KR20190095684A - 반도체 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 - Google Patents
반도체 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190095684A KR20190095684A KR1020180014978A KR20180014978A KR20190095684A KR 20190095684 A KR20190095684 A KR 20190095684A KR 1020180014978 A KR1020180014978 A KR 1020180014978A KR 20180014978 A KR20180014978 A KR 20180014978A KR 20190095684 A KR20190095684 A KR 20190095684A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pad
- wiring
- chip
- film substrate
- region
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 242
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 114
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49822—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/073—Apertured devices mounted on one or more rods passed through the apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H01L51/50—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geometry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
소형화된 반도체 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치가 제공된다. 반도체 패키지는, 제1 방향을 따라 차례로 배열되는 제1 본딩 영역, 칩 영역 및 제2 본딩 영역이 정의되고, 서로 대향되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 필름 기판, 칩 영역의 제1 면 상에, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 차례로 배열되는 제1 패드, 제2 패드 및 제3 패드를 포함하는 제1 패드 그룹, 제1 패드 그룹 상의 제1 반도체칩, 칩 영역의 제1 면 상에, 제1 반도체칩과 제2 방향을 따라 배열되고, 제1 패드에 인접하는 제2 반도체칩, 제1 패드와 제2 본딩 영역을 연결하는 제1 배선, 제2 패드와 제1 본딩 영역을 연결하는 제2 배선; 및 제3 패드와 제2 본딩 영역을 연결하는 제3 배선을 포함하고, 제1 배선은, 필름 기판을 관통하는 제1 비아와, 제1 패드와 제1 비아를 연결하는 제1 연장부와, 제1 비아와 제2 본딩 영역을 연결하며 필름 기판의 제2 면을 따라 연장되는 제2 연장부를 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 칩 온 필름(COF; chip on film) 반도체 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
전자 제품이 소형화, 박형화 및 경량화됨에 따라, 고밀도 반도체 칩 부착 기술로서, 테이프 필름 패키지가 제안된 바 있다. 테이프 필름 패키지는 예를 들어, 테이프 캐리어 패키지 또는 칩 온 필름(COF; Chip On Film) 패키지를 포함할 수 있다.
칩 온 필름 패키지에서, 반도체 칩은 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 방식으로 기판에 직접 본딩될 수 있고, 배선 등에 의해 외부 회로에 접속될 수 있다. 칩 온 필름 패키지에서는 조밀한 배선 패턴의 형성이 가능하기 때문에, 고집적 패키지 기술로서 주목을 받고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 소형화된 반도체 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 소형화된 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지는, 제1 방향을 따라 차례로 배열되는 제1 본딩 영역, 칩 영역 및 제2 본딩 영역이 정의되고, 서로 대향되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 필름 기판, 칩 영역의 제1 면 상에, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 차례로 배열되는 제1 패드, 제2 패드 및 제3 패드를 포함하는 제1 패드 그룹, 제1 패드 그룹 상의 제1 반도체칩, 칩 영역의 제1 면 상에, 제1 반도체칩과 제2 방향을 따라 배열되고, 제1 패드에 인접하는 제2 반도체칩, 제1 패드와 제2 본딩 영역을 연결하는 제1 배선, 제2 패드와 제1 본딩 영역을 연결하는 제2 배선; 및 제3 패드와 제2 본딩 영역을 연결하는 제3 배선을 포함하고, 제1 배선은, 필름 기판을 관통하는 제1 비아와, 제1 패드와 제1 비아를 연결하는 제1 연장부와, 제1 비아와 제2 본딩 영역을 연결하며 필름 기판의 제2 면을 따라 연장되는 제2 연장부를 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지는, 제1 방향을 따라 차례로 배열되는 제1 본딩 영역, 칩 영역 및 제2 본딩 영역이 정의되고, 서로 대향되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 필름 기판, 칩 영역의 제1 면 상에, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 제1 패드 및 제2 패드를 포함하는 제1 패드 그룹, 칩 영역의 제1 면 상에, 제1 패드를 사이에 두고 제2 패드와 제2 방향을 따라 배열되는 제3 패드를 포함하는 제2 패드 그룹, 제1 패드 그룹 상의 제1 반도체칩, 제2 패드 그룹 상에, 제1 반도체칩과 제2 방향을 따라 배열되는 제2 반도체칩, 필름 기판을 관통하는 제1 비아와, 제1 패드와 제1 비아를 연결하는 제1 연장부와, 제1 비아와 제2 본딩 영역을 연결하며 필름 기판의 제2 면을 따라 연장되는 제2 연장부를 포함하는 제1 배선, 제2 패드와 제1 본딩 영역을 연결하는 제2 배선, 및 필름 기판을 관통하는 제2 비아와, 제3 패드와 제2 비아를 연결하는 제3 연장부와, 제2 비아와 제2 본딩 영역을 연결하며 필름 기판의 제2 면을 따라 연장되는 제4 연장부를 포함하는 제3 배선을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지는, 제1 방향을 따라 차례로 배열되는 제1 본딩 영역, 칩 영역 및 제2 본딩 영역이 정의되고, 서로 대향되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 필름 기판, 칩 영역의 제1 면 상에, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 제1 패드 및 제2 패드를 포함하고, 제1 본딩 영역에 인접하는 제1 패드 그룹, 제1 패드 그룹 상의 제1 반도체칩, 칩 영역의 제1 면 상에, 제1 반도체칩과 제2 방향을 따라 배열되고, 제2 패드보다 제1 패드에 인접하는 제2 반도체칩, 제1 패드와 제2 본딩 영역을 연결하는 제1 배선, 및 제2 패드와 제2 본딩 영역을 연결하고, 필름 기판의 제1 면을 따라 연장되는 제2 배선을 포함하고, 제1 배선은, 필름 기판을 관통하는 제1 비아와, 제1 패드와 제1 비아를 연결하는 제1 연장부와, 제1 비아와 제2 본딩 영역을 연결하며 필름 기판의 제2 면을 따라 연장되는 제2 연장부를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 제1 방향을 따라 차례로 배열되는 제1 본딩 영역, 칩 영역 및 제2 본딩 영역이 정의되고, 서로 대향되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 필름 기판, 칩 영역의 제1 면 상에, 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 입력 패드 및 출력 패드를 포함하는 제1 패드 그룹, 제1 패드 그룹 상의 제1 디스플레이 구동칩, 칩 영역의 제1 면 상에, 제1 디스플레이 구동칩과 제2 방향을 따라 배열되고, 입력 패드보다 출력 패드에 인접하는 제2 디스플레이 구동칩, 입력 패드와 제1 본딩 영역을 연결하고, 필름 기판의 제1 면을 따라 연장되는 입력 배선, 및 출력 패드와 제2 본딩 영역을 연결하고, 적어도 일부가 필름 기판의 제2 면을 따라 연장되는 출력 배선을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 포함하는 디스플레이 장치를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 A-A'을 따라서 절단한 다양한 단면도들이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지에서 반도체칩의 부착 방법을 설명하기 위한 예시적인 도면들이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 9 및 도 10은 도 7 및 도 8의 B-B'을 따라서 절단한 다양한 단면도들이다.
도 11은 도 7 및 도 8의 C-C'을 따라서 절단한 단면도이다.
도 12 및 도 13은 도 7 및 도 8의 D-D'을 따라서 절단한 다양한 단면도들이다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 A-A'을 따라서 절단한 다양한 단면도들이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지에서 반도체칩의 부착 방법을 설명하기 위한 예시적인 도면들이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 9 및 도 10은 도 7 및 도 8의 B-B'을 따라서 절단한 다양한 단면도들이다.
도 11은 도 7 및 도 8의 C-C'을 따라서 절단한 단면도이다.
도 12 및 도 13은 도 7 및 도 8의 D-D'을 따라서 절단한 다양한 단면도들이다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다.
이하에서, 도 1 내지 도 13을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 포함하는 디스플레이 장치를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 1을 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 포함하는 디스플레이 장치(1000)는 반도체 패키지(100), 구동 인쇄 회로(400) 및 디스플레이 패널(500)을 포함할 수 있다.
반도체 패키지(100)는 구동 인쇄 회로(400)과 디스플레이 패널(500) 사이에서 구동 인쇄 회로(400) 및 디스플레이 패널(500)과 접속될 수 있다. 반도체 패키지(100)는 구동 인쇄 회로(400)로부터 신호를 입력받아 디스플레이 패널(500)로 출력할 수 있다.
반도체 패키지(100)는 칩 온 필름(COF; Chip On Film) 반도체 패키지일 수 있다. 예를 들어, 반도체 패키지(100)는 반도체칩이 부착된 반도체 패키지일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 반도체 패키지(100)는 2개 이상의 반도체칩을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 패키지(100)는 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)을 포함할 수 있다.
반도체 패키지(100)는 예를 들어, 디스플레이 구동칩(DDI; Display Driver IC)을 포함하는 DDI 패키지일 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)은 디스플레이 구동칩일 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)은 디스플레이 패널(500)의 화소를 조절하여 색상을 구현할 수 있다.
구동 인쇄 회로(400)는 반도체 패키지(100)의 일측과 연결될 수 있다. 예를 들어, 구동 인쇄 회로(400)는 그 표면에 형성된 구동 연결 배선(430)을 포함할 수 있다. 구동 연결 배선(430)은 반도체 패키지(100)와 접속되어, 제1 반도체칩(310) 및/또는 제2 반도체칩(320)과 구동 인쇄 회로(400)를 전기적으로 연결할 수 있다.
구동 인쇄 회로(400)는 하나 이상의 구동 회로 칩(410)을 포함할 수 있다. 구동 회로 칩(410)은 반도체 패키지(100)에 전원 및 신호를 동시에 인가할 수 있다. 구동 인쇄 회로(400)는 예를 들어, 인쇄 회로 기판(PCB; Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다.
디스플레이 패널(500)은 반도체 패키지(100)의 다른 일측과 연결될 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 패널(500)은 그 표면에 형성된 패널 연결 배선(530)을 포함할 수 있다. 패널 연결 배선(530)은 반도체 패키지(100)와 접속되어, 제1 반도체칩(310) 및/또는 제2 반도체칩(320)과 디스플레이 패널(500)을 전기적으로 연결할 수 있다.
디스플레이 패널(500)은 디스플레이용 기판(510) 및 디스플레이용 기판(510) 상의 화상 영역(520)을 포함할 수 있다. 디스플레이용 기판(510)은 예를 들어, 유리 기판 또는 플렉시블(flexible) 기판을 포함할 수 있다. 화상 영역(520)에는 복수의 화소들이 형성될 수 있다. 화상 영역(520)의 복수의 화소들은 반도체 패키지(100)로부터 제공되는 신호에 따라 동작할 수 있다.
반도체 패키지(100)는 디스플레이 패널(500)과 전기적으로 연결되어 게이트 드라이버 또는 소오스 드라이버의 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어, 반도체 패키지(100)는 디스플레이 패널(500)의 게이트 라인들에 연결되어 게이트 드라이버의 기능을 수행할 수 있다. 또는, 예를 들어, 반도체 패키지(100)는 디스플레이 패널(500)의 소오스 라인들에 연결되어 소오스 드라이버의 기능을 수행할 수 있다.
디스플레이 패널(500)은 예를 들어, LCD(Liquid Crystal Display) 패널, LED(Light Emitting Diode) 패널, OLED(Organic LED) 패널 및 플라즈마 디스플레이 패널(PDP; Plasma Display Panel) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 구동 인쇄 회로(400)와 디스플레이 패널(500) 사이에 복수 개의 반도체 패키지(100)가 연결될 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 패널(500)이 텔레비전과 같이 큰 면적의 화면을 제공하기 위한 것이나 고해상도를 지원하는 경우에, 몇몇 실시예에 따른 디스플레이 장치는 복수 개의 반도체 패키지(100)를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 구동 인쇄 회로(400)와 디스플레이 패널(500) 사이에 하나의 반도체 패키지(100)가 연결될 수도 있다. 예를 들어, 디스플레이 패널(500)이 휴대폰과 같이 작은 면적의 화면을 제공하기 위한 것이나 저해상도를 지원하는 경우에, 몇몇 실시예에 따른 디스플레이 장치는 하나의 반도체 패키지(100)만을 포함할 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 반도체 패키지(100)는 이방 도전성 층(600; anisotropic conductive layer; 600)에 의해 구동 인쇄 회로(400)의 구동 연결 배선(430) 및 디스플레이 패널(500)의 패널 연결 배선(530)과 각각 연결될 수 있다.
이방 도전성층(600)은 예를 들어, 이방 도전성 필름(film) 또는 이방 도전성 페이스트(paste)를 포함할 수 있다. 이방 도전성층(600)은 절연 접착층 내에 도전성 입자가 분산되어 있는 구조를 가질 수 있다. 또한, 이방 도전성층(600)은 이방성의 전기적 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 이방 도전성층(600)은 접속 시에, 전극 방향(예를 들어, 수직 방향)으로만 통전이 되도록 하고, 전극과 전극 사이 방향(예를 들어, 수평 방향)으로는 절연되는 이방성의 전기적 특성을 가질 수 있다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다. 도 3 및 도 4는 도 2의 A-A'을 따라서 절단한 다양한 단면도들이다. 설명의 편의를 위해, 도 1을 이용하여 설명한 것과 중복되는 부분은 간략히 설명하거나 생략한다. 또한, 설명의 편의를 위해, 도 2에서, 필름 기판(110)을 따라 연장되는 배선의 도시는 생략한다.
이하에서, 반도체 패키지는 도 1의 반도체 패키지(100)인 것으로 설명되나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지는 시스템 온 칩(SOF; System On Film) 반도체 패키지일 수도 있다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지는 필름 기판(110), 복수의 제1 칩 패드(315), 복수의 제2 칩 패드(325), 제1 본딩 패드(144), 제2 본딩 패드(244), 제3 본딩 패드(154), 제4 본딩 패드(164), 제5 본딩 패드(254), 제6 본딩 패드(264), 제1 반도체칩(310), 제2 반도체칩(320), 다이렉트 배선(330), 레지스트막(120) 및 몰드막(130)을 포함한다.
필름 기판(110)은 제1 본딩 영역(BR1), 칩 영역(CR) 및 제2 본딩 영역(BR2)을 포함할 수 있다. 제1 본딩 영역(BR1), 칩 영역(CR) 및 제2 본딩 영역(BR2)은 제1 방향(Y)을 따라 차례로 배열될 수 있다.
예를 들어, 제1 본딩 영역(BR1) 및 제2 본딩 영역(BR2)은 필름 기판(110)의 양단에 각각 배치될 수 있고, 칩 영역(CR)은 제1 본딩 영역(BR1)과 제2 본딩 영역(BR2) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 칩 영역(CR)은 필름 기판(110)의 중앙부에 형성될 수 있다.
제1 본딩 영역(BR1)은 예를 들어, 도 1의 구동 인쇄 회로(400)가 접속되는 필름 기판(110)의 영역일 수 있다. 제2 본딩 영역(BR2)은 예를 들어, 도 1의 디스플레이 패널(500)이 접속되는 필름 기판(110)의 영역일 수 있다. 칩 영역(CR)은 예를 들어, 도 1의 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)이 부착되는 필름 기판(110)의 영역일 수 있다. 칩 영역(CR) 내에서, 제1 반도체칩(310)과 제2 반도체칩(320)은 제1 방향(Y)과 교차하는 제2 방향(X)을 따라 서로 인접하게 배열될 수 있다.
또한, 필름 기판(110)은 서로 대향되는 제1 면(110a) 및 제2 면(110b)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 면(110a)은 필름 기판(110)의 상면일 수 있고, 제2 면(110b)은 필름 기판(110)의 하면일 수 있다.
필름 기판(110)은 예를 들어, 플레시블(flexible) 필름일 수 있다. 예를 들어, 필름 기판(110)은 폴리이미드(polyimide) 또는 에폭시계 수지를 포함하는 플렉시블 필름일 수 있다.
복수의 제1 칩 패드(315)는 칩 영역(CR)의 제1 면(110a) 상에 형성될 수 있다. 복수의 제1 칩 패드(315)는 제1 반도체칩(310)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체칩(310)은 복수의 제1 칩 패드(315) 상에 배치될 수 있다. 도 2에서, 복수의 제1 칩 패드(315)는 제1 반도체칩(310)의 둘레를 따라 일렬로 배열되는 것으로 도시되었으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 제1 칩 패드(315)는 제1 반도체칩(310)의 가장자리의 일부를 따라 배열될 수도 있다. 또는 예를 들어, 복수의 제1 칩 패드(315)는 제1 반도체칩(310)의 가장자리를 따라 2개 이상의 열로 배열될 수도 있다.
복수의 제1 칩 패드(315)의 일부는 입력 패드일 수 있다. 또한, 복수의 제1 칩 패드(315)의 다른 일부는 출력 패드일 수 있다. 이에 관하여는, 도 7 내지 도 13에 관한 설명에서 자세히 후술한다.
몇몇 실시예에서, 복수의 제1 칩 패드(315)의 또 다른 일부는 더미(dummy) 패드일 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 칩 패드(315)의 또 다른 일부는 본딩 패드와 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 이러한 더미 패드는 예를 들어, 칩 영역(CR)의 중앙부에 형성될 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 제1 칩 패드(315)는 제1 패드 그룹(PG1)을 포함할 수 있다. 제1 패드 그룹(PG1)은 제2 방향(X)을 따라 배열되는 복수의 제1 칩 패드(315)의 일부일 수 있다. 또한, 제1 패드 그룹(PG1)은 제1 본딩 영역(BR1)에 인접하는 복수의 제1 칩 패드(315)의 일부일 수 있다.
복수의 제2 칩 패드(325)는 칩 영역(CR)의 제1 면(110a) 상에 형성될 수 있다. 복수의 제2 칩 패드(325)는 제2 반도체칩(320)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 반도체칩(320)은 복수의 제2 칩 패드(325) 상에 배치될 수 있다. 복수의 제1 칩 패드(315)와 마찬가지로, 도 2에서, 복수의 제2 칩 패드(325)는 제2 반도체칩(320)의 둘레를 따라 일렬로 배열되는 것으로 도시되었으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 제2 칩 패드(325)의 일부는 입력 패드일 수 있다. 또한, 복수의 제2 칩 패드(325)의 다른 일부는 출력 패드일 수 있다. 이에 관하여는, 도 7 내지 도 13에 관한 설명에서 자세히 후술한다.
몇몇 실시예에서, 복수의 제2 칩 패드(325)의 또 다른 일부는 더미(dummy) 패드일 수 있다. 예를 들어, 복수의 제2 칩 패드(325)의 또 다른 일부는 본딩 패드와 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 이러한 더미 패드는 예를 들어, 칩 영역(CR)의 중앙부에 형성될 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 제2 칩 패드(325)는 제2 패드 그룹(PG2)을 포함할 수 있다. 제2 패드 그룹(PG2)은 제2 방향(X)을 따라 배열되는 복수의 제2 칩 패드(325)의 일부일 수 있다. 또한, 제2 패드 그룹(PG2)은 제1 본딩 영역(BR1)에 인접하는 복수의 제2 칩 패드(325)의 일부일 수 있다. 예를 들어, 제2 패드 그룹(PG2)은 제2 방향(X)을 따라 제1 패드 그룹(PG1)과 인접하게 배열될 수 있다.
제1 및 제2 본딩 패드(144, 244)는 제1 본딩 영역(BR1) 내에 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 및 제2 본딩 패드(144, 244)는 제1 본딩 영역(BR1)의 제1 면(110a) 상에 형성될 수 있다. 제1 및 제2 본딩 패드(144, 244)는 예를 들어, 도 1의 구동 인쇄 회로(400)의 구동 연결 배선(430)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 복수의 제1 본딩 패드(144) 및 복수의 제2 본딩 패드(244)가 제1 본딩 영역(BR1) 내에 형성될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 본딩 패드(144) 및 복수의 제2 본딩 패드(244)는 제2 방향(X)을 따라 나란히 배열될 수 있다.
제3 내지 제6 본딩 패드(154, 164, 254, 264)는 제2 본딩 영역(BR2) 내에 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제3 내지 제6 본딩 패드(154, 164, 254, 264)는 제2 본딩 영역(BR2)의 제1 면(110a) 상에 형성될 수 있다. 제3 내지 제6 본딩 패드(154, 164, 254, 264)는 예를 들어, 도 1의 디스플레이 패널(500)의 패널 연결 배선(530)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 복수의 제3 본딩 패드(154) 및 복수의 제5 본딩 패드(254)가 제2 본딩 영역(BR2) 내에 형성될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제3 본딩 패드(154) 및 복수의 제5 본딩 패드(254)는 제2 방향(X)을 따라 나란히 배열될 수 있다.
마찬가지로, 복수의 제4 본딩 패드(164) 및 복수의 제6 본딩 패드(264)가 제2 본딩 영역(BR2) 내에 형성될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제4 본딩 패드(164) 및 복수의 제6 본딩 패드(264)는 제2 방향(X)을 따라 나란히 배열될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제4 본딩 패드(164) 및 제6 본딩 패드(264)는 제3 본딩 패드(154) 및 제5 본딩 패드(254)보다 칩 영역(CR)에 인접할 수 있다. 예를 들어, 제4 본딩 패드(164)는 제3 본딩 패드(154)와 칩 영역(CR) 사이에 배치될 수 있고, 제6 본딩 패드(264)는 제5 본딩 패드(254)와 칩 영역(CR) 사이에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제3 본딩 패드(154) 및 제4 본딩 패드(164)의 개수의 합은 제1 본딩 패드(144)의 개수보다 많을 수 있다. 마찬가지로, 제5 본딩 패드(254) 및 제6 본딩 패드(264)의 개수의 합은 제2 본딩 패드(244)의 개수보다 많을 수 있다.
도 7 및 도 8에서, 제3 본딩 패드(154)의 개수와 제4 본딩 패드(164)의 개수는 동일하고, 제5 본딩 패드(254)의 개수와 제6 본딩 패드(264)의 개수는 동일한 것으로 도시되었으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제3 본딩 패드(154)의 개수와 제4 본딩 패드(164)의 개수보다 적을 수도 있고, 이보다 많을 수도 있다.
제3 본딩 패드(154)와 제4 본딩 패드(164)는 서로 이격될 수 있고, 제5 본딩 패드(254)와 제6 본딩 패드(264)는 서로 이격될 수 있다. 또한, 도시된 것처럼, 제3 본딩 패드(154)와 제4 본딩 패드(164)는 서로 엇갈리게 배열될 수 있고, 제5 본딩 패드(254)와 제6 본딩 패드(264)는 서로 엇갈리게 배열될 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제3 본딩 패드(154)와 제4 본딩 패드(164)가 제1 방향(Y)을 따라 나란히 배열될 수도 있고, 제5 본딩 패드(254)와 제6 본딩 패드(264)가 제1 방향(Y)을 따라 나란히 배열될 수도 있다.
다이렉트 배선(330)은 제1 본딩 영역(BR1)과 제2 본딩 영역(BR2)을 연결할 수 있다. 예를 들어, 다이렉트 배선(330)은 제1 방향(Y)을 따라 연장되어 제1 본딩 영역(BR1)과 제2 본딩 영역(BR2)을 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 다이렉트 배선(330)은 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 따라 연장될 수 있다.
제1 본딩 영역(BR1) 내의 다이렉트 배선(330)은 예를 들어, 도 1의 구동 인쇄 회로(400)의 구동 연결 배선(430)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 본딩 영역(BR2) 내의 다이렉트 배선(330)은 예를 들어, 도 1의 디스플레이 패널(500)의 패널 연결 배선(530)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 다이렉트 배선(330)은 예를 들어, 구동 인쇄 회로(400)와 디스플레이 패널(500)을 전기적으로 연결할 수 있다.
그러나, 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지는 다이렉트 배선(330)을 포함하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예에서, 제1 본딩 영역(BR1)과 제2 본딩 영역(BR2)을 연결하는 다이렉트 배선(330)은 생략될 수도 있다.
레지스트막(120)은 필름 기판(110) 상의 배선들을 덮을 수 있다. 또한, 레지스트막(120)은 필름 기판(110) 상의 배선들의 일부를 노출시킬 수 있다. 예를 들어, 도 3 및 도 4에 도시된 것처럼, 레지스트막(120)은 복수의 제1 칩 패드(315) 및 복수의 제2 칩 패드(325)를 노출시킬 수 있다.
이에 따라, 복수의 제1 칩 패드(315)는 제1 반도체칩(310)과 접속될 수 있고, 복수의 제2 칩 패드(325)는 제2 반도체칩(320)과 접속될 수 있다. 복수의 제1 칩 패드(315) 및 복수의 제2 칩 패드(325)는, 각각 도전성 범프(bump)에 의해 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)과 전기적으로 연결될 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다.
몰드막(130)은 필름 기판(110)과 제1 및 제2 반도체칩(310, 320) 사이 및 필름 기판(110)과 제2 반도체칩(320) 사이에 형성될 수 있다. 또한, 몰드막(130)은 복수의 제1 칩 패드(315) 및 복수의 제2 칩 패드(325)를 덮을 수 있다.
몰드막(130)은 예를 들어, 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 몰드막(130)은 예를 들어, 모세관 언더필(capillary under-fill) 방법에 의해 형성될 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다.
상술한 것처럼, 제1 반도체칩(310)과 제2 반도체칩(320)은 서로 인접할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 반도체칩(310)과 제2 반도체칩(320) 사이의 거리는 100 μm 이하일 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 것처럼, 제1 반도체칩(310)과 제2 반도체칩(320) 사이의 거리(D)는 100 μm 이하일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 반도체칩(310)과 제2 반도체칩(320)은 서로 접촉할 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 반도체칩(310)과 제2 반도체칩(320)은 단차를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 것처럼, 제1 반도체칩(310)의 제1 두께(TH1)와 제2 반도체칩(320)의 제2 두께(TH2)는 서로 다를 수 있다. 도 4에서, 제1 반도체칩(310)의 제1 두께(TH1)는 제2 반도체칩(320)의 제2 두께(TH2)보다 작은 것으로 도시되었으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 반도체칩(310)의 제1 두께(TH1)는 제2 반도체칩(320)의 제2 두께(TH2)보다 클 수도 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지에서 반도체칩의 부착 방법을 설명하기 위한 예시적인 도면들이다.
도 5를 참조하면, 서로 인접하는 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)은 별개로 필름 기판(110) 상에 부착될 수 있다.
예를 들어, 제1 반도체칩(310)이 부착된 후에, 제2 반도체칩(320)이 필름 기판(110) 상에 부착될 수 있다. 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)은 예를 들어, 부착 기구(700)에 의해 필름 기판(110) 상에 부착될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 반도체칩(310)을 부착한 후에, 제1 반도체칩(310)보다 두꺼운 두께의 제2 반도체칩(320)을 필름 기판(110) 상에 부착할 수 있다. 이러한 경우에, 부착 기구(700)의 폭이 제2 반도체칩(320)보다 크더라도, 제1 반도체칩(310)에 인접하는 제2 반도체칩(320)을 용이하게 부착할 수 있다. 예를 들어, 100 μm 이하의 거리로 인접하는 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)이 필름 기판(110) 상에 형성될 수 있다.
그러나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니고, 부착 방법 또는 부착 기구에 따라, 제1 반도체칩(310)의 두께와 제2 반도체칩(320)의 두께는 서로 동일할 수도 있다.
도 6을 참조하면, 서로 인접하는 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)은 동시에 필름 기판(110) 상에 부착될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 웨이퍼(미도시)로부터 인접하는 복수 개의 반도체칩을 한 번에 절단한 후에, 절단된 복수 개의 반도체칩을 필름 기판(110) 상에 부착할 수 있다.
예를 들어, 웨이퍼에서 서로 인접하는 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)을 한 번에 절단한 후에, 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)을 필름 기판(110) 상에 부착할 수 있다. 이에 따라, 필름 기판(110) 상에 서로 인접하는 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)이 용이하게 부착될 수 있다. 예를 들어, 서로 접촉하는 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)이 필름 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 또는 예를 들어, 제1 반도체칩(310)과 제2 반도체칩(320) 사이에 웨이퍼의 스크라이브 라인(scribe line)이 남을 수 있다.
이하에서, 도 7 내지 도 13을 참조하여, 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 보다 구체적으로 설명한다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다. 도 9 및 도 10은 도 7 및 도 8의 B-B'을 따라서 절단한 다양한 단면도들이다. 도 11은 도 7 및 도 8의 C-C'을 따라서 절단한 단면도이다. 도 12 및 도 13은 도 7 및 도 8의 D-D'을 따라서 절단한 다양한 단면도들이다. 설명의 편의를 위해, 도 1 내지 도 6을 이용하여 설명한 것과 중복되는 부분은 간략히 설명하거나 생략한다. 또한, 설명의 편의를 위해, 도 7 및 도 8에서 반도체칩의 도시는 생략한다.
참고적으로, 도 7은 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 바라보는 레이아웃도이고, 도 8은 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 바라보는 레이아웃도이다.
도 7 내지 도 13을 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지에서, 제1 패드 그룹(PG1)은 제1 패드(152), 제2 패드(142) 및 제3 패드(162)를 포함하고, 제2 패드 그룹(PG2)은 제4 패드(252), 제5 패드(242) 및 제6 패드(262)를 포함한다. 또한, 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지는 제1 배선(150), 제2 배선(140), 제3 배선(160), 제4 배선(250), 제5 배선(240) 및 제6 배선(260)을 포함한다.
제1 내지 제3 패드(152, 142, 162)는 제2 방향(X)을 따라 차례로 배열될 수 있다. 이 때, 제1 패드(152)는 제2 반도체칩(320)에 인접할 수 있다. 예를 들어, 제1 패드(152)는 제2 패드(142) 및 제3 패드(162)보다 제2 반도체칩(320)에 인접할 수 있다.
제4 내지 제6 패드(252, 242, 262)는 제2 방향(X)을 따라 차례로 배열될 수 있다. 이 때, 제4 패드(252)는 제1 반도체칩(310)에 인접할 수 있다. 예를 들어, 제4 패드(252)는 제5 패드(242) 및 제6 패드(262)보다 제1 반도체칩(310)에 인접할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제4 패드(252)는 제1 패드(152)에 인접할 수 있다.
제1 배선(150)은 제1 반도체칩(310)과 제2 본딩 영역(BR2)을 연결할 수 있다. 예를 들어, 제1 배선(150)은 제1 패드(152)와 제3 본딩 패드(154)를 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 배선(150)은 출력 배선일 수 있다. 예를 들어, 제1 배선(150)은 제1 반도체칩(310)과 도 1의 디스플레이 패널(500)을 전기적으로 연결할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 배선(150)의 적어도 일부는 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 따라 연장될 수 있다. 예를 들어, 도 9에 도시된 것처럼, 제1 배선(150)은 제1 연장부(150a), 제1 비아(150v1), 제2 연장부(150b) 및 제2 비아(150v2)를 포함할 수 있다.
제1 연장부(150a)는 제1 패드(152)와 제1 비아(150v1)를 연결할 수 있다. 또한, 제1 연장부(150a)는 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 따라 연장될 수 있다.
제1 비아(150v1)는 필름 기판(110)을 관통할 수 있다. 또한, 제1 비아(150v1)는 제1 연장부(150a)와 제2 연장부(150b)를 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 도 7 및 도 8에 도시된 것처럼, 제1 비아(150v1)는 칩 영역(CR)과 제1 본딩 영역(BR1) 사이에 배치될 수 있다.
제2 연장부(150b)는 제1 비아(150v1)와 제2 비아(150v2)를 연결할 수 있다. 또한, 제2 연장부(150b)는 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 따라 연장될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 도 9에 도시된 것처럼, 제2 연장부(150b)의 적어도 일부는 제1 반도체칩(310)과 중첩될 수 있다. 여기서, "중첩"이란, 연직 방향에서 중첩되는 것을 의미한다.
제2 비아(150v2)는 필름 기판(110)을 관통할 수 있다. 또한, 제2 비아(150v2)는 제2 연장부(150b)와 제3 본딩 패드(154)를 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 도 7 및 도 8에 도시된 것처럼, 제2 비아(150v2)는 제2 본딩 영역(BR2) 내에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 비아(150v2)는 생략될 수도 있다. 예를 들어, 제3 본딩 패드(154)가 제2 본딩 영역(BR2)의 제2 면(110b) 상에 형성되는 경우에, 제2 비아(150v2)는 생략될 수 있다. 예를 들어, 제2 연장부(150b)와 제3 본딩 패드(154)가 직접 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 배선(150)은 제1 반도체칩(310)의 특성을 검사하는 테스트 배선을 더 포함할 수 있다. 제1 배선(150)이 출력 배선인 경우에, 제1 반도체칩(310)의 출력 특성이 검사될 수 있다. 예를 들어, 도 10에 도시된 것처럼, 제1 배선(150)은 제3 연장부(150c) 및 제1 테스트 패드(156)를 더 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제3 연장부(150c)는 제1 패드(152)로부터 제1 본딩 영역(BR1)을 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 제3 연장부(150c)는 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 따라 연장될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 테스트 패드(156)는 제1 본딩 영역(BR1) 내에 배치될 수 있다. 그러나, 몇몇 실시예에서, 제1 테스트 패드(156)는 필름 기판(110)으로부터 제거될 수도 있다.
제2 배선(140)은 제1 반도체칩(310)과 제1 본딩 영역(BR1)을 연결할 수 있다. 예를 들어, 제2 배선(140)은 제2 패드(142)와 제1 본딩 패드(144)를 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 배선(140)은 입력 배선일 수 있다. 예를 들어, 제2 배선(140)은 제1 반도체칩(310)과 도 1의 구동 인쇄 회로(400)를 전기적으로 연결할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 도 11에 도시된 것처럼, 제2 배선(140)은 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 따라 연장될 수 있다. 또한, 제1 본딩 패드(144)는 레지스트막(120)에 의해 노출될 수 있다.
제3 배선(160)은 제1 반도체칩(310)과 제2 본딩 영역(BR2)을 연결할 수 있다. 예를 들어, 제3 배선(160)은 제3 패드(162)와 제4 본딩 패드(164)를 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제3 배선(160)은 출력 배선일 수 있다. 예를 들어, 제3 배선(160)은 제1 반도체칩(310)과 도 1의 디스플레이 패널(500)을 전기적으로 연결할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 도 12에 도시된 것처럼, 제3 배선(160)은 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 따라 연장될 수 있다. 또한, 제4 본딩 패드(164)는 레지스트막(120)에 의해 노출될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 도 8에 도시된 것처럼, 제3 배선(160)은 제1 반도체칩(310)과 다이렉트 배선(330) 사이에서 연장될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제3 배선(160)은 제1 반도체칩(310)의 특성을 검사하는 테스트 배선을 더 포함할 수 있다. 제3 배선(160)이 출력 배선인 경우에, 제1 반도체칩(310)의 출력 특성이 검사될 수 있다. 예를 들어, 도 13에 도시된 것처럼, 제3 배선(160)은 제3 비아(160v) 및 제2 테스트 패드(166)를 더 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제3 배선(160)의 일부는 제3 비아(160v)를 통해 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 따라 연장될 수 있다. 또한, 제3 배선(160)의 일부는 제3 비아(160v)를 통해 제3 패드(162)로부터 제2 본딩 영역(BR2)을 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 테스트 패드(166)는 제2 본딩 영역(BR2) 내에 배치될 수 있다. 그러나, 몇몇 실시예에서, 제2 테스트 패드(166)는 필름 기판(110)으로부터 제거될 수도 있다.
제4 배선(250)은 제2 반도체칩(320)과 제2 본딩 영역(BR2)을 연결할 수 있다. 예를 들어, 제4 배선(250)은 제4 패드(252)와 제5 본딩 패드(254)를 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제4 배선(250)은 출력 배선일 수 있다. 예를 들어, 제4 배선(250)은 제2 반도체칩(320)과 도 1의 디스플레이 패널(500)을 전기적으로 연결할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제4 배선(250)의 적어도 일부는 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 따라 연장될 수 있다. 예를 들어, 제4 배선(250)은 필름 기판(110)을 관통하는 제4 비아(250v1) 및 제5 비아(250v2)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제4 비아(250v1)는 칩 영역(CR)과 제1 본딩 영역(BR1) 사이에 배치될 수 있고, 제5 비아(250v2)는 제2 본딩 영역(BR2) 내에 배치될 수 있다.
그러나, 몇몇 실시예에서, 제5 비아(250v2)는 생략될 수도 있다. 예를 들어, 제5 본딩 패드(254)가 제2 본딩 영역(BR2)의 제2 면(110b) 상에 형성되는 경우에, 제4 비아는 생략될 수 있다.
제5 배선(240)은 제2 반도체칩(320)과 제1 본딩 영역(BR1)을 연결할 수 있다. 예를 들어, 제5 배선(240)은 제5 패드(242)와 제2 본딩 패드(244)를 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제5 배선(240)은 입력 배선일 수 있다. 예를 들어, 제5 배선(240)은 제2 반도체칩(320)과 도 1의 구동 인쇄 회로(400)를 전기적으로 연결할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제5 배선(240)은 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 따라 연장될 수 있다.
제6 배선(260)은 제2 반도체칩(320)과 제2 본딩 영역(BR2)을 연결할 수 있다. 예를 들어, 제6 배선(260)은 제6 패드(262)와 제6 본딩 패드(264)를 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제6 배선(260)은 출력 배선일 수 있다. 예를 들어, 제6 배선(260)은 제2 반도체칩(320)과 도 1의 디스플레이 패널(500)을 전기적으로 연결할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제6 배선(260)은 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 따라 연장될 수 있다. 또한, 몇몇 실시예에서, 제6 배선(260)은 제2 반도체칩(320)과 다이렉트 배선(330) 사이에서 연장될 수 있다.
전자 제품이 소형화, 박형화 및 경량화됨에 따라, 전자 제품에 사용되는 반도체 패키지의 소형화 또한 요구되고 있다. 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지는, 반도체칩 사이의 거리를 최소화하여 소형화된 반도체 패키지를 제공할 수 있다.
예를 들어, 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지는, 제2 반도체칩(320)에 인접하는 제1 배선(150)을 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 따라 연장되도록 형성하여, 제1 반도체칩(310)과 제2 반도체칩(320) 사이의 거리를 최소화할 수 있다. 예를 들어, 100 μm 이하의 거리로 인접하는 제1 반도체칩(310) 및 제2 반도체칩(320)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 예를 들어, 제2 방향(X)에서 소형화된 반도체 패키지가 제공될 수 있다. 만일 제2 반도체칩(320)에 인접하는 제1 배선(150)이 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 따라 연장된다면, 제1 배선(150)은 제1 반도체칩(310)과 제2 반도체칩(320) 사이에서 연장될 수 있다. 이는 제1 반도체칩(310)과 제2 반도체칩(320) 사이의 거리를 넓히는 요소가 되므로, 반도체 패키지의 소형화에 불리하게 작용할 수 있다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다. 설명의 편의를 위해, 도 1 내지 도 13을 이용하여 설명한 것과 중복되는 부분은 간략히 설명하거나 생략한다. 또한, 설명의 편의를 위해, 도 14 및 도 17에서 반도체칩의 도시는 생략한다.
참고적으로, 도 14는 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 바라보는 레이아웃도이고, 도 15는 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 바라보는 레이아웃도이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지는 제7 배선(170) 및 제8 배선(270)을 포함한다.
제7 배선(170)은 제1 반도체칩(310)과 제2 본딩 영역(BR2)을 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제7 배선(170)은 출력 배선일 수 있다. 예를 들어, 제7 배선(170)은 제1 반도체칩(310)과 도 1의 디스플레이 패널(500)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제7 배선(170)의 적어도 일부는 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 따라 연장될 수 있다. 예를 들어, 제7 배선(170)은 필름 기판(110)을 관통하는 제6 비아(170v1)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제6 비아(170v1)는 칩 영역(CR) 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제6 비아(170v1)는 제1 반도체칩(310)과 중첩될 수 있다.
제7 배선(170)은 제7 패드(172)와 제3 본딩 패드(154)를 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제7 패드(172)는 제1 패드 그룹(PG1)보다 제2 본딩 영역(BR2)에 인접할 수 있다.
제8 배선(270)은 제2 반도체칩(320)과 제2 본딩 영역(BR2)을 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제8 배선(270)은 출력 배선일 수 있다. 예를 들어, 제8 배선(270)은 제2 반도체칩(320)과 도 1의 디스플레이 패널(500)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제8 배선(270)의 적어도 일부는 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 따라 연장될 수 있다. 예를 들어, 제8 배선(270)은 필름 기판(110)을 관통하는 제7 비아(270v1)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제7 비아(270v1)는 칩 영역(CR) 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제7 비아(270v1)는 제2 반도체칩(320)과 중첩될 수 있다.
제8 배선(270)은 제8 패드(272)와 제5 본딩 패드(254)를 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제8 패드(272)는 제2 패드 그룹(PG2)보다 제2 본딩 영역(BR2)에 인접할 수 있다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다. 설명의 편의를 위해, 도 1 내지 도 13을 이용하여 설명한 것과 중복되는 부분은 간략히 설명하거나 생략한다. 또한, 설명의 편의를 위해, 도 16 및 도 17에서 반도체칩의 도시는 생략한다.
참고적으로, 도 16은 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 바라보는 레이아웃도이고, 도 17은 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 바라보는 레이아웃도이다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지에서, 제1 배선(150)의 제1 비아(150v1)는 칩 영역(CR) 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 비아(150v1)는 제1 반도체칩(310)과 중첩될 수 있다.
제1 비아(150v1)와 마찬가지로, 몇몇 실시예에서, 제4 배선(250)의 제4 비아(250v1)는 칩 영역(CR) 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제4 비아(250v1)는 제2 반도체칩(320)과 중첩될 수 있다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다. 설명의 편의를 위해, 도 1 내지 도 13을 이용하여 설명한 것과 중복되는 부분은 간략히 설명하거나 생략한다. 또한, 설명의 편의를 위해, 도 18 및 도 19에서 반도체칩의 도시는 생략한다.
참고적으로, 도 18은 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 바라보는 레이아웃도이고, 도 19는 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 바라보는 레이아웃도이다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지에서, 제3 배선(160)의 적어도 일부는 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 따라 연장될 수 있다. 예를 들어, 제3 배선(160)은 필름 기판(110)을 관통하는 제8 비아(160v1)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제8 비아(160v1)는 칩 영역(CR)과 제1 본딩 영역(BR1) 사이에 배치될 수 있다.
제3 배선(160)과 마찬가지로, 몇몇 실시예에서, 제6 배선(260)의 적어도 일부는 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 따라 연장될 수 있다. 예를 들어, 제6 배선(260)은 필름 기판(110)을 관통하는 제9 비아(260v1)를 포함할 수 잇다. 몇몇 실시예에서, 제9 비아(260v1)는 칩 영역(CR)과 제1 본딩 영역(BR1) 사이에 배치될 수 있다.
도 19에 도시된 것처럼, 몇몇 실시예에 따른 제3 배선(160) 및 제6 배선(260)은 칩 영역(CR)과 중첩되지 않을 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니고, 제3 배선(160)의 적어도 일부 및/또는 제6 배선(260)의 적어도 일부는 칩 영역(CR)과 중첩될 수도 있다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 기술적 사상의 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 레이아웃도이다. 설명의 편의를 위해, 도 1 내지 도 15를 이용하여 설명한 것과 중복되는 부분은 간략히 설명하거나 생략한다. 또한, 설명의 편의를 위해, 도 20 및 도 21에서 반도체칩의 도시는 생략한다.
참고적으로, 도 20은 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 바라보는 레이아웃도이고, 도 21은 필름 기판(110)의 제2 면(110b)을 바라보는 레이아웃도이다.
도 20 및 도 21을 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지에서, 제1 패드 그룹(PG1)은 제9 패드(182)를 더 포함한다. 또한, 몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지는 제9 배선(180)을 더 포함한다.
몇몇 실시예에서, 제9 패드(182)는 제1 패드(152)보다 제2 반도체칩(320)에 인접할 수 있다. 예를 들어, 제9 패드(182)는 제1 패드(152)보다 제4 패드(252)에 인접할 수 있다.
제9 배선(180)은 제1 반도체칩(310)과 제1 본딩 영역(BR1)을 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제9 배선(180)은 출력 배선일 수 있다. 예를 들어, 제9 배선(180)은 제1 반도체칩(310)과 도 1의 디스플레이 패널(500)을 전기적으로 연결할 수 있다.
제9 배선(180)은 제1 반도체칩(310)과 제2 반도체칩(320) 사이에서 연장될 수 있다. 예를 들어, 제9 배선(180)은 제1 패드(152)와 제4 패드(252) 사이에서 연장될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제9 배선(180)은 필름 기판(110)의 제1 면(110a)을 따라 연장될 수 있다. 예를 들어, 제9 배선(180)은 제9 패드(182)와 제4 본딩 패드(164)를 연결할 수 있다.
몇몇 실시예에 따른 반도체 패키지는 다이렉트 배선을 포함하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 도시된 것처럼, 몇몇 실시예에서, 제1 본딩 영역(BR1)과 제2 본딩 영역(BR2)을 연결하는 다이렉트 배선(예를 들어, 도 7 및 도 8의 330)은 생략될 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 반도체 패키지
110: 필름 기판
120: 레지스트막 130: 몰드막
140, 150, 160: 배선 142, 152, 162: 패드
144, 154, 164: 본딩 패드 310, 320: 반도체칩
330: 다이렉트 배선 315, 325: 칩 패드
410: 구동 회로 칩 430: 구동 연결 배선
500: 디스플레이 패널 510: 디스플레이용 기판
520: 화상 영역 530: 패널 연결 배선
600: 이방 도전성층 BR1, BR2: 본딩 영역
CR: 칩 영역 PG1, PG2: 패드 그룹
120: 레지스트막 130: 몰드막
140, 150, 160: 배선 142, 152, 162: 패드
144, 154, 164: 본딩 패드 310, 320: 반도체칩
330: 다이렉트 배선 315, 325: 칩 패드
410: 구동 회로 칩 430: 구동 연결 배선
500: 디스플레이 패널 510: 디스플레이용 기판
520: 화상 영역 530: 패널 연결 배선
600: 이방 도전성층 BR1, BR2: 본딩 영역
CR: 칩 영역 PG1, PG2: 패드 그룹
Claims (20)
- 제1 방향을 따라 차례로 배열되는 제1 본딩 영역, 칩 영역 및 제2 본딩 영역이 정의되고, 서로 대향되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 필름 기판;
상기 칩 영역의 상기 제1 면 상에, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 차례로 배열되는 제1 패드, 제2 패드 및 제3 패드를 포함하는 제1 패드 그룹;
상기 제1 패드 그룹 상의 제1 반도체칩;
상기 칩 영역의 상기 제1 면 상에, 상기 제1 반도체칩과 상기 제2 방향을 따라 배열되고, 상기 제1 패드에 인접하는 제2 반도체칩;
상기 제1 패드와 상기 제2 본딩 영역을 연결하는 제1 배선;
상기 제2 패드와 상기 제1 본딩 영역을 연결하는 제2 배선; 및
상기 제3 패드와 상기 제2 본딩 영역을 연결하는 제3 배선을 포함하고,
상기 제1 배선은,
상기 필름 기판을 관통하는 제1 비아와,
상기 제1 패드와 상기 제1 비아를 연결하는 제1 연장부와,
상기 제1 비아와 상기 제2 본딩 영역을 연결하며 상기 필름 기판의 상기 제2 면을 따라 연장되는 제2 연장부를 포함하는 반도체 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 제2 연장부의 적어도 일부는 상기 제1 반도체칩과 중첩되는 반도체 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 제2 본딩 영역의 상기 제1 면 상에, 서로 이격되는 제1 본딩 패드 및 제2 본딩 패드를 더 포함하고,
상기 제1 배선은, 상기 제1 패드와 상기 제1 본딩 패드를 연결하고,
상기 제3 배선은, 상기 제3 패드와 상기 제2 본딩 패드를 연결하는 반도체 패키지. - 제 3항에 있어서,
상기 제2 본딩 패드는 상기 제1 본딩 패드보다 상기 칩 영역에 인접하는 반도체 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 비아는 상기 칩 영역과 상기 제1 본딩 영역 사이에 배치되는 반도체 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 배선은, 상기 제1 패드와 상기 제1 본딩 영역을 연결하며 상기 필름 기판의 상기 제1 면을 따라 연장되는 제3 연장부를 더 포함하는 반도체 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 제3 배선은, 상기 칩 영역과 상기 제1 본딩 영역 사이의 제2 비아를 포함하고,
상기 제3 배선의 적어도 일부는, 상기 필름 기판의 상기 제2 면을 따라 연장되는 반도체 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 칩 영역의 상기 제1 면 상에, 상기 제2 반도체칩과 연결되고, 상기 제1 패드에 인접하는 제4 패드와,
상기 제4 패드와 상기 제2 본딩 영역을 연결하는 제4 배선을 더 포함하고,
상기 제4 배선은,
상기 필름 기판을 관통하는 제2 비아와,
상기 제4 패드와 상기 제2 비아를 연결하는 제3 연장부와,
상기 제2 비아와 상기 제2 본딩 영역을 연결하며 상기 필름 기판의 상기 제2 면을 따라 연장되는 제4 연장부를 포함하는 반도체 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 칩 영역의 상기 제1 면 상에, 상기 제1 반도체칩과 연결되고, 상기 제1 패드 그룹보다 상기 제2 본딩 영역에 인접하는 제4 패드와,
상기 제4 패드와 상기 제2 본딩 영역을 연결하는 제4 배선을 더 포함하고,
상기 제4 배선의 적어도 일부는, 상기 필름 기판의 상기 제2 면을 따라 연장되는 반도체 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 반도체칩 및 상기 제2 반도체칩은 디스플레이 구동칩(DDI)을 포함하는 반도체 패키지. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 배선 및 상기 제3 배선은 출력 배선이고, 상기 제2 배선은 입력 배선인 반도체 패키지. - 제1 방향을 따라 차례로 배열되는 제1 본딩 영역, 칩 영역 및 제2 본딩 영역이 정의되고, 서로 대향되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 필름 기판;
상기 칩 영역의 상기 제1 면 상에, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 제1 패드 및 제2 패드를 포함하는 제1 패드 그룹;
상기 칩 영역의 상기 제1 면 상에, 상기 제1 패드를 사이에 두고 상기 제2 패드와 상기 제2 방향을 따라 배열되는 제3 패드를 포함하는 제2 패드 그룹;
상기 제1 패드 그룹 상의 제1 반도체칩;
상기 제2 패드 그룹 상에, 상기 제1 반도체칩과 상기 제2 방향을 따라 배열되는 제2 반도체칩;
상기 필름 기판을 관통하는 제1 비아와, 상기 제1 패드와 상기 제1 비아를 연결하는 제1 연장부와, 상기 제1 비아와 상기 제2 본딩 영역을 연결하며 상기 필름 기판의 상기 제2 면을 따라 연장되는 제2 연장부를 포함하는 제1 배선;
상기 제2 패드와 상기 제1 본딩 영역을 연결하는 제2 배선; 및
상기 필름 기판을 관통하는 제2 비아와, 상기 제3 패드와 상기 제2 비아를 연결하는 제3 연장부와, 상기 제2 비아와 상기 제2 본딩 영역을 연결하며 상기 필름 기판의 상기 제2 면을 따라 연장되는 제4 연장부를 포함하는 제3 배선을 포함하는 반도체 패키지. - 제 12항에 있어서,
상기 필름 기판의 상기 제1 면을 따라 연장되는 제4 배선을 더 포함하고,
상기 제1 패드 그룹은, 상기 제2 패드를 사이에 두고 상기 제1 패드와 이격되는 제4 패드를 더 포함하고,
상기 제4 배선은 상기 제4 패드와 상기 제2 본딩 영역을 연결하는 반도체 패키지. - 제 12항에 있어서,
상기 필름 기판의 상기 제1 면을 따라 연장되는 제4 배선을 더 포함하고,
상기 제2 패드 그룹은, 상기 제3 패드를 사이에 두고 상기 제1 패드와 이격되는 제4 패드를 더 포함하고,
상기 제4 배선은 상기 제4 패드와 상기 제1 본딩 영역을 연결하는 반도체 패키지. - 제 12항에 있어서,
상기 제1 반도체칩과 상기 제2 반도체칩이 이격되는 거리는 100 μm 이하인 반도체 패키지. - 제1 방향을 따라 차례로 배열되는 제1 본딩 영역, 칩 영역 및 제2 본딩 영역이 정의되고, 서로 대향되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 필름 기판;
상기 칩 영역의 상기 제1 면 상에, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 제1 패드 및 제2 패드를 포함하고, 상기 제1 본딩 영역에 인접하는 제1 패드 그룹;
상기 제1 패드 그룹 상의 제1 반도체칩;
상기 칩 영역의 상기 제1 면 상에, 상기 제1 반도체칩과 상기 제2 방향을 따라 배열되고, 상기 제2 패드보다 상기 제1 패드에 인접하는 제2 반도체칩;
상기 제1 패드와 상기 제2 본딩 영역을 연결하는 제1 배선; 및
상기 제2 패드와 상기 제2 본딩 영역을 연결하고, 상기 필름 기판의 상기 제1 면을 따라 연장되는 제2 배선을 포함하고,
상기 제1 배선은,
상기 필름 기판을 관통하는 제1 비아와,
상기 제1 패드와 상기 제1 비아를 연결하는 제1 연장부와,
상기 제1 비아와 상기 제2 본딩 영역을 연결하며 상기 필름 기판의 상기 제2 면을 따라 연장되는 제2 연장부를 포함하는 반도체 패키지. - 제 16항에 있어서,
상기 필름 기판의 상기 제1 면을 따라 연장되는 제3 배선을 더 포함하고,
상기 제1 패드 그룹은, 상기 제1 패드와 상기 제2 패드 사이의 제3 패드를 더 포함하고,
상기 제3 배선은 상기 제3 패드와 상기 제1 본딩 영역을 연결하는 반도체 패키지. - 제 16항에 있어서,
상기 제1 반도체칩과 상기 제2 반도체칩 사이의 제3 배선을 더 포함하고,
상기 제1 패드 그룹은, 상기 제1 패드보다 상기 제2 반도체칩에 인접하는 제3 패드를 더 포함하고,
상기 제3 배선은 상기 제3 패드와 상기 제2 본딩 영역을 연결하는 반도체 패키지. - 제 16항에 있어서,
상기 필름 기판의 상기 제1 면 상에, 상기 제1 방향을 따라 연장되어 상기 제1 본딩 영역과 상기 제2 본딩 영역을 연결하는 다이렉트 배선을 더 포함하는 반도체 패키지. - 제1 방향을 따라 차례로 배열되는 제1 본딩 영역, 칩 영역 및 제2 본딩 영역이 정의되고, 서로 대향되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 필름 기판;
상기 칩 영역의 상기 제1 면 상에, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 입력 패드 및 출력 패드를 포함하는 제1 패드 그룹;
상기 제1 패드 그룹 상의 제1 디스플레이 구동칩;
상기 칩 영역의 상기 제1 면 상에, 상기 제1 디스플레이 구동칩과 상기 제2 방향을 따라 배열되고, 상기 입력 패드보다 상기 출력 패드에 인접하는 제2 디스플레이 구동칩;
상기 입력 패드와 상기 제1 본딩 영역을 연결하고, 상기 필름 기판의 상기 제1 면을 따라 연장되는 입력 배선; 및
상기 출력 패드와 상기 제2 본딩 영역을 연결하고, 적어도 일부가 상기 필름 기판의 상기 제2 면을 따라 연장되는 출력 배선을 포함하는 디스플레이 장치.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180014978A KR102322539B1 (ko) | 2018-02-07 | 2018-02-07 | 반도체 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
US16/170,804 US10607939B2 (en) | 2018-02-07 | 2018-10-25 | Semiconductor packages and display devices including the same |
CN201910052392.9A CN110120379B (zh) | 2018-02-07 | 2019-01-21 | 半导体封装 |
US16/811,389 US11133262B2 (en) | 2018-02-07 | 2020-03-06 | Semiconductor packages and display devices including the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180014978A KR102322539B1 (ko) | 2018-02-07 | 2018-02-07 | 반도체 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190095684A true KR20190095684A (ko) | 2019-08-16 |
KR102322539B1 KR102322539B1 (ko) | 2021-11-04 |
Family
ID=67475747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180014978A KR102322539B1 (ko) | 2018-02-07 | 2018-02-07 | 반도체 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10607939B2 (ko) |
KR (1) | KR102322539B1 (ko) |
CN (1) | CN110120379B (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108803166B (zh) * | 2018-07-06 | 2021-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板组件、显示面板及显示装置 |
CN109168250B (zh) * | 2018-10-24 | 2020-04-17 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种电路板及其制作方法、使用方法、显示装置 |
KR20210030773A (ko) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | 삼성전자주식회사 | 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR20210036444A (ko) * | 2019-09-25 | 2021-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2021227031A1 (zh) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其驱动方法、显示装置 |
JP2022082887A (ja) * | 2020-11-24 | 2022-06-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN112992879B (zh) * | 2021-02-10 | 2023-10-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板、背光模组及显示面板 |
JP7108350B1 (ja) | 2022-03-25 | 2022-07-28 | 株式会社セレブレクス | 狭額縁ディスプレイモジュール及びデータ出力装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080055291A1 (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chip film package and display panel assembly having the same |
KR20100021899A (ko) * | 2008-08-18 | 2010-02-26 | 삼성전자주식회사 | 테이프 배선 기판, 칩-온-필름 패키지 및 장치 어셈블리 |
US20100165594A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-01 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Mounting structure of semiconductor package and plasma display device having the same |
US20110100687A1 (en) * | 2009-11-02 | 2011-05-05 | Tae Ki Hong | Carrier tape for tab-package and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3186925B2 (ja) * | 1994-08-04 | 2001-07-11 | シャープ株式会社 | パネルの実装構造並びに集積回路搭載テープおよびその製造方法 |
KR0182506B1 (ko) | 1995-10-28 | 1999-03-20 | 김광호 | 동시에 절단된 반도체 칩을 이용한 고밀도 실장형 패키지 및 그 제조 방법 |
JP3837220B2 (ja) | 1997-11-19 | 2006-10-25 | シャープ株式会社 | 集積回路装置 |
US6677664B2 (en) | 2000-04-25 | 2004-01-13 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Display driver integrated circuit and flexible wiring board using a flat panel display metal chassis |
JP2003330041A (ja) | 2002-05-10 | 2003-11-19 | Sharp Corp | 半導体装置及びそれを備えた表示パネルモジュール |
JP4472737B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2010-06-02 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置、半導体素子及び基板 |
KR101146987B1 (ko) | 2010-05-03 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시장치 및 표시장치에 구비된 구동칩실장용필름소자 |
KR102258746B1 (ko) * | 2014-08-13 | 2021-06-01 | 삼성전자주식회사 | 벤딩부를 갖는 칩 온 필름 패키지 |
KR102243669B1 (ko) * | 2015-01-26 | 2021-04-23 | 삼성전자주식회사 | 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR20160093183A (ko) | 2015-01-28 | 2016-08-08 | 주식회사 프로이천 | 칩 온 필름 패키지를 위한 필름의 제조 방법 |
KR20160139300A (ko) * | 2015-05-27 | 2016-12-07 | 삼성전자주식회사 | 칩 온 필름 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102525875B1 (ko) * | 2016-06-24 | 2023-04-27 | 삼성전자주식회사 | 필름 패키지, 패키지 모듈, 및 패키지의 제조 방법 |
KR102508527B1 (ko) * | 2016-07-01 | 2023-03-09 | 삼성전자주식회사 | 필름형 반도체 패키지 |
-
2018
- 2018-02-07 KR KR1020180014978A patent/KR102322539B1/ko active IP Right Grant
- 2018-10-25 US US16/170,804 patent/US10607939B2/en active Active
-
2019
- 2019-01-21 CN CN201910052392.9A patent/CN110120379B/zh active Active
-
2020
- 2020-03-06 US US16/811,389 patent/US11133262B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080055291A1 (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chip film package and display panel assembly having the same |
KR20100021899A (ko) * | 2008-08-18 | 2010-02-26 | 삼성전자주식회사 | 테이프 배선 기판, 칩-온-필름 패키지 및 장치 어셈블리 |
US20100165594A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-01 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Mounting structure of semiconductor package and plasma display device having the same |
US20110100687A1 (en) * | 2009-11-02 | 2011-05-05 | Tae Ki Hong | Carrier tape for tab-package and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10607939B2 (en) | 2020-03-31 |
US20200211972A1 (en) | 2020-07-02 |
CN110120379A (zh) | 2019-08-13 |
KR102322539B1 (ko) | 2021-11-04 |
US11133262B2 (en) | 2021-09-28 |
US20190244906A1 (en) | 2019-08-08 |
CN110120379B (zh) | 2023-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102322539B1 (ko) | 반도체 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 | |
US10699974B2 (en) | Film for package substrate, semiconductor package, display device, and methods of fabricating the film, the semiconductor package, the display device | |
US9113545B2 (en) | Tape wiring substrate and chip-on-film package including the same | |
US20230077996A1 (en) | Chip-on-film packages and display apparatuses including the same | |
US6882034B2 (en) | Routing element for use in multi-chip modules, multi-chip modules including the routing element, and methods | |
CN111430421B (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
CN110277365B (zh) | 电子装置与拼接电子系统 | |
US20190012956A1 (en) | Light emitting module and display device | |
KR20210036444A (ko) | 표시 장치 | |
TWI615934B (zh) | 半導體裝置、顯示面板總成、半導體結構 | |
US20090065934A1 (en) | Wiring substrate, tape package having the same, display device having the tape package, method of manufacturing the wiring substrate, method of manufacturing a tape package having the same and method of manufacturing a display device having the tape package | |
KR102096765B1 (ko) | 연성 회로 기판 및 이를 포함하는 전자 장치 | |
KR102391249B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR20210025167A (ko) | 표시 장치 | |
KR20230085258A (ko) | 반도체 패키지 및 그의 검사 방법 | |
JP7182397B2 (ja) | パッケージ基板用フィルム、半導体パッケージ、ディスプレイ装置及びそれらの製造方法 | |
US20240204009A1 (en) | Film package and display module including same | |
KR20190112504A (ko) | 엘이디 픽셀 유닛 및 이를 포함하는 엘이디 디스플레이 패널 | |
US20240213268A1 (en) | Chip on film package and display apparatus including the same | |
US20240096909A1 (en) | Chip on film package and display apparatus including the same | |
US20240096904A1 (en) | Chip-on-film package and display device including the same | |
WO2022082651A1 (zh) | 显示装置 | |
TW546514B (en) | Liquid crystal display module structure | |
JP2005079499A (ja) | 半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体装置の製造方法 | |
CN116598315A (zh) | 一种显示面板及电子设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |