CN109074906B - 透光性薄膜 - Google Patents

Abstract

透光性薄膜依次具备透明基材和透光性导电层，透光性导电层自透明基材侧起依次具备第1无机氧化物层、金属层、和第2无机氧化物层，第1无机氧化物层不含有晶粒，第2无机氧化物层含有晶粒。

Description

透光性薄膜

技术领域

本发明涉及透光性薄膜，详细而言，涉及适合用于光学用途的透光性薄膜。

背景技术

以往以来，已知具备透明导电层的透明导电性薄膜等透光性薄膜用于触摸面板等光学用途。

例如，提出了在玻璃基板上层叠有依次形成透明氧化物薄膜、银系薄膜及透明氧化物薄膜而成的导电层的透明导电膜(例如，参照专利文献1)。专利文献1的透明导电膜中，2层透明氧化导电膜均由包含氧化铟的混合氧化物形成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-176837号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1中，在2层透明氧化导电膜之间插入有银系薄膜，因此低电阻优异。另外，由于导电层为透明氧化物薄膜、银系薄膜及透明氧化物薄膜的3层结构，因此在对导电层进行图案化时，能够抑制经图案化的导电层(布线图案)的可视性。

但是，银系薄膜不耐湿热，即使银系薄膜的上表面及下表面被透明氧化物薄膜覆盖，银系薄膜也会腐蚀、变色。因此，透明导电膜的外观变不良。

本发明的目的在于提供低电阻及透明性优异、并且湿热耐久性优异的透光性薄膜。

用于解决问题的方案

本发明[1]包括一种透光性薄膜，其依次具备透明基材和透光性导电层，前述透光性导电层自前述透明基材侧起依次具备第1无机氧化物层、金属层、和第2无机氧化物层，前述第1无机氧化物层不含有晶粒，前述第2无机氧化物层含有晶粒。

本发明[2]包括[1]所述的透光性薄膜，其中，前述金属层为银层或银合金层。

本发明[3]包括[1]或[2]所述的透光性薄膜，其中，前述第1无机氧化物层及前述第2无机氧化物层均含有氧化铟。

本发明[4]包括[1]～[3]中任一项所述的透光性薄膜，其中，前述第1无机氧化物层及前述第2无机氧化物层均含有铟锡复合氧化物。

本发明[5]包括[1]～[4]中任一项所述的透光性薄膜，其中，前述第2无机氧化物层为具有非晶质部及结晶质部的半结晶膜。

本发明[6]包括[1]～[5]中任一项所述的透光性薄膜，其中，前述第2无机氧化物层含有在厚度方向不贯通前述第2无机氧化物层的晶粒。

本发明[7]包括[1]～[6]中任一项所述的透光性薄膜，其中，前述透光性导电层具有图案形状。

本发明[8]包括[7]所述的透光性薄膜，其中，还具备粘合剂层，所述粘合剂层相对于前述透明基材设置在前述透光性导电层的相反侧的表面。

发明的效果

根据本发明的透光性薄膜，低电阻及透明性优异，并且湿热耐久性优异，能够抑制由湿热导致的外观不良。

附图说明

图1示出第1实施方式的透光性薄膜的截面图。

图2中，图2A～B示出图1所示的透光性薄膜的局部放大图。图2A示出第2无机氧化物层为完全结晶膜时的示意图。图2B示出第2无机氧化物层为半结晶膜时的示意图。

图3示出图1所示的透光性薄膜中透光性导电层具有图案形状时的截面图。

图4示出第2实施方式的透光性薄膜的截面图。

图5示出作为第1实施方式的透光性薄膜的变形例的在透明基材的上表面直接配置有第1无机氧化物层的透光性薄膜的截面图。

图6示出作为第1实施方式的透光性薄膜的变形例的在保护层及第1无机氧化物层之插入有光学调整层的透光性薄膜的截面图。

具体实施方式

[第1实施方式]

参照图1，对本发明的第1实施方式的透光性薄膜1进行说明。

在图1中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向、第1方向)，纸面上侧为上侧(厚度方向的一侧、第1方向的一侧)、纸面下侧为下侧(厚度方向的另一侧、第1方向的另一侧)。在图1中，纸面左右方向为左右方向(宽度方向、与第1方向正交的第2方向)，纸面左侧为左侧(第2方向的一侧)，纸面右侧为右侧(第2方向的另一侧)。在图1中，纸厚方向为前后方向(与第1方向及第2方向正交的第3方向)，纸面的面前一侧为前侧(第3方向的一侧)、纸面后侧为后侧(第3方向的另一侧)。具体而言，依据各图的方向箭头。

1.透光性薄膜

透光性薄膜1形成具有规定的厚度的薄膜形状(包含片形状)，沿与厚度方向正交的规定方向(前后方向及左右方向、即面方向)延伸，具有平坦的上表面及平坦的下表面(2个主表面)。透光性薄膜1例如为包含于光学装置(例如，图像显示装置、调光装置)中的触摸面板用基材、红外线反射用基材、调光面板等的一个部件，即，不是光学装置。即，透光性薄膜1为用于制作光学装置等的部件，为能不含LCD模块等图像显示元件、LED等光源地单独流通、并在产业上利用的器件。另外，透光性薄膜1为使可见光透过的薄膜，包含透明导电性薄膜。

具体而言，如图1所示，第1实施方式的透光性薄膜1为依次具备透明基材2、保护层3、和透光性导电层4的透光性层叠薄膜。即，透光性薄膜1具备透明基材2、配置于透明基材2的上侧的保护层3、和配置于保护层3的上侧的透光性导电层4。优选透光性薄膜1仅包含透明基材2、保护层3、和透光性导电层4。以下，对各层进行详细叙述。

2.透明基材

透明基材2为透光性薄膜1的最下层，为用于确保透光性薄膜1的机械强度的支撑材料。透明基材2与保护层3一起支撑透光性导电层4。

透明基材2例如包含高分子薄膜。

高分子薄膜具有透明性及挠性。作为高分子薄膜的材料，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)、例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物等烯烃树脂、例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂、降冰片烯树脂等。这些高分子薄膜可以单独使用或组合使用2种以上。从透明性、耐热性、机械特性等观点出发，优选可列举出烯烃树脂、聚酯树脂等，更优选可列举出环烯烃聚合物、PET等。

透明基材2的厚度例如为2μm以上，优选为20μm以上，另外，例如为300μm以下，优选为200μm以下、更优选为150μm以下。

另外，从保持第1无机氧化物层5的非晶性的观点出发，透明基材2优选含有微量的水。即，透明基材2中，优选高分子薄膜含有水。

3.保护层

保护层3为用于使透光性导电层4的上表面不易产生擦伤(即，获得优异的耐擦伤性)的擦伤保护层。另外，保护层3也是为了在参照图3那样在之后的工序中使透光性导电层4形成为布线图案等图案形状后，不识别到非图案部9与图案部10的差异(即，为了抑制布线图案的可视性)而对透光性薄膜1的光学物性进行调整的光学调整层。

保护层3具有薄膜形状(包含片形状)，以接触透明基材2的上表面的方式配置于透明基材2的上表面整面。

保护层3由树脂组合物形成。

树脂组合物含有例如树脂、颗粒等。树脂组合物优选含有树脂，更优选仅包含树脂。

作为树脂，可列举出固化性树脂、热塑性树脂(例如，聚烯烃树脂)等，优选可列举出固化性树脂。

作为固化性树脂，例如可列举出通过活性能量射线(具体而言，紫外线、电子束等)的照射发生固化的活性能量射线固化性树脂、例如通过加热发生固化的热固化性树脂等，优选可列举出活性能量射线固化性树脂。

活性能量射线固化性树脂例如可列举出分子中含有具有聚合性碳-碳双键的官能团的聚合物。作为这样的官能团，例如可列举出乙烯基、(甲基)丙烯酰基(甲基丙烯酰基和/或丙烯酰基)等。

作为活性能量射线固化性树脂，例如，可列举出侧链含有官能团的(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)等。

这些树脂可以单独使用或组合使用2种以上。

作为颗粒，例如可列举出无机颗粒、有机颗粒等。作为无机颗粒，例如可列举出二氧化硅颗粒、例如包含氧化锆、氧化钛等的金属氧化物颗粒、例如碳酸钙等碳酸盐颗粒等。作为有机颗粒，例如可列举出交联丙烯酸类树脂颗粒等。

保护层3的厚度例如为0.1μm以上，优选为1μm以上，另外例如为10μm以下，优选为5μm以下。保护层3的厚度例如通过基于透射型电子显微镜(TEM)的截面观察来测定。

4.透光性导电层

透光性导电层4为导电层，为用于参照图3那样在之后的工序中形成为布线图案从而形成图案部10的导电层。另外，透光性导电层4也为透明导电层。

如图1所示，透光性导电层4为透光性薄膜1的最上层，具有薄膜形状(包含片形状)，以接触保护层3的上表面的方式配置于保护层3的上表面整面。

透光性导电层4依次具备第1无机氧化物层5、金属层6、和第2无机氧化物层7。即，透光性导电层4具备：配置于保护层3的上侧的第1无机氧化物层5、配置于第1无机氧化物层5的上侧的金属层6、和配置于金属层6的上侧的第2无机氧化物层7。另外，透光性导电层4优选仅包含第1无机氧化物层5、金属层6、和第2无机氧化物层7。

5.第1无机氧化物层

第1无机氧化物层5为防止源自透明基材2中含有的水的氢、源自保护层3中含有的有机物的碳侵入至金属层6的阻挡层。进而，第1无机氧化物层5也为用于与后述的第2无机氧化物层7一起抑制金属层6的可见光反射率、提高透光性导电层4的可见光透过率的光学调整层。第1无机氧化物层5优选为与后述的金属层6一起对透光性导电层4赋予导电性的导电层，更优选为透明导电层。

第1无机氧化物层5为透光性导电层4中的最下层，具有薄膜形状(包含片形状)，以接触保护层3的上表面的方式配置于保护层3的上表面整面。

作为形成第1无机氧化物层5的无机氧化物，例如可列举出由选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr组成的组中的至少1种金属形成的金属氧化物等。金属氧化物中根据需要还可以掺杂上述组中所示的金属原子。

作为无机氧化物，从降低表面电阻值的观点及确保优异的透明性的观点出发，优选可列举出含氧化铟的氧化物(含氧化铟氧化物)。

含氧化铟氧化物可以仅含有铟(In)作为金属元素，另外，也可以含有除铟(In)以外的(半)金属元素。含氧化铟氧化物优选的是主金属元素为铟(In)。主金属元素为铟的含氧化铟氧化物具有优异的阻挡功能、容易适当地抑制由水等的影响导致的金属层6的腐蚀。

含氧化铟氧化物通过含有单一或多种(半)金属元素作为杂质元素，能够更加提高导电性、透明性、耐久性。第1无机氧化物层5中的、杂质金属元素的含有原子数相对于主金属元素In的原子数的比(杂质金属元素的原子数/In的原子数)例如为不足0.50，优选为0.40以下、更优选为0.30以下、进一步优选为0.20以下，另外，例如为0.01以上，优选为0.05以上、更优选为0.10以上。由此，可得到透明性、湿热耐久性优异的无机氧化物层。

作为含氧化铟氧化物，具体而言，例如，可列举出铟锌复合氧化物(IZO)、铟镓复合氧化物(IGO)、铟镓锌复合氧化物(IGZO)、铟锡复合氧化物(ITO)，更优选可列举出铟锡复合氧化物(ITO)。本说明书中的“ITO”只要为至少包含铟(In)和锡(Sn)的复合氧化物即可，可以含有除它们以外的追加成分。作为追加成分，例如可列举出除In、Sn以外的金属元素，例如，可列举出上述组中所示的金属元素及它们的组合。追加成分的含量没有特别限制，例如，为5质量％以下。

ITO中含有的氧化锡(SnO₂)的含量相对于氧化锡及氧化铟(In₂O₃)的合计量例如为0.5质量％以上，优选为3质量％以上、更优选为6质量％以上、进一步优选为8质量％以上、特别优选为10质量％以上，另外，例如为35质量％以下，优选为20质量％以下、更优选为15质量％以下、进一步优选为13质量％以下。氧化铟的含量(In₂O₃)为氧化锡(SnO₂)的含量的剩余部分。通过将ITO中含有的氧化锡(SnO₂)的含量设为上述范围，从而能够调整ITO膜的结晶度。特别是通过增多ITO膜内的氧化锡的含量，能够抑制由加热导致的ITO膜的完全结晶化，从而得到半结晶膜。

ITO中含有的、Sn相对于In的原子数比Sn/In例如为0.004以上，优选为0.02以上、更优选为0.03以上、进一步优选为0.04以上、特别优选为0.05以上，另外，例如为0.4以下，优选为0.3以下、更优选为0.2以下、进一步优选为0.10以下。Sn相对于In的原子数比可以通过X射线光电子能谱法(ESCA：Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)来求出。通过将In与Sn的原子数比设为上述范围，从而容易得到环境可靠性优异的膜质。

第1无机氧化物层5不含有晶粒。即，第1无机氧化物层5为非晶质。由此，能够提高第1无机氧化物层5表面的润湿性，从而更可靠地使后述的金属层6薄且均匀地成膜在第1无机氧化物层5的上表面。因此，能够使透光性导电层4的膜质良好，提高湿热耐久性。

本发明中，“不含有晶粒”是指，用200,000倍下的截面TEM图像观察第1无机氧化物层5时，在与厚度方向正交的面方向(左右方向或前后方向)500nm的范围内未观察到晶粒。

第1无机氧化物层5中的无机氧化物的含有比例例如为95质量％以上，优选为98质量％以上、更优选为99质量％以上、另外，例如为100质量％以下。

第1无机氧化物层5的厚度T1例如为5nm以上，优选为20nm以上、更优选为30nm以上，另外，例如为100nm以下，优选为60nm以下、更优选为50nm以下。第1无机氧化物层5的厚度T1为上述范围时，容易以高水准调整透光性导电层4的可见光透过率。第1无机氧化物层5的厚度T1例如通过基于透射型电子显微镜(TEM)的截面观察来测定。

6.金属层

金属层6为与第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7一起对透光性导电层4赋予导电性的导电层。另外，金属层6也为减小透光性导电层4的表面电阻值的低电阻化层。另外，金属层6也优选为用于赋予高红外线反射率(特别是近红外线的平均反射率)的红外线反射层。

金属层6具有薄膜形状(包含片形状)，以接触第1无机氧化物层5的上表面的方式配置于第1无机氧化物层5的上表面。

形成金属层6的金属只要为表面电阻小的金属，就没有限定，例如可列举出包含选自由Ti、Si、Nb、In、Zn、Sn、Au、Ag、Cu、Al、Co、Cr、Ni、Pb、Pd、Pt、Cu、Ge、Ru、Nd、Mg、Ca、Na、W、Zr、Ta及Hf组成的组中的1种金属、或、含有它们中的2种以上金属的合金。

作为金属，优选可列举出银(Ag)、银合金，更优选可列举出银合金。金属为银或银合金时，能够减小透光性导电层4的电阻值，而且可得到近红外线区域(波长850～2500nm)的平均反射率特别高的透光性导电层4，也能够适合应用于在室外使用的图像质量显示装置用途。

银合金含有银作为主成分、含有其它金属作为副成分。副成分的金属元素没有限定。作为银合金，例如，可列举出Ag-Cu合金、Ag-Pd合金、Ag-Pd-Cu合金、Ag-Pd-Cu-Ge合金、Ag-Cu-Au合金、Ag-Cu-In合金、Ag-Cu-Sn合金、Ag-Ru-Cu合金、Ag-Ru-Au合金、Ag-Nd合金、Ag-Mg合金、Ag-Ca合金、Ag-Na合金、Ag-Ni合金、Ag-Ti合金、Ag-In合金、Ag-Sn合金等。从湿热耐久性的观点出发，作为银合金，优选可列举出Ag-Cu合金、Ag-Cu-In合金、Ag-Cu-Sn合金、Ag-Pd合金、Ag-Pd-Cu合金等。

银合金中的银的含有比例例如为80质量％以上，优选为90质量％以上、更优选为95质量％以上，另外，例如为99.9质量％以下。银合金中的其它金属的含有比例为上述银的含有比例的剩余部分。

对于金属层6的厚度T3，从提高透光性导电层4的透过率的观点出发，例如为1nm以上，优选为5nm以上，另外，例如为20nm以下，优选为10nm以下。金属层6的厚度T3例如通过基于透射型电子显微镜(TEM)的截面观察来测定。

7.第2无机氧化物层

第2无机氧化物层7为防止外部的氧、水分等侵入至金属层6的阻挡层，特别是为抑制由湿热导致的金属层6的变色的阻挡层。另外，第2无机氧化物层7也为用于抑制金属层6的可见光反射率、提高透光性导电层4的可见光透过率的光学调整层。第2无机氧化物层7优选为与金属层6一起对透光性导电层4赋予导电性的导电层，更优选为透明导电层。

第2无机氧化物层7为透光性导电层4中的最上层，具有薄膜形状(包含片形状)，以接触金属层6的上表面的方式配置于金属层6的上表面整面。

形成第2无机氧化物层7的无机氧化物可列举出第1无机氧化物层5中例示出的无机氧化物，优选可列举出含氧化铟氧化物，更优选可列举出主金属元素为铟(In)的含氧化铟氧化物，进一步优选可列举出ITO。

形成第2无机氧化物层7的无机氧化物与形成第1无机氧化物层5的无机氧化物可以相同或不同，从蚀刻性、湿热耐久性的观点出发，优选为与第1无机氧化物层5相同的无机氧化物。

第2无机氧化物层7含有含氧化铟氧化物的情况下，第2无机氧化物层7中的、杂质金属元素的含有原子数相对于主金属元素In的原子数的比(杂质金属元素的原子数/In的原子数)与第1无机氧化物层5中的“杂质金属元素的原子数/In的原子数”相同或为其以上(例如，0.001以上)。

第2无机氧化物层7包含ITO的情况下，ITO中含有的氧化锡(SnO₂)的含量及Sn相对于In的原子数比与第1无机氧化物层5同样。

第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7均包含ITO的情况下，第2无机氧化物层7中含有的氧化锡(SnO₂)的含量优选与第1无机氧化物层5中含有的氧化锡(SnO₂)的含量相同或为其以上(例如，0.1质量％以上)。另外，第2无机氧化物层7中含有的Sn相对于In的原子数比Sn/In优选与第1无机氧化物层5中含有的Sn相对于In的原子数比相同或为其以上(具体而言，0.001以上)。第2无机氧化物层7接触大气而容易氧化，与第1无机氧化物层5相比容易结晶化，因此通过使第2无机氧化物层7中的、氧化锡(SnO₂)的含量或Sn相对于In的原子数比与第1无机氧化物层5中的氧化锡(SnO₂)的含量或Sn相对于In的原子数比相同或为其以上，容易控制第2无机氧化物层7的结晶度。

第2无机氧化物层7中的无机氧化物的含有比例例如为95质量％以上，优选为98质量％以上、更优选为99质量％以上，另外，例如为100质量％以下。

第2无机氧化物层7含有晶粒11(参照图2A或图2B)。由此，晶粒11的膜结构稳定，不易使水透过，因此能够抑制来自外部的水穿过第2无机氧化物层7而侵入至金属层6。因此，能够使透光性导电层4的湿热耐久性良好。

具体而言，第2无机氧化物层7为结晶膜。作为结晶膜，例如可以为如图2A所示在侧截面图(特别是截面TEM图像)中、在面方向整体连续地含有晶粒11的完全结晶膜，另外，可以为如图2B所示含有非晶质部12(未结晶化的部分)及结晶质部13(即，由晶粒11构成的部分)的半结晶膜。从能够含有后述的第2晶粒11b、湿热耐久性更优异的观点出发，优选可列举出半结晶膜。

本发明中，“含有晶粒”是指，用200,000倍下的截面TEM图像观察第2无机氧化物层7时，在面方向500nm的范围内具有至少1个以上晶粒11。在上述范围中，晶粒11的数量优选为2以上、更优选为3以上、进一步优选为5以上，另外，优选具有50以下、更优选40以下、进一步优选30以下的晶粒11。

另外，用100,000倍下的平面TEM图像观察第2无机氧化物层7的上表面的情况下，晶粒11所占的面积比例例如为5％以上，优选为10％以上、更优选为20％以上，另外，例如为100％以下，优选为90％以下、更优选为80％以下、进一步优选为70％以下、特别优选为60％以下。

需要说明的是，用平面TEM图像算出晶粒所占的面积比例时，在前述记载的条件下确认第1无机氧化物层5的截面TEM图像，确认在第1无机氧化物层5内不存在晶粒后，对平面TEM图像进行观察。有时仅通过平面TEM图像难以判断是存在于第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7中哪一层中的晶粒。因此，本发明中，用截面TEM图像确认在第1无机氧化物层5中不存在晶粒后，对平面TEM图像进行观察，由此判断为能够观察第2无机氧化物层7的晶粒11。

第2无机氧化物层7中所含的晶粒11的大小例如为3nm以上，优选为5nm以上、更优选为10nm以上，例如为200nm以下、优选为100nm以下、更优选为80nm以下、进一步优选为50nm以下。在第2无机氧化物层7的观察面积内，可以包含上述范围以外的晶粒，其面积比例优选为30％以下，更优选为20％以下。更优选的是，第2无机氧化物层7中所含的晶粒11全部由上述范围大小的晶粒形成。晶粒10的大小是在用200,000倍下的截面TEM图像观察第2无机氧化物层7时各晶粒11可采取的长度的最大值。

第2无机氧化物层7中所含的晶粒11中最大的晶粒11(最大晶粒)的大小例如为10nm以上，优选为20nm以上，另外，例如为200nm以下，优选为100nm以下。

晶粒的形状没有限定，例如可列举出剖视大致三角形状、剖视大致矩形状等。

作为晶粒11，可列举出在厚度方向贯通第2无机氧化物层7的第1晶粒11a、及在厚度方向不贯通第2无机氧化物层7的第2晶粒11b。

第1晶粒11a为以其上端从第2无机氧化物层7的上表面露出、并且其下端从第2无机氧化物层7的下表面露出的方式生长而成的晶粒。第1晶粒11a的厚度方向长度与第2无机氧化物层7的厚度相同。

第2晶粒11b为以其上端及下端中至少一端不从第2无机氧化物层7的表面(上表面或下表面)露出的方式生长而成的晶粒。第2晶粒11b优选以其上端从第2无机氧化物层7的上表面露出、并且其下端不从第2无机氧化物层7的下表面露出的方式形成。

第2晶粒11b的厚度方向长度的平均值比第2无机氧化物层7的厚度(T2)短，例如，相对于第2无机氧化物层7的厚度100％，例如为98％以下，优选为90％以下、更优选为80％以下，另外，例如为5％以上、优选为10％以上、更优选为20％以上。

第2无机氧化物层7优选具有第2晶粒11b。由此，晶粒11的晶界在厚度方向未贯通，因此能够抑制水沿着晶界在厚度方向穿过第2无机氧化物层7。

第1晶粒11a的数量例如为0以上，优选为1以上，另外，例如为30以下，优选为10以下。

第2晶粒11b的数量优选比第1晶粒11a的数量多，具体而言，优选为1以上、更优选为2以上、进一步优选为3以上，另外，优选为50以下、更优选为40以下、进一步优选为30以下。

第2无机氧化物层7的厚度T2例如为5nm以上，优选为20nm以上、进一步优选为30nm以上，另外，例如为100nm以下、优选为60nm以下、更优选为为50nm以下。第2无机氧化物层7的厚度T2为上述范围时，容易以高水准调整透光性导电层4的可见光透过率。第2无机氧化物层7的厚度T2例如通过基于透射型电子显微镜(TEM)的截面观察来测定。

第2无机氧化物层7的厚度T2相对于第1无机氧化物层5的厚度T1的比(T2/T1)例如为0.5以上，优选为0.75以上、另外，例如为1.5以下，优选为1.25以下。比(T2/T1)为上述下限以上并且为上述上限以下时，即使在湿热环境下也能够更加抑制金属层6的劣化。

第2无机氧化物层7的厚度T2相对于金属层6的厚度T3的比(T2/T3)例如为2.0以上，优选为3.0以上，另外，例如为10以下，优选为8.0以下。

而且，透光性导电层4的厚度、即第1无机氧化物层5、金属层6及第2无机氧化物层7的总厚度例如为20nm以上，优选为40nm以上、更优选为60nm以上、进一步优选为80nm以上，另外，例如为150nm以下、优选为120nm以下、更优选为100nm以下。

另外，透光性导电层4如图3所示，可以进行了图案化。即，透光性导电层4可以具有布线图案等图案形状。

图案形状具有非图案部9及图案部10。图案部10形成为条纹形状等，例如，在前后方向延伸，在左右方向彼此隔开间隔(非图案部9)地排列配置多个。非图案部9由邻接的图案部10的侧面及保护层3的上表面划分。各图案部10的宽度L例如为1μm以上且3000μm以下。邻接的图案部10的间隔S(即，非图案部9的宽度)例如为1μm以上且3000μm以下。

8.透光性薄膜的制造方法

接着，对制造透光性薄膜1的方法进行说明。

制造透光性薄膜1时，例如，在透明基材2上将保护层3、第1无机氧化物层5、金属层6、和第2无机氧化物层7按照上述顺序配置(层叠)。

该方法中，参照图1那样，首先，准备透明基材2。

准备的透明基材2(高分子薄膜)中的水分量没有限定，例如为10μg/cm²以上，优选为15μg/cm²以上，另外，例如为200μg/cm²以下，优选为170μg/cm²以下。水分量为上述下限以上时，会对第1无机氧化物层5赋予氢原子等，抑制因后述的加热而使第1无机氧化物层5结晶化，由此容易维持第1无机氧化物层5的非晶性。另外，水分量为上述上限以下时，通过加热工序等，能够可靠地得到含有晶粒11的第2无机氧化物层7。透明基材2中的水分量依据JIS K7251(2002年)B法-水分气化法来测定。

另外，透明基材2(高分子薄膜)中含有的水相对于透明基材2的含量例如为0.05质量％以上，优选为0.1质量％以上，另外，例如为1.5质量％以下，优选为1.0质量％以下、更优选为0.5质量％以下。

需要说明的是，上述水的一部分或全部在后面说明的脱气处理中被排出到外部。

接着，通过例如湿法将树脂组合物配置于透明基材2的上表面。

具体而言，首先，将树脂组合物涂布于透明基材2的上表面。然后，在树脂组合物含有活性能量射线固化性树脂的情况下，照射活性能量射线。

由此，在透明基材2的上表面整面形成薄膜形状的保护层3。即，得到具备透明基材2和保护层3的带保护层的透明基材14。

然后，根据需要，对带保护层的透明基材14进行脱气处理。

为了对带保护层的透明基材14进行脱气处理，将带保护层的透明基材14放置在例如1×10^-1Pa以下、优选1×10^-2Pa以下、另外例如1×10^-6Pa以上的减压气氛下。脱气处理例如使用包含于干法装置的排气装置(具体而言，涡轮分子泵等)来实施。

