KR20190006445A - 코일 부품 - Google Patents
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Abstract
평면 코일 소자에 있어서는, 비중첩 영역에 위치하는 제 1 수지벽 및 제 1 턴의 총 폭을 좁게 설계함으로써, 보다 구체적으로는, 제 1 턴보다도 외측의 제 2 턴과 상기 턴의 내측에 위치하는 제 2 수지벽의 총 폭이나, 또한 외측의 제 3 턴과 상기 턴의 내측에 위치하는 제 3 수지벽의 총 폭보다도 좁게 설계함으로써, 비중첩 영역에서의 데드 스페이스가 축소된다. 그 결과, 코일의 자심부에서의 자성 소체의 체적을 증량할 수 있고, 자기 특성으로서 인덕턴스값의 향상이 도모되어 있다.
Description
본 개시는 코일 부품에 관한 것이다.
종래의 코일 부품으로서, 예를 들어 일본 공개특허공보 특개2015-220452호 공보(특허문헌 1)에는, 절연 기판의 양면에 각각 형성된 코일 도체 패턴을 포함하는 자성체 본체를 구비한 코일 부품이 개시되어 있다. 본 문헌의 코일 부품의 절연 기판은 중앙부에 관통 구멍이 마련되어 있고 이 관통 구멍에 자성체가 충전됨으로써 코어부가 형성되어 있다.
상술한 바와 같은 종래 기술에 따른 코일 부품에 있어서는 절연 기판의 양면에 형성된 코일 도체 패턴끼리가 적층 방향에 관하여 중첩하지 않는 비중첩 영역이 관통 구멍 주변에 형성되고, 비중첩 영역에서는 기판의 한쪽 면에 코일 도체 패턴이 존재하지 않는 데드 스페이스(dead space)가 생겨 있다. 이러한 데드 스페이스는 코일 부품의 인덕턴스값에 기여하지 않기 때문에 자기 특성의 향상을 저해하는 한가지 요인이 될 수 있다.
발명자들은 예의 연구한 끝에 상기 데드 스페이스를 축소하여 자기 특성의 향상을 도모할 수 있는 기술을 새롭게 발견하였다.
본 개시에 의하면, 자기특성의 향상이 도모된 코일 부품이 제공된다.
본 개시의 일 측면에 따른 코일 부품은 관통 구멍이 마련된 절연 기판과, 절연 기판의 한쪽 면의 관통 구멍 주위에 형성된 제 1 코일 도체 패턴과, 절연 기판의 다른쪽 면의 관통 구멍 주위에 형성되는 동시에 절연 기판의 두께 방향에서 보아 제 1 코일 도체 패턴의 권회 방향과는 반대의 권회 방향으로 감긴 제 2 코일 도체 패턴과, 절연 기판에 관통 설치되어 제 1 코일 도체 패턴 및 제 2 코일 도체 패턴의 관통 구멍측의 단부끼리를 접속하는 스루홀 도체를 갖는 코일과, 제 1 코일 도체 패턴 및 제 2 코일 도체 패턴 각각의 턴 사이, 최내주 턴의 내측 및 최외주 턴의 외측에 배치된 수지벽과, 절연 기판의 한쪽 면 및 다른쪽 면에, 제 1 코일 도체 패턴, 제 2 코일 도체 패턴 및 수지벽을 덮도록 마련되고, 또한, 절연 기판의 관통 구멍, 제 1 코일 도체 패턴 및 제 2 코일 도체 패턴의 내측을 채우는 자성 소체를 구비하고, 제 1 코일 도체 패턴의 최내주 턴과 제 2 코일 도체 패턴의 최내주 턴이 절연 기판의 두께 방향에 있어서 서로 겹치지 않는 비중첩 영역이 존재하고, 상기 비중첩 영역에서의 제 1 코일 도체 패턴의 최내주 턴의 폭과 상기 최내주 턴의 내측에 위치하는 수지벽의 폭을 합한 총 폭이, 제 1 코일 도체 패턴의 최내주 턴보다도 외측의 턴의 폭과 상기 턴의 내측에 위치하는 수지벽의 폭을 합한 총 폭보다도 좁고, 또한, 스루홀 도체의 폭이 제 1 코일 도체 패턴의 최내주 턴의 폭 이하이다.
