KR20190035944A - 에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들 - Google Patents

에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들 Download PDF

Info

Publication number
KR20190035944A
KR20190035944A KR1020197008609A KR20197008609A KR20190035944A KR 20190035944 A KR20190035944 A KR 20190035944A KR 1020197008609 A KR1020197008609 A KR 1020197008609A KR 20197008609 A KR20197008609 A KR 20197008609A KR 20190035944 A KR20190035944 A KR 20190035944A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
edge protection
protection plate
edge
processing
Prior art date
Application number
KR1020197008609A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102045942B1 (ko
Inventor
사라브제트 싱흐
그래엄 자미에슨 스코트
아미타브 사바르왈
아제이 쿠마
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20190035944A publication Critical patent/KR20190035944A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102045942B1 publication Critical patent/KR102045942B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예들은 일반적으로 기판들을 플라즈마 식각하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 프로세싱되는 기판들의 에지들, 측면들 및 후면들에 대한 보호를 갖는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들은 프로세싱되는 기판 보다 크기가 작은 애퍼쳐를 갖는 에지 보호 플레이트를 제공하며, 여기서 에지 보호 플레이트는 플라즈마 챔버 내에서 기판에 매우 근접하게 위치될 수 있다. 에지 보호 플레이트는 기판의 에지, 측면들, 및 후면 상의 반사 코팅들에 대한 보호를 제공하기 위해 기판의 에지들 및/또는 측면들과 오버랩한다.

Description

에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들{APPARATUS AND METHODS FOR DRY ETCH WITH EDGE, SIDE AND BACK PROTECTION}
본 발명의 실시예들은 일반적으로 기판들을 플라즈마 식각하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 프로세싱되는 기판들의 에지(edge)들, 측면(side)들 및 후면(back)들에 대한 보호를 갖는 방법 및 장치에 관한 것이다.
포토리소그래피 동안, 패터닝된 피쳐들을 웨이퍼 상에 형성하기 위해, 포토마스크 또는 "레티클(reticle)"과 같은 기판이 보통 광원과 프로세싱되는 웨이퍼 사이에 위치된다. 기판은 웨이퍼 상에 형성될 피쳐들의 구성(configuration)을 반영하는 패턴을 포함한다.
포토마스크 기판은 전형적으로, 작업 표면(working surface) 상에 형성된 광-차폐(light-shielding) 금속층 금속(전형적으로 크롬) 및 나머지 표면들 상에 형성된 크롬 질화물과 같은 고 반사 코팅(highly reflecting coating)을 갖는, 석영과 같은 광학적으로 투명한 실리콘 기반 재료의 기판을 포함한다. 광-차폐 금속층은 패턴을 정의하는 피쳐들을 형성하기 위해 패터닝 및 식각되며, 상기 패턴은 포토리소그래피 프로세스에 의해 반도체 웨이퍼들과 같은 웨이퍼들에 전사(transfer)될 피쳐들에 대응한다.
패터닝된 포토마스크 기판들을 제조하기 위해, 증착 및 식각 프로세스들이 보통 채용된다. 증착 또는 식각 프로세스들 동안, 고 반사 코팅이 손상될 수 있다. 예를 들어, 광 차폐 금속층 내에 패턴을 식각하기 위해 플라즈마를 사용하는 동안, 고 반사 코팅은, 플라즈마에 노출된다면, 열화될(degraded) 수 있다. 도 1은 플라즈마 환경에서 프로세싱되는 기판(100)의 개략적인 측면도이다. 기판(100)은, 최상부 표면(112) 상에 형성된 광-차폐 금속층(104) 및 바닥 표면(114)과 측면 표면들(116) 상에 형성된 광 반사 코팅(light reflecting coating)(106)을 갖는 기판(102)을 포함한다. 전형적으로, 광-차폐 금속층(104) 상에 패턴을 형성하는 동안, 기판(100)은 광-차폐 금속층(104)이 플라즈마(110)를 향하는(facing) 상태로 지지 조립체(supporting assembly)(108) 상에 배치된다. 그러나, 광 반사 코팅(106), 특히 측면 표면들(116) 상의 광 반사 코팅(106)은 플라즈마(110)에 노출될 수 있고, 따라서 프로세스 동안 손상되게 된다.
그러므로, 기판 상의 반사 코팅을 손상시키지 않으면서, 기판 상에 패턴들을 형성하는 방법 및 장치가 필요하다.
본 발명의 실시예들은 일반적으로 기판을 프로세싱하기 위한 장치 및 방법들을 제공한다. 보다 구체적으로, 본 발명의 실시예들은 플라즈마 프로세싱 동안 기판의 에지 및/또는 측면들을 보호하기 위한 장치 및 방법들을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 기판을 프로세싱하기 위한 장치를 제공한다. 장치는 프로세싱 용적(processing volume)을 정의하는 챔버 본체(chamber body), 및 프로세싱 용적 내에 배치된 지지 조립체를 포함한다. 지지 조립체는 프로세싱 동안 기판을 지지하기 위한 융기된 부분(raised portion)을 포함한다. 장치는 또한 프로세싱 용적 내에서 플라즈마를 발생시키거나 공급하도록 구성된 플라즈마 소스, 및 프로세싱 용적 내에서 지지 조립체 위에 이동가능하게(movably) 배치된 에지 보호 플레이트를 포함한다. 에지 보호 플레이트는 중심 영역에 형성된 애퍼쳐(aperture)를 갖는다.
본 발명의 다른 실시예는 기판을 프로세싱하기 위한 장치를 제공한다. 장치는 프로세싱 용적을 정의하는 챔버 본체 및 프로세싱 용적 내에 배치된 지지 조립체를 포함한다. 챔버 본체는 챔버 벽들 및 챔버 벽들 위에 배치된 챔버 덮개(chamber lid)를 포함한다. 지지 조립체는 프로세싱 동안 기판을 지지하기 위한 융기된 부분을 포함한다. 장치는 또한, 프로세싱 용적 내에서 플라즈마를 발생시키도록 구성된, 챔버 덮개 위에 배치된 안테나, 및 프로세싱 용적 내에 배치된 에지 보호 조립체를 포함한다. 작동되는(actuated) 에지 보호 조립체는, 프로세싱 용적 내에 이동가능하게 배치된 리프트 후프(lift hoop), 리프트 후프로부터 연장하는 세 개 또는 그 이상의 지지 핀(supporting pin)들, 및 지지 조립체 위에 배치된 애퍼쳐를 갖는 에지 보호 플레이트를 포함한다. 에지 보호 플레이트는 세 개 또는 그 이상의 지지 핀들에 커플링되고 리프트 후프와 함께 이동가능하다.
본 발명의 또 다른 실시예는 기판을 프로세싱하기 위한 방법을 제공한다. 방법은 플라즈마 챔버의 프로세싱 용적 내에 배치된 지지 조립체 상에 기판을 받는(receiving) 단계, 및 기판 위에 에지 보호 플레이트를 위치시키는 단계를 포함한다. 에지 보호 플레이트는 기판 보다 작은 애퍼쳐를 가지며, 상기 애퍼쳐는 기판과 실질적으로 동일한 형상을 갖는다. 방법은 기판을 프로세싱하기 위해 에지 보호 플레이트 위에서 플라즈마를 발생시키는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로 앞서 간략히 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
도 1은 플라즈마 환경에서 프로세싱되는 기판의 개략적인 측면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세싱 챔버의 개략적인 측 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 에지 보호 조립체의 부분적인 사시도이다.
도 4a는 하부 프로세싱 위치에서 에지 보호 플레이트를 도시하는 측 단면도다.
도 4b는 상부 프로세싱 위치에서 에지 보호 플레이트를 도시하는 측 단면도이다.
도 4c는 기판 이송 위치에서 에지 보호 플레이트를 도시하는 측 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 에지 보호 플레이트의 상부도이다.
도 5b는 도 5a의 에지 보호 플레이트의 측 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 에지 보호 플레이트의 상부도이다.
도 6b는 도 6a의 에지 보호 플레이트의 측 단면도이다.
이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들을 표시하기 위해 가능한 한 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들이 구체적인 언급없이 다른 실시예들에 유리하게 이용될 수 있음이 고려된다.
본 발명의 실시예들은 일반적으로 기판들을 플라즈마 식각하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 프로세싱되는 기판들의 에지들, 측면들 및 후면들에 대한 보호를 갖는 방법 및 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 실시예들은 독립적으로 작동되는 에지 보호 플레이트를 포함하는 프로세싱 챔버를 제공한다.
본 발명의 실시예들은 프로세싱되는 기판 보다 크기가 작은 애퍼쳐를 갖는 에지 보호 플레이트를 제공하며, 여기서 에지 보호 플레이트는 플라즈마 챔버 내에서 기판에 매우 근접하게 위치될 수 있다. 에지 보호 플레이트는, 기판의 에지, 측면들, 및 후면 상의 반사 코팅들에 대한 보호를 제공하기 위해 기판 상의 에지들 및/또는 측면들과 오버랩(overlap)한다.
용어 "기판"은, 이를 테면, 반도체 기판, 전기적 절연체 기판, 마스크, 포토마스크 기판 또는 레티클과 같은, 전자 디바이스들을 형성하는 프로세스에서 사용되는 임의의 기판들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세싱 챔버(200)의 개략적인 측 단면도이다. 본원에 개시되는 가르침들과 함께 사용되도록 적응될 수 있는 적합한 프로세싱 챔버들은, 예를 들어, 디커플드 플라즈마 소스(Decoupled Plasma Source)(DPS®) II 반응기, 또는 테트라(Tetra) I 및 테트라 II 포토마스크 식각 시스템들을 포함하며, 이들 모두는 캘리포니아 산타클라라의 어플라이드 머티어리얼스 인코포레이티드로부터 입수가능하다. 본원에 도시된 프로세싱 챔버(200)의 특정한 실시예는 예시적인 목적들을 위해 제공된 것이고 본 발명의 범위를 제한하기 위해 이용되어서는 안된다. 본 발명이 다른 제조사들로부터의 플라즈마 프로세싱 챔버들을 포함하는 다른 플라즈마 프로세싱 챔버들에서 이용될 수 있음이 고려된다.
프로세싱 챔버(200)는 일반적으로, 챔버 벽들(202) 및 챔버 덮개(204)에 의해 정의되는 프로세싱 용적(206)을 포함한다. 프로세싱 챔버(200)는 프로세싱 용적(206) 내에서 플라즈마를 공급 또는 발생시키기 위한 플라즈마 소스(222)를 포함한다. 일 실시예에서, 플라즈마 소스(222)는, 프로세싱 용적(206) 내에서 유도 결합(inductive coupled) 플라즈마를 발생시키기 위해 챔버 덮개(204) 위에 배치된 안테나(210)를 포함한다. 안테나(210)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 하나 또는 둘 이상의 동축(co-axial) 코일들(210a, 210b)을 포함할 수 있다. 안테나(210)는 정합 네트워크(matching network)(214)를 통해 플라즈마 전력 소스(plasma power source)(212)에 커플링될 수 있다.
프로세싱되는 기판(100)을 융기된 부분(230) 상에 지지하기 위해, 지지 조립체(208)가 프로세싱 용적(206) 내에 배치된다. 지지 조립체(208)는, 척 전력 공급부(chuck power supply)(220)에 연결된 적어도 하나의 클램핑 전극(clamping electode)(218)를 갖는 정전 척(electrostatic chuck)(216)을 포함할 수 있다. 지지 조립체(208)는 서셉터 클램프 링, 기계적 척 등과 같은 다른 기판 보유 메커니즘(substrate retention mechanism)들을 포함할 수 있다. 지지 조립체(208)는 정전 척(216) 이외의 다른 기판 보유 메커니즘들, 이를 테면 서셉터 클램프 링, 기계적 척 등을 포함할 수 있다. 지지 조립체(208)는 온도 제어를 위해 히터 전력 공급부(226) 및 히트 싱크(heat sink)(228)에 커플링된 저항성 히터(resistive heater)(224)를 포함할 수 있다.
지지 조립체(208)는 또한, 외부 로봇(exterior robot)과 같은 외부 이송 디바이스와 융기된 부분(230) 사이에서 기판(100)을 이송하기 위한 기판 어댑터(adaptor)(234)를 포함한다. 기판 어댑터(234)는 정전 척(216) 위에 배치되며, 융기된 부분(230)이 관통하여 연장할 수 있게 하는 개구(236)를 가질 수 있다. 기판 어댑터(234)는 리프트(lift) 메커니즘(238)에 커플링된 복수의 리프트 핀들(240)에 의해 정전 척(216)으로부터 리프팅(lifting)될 수 있다. 예시적인 기판 어댑터들은, 발명의 명칭이 "마스크 식각 프로세싱 장치(Mask Etch Processing Apparatus)"인 미국 특허 제7,128,806호에 기술된다.
프로세싱 챔버(200)는 또한 지지 조립체(208) 위에 배치된 이온-라디칼 실드(ion-radical shield)(242)를 포함할 수 있다. 이온-라디칼 실드(242)는 챔버 벽들(202) 및 지지 조립체(208)로부터 전기적으로 격리된다. 이온-라디칼 실드(242)는, 복수의 쓰루홀들(248)을 갖는 실질적으로 편평한 플레이트(flat plate)(246), 및 편평한 플레이트(246)을 지지하고 편평한 플레이트(246)를 지지 조립체(208) 위의 특정 거리에 위치시키는 복수의 지지 레그들(250)을 포함한다. 복수의 지지 레그들(250)은 정전 척(216), 기판 어댑터(234) 또는 배플(baffle)(256) 상에 배치될 수 있다. 복수의 쓰루홀들(248)은 편평한 플레이트(246)의 개방 영역(open area)(252) 내에만 분포될 수 있다. 개방 영역(252)은 프로세싱 용적(206)의 상부 용적(upper volume)(254) 내에 형성된 플라즈마로부터 이온-라디칼 실드(242)와 지지 조립체(208) 사이에 위치된 하부 용적(244)으로 통과하는 이온들의 양을 제어한다. 예시적인 이온-라디칼 실드들은, 발명의 명칭이 "포토마스크 플라즈마 식각을 위한 방법 및 장치(Method and Apparatus for Photomask Plasma Etching)"인 미국 특허 제7,909,961호에서 찾아볼 수 있다.
가스 패널(258)이, 프로세싱 용적(206)을 향해 하나 또는 둘 이상의 프로세싱 가스를 공급하기 위해 주입구(inlet)들(260)에 연결된다. 진공 펌프(264)가 쓰로틀 밸브(throttle valve)(262)를 통해 프로세싱 용적(206)에 커플링된다. 배플(256)은 프로세싱 용적(206)에서의 균등한 유동 분포를 가능하게 하기 위해 쓰로틀 밸브(262)의 상류(upstream)에서 지지 조립체(208) 주위에 배치될 수 있다. 배플(256)은 기판 어댑터(234)로부터 방사상으로 바깥쪽으로 챔버 벽들(202)까지 연장하는 복수의 수평 스포크(spoke)들(256a)을 포함한다. 복수의 수평 스포크들(256a)은 프로세싱 용적(206)의 상부 부분으로부터 쓰로틀 밸브(262)까지의 유체 유동(fluid flow)을 제한(restrict) 및 균등화(equalize)하며, 이에 따라, 프로세싱 용적(206)에서의 유체 유동 균일성(uniformity)을 개선한다. 배플(256)은 또한 배플(256)의 외측 에지(outer edge)로부터 위쪽으로 연장하는 복수의 수직 바(bar)들(256b)을 포함할 수 있다. 복수의 수직 바들(256b)은 프로세싱 동안 기판(100) 근방의 수평 방향에서의 유체 유동을 제한 및 조정하는 기능을 한다.
일 실시예에서, 에지 실드(edge shield)(286)가 에지 보호 플레이트(268)에 커플링될 수 있다. 에지 실드(286)는 안쪽 단(inward step)(288)을 갖는 링형(ring shaped) 튜브이다. 에지 실드(286)는 에지 보호 플레이트(268) 주위에 가스 유동을 지향(direct)시키기 위해 에지 보호 플레이트(268)의 주변부 에지(periphery edge) 상에 놓여진다(rest).
본 발명의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버(200)는, 기판(100)의 광 반사 코팅(106)에 대한 보호를 제공하도록 구성된, 작동되는 에지 보호 조립체(266)를 포함한다. 작동되는 에지 보호 조립체(266)는 기판(100)의 에지(232) 및/또는 측면 표면들(116)(도 1에 도시됨) 양자 모두 위의 광 반사 코팅(106)을 보호하기 위해 사용될 수 있다.
작동되는 에지 보호 조립체(266)는 에지 보호 플레이트(268), 리프트 후프(272), 리프트 후프(272)와 에지 보호 플레이트(268) 사이에 커플링된 세 개 또는 그 초과의 지지 핀들(270)을 포함한다. 액츄에이터(276)는, 챔버 벽들(202)을 통해 밀봉적으로(sealingly) 연장하는 샤프트(274)에 의해 리프트 후프(272)에 커플링된다.
리프트 후프(272)는 프로세싱 용적(206) 내에서 지지 조립체(208)의 방사상으로 바깥쪽에 배치된다. 리프트 후프(272)는 실질적으로 수평의 방위(orientation)로 샤프트(274) 상에 장착된다. 샤프트(274)는 프로세싱 용적(206) 내에서 리프트 후프(272)를 수직으로 이동시키도록 액츄에이터(276)에 의해 구동된다. 세 개 또는 그 초과의 지지 핀들(270)은 리프트 후프(272)로부터 위쪽으로 연장하며, 에지 보호 플레이트(268)를 지지 조립체(208) 위에 위치시킨다. 세 개 또는 그 초과의 지지 핀들(270)은 에지 보호 플레이트(268)를 리프트 후프(272)에 고정적으로(fixedly) 부착할 수 있다. 에지 보호 플레이트(268)가 기판(100) 위의 요구되는 거리에 위치될 수 있도록 및/또는 외부 기판 핸들링 디바이스가 기판(100)을 이송하기 위해 에지 보호 플레이트(268)와 지지 조립체(208) 사이의 프로세싱 용적(206)에 들어갈 수 있도록, 에지 보호 플레이트(268)는 프로세싱 용적(206) 내에서 리프트 후프(272)와 함께 수직으로 이동한다.
세 개 또는 그 초과의 지지 핀들(270)은, 기판(100)이 지지 핀들(270) 사이에서 프로세싱 챔버(200) 내부로 그리고 외부로 이송될 수 있게 하도록 위치될 수 있다. 일 실시예에서, 세 개 또는 그 초과의 지지 핀들(270) 각각은 이온-라디칼 실드를 지지하는 복수의 지지 레그들(250) 중 하나 가까이에 위치될 수 있다.
일 실시예에서, 에지 보호 플레이트(268)가 프로세싱 용적(206) 내의 프로세싱 가스 또는 플라즈마의 아래쪽으로의 유동(downward flow)을 차단(block)할 수 있도록, 에지 보호 플레이트(268)는 지지 조립체(208)의 직경 보다 크기가 크고 챔버 벽(202)의 내부 치수 보다 약간 작은 평면 플레이트(planar plate)이다. 일 실시예에서, 챔버 벽(202)은 원통형이고, 에지 보호 플레이트(268)는 챔버 벽(202)의 내경(inner diameter) 보다 약간 작은 외경(outer diameter)을 갖는 원형 디스크일 수 있다. 에지 보호 플레이트(268)는 중심 영역 근처에 형성된 애퍼쳐(278)를 갖는다. 에지 보호 플레이트(268)는 지지 조립체(208)의 최상부 표면(282)에 실질적으로 평행하게 위치될 수 있다. 애퍼쳐(278)는 정전 척(216)의 융기된 부분(230)과 정렬된다. 애퍼쳐(278)는, 기판(100)이 위치되는 융기된 부분(230)을 향해 아래쪽으로 가스를 지향시키는, 프로세싱 가스 또는 활성 종(active species)을 위한 제한된 경로를 제공하며, 이에 따라, 기판(100)의 플라즈마-노출(plasma-exposure)을 제어한다.
애퍼쳐(278)의 형상은 프로세싱되는 기판(100)의 형상과 실질적으로 유사할 수 있다. 예를 들어, 애퍼쳐(278)의 형상은, 정사각형, 직사각형, 원형, 삼각형, 타원형, 편평부를 갖는 원형(circular with a flat), 육각형, 팔각형, 또는 프로세싱되는 기판 상의 프로세싱 영역의 임의의 적합한 형상일 수 있다. 일 실시예에서, 애퍼쳐(278)는, 기판(100)의 에지(232)에 대한 보호를 제공하기 위해 기판(100)의 최상부 표면(112) 보다 약간 작을 수 있다. 일 실시예에서, 기판(100)의 요구되는 플라즈마-노출을 달성하기 위해, 에지 보호 플레이트(268)와 융기된 부분(230)의 최상부 표면(282) 사이의 거리(280)가 조정될 수 있다. 다른 실시예에서, 기판(100)의 요구되는 플라즈마-노출을 달성하기 위해, 애퍼쳐(278)의 크기가 조정될 수 있다.