通过该脱气处理，透明基材2中含有的水的一部分、保护层3中含有的有机物的一部分被排出到外部。

接着，通过例如干法将透光性导电层4配置于保护层3的上表面。

具体而言，通过干法依次配置第1无机氧化物层5、金属层6及第2无机氧化物层7。

作为干法，例如，可列举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等。优选可列举出溅射法。具体而言，可列举出磁控溅射法。

作为溅射法中使用的气体，例如，可列举出Ar等非活性气体。另外，根据需要，可以组合使用氧等反应性气体。在组合使用反应性气体的情况下，反应性气体的流量比没有特别限定，反应性气体的流量相对于非活性气体的流量的比例如为0.1/100以上，优选为1/100以上，另外，例如为5/100以下。

具体而言，在第1无机氧化物层5的形成中，作为气体，优选组合使用非活性气体及反应性气体。在金属层6的形成中，作为气体，优选单独使用非活性气体。在第2无机氧化物层7的形成中，作为气体，优选组合使用非活性气体及反应性气体。

第1无机氧化物层5、第2无机氧化物层7含有氧化铟的情况下，各层的电阻行为依赖于反应性气体的导入量而发生变化，在反应性气体导入量(x轴)-表面电阻值(y轴)的曲线图中，绘制出向下凸的抛物线。此时，第1无机氧化物层5、第2无机氧化物层7所含有的反应性气体的量优选为电阻值成为最小值(即，抛物线的拐点)附近的导入量，具体而言，优选为电阻值成为最小值的导入量±20％的导入量。

采用溅射法的情况下，作为靶材，可列举出构成各层的上述的无机氧化物或金属。

溅射法中使用的电源没有限定，例如可列举出DC电源、MF/AC电源及RF电源的单独使用或组合使用，优选可列举出DC电源。

另外，优选在通过溅射法形成第1无机氧化物层5时对透明基材2(及保护层3)进行冷却。具体而言，使透明基材2的下表面接触冷却装置(例如，冷却辊)等，对透明基材2(及保护层3)进行冷却。由此，能够抑制如下的现象：在形成第1无机氧化物层5时，由于通过溅射产生的蒸镀热等，透明基材2中含有的水及保护层3中含有的有机物被大量排出，在第1无机氧化物层5中过剩地含有水。冷却温度例如为-30℃以上，优选为-10℃以上，另外，例如为60℃以下，优选为40℃以下、更优选为30℃以下、进一步优选为20℃以下、特别优选为不足0℃。另外，优选的是，第1无机氧化物层5、金属层6及第2无机氧化物层7均边在上述温度范围中冷却边溅射形成。由此，能够抑制金属层6的凝聚、第2无机氧化物层7的过度氧化。

由此，在保护层3上形成依次形成有第1无机氧化物层5、金属层6及第2无机氧化物层7的透光性导电层4，得到透光性导电层层叠体。此时，刚刚成膜后(例如，透光性导电层层叠体形成后24小时以内)的第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7均不含有晶粒11。

接着，实施使第2无机氧化物层7产生晶粒11的结晶化工序。结晶化工序只要能够形成晶粒11就没有限定，例如，可列举出加热工序。即，对透光性导电层层叠体进行加热。

需要说明的是，加热工序不仅是以产生上述晶粒11为目的的加热，也可以是伴随透光性导电层层叠体的卷曲去除、银糊布线的干燥形成等而附随实施的加热。

加热温度可以适宜设定，例如为30℃以上，优选为40℃以上、更优选为80℃以上，另外，例如为180℃以下，优选为150℃以下。

加热时间没有限定，根据加热温度来设定，例如为1分钟以上，优选为10分钟以上、更优选为30分钟以上，另外，例如为4000小时以下，优选为100小时以下。

加热可以在大气气氛下、非活性气氛下、真空下中的任意条件下实施，从使结晶化容易的观点出发，优选在大气气氛下实施。

通过该加热工序，第2无机氧化物层7发生结晶化，在第2无机氧化物层7内存在晶粒11。特别是，对于第2无机氧化物层7，由于插入至透明基材2与第2无机氧化物层7之间的金属层6会阻挡阻碍结晶化的来自透明基材2的水、来自保护层3的有机物，并且通过在加热工序时露出而容易吸收结晶化所需的氧，因此第2无机氧化物层7能够容易结晶化。需要说明的是，对于第1无机氧化物层5，由于水、有机物的影响大，另外，不易吸收氧，因此会阻碍晶粒11的成长，维持非晶性。

由此，如图1所示，得到依次具备透明基材2、保护层3、和透光性导电层4(第1无机氧化物层5、金属层6及第2无机氧化物层7)，且仅第2无机氧化物层7含有晶粒11的透光性薄膜1。

透光性导电层4的表面电阻值例如为40Ω/□以下，优选为30Ω/□以下、更优选为20Ω/□以下、进一步优选为15Ω/□以下，另外，例如为0.1Ω/□以上，优选为1Ω/□以上、更优选为5Ω/□以上。

透光性导电层4的电阻率例如为2.5×10^-4Ω·cm以下，优选为2.0×10^-4Ω·cm以下、更优选为1.1×10^-4Ω·cm以下，另外，例如为0.01×10^-4Ω·cm以上、优选为0.1×10^-4Ω·cm以上、更优选为0.5×10^-4Ω·cm以上。

透光性导电层4的电阻率使用透光性导电层4的厚度(第1无机氧化物层、金属层6、第2无机氧化物层7的总厚度)和透光性导电层4的表面电阻值来算出。

另外，透光性导电层4优选具备近红外线(波长850～2500nm)的平均反射率高、例如近红外线区域的反射率高的金属层6(例如，包含银或银合金的金属层6)。透光性导电层4例如与包含导电性氧化物(例如，ITO等)的透明无机氧化物相比，近红外线的平均反射率高，能够有效地遮挡太阳光等热射线。因此，也可以适当地应用于在面板温度容易上升的环境(例如，室外等)中使用的图像显示装置。透光性导电层4的近红外线(波长850～2500nm)的平均反射率例如为10％以上，优选为20％以上、更优选为50％以上，另外，例如为95％以下，优选为90％以下。

透光性薄膜1由于具备在金属层6的上表面及下表面具备光学调整层(第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7)的透光性导电层4，因此透光性导电层4一般即使包含可见光反射率高的金属层6(具体而言，例如，波长550nm下的反射率为15％以上、进而30％以上的金属层6)，也能实现高的可见光透过率。透光性薄膜1的可见光透过率例如为60％以上，优选为80％以上、更优选为85％以上，另外，例如为95％以下。

透光性薄膜1的总厚度例如为2μm以上，优选为20μm以上，另外，例如，为300μm以下，优选为200μm以下、更优选为150μm以下。

接着，使透光性导电层4形成图案形状的情况下，通过蚀刻对透光性导电层4进行图案化。

具体而言，首先，将感光性薄膜配置于第2无机氧化物层7的上表面整面，接着，隔着具有与非图案部9及图案部10相对应的图案的光掩模进行曝光，然后进行显影，由此去除与非图案部9相对应的感光性薄膜。由此，在形成图案部10的透光性导电层4的上表面形成具有与图案部相同图案的抗蚀层。然后，使用蚀刻液对从抗蚀层露出的透光性导电层4进行蚀刻。作为蚀刻液，例如可列举出盐酸、硫酸、硝酸、乙酸、草酸、磷酸及它们的混酸等酸。

然后，通过例如剥离等从第2无机氧化物层7的上表面将抗蚀层去除。

由此，如图3所示，得到依次具备透明基材2、保护层3、和具有图案形状的透光性导电层4的透光性薄膜1(图案化透光性薄膜)。

需要说明的是，可以以卷对卷方式实施上述制造方法。另外，也可以以分批方式实施一部分或全部。

然后，透光性薄膜1例如包含于光学装置中。作为光学装置，例如可列举出图像显示装置、调光装置等。

图像显示装置(具体而言，具有LCD模块等图像显示元件的图像显示装置)中包含透光性薄膜1的情况下，透光性薄膜1例如用作触摸面板用基材。作为触摸面板的形式，可列举出光学方式、超声波方式、静电容量方式、电阻膜方式等各种方式，特别适合用于静电容量方式的触摸面板。

另外，可以使用透光性薄膜1作为例如近红外线反射用基材。例如，通过使图像显示装置包含波长850～2500nm的近红外线的平均反射率高(例如，10％以上)的透光性薄膜1，从而能够适当地应用于面向室外使用的图像质量显示装置。透光性薄膜1例如也可以以借助粘合层或粘接层贴合偏光薄膜、偏光板等偏振片而成的透光性导电层层叠偏光薄膜的形式包含于图像显示装置中。

另外，调光装置(具体而言，具有LED等光源的调光装置)中包含透光性薄膜1的情况下，透光性薄膜1例如以调光薄膜形式包含。

9.作用效果

根据第1实施方式的透光性薄膜1，透光性导电层4依次具备不含晶粒11的第1无机氧化物层5、金属层6、及含有晶粒11的第2无机氧化物层7。因此，能够抑制大气中的水在厚度方向穿过第2无机氧化物层7而侵入至金属层6。另外，第1无机氧化物层5的润湿性良好，能够使金属层6及第2无机氧化物层7薄且均匀地成膜在第1无机氧化物层5的上表面，因此透光性导电层4的膜质良好。因此，湿热耐久性优异。即，能够抑制金属层6的腐蚀、变色，能够抑制由湿热导致的外观不良。

另外，对于透光性导电层4，由于在第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7之间插入有金属层6，因此能够降低表面电阻值。

进而，透光性导电层4为第1无机氧化物层5、金属层6及第2无机氧化物层7的3层结构，因此透明性优异。其结果，能够在对透光性导电层4进行了图案化时抑制布线图案的可视性。

另外，对于透光性薄膜1，金属层6为银层或银合金层时，能够成为更低的电阻，另外，近红外线的平均反射率高，能够有效地遮挡太阳光等热射线。

另外，透光性薄膜1中，第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7均含有铟锡复合氧化物时，湿热耐久性更优异。另外，透明性优异，能够有效地抑制布线图案的可视性。

另外，透光性薄膜1中，第2无机氧化物层7为具有非晶质部12及结晶质部13的半结晶膜时，湿热耐久性更优异。

另外，透光性薄膜1中，第2无机氧化物层7含有在厚度方向不贯通第2无机氧化物层7的第2晶粒11b时，能够进一步抑制水沿着晶界在厚度方向穿过第2无机氧化物层7而侵入至金属层6。因此，湿热耐久性更优异。

特别是，为在第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7之间含有金属层6的3层结构的情况下，有比较容易发生金属层6的凝聚、腐蚀(变色)，导致外观不良、电阻不良的担心。由此，在第2无机氧化物层7中，第1晶粒11a越多，越有水容易侵入至金属层6，湿热耐久性难以提高的担心。另一方面，第2无机氧化物层7中，第2晶粒11b越多，越能够有效地防止水向金属层6附近的侵入，越能够更进一步提高湿热耐久性。

另一方面，例如，如现有技术那样，在透光性导电层4为未插入金属层6的第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7这样的2层结构的情况下，由于无机氧化物层彼此接触，因此不会发生上述那样的伴随金属层6的凝聚的外观不良等。因此，在这样的情况下，第2无机氧化物层7可以具有大量在厚度方向贯通的第1晶粒11a，不如说从使结晶化的特性(低电阻等)为最大限度的观点出发，第2无机氧化物层7优选为完全结晶膜。

另外，透光性薄膜1中，透光性导电层4具有图案形状时，例如，可以适当地用作触摸面板用基材、近红外线反射用基材。特别是图案形状的透光性导电层4(布线图案)也针对在厚度方向侵入的水具有优异的湿热耐久性，因此能够可靠地抑制金属层6的上表面的腐蚀、变色。

[第2实施方式]

参照图4，对第2实施方式的透光性薄膜1进行说明。需要说明的是，第2实施方式中，对与上述第1实施方式同样的构件及工序标注相同的附图标记，省略其详细的说明。

具体而言，如图4所示，第2实施方式的透光性薄膜1为依次具备透明基材2、保护层3、透光性导电层4、和粘合剂层15的透光性层叠薄膜。即，透光性薄膜1具备：透明基材2、配置于透明基材2的上侧的保护层3、配置于保护层3的上侧的透光性导电层4、和在透光性导电层4的上侧设置的粘合剂层15。优选透光性薄膜1仅包含透明基材2、保护层3、透光性导电层4和粘合剂层15。

透光性导电层4具有图案形状。即，透光性导电层4具备非图案部9及图案部10。

粘合剂层15为用于在透光性薄膜1的透光性导电层4侧配置透明保护层并在制作光学装置时将透明保护层和透光性薄膜1固定的粘接层。另外，粘合剂层15也为用于防止透光性导电层4直接暴露于大气的保护层。

粘合剂层15具有薄膜形状(包含片形状)，配置于透光性导电层4的上侧(相对于透明基材2为相反侧)。具体而言，粘合剂层15以覆盖透光性导电层4的上表面及侧面、以及从透光性导电层4露出的保护层3的上表面的方式配置于保护层3及透光性导电层4的上侧。

粘合剂层15由粘合剂组合物制备。

粘合剂组合物例如含有粘合性树脂。

作为粘合性树脂，例如，可列举出丙烯酸类树脂、橡胶(丁基橡胶等)、有机硅树脂、聚酯树脂、聚氨酯、聚酰胺、环氧树脂、乙烯基烷基醚树脂、氟树脂等，从粘接性的观点出发，优选可列举出丙烯酸类树脂。

粘合剂组合物优选含有苯并三唑系化合物。通过使粘合剂层15含有苯并三唑系化合物，从而能够更进一步提高图案形状的透光性导电层4的侧面的湿热耐久性。

作为苯并三唑系化合物，例如，可列举出日本特开2014-177612号公报中记载的苯并三唑系化合物。优选可列举出1,2,3-苯并三唑、5-甲基苯并三唑、1-[N,N-双(2-乙基己基)氨基甲基]苯并三唑、1-[N,N-双(2-乙基己基)氨基甲基]甲基苯并三唑等。

粘合剂组合物例如也可以以适宜的比例含有填充剂、抗氧化剂、软化剂、触变剂、润滑剂、颜料、防焦剂、稳定剂、紫外线吸收剂、着色剂、防霉剂、阻燃剂等添加剂。

粘合剂层15的厚度T4例如为2μm以上，优选为5μm以上、更优选为10μm以上，另外，例如为200μm以下，优选为100μm以下、更优选为70μm以下。

粘合剂层15通过例如湿法将粘合剂组合物配置在透光性导电层4的上表面。

具体而言，首先，将粘合剂组合物涂布于经图案化的透光性导电层4的上表面及非图案部9的保护层3的上表面。然后，通过加热将粘合剂组合物干燥，或者通过活性能量射线照射使粘合剂组合物固化。

需要说明的是，粘合剂层15的配置时，也可以首先在脱模基材上配置粘合剂层15而制作带粘合剂层的基材，接着，使用带粘合剂层的基材，将粘合剂层15转印至透光性导电层4。

由此，图4如所示，得到依次具备透明基材2、保护层3、具有图案形状的透光性导电层4、和粘合剂层15的透光性薄膜1。

第2实施方式的透光性薄膜1也发挥与第1实施方式的透光性薄膜1同样的作用效果。

另外，透光性薄膜1还具备设置于透光性导电层4的上侧的表面的粘合剂层15，因此可侵入至透光性导电层4的水的量减少，湿热耐久性优异。另外，对于图案形状的透光性导电层4(布线图案等)，能够保护图案的侧面，侧面的湿热耐久性优异。具体而言，能够可靠地抑制金属层6的侧面的腐蚀、变色，能够更可靠地维持布线图案的性能(导电性等)。

[变形例]

变形例中，关于与上述第1实施方式及第2实施方式同样的构件及工序，标注相同的附图标记，省略其详细的说明。

上述实施方式中，例如，如图1及图4所示，在透明基材2上设置有透光性导电层4，虽然未图示，但也可以在透明基材2下进一步设置透光性导电层4。即，透光性薄膜1可以在透明基材2的上下两侧各自依次具备保护层3和透光性导电层4。

上述实施方式中，例如，如图1及图4所示，在透明基材2及第1无机氧化物层5之间插入有保护层3。但是，例如，也可以如图5所示将第1无机氧化物层5直接配置于透明基材2的上表面。即，透光性薄膜1依次具备透明基材2、第1无机氧化物层5、金属层6及第2无机氧化物层7。另一方面，该透光性薄膜1不具备保护层3。

上述实施方式中，例如，如图1及图4所示，将第1无机氧化物层5直接配置于保护层3的上表面。但是，例如，如图6所示，也可以在保护层3及第1无机氧化物层5之间插入有光学调整层16。

光学调整层16是为了与保护层3一起抑制透光性导电层4中的布线图案的可视性而对透光性薄膜1的光学物性进行调整的光学调整层(第2光学调整层)。光学调整层16具有薄膜形状(包含片形状)，以接触保护层3的上表面的方式配置于保护层3的上表面整面。光学调整层16具有规定的光学物性，由例如氧化物、氟化物等无机物、丙烯酸类树脂、三聚氰胺树脂等树脂组合物制备。光学调整层16可以为单层，另外，也可以为组成不同的多层。光学调整层16的厚度为1nm以上，优选为5nm以上、更优选为10nm以上，另外，例如为500nm以下，优选为200nm以下、更优选为50nm以下、进一步优选为25nm以下。

上述实施方式中，如图1所示，透光性导电层4仅具备第1无机氧化物层5、金属层6、和第2无机氧化物层7。但是，例如，虽然未图示，但也可以在第2无机氧化物层7的上表面进一步依次配置第2金属层和第3无机氧化物层，进而也可以在第3无机氧化物层的上表面配置第3金属层和第4无机氧化物层。

另外，虽然未图示，但也可以在第1透明基材2的上表面和/或下表面配置例如防污层、密合、拒水层、防反射层、低聚物防止层等功能层。功能层优选含有上述树脂组合物。这样的功能层根据所需功能来适宜选择。

在透光性薄膜1的制造方法中，在加热工序后进行了图案化，但例如也可以在进行了图案化后实施加热工序。另外，通过加热工序使第2无机氧化物层7结晶化，但例如也可以通过在大气气氛下暴露几个月以上来使第2无机氧化物层7结晶化。

实施例

以下示出实施例及比较例，更具体地对本发明进行说明。需要说明的是，本发明并不受实施例及比较例任何限定。另外，以下的记载中使用的配混比例(含有比例)、物性值、参数等具体的数值可以用上述的“具体实施方式”中记载的、与它们相对应的配混比例(含有比例)、物性值、参数等该记载的上限值(定义为“以下”、“不足”的数值)或下限值(定义为“以上”、“超过”的数值)来代替。

实施例1

(薄膜基材的准备、及、保护层的形成)

首先，准备由长条状聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜形成、且厚度为50μm的透明基材。需要说明的是，准备的透明基材的水分量为19μg/cm²，另外，水相对于透明基材的含量为0.27质量％。

接着，在透明基材的上表面涂布包含丙烯酸类树脂的紫外线固化性树脂，通过紫外线照射使其固化，形成由固化树脂层形成、且厚度为2μm的保护层。由此，得到具备透明基材和保护层的带保护层的透明基材卷。

(第1无机氧化物层的形成)

接着，将带保护层的透明基材卷设置在真空溅射装置上，进行真空排气直到未输送时的气压变为2×10^-3Pa(脱气处理)。此时，在未导入溅射气体(Ar及O₂)的状态下，输送带保护层的透明基材的一部分，确认气压上升至1×10^-2Pa。由此，确认了在带保护层的透明基材卷中残留有足够量的气体。

接着，边放出带保护层的透明基材卷，边通过溅射在固化树脂层的上表面形成由铟锡氧化物层形成、且厚度为40nm的第1无机氧化物层。

具体而言，在导入了Ar及O₂的气压0.2Pa的真空气氛下(流量比为Ar：O₂＝100：3.8)、使用直流(DC)电源，对由12质量％的氧化锡和88质量％的氧化铟的烧结体形成的ITO靶进行溅射。

需要说明的是，通过溅射形成第1无机氧化物层时，使带保护层的透明基材卷的下表面(具体而言，透明基材的下表面)接触-5℃的冷却辊，将带保护层的透明基材卷冷却。

(金属层的形成)

通过溅射在第1无机氧化物层的上表面形成由Ag合金形成、且厚度为8nm的金属层。

具体而言，在导入了Ar的气压0.4Pa的真空气氛下、使用直流(DC)电源作为电源，对Ag合金靶(Mitsubishi Materials Corporation制、产品编号“No.317”)进行溅射。

(第2无机氧化物层的形成)

在金属层的上表面通过溅射形成由ITO形成、且厚度为38nm的第2无机氧化物层。

具体而言，在导入了Ar及O₂的气压0.2Pa的真空气氛下(流量比为Ar：O₂＝100：4.0)、使用直流(DC)电源，对由12质量％的氧化锡和88质量％的氧化铟的烧结体形成的ITO靶进行溅射。

然后，在大气气氛下、80℃、12小时的条件下，实施加热工序。由此，使第2无机氧化物层结晶化。

由此，得到在透明基材上依次形成有保护层、第1无机氧化物层、金属层及第2无机氧化物层的透光性薄膜。

实施例2

将Ar及O₂的流量比设为Ar：O₂＝100：3.1，对由3质量％的氧化锡和97质量％的氧化铟的烧结体形成的ITO靶进行溅射，由此形成第2无机氧化物层，除此以外，与实施例1同样地操作，得到透光性薄膜。

比较例1

将各层的厚度变更为表1中记载的厚度，并且在第2无机氧化物层的形成中不实施加热工序，除此以外，与实施例1同样地操作，得到透光性薄膜。

比较例2

将溅射时的Ar及O₂的流量比设为Ar：O₂＝100：1.0，将各层的厚度变更为表1中记载的厚度，并且在不形成金属层的状态下形成透光性导电层，然后，在大气气氛下、实施140℃、1小时的加热工序，除此以外，与实施例1同样地操作，得到透光性薄膜。

(测定)

(1)厚度

通过使用了透射型电子显微镜(日立公司制、“HF-2000”)的截面观察测定保护层、第1无机氧化物层、金属层及第2无机氧化物的厚度。另外，用膜厚计(Peacock公司制数字千分表DG-205)测定基材的厚度。将其结果示于表1。

(2)基于截面TEM的晶粒的观察

使用透射型电子显微镜(日立公司制、“HF-2000”、倍率200,000倍)，观察第1无机氧化物层及第2无机氧化物层的截面。数出此时的截面图的每500nm面方向距离中的晶粒的数量。另外，测定在无机氧化物层中产生的晶粒的最大晶粒的长度。将其结果示于表1。

(3)基于平面TEM的晶粒的观察

对利用截面TEM确认了晶粒的各实施例及比较例的透光性薄膜，使用透射型电子显微镜(日立公司制、“H-7650”)，观察第2无机氧化物层的上表面，得到倍率：100,000倍的平面图像。接着，测定晶粒(结晶化的部位)的面积相对于第2无机氧化物层整体的面积的比例。将其结果示于表1。需要说明的是，在实施例1中，第2晶粒的数量比第1晶粒的数量多。

(4)湿热耐久性

将各实施例及各比较例的透光性薄膜切成10cm×10cm的尺寸，在透光性导电层上形成粘合层(日东电工株式会社制、“CS9904U”)，贴合于玻璃基板后，在60℃、95％RH的条件下放置240小时。然后，目视观察中央8cm×8cm部分的透光性导电层的上表面。

此时，基于以下的基准，实施外观评价。

◎：未观察到白色的点状缺陷(凝聚、腐蚀部位)(0个)。

○：白色的点状缺陷超过0个且为5个以下。

×：白色的点状缺陷超过5个。

(5)透光性导电层的表面电阻

依据JIS K7194(1994年)的4探针法，测定透光性导电层的表面电阻值。将其结果示于表1。

(6)可见光透过率

使用雾度计(Suga Test Instruments Co.,Ltd.制、装置名“HGM-2DP)，测定总透光率，作为可见光透过率。将其结果示于表1。

(7)近红外线反射特性

对实施例1～2的透光性薄膜测定近红外线(波长850～2500nm)的平均反射率，结果为58％。由此可知，实施例的透光性薄膜具有良好的近红外线反射特性。

[表1]

表1

需要说明的是，上述方案作为本发明的例示的实施方式而提供，但这些仅仅不过是例示，不做限定性解释。该技术领域的本领域技术人员显而易见的本发明的变形例包含在前述权利要求书中。

产业上的可利用性

本发明的透光性薄膜可以应用于各种工业制品，例如，可以适当地用于图像显示装置、调光装置等光学装置。

附图标记说明

1 透光性薄膜

2 透明基材

4 透光性导电层

5 第1无机氧化物层

6 金属层

7 第2无机氧化物层

11 晶粒

12 非晶质部

13 结晶质部

15 粘合剂层

Claims (12)

1.一种透光性薄膜，其特征在于，依次具备：透明基材和透光性导电层，

所述透光性导电层自所述透明基材起依次具备：第1无机氧化物层、金属层、和第2无机氧化物层，

所述第1无机氧化物层不含晶粒，

所述第2无机氧化物层含有晶粒。

2.根据权利要求1所述的透光性薄膜，其特征在于，所述金属层为银层或银合金层。

3.根据权利要求1或2所述的透光性薄膜，其特征在于，所述第1无机氧化物层及所述第2无机氧化物层均含有氧化铟。

4.根据权利要求1或2所述的透光性薄膜，其特征在于，所述第1无机氧化物层及所述第2无机氧化物层均含有铟锡复合氧化物。

5.根据权利要求1或2所述的透光性薄膜，其特征在于，所述第2无机氧化物层为具有非晶质部及结晶质部的半结晶膜。

6.根据权利要求1或2所述的透光性薄膜，其特征在于，所述第2无机氧化物层含有在厚度方向不贯通所述第2无机氧化物层的晶粒。

7.根据权利要求1或2所述的透光性薄膜，其特征在于，所述透光性导电层具有图案形状。

8.根据权利要求7所述的透光性薄膜，其特征在于，还具备粘合剂层，所述粘合剂层相对于所述透明基材设置在所述透光性导电层的相反侧的表面。

9.一种触摸面板，其特征在于，具备透光性导电层，所述透光性导电层依次具备：不含晶粒的第1无机氧化物层、金属层、和含有晶粒的第2无机氧化物层。

10.根据权利要求9所述的触摸面板，其特征在于，所述透光性导电层具有图案形状。

11.一种图像显示装置，其特征在于，具备透光性导电层，所述透光性导电层依次具备：不含晶粒的第1无机氧化物层、金属层、和含有晶粒的第2无机氧化物层。

12.一种调光装置，其特征在于，具备透光性导电层，所述透光性导电层依次具备：不含晶粒的第1无机氧化物层、金属层、和含有晶粒的第2无机氧化物层。

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