상기 코일 부품에서는 비중첩 영역에서의 데드 스페이스의 축소가 도모되어 있기 때문에, 자기 특성의 향상을 실현할 수 있다.
본 개시의 다른 측면에 따른 코일 부품에서는 제 1 코일 도체 패턴에 있어서, 최내주 턴의 높이는 상기 최내주 턴보다도 외측의 턴의 높이와 같다. 이 경우, 최내주 턴의 단면적이 과잉으로 좁아지지 않기 때문에 최내주 턴에서의 전기 저항의 증대가 억제될 수 있다.
본 개시의 다른 측면에 따른 코일 부품에서는, 제 1 코일 도체 패턴에 있어서, 최내주 턴의 내측에 위치하는 수지벽의 폭이 턴 사이에 위치하는 수지벽의 폭보다 넓다. 이 경우, 최내주 턴의 내측에 위치하는 수지벽이 코일의 강성 향상에 크게 기여한다.
본 개시의 다른 측면에 따른 코일 부품에서는, 절연 기판의 관통 구멍이 비중첩 영역까지 확대되어 있다. 이 경우, 관통 구멍의 확대에 의해 자성 소체를 증량할 수 있고, 자기 특성이 보다 향상한다.
도 1은 실시형태에 따른 평면 코일 소자의 개략 사시도.
도 2는 도 1에 나타내는 평면 코일 소자의 분해도.
도 3은 도 1에 나타내는 평면 코일 소자의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도.
도 4는 도 1에 나타내는 평면 코일 소자의 Ⅳ-Ⅳ선 단면도.
도 5는 도 1에 나타내는 평면 코일 소자의 제 1 도체 패턴을 나타낸 평면도.
도 6은 다른 형태의 평면 코일 소자를 나타낸 단면도.
도 2는 도 1에 나타내는 평면 코일 소자의 분해도.
도 3은 도 1에 나타내는 평면 코일 소자의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도.
도 4는 도 1에 나타내는 평면 코일 소자의 Ⅳ-Ⅳ선 단면도.
도 5는 도 1에 나타내는 평면 코일 소자의 제 1 도체 패턴을 나타낸 평면도.
도 6은 다른 형태의 평면 코일 소자를 나타낸 단면도.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 개시의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 설명에 있어서 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일 부호를 사용하는 것으로 하고 중복되는 설명은 생략한다.
우선, 본 개시의 실시형태에 따른 코일 부품의 일종인 평면 코일 소자의 구조에 대하여, 도 1 내지 5를 참조하면서 설명한다. 설명의 편의상, 도시한 바와 같이 XYZ 좌표를 설정한다. 즉, 평면 코일 소자의 두께 방향을 Z 방향, 외부 단자전극의 대면 방향을 X 방향, Z 방향과 X 방향에 직교하는 방향을 Y 방향으로 설정한다.
평면 코일 소자(10)는 직육면체 형상을 나타내는 본체부(12)와, 본체부(12)의 대향하는 한 쌍의 단면(12a, 12b)을 덮도록 해서 마련된 한 쌍의 외부 단자 전극(14A, 14B)으로 구성되어 있다. 평면 코일 소자(10)는 일례로서, 장변 2.5mm, 단변 2.0mm, 높이 0.8 내지 1.0mm의 치수로 설계된다.
본체부(12)는 절연 기판(20)과, 절연 기판(20)에 마련된 코일(C)을 포함하여 구성되어 있다.
절연 기판(20)은 비자성의 절연 재료로 구성된 판상 부재이고 그 두께 방향에서 보아 대략 타원 환상의 형상을 갖고 있다. 절연 기판(20)의 중앙 부분에는 타원형의 관통 구멍(20c)이 마련되어 있다. 절연 기판(20)으로서는 유리 클로스에 에폭시계 수지가 함침된 기판으로 판 두께 10㎛ 내지 60㎛의 것을 사용할 수 있다. 또한, 에폭시계 수지 외에, BT 레진, 폴리이미드, 아라미드 등을 사용할 수도 있다. 절연 기판(20)의 재료로서는 세라믹이나 유리를 사용할 수도 있다. 절연 기판(20)의 재료로서는, 대량 생산되고 있는 프린트 기판 재료라도 좋고, BT 프린트 기판, FR4 프린트 기판, 혹은 FR5 프린트 기판에 사용되는 수지 재료라도 좋다.
