CN109709734A - 显示面板及其检测方式 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示面板，包括：一数组基板；一色阻(RGB)层，配置于所述基板之上；一缓冲层，配置于所述色阻层之上；一薄膜晶体管(thin‑film transistor,TFT)，配置于所述缓冲层之上；一钝化(passivation,PV)层，配置于所述薄膜晶体管之上且所述钝化层具有一开口；一第一透明电极层，配置于所述钝化层之上，保形地覆盖所述钝化层之所述开口的侧壁及底部，其中所述薄膜晶体管与所述第一透明电极层藉由所述开口电性相接；一液晶(liquid‑crystal display,LCD)层，配置于所述第一透明电极层之上；以及一彩膜(color filter,CF)基板，配置于所述液晶层之上。本发明提供的显示面板，可避免在包括色阻(R/G/B)的彩膜(CF)上采用大挖孔设计，从而提高开口率。

Description

显示面板及其检测方式
技术领域
本发明涉及一种显示面板，尤其涉及一种具有高开口率的显示面板。
背景技术
目前，常见的底栅结构(Bottom gate)的薄膜晶体管及数组上彩膜(thin-filmtransistor and color filter on array,TFT+COA)的制程如图1所示。在图1所示的常规的显示面板1的示意图中，在玻璃基板10’的显示面板1上，为了实现透明电极(ITO)60’和源极漏极(S/D)的搭接，需要在包括色阻(R/G/B)的彩膜(CF)20’上进行挖孔形成开口(图1箭号所示)，通常的彩膜(CF)20’开口(图1箭号所示)的大小为30um*30um，如此大的开孔在面板设计上极大的降低了开口率。
为了解决现有技术所存在的问题，急需一种具有高开口率的显示面板，藉由新型的彩膜上数组(array on CF)的背板制作方法，避免在包括色阻(R/G/B)的彩膜(CF)上采用大挖孔设计，从而提高开口率。
发明内容
基于上述，本发明的目的在于提供了一种具有高开口率的显示面板，藉由新型的彩膜上数组(array on CF)的背板制作方法，避免在包括色阻(R/G/B)的彩膜(CF)上采用大挖孔设计，从而提高开口率。
为了实现上述目的，本发明提供一种显示面板，包括；一数组基板；一色阻(RGB)层，配置于所述基板之上；一缓冲层，配置于所述色阻层之上；一薄膜晶体管(thin-filmtransistor,TFT)，配置于所述缓冲层之上；一钝化(passivation,PV)层，配置于所述薄膜晶体管之上且所述钝化层具有一开口；一第一透明电极层，配置于所述钝化层之上，保形地覆盖所述钝化层之所述开口的侧壁及底部，其中所述薄膜晶体管与所述第一透明电极层藉由所述开口电性相接；一液晶(liquid-crystal display,LCD)层，配置于所述第一透明电极层之上；以及一彩膜(color filter,CF)基板，配置于所述液晶层之上。
依据本发明的一实施例，在所述显示面板中，所述薄膜晶体管包括：一栅极(gate,G)配置于所述数组基板上；一栅极绝缘(gate insulating,IG)层，配置于所述栅极及所述数组基板上；一半导体层，配置于所述栅极绝缘层之上；以及一源极漏极(source drain,SD)层，包括一源极(source,S)以及一漏极(drain,D)，所述源极与所述漏极覆盖于所述半导体层的两端。
依据本发明的一实施例，所述显示面板更包括：一第二透明电极层，配置于所述彩膜基板下。
依据本发明的一实施例，所述显示面板更包括：一遮光(black matrix,BM)层，配置于所述彩膜基板及所述第二透明电极层之间。
依据本发明的一实施例，在所述显示面板中，所述数组基板及所述彩膜基板各自独立地为一玻璃基板。
依据本发明的一实施例，在所述显示面板中，所述缓冲层包括氧化硅及氮化硅中至少一者。
依据本发明的一实施例，所述显示面板更包括：一蚀刻停止层(etch stop layer,ESL)，配置于所述薄膜晶体管上，且所述开口更穿过所述蚀刻停止层。
依据本发明的一实施例，在所述显示面板中，所述开口大小为10um*10um至8um*8um，较佳为8um*8um至6um*6um，最佳为6um*6um。
依据本发明的一实施例，在所述显示面板中，所述第一透明电极层及第二透明电极各自独立地包括下列至少一者：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锡(TiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、以及氧化镓(Ga2O3)。
依据本发明的一实施例，所述的显示面板更包括：一光阻(photo spacer,PS)配置于所述数组基板与所述彩膜基板之间。
依据本发明的一实施例，在所述显示面板中，所述半导体层包括一非晶硅(a-Si)。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个常规的显示面板示意图。
图2为依据本发明一实施例之显示面板的示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[纵向]、[横向]、[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明提供了一种具有高开口率的显示面板，藉由新型的彩膜上数组(array onCF)的背板制作方法，避免在包括色阻(R/G/B)的彩膜(CF)上采用大挖孔设计，从而提高开口率。
图2为依据本发明的一实施例之显示面板的示意图。具体的，如图2所示，本发明提供一显示面板2，一数组基板10；一色阻(RGB)层20，配置于所述数组基板10之上；一缓冲层30，配置于所述色阻层20之上；一薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)40，配置于所述缓冲层30之上；一钝化(passivation,PV)层50，配置于所述薄膜晶体管40之上且所述钝化层50具有一开口(图2粗箭号所示)；一第一透明电极层60，配置于所述钝化层50之上，保形地覆盖所述钝化层50之所述开口(图2粗箭号所示)的侧壁及底部，其中所述薄膜晶体管40与所述第一透明电极层60藉由所述开口(图2粗箭号所示)电性相接；一液晶(liquid-crystal display,LCD)层70，配置于所述第一透明电极层60之上；以及一彩膜(colorfilter,CF)基板80，配置于所述液晶层70之上。
与图1所示的传统COA制程相比，在图2所示的新制程方法中，由于在制程第一步时首先完成了色阻(RGB)层20的制作，所以在透明电极层(例如ITO)与漏极的搭接时，无需通过色阻层20，只需通过对钝化层50的蚀刻即可实现。所以在面板的布局设计上，可以省出色阻层开口的设计空间，从而极大提高了面板的开口率，这对高分辨率的面板开发是具有极大意义的。
与图1传统COA制程的30um*30um彩膜(CF)开口相比，在图2的显示面板2中，藉由新型的彩膜上数组(array on CF)制程，可将所述开口缩减至10um*10um至8um*8um，优选为8um*8um至6um*6um，更优选为6um*6um。
在一实施例中，如图2所示，所述薄膜晶体管40具有下闸极(Bottom Gate)结构，包括：一栅极(gate,G)G配置于所述数组基板10上；一栅极绝缘(gate insulating,IG)层IG，配置于所述栅极G及所述数组基板10上；一半导体层40a，配置于所述栅极绝缘层IG之上；以及一源极漏极(source drain,SD)层，包括一源极(source,S)S以及一漏极(drain,D)D，所述源极S与所述漏极D覆盖于所述半导体层40a的两端。在其他实施例中，所述薄膜晶体管也可具有上闸极(Top Gate)结构。
如图2所示，依据本发明的一实施例，所述显示面板1更包括：一第二透明电极层90，配置于所述彩膜基板80下；以及一遮光(black matrix,BM)层BM，配置于所述彩膜基板80及所述第二透明电极层之间90。
依据本发明的一实施例，在所述显示面板中，所述数组基板及所述基板80各自独立地为一玻璃基板。
依据本发明的一实施例，在所述显示面板中，所述缓冲层20包括氧化硅及氮化硅中至少一者。缓冲层30可实现色组20与薄膜晶体管40之间的过渡。缓冲层20的厚度为至优选为至
参见图2，所述显示面板1可更包括：一蚀刻停止层(etch stop layer,ESL)100，配置于所述薄膜晶体管40上，且所述开口(图2粗箭号所示)更穿过所述蚀刻停止层100。
依据本发明的一实施例，在所述显示面板中，所述第一透明电极层及第二透明电极各自独立地包括下列至少一者：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锡(TiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、以及氧化镓(Ga2O3)。
参见图2，依据本发明的一实施例，所述的显示面板更包括：一间隙子(photospacer,PS)110配置于所述数组基板10与所述彩膜基板80之间。
依据本发明的一实施例，在所述显示面板中，所述半导体层包括一非晶硅(a-Si)。
由以上可知，本发明提供了一种具有高开口率的显示面板，藉由新型的彩膜上数组(array on CF)的背板制作方法，避免在包括色阻(R/G/B)的彩膜(CF)上采用大挖孔设计，从而提高开口率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括；
一数组基板；
一色阻(RGB)层，配置于所述基板之上；
一缓冲层，配置于所述色阻层之上；
一薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)，配置于所述缓冲层之上；
一钝化(passivation,PV)层，配置于所述薄膜晶体管之上且所述钝化层具有一开口；
一第一透明电极层，配置于所述钝化层之上，保形地覆盖所述钝化层之所述开口的侧壁及底部，其中所述薄膜晶体管与所述第一透明电极层藉由所述开口电性相接；
一液晶(liquid-crystal display,LCD)层，配置于所述第一透明电极层之上；以及
一彩膜(color filter,CF)基板，配置于所述液晶层之上。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述薄膜晶体管包括：
一栅极(gate,G)配置于所述数组基板上；
一栅极绝缘(gate insulating,IG)层，配置于所述栅极及所述数组基板上；
一半导体层，配置于所述栅极绝缘层之上；以及
一源极漏极(source drain,SD)层，包括一源极(source,S)以及一漏极(drain,D)，所述源极与所述漏极覆盖于所述半导体层的两端。
3.根据权利要求1所述的显示面板，更包括：
一第二透明电极层，配置于所述彩膜基板下。
4.根据权利要求7所述的显示面板，更包括：
一遮光(black matrix,BM)层，配置于所述彩膜基板及所述第二透明电极层之间。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述数组基板及所述彩膜基板各自独立地为一玻璃基板。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述缓冲层包括氧化硅及氮化硅中至少一者。
7.根据权利要求1所述的显示面板，更包括：
一蚀刻停止层(etch stop layer,ESL)，配置于所述薄膜晶体管上，且所述开口更穿过所述蚀刻停止层。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述沟槽的开口大小为10um*10um至6um*6um。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述第一透明电极层包括下列至少一者：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锡(TiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、以及氧化镓(Ga2O3)。
10.根据权利要求1所述的显示面板，更包括：一光阻(photo spacer,PS)配置于所述数组基板与所述彩膜基板之间。
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