KR20190047050A - 유체 가열 장치 - Google Patents

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카즈히로 미무라
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가부시키가이샤 케르쿠
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Abstract

유체를 저류하는 탱크(3)와, 탱크(3) 내의 유체를 반송하는 펌프(4)와, 반송된 유체를 소정의 온도로 가열하는 가열기(5)와, 가열된 유체를 탱크(3)로 리턴시키는 리턴 배관(15)과, 탱크(3) 내에 가열 전의 유체를 공급하는 유체 공급 밸브(6)와, 탱크(3) 내의 가열된 유체를 배출하는 유체 배출 밸브(7)와, 가열된 유체의 온도를 검출하는 온도 센서(9)와, 유체 공급 밸브(6) 및 유체 배출 밸브(7)의 개도를 제어하여 탱크(3) 내의 유체의 온도를 제어하는 온도 제어 장치(20)를 구비하고, 온도 제어 장치(20)는 온도 센서(9)의 검출 온도에 의거하여 유체 배출 밸브(7)의 개도 제어를 행하는 배출 개도 제어부와, 온도 센서(9)의 검출 온도에 의거하여 유체 공급 밸브의 개도 제어를 행하는 공급 개도 제어부를 구비한다.

Description

유체 가열 장치
본 발명은 유체 가열 장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 제조 공정의 전공정에 있어서는 고온으로 가열된 순수를 사용해서 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정이 수많이 있다.
종래의 순수의 가열 방법으로서 특허문헌 1에는 실온에서 공급되는 순수를 열원에 통과시킴으로써 목표 온도까지 가열해서 세정 처리조에 공급하는 기술이 개시되어 있다.
상기 특허문헌 1에 개시된 기술에서는 가열된 순수의 세정 처리조에 공급하는 배관에 배수 밸브를 설치하고, 가열된 순수를 계속해서 배출하고 있다.
이 방법에서는 이하의 이유에 의해 반도체 웨이퍼를 세정하고 있지 않은 동안에도 고온으로 가열된 순수를 흘릴 필요가 있다.
제1로, 가열을 중단하면 다음번의 세정 공정에서 다시 가열할 필요가 있어 승온 시간과 그것에 드는 에너지가 쓸데없이 필요하게 되기 때문이다.
제2로, 순수의 흐름을 장시간 정지하면 배관 내에 생균이 발생하여 오염의 원인이 될 우려가 있기 때문이다.
상기 특허문헌 1에 개시된 기술에서는 가열된 순수를 배출하지 않으면 안되어 에너지 로스를 초래하므로 에너지 로스를 회수, 개선하는 방법으로서 특허문헌 2에는 세정 처리 후의 폐액 배관과, 순수 공급 배관 사이에서 열 교환을 행하는 기술이 개시되어 있다.
그러나 상기 특허문헌 2에 개시된 기술에서는 에너지 회수 효율이 낮아 세정에 제공되지 않는 순수도 폐액으로서 폐기되어버린다는 과제가 있다.
최근, 반도체 웨이퍼 지름의 확대와 더불어, 처리조의 대형화나 매엽식 세정 장치의 증가에 의해 다량의 고온 순수를 세정에 사용하는 공정이 증가하여 고온 순수를 사용하는 공정의 에너지 절약화와, 절수의 요구가 높아져 왔다.
이 요구에 대응하는 방법으로서 특허문헌 3에 보이는 약액에 의한 세정 방법과 동일하게 순수를 순환 가열해서 탱크에 저장하고, 세정에 필요한 분만큼의 순수를 순환 회로로부터 분기시켜서 인출하여 사용하는 방법이 고안되어 있다. 이 방법에 의하면 세정을 하고 있지 않은 동안에는 순수를 순환시키면 좋고, 또한 가열에 필요 에너지도 종래부터 적어서 좋다.
일본특허공개 2003-42548호 공보 일본특허공개 2000-266496호 공보 일본특허공개 2010-67636호 공보
그러나 약액의 세정과 달리, 순수의 세정에 있어서는 순수의 온도를 스위칭하여 사용하는 경우가 있다. 이때, 순수의 설정 온도를 낮은 온도로부터 높은 온도로 스위칭할 경우, 상기 특허문헌 3에 개시된 기술로 대응할 수는 있지만, 높은 온도로부터 낮은 온도로 스위칭하는 경우에는 열원에 냉각기능이 없기 때문에 문제가 된다. 상기 특허문헌 3에 개시된 기술에서는 탱크 내의 가열된 순수를 모두 폐기하고, 다시 상온의 순수를 탱크 내에 공급하여 가열할 필요가 있어 에너지 절약화와 절수라는 과제를 극복할 수 없다.
본 발명의 목적은 에너지 절약화 및 절수를 실현할 수 있는 유체 가열 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 유체 가열 장치는,
유체를 저류하는 탱크와,
상기 탱크 내의 유체를 반송하는 펌프와,
반송된 유체를 소정의 온도로 가열하는 가열기와,
상기 가열기에 의해 가열된 유체를 상기 탱크로 리턴하는 리턴 배관과,
상기 탱크 내에 가열 전의 유체를 공급하는 유체 공급 밸브와,
상기 탱크 내의 가열된 유체를 배출하는 유체 배출 밸브와,
가열된 유체의 온도를 검출하는 온도 센서와,
상기 유체 공급 밸브 및 상기 유체 배출 밸브의 개도(開度)를 제어해서 상기 탱크 내의 유체의 온도를 제어하는 온도 제어 장치를 구비하고,
상기 온도 제어 장치는,
상기 온도 센서의 검출 온도에 의거하여 상기 유체 배출 밸브의 개도 제어를 행하는 배출 개도 제어부와,
상기 온도 센서의 검출 온도에 의거하여 상기 유체 공급 밸브의 개도 제어를 행하는 공급 개도 제어부를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
이 발명에 의하면, 온도 센서에 의해 가열된 유체의 온도를 검출함으로써 유체 공급 밸브로부터 가열 전의 유체를 공급했을 때에 탱크 내의 가열된 유체의 온도를 확인할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 가열된 유체를 모두 탱크로부터 배출하고, 다시 가열 전의 유체를 탱크에 저류해서 가열 전의 모든 유체를 가열기에 의해 가열할 필요가 없어 에너지 절약화 및 절수를 실현할 수 있다.
또한, 가열된 유체의 온도를 검출함으로써 가열된 유체로의 가열 전의 유체의 공급, 혼합에 의한 온도 저하를 확인할 수 있으므로 가열기에 의한 가열을 최소한으로 하고, 가열된 유체의 배출량을 최소한으로 억제할 수 있어 에너지 절약화 및 절수를 실현할 수 있다.
본 발명에서는 상기 온도 제어 장치는 상기 탱크 내의 가열된 유체의 온도를 설정 온도로 낮추기 위해서 가열 전의 유체의 공급량을 연산하는 공급량 연산부를 구비하고 있는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 상기 유체 배출 밸브는 상기 가열기 후단의 상기 리턴 배관 안에 설치되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 상기 펌프, 상기 가열기, 및 상기 리턴 배관으로 구성되는 제 1 순환 루프와는 별도로, 반도체 웨이퍼의 세정 장치에 가열된 유체의 일부를 공급하고, 다른 일부를 상기 탱크로 리턴하는 제 2 순환 루프를 구비하고, 상기 유체 배출 밸브는 상기 제 2 순환 루프에 설치되어 있는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 유체 가열 장치를 나타내는 모식도이다.
도 2는 상기 실시형태에 있어서의 유체 가열 장치의 온도 제어 장치를 나타내는 블록도이다.
도 3은 상기 실시형태에 있어서의 유체 가열 장치에 의한 설정 온도의 변경 방법을 나타내는 플로우 차트이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 유체 가열 장치의 온도 제어 장치를 나타내는 블록도이다.
도 5는 상기 실시형태에 있어서의 유체 가열 장치에 의한 설정 온도의 변경 방법을 나타내는 플로우 차트이다.
도 6은 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 유체 가열 장치를 나타내는 모식도이다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 유체 가열 장치를 나타내는 모식도이다.
도 8은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 유체 가열 장치를 나타내는 모식도이다.
도 9는 본 발명의 제 6 실시형태에 의한 유체 가열 장치를 나타내는 모식도이다.
도 10은 제 1 실시형태에 의한 유체 가열 장치에 의한 설정 온도의 변경과, 종래 방법에 의한 설정 온도의 변경에 대해서 시뮬레이션을 행한 결과를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 의거하여 설명한다.
[제 1 실시형태]
[1] 장치 구성
도 1에는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 순수 가열 장치(1)의 구조가 나타내어져 있다.
유체 가열 장치로서 예시되는 순수 가열 장치(1)는 매엽식의 반도체 웨이퍼의 세정 장치(2)에 설정 온도로 가열된 유체로서 예시되는 순수를 공급하는 장치이다.
세정 장치(2)는 유량 조정 밸브(2A, 2B)와, 세정 프로세스(2C), 및 배출 탱크(2D)를 구비한다. 유량 조정 밸브(2A)는 세정 프로세스(2C)에 배관(2E)을 통해 접속된다. 유량 조정 밸브(2B)는 유량 조정 밸브(2A)가 설치되는 배관(2E)으로부터 분기된 배관(2F) 중에 설치되고, 순수 가열 장치(1)의 탱크(3)로의 리턴 배관(15)에 접속되어 있다.
순수 가열 장치(1)로부터 공급되는 가열된 순수는 유량 조정 밸브(2A)를 개방, 유량 조정 밸브(2B)를 폐쇄로 한 상태로 세정 프로세스(2C)에 공급되어 반도체 웨이퍼의 세정이 행해지고, 세정 후의 순수는 배출 탱크(2D)에 배출된다.
한편, 유량 조정 밸브(2A)를 폐쇄, 유량 조정 밸브(2B)를 개방으로 한 상태에서는 가열된 순수는 세정 프로세스(2C)에는 공급되지 않아 순수 가열 장치(1)의 탱크(3)에 리턴 배관(15)으로 리턴된다. 또한, 유량 조정 밸브(2A, 2B)의 개도를 조정함으로써 순수 가열 장치(1)로부터 공급되는 가열된 순수의 일부는 세정 프로세스(2C)에 공급하고, 나머지를 순수 가열 장치(1)의 탱크(3)로 리턴시키는 것도 가능하다.
순수 가열 장치(1)는 탱크(3), 펌프(4), 가열기(5), 유체 공급 밸브로서의 순수 공급 밸브(6), 및 유체 배출 밸브로서의 순수 배출 밸브(7)를 구비한다.
탱크(3)는 가열 전의 상온의 순수나, 리턴 배관(15)을 통해 리턴된 가열된 순수를 저류하는 용기이다. 탱크(3)는 석영 유리, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 퍼플루오로알콕시알칸(PFAA) 등의 불소계 수지에 의해 구성된다.
