CN106646969A - Coa型液晶面板的制作方法及coa型液晶面板 - Google Patents

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Abstract

本发明揭露一种COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板，通过将色阻层的成膜和图形化设置在第二金属层之前，仅在第三绝缘层上挖洞便能形成导通孔结构，避免在色阻层上挖洞，简化了制程，提高了像素开口率。

Description

COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种可以提高像素开口率的COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中，液晶面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、一彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
COA(Color filter On Array)是一种将CF基板上的色阻层制备于阵列基板上的技术，COA结构因减小了像素电极与金属走线的耦合，金属线上信号的延迟状况得到改善。COA结构可明显减小寄生电容大小，并提高面板开口率，改善面板显示品质。
参考图1-2，其中，图1为现有COA型液晶面板的像素设计示意图，图2为图1所示导通孔处的剖面示意图。所述COA型液晶面板的阵列基板上每一子像素区域包括第一金属层21、设于所述第一金属层21上的第一绝缘层22、设于所述第一绝缘层22上的半导体层23、设于所述半导体层23上的第二金属层24、设于所述第二金属层24上的第二绝缘层25、设于所述第二绝缘层25上的色阻层26、设于所述色阻层26上的第三绝缘层27、设于所述第三绝缘层27上的像素电极层28。所述第二绝缘层25、色阻层26及第三绝缘层27上对应所述第二金属层24的上方设有导通孔(VIA Hole)29，所述像素电极层28经由所述导通孔29与所述第二金属层24相接触。
但是，在目前的成膜顺序下，导通孔结构需要通过在绝缘层和色阻层上挖孔实现，且在色阻层上的孔洞261直径大于绝缘层上的孔洞直径。这种导通孔结构会损失掉很大一部分的像素开口率。
因此，需要对现有COA型液晶面板的像素设计方式进行改进，以简化制程，提高像素开口率。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板，可以简化制程，提高像素开口率。
为实现上述目的，本发明提供了一种COA型液晶面板的制作方法，包括如下步骤：提供第一基板，并在所述第一基板上依次形成第一金属层以及第一绝缘层；在所述第一绝缘层上依次形成色阻层以及第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成半导体层以及第二金属层，并在所述第二金属层上形成覆盖所述第二绝缘层的第三绝缘层；在所述第三绝缘层上形成导通孔，并在所述第三绝缘层上形成像素电极层，其中，所述像素电极层经由所述导通孔与所述第二金属层相接触。
为实现上述目的，本发明还提供了一种COA型液晶面板，包括阵列基板；所述阵列基板包括多个像素区域，每一像素区域包括依次设置的第一金属层、第一绝缘层、色阻层以及第二绝缘层，设于所述第二绝缘层上的半导体层以及第二金属层，设于所述第二金属层上并覆盖所述第二绝缘层的第三绝缘层，设于所述第三绝缘层上的像素电极层；所述第三绝缘层上设有导通孔，所述像素电极层经由所述导通孔与所述第二金属层相接触。
本发明的优点在于，通过将色阻层的成膜和图形化设置在第二金属层之前，仅在第三绝缘层上挖洞便能形成导通孔结构，避免在色阻层上挖洞，简化了制程，提高了像素开口率。
附图说明
图1，现有COA型液晶面板的像素设计示意图；
图2为图1所示导通孔处的剖面示意图；
图3，本发明一实施例所述的COA型液晶面板的制作方法的流程图；
图4A-4C，本发明所述的COA型液晶面板的色阻层结构实施例的示意图
图5，本发明所述的COA型液晶面板的导通孔处的剖面示意图。
具体实施方式
下面结合附图以及实施例，对本发明提供的COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板作详细说明。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参考图3，本发明一实施例所述的COA型液晶面板的制作方法的流程图；所述方法包括如下步骤：S31：提供第一基板，并在所述第一基板上依次形成第一金属层以及第一绝缘层；S32：在所述第一绝缘层上依次形成色阻层以及第二绝缘层；S33：在所述第二绝缘层上形成半导体层以及第二金属层，并在所述第二金属层上形成覆盖所述第二绝缘层的第三绝缘层；S34：在所述第三绝缘层上形成导通孔，并在所述第三绝缘层上形成像素电极层，其中，所述像素电极层经由所述导通孔与所述第二金属层相接触；以下给出详细解释。
S31：提供第一基板，并在所述第一基板上依次形成第一金属层以及第一绝缘层。
具体的，在所述第一基板上采用沉积并图案化制程形成所述第一金属层，之后在所述第一金属层上沉积所述第一绝缘层；所述第一绝缘层可以为SiNx膜层。
具体的，所述第一基板可以为COA型液晶面板的阵列基板；所述第一金属层包括栅极、所述第一绝缘层为设于所述栅极上的栅极绝缘层；所述阵列基板上还设有与所述栅极连接的扫描线。
S32：在所述第一绝缘层上依次形成色阻层以及第二绝缘层。
具体的，在所述第一绝缘层上采用涂布、曝光以及显影制程形成所述色阻层，之后在所述色阻层上沉积所述第二绝缘层。所述第二绝缘层可以为SiNx膜层。
可选的，所述色阻层结构采用单色阻层、双色阻层以及三色阻层的任意一种。参考图4A-4C，本发明所述的COA型液晶面板的色阻层结构实施例的示意图。其中，图4A所示为单色阻层的色阻层结构，单色阻层可为单独的红色、绿色或蓝色；图示采用蓝色(B)。图4B所示为双色阻层的色阻层结构，双色阻层可为红色、绿色、蓝色中任选两种颜色叠加，且叠加顺序不限；图示采用绿色、红色依次叠加(G、R)。图4C所示为三色阻层的色阻层结构，三色阻层为红色、绿色、蓝色三种颜色复合，且叠加顺序不限；图示采用蓝色、绿色、红色依次叠加(B、G、R)。若采用三色阻层，则在COA制程中，需三次重复涂布、曝光以及显影制程形成红色、绿色、蓝色三种颜色复合的三色阻层。
S33：在所述第二绝缘层上形成半导体层以及第二金属层，并在所述第二金属层上形成覆盖所述第二绝缘层的第三绝缘层。
具体的，在所述第二绝缘层上沉积半导体薄膜并刻蚀形成半导体层，以及在所述第二绝缘层上采用沉积并图案化制程形成第二金属层，并在所述第二金属层上沉积第三绝缘层。其中，所述第二金属层与所述半导体层相接触，所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层。所述第二绝缘层以及第三绝缘层均为SiNx膜层；所述半导体层的材料可以为非晶硅(a-Si)。
具体的，所述第一基板可以为COA型液晶面板的阵列基板；所述第二金属层包括源/漏极、所述第三绝缘层为设于所述源/漏极上并覆盖所述第二绝缘层的钝化层，所述源/漏极与所述半导体层的相接触。所述阵列基板上还设有与所述源/漏极连接的数据线；所述数据线设于所述第二绝缘层上且在水平方向上与所述扫描线垂直交叉排列。
步骤S33具体可以为：在所述栅极绝缘层上对应栅极的位置依次沉积i-a-Si层及n-a-Si层、图案化i-a-Si层；在所述第二绝缘层上采用沉积并图案化制程形成源/漏极以及数据线，且源/漏极与所述半导体层相接触，数据线与所述源/漏极连接；刻蚀n-a-Si层；沉积SiNx膜层。
S34：在所述第三绝缘层上形成导通孔，并在所述第三绝缘层上形成像素电极层，其中，所述像素电极层经由所述导通孔与所述第二金属层相接触。
具体的，在所述第三绝缘层上对应所述第二金属层的上方通过图案化制程形成所述导通孔，在所述第三绝缘层上采用沉积并图案化制程形成所述像素电极层；所述像素电极层经由所述导通孔与所述第二金属层相接触。具体的，所述像素电极层经由所述导通孔与所述源/漏极相接触；所述像素电极层的材料可以为氧化铟锡(ITO)。
至此，作为阵列基板的第一基板已制作完毕，之后将第一基板与第二基板对组并灌入液晶层，即完成整个COA型液晶面板的制作。所述第二基板上设有黑色矩阵、所述黑色矩阵上设有公共电极层；所述公共电极层的材料可以为氧化铟锡。
本发明所述的COA型液晶面板的制作方法，将色阻层的成膜和图形化设置在第二金属层之前，避免在色阻层上挖洞便能形成导通孔结构，简化了制程，提高了像素开口率。
参考图5，本发明所述的COA型液晶面板的导通孔处的剖面示意图。所述的COA型液晶面板包括阵列基板；所述阵列基板包括多个像素区域，每一像素区域包括依次设置的第一金属层51、第一绝缘层52、色阻层53以及第二绝缘层54，设于所述第二绝缘层54上的半导体层55以及第二金属层56，设于所述第二金属层56上并覆盖所述第二绝缘层54的第三绝缘层57，设于所述第三绝缘层57上的像素电极层58；所述第三绝缘层57上设有导通孔59，所述像素电极层58经由所述导通孔59与所述第二金属层56相接触。
具体的，第一绝缘层52、第二绝缘层54以及第三绝缘层57可以均为SiNx膜层；所述像素电极层材料可以为氧化铟锡(ITO)；所述半导体层的材料可以为非晶硅(a-Si)。
具体的，所述第一金属层51包括栅极、所述第一绝缘层52为设于所述栅极上的栅极绝缘层；所述阵列基板上还设有与所述栅极连接的扫描线。所述第二金属层56包括源/漏极、所述第三绝缘层57为设于所述源/漏极上并覆盖所述第二绝缘层54的钝化层，所述源/漏极与所述半导体层55相接触(图5中示出第二金属层56位于半导体层55上方，在阵列基板上除导通孔59外的其它地方，第二绝缘层54上可以直接沉积并图案化形成包括源/漏极的第二金属层56)，所述像素电极层58经由所述导通孔59与所述源/漏极相接触。所述阵列基板上还设有与所述源/漏极连接的数据线；所述数据线设于所述第二绝缘层54上且在水平方向上与所述扫描线垂直交叉排列。
可选的，所述色阻层结构采用单色阻层、双色阻层以及三色阻层的任意一种。色阻层结构可参考图4A-4C以及对应描述，此处不再赘述。
所述的COA型液晶面板还包括与所述阵列基板相对设置的玻璃基板、及位于所述阵列基板与玻璃基板之间的液晶层；所述玻璃基板上设有黑色矩阵、所述黑色矩阵上设有公共电极层；所述公共电极层的材料可以为氧化铟锡。
本发明所述的COA型液晶面板，色阻层的成膜和图形化设置在第二金属层之前，仅在第三绝缘层上挖洞便能形成导通孔结构，简化了制程，提高了像素开口率。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种COA型液晶面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供第一基板，并在所述第一基板上依次形成第一金属层以及第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上依次形成色阻层以及第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成半导体层以及第二金属层，并在所述第二金属层上形成覆盖所述第二绝缘层的第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上形成导通孔，并在所述第三绝缘层上形成像素电极层，其中，所述像素电极层经由所述导通孔与所述第二金属层相接触。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用沉积并图案化制程形成所述第一金属层、第二金属层以及像素电极层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用涂布、曝光以及显影制程形成所述色阻层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用图案化制程形成所述导通孔。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层包括栅极、所述第一绝缘层为设于所述栅极上的栅极绝缘层；所述第二金属层包括源/漏极、所述第三绝缘层为设于所述源/漏极上并覆盖所述第二绝缘层的钝化层，所述源/漏极与所述半导体层相接触，所述像素电极层经由所述导通孔与所述源/漏极相接触。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述像素电极层的材料为氧化铟锡。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述色阻层结构采用单色阻层、双色阻层以及三色阻层的任意一种。
8.一种COA型液晶面板，包括阵列基板；其特征在于，
所述阵列基板包括多个像素区域，每一像素区域包括依次设置的第一金属层、第一绝缘层、色阻层以及第二绝缘层，设于所述第二绝缘层上的半导体层以及第二金属层，设于所述第二金属层上并覆盖所述第二绝缘层的第三绝缘层，设于所述第三绝缘层上的像素电极层；所述第三绝缘层上设有导通孔，所述像素电极层经由所述导通孔与所述第二金属层相接触。
9.如权利要求8所述的液晶面板，其特征在于，所述第一金属层包括栅极、所述第一绝缘层为设于所述栅极上的栅极绝缘层；所述第二金属层包括源/漏极、所述第三绝缘层为设于所述源/漏极上并覆盖所述第二绝缘层的钝化层，所述源/漏极与所述半导体层相接触，所述像素电极层经由所述导通孔与所述源/漏极相接触。
10.如权利要求8所述的液晶面板，其特征在于，所述像素电极层的材料为氧化铟锡。
11.如权利要求8所述的液晶面板，其特征在于，所述色阻层结构采用单色阻层、双色阻层以及三色阻层的任意一种。
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