KR20180134863A - 막밀도가 향상된 레지스트 하층막을 형성하기 위한 조성물 - Google Patents

막밀도가 향상된 레지스트 하층막을 형성하기 위한 조성물 Download PDF

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Abstract

[과제] 막밀도, 경도, 영률, Wiggling내성(패턴의 굴곡내성)이 높고, 이에 따라 높은 에칭내성을 갖는 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공한다.
[해결수단] 하기 식(1):
Figure pct00026

(식(1) 중, 기 A 및 기 B는 각각, 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환을 갖는 유기기로서, 산화에 의해 질량증가를 일으키는 화학기(a), 가열에 의해 가교형성을 일으키는 화학기(b), 및 경화 중에 상분리를 유발하는 화학기(c)로 이루어지는 군으로부터 선택된 동종 또는 이종의 2개 이상의 1가 또는 2가의 화학기가, 이 기 A 및/또는 기 B 중 이 환 상의 수소원자와, 각각 치환한 구조를 갖는 유기기이다.)로 표시되는 반복단위구조를 갖는 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물. 이 조성물은 가교제, 산 및/또는 산발생제를 추가로 포함한다. 이 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체기판 상에 도포하고 소성함으로써 얻어지는 레지스트 하층막의 제조방법.

Description

막밀도가 향상된 레지스트 하층막을 형성하기 위한 조성물
본 발명은 막밀도가 향상된 레지스트 하층막을 형성하기 위한 조성물, 및 이들 조성물을 사용한 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
폴리머 수지의 중합은 널리 검토되어 왔으나, 그 중에서도 노볼락과 같은 환구조를 포함하는 폴리머는, 포토레지스트 등의 미세한 분야부터 자동차나 주택의 부재 등의 일반적인 분야까지 폭넓게 이용되어 왔다. 또한, 상기와 같은 폴리머는 내열성도 높고, 특수한 용도로도 적용가능하므로, 현재도 전 세계적으로 개발이 진행되고 있다. 일반적으로 환구조로 이루어지는 모노머라 한다면, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 피렌 및 플루오렌 등의 구조체가 알려져 있고, 이들 모노머는 알데히드기를 갖는 모노머와 노볼락을 형성하는 것이 알려져 있다. 한편, 플루오렌과 유사한 구조를 갖는 카바졸도 마찬가지의 특징을 나타내고, 양 모노머 모두 오원환에 인접한 벤젠환의 일부가 반응하여 폴리머화하는 것이 명백해졌다.
한편, 종래부터 반도체 디바이스의 제조에 있어서, 포토레지스트 조성물을 이용한 리소그래피에 의한 미세가공이 행해지고 있다. 상기 미세가공은 실리콘 웨이퍼 등의 피가공기판 상에 포토레지스트 조성물의 박막을 형성하고, 그 위에 반도체 디바이스의 패턴이 그려진 마스크패턴을 통해 자외선 등의 활성광선을 조사하고, 현상하여, 얻어진 포토레지스트 패턴을 보호막으로 하여 실리콘 웨이퍼 등의 피가공기판을 에칭처리하는 가공법이다. 그런데, 최근, 반도체 디바이스의 고집적도화가 진행되고, 사용되는 활성광선도 KrF엑시머레이저(248nm)에서 ArF엑시머레이저(193nm)로 단파장화되는 경향이 있다. 이에 수반하여 활성광선의 기판으로부터의 난반사나 정재파의 영향이 큰 문제였다. 이에 포토레지스트와 피가공기판 사이에 반사방지막을 마련하는 방법이 널리 검토되게 되었다.
향후, 레지스트 패턴의 미세화가 진행되면, 해상도의 문제나 레지스트 패턴이 현상 후에 무너진다는 문제가 발생하므로, 레지스트의 박막화가 요구된다. 이에 따라, 기판가공에 충분한 레지스트 패턴 막두께를 얻기 어려워, 레지스트 패턴뿐만 아니라, 레지스트와 가공할 반도체기판 사이에 작성되는 레지스트 하층막에도 기판가공시의 마스크로서의 기능을 갖게 할 프로세스가 필요하게 되었다. 이러한 프로세스용의 레지스트 하층막으로서 종래의 고에칭레이트성(에칭속도가 빠른) 레지스트 하층막과는 달리, 레지스트에 가까운 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막, 레지스트에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막이나 반도체기판에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막이 요구되게 되었다.
상기 레지스트 하층막용의 폴리머로서 예를 들어 이하의 것이 예시되고 있다.
카바졸을 이용한 레지스트 하층막 형성 조성물이 예시되고 있다(특허문헌 1, 특허문헌 2, 특허문헌 3, 및 특허문헌 4를 참조).
국제공개 WO2010/147155 팜플렛 국제공개 WO2012/077640 팜플렛 국제공개 WO2013/005797 팜플렛 국제공개 WO2014/092155 팜플렛
본 발명의 과제는 노볼락 수지를 이용한 반도체장치 제조의 리소그래피 프로세스에 이용하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것에 있다. 또한 본 발명의 과제는, 레지스트층과의 인터믹싱이 일어나지 않고, 높은 드라이에칭내성을 가지며, 높은 내열성을 갖고, 승화물량이 낮은 리소그래피용 레지스트 하층막을 제공하는 것에 있다.
나아가, 본 발명의 과제는 막밀도, 경도, 영률, Wiggling내성(패턴의 굴곡내성)이 높고, 이것들에 기초하여 높은 에칭내성을 갖는 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명은 제1 관점으로서, 하기 식(1):
[화학식 1]
Figure pct00001
(식(1)에 있어서, 기 A 및 기 B는 각각 독립적으로, 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환을 갖는 유기기로서, 산화에 의해 질량증가를 일으키는 화학기(a), 가열에 의해 가교형성을 일으키는 화학기(b), 및 경화 중에 상분리를 유발하는 화학기(c)로 이루어지는 군으로부터 선택된 동종 또는 이종의 2개 이상의 1가 또는 2가의 화학기가, 이 기 A 혹은 기 B 또는 그 양방의 기 중의, 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환 상의 탄소원자에 결합하는 수소원자와, 각각 치환한 구조를 갖는 유기기이고, 상기 화학기가 2가인 경우, 상기 환끼리는 이 화학기를 통해 결합 혹은 이 화학기와 함께 축합되어 있을 수도 있다.)로 표시되는 반복단위구조를 갖는 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물,
제2 관점으로서, 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환을 갖는 유기기가, 1 또는 복수의 벤젠환, 나프탈렌환, 또는 벤젠환과 헤테로환의 축합환을 갖는 유기기인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제3 관점으로서, 식(1)의 노볼락 수지가, 화학기(a), 화학기(b), 화학기(c), 화학기(a)와 화학기(b)의 조합, 화학기(a)와 화학기(c)의 조합, 화학기(b)와 화학기(c)의 조합, 화학기(a)와 화학기(b)와 화학기(c)의 조합으로부터 선택된 2종류 이상의 화학기로 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환의 수소원자를 각각 치환한 구조를 갖는 노볼락 수지인 제1 관점 또는 제2 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제4 관점으로서, 식(1)로 표시되는 노볼락 수지는, 화학기(b)로부터 선택된 동종 또는 이종의 2종의 화학기, 또는 화학기(a)와 화학기(b)로부터 각각 선택된 2종류의 화학기가, 기 A 및 기 B의 양방의 기 중의 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환 상의 탄소원자에 결합하는 적어도 1개의 수소원자와 각각 치환하여, 단위구조 중에 2종류의 화학기가 도입된 구조를 갖는 것인 제3 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제5 관점으로서, 화학기(a)가 메틸기, 설파이드기, 또는 그의 조합인 제1 관점 내지 제4 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제6 관점으로서, 화학기(b)가 아미노기, 카르복실기, 카르본산알킬에스테르기, 니트로기, 하이드록시기, 에테르기, 또는 그의 조합인 제1 관점 내지 제5 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제7 관점으로서, 화학기(c)가 플루오로알킬기인 제1 관점 내지 제6 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제8 관점으로서, 가교제를 추가로 포함하는 제1 관점 내지 제7 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제9 관점으로서, 산 및/또는 산발생제를 추가로 포함하는 제1 관점 내지 제8 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제10 관점으로서, 제1 관점 내지 제9 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체기판 상에 도포하고 소성함으로써 얻어지는 레지스트 하층막의 제조방법,
제11 관점으로서, 반도체기판 상에 제1 관점 내지 제9 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 형성된 레지스트 패턴에 의해 이 하층막을 에칭하는 공정, 및 패턴화된 하층막에 의해 반도체기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법, 및
제12 관점으로서, 반도체기판 상에 제1 관점 내지 제9 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 하드마스크를 형성하는 공정, 다시 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 형성된 레지스트 패턴에 의해 하드마스크를 에칭하는 공정, 패턴화된 하드마스크에 의해 이 하층막을 에칭하는 공정, 및 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 반도체기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법이다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해, 레지스트 하층막의 상층부와 그 위에 피복되는 층의 인터믹싱을 일으키는 일 없이, 양호한 레지스트의 패턴형상을 형성할 수 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에는 기판으로부터의 반사를 효율적으로 억제하는 성능을 부여하는 것도 가능하며, 노광광의 반사방지막으로서의 효과를 함께 가질 수도 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해, 레지스트에 가까운 드라이에칭속도의 선택비, 레지스트에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비나 반도체기판에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는, 우수한 레지스트 하층막을 제공할 수 있다.
레지스트 패턴의 미세화에 수반하여 레지스트 패턴이 현상 후에 무너지는 것을 방지하기 위해 레지스트의 박막화가 행해지고 있다. 이러한 박막 레지스트에서는, 레지스트 패턴을 에칭프로세스에서 그 하층막에 전사하고, 그 하층막을 마스크로 하여 기판가공을 행하는 프로세스나, 레지스트 패턴을 에칭프로세스에서 그 하층막에 전사하고, 다시 하층막에 전사된 패턴을 상이한 가스 조성을 이용하여 그 하층막에 전사한다는 과정(行程)을 반복하고, 최종적으로 기판가공을 행하는 프로세스가 있다. 본 발명의 레지스트 하층막 및 그 형성 조성물은 이 프로세스에 유효하며, 본 발명의 레지스트 하층막을 이용하여 기판을 가공할 때는, 가공기판(예를 들어, 기판 상의 열산화규소막, 질화규소막, 폴리실리콘막 등)에 대해 충분히 에칭내성을 갖는 것이다.
그리고, 본 발명의 레지스트 하층막은, 평탄화막, 레지스트 하층막, 레지스트층의 오염방지막, 드라이에치선택성을 갖는 막으로서 이용할 수 있다. 이에 따라, 반도체 제조의 리소그래피 프로세스에 있어서의 레지스트 패턴 형성을, 용이하게, 정도 좋게 행할 수 있게 된다.
본 발명에 따른 레지스트 하층막 형성 조성물에 의한 레지스트 하층막을 기판 상에 형성하고, 그 위에 하드마스크를 형성하고, 그 위에 레지스트막을 형성하고, 노광과 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴을 하드마스크에 전사하고, 하드마스크에 전사된 레지스트 패턴을 레지스트 하층막에 전사하고, 그 레지스트 하층막에서 반도체기판의 가공을 행하는 프로세스가 있다. 이 프로세스에서 하드마스크는 유기 폴리머나 무기 폴리머와 용제를 포함하는 도포형의 조성물에 의해 행해지는 경우와, 무기물의 진공증착에 의해 행해지는 경우가 있다. 무기물(예를 들어, 질화산화규소)의 진공증착에서는 증착물이 레지스트 하층막 표면에 퇴적되는데, 이때 레지스트 하층막 표면의 온도가 400℃ 전후로 상승한다. 본 발명에서는 이용되는 폴리머가 극히 내열성이 높고, 증착물의 퇴적에 의해서도 열열화를 일으키지 않는다.
그리고, 본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 얻어지는 레지스트 하층막은, 그 중에 포함되는 폴리머의 단위구조 중의 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환(예를 들어 벤젠환) 상의 탄소원자와 결합하는 수소원자가 특정한 기능을 갖는 화학기에 의해 치환되어 있으므로, 이들 화학기로 치환되어 있지 않은 상기 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환을 단위구조에 포함하는 폴리머를 갖는 레지스트 하층막에 비해 막밀도와 경도가 향상되고, Wiggling내성(패턴의 굴곡내성)이 높아, 에칭내성도 향상된다.
본 발명은 식(1)로 표시되는 반복단위를 갖는 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물이다.
식(1)에 있어서, 기 A 및 기 B는 각각 독립적으로, 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환을 갖는 유기기로서, 산화에 의해 질량증가를 일으키는 화학기(a), 가열에 의해 가교형성을 일으키는 화학기(b), 및 경화 중에 상분리를 유발하는 화학기(c)로 이루어지는 군으로부터 선택된 2종류 이상의 1가 또는 2가의 화학기가, 이 기 A 혹은 기 B 또는 그 양방의 기 중의, 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환 상의 탄소원자에 결합하는 수소원자와, 각각 치환한 구조를 갖는 유기기이다. 상기 화학기가 2가인 경우, 상기 환끼리는 이 화학기를 통해 결합 혹은 이 화학기와 함께 축합하고 있을 수도 있다.
상기 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환을, 1 또는 복수의 벤젠환, 나프탈렌환, 또는 벤젠환과 헤테로환의 축합환으로 할 수 있다. 따라서, 기 A 및 기 B는 각각 독립적으로, 1 또는 복수의 벤젠환, 나프탈렌환, 또는 벤젠환과 헤테로환의 축합환을 갖는 유기기로 할 수 있다.
바람직하게는, 식(1)에 있어서 유기기 A로는 벤젠, 나프탈렌, 카바졸, 디페닐아민, 트리스하이드록시페닐에탄 등을 갖는 유기기를 들 수 있다. 카바졸이나, 디페닐아민에 포함되는 아미노기는 상기 화학기(b)에 상당하며, 2급아미노기가 2개의 벤젠환의 수소원자와 치환한 구조이다. 트리스하이드록시페닐에탄의 경우는 각각의 벤젠환에 하이드록시기가 치환한 구조이다.
식(1)에 있어서 유기기 B로는 벤젠, 나프탈렌 등을 갖는 유기기를 들 수 있다.
여기에 기재된 2종류 이상의 화학기란, 화학기(a)로부터 2종류 이상, 화학기(b)로부터 2종류 이상, 화학기(c)로부터 2종류 이상, 또는 화학기(a)와 화학기(b)의 양방으로부터 2종류 이상, 화학기(a)와 화학기(c)의 양방으로부터 2종류 이상, 화학기(b)와 화학기(c)의 양방으로부터 2종류 이상, 화학기(a)와 화학기(b)와 화학기(c)의 전체로부터 2종류 이상(즉 3종류 이상)인 경우가 존재한다.
식(1)의 노볼락 수지는, 화학기(a), 화학기(b), 화학기(a)와 화학기(b)의 조합, 화학기(a)와 화학기(c)의 조합, 화학기(b)와 화학기(c)의 조합으로부터 선택된 2종류 이상의 화학기로 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환의 수소원자를 각각 치환한 구조를 갖는 노볼락 수지로 할 수 있다. 즉, 기 A, 기 B, 또는 그 쌍방의 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환의 수소원자가 치환된 구조를 가질 수 있다.
또한, 식(1)의 노볼락 수지가, 화학기(b), 또는 화학기(a)와 화학기(b)의 조합으로부터 각각 선택된 2종류의 화학기로, 단위구조 중의 모든(즉 기 A와 기 B의 양방의) 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환에 있어서, 각각, 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환 상의 탄소원자에 결합하는 수소원자 1개를 상기 2종류의 화학기 중 어느 하나로 치환하고, 이 단위구조 중에 2종류의 화학기가 도입된 구조를 갖는 것으로 할 수 있다.
화학기(a)는 예를 들어 메틸기, 설파이드기, 또는 그의 조합을 들 수 있다.
화학기(b)는 예를 들어 아미노기, 카르복실기, 카르본산알킬에스테르기, 니트로기, 하이드록시기, 에테르기, 또는 그의 조합을 들 수 있다.
카르본산알킬에스테르기의 알킬기는 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기를 들 수 있고, 예를 들어 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 시클로부틸기, 1-메틸-시클로프로필기, 2-메틸-시클로프로필기, n-펜틸기, 1-메틸-n-부틸기, 2-메틸-n-부틸기, 3-메틸-n-부틸기, 1,1-디메틸-n-프로필기, 1,2-디메틸-n-프로필기, 2,2-디메틸-n-프로필기, 1-에틸-n-프로필기, 시클로펜틸기, 1-메틸-시클로부틸기, 2-메틸-시클로부틸기, 3-메틸-시클로부틸기, 1,2-디메틸-시클로프로필기, 2,3-디메틸-시클로프로필기, 1-에틸-시클로프로필기, 2-에틸-시클로프로필기, n-헥실기, 1-메틸-n-펜틸기, 2-메틸-n-펜틸기, 3-메틸-n-펜틸기, 4-메틸-n-펜틸기, 1,1-디메틸-n-부틸기, 1,2-디메틸-n-부틸기, 1,3-디메틸-n-부틸기, 2,2-디메틸-n-부틸기, 2,3-디메틸-n-부틸기, 3,3-디메틸-n-부틸기, 1-에틸-n-부틸기, 2-에틸-n-부틸기, 1,1,2-트리메틸-n-프로필기, 1,2,2-트리메틸-n-프로필기, 1-에틸-1-메틸-n-프로필기, 1-에틸-2-메틸-n-프로필기, 시클로헥실기, 1-메틸-시클로펜틸기, 2-메틸-시클로펜틸기, 3-메틸-시클로펜틸기, 1-에틸-시클로부틸기, 2-에틸-시클로부틸기, 3-에틸-시클로부틸기, 1,2-디메틸-시클로부틸기, 1,3-디메틸-시클로부틸기, 2,2-디메틸-시클로부틸기, 2,3-디메틸-시클로부틸기, 2,4-디메틸-시클로부틸기, 3,3-디메틸-시클로부틸기, 1-n-프로필-시클로프로필기, 2-n-프로필-시클로프로필기, 1-i-프로필-시클로프로필기, 2-i-프로필-시클로프로필기, 1,2,2-트리메틸-시클로프로필기, 1,2,3-트리메틸-시클로프로필기, 2,2,3-트리메틸-시클로프로필기, 1-에틸-2-메틸-시클로프로필기, 2-에틸-1-메틸-시클로프로필기, 2-에틸-2-메틸-시클로프로필기 및 2-에틸-3-메틸-시클로프로필기 등이 예시된다.
화학기(c)는 예를 들어 플루오로알킬기를 들 수 있다. 플루오로알킬기는 부분적으로 불소화된 알킬기나, 완전불소화된 알킬기를 들 수 있다. 예를 들어 트리플루오로메틸기 등을 들 수 있다.
본 발명에서는 기 A에 상당하는 방향족 화합물 또는 방향족기를 함유하는 화합물과, 기 B에 상당하는 방향족 알데히드 사이에서 노볼락화하여 폴리머가 얻어진다. 화학기(a), 화학기(b), 화학기(c)는 노볼락화반응의 출발물질에 도입되어 있는 경우와, 노볼락화된 폴리머에 반응에 의해 도입하는 경우가 있다.
상기 축합반응에서 이용되는 산촉매로는, 예를 들어 황산, 인산, 과염소산 등의 무기산류, 메탄설폰산, p-톨루엔설폰산, p-톨루엔설폰산일수화물 등의 유기 설폰산류, 포름산, 옥살산 등의 카르본산류가 사용된다. 산촉매의 사용량은, 사용하는 산류의 종류에 따라 다양하게 선택된다. 통상, 식(1)의 기 A에 상당하는 화합물의 100질량부에 대해, 0.001 내지 10000질량부, 바람직하게는, 0.01 내지 1000질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 100질량부이다.
상기 축합반응은 무용제로도 행해지는데, 통상 용제를 이용하여 행해진다. 용제로는 반응을 저해하지 않는 것이면 모두 사용할 수 있다. 예를 들어 테트라하이드로푸란, 디옥산 등의 환상에테르류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다. 또한, 사용하는 산촉매가 예를 들어 포름산과 같은 액상의 것이라면 용제로서의 역할을 겸비하게 할 수도 있다.
축합시의 반응온도는 통상 40℃ 내지 200℃이다. 반응시간은 반응온도에 따라 다양하게 선택되는데, 통상 30분 내지 50시간 정도이다.
이상과 같이 하여 얻어지는 중합체의 중량평균분자량 Mw는, 통상 600 내지 1000000, 또는 600 내지 200000이다.
식(1)의 단위구조는 예를 들어 이하에 예시할 수 있다.
[화학식 2]
Figure pct00002
[화학식 3]
Figure pct00003
[화학식 4]
Figure pct00004
[화학식 5]
Figure pct00005
[화학식 6]
Figure pct00006
상기 폴리머는 다른 폴리머를 전체 폴리머 중에 30질량% 이내로 혼합하여 이용할 수 있다.
이들 폴리머로는 폴리아크릴산에스테르 화합물, 폴리메타크릴산에스테르 화합물, 폴리아크릴아미드 화합물, 폴리메타크릴아미드 화합물, 폴리비닐 화합물, 폴리스티렌 화합물, 폴리말레이미드 화합물, 폴리말레산 무수물, 및 폴리아크릴로니트릴 화합물을 들 수 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물은, 상기 폴리머와 용제를 포함한다. 그리고, 가교제와 산을 포함할 수 있고, 필요에 따라 산발생제, 계면활성제 등의 첨가제를 포함할 수 있다. 이 조성물의 고형분은 0.1 내지 70질량%, 또는 0.1 내지 60질량%이다. 고형분은 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 용제를 제거한 전체성분의 함유비율이다. 고형분 중에 상기 폴리머를 1 내지 100질량%, 또는 1 내지 99.9질량%, 또는 50 내지 99.9질량%의 비율로 함유할 수 있다.
본 발명에 이용되는 폴리머는, 중량평균분자량이 600 내지 1000000, 또는 600 내지 200000이다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물은 가교제성분을 포함할 수 있다. 그 가교제로는, 멜라민계, 치환요소계, 또는 이들의 폴리머계 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 적어도 2개의 가교형성치환기를 갖는 가교제이고, 메톡시메틸화글리콜우릴, 부톡시메틸화글리콜우릴, 메톡시메틸화멜라민, 부톡시메틸화멜라민, 메톡시메틸화벤조구아나민, 부톡시메틸화벤조구아나민, 메톡시메틸화요소, 부톡시메틸화요소, 메톡시메틸화티오요소, 또는 메톡시메틸화티오요소 등의 화합물이다. 또한, 이들 화합물의 축합체도 사용할 수 있다.
또한, 상기 가교제로는 내열성이 높은 가교제를 이용할 수 있다. 내열성이 높은 가교제로는 분자 내에 방향족환(예를 들어, 벤젠환, 나프탈렌환)을 갖는 가교형성치환기를 함유하는 화합물을 바람직하게 이용할 수 있다.
이 화합물은 하기 식(3)의 부분구조를 갖는 화합물이나, 하기 식(4)의 반복단위구조를 갖는 폴리머 또는 올리고머를 들 수 있다.
식(3) 중, R3 및 R4는 각각 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소원자수 6 내지 20의 아릴기이고, n1은 1 내지 4의 정수이고, n2는 1 내지 (5-n1)의 정수이고, (n1+n2)는 2 내지 5의 정수를 나타낸다.
식(4) 중, R5는 각각 수소원자 또는 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기이고, R6은 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기이고, n3은 1 내지 4의 정수이고, n4는 0 내지 (4-n3)이고, (n3+n4)는 1 내지 4의 정수를 나타낸다. 올리고머 및 폴리머는 반복단위구조의 수가 2 내지 100, 또는 2 내지 50인 범위에서 이용할 수 있다.
상기 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기로는, 상기 서술한 예시를 들 수 있다. 상기 탄소원자수 6 내지 20의 아릴기로는, 예를 들어 페닐기, 나프틸기, 안트릴기 등을 들 수 있다.
[화학식 7]
Figure pct00007
식(4), 식(5)의 화합물, 폴리머, 올리고머는 이하에 예시된다.
[화학식 8]
Figure pct00008
[화학식 9]
Figure pct00009
[화학식 10]
Figure pct00010
상기 화합물은 아사히유기재공업(주), 혼슈화학공업(주)의 제품으로 입수할 수 있다. 예를 들어 상기 가교제 중에서 식(4-21)의 화합물은 아사히유기재공업(주), 상품명 TM-BIP-A로서 입수할 수 있다.
가교제의 첨가량은, 사용하는 도포용제, 사용하는 하지기판, 요구되는 용액점도, 요구되는 막형상 등에 따라 변동하는데, 전체고형분에 대하여 0.001 내지 80질량%, 바람직하게는 0.01 내지 50질량%, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 40질량%이다. 이들 가교제는 자기축합에 의한 가교반응을 일으키는 경우도 있지만, 본 발명의 상기 폴리머 중에 가교성 치환기가 존재하는 경우는, 이들 가교성 치환기와 가교반응을 일으킬 수 있다.
본 발명에서는 상기 가교반응을 촉진하기 위한 촉매로서, p-톨루엔설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 피리디늄p-톨루엔설폰산, 살리실산, 설포살리실산, 구연산, 안식향산, 하이드록시안식향산, 나프탈렌카르본산 등의 산성 화합물 또는/및 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디에논, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 기타 유기설폰산알킬에스테르 등의 열산발생제를 배합할 수 있다. 배합량은 전체고형분에 대하여, 0.0001 내지 20질량%, 바람직하게는 0.0005 내지 10질량%, 바람직하게는 0.01 내지 3질량%이다.
본 발명의 리소그래피용 도포형 하층막 형성 조성물은, 리소그래피공정에서 상층에 피복되는 포토레지스트와의 산성도를 일치시키기 위해, 광산발생제를 첨가할 수 있다. 바람직한 광산발생제로는, 예를 들어, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트 등의 오늄염계 광산발생제류, 페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 할로겐함유화합물계 광산발생제류, 벤조인토실레이트, N-하이드록시석신이미드트리플루오로메탄설포네이트 등의 설폰산계 광산발생제류 등을 들 수 있다. 상기 광산발생제는 전체고형분에 대하여, 0.2 내지 10질량%, 바람직하게는 0.4 내지 5질량%이다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에는, 상기 이외에 필요에 따라 추가적인 흡광제, 레올로지조정제, 접착보조제, 계면활성제 등을 첨가할 수 있다.
추가적인 흡광제로는 예를 들어, 「공업용 색소의 기술과 시장」(CMC 출판)이나 「염료편람」(유기합성화학협회 편)에 기재된 시판의 흡광제, 예를 들어, C.I. Disperse Yellow 1, 3, 4, 5, 7, 8, 13, 23, 31, 49, 50, 51, 54, 60, 64, 66, 68, 79, 82, 88, 90, 93, 102, 114 및 124; C.I. Disperse Orange 1, 5, 13, 25, 29, 30, 31, 44, 57, 72 및 73; C.I. Disperse Red 1, 5, 7, 13, 17, 19, 43, 50, 54, 58, 65, 72, 73, 88, 117, 137, 143, 199 및 210; C.I. Disperse Violet 43; C.I. Disperse Blue 96; C.I. Fluorescent Brightening Agent 112, 135 및 163; C.I. Solvent Orange 2 및 45; C.I. Solvent Red 1, 3, 8, 23, 24, 25, 27 및 49; C.I. Pigment Green 10; C.I. Pigment Brown 2 등을 호적하게 이용할 수 있다. 상기 흡광제는 통상, 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물의 전체고형분에 대하여 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하의 비율로 배합된다.
레올로지조정제는, 주로 레지스트 하층막 형성 조성물의 유동성을 향상시키고, 특히 베이킹공정에 있어서, 레지스트 하층막의 막두께균일성의 향상이나 홀 내부에 대한 레지스트 하층막 형성 조성물의 충전성을 높이기 위한 목적으로 첨가된다. 구체예로는, 디메틸프탈레이트, 디에틸프탈레이트, 디이소부틸프탈레이트, 디헥실프탈레이트, 부틸이소데실프탈레이트 등의 프탈산 유도체, 디노말부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디이소옥틸아디페이트, 옥틸데실아디페이트 등의 아디프산 유도체, 디노말부틸말레이트, 디에틸말레이트, 디노닐말레이트 등의 말레산 유도체, 메틸올레이트, 부틸올레이트, 테트라하이드로푸르푸릴올레이트 등의 올레산 유도체, 또는 노말부틸스테아레이트, 글리세릴스테아레이트 등의 스테아르산 유도체를 들 수 있다. 이들 레올로지조정제는, 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물의 전체고형분에 대하여 통상 30질량% 미만의 비율로 배합된다.
접착보조제는, 주로 기판 혹은 레지스트와 레지스트 하층막 형성 조성물의 밀착성을 향상시키고, 특히 현상에 있어서 레지스트가 박리되지 않도록 하기 위한 목적으로 첨가된다. 구체예로는, 트리메틸클로로실란, 디메틸비닐클로로실란, 메틸디페닐클로로실란, 클로로메틸디메틸클로로실란 등의 클로로실란류, 트리메틸메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 디메틸비닐에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 알콕시실란류, 헥사메틸디실라잔, N,N’-비스(트리메틸실릴)우레아, 디메틸트리메틸실릴아민, 트리메틸실릴이미다졸 등의 실라잔류, 비닐트리클로로실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란류, 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 인다졸, 이미다졸, 2-메르캅토벤즈이미다졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 우라졸, 티오우라실, 메르캅토이미다졸, 메르캅토피리미딘 등의 헤테로환식 화합물이나, 1,1-디메틸우레아, 1,3-디메틸우레아 등의 요소, 또는 티오요소 화합물을 들 수 있다. 이들 접착보조제는, 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물의 전체고형분에 대하여 통상 5질량% 미만, 바람직하게는 2질량% 미만의 비율로 배합된다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에는, 핀홀이나 스트리에이션 등의 발생이 없이, 표면얼룩에 대한 도포성을 더욱 향상시키기 위해, 계면활성제를 배합할 수 있다. 계면활성제로는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌블록코폴리머류, 솔비탄모노라우레이트, 솔비탄모노팔미테이트, 솔비탄모노스테아레이트, 솔비탄모노올레이트, 솔비탄트리올레이트, 솔비탄트리스테아레이트 등의 솔비탄지방산에스테르류, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리올레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌솔비탄지방산에스테르류 등의 비이온계 계면활성제, 에프톱 EF301, EF303, EF352((주)토켐프로덕츠제, 상품명), 메가팍 F171, F173, R-30, R-40, R-40N(DIC(주)제, 상품명), 플루오라드 FC430, FC431(스미토모쓰리엠(주)제, 상품명), 아사히가드 AG710, 사프론 S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106(아사히유리(주)제, 상품명) 등의 불소계 계면활성제, 오가노실록산폴리머 KP341(신에쯔화학공업(주)제) 등을 들 수 있다. 이들 계면활성제의 배합량은, 본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물의 전체고형분에 대하여 통상 2.0질량% 이하, 바람직하게는 1.0질량% 이하이다. 이들 계면활성제는 단독으로 첨가할 수도 있고, 또한 2종 이상의 조합으로 첨가할 수도 있다.
본 발명에서, 상기 폴리머 및 가교제성분, 가교촉매 등을 용해시키는 용제로는, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 2-하이드록시프로피온산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 유산에틸, 유산부틸 등을 이용할 수 있다. 이들 유기용제는 단독으로, 또는 2종 이상의 조합으로 사용된다.
또한, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 고비점용제를 혼합하여 사용할 수 있다. 이들 용제 중에서 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 유산에틸, 유산부틸, 및 시클로헥사논 등이 레벨링성의 향상에 대해 바람직하다.
다음에 본 발명의 레지스트 패턴 형성법에 대하여 설명하면, 정밀집적 회로소자의 제조에 사용되는 기판(예를 들어 실리콘/이산화실리콘피복, 유리기판, ITO기판 등의 투명기판) 상에 스피너, 코터 등의 적당한 도포방법에 의해 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포 후, 베이크하여 경화시켜 도포형 하층막을 작성한다. 여기서, 레지스트 하층막의 막두께로는 0.01 내지 3.0μm가 바람직하다. 또한 도포 후 베이킹하는 조건으로는 80 내지 350℃에서 0.5 내지 120분간이다. 그 후 레지스트 하층막 상에 직접, 또는 필요에 따라 1층 내지 여러층의 도막재료를 도포형 하층막 상에 성막한 후, 레지스트를 도포하고, 소정의 마스크를 통해 광 또는 전자선의 조사를 행하고, 현상, 린스, 건조함으로써 양호한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 필요에 따라 광 또는 전자선의 조사 후 가열(PEB: Post Exposure Bake)을 행할 수도 있다. 그리고, 레지스트가 상기 공정에 의해 현상제거된 부분의 레지스트 하층막을 드라이에칭에 의해 제거하여, 원하는 패턴을 기판 상에 형성할 수 있다.
본 발명에 이용되는 레지스트는 포토레지스트나 전자선 레지스트이다.
본 발명에 있어서의 리소그래피용 레지스트 하층막의 상부에 도포되는 포토레지스트로는 네가티브형, 포지티브형 모두 사용가능하며, 노볼락 수지와 1,2-나프토퀴논디아지드설폰산에스테르로 이루어지는 포지티브형 포토레지스트, 산에 의해 분해되어 알칼리용해속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 광산발생제로 이루어지는 화학증폭형 포토레지스트, 알칼리가용성 바인더와 산에 의해 분해되어 포토레지스트의 알칼리용해속도를 상승시키는 저분자 화합물과 광산발생제로 이루어지는 화학증폭형 포토레지스트, 산에 의해 분해되어 알칼리용해속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 산에 의해 분해되어 포토레지스트의 알칼리용해속도를 상승시키는 저분자 화합물과 광산발생제로 이루어지는 화학증폭형 포토레지스트, 골격에 Si원자를 갖는 포토레지스트 등이 있고, 예를 들어, 롬앤하스사제, 상품명 APEX-E를 들 수 있다.
또한 본 발명에 있어서의 리소그래피용 레지스트 하층막의 상부에 도포되는 전자선 레지스트로는, 예를 들어 주쇄에 Si-Si결합을 포함하고 말단에 방향족환을 포함한 수지와 전자선의 조사에 의해 산을 발생하는 산발생제로 이루어지는 조성물, 또는 수산기가 N-카르복시아민을 포함하는 유기기로 치환된 폴리(p-하이드록시스티렌)과 전자선의 조사에 의해 산을 발생하는 산발생제로 이루어지는 조성물 등을 들 수 있다. 후자의 전자선 레지스트 조성물에서는, 전자선 조사에 의해 산발생제로부터 발생한 산이 폴리머 측쇄의 N-카르복시아미녹시기와 반응하여, 폴리머 측쇄가 수산기에 분해되어 알칼리가용성을 나타내고 알칼리현상액에 용해되어, 레지스트 패턴을 형성하는 것이다. 이 전자선의 조사에 의해 산을 발생하는 산발생제는 1,1-비스[p-클로로페닐]-2,2,2-트리클로로에탄, 1,1-비스[p-메톡시페닐]-2,2,2-트리클로로에탄, 1,1-비스[p-클로로페닐]-2,2-디클로로에탄, 2-클로로-6-(트리클로로메틸)피리딘 등의 할로겐화 유기 화합물, 트리페닐설포늄염, 디페닐요오드늄염 등의 오늄염, 니트로벤질토실레이트, 디니트로벤질토실레이트 등의 설폰산에스테르를 들 수 있다.
레지스트용액은 도포한 후에 소성온도 70 내지 150℃에서, 소성시간 0.5 내지 5분간 행하고, 레지스트막두께는 10 내지 1000nm의 범위에서 얻어진다. 레지스트용액이나 현상액이나 이하에 나타내는 도포재료는, 스핀코트, 딥법, 스프레이법 등으로 피복할 수 있는데, 특히 스핀코트법이 바람직하다. 레지스트의 노광은 소정의 마스크를 통해 노광이 행해진다. 노광에는, KrF엑시머레이저(파장 248nm), ArF엑시머레이저(파장 193nm) 및 EUV광(파장 13.5nm), 전자선 등을 사용할 수 있다. 노광 후, 필요에 따라 노광 후 가열(PEB: Post Exposure Bake)을 행할 수도 있다. 노광 후 가열은, 가열온도 70℃ 내지 150℃, 가열시간 0.3 내지 10분간에서 적당히, 선택된다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 사용하여 형성한 레지스트 하층막을 갖는 레지스트의 현상액으로는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수 등의 무기알칼리류, 에틸아민, n-프로필아민 등의 제1아민류, 디에틸아민, 디-n-부틸아민 등의 제2아민류, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민 등의 제3아민류, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알코올아민류, 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라에틸암모늄하이드록시드, 콜린 등의 제4급암모늄염, 피롤, 피페리딘 등의 환상아민류 등의 알칼리류의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 이소프로필알코올 등의 알코올류, 비이온계 등의 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서 바람직한 현상액은 제4급암모늄염, 더욱 바람직하게는 테트라메틸암모늄하이드록시드 및 콜린이다.
또한, 본 발명에서는 레지스트의 현상에 현상액으로서 유기용제를 이용할 수 있다. 레지스트의 노광 후에 현상액(용제)에 의해 현상이 행해진다. 이에 따라, 예를 들어 포지티브형 포토레지스트가 사용된 경우에는, 노광되지 않는 부분의 포토레지스트가 제거되어, 포토레지스트의 패턴이 형성된다.
현상액으로는, 예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산아밀, 아세트산이소아밀, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 2-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 4-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-에틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 2-에톡시부틸아세테이트, 4-에톡시부틸아세테이트, 4-프로폭시부틸아세테이트, 2-메톡시펜틸아세테이트, 3-메톡시펜틸아세테이트, 4-메톡시펜틸아세테이트, 2-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 4-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산부틸, 포름산프로필, 유산에틸, 유산부틸, 유산프로필, 탄산에틸, 탄산프로필, 탄산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, 피루브산부틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산프로필, 프로피온산이소프로필, 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필-3-메톡시프로피오네이트 등을 예로서 들 수 있다. 나아가, 이들 현상액에 계면활성제 등을 첨가할 수도 있다. 현상의 조건으로는, 온도 5 내지 50℃, 시간 10 내지 600초에서 적당히 선택된다.
본 발명에서는, 반도체기판 상에 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 이 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 형성된 레지스트 패턴에 의해 이 레지스트 하층막을 에칭하는 공정, 및 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 반도체기판을 가공하는 공정을 거쳐 반도체장치를 제조할 수 있다.
향후, 레지스트 패턴의 미세화가 진행되면, 해상도의 문제나 레지스트 패턴이 현상 후에 무너진다는 문제가 발생하여, 레지스트의 박막화가 요구된다. 그러므로, 기판가공에 충분한 레지스트 패턴 막두께를 얻기 어려워, 레지스트 패턴뿐만 아니라, 레지스트와 가공할 반도체기판 사이에 작성되는 레지스트 하층막에도 기판가공시의 마스크로서의 기능을 갖게 할 프로세스가 필요하게 되었다. 이러한 프로세스용의 레지스트 하층막으로서 종래의 고에칭레이트성레지스트 하층막과는 달리, 레지스트에 가까운 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막, 레지스트에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막이나 반도체기판에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막이 요구되게 되었다. 또한, 이러한 레지스트 하층막에는 반사방지능을 부여하는 것도 가능하며, 종래의 반사방지막의 기능을 겸비할 수 있다.
한편, 미세한 레지스트 패턴을 얻기 위해, 레지스트 하층막의 드라이에칭시에 레지스트 패턴과 레지스트 하층막을 레지스트 현상시의 패턴폭보다 좁게 하는 프로세스도 사용되기 시작하였다. 이러한 프로세스용의 레지스트 하층막으로서 종래의 고에칭레이트성 반사방지막과는 달리, 레지스트에 가까운 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 레지스트 하층막이 요구되게 되었다. 또한, 이러한 레지스트 하층막에는 반사방지능을 부여하는 것도 가능하며, 종래의 반사방지막의 기능을 겸비할 수 있다.
본 발명에서는 기판 상에 본 발명의 레지스트 하층막을 성막한 후, 레지스트 하층막 상에 직접, 또는 필요에 따라 1층 내지 여러층의 도막재료를 레지스트 하층막 상에 성막한 후, 레지스트를 도포할 수 있다. 이에 따라 레지스트의 패턴폭이 좁아지고, 패턴무너짐을 방지하기 위해 레지스트를 얇게 피복한 경우에도, 적절한 에칭가스를 선택함으로써 기판의 가공이 가능해진다.
즉, 반도체기판 상에 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 이 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 규소성분 등을 함유하는 도막재료에 의한 하드마스크 또는 증착에 의한 하드마스크(예를 들어, 질화산화규소)를 형성하는 공정, 다시 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 형성된 레지스트 패턴에 의해 하드마스크를 할로겐계 가스로 에칭하는 공정, 패턴화된 하드마스크에 의해 이 레지스트 하층막을 산소계 가스 또는 수소계 가스로 에칭하는 공정, 및 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 할로겐계 가스로 반도체기판을 가공하는 공정을 거쳐 반도체장치를 제조할 수 있다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물은, 반사방지막으로서의 효과를 고려한 경우, 광흡수부위가 골격에 취입되어 있으므로, 가열건조시에 포토레지스트 중으로의 확산물이 없고, 또한, 광흡수부위는 충분히 큰 흡광성능을 갖고 있으므로 반사광 방지효과가 높다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에서는, 열안정성이 높고, 소성시의 분해물에 의한 상층막으로의 오염이 방지되고, 또한, 소성공정의 온도마진에 여유를 갖게 할 수 있는 것이다.
나아가, 본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물은, 프로세스조건에 따라서는, 광의 반사를 방지하는 기능과, 더 나아가서는 기판과 포토레지스트의 상호작용의 방지 혹은 포토레지스트에 이용되는 재료 또는 포토레지스트로의 노광시에 생성되는 물질의 기판에 대한 악작용을 방지하는 기능을 갖는 막으로서의 사용이 가능하다.
실시예
(합성예 1)
100mL 2구 플라스크에 카바졸(도쿄화성공업주식회사제) 9.00g, p-톨루알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 6.47g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 38.52g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 1.04g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 1.5시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 18.73g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 12.2g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-1)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 82,700, 다분산도 Mw/Mn은 13.5였다.
(합성예 2)
100mL 2구 플라스크에 카바졸(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 테레프탈알데히드산(도쿄화성공업주식회사제) 7.19g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 18.79g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 18.79g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.92g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 3.5시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 22.25g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 13.7g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-2)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 24,800, 다분산도 Mw/Mn은 4.30이었다.
(합성예 3)
100mL 2구 플라스크에 카바졸(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 테레프탈알데히드산메틸에스테르(도쿄화성공업주식회사제) 7.86g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 24.14g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.23g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 2시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 39.08g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 13.3g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-3)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 4,600, 다분산도 Mw/Mn은 3.16이었다.
(합성예 4)
100mL 2구 플라스크에 카바졸(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 4-메틸티오벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 7.28g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 36.20g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.23g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 3.5시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 24.71g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 9.02g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-4)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 3,800, 다분산도 Mw/Mn은 2.58이었다.
(합성예 5)
100mL 2구 플라스크에 카바졸(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 4-니트로벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 7.24g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 36.09g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.23g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 1.25시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 24.63g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 12.1g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-5)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 1,900, 다분산도 Mw/Mn은 1.43이었다.
(합성예 6)
100mL 2구 플라스크에 카바졸(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 4-트리플루오로메틸벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 8.34g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 40.27g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.92g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 4시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 24.16g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 6.45g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-6)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 4,000, 다분산도 Mw/Mn은 2.05였다.
(합성예 7)
100mL 2구 플라스크에 카바졸(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 4-하이드록시벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 5.85g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 17.23g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 17.23g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.92g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 2.5시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 20.10g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올/물=50/50(vol%/vol%)용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 9.90g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-7)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 4,100, 다분산도 Mw/Mn은 3.01이었다.
(합성예 8)
100mL 2구 플라스크에 카바졸(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 4-(2-하이드록시에톡시)벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 8.95g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 43.68g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.78g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 2.5시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 27.32g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 10.8g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-8)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 3,400, 다분산도 Mw/Mn은 1.85였다.
(합성예 9)
100mL 2구 플라스크에 카바졸(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 2,4,6-트리메틸벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 7.10g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 37.37g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.92g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 21.5시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 22.09g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 9.20g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-9)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 12,700, 다분산도 Mw/Mn은 3.82였다.
(합성예 10)
100mL 2구 플라스크에 디페닐아민(도쿄화성공업주식회사제) 7.04g, p-톨루알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 5.00g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 20.65g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 8.85g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.60g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 1.5시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 시클로헥사논 18.07g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 8.11g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-10)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 15,300, 다분산도 Mw/Mn은 3.52였다.
(합성예 11)
100mL 2구 플라스크에 디페닐아민(도쿄화성공업주식회사제) 9.02g, 테레프탈알데히드산(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 28.63g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 12.27g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.51g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 30분 환류교반하였다. 반응 종료 후, 시클로헥사논 26.66g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 10.6g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-11)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 82,200, 다분산도 Mw/Mn은 5.57이었다.
(합성예 12)
100mL 2구 플라스크에 디페닐아민(도쿄화성공업주식회사제) 8.90g, 4-메틸티오벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 28.43g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 12.28g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.51g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 1시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 시클로헥사논 26.48g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 10.7g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-12)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 6,300, 다분산도 Mw/Mn은 2.90이었다.
(합성예 13)
100mL 2구 플라스크에 디페닐아민(도쿄화성공업주식회사제) 8.95g, 4-니트로벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 40.74g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.51g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 15분 환류교반하였다. 반응 종료 후, 시클로헥사논 26.56g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 9.54g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-13)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 2,500, 다분산도 Mw/Mn은 1.95였다.
(합성예 14)
100mL 2구 플라스크에 디페닐아민(도쿄화성공업주식회사제) 6.80g, 4-트리플루오로메틸벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 7.00g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 23.49g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 10.07g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.58g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 1.5시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 시클로헥사논 21.07g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 4.76g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-14)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 103,000, 다분산도 Mw/Mn은 2.32였다.
(합성예 15)
100mL 2구 플라스크에 1,1,1-트리스(4-하이드록시페닐)에탄(도쿄화성공업주식회사제) 12.00g, p-톨루알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 4.71g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 20.81g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 20.81g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 1.13g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 24시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 24.08g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올/물=60/40(vol%/vol%)에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 7.03g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-15)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 2,100, 다분산도 Mw/Mn은 1.61이었다.
(합성예 16)
100mL 2구 플라스크에 1,1,1-트리스(4-하이드록시페닐)에탄(도쿄화성공업주식회사제) 10.20g, 테레프탈알데히드산(도쿄화성공업주식회사제) 5.00g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 18.30g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 18.30g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.48g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 24시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 23.74g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올/물=50/50(vol%/vol%)에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 7.84g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-16)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 4,000, 다분산도 Mw/Mn은 2.17이었다.
(합성예 17)
100mL 2구 플라스크에 1,1,1-트리스(4-하이드록시페닐)에탄(도쿄화성공업주식회사제) 12.00g, 4-메틸티오벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 5.96g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 29.95g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 12.83g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.38g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 44시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 28.67g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올/물=50/50(vol%/vol%)에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 11.9g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-17)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 2,000, 다분산도 Mw/Mn은 1.73이었다.
(합성예 18)
100mL 2구 플라스크에 1,1,1-트리스(4-하이드록시페닐)에탄(도쿄화성공업주식회사제) 10.14g, 4-니트로벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 5.00g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 18.22g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 18.22g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.48g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 24시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 23.64g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올/물=50/50(vol%/vol%)에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 11.6g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-18)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 4,300, 다분산도 Mw/Mn은 2.14였다.
(합성예 19)
100mL 2구 플라스크에 1,1,1-트리스(4-하이드록시페닐)에탄(도쿄화성공업주식회사제) 12.00g, 4-트리플루오로메틸벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 6.82g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 23.27g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 23.27g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 1.13g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 5시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 27.60g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올/물=50/50(vol%/vol%)에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 11.1g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-19)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 4,000, 다분산도 Mw/Mn은 1.53이었다.
(합성예 20)
100mL 2구 플라스크에 N-페닐안트라닐산(도쿄화성공업주식회사제) 10.05g, 벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 5.00g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 18.35g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 18.35g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.68g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 2시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 시클로헥사논 22.81g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 7.81g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-20)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 6,300, 다분산도 Mw/Mn은 1.78이었다.
(합성예 21)
100mL 2구 플라스크에 3-메틸디페닐아민(도쿄화성공업주식회사제) 9.50g, 벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 5.50g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 18.37g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 18.37g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.75g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 45분 환류교반하였다. 반응 종료 후, 시클로헥사논 22.51g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 11.5g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(1-21)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 52,700, 다분산도 Mw/Mn은 8.86이었다.
(비교합성예 1)
100mL 2구 플라스크에 카바졸(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 5.08g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 32.36g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.92g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 1.5시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 23.43g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 8.92g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(2-1)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 32,200, 다분산도 Mw/Mn은 2.14였다.
[화학식 11]
Figure pct00011
(비교합성예 2)
100mL 2구 플라스크에 디페닐아민(도쿄화성공업주식회사제) 8.77g, 벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 5.50g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 24.53g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 10.51g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.75g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 15분 환류교반하였다. 반응 종료 후, 시클로헥사논 92.65g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 8.58g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(2-2)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 8,400, 다분산도 Mw/Mn은 2.38이었다.
[화학식 12]
Figure pct00012
(비교합성예 3)
100mL 2구 플라스크에 1,1,1-트리스(4-하이드록시페닐)에탄(도쿄화성공업주식회사제) 12.00g, 벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 4.16g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 19.51g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 19.51g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.56g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 19시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 24.08g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올/물=50/50(vol%/vol%)용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 11.0g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(2-3)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 4,600, 다분산도 Mw/Mn은 1.64였다.
[화학식 13]
Figure pct00013
(비교합성예 4)
100mL 2구 플라스크에 카바졸(도쿄화성공업주식회사제) 8.00g, 4-tert-부틸벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 7.77g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 38.94g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.92g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 1.5시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 23.21g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 13.3g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(2-4)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 25,800, 다분산도 Mw/Mn은 4.44였다.
[화학식 14]
Figure pct00014
(비교합성예 5)
100mL 2구 플라스크에 디페닐아민(도쿄화성공업주식회사제) 8.34g, 4-tert-부틸벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 8.34g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 39.24g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.47g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 3시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 25.66g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 9.65g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(2-5)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 6,300, 다분산도 Mw/Mn은 2.03이었다.
[화학식 15]
Figure pct00015
(비교합성예 6)
100mL 2구 플라스크에 1,1,1-트리스(4-하이드록시페닐)에탄(도쿄화성공업주식회사제) 10.39g, 4-tert-부틸벤즈알데히드(도쿄화성공업주식회사제) 5.50g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 19.10g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 19.10g, 메탄설폰산(도쿄화성공업주식회사제) 0.49g을 넣었다. 그 후 150℃까지 가열하고, 약 24시간 환류교반하였다. 반응 종료 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 24.85g으로 희석하였다. 이 용액을 메탄올/물=50/50(vol%/vol%)용액 중에 적하하고, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인여과하고, 여물을 60℃에서 하룻밤 감압건조하였다. 그리고, 분말의 수지를 10.3g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(2-6)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균분자량 Mw는 2,000, 다분산도 Mw/Mn은 1.97이었다.
[화학식 16]
Figure pct00016
상기 합성예 및 비교합성예의 각 수지는 용제에 용해 후, 양이온교환수지(제품명: 다우엑스〔등록상표〕550A, 무로마치테크노스(주))와 음이온교환수지(제품명: 앰버라이트〔등록상표〕15JWET, 오가노(주))에 첨가하여, 실온에서 4시간 이온교환처리하고, 이온교환수지를 분리 후, 정제한 수지를 얻었다.
(실시예 1)
합성예 1에서 얻은 수지 1.0g에 대해, 계면활성제로서 메가팍 R-40을 0.001g 혼합하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 5.66g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 2.42g에 용해시키고, 구멍직경 0.02μm의 폴리테트라플루오로에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해, 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
이하 동일하게 실시예 2 내지 21, 비교예 1 내지 6을 실시하였다.
한편, 폴리머와 계면활성제와 용제의 배합량은 이하 표 1 내지 3과 같다.
표 중, 사용한 폴리머는 그 합성예 번호를 기재하고, 계면활성제 a=DIC(주)제, 품명: 메가팍 〔상품명〕 R-40, 불소계 계면활성제, 용제 b=프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 용제 c=프로필렌글리콜모노메틸에테르, 용제 d=시클로헥사논을 나타내고, 하단은 그 함유량 g을 나타낸다.
Figure pct00017
Figure pct00018
Figure pct00019
(레지스트용제에 대한 용출시험)
실시예 1 내지 21 및 비교예 1 내지 6에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을, 각각 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 상에 도포하고, 핫플레이트 상에서 400℃ 90초간 소성하여, 레지스트 하층막(막두께 0.20μm)을 형성하였다. 이들 레지스트 하층막을 레지스트에 사용하는 용제인, 유산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 및 시클로헥사논에 침지하였다. 이들 레지스트 하층막은 이들 용제에 불용이었다.
(막밀도의 측정)
실시예 1 내지 21 및 비교예 1 내지 6에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을, 각각 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 상에 도포하고, 핫플레이트 상에서 400℃ 90초간 소성하여, 레지스트 하층막(막두께 0.20μm)을 형성하였다. 이들 레지스트 하층막의 밀도를 구하기 위해, X선 반사율 측정장치(Bruker제)를 이용하여 평가하였다. 결과를 하기 표에 나타내었다.
Figure pct00020
Figure pct00021
(경도 및 영률의 측정)
실시예 1 내지 21 및 비교예 1 내지 6에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을, 각각 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 상에 도포하고, 핫플레이트 상에서 400℃ 90초간 소성하여, 레지스트 하층막(막두께 0.20μm)을 형성하였다. 이들 레지스트 하층막의 경도와 영률을 구하기 위해 압입시험기(토요테크니카제)를 이용하여 평가하였다. 결과를 하기 표에 나타내었다.
Figure pct00022
Figure pct00023
(Wiggling내성 평가)
실시예 2, 4, 9 및 비교예 4 내지 6에서 조제한 각 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을, 스핀코터를 이용하여 각각 산화규소피막이 부착된 실리콘 웨이퍼 상에 도포하였다. 핫플레이트 상에서 400℃ 90초간 소성하여 레지스트 하층막(막두께 200nm)을 형성하였다. 레지스트 하층막 상에 실리콘 하드마스크 형성 조성물용액을 도포하고, 240℃에서 1분간 소성하여 실리콘 하드마스크층(막두께 30nm)을 형성하였다. 그 위에 레지스트용액을 도포하고, 100℃에서 1분간 소성하여 레지스트층(막두께 150nm)을 형성하였다. 마스크를 이용하여 파장 193nm로 노광하고, 노광 후 가열 PEB(105℃에서 1분간)를 행한 후, 현상하여 레지스트 패턴을 얻었다. 그 후, 불소계 가스(성분은 CF4)로 드라이에칭을 행하고, 레지스트 패턴을 하드마스크에 전사하였다. 그 후, 산소계 가스(성분은 O2)로 드라이에칭을 행하고, 레지스트 패턴을 본 발명의 레지스트 하층막에 전사하였다. 그 후, 불소계 가스(성분은 C4F8)로 드라이에칭을 행하고, 실리콘 웨이퍼 상의 산화규소피막의 제거를 행하였다. 그때의 각각의 패턴형상을 관찰하였다.
패턴폭이 좁아짐에 따라 wiggling이라는 불규칙한 패턴의 굴곡이 발생하기 쉬워지는데, 상기 실시예의 레지스트 하층막 형성 조성물을 이용하여 상기 서술한 공정을 행해 wiggling을 일으키기 시작하는 패턴폭을 전자현미경으로 관측하였다.
Wiggling이 발생함으로써 충실한 패턴에 기초하는 기판가공을 할 수 없게 되므로, wiggling이 발생하기 직전의 패턴폭(한계패턴폭)에 의해 기판가공을 할 필요가 있다. Wiggling이 발생하기 시작하는 한계패턴폭은, 그 값이 좁으면 좁을수록 미세한 기판의 가공이 가능해진다.
해상도의 측정에는 측장주사형 전자현미경(히타치제작소제)을 이용하였다. 측정결과를 하기 표에 나타내었다.
Figure pct00024
실시예 2, 4, 및 9와, 비교예 4에 대해서 대비하면, 카바졸노볼락 수지를 구성하는 벤젠환에 2종류 이상의 특정 화학기(a), (b), (c)가 치환하고 있는 실시예 2, 4, 및 9는 막밀도, 경도, 영률에 있어서 비교예 4에 비해 높고, 이들 수치에 비례하여 Wiggling이 발생하는 최소패턴사이즈는 작으므로, Wiggling내성이 향상되어 에칭내성도 향상된다.
또한, 비교예 4 내지 6에서 대비하면, 카바졸노볼락 수지(비교예 4)는 디페닐아민노볼락 수지(비교예 5)와, 다가페놀노볼락 수지(비교예 6)에 비해 막밀도, 경도, 영률에 있어서 높고, 이들 수치에 비례하여 Wiggling이 발생하는 최소패턴사이즈도 거의 동등하거나 또는 작아지고 있다. 카바졸노볼락 수지(비교예 4)에 대하여 상기 서술한 경향이 있으며, 디페닐아민노볼락 수지(비교예 5)와, 다가페놀노볼락 수지(비교예 6)에 대해서도 마찬가지로, 노볼락 수지를 구성하는 벤젠환에 2종류 이상의 특정 화학기(a), (b), (c)가 치환함으로써 막밀도, 경도, 영률의 향상과, 이들 수치에 비례하여 Wiggling이 발생하는 최소패턴사이즈는 작아지고, Wiggling내성이 향상되어 에칭내성도 향상된다.
이상의 점으로부터, 벤젠환에 2종류 이상의 상기 특정 화학기가 치환함으로써, 막밀도, 경도, 영률의 향상과, 이에 수반하는 Wiggling내성이 향상되어 에칭내성이 향상된다. 이는 카바졸노볼락 수지를 이용한 레지스트 하층막뿐만 아니라, 노볼락 수지를 이용한 레지스트 하층막에 공통된 효과라고 할 수 있다.
산업상 이용가능성
본 발명에 의해 막밀도, 경도, 영률, Wiggling내성(높은 굴곡내성)이 높고, 이에 따라 높은 에칭내성을 갖는 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물이 얻어진다.

Claims (12)

  1. 하기 식(1):
    [화학식 1]
    Figure pct00025

    (식(1)에 있어서, 기 A 및 기 B는 각각 독립적으로, 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환을 갖는 유기기로서, 산화에 의해 질량증가를 일으키는 화학기(a), 가열에 의해 가교형성을 일으키는 화학기(b), 및 경화 중에 상분리를 유발하는 화학기(c)로 이루어지는 군으로부터 선택된 동종 또는 이종의 2개 이상의 1가 또는 2가의 화학기가, 이 기 A 혹은 기 B 또는 그 양방의 기 중의, 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환 상의 탄소원자에 결합하는 수소원자와, 각각 치환한 구조를 갖는 유기기이고, 상기 화학기가 2가인 경우, 상기 환끼리는 이 화학기를 통해 결합 혹은 이 화학기와 함께 축합되어 있을 수도 있다.)로 표시되는 반복단위구조를 갖는 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환을 갖는 유기기가, 1 또는 복수의 벤젠환, 나프탈렌환, 또는 벤젠환과 헤테로환의 축합환을 갖는 유기기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    식(1)의 노볼락 수지가, 화학기(a), 화학기(b), 화학기(c), 화학기(a)와 화학기(b)의 조합, 화학기(a)와 화학기(c)의 조합, 화학기(b)와 화학기(c)의 조합, 화학기(a)와 화학기(b)와 화학기(c)의 조합으로부터 선택된 2종류 이상의 화학기로 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환의 수소원자를 각각 치환한 구조를 갖는 노볼락 수지인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  4. 제3항에 있어서,
    식(1)로 표시되는 노볼락 수지는, 화학기(b)로부터 선택된 동종 또는 이종의 2개의 화학기, 또는 화학기(a)와 화학기(b)로부터 각각 선택된 2종류의 화학기가, 기 A 및 기 B의 양방의 기 중의 방향족환, 축합방향족환, 또는 축합방향족 헤테로환 상의 탄소원자에 결합하는 적어도 1개의 수소원자와 각각 치환하여, 단위구조 중에 2종류의 화학기가 도입된 구조를 갖는 것인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    화학기(a)가 메틸기, 설파이드기, 또는 그의 조합인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    화학기(b)가 아미노기, 카르복실기, 카르본산알킬에스테르기, 니트로기, 하이드록시기, 에테르기, 또는 그의 조합인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    화학기(c)가 플루오로알킬기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    가교제를 추가로 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    산 및/또는 산발생제를 추가로 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체기판 상에 도포하고 소성함으로써 얻어지는 레지스트 하층막의 제조방법.
  11. 반도체기판 상에 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 형성된 레지스트 패턴에 의해 이 하층막을 에칭하는 공정, 및 패턴화된 하층막에 의해 반도체기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  12. 반도체기판 상에 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 하드마스크를 형성하는 공정, 다시 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 형성된 레지스트 패턴에 의해 하드마스크를 에칭하는 공정, 패턴화된 하드마스크에 의해 이 하층막을 에칭하는 공정, 및 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 반도체기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
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