탱크(3)에는 액면계(8) 및 온도 센서(9)가 설치되어 있다. 액면계(8)는 탱크(3) 내에 저류된 순수의 액면 위치를 검출하고, 온도 센서(9)는 탱크(3) 내의 순수의 온도를 검출한다.
펌프(4)는 탱크(3)와 배관(10)을 통해 접속되며, 탱크(3) 내의 순수를 압송(반송)한다.
가열기(5)는 펌프(4)와 배관(11)을 통해 접속되며, 펌프(4)에 의해 압송된 순수를 가열한다. 가열기(5)는 석영 유리제의 2중관으로 구성되어 있으며, 2중관의 내측에는 할로겐 히터 등의 가열원이 배치되고, 2중관의 외측을 순수가 유통하여 가열원에 의해 순수를 설정 온도로 가열한다.
가열기(5)의 전단의 배관(11)의 도중에는 온도 센서(12)가 설치되고, 가열기(5)에 유입하는 순수의 온도를 검출한다.
가열기(5)의 후단에는 배관(13)이 접속되고, 배관(13)은 반도체 웨이퍼의 세정 장치(2)에 접속된다. 또한, 배관(13)에는 온도 센서(14)가 설치되고, 가열기(5)에 의해 가열된 순수의 온도를 검출한다.
리턴 배관(15)은 세정 장치(2)의 배관(2F)과 접속되어 세정 장치(2)에서 세정에 사용되지 않은 순수를 탱크(3)로 리턴하여 저류한다.
또한, 배관(10, 11, 13, 15)은 PTFE, PFAA 등의 불소계 수지를 재료로 하는 배관 부재에 의해 구성된다.
순수 공급 밸브(6)는 전자 밸브로 구성되며, 탱크(3)의 상방에 설치되고, 도시되지 않는 순수 공급원에 접속되어 있다. 순수 공급 밸브(6)는 밸브의 개폐에 의해 가열 전의 상온의 순수를 탱크(3) 내에 공급한다. 순수 공급 밸브(6)는 탱크(3) 내에 설치된 액면계(8)에 의해 검출되는 탱크(3) 내의 순수의 액면 위치, 온도 센서(9)에 의해 검출되는 탱크(3) 내의 순수의 온도에 의해 개폐가 제어된다.
순수 배출 밸브(7)는 전자 밸브로 구성되며, 탱크(3)의 하부에 설치되어 탱크(3) 내의 순수를 배출하는 밸브이다. 순수 배출 밸브(7)는 탱크(3) 내에 설치된 액면계(8)에 의해 검출되는 탱크(3) 내의 순수의 액면 위치, 온도 센서(9)에 의해 검출되는 탱크(3) 내의 순수의 온도에 따라 개폐가 제어된다.
이러한 구조의 순수 가열 장치(1)는 온도 제어 장치로서의 제어 장치(20)를 구비한다.
제어 장치(20)에는 액면계(8), 온도 센서(9, 12, 14)로부터의 검출값이 입력되고, 제어 장치(20)는 검출값에 의거하여 펌프(4), 가열기(5), 순수 공급 밸브(6), 및 순수 배출 밸브(7)에 제어 지령을 출력한다.
제어 장치(20)는 도 2에 나타내는 바와 같이 공급 개도 제어부(21), 배출 개도 제어부(22), 펌프 유량 제어부(23), 및 가열기 제어부(24)를 구비한다.
공급 개도 제어부(21)는 온도 센서(9) 또는 온도 센서(12), 및 액면계(8)의 검출값에 의거하여 순수 공급 밸브(6)의 개폐를 행하는 제어 지령을 생성하고, 순수 공급 밸브(6)의 전자 밸브에 출력한다.
배출 개도 제어부(22)는 온도 센서(9) 또는 온도 센서(12), 및 액면계(8)의 검출값에 의거하여 순수 배출 밸브(7)의 개폐를 행하는 제어 지령을 생성하고, 순수 배출 밸브(7)의 전자 밸브에 출력한다.
펌프 유량 제어부(23)는 온도 센서(9), 온도 센서(12)의 검출 온도에 의거하여 펌프(4)로부터 압송되는 순수의 유량을 조정하는 제어 지령을 생성하여 펌프(4)에 출력한다.
가열기 제어부(24)는 온도 센서(14)의 검출 온도에 의거하여 가열기(5)에 의한 가열 상태를 제어한다. 구체적으로는 가열기 제어부(24)는 온도 센서(14)에 의해 검출된 검출 온도가 설정 온도에 도달하고 있는 지의 여부에 의해 가열기(5)의 할로겐 히터의 통전 상태를 제어한다.
[2] 순수 가열 장치(1)에 의한 순수의 설정 온도의 변경 방법
이어서, 상술한 순수 가열 장치(1)에 의한 순수의 설정 온도의 변경 방법에 대해서 도 3에 나타내는 플로우 차트에 의거하여 설명한다. 또한, 이하의 설명은 세정 장치(2)의 유량 조정 밸브(2A)는 폐쇄, 유량 조정 밸브(2B)는 개방으로 하고, 가열된 순수를 리턴 배관(15)을 통해 탱크(3)에 순환시켜서 순수 가열 장치(1)를 가동시키고 있는 상태로 하고 있다.
우선, 제어 장치(20)는 오퍼레이터가 조작함으로써 순수의 설정 온도(SV1)가 설정 온도(SV2)로 변경되었는 지의 여부를 감시한다(순서 S1).
설정 온도(SV1)의 변경이 없을 경우(S1: No), 제어 장치(20)는 감시를 유지한다.
설정 온도(SV2)로 변경되었을 경우(S1: Yes), 제어 장치(20)는 그 변경이 종전의 설정 온도(SV1)보다 저하되어 있는 지의 여부를 판정한다(순서 S2).
설정 온도(SV2)가 종전의 설정 온도(SV1)보다 상승하고 있을 경우(S2: No), 가열기 제어부(24)는 가열기(5)의 온도를 설정 온도(SV2)로 설정하고, 온도 센서(14)의 검출값이 설정 온도(SV2)가 될 때까지 순수를 루프 내에서 순환시킨다.
설정 온도(SV2)가 종전의 설정 온도(SV1)보다 저하되어 있을 경우(S2: Yes), 펌프 유량 제어부(23)는 펌프(4)에 의한 순수의 압수량을 최소로 설정하고(순서 S3), 펌프(4)는 최소의 압송 유량으로 순수를 순환 루프 내에서 순환시킨다. 펌프(4)를 정지시키지 않는 것은 순수의 압송량이 0이 되면, 가열기(5)에 있어서 순수의 범핑이 생기거나, 가열기(5)를 완전 정지해서 식힌 후, 재기동하면 가열기(5)에 돌입 전류가 흐르거나 하기 때문이다. 가열기(5)에 그러한 상태가 발생할 가능성이 없을 경우에는 펌프(4)를 정지시켜도 좋다.
펌프(4)의 압송량이 최소가 되면, 공급 개도 제어부(21)는 순수 공급 밸브(6)를 개방하는 제어 지령을 출력하고, 순수 공급 밸브(6)로부터 가열 전의 상온의 순수를 공급시킨다. 동시에, 배출 개도 제어부(22)는 순수 배출 밸브(7)를 개방하는 제어 지령을 출력하고, 순수 배출 밸브(7)로부터 탱크(3) 내의 가열된 순수를 배출시킨다(순서 S4).
이때, 순수 공급 밸브(6)로부터 공급되는 가열 전의 상온의 순수의 온도(Tn)와, 설정 온도(SV2)의 관계는 SV2＞Tn일 필요가 있고, 이것에 의해 탱크(3) 내의 가열된 순수의 온도는 서서히 저하되어 간다.
또한, 순수 공급 밸브(6)로부터 공급되는 가열 전의 순수의 공급 유량 QnL/min과, 순수 배출 밸브(7)로부터 배출되는 탱크 내의 순수의 배출 유량 QdL/min의 관계는 QnL/min=QdL/min로 하는 것이 바람직하다. 또한, 공급 개도 제어부(21) 및 배출 개도 제어부(22)는 액면계(8)의 검출값에 의거하여 액면 높이가 소정의 역치 이하가 되면, Qn＞Qd로 설정하고, 액면 높이가 소정의 역치 이상이 되면, Qn＜Qd가 되도록 제어해도 좋다.
제어 장치(20)는 탱크(3) 내의 온도 센서(9)의 검출 온도(Tt), 가열기(5)의 후단의 온도 센서(14)의 검출 온도(PV), 및 가열기(5)의 전단의 온도 센서(12)의 검출 온도(Tin)에 의거하여 이들의 검출 온도가 설정 온도(SV2)보다 낮아졌는 지의 여부를 판정한다(순서 S5). 구체적으로는 제어 장치(20)는 펌프(4)의 유량을 최소로 설정하고 있을 경우, 검출 온도(PV) 또는 검출 온도(Tin)를 사용해서 판정하고, 펌프(4)를 정지시키고 있을 경우, 검출 온도(Tt)를 사용해서 판정한다.
검출 온도(Tt, Tin, PV)가 설정 온도(SV2)보다 높을 경우(S5: No), 순수 공급 밸브(6)에 의한 가열 전의 상온의 순수의 공급, 순수 배출 밸브(7)에 의한 탱크(3) 내의 순수의 배출을 계속한다.
검출 온도(Tt, Tin, PV)가 설정 온도(SV2)보다 낮아지면(S5: Yes), 공급 개도 제어부(21)는 순수 공급 밸브(6)를 폐쇄하고, 배출 개도 제어부(22)는 순수 배출 밸브(7)를 폐쇄한다(순서 S6).
또한, 펌프 유량 제어부(23)는 펌프(4)의 압송 유량을 정격으로 설정하고, 통상의 순환 상태로 복귀시킨다(순서 S7).
이 상태에서는 설정 온도(SV2), 검출 온도(PV, Tt)의 관계는 SV2＞PV＞Tt로 되어 있으므로 가열기(5)에 의한 가열이 개시되어 검출 온도(PV)가 설정 온도(SV2)가 될 때까지 가열기(5)에 의한 가열이 계속된다.
[3] 실시형태의 효과
이러한 본 실시형태에 의하면 설정 온도(SV1)로부터 설정 온도(SV2)로 변경되었을 때, SV1＞SV2이어도 탱크(3) 내의 순수를 모두 교체하는 일 없이 설정 온도(SV2)의 순수로 가열할 수 있기 때문에 탱크(3) 내의 순수의 배출량을 저감하여 절수할 수 있다.
또한, 순수 공급 밸브(6)로부터의 가열 전의 상온의 순수를 탱크(3) 내에서 가열된 순수와 혼합해서 순수의 온도를 저하시키고 있기 때문에 설정 온도(SV2)보다 약간 낮은 검출 온도(PV)로부터 가열기(5)에 의한 가열이 개시되어 가열기(5)의 소비 전력량을 적게 할 수 있다.
또한, 순수 공급 밸브(6)로부터 가열 전의 순수를 서서히 공급하고 있기 때문에 설정 온도(SV1)로부터 설정 온도(SV2)로의 변경으로부터 검출 온도(PV)가 설정 온도(SV2)로 제정할 때까지의 시간을 짧게 할 수 있다.
[제 2 실시형태]
이어서, 본 발명의 제 2 실시형태에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는 이미 설명한 부분과 동일 부분에 대해서는 동일 부호를 붙여 그 설명을 생략한다.
상술한 제 1 실시형태에서는 제어 장치(20)의 공급 개도 제어부(21) 및 배출 개도 제어부(22)는 순수 공급 밸브(6)에 의한 가열 전의 상온의 순수의 공급과, 및 순수 배출 밸브(7)에 의한 탱크(3) 내의 가열된 순수의 배출을 동시에 행하고 있었다.
이것에 대하여 본 실시형태의 순수 가열 장치(1)의 제어 장치(30)는 도 4에 나타내는 바와 같이 공급량 연산부(25)를 더 구비하고 있는 점이 상위하다. 그리고 공급량 연산부(25)는 미리 가열 전의 순수의 공급량을 연산하여 배출 개도 제어부(22)에 의한 탱크(3) 내의 가열된 순수의 배출과, 공급 개도 제어부(21)에 의한 가열 전의 상온의 순수의 공급을 순차적으로 행하고 있는 점이 상위하다.
또한, 순수 가열 장치(1)의 장치 구성은 제 1 실시형태와 마찬가지이다.
공급량 연산부(25)는 변경된 설정 온도(SV2)에 의거하여 탱크(3) 내의 가열된 순수량, 즉 공급하는 가열 전의 상온의 순수량을 연산한다. 구체적으로는 탱크(3) 내의 가열된 순수량을 VoL, 탱크(3) 내의 순수의 온도를 Th℃, 순수 공급 밸브(6)로부터 공급되는 가열 전의 상온의 순수의 온도를 Tc℃, 설정 온도를 SV2, 탱크(3) 내의 가열된 순수의 배출량을 VdL, 순수 공급 밸브(6)로부터 공급되는 가열 전의 상온의 순수의 공급량을 VnL로 하면, 하기 식(1)이 성립한다.
Figure pct00001
통상, 순수의 공급량과 배출량은 동일하기 때문에 Vn=Vd가 되고, 하기 식(2)과 같이 된다.
Figure pct00002
식(2)으로부터 설정 온도(SV2)로 변경되었을 경우의 탱크(3) 내의 순수의 배출량(Vd)은 하기 식(3)에 의해 연산할 수 있다.
Figure pct00003
실제로는 설정 온도(SV2)보다 조금 낮은 온도로 설정하고, 가열기(5)에 의해 온도의 미조정(微調整)을 행한 편이 좋으므로 SV-ΔT(ΔT＞0)로 해주는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 의한 순수 가열 장치(1)에 의한 순수의 설정 온도의 변경 방법은 도 5에 나타내는 플로우 차트에 의거하여 행해진다. 또한, 본 실시형태에서는 펌프(4)에 의한 순수의 순환에 대해서는 생략하고 있다.
설정 온도(SV1)의 변경의 감시(순서 S1), 변경된 설정 온도(SV2)가 종전의 설정 온도(SV1)보다 저하되어 있는 지의 여부의 판정(순서 S2)은 제 1 실시형태와 마찬가지이다.
공급량 연산부(25)는 상술한 식(3)에 의거하여 탱크(3) 내의 가열된 순수의 배출량을 연산한다(순서 S8).
배출 개도 제어부(22)는 순수 배출 밸브(7)를 개방하여 탱크(3) 내의 가열된 순수를 배출한다(순서 S9).
배출 개도 제어부(22)는 순수의 배출량이 순서 S8에서 연산된 배출량에 도달했는 지의 여부를 판정한다(순서 S10).
순수의 배출량이 연산된 배출량에 도달하고 있지 않다고 판정되었을 경우(S10: No), 순수 배출 밸브(7)의 개방 상태를 유지한다.
순수의 배출량이 연산된 배출량에 도달했다고 판정되었을 경우(S10: Yes), 배출 개도 제어부(22)는 순수 배출 밸브(7)를 폐쇄하고, 공급 개도 제어부(21)는 순수 공급 밸브(6)를 연다(순서 S11).
공급 개도 제어부(21)는 순수의 공급량이 순서 S8에서 연산된 공급량(=배출량)에 도달했는 지의 여부를 판정한다(순서 S12).
공급 개도 제어부(21)는 순수의 공급량이 연산된 공급량에 도달하고 있지 않다고 판정되었을 경우(S12: No), 순수 공급 밸브(6)의 개방 상태를 유지한다.
이어서, 제어 장치(20)는 온도 센서(14)의 검출 온도(PV)가 설정 온도보다 SV2보다 낮은 지의 여부를 판정한다(순서 S13).
온도 센서(14)의 검출 온도(PV)가 설정 온도(SV2)보다 높을 경우(S13: No), 순수 공급 밸브(6)의 개방 상태를 유지한다.
온도 센서(14)의 검출 온도(PV)가 설정 온도(SV2)보다 낮아졌을 경우(S13: Yes), 순수 공급 밸브(6)를 폐쇄한다(순서 S14).
그 후, 검출 온도(PV)가 설정 온도(SV2)가 될 때까지 가열기(5)에 의한 가열을 행한다.
이러한 본 실시형태에 의해서도 상술한 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 및 효과를 향수할 수 있다.
[제 3 실시형태]
이어서, 본 발명의 제 3 실시형태에 대해서 설명한다.
상술한 제 1 실시형태에서는 순수 배출 밸브(7)는 탱크(3)의 하부에 설치되어 있었다.
이것에 대하여, 본 실시형태의 순수 가열 장치(40)는 도 6에 나타내는 바와 같이 순수 배출 밸브(41)가 가열기(5)의 후단의 배관(13)의 도중에 설치되어 있는 점이 상위하다. 또한, 순수 배출 밸브(41)는 리턴 배관(15)의 도중에 설치해도 좋다.
설정 온도(SV1)을 설정 온도(SV1)보다 낮은 설정 온도(SV2)로 스위칭하면, 순수 배출 밸브(41)는 배출로 스위칭되고, 순수 공급 밸브(6)는 공급으로 스위칭되어 순수 공급 밸브(6)로부터 공급되는 가열 전의 상온의 순수에 의해 탱크(3) 내의 순수의 온도가 서서히 저하되어 간다.
그 밖의 구성, 순수 가열 장치(40)에 의한 설정 온도의 변경 방법에 대해서는 제 1 실시형태와 마찬가지이다.
또한, 순수의 설정 온도를 설정 온도(SV1)로부터 설정 온도(SV2)(SV1＞SV2)로 변경하는 방법은 제 1 실시형태에서 설명한 방법을 채용할 수 있다.
이러한 본 실시형태에 의해서도 상술한 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 및 효과를 향수할 수 있다.
또한, 이러한 위치에 순수 배출 밸브(41)를 설치함으로써 배관(13), 리턴 배관(15)의 도중을 흐르는 순수를 배출할 수 있으므로, 가열기(5)에 의해 온도 조정된 순수를 배출하du 설정 온도(SV1)로부터 설정 온도(SV2)로의 변경을 보다 단시간에 행할 수 있다.
[제 4 실시형태]
이어서, 본 발명의 제 4 실시형태에 대해서 설명한다.
상술한 제 1 실시형태에서는 탱크(3), 펌프(4), 가열기(5)를 거친 가열된 순수는 배관(13)을 통해 직접 세정 장치(2)에 공급되고, 세정 장치(2) 내의 유량 조정 밸브(2b)를 거친 리턴 배관(15)을 통해 탱크(3)에 순수가 리턴되는 1개의 순환 루프에 의해 순수 가열 장치(1)를 구성하고 있었다.
이것에 대하여 본 실시형태에 의한 순수 가열 장치(50)는 도 7에 나타내는 바와 같이, 펌프(4), 가열기(5), 리턴 배관(15)으로 구성되는 제 1 순환 루프와, 제 1 순환 루프와는 별도로, 펌프(51), 가열기(52), 온도 센서(53), 배관(13), 세정 장치(2), 및 리턴 배관(54)으로 구성되는 제 2 순환 루프를 구비하고 있는 점이 상위하다.
펌프(4) 및 펌프(51)의 회전수의 스위칭은 동시에 행해진다. 제어 장치(20)는 설정 온도의 변경 시에는 펌프(4, 51)의 압송량을 양쪽 모두 최소로 스위칭하여 탱크(3) 내의 검출 온도(Tt)가 설정 온도(SV2)에 근접하면 펌프(4, 51) 모두 정격 회전수로 리턴한다.
또한, 제어 장치(20)는 탱크(3) 내의 검출 온도(Tt)가 설정 온도(SV2)보다 약간 낮은 온도가 되도록 제 1 순환 루프 내의 순수의 온도 조정을 행하고, 제 2 순환 루프의 가열기(52)에 의해 설정 온도(SV2)로 한 후, 세정 장치(2)에 순수를 공급한다.
이러한 순수 가열 장치(50)에 의해서도 상술한 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 및 효과를 향수할 수 있다.
[제 5 실시형태]
상술한 제 4 실시형태에서는 순수 배출 밸브(7)는 탱크(3)의 저부에 설치되어 있었다.
이것에 대하여, 본 실시형태에 의한 순수 가열 장치(60)는 도 8에 나타내는 바와 같이 제 1 순환 루프의 가열기 후단, 리턴 배관(15)의 도중에 순수 배출 밸브(41)가 설치되어 있는 점이 상위하다.
이러한 본 실시형태에 의하면 상술한 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 및 효과를 향수할 수 있다.
또한, 순수 배출 밸브(41)를 가열기(5)의 후단, 리턴 배관(15)의 도중에 설치하고 있으므로 제 3 실시형태에서 설명한 작용 및 효과와 마찬가지의 작용 및 효과를 향수할 수 있다.
[제 6 실시형태]
상술한 제 5 실시형태에서는 제 1 순환 루프에만 순수 배출 밸브(41)를 설치하고 있었다.
이것에 대하여 본 실시형태에 의한 순수 가열 장치(70)는 도 9에 나타내는 바와 같이, 제 1 순환 루프에 순수 배출 밸브(41)를 설치함과 아울러, 제 2 순환 루프의 리턴 배관(54) 중에 순수 배출 밸브(71)를 설치하고 있는 점이 상위하다.
제어 장치(20)는 순수 배출 밸브(41)에 의한 배출에 있어서는 동시에 순수 배출 밸브(71)에 의한 배출도 행하도록 동기 제어한다.
이러한 본 실시형태에 의해서도 상술한 제 1 실시형태의 작용 및 효과, 제 3 실시형태의 작용 및 효과와 마찬가지의 작용 및 효과를 향수할 수 있다.
또한, 제 2 순환 루프에 순수 배출 밸브(71)를 설치함으로써 설정 온도(SV1)로부터 설정 온도(SV2)(SV1＞SV2)일 때, 제 2 순환 루프 내의 순수도 배출할 수 있기 때문에 순환 루프 내를 흐르는 보다 고온의 순수를 배출하여 탱크(3) 내의 가열된 순수의 온도를 효과적으로 저하시킬 수 있다.
[실시형태의 변형]
또한, 본 발명은 상술한 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함되는 것이다.
예를 들면, 상술한 제 3 실시형태로부터 제 6 실시형태에서는 제어 장치(20)를 사용해서 설정 온도의 변경을 행하고 있었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고 제 2 실시형태에 있어서 설명한 제어 장치(30)를 사용하여 설정 온도의 변경을 행해도 좋다.
상술한 각 실시형태에서는 순수를 가열하는 순수 가열 장치로서 구성되어 있었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 세정 장치(2)에 약액의 온도 제어를 행하는 경우에도 본 발명의 유체 가열 장치를 적용해도 좋다.
그 외에 본 발명의 구체적인 구조 및 형상 등은 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서 다른 구조 등으로 해도 좋다.
[시뮬레이션에 의한 효과의 확인]
제 1 실시형태에 나타내어지는 순수 가열 장치(1)를 사용하여 설정 온도(SV1)=80℃로부터 설정 온도(SV2)=40℃로의 스위칭을 행한 상태를 온도 제어의 시뮬레이션에 의해 종래 방법과 비교했다.
종래 방법은 순수 가열 장치(1)를 사용하여 설정 온도(SV1)로부터 설정 온도(SV2)로의 스위칭에 있어서, 탱크(3) 내의 가열된 순수를 순수 배출 밸브(7)로부터 전부 배출하고, 그 후 순수 공급 밸브(6)로부터 가열 전의 상온의 순수를 탱크(3) 내에 공급하여 가열기(5)에 의한 가열을 행한 것이다. 각 부의 사양은 다음과 같다.
가열기(5)의 출력 최대값: 192㎾
순환 유량(펌프(4)): 56L/min
탱크(3)의 용량: 65L
공급 순수 온도: 24℃
공급 순수 유량: 56L/min
배출 순수 유량: 56L/min
도 10에 나타내는 바와 같이, 시뮬레이션에서는 설정 온도(SV1)=80℃로 가열해서 정상이 된 후, 시각 1000초에서 설정 온도(SV2)=40℃로 스위칭하고 있다.
종래 방법에서는 설정 온도의 스위칭 후, 65L의 탱크(3) 내의 순수를 배출하고, 비어진 시점에서 가열 전의 순수를 공급하고 있다. 도 10에서는 시각 100s로부터 1140s 사이가 급배수에 적당하며, 온도 센서(14)에 의한 검출 온도는 그래프 PV2와 같이 변화되고, 그 후 24℃로부터 설정 온도(SV2)=40℃로 가열하고 있다.
이에 대하여 제 1 실시형태에서는 시각 1000s로부터 급배수를 동시에 행해 탱크(3) 내의 가열된 순수를 가열 전의 상온의 순수로 혼합하여 냉각한다. 온도 센서(9)에 의한 탱크(3) 내의 검출 온도(Tt)가 설정 온도(SV2)보다 2℃ 낮은 38℃가 될 때까지 급배수를 행한 결과, 종래 방법보다 37s 짧은 103s에서 스위칭이 종료되어 있다. 또한, 온도 센서(14)에 의한 검출 온도는 그래프 PV1과 같이 변화되어 설정 온도(SV2)에서 일정해지는 것은 대략 1150s이며, 냉각 시간은 종래 방법의 200s보다 약 50s 단축할 수 있다.
또한, 시각 1000s로부터 1200s까지의 소비 전력의 차이는 평균 17㎾이며, 제 1 실시형태의 쪽이 종래 방법보다 전력 소비량을 적게 할 수 있다. 이는 제 1 실시형태의 경우, 냉각 사이에 거의 가열기(5)에 의한 가열을 위한 전력을 사용하지 않기 때문이다.
1 : 순수 가열 장치 2 : 세정 장치
2A : 유량 조정 밸브 2B : 유량 조정 밸브
2C : 세정 프로세스 2D : 배출 탱크
2E : 배관 2F : 배관
2b : 유량 조정 밸브 3 : 탱크
4 : 펌프 5 : 가열기
6 : 순수 공급 밸브 7 : 순수 배출 밸브
8 : 액면계 9 : 온도 센서
10 : 배관 11 : 배관
12 : 온도 센서 13 : 배관
14 : 온도 센서 15 : 배관
15 : 리턴 배관 16 : 배출 탱크
20 : 제어 장치 21 : 공급 개도 제어부
22 : 배출 개도 제어부 23 : 펌프 유량 제어부
24 : 가열기 제어부 25 : 공급량 연산부
30 : 제어 장치 40 : 순수 가열 장치
41 : 순수 배출 밸브 50 : 순수 가열 장치
51 : 펌프 52 : 가열기
53 : 온도 센서 54 : 리턴 배관
60 : 순수 가열 장치 70 : 순수 가열 장치
71 : 순수 배출 밸브 PV : 검출 온도
QdL : 배출 유량 QnL : 공급 유량
SV1 : 설정 온도 SV2 : 설정 온도
Tin : 검출 온도 Tn : 온도
Tt : 검출 온도 Tt : 검출 온도
Vd : 배출량

Claims (4)

  1. 유체를 저류하는 탱크와,
    상기 탱크 내의 유체를 반송하는 펌프와,
    반송된 유체를 소정의 온도로 가열하는 가열기와,
    상기 가열기에 의해 가열된 유체를 상기 탱크로 리턴하는 리턴 배관과,
    상기 탱크 내에 가열 전의 유체를 공급하는 유체 공급 밸브와,
    상기 탱크 내의 가열된 유체를 배출하는 유체 배출 밸브와,
    가열된 유체의 온도를 검출하는 온도 센서와,
    상기 유체 공급 밸브 및 상기 유체 배출 밸브의 개도를 제어하여 상기 탱크 내의 유체의 온도를 제어하는 온도 제어 장치를 구비하고,
    상기 온도 제어 장치는,
    상기 온도 센서의 검출 온도에 의거하여 상기 유체 배출 밸브의 개도 제어를 행하는 배출 개도 제어부와,
    상기 온도 센서의 검출 온도에 의거하여 상기 유체 공급 밸브의 개도 제어를 행하는 공급 개도 제어부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 유체 가열 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도 제어 장치는,
    상기 탱크 내의 가열된 유체의 온도를 설정 온도로 낮추기 위해서 가열 전의 유체의 공급량을 연산하는 공급량 연산부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 유체 가열 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유체 배출 밸브는 상기 가열기 후단의 상기 리턴 배관 안에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 유체 가열 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 펌프, 상기 가열기, 및 상기 리턴 배관으로 구성되는 제 1 순환 루프와는 별도로, 반도체 웨이퍼의 세정 장치에 가열된 유체의 일부를 공급하고, 다른 일부를 상기 탱크로 리턴하는 제 2 순환 루프를 구비하고,
    상기 유체 배출 밸브는 상기 제 2 순환 루프에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 유체 가열 장치.
KR1020197010712A 2017-01-26 2017-11-14 유체 가열 장치 KR102188287B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220048594A (ko) * 2020-10-13 2022-04-20 최영우 전기식 히팅유닛을 이용한 온수 공급장치
KR102579429B1 (ko) * 2023-01-17 2023-09-15 주식회사 팀즈 전도성물질 기반의 히터를 이용한 열전달효율이 우수한 인라인 히팅시스템

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111457460B (zh) * 2020-05-18 2024-03-19 珠海格力电器股份有限公司 零冷水热水器系统及其控制方法、计算机可读存储介质

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09196468A (ja) * 1996-01-19 1997-07-31 Miura Co Ltd 貯湯式加温装置
JP2000266496A (ja) 1999-03-15 2000-09-29 Komatsu Electronics Kk 流体加熱装置
JP2003042548A (ja) 2001-07-27 2003-02-13 Komatsu Electronics Inc 流体加熱装置
JP2010067636A (ja) 2008-09-08 2010-03-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010139202A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Toshiba Carrier Corp 給湯・空気調和機
JP2016156594A (ja) * 2015-02-26 2016-09-01 森本 曉明 ボイラシステム

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03233258A (ja) 1990-02-09 1991-10-17 Gastar Corp 自動風呂装置における湯温変更制御方法
JP2001118821A (ja) 1991-12-11 2001-04-27 Sony Corp 洗浄方法
JP2010078178A (ja) 2008-09-24 2010-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 給湯装置
JP5890198B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
CN202238722U (zh) 2011-10-11 2012-05-30 康可电子（无锡）有限公司 半导体有机清洗设备的供水系统
JP5912439B2 (ja) * 2011-11-15 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法
JP5726784B2 (ja) * 2012-02-24 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 処理液交換方法および基板処理装置
JP5529312B1 (ja) 2013-03-05 2014-06-25 株式会社コスモライフ ウォーターサーバー
JP6433730B2 (ja) 2014-09-08 2018-12-05 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP2016146813A (ja) 2015-02-13 2016-08-18 株式会社オーレック 温水防除装置
JP6356091B2 (ja) * 2015-04-16 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、ヒータユニットの制御方法および記憶媒体
CN204730306U (zh) 2015-05-29 2015-10-28 河南中烟工业有限责任公司 一种节能的热水供应系统
CN205042838U (zh) 2015-09-21 2016-02-24 深圳市格普斯纳米电热科技有限公司 一种清洗设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09196468A (ja) * 1996-01-19 1997-07-31 Miura Co Ltd 貯湯式加温装置
JP2000266496A (ja) 1999-03-15 2000-09-29 Komatsu Electronics Kk 流体加熱装置
JP2003042548A (ja) 2001-07-27 2003-02-13 Komatsu Electronics Inc 流体加熱装置
JP2010067636A (ja) 2008-09-08 2010-03-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010139202A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Toshiba Carrier Corp 給湯・空気調和機
JP2016156594A (ja) * 2015-02-26 2016-09-01 森本 曉明 ボイラシステム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220048594A (ko) * 2020-10-13 2022-04-20 최영우 전기식 히팅유닛을 이용한 온수 공급장치
KR102579429B1 (ko) * 2023-01-17 2023-09-15 주식회사 팀즈 전도성물질 기반의 히터를 이용한 열전달효율이 우수한 인라인 히팅시스템

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