대안적으로, 기판(100)의 요구되는 플라즈마-노출을 달성하기 위해 거리(280) 및 애퍼쳐(278)의 크기가 함께 조정될 수 있다. 애퍼쳐(278)의 크기가 기판(100)의 크기 보다 약간 작을 때, 기판(100)의 에지(232)는, 에지 보호 플레이트(268)에 의해, 위쪽의 프로세싱 용적(206)으로부터 내려오는 프로세스 가스 내의 임의의 종으로부터 차폐될(shielded) 수 있다. 애퍼쳐(278)가 더 작을 수록, 에지(232)의 영역이 더 크다. 다른 한편으로, 거리(280)의 변경은 또한 에지 보호 플레이트(268)가 어떻게 기판(100)에 영향을 미치는지를 변경한다. 애퍼쳐(278)의 크기가 동일하게 유지될 때, 작은 거리(280)는 보호되는 에지 구역(protected edge zone)이 기판(100) 상의 비보호되는 구역(non-protected zone)으로부터 뚜렷하게(sharply) 정의되도록 초래할 것이고, 반면 큰 거리(280)는 보호되는 영역과 비보호되는 영역 사이에 천이 영역(transitional region)을 초래할 것이다.
일 실시예에서, 에지 보호 플레이트(268)는 이온-라디칼 실드(242) 아래에 그리고 지지 조립체(208) 위에 이동가능하게 위치된다. 에지 보호 플레이트(268)는, 이온-라디칼 실드(242)의 편평한 플레이트(246)를 지지하고 있는 복수의 지지 레그들(250)을 수용하기 위한 복수의 쓰루홀들(284)을 가질 수 있다.
프로세싱 동안, 플라즈마는 보통 프로세싱 용적(206) 내에서 형성된다. 라디칼들 및 이온들과 같은, 플라즈마 내의 종은 편평한 플레이트(246) 및 에지 보호 플레이트(268)의 애퍼쳐(278)를 통하여 기판(100)까지 통과한다. 에지 보호 플레이트(268)는 플라즈마 내의 종을 물리적으로 차단함으로써 플라즈마 내의 종의 충격(bombardment)으로부터 기판(100)의 에지 및/또는 측면들을 보호한다. 에지 보호 플레이트(268)는 애퍼쳐(278) 아래의 영역들을 제외한 에지 보호 플레이트(268) 아래의 기판(100)의 영역들 및 챔버 컴포넌트들에 대한 물리적 실드를 제공한다. 애퍼쳐(278)는, 애퍼쳐(278)를 통과하는 종이 기판(100)의 에지 및/또는 측면들에 도달하지 않도록 형상화되고(shaped) 및/또는 위치될 수 있다. 상기 논의된 바와 같이, 애퍼쳐(278)의 크기 및/또는 거리(280)는 기판(100)에 대해 요구되는 보호를 얻기 위해 단독으로 또는 함께 조정될 수 있다.
에지 보호 플레이트(268)는 프로세싱 화학반응(chemistry)과 호환가능한 재료들로부터 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 에지 보호 플레이트(268)는, 특히, 석영 또는, 알루미나, 산화이트륨(yttria)(산화 이트륨) 및 K140(교세라(Kyocera)로부터 입수가능한 특허된 재료(proprietary material))과 같은 세라믹(ceramic)들로부터 형성될 수 있다.
도 3은, 챔버 덮개(204), 챔버 벽들(202) 및 지지 조립체(208)가 제거된 상태의, 본 발명의 일 실시예에 따른 작동되는 에지 보호 조립체(266)의 부분적인 사시도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 배플(256)과 편평한 플레이트(246) 사이에 에지 보호 플레이트(268)를 위치시키기 위해, 복수의 지지 핀들(270)이 배플(256)을 관통한다. 복수의 쓰루홀들(284)은 배플(256) 상의 편평한 플레이트(246)를 지지하는 지지 레그들(250)을 수용한다. 지지 래그들(250)과 지지 핀들(270)의 스태거된(staggered) 배열은 에지 보호 플레이트(268)가 배플(256) 및 편평한 플레이트(246)로부터 독립적으로 이동할 수 있게 한다.
에지 보호 플레이트(268)는 리프트 후프(272)에 의해 수직으로 이동된다. 리프트 후프(272)는 측면 연장부(302)를 갖는 링형 본체(304)를 포함할 수 있다. 링형 본체(304)는 지지 조립체(208)를 둘러싸기에 충분히 큰 내부 개구(306)를 갖는다. 측면 연장부(302)는 링형 본체(304)로부터 방사상으로 바깥쪽에 위치된다. 측면 연장부(302)는 리프트 후프(272)를 측면으로부터 액츄에이터와 연결할 수 있게 한다. 측방 구동식 배열(side driven arrangement)은, 리프트 후프(272) 및 에지 보호 플레이트(268)가 이온-라디칼 실드(242)의 편평한 플레이트(246) 및 배플(256)과 별개의 구동 매커니즘(driven mechanism)을 가질 수 있게 하며, 이에 따라, 프로세싱 챔버(200)의 프로세스 유연성(flexibility)을 개선한다.
이동가능한 에지 보호 플레이트(268)는, 특정한 효과를 달성하고 및/또는 기판(100) 및 다른 챔버 컴포넌트들의 이동들을 가능하게 하기 위해, 지지 조립체(208) 위의 상이한 거리들에 위치될 수 있다. 지지 조립체(208)에 대해 에지 보호 플레이트(268)의 높이(elevation)를 조정가능하게 설정하는 능력은 프로세싱 윈도우(processing window)를 상당히 확장시킴으로써, 더 큰 프로세스 유연성을 가능하게 한다. 일 실시예에서, 에지 보호 플레이트(268)의 높이는 플라즈마 프로세싱 이전에 상이한 프로세싱 레시피들(recipes)에 커스텀하게(customarily) 맞추기 위해 조정될 수 있다. 다른 실시예들에서, 에지 보호 플레이트(268)의 높이는 플라즈마 프로세싱 동안 조정될 수 있다.
도 4a는 하부 프로세싱 위치에서 에지 보호 플레이트(268)를 도시하는 측 단면도이다. 하부 표면(406)은 지지 조립체(208)의 융기된 부분(230) 위의 거리(402)에 위치된다. 하부 프로세싱 위치에서, 거리(402)가 상대적으로 짧아서, 프로세싱되는 기판(100) 가까이에 에지 보호 플레이트(268)를 배치한다. 하부 프로세싱 위치에서, 에지 보호 플레이트(268)는 애퍼쳐(278)를 통한 직접적인 가시선(direct line of sight)의 실질적으로 바깥에 있는 임의의 영역에 대한 플라즈마 액세스를 방지하는 섀도우 링(shadow ring)처럼 기능할 수 있고, 기판(100)의 에지(232)는 이온들에 대한 노출들로부터 섀도잉(shadowing)된다.
도 4b는 상부 프로세싱 위치에서 에지 보호 플레이트(268)를 도시하는 측 단면도이다. 하부 표면(406)은 지지 조립체(208)의 융기된 부분(230) 위의 거리(404)에 위치된다. 거리(404)는 거리(402) 보다 크며, 이에 따라, 더 많은 이온들 및 반응성 종이, 하부 프로세싱 위치에서는 에지 보호 플레이트(268)에 의해 섀도잉되었을 기판(100)의 에지와 상호작용을 할 수 있게 한다. 상부 프로세싱 위치에서, 에지 보호 플레이트(268)는 기판(100)의 에지 및/또는 측면을 플라즈마에 대한 노출로부터 보호할 수 있을 뿐만 아니라, 기판의 에지 영역 가까이의 식각 레이트를 조절할 수 있고, 이에 따라, 기판(100)에 걸쳐서 전체적인 프로세싱 균일성을 개선한다.
도 4c는 기판(100)이 지지 조립체(208)로 그리고 지지 조립체(208)로부터 이송될 수 있도록 하는 이송 위치에서 에지 보호 플레이트(268)를 도시하는 측 단면도이다. 리프트 후프(272) 및 에지 보호 플레이트(268)가 이온 라디칼 실드(242)에 매우 근접하게 들어올려지고, 그에 의해, 에지 보호 플레이트(268)와 융기된 부분(230) 사이에, 기판 이송을 위한 로봇 블레이드(robot blade)에 의한 액세스를 가능하게 하는 충분한 공간을 생성한다.
본 발명의 실시예들에 따른 에지 보호 플레이트들은 일반적으로, 프로세싱되는 기판들과 유사한 형상의 애퍼쳐를 갖는 평면의 본체(planar body)를 포함한다. 일 실시예에서, 애퍼쳐는 정사각형 형상이다. 그러나, 애퍼쳐(278)의 형상은, 정사각형, 직사각형, 원형, 삼각형, 타원형, 편평부를 갖는 원형, 육각형, 또는 팔각형과 같은, 프로세싱되는 기판 상의 프로세싱 영역을 위한 임의의 적합한 형상일 수 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 에지 보호 플레이트(268)의 상부도이다. 도 5b는 에지 보호 플레이트(268)의 측 단면도이다. 에지 보호 플레이트(268)는 평면 디스크형(planar disk shaped) 본체(502)를 갖는다. 평면 디스크형 본체(502)는 원통형 측벽들을 갖는 프로세싱 챔버 내에서 사용하기 위해 원형일 수 있다. 애퍼쳐(278)는 평면 디스크형 본체(502)의 중심 영역을 통해 형성된다. 애퍼쳐(278)는 정사각형 기판(100)을 프로세싱하기 위해 정사각형일 수 있다. 애퍼쳐(278)는 실질적으로 수직인 내벽(inner wall)들(504)에 의해 정의된다. 일 실시예에서, 애퍼처(278)의 크기는 기판(100)의 크기 보다 작은 26 평방 인치(square inche) 보다 약간 작을 수 있다. 프로세싱 동안, 기판(100)의 에지들 및 측면들 주위에 균일한 보호를 제공하기 위해, 애퍼쳐(278)는 지지 조립체(208) 및 기판(100)의 중심과 동축으로 정렬된다.
일 실시예에서, 세 개 또는 그 초과의 쓰루홀들(284)이 평면 디스크형 본체(502)의 주변부를 따라 형성된다. 쓰루홀들(284)은 이온-라디칼 실드(242)의 지지 레그들(250)을 수용하도록 구성된다. 지지 핀들(270)과 같은 지지 피쳐(supporting feature)들이 위치들(506)에서 평면 디스크형 본체(502)에 부착될 수 있다. 기판(100)이 이웃하는 지지 핀들(270) 사이에서 이송될 수 있도록, 위치들(506)은 쓰루홀들(284) 가까이에 위치되고 쓰루홀들(284)과 방사상으로 정렬될 수 있다.
에지 보호 플레이트(268) 및 애퍼쳐(278)는 챔버의 형상 및 기판의 형상에 각각 의존하는 상이한 형상들을 가질 수 있음을 주목해야 한다.
도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 에지 보호 플레이트(600)의 상부도이다. 도 6b는 에지 보호 플레이트(600)의 측 단면도이다. 에지 보호 플레이트(600)는 도 6b에서 가상선(phantom)으로 도시된 기판(100)의 측면들(612)에 대한 추가적인 보호를 제공하도록 구성된다.
에지 보호 플레이트(600)는, 에지 보호 플레이트(600)가 계단형(stepped) 측벽들에 의해 정의되는 애퍼쳐(610)를 갖는 것을 제외하고, 에지 보호 플레이트(268)와 유사하다. 애퍼쳐(610)는 프로세싱되는 기판(100)의 형상과 실질적으로 유사한 형상일 수 있다. 애퍼쳐(610)는 상부 내벽들(604), 단(step)(606), 및 하부 내벽(608)에 의해 정의된다. 상부 내벽들(604)은 기판(100) 보다 작은 상부 개구(610a)를 형성하고, 하부 내벽들(608)은 기판(100) 보다 큰 하부 개구(610b)를 형성한다.
프로세싱 동안, 기판(100)이 하부 개구(610b) 내에 위치될 수 있으며, 이에 따라, 상부 개구(610a)가 플라즈마 내의 종으로 하여금 기판(100)을 프로세싱할 수 있도록 하는 동안, 하부 내벽들(608)은 기판(100)의 측면들(612)을 플라즈마 노출로부터 직접적으로 차폐시킨다.
본 발명의 실시예들에 따른 에지 보호 플레이트들의 이점들은 하기를 포함할 수 있다.
에지 보호 플레이트는, 기판의 에지로부터 에지 보호 플레이트까지의 거리가 조절될 수 있도록 독립적으로 작동될 수 있다. 독립적인 작동은, 에지 보호 플레이트가 기판에 매우 근접하게 위치될 수 있게 한다. 에지 보호 플레이트가 기판에 매우 근접하게 되면, 에지 보호 플레이트가 식각으로부터 반응성 플라즈마를 효과적으로 섀도잉 및 차단할 수 있게 하는데, 그렇지 않으면 기판의 측면들 또는 후면측(backside) 상의 반사 코팅이 손상된다. 결과적으로, 에지 보호 플레이트는 기판의 측면들 및 후면측 상의 식각 레이트를 현저히 감소시키며, 이에 따라, 플라즈마 공격(attack)으로부터 기판 상의 반사 코팅을 보호한다.
더욱이, 에지 보호 플레이트는 또한 기판의 에지 가까이의 식각 레이트를 조절하기 위해 사용될 수 있고, 이에 따라, 기판 상에서의 식각 프로세스의 전체적인 균일성에 영향을 준다.
상술한 것은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 및 추가 실시예들이 본 발명의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있고, 본 발명의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (3)

  1. 플라즈마 프로세싱 챔버를 위한 에지 보호 플레이트로서,
    적어도 약 6 인치의 바깥 지름을 갖는 디스크 ― 애퍼쳐(aperture)가 상기 디스크의 중심 부분을 통해 형성되고, 상기 애퍼쳐는 직사각 형상을 갖고, 복수의 개구들이 상기 디스크의 주변 부분에 형성되며, 그리고 상기 디스크는 석영 또는 세라믹을 포함하는,
    에지 보호 플레이트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 애퍼쳐의 내벽은 계단형(stepped)의 단면(cross-sectional) 형상을 갖는,
    에지 보호 플레이트.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 애퍼쳐는 상부 개구 및 하부 개구에 의해 정의되고, 상기 하부 개구는 상기 상부 개구보다 큰,
    에지 보호 플레이트.
KR1020197008609A 2011-05-31 2012-04-25 에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들 KR102045942B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161491693P 2011-05-31 2011-05-31
US61/491,693 2011-05-31
PCT/US2012/034922 WO2012166265A2 (en) 2011-05-31 2012-04-25 Apparatus and methods for dry etch with edge, side and back protection

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137033369A Division KR101963862B1 (ko) 2011-05-31 2012-04-25 에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190035944A true KR20190035944A (ko) 2019-04-03
KR102045942B1 KR102045942B1 (ko) 2019-11-18

Family

ID=47260156

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137033369A KR101963862B1 (ko) 2011-05-31 2012-04-25 에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들
KR1020197008609A KR102045942B1 (ko) 2011-05-31 2012-04-25 에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137033369A KR101963862B1 (ko) 2011-05-31 2012-04-25 에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10170277B2 (ko)
JP (1) JP6106162B2 (ko)
KR (2) KR101963862B1 (ko)
CN (2) CN103620744B (ko)
TW (1) TWI588888B (ko)
WO (1) WO2012166265A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230075147A (ko) 2021-11-22 2023-05-31 한국전자통신연구원 다자 참여 증강현실 콘텐츠의 공유 공간 생성 방법 및 장치

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6097471B2 (ja) 2007-04-27 2017-03-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 環状のバッフル
TWI575833B (zh) * 2010-12-23 2017-03-21 Reliability improvement of electromagnetic pulse protection circuit
KR101963862B1 (ko) 2011-05-31 2019-03-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들
JP5977592B2 (ja) * 2012-06-20 2016-08-24 東京応化工業株式会社 貼付装置
US11195756B2 (en) * 2014-09-19 2021-12-07 Applied Materials, Inc. Proximity contact cover ring for plasma dicing
US10651015B2 (en) * 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US9899193B1 (en) * 2016-11-02 2018-02-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. RF ion source with dynamic volume control
JP6749275B2 (ja) * 2017-03-31 2020-09-02 芝浦メカトロニクス株式会社 アウターマスク、プラズマ処理装置、およびフォトマスクの製造方法
CN110544615B (zh) * 2019-08-28 2022-08-19 江苏鲁汶仪器有限公司 一种等离子体刻蚀系统
USD931241S1 (en) 2019-08-28 2021-09-21 Applied Materials, Inc. Lower shield for a substrate processing chamber
JP7192756B2 (ja) * 2019-12-19 2022-12-20 株式会社Sumco 気相成長装置及び気相成長方法
JP7500450B2 (ja) * 2021-01-21 2024-06-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5779803A (en) * 1993-12-24 1998-07-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US20080099431A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
US20090029564A1 (en) * 2005-05-31 2009-01-29 Tokyo Electron Limited Plasma treatment apparatus and plasma treatment method

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0733972A (ja) 1993-07-19 1995-02-03 Mitsubishi Chem Corp 熱可塑性樹脂組成物
JP2601179Y2 (ja) * 1993-11-29 1999-11-08 日新電機株式会社 基板保持装置
JP3477953B2 (ja) * 1995-10-18 2003-12-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR20000030996A (ko) 1998-11-02 2000-06-05 윤종용 반도체 건식 식각설비
US6178919B1 (en) 1998-12-28 2001-01-30 Lam Research Corporation Perforated plasma confinement ring in plasma reactors
US6974523B2 (en) 2001-05-16 2005-12-13 Lam Research Corporation Hollow anode plasma reactor and method
JP2004165645A (ja) * 2002-10-17 2004-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
TW200415681A (en) 2002-10-17 2004-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma processing apparatus
CN100418187C (zh) * 2003-02-07 2008-09-10 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、环形部件和等离子体处理方法
US7972467B2 (en) 2003-04-17 2011-07-05 Applied Materials Inc. Apparatus and method to confine plasma and reduce flow resistance in a plasma reactor
JP4368615B2 (ja) 2003-05-23 2009-11-18 スピードファム株式会社 局所ドライエッチング方法
US8349128B2 (en) 2004-06-30 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for stable plasma processing
US20060000802A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Ajay Kumar Method and apparatus for photomask plasma etching
US20060172542A1 (en) 2005-01-28 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to confine plasma and to enhance flow conductance
KR101119780B1 (ko) * 2005-06-30 2012-03-23 엘지디스플레이 주식회사 플라즈마 화학증착장치
US20070065597A1 (en) 2005-09-15 2007-03-22 Asm Japan K.K. Plasma CVD film formation apparatus provided with mask
KR100775960B1 (ko) * 2005-09-15 2007-11-16 삼성전자주식회사 마스크를 갖는 플라즈마 화학 기상 증착 막 형성 장치
US7909961B2 (en) * 2006-10-30 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
US7780866B2 (en) 2006-11-15 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Method of plasma confinement for enhancing magnetic control of plasma radial distribution
JP6097471B2 (ja) 2007-04-27 2017-03-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 環状のバッフル
JP4623055B2 (ja) 2007-05-23 2011-02-02 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法
US7988815B2 (en) 2007-07-26 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with reduced electrical skew using electrical bypass elements
US8075728B2 (en) 2008-02-28 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Gas flow equalizer plate suitable for use in a substrate process chamber
JP5086192B2 (ja) * 2008-07-01 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TWI398196B (zh) 2008-07-04 2013-06-01 Au Optronics Corp 防電弧保護裝置以及其組裝方法
JP5250445B2 (ja) * 2009-02-16 2013-07-31 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
US8360003B2 (en) 2009-07-13 2013-01-29 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with uniform process rate distribution by improved RF ground return path
KR101963862B1 (ko) 2011-05-31 2019-03-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5779803A (en) * 1993-12-24 1998-07-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US20090029564A1 (en) * 2005-05-31 2009-01-29 Tokyo Electron Limited Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
US20080099431A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230075147A (ko) 2021-11-22 2023-05-31 한국전자통신연구원 다자 참여 증강현실 콘텐츠의 공유 공간 생성 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR101963862B1 (ko) 2019-03-29
US10170277B2 (en) 2019-01-01
CN107452592B (zh) 2019-11-12
US20190096634A1 (en) 2019-03-28
WO2012166265A3 (en) 2013-01-24
CN103620744A (zh) 2014-03-05
KR102045942B1 (ko) 2019-11-18
TW201248722A (en) 2012-12-01
TWI588888B (zh) 2017-06-21
JP6106162B2 (ja) 2017-03-29
KR20140036234A (ko) 2014-03-25
CN103620744B (zh) 2017-09-29
US20120305185A1 (en) 2012-12-06
JP2014518447A (ja) 2014-07-28
CN107452592A (zh) 2017-12-08
WO2012166265A2 (en) 2012-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101963862B1 (ko) 에지, 측면 및 후면 보호를 갖는 건식 식각을 위한 장치 및 방법들
JP6329614B2 (ja) 誘導結合プラズマ（ｉｃｐ）リアクタ用動的イオンラジカルシーブ及びイオンラジカルアパーチャ
US6496350B2 (en) Electrostatic wafer chucks and charged-particle-beam exposure apparatus comprising same
EP1918970B1 (en) Method and apparatus for photomask plasma etching
TWI671816B (zh) 負載鎖定整合斜面蝕刻器系統
KR20040079993A (ko) 반응기 어셈블리 및 처리 방법
KR20080033406A (ko) 반도체 처리용 증착 장치
US20090084502A1 (en) Plasma processing apparatus
KR102174063B1 (ko) 반송 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JPH0774149A (ja) ドライエッチング方法及び装置
JP2000036399A (ja) 大型マスク形成用の磁気中性線放電プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant