CN114007857A - 透明导电性薄膜 - Google Patents
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Abstract
透明导电性薄膜1依次具备:透明基材2、固化树脂层3和透明导电层4。固化树脂层3包含二氧化硅颗粒。通过柔软性试验测定的弯曲直径为10mm以下。
Description
技术领域
本发明涉及透明导电性薄膜,详细而言,涉及适合用于光学用途的透明导电性薄膜。
背景技术
以往以来,使包含铟锡复合氧化物(ITO)的透明导电层形成为期望的电极图案的透明导电性薄膜被用于触摸面板等光学用途。
对于透明导电性薄膜,有时根据目的及用途要求耐弯曲性。
作为这样的透明导电性薄膜,提出了一种透明导电性薄膜,其依次具备透明塑料薄膜基材和透明导电膜,且基于柔软性试验的弯曲直径为10.7mm(例如,参照专利文献1的实施例7。)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2017/126466号小册子
发明内容
发明要解决的问题
近年,为了应对柔性显示器(可折叠、可弯曲、可卷曲显示器等)等具有弯曲性的显示器,有要求比专利文献1的透明导电性薄膜更进一步的耐弯曲性的倾向。
本发明提供耐弯曲性优异的透明导电性薄膜。
用于解决问题的方案
本发明[1]包含一种透明导电性薄膜,其依次具备:透明基材、固化树脂层和透明导电层,前述固化树脂层包含二氧化硅颗粒,所述透明导电性薄膜通过下述柔软性试验测定的弯曲直径为10mm以下。
柔软性试验:将在165℃进行了75分钟加热处理的透明导电性薄膜切割成20mm×80mm的长方形状。接着,用试验仪连接长方形的短边并观测电阻值。以使前述透明导电层成为外侧的方式使透明导电性薄膜弯曲以使长方形的短边接近,测定试验仪的电阻值开始增加时的透明导电性薄膜的弯曲直径(mm)。
本发明[2]包含上述[1]所述的透明导电性薄膜,其中,前述透明导电层的厚度超过35nm。
本发明[3]包含上述[1]或[2]所述的透明导电性薄膜,其中,前述透明导电层的表面电阻值为45Ω/□以下。
本发明[4]包含上述[1]~[3]中任一项所述的透明导电性薄膜,其中,透明基材的厚度为45μm以下。
发明的效果
本发明的透明导电性薄膜中,固化树脂层包含二氧化硅颗粒。
因此,耐弯曲性优异。
另外,该透明导电性薄膜中,通过柔软性试验测定的弯曲直径为10mm以下。
因此,可以适合用于要求耐弯曲性的光器件及其构成部件。
附图说明
图1示出本发明的透明导电性薄膜的一实施方式的截面图。
图2示出图1所示的透明导电性薄膜的变形例(透明导电性薄膜具备光学调整层的情况下)的截面图。
图3示出图1所示的透明导电性薄膜的变形例(透明导电性薄膜具备硬涂层及光学调整层的情况下)的截面图。
具体实施方式
参照图1对本发明的透明导电性薄膜的一实施方式进行说明。
图1中,纸面上下方向为上下方向(厚度方向),纸面上侧为上侧(厚度方向一侧),纸面下侧为下侧(厚度方向另一侧)。另外,纸面左右方向及深度方向为与上下方向正交的面方向。具体而言,以各图的方向箭头为准。
1.透明导电性薄膜
透明导电性薄膜1呈具有规定的厚度的薄膜形状(包含片形状),具有沿与厚度方向正交的面方向延伸且平坦的上表面及平坦的下表面。透明导电性薄膜1例如为图像显示装置所具备的触摸面板用基材、电磁波屏蔽体等一个部件,即,不是图像显示装置。即,透明导电性薄膜1为用于制作图像显示装置等的部件,为不包含OLED模块等图像显示元件、以部件自身流通、产业上可利用的器件。
具体而言,如图1所示,透明导电性薄膜1朝向厚度方向一侧依次具备:透明基材2、固化树脂层3和透明导电层4。透明导电性薄膜1更具体而言具备:透明基材2、配置于透明基材2的上表面(厚度方向一个面)的固化树脂层3和配置于固化树脂层3的上表面(厚度方向一个面)的透明导电层4。优选透明导电性薄膜1仅具备透明基材2、固化树脂层3及透明导电层4。
透明导电性薄膜1的厚度例如为200μm以下,优选为150μm以下,更优选为100μm以下。
2.透明基材
透明基材2为用于确保透明导电性薄膜1的机械强度的透明的基材。
透明基材2具有薄膜形状。透明基材2以与固化树脂层3的下表面接触的方式配置于固化树脂层3的下表面整面。
透明基材2例如为具有透明性的高分子薄膜。作为透明基材2的材料,可列举出例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物等烯烃树脂、例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)、例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂等,优选可列举出烯烃树脂、更优选可列举出环烯烃聚合物。
透明基材2的厚度例如为60μm以下,优选为45μm以下。
透明基材2的厚度为上述上限以下时,能够提高耐弯曲性。
3.固化树脂层
固化树脂层3具有薄膜形状。固化树脂层3以接触固化树脂层3的下表面的方式配置于透明导电层4的下表面整面。
作为固化树脂层3,可列举出硬涂层5。
需要说明的是,以下的说明中,对固化树脂层3为硬涂层5的情况进行说明。
硬涂层5为在制造透明导电性薄膜1时用于抑制透明基材2产生损伤的保护层。另外,硬涂层5为在层叠透明导电性薄膜1时用于抑制透明导电层4产生擦伤的耐擦伤层。
硬涂层5由硬涂组合物形成。
硬涂组合物含有树脂及颗粒。
作为树脂,例如,可列举出固化性树脂、热塑性树脂(例如聚烯烃树脂)等,优选可列举出固化性树脂。
作为固化性树脂,例如,可列举出通过活性能量射线(具体而言,紫外线、电子束等)的照射而固化的活性能量射线固化性树脂,例如通过加热而固化的热固化性树脂等,优选可列举出活性能量射线固化性树脂。
活性能量射线固化性树脂例如可列举出分子中具有聚合性碳-碳双键的官能团的聚合物。作为这样的官能团,例如,可列举出乙烯基、(甲基)丙烯酰基(甲基丙烯酰基和/或丙烯酰基)等。
作为活性能量射线固化性树脂,具体而言,例如,可列举出氨基甲酸酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系紫外线固化性树脂。
另外,作为除活性能量射线固化性树脂以外的固化性树脂,例如,可列举出氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅氧烷系聚合物、有机硅烷缩合物等热固化性树脂。
树脂可以单独使用或组合使用2种以上。
颗粒包含二氧化硅颗粒作为必需成分。
即,硬涂组合物包含二氧化硅颗粒。而且,由这样的硬涂组合物形成的硬涂层5(固化树脂层3)包含二氧化硅颗粒。
硬涂层5(固化树脂层3)包含二氧化硅颗粒时,耐弯曲性提高。
另外,颗粒包含除二氧化硅颗粒以外的其他颗粒作为任意成分。
作为其他颗粒,例如,可列举出无机颗粒(不包括二氧化硅颗粒。)、有机颗粒等。
作为无机颗粒(不包括二氧化硅颗粒。),可列举出例如氧化锆颗粒、例如包含锆氧化物、钛氧化物、锌氧化物、锡氧化物等的金属氧化物颗粒、例如碳酸钙等碳酸盐颗粒等。
作为有机颗粒,例如,可列举出交联丙烯酸类树脂颗粒等。
作为其他颗粒,优选可列举出无机颗粒(不包括二氧化硅颗粒。),更优选可列举出氧化锆颗粒。
其他颗粒可以单独使用或组合使用2种以上。
如上所述,颗粒包含二氧化硅颗粒作为必需成分、且包含其他颗粒作为任意成分。颗粒优选包含二氧化硅颗粒及其他颗粒。
颗粒包含二氧化硅颗粒及其他颗粒时,能够提高耐弯曲性。
另外,颗粒包含二氧化硅颗粒及其他颗粒的情况下,二氧化硅颗粒的配混比例相对于二氧化硅颗粒及其他颗粒的总量100质量份例如为1质量份以上,另外,例如为10质量份以下,优选为5质量份以下,其他颗粒的配混比例相对于二氧化硅颗粒及其他颗粒的总量100质量份例如为90质量份以上,优选为95质量份以上,另外,例如为99质量份以下。
然后,硬涂组合物通过将树脂及颗粒混合而得到。
树脂的配混比例相对于硬涂组合物例如为20质量%以上,另外,例如为40质量%以下。
另外,颗粒的配混比例相对于硬涂组合物例如为50质量%以上,另外,例如为80质量%以下。
另外,硬涂组合物中根据需要可以配混流平剂、触变剂、抗静电剂等公知的添加剂。
对于硬涂层5(固化树脂层3)的形成,在后面详细地叙述,将硬涂组合物的稀释液涂布于透明基材2的厚度方向一个面并干燥后,通过紫外线照射,使光学调整组合物固化。
由此,形成硬涂层5。
对于硬涂层5(固化树脂层3)的厚度,从耐擦伤性的观点出发,例如为0.1μm以上,优选为0.5μm以上,另外,例如为10μm以下,优选为3μm以下。硬涂层5的厚度例如可以使用透射型电子显微镜通过截面观察来测定。
4.透明导电层
透明导电层4为结晶质,为表现优异的导电性的透明的层。
透明导电层4具有薄膜形状。透明导电层4以与固化树脂层3的厚度方向一个面接触的方式配置于固化树脂层3的上表面(厚度方向一个面)整面。
作为透明导电层4的材料,例如,可列举出包含选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W组成的组中的至少1种金属的金属氧化物。金属氧化物根据需要还可以掺杂上述组所示的金属原子。
作为透明导电层4,具体而言,可列举出例如铟锡复合氧化物(ITO)等含铟的氧化物、例如锑锡复合氧化物(ATO)等含锑的氧化物等,优选可列举出含铟的氧化物、更优选可列举出ITO。
使用ITO作为透明导电层4的材料的情况下,锡氧化物的含有比例相对于锡氧化物及铟氧化物的合计量例如为0.5质量%以上,优选为3质量%以上、更优选为5质量%以上、进一步优选为8质量%以上、特别优选为9质量%以上,另外,例如为20质量%以下,优选为15质量%以下。
锡氧化物的含有比例为上述下限以上时,可促进低电阻化。锡氧化物的含有比例为上述上限以下时,透明导电层4的强度优异。
另外,透明导电层4可以包含锡氧化物的比例为8质量%以上的区域。透明导电层4包含锡氧化物的比例为8质量%以上的区域的情况下,能够减小表面电阻值。
例如,透明导电层4包含作为锡氧化物的比例为8质量%以上的区域的一例的第1区域11和锡氧化物的比例比第1区域11中的锡氧化物的比例更低的第2区域12。具体而言,透明导电层4依次包含层状的第1区域和配置于第1区域11的厚度方向一个面的层状的第2区域12。需要说明的是,对于第1区域11及第2区域12的边界,允许通过利用测定装置的观察未确认到、是不清晰的。需要说明的是,该透明导电层4可以具有锡氧化物浓度从厚度方向一个面向另一面逐渐变高的浓度梯度。透明导电层4在上述的第1区域的基础上包含第2区域的情况下,通过其区域的比率调整,能够得到期望的结晶化速度。
第1区域11中的锡氧化物的比例优选为9质量%以上、更优选为10质量%以上,另外为20质量%以下。
透明导电层4的厚度中第1区域11的厚度的比例例如超过50%,优选为70%以上、更优选为80%以上、进一步优选为90%以上,另外,例如为99%以下,优选为97%以下。
第1区域11的厚度的比例为上述下限以上时,能够提高透明导电层4中的锡氧化物的比例,因此,能够充分降低表面电阻值。
第2区域12中的锡氧化物的比例例如不足8质量%,优选为7质量%以下,更优选为5质量%以下,进一步优选为4质量%以下,另外,例如为1质量%以上,优选为2质量%以上、更优选为3质量%以上。
透明导电层4的厚度中第2区域12的厚度的比例例如为1%以上,优选为3%以上,另外,例如为50%以下,优选为30%以下,更优选为20%以下,进一步优选为10%以下。
第1区域中的锡氧化物的比例相对于第2区域12中的锡氧化物的比例的比(第1区域中的锡氧化物的比例/第2区域中的锡氧化物的比例)例如为1.5以上,优选为2以上、更优选为2.5以上,另外,例如为5以下,优选为4以下。
透明导电层4、第1区域11及第2区域12各自中的锡氧化物浓度通过X射线光电子能谱法来测定。或者,锡氧化物的含有比例也可以根据通过溅射形成非晶质的透明导电层4时使用的靶的成分(已知)来推测。
另外,透明导电层4为结晶质。
透明导电层4为结晶质时,能够减小后述的电阻率。
透明导电层4的结晶质性例如可以如下来判断:将透明导电性薄膜1在盐酸(20℃、浓度5质量%)中浸渍15分钟,接着,进行水洗及干燥后,对透明导电层4侧的表面测定15mm左右间的端子间电阻。上述浸渍·水洗·干燥后的透明导电性薄膜1中,15mm间的端子间电阻为10kΩ以下的情况下,透明导电层4为结晶质,另一方面,上述电阻超过10kΩ的情况下,透明导电层4为非晶质。
透明导电层4的厚度例如为20nm以上,优选为30nm以上、更优选超过35nm、进一步优选为40nm以上、特别优选为50nm以上,另外,例如为80nm以下。
透明导电层4的厚度为上述下限以上时,能够减小透明导电层4的表面电阻值。
需要说明的是,透明导电层4的厚度例如可以通过使用透射型电子显微镜对透明导电性薄膜1的截面进行观察来测定。
透明导电层4的电阻率例如为2.6×10-4Ω·cm以下,优选为2.4×10-4Ω·cm以下,更优选不足2.2×10-4Ω·cm、进一步优选为2.1×10-4Ω·cm以下。
透明导电层4的电阻率为上述上限以下时,将透明导电层4图案化而作为电极使用时,能够表现优异的电特性。
需要说明的是,电阻率可以依据JIS K7194、通过4端子法进行测定。
透明导电层4的表面电阻值例如为120Ω/□以下,优选为80Ω/□以下,更优选为50Ω/□以下,进一步优选为45Ω/□以下。
透明导电层4的表面电阻值为上述上限以下时,将透明导电层4图案化而作为电极使用时,能够表现优异的电特性。
透明导电层4的表面电阻值的下限没有特别限定。例如,透明导电层4的表面电阻值通常超过0Ω/□,另外为1Ω/□以上。
需要说明的是,表面电阻值可以依据JIS K7194、通过4端子法进行测定。
5.透明导电性薄膜的制造方法
接着,对透明导电性薄膜1的制造方法进行说明。
透明导电性薄膜1的制造方法具备:在透明基材2的厚度方向一个面配置固化树脂层3的第1工序、通过溅射在固化树脂层3的厚度方向一个面形成非晶质的透明导电层4的第2工序、和对非晶质的透明导电层4进行加热而形成结晶质的透明导电层4的第3工序。另外,该制造方法中,通过例如卷对卷(roll to roll)方式依次配置各层。
第1工序中,首先,准备透明基材2。
接着,在透明基材2的厚度方向一个面涂布硬涂组合物的稀释液,干燥后,通过紫外线照射,使硬涂组合物固化。由此,在透明基材2的厚度方向一个面形成硬涂层5(固化树脂层3)。
第2工序中,通过溅射在硬涂层5(固化树脂层3)的厚度方向一个面形成非晶质的透明导电层4。
具体而言,在溅射装置中,使固化树脂层3的厚度方向一个面与包含透明导电层4的材料的靶相对,并在非活性气体的存在下进行溅射。此时,除上述非活性气体以外,例如,也可以使氧等反应性气体存在。
作为非活性气体,例如,可列举出氩气等稀有气体等。溅射装置内的非活性气体的分压例如为0.1Pa以上,优选为0.3Pa以上,另外,例如为10Pa以下,优选为5Pa以下,更优选为1Pa以下。非活性气体的分压为上述下限以上时,溅射中的非活性气体的原子的能量变低。这样的话,能够抑制非晶质的透明导电层4吸收非活性气体的原子。
溅射装置内的压力为非活性气体的分压及反应性气体的分压的合计压力。
需要说明的是,使用ITO作为透明导电层4的材料的情况下,也可以将锡氧化物浓度彼此不同的第1靶及第2靶在溅射装置中沿透明基材2的输送方向依次配置。第1靶的材料例如为上述的第1区域11中的ITO(锡氧化物浓度:8质量%以上)。第2靶的材料例如为上述的第2区域12中的ITO(锡氧化物浓度:不足8质量%)。
通过上述的溅射,在透明基材2的厚度方向一个面形成非晶质的透明导电层4。
需要说明的是,通过使用上述的第1靶及第2靶的溅射形成非晶质的透明导电层4的情况下,非晶质的透明导电层4朝向厚度方向一侧依次具备锡氧化物浓度彼此不同的第1非晶质层及第2非晶质层。第1非晶质层及第2非晶质层各自的材料与第1靶及第2靶的材料相同。具体而言,第1非晶质层的ITO中的锡氧化物浓度例如为8质量%以上。第2非晶质层的ITO中的锡氧化物浓度例如不足8质量%。
非晶质的透明导电层4的厚度中第1非晶质层的厚度的比例例如超过50%,优选为70%以上、更优选为80%以上、进一步优选为90%以上,另外,例如为99%以下,优选为97%以下。
透明导电层4的厚度中第2非晶质层的厚度的比例例如为1%以上、优选为3%以上,另外,例如为50%以下,优选为30%以下,更优选为20%以下,进一步优选为10%以下。
由此,得到包含透明基材2及非晶质的透明导电层4的非晶质层叠薄膜。
然后,第3工序中,对非晶质层叠薄膜进行加热。例如,利用红外线加热器、烘箱等加热装置对非晶质的透明导电层4进行加热。
加热条件没有特别限定。加热温度例如为90℃以上,优选为110℃以上,另外,例如为160℃以下,优选为140℃以下。加热时间例如为30分钟以上,更优选为60分钟以上,另外,例如为5小时以下,优选为3小时以下。
由此,如图1所示,非晶质的透明导电层4进行了结晶化,形成结晶质的透明导电层4。
需要说明的是,非晶质的透明导电层4包含第1非晶质层及第2非晶质层的情况下,结晶质的透明导电层4包含与第1非晶质层及第2非晶质层分别对应的第1区域11及第2区域12。
由此,制造依次具备透明基材2、硬涂层5(固化树脂层3)和透明导电层4的透明导电性薄膜1。
然后,该透明导电性薄膜1通过例如蚀刻等将结晶质的透明导电层4图案化。经图案化的结晶质的透明导电层4用于触摸面板(接触式传感器)等的电极。
6.作用效果
透明导电性薄膜1中,固化树脂层3(硬涂层5)包含二氧化硅颗粒。
因此,可推测固化树脂层3与透明导电层4的密合性提高,其结果,耐弯曲性提高。
具体而言,通过在后述的实施例中详细叙述的柔软性试验测定的弯曲直径为10mm以下,优选为8mm以下,更优选为6mm以下,进一步优选为4mm以下,特别优选为2mm以下,最优选不足2mm。
透明导电性薄膜1由于耐弯曲性优异,因此可以适合用于例如柔性显示器(可折叠、可弯曲、可卷曲等)等要求耐弯曲性的光器件及其构成部件。
另外,从降低表面电阻值的观点出发,有时增大透明导电层4的厚度(例如为20nm以上、优选30nm以上、更优选超过35nm)。增大透明导电层4的厚度时,有时耐弯曲性降低。
但是,透明导电性薄膜1具有优异的耐弯曲性,因此即使透明导电层4的厚度大,也能够使通过详细叙述的柔软性试验测定的弯曲直径为上述的范围。因此,可以适合用于要求耐弯曲性及低表面电阻值这两者的光器件及其构成部件。
7.变形例
变形例中,对于与一实施方式同样的构件及工序标记同样的参照符号,省略其详细的说明。另外,变形例只要没有特别说明,则能够发挥与一实施方式同样的作用效果。进而可以将一实施方式及其变形例适宜组合。
透明导电层4也可以不含锡氧化物的比例不足8质量%的第2区域,而仅包含锡氧化物的比例为8质量%以上的第1区域。
上述的说明中,对固化树脂层3为硬涂层5的情况进行了说明,但也可以如图2所示,固化树脂层3为光学调整层6。
这种情况下,透明导电性薄膜1依次具备:透明基材2、光学调整层6(固化树脂层3)和透明导电层4。
光学调整层6是为了抑制透明导电层4的图案可视、或抑制透明导电性薄膜1内的界面处的反射、并且确保透明导电性薄膜1的优异的透明性而对透明导电性薄膜1的光学物性(例如折射率)进行调整的层。
光学调整层6例如由光学调整组合物形成。
光学调整组合物含有上述的树脂及上述的颗粒。
作为树脂,可列举出硬涂组合物中举出的树脂,优选可列举出(甲基)丙烯酸系紫外线固化性树脂。
如上所述,颗粒包含二氧化硅颗粒作为必需成分。
即,光学调整组合物包含二氧化硅颗粒。而且,由这种光学调整组合物形成的光学调整层6(固化树脂层3)包含二氧化硅颗粒。
光学调整层6(固化树脂层3)包含二氧化硅颗粒时,耐弯曲性提高。
另外,如上所述,颗粒包含其他颗粒作为任意成分。
作为其他颗粒,可列举出硬涂组合物中举出的其他颗粒,优选的是,从折射率的观点出发,优选可列举出锆氧化物。
另外,颗粒包含二氧化硅颗粒及其他颗粒的情况下,二氧化硅颗粒的配混比例相对于二氧化硅颗粒及其他颗粒的总量100质量份例如为1质量份以上,另外,例如为10质量份以下,优选为5质量份以下,其他颗粒的配混比例相对于二氧化硅颗粒及其他颗粒的总量100质量份例如为90质量份以上,优选为95质量份以上,另外,例如为99质量份以下。
并且,光学调整组合物通过将树脂及颗粒混合而得到。
树脂的配混比例相对于光学调整组合物例如为20质量%以上,另外,例如为40质量%以下。
另外,颗粒的配混比例相对于光学调整组合物例如为50质量%以上,另外,例如为80质量%以下。
光学调整组合物还可以含有流平剂、触变剂、抗静电剂等公知的添加剂。
为了形成光学调整层6(固化树脂层3),将光学调整组合物的稀释液涂布于透明基材2的厚度方向一个面并干燥后,通过紫外线照射,使光学调整组合物固化。
由此,形成光学调整层6。
对于光学调整层6的厚度,从耐擦伤性的观点出发,例如为0.1μm以上,优选为0.5μm以上,另外,例如为10μm以下,优选为3μm以下。
光学调整层6的厚度例如可以通过使用透射型电子显微镜通过截面观察来测定。
另外,透明导电性薄膜1也可以具备硬涂层5及光学调整层6这两者。
这样的情况下,如图3所示,透明导电性薄膜1依次具备:透明基材2、硬涂层5、光学调整层6和透明导电层4。换言之,透明导电性薄膜1依次具备:透明基材2、固化树脂层3和透明导电层4。
另外,也可以在透明基材2的厚度方向另一面配置抗粘连层。
这种情况下,透明导电性薄膜1依次具备:抗粘连层、透明基材2、固化树脂层3和透明导电层4。
抗粘连层对在将透明导电性薄膜1沿厚度方向层叠的情况下等彼此接触的多个透明导电性薄膜1的各个表面赋予抗粘连性。
抗粘连层具有薄膜形状。
抗粘连层的材料例如为抗粘连组合物。
作为抗粘连组合物,例如,可列举出日本特开2016-179686号公报中记载的混合物等。
抗粘连层的厚度例如为0.1μm以上,另外,例如为10μm以下。
实施例
以下示出实施例及比较例,更具体地对本发明进行说明。需要说明的是,本发明不受实施例及比较例任何限定。另外,可以将以下的记载中使用的配混比例(含有比例)、物性值、参数等具体的数值替换为上述的“具体实施方式”中记载的与它们对应的配混比例(含有比例)、物性值、参数等该记载的上限值(定义为“以下”、“不足”的数值)或下限值(定义为“以上”、“超过”的数值)。
1.透明导电性薄膜的制造
实施例1
首先,作为透明基材,准备由环烯烃树脂形成的透明薄膜(厚度43μm)。
接着,在透明薄膜的厚度方向一个面涂布含有氧化锆颗粒65.5质量份、二氧化硅颗粒2.5质量份及紫外线固化性树脂(丙烯酸类树脂)32质量份的硬涂组合物的稀释液,接着,将它们干燥后,对透明薄膜的厚度方向一个面照射紫外线,使硬涂组合物固化。由此,在透明薄膜的一个面形成厚度0.7μm的硬涂层。
然后,通过溅射,在硬涂层的厚度方向一个面形成厚度55nm的非晶质的透明导电层。
详细而言,首先,将包含锡氧化物浓度为10重量%的ITO的第1靶和包含锡氧化物浓度为3.3重量%的ITO的第2靶从透明薄膜基材的输送方向上游侧向下游侧依次配置在溅射装置中。然后,以非晶质的透明导电层中的第1非晶质层的厚度的比例及第2非晶质层的厚度的比例分别成为95%及5%的方式进行溅射。需要说明的是,非晶质的透明导电层朝向厚度方向一侧依次包含第1非晶质层(锡氧化物浓度10质量%)及第2非晶质层(锡氧化物浓度3.3质量%)。
对溅射时的氩气流量进行调整,由此将溅射装置内的氩气分压调整为0.35Pa。需要说明的是,溅射装置内的压力为0.42Pa。
由此,制造依次具备透明薄膜、硬涂层和非晶质的透明导电层的非晶质层叠薄膜。
然后,将非晶质层叠薄膜在130℃下加热90分钟从而将非晶质的透明导电层结晶化,制备结晶质的透明导电层。
由此,制造具备透明薄膜、硬涂层及结晶质的透明导电层的透明导电性薄膜。
另外,结晶质的透明导电层包含分别源自第1非晶质层及第2非晶质层的第1区域及第2区域。
实施例2、实施例3及比较例1
按照表1的记载变更透明基材的厚度、硬涂组合物的配方及透明导电层的厚度,除此以外,与实施例1同样地进行处理,制造透明导电性薄膜。
2.评价
(表面电阻)
依据JIS K7194、通过4端子法测定各实施例及各比较例的透明导电层的表面电阻率。将其结果示于表1。
(耐弯曲性)
对各实施例及各比较例,将在165℃进行了75分钟加热处理的透明导电性薄膜切割成20mm×80mm的长方形状。接着,用试验仪连接长方形的短边并观测电阻值,以使透明导电层成为外侧的方式使透明导电性薄膜弯曲以使长方形的短边接近,测定试验仪的电阻值开始增加时的透明导电性薄膜的弯曲直径(mm)。将其结果示于表1。
[表1]
表1
需要说明的是,上述发明作为本发明的例示的实施方式来提供,但这不过是单纯的例示,并不做限定性解释。对于本技术领域的技术人员而言显而易见的本发明的变形例包含在上述权利要求书中。
产业上的可利用性
本发明的透明导电性薄膜适合用于光学用途。
附图标记说明
1 透明导电性薄膜
2 透明基材
3 固化树脂层
4 透明导电层
Claims (4)
1.一种透明导电性薄膜,其特征在于,依次具备:透明基材、固化树脂层和透明导电层,
所述固化树脂层包含二氧化硅颗粒,
所述透明导电性薄膜通过下述柔软性试验测定的弯曲直径为10mm以下,
柔软性试验:将在165℃进行了75分钟加热处理的透明导电性薄膜切割成20mm×80mm的长方形状,接着,用试验仪连接长方形的短边并观测电阻值,以使所述透明导电层成为外侧的方式使透明导电性薄膜逐渐弯曲以使长方形的短边接近,测定试验仪的电阻值开始增加时的透明导电性薄膜的弯曲直径(mm)。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜,其特征在于,所述透明导电层的厚度超过35nm。
3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜,其特征在于,所述透明导电层的表面电阻值为45Ω/□以下。
4.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜,其特征在于,透明基材的厚度为45μm以下。
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