JP7294910B2 - 磁気ディスク基板用洗浄剤組成物 - Google Patents

磁気ディスク基板用洗浄剤組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP7294910B2
JP7294910B2 JP2019115529A JP2019115529A JP7294910B2 JP 7294910 B2 JP7294910 B2 JP 7294910B2 JP 2019115529 A JP2019115529 A JP 2019115529A JP 2019115529 A JP2019115529 A JP 2019115529A JP 7294910 B2 JP7294910 B2 JP 7294910B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
less
cleaning composition
component
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019115529A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021002417A (ja
Inventor
大樹 多久島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kao Corp filed Critical Kao Corp
Priority to JP2019115529A priority Critical patent/JP7294910B2/ja
Publication of JP2021002417A publication Critical patent/JP2021002417A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7294910B2 publication Critical patent/JP7294910B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Description

本開示は、磁気ディスク基板用洗浄剤組成物、並びにこれを用いた洗浄方法及び磁気ディスク基板の製造方法に関する。
近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化するために、単位記録面積を縮小し、弱くなった磁気信号の検出感度を向上するため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。そのため、磁気ディスク基板の製造過程において、有機物、砥粒、研磨くず等が付着していない基板が求められている。
磁気ディスク基板に用いられる材料としては、表面にNi-Pメッキされたアルミニウムやガラス等がある。最近では、基板の材質は異なるものの半導体用基板分野においても基板表面の高い清浄度が求められ、様々な組成物が開発されている(例えば、特許文献1~3)。
特許文献1には、非イオン性界面活性剤(成分A)と、水(成分B)と、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ジメチルベンゼンスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸及びこれらの塩から選ばれる1種以上の化合物(成分C)と、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムから選ばれる1種以上のアルカリ剤(成分D)とを含有し、非イオン性界面活性剤(成分A)の含有量が0.5~20質量%であり、25℃におけるpHが12以上である、アルカリ型非イオン性界面活性剤組成物が提案されている。
特許文献2には、炭素数6~10の脂肪族アルコールが80~100重量%を示す中鎖脂肪アルコールと、鎖中にエチレンオキシド単位3~6個のオキシエチレンブロック及びプロピレンオキシド単位0~4個のオキシプロピレンブロックを有するポリオキシアルキレングリコールとのエーテルよりなる工業用精密部品洗浄剤組成物が提案されている。
特許文献3には、R-O-(PO)m-(EO)n-Hで表される非イオン界面活性剤0.01~30重量%、有機ホスホン酸又はこれらの塩0.1~30重量%、芳香族炭化水素系スルホン酸又はこれらの塩0.1~30重量%が配合されてなる洗浄剤組成物が提案されている。
特開2009-84565号公報 特開平11-116995号 特開2011-105824号公報
一般的に、磁気ディスク基板の製造工程には、研磨液組成物を用いた研磨工程と洗浄剤組成物を用いた洗浄工程と、基板に磁性層を形成するメディア化工程とが含まれている。
研磨工程を経た基板表面に、研磨くずや砥粒等由来の無機物、研磨パッドから生じるパッドくず等由来の有機物等の異物が付着していると、表面欠陥発生の原因となることから、研磨後に洗浄が行われている。
また、メディア化工程では、通常、搬送時や保管時に基板表面に付着した無機物や有機物を除去するために、磁性層形成前に洗浄が行われている。
しかしながら、従来の洗浄剤組成物では有機物残渣の除去が十分ではなく、表面欠陥発生の原因となっていた。
そこで、本開示は、一態様において、基板表面に付着した有機物残渣の除去性に優れる磁気ディスク基板用洗浄剤組成物、並びに、これを用いた洗浄方法及び磁気ディスク基板の製造方法を提供する。
本開示は、一態様において、下記式(I)で表される非イオン性界面活性剤及び水を含む磁気ディスク基板用洗浄剤組成物に関する。
R-O-[(PO)p/(EO)q]-(PO)r-H (I)
式(I)中、Rは炭素数8以上18以下の分岐アルキル基を示し、EOはエチレンオキシ基、POはプロピレンオキシ基を示す。p、q、rはそれぞれ平均付加モル数を示し、pは0以上10以下の整数、qは1以上15以下の整数、rは1以上15以下の整数を示し、p+rは1以上25以下の整数を示す。[(PO)p/(EO)q]におけるPOとEOの付加形態はランダムでもブロックでもよい。
本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含む、基板の洗浄方法に関する。
本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法に関する。
本開示によれば、一態様において、基板表面に付着した有機物残渣の除去性に優れる磁気ディスク基板用洗浄剤組成物を提供できる。
本開示は、一態様において、特定の非イオン性界面活性剤(成分A)を含む洗浄剤組成物を用いて基板を洗浄すると、基板表面に付着した有機物残渣を効率よく除去できるという知見に基づく。
すなわち、本開示は、一態様において、上記式(I)で表される非イオン性界面活性剤及び水を含む磁気ディスク基板用洗浄剤組成物(以下、「本開示の洗浄剤組成物」ともいう)に関する。本開示の洗浄剤組成物によれば、基板表面に付着した有機物残渣を効率よく除去できる。
本開示の効果が発現するメカニズムの詳細は明らかではないが以下のように推定される。
一般的に、研磨工程で使用される研磨パッドには、可塑剤等の有機物が原料として含まれている。また、基板保管用の容器にも可塑剤等の有機物が原料として含まれることがある。このような有機物が研磨工程や保管、搬送時に基板に付着し、表面欠陥の発生の原因となる。
また、洗浄工程で使用される洗浄ブラシ(例えば、PVAブラシ)にはデンプン等の有機物が原料として含まれていることがあり、このような有機物が洗浄工程で基板に付着し、表面欠陥発生の原因となる。
本開示では、洗浄剤組成物中の特定の非イオン性界面活性剤(成分A)が基板に付着した有機物に浸透することで、基板表面から有機物が剥がれやすくなり、有機物残渣を効率よく除去できると考えられる。そして、有機物残渣の除去性が向上することで、表面欠陥の発生を抑制できると考えられる。
但し、本開示は、これらのメカニズムに限定して解釈されなくてよい。
本開示において「有機物残渣」とは、基板表面に付着した有機物の異物をいう。本開示における「有機物」は、一又は複数の実施形態において、研磨工程で使用される研磨剤組成物に含まれる有機物、研磨工程で使用される研磨パッドから生じるパッドくず等の有機物、基板保管、搬送用容器の原料由来の有機物、洗浄工程で使用される洗浄ブラシの原料由来の有機物等を含む。また洗浄工程で使用される洗浄剤に含まれる有機物自身が残留するすすぎ残り等を含む。研磨パッドや基板保管用容器の原料に使用される有機物としては、例えば、可塑剤(ジオクチルフタレート等)が挙げられる。洗浄ブラシ(例えば、ポリビニルアルコールスポンジブラシ)の原料に使用される有機物としては、例えば、デンプンが挙げられる。
以下、本開示の洗浄剤組成物に含まれる各成分について説明する。
[成分A:非イオン性界面活性剤]
本開示の洗浄剤組成物に含まれる非イオン性界面活性剤は、下記式(I)で表される非イオン性界面活性剤(以下、単に「成分A」ともいう)である。成分Aは1種でもよいし、2種以上の組合せでもよい。
R-O-[(PO)p/(EO)q]-(PO)r-H (I)
式(I)中、Rは炭素数8以上18以下の分岐アルキル基を示し、EOはエチレンオキシ基、POはプロピレンオキシ基を示す。p、q、rはそれぞれ平均付加モル数を示し、pは0以上10以下の整数、qは1以上15以下の整数、rは1以上15以下の整数を示し、p+rは1以上25以下の整数を示す。[(PO)p/(EO)q]におけるPOとEOの付加形態はランダムでもブロックでもよい。
式(I)において、Rは、炭素数8以上18以下の分岐アルキル基であり、Rの炭素数は、有機物残渣の除去性向上の観点から、8以上18であって、好ましくは8以上16以下、より好ましくは8以上で14以下であり、更に好ましくは8である。Rの具体例としては、例えば、2-エチルヘキシル基が挙げられる。
式(I)において、pは、有機物残渣の除去性向上の観点から、0以上10以下の整数であって、好ましくは0以上8以下、より好ましくは0以上4以下、更に好ましくは0以上2以下である。
qは、有機物残渣の除去性向上の観点から、1以上15以下の整数であって、好ましくは6以上14以下、より好ましくは8以上14以下、更に好ましくは9以上14以下である。
rは、有機物残渣の除去性向上の観点から、1以上15以下の整数であって、好ましくは2以上14以下、より好ましくは3以上10以下、更に好ましくは5以上8以下である。
p+rは、有機物残渣の除去性向上の観点から、1以上25以下の整数であって、好ましくは2以上22以下、より好ましくは3以上14以下、更に好ましくは5以上10以下である。
上記式(I)の[(PO)p/(EO)q]におけるPOとEOの付加形態は、有機物残渣の除去性向上の観点から、ブロックが好ましい。例えば、成分Aとしては、下記式(II)で表される化合物、下記式(III)で表される化合物のような、POとEOの付加形態がブロックであって末端がPOである化合物が挙げられる。
1-O-(EO)m-(PO)n-H (II)
2-O-(PO)s-(EO)t-(PO)u-H (III)
式(II)及び(III)中、R1及びR2はそれぞれ、炭素数8以上18以下の分岐アルキル基を示し、m、n、s、t、uはそれぞれ平均付加モル数を示す。mは1以上15以下の整数、nは1以上15以下の整数、sは1以上5以下の整数、tは1以上15以下の整数、uは1以上15以下の整数を示す。
式(II)及び式(III)において、R1及びR2はそれぞれ、炭素数8以上18以下の分岐アルキル基であり、R1及びR2の炭素数はそれぞれ、有機物残渣の除去性向上の観点から、8以上18であって、好ましくは8以上16以下、より好ましくは8以上で14以下であり、更に好ましくは8である。R1及びR2の具体例としては、例えば、2-エチルヘキシル基が挙げられる。
式(II)において、mは、有機物残渣の除去性向上の観点から、1以上15以下の整数であって、好ましくは6以上14以下、より好ましくは8以上14以下、更に好ましくは9以上14以下である。
nは、有機物残渣の除去性向上の観点から、1以上15以下の整数であって、好ましくは2以上14以下、より好ましくは3以上10以下であり、更に好ましくは5以上8以下である。
式(III)において、sは、有機物残渣の除去性向上の観点から、1以上5以下の整数であって、好ましくは1以上4以下、より好ましくは1以上3以下、更に好ましくは1以上2以下である。
tは、有機物残渣の除去性向上の観点から、1以上15以下の整数であって、好ましくは6以上14以下、より好ましくは8以上14以下、更に好ましくは9以上14以下である。
uは、有機物残渣の除去性向上の観点から、1以上15以下の整数であって、好ましくは2以上14以下、より好ましくは3以上10以下、更に好ましくは5以上8以下である。
成分Aの具体例としては、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン2-エチルヘキシルエーテル等が挙げられる。
本開示の洗浄剤組成物の洗浄時における成分Aの含有量は、有機物残渣の除去性向上の観点から、0.001質量%以上が好ましく、0.005質量%以上がより好ましく、0.01質量%以上が更に好ましく、そして、1質量%以下が好ましく、0.8質量%以下がより好ましく、0.5質量%以下が更に好ましい。より具体的には、洗浄時における成分Aの含有量は、0.001質量%以上1質量%以下が好ましく、0.005質量%以上0.8質量%以下がより好ましく、0.01質量%以上0.5質量%以下が更に好ましい。成分Aが2種以上の組合せである場合、成分Aの含有量はそれらの合計含有量をいう。
本開示の洗浄剤組成物は、後述するように、濃縮物として製造され、洗浄する際に希釈して使用してもよいことから、本開示において「洗浄剤組成物の洗浄時における各成分の含有量」とは、一又は複数の実施形態において、洗浄工程に使用される洗浄剤組成物中の各成分の含有量、すなわち、洗浄剤組成物の洗浄への使用を開始する時点での各成分の含有量をいう。よって、本開示において洗浄時の洗浄剤組成物、つまり、洗浄工程に使用される洗浄剤組成物とは、一又は複数の実施形態において、希釈された状態での洗浄剤組成物をいう。なお、本開示の洗浄剤組成物が濃縮物ではない場合、本開示の洗浄剤組成物が洗浄時の洗浄剤組成物である。
[成分B:水]
本開示の洗浄剤組成物に含まれる水(成分B)としては、溶媒としての役割を果たすことができるものであれば特に制限はなく、例えば、超純水、純水、イオン交換水、又は蒸留水等を挙げることができ、有機物残渣の除去性向上の観点から、超純水、純水、又はイオン交換水が好ましく、超純水がより好ましい。純水及び超純水は、例えば、水道水を活性炭に通し、イオン交換処理し、さらに蒸留したものを、必要に応じて所定の紫外線殺菌灯を照射、又はフィルターに通すことにより得ることができる。
本開示の洗浄剤組成物の洗浄時における成分Bの含有量は、成分A及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
[成分C:pH調整剤]
本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、pH調整剤(成分C)をさらに含有することができる。成分Cとしては、酸又はアルカリが挙げられる。酸としては、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等の無機酸;酢酸、シュウ酸、コハク酸、グリコール酸、リンゴ酸、クエン酸、安息香酸等の有機酸が挙げられる。アルカリとしては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリが挙げられる。有機物残渣の除去性向上の観点から、成分Cは、無機アルカリが好ましく、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムがより好ましい。成分Cは1種でもよいし、2種以上の組合せでもよい。
本開示の洗浄剤組成物の洗浄時における成分Cの含有量は、有機物残渣の除去性向上の観点から、0.001質量%以上が好ましく、0.01質量%以上がより好ましく、0.02質量%以上が更に好ましく、そして、10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、3質量%以下が更に好ましい。より具体的には、洗浄時における成分Bの含有量は、0.001質量%以上10質量%以下が好ましく、0.01質量%以上5質量%以下がより好ましく、0.02質量%以上3質量%以下が更に好ましい。成分Cが2種以上の組合せである場合、成分Cの含有量はそれらの合計含有量をいう。
[成分D:水溶性アミン]
本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、基板表面のエッチング抑制の観点から、水溶性アミン(成分D)をさらに含有することができる。成分Dは1種でもよいし、2種以上の組合せでもよい。
成分Dとしては、一又は複数の実施形態において、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアルカノールアミン、並びにこれらのアルキル化物及びアミノアルキル化物;エチレンジアミン;ジエチレントリアミン;メチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基からなる群から選択される少なくとも1つの官能基を有するピロリジン化合物又はピペラジン化合物等が挙げられる。
成分Dの具体例としては、一又は複数の実施形態において、基板表面のエッチング抑制、及び有機物残渣の除去性向上の観点から、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、N-メチルモノエタノールアミン、N-メチルイソプロパノールアミン、N-エチルモノエタノールアミン、N-エチルイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、N-ジメチルモノエタノールアミン、N-ジメチルモノイソプロパノールアミン、N-メチルジエタノールアミン、N-メチルジイソプロパノールアミン、N-ジエチルモノエタノールアミン、N-ジエチルモノイソプロパノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、N-エチルジイソプロパノールアミン、N-(β-アミノエチル)エタノールアミン、N-(β-アミノエチル)イソプロパノールアミン、N-(β-アミノエチル)ジエタノールアミン、N-(β-アミノエチル)ジイソプロパノールアミン、1-メチルピペラジン、1-(2-ヒドロキシエチル)ピロリジン、1-(2-ヒドロキシエチル)ピペラジン、エチレンジアミン及びジエチレントリアミンから選ばれる少なくとも1種が好ましく、N-(β-アミノエチル)エタノールアミンがより好ましい。
本開示の洗浄剤組成物中の洗浄時における成分Dの含有量は、基板表面のエッチング抑制、及び有機物残渣の除去性向上の観点から、0.01質量%以上が好ましく、0.04質量%以上がより好ましく、0.09質量%以上が更に好ましく、そして、0.4質量%以下が好ましく、0.3質量%以下がより好ましく、0.2質量%以下が更に好ましい。より具体的には、洗浄時における成分Dの含有量は、0.01質量%以上0.4質量%以下が好ましく、0.04質量%以上0.3質量%以下がより好ましく、0.09質量%以上0.2質量%以下が更に好ましい。成分Dが2種以上の組合せである場合、成分Dの含有量はそれらの合計含有量をいう。
[成分E:キレート剤]
本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、基板表面への金属イオン残留抑制の観点から、キレート剤(成分E)をさらに含有することができる。成分Eは、1種でもよいし、2種以上の組合せでもよい。
成分Eとしては、一又は複数の実施形態において、グルコン酸、グルコヘプトン酸等のアルドン酸類;エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸等のアミノカルボン酸類;クエン酸、リンゴ酸等のヒドロキシカルボン酸類;1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸、ピロリン酸等のホスホン酸類;及びこれらの塩から選ばれる少なくとも1種が挙げられる。これらの中でも、基板表面への金属イオン残留抑制、及び有機物残渣の除去性向上の観点から、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸(HEDP)が好ましい。
本開示の洗浄剤組成物の洗浄時における成分Eの含有量は、一又は複数の実施形態において、基板表面への金属イオン残留抑制、及び有機物残渣の除去性向上の観点から、0.005質量%以上が好ましく、0.008質量%以上がより好ましく、0.01質量%以上が更に好ましく、そして、1質量%以下が好ましく、0.5質量%以下がより好ましく、0.1質量%以下が更に好ましい。より具体的には、洗浄時における成分Eの含有量は、0.005質量%以上1質量%以下が好ましく、0.008質量%以上0.5質量%以下がより好ましく、0.01質量%以上0.1質量%以下が更に好ましい。成分Eが2種以上の組合せである場合、成分Eの含有量はそれらの合計含有量をいう。
[成分F:分散剤]
本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、パーティクルの基板表面への再付着抑制、及びパーティクルの分散性向上の観点から、分散剤(成分F)をさらに含有することができる。成分Fは、1種でもよいし、2種以上の組合せでもよい。
本開示において「パーティクル」とは、基板表面に付着した無機物の異物をいう。本開示における「パーティクル」は、酸化ニッケル等の研磨くず由来の無機物;酸化珪素(シリカ)、酸化アルミニウム(アルミナ)、酸化セリウム(セリア)等の研磨砥粒由来の無機物;等を含む。
成分Fとしては、例えば、カルボン酸系重合体等のアニオンポリマー及びアクリル酸のアルキレンオキサイド付加物を構成単位に含むポリマーが挙げられる。カルボン酸系重合体としては、例えば、アクリル酸重合体、メタクリル酸重合体、マレイン酸重合体、アクリル酸/メタクリル酸の共重合体、アクリル酸/マレイン酸の共重合体、メタクリル酸/アクリル酸メチルエステルの共重合体、メタクリル酸又はアクリル酸を構成単位に含むアニオンポリマーが挙げられる。これらの中でも、パーティクルの基板表面への再付着抑制、パーティクルの分散性向上、及び有機物残渣の除去性向上の観点から、成分Fは、アクリル酸(AA)と2―アクリルアミド―2―メチルプロパンスルホン酸(AMPS)の共重合体(AA/AMPS)が好ましく、AAとAMPSのモル比が91/9~95/5である共重合体がより好ましい。成分Fは、ポリマー中の一部又は全部のアニオン部分が、アルカリ金属あるいはアミンと塩を形成してもよい。
本開示の洗浄剤組成物の洗浄時における成分Fの含有量は、パーティクルの基板表面への再付着抑制、パーティクルの分散性向上、パーティクル除去性向上、及び有機物残渣の除去性向上の観点から、0.003質量%以上が好ましく、0.005質量%以上がより好ましく、0.008質量%以上が更に好ましく、そして、2質量%以下が好ましく、1質量%以下がより好ましく、0.5質量%以下が更に好ましい。より具体的には、成分Fの含有量は、0.003質量%以上2質量%以下が好ましく、0.005質量%以上1質量%以下がより好ましく、0.008質量%以上0.5質量%以下が更に好ましい。成分Fが2種以上の組合せである場合、成分Fの含有量はそれらの合計含有量をいう。
[成分G:溶解促進剤]
本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、有機物残渣の除去性向上の観点から、溶解促進剤(成分G)をさらに含有することができる。成分Gは、1種でもよいし、2種以上の組合せでもよい。
成分Gとしては、有機物残渣の除去性向上の観点から、パラトルエンスルホン酸、2-エチルヘキサン酸、及び安息香酸から選ばれる少なくとも1種が挙げられる。
本開示の洗浄剤組成物の洗浄時における成分Gの含有量は、有機物残渣の除去性向上の観点から、0.01質量%以上が好ましく、0.02質量%以上がより好ましく、0.03質量%以上が更に好ましく、そして、1質量%以下が好ましく、0.5質量%以下がより好ましく、0.2質量%以下が更に好ましい。より具体的には、成分Gの含有量は、0.01質量%以上1質量%以下が好ましく、0.02質量%以上0.5質量%以下がより好ましく、0.03質量%以上0.2質量%以下が更に好ましい。成分Gが2種以上の組合せである場合、成分Gの含有量はそれらの合計含有量をいう。
[その他の成分]
本開示の洗浄剤組成物には、その他の成分をさらに含有することができる。任意成分としては、成分A以外の界面活性剤、可溶化剤、酸化防止剤、防腐剤、防錆剤、消泡剤、抗菌剤等が挙げられる。
本開示の洗浄剤組成物には、一又は複数の実施形態において、芳香族炭化水素系スルホン酸又はその塩を含まないものとすることができる。
本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、有機物残渣の除去性向上の観点から、グリセリン、ジグリセリン、トリグリセリン等の水溶性有機溶剤を実質的に含まないことが好ましい。本開示において「水溶性有機溶剤を実質的に含まない」とは、本開示の洗浄剤組成物中の水溶性有機溶剤の合計含有量が10質量%以下であることをいい、有機物残渣の除去性向上の観点から、5質量%以下が好ましく、1質量%以下がより好ましく、実質的に0質量%が好ましい。
[洗浄剤組成物のpH]
本開示の洗浄剤組成物の洗浄時のpHは、有機物残渣の除去性向上の観点から、9以上が好ましく、9.5以上がより好ましく、10以上が更に好ましく、10.5以上がより更に好ましく、そして、14以下が好ましく、13以下がより好ましく、12以下が更に好ましく、11.5以下がより更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の洗浄時のpHは、9以上14以下が好ましく、9.5以上13以下がより好ましく、10以上12以下が更に好ましく、10.5以上11.5以下がより更に好ましい。本開示において「洗浄時のpH」とは、25℃における洗浄剤組成物の使用時(希釈後)のpHであり、pHメータを用いて測定でき、好ましくはpHメータの電極を洗浄剤組成物に浸漬して3分後の数値である。
[洗浄剤組成物の製造方法]
本開示の洗浄剤組成物は、成分A、成分B、並びに必要に応じて成分C、成分D、成分E、成分F、成分G及びその他の成分を公知の方法で配合することにより製造できる。したがって、本開示は、少なくとも成分A~Bを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法に関する。本開示において「配合」とは、成分A~B、並びに必要に応じて成分C~G及びその他の成分を同時又は任意の順に混合することを含む。本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の配合量は、上述した本開示の洗浄剤組成物の各成分の含有量と同じとすることができる。
本開示の洗浄剤組成物は、貯蔵及び輸送の観点から、濃縮物として製造され、使用時に希釈されてもよい。洗浄剤組成物の濃縮物は、貯蔵及び輸送、保管安定性の観点から、希釈倍率3倍以上200倍以下の濃縮物が好ましい。洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に各成分の含有量が、上述した含有量(すなわち、洗浄時の含有量)となるように水で希釈して使用できる。さらに洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に各成分を別々に添加して使用することもできる。本開示において洗浄剤組成物の濃縮物の「使用時」又は「洗浄時」とは、洗浄剤組成物の濃縮物が希釈された状態をいう。
本開示の洗浄剤組成物の濃縮物のpHは、有機物残渣の除去性向上の観点から、9以上が好ましく、9.5以上がより好ましく、10以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、14以下が好ましく、13以下がより好ましく、12.5以下がさらに好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の濃縮物のpHは、9以上14以下が好ましく、9.5以上13以下がより好ましく、10以上12.5以下がより更に好ましい。本開示の洗浄剤組成物の濃縮物のpHは、前記本開示の洗浄剤組成物のpHと同様の方法で測定することができる。
[被洗浄基板]
本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、有機物や無機物(パーティクル)が付着している基板の洗浄に用いられうる。したがって、本開示の洗浄剤組成物を用いて洗浄される被洗浄基板としては、一又は複数の実施形態において、有機物及び無機物(パーティクル)の少なくとも一方が付着している基板が挙げられ、本開示の効果が発揮される観点から、少なくとも有機物残渣が付着している基板に好適に使用される。基板としては、例えば、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金基板、ガラス基板等が挙げられる。
[基板の洗浄方法]
本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物を用いて上述した被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含む、基板の洗浄方法(以下、「本開示の洗浄方法」ともいう)に関する。本開示の洗浄方法は、前記本開示の洗浄剤組成物の濃縮液を希釈する希釈工程をさらに含んでもよい。洗浄工程における洗浄方式としては、例えば、浸漬洗浄及び/又はスクラブ洗浄が挙げられる。本開示の洗浄方法によれば、基板表面に付着した有機物残渣を効率よく除去できる。
(浸漬洗浄)
被洗浄基板の洗浄剤組成物への浸漬条件としては、特に制限はない。例えば、洗浄剤組成物の温度は、作業性及び操業性の観点から、20~100℃が好ましい。例えば、浸漬時間は、有機物残渣の除去性向上、及び生産性の観点から、5秒以上30分以下が好ましく、10秒以上10分以下がより好ましく、100秒以上5分以下が更に好ましい。有機物残渣の除去性向上の観点から、洗浄剤組成物に超音波振動が付与されていると好ましい。超音波の周波数は、有機物残渣の除去性向上の観点から、20~2000kHzが好ましく、40~2000kHzがより好ましく、40~1500kHzが更に好ましい。
(スクラブ洗浄)
スクラブ洗浄の方法としては、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出して、被洗浄基板の表面に洗浄剤組成物を接触させて当該表面を洗浄する方法、洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に射出により供給し、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこする方法、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出により洗浄対象の表面に供給し、かつ、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこする方法が挙げられる。洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に供給する手段としては、例えば、スプレーノズル等の手段を用いることができる。洗浄用ブラシとしては、例えばナイロンブラシやポリビニルアルコール(PVA)スポンジブラシ等を使用できる。超音波の周波数としては、例えば、上述の浸漬洗浄で好ましく採用される値と同様とすることができる。
本開示の洗浄方法は、前記浸漬洗浄及び/又は前記スクラブ洗浄に加えて、揺動洗浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄等の公知の洗浄を用いる工程を1つ以上含んでもよい。
本開示の洗浄方法では、被洗浄基板を一枚ずつ洗浄してもよいが、複数枚の洗浄すべき被洗浄基板を一度にまとめて洗浄してもよい。洗浄の際に用いる洗浄槽の数は1つでも複数でもよい。
[磁気ディスク基板の製造方法]
本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物を用いて上述した被洗浄基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法に関する。
本開示の洗浄組成物及び本開示の洗浄方法は、有機物残渣の除去性に優れているため、磁気ディスク基板の製造方法において、有機物残渣が発生する工程や高度な清浄度が要求される工程で使用されることが好ましく、例えば、研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程、メディア化工程(例えば、磁性層をスパッタリングにより形成する工程)の前の洗浄工程で使用されることが好ましい。
[キット]
本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物を製造するためのキット(以下、「本開示のキット」ともいう)に関する。
本開示のキットの一実施形態としては、成分A及び成分Bを含む溶液を含有するキットが挙げられる。前記溶液に含まれる水(成分B)は、洗浄剤組成物の調製に使用する水の全量でもよいし、一部でもよい。前記溶液は、一又は複数の実施形態において、使用時に必要に応じて水(成分B)で希釈される。前記溶液には、必要に応じて上述した任意成分が含まれていてもよい。本開示のキットでは、例えば、水(成分B)の使用量を調整することにより、洗浄剤組成物中の各成分の濃度を調整することができる。
以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
1.洗浄剤組成物の濃縮物の調製(実施例1~5及び比較例1~4)
表2に示す各成分を配合し混合することにより実施例1~5及び比較例1~4の洗浄剤組成物の濃縮物を調製した。各洗浄剤組成物の濃縮物中の各成分の含有量(質量%、有効分)は、表2に示すとおりである。pHは、25℃における洗浄剤組成物のpHであり、pHメータ(東亜電波工業株式会社、HM-30G)の電極を洗浄剤組成物に浸漬して3分後の数値を測定した。
洗浄剤組成物の濃縮物の調製に用いた界面活性剤A1~A8としては以下のものを用いた。界面活性剤A1~A8の構造式を表1に示した。
A1:ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン2-エチルヘキシルエーテル[炭素数8の分岐アルキル基、EO6モル・PO5モル、PO末端、ダウ・ケミカル社製のTERGITOL EH-6]
A2:ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン2-エチルヘキシルエーテル[炭素数8の分岐アルキル基、EO9モル・PO5モル、PO末端、ダウ・ケミカル社製のTERGITOL EH-9]
A3:ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン2-エチルヘキシルエーテル[炭素数8の分岐アルキル基、EO14モル・PO5モル、PO末端、ダウ・ケミカル社製のTERGITOL EH-14]
A4:ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン2-エチルヘキシルエーテル[炭素数8の分岐アルキル基、EO8モル・PO14モル、PO末端、青木油脂社製のブラウノンNFB-2040]
A5:ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル[炭素数12~14の直鎖アルキル基、EO5モル・PO1.5モル・EO5モル、EO末端、花王社製のエマルゲンLS-110]
A6:ポリオキシエチレン2-エチルヘキシルエーテル[炭素数8の分岐アルキル基、EO9モル、EO末端、日本乳化剤社製のニューコール1008]
A7:ポリオキシエチレンラウリルエーテル[炭素数12の直鎖アルキル基、EO9モル、EO末端]
A8:ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンラウリルエーテル[炭素数12の直鎖アルキル基、EO9モル・PO3モル、PO末端]
Figure 0007294910000001
洗浄剤組成物の濃縮物の調製に用いた成分B~Fには以下のものを用いた。
(成分B)
イオン交換水
(成分C)
水酸化カリウム(KOH)[関東化学株式会社製、鹿特級、固形分48質量%]
(成分D)
N-(β-アミノエチル)エタノールアミン[日本乳化剤株式会社製、アミノアルコール EA]
(成分E)
1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸(HEDP)[イタルマッチジャパン株式会社製、ディクエスト2010]
(成分F)
アクリル酸/2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸共重合体(AA/AMPS)[モル比92/8、分子量2,000]
(成分G)
パラトルエンスルホン酸一水和物[東京化成工業株式会社製]
2.洗浄剤組成物の評価
調製した洗浄剤組成物の洗浄性、有機物の除去性について評価した。
[洗浄性試験方法]
Ni-Pメッキされたアルミニウム合金基板(外径:95mmφ、内径:25mmφ、厚さ:0.80mm)を、下記に示す研磨パッド及び研磨剤組成物を用いて6分間研磨することにより、研磨パッド及び研磨剤組成物由来の有機物が付着した被洗浄基板を用意した。そして、各洗浄剤組成物を用いて前記被洗浄基板の洗浄を行い、各洗浄剤組成物の洗浄性を評価した。洗浄は以下のようにして行った。
[被研磨基板]
被研磨基板として、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが1.27mm、外径が95mm、内径が25mmであり、AFM(Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM)により測定した中心線平均粗さRaが1nm、長波長うねり(波長0.4~2mm)の振幅は2nm、短波長うねり(波長50~400μm)の振幅は2nmであった。
[研磨条件(仕上げ研磨)]
研磨試験機:両面研磨機(スピードファム社製、「両面9B研磨機」)
研磨パッド:フジボウ社製スエードタイプ(発泡層:ポリウレタンエラストマー、厚さ0.9mm、平均開孔径30μm)
研磨液:イオン交換水に水溶性高分子としてポリアクリル酸を1000ppmとなるように添加、撹拌混合した。次に脂肪族アミンとしてヒドロキシエチルピペラジンを100ppmとなるように添加し、撹拌混合した。更にリン酸及び20nmコロイダルシリカを5重量%添加し、研磨液を得た。リン酸添加量はpHが1.5となるように添加した
研磨液組成物供給量:100mL/分(被研磨基板1cm2あたりの供給速度:0.076mL/分)
下定盤回転数:25rpm
研磨荷重:12kPa
研磨時間:6分間
投入した基板の枚数:10枚
<洗浄方法>
(1)調製した洗浄剤組成物の濃縮物を100倍希釈し、洗浄槽に入れ、洗浄槽内の液温が25℃になるように設定した。希釈後の洗浄剤組成物のpHは11.5であった。そして、洗浄槽内の洗浄剤組成物に被洗浄基板を浸漬し、超音波(430kHz)を照射しながら100秒間浸漬洗浄した。
(2)浸漬洗浄した基板を、洗浄ブラシ(PVAブラシ)がセットされたスクラブ洗浄ユニットに移した。そして、洗浄ブラシに25℃の洗浄剤組成物を射出し、該洗浄剤組成物の存在下で洗浄ブラシを被洗浄基板の両面に50rpmで回転させながら押し当てることにより、スクラブ洗浄を25℃で6秒間行った。スクラブ洗浄剤組成物には、浸漬洗浄で用いた洗浄剤組成物と同組成のものを用いた。
(3)スクラブ洗浄した基板を純水ですすいだ後、スピンドライヤーに移し、回転数1400rpmで6秒間かけて完全に基板表面を乾燥させた。
[洗浄性の評価]
10,000rpmで回転している洗浄された基板に、光学式微細欠陥検査装置(Candela6100、KLA-Tencor社製)のMODE Q-Scatterでレーザーを照射して、欠陥数(基板上の異物数)の測定を実施した。各洗浄剤組成物について5枚ずつの基板の表裏合計10点について前記測定を行い、平均値を算出した。比較例1の値を100として相対値を表2に示す。値が小さいほど、欠陥数が少なく、洗浄性に優れると評価できる。
[有機物除去性の評価:DOP(ジオクチルフタレート)溶解量の測定]
まず、表2に示す実施例又は比較例で用いた界面活性剤100ppmを含有する水溶液を、KOHでpH11.5に調整し、ジオクチルフタレート(DOP、Aldich製)100ppmを添加した。DOPの添加直後の水溶液は白濁していた。そして、超音波照射によりDOPを分散させ、5分間経過後の水溶液の透過率を測定し、透過率から溶解量を算出した。算出結果を、比較例1を100とした相対値として表2に示した。値が大きいほど、より多量のDOPが溶解して水溶液は透明に変化するため、有機物に対する溶解性に優れると評価できる。
<条件>
測定装置:紫外可視分光光度計UV-2700(株式会社島津製作所製)
測定条件:測定波長660nm
[有機物除去性の評価:デンプン溶解量の測定]
デンプン溶解性試験を行い、有機物に対する溶解性を評価した。
まず、界面活性剤100ppmを含有する水溶液を、KOHでpH11.5に調整し、デンプン(Aldrich製)100ppmを添加した。ヨウ素を添加してヨウ素デンプン反応により着色させ、吸光度から溶解量を算出した。算出結果を、比較例1を100とした相対値として表2に示した。値が大きいほど、より多量のデンプンが溶けて濃紫色に呈色し、有機物に対する溶解性に優れると評価できる。
<条件>
測定装置:紫外可視分光光度計UV-2700(株式会社島津製作所製)
測定条件:測定波長600nm
Figure 0007294910000002
表2に示すとおり、実施例1~5の洗浄剤組成物は、比較例1~4の洗浄剤組成物に比べて、DOP及びデンプンの溶解性が高かった。そして、実施例1~5の洗浄剤組成物は、洗浄後の基板表面の欠陥数が、比較例1~4の洗浄剤組成物に比べて低減していた。これらの結果から、本開示の洗浄剤組成物は、有機物残渣の除去性に優れ、表面欠陥の発生を抑制できることがわかった。

Claims (9)

  1. 下記式(I)で表される非イオン性界面活性剤及び水を含む磁気ディスク基板用洗浄剤組成物。
    R-O-[(PO)p/(EO)q]-(PO)r-H (I)
    式(I)中、Rは炭素数8以上18以下の分岐アルキル基を示し、EOはエチレンオキシ基、POはプロピレンオキシ基を示す。p、q、rはそれぞれ平均付加モル数を示し、pは0以上10以下の整数、qは1以上15以下の整数、rは1以上15以下の整数を示し、p+rは1以上25以下の整数を示す。[(PO)p/(EO)q]におけるPOとEOの付加形態はブロックである
  2. 式(I)中のRは、2-エチルヘキシル基である、請求項に記載の洗浄剤組成物。
  3. pH調整剤をさらに含む、請求項1又は2に記載の洗浄剤組成物。
  4. 水溶性有機溶剤を実質的に含まない、請求項1からのいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  5. 洗浄剤組成物の洗浄時における非イオン性界面活性剤の含有量は、0.001質量%以上1質量%以下である、請求項1からのいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  6. 洗浄剤組成物のpHは9以上である、請求項1からのいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  7. 水溶性アミン、キレート剤、分散剤、及び溶解促進剤から選ばれる少なくとも1種をさらに含む、請求項1からのいずれかに記載の洗浄剤組成物。
  8. 請求項1からのいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含む、基板の洗浄方法。
  9. 請求項1からのいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。
JP2019115529A 2019-06-21 2019-06-21 磁気ディスク基板用洗浄剤組成物 Active JP7294910B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019115529A JP7294910B2 (ja) 2019-06-21 2019-06-21 磁気ディスク基板用洗浄剤組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019115529A JP7294910B2 (ja) 2019-06-21 2019-06-21 磁気ディスク基板用洗浄剤組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021002417A JP2021002417A (ja) 2021-01-07
JP7294910B2 true JP7294910B2 (ja) 2023-06-20

Family

ID=73995573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019115529A Active JP7294910B2 (ja) 2019-06-21 2019-06-21 磁気ディスク基板用洗浄剤組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7294910B2 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009084509A (ja) 2007-10-02 2009-04-23 Kao Corp ハードディスク用基板用の洗浄剤組成物
JP2011105824A (ja) 2009-11-16 2011-06-02 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 硬質表面用洗浄剤組成物
JP2018080214A (ja) 2016-11-14 2018-05-24 日油株式会社 硬質表面用洗浄剤組成物
WO2019111625A1 (ja) 2017-12-08 2019-06-13 花王株式会社 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009084509A (ja) 2007-10-02 2009-04-23 Kao Corp ハードディスク用基板用の洗浄剤組成物
JP2011105824A (ja) 2009-11-16 2011-06-02 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 硬質表面用洗浄剤組成物
JP2018080214A (ja) 2016-11-14 2018-05-24 日油株式会社 硬質表面用洗浄剤組成物
WO2019111625A1 (ja) 2017-12-08 2019-06-13 花王株式会社 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021002417A (ja) 2021-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI490332B (zh) Alkaline detergent compositions for hard surfaces
KR101966635B1 (ko) 반도체 기판용 세정제 및 반도체 기판 표면의 처리방법
JP5364319B2 (ja) アルカリ型非イオン性界面活性剤組成物
JP6234673B2 (ja) ガラス基板の洗浄方法
JP5819638B2 (ja) 電子材料基板用酸性洗浄剤組成物
JP5280774B2 (ja) 垂直磁気記録方式ハードディスク用基板用水系洗浄剤組成物
JP5979744B2 (ja) ハードディスク製造方法
JP5403890B2 (ja) ハードディスク用基板用の洗浄剤組成物
JP2011057833A (ja) 洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法
KR102612276B1 (ko) 실리콘 기판의 연마 방법 및 연마용 조성물 세트
JP5414577B2 (ja) 硬質表面用アルカリ洗浄剤組成物
JP6847657B2 (ja) 半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物
JP7294910B2 (ja) 磁気ディスク基板用洗浄剤組成物
JP2014141668A (ja) 電子材料用洗浄剤
JP5086450B2 (ja) 磁気ディスク基板用洗浄剤
JP2014141669A (ja) 電子材料用洗浄剤
JP7294860B2 (ja) 磁気ディスク基板用洗浄剤組成物
JP5500911B2 (ja) ハードディスク基板用洗浄剤組成物、およびハードディスク基板の洗浄方法
US10570355B2 (en) Cleaning agent composition for glass hard disk substrate
JP2015063677A (ja) 磁気ディスク基板用洗浄剤
JP2014199688A (ja) 磁気ディスク基板用洗浄剤
JP2014101410A (ja) 磁気ディスク基板用洗浄剤
JP6208575B2 (ja) 洗浄剤組成物
JP6239973B2 (ja) ガラスハードディスク基板の製造方法
JP2012219186A (ja) ハードディスク基板用洗浄剤

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220307

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230303

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230314

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230511

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230606

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230608

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7294910

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151