코일(C)은 절연 기판(20)의 한쪽 면(20a)(도 2에서의 상면)에 마련된 평면 공심 코일용의 제 1 도체 패턴(22A)과, 절연 기판(20)의 다른쪽 면(20b)(도 2에서의 하면)에 마련된 평면 공심 코일용의 제 2 도체 패턴(22B)과, 제 1 도체 패턴(22A)과 제 2 도체 패턴(22B)을 접속하는 스루홀 도체(25)를 갖는다.
제 1 도체 패턴(22A)(제 1 코일 도체 패턴)은 평면 공심 코일이 되는 평면 나선형 패턴이며 Cu 등의 도체 재료로 도금 형성되어 있다. 제 1 도체 패턴(22A)은 절연 기판(20)의 관통 구멍(20c) 주위에 권회하도록 형성되어 있다. 제 1 도체 패턴(22A)은 보다 상세하게는 도 2 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 윗 방향(Z 방향)에서 보아 외측을 향해 시계 방향으로 3턴분만큼 권회되어 있다. 이하의 설명에서는 제 1 도체 패턴(22A)의 3개의 턴을 내측부터 차례로 제 1 턴(23p), 제 2 턴(23q), 제 3 턴(23r)이라고도 칭한다. 제 1 도체 패턴(22A)의 높이(절연 기판(20)의 두께 방향에서의 길이)는 전체 길이에 걸쳐서 동일하며, 제 1 턴(23p)의 높이, 제 2 턴(23q)의 높이 및 제 3 턴(23r)의 높이는 같다.
제 1 도체 패턴(22A)의 외측의 단부(22a)는 본체부(12)의 단면(12a)에서 노출되고, 단면(12a)를 덮는 외부 단자 전극(14A)과 접속되어 있다. 제 1 도체 패턴(22A)의 내측의 단부(22b)는 스루홀 도체(25)에 접속되어 있다.
제 2 도체 패턴(22B)(제 2 코일 도체 패턴)도 제 1 도체 패턴(22A)과 마찬가지로, 평면 공심 코일이 되는 평면 나선형 패턴이며, Cu 등의 도체 재료로 도금 형성되어 있다. 제 2 도체 패턴(22B)도 절연 기판(20)의 관통 구멍(20c) 주위로 권회하도록 형성되어 있다. 제 2 도체 패턴(22B)은 보다 상세하게는, 윗방향(Z 방향)에서 보아 외측을 향해 반시계방향으로 3턴분만큼 권회되어 있다. 즉, 제 2 도체 패턴(22B)은 윗방향에서 보아, 제 1 도체 패턴(22A)과는 반대의 방향으로 권회되어 있다. 제 2 도체 패턴(22B)의 높이는 전체 길이에 걸쳐서 동일하며, 제 1 도체 패턴(22A)의 높이와 동일하게 설계할 수 있다.
제 2 도체 패턴(22B)의 외측의 단부(22c)는 본체부(12)의 단면(12b)에서 노출되어 단면(12b)을 덮는 외부 단자 전극(14B)과 접속되어 있다. 제 2 도체 패턴(22B)의 내측 단부(22d)는 제 1 도체 패턴(22A)의 내측의 단부(22b)와 절연 기판(20)의 두께 방향에서 위치 정렬되어 있고, 스루홀 도체(25)에 접속되어 있다.
스루홀 도체(25)는 절연 기판(20)의 관통 구멍(20c)의 테두리 영역에 관통 설치되어 있고 제 1 도체 패턴(22A)의 단부(22b)와 제 2 도체 패턴(22B)의 단부(22d)를 접속한다. 스루홀 도체(25)는 절연 기판(20)에 마련된 구멍과 그 구멍에 충전된 도전 재료(예를 들어 Cu 등의 금속재료)로 구성될 수 있다. 스루홀 도체(25)는 절연 기판(20)의 두께 방향으로 연장되는 대략 원주상 또는 대략 각주상의 외형을 갖고, 도 4에 나타내는 바와 같이 소정의 폭(w)(즉, 연장 방향으로 직교하는 방향에서의 길이)을 갖는다.
또한, 도 3 내지 5에 나타내는 바와 같이, 제 1 도체 패턴(22A) 및 제 2 도체 패턴(22B)에는 각각 수지벽(24A, 24B)이 마련되어 있다. 예를 들어, 제 1 도체 패턴(22A)에 마련된 수지벽(24A)은 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 1 턴(23p)의 내측에 위치하는 제 1 수지벽(24p), 제 1 턴(23p)과 제 2 턴(23q) 사이에 위치하는 제 2 수지벽(24q), 제 2 턴(23q)과 제 3 턴(23r) 사이에 위치하는 제 3 수지벽(24r), 제 3 턴(23r)의 외측에 위치하는 제 4 수지벽(24s)을 포함한다.
수지벽(24A, 24B)은 절연성의 수지 재료로 구성되어 있다. 수지벽(24A, 24B)은 제 1 도체 패턴(22A)이나 제 2 도체 패턴(22B)을 형성하기 전에 절연 기판(20) 위에 마련할 수 있고, 이 경우에는 수지벽(24A, 24B)에 있어서 구획 형성된 벽 사이에서 제 1 도체 패턴(22A)이나 제 2 도체 패턴(22B)이 도금 성장된다. 수지벽(24A, 24B)은 제 1 도체 패턴(22A)이나 제 2 도체 패턴(22B)을 형성한 후에 절연 기판(20) 위에 마련할 수 있고, 이 경우에는 제 1 도체 패턴(22A) 및 제 2 도체 패턴(22B)에 수지벽(24A, 24B)이 충전이나 도포 등에 의해 마련된다.
본체부(12)는 도 2 내지 4에 나타내는 바와 같이, 절연 기판의 한쪽 면(20a) 및 다른쪽 면(20b)을 덮는 자성 소체(26)를 갖는다. 자성 소체(26)는 금속 자성분을 포함하는 수지로 구성되어 있다. 자성 소체(26)를 구성하는 수지에는 예를 들어 열경화성의 에폭시 수지가 사용될 수 있다. 자성 소체(26)는 절연층(27)을 개재하여 제 1 도체 패턴(22A), 제 2 도체 패턴(22B) 및 수지벽(24A, 24B)을 일체적으로 덮고 있다. 또한, 자성 소체(26)는 절연 기판(20)의 관통 구멍(20c), 제 1 도체 패턴(22A) 및 제 2 도체 패턴(22B)의 내측에 충전되어 있다. 또한, 자성 소체(26)는 도 4에 나타내는 바와 같이, 절연 기판(20), 제 1 도체 패턴(22A) 및 제 2 도체 패턴(22B)을 외측에서 덮고 있다. 절연층(27)은 제 1 도체 패턴(22A), 제 2 도체 패턴(22B)과 자성 소체(26) 사이에 개재하도록 마련함으로써, 자성 소체(26)에 포함되는 금속 자성분과 도체 패턴 사이의 절연성을 높이고 있다. 절연층(27)은, 절연 수지 또는 절연 자성 재료로 구성될 수 있다.
상술한 평면 코일 소자(10)에서는 제 1 도체 패턴(22A) 및 제 2 도체 패턴(22B)이 절연 기판(20)을 사이에 두고 대체로 중첩하고 있고, 모두 절연 기판(20)의 관통 구멍(20c)을 둘러싸도록 배치되어 있기 때문에, 절연 기판(20)의 관통 구멍(20c)과 제 1 도체 패턴(22A) 및 제 2 도체 패턴(22B)의 공심 부분에 의해, 코일(C)의 자심부(30)가 구획 형성되어 있다. 그리고, 그 자심부(30)에 자성 소체(26)가 충전되어 있다.
또한, 평면 코일 소자(10)에서는, 코일(C)의 제 1 도체 패턴(22A)과 제 2 도체 패턴(22B)이 윗방향에서 보아 반대 방향으로 권회되어 있기 때문에, 스루홀 도체(25)로 접속된 제 1 도체 패턴(22A)과 제 2 도체 패턴(22B)에는 일 방향으로 전류를 흘려보낼 수 있다. 이러한 코일(C)에서는, 일 방향으로 전류를 흘려보냈을 때에 제 1 도체 패턴(22A)과 제 2 도체 패턴(22B)에서 전류가 흐르는 회전 방향이 동일해지기 때문에, 쌍방으로 발생하는 자속이 중첩되어 서로 강화한다.
여기서, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제 1 도체 패턴(22A)의 제 1 턴(23p)(최내주 턴)과 제 2 도체 패턴(22B)의 최내주 턴이 절연 기판(20)의 두께 방향에서 서로 겹치지 않는 비중첩 영역이 존재하고 있다. 비중첩 영역에서의 제 1 수지벽(24p)의 폭(W11)과 제 1 도체 패턴(22A)의 제 1 턴(23p)의 폭(W12)을 합한 총 폭(W1)은, 제 2 수지벽(24q)의 폭(W21)과, 제 1 도체 패턴(22A)의 제 2 턴(23q)의 폭(W22)의 총 폭(W2)보다도 좁아, W1<W2의 관계가 성립하고 있다. 또한, 비중첩 영역에서의 제 1 수지벽(24p)의 폭(W11)과 제 1 도체 패턴(22A)의 제 1 턴(23p)의 폭(W12)을 합한 총 폭(W1)은, 제 3 수지벽(24r)의 폭(W31)과 제 1 도체 패턴(22A)의 제 3 턴(23r)의 폭(W32)의 총 폭(W3)보다도 좁아, W1<W3의 관계가 성립하고 있다.
또한, 제 1 도체 패턴(22A)의 제 1 턴(23p)의 단부(22b)에 접속되는 스루홀 도체(25)의 폭(w)이 제 1 턴(23p)의 폭(W12) 이하로 되어 있다.
상기 비중첩 영역에서는, 절연 기판(20)의 다른쪽 면(20b)에, 코일 도체 패턴이 존재하지 않는 데드 스페이스가 생겨 있다. 이러한 데드 스페이스는 평면 코일 소자(10)의 인덕턴스값에 실질적으로 기여하지 않기 때문에, 자기 특성의 향상을 저해하는 한가지 요인이 된다. 그 때문에, 비중첩 영역에 위치하는 제 1 수지벽(24p) 및 제 1 턴(23p)의 총 폭(W1)을 좁게 설계함으로써, 보다 구체적으로는, 제 1 턴(23p)보다도 외측의 제 2 턴(23q)과 상기 턴의 내측에 위치하는 제 2 수지벽(24q)의 총 폭(W2)이나, 또한 외측의 제 3 턴(23r)과 상기 턴의 내측에 위치하는 제 3 수지벽(24r)의 총 폭(W3)보다도 좁게 설계함으로써, 비중첩 영역에서의 상기 데드 스페이스가 축소된다. 그 결과, 코일(C)의 자심부(30)에서의 자성 소체(26)의 체적을 증량할 수 있고, 자기 특성으로서 인덕턴스값의 향상이 도모된다. 이 때, 스루홀 도체(25)의 폭(w)이 제 1 턴(23p)의 폭(W12)보다 넓은 경우에는 스루홀 도체(25)가 제 1 턴(23p)의 폭(W12)의 협소화를 저해하지만, 상술한 실시형태와 같이, 스루홀 도체(25)의 폭(w)이 제 1 턴(23p)의 폭(W12) 이하가 되어 있는 경우에는, 폭이 좁은 제 1 턴(23p)을 용이하게 설계할 수 있다. 따라서, 상술한 평면 코일 소자(10)에서는, 데드 스페이스의 축소가 도모되어 있고, 자기 특성의 향상이 실현되어 있다.
또한, 제 2 도체 패턴(22B)에 대해서도 상술한 제 1 도체 패턴(22A)과 마찬가지로, 비중첩 영역에 위치하는 제 1 수지벽 및 제 1 턴의 총 폭을, 제 1 턴보다도 외측의 턴과 상기 턴의 내측에 위치하는 수지벽의 총 폭보다도 좁게 설계함으로써 데드 스페이스가 축소되어, 자기 특성의 추가적인 향상을 도모할 수 있다.
또한, 상술한 평면 코일 소자(10)에서는 제 1 도체 패턴(22A)에 있어서, 제 1 턴(23p)의 높이가, 제 1 턴(23p)보다도 외측의 턴(즉, 제 2 턴(23q) 및 제 3 턴(23r))의 높이와 같아져 있고, 제 1 턴(23p)의 높이가 외측의 턴의 높이보다 낮게 되어 있지 않다. 제 1 턴(23p)의 높이가 외측의 턴의 높이보다 낮은 경우에는, 제 1 턴(23p)의 단면적이 과잉으로 좁아져, 제 1 턴(23p)에서의 상기 저항이 증대한다. 상술한 실시형태와 같이, 제 1 턴(23p)의 높이가 외측의 턴의 높이와 같은 경우에는, 제 1 턴(23p)의 단면적이 과잉으로 좁아지지 않기 때문에, 제 1 턴(23p)에서의 전기 저항의 증대가 억제될 수 있다.
또한, 상술한 평면 코일 소자(10)에서는 제 1 도체 패턴(22A)에 있어서, 제 1 턴(23p)의 내측에 위치하는 제 1 수지벽(24p)의 폭(W11)이 턴 사이에 위치하는 수지벽의 폭(즉, 제 2 수지벽(24q)의 폭(W21) 및 제 3 수지벽(24r)의 폭(W31))보다 넓게 되어 있다. 따라서, 제 1 수지벽(24p)이 코일(C)의 강성 향상에 크게 기여한다.
또한, 본 개시는, 상술한 실시형태에 한하지 않고, 다양한 형태를 취할 수 있다.
예를 들어, 도 6에 나타낸 형태와 같이, 절연 기판(20A)의 관통 구멍(20c)이 비중첩 영역까지 확대되어도 좋다. 이 경우, 관통 구멍(20c)이 확대됨으로써, 코일(C)의 자심부(30)에서의 자성 소체(26)의 체적을 더욱 증량할 수 있고, 자기 특성으로서 인덕턴스값의 추가적인 향상을 도모할 수 있다.
Claims (4)
- 관통 구멍이 마련된 절연 기판과,
상기 절연 기판의 한쪽 면의 상기 관통 구멍 주위에 형성된 제 1 코일 도체 패턴과, 상기 절연 기판의 다른쪽 면의 상기 관통 구멍 주위에 형성되는 동시에 상기 절연 기판의 두께 방향에서 보아 상기 제 1 코일 도체 패턴의 권회 방향과는 반대의 권회 방향으로 감긴 제 2 코일 도체 패턴과, 상기 절연 기판에 관통 설치되어 상기 제 1 코일 도체 패턴 및 상기 제 2 코일 도체 패턴의 상기 관통 구멍측의 단부끼리를 접속하는 스루홀 도체를 갖는 코일과,
상기 제 1 코일 도체 패턴 및 상기 제 2 코일 도체 패턴 각각의 턴 사이, 최내주 턴의 내측 및 최외주 턴의 외측에 배치된 수지벽과,
상기 절연 기판의 한쪽 면 및 다른쪽 면에, 상기 제 1 코일 도체 패턴, 상기 제 2 코일 도체 패턴 및 상기 수지벽을 덮도록 마련되고, 또한, 상기 절연 기판의 상기 관통 구멍, 상기 제 1 코일 도체 패턴 및 상기 제 2 코일 도체 패턴의 내측을 채우는 자성 소체를 구비하고,
상기 제 1 코일 도체 패턴의 최내주 턴과 상기 제 2 코일 도체 패턴의 최내주 턴이 상기 절연 기판의 두께 방향에서 서로 겹치지 않는 비중첩 영역이 존재하고, 상기 비중첩 영역에서의 상기 제 1 코일 도체 패턴의 최내주 턴의 폭과 상기 최내주 턴의 내측에 위치하는 상기 수지벽의 폭을 합한 총 폭이 상기 제 1 코일 도체 패턴의 최내주 턴보다도 외측의 턴의 폭과 상기 턴의 내측에 위치하는 상기 수지벽의 폭을 합한 총 폭보다도 좁고, 또한, 상기 스루홀 도체의 폭이 상기 제 1 코일 도체 패턴의 최내주 턴의 폭 이하인, 코일 부품. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 코일 도체 패턴에 있어서, 상기 최내주 턴의 높이는 상기 최내주 턴보다도 외측의 턴의 높이와 같은, 코일 부품. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 코일 도체 패턴에 있어서, 상기 최내주 턴의 내측에 위치하는 상기 수지벽의 폭이 상기 턴 사이에 위치하는 상기 수지벽의 폭보다 넓은, 코일 부품. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연 기판의 관통 구멍이 상기 비중첩 영역까지 확대되어 있는, 코일 부품.
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JP2021089937A (ja) | コイル部品 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |