KR20200063060A - 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 - Google Patents

신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20200063060A
KR20200063060A KR1020190150702A KR20190150702A KR20200063060A KR 20200063060 A KR20200063060 A KR 20200063060A KR 1020190150702 A KR1020190150702 A KR 1020190150702A KR 20190150702 A KR20190150702 A KR 20190150702A KR 20200063060 A KR20200063060 A KR 20200063060A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
layer
compound
light emitting
mmol
Prior art date
Application number
KR1020190150702A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102340254B1 (ko
Inventor
정민우
이동훈
장분재
홍완표
서상덕
이정하
한수진
박슬찬
황성현
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to US17/281,335 priority Critical patent/US20210399232A1/en
Priority to CN201980067110.0A priority patent/CN112839939B/zh
Priority to PCT/KR2019/016161 priority patent/WO2020111673A1/ko
Priority to JP2021516672A priority patent/JP7088446B2/ja
Priority to EP19889808.2A priority patent/EP3854792A4/en
Priority to TW108142716A priority patent/TWI706948B/zh
Publication of KR20200063060A publication Critical patent/KR20200063060A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102340254B1 publication Critical patent/KR102340254B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D487/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/14—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D407/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00
    • C07D407/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D413/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D413/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D417/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D415/00
    • C07D417/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D415/00 containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/12—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D487/14—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D491/04—Ortho-condensed systems
    • C07D491/044—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring
    • C07D491/048—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring the oxygen-containing ring being five-membered
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
    • C07D493/22—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/22—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D498/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D498/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D498/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D513/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D519/00—Heterocyclic compounds containing more than one system of two or more relevant hetero rings condensed among themselves or condensed with a common carbocyclic ring system not provided for in groups C07D453/00 or C07D455/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H01L51/0071—
    • H01L51/0072—
    • H01L51/5012—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자{NOVEL COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다.
유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
한국특허 공개번호 제10-2000-0051826호
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
X1은 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, 단 이들 중 1 이상은 N이고,
X2는 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, 단 이들 중 1 이상은 N이고,
Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고,
Ar5는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고,
R1은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 치환 또는 비치환된 C3-60 사이클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고,
n은 0 내지 4의 정수이다.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입 및 수송, 발광, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자차단층(9), 발광층(7), 전자수송층(8), 전자주입층(10) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.
본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 명세서에서,
Figure pat00002
,
Figure pat00003
, 또는
Figure pat00004
는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00005
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00006
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00007
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸,사이클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00008
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
바람직하게는, Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 페닐; 비페닐; 또는 나프틸일 수 있다.
바람직하게는, Ar1 내지 Ar4는 모두 페닐일 수 있다.
바람직하게는, Ar5는 페닐; 비페닐; 나프틸; 디벤조퓨라닐; 또는 디벤조티오페닐일 수 있다.
바람직하게는, Ar5는 페닐일 수 있다.
바람직하게는, X1은 모두 N일 수 있다.
바람직하게는, X2는 모두 N일 수 있다.
바람직하게는, n은 0일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있다:
Figure pat00009
Figure pat00010
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다.
[반응식 1]
Figure pat00011
상기 반응식 1에서, 치환기에 대한 정의는 앞서 설명한 바와 같고, 상기 제조 방법은 후술할 합성예에서 보다 구체화될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물 층은 정공주입층, 정공수송층, 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층 또는 전자차단층을 포함할 수 있고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층 또는 전자차단층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물 층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 이때, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에서 호스트 물질로 사용될 수 있으며, 더욱 구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 녹색 유기 발광 소자의 발광층에 사용되는 호스트로 사용될 수 있다.
또한, 상기 발광층은 2종 이상의 호스트를 포함할 수 있으며, 상기 발광층이 2종 이상의 호스트를 포함한 경우, 상기 호스트 중 1종 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
또한, 상기 유기물 층은 정공차단층, 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층을 포함할 수 있고, 상기 정공차단층, 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물 층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 내지 3에 예시되어 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 중 1층 이상에 포함될 수 있다.
도 3은 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자차단층(9), 발광층(7), 전자수송층(8), 전자주입층(10) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 중 1층 이상에 포함될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
일례로, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자차단층은 상기 정공수송층 상에 형성되어, 바람직하게는 발광층에 접하여 구비되어, 정공 이동도를 조절하고, 전자의 과다한 이동을 방지하여 정공-전자간 결합 확률을 높여줌으로써 유기 발광 소자의 효율을 개선하는 역할을 한다. 상기 전자차단층은 전자 차단 물질을 포함하고, 이러한 전자 차단 물질로는 발광층에서 전자가 흘러나오지 않을 수 있는 안정된 구조를 갖는 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공차단층은 상기 발광층 상에 형성되어, 구체적으로 상기 정공차단층은 발광층에 접하여 구비되어, 정공의 과다한 이동을 방지하여 정공-전자간 결합 확률을 높여줌으로써 유기 발광 소자의 효율을 개선하는 역할을 한다. 상기 정공차단층은 정공 차단 물질을 포함하고, 이러한 정공 차단 물질로는 발광층에서 정공이 흘러나오지 않을 수 있는 안정된 구조를 갖는 물질이 적합하다. 상기 정공 차단 물질로는 트리아진을 포함한 아진류 유도체; 트리아졸 유도체; 옥사디아졸 유도체; 페난트롤린 유도체; 포스핀옥사이드 유도체 등의 전자흡인기가 도입된 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[합성예]
합성예 1: 화합물 1 의 제조
Figure pat00012
1) 화합물 1-1의 제조
질소 분위기에서 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine(30 g, 107.2 mmol)와 (3-chloro-4-fluorophenyl)boronic acid(18.6 g, 107.2mmol)를 테트라하이드로퓨란 600ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘카보네이트(44.4 g, 321.5mmol)를 물44 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(3.7 g, 3.2mmol)을 투입하였다. 1시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시클로로포름 20배 971 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트재결정을 통해 흰색의 고체 화합물 1-1(27.5g, 71%, MS: [M+H]+ = 362.1)을 제조하였다.
2) 화합물 1-2의 제조
질소 분위기에서 1-1(30 g, 83.1 mmol)와 비스(피나콜라토)디보론(21.1 g, 83.1mmol)를 Diox 600ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘아세테이트(24 g, 249.3mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 팔라듐디벤질리덴아세톤팔라듐(1.4 g, 2.5mmol) 및 트리시클로헥실포스핀 (1.4 g, 5mmol) 을 투입하였다. 6시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층을 필터처리하여 염을 제거 한 후 걸러진 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름 10 배 377 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에탄올재결정을 통해 흰색의 고체 화합물 1-2(20g, 53%, MS: [M+H]+ = 454.2)을 제조하였다.
3) 화합물 1-3의 제조
질소 분위기에서 1-1(20 g, 44.1 mmol)와 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine(11.8 g, 44.1mmol)를 테트라하이드로퓨란 400ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘카보네이트(18.3 g, 132.4mmol)를 물18 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(1.5 g, 1.3mmol)을 투입하였다. 2시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시클로로포름 20배 493 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트재결정을 통해 흰색의 고체 화합물 1-3(15.5g, 63%, MS: [M+H]+ = 559.2)을 제조하였다.
4) 화합물 1의 제조
질소 분위기에서 1-3(10 g, 17.9 mmol)와 4-phenyl-9H-carbazole(4.4 g, 17.9mmol)를 다이메틸포름아마이드 200ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 나트륨 터셔리-부톡사이드 (11.4 g, 53.7mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리 터셔리-부틸포스핀)팔라듐(0.3 g, 0.5mmol) 을 투입하였다. 5시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층을 필터처리하여 염을 제거 한 후 걸러진 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름 10 배 140 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용하여 실리카 컬럼을 통해 정제하여 노랑의 고체 화합물 Compound 1(8.4g, 60%, MS: [M+H]+ = 782.3)을 제조하였다.
합성예 2: 화합물 2 의 제조
Figure pat00013
1) 화합물 2-1의 제조
질소 분위기에서 2-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine(30 g, 87.4 mmol)와 (3-chloro-4-fluorophenyl)boronic acid(15.2 g, 87.4mmol)를 테트라하이드로퓨란 600ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘카보네이트(36.3 g, 262.3mmol)를 물36 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(3 g, 2.6mmol)을 투입하였다. 2시간 반웅 후 상온으로 식인 후 생성된 고체를 여과하였다. 고체를 클로로포름 20배 764 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트재결정을 통해 흰색의 고체 화합물 2-1(30.2g, 79%, MS: [M+H]+ = 438.1)을 제조하였다.
2) 화합물 2-2의 제조
질소 분위기에서 2-1(30 g, 68.6 mmol)와 비스(피나콜라토)디보론(17.4 g, 68.6mmol)를 Diox 600ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘아세테이트(19.8 g, 205.9mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 팔라듐디벤질리덴아세톤팔라듐(1.2 g, 2.1mmol) 및 트리시클로헥실포스핀 (1.2 g, 4.1mmol) 을 투입하였다. 7시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층을 필터처리하여 염을 제거 한 후 걸러진 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름 10 배 363 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에탄올재결정을 통해 흰색의 고체 화합물 2-2(29.1g, 80%, MS: [M+H]+ = 530.2)을 제조하였다.
3) 화합물 2-3의 제조
질소 분위기에서 2-2(20 g, 37.8 mmol)와 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine(10.1 g, 37.8mmol)를 테트라하이드로퓨란 400ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘카보네이트(15.7 g, 113.4mmol)를 물16 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(1.3 g, 1.1mmol)을 투입하였다. 3시간 반웅 후 상온으로 식인 후 생성된 고체를 여과하였다. 고체를 클로로포름 20배 479 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트재결정을 통해 흰색의 고체 화합물 2-3(17.3g, 72%, MS: [M+H]+ = 635.2)을 제조하였다.
4) 화합물 2의 제조
질소 분위기에서 2-3(10 g, 15.8 mmol)와 4-phenyl-9H-carbazole(3.8 g, 15.8mmol)를 다이메틸포름아마이드 200ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 나트륨 터셔리-부톡사이드 (10 g, 47.3mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리 터셔리-부틸포스핀)팔라듐(0.2 g, 0.5mmol) 을 투입하였다. 5시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층을 필터처리하여 염을 제거 한 후 걸러진 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름 10 배 135 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용하여 실리카 컬럼을 통해 정제하여 노랑의 고체 화합물 Compound 2(9.9g, 73%, MS: [M+H]+ = 858.3)을 제조하였다.
합성예 3: 화합물 3 의 제조
Figure pat00014
1) 화합물 3-1의 제조
질소 분위기에서 2-([1,1'-biphenyl]-3-yl)-4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine(30 g, 87.4 mmol)와 (3-chloro-4-fluorophenyl)boronic acid(15.2 g, 87.4mmol)를 테트라하이드로퓨란 600ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘카보네이트(36.3 g, 262.3mmol)를 물36 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(3 g, 2.6mmol)을 투입하였다. 2시간 반웅 후 상온으로 식인 후 생성된 고체를 여과하였다. 고체를 클로로포름 20배 764 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트재결정을 통해 흰색의 고체 화합물 3-1(22.2g, 58%, MS: [M+H]+ = 438.1)을 제조하였다.
2) 화합물 3-2의 제조
질소 분위기에서 3-1(30 g, 68.6 mmol)와 비스(피나콜라토)디보론(17.4 g, 68.6mmol)를 Diox 600ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘아세테이트(19.8 g, 205.9mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 팔라듐디벤질리덴아세톤팔라듐(1.2 g, 2.1mmol) 및 트리시클로헥실포스핀 (1.2 g, 4.1mmol) 을 투입하였다. 6시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층을 필터처리하여 염을 제거 한 후 걸러진 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름 10 배 363 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에탄올재결정을 통해 흰색의 고체 화합물 3-2(21.1g, 58%, MS: [M+H]+ = 530.2)을 제조하였다.
3) 화합물 3-3의 제조
질소 분위기에서 3-2(20 g, 37.8 mmol)와 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine(10.1 g, 37.8mmol)를 테트라하이드로퓨란 400ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘카보네이트(15.7 g, 113.4mmol)를 물16 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(1.3 g, 1.1mmol)을 투입하였다. 1시간 반웅 후 상온으로 식인 후 생성된 고체를 여과하였다. 고체를 클로로포름 20배 479 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트재결정을 통해 흰색의 고체 화합물 3-3(15.8g, 66%, MS: [M+H]+ = 635.2)을 제조하였다.
4) 화합물 3의 제조
질소 분위기에서 3-3(10 g, 15.8 mmol)와 4-phenyl-9H-carbazole(3.8 g, 15.8mmol)를 다이메틸포름아마이드 200ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 나트륨 터셔리-부톡사이드 (10 g, 47.3mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리 터셔리-부틸포스핀)팔라듐(0.2 g, 0.5mmol) 을 투입하였다. 3시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층을 필터처리하여 염을 제거 한 후 걸러진 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름 10 배 135 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용하여 실리카 컬럼을 통해 정제하여 노랑의 고체 화합물 Compound 3(8.1g, 60%, MS: [M+H]+ = 858.3)을 제조하였다.
합성예 4: 화합물 4 의 제조
Figure pat00015
1) 화합물 4-1의 제조
질소 분위기에서 1-2(20 g, 44.1 mmol)와 2-chloro-4-(naphthalen-1-yl)-6-phenyl-1,3,5-triazine(14 g, 44.1mmol)를 테트라하이드로퓨란 400ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘카보네이트(18.3 g, 132.4mmol)를 물18 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(1.5 g, 1.3mmol)을 투입하였다. 3시간 반웅 후 상온으로 식인 후 생성된 고체를 여과하였다. 고체를 클로로포름 20배 537 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트재결정을 통해 흰색의 고체 화합물 4-1(19.3g, 72%, MS: [M+H]+ = 609.2)을 제조하였다.
2) 화합물 4의 제조
질소 분위기에서 4-1(10 g, 16.4 mmol)와 4-phenyl-9H-carbazole(4 g, 16.4mmol)를 다이메틸포름아마이드 200ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 나트륨 터셔리-부톡사이드 (10.5 g, 49.3mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리 터셔리-부틸포스핀)팔라듐(0.3 g, 0.5mmol) 을 투입하였다. 6시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층을 필터처리하여 염을 제거 한 후 걸러진 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름 10 배 141 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용하여 실리카 컬럼을 통해 정제하여 노랑의 고체 화합물 Compound 4(10g, 71%, MS: [M+H]+ = 858.3)을 제조하였다.
합성예 5: 화합물 5 의 제조
Figure pat00016
1) 화합물 5-1의 제조
질소 분위기에서 1-2(20 g, 44.1 mmol)와 2-chloro-4,6-di(naphthalen-2-yl)-1,3,5-triazine(16.2 g, 44.1mmol)를 테트라하이드로퓨란 400ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘카보네이트(18.3 g, 132.4mmol)를 물18 ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(1.5 g, 1.3mmol)을 투입하였다. 2시간 반웅 후 상온으로 식인 후 생성된 고체를 여과하였다. 고체를 클로로포름 20배 581 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트재결정을 통해 흰색의 고체 화합물 5-1(18.9g, 65%, MS: [M+H]+ = 659.2)을 제조하였다.
2) 화합물 5의 제조
질소 분위기에서 5-1(10 g, 15.2 mmol)와 4-phenyl-9H-carbazole(3.7 g, 15.2mmol)를 다이메틸포름아마이드 200ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 나트륨 터셔리-부톡사이드 (9.7 g, 45.6mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리 터셔리-부틸포스핀)팔라듐(0.2 g, 0.5mmol) 을 투입하였다. 7시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층을 필터처리하여 염을 제거 한 후 걸러진 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름 10 배 134 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용하여 실리카 컬럼을 통해 정제하여 노랑의 고체 화합물 Compound 5(7.6g, 57%, MS: [M+H]+ = 882.3)을 제조하였다.
합성예 6: 화합물 6 의 제조
Figure pat00017
질소 분위기에서 1-3(10 g, 17.9 mmol)와 4-(dibenzo[b,d]furan-4-yl)-9H-carbazole(6 g, 17.9mmol)를 다이메틸포름아마이드 200ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 나트륨 터셔리-부톡사이드 (11.4 g, 53.7mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리 터셔리-부틸포스핀)팔라듐(0.3 g, 0.5mmol) 을 투입하였다. 6시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층을 필터처리하여 염을 제거 한 후 걸러진 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름 10 배 156 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용하여 실리카 컬럼을 통해 정제하여 노랑의 고체 화합물 Compound 6(10g, 64%, MS: [M+H]+ = 872.3)을 제조하였다.
합성예 7: 화합물 7 의 제조
Figure pat00018
질소 분위기에서 1-3(10 g, 17.9 mmol)와 4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)-9H-carbazole(6.3 g, 17.9mmol)를 다이메틸포름아마이드 200ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 나트륨 터셔리-부톡사이드 (11.4 g, 53.7mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리 터셔리-부틸포스핀)팔라듐(0.3 g, 0.5mmol) 을 투입하였다. 4시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층을 필터처리하여 염을 제거 한 후 걸러진 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름 10 배 159 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용하여 실리카 컬럼을 통해 정제하여 노랑의 고체 화합물 Compound 7(11.9g, 75%, MS: [M+H]+ = 888.3)을 제조하였다.
합성예 8: 화합물 8 의 제조
Figure pat00019
질소 분위기에서 1-3(10 g, 17.9 mmol)와 4-(naphthalen-2-yl)-9H-carbazole(5.3 g, 17.9mmol)를 다이메틸포름아마이드 200ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 나트륨 터셔리-부톡사이드 (11.4 g, 53.7mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리 터셔리-부틸포스핀)팔라듐(0.3 g, 0.5mmol) 을 투입하였다. 7시간 반웅 후 상온으로 식인 후 유기층을 필터처리하여 염을 제거 한 후 걸러진 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름 10 배 149 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용하여 실리카 컬럼을 통해 정제하여 노랑의 고체 화합물 Compound 8(10.4g, 70%, MS: [M+H]+ = 832.3)을 제조하였다.
합성예 9: 비교예 화합물 2 의 제조
Figure pat00020
질소 분위기에서 1-3(10 g, 17.9 mmol)와 2-phenyl-9H-carbazole(4.4 g, 17.9mmol)를 다이메틸포름아마이드 200ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 나트륨 터셔리-부톡사이드 (11.4 g, 53.7mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리 터셔리-부틸포스핀)팔라듐(0.3 g, 0.5mmol) 을 투입하였다. 3시간 반웅 후 상온으로 식인 후 생성된 고체를 여과하였다. 고체를 클로로포름 30 배 420 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용하여 실리카 컬럼을 통해 정제하여 노랑의 고체 화합물 CE 2(8.4g, 60%, MS: [M+H]+ = 782.3)을 제조하였다.
합성예 10: 비교예 화합물 3 의 제조
Figure pat00021
질소 분위기에서 1-3(10 g, 17.9 mmol)와 3-phenyl-9H-carbazole(6.3 g, 17.9mmol)를 다이메틸포름아마이드 200ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 나트륨 터셔리-부톡사이드 (11.4 g, 53.7mmol)를투입하고 충분히 교반한 후 비스(트리 터셔리-부틸포스핀)팔라듐(0.3 g, 0.5mmol) 을 투입하였다. 6시간 반웅 후 상온으로 식인 후 생성된 고체를 여과하였다. 고체를 클로로포름 30 배 420 mL에 투입하여 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용하여 실리카 컬럼을 통해 정제하여 노랑의 고체 화합물 CE 3(7g, 50%, MS: [M+H]+ = 782.3)을 제조하였다.
[실험예]
<실험예 1>
ITO(indium tin oxide)가 1,300Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 HI-1 화합물을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 위에 하기 HT-1 화합물을 250Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공수송층을 형성하고, HT-1 증착막 위에 하기 HT-2 화합물을 50Å 두께로 진공 증착하여 전자차단층을 형성하였다. 상기 HT-2 증착막 위에 발광층으로서 앞서 합성예 1에서 제조한 화합물 1, 하기 YGH-1 화합물, 및 인광도펀트 YGD-1을 44:44:12의 중량비로 공증착하여 400Å 두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 하기 ET-1 화합물을 250Å의 두께로 진공 증착하여 전자수송층을 형성하고, 상기 전자수송층 위에 하기 ET-2 화합물 및 Li를 98:2의 중량비로 진공 증착하여 100Å 두께의 전자주입층을 형성하였다. 상기 전자주입층 위에 1000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
Figure pat00022
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.
<실험예 2 내지 8>
상기 실험예 1에서 합성예 1의 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
<비교 실험예 1 내지 3>
상기 실험예 1에서 합성예 1의 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 하기 표 1의 CE1 내지 CE3의 화합물은 하기와 같다.
Figure pat00023
상기 실험예 및 비교실험예에서 유기 발광 소자를 10mA/cm2의 전류 밀도에서 전압과 효율을 측정하였고, 50mA/cm2의 전류 밀도에서 수명을 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 이때, LT95는 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간을 의미한다
화합물 전압(V)
(@10mA/cm2)		 효율(Cd/A)
(@10mA/cm2)		 색좌표
(x,y)		 수명(h)
(LT95 at 50mA/cm2)
실험예 1 화합물 1 4.1 91 0.44, 0.51 195
실험예 2 화합물 2 4.2 90 0.46, 0.53 183
실험예 3 화합물 3 4.1 91 0.46, 0.54 197
실험예 4 화합물 4 4.3 89 0.46, 0.54 165
실험예 5 화합물 5 4.4 88 0.46, 0.53 177
실험예 6 화합물 6 4.3 85 0.46, 0.53 164
실험예 7 화합물 7 4.4 89 0.46, 0.54 145
실험예 8 화합물 8 4.5 87 0.46, 0.54 140
비교실험예 1 CE1 4.7 70 0.46, 0.54 39
비교실험예 2 CE2 4.5 83 0.46, 0.55 115
비교실험예 3 CE3 4.5 83 0.46, 0.55 126
상기 표 1에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 화합물을 발광층 물질로 사용할 경우, 비교 실험예에 비하여 효율 및 수명이 우수한 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있었다. 이는 해당 유도체들이 분자 내 오비탈간에 추가적인 결합을 통해 전자안정성이 증가되었기 때문인 것으로 보인다.
또한, 카바졸 치환기의 치환위치 중 4번위치에 결합이 형성될 때 수명특성이 가장 우수한 것을 확인할 수 있는데, 이는 상술한 바와 같은 전자 안정성의 증가 현상이 이러한 구조에서 가장 증가되기 때문인 것으로 보인다.
1: 기판 2: 양극
3: 발광층 4: 음극
5: 정공주입층 6: 정공수송층
7: 발광층 8: 전자수송층
9: 전자차단층 10: 전자주입층

Claims (10)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00024

    상기 화학식 1에서,
    X1은 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, 단 이들 중 1 이상은 N이고,
    X2는 각각 독립적으로 N 또는 CH이고, 단 이들 중 1 이상은 N이고,
    Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고,
    Ar5는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고,
    R1은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 치환 또는 비치환된 C3-60 사이클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고,
    n은 0 내지 4의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 페닐; 비페닐; 또는 나프틸인, 화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    Ar1 내지 Ar4는 모두 페닐인, 화합물.
  4. 제1항에 있어서,
    Ar5는 페닐; 비페닐; 나프틸; 디벤조퓨라닐; 또는 디벤조티오페닐인, 화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    Ar5는 페닐인, 화합물.
  6. 제1항에 있어서,
    X1은 모두 N인, 화합물.
  7. 제1항에 있어서,
    X2는 모두 N인, 화합물.
  8. 제1항에 있어서,
    n은 0인, 화합물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 화합물:
    Figure pat00025

    Figure pat00026
    .
  10. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 제1항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
KR1020190150702A 2018-11-27 2019-11-21 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 KR102340254B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/281,335 US20210399232A1 (en) 2018-11-27 2019-11-22 Novel compound and organic light emitting device comprising the same
CN201980067110.0A CN112839939B (zh) 2018-11-27 2019-11-22 新的化合物和包含其的有机发光器件
PCT/KR2019/016161 WO2020111673A1 (ko) 2018-11-27 2019-11-22 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
JP2021516672A JP7088446B2 (ja) 2018-11-27 2019-11-22 新規な化合物およびこれを利用した有機発光素子
EP19889808.2A EP3854792A4 (en) 2018-11-27 2019-11-22 NEW COMPOUND AND ORGANIC LIGHT DIODE USING IT
TW108142716A TWI706948B (zh) 2018-11-27 2019-11-25 新式的化合物以及包含此化合物的有機發光裝置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180148563 2018-11-27
KR20180148563 2018-11-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200063060A true KR20200063060A (ko) 2020-06-04
KR102340254B1 KR102340254B1 (ko) 2021-12-17

Family

ID=71080723

Family Applications (8)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190140736A KR102331904B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-06 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR1020190142729A KR102311642B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-08 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR1020190142728A KR102341765B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-08 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR1020190142730A KR102341766B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-08 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR1020190145261A KR102265929B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-13 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR1020190145978A KR102352825B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-14 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR1020190150702A KR102340254B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-21 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR1020190153522A KR102341767B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-26 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자

Family Applications Before (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190140736A KR102331904B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-06 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR1020190142729A KR102311642B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-08 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR1020190142728A KR102341765B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-08 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR1020190142730A KR102341766B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-08 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR1020190145261A KR102265929B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-13 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR1020190145978A KR102352825B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-14 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190153522A KR102341767B1 (ko) 2018-11-27 2019-11-26 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자

Country Status (6)

Country Link
US (3) US20210355128A1 (ko)
EP (2) EP3854792A4 (ko)
JP (1) JP7088446B2 (ko)
KR (8) KR102331904B1 (ko)
CN (8) CN112789273B (ko)
TW (2) TWI706948B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102331904B1 (ko) * 2018-11-27 2021-11-26 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
WO2020111602A1 (ko) 2018-11-27 2020-06-04 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
CN112724125B (zh) * 2019-10-28 2023-03-24 广州华睿光电材料有限公司 含氮有机化合物及其应用
TW202124389A (zh) * 2019-12-27 2021-07-01 日商日鐵化學材料股份有限公司 有機電場發光元件用材料及有機電場發光元件
KR20220119390A (ko) * 2019-12-27 2022-08-29 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자
CN114105992B (zh) * 2021-06-18 2023-11-14 陕西莱特迈思光电材料有限公司 含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置
EP4363413A1 (en) * 2021-07-01 2024-05-08 Samsung Display Co., Ltd. Organic molecules for optoelectronic devices
CN113735793B (zh) * 2021-09-24 2022-12-13 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种包含苯并五元杂环的化合物及其有机电致发光器件
WO2023149635A1 (en) * 2022-02-02 2023-08-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic molecules for optoelectronic devices
WO2024101921A1 (ko) * 2022-11-09 2024-05-16 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN117603192A (zh) * 2023-01-11 2024-02-27 陕西莱特光电材料股份有限公司 有机化合物、组合物、有机电致发光器件及电子装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000051826A (ko) 1999-01-27 2000-08-16 성재갑 신규한 착물 및 그의 제조 방법과 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20140014959A (ko) * 2012-07-27 2014-02-06 (주)피엔에이치테크 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
KR20180047306A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 성균관대학교산학협력단 지연형광 재료 및 이를 포함하는 유기 발광장치
KR20200063053A (ko) * 2018-11-27 2020-06-04 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1829871B1 (en) * 2004-12-24 2015-08-12 Pioneer Corporation Organic compound, charge-transporting material, and organic electroluminescent element
DE102007024850A1 (de) * 2007-05-29 2008-12-04 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP5317471B2 (ja) * 2007-12-27 2013-10-16 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5317470B2 (ja) * 2007-12-27 2013-10-16 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101801048B1 (ko) * 2009-06-08 2017-11-28 에스에프씨 주식회사 인돌로카바졸 유도체 및 이를 이용한 유기전계발광소자
JP4474493B1 (ja) * 2009-07-31 2010-06-02 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
EP3389110B1 (en) * 2009-07-31 2023-12-27 UDC Ireland Limited Organic electroluminescent element
JP4729642B1 (ja) * 2010-07-09 2011-07-20 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
KR102093611B1 (ko) * 2010-11-24 2020-03-27 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 소자용 재료
KR20120109744A (ko) * 2011-03-25 2012-10-09 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101396171B1 (ko) * 2011-05-03 2014-05-27 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하는 유기 전계 발광 소자
KR20130020398A (ko) * 2011-08-19 2013-02-27 제일모직주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
KR101627748B1 (ko) * 2013-05-27 2016-06-07 제일모직 주식회사 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
KR20150061174A (ko) * 2013-11-26 2015-06-04 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101773936B1 (ko) * 2014-03-05 2017-09-01 주식회사 스킨앤스킨 신규한 유기발광화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
CN106062127B (zh) * 2014-03-07 2019-07-19 九州有机光材股份有限公司 发光材料、有机发光元件及化合物
KR101729660B1 (ko) * 2014-05-09 2017-04-26 (주)씨엠디엘 신규한 유기 전계 발광 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 및 전자 기기
KR101820932B1 (ko) * 2014-10-08 2018-01-22 주식회사 알파켐 신규한 발광용 호스트 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102154878B1 (ko) * 2014-12-02 2020-09-10 두산솔루스 주식회사 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN113773307A (zh) * 2015-03-27 2021-12-10 辛诺拉有限公司 邻位取代热激活延迟荧光材料以及包括此的有机发光元件
US10403826B2 (en) * 2015-05-07 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6975639B2 (ja) * 2015-05-08 2021-12-01 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH π共役系化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、発光材料、発光性薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR20170060836A (ko) * 2015-11-25 2017-06-02 에스케이케미칼주식회사 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
KR102510282B1 (ko) * 2015-12-24 2023-03-16 솔루스첨단소재 주식회사 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
CN105399696B (zh) * 2015-12-25 2019-12-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机电致发光化合物及其有机光电装置
DE102016112377B4 (de) * 2016-07-06 2020-06-04 Cynora Gmbh Organische Moleküle, insbesondere zur Verwendung in organischen optoelektronischen Vorrichtungen
CN107880028B (zh) * 2016-09-30 2021-03-02 中节能万润股份有限公司 一种以氮杂苯为核心的化合物及有机电致发光器件
US10833276B2 (en) 2016-11-21 2020-11-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102533792B1 (ko) * 2016-12-09 2023-05-19 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20180092035A (ko) * 2017-02-08 2018-08-17 주식회사 두산 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR20180098809A (ko) * 2017-02-27 2018-09-05 삼성전자주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US11584739B2 (en) * 2017-06-23 2023-02-21 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
EP3530659B1 (en) * 2017-07-14 2023-04-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic molecules, in particular for use in optoelectronic devices
EP3476915A1 (en) * 2017-10-30 2019-05-01 Cynora Gmbh Organic molecules, in particular for use in optoelectronic devices
CN107987009A (zh) * 2017-11-28 2018-05-04 上海道亦化工科技有限公司 一种咔唑衍生物及其用途和有机电致发光器件
CN107935914A (zh) * 2017-11-28 2018-04-20 上海道亦化工科技有限公司 一种二咔唑苯衍生物及其用途和有机电致发光器件
KR101926771B1 (ko) 2018-03-02 2018-12-07 주식회사 진웅산업 열활성지연형광 특성을 갖는 인광 그린호스트 물질을 포함하는 유기발광소자
KR102278235B1 (ko) * 2018-10-26 2021-07-16 주식회사 엘지화학 중수소 함유 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000051826A (ko) 1999-01-27 2000-08-16 성재갑 신규한 착물 및 그의 제조 방법과 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20140014959A (ko) * 2012-07-27 2014-02-06 (주)피엔에이치테크 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
KR20180047306A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 성균관대학교산학협력단 지연형광 재료 및 이를 포함하는 유기 발광장치
KR20200063053A (ko) * 2018-11-27 2020-06-04 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR102352825B1 (ko) 2022-01-18
JP2022500481A (ja) 2022-01-04
KR20200063049A (ko) 2020-06-04
KR20200063053A (ko) 2020-06-04
EP3854792A4 (en) 2021-11-10
TW202026291A (zh) 2020-07-16
CN112673005B (zh) 2023-10-10
EP3842428A1 (en) 2021-06-30
CN112789273B (zh) 2023-12-29
CN112771033B (zh) 2024-01-23
CN112771033A (zh) 2021-05-07
CN112714763A (zh) 2021-04-27
KR102311642B1 (ko) 2021-10-12
EP3842428A4 (en) 2021-11-03
CN112789273A (zh) 2021-05-11
CN112673004A (zh) 2021-04-16
EP3854792A1 (en) 2021-07-28
KR102341766B1 (ko) 2021-12-22
US20210399232A1 (en) 2021-12-23
TWI706948B (zh) 2020-10-11
KR102265929B1 (ko) 2021-06-16
KR20200063050A (ko) 2020-06-04
CN112703189A (zh) 2021-04-23
CN112739693B (zh) 2023-09-19
KR102341765B1 (ko) 2021-12-22
CN112673004B (zh) 2023-12-15
CN112839939B (zh) 2024-01-19
CN112839939A (zh) 2021-05-25
KR102340254B1 (ko) 2021-12-17
KR20200063048A (ko) 2020-06-04
JP7088446B2 (ja) 2022-06-21
US20210355128A1 (en) 2021-11-18
US20210363132A1 (en) 2021-11-25
TWI707943B (zh) 2020-10-21
CN112703189B (zh) 2023-10-31
KR102341767B1 (ko) 2021-12-22
KR102331904B1 (ko) 2021-11-26
CN112739693A (zh) 2021-04-30
KR20200063046A (ko) 2020-06-04
KR20200063076A (ko) 2020-06-04
TW202026401A (zh) 2020-07-16
CN112673005A (zh) 2021-04-16
KR20200063052A (ko) 2020-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102132350B1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102340254B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102456677B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20200035905A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20210019949A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102313379B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102321311B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102235478B1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20220119347A (ko) 유기 발광 소자
KR102591469B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20200085232A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20200057648A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102264792B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102235477B1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20210001936A (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR102121433B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20200088772A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102591468B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102591470B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20220113895A (ko) 유기 발광 소자
KR102222369B1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20210027172A (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20200086233A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20200066210A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20200088172A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant