KR20180124873A - 일렉트로크로믹 조광 부재, 광투과성 도전 필름 및 일렉트로크로믹 조광 소자 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 98
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 67
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 21
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 350
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 57
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 28
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 4
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 4
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020808 NaBF Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N methyl formate Chemical compound COC=O TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBUOHGKIOVRDKY-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1,3-dioxolane Chemical compound CC1COCO1 SBUOHGKIOVRDKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017980 Ag—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000882 Ca alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017821 Cu—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000692870 Inachis io Species 0.000 description 1
- 229910015015 LiAsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013063 LiBF 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013684 LiClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013870 LiPF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000528 Na alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004042 decolorization Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- DCYOBGZUOMKFPA-UHFFFAOYSA-N iron(2+);iron(3+);octadecacyanide Chemical compound [Fe+2].[Fe+2].[Fe+2].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] DCYOBGZUOMKFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- CXHHBNMLPJOKQD-UHFFFAOYSA-M methyl carbonate Chemical compound COC([O-])=O CXHHBNMLPJOKQD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical group 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229960003351 prussian blue Drugs 0.000 description 1
- 239000013225 prussian blue Substances 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000002468 redox effect Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000001953 sensory effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGTPCRGMBIAPIM-UHFFFAOYSA-M sodium thiocyanate Chemical compound [Na+].[S-]C#N VGTPCRGMBIAPIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
일렉트로크로믹 조광 부재는, 투명 기재와, 광투과성 도전층과, 일렉트로크로믹 조광층을 순서대로 구비하고, 광투과성 도전층은, 제 1 인듐계 도전성 산화물층과, 금속층과, 제 2 인듐계 도전성 산화물층을 순서대로 구비한다.
Description
본 발명은, 일렉트로크로믹 조광 (調光) 부재, 광투과성 도전 필름 및 일렉트로크로믹 조광 소자, 상세하게는, 일렉트로크로믹 조광 부재, 그것에 사용하기 위한 광투과성 도전 필름, 및 그것을 구비하는 일렉트로크로믹 조광 소자에 관한 것이다.
종래부터, 전기 화학적인 산화 환원 반응에 의해, 광투과량이나 색채 등이 변화하는 일렉트로크로믹 재료를 사용한 전류 구동형의 조광 장치가 알려져 있다.
예를 들어, 작용 전극 시트, 대극 (對極) 시트, 일렉트로크로믹 화합물 및 전해질을 포함하고, 작용 전극 시트가 유리 시트 및 투명 도전성 산화물막을 구비하는 일렉트로크로믹 소자가 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1 의 일렉트로크로믹 소자에서는, 투명 도전성 산화막으로서, 결정성 ITO 막으로 이루어지는 단층이 사용되고 있다.
그런데, 일렉트로크로믹 소자에 있어서는, 일렉트로크로믹 화합물의 응답성의 개량, 에너지 절약 등의 관점에서, 작용 전극 시트 등의 전극 기판의 표면 저항값을 낮게 (저저항화) 할 것이 요구되고 있다. 저저항화의 방법으로서, ITO 막의 막두께를 두껍게 하는 방법이 검토된다.
그러나, ITO 막의 막두께를 두껍게 하면, 전극 기판을 굴곡시킬 때에 크랙이 발생하기 쉬워진다. 일렉트로크로믹 소자는, 전류 구동이기 때문에, 전극 기판에 크랙이 발생하면, 크랙 부분에 있어서의 일렉트로크로믹 화합물의 산화 환원이 저해되어, 조광 기능이 현저히 저하되는 문제가 발생한다. 구체적으로는, 예를 들어, 착색 또는 탈색시의 균일성이 저하되어, 색 불균일이 발생하는 경우가 있다.
본 발명의 목적은, 저저항 및 내굴곡성이 우수한 일렉트로크로믹 조광 부재, 광투과성 도전 필름 및 일렉트로크로믹 조광 소자를 제공하는 것에 있다.
본 발명 [1] 은, 투명 기재와, 광투과성 도전층과, 일렉트로크로믹 조광층을 순서대로 구비하고, 상기 광투과성 도전층은, 제 1 인듐계 도전성 산화물층과, 금속층과, 제 2 인듐계 도전성 산화물층을 순서대로 구비하는 일렉트로크로믹 조광 부재를 포함하고 있다.
본 발명 [2] 는, 상기 광투과성 도전층의 표면 저항값이, 50 Ω/□ 이하인 [1] 에 기재된 일렉트로크로믹 조광 부재를 포함하고 있다.
본 발명 [3] 은, 상기 광투과성 도전층의 800 ㎚ 이상 1500 ㎚ 이하에 있어서의 근적외선 평균 투과율이, 80 ％ 이하인, [1] 또는 [2] 에 기재된 일렉트로크로믹 조광 부재를 포함하고 있다.
본 발명 [4] 는, 상기 광투과성 도전층의 800 ㎚ 이상 1500 ㎚ 이하에 있어서의 근적외선 평균 반사율이, 10 ％ 이상인, [1] ∼ [3] 중 어느 한 항에 기재된 일렉트로크로믹 조광 부재를 포함하고 있다.
본 발명 [5] 는, 상기 광투과성 도전층은, 초기의 표면 저항값 (R0) 과, 상기 광투과성 도전층을 절곡한 후의 표면 저항값 (R1) 의 비 (R1/R0) 가, 1.05 이하인 [1] ∼ [4] 중 어느 한 항에 기재된 일렉트로크로믹 조광 부재를 포함하고 있다.
본 발명 [6] 은, 상기 투명 기재가, 가요성을 갖는 필름인 [1] ∼ [5] 중 어느 한 항에 기재된 일렉트로크로믹 조광 부재를 포함하고 있다.
본 발명 [7] 은, 상기 제 1 인듐계 도전성 산화물층 및 상기 제 2 인듐계 도전성 산화물층 모두가, 비정질막인 [1] ∼ [6] 중 어느 한 항에 기재된 일렉트로크로믹 조광 부재를 포함하고 있다.
본 발명 [8] 은, [1] ∼ [7] 중 어느 한 항에 기재된 일렉트로크로믹 조광 부재에 사용하기 위한 광투과성 도전 필름으로서, 투명 기재와, 광투과성 도전층을 순서대로 구비하고, 상기 광투과성 도전층은, 제 1 인듐계 도전성 산화물층과, 금속층과, 제 2 인듐계 도전성 산화물층을 상기 투명 기재로부터 순서대로 구비하는 광투과성 도전 필름을 포함하고 있다.
본 발명 [9] 는, [1] ∼ [7] 중 어느 한 항에 기재된 일렉트로크로믹 조광 부재와, 상기 투명 기재에 대하여, 상기 일렉트로크로믹 조광층의 반대측의 표면에 형성되는 전극 기판을 구비하는 일렉트로크로믹 조광 소자를 포함하고 있다.
본 발명의 일렉트로크로믹 조광 부재, 광투과성 도전 필름 및 일렉트로크로믹 조광 소자에 의하면, 광투과성 도전층의 저저항이 우수하기 때문에, 일렉트로크로믹 조광층의 응답성 및 에너지 절약이 우수하다. 또, 광투과성 도전층의 내굴곡성이 우수하기 때문에, 제조 또는 취급 과정에서, 광투과성 도전 필름을 굴곡시킨 경우라도 크랙의 발생을 억제할 수 있고, 그 결과, 조광 기능의 저하를 억제할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 일렉트로크로믹 조광 부재의 일 실시형태의 단면도를 나타낸다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 일렉트로크로믹 조광 부재를 구성하는 본 발명의 광투과성 도전 필름의 일 실시형태의 단면도를 나타낸다.
도 3 은, 도 1 에 나타내는 일렉트로크로믹 조광 부재를 구비하는 본 발명의 일렉트로크로믹 조광 소자의 일 실시형태의 단면도를 나타낸다.
도 4 는, 일렉트로크로믹 조광 부재의 변형예로서, 투명 기재의 상면에, 제 1 인듐계 도전성 산화물층이 직접 배치된 일렉트로크로믹 조광 부재의 단면도를 나타낸다.
도 5 는, 일렉트로크로믹 조광 부재의 변형예로서, 무기물층이 보호층 및 제 1 인듐계 도전성 산화물층 사이에 개재된 일렉트로크로믹 조광 부재의 단면도를 나타낸다.
도 6 은, 광투과성 도전 필름의 내굴곡성을 측정하는 시험의 모식 사시도를 나타낸다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 일렉트로크로믹 조광 부재를 구성하는 본 발명의 광투과성 도전 필름의 일 실시형태의 단면도를 나타낸다.
도 3 은, 도 1 에 나타내는 일렉트로크로믹 조광 부재를 구비하는 본 발명의 일렉트로크로믹 조광 소자의 일 실시형태의 단면도를 나타낸다.
도 4 는, 일렉트로크로믹 조광 부재의 변형예로서, 투명 기재의 상면에, 제 1 인듐계 도전성 산화물층이 직접 배치된 일렉트로크로믹 조광 부재의 단면도를 나타낸다.
도 5 는, 일렉트로크로믹 조광 부재의 변형예로서, 무기물층이 보호층 및 제 1 인듐계 도전성 산화물층 사이에 개재된 일렉트로크로믹 조광 부재의 단면도를 나타낸다.
도 6 은, 광투과성 도전 필름의 내굴곡성을 측정하는 시험의 모식 사시도를 나타낸다.
도 1 에 있어서, 지면 상하 방향은, 상하 방향 (두께 방향, 제 1 방향) 으로서, 지면 상측이 상측 (두께 방향 일방측, 제 1 방향 일방측), 지면 하측이 하측 (두께 방향 타방측, 제 1 방향 타방측) 이다. 도 1 에 있어서, 지면 좌우 방향은 좌우 방향 (폭 방향, 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향) 이고, 지면 좌측이 좌측 (제 2 방향 일방측), 지면 우측이 우측 (제 2 방향 타방측) 이다. 도 1 에 있어서, 종이 두께 방향은, 전후 방향 (제 1 방향 및 제 2 방향에 직교하는 제 3 방향) 이고, 지면 앞쪽이 전측 (제 3 방향 일방측), 지면 안쪽이 후측 (제 3 방향 타방측) 이다. 구체적으로는, 각 도면의 방향 화살표에 준거한다.
1. 일렉트로크로믹 조광 부재
일렉트로크로믹 조광 부재 (이하, EC 조광 부재라고도 한다) 는, 소정의 두께를 갖는 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 이루고, 두께 방향과 직교하는 소정 방향 (전후 방향 및 좌우 방향, 즉, 면 방향) 으로 연장되고, 평탄한 상면 및 평탄한 하면 (2 개의 주면) 을 갖는다. EC 조광 부재는, 예를 들어, 조광 장치에 구비되는 조광 패널 등의 일부품으로, 요컨대, 조광 장치는 아니다. 즉, EC 조광 부재는, 조광 장치 등을 제작하기 위한 부품으로, LED 등의 광원이나 외부 전원을 포함하지 않고, 부품 단독으로 유통되어, 산업상 이용 가능한 디바이스이다.
구체적으로는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, EC 조광 부재 (1) 는, 순서대로, 투명 기재 (2) 와, 보호층 (3) 과, 광투과성 도전층 (4) 과, 일렉트로크로믹 조광층 (5) (이하, EC 조광층이라고도 한다) 을 구비하는 적층 필름이다. 요컨대, EC 조광 부재 (1) 는, 투명 기재 (2) 와, 투명 기재 (2) 의 상측에 배치되는 보호층 (3) 과, 보호층 (3) 의 상측에 배치되는 광투과성 도전층 (4) 과, 광투과성 도전층 (4) 의 상측에 배치되는 EC 조광층 (5) 을 구비한다. 바람직하게는, EC 조광 부재 (1) 는, 투명 기재 (2) 와, 보호층 (3) 과, 광투과성 도전층 (4) 과, EC 조광층 (5) 만으로 이루어진다. 이하, 각 층에 대해 상세히 서술한다.
2. 투명 기재
투명 기재 (2) 는, EC 조광 부재 (1) 의 전극 기판의 일부이고, EC 조광 부재 (1) 의 최하층으로서, EC 조광 부재 (1) 의 기계 강도를 확보하는 지지재이다. 투명 기재 (2) 는, 보호층 (3) 과 함께, 광투과성 도전층 (4) 및 EC 조광층 (5) 을 지지한다.
투명 기재 (2) 는, 예를 들어, 고분자 필름으로 이루어진다.
고분자 필름은, 투명성 및 가요성을 갖는다. 고분자 필름의 재료로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지, 예를 들어, 폴리메타크릴레이트 등의 (메트)아크릴 수지 (아크릴 수지 및/또는 메타크릴 수지), 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로올레핀 폴리머 (COP) 등의 올레핀 수지, 예를 들어, 폴리카보네이트 수지 (PC), 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리스티렌 수지, 노르보르넨 수지 등을 들 수 있다. 이들 고분자 필름은, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 투명성, 가요성, 내열성, 기계 특성 등의 관점에서, 바람직하게는, 폴리에스테르 수지, 올레핀 수지, PC 를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, PET, COP, PC 를 들 수 있다.
투명 기재 (2) 의 두께는, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는 20 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 300 ㎛ 이하, 바람직하게는 200 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 80 ㎛ 이하이다. 투명 기재 (2) 의 두께를 상기 범위로 함으로써, 내굴곡성 나아가서는 EC 조광층 (5) 의 착색 균일성을 보다 한층 양호하게 할 수 있다.
3. 보호층
보호층 (3) 은, EC 조광 부재 (1) 의 전극 기판의 일부이고, 광투과성 도전층 (4) 이나 EC 조광층 (5) 의 상면에 스크래치가 잘 생기지 않게 하기 (즉, 우수한 내찰상성을 얻기) 위한 찰상 보호층이다. 또, 보호층 (3) 은, 광투과성 도전층 (4) 을 배선 패턴 등의 패턴 형상으로 형성한 경우에는, 패턴의 시인을 억제하기 위해, EC 조광 부재 (1) 의 광학 물성을 조정하는 광학 조정층이기도 하다.
보호층 (3) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 투명 기재 (2) 의 상면 전체면에, 투명 기재 (2) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
보호층 (3) 은, 수지 조성물로 형성되어 있다.
수지 조성물은, 예를 들어, 수지, 입자 등을 함유한다. 수지 조성물은, 바람직하게는 수지를 함유하고, 보다 바람직하게는 수지만으로 이루어진다.
수지로는, 경화성 수지, 열가소성 수지 (예를 들어, 폴리올레핀 수지) 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 경화성 수지를 들 수 있다.
경화성 수지로는, 예를 들어, 활성 에너지선 (구체적으로는, 자외선, 전자선 등) 의 조사에 의해 경화되는 활성 에너지선 경화성 수지, 예를 들어, 가열에 의해 경화되는 열경화성 수지 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 활성 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다.
활성 에너지선 경화성 수지는, 예를 들어, 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 관능기를 갖는 폴리머를 들 수 있다. 그러한 관능기로는, 예를 들어, 비닐기, (메트)아크릴로일기 (메타크릴로일기 및/또는 아크릴로일기) 등을 들 수 있다.
활성 에너지선 경화성 수지로는, 예를 들어, 측사슬에 관능기를 함유하는 (메트)아크릴 수지 (아크릴 수지 및/또는 메타크릴 수지) 등을 들 수 있다.
이들 수지는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.
입자로는, 예를 들어, 무기 입자, 유기 입자 등을 들 수 있다. 무기 입자로는, 예를 들어, 실리카 입자, 예를 들어, 산화지르코늄, 산화티탄 등으로 이루어지는 금속 산화물 입자, 예를 들어, 탄산칼슘 등의 탄산염 입자 등을 들 수 있다. 유기 입자로는, 예를 들어, 가교 아크릴 수지 입자 등을 들 수 있다.
보호층 (3) 의 두께는, 예를 들어, 0.1 ㎛ 이상, 바람직하게는 1 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 10 ㎛ 이하, 바람직하게는 5 ㎛ 이하이다. 보호층 (3) 의 두께는, 예를 들어, 투과형 전자 현미경 (TEM) 에 의한 단면 관찰에 의해 측정된다.
4. 광투과성 도전층
광투과성 도전층 (4) 은, EC 조광 부재 (1) 의 전극 기판의 일부이고, 외부 전원 (도시 생략) 으로부터의 전류를 EC 조광층 (5) 에 통전시키는 도전층이다. 또, 광투과성 도전층 (4) 은, 투명 도전층이기도 하다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 광투과성 도전층 (4) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 보호층 (3) 의 상면 전체면에, 보호층 (3) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
광투과성 도전층 (4) 은, 투명 기재 (2) 측으로부터 순서대로, 제 1 인듐계 도전성 산화물층 (6) (이하, 제 1 산화물층이라고도 한다) 과, 금속층 (7) 과, 제 2 인듐계 도전성 산화물층 (8) (이하, 제 2 산화물층이라고도 한다) 을 구비한다. 요컨대, 광투과성 도전층 (4) 은, 보호층 (3) 상에 배치되는 제 1 산화물층 (6) 과, 제 1 산화물층 (6) 상에 배치되는 금속층 (7) 과, 금속층 (7) 상에 배치되는 제 2 산화물층 (8) 을 구비하고 있다. 광투과성 도전층 (4) 은, 바람직하게는, 제 1 산화물층 (6) 과, 금속층 (7) 과, 제 2 산화물층 (8) 만으로 이루어진다.
광투과성 도전층 (4) 의 표면 저항값 (초기의 표면 저항값 (R0) 및 절곡 후의 표면 저항값 (R1)) 은, 예를 들어, 50 Ω/□ 이하, 바람직하게는 30 Ω/□ 이하, 보다 바람직하게는 20 Ω/□ 이하, 더욱 바람직하게는 15 Ω/□ 이하이고, 또, 예를 들어, 0.1 Ω/□ 이상, 바람직하게는 1 Ω/□ 이상, 보다 바람직하게는 5 Ω/□이상이다.
광투과성 도전층 (4) 의 초기의 표면 저항값 (R0) 과, 광투과성 도전층 (4) 을 절곡한 후의 표면 저항값 (R1) 의 비 (R1/R0) 는, 예를 들어, 1.05 이하, 바람직하게는 1.02 이하, 보다 바람직하게는 1.00 이하이고, 또, 예를 들어, 0.95 이상이다. 상기 비를 상기 범위로 함으로써, 내굴곡성이 우수하고, 굴곡에 의한 표면 저항값의 증가를 억제할 수 있다.
절곡 후의 광투과성 도전층 (4) 이란, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 후술하는 광투과성 도전 필름 (9) 을, 광투과성 도전층 (4) 이 외측이 되는 상태에서, 직경 5 ㎜ 의 맨드릴 상에 배치하고, 광투과성 도전 필름 (9) 의 폭에 대하여 50 g/㎜ 의 하중을 하측을 향해 인가하여, 절곡했을 때의 광투과성 도전 필름 (9) 의 광투과성 도전층 (4) 이다.
광투과성 도전층 (4) 의 표면 저항값은, 예를 들어, 광투과성 도전 필름 (9) 의 광투과성 도전층 (4) 표면에 대하여, JIS K 7194 (1994년) 의 4 탐침법에 준거하여 측정함으로써 얻어진다.
광투과성 도전층 (4) 의 비저항은, 예를 들어, 2.5 × 10-4 Ω·㎝ 이하, 바람직하게는 2.0 × 10-4 Ω·㎝ 이하, 보다 바람직하게는 1.1 × 10-4 Ω·㎝ 이하이고, 또, 예를 들어, 0.01 × 10-4 Ω·㎝ 이상, 바람직하게는 0.1 × 10-4 Ω·㎝ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 × 10-4 Ω·㎝ 이상이다.
광투과성 도전층 (4) 의 비저항은, 광투과성 도전층 (4) 의 두께 (제 1 산화물층, 금속층 (7), 제 2 산화물층 (8) 의 총 두께) 와, 광투과성 도전층 (4) 의 표면 저항값을 사용하여 산출된다.
광투과성 도전층 (4) 의 두께, 즉, 제 1 산화물층 (6), 금속층 (7) 및 제 2 산화물층 (8) 의 총 두께는, 예를 들어, 20 ㎚ 이상, 바람직하게는 40 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 60 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 80 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 150 ㎚ 이하, 바람직하게는 120 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎚ 이하이다.
5. 제 1 인듐계 도전성 산화물층
제 1 산화물층 (6) 은, 후술하는 금속층 (7) 및 제 2 산화물층 (8) 과 함께, 광투과성 도전층 (4) 에 도전성을 부여하는 도전층이다. 또, 제 1 산화물층 (6) 은, 후술하는 제 2 산화물층 (8) 과 함께, 금속층 (7) 의 가시광 반사율을 억제하여, 광투과성 도전층 (4) 의 가시광 투과율을 향상시키기 위한 광학 조정층이기도 하다.
제 1 산화물층 (6) 은, 광투과성 도전층 (4) 에 있어서의 최하층으로서, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 보호층 (3) 의 상면 전체면에, 보호층 (3) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
제 1 산화물층 (6) 은, 인듐 산화물 (In2O3) 을 함유한다. 제 1 산화물층 (6) 에는, 예를 들어, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원자가 도프되어 있어도 된다.
제 1 산화물층 (6) 을 형성하는 도전성 산화물 (인듐계 도전성 산화물) 은, 금속 원소로서 인듐 (In) 만을 함유하고 있어도 되고, 또, 인듐 (In) 이외의 (반)금속 원소를 포함하고 있어도 된다. 바람직하게는, 주금속 원소가 인듐 (In) 이다. 주금속 원소가 인듐인 도전성 산화물은, 우수한 배리어성 등을 갖는다.
도전성 산화물은, 단수 또는 복수의 (반)금속 원소를 불순물 원소로서 함유함으로써, 도전성, 투명성, 내굴곡성을 보다 한층 향상시킬 수 있다. 제 1 산화물층 (6) 중의, 주금속 원소 In 의 원자수에 대한 불순물 금속 원소의 함유 원자수비 (불순물 금속 원소의 원자수/In 의 원자수) 는, 예를 들어, 0.50 미만이고, 바람직하게는 0.40 이하, 보다 바람직하게는 0.30 이하, 더욱 바람직하게는 0.20 이하이고, 또, 예를 들어, 0.01 이상, 바람직하게는 0.05 이상, 보다 바람직하게는 0.10 이상이다. 이로써, 투명성, 내굴곡성이 우수하다.
제 1 산화물층 (6) 을 형성하는 도전성 산화물로는, 저저항 및 투명성의 관점에서, 바람직하게는, 인듐주석 복합 산화물 (ITO), 인듐갈륨 복합 산화물 (IGO), 인듐갈륨아연 복합 산화물 (IGZO) 등을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 ITO 를 들 수 있다.
ITO 에 함유되는 산화주석 (SnO2) 의 함유량은, 산화주석 및 산화인듐 (In2O3) 의 합계량에 대하여, 예를 들어, 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는 3 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 6 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 8 질량％ 이상, 특히 바람직하게는 10 질량％ 이상이고, 또, 예를 들어, 35 질량％ 이하, 바람직하게는 20 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 15 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 13 질량％ 이하이다. 산화인듐의 함유량 (In2O3) 은, 산화주석 (SnO2) 의 함유량의 잔부이다. ITO 에 함유되는 산화주석 (SnO2) 의 함유량을 바람직한 범위로 함으로써, ITO 막의 시간 경과에 따른 막질 변화를 억제하기 쉽다.
제 1 산화물층 (6) 의 도전성 산화물은, 결정질 및 비정질 중 어느 것이어도 되지만, 금속층 (7) 의 균일 형성의 관점에서, 바람직하게는 비정질이다. 즉, 제 1 산화물층 (6) 은, 바람직하게는 비정질막이고, 보다 바람직하게는 비정질 ITO 막이다.
본 발명에서는, 25,000 배에서의 평면 TEM 화상에 있어서, 결정립이 차지하는 면적 비율이 80 ％ 이하 (바람직하게는, 0 ％ 이상 50 ％ 이하) 인 경우에 비정질이라고 하고, 80 ％ 초과인 경우에 결정질이라고 한다.
제 1 산화물층 (6) 에 있어서의 ITO 의 함유 비율은, 예를 들어, 95 질량％ 이상, 바람직하게는 98 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 99 질량％ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 질량％ 이하이다.
제 1 산화물층 (6) 의 두께 (T1) 는, 예를 들어, 5 ㎚ 이상, 바람직하게는 20 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 30 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 60 ㎚ 이하, 바람직하게는 50 ㎚ 이하이다. 제 1 산화물층 (6) 의 두께가 상기 범위이면, 광투과성 도전층 (4) 의 가시광 투과율을 높은 수준으로 조정하기 쉽다. 제 1 산화물층 (6) 의 두께는, 예를 들어, 투과형 전자 현미경 (TEM) 에 의한 단면 관찰에 의해 측정된다.
6. 금속층
금속층 (7) 은, 제 1 산화물층 (6) 및 제 2 산화물층 (8) 과 함께, 광투과성 도전층 (4) 에 도전성을 부여하는 도전층이다. 또, 금속층 (7) 은, 광투과성 도전층 (4) 의 표면 저항값을 낮게 하는 저저항화층이기도 하다. 또, 금속층 (7) 은, 바람직하게는, 높은 적외선 반사율 (특히, 근적외선의 평균 반사율) 을 부여하기 위한 적외선 반사층이기도 하다.
금속층 (7) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 제 1 산화물층 (6) 의 상면에, 제 1 산화물층 (6) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
금속층 (7) 을 형성하는 금속은, 표면 저항값이 작은 금속이면 한정적이지 않지만, 예를 들어, Ti, Si, Nb, In, Zn, Sn, Au, Ag, Cu, Al, Co, Cr, Ni, Pb, Pd, Pt, Cu, Ge, Ru, Nd, Mg, Ca, Na, W, Zr, Ta 및 Hf 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종의 금속으로 이루어지거나, 또는, 그들의 2 종 이상의 금속을 함유하는 합금을 들 수 있다.
금속으로서, 바람직하게는 은 (Ag), 은 합금을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 은 합금을 들 수 있다. 금속이 은 또는 은 합금이면, 광투과성 도전층 (4) 의 저항값을 작게 할 수 있는 것에 더하여, 근적외선 영역의 평균 반사율이 특히 높은 광투과성 도전층 (4) 이 얻어져, 옥외나 창에 사용되는 용도에도 바람직하게 적용할 수 있다.
은 합금은, 은을 주성분으로서 함유하고, 그 밖의 금속을 부성분으로서 함유하고 있고, 구체적으로는, 예를 들어, Ag-Cu 합금, Ag-Pd 합금, Ag-Sn 합금, Ag-In 합금, Ag-Pd-Cu 합금, Ag-Pd-Cu-Ge 합금, Ag-Cu-Au 합금, Ag-Cu-Sn 합금, Ag-Cu-In 합금, Ag-Ru-Cu 합금, Ag-Ru-Au 합금, Ag-Nd 합금, Ag-Mg 합금, Ag-Ca 합금, Ag-Na 합금 등을 들 수 있다. 저저항, 습열 내구성의 관점에서, 은 합금으로서, 바람직하게는 Ag-Cu 합금, Ag-Cu-In 합금, Ag-Cu-Sn 합금, Ag-Pd 합금, Ag-Pd-Cu 합금 등을 들 수 있다.
은 합금에 있어서의 은의 함유 비율은, 예를 들어, 80 질량％ 이상, 바람직하게는 90 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 95 질량％ 이상이고, 또, 예를 들어, 99.9 질량％ 이하이다. 은 합금에 있어서의 그 밖의 금속의 함유 비율은, 상기한 은의 함유 비율의 잔부이다.
금속층 (7) 의 두께 (T3) 는, 예를 들어, 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 5 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 8 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 20 ㎚ 이하, 바람직하게는 10 ㎚ 이하이다. 금속층 (7) 의 두께를 상기 범위로 함으로써, 광투과성 도전층 (4) 의 표면 저항값 및 내굴곡성이 양호함과 함께, 가시광 투과율 및 적외선 반사율도 보다 한층 양호하게 할 수 있다. 그 결과, EC 조광 소자 (13) 의 착색 균일성, 응답성, 차열성이 우수하다. 금속층 (7) 의 두께 (T3) 는, 예를 들어, 투과형 전자 현미경 (TEM) 에 의한 단면 관찰에 의해 측정된다.
