필렌옥시기를 나타내고, m 은 PO 의 평균 부가 몰수로서 0 이상 4 이하의 수이다. - 제 1 항에 있어서,
세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 A 의 함유량이, 0.1 질량％ 이상 15 질량％ 이하이고,
세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 B 의 함유량이, 0.0001 질량％ 이상 10 질량％ 이하인, 세정제 조성물. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
세정제 조성물의 사용시에 있어서의 성분 C 의 함유량이, 84 질량％ 이상 99.5 질량％ 이하인, 세정제 조성물. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
세정제 조성물의 사용시에 있어서의 유기물의 총 함유량이, 10 질량％ 이하인, 세정제 조성물. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
질소 함유 화합물 및 인 함유 화합물을 실질적으로 함유하지 않는, 세정제 조성물. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
수지 마스크가, 노광 및 현상 중 적어도 일방의 처리가 실시된 네거티브형 드라이 필름 레지스트인, 세정제 조성물. - 수지 마스크가 부착된 피세정물을 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 포함하는, 수지 마스크의 제거 방법.
- 제 7 항에 있어서,
피세정물이, 전자 부품의 제조 중간물인, 수지 마스크의 제거 방법. - 수지 마스크가 부착된 피세정물을 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 포함하는, 전자 부품의 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 세정제 조성물의, 전자 부품의 제조에 대한 사용.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 기재된 제거 방법 및 제 9 항에 기재된 전자 부품의 제조 방법 중 어느 방법에 사용하기 위한 키트로서,
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 세정제 조성물을 구성하는 성분 A ∼ C 중, 성분 A 를 함유하는 제 1 액과, 성분 B 를 함유하는 제 2 액을, 서로 혼합되지 않는 상태로 포함하고, 제 1 액 및 제 2 액 중 적어도 일방은, 성분 C 를 추가로 함유하는, 키트.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017236368A JP7057653B2 (ja) | 2017-12-08 | 2017-12-08 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
| JPJP-P-2017-236368 | 2017-12-08 | ||
| PCT/JP2018/041325 WO2019111625A1 (ja) | 2017-12-08 | 2018-11-07 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200088365A true KR20200088365A (ko) | 2020-07-22 |
Family
ID=66749913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207016119A KR20200088365A (ko) | 2017-12-08 | 2018-11-07 | 수지 마스크 박리용 세정제 조성물 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7057653B2 (ko) |
| KR (1) | KR20200088365A (ko) |
| CN (1) | CN111448522A (ko) |
| TW (1) | TWI796397B (ko) |
| WO (1) | WO2019111625A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7294910B2 (ja) * | 2019-06-21 | 2023-06-20 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用洗浄剤組成物 |
| JPWO2022270333A1 (ko) | 2021-06-24 | 2022-12-29 | ||
| WO2023145826A1 (ja) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 | 花王株式会社 | 樹脂マスクの剥離方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11311867A (ja) | 1998-02-25 | 1999-11-09 | Kao Corp | 剥離剤組成物 |
| JP2005509693A (ja) | 2001-11-13 | 2005-04-14 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | シンナー組成物 |
| JP2008058624A (ja) | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | フォトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法 |
| JP2009260249A (ja) | 2008-03-19 | 2009-11-05 | Fujifilm Corp | 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07115048A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Sony Corp | 剥離方法 |
| JP2001350275A (ja) | 2000-06-02 | 2001-12-21 | Toppan Printing Co Ltd | レジスト用剥離液 |
| JP2002016034A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
| US20050282093A1 (en) * | 2004-06-16 | 2005-12-22 | Dammel Ralph R | Aqueous edge bead remover |
| TWI413155B (zh) * | 2005-11-22 | 2013-10-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 光微影蝕刻用洗淨液及使用其之曝光裝置之洗淨方法 |
| CN101802161B (zh) * | 2007-09-14 | 2013-11-06 | 花王株式会社 | 碱性非离子型表面活性剂组合物 |
| US20090229629A1 (en) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Stripper For Copper/Low k BEOL Clean |
| CN101520612B (zh) * | 2009-04-01 | 2011-12-21 | 苏州瑞红电子化学品有限公司 | 彩色光刻胶的清洗剂 |
| TWI532834B (zh) * | 2010-04-15 | 2016-05-11 | 富士軟片股份有限公司 | 半導體基板的洗淨方法以及兩劑型半導體基板用洗淨劑 |
| CN102486619A (zh) * | 2010-12-02 | 2012-06-06 | 台湾永光化学工业股份有限公司 | 清洗液组合物 |
| KR101925272B1 (ko) * | 2011-03-21 | 2019-02-27 | 바스프 에스이 | 질소-무함유 수성 세정 조성물, 이의 제조 및 용도 |
| FR2976290B1 (fr) * | 2011-06-09 | 2014-08-15 | Jerome Daviot | Composition de solutions et conditions d'utilisation permettant le retrait et la dissolution complete de resines photo-lithographiques |
| KR20170111411A (ko) * | 2016-03-28 | 2017-10-12 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물, 및 디스플레이 장치용 플랫 패널의 제조방법 및 그에 의해 제조된 디스플레이 장치용 플랫 패널, 및 디스플레이 장치 |
-
2017
- 2017-12-08 JP JP2017236368A patent/JP7057653B2/ja active Active
-
2018
- 2018-11-07 KR KR1020207016119A patent/KR20200088365A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-11-07 CN CN201880079044.4A patent/CN111448522A/zh active Pending
- 2018-11-07 WO PCT/JP2018/041325 patent/WO2019111625A1/ja active Application Filing
- 2018-12-07 TW TW107144127A patent/TWI796397B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11311867A (ja) | 1998-02-25 | 1999-11-09 | Kao Corp | 剥離剤組成物 |
| JP2005509693A (ja) | 2001-11-13 | 2005-04-14 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | シンナー組成物 |
| JP2008058624A (ja) | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | フォトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法 |
| JP2009260249A (ja) | 2008-03-19 | 2009-11-05 | Fujifilm Corp | 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111448522A (zh) | 2020-07-24 |
| WO2019111625A1 (ja) | 2019-06-13 |
| JP7057653B2 (ja) | 2022-04-20 |
| TWI796397B (zh) | 2023-03-21 |
| JP2019105670A (ja) | 2019-06-27 |
| TW201928535A (zh) | 2019-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109791377B (zh) | 树脂掩膜剥离用洗涤剂组合物 | |
| CN109563453B (zh) | 丝网印版用清洗剂组合物 | |
| TWI796397B (zh) | 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物 | |
| WO2020022491A1 (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2019112498A (ja) | 樹脂マスク剥離洗浄方法 | |
| TW202215172A (zh) | 基板之洗淨方法 | |
| JP7020905B2 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
| TWI810335B (zh) | 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物 | |
| JP7490834B2 (ja) | 樹脂マスクの剥離方法 | |
| KR20230109148A (ko) | 수지 마스크 박리용 세정제 조성물 | |
| TW202337577A (zh) | 樹脂遮罩之剝離方法 | |
| JP7420664B2 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
| WO2022050386A1 (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| JP2022043812A (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
| JP2023172703A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2021099380A (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |