KR101737778B1 - 투명 도전체 및 터치 패널 - Google Patents

투명 도전체 및 터치 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR101737778B1
KR101737778B1 KR1020150173838A KR20150173838A KR101737778B1 KR 101737778 B1 KR101737778 B1 KR 101737778B1 KR 1020150173838 A KR1020150173838 A KR 1020150173838A KR 20150173838 A KR20150173838 A KR 20150173838A KR 101737778 B1 KR101737778 B1 KR 101737778B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal oxide
oxide layer
layer
transparent conductor
metal
Prior art date
Application number
KR1020150173838A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160070018A (ko
Inventor
히로시 신가이
Original Assignee
티디케이가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 티디케이가부시기가이샤 filed Critical 티디케이가부시기가이샤
Publication of KR20160070018A publication Critical patent/KR20160070018A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101737778B1 publication Critical patent/KR101737778B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

[과제] 금속 산화물층과 금속층을 에칭에 의해 용이하게 제거하는 것이 가능하고, 알칼리 내성이 우수한 투명 도전체를 제공하는 것.
[해결 수단] 투명 수지 기재(10), 제1 금속 산화물층(12), 은 합금을 함유하는 금속층(16), 및 제2 금속 산화물층(14)이 이 순서로 적층되어 있고, 제2 금속 산화물층(14)은, 주성분으로서 ZnO를 함유하고, 부성분으로서 In2O3 및 TiO2를 함유하고, ZnO, In2O3 및 TiO2의 3성분의 합계에 대한 TiO2의 함유량이 6 내지 15mol%인 투명 도전체(100)를 제공한다.

Description

투명 도전체 및 터치 패널{TRANSPARENT CONDUCTOR AND TOUCH PANEL}
본 개시는 투명 도전체 및 이것을 사용한 터치 패널에 관한 것이다.
투명 도전체는, 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 및 일렉트로루미네선스 패널(유기 EL, 무기 EL) 등의 디스플레이, 및, 태양 전지 등의 투명 전극으로서 사용되고 있다. 또한, 이들 외에, 전자파 차단막 및 적외선 방지막 등에도 사용되고 있다. 투명 도전체에 있어서의 금속 산화물층의 재료로서는, 산화인듐(In2O3)에 주석(Sn)을 첨가한 ITO가 널리 사용되고 있다.
최근, 스마트폰 및 태블릿 단말 등, 터치 패널을 구비한 단말이 급속하게 보급되고 있다. 이들은, 액정 패널 위에 터치 센서부를 설치하고, 최표면에 커버 글래스를 구비한 구성을 가지고 있다. 터치 센서부는, 유리 또는 필름 기재의 편면, 또는 양면에 스퍼터링으로 ITO막을 성막한 것을, 1장 또는 2장 맞붙여 구성된다.
터치 패널의 대형화와 터치 센서 기능의 고정밀도화에 따라, 고투과율을 갖는 동시에 저저항인 투명 도전체가 요구되고 있다. ITO막을 사용한 투명 도전체의 저항을 낮게 하기 위해서는, ITO막의 막 두께를 두껍게 하거나, 또는, 열 어닐에 의해 ITO막의 결정화를 실시할 필요가 있다. 그러나, ITO막을 후막화하면 투과율이 저하되어 버린다. 또한, 필름 기재를 고온으로 열 어닐하는 것은 통상 곤란하다. 이로 인해, 필름 기재 위에 설치한 ITO막의 경우, 높은 투과율을 유지하면서 저항을 낮게 하는 것은 어려운 상황에 있었다.
이러한 사정하에, 산화아연을 주성분으로 하는 금속 산화물층과 금속층의 적층 구조를 갖는 투명 도전막이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1).
일본 공개특허공보 제(평)9-291355호
터치 패널 등의 용도에서는, 투명 도전막을 도전 부분과 절연 부분으로 패터닝을 실시하여 터치한 위치의 검출을 실시한다. 이로 인해, 금속 산화물층과 금속층의 적층 구조를 갖는 투명 도전체에 있어서는, 금속 산화물층과 금속층은, 에칭으로 일괄하여 제거 가능한 것이 요구된다.
또한, 패터닝 프로세스에 있어서는, 레지스트를 사용하여 패턴 형성하고, 마지막에 레지스트 박리를 실시하지만, 이 레지스트 박리에서는 알칼리 용액을 사용한다. 따라서, 패터닝을 실시하기 위해서는, 금속 산화물층은, 산에 용해되어 에칭 가능한 것과, 알칼리에는 용해되지 않는 알칼리 내성의 양립이 요구된다.
그러나, 산화아연은 산에도 알칼리에도 반응·용해되어 버리는 재료이며, 또한, 종래의 산화아연을 주성분으로 하는 금속 산화물에 있어서도, 산에 대한 용해성과 알칼리 내성의 양립은 곤란하였다. 또한, 금속 산화물은 산에 대한 용해성과 충분한 알칼리 내성을 가지며, 또한, 충분한 도전성을 가질 필요가 있다.
따라서, 산화아연을 주성분으로 하는 금속 산화물층과 금속층의 적층 구조에 있어서, 금속 산화물층과 금속층을 일괄하여 에칭 제거하는 것과, 충분한 알칼리 내성, 및 우수한 도전성을 양립하는 것이 곤란하다고 하는 과제를 가지고 있었다.
그래서, 본 개시에서는, 주성분으로서 산화아연을 함유하는 금속 산화물층과 금속층의 적층 구조를 갖는 투명 도전체에 있어서, 금속 산화물층과 금속층을 에칭에 의해 용이하게 제거하는 것이 가능하며, 또한 우수한 알칼리 내성을 가지며, 또한 고투과율이며 저저항의 투명 도전체를 제공한다. 또한, 본 개시에서는, 그러한 투명 도전체를 사용함으로써, 용이하게 제조하는 것이 가능한 터치 패널을 제공한다.
본 발명은, 하나의 측면에 있어서, 투명 수지 기재, 제1 금속 산화물층, 은 합금을 함유하는 금속층, 및 제2 금속 산화물층이 이 순서로 적층되어 있고, 제2 금속 산화물층은, 주성분으로서 ZnO를 함유하고, 부성분으로서 In2O3 및 TiO2를 함유하고, ZnO, In2O3 및 TiO2의 3성분의 합계에 대한 TiO2의 함유량이 6 내지 15mol%인 투명 도전체를 제공한다.
이러한 투명 도전체는, 최표면을 구성하는, 주성분으로서 ZnO를 함유하고, 부성분으로서 In2O3 및 TiO2를 함유하고, ZnO, In2O3 및 TiO2의 3성분의 합계에 대한 TiO2의 함유량이 6 내지 15mol%인 제2 금속 산화물층과, 은 합금을 함유하는 금속층을 구비하는 적층 구조를 가진다. 이 제2 금속 산화물층과 금속층은, 에칭에 의해 일괄하여 용이하게 제거된다. 또한, 높은 투명성, 높은 도전성, 우수한 내부식성, 및 우수한 알칼리 내성을 갖는 투명 도전체로 할 수 있다. 따라서, 터치 패널 등의 에칭이 필요한 용도에 적합하게 사용할 수 있다.
몇개의 실시형태에서는, 제2 금속 산화물층에 있어서, ZnO, In2O3 및 TiO2의 3성분의 합계에 대한 ZnO의 함유량은 73 내지 84mol%라도 좋다. 상기 3성분의 합계에 대한 In2O3의 함유량이 9 내지 18mol%라도 좋다. 상기의 비율로 ZnO, In2O3 및 TiO2를 함유함으로써, 제2 금속 산화물층의 투명성, 도전성, 내부식성, 에칭성, 및 알칼리 내성을 충분히 높게 할 수 있다.
몇개의 실시형태에서는, 제1 금속 산화물층은, 주성분으로서 ZnO를 함유하고, 부성분으로서 In2O3 및 TiO2를 함유하고, ZnO, In2O3 및 TiO2의 3성분의 합계에 대한 TiO2의 함유량을 6 내지 15mol%로 해도 좋다. 이것에 의해, 제1 금속 산화물층, 제2 금속 산화물층 및 금속층을, 에칭에 의해 일괄하여 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 높은 투명성, 높은 도전성, 우수한 내부식성, 및 알칼리 내성을 갖는 투명 도전체로 할 수 있다.
몇개의 실시형태에서는, 금속층의 두께가 4 내지 11nm이라도 좋다. 투명 도전체의 투명성을 충분히 높게 하면서, 표면 저항을 낮게 할 수 있다. 몇개의 실시형태에서는, 은 합금이, Ag와, Pd, Cu, Nd, In, Sn 및 Sb로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속과의 합금이라도 좋다.
본 발명은, 다른 측면에 있어서, 패널판 위에 센서 필름을 갖는 터치 패널로서, 센서 필름이 상기의 투명 도전체로 구성되는 터치 패널을 제공한다. 이러한 터치 패널은, 상기의 투명 도전체로 구성되는 센서 필름을 갖기 때문에, 용이하게 제조할 수 있다.
본 개시에 의하면, 주성분으로서 산화아연을 함유하는 금속 산화물층과 금속층의 적층 구조를 갖는 투명 도전체에 있어서, 금속 산화물층과 금속층을 에칭에 의해 용이하게 제거하는 것이 가능하고, 알칼리 내성과 도전성이 우수한 투명 도전체를 제공할 수 있다. 또한, 본 개시에서는, 그러한 투명 도전체를 사용함으로써, 용이하게 제조하는 것이 가능한 터치 패널을 제공할 수 있다.
도 1은 투명 도전체의 일 실시형태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 투명 도전체의 다른 실시형태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 터치 패널의 일 실시형태에 있어서의 단면의 일부를 확대하여 도시하는 모식 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는, 터치 패널의 일 실시형태를 구성하는 센서 필름의 평면도이다.
본 발명의 적합한 실시형태를, 도면을 참조하면서 이하에 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하의 실시형태로 조금도 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면에 있어서 동일 또는 동등한 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 경우에 따라 중복되는 설명은 생략한다.
도 1은, 투명 도전체의 일 실시형태를 도시하는 모식 단면도이다. 투명 도전체(100)는, 필름상의 투명 수지 기재(10)와, 제1 금속 산화물층(12)과, 금속층(16)과, 제2 금속 산화물층(14)이 이 순서로 배치된 적층 구조를 가진다.
본 명세서에 있어서의「투명」이란, 가시광이 투과하는 것을 의미하고 있으며, 광을 어느 정도 산란시켜도 좋다. 광의 산란 정도에 관해서는, 투명 도전체(100)의 용도에 따라 요구되는 레벨이 상이하다. 일반적으로 반투명이라고 하는 광의 산란이 있는 것도, 본 명세서에 있어서의「투명」의 개념에 포함된다. 광의 산란 정도는 작은 편이 바람직하며, 투명성은 높은 편이 바람직하다. 투명 도전체(100) 전체의 전광선 투과율은, 예를 들면 80% 이상이며, 바람직하게는 83% 이상이며, 보다 바람직하게는 85% 이상이다. 이 전광선 투과율은, 적분구를 사용하여 구해지는, 확산 투과광을 포함하는 투과율이며, 시판 헤이즈미터를 사용하여 측정된다.
투명 수지 기재(10)로서는, 특별히 한정되지 않으며, 가요성을 갖는 유기 수지 필름이라도 좋다. 유기 수지 필름은 유기 수지 시트라도 좋다. 유기 수지 필름으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 필름, 폴리카보네이트 필름, 아크릴 필름, 노르보르넨 필름, 폴리아릴레이트 필름, 폴리에테르설폰 필름, 디아세틸셀룰로스 필름, 및 트리아세틸셀룰로스 필름 등을 들 수 있다. 이들 중, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 및 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 필름이 바람직하다.
투명 수지 기재(10)는, 강성의 관점에서는 두꺼운 편이 바람직하다. 한편, 투명 수지 기재(10)는, 투명 도전체(100)를 박막화하는 관점에서는 얇은 편이 바람직하다. 이러한 관점에서, 투명 수지 기재(10)의 두께는, 예를 들면 10 내지 200㎛이다. 투명 수지 기재의 굴절율은, 광학 특성이 우수한 투명 도전체로 하는 관점에서, 예를 들면 1.50 내지 1.70이다. 또한, 본 명세서에 있어서의 굴절율은, λ=633nm, 온도 20℃의 조건하에서 측정되는 값이다.
투명 수지 기재(10)는, 가열시의 치수 안정성이 높은 것이 바람직하다. 일반적으로, 가요성의 유기 수지 필름은 필름 제작 과정에 있어서, 가열에 의해 팽창 또는 수축에 의한 치수 변화를 일으킨다. 1축 연신 또는 2축 연신에서는, 저비용으로 두께가 얇은 투명 수지 기재(10)를 제작할 수 있다. 인출 전극을 형성할 때에, 투명 도전체(100)를 가열하면, 열수축함으로써 치수 변화가 일어난다. 이러한 치수 변화는, ASTM D1204-02 또는 JIS-C-2151에 준거하여 측정할 수 있다. 가열 처리 전후의 치수 변화율은, 가열전의 치수를 Lo, 가열후의 치수를 L로 했을 때, 이하의 식으로 구해진다.
치수 변화율(%)=100×(L-Lo)/Lo
치수 변화율(%)이 플러스인 경우에는, 가열 처리에 의해 팽창된 것을 나타내고, 마이너스인 경우에는, 가열 처리에 의해 수축된 것을 나타낸다. 2축 연신된 투명 수지 기재(10)의 치수 변화율은, 연신시의 진행 방향(MD 방향)과 가로 방향(TD 방향)의 양쪽에 있어서 측정할 수 있다. 투명 수지 기재(10)의 치수 변화율은, 예를 들면 MD 방향에서 -1.0 내지 -0.3%, TD 방향에서 -0.1 내지 +0.1%이다.
투명 수지 기재(10)는, 코로나 방전 처리, 글로우 방전 처리, 화염 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 및 오존 처리로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1개의 표면 처리가 가해진 것이라도 좋다. 투명 수지 기재(10)는, 수지 필름이라도 좋다. 수지 필름을 사용함으로써, 투명 도전체(100)를 유연성이 우수한 것으로 할 수 있다. 이것에 의해, 터치 패널 용도의 투명 도전체로 한정되지 않고, 플렉시블한 유기 EL 조명 등의 투명 전극용, 또는 전자파 쉴드로서도 사용할 수 있다.
예를 들면, 투명 도전체(100)를, 터치 패널을 구성하는 센서 필름으로서 사용하는 경우, 손가락 및 펜 등의 외부 입력에 대해 적절하게 변형할 수 있도록, 투명 수지 기재(10)는 가요성을 갖는 유기 수지 필름을 사용해도 좋다.
제2 금속 산화물층(14)은, 산화물을 함유하는 투명한 층이며, 주성분으로서 ZnO를 함유하고, 부성분으로서 In2O3 및 TiO2를 함유하고, ZnO, In2O3 및 TiO2의 3성분의 합계에 대한 TiO2의 함유량은 6 내지 15mol%이다. 여기서 말하는 주성분이란, ZnO, In2O3 및 TiO2의 3성분에 있어서, 몰 기준의 함유량이 가장 많은 성분이다. 부성분이란, 상기 3성분 중, 주성분이 아닌 성분이다. 제2 금속 산화물층(14)은, 주성분으로서 ZnO를 함유하기 때문에 경제성이 우수하다. 또한, ITO를 사용하지 않고, 높은 도전성과 높은 투명성을 겸비한 제2 금속 산화물층(14)을 형성할 수 있다. 이로 인해, 열 어닐을 실시하지 않고도, 낮은 표면 저항을 갖는 제2 금속 산화물층(14)으로 할 수 있다.
여기서, 제2 금속 산화물층(14)에 있어서, 상기 3성분의 합계에 대한 TiO2의 함유량은, 에칭성을 충분히 높게 하는 관점에서, 15mol% 이하이고, 바람직하게는 12mol% 이하이다. 또한, 제2 금속 산화물층(14)에 있어서, 상기 3성분의 합계에 대한 TiO2의 함유량은, 알칼리 내성을 충분히 높게 하는 관점에서, 6mol% 이상이고, 바람직하게는 8mol% 이상이다. TiO2의 함유량이 지나치게 많으면, 제2 금속 산화물층(14)과 금속층(16)의 적층 구조의 에칭이 불가능해지고, 또한 금속 산화물층의 도전성이 소실되어 버린다. 한편, TiO2의 함유량이 지나치게 적으면, 상기의 적층 구조의 알칼리 내성이 저하된다.
제2 금속 산화물층(14)에 있어서, 상기 3성분의 합계에 대한 ZnO의 함유량은, 투과율과 도전성을 충분히 높게 하는 관점에서, 예를 들면 73mol% 이상이고, 바람직하게는 75mol% 이상이다. 제2 금속 산화물층(14)에 있어서, 상기 3성분의 합계에 대한 ZnO의 함유량은, 보존 안정성을 충분히 높게 하는 관점에서, 예를 들면 84mol% 이하이고, 바람직하게는 82mol% 이하이다. ZnO의 함유량이 지나치게 많으면, 고온 고습 환경하에서 보존한 경우에, 백탁이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 한편, ZnO의 함유량이 지나치게 적으면, 투과율 및 도전성이 저하되는 경향이 있다.
제2 금속 산화물층(14)에 있어서, 상기 3성분의 합계에 대한 In2O3의 함유량은, 투과율을 충분히 높게 하는 관점에서, 예를 들면 18mol% 이하이고, 바람직하게는 16mol% 이하이다. 제2 금속 산화물층(14)에 있어서, 상기 3성분의 합계에 대한 In2O3의 함유량은, 보존 안정성을 충분히 높게 하는 관점에서, 예를 들면 9mol% 이상이고, 바람직하게는 11mol% 이상이다. In2O3의 함유량이 지나치게 많으면, 투과율이 저하되는 경향이 있다. 한편, In2O3의 함유량이 지나치게 적으면, 고온 고습 환경하에서 보존한 경우에, 백탁이 발생하기 쉬워지는 동시에 표면 저항이 높아지는 경향이 있다.
제2 금속 산화물층(14)은, 광학 특성의 조정, 금속층(16)의 보호, 및 도전성의 확보와 같은 기능을 겸비한다. 제2 금속 산화물층(14)은, 그 기능을 크게 손상시키지 않는 범위에서, 상기 3성분 외에, 미량 성분 또는 불가피적 성분을 함유하고 있어도 좋다. 단, 충분히 높은 특성을 갖는 투명 도전체(100)로 하는 관점에서, 제2 금속 산화물층(14)에 있어서의 당해 3성분의 합계의 비율은 높은 편이 바람직하다. 그 비율은, 예를 들면 95mol% 이상이며, 바람직하게는 97mol% 이상이다. 또한, 제2 금속 산화물층(14)은, ITO를 함유하지 않는 것이 바람직하다.
제1 금속 산화물층(12)과, 제2 금속 산화물층(14)은, 두께, 구조 및 조성의 점에서, 동일해도 좋고, 상이해도 좋다. 제2 금속 산화물층(14)의 조성에 관한 기재는, 제1 금속 산화물층(12)에도, 그대로 적용할 수 있다. 제1 금속 산화물층(12)이, 제2 금속 산화물층(14)과 동일한 조성을 가짐으로써, 제1 금속 산화물층(12), 금속층(16), 및 제2 금속 산화물층(14)을, 에칭에 의해 일괄하여 제거할 수 있다. 또한, 투명성, 내부식성, 및 알칼리 내성을 더욱 높게 할 수 있다.
제1 금속 산화물층(12)은, 제2 금속 산화물층(14)과는 상이한 조성을 가지고 있어도 좋다. 이 경우, 제2 금속 산화물층(14) 및 금속층(16)만을 에칭하여 제거하여, 제1 금속 산화물층(12)을 그대로 잔존시킬 수 있다.
제1 금속 산화물층(12) 및 제2 금속 산화물층(14)의 두께는, 다양한 터치 패널에 적합한 두께로 하는 관점에서, 예를 들면 10 내지 70nm이다.
제1 금속 산화물층(12) 및 제2 금속 산화물층(14)은, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 또는 CVD법 등의 진공 성막법에 의해 제작할 수 있다. 이들 중, 성막실을 소형화할 수 있는 점, 및, 성막 속도가 빠른 점에서, 스퍼터링법이 바람직하다. 스퍼터링법으로서는, DC 마그네트론 스퍼터링을 들 수 있다. 타깃으로서는, 산화물 타깃, 금속 또는 반금속 타깃을 사용할 수 있다.
제2 금속 산화물층(14) 위에는 배선 전극 등이 설치되어도 좋다. 후술하는 금속층(16)을 도통하는 전류는, 제2 금속 산화물층(14) 위에 설치되는 배선 전극 등으로부터, 제2 금속 산화물층(14)을 경유하여, 유도된다. 이로 인해, 제2 금속 산화물층(14)은, 높은 도전성을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 관점에서, 제2 금속 산화물층(14) 단독의 표면 저항값은, 예를 들면 1.0×10+7Ω/□(=1.0E+7Ω/sq.) 이하인 것이 바람직하며, 5.0×10+6Ω/□ 이하인 것이 보다 바람직하다.
금속층(16)은, 주성분으로서 은 합금을 함유하는 층이다. 금속층(16)이 높은 도전성을 가짐으로써, 투명 도전체(100)의 표면 저항을 충분히 낮게 할 수 있다. 은 합금을 구성하는 금속 원소로서는, Ag와, Pd, Cu, Nd, In, Sn, 및 Sb로부터 선택되는 적어도 1종을 들 수 있다. 은 합금의 예로서는, Ag-Pd, Ag-Cu, Ag-Pd-Cu, Ag-Nd-Cu, Ag-In-Sn, 및 Ag-Sn-Sb를 들 수 있다.
금속층(16)은, 은 합금 외에, 첨가물을 함유하고 있어도 좋다. 첨가물은, 에칭액에 의해 용이하게 제거되는 것이 바람직하다. 금속층(16)에 있어서의 은 합금의 함유량은, 예를 들면 90질량% 이상이라도 좋고, 95질량% 이상이라도 좋다. 금속층(16)의 두께는, 예를 들면 1 내지 30nm이다. 투명 도전체(100)의 표면 저항을 충분히 낮게 하면서 전광선 투과율을 충분히 높게 하는 관점에서, 금속층(16)의 두께는 바람직하게는 4 내지 11nm이다. 금속층(16)의 두께가 지나치게 크면 전광선 투과율이 저하되는 경향이 있다. 한편, 금속층(16)의 두께가 지나치게 작으면 표면 저항이 높아지는 경향이 있다.
금속층(16)은, 투명 도전체(100)의 전광선 투과율 및 표면 저항을 조정하는 기능을 가지고 있다. 금속층(16)은, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 또는 CVD법 등의 진공 성막법에 의해 제작할 수 있다. 이들 중, 성막실을 소형화할 수 있는 점, 및 성막 속도가 빠른 점에서, 스퍼터링법이 바람직하다. 스퍼터링법으로서는, DC 마그네트론 스퍼터링을 들 수 있다. 타깃으로서는, 금속 타깃을 사용할 수 있다.
투명 도전체(100)에 있어서의 제1 금속 산화물층(12) 및 제2 금속 산화물층(14)의 적어도 일부, 및, 금속층(16)의 적어도 일부는, 에칭 등에 의해 제거되어 있어도 좋다.
도 2는, 투명 도전체의 다른 실시형태를 도시하는 모식 단면도이다. 투명 도전체(101)는, 투명 수지 기재(10)를 사이에 개재하도록 하여 한 쌍의 하드 코트층(20)을 구비하는 점에서, 투명 도전체(100)와 상이하다. 그 밖의 구성은, 투명 도전체(100)와 같다.
투명 도전체(101)는, 한 쌍의 하드 코트층(20)으로서, 투명 수지 기재(10)의 제1 금속 산화물층(12)측의 주면 위에 제1 하드 코트층(22)과, 투명 수지 기재(10)의 제1 금속 산화물층(12)측과는 반대측의 주면 위에 제2 하드 코트층(24)을 구비한다. 즉, 투명 도전체(101)는, 제2 하드 코트층(24), 투명 수지 기재(10), 제1 하드 코트층(22), 제1 금속 산화물층(12), 금속층(16) 및 제2 금속 산화물층(14)이 이 순으로 적층된 적층 구조를 가지고 있다. 제1 하드 코트층(22)과 제2 하드 코트층(24)의 두께, 구조 및 조성은, 동일해도 좋고 상이해도 좋다. 또한, 반드시 제1 하드 코트층(22)과 제2 하드 코트층(24) 양쪽을 구비할 필요는 없으며, 어느 한쪽만을 구비하고 있어도 좋다.
하드 코트층(20)을 설치함으로써, 투명 수지 기재(10)에 발생하는 흠집을 충분히 억제할 수 있다. 하드 코트층(20)은, 수지 조성물을 경화시켜 수득되는 수지 경화물을 함유한다. 수지 조성물은, 열경화성 수지 조성물, 자외선 경화성 수지 조성물, 및 전자선 경화성 수지 조성물로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것이 바람직하다. 열경화성 수지 조성물은, 에폭시계 수지, 페녹시계 수지, 및 멜라민계 수지로부터 선택되는 적어도 1종을 함유해도 좋다.
수지 조성물은, 예를 들면, (메트)아크릴로일기, 비닐기 등의 에너지선 반응성기를 갖는 경화성 화합물을 함유하는 조성물이다. 또한, (메트)아크릴로일기라는 표기는, 아크릴로일기 및 메타크릴로일기의 적어도 한쪽을 포함하는 의미이다. 경화성 화합물은, 1개의 분자 내에 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상의 에너지선 반응성기를 함유하는 다관능 단량체 또는 올리고머를 함유하고 있는 것이 바람직하다.
경화성 화합물은, 바람직하게는 아크릴계 단량체를 함유한다. 아크릴계 단량체로서는, 구체적으로는, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥사이드 변성 트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판프로필렌옥사이드 변성 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메트)아크릴레이트, 및 3-(메트)아크릴로일옥시글리세린모노(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 단, 반드시 이들로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 우레탄 변성 아크릴레이트, 및 에폭시 변성 아크릴레이트 등도 들 수 있다.
경화성 화합물로서, 비닐기를 갖는 화합물을 사용해도 좋다. 비닐기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜디비닐에테르, 펜타에리스리톨디비닐에테르, 1,6-헥산디올디비닐에테르, 트리메틸올프로판디비닐에테르, 에틸렌옥사이드 변성 하이드로퀴논디비닐에테르, 에틸렌옥사이드 변성 비스페놀 A 디비닐에테르, 펜타에리스리톨트리비닐에테르, 디펜타에리스리톨헥사비닐에테르, 및, 디트리메틸올프로판폴리비닐에테르 등을 들 수 있다. 단, 반드시 이들로 한정되는 것은 아니다.
수지 조성물은, 경화성 화합물을 자외선에 의해 경화시키는 경우, 광중합 개시제를 함유한다. 광중합 개시제로서는, 다양한 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 아세트페논계, 벤조인계, 벤조페논계, 및 티옥산톤계 등의 공지의 화합물로부터 적절히 선택하면 좋다. 보다 구체적으로는, 다로큐어1173, 이루가큐어651, 이루가큐어184, 이루가큐어907(이상 상품명, 치바스페셜티케미칼사 제조), 및 KAYACURE DETX-S(상품명, 니혼가야쿠(주) 제조)를 들 수 있다.
광중합 개시제는, 경화성 화합물의 질량에 대해, 0.01 내지 20질량%, 또는 0.5 내지 5질량% 정도로 하면 좋다. 수지 조성물은, 아크릴계 단량체에 광중합 개시제를 가한 공지의 것이라도 좋다. 아크릴계 단량체에 광중합 개시제를 가한 것으로서는, 예를 들면, 자외선 경화형 수지인 SD-318(상품명, 다이닛폰잉키가가쿠고교(주) 제조), 및 XNR5535(상품명, 나가세산교(주) 제조) 등을 들 수 있다.
수지 조성물은, 도막의 강도를 높이는 것, 및/또는, 굴절율을 조정하는 것 등을 위해, 유기 미립자 및/또는 무기 미립자를 함유하고 있어도 좋다. 유기 미립자로서는, 예를 들면, 유기 규소 미립자, 가교 아크릴 미립자, 및 가교 폴리스티렌 미립자 등을 들 수 있다. 무기 미립자로서는, 예를 들면, 산화규소 미립자, 산화알루미늄 미립자, 산화지르코늄 미립자, 산화티탄 미립자, 및 산화철 미립자 등을 들 수 있다. 이들 중, 산화규소 미립자가 바람직하다.
미립자는, 그 표면이 실란 커플링제로 처리되어, (메트)아크릴로일기, 및/또는 비닐기 등의 에너지선 반응성기가 표면에 막상으로 존재하고 있는 것도 바람직하다. 이러한 반응성을 갖는 미립자를 사용하면, 에너지선 조사시에, 미립자끼리가 반응하거나, 미립자와 다관능 단량체 또는 올리고머가 반응하거나 하여, 막의 강도를 강하게 할 수 있다. (메트)아크릴로일기를 함유하는 실란 커플링제로 처리된 산화규소 미립자가 바람직하게 사용된다.
미립자의 평균 입자 직경은, 하드 코트층(20)의 두께보다도 작고, 충분한 투명성을 확보하는 관점에서, 100nm 이하라도 좋고, 20nm 이하라도 좋다. 한편, 콜로이드 용액의 제조상의 관점에서, 5nm 이상이라도 좋고, 10nm 이상이라도 좋다. 유기 미립자 및/또는 무기 미립자를 사용하는 경우, 유기 미립자 및 무기 미립자의 합계량은, 경화성 화합물 100질량부에 대해, 예를 들면 5 내지 500질량부라도 좋고, 20 내지 200질량부라도 좋다.
에너지선으로 경화하는 수지 조성물을 사용하면, 자외선 등의 에너지선을 조사함으로써, 수지 조성물을 경화시킬 수 있다. 따라서, 이러한 수지 조성물을 사용하는 것이 제조 공정상의 관점에서도 바람직하다.
제1 하드 코트층(22)은, 수지 조성물의 용액 또는 분산액을, 투명 수지 기재(10)의 한쪽 면 위에 도포하여 건조시키고, 수지 조성물을 경화시켜 제작할 수 있다. 이 때의 도포는, 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다. 도포 방법으로서는, 예를 들면, 익스트루전 노즐법, 블레이드법, 나이프법, 바코트법, 키스코트법, 키스리버스법, 그라비아롤법, 딥법, 리버스롤법, 다이렉트롤법, 커튼법, 및 스퀴즈법 등을 들 수 있다. 제2 하드 코트층(24)도, 제1 하드 코트층(22)과 같이 하여, 투명 수지 기재(10)의 다른쪽 면 위에 제작할 수 있다.
제1 하드 코트층(22) 및 제2 하드 코트층(24)의 두께는, 예를 들면 0.5 내지 10㎛이다. 두께가 10㎛을 초과하면, 두께 얼룩이나 주름 등이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 한편, 두께가 0.5㎛를 하회하면, 투명 수지 기재(10) 중에 가소제 또는 올리고머 등의 저분자량 성분이 상당량 함유되어 있는 경우에, 이들 성분의 블리드아웃을 충분히 억제하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 휨을 억제하는 관점에서, 제1 하드 코트층(22) 및 제2 하드 코트층(24)의 두께는, 동정도로 하는 것이 바람직하다.
제1 하드 코트층(22) 및 제2 하드 코트층(24)의 굴절율은, 예를 들면 1.40 내지 1.60이다. 투명 수지 기재(10)와 제1 하드 코트층(22)의 굴절율의 차의 절대값이 0.1 이하인 것이 바람직하다. 투명 수지 기재(10)와 제2 하드 코트층(24)의 굴절율의 차의 절대값도 0.1 이하인 것이 바람직하다. 제1 하드 코트층(22) 및 제2 하드 코트층(24)과 투명 수지 기재(10)의 굴절율의 차의 절대값을 작게 함으로써, 제1 하드 코트층(22) 및 제2 하드 코트층(24)의 두께의 얼룩에 의해 발생하는 간섭 얼룩의 강도를 억제할 수 있다.
투명 도전체(100, 101)를 구성하는 각 층의 두께는, 이하의 수순으로 측정할 수 있다. 집속 이온 빔 장치(FIB, Focused Ion Beam)에 의해 투명 도전체(100, 101)를 절단하여 단면을 수득한다. 투과 전자 현미경(TEM)을 사용하여 당해 단면을 관찰하여, 각 층의 두께를 측정한다. 측정은, 임의로 선택된 10개소 이상의 위치에서 측정을 실시하여, 그 평균값을 구하는 것이 바람직하다. 단면을 수득하는 방법으로서, 집속 이온 빔 장치 이이의 장치로서 미크로톰을 사용해도 좋다. 두께를 측정하는 방법으로서는, 주사 전자 현미경(SEM)을 사용해도 좋다. 또한 형광 X선 장치를 사용해도 막 두께를 측정하는 것이 가능하다.
투명 도전체(100, 101)의 두께는, 200㎛ 이하라도 좋고, 150㎛ 이하라도 좋다. 이러한 두께이면, 박화(薄化)의 요구 레벨을 충분히 만족시킬 수 있다. 투명 도전체(100, 101)의 전광선 투과율은, 예를 들면 85% 이상의 높은 값으로 할 수 있다. 또한, 투명 도전체(100, 101)의 표면 저항값(4단자법)은, 제1 금속 산화물층(12) 및 제2 금속 산화물층(14)의 열 어닐을 하지 않아도, 예를 들면 30Ω/□ 이하로 하는 것이 가능하며, 25Ω/□ 이하로 할 수도 있다.
상기의 구성을 구비하는 투명 도전체(100, 101)는, 제1 금속 산화물층(12), 금속층(16) 및 제2 금속 산화물층(14)이 적층된 적층 구조를 가진다. 이 적층 구조는, 통상의 에칭액을 사용하여, 용이하게 일괄하여 제거할 수 있다. 또한, 높은 투과율을 갖는 동시에, 열 어닐을 실시하지 않아도 높은 도전성을 가진다. 이로 인해, 터치 패널의 센서 필름용으로서 적합하게 사용할 수 있다.
도 3은, 한 쌍의 센서 필름을 구비하는 터치 패널(200)의 단면의 일부를 확대하여 도시하는 모식 단면도이다. 도 4a 및 도 4b는, 상기의 투명 도전체(100)를 사용한 센서 필름(100a 및 100b)의 평면도이다. 터치 패널(200)은, 광학 풀(18)을 개재하여 대향 배치되는 한 쌍의 센서 필름(100a, 100b)을 구비한다. 터치 패널(200)은, 접촉체의 터치 위치를, 화면이 되는 패널판(70)에 평행한 2차원 좌표(X-Y 좌표) 평면에 있어서의 좌표 위치(가로 방향 위치와 세로 방향 위치)로서 산출하는 것이 가능하도록 구성되어 있다.
구체적으로는, 터치 패널(200)은, 광학 풀(18)을 개재하여 맞붙여진, 세로 방향 위치 검출용의 센서 필름(100a)(이하,「Y용 센서 필름」이라고 한다)과, 가로 방향 위치 검출용의 센서 필름(100b)(이하,「X용 센서 필름」이라고 한다)을 구비한다. X용 센서 필름(100b)의 하면측에는, X용 센서 필름(100b)과, 표시 장치의 패널판(70) 사이에, 스페이서(92)가 마련되어 있다.
Y용 센서 필름(100a)의 상면측(패널판(70)측과는 반대측)에는, 광학 풀(17)을 개재하여, 커버 글래스(19)가 설치되어 있다. 즉, 터치 패널(200)은, 패널판(70) 위에, 패널판(70)측에서, X용 센서 필름(100b), Y용 센서 필름(100a), 및 커버 글래스(19)가 이 순서로 배치된 적층 구조를 가진다.
세로 방향 위치를 검출하는 Y용 센서 필름(100a)과, 가로 방향 위치를 검출하는 X용 센서 필름(100b)은, 상기의 투명 도전체(100)로 구성된다. Y용 센서 필름(100a) 및 X용 센서 필름(100b)은, 커버 글래스(19)와 대향하도록, 도전부인 센서 전극(15a) 및 센서 전극(15b)을 가진다.
이 센서 전극(15a)은, 제1 금속 산화물층(12), 제2 금속 산화물층(14) 및 금속층(16)으로 구성된다. 도 4a에 도시하는 바와 같이, 센서 전극(15a)은, 세로 방향(y 방향)의 터치 위치를 검출할 수 있도록, 세로 방향(y 방향)으로 복수개 연신되어 있다. 복수개의 센서 전극(15a)은, 세로 방향(y 방향)을 따라, 서로 평행하게 나란히 배치되어 있다. 센서 전극(15a)의 일단은, 은 페이스트로 형성되는 도체 선로(50)를 개재하여, 구동용 IC측의 전극(80)과 접속되어 있다.
가로 방향 위치를 검출하는 X용 센서 필름(100b)은, Y용 센서 필름(100a)과의 대향면에, 센서 전극(15b)을 가진다. 이 센서 전극(15b)은, 제1 금속 산화물층(12), 제2 금속 산화물층(14) 및 금속층(16)으로 구성된다. 도 4b에 도시하는 바와 같이, 센서 전극(15b)은, 가로 방향(x 방향)의 터치 위치를 검출할 수 있도록, 가로 방향(x 방향)으로 복수개 연신되어 있다. 복수개의 센서 전극(15b)은, 가로 방향(x 방향)을 따라, 서로 평행하게 나란히 배치되어 있다. 센서 전극(15b)의 일단은, 은 페이스트로 형성되는 도체 선로(50)를 개재하여, 구동용 IC측의 전극(80)과 접속되어 있다.
Y용 센서 필름(100a)과 X용 센서 필름(100b)은, Y용 센서 필름(100a)과 X용 센서 필름(100b)의 적층 방향에서 봤을 때에, 각각의 센서 전극(15a, 15b)이 서로 직교하도록, 광학 풀(18)을 개재하여 포개어져 있다. Y용 센서 필름(100a)의 X용 센서 필름(100b)측과는 반대측에는, 광학 풀(17)을 개재하여 커버 글래스(19)가 설치되어 있다. 광학 풀(17, 18), 커버 글래스(19), 및 패널판(70)은, 통상의 것을 사용할 수 있다.
도 4a, b에 있어서의 도체 선로(50) 및 전극(80)은, 금속(예를 들면 Ag) 등의 도전성 재료에 의해 구성된다. 도체 선로(50) 및 전극(80)은, 예를 들면, 스크린 인쇄에 의해 패턴 형성된다.
각 센서 필름(100a, 100b)에 있어서의 센서 전극(15a, 15b)의 형상 및 수는, 도 3, 도 4a 및 도 4b에 도시하는 형태로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 센서 전극(15a, 15b)의 수를 증가시켜 터치 위치의 검출 정밀도를 높여도 좋다.
X용 센서 필름(100b)의 Y용 센서 필름(100a)측과는 반대측에는, 스페이서(92)를 개재하여 패널판(70)이 설치된다. 스페이서(92)는, 센서 전극(15a, 15b)의 형상에 대응하는 위치와, 센서 전극(15a, 15b) 전체를 둘러싸는 위치에 설치할 수 있다. 스페이서(92)는, 투광성을 갖는 재료, 예를 들면 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 수지로 형성되어 있어도 좋다. 스페이서(92)의 일단은, 광학 풀 또는 아크릴계 또는 에폭시계 등의 투광성을 갖는 접착제(90)에 의해, X용 센서 필름(100b)의 하면에 접착된다. 스페이서(92)의 타단은, 접착제(90)에 의해 표시 장치의 패널판(70)에 접착된다. 이와 같이, 스페이서(92)를 개재하여 X용 센서 필름(100b)과 패널판(70)을 대향 배치함으로써, X용 센서 필름(100b)과 표시 장치의 패널판(70) 사이에 틈(S)을 마련할 수 있다.
전극(80)에는, 제어부(IC)가 전기적으로 접속된다. 손가락 끝과 터치 패널(200)의 Y용 센서 필름(100a) 사이에 있어서의 정전 용량의 변화에 따라 발생하는 각 센서 전극(15a, 15b)의 용량 변화가 각각 측정된다. 제어부는, 측정 결과에 기초하여 접촉체의 터치 위치를 좌표 위치(X축 방향의 위치와 Y축 방향이 위치의 교점)로서 산출할 수 있다. 또한, 센서 전극의 구동 방법, 및, 좌표 위치의 산출 방법은, 상기한 것 외에, 공지의 각종 방법을 채용하는 것이 가능하다.
터치 패널(200)은 이하의 수순으로 제조할 수 있다. 투명 도전체(100)를 준비한 후, 제1 금속 산화물층(12), 금속층(16) 및 제2 금속 산화물층(14)의 에칭을 실시하여, 패터닝을 실시한다. 구체적으로는, 포토리소그래피의 기술을 사용하여 제2 금속 산화물층(14)의 표면에 스핀 코팅에 의해 레지스트 재료를 도포한다. 그 후, 밀착성을 향상시키기 위해 프리베이크를 실시해도 좋다. 계속해서, 마스크 패턴을 배치하여 노광하고, 현상액으로 현상함으로써, 레지스트 패턴을 형성한다. 레지스트 패턴의 형성은, 포토리소그래피로 한정되지 않으며, 스크린 인쇄 등에 의해 형성하는 것도 가능하다.
다음에, 산성의 에칭액에, 레지스트 패턴을 형성한 투명 도전체(100)를 침지하고, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분에 있어서의 제1 금속 산화물층(12), 제2 금속 산화물층(14) 및 금속층(16)을 용해 제거한다. 그 후, 레지스트를 제거하고, 센서 전극(15a)이 형성된 Y용 센서 필름(100a)과, 센서 전극(15b)이 형성된 X용 센서 필름(100b)이 수득된다.
제1 금속 산화물층(12)과 제2 금속 산화물층(14)을 상이한 조성으로 하고, 제1 금속 산화물층(12)은 에칭으로 제거되지 않는 조성으로 하면, 금속층(16)과 제2 금속 산화물층(14)을 일괄 에칭하여, 제1 금속 산화물층(12)을 에칭 후에도 그대로 잔존시키는 것도 가능하다. 에칭액으로서는, 무기산계의 에칭액을 사용할 수 있다. 예를 들면, 인산계의 에칭액이 적합하다.
계속해서, 예를 들면 은 합금 페이스트 등의 금속 페이스트를 도포하여, 도체 선로(50) 및 전극(80)을 형성한다. 이와 같이 하여, 제어부(도시하지 않음)와 센서 전극(15a, 15b)이 전기적으로 접속된다. 다음에, Y용 센서 필름(100a)과 X용 센서 필름(100b)을, 광학 풀(18)을 사용하여, 각각의 센서 전극(15a, 15b)이 동일 방향을 향하도록 하여 맞붙인다. 이 경우, Y용 센서 필름(100a)과 X용 센서 필름(100b)의 적층 방향에서 봤을 때에, 센서 전극(15a, 15b)이 서로 직행하도록 맞붙인다. 그리고, 광학 풀(17)을 사용하여 커버 글래스(19)와 Y용 센서 필름(100a)을 맞붙인다. 이와 같이 하여, 터치 패널(200)을 제조할 수 있다.
터치 패널(200)은, Y용 센서 필름(100a) 및 X용 센서 필름(100b)으로서, 투명 도전체(100)를 사용하고 있다. 투명 도전체(100)는, 에칭에 의해 제1 금속 산화물층(12), 제2 금속 산화물층(14) 및 금속층(16)을 일괄하여 제거할 수 있다. 이로 인해, 터치 패널(200)의 제조 프로세스를 간략화하여, 터치 패널(200)을 용이하게 제조할 수 있다.
또한, Y용 센서 필름(100a) 및 X용 센서 필름(100b)의 쌍방에, 투명 도전체(100)를 사용할 필요는 없으며, 어느 한쪽은, 다른 투명 도전체를 사용해도 좋다. 이러한 터치 패널이라도, 표시를 충분히 선명하게 할 수 있다. 또한, 센서 필름으로서, 투명 도전체(100)가 아니라, 투명 도전체(101)를 사용해도 좋다.
이와 같이, 투명 도전체(100, 101)는, 터치 패널용으로 적합하게 사용할 수 있다. 단, 그 용도는 터치 패널로 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 제1 금속 산화물층(12), 제2 금속 산화물층(14) 및 금속층(16)을 에칭에 의해 소정 형상으로 가공하여, 제1 금속 산화물층(12), 제2 금속 산화물층(14) 및 금속층(16)을 갖는 부분(도전부)과, 제1 금속 산화물층(12), 제2 금속 산화물층(14) 및 금속층(16)을 갖지 않는 부분(비도전부)을 형성하고, 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 일렉트로루미네선스 패널(유기 EL, 무기 EL), 일렉트로크로믹 소자, 및 전자 페이퍼 등의 각종 표시 장치에 있어서, 투명 전극용, 대전 방지용, 전자파 쉴드용으로서 사용할 수 있다. 또한, 안테나로서 사용할 수도 있다.
이상, 본 발명의 적합한 실시형태를 설명했지만, 본 발명은 상기의 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기한 투명 도전체(101)는 한 쌍의 하드 코트층(20)을 가지고 있지만, 제1 하드 코트층(22) 및 제2 하드 코트층(24) 중 어느 한쪽만을 구비하고 있어도 좋다. 또한, 투명 수지 기재(10)의 한쪽 면 위에 하드 코트층을 설치하고, 다른쪽 면 위에 도포에 의해 복수의 광학 조정층을 설치해도 좋다. 이 경우, 제1 금속 산화물층(12), 금속층(16) 및 제2 금속 산화물층(14)은, 이 광학 조정층 위에 설치해도 좋다. 또한, 투명 도전층(100, 101)에는, 그 기능이 크게 손상되지 않는 범위에서, 상기한 층 이외에 임의의 위치에 임의의 층을 설치해도 좋다.
[실시예]
이하에 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1 내지 13]
(투명 도전체(101)의 제작)
도 2에 도시하는 바와 같은 투명 도전체를 제작하였다. 투명 도전체는, 한 쌍의 하드 코트층 사이에 개재된 투명 수지 기재, 제1 금속 산화물층, 금속층 및 제2 금속 산화물층이 이 순서로 적층된 적층 구조를 가지고 있다. 각 실시예의 투명 도전체를 이하의 요령으로 제작하였다.
두께가 100㎛인 폴리에틸렌프테레탈레이트 필름(토레 가부시키가이샤 제조, 품번: U48)을 준비하였다. 이 PET 필름을 투명 수지 기재로서 사용하였다. 제1 하드 코트층, 및 제2 하드 코트층 제작용의 도료를 이하의 수순으로 조제하였다.
우선, 이하의 원재료를 준비하였다.
·반응성기 장식 콜로이드성 실리카(분산매: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 불휘발분: 40중량%): 100중량부
·디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트: 48중량부
·1,6-헥산디올디아크릴레이트: 12중량부
·광중합 개시제(1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤): 2.5중량부
상기의 원재료를, 용제(프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGMA))로 희석하여 혼합하고, 각 성분을 용제 중에 분산시켰다. 이것에 의해, 불휘발분(NV)이 25.5중량%인 도료를 조정하였다. 이와 같이 하여 수득된 도료를, 제1 하드 코트층 및 제2 하드 코트층 제작용의 도료로서 사용하였다.
투명 수지 기재의 한쪽 면 위에, 제1 하드 코트층 제작용의 도료를 도포하여, 도포막을 제작하였다. 80℃로 설정한 열풍 건조로에 있어서 도포막 중의 용제를 제거한 후, UV 처리 장치를 사용하여 적산 광량 400mJ/㎠의 자외선을 조사하여 도포막을 경화시켰다. 이와 같이 하여, 투명 수지 기재의 한쪽 면에, 두께 5㎛의 제1 하드 코트층을 제작하였다. 마찬가지로 하여, 투명 수지 기재의 다른쪽 면 위에, 두께 5㎛의 제2 하드 코트층을 제작하였다.
제1 하드 코트층 위에, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해, 제1 금속산화물층, 금속층 및 제2 금속 산화물층을 순차 형성하였다. 제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층은, 표 1에 기재하는 조성을 갖는 ZnO-In2O3-TiO2 타깃을 사용하여 형성하였다. 각각의 실시예에 있어서의 제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층은, 동일한 조성을 갖는 타깃을 사용하여 형성하였다. 각 실시예에 있어서의 제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층의 조성은, 표 1에 기재하는 바와 같았다. 각 실시예에 있어서의 제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층의 두께는 50nm으로 하였다.
표 1에 기재하는 모든 실시예에 있어서, 금속층은, AgPdCu(Ag:Pd:Cu=99.0:0.5:0.5(질량%)) 타깃을 사용하여 형성하였다. 금속층(16)의 두께는 5nm으로 하였다.
(투명 도전체(101)의 평가)
이하의 수순으로 에칭 특성을 평가하였다. 우선, 인산, 아세트산, 질산을 함유하는 PAN계 에칭액을 준비하였다. 이 에칭액에 각 실시예의 투명 도전체를 실온에서 1분간 침지하여 에칭을 실시하였다. 그 후, 전광선 투과율 측정을 실시하여, 제1 금속 산화물층, 금속층 및 제2 금속 산화물층이 용해되어 있는지 여부를 판정하였다. 구체적으로는, 에칭후의 샘플의 전광선 투과율이, 투명 수지 기재만의 전광선 투과율과 일치한 경우에는「A」, 일치하지 않은 경우에는 「B」로 판정하였다. 전광선 투과율(투과율)은, 헤이즈미터(상품명: NDH-7000, 니혼덴쇼쿠고교사 제조)를 사용하여 측정하였다. 평가 결과는 표 1에 기재하는 바와 같았다.
또한, 이하의 수순으로 알칼리 내성을 평가하였다. 농도 3wt%의 KOH 용액을 준비하였다. 이 알칼리 용액에 각 실시예의 투명 도전체를 실온에서 2분간 침지하였다. 그 후, 전광선 투과율 측정을 실시하여, 제1 금속 산화물층, 금속층 및 제2 금속 산화물층이 용해되어 있는지 여부를 판정하였다. 구체적으로는, 알칼리 용액 침지후의 샘플의 전광선 투과율이, 침지 전의 전광선 투과율과 일치한 경우에는「A」, 일치하지 않은 경우에는「B」로 판정하였다. 전광선 투과율(투과율)은, 헤이즈미터(상품명: NDH-7000, 니혼덴쇼쿠고교사 제조)를 사용하여 측정하였다. 평가 결과는 표 1에 기재하는 바와 같았다.
각 실시예의 표면 저항을, 4단자 저항율계(상품명: 로레스터GP, 미쯔비시가가쿠 가부시키가이샤 제조)를 사용하여 측정하였다. 결과를 표 1에 기재한다. 표 1 중, 「표면 저항 1」은, 투명 도전체를 85℃, 85%RH(상대 습도 85%)의 환경하에 50시간 보존하기 전의 표면 저항값이고,「표면 저항 2」는, 상기 환경하에 보존한 후의 표면 저항값이다.
각 실시예의 투명 도전체를 85℃, 85%RH의 환경하에 보존한 후, 육안으로, 보존 안정성의 평가를 실시하였다. 투명 도전체에 백탁이 나타난 경우에는「B」, 나타나지 않은 경우에는「A」로 판정하였다. 결과를 표 1에 기재하는 바와 같았다.

조성(mol%) 평가결과
ZnO In2O3 TiO2 합계 애칭특성 알칼리내성 표면저항(1)(Ω/sq.) 투과율(%) 보존안정성 표면저항(2)(Ω/sq.)
실시예1 77.1 13.7 9.2 100 A A 24.5 89.4 A 24.5
실시예2 78.9 12.6 8.5 100 A A 24.1 89.6 A 24.1
실시예3 81.7 11.0 7.4 100 A A 24.2 89.1 A 24.2
실시예4 84.0 9.6 6.4 100 A A 23.6 89.3 A 23.6
실시예5 75.6 15.4 9.0 100 A A 24.6 89.5 A 24.6
실시예6 74.0 17.2 8.8 100 A A 24.4 89.4 A 24.4
실시예7 74.8 13.3 11.9 100 A A 24.3 89.7 A 24.3
실시예8 72.5 12.9 14.6 100 A A 24.7 89.2 A 24.7
실시예9 79.9 14.1 6.0 100 A A 24.5 89.4 A 24.5
실시예10 77.2 13.6 9.2 100 A A 24.3 89.1 A 24.3
실시예11 77.8 10.3 11.9 100 A A 24.0 89.2 A 24
실시예12 72.5 18.9 8.6 100 A A 24.8 88.3 A 24.8
실시예13 70.9 20.6 8.5 100 A A 24.2 87.6 A 24.2
표 1에 기재하는 바와 같이, 모든 실시예에 있어서, 에칭 특성 및 알칼리 내성의 평가는「A」였다. 이러한 것으로부터, 실시예 1 내지 13의 투명 도전체에 있어서의 금속 산화물층 및 금속층은, 용이하게 제거할 수 있고, 게다가 우수한 알칼리 내성을 갖는 것이 확인되었다. 실시예 12, 13의 투명 도전체는, 전광선 투과율이 약간 낮았지만, 이것은, In2O3의 함유율이 높은 편이었기 때문에, 흡수율이 증가했기 때문이다. 그러나, 이 전광선 투과율이면, 그만큼 높은 레벨의 투명성이 요구되지 않는, 예를 들면 노이즈 시트 등의 용도(예를 들면, 노이즈 쉴드 등)이면, 충분히 사용 가능한 수준이다.
금속 산화물층의 특성을 평가하기 위해, 상기한 수순과 같이 하여, 금속 산화물층만(단층)의 샘플을 제작하였다. 이 샘플의 평가를, 상기의 수순과 같이 하여 실시하였다. 평가 결과를 표 2에 기재한다. 또한, 표 2의 흡수율은, 분광기를 사용하여 측정한 투과율 및 반사율의 측정 결과를 사용하여, 100-투과율-반사율=흡수율의 식으로 구한 값이다. 이 흡수율은, 파장 380nm에 있어서의 값이다.

조성(mol%) 평가결과
ZnO In2O3 TiO2 합계 애칭특성 알칼리내성 표면저항(1)(Ω/sq.) 투과율(%) 보존안정성 표면저항(2)(Ω/sq.)
실시예1 77.1 13.7 9.2 100 A A 3.9E+04 17.6 A 3.9E+04
실시예2 78.9 12.6 8.5 100 A A 2.1E+04 16.9 A 2.1E+04
실시예3 81.7 11.0 7.4 100 A A 1.5E+04 15.5 A 1.5E+04
실시예4 84.0 9.6 6.4 100 A A 1.1E+04 13.1 A 1.1E+04
실시예5 75.6 15.4 9.0 100 A A 3.1E+04 18.8 A 3.1E+04
실시예6 74.0 17.2 8.8 100 A A 2.4E+04 19.4 A 2.4E+04
실시예7 74.8 13.3 11.9 100 A A 3.7E+04 18.2 A 3.7E+04
실시예8 72.5 12.9 14.6 100 A A 1.6E+04 16.5 A 1.6E+04
실시예9 79.9 14.1 6.0 100 A A 2.5E+04 15.8 A 2.5E+04
실시예10 77.2 13.6 9.2 100 A A 4.0E+04 17.3 A 4.0E+04
실시예11 77.8 10.3 11.9 100 A A 5.7E+04 14.7 A 5.7E+04
실시예12 72.5 18.9 8.6 100 A A 8.4E+04 19.3 A 8.4E+04
실시예13 70.9 20.6 8.5 100 A A 6.1E+04 20.2 A 6.1E+04
표 2에 기재하는 바와 같이, 각 실시예의 금속 산화물층은, ZnO를 주성분으로서 함유해도, 부성분으로서 In2O3 및 TiO2를 함유하고, 소정의 TiO2 함유율인 것에 의해, 내식성 및 알칼리 내성의 향상과 높은 도전성을 양립할 수 있는 것이 확인되었다. 또한, ZnO와 In2O3의 함유량을 적합한 범위로 하면 흡수율이 충분히 낮은 것이 확인되었다.
[실시예 14 내지 24]
금속층을 제작할 때의 타깃의 조성을 바꾸어, 표 3에 기재하는 바와 같이, 금속층의 조성을 변경한 것, 및/또는, 금속층의 두께를 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여, 투명 도전체를 제작하였다. 즉, 실시예 14 내지 20에서는, 금속층의 두께를 변경하였다. 실시예 21에서는, AgNdCu(Ag:Nd:Cu=99.0:0.5:0.5(질량%)) 타깃을 사용하여 금속층을 형성하였다. 실시예 22에서는, AgInSn(Ag:In:Sn=99.0:0.5:0.5(질량%)) 타깃을 사용하여 금속층을 형성하였다. 실시예 23에서는, AgSnSb(Ag:Sn:Sb=99.0:0.5:0.5(질량%)) 타깃을 사용하여 금속층을 형성하였다. 실시예 24에서는, AgCu(Ag:Cu=99.5:0.5(질량%)) 타깃을 사용하여 금속층을 형성하였다.
제작한 실시예 14 내지 24의 투명 도전체의 평가를, 실시예 1과 같이 하여 실시하였다. 평가 결과는 표 3에 기재하는 바와 같았다. 또한, 실시예 14 내지 24의 금속 산화물층의 조성 및 두께는, 실시예 1과 동일하다.

금속층 평가결과
조성 두께 에칭특성 알칼리내성 표면저항(1)(Ω/sq.) 투과율(%) 보존안정성 표면저항(2)(Ω/sq.)
실시예14 AgPdCu 3nm A A 51 87.5 A 51
실시예15 AgPdCu 4nm A A 33.5 88.4 A 33.5
실시예1 AgPdCu 5nm A A 24.5 89.4 A 24.5
실시예16 AgPdCu 7nm A A 15.7 90.1 A 15.7
실시예17 AgPdCu 9nm A A 10.2 89.3 A 10.2
실시예18 AgPdCu 11nm A A 7.9 86.7 A 7.9
실시예19 AgPdCu 15nm A A 4.6 78.7 A 4.6
실시예20 AgPdCu 20nm A A 2.8 67.2 A 2.8
실시예21 AgNdCu 5nm A A 24.9 89.2 B 24.9
실시예22 AgInSn 5nm A A 24.8 88.5 B 24.8
실시예23 AgSnSb 5nm A A 25.3 89.1 B 25.3
실시예24 AgCu 5nm A A 22.8 90.3 B 22.8
표 3에 기재하는 결과로부터, 어느 실시예에 있어서도, 에칭 특성 및 알칼리 내성의 평가는「A」였다. 이러한 점에서, 실시예 14 내지 24의 투명 도전체에 있어서의 금속 산화물층 및 금속층은, 용이하게 제거할 수 있고, 게다가 우수한 알칼리 내성을 갖는 것이 확인되었다. 또한, 금속층의 두께가 커지면, 표면 저항이 작아지는 경향, 및, 전광선 투과율이 저하되는 경향이 확인되었다. 또한, 은 합금이 Pd를 함유하는 경우, 보존 안정성이 특히 우수한 것이 확인되었다.
[비교예 1 내지 7]
제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층을 형성할 때의 타깃으로서, 표 4에 기재하는 조성을 갖는 타깃을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여, 비교예 1 내지 4의 투명 도전체를 제작하였다. 각각의 비교예에 있어서, 제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층은, 동일 조성을 갖는 타깃을 사용하여 형성하였다. 각 비교예에 있어서의 제1 금속 산화물층 및 제2 금속 산화물층의 조성은, 표 4에 기재하는 바와 같았다. 각 비교예의 투명 도전체의 제 특성을, 실시예 1과 같이 하여 평가하였다. 결과는 표 4에 기재하는 바와 같았다.

조성(mol%) 평가결과
ZnO In2O3 TiO2 합계 애칭특성 알칼리내성 표면저항(1)(Ω/sq.) 투과율(%) 보존안정성 표면저항(2)(Ω/sq.)
비교예1 86.3 8.2 5.5 100 A B 23.7 89.7 B 23.7
비교예2 88.1 7.1 4.8 100 A B 24.5 90.1 B 24.5
비교예3 70.2 12.5 17.4 100 B A >50 87.6 A >50
비교예4 67.8 12.1 20.1 100 B A >50 86.4 A >50
비교예5 82.5 14.6 3.0 100 A B 24.3 90.5 A 24.3
비교예6 79.3 3.4 17.3 100 B A >50 88.3 A >50
비교예7 78.2 6.6 15.2 100 B A >50 89.1 A >50
표 4에 기재하는 바와 같이, ZnO-In2O3-TiO2의 3성분을 함유하지만, TiO2의 함유율이 본원 발명의 범위를 벗어나는 금속 산화물층을 갖는 투명 도전체는, 에칭 특성 및 알칼리 내성을 양립할 수 없는 것이 확인되었다.
본 개시에 의하면, 금속 산화물층과 금속층을 에칭에 의해 용이하게 제거하는 것이 가능하며, 알칼리 내성이 우수한 고투과율이며 저저항의 투명 도전체가 제공된다. 또한, 본 개시에 의하면, 그러한 투명 도전체를 사용함으로써, 용이하게 제조하는 것이 가능한 터치 패널이 제공된다.
10…투명 수지 기재, 12…제1 금속 산화물층, 14…제2 금속 산화물층, 16…금속층, 15a, 15b…센서 전극, 20…하드 코트층, 22…제1 하드 코트층, 14…제2 하드 코트층, 50…도체 선로, 70…패널판, 80…전극, 90…접착제, 92…스페이서, 100, 101…투명 도전체, 100a…Y용 센서 필름, 100b…X용 센서 필름, 200…터치 패널

Claims (6)

  1. 투명 수지 기재, 제1 금속 산화물층, 은 합금을 함유하는 금속층, 및 제2 금속 산화물층이 이 순서로 적층되어 있고,
    상기 제2 금속 산화물층은 ZnO, In2O3 및 TiO2를 함유하고, 3성분 중 ZnO 함유량이 가장 많고,
    ZnO, In2O3 및 TiO2의 3성분의 합계에 대한 TiO2의 함유량이 6 내지 15mol%인, 투명 도전체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 금속 산화물층에 있어서,
    ZnO, In2O3 및 TiO2의 3성분의 합계에 대한 ZnO의 함유량이 73 내지 84mol%이고, 상기 3성분의 합계에 대한 In2O3의 함유량이 9 내지 18mol%인, 투명 도전체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 금속층의 두께가 4 내지 11nm인, 투명 도전체.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 금속 산화물층은 ZnO, In2O3 및 TiO2를 함유하고, 3성분 중 ZnO 함유량이 가장 많고,
    ZnO, In2O3 및 TiO2의 3성분의 합계에 대한 TiO2의 함유량이 6 내지 15mol%인, 투명 도전체.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 은 합금이, Ag와, Pd, Cu, Nd, In, Sn 및 Sb로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속과의 합금인, 투명 도전체.
  6. 패널판 위에 센서 필름을 갖는 터치 패널로서,
    상기 센서 필름이 제1항 또는 제2항에 기재된 투명 도전체로 구성되는, 터치 패널.
KR1020150173838A 2014-12-09 2015-12-08 투명 도전체 및 터치 패널 KR101737778B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014248808A JP6390395B2 (ja) 2014-12-09 2014-12-09 透明導電体及びタッチパネル
JPJP-P-2014-248808 2014-12-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160070018A KR20160070018A (ko) 2016-06-17
KR101737778B1 true KR101737778B1 (ko) 2017-05-19

Family

ID=56124610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150173838A KR101737778B1 (ko) 2014-12-09 2015-12-08 투명 도전체 및 터치 패널

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6390395B2 (ko)
KR (1) KR101737778B1 (ko)
CN (1) CN105700735B (ko)
TW (1) TW201626408A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2018139402A1 (ja) * 2017-01-25 2019-11-21 Ｔｄｋ株式会社 アンテナ用透明導電フィルム
WO2019130841A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 日東電工株式会社 光透過性導電フィルム、その製造方法、調光フィルム、および、調光部材
CN111758067B (zh) * 2018-02-23 2023-04-21 Tdk株式会社 透明导电体、调光体及电子器件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000351170A (ja) 1999-06-10 2000-12-19 Gunze Ltd 透明導電積層体
JP2002313142A (ja) 2001-04-17 2002-10-25 Gunze Ltd 透明導電性フィルム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264021A (ja) * 1995-03-26 1996-10-11 Gunze Ltd 透明導電膜
JP3785675B2 (ja) * 1996-04-26 2006-06-14 旭硝子株式会社 透明導電膜付き基体及びその製造方法
JP3785676B2 (ja) * 1996-04-26 2006-06-14 旭硝子株式会社 透明導電膜付き基体とその製造方法
US6787240B2 (en) * 2000-06-23 2004-09-07 Donnelly Corporation Enhanced light transmission conductive coated transparent substrate
CN1442872A (zh) * 2003-04-17 2003-09-17 上海交通大学 多层纳米透明导电膜及其制备方法
TWI353304B (en) * 2007-10-23 2011-12-01 Sino American Silicon Prod Inc Transparent conductive component utilized in touch
JP2010157497A (ja) * 2008-12-02 2010-07-15 Geomatec Co Ltd 透明導電膜付き基板とその製造方法
JP2012132089A (ja) * 2010-02-22 2012-07-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法、酸化亜鉛系透明導電膜および透明導電性基板
CN102747334B (zh) * 2012-07-30 2014-03-12 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法
CN103510047A (zh) * 2013-10-21 2014-01-15 研创应用材料（赣州）有限公司 一种制备新型导电氧化铟锡材料及其薄膜的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000351170A (ja) 1999-06-10 2000-12-19 Gunze Ltd 透明導電積層体
JP2002313142A (ja) 2001-04-17 2002-10-25 Gunze Ltd 透明導電性フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
CN105700735A (zh) 2016-06-22
KR20160070018A (ko) 2016-06-17
CN105700735B (zh) 2018-10-09
JP6390395B2 (ja) 2018-09-19
TW201626408A (zh) 2016-07-16
JP2016110899A (ja) 2016-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6601199B2 (ja) 透明導電体
US9582130B2 (en) Transparent conductor and touch panel
CN107533402B (zh) 透明导电体及其制造方法以及触摸面板
CN107408421B (zh) 透明导电体和触摸面板
KR101822372B1 (ko) 투명 도전체 및 터치 패널
KR101737778B1 (ko) 투명 도전체 및 터치 패널
JP6398624B2 (ja) 透明導電体及びタッチパネル
CN109313964B (zh) 透明导电体
JP6048529B2 (ja) 透明導電性フィルム及びタッチパネル
WO2020022270A1 (ja) ヒータ用透明導電フィルム及びヒータ
JP2018022634A (ja) 透明導電体
KR102547456B1 (ko) 투명 도전성 필름 및 화상 표시 장치
JP2018051893A (ja) 透明導電体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right