7. 제 2 인듐계 도전성 산화물층
제 2 산화물층 (8) 은, 제 1 산화물층 (6) 및 금속층 (7) 과 함께, 광투과성 도전층 (4) 에 도전성을 부여하는 도전층이다. 또, 제 2 산화물층 (8) 은, 금속층 (7) 의 가시광 반사율을 억제하여, 광투과성 도전층 (4) 의 가시광 투과율을 향상시키기 위한 광학 조정층이기도 하다.
제 2 산화물층 (8) 은, 광투과성 도전층 (4) 에 있어서의 최상층으로서, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 금속층 (7) 의 상면 전체면에, 금속층 (7) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
제 2 산화물층 (8) 을 형성하는 도전성 산화물로는, 제 1 산화물층 (6) 에서 예시한 도전성 산화물을 들 수 있고, 바람직하게는, 주금속 원소가 인듐 (In) 인 도전성 산화물을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 ITO 를 들 수 있다. 또, 제 2 산화물층 (8) 은, 바람직하게는 비정질막이고, 보다 바람직하게는 비정질 ITO 막이다.
제 2 산화물층 (8) 을 형성하는 도전성 산화물은, 제 1 산화물층 (6) 을 형성하는 도전성 산화물과 동일해도 되고 또는 상이해도 되지만, 내굴곡성, 도전성, 투명성의 관점에서, 바람직하게는 제 1 산화물층 (6) 과 동일한 도전성 산화물이다.
제 2 산화물층 (8) 중의, 주금속 원소 In 의 원자수에 대한 불순물 금속 원소의 함유 원자수비 (불순물 금속 원소의 원자수/In 의 원자수) 는, 제 1 산화물층 (6) 에 있어서의 「불순물 금속 원소의 원자수/In 의 원자수」와 동일하거나 또는 그 이상 (예를 들어, 0.001 이상) 이다.
제 2 산화물층 (8) 이 ITO 로 이루어지는 경우, ITO 에 함유되는 산화주석 (SnO2) 의 함유량 및 In 에 대한 Sn 의 원자수비는, 제 1 산화물층 (6) 과 동일하다.
제 2 산화물층 (8) 에 있어서의 ITO 의 함유 비율은, 예를 들어, 95 질량％ 이상, 바람직하게는 98 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 99 질량％ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 질량％ 이하이다.
제 2 산화물층 (8) 의 두께 (T2) 는, 예를 들어, 5 ㎚ 이상, 바람직하게는 20 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 30 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 60 ㎚ 이하, 바람직하게는 50 ㎚ 이하이다. 제 2 산화물층 (8) 의 두께 (T2) 가 상기 범위이면, 광투과성 도전층 (4) 의 가시광 투과율을 높은 수준으로 조정하기 쉽다. 제 2 산화물층 (8) 의 두께 (T2) 는, 예를 들어, 투과형 전자 현미경 (TEM) 에 의한 단면 관찰에 의해 측정된다.
제 2 산화물층 (8) 의 두께 (T2) 의, 제 1 산화물층 (6) 의 두께 (T1) 에 대한 비 (T2/T1) 는, 예를 들어, 0.5 이상, 바람직하게는 0.75 이상, 또, 예를 들어, 1.5 이하, 바람직하게는 1.25 이하이다.
제 2 산화물층 (8) 의 두께 (T2) 의, 금속층 (7) 의 두께 (T3) 에 대한 비 (T2/T3) 는, 예를 들어, 2.0 이상, 바람직하게는 3.0 이상이고, 또, 예를 들어, 10 이하, 바람직하게는 8.0 이하이다.
8. EC 조광층
EC 조광층 (5) 은, 광투과성 도전층 (4) 을 통하여 통전되는 전류에 의해, 광투과율이나 색채가 변화하는 조광층이다.
EC 조광층 (5) 은, EC 조광 부재 (1) 의 최상층으로서, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 광투과성 도전층 (4) 의 상면 전체면에, 광투과성 도전층 (4) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
EC 조광층 (5) 은, 순서대로, 제 1 일렉트로크로믹 화합물층 (10) (제 1 EC 층) 과, 전해질층 (11) 과, 제 2 일렉트로크로믹 화합물층 (12) (제 2 EC 층) 을 구비한다. 요컨대, EC 조광층 (5) 은, 광투과성 도전층 (4) 상에 배치되는 제 1 EC 층 (10) 과, 제 1 EC 층 (10) 상에 배치되는 전해질층 (11) 과, 전해질층 (11) 상에 배치되는 제 2 EC 층 (12) 을 구비하고 있다. EC 조광층 (5) 은, 바람직하게는, 제 1 EC 층 (10) 과, 전해질층 (11) 과, 제 2 EC 층 (12) 만으로 이루어진다.
EC 조광층 (5) 의 두께, 즉, 제 1 EC 층 (10), 전해질층 (11) 및 제 2 EC 층 (12) 의 총 두께는, 예를 들어, 0.1 ㎛ 이상 5000 ㎛ 이하이다.
9. 제 1 일렉트로크로믹 화합물층
제 1 EC 층 (10) 은, 후술하는 제 2 EC 층 (12) 과 함께, 제 1 EC 층 (10) 에 흐르는 전류를 따라, 그 광투과율이나 색채가 변화하는 조광층이다.
제 1 EC 층 (10) 은, EC 조광층 (5) 에 있어서의 최하층으로서, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 광투과성 도전층 (4) 의 상면 전체면에, 광투과성 도전층 (4) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
제 1 EC 층 (10) 을 형성하는 일렉트로크로믹 화합물로는 한정되지 않고, 예를 들어, 산화텅스텐 (예를 들어, WO3), 산화몰리브덴, 산화바나듐, 산화바나듐, 산화인듐, 산화이리듐, 산화니켈, 프러시안 블루 등의 무기계 일렉트로크로믹 화합물 ; 예를 들어, 프탈로시아닌계 화합물, 스티릴계 화합물, 비올로겐계 화합물, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리티오펜 (예를 들어, 폴리(에틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술폰산)) 등의 유기계 일렉트로크로믹 화합물 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 산화텅스텐, 폴리티오펜을 들 수 있다.
제 1 EC 층 (10) 의 두께는, 예를 들어, 0.01 ㎛ 이상, 바람직하게는 0.05 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 3000 ㎛ 이하, 바람직하게는 100 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하이다.
10. 전해질층
전해질층 (11) 은, 제 1 EC 층 (10) 및 제 2 EC 층 (12) 내부의 일렉트로크로믹 화합물에 효율적으로 통전시키는 층이다.
전해질층 (11) 은, 제 1 EC 층 (10) 의 상면 전체면에, 제 1 EC 층 (10) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
전해질층 (11) 은, 액상 전해질 및 그 액상 전해질을 봉지하는 봉지재로 형성되고 있어도 되고, 또, 고체상 전해질막으로 형성되어 있어도 된다.
전해질층 (11) 을 형성하는 전해질로는 한정되지 않고, 예를 들어, LiClO4, LiBF4, LiAsF6, LiPF6, LiCF3SO3, LiCF3COO, KCl, NaClO3, NaCl, NaBF4, NaSCN, KBF4, Mg(ClO4)2, Mg(BF4)2 등의 알칼리 금속염 또는 알칼리 토금속염 등을 들 수 있다. 또, 4 급 암모늄염, 4 급 포스포늄염 등도 들 수 있다.
전해질층 (11) 으로서 액상 전해질을 사용하는 경우에는, 바람직하게는, 전해질과 함께 유기 용매를 병용한다. 유기 용매는, 전해질을 용해 가능하면 한정적이지 않고, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 메틸카보네이트 등의 카보네이트류 ; 예를 들어, 테트라하이드로푸란 등의 푸란류 ; 예를 들어, γ-부티로락톤, 1,2-디메톡시에탄, 1,3-디옥소란, 4-메틸-1,3-디옥소란, 포름산메틸, 아세트산메틸, 프로피온산메틸, 아세토니트릴, 탄산프로필렌, N,N-디메틸포름아미드 등을 들 수 있다.
전해질층 (11) 으로는, 바람직하게는, 전해질, 유기 용매 및 바인더 수지를 함유하는 전해질막을 들 수 있다. 이와 같은 전해질층은, 예를 들어, 전해질을 유기 용매에 용해시킨 전해질 용액과, 바인더 수지를 혼합하고, 건조시킴으로써 얻어진다.
바인더 수지로는, 예를 들어, 폴리메틸메타크릴레이트 등의 아크릴 수지 등을 들 수 있다.
전해질층 (11) 의 두께는, 예를 들어, 0.01 ㎛ 이상, 바람직하게는 1 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 3000 ㎛ 이하, 바람직하게는 1000 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎛ 이하이다.
11. 제 2 일렉트로크로믹 화합물층
제 2 EC 층 (12) 은, 제 1 EC 층 (10) 과 함께, 제 2 EC 층 (12) 에 흐르는 전류를 따라, 그 광투과율이나 색채가 변화하는 조광층이다.
제 2 EC 층 (12) 은, EC 조광층 (5) 에 있어서의 최상층으로서, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 전해질층 (11) 의 상면 전체면에, 전해질층 (11) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.
제 2 EC 층 (12) 을 형성하는 일렉트로크로믹 화합물로는 한정되지 않고, 제 1 EC 층 (10) 에서 예시한 화합물을 들 수 있다. 바람직하게는, 산화텅스텐, 폴리티오펜을 들 수 있다.
제 2 EC 층 (12) 의 두께는, 예를 들어, 0.01 ㎛ 이상, 바람직하게는 0.05 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 3000 ㎛ 이하, 바람직하게는 100 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하이다.
12. 광투과성 도전 필름
EC 조광 부재 (1) 를 구성하는 부재 중, 투명 기재 (2), 보호층 (3) 및 광투과성 도전층 (4) 은, 본 발명의 광투과성 도전 필름 (9) 의 일 실시형태를 구성한다.
즉, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 광투과성 도전 필름 (9) 은, 순서대로, 투명 기재 (2) 와, 보호층 (3) 과, 광투과성 도전층 (4) 을 구비하는 적층 필름이다. 요컨대, 광투과성 도전 필름 (9) 은, 투명 기재 (2) 와, 투명 기재 (2) 의 상측에 배치되는 보호층 (3) 과, 보호층 (3) 의 상측에 배치되는 광투과성 도전층 (4) 을 구비한다. 바람직하게는, 광투과성 도전 필름 (9) 은, 투명 기재 (2) 와, 보호층 (3) 과, 광투과성 도전층 (4) 만으로 이루어진다.
광투과성 도전 필름 (9) 은, 소정의 두께를 갖는 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 이루고, 면방향으로 연장되고, 평탄한 상면 및 평탄한 하면을 갖는다. 광투과성 도전 필름 (9) 은, EC 조광 부재 (1) 를 제작하기 위한 부품이고, 구체적으로는, EC 조광 부재 (1) 에 사용되는 전극 기판이다. 광투과성 도전 필름 (9) 은, LED 등의 광원이나 외부 전원을 포함하지 않고, 부품 단독으로 유통되어, 산업상 이용 가능한 디바이스이다. 또, 광투과성 도전 필름 (9) 은, 가시광을 투과하는 필름으로서, 투명 도전성 필름을 포함한다.
광투과성 도전 필름 (9) 은, 열수축된 광투과성 도전 필름 (9) 이어도 되고, 비가열, 즉, 미수축의 광투과성 도전 필름 (9) 이어도 된다. 내굴곡성이 우수한 관점에서, 바람직하게는, 열수축된 광투과성 도전 필름 (9) 이다.
광투과성 도전 필름 (9) 의 총 두께는, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는 20 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 300 ㎛ 이하, 바람직하게는 200 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150 ㎛ 이하이다.
13. EC 조광 부재의 제조 방법
다음으로, EC 조광 부재 (1) 를 제조하는 방법을 설명한다.
EC 조광 부재 (1) 를 제조하려면, 먼저, 광투과성 도전 필름 (9) 을 제작하고, 이어서, 광투과성 도전 필름 (9) 에 EC 조광층 (5) 을 배치한다.
광투과성 도전 필름 (9) 은, 예를 들어, 투명 기재 (2) 상에, 보호층 (3) 과, 광투과성 도전층 (4) 을, 상기한 순서로 배치함으로써 얻어진다.
이 방법에서는, 도 1 이 참조되도록, 먼저, 투명 기재 (2) 를 준비한다.
이어서, 수지 조성물을 투명 기재 (2) 의 상면에, 예를 들어, 습식에 의해 배치한다.
구체적으로는, 먼저, 수지 조성물을 투명 기재 (2) 의 상면에 도포한다. 그 후, 수지 조성물이 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 활성 에너지선을 조사한다.
이로써, 필름 형상의 보호층 (3) 을, 투명 기재 (2) 의 상면 전체면에 형성한다. 요컨대, 투명 기재 (2) 와 보호층 (3) 을 구비하는 보호층이 형성된 투명 기재를 얻는다.
그 후, 필요에 따라, 보호층이 형성된 투명 기재를 탈가스 처리한다.
보호층이 형성된 투명 기재를 탈가스 처리하려면, 보호층이 형성된 투명 기재를, 예를 들어, 1 × 10-1 ㎩ 이하, 바람직하게는 1 × 10-2 ㎩ 이하, 또, 예를 들어, 1 × 10-3 ㎩ 이상의 감압 분위기하에 방치한다. 탈가스 처리는, 예를 들어, 건식의 장치에 구비되는 배기 장치 (구체적으로는, 터보 분자 펌프 등) 를 사용하여 실시된다.
이 탈가스 처리에 의해, 투명 기재 (2) 에 함유되는 물의 일부나, 보호층 (3) 에 함유되는 유기물의 일부가 외부로 방출된다.
이어서, 광투과성 도전층 (4) 을 보호층 (3) 의 상면에, 예를 들어, 건식에 의해 배치한다.
구체적으로는, 제 1 산화물층 (6), 금속층 (7) 및 제 2 산화물층 (8) 의 각각을, 순서대로, 건식에 의해 배치한다.
건식으로는, 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 스퍼터링법을 들 수 있다. 구체적으로는, 마그네트론 스퍼터링법을 들 수 있다.
스퍼터링법에서 사용되는 가스로는, 예를 들어, Ar 등의 불활성 가스를 들 수 있다. 또, 필요에 따라, 산소 등의 반응성 가스를 병용할 수 있다. 반응성 가스를 병용하는 경우에 있어서, 반응성 가스의 유량비는 특별히 한정되지 않고, 반응성 가스의 유량의, 불활성 가스의 유량에 대한 비로, 예를 들어, 0.1/100 이상, 바람직하게는 1/100 이상이고, 또, 예를 들어 5/100 이하이다.
구체적으로는, 제 1 산화물층 (6) 의 형성에 있어서, 가스로서, 바람직하게는, 불활성 가스 및 반응성 가스가 병용된다. 금속층 (7) 의 형성에 있어서, 가스로서, 바람직하게는, 불활성 가스가 단독 사용된다. 제 2 산화물층 (8) 의 형성에 있어서, 가스로서, 바람직하게는, 불활성 가스 및 반응성 가스가 병용된다.
스퍼터링법을 채용하는 경우, 타겟재로는, 각 층을 구성하는 상기 서술한 도전성 산화물 또는 금속을 들 수 있다.
스퍼터링법에서 사용되는 전원에는 한정은 없고, 예를 들어, DC 전원, MF/AC 전원 및 RF 전원의 단독 사용 또는 병용을 들 수 있고, 바람직하게는, DC 전원을 들 수 있다.
또, 바람직하게는, 제 1 산화물층 (6) 을 스퍼터링법으로 형성할 때, 투명 기재 (2) (및 보호층 (3)) 를 냉각시킨다. 구체적으로는, 투명 기재 (2) 의 하면을, 냉각 장치 (예를 들어, 냉각 롤) 등에 접촉시켜, 투명 기재 (2) (및 보호층 (3)) 를 냉각시킨다. 이로써, 제 1 산화물층 (6) 을 형성할 때, 스퍼터링에 의해 발생하는 증착열 등에 의해 투명 기재 (2) 에 함유되는 물, 및 보호층 (3) 에 함유되는 유기물이 방출되어, 물이 제 1 산화물층 (6) 에 과잉으로 포함되는 것을 억제할 수 있다. 냉각 온도는, 예를 들어, -30 ℃ 이상, 바람직하게는 -10 ℃ 이상이고, 또, 예를 들어, 60 ℃ 이하, 바람직하게는 40 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 20 ℃ 이하, 더욱 바람직하게는 0 ℃ 미만이다.
이로써, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 투명 기재 (2) 와, 보호층 (3) 과, 광투과성 도전층 (4) (제 1 산화물층 (6), 금속층 (7) 및 제 2 산화물층 (8)) 을 순서대로 구비하는 광투과성 도전 필름 (9) 이 얻어진다.
이어서, 필요에 따라 가열 공정을 실시한다. 즉, 광투과성 도전 필름 (9) 을 가열한다. 광투과성 도전 필름 (9) 을 가열하여, 수축시킴으로써, 내굴곡성을 향상시킬 수 있다.
가열 조건으로는, 가열 온도는, 예를 들어, 50 ℃ 이상, 바람직하게는 80 ℃ 이상이고, 또, 예를 들어, 180 ℃ 이하, 바람직하게는 140 ℃ 이하이다. 가열 시간은, 예를 들어, 1 분 이상, 바람직하게는 10 분 이상이고, 또, 예를 들어, 120 분 이하, 바람직하게는 60 분 이하이다. 가열 조건을 상기 범위로 함으로써, 제 1 산화물층 (6) 및 제 2 산화물층 (8) 의 비정질성을 유지하면서, 광투과성 도전 필름 (9) 을 수축시키기 쉽다.
가열은, 대기 분위기하, 불활성 분위기하 및 진공하 중 어느 것에서 실시해도 된다.
이 가열 공정에 의해, 광투과성 도전 필름 (9) 이 전후 방향 및 좌우 방향 의 적어도 일방향으로 (바람직하게는 어느 일방향으로) 약간 수축된 광투과성 도전 필름 (9) 이 얻어진다.
수축률은, 수축 전의 광투과성 도전 필름 (9) 의 전후 방향 길이 또는 좌우 방향 길이 100 ％ 에 대하여, 예를 들어, 0.1 ％ 이상, 바람직하게는 0.2 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 1.0 ％ 이하, 바람직하게는 0.5 ％ 이하, 보다 바람직하게는 0.3 ％ 이하이다.
이어서, 광투과성 도전 필름 (9) 에 EC 조광층 (5) 을 배치한다.
EC 조광층 (5) 은, 공지된 재료를 사용할 수 있다.
EC 조광층 (5) 과, 제 2 인듐계 도전성 산화물층 (8) 이 접촉하도록, EC 조광층 (5) 을 광투과성 도전 필름 (9) 의 상면에 배치한다.
이로써, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 투명 기재 (2) 와, 보호층 (3) 과, 광투과성 도전층 (4) 과, EC 조광층 (5) 을 순서대로 구비하는 EC 조광 부재 (1) 가 얻어진다.
또한, 상기한 제조 방법을 롤 투 롤 방식으로 실시할 수 있다. 또, 일부 또는 전부를 배치 방식으로 실시할 수도 있다.
또, 광투과성 도전층 (4) 은, 필요에 따라, 에칭에 의해 배선 패턴 등의 패턴 형상으로 형성할 수도 있다.
14. 작용 효과
EC 조광 부재 (1) 에 의하면, 광투과성 도전층 (4) 의 표면 저항값이 낮아, 저저항이 우수하다. 그 때문에, EC 조광층 (5) 의 응답성 및 에너지 절약이 우수하다. 또, EC 조광 부재 (1) 의 내굴곡성이 우수하기 때문에, EC 조광 부재 (1) 를 굴곡시킨 경우라도, 광투과성 도전층 (4) 의 크랙의 발생을 억제할 수 있다. 그 때문에, EC 조광층 (5) 의 조광 기능의 저하를 억제할 수 있다.
또, 제 1 산화물층 (6) 및 제 2 산화물층 (8) 모두가 비정질막이면, EC 조광 부재 (1) 의 내굴곡성이 보다 한층 우수하다.
또, EC 조광 부재 (1) 에 사용되는 광투과성 도전 필름 (9) 에 의하면, 광투과성 도전층 (4) 의 표면 저항값이 낮아, 저저항이 우수하다. 그 때문에, 광투과성 도전 필름 (9) 의 표면에 배치되는 EC 조광층 (5) 의 응답성 및 에너지 절약을 향상시킬 수 있다. 또, 광투과성 도전 필름 (9) 의 내굴곡성이 우수하기 때문에, 광투과성 도전 필름 (9) 을 굴곡시킨 경우라도, 광투과성 도전층 (4) 의 크랙의 발생을 억제할 수 있다. 그 때문에, 광투과성 도전 필름 (9) 의 표면에 배치되는 EC 조광층 (5) 의 조광 기능의 저하를 억제할 수 있다.
또, 이 광투과성 도전 필름 (9) 에 의하면, 금속층 (7) 의 상면 및 하면에 제 1 산화물층 (6) 및 제 2 산화물층 (8) 을 구비하는 광투과성 도전층 (4) 을 구비하기 때문에, 광투과성 도전층 (4) 이, 대체로 가시광 반사율이 높은 금속층 (7) (구체적으로는, 예를 들어, 파장 550 ㎚ 의 반사율이 15 ％ 이상, 나아가서는 30 ％ 이상의 금속층 (7)) 을 포함하고 있어도 높은 가시광 투과율을 실현할 수 있다. 광투과성 도전 필름 (9) 의 가시광 투과율은, 예를 들어, 60 ％ 이상, 바람직하게는 80 ％ 이상, 보다 바람직하게는 85 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 95 ％ 이하이다. 이로써, 투명성이 우수하다.
또, 이 광투과성 도전 필름 (9) 에 의하면, 광투과성 도전층 (4) 에 근적외선 영역의 반사율이 높은 금속층 (7) (예를 들어, 은 또는 은 합금을 포함하는 금속층 (7)) 을 구비하기 때문에, 근적외선의 평균 반사율이 높아, 태양광 등의 열선을 효율적으로 차단할 수 있다. 그 때문에, 패널 온도가 상승하기 쉬운 환경 (예를 들어, 옥외, 창 등) 에서 사용되는 조광 장치에도 바람직하게 적용할 수 있다.
광투과성 도전 필름 (9) 의 근적외선 (파장 800 ㎚ 이상 1500 ㎚ 이하) 에 있어서의 평균 반사율은, 예를 들어, 10 ％ 이상, 바람직하게는 20 ％ 이상, 보다 바람직하게는 40 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 50 ％ 이상이고, 또, 예를 들어, 95 ％ 이하, 바람직하게는 90 ％ 이하이다.
광투과성 도전 필름 (9) 의 근적외선 (파장 800 ㎚ 이상 1500 ㎚ 이하) 에 있어서의 평균 투과율은, 예를 들어, 80 ％ 이하, 바람직하게는 60 ％ 이하, 보다 바람직하게는 50 ％ 이하, 더욱 바람직하게는 40 ％ 이하이고, 또, 예를 들어, 10 ％ 이상, 바람직하게는 20 ％ 이상이다.
15. 일렉트로크로믹 조광 소자
일렉트로크로믹 조광 소자 (13) (이하, EC 조광 소자라고도 한다) 는, 소정의 두께를 갖는 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 이루고, 두께 방향과 직교하는 소정 방향 (전후 방향 및 좌우 방향, 즉, 면 방향) 으로 연장되고, 평탄한 상면 및 평탄한 하면 (2 개의 주면) 을 갖는다. EC 조광 소자 (13) 는, 예를 들어, 조광 장치에 구비되는 조광 패널 등의 일부품으로, 요컨대, 조광 장치는 아니다. 즉, EC 조광 소자 (13) 는, 조광 장치 등을 제작하기 위한 부품이고, LED 등의 광원이나 외부 전원을 포함하지 않고, 부품 단독으로 유통되어, 산업상 이용 가능한 디바이스이다.
구체적으로는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, EC 조광 소자 (13) 는, EC 조광 부재 (1) 및 전극 기판 (상측 전극 기판) (15) 을 구비하는 적층 필름이다. 요컨대, EC 조광 소자 (13) 는, EC 조광 부재 (1) 와, EC 조광 부재 (1) 의 상측에 배치되는 전극 기판 (15) 을 구비한다. 바람직하게는, EC 조광 소자 (13) 는, EC 조광 부재 (1) 와, 전극 기판 (15) 만으로 이루어진다. 이하, 각 층에 대해 상세히 서술한다.
전극 기판 (15) 은, 바람직하게는, 상기 서술한 광투과성 도전 필름 (9) 이고, 순서대로, 광투과성 도전층 (4), 보호층 (3) 및 투명 기재 (2) 를 구비한다. 전극 기판 (15) 은, EC 조광 부재 (1) 의 상측에 배치되어 있다. 구체적으로는, 전극 기판 (15) 은, EC 조광층 (5) 의 상면 (하측의 광투과성 도전 필름 (9) 의 투명 기재 (2) 에 대하여 반대측의 표면) 의 전체면에, EC 조광층 (5) 의 상면과 광투과성 도전층 (4) 의 하면이 접촉하도록 배치되어 있다.
즉, EC 조광 소자 (13) 에서는, 2 장의 광투과성 도전 필름 (9) 이, 각각의 광투과성 도전층 (4) 이 EC 조광층 (5) 의 표면 (하면 또는 상면) 과 접촉하도록 대향 배치되어 있다.
EC 조광 소자 (13) 에 의하면, 광투과성 도전층 (4) 의 표면 저항값이 낮아, 저저항이 우수하다. 그 때문에, EC 조광층 (5) 의 응답성 및 에너지 절약이 우수하다. 또, EC 조광 소자 (13) 의 내굴곡성이 우수하기 때문에, EC 조광 소자 (13) 를 굴곡시킨 경우라도, 광투과성 도전층 (4) 의 크랙의 발생을 억제할 수 있다. 그 때문에, EC 조광층 (5) 의 조광 기능의 저하를 억제할 수 있다. 즉, EC 조광층 (5) 의 착색 또는 탈색시의 균일성의 저하를 억제하여, 색 불균일의 발생을 억제할 수 있다. 또, EC 조광 소자 (13) 는, 근적외선의 반사율이 양호하기 때문에, 차열성도 우수하다.
16. 변형예
변형예에 있어서, 상기한 실시형태와 동일한 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙여, 그 상세한 설명을 생략한다.
EC 조광 부재 (1) 의 일 실시형태에서는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 보호층 (3) 을 투명 기재 (2) 및 제 1 산화물층 (6) 사이에 개재시키고 있다. 그러나, 예를 들어, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 제 1 산화물층 (6) 을 투명 기재 (2) 의 상면에 직접 배치할 수도 있다. 요컨대, EC 조광 부재 (1) 는, 순서대로, 투명 기재 (2), 광투과성 도전층 (4) 및 EC 조광층 (5) 을 구비하고 있다. 한편, EC 조광 부재 (1) 는, 보호층 (3) 을 구비하고 있지 않다.
EC 조광 부재 (1) 의 일 실시형태에서는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 1 산화물층 (6) 을 보호층 (3) 의 상면에 직접 배치하고 있다. 그러나, 예를 들어, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 무기물층 (16) 을 보호층 (3) 및 제 1 산화물층 (6) 사이에 개재시킬 수도 있다.
무기물층 (16) 은, 보호층 (3) 과 함께, 광투과성 도전층 (4) 에 있어서의 배선 패턴의 시인을 억제하도록, EC 조광 부재 (1) 의 광학 물성을 조정하는 광학 조정층이다. 무기물층 (16) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 보호층 (3) 의 상면 전체면에, 보호층 (3) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다. 무기물층 (16) 은, 소정의 광학 물성을 갖고, 예를 들어, 산화물, 불화물 등의 무기물로 조제되어 있다. 무기물층 (16) 의 두께는, 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 5 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 10 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 80 ㎚ 이하, 바람직하게는 40 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 25 ㎚ 이하이다.
또한, 상기 변형예는, EC 조광 부재 (1) 에 대해 설명하였지만, 광투과성 도전 필름 (9) 및 EC 조광 소자 (13) 에 대해서도 동일하다.
또, EC 조광 소자 (13) 에서는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 상측 전극 기판 (15) 으로서, 본 발명의 광투과성 도전 필름 (9) 을 사용하고 있지만, 예를 들어, 도시하지 않지만, 상측 전극 기판 (15) 은, 투명 기재 (2) 와 단일 도전층으로 구성할 수도 있다. 단일 도전층으로는, 예를 들어, ITO 막 (결정질 ITO 막, 비정질 ITO 막), IGO 막, IGZO 막 등을 들 수 있다.
실시예
이하에 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은, 전혀 실시예 및 비교예에 한정되지 않는다. 또, 이하의 기재에 있어서 사용되는 배합 비율 (함유 비율), 물성값, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기 「발명을 실시하기 위한 형태」에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율 (함유 비율), 물성값, 파라미터 등 해당 기재의 상한값 (「이하」, 「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한값 (「이상」, 「초과」로서 정의되고 있는 수치) 으로 대체할 수 있다.
[광투과성 도전 필름]
실시예 1
(필름 기재의 준비, 및 보호층의 형성)
먼저, 장척상 (長尺狀) 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름으로 이루어지고, 두께가 50 ㎛ 인 투명 기재를 준비하였다.
이어서, 투명 기재의 상면에, 아크릴 수지로 이루어지는 자외선 경화성 수지를 도포하고, 자외선 조사에 의해 경화시켜, 경화 수지층으로 이루어지고, 두께가 2 ㎛ 인 보호층을 형성하였다. 이로써, 투명 기재와, 보호층을 구비하는 보호층이 형성된 투명 기재 롤을 얻었다.
(제 1 인듐계 도전성 산화물층의 형성)
이어서, 보호층이 형성된 투명 기재 롤을 진공 스퍼터 장치에 설치하고, 미반송시의 기압이 4 × 10-3 ㎩ 가 될 때까지 진공 배기하였다 (탈가스 처리). 이 때, 스퍼터링 가스 (Ar 및 O2) 를 도입하지 않은 상태에서, 보호층이 형성된 투명 기재의 일부를 반송하여, 2 × 10-2 ㎩ 까지 기압이 올라가는 것을 확인하였다. 이로써, 보호층이 형성된 투명 기재 롤에 충분한 양의 가스가 잔존하고 있는 것을 확인하였다.
이어서, 보호층이 형성된 투명 기재 롤을 풀어내면서, 경화 수지층의 상면에, 스퍼터링에 의해 비정질 ITO 로 이루어지고, 두께가 40 ㎚ 인 제 1 인듐계 도전성 산화물층을 형성하였다.
구체적으로는, Ar 및 O2 를 도입한 기압 0.3 ㎩ 의 진공 분위기하 (유량비는 Ar : O2 = 100 : 1.4) 에서, 직류 (DC) 전원을 사용하여, 12 질량％ 의 산화주석과 88 질량％ 의 산화인듐의 소결체로 이루어지는 타겟을 스퍼터링하였다.
또한, 스퍼터링에 의해 제 1 인듐계 도전성 산화물층을 형성할 때, 보호층이 형성된 투명 기재 롤의 하면 (구체적으로는, 투명 기재의 하면) 을, -5 ℃ 의 냉각 롤에 접촉시켜, 보호층이 형성된 투명 기재 롤을 냉각시켰다.
(금속층의 형성)
Ag-Cu 합금으로 이루어지고, 두께가 8 ㎚ 인 금속층을, 스퍼터링에 의해, 제 1 인듐계 도전성 산화물층의 상면에 형성하였다.
구체적으로는, Ar 을 도입한 기압 0.3 ㎩ 의 진공 분위기에서, 전원으로서 직류 (DC) 전원을 사용하고, Ag 합금 (미쓰비시 마테리알사 제조, 품번 「No. 317」) 을 스퍼터링하였다.
(제 2 인듐계 도전성 산화물층의 형성)
비정질 ITO 로 이루어지고, 두께가 38 ㎚ 인 제 2 인듐계 도전성 산화물층을, 금속층의 상면에 스퍼터링에 의해 형성하였다.
구체적으로는, Ar 및 O2 를 도입한 기압 0.4 ㎩ 의 진공 분위기하 (유량비는 Ar : O2 = 100 : 1.5) 에서, 직류 (DC) 전원을 사용하여, 12 질량％ 의 산화주석과 88 질량％ 의 산화인듐의 소결체로 이루어지는 타겟을 스퍼터링하였다.
이로써, 투명 기재 상에, 순서대로, 보호층, 제 1 인듐계 도전성 산화물층, 금속층 및 제 2 인듐계 도전성 산화물층이 형성된 광투과성 도전 필름을 얻었다 (도 2 참조).
실시예 2
실시예 1 에서 얻어진 광투과성 도전 필름을, 대기 분위기하에서 140 ℃, 30 분의 조건으로, 가열 공정을 실시하였다. 이로써, 광투과성 도전 필름의 일방향 (반송 방향) 을 각각 0.3 ％ 수축시켜, 실시예의 광투과성 도전 필름을 얻었다.
실시예 3 ∼ 7
금속층 또는 투명 기재의 두께를 표 1 에 기재한 두께로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 각 실시예의 광투과성 도전 필름을 얻었다.
실시예 8 ∼ 9
투명 기재의 재료를 표 1 에 기재한 재료 (COP : 시클로올레핀 폴리머, PC : 폴리카보네이트 수지) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 각 실시예의 광투과성 도전 필름을 얻었다.
비교예 1
제 1 인듐계 도전성 산화물층의 두께를 30 ㎚ 로 하고, 금속층 및 제 2 인듐계 도전성 산화물층을 형성하지 않았던 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 1 의 광투과성 도전 필름을 얻었다.
비교예 2
제 1 인듐계 도전성 산화물층의 두께를 100 ㎚ 로 하고, 금속층 및 제 2 인듐계 도전성 산화물층을 형성하지 않았던 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 2 의 광투과성 도전 필름을 얻었다.
비교예 3
제 1 인듐계 도전성 산화물층의 두께를 25 ㎚ 로 하고, 금속층 및 제 2 인듐계 도전성 산화물층을 형성하지 않았던 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 광투과성 도전 필름을 얻었다. 이어서, 이 광투과성 도전 필름을, 대기 분위기하에서 140 ℃, 60 분의 조건으로, 가열 공정을 실시하였다. 이로써, 광투과성 도전 필름의 일방향 (반송 방향) 을 0.3 ％ 수축시켜, 비교예 3 의 광투과성 도전 필름을 얻었다.
(측정)
(1) 두께
보호층, 제 1 인듐계 도전성 산화물층, 금속층 및 제 2 인듐계 도전성 산화물층의 두께를 투과형 전자 현미경 (히타치사 제조, HF-2000) 을 사용한 단면 관찰에 의해 측정하였다. 또, 투명 기재의 두께를 막후계 (Peacock 사 제조 디지털 다이얼 게이지 DG-205) 를 사용하여 측정하였다.
(2) 광투과성 도전층의 표면 저항값
JIS K 7194 (1994년) 의 4 탐침법에 준거하여, 광투과성 도전층의 초기의 표면 저항값 (R0) 을 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
(3) 내굴곡성 시험
각 실시예 및 각 비교예의 광투과성 도전 필름을 각각 폭 10 ㎜, 길이 150 ㎜ 로 절단하였다. 이 절단한 광투과성 도전 필름 (9) 을, 광투과성 도전층 (4) 이 외측이 되는 상태이고 투명 기재 (2) 가 맨드릴 (20) 과 접촉하는 상태가 되도록, 직경 5 ㎜ 의 맨드릴 (20) 상에 배치하였다. 계속해서, 광투과성 도전 필름 (9) 의 길이 방향의 양단을 클립 (21) 으로 고정하고, 그 클립 (21) 의 중앙에 500 g 의 추 (22) 를 장착하였다 (도 6 참조). 즉, 광투과성 도전 필름 (9) 의 폭에 대하여 50 g/㎜ 의 하중을 하측을 향해 인가하여, 광투과성 도전 필름 (9) 을 절곡하였다. 이 절곡 상태를 10 초간 지속시켰다.
절곡 후의 표면 저항값 (R1) 을 상기 4 탐침법과 동일하게 하여 측정하고, 계속해서, 초기의 표면 저항값 (R0) 과, 절곡 후의 표면 저항값 (R1) 의 비 (R1/R0) 를 계산하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
또, 맨드릴 (20) 의 직경을 변경하고, 상기와 동일한 방법 (도 6 참조) 으로 광투과성 도전 필름 (9) 을 절곡하여, R1/R0 가 1.05 를 초과하는 직경 (한계 직경) 을 구하였다. 구체적으로는, 맨드릴 (20) 의 직경을 대경에서 소경으로 1 ㎜ 마다 변경해 나가, R1/R0 가 1.05 를 초과하기 직전에 있어서의 맨드릴 (20) 의 직경을 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
(4) 가시광 투과율
헤이즈미터 (스가 시험기사 제조, 장치명 「HGM-2DP」) 를 사용하여, 광투과성 도전 필름의 전광선 투과율을 측정하고, 가시광 투과율로 하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
(5) 근적외선 평균 투과율, 근적외선 평균 반사율
분광 광도계 (히타치 계측기사 제조, 장치명 「U-4100」) 를 사용하여, 파장 800 ∼ 1500 ㎚ 에 있어서, 광투과성 도전 필름의 평균 투과율 및 평균 반사율을 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
[EC 조광 소자]
(실시예 1)
실시예 1 의 광투과성 도전 필름을 2 장 준비하고, 직경 5 ㎜ 의 맨드릴을 사용하여 상기와 동일한 방법 (도 6 참조) 으로 절곡하였다. 이들 필름을 각각 하측 전극 기판 및 상측 전극 기판으로 하였다.
EC 조광층 (제 1 일렉트로크로믹 화합물층/전해질층/제 2 일렉트로크로믹 화합물층의 적층체) 을 준비하였다. 각각의 광투과성 도전층이 EC 조광층의 표면 (상면 또는 하면) 과 접촉하도록, EC 조광층을 하측 전극 기판 및 상측 전극 기판 사이에 적층하여, 실시예 1 의 EC 조광 소자를 제조하였다 (도 3 참조).
또한, EC 조광층은, 그 제 1 EC 화합물층이 두께 200 ㎚ 의 WO3 막이고, 제 2 EC 화합물층이 두께 60 ㎚ 의 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술폰산) 막이었다. 또, 전해질층은, LiCF3SO3 을 아세토니트릴/탄산프로필렌 용매에 용해한 전해질액에 폴리메틸메타크릴레이트를 혼합하고, 건조시켜 이루어지는 전해질막 (두께 80 ㎛) 이었다.
(실시예 2 ∼ 9)
하측 전극 기판 및 상측 전극 기판의 각각에, 각 실시예의 광투과성 도전 필름을 사용한 것 이외에는, 상기와 동일하게 하여, 각 실시예의 EC 조광 소자를 제조하였다.
(비교예 1 ∼ 3)
하측 전극 기판 및 상측 전극 기판의 각각에, 각 비교예의 광투과성 도전 필름을 사용한 것 이외에는, 상기와 동일하게 하여, 각 비교예의 EC 조광 소자를 제조하였다.
(1) 착색 균일성 시험 (내굴곡성 시험)
각 실시예 및 각 비교예의 EC 조광 소자에 전류를 흘리고, 절곡부에 있어서의 EC 조광층의 색채의 변화를 확인하였다.
절곡부에 있어서, EC 조광층이 균일하게 변화한 경우를 ○ 로 평가하고, EC 조광층의 변화에 약간 불균일이 발생한 경우를 △ 로 평가하고, EC 조광층의 변화에 불균일이 발생한 경우를 × 로 평가하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
(2) 응답성 시험
광투과성 도전 필름에 대하여 맨드릴 절곡을 실시하지 않고, 상기와 동일하게 하여 각 실시예 및 각 비교예의 EC 조광 소자를 제조하였다. 각 EC 조광 소자에 전류를 흘리고, EC 조광층의 응답성을 측정한 결과, 광투과성 도전층의 표면 저항값이 낮음에 따라, 우수한 응답성을 나타낸 것을 확인하였다.
구체적으로는, 하기와 같이 평가하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
○ : 전압을 인가하고 나서 10 초 이내에, EC 조광 소자의 색이 변화하였다.
△ : 전압을 인가하고 나서 10 초 ∼ 1 분 동안에, EC 조광 소자의 색이 변화하였다.
× : 전압을 인가한 후 1 분을 초과해도, EC 조광 소자의 색에 변화가 없었다.
(3) 차열성 시험
광투과성 도전 필름에 대하여 맨드릴 절곡을 실시하지 않고, 상기와 동일하게 하여 각 실시예 및 각 비교예의 EC 조광 소자를 제조하였다. 각 EC 조광 소자의 착색시에 있어서의 차열성을 측정하였다. 구체적으로는, 착색시의 EC 조광 소자에 적외 램프를 조사하여, EC 조광 소자를 통과해 오는 열을 손으로 관능 평가하였다. 그 때, 뜨거움이 느껴지지 않았던 경우를 ○ 로 평가하고, 뜨거움이 약간 느껴진 경우를 △ 로 평가하고, 뜨거움이 확실하게 느껴진 경우를 × 로 평가하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
또한, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공하였지만, 이것은 단순한 예시에 불과하여, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 명백한 본 발명의 변형예는, 이후에 기재하는 청구범위에 포함된다.
산업상 이용가능성
본 발명의 일렉트로크로믹 조광 부재, 광투과성 도전 필름 및 일렉트로크로믹 조광 소자는, 각종 공업 제품에 적용할 수 있고, 예를 들어, 조광 패널 등의 조광 장치에 바람직하게 사용할 수 있다.
1 : 일렉트로크로믹 조광 부재
2 : 투명 기재
4 : 광투과성 도전층
5 : 일렉트로크로믹 조광층
6 : 제 1 인듐계 도전성 산화물층
7 : 금속층
8 : 제 2 인듐계 도전성 산화물층
9 : 광투과성 도전 필름
13 : 일렉트로크로믹 조광 소자
15 : 전극 기판
2 : 투명 기재
4 : 광투과성 도전층
5 : 일렉트로크로믹 조광층
6 : 제 1 인듐계 도전성 산화물층
7 : 금속층
8 : 제 2 인듐계 도전성 산화물층
9 : 광투과성 도전 필름
13 : 일렉트로크로믹 조광 소자
15 : 전극 기판
Claims (9)
- 투명 기재와, 광투과성 도전층과, 일렉트로크로믹 조광층을 순서대로 구비하고,
상기 광투과성 도전층은, 제 1 인듐계 도전성 산화물층과, 금속층과, 제 2 인듐계 도전성 산화물층을 순서대로 구비하는 것을 특징으로 하는 일렉트로크로믹 조광 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 광투과성 도전층의 표면 저항값이, 50 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 일렉트로크로믹 조광 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 광투과성 도전층의 800 ㎚ 이상 1500 ㎚ 이하에 있어서의 근적외선 평균 투과율이, 80 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 일렉트로크로믹 조광 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 광투과성 도전층의 800 ㎚ 이상 1500 ㎚ 이하에 있어서의 근적외선 평균 반사율이, 10 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 일렉트로크로믹 조광 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 광투과성 도전층은, 초기의 표면 저항값 (R0) 과, 상기 광투과성 도전층을 절곡한 후의 표면 저항값 (R1) 의 비 (R1/R0) 가, 1.05 이하인 것을 특징으로 하는 일렉트로크로믹 조광 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 투명 기재는, 가요성을 갖는 필름인 것을 특징으로 하는 일렉트로크로믹 조광 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 인듐계 도전성 산화물층 및 상기 제 2 인듐계 도전성 산화물층 모두가, 비정질막인 것을 특징으로 하는 일렉트로크로믹 조광 부재. - 제 1 항에 기재된 일렉트로크로믹 조광 부재에 사용하기 위한 광투과성 도전 필름으로서,
투명 기재와, 광투과성 도전층을 순서대로 구비하고,
상기 광투과성 도전층은, 제 1 인듐계 도전성 산화물층과, 금속층과, 제 2 인듐계 도전성 산화물층을 상기 투명 기재로부터 순서대로 구비하는 것을 특징으로 하는 광투과성 도전 필름. - 제 1 항에 기재된 일렉트로크로믹 조광 부재와,
상기 투명 기재에 대하여, 상기 일렉트로크로믹 조광층의 반대측의 표면에 형성되는 전극 기판을 구비하는 것을 특징으로 하는 일렉트로크로믹 조광 소자.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2016-074488 | 2016-04-01 | ||
| JP2016074488 | 2016-04-01 | ||
| JPJP-P-2017-063655 | 2017-03-28 | ||
| JP2017063655A JP6839581B2 (ja) | 2016-04-01 | 2017-03-28 | エレクトロクロミック調光部材、光透過性導電フィルムおよびエレクトロクロミック調光素子 |
| PCT/JP2017/013038 WO2017170757A1 (ja) | 2016-04-01 | 2017-03-29 | エレクトロクロミック調光部材、光透過性導電フィルムおよびエレクトロクロミック調光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180124873A true KR20180124873A (ko) | 2018-11-21 |
| KR102443755B1 KR102443755B1 (ko) | 2022-09-15 |
Family
ID=60045643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020187026892A KR102443755B1 (ko) | 2016-04-01 | 2017-03-29 | 일렉트로크로믹 조광 부재, 광투과성 도전 필름 및 일렉트로크로믹 조광 소자 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11460747B2 (ko) |
| EP (1) | EP3438734B1 (ko) |
| JP (1) | JP6839581B2 (ko) |
| KR (1) | KR102443755B1 (ko) |
| CN (1) | CN109073948A (ko) |
| TW (1) | TWI727027B (ko) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6997590B2 (ja) * | 2017-10-24 | 2022-01-17 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
| WO2019172133A1 (ja) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | シャープ株式会社 | エレクトロクロミック素子およびスマートウィンドウ |
| CN109613781A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-04-12 | 张玲 | 含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组 |
| CN110018580B (zh) * | 2019-05-14 | 2024-05-28 | 湖北锐尔圣科技有限公司 | 一种电动调光元件 |
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| CN113777842B (zh) * | 2020-06-10 | 2024-05-07 | Skc株式会社 | 柔性电致变色器件 |
| JP7327622B1 (ja) | 2022-10-31 | 2023-08-16 | 住友ベークライト株式会社 | エレクトロクロミックシートおよびエレクトロクロミック装置 |
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-
2017
- 2017-03-28 JP JP2017063655A patent/JP6839581B2/ja active Active
- 2017-03-29 CN CN201780022157.6A patent/CN109073948A/zh active Pending
- 2017-03-29 US US16/089,465 patent/US11460747B2/en active Active
- 2017-03-29 EP EP17775291.2A patent/EP3438734B1/en active Active
- 2017-03-29 KR KR1020187026892A patent/KR102443755B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-31 TW TW106111003A patent/TWI727027B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI727027B (zh) | 2021-05-11 |
| KR102443755B1 (ko) | 2022-09-15 |
| US11460747B2 (en) | 2022-10-04 |
| CN109073948A (zh) | 2018-12-21 |
| EP3438734B1 (en) | 2023-08-30 |
| TW201800820A (zh) | 2018-01-01 |
| EP3438734A4 (en) | 2019-10-30 |
| JP6839581B2 (ja) | 2021-03-10 |
| EP3438734A1 (en) | 2019-02-06 |
| JP2017187766A (ja) | 2017-10-12 |
| US20200301225A1 (en) | 2020-09-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |