KR20190071789A - Coa형 액정 패널의 제조방법 및 coa형 액정 패널 - Google Patents

Coa형 액정 패널의 제조방법 및 coa형 액정 패널 Download PDF

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KR20190071789A
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Abstract

COA형 액정 패널의 제조방법 및 COA형 액정 패널에 있어서, 제2 금속층(56) 전에 컬러 레지스트층(53)의 성막 및 패터닝을 진행하여, 제3 절연층(57) 상에서만 홀 디깅을 하면 비아 홀(59) 구조가 형성될 수 있고, 컬러 레지스트층(53) 상에서의 홀 디깅을 피하며, 제조 공정을 간소화하고, 픽셀 개구율을 향상시킨다.

Description

COA형 액정 패널의 제조방법 및 COA형 액정 패널
본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로서, 특히 픽셀 개구율을 향상시킬 수 있는 COA형 액정 패널의 제조방법 및 COA형 액정 패널에 관한 것이다.
액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display，LCD)는 바디가 얇고, 전력이 절감되며, 방사가 없는 등 여러 장점이 있어, 예로 액정 텔레비전, 휴대폰, 개인 휴대 정보 단말기(PDA), 디지털 카메라, 컴퓨터 스크린 또는 노트북 스크린 등에 광범위하게 활용되고 있다.
통상적으로, 액정 디스플레이 장치는 하우징, 하우징 내부에 배치되는 액정 패널 및 하우징 내부에 배치되는 백라이트 모듈(backlight module)을 포함한다. 여기에서, 액정 패널의 구조는 주로 박막 트랜지스터 어레이 기판(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate), 컬러 필터 기판(Color Filter，CF) 및 두 기판 사이에 배치되는 액정층(Liquid Crystal Layer)으로 구성되며, 그 동작원리는 2개의 유리기판에 구동 전압의 인가를 통해 액정층의 액정분자의 회전을 제어하여, 백라이트 모듈의 광선을 굴절하여 화면을 생성하는 것이다.
COA(Color filter On Array)는 CF기판 상의 컬러 레지스트층을 어레이 기판 상에 제조하는 기술로, COA구조는 픽셀 전극과 금속 배선의 커플링을 감소시키므로, 금속 라인 상 신호의 지연상황을 개선한다. COA구조는 기생 용량 크기를 현저히 감소시키며, 패널 개구율을 향상시키고, 패널 디스플레이 품질을 개선할 수 있다.
도1 및 도2를 참조하면, 여기서 도1은 기존 COA형 액정 패널의 픽셀 설계 예시도이고, 도2는 도1에 나타낸 비아 홀 부분의 단면 예시도이다. 상기 COA형 액정 패널의 어레이 기판 상의 각각의 서브 픽셀 영역은 제1 금속층(21), 상기 제1 금속층(21)에 배치되는 제1 절연층(22), 상기 제1 절연층(22)에 배치되는 반도체층(23), 상기 반도체층(23)에 배치되는 제2 금속층(24), 상기 제2 금속층(24)에 배치되는 제2 절연층(25), 상기 제2 절연층(25)에 배치되는 컬러 레지스트층(26), 상기 컬러 레지스트층(26)에 배치되는 제3 절연층(27), 및 상기 제3 절연층(27)에 배치되는 픽셀 전극층(28)을 포함한다. 상기 제2 절연층(25), 컬러 레지스트층(26) 및 제3 절연층(27)에서 상기 제2 금속층(24)에 대응되는 상 측에 비아 홀(VIA Hole, 29)이 형성되고, 상기 픽셀 전극층(28)은 상기 비아 홀(29)을 통해 상기 제2 금속층(24)에 접촉된다.
그러나, 현재의 성막순서의 경우, 비아 홀 구조는 절연층 및 컬러 레지스트층에서 홀 디깅을 통해 구현해야 하며, 컬러 레지스트층 상의 홀(261) 직경은 절연층 상의 홀 직경보다 크다. 이러한 비아 홀 구조는 상당한 부분의 픽셀 개구율을 손실시킨다.
따라서, 제조 공정을 간소화시키고, 픽셀 개구율을 향상시키도록, 기존 COA형 액정 패널의 픽셀 설계방식에 대한 개선이 필요하다.
본 발명은 제조 공정을 간소화시키고, 픽셀 개구율을 향상시킬 수 있도록, COA형 액정 패널의 제조방법 및 COA형 액정 패널을 제공하는 데 목적이 있다.
상기 목적을 구현하기 위해, 본 발명은 제1기판을 제공하고, 상기 제1 기판에 제1 금속층 및 제1 절연층을 순차적으로 형성하고; 상기 제1 절연층에 컬러 레지스트층 및 제2 절연층을 순차적으로 형성하되, 도포, 노광 및 현상 제조 공정을 사용하여 상기 컬러 레지스트층을 형성하며, 상기 컬러 레지스트층의 구조는 단일 컬러 레지스트층, 이중 컬러 레지스트층 및 삼중 컬러 레지스트층 중에서 어느 1종이 채택되고; 상기 제2 절연층에 반도체층 및 제2 금속층을 형성하고, 상기 제2 금속층에 상기 제2 절연층을 커버하는 제3 절연층을 형성하며; 상기 제3 절연층에 비아 홀을 형성하고, 상기 제3 절연층에 픽셀 전극층을 형성하고, 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 제2 금속층에 접촉되는 단계를 포함하는, COA형 액정 패널의 제조방법을 제공한다.
상기 목적을 구현하기 위해, 본 발명은 제1기판을 제공하고, 상기 제1 기판에 제1 금속층 및 제1 절연층을 순차적으로 형성하고; 상기 제1 절연층에 컬러 레지스트층 및 제2 절연층을 순차적으로 형성하고; 상기 제2 절연층에 반도체층 및 제2 금속층을 형성하고, 상기 제2 금속층에 상기 제2 절연층을 커버하는 제3 절연층을 형성하며; 상기 제3 절연층에 비아 홀을 형성하고, 상기 제3 절연층에 픽셀 전극층을 형성하고, 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 제2 금속층에 접촉되는 단계를 포함하는, COA형 액정 패널의 제조방법을 제공한다.
상기 목적을 구현하기 위해, 본 발명은 어레이 기판을 포함하고; 상기 어레이 기판은 복수 개의 픽셀 영역을 포함하고, 각각의 픽셀 영역은 순차적으로 배치되는 제1 금속층, 제1 절연층, 컬러 레지스트층, 제2 절연층, 상기 제2 절연층에 배치되는 반도체층과 제2 금속층, 상기 제2 금속층에 배치되며 상기 제2 절연층을 커버하는 제3 절연층 및 상기 제3 절연층에 배치되는 픽셀 전극층을 포함하고; 상기 제3 절연층에는 비아 홀이 형성되고, 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 제2 금속층에 접촉되는, COA형 액정 패널을 더 제공한다.
본 발명은 제2 금속층 전에 컬러 레지스트층의 성막 및 패터닝을 진행하여, 제3 절연층 상에서만 홀 디깅을 하면 비아 홀 구조가 형성될 수 있고, 컬러 레지스트층 상에서의 홀 디깅을 피하며, 제조 공정을 간소화하고, 픽셀 개구율을 향상시킨다.
도 1은 기존 COA형 액정 패널의 픽셀 설계 예시도이다;
도 2는 도1에 나타낸 비아 홀 부분의 단면 예시도이다;
도 3은 본 발명 일 실시예에서 서술하는 COA형 액정 패널의 제조방법의 흐름도이다;
도 4a-4c는 본 발명에서 서술하는 COA형 액정 패널의 컬러 레지스트층 구조 실시예의 예시도이다;
도 5는 본 발명에서 서술하는 COA형 액정 패널의 비아 홀 부분의 단면 예시도이다.
이하 첨부된 도면 및 실시예를 결합하여 본 발명에서 제공하는 COA형 액정 패널의 제조방법 및 COA형 액정 패널에 대해 구체적으로 설명한다. 서술하는 실시예는 본 발명의 일부 실시예일뿐, 전부의 실시예가 아닌 것은 명백한 것이다. 본 발명 중의 실시예에 기초하여, 본 분야 통상의 기술자가 창조적인 노동을 하지 않는 전제하에 얻어내는 모든 기타 실시예는 모두 본 발명의 보호범위에 속한다.
본 발명의 일 실시예에서 서술하는 COA형 액정 패널의 제조방법의 흐름도인 도3을 참조한다; 상기 방법은 아래와 같은 단계를 포함한다: (S31): 제1기판을 제공하고, 상기 제1 기판에 제1 금속층 및 제1 절연층을 순차적으로 형성한다; (S32): 상기 제1 절연층에 컬러 레지스트층 및 제2 절연층을 순차적으로 형성한다; (S33): 상기 제2 절연층에 반도체층 및 제2 금속층을 형성하고, 상기 제2 금속층에 상기 제2 절연층을 커버하는 제3 절연층을 형성한다; (S34): 상기 제3 절연층에 비아 홀을 형성하고, 상기 제3 절연층에 픽셀 전극층을 형성하고, 여기서, 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 제2 금속층에 접촉된다; 아래에서 구체적으로 설명한다.
(S31): 제1기판을 제공하고, 상기 제1 기판에 제1 금속층 및 제1 절연층을 순차적으로 형성한다.
구체적으로, 상기 제1 기판에 증착 및 패터닝 제조 공정을 사용하여 상기 제1 금속층을 형성한 다음, 상기 제1 금속층에 상기 제1 절연층을 증착한다; 상기 제1 절연층은 SiNx 필름층일 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 기판은 COA형 액정 패널의 어레이 기판일 수 있고; 상기 제1 금속층은 게이트를 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 게이트에 배치되는 게이트 절연층이며; 상기 어레이 기판에 상기 게이트에 연결되는 스캔라인이 더 배치된다.
(S32): 상기 제1 절연층에 컬러 레지스트층 및 제2 절연층을 순차적으로 형성한다.
구체적으로, 상기 제1 절연층에 도포, 노광 및 현상 제조 공정을 사용하여 상기 컬러 레지스트층을 형성한 다음, 상기 컬러 레지스트층에 상기 제2 절연층을 증착한다. 상기 제2 절연층은 SiNx 필름층일 수 있다.
선택 가능하게, 상기 컬러 레지스트층 구조는 단일 컬러 레지스트층, 이중 컬러 레지스트층 및 삼중 컬러 레지스트층 중에서 어느 1종이 채택된다. 본 발명에서 서술하는 COA형 액정 패널의 컬러 레지스트층 구조 실시예의 예시도인 도 4a-4c를 참조한다. 여기서, 도 4a는 단일 컬러 레지스트층인 컬러 레지스트층 구조를 나타내며, 단일 컬러 레지스트층은 독립적으로 적색, 녹색 또는 청색일 수 있고; 도면에 청색(B)을 채택하여 나타낸다. 도 4b는 이중 컬러 레지스트층인 컬러 레지스트층 구조를 나타내며, 이중 컬러 레지스트층은 적색, 녹색, 청색 중에서 어느 2 종 색의 중첩이고, 중첩 순서는 한정하지 않고; 도면에 녹색, 적색을 순차적으로 중첩한 것(G, R)을 채택하여 나타낸다. 도 4c는 삼중 컬러 레지스트층인 컬러 레지스트층 구조를 나타내며, 삼중 컬러 레지스트층은 적색, 녹색, 청색 3종 색의 복합이고, 중첩순서는 한정하지 않고; 도면에 청색, 녹색, 적색을 순차적으로 중첩한 것(B, G, R)을 채택하여 나타낸다. 삼중 컬러 레지스트층을 채택하는 경우, COA 제조 공정에서 도포, 노광 및 현상 제조 공정을 3번 반복 진행해야 적색, 녹색, 청색 3종 색이 복합된 삼중 컬러 레지스트층이 형성된다.
(S33): 상기 제2 절연층에 반도체층 및 제2 금속층을 형성하고, 상기 제2 금속층에 상기 제2 절연층을 커버하는 제3 절연층을 형성한다.
구체적으로, 상기 제2 절연층에 반도체 박막을 증착하고 식각하여 반도체층을 형성하고, 상기 제2 절연층에 증착 및 패터닝 제조 공정을 사용하여 제2 금속층을 형성하고, 상기 제2 금속층에 제3 절연층을 증착한다. 여기서, 상기 제2 금속층은 상기 반도체층에 접촉되고, 상기 제3 절연층은 상기 제2 절연층을 커버한다. 상기 제2 절연층 및 제3 절연층은 모두 SiNx 필름층이고; 상기 반도체층의 소재는 비정질 실리콘(a-Si)일 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 기판은 COA형 액정 패널의 어레이 기판일 수 있고; 상기 제2 금속층은 소스/드레인을 포함하고, 상기 제3 절연층은 상기 소스/드레인에 배치되며 상기 제2 절연층을 커버하는 패시베이션층이고, 상기 소스/드레인은 상기 반도체층에 접촉된다. 상기 어레이 기판에는 상기 소스/드레인에 연결되는 데이터 라인이 더 배치되고, 상기 데이터 라인은 상기 제2 절연층에 배치되며 수평방향으로 상기 스캔 라인과 수직 교차되게 배열한다.
단계(S33)은 구체적으로 다음과 같을 수 있다: 상기 게이트 절연층에서 게이트와 대응되는 위치에 i-a-Si층 및 n-a-Si층을 순차적으로 증착하고, i-a-Si층을 패터닝하고; 상기 제2 절연층에 증착 및 패터닝 제조공정을 사용하여 소스/드레인 및 데이터 라인을 형성하고, 소스/드레인은 상기 반도체층에 접촉되고, 데이터 라인은 소스/드레인에 연결되며; n-a-Si층을 식각하고; SiNx 필름층을 증착한다.
(S34): 상기 제3 절연층에 비아 홀을 형성하고, 상기 제3 절연층에 픽셀 전극층을 형성하고, 여기서, 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 제2 금속층에 접촉된다;
구체적으로, 상기 제3 절연층에서 상기 제2 금속층과 대응되는 상 측에 패터닝 제조 공정을 통해 상기 비아 홀을 형성하고, 상기 제3 절연층에 증착 및 패터닝 제조 공정을 사용하여 상기 픽셀 전극층을 형성하며; 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 제2 금속층에 접촉된다. 구체적으로, 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 소스/드레인에 접촉하고; 상기 픽셀 전극층의 소재는 인듐 주석 산화물(ITO)일 수 있다.
여기까지, 어레이 기판인 제1 기판의 제조가 완성된 후, 제1기판과 제2 기판을 페어로 조합하고 액정층을 충전시키면, COA형 액정 패널의 제조가 전체적으로 완성된다. 상기 제2 기판에 블랙 매트릭스를 배치하고, 상기 블랙 매트릭스에 공통 전극층을 배치하고, 상기 공통 전극층의 소재는 인듐 주석 산화물(ITO)일 수 있다.
본 발명에서 서술하는 COA형 액정 패널의 제조방법은 제 2 금속층 전에 컬러 레지스트층의 성막 및 패터닝을 진행하여, 컬러 레지스트층 상에서의 홀 디깅을 피하면서 비아 홀 구조가 형성될 수 있고, 제조 공정을 간소화하고, 픽셀 개구율을 향상시킨다.
본 발명에서 서술하는 COA형 액정 패널의 비아 홀 부분의 단면 예시도인 도5를 참조한다. 상기의 COA형 액정 패널은 어레이 기판을 포함하고; 상기 어레이 기판은 복수 개의 픽셀 영역을 포함하고, 각각의 픽셀 영역은 순차적으로 배치되는 제1 금속층(51), 제1 절연층(52), 컬러 레지스트층(53), 제2 절연층(54), 상기 제2 절연층(54)에 배치되는 반도체층(55)과 제2 금속층(56), 상기 제2 금속층(56)에 배치되며 상기 제2 절연층(54)을 커버하는 제3 절연층(57) 및 상기 제3 절연층(57)에 배치되는 픽셀 전극층(58)을 포함하고; 상기 제3 절연층(57)에는 비아 홀(59)이 형성되고, 상기 픽셀 전극층(58)은 상기 비아 홀(59)을 통해 상기 제2 금속층(56)에 접촉된다.
구체적으로, 제1 절연층(52), 제2 절연층(54) 및 제3 절연층(57)은 모두 SiNx 필름층일 수 있고; 상기 픽셀 전극층 소재는 인듐 주석 산화물(ITO)일 수 있으며; 상기 반도체층의 소재는 비정질 실리콘(a-Si)일 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 금속층(51)은 게이트를 포함하고, 상기 제1 절연층(52)은 상기 게이트에 배치되는 게이트 절연층이며; 상기 어레이 기판에 상기 게이트에 연결되는 스캔라인이 더 배치된다. 상기 제2 금속층(56)은 소스/드레인을 포함하고, 상기 제3 절연층(57)은 상기 소스/드레인에 배치되며 상기 제2 절연층(54)을 커버하는 패시베이션층이고, 상기 소스/드레인은 상기 반도체층(55)에 접촉되며(도5에서 제2 금속층(56)이 반도체층(55) 상 측에 위치하고, 어레이 기판에서 비아 홀(59) 외의 기타 위치의 제2 절연층(54)에, 소스/드레인을 포함하는 제2 금속층(56)을 직접적으로 증착 및 패터닝하여 형성된 것을 나타낸다), 상기 픽셀 전극층(58)은 상기 비아 홀(59)을 통해 상기 소스/드레인에 접촉된다. 상기 어레이 기판에는 상기 소스/드레인에 연결되는 데이터 라인이 더 배치되고, 상기 데이터 라인은 상기 제2 절연층에 배치되며 수평방향으로 상기 스캔 라인과 수직 교차되게 배열한다.
선택 가능하게, 상기 컬러 레지스트층 구조는 단일 컬러 레지스트층, 이중 컬러 레지스트층 및 삼중 컬러 레지스트층 중에서 어느 1종이 채택된다. 컬러 레지스트층 구조는 도4A-4C 및 해당 설명을 참조할 수 있으며, 여기서 더는 서술하지 않는다.
상기의 COA형 액정 패널은 상기 어레이 기판과 대향으로 배치되는 유리 기판, 상기 어레이 기판 및 유리 기판 사이에 위치하는 액정층을 더 포함하고; 상기 유리 기판에는 블랙 매트릭스가 배치되고, 상기 블랙 매트릭스에 공통 전극층이 배치되며; 상기 공통 전극층은 인듐 주석 산화물일 수 있다.
본 발명에서 서술한 COA형 액정 패널은 제2 금속층 전에 컬러 레지스트층의 성막 및 패터닝을 진행하여, 제3 절연층 상에서만 홀 디깅을 하면 비아 홀 구조를 형성할 수 있고, 제조 공정을 간소화하고, 픽셀 개구율을 향상시킨다.
이상에서 서술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시예일뿐, 지적해야 할 것은 본 기술분야의 통상의 기술자는, 본 발명 원리를 벗어나지 않는 전제하에서, 추가로 여러 가지 개선 및 개량을 할 수 있으며, 이러한 개선 및 개량은 본 발명의 보호범위에 속하는 것으로 간주해야 한다.

Claims (16)

  1. COA형 액정 패널의 제조방법에 있어서,
    제1 기판을 제공하고, 상기 제1 기판에 제1 금속층 및 제1 절연층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 제1 절연층에 컬러 레지스트층 및 제2 절연층을 순차적으로 형성하는 단계로서, 도포, 노광 및 현상 제조 공정을 사용하여 상기 컬러 레지스트층을 형성하며, 상기 컬러 레지스트층의 구조는 단일 컬러 레지스트층, 이중 컬러 레지스트층 및 삼중 컬러 레지스트층 중에서 어느 1종이 채택되는 단계;
    상기 제2 절연층에 반도체층 및 제2 금속층을 형성하고, 상기 제2 금속층에 상기 제2 절연층을 커버하는 제3 절연층을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 절연층에 비아 홀을 형성하고, 상기 제3 절연층에 픽셀 전극층을 형성하는 단계로서, 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 제2 금속층에 접촉되는 단계를 포함하는, COA형 액정 패널의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 금속층, 제2 금속층 및 픽셀 전극층은, 증착 및 패터닝 제조 공정을 사용하여 형성하는, COA형 액정 패널의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 비아 홀은, 패터닝 제조 공정을 사용하여 형성하는, COA형 액정 패널의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 금속층은 게이트를 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 게이트에 배치되는 게이트 절연층이며; 상기 제2 금속층은 소스/드레인을 포함하고, 상기 제3 절연층은 상기 소스/드레인에 배치되며 상기 제2 절연층을 커버하는 패시베이션층이고, 상기 소스/드레인은 상기 반도체층에 접촉되며, 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 소스/드레인에 접촉되는, COA형 액정 패널의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 픽셀 전극층의 소재는 인듐 주석 산화물인, COA형 액정 패널의 제조방법.
  6. COA형 액정 패널의 제조방법에 있어서,
    제1 기판을 제공하고, 상기 제1 기판에 제1 금속층 및 제1 절연층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 제1 절연층에 컬러 레지스트층 및 제2 절연층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 제2 절연층에 반도체층 및 제2 금속층을 형성하고, 상기 제2 금속층에 상기 제2 절연층을 커버하는 제3 절연층을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 절연층에 비아 홀을 형성하고, 상기 제3 절연층에 픽셀 전극층을 형성하는 단계로서, 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 제2 금속층에 접촉되는 단계를 포함하는, COA형 액정 패널의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 금속층, 제2 금속층 및 픽셀 전극층은, 증착 및 패터닝 제조 공정을 사용하여 형성하는, COA형 액정 패널의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 컬러 레지스트층은, 도포, 노광 및 현상 제조 공정을 사용하여 형성하는, COA형 액정 패널의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 비아 홀은, 패터닝 제조 공정을 사용하여 형성하는, COA형 액정 패널의 제조방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제1 금속층은 게이트를 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 게이트에 배치되는 게이트 절연층이며; 상기 제2 금속층은 소스/드레인을 포함하고, 상기 제3 절연층은 상기 소스/드레인에 배치되며 상기 제2 절연층을 커버하는 패시베이션층이고, 상기 소스/드레인은 상기 반도체층에 접촉되며, 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 소스/드레인에 접촉되는, COA형 액정 패널의 제조방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 픽셀 전극층의 소재는 인듐 주석 산화물인, COA형 액정 패널의 제조방법.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 컬러 레지스트층의 구조는 단일 컬러 레지스트층, 이중 컬러 레지스트층 및 삼중 컬러 레지스트층 중에서 어느 1종이 채택되는, COA형 액정 패널의 제조방법.
  13. COA형 액정 패널에 있어서,
    어레이 기판을 포함하고; 상기 어레이 기판은 복수 개의 픽셀 영역을 포함하고, 각각의 픽셀 영역은 순차적으로 배치되는 제1 금속층, 제1 절연층, 컬러 레지스트층, 제2 절연층, 상기 제2 절연층에 배치되는 반도체층과 제2 금속층, 상기 제2 금속층에 배치되며 상기 제2 절연층을 커버하는 제3 절연층 및 상기 제3 절연층에 배치되는 픽셀 전극층을 포함하고; 상기 제3 절연층에는 비아 홀이 배치되고, 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 제2 금속층에 접촉되는, COA형 액정 패널.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 금속층은 게이트를 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 게이트에 배치되는 게이트 절연층이며; 상기 제2 금속층은 소스/드레인을 포함하고, 상기 제3 절연층은 상기 소스/드레인에 배치되며 상기 제2 절연층을 커버하는 패시베이션층이고, 상기 소스/드레인은 상기 반도체층에 접촉되며, 상기 픽셀 전극층은 상기 비아 홀을 통해 상기 소스/드레인에 접촉되는, COA형 액정 패널.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 픽셀 전극층의 소재는 인듐 주석 산화물인, COA형 액정 패널.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 컬러 레지스트층의 구조는 단일 컬러 레지스트층, 이중 컬러 레지스트층 및 삼중 컬러 레지스트층 중에서 어느 1종이 채택되는, COA형 액정 패널.
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