KR20200062316A - 조명 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

조명 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200062316A
KR20200062316A KR1020207013193A KR20207013193A KR20200062316A KR 20200062316 A KR20200062316 A KR 20200062316A KR 1020207013193 A KR1020207013193 A KR 1020207013193A KR 20207013193 A KR20207013193 A KR 20207013193A KR 20200062316 A KR20200062316 A KR 20200062316A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
lens
optical system
lens array
illumination optical
Prior art date
Application number
KR1020207013193A
Other languages
English (en)
Inventor
미치오 코노
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Priority to KR1020227034974A priority Critical patent/KR20220143142A/ko
Publication of KR20200062316A publication Critical patent/KR20200062316A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0927—Systems for changing the beam intensity distribution, e.g. Gaussian to top-hat
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/095—Refractive optical elements
    • G02B27/0955—Lenses
    • G02B27/0961—Lens arrays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/08—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor affording epidiascopic projection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70208—Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution devices, microlens illumination systems, multiplexers or demultiplexers for single or multiple projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566—Polarisation control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70941—Stray fields and charges, e.g. stray light, scattered light, flare, transmission loss
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0056—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

광원으로부터 출사된 광속을 복수의 광속으로 분할하는 복수의 렌즈 셀을 포함한 제1 의 렌즈 어레이FE와, 제1의 렌즈 어레이에 포함되는 렌즈 셀로부터 사출된 스폿 광이 집광되는 렌즈 셀을 포함하는 제2의 렌즈 어레이MLAi와, 제2의 렌즈 어레이에 포함되는 렌즈 셀에 집광 된 스폿 광을, 광변조부를 구성하는 1개의 광변조 소자에 결상하는 제1의 광학 부재IL3을 포함하도록 조명 광학계를 구성한다.

Description

조명 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법
본 발명은, 조명 광학계, 노광 장치 및 그것을 사용한 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
원판(마스크)의 패턴을, 투영 광학계를 통해 감광성의 기판에 전사하는 노광 장치가 알려져 있다. 최근, 노광 장치에 의해 노광되는 기판의 대형화가 진행되고, 거기에 따라, 패턴이 형성되는 마스크도 대형화하고 있다. 마스크가 대형화하면, 마스크 자체의 비용이 상승함과 아울러, 마스크의 제조 기간이 길어져, 마스크의 제조 비용의 상승에 연결된다.
그래서, 패턴이 형성된 마스크를 사용하지 않고, 기판상에 패턴을 형성하는 것이 가능한 소위 마스크리스 노광 장치가 주목받고 있다. 마스크리스 노광 장치는, 디지탈 마이크로미러 디바이스(Digital Micromirror Device: DMD)등의 광변조기를 사용한 디지털 노광 장치다. 마스크리스 노광 장치에서는, DMD에 의해 노광 패턴에 대응하는 노광 광을 생성하고, 노광 패턴에 대응하는 패턴 데이터를 기판상에 노광 함으로써, 마스크를 사용하지 않고 기판상에 패턴을 형성할 수 있다.
특허문헌1은, 레이저 출사부로부터 출사된 레이저 빔을 광변조부의 각 광변조 소자에 입사시키고, 각 광변조 소자에 의해 노광 상태와 비노광 상태 중 어느 하나로 변조 함으로써, 화상 데이터에 근거하는 화상노광을 행하는 노광 장치를 개시하고 있다.
특허문헌1: 일본 특허공개2004-62155호 공보
특허문헌1의 노광 장치에서는, DMD의 광입사측에 설치된 조명 유닛에 포함되는 파이버 어레이 광원으로부터 출사된 레이저 광을 DMD에 집광시킴으로써, DMD를 일괄 조명하고 있다.
도6은, 특허문헌1의 노광 장치에 있어서의 광로를 도시한 도면이다. 조명 광속은, DMD를 구성하는 각 미러에 있어서 선택적으로 변조 및 반사되어, 반사된 광속은 투영 광학계PO에 입사한다. 투영 광학계PO에 입사된 광은, 투영 광학계PO를 구성하는 제1광학계L1, 마이크로렌즈 어레이MLA, 핀홀PH, 제2광학계L2를 통해 기판PL상에 집광된다.
여기서, 도6중의 ×부호로 나타낸 부분에서 조명 광속이 반사되면, 이 반사광이 노이즈 광이 되고, 노광 광의 해상성능의 저하의 요인이 된다. 도6중의 ×부호로 나타낸 부분은, DMD를 구성하는 미러의 주변영역이나, DMD를 구성하는 복수의 미러간의 간극등을 나타내고 있다.
이와 같이, 조명 광속을 DMD에 대하여 일괄 조명하면, DMD를 구성하는 미러의 주변영역이나, DMD를 구성하는 복수의 미러간의 간극등에서 반사된 광에 기인하여 노광 광의 해상성능의 저하를 초래할 우려가 있다.
본 발명은, 노광 광의 해상성능의 향상을 실현가능한 조명 광학계 및 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 조명 광학계는, 광원으로부터 출사된 광속에 의해 복수의 광변조 소자를 포함하는 광변조부를 조명하는 조명 광학계이며, 상기 광원으로부터 출사된 광속을 복수의 광속으로 분할하는 복수의 렌즈 셀을 포함하는 제1의 렌즈 어레이와, 상기 제1의 렌즈 어레이에 포함되는 렌즈 셀로부터 사출된 스폿 광이 집광되는 렌즈 셀을 포함하는 제2의 렌즈 어레이와, 상기 제2의 렌즈 어레이에 포함되는 렌즈 셀에 집광된 스폿 광을, 상기 광변조부를 구성하는 1개의 광변조 소자에 결상하는 제1의 광학부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 노광 광의 해상성능의 향상을 실현가능한 조명 광학계 및 노광 장치가 얻어진다.
[도1] 제1실시형태에 따른 조명 광학계의 구성을 도시한 도면이다.
[도2] DMD를 구성하는 마이크로미러에 있어서의 조도분포를 도시한 도면이다.
[도3] 제2실시형태에 따른 조명 광학계의 구성을 도시한 도면이다.
[도4] DMD를 구성하는 마이크로미러에 있어서의 조도분포를 도시한 도면이다.
[도5] 본 발명에 따른 조명 광학계를 포함하는 노광 장치의 구성을 도시한 도면이다.
[도6] 종래기술에 있어서의 과제를 설명하는 도다.
이하, 각 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 이하의 실시형태는 본 발명의 실시의 구체 예를 나타내는 것에 지나지 않는다.
(제1실시형태)
도1을 사용하여, 본 실시형태에 따른 조명 광학계IL 및 투영 광학계PO의 구성을 설명한다. 본 실시형태의 광학계는, 패턴이 형성된 마스크를 사용하지 않고, 기판상에 패턴을 형성하는 것이 가능한 소위 마스크리스 노광 장치에 적용가능한 광학계다. 마스크리스 노광 장치에서는, 조명 광학계IL로부터 조사된 광속을, 광변조기의 하나인 광변조부로서의 디지탈 마이크로미러 디바이스(이하, DMD라고 기재한다)에 입사시킨다. 그리고, DMD에 의해 노광 패턴에 대응하는 노광 광을 생성하고, 투영 광학계PO를 통해 노광 광을 기판PL상에 집광시킴으로써, 노광 패턴에 대응하는 패턴 데이터를 기판상에 노광한다.
광원LS로서는, 반도체 레이저나 LED(Light Emitting Diode)가 사용된다. 광원의 파장은, 기판PL상에 도포되는 감광성 레지스트의 종류에 의해 결정된다. 광원LS의 파장은, 일반적으로는 300nm로부터 440nm정도다.
계속해서, 조명 광학계IL의 구성에 대해서 설명한다. 광원LS로부터 조사된 광속은, 광학계IL1에 의해 시준되어, 플라이 아이 렌즈FE를 조명한다. 플라이 아이 렌즈FE를 구성하는 각 렌즈 셀의 사출면에는 스폿 광이 형성되고, 형성되는 스폿 광의 크기는, 광원LS의 발광 면적과 광학계IL1의 초점거리, 및 플라이 아이 렌즈FE를 구성하는 각 렌즈 셀의 초점거리에 의해 결정된다.
도1중의 플라이 아이 렌즈FE는, 조명 광학계IL의 광축(Z축)에 대하여 수직한 X축 및 Y축을 포함하는 XY평면내에 배열된 복수의 렌즈 셀을 포함한다. 본 실시형태에서는, 5×5=25개의 렌즈 셀을 포함하는 것으로 한다. 또한, 플라이 아이 렌즈FE를 구성하는 렌즈 셀의 수는 적절하게 변경하는 것이 가능하다.
플라이 아이 렌즈FE에 의해 발산된 광속은, 광학계IL2(이하, 광학부재B 또는 제2의 광학부재라고도 기재한다)에 의해 시준되어, 마이크로렌즈 어레이MLAi를 조명한다. 마이크로렌즈 어레이MLAi는, 복수의 렌즈 셀을 포함하는 필드 렌즈MFi와, 필드 렌즈MFi로부터 필드 렌즈MFi의 초점거리만큼 벗어난 위치에 있는 결상 렌즈Mi로 구성된다. 결상 렌즈Mi도 복수의 렌즈 셀을 포함한다.
필드 렌즈MFi의 입사측의 면과 결상 렌즈Mi의 사출측의 면은 평면이며, 광학적인 파워를 갖지 않는다. 즉, 마이크로렌즈 어레이MLAi의 실질적인 입사면은, 필드 렌즈MFi의 사출면이며, 마이크로렌즈 어레이MLAi의 실질적인 사출면은 결상 렌즈Mi의 입사면이다.
여기서, 플라이 아이 렌즈FE, 광학계IL2 및 필드 렌즈MFi는, 플라이 아이 렌즈FE의 사출면이 광학계IL2 앞측 초점면에 위치하고, 필드 렌즈MFi의 사출면이 광학계IL2의 뒤측 초점면에 위치하도록 배치되어 있다. 이러한 광학배치에 의해, 소위 쾰러 조명계를 형성하는 것으로, 필드 렌즈MFi의 사출면을 대략 균일하게 조명할 수 있다.
또, 플라이 아이 렌즈FE의 사출면과 결상 렌즈Mi의 입사면은, 광학계IL2와 필드 렌즈MFi의 작용에 의해 공역의 관계에 있다. 플라이 아이 렌즈FE의 사출면에 있어서의 광학상과 결상 렌즈Mi의 입사면에 있어서의 광학상의 결상배율은, 광학계IL2의 초점거리와 필드 렌즈MFi의 초점거리의 비에 의해 결정된다. 광학계IL2의 초점거리를 필드 렌즈MFi의 초점거리보다도 길게 함으로써, 결상 렌즈Mi를 구성하는 1개의 렌즈 셀중에, 플라이 아이 렌즈FE의 사출면에 형성된 복수의 스폿 광에 대응하는 복수의 스폿 광이 형성된다. 본 실시형태에서는, 결상 렌즈Mi를 구성하는 렌즈 셀에, X축방향 및 Y축방향의 각각 5개의 스폿 광이 배열된다.
마이크로렌즈 어레이MLAi로부터 출사된 광속은, 광학계IL3(이하, 광학부재A 또는 제1의 광학부재라고도 기재한다)의 작용에 의해, DMD를 구성하는 광변조 소자로서의 마이크로미러에 결상된다. 결상 렌즈Mi의 각 렌즈 셀은, DMD를 구성하는 각 미러와 1대1의 대응관계에 있고, 예를 들면, 결상 렌즈Mi의 렌즈 셀A에 형성된 휘도분포에 대응하도록, DMD를 구성하는 미러A에 스폿 광이 형성된다. DMD를 구성하는 복수의 마이크로미러는 이차원적으로 배치되어 있어, 각 미러의 반사면의 각도는 각각 개별로 변경 가능하게 되어 있다. 이에 따라, 각 미러에 조사되는 광을 노광 상태와 비노광 상태 중 어느 하나로 변조할 수 있다.
도1중의 필드 렌즈MFi는, XY평면내에 배열된 복수의 렌즈 셀을 포함한다. 본 실시형태에서는, 3×6=18개의 렌즈 셀을 포함하는 것으로 한다. 또한, 필드 렌즈MFi를 구성하는 렌즈 셀의 수는, DMD를 구성하는 마이크로미러의 수에 대응하고 있어, 적절하게 변경하는 것이 가능하다.
본 실시형태에서는, 필드 렌즈MFi와 결상 렌즈Mi를 별개의 구성으로 하고 있다. 여기에서, 1개의 원판의 한쪽의 면에 필드 렌즈로서의 기능을 갖게 하고, 다른쪽의 면에 결상 렌즈로서의 기능을 갖게 하는 것에 의해, 필드 렌즈MFi와 결상 렌즈Mi를 일체화하는 것도 가능하다.
필드 렌즈MFi나 결상 렌즈Mi를 구성하는 렌즈 셀의 유효지름은, 수십㎛로부터 수백㎛의 사이즈가 상정된다. 이러한 미세한 렌즈 셀을 원판의 양면에 고정밀도로 가공하는 것이 곤란할 경우에는, 본 실시형태와 같이, 필드 렌즈MFi와 결상 렌즈Mi를 별개의 구성으로 하는 것이 유효하다.
도2는, DMD를 구성하는 각 미러에 있어서의 스폿 광의 분포를 도시한 도면이다. 도1에서 도시한 바와 같이, 결상 렌즈Mi의 각 렌즈 셀은, DMD를 구성하는 각 미러와 1대1의 대응관계에 있어, 도2에서는 18개의 미러에 형성되는 스폿 광의 분포를 나타내고 있다. 각 미러에 있어서, X축방향 및 Y축방향 각각 5개의 스폿 광이 배열되어 있어, 각 스폿 광이 대략 균일하게 집광되어 있는 것을 안다. 그리고, DMD를 구성하는 각 미러의 주변영역이나 DMD를 구성하는 복수의 미러간의 간극에는 스폿 광이 형성되지 않고 있는 것을 안다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 플라이 아이 렌즈FE에 의해 복수로 분할된 광속을, 광학계IL2를 통해 마이크로렌즈 어레이MLAi의 실질적인 입사면에 입사되고 있다. 그리고, 플라이 아이 렌즈FE의 사출면이 광학계IL2 앞측 초점면에 위치하고, 필드 렌즈MFi의 사출면이 광학계IL2의 뒤측 초점면에 위치하는, 쾰러 조명계를 형성함으로써, 마이크로렌즈 어레이의 입사면을 대략 균일하게 조명할 수 있다.
또, 플라이 아이 렌즈FE의 사출면과 결상 렌즈Mi의 입사면을 공역의 관계로 하여서, 결상 렌즈Mi를 구성하는 1개의 렌즈 셀중에, 플라이 아이 렌즈FE의 사출면에 형성된 복수의 스폿 광에 대응하는 복수의 스폿 광을 형성하고 있다. 더욱, 결상 렌즈Mi의 각 렌즈 셀과, DMD를 구성하는 각 미러가, 1대1의 대응관계가 되도록, 마이크로렌즈 어레이MLAi로부터 출사된 광속을, DMD를 구성하는 마이크로미러에 결상시키고 있다. 이에 따라, 각 미러의 주변영역이나, DMD를 구성하는 미러와 미러와의 간극등에서 반사된 광에 기인한 노광 광의 해상성능의 저하를 방지할 수 있다.
다음에, 투영 광학계PO의 구성에 대해서 설명한다. DMD를 구성하는 마이크로미러에서 반사된 광속은, 투영 광학계PO를 구성하는 광학계P01에 입사된다. 광학계P01은, 광학계P01에 입사된 광속을 마이크로렌즈 어레이MLAp에 집광하는 작용을 가진다. 마이크로렌즈 어레이MLAp는, 조명 광학계IL에 포함되는 마이크로렌즈 어레이MLAi와 마찬가지의 구성이며, 필드 렌즈MFp와, 필드 렌즈MFp로부터 필드 렌즈MFp의 초점거리만큼 벗어난 위치에 있는 결상 렌즈Mp로 구성된다.
광학계P01에 의해 필드 렌즈MFp에 결상된 광속은, 결상 렌즈Mp에 의해 재결상 된다. 본 실시형태에서는, 결상 렌즈Mp에 의한 재결상점은, 결상 렌즈Mp의 내부에 위치한다. 재결상점으로부터의 광속은 광학계 P02에 의해 다시 결상되어, 이 결상위치에 핀홀PH를 배치하고 있다.
핀홀의 각 개구는, DMD를 구성하는 마이크로미러의 위치에 대응하고 있다. 핀홀에 의해 소경화된 스폿 광이, 광학계P03을 통해 기판PL상에 조사된다. 또한, 광학계P02에 의해 형성된 스폿 광의 지름이 충분히 작을 경우에는, 핀홀PH 및 광학계P03은 불필요하다.
(제2실시형태)
도3을 사용하여, 본 실시형태에 따른 조명 광학계IL 및 투영 광학계PO의 구성을 설명한다. 또한, 제2실시형태에 있어서의 투영 광학계PO의 구성과 제1실시형태에 있어서의 투영 광학계PO의 구성은 동일하다. 제1실시형태와 비교하여, 제2실시형태는 조명 광학계IL의 구성이 일부 다르다. 구체적으로는, 제1실시형태에 있어서의 마이크로렌즈 어레이MLAi 대신에 복수의 개구를 포함하는 차광 부재SM이 배치되어 있다.
본 실시형태에서는, 광학계IL2의 뒤측 초점면에 차광 부재SM이 배치되어 있다. 실시형태1에 있어서 설명한 바와 같이, 이러한 광학배치에 의해, 차광 부재SM은, 플라이 아이 렌즈FE로부터 사출된 광속에 의해 대략 균일하게 조명된다.
차광 부재SM에 설치된 개구와, DMD를 구성하는 미러는, 1대1로 대응하고 있어, 차광 부재SM에 설치된 개구를 투과한 광속은, 광학계IL3의 작용에 의해 DMD를 구성하는 미러를 조명한다. 차광 부재SM에 설치된 개구의 크기는, DMD를 구성하는 미러의 조명 영역에 대응하고 있다. 즉, 차광 부재SM의 개구의 크기를 변화시키는 것으로, 미러의 조명 영역을 변화시킬 수 있다.
본 실시형태에서는, DMD를 구성하는 미러의 주변영역을 조명하지 않도록, 차광 부재SM의 개구의 크기를 적절히 설정하고 있다.
도4는, DMD를 구성하는 마이크로미러에 있어서의 조도분포를 도시한 도면이다. 이렇게, 각 미러의 주변영역에는 광이 조사되지 않고 있는 것을 안다.
차광 부재SM은 예를 들면 금속으로 구성된다. 금속은 광반사율이 높기 때문에, 차광 부재SM의 재료로서 금속을 사용하는 것으로 차광 부재SM의 차광 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 차광 부재SM을 유전체막에 의해 피막하는 구성으로 하여도 좋다.
(마스크리스 노광 장치의 구성)
도5를 사용하여, 조명 광학계IL, 투영 광학계PO 및 DMD를 포함하는 마스크리스 노광 장치의 구성을 설명한다. 도1에 있어서는, 설명의 형편상, 조명 광학계IL, DMD, 및 투영 광학계PO를 지나는 광로를 전개해서 기재했다. 실제로는, 도5에서 도시한 바와 같이, 조명 광학계IL을 투과한 광속은, 빔 스플리터BS에서 절곡되어, DMD에 대략 수직하게 조사된다.
조명 광학계IL을 투과한 광속을 DMD에 대하여 대략 수직하게 조사함으로써, 도1에서 도시된 결상 렌즈Mi의 각 렌즈 셀내에 형성된 스폿 광을 정밀도 좋게 DMD상에 결상시킬 수 있다. 또한, 도3에서 도시된 차광 부재SM의 개구부를 투과한 광을 정밀도 좋게 DMD상에 결상시킬 수 있다. DMD를 구성하는 각 마이크로미러에서 반사된 광속은, 빔 스플리터BS를 투과하고, 투영 광학계PO에 입사하여, 투영 광학계PO에 의해 형성된 스폿 광이, 기판PL상에 조사된다.
또, 도5에서는, 조명 광학계IL을 투과한 광속이, 빔 스플리터BS에서 반사되어, DMD를 구성하는 미러에서 반사된 후에, 빔 스플리터BS를 투과해서 투영 광학계PO에 입사하는 구성으로 하고 있지만, 이하와 같은 구성으로 하는 것도 가능하다. 즉, 조명 광학계IL을 투과한 광속이, 빔 스플리터BS를 투과하고, DMD을 구성하는 미러에서 반사된 후에, 빔 스플리터BS에서 반사되어, 투영 광학계PO에 입사하는 구성이다.
여기서, 빔 스플리터BS에 편광분리막이 실행되지 않고 있을 경우, 조명 광학계IL을 투과한 광속의 빔 스플리터BS에 있어서의 반사 및 투과에 의해, 각각 약 50％의 광량손실이 생긴다. 즉, 조명 광학계IL을 투과하고나서 투영 광학계PO에 입사할 때까지의 사이에 약 75％의 광량손실이 생기게 된다.
본 발명에 있어서는, 이러한 광량손실을 저감시키기 위해서, 빔 스플리터BS에 편광분리 특성을 갖게 하고 있다. 이와 같은 빔 스플리터를 편광 빔 스플리터라고 부른다. 빔 스플리터BS는 P편광을 투과하고, S편광을 반사하는 특성을 가진다. 또한, 빔 스플리터BS와 DMD의 사이에 λ/4 위상판PP1을 배치하고 있다.
조명 광학계IL로부터 사출된 광이 무편광일 경우에는, 빔 스플리터BS에서 반사된 광은 S편광이 되고, λ/4위상판PP1을 투과하고, DMD를 구성하는 미러에서 반사된 후에 다시 λ/4위상판PP1을 투과한다. λ/4위상판PP1을 2회 투과함에 의해, 빔 스플리터BS에서 반사된 S편광은 P편광이 된다. 빔 스플리터BS는 P편광을 투과하기 때문에, 빔 스플리터BS에 입사한 P편광은 그대로 빔 스플리터BS를 투과한다. 즉, 조명 광학계IL을 투과하고나서 투영 광학계PO에 입사할 때까지의 사이의 광량손실을 약 50％로 저감할 수 있다.
또, 도5에서 도시한 바와 같이, 빔 스플리터BS와 투영 광학계PO의 사이에 λ/4위상판PP2를 배치해도 좋다. λ/4위상판PP2에 의해 P편광을 원편광으로 변환한 후에, 원편광을 투영 광학계PO에 입사해서 기판PL상에 입사시키는 것으로, 패턴의 해상성능이 편광상태에 기인해서 저하하는 것을 억제할 수 있다. 예를 들면, 레지스트의 감광 특성이 편광상태에 따라서 다른 경우에는, 기판상에 원편광을 입사시키는 것이 효과적이다.
(변형 예)
상술한 실시형태에서는, 플라이 아이 렌즈FE를 구성하는 렌즈 셀은 구면 렌즈인 것으로서 설명을 했지만, 플라이 아이 렌즈FE를 구성하는 렌즈 셀을 원통 렌즈로 하여도 좋다. 도2에서 도시한 바와 같이, DMD를 구성하는 마이크로미러의 배열수는 X축과 Y축에서 다른 경우에는, DMD전체의 X축방향의 길이와 Y축방향의 길이가 다르다. 이때, 플라이 아이 렌즈FE를 구성하는 렌즈 셀을, X축방향과 Y축방향에서 초점거리가 다른 실린드리칼 렌즈로 함으로써, 스폿 광의 형상을 X축방향과 Y축방향에서 다르게 할 수 있고, 조명 효율의 향상을 실현할 수 있다.
또, 상술한 실시형태에서는, 플라이 아이 렌즈FE를 사용해서 광원LS로부터 조사된 광속의 광강도 분포의 균일화를 행하고 있지만, 플라이 아이 렌즈FE 대신에 옵티컬 인티그레이터 등의 광강도 분포의 균일화 수단을 사용해도 좋다. 플라이 아이 렌즈FE 대신에 옵티컬 인티그레이터를 사용했을 경우에는, 옵티컬 인티그레이터에 의해 균일화된 광속이 결상 렌즈Mi에 집광된다. 이 때, 옵티컬 인티그레이터로부터 출사한 광속이, 결상 렌즈Mi를 구성하는 1개의 렌즈 셀에 집광하도록, 옵티컬 인티그레이터의 사출면에 있어서의 광학상과 결상 렌즈Mi의 입사면에 있어서의 광학상의 결상배율이 설정된다.
(물품의 제조 방법)
본 발명의 실시형태에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들면, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세구조를 갖는 소자등의 물품을 제조하는데 적합하다. 본 실시형태의 물품의 제조 방법은, 기판에 도포된 감광제에 상기의 노광 장치를 사용해서 잠상 패턴을 형성하는 공정(기판을 노광하는 공정)과, 이러한 공정으로 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 더욱, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시형태의 물품의 제조 방법은, 종래의 방법과 비교하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 코드 중 적어도 1개에 있어서 유리하다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이것들의 실시형태에 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없고, 그 요지의 범위내에서 여러가지의 변형 및 변경이 가능하다.
본 발명은 상기 실시형태에 제한되는 것이 아니고, 본 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 여러가지 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위를 밝히기 위해서 이하의 청구항을 첨부한다.
본원은, 2017년 10월 24일 제출된 일본국 특허출원 특원 2017-205643을 기초로서 우선권을 주장하는 것으로, 그 기재 내용의 모두를 여기에 채용한다.

Claims (15)

  1. 광원으로부터 출사된 광속에 의해 복수의 광변조 소자를 포함하는 광변조부를 조명하는 조명 광학계이며,
    상기 광원으로부터 출사된 광속을 복수의 광속으로 분할하는 복수의 렌즈 셀을 포함하는 제1의 렌즈 어레이와,
    상기 제1의 렌즈 어레이에 포함되는 렌즈 셀로부터 사출된 스폿 광이 집광되는 렌즈 셀을 포함하는 제2의 렌즈 어레이와,
    상기 제2의 렌즈 어레이에 포함되는 렌즈 셀에 집광된 스폿 광을, 상기 광변조부를 구성하는 1개의 광변조 소자에 결상하는 제1의 광학부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 광학계.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2의 렌즈 어레이는, 필드 렌즈와, 해당 필드 렌즈로부터 상기 필드 렌즈의 초점거리만큼 벗어난 위치에 있는 결상 렌즈로 구성되는 것을 특징으로 하는 조명 광학계.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1의 렌즈 어레이와 상기 제2의 렌즈 어레이의 사이에 배치된 제2의 광학부재를 더욱 갖고,
    상기 제2의 광학부재의 초점거리는, 상기 필드 렌즈의 초점거리보다도 긴 것을 특징으로 하는 조명 광학계.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1의 렌즈 어레이와 상기 제2의 렌즈 어레이의 사이에 배치된 제2의 광학부재를 더욱 갖고,
    상기 제1의 렌즈 어레이는, 상기 제1의 렌즈 어레이의 사출면이 상기 제2의 광학부재 앞측 초점면에 위치하도록 배치되고,
    상기 제2의 렌즈 어레이는, 상기 제2의 렌즈 어레이의 입사면이 상기 제2의 광학부재의 뒤측 초점면에 위치하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 광학계.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2의 렌즈 어레이에 포함되는 렌즈 셀에는, 상기 제1의 렌즈 어레이에 포함되는 복수의 렌즈 셀로부터 사출된 복수의 스폿 광이 집광되는 것을 특징으로 하는 조명 광학계.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1의 광학부재는, 상기 제2의 렌즈 어레이에 포함되는 렌즈 셀에 집광된 복수의 스폿 광을, 상기 광변조부를 구성하는 1개의 광변조 소자에 결상하는 것을 특징으로 하는 조명 광학계.
  7. 광원으로부터 출사된 광속에 의해 복수의 광변조 소자를 포함하는 광변조부를 조명하는 조명 광학계이며,
    상기 광원으로부터 출사된 광속을 복수의 광속으로 분할하는 복수의 렌즈 셀을 포함하는 렌즈 어레이와,
    상기 렌즈 어레이에 의해 조명되어, 복수의 개구를 포함하는 차광 부재와,
    상기 차광 부재에 포함되는 개구를 통과한 스폿 광을, 상기 광변조부를 구성하는 1개의 광변조 소자에 결상하는 제1의 광학부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 광학계.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 렌즈 어레이와 상기 차광 부재의 사이에 배치된 제2의 광학부재를 더욱 갖고,
    상기 렌즈 어레이는, 상기 렌즈 어레이의 사출면이 상기 제2의 광학부재 앞측 초점면에 위치하도록 배치되고,
    상기 차광 부재는, 상기 차광 부재의 입사면이 상기 제2의 광학부재의 뒤측 초점면에 위치하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 조명 광학계.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 차광 부재는 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 조명 광학계.
  10. 광원으로부터 출사된 광속에 의해 복수의 광변조 소자를 포함하는 광변조부를 조명하는 조명 광학계이며,
    상기 광원으로부터 출사된 광속의 광강도 분포를 균일화시키는 인티그레이터와,
    상기 인티그레이터를 투과한 광속이 집광되는 렌즈 셀을 포함하는 렌즈 어레이와,
    상기 렌즈 셀에 집광된 광속을, 상기 광변조부를 구성하는 1개의 광변조 소자에 결상하는 광학부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 광학계.
  11. 복수의 광변조 소자를 포함하는 광변조부에 광을 조사하는 청구항 1 내지 10 중 어느 한 항에 기재된 조명 광학계와,
    상기 광변조부로부터의 광을 기판에 투영하는 투영 광학계를,
    포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 광변조부는, 상기 조명 광학계로부터의 광속을 반사하는 반사면의 각도를 변경가능한 복수의 마이크로미러를 이차원적으로 배열해서 구성되는 마이크로미러 디바이스인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 조명 광학계와 상기 광변조부의 사이에 배치된, 편광 빔 스플리터 및 위상판을 더욱 갖는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 조명 광학계로부터의 광속은, 상기 편광 빔 스플리터와 상기 위상판을 통해 원편광이 되고, 상기 투영 광학계에 입사되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  15. 청구항 11 내지 14 중 어느 한 항에 기재된 노광 장치를 사용해서 기판을 노광하는 공정과,
    상기 공정에서 노광된 상기 기판을 현상하는 공정을,
    포함하는 것을 특징으로 하는 물품의 제조 방법.
KR1020207013193A 2017-10-24 2018-10-12 조명 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 KR20200062316A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227034974A KR20220143142A (ko) 2017-10-24 2018-10-12 조명 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조방법

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-205643 2017-10-24
JP2017205643A JP7020859B2 (ja) 2017-10-24 2017-10-24 照明光学系、露光装置および物品の製造方法
PCT/JP2018/038123 WO2019082694A1 (ja) 2017-10-24 2018-10-12 照明光学系、露光装置および物品の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227034974A Division KR20220143142A (ko) 2017-10-24 2018-10-12 조명 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200062316A true KR20200062316A (ko) 2020-06-03

Family

ID=66246315

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227034974A KR20220143142A (ko) 2017-10-24 2018-10-12 조명 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조방법
KR1020207013193A KR20200062316A (ko) 2017-10-24 2018-10-12 조명 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227034974A KR20220143142A (ko) 2017-10-24 2018-10-12 조명 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11448969B2 (ko)
JP (1) JP7020859B2 (ko)
KR (2) KR20220143142A (ko)
CN (1) CN111279264A (ko)
WO (1) WO2019082694A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7020859B2 (ja) * 2017-10-24 2022-02-16 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置および物品の製造方法
JP7327106B2 (ja) 2019-11-21 2023-08-16 株式会社リコー 光学系、および画像投射装置
WO2021117557A1 (ja) * 2019-12-12 2021-06-17 東レエンジニアリング株式会社 光スポット像照射装置および転写装置
JP2021193429A (ja) * 2020-06-08 2021-12-23 株式会社ブイ・テクノロジー 露光用の光源装置、照明装置、露光装置、及び露光方法
CN114442436A (zh) * 2020-10-30 2022-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种数字曝光设备和曝光方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004062155A (ja) 2002-06-07 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド及び露光装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6710855B2 (en) * 1990-11-15 2004-03-23 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US5719704A (en) * 1991-09-11 1998-02-17 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5923475A (en) * 1996-11-27 1999-07-13 Eastman Kodak Company Laser printer using a fly's eye integrator
JPH11271650A (ja) * 1998-03-24 1999-10-08 Fuji Photo Film Co Ltd アレイ型露光素子及び平面型ディスプレイ
US6195196B1 (en) 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
US6473237B2 (en) * 2000-11-14 2002-10-29 Ball Semiconductor, Inc. Point array maskless lithography
CN1297836C (zh) 2002-06-07 2007-01-31 富士胶片株式会社 曝光头以及曝光装置
JP4546019B2 (ja) 2002-07-03 2010-09-15 株式会社日立製作所 露光装置
JP3961963B2 (ja) 2003-01-23 2007-08-22 富士フイルム株式会社 露光装置
US7663734B2 (en) * 2003-04-11 2010-02-16 Tadahiro Ohmi Pattern writing system and pattern writing method
JP4244156B2 (ja) * 2003-05-07 2009-03-25 富士フイルム株式会社 投影露光装置
JP2005031280A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
EP1668421A2 (en) * 2003-09-12 2006-06-14 Carl Zeiss SMT AG Illumination system for a microlithography projection exposure installation
JP2005345591A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Hitachi Displays Ltd 表示装置の製造方法及びその装置
US20070127005A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Asml Holding N.V. Illumination system
US8115904B2 (en) 2008-05-30 2012-02-14 Corning Incorporated Illumination system for sizing focused spots of a patterning system for maskless lithography
KR101373380B1 (ko) * 2009-07-17 2014-03-13 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치 및 그에 포함된 광학 표면에 관한 파라미터의 측정 방법
CN101916064B (zh) * 2010-08-19 2012-03-21 上海市激光技术研究所 基于dmd的动感像素全息单元图像拍摄装置和方法
CN102259471B (zh) * 2011-05-17 2013-05-08 中山新诺科技有限公司 一种无掩模激光热转印系统
KR102321222B1 (ko) 2011-09-02 2021-11-03 가부시키가이샤 니콘 공간 광 변조기의 검사 방법 및 장치, 및 노광 방법 및 장치
KR101712299B1 (ko) * 2012-10-27 2017-03-13 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템
JP2014107309A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Nikon Corp 伝送光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
EP2876499B1 (en) 2013-11-22 2017-05-24 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
KR20150087949A (ko) * 2014-01-23 2015-07-31 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치
JP6371473B2 (ja) * 2014-09-25 2018-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 照明システム
JP7020859B2 (ja) * 2017-10-24 2022-02-16 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置および物品の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004062155A (ja) 2002-06-07 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド及び露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7020859B2 (ja) 2022-02-16
CN111279264A (zh) 2020-06-12
KR20220143142A (ko) 2022-10-24
US20220390853A1 (en) 2022-12-08
US11448969B2 (en) 2022-09-20
JP2019078883A (ja) 2019-05-23
WO2019082694A1 (ja) 2019-05-02
US20200249580A1 (en) 2020-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20200062316A (ko) 조명 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법
TWI569106B (zh) Lighting optics, exposure devices, lighting methods and exposure methods
JP5806479B2 (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2009093175A (ja) 空間光変調ユニット、照明装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2010199605A (ja) 照明光学システム
JP3950553B2 (ja) 照明光学系及びそれを有する露光装置
JP2007242775A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
US7755741B2 (en) Substrate exposure apparatus and illumination apparatus
WO2018168993A1 (ja) 照明装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
JP2003232901A (ja) 光学素子、照明装置及び露光装置
JP3339593B2 (ja) 投影露光装置、及び該装置を用いた素子製造方法
JP2011114041A (ja) 光束分割装置、空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
US11215930B2 (en) Exposure apparatus, and article manufacturing method
JP5353408B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5839076B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JPH07135145A (ja) 露光装置
JP3339631B2 (ja) 走査型露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法
KR20160034806A (ko) 조명 광학장치, 노광장치, 및 물품의 제조방법
JP5534276B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR20220115051A (ko) 조명 광학계, 노광장치 및 물품의 제조방법
JP5604813B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR20120055782A (ko) 마스크리스 노광장치의 노광헤드
JP2010141151A (ja) 光束分割素子、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2013143450A (ja) 走査露光装置及びデバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right