TWI798888B - 觸控模組及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種觸控模組包含基板、架橋圖案層、第一絕緣層、電極圖案層以及第二絕緣層。架橋圖案層設置於基板上，並包含架橋電極。第一絕緣層設置於架橋圖案層上，並具有兩裸露區分別鄰近架橋電極的相對兩端。第一絕緣層包含分別形成於架橋電極的相對兩端之第一絕緣塊以及第二絕緣塊，以及藉由裸露區分隔地位於第一絕緣塊與第二絕緣塊之間之第三絕緣塊。電極圖案層設置於第一絕緣層上，並經由裸露區與架橋電極電性連接。電極圖案層包含依序堆疊且分別具有第一電阻值、第二電阻值與第三電阻值之第一透明導電層、金屬層以及第二透明導電層，並在架橋電極正上方具有兩通孔區。第二絕緣層設置於電極圖案層上，並覆蓋且填充通孔區。

Description

觸控模組及其製造方法

本揭露是有關於一種觸控模組及其製造方法。

隨著觸控顯示裝置的尺寸不斷擴大以及遊戲應用的不可或缺，最關鍵的改變便是顯示器的刷新率的不斷提升。舉例來說，手機之螢幕的刷新率將由120Hz提升至180Hz，甚至提升至更高階的240Hz（例如採用OLED顯示器的手機有較高螢幕刷新反應速度）。至於在高端筆記型電腦的螢幕的刷新率亦有需提高要求。

然而，傳統單片式玻璃觸控面板(One Glass Solution, OGS)產品以單純氧化銦錫（ITO）電極進行電極製作，由於無法有效降低RC值，因此由小尺寸發展至大尺寸化應用時無法滿足刷新率。台灣專利證書號TW I480999教導於基板兩側設置電極，於電極上使用複合電極，以有效降低製造成本並有效提升導電性。另外，如第9圖所示，一種現有觸控模組900包含基板910、架橋圖案層920、第一絕緣層930、電極圖案層940以及第二絕緣層950。然而，針對OGS架構(亦即以玻璃之基準平面為單側架橋觸控電極形成面)，在電極圖案層940在爬上架橋圖案層920之處（如圖中虛線標示之處）容易產生裂隙。特別是，當以玻璃之基準平面為形成面之架構下，欲使用複合電極層製作於單側單面(即如OGS-SITO架構；single side)必然會面對當空間中電極層有高低差時如何降低或避免裂隙之問題，是以在結構上會有以玻璃形成面為基礎的厚度調整部設計。若拿OGS-SITO架構相對於in-cell比較，由於in-cell畫素本身由於薄膜電晶體關係，本身具有高低起伏形成面，可以不須於平面額外形成厚度調整部。美國專利申請號第20180323240A1係揭露一種採用In-cell touch（即觸控在封裝層）技術的OLED顯示裝置為例，其透明導電層161覆蓋不透明導電層163，使得透光率受限，因此結構與採用OGS-SITO技術（即觸控在基板）的顯示裝置有明顯差異，畫素內空間上高低不規則厚度調整部亦不易轉用至OGS-SITO架構之平面式玻璃形成面。

因此，如何提出一種可解決上述問題的觸控模組及其製造方法，特別是針對OGS-SITO架構之平面式玻璃形成面為基礎的空間特徵設計，是目前業界亟欲投入研發資源解決的問題之一。

有鑑於此，本揭露之一目的在於提出一種可有解決上述問題的觸控模組與觸控模組及其製造方法。

為了達到上述目的，依據本揭露之一實施方式，一種觸控模組包含基板、架橋圖案層、第一絕緣層、電極圖案層以及第二絕緣層。架橋圖案層設置於基板上，並包含架橋電極。第一絕緣層設置於架橋圖案層上，並具有兩裸露區分別鄰近架橋電極的相對兩端。第一絕緣層包含分別形成於架橋電極的相對兩端之第一絕緣塊以及第二絕緣塊，以及藉由裸露區分隔地位於第一絕緣塊與第二絕緣塊之間之第三絕緣塊。電極圖案層設置於第一絕緣層上，並經由裸露區與架橋電極電性連接。電極圖案層包含依序堆疊且分別具有第一電阻值、第二電阻值與第三電阻值之第一透明導電層、金屬層以及第二透明導電層，並在架橋電極正上方具有兩通孔區。第二絕緣層設置於電極圖案層上，並覆蓋且填充通孔區。

於本揭露的一或多個實施方式中，第一絕緣塊、第二絕緣塊與第三絕緣塊具有斜坡。

於本揭露的一或多個實施方式中，通孔區連通至第三絕緣塊且橫跨第三絕緣塊之相反兩側。

於本揭露的一或多個實施方式中，每一裸露區橫跨架橋電極的相反兩側。

於本揭露的一或多個實施方式中，電極圖案層包含兩第一電極區塊以及第二電極區塊。第一電極區塊分別經由裸露區與架橋電極電性連接。第二電極區塊藉由通孔區分隔地位於第一電極區塊之間。

於本揭露的一或多個實施方式中，架橋圖案層包含氧化銅層。氧化銅層設置於基板上。

於本揭露的一或多個實施方式中，架橋圖案層進一步包含金屬層。此金屬層堆疊於氧化銅層上。

於本揭露的一或多個實施方式中，架橋圖案層進一步包含透明氧化物導電層。透明氧化物導電層堆疊於前述金屬層上。

於本揭露的一或多個實施方式中，第一透明導電層係為第一透明氧化物導電層，且第二透明導電層係為第二透明氧化物導電層。

於本揭露的一或多個實施方式中，第一透明氧化物導電層與第二透明氧化物導電層中之至少一者具有第一區域以及第二區域。第一區域的含氧量大於第二區域的含氧量。

於本揭露的一或多個實施方式中，第二區域位於第一區域與金屬層之間。

於本揭露的一或多個實施方式中，架橋圖案層進一步包含周邊接合電極。第一絕緣層進一步包含擋牆結構。擋牆結構設置於周邊接合電極上，並環繞形成另一裸露區。電極圖案層至少經由此另一裸露區與周邊接合電極電性連接。擋牆結構具有貫通之至少一排水槽。

於本揭露的一或多個實施方式中，電極圖案層還經由前述至少一排水槽與周邊接合電極電性連接。

為了達到上述目的，依據本揭露之一實施方式，一種觸控模組的製造方法包含：於基板上形成架橋圖案層，其中架橋圖案層包含架橋電極；於架橋圖案層上形成第一絕緣層，其中第一絕緣層具有兩裸露區分別鄰近架橋電極的相對兩端，且第一絕緣層包含分別形成於架橋電極的相對兩端之第一絕緣塊以及第二絕緣塊，以及藉由裸露區分隔地位於第一絕緣塊與第二絕緣塊之間之第三絕緣塊；於第一絕緣層上形成電極圖案層，致使電極圖案層經由裸露區與架橋電極電性連接，其中電極圖案層包含依序堆疊且分別具有第一電阻值、第二電阻值與第三電阻值之第一透明導電層、金屬層以及第二透明導電層；於電極圖案層上形成兩通孔區於架橋電極正上方；以及於電極圖案層上形成第二絕緣層覆蓋且填充通孔區。

於本揭露的一或多個實施方式中，於架橋圖案層上形成第一絕緣層的步驟包含：於架橋圖案層上形成絕緣材料；以及於絕緣材料上蝕刻出裸露區，進而形成第一絕緣塊、第二絕緣塊以及第三絕緣塊。

於本揭露的一或多個實施方式中，於絕緣材料中蝕刻出裸露區的步驟係使得第一絕緣塊、第二絕緣塊與第三絕緣塊具有斜坡。

於本揭露的一或多個實施方式中，於電極圖案層上形成通孔區於架橋電極正上方的步驟包含：於電極圖案層上蝕刻出通孔區，致使通孔區連通至第三絕緣塊且橫跨第三絕緣塊之相反兩側。

於本揭露的一或多個實施方式中，第一透明導電層係為第一透明氧化物導電層，且第二透明導電層係為第二透明氧化物導電層。於第一絕緣層上形成電極圖案層的步驟包含：以第一通氧量形成第一透明氧化物導電層與第二透明氧化物導電層中之至少一者的第一區域；以及以低於第一通氧量之第二通氧量形成第一透明氧化物導電層與第二透明氧化物導電層中之前述至少一者的第二區域。

於本揭露的一或多個實施方式中，於基板上形成架橋圖案層的步驟使架橋圖案層進一步包含周邊接合電極。於該架橋圖案層上形成第一絕緣層的步驟進一步包含：於架橋圖案層上形成絕緣材料；於絕緣材料上蝕刻出擋牆結構於周邊接合電極上，其中擋牆結構環繞形成另一裸露區；以及蝕刻擋牆結構，以形成貫通之至少一排水槽。

於本揭露的一或多個實施方式中，於第一絕緣層上形成電極圖案層的步驟係使電極圖案層經由前述另一裸露區及前述至少一排水槽與周邊接合電極電性連接。

綜上所述，於本揭露的觸控模組中，由於電極圖案層為由具有較大阻值的兩透明氧化物導電層以及夾設於其間且具有較小阻值的金屬層所構成的複合導電結構，因此可以有效降低觸控模組內線路的阻值，從而使觸控模組適於用在中大尺寸產品上。更重要的是，本揭露針對複合導電結構於多層形成製作時容易產生裂隙問題，藉由使第一絕緣層包含三個絕緣塊形成緩衝爬坡設計(用以改善多層疊合時，例如蒸鍍/鍍膜等薄膜製程之各膜層之間覆蓋貼合度，藉助緩衝爬坡改善轉折處成膜死角)，並使其沿著架橋電極的延伸方向排列於架橋電極上，即可有效改善設置於第一絕緣層上之電極圖案層產生裂隙的問題。藉由在架橋圖案層中添加氧化銅層，即可有效改善視覺效果。藉由在第一絕緣層設置於周邊接合電極上的擋牆結構上設置排水槽，即可將用以蝕刻電極圖案層的強蝕刻液排走，進而可有減少過蝕的問題。

以上所述僅係用以闡述本揭露所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本揭露之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。

以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說，在本揭露部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

請參照第1圖，其為繪示根據本揭露一實施方式之觸控模組100的示意圖。如第1圖所示，於本實施方式中，觸控模組100包含基板110、觸控電極層、複數個走線160以及軟性電路板170。基板110上定義觸控區Z1與周邊區Z2。周邊區Z2位於觸控區Z1的外緣。觸控電極層設置於觸控區Z1內。走線160位於周邊區Z2內，且每一走線160的兩端分別連接觸控電極層與軟性電路板170，藉以將觸控電極層產生之觸控訊號傳遞至軟性電路板170。

於一些實施方式中，基板110的材料包含玻璃，但本揭露並不以此為限。

請參照第2圖以及第3圖。第2圖為繪示第1圖中之觸控模組100的局部放大圖。第3圖為繪示第2圖中之結構沿著線段3-3的剖面圖。第2圖所繪示的區域位於觸控區Z1內。如第2圖與第3圖所示，於本實施方式中，觸控電極層包含架橋圖案層120以及電極圖案層140。觸控模組100進一步包含第一絕緣層130以及第二絕緣層150。架橋圖案層120設置於基板110上，並包含複數個架橋電極121。以下以其中一個架橋電極121做說明。第一絕緣層130設置於架橋圖案層120上，並具有兩裸露區130a、130b分別鄰近架橋電極121的相對兩端。電極圖案層140設置於第一絕緣層130上，並經由裸露區130a、130b與架橋電極121電性連接。電極圖案層140在架橋電極121正上方具有兩通孔區140c1、140c2。第二絕緣層150設置於電極圖案層140上，並覆蓋且填充通孔區140c1、140c2。

於一些實施方式中，第一絕緣層130的厚度為約1.25 µm，且第二絕緣層150的厚度為約2 µm，但本揭露並不以此為限。

詳細來說，如第2圖與第3圖所示，於本實施方式中，電極圖案層140包含兩第一電極區塊140a1、140a2以及第二電極區塊140b。第一電極區塊140a1、140a2分別經由裸露區130a、130b與架橋電極121電性連接。第二電極區塊140b藉由通孔區140c1、140c2分隔地位於第一電極區塊140a1、140a2之間。藉此，兩第一電極區塊140a1、140a2即可經由架橋電極121傳遞觸控訊號，並與第二電極區塊140b電性隔絕。

於一些實施方式中，電極圖案層140包含彼此分隔的複數個第一軸導電單元以及彼此分隔且跨越第一軸導電單元的複數個第二軸導電單元。具體來說，前述「第一軸」與「第二軸」例如分別為相互垂直的兩軸（例如Y軸與X軸）。換言之，第一軸導電單元為沿著第一軸延伸的導電線路，並間隔排列。前述兩第一電極區塊140a1、140a2與架橋電極121的組合為其中一個第一軸導電單元的一部分。第二軸導電單元為沿著第二軸延伸的導電線路，並間隔排列。前述第二電極區塊140b為其中一個第二軸導電單元，其橫跨架橋電極121之相反兩側（隔著第一絕緣層130）。由此可知，前述通孔區140c1、140c2係橫跨的相反兩側，並將電極圖案層140劃分出第一電極區塊140a1、140a2與第二電極區塊140b。

如第3圖所示，於本實施方式中，電極圖案層140包含依序堆疊且分別具有第一電阻值、第二電阻值與第三電阻值之第一透明氧化物導電層141(即第一透明導電層)、金屬層142以及第二透明氧化物導電層143(即第二透明導電層)。第一電阻值與第三電阻值大於第二電阻值。藉由具有前述複合導電結構之電極圖案層140構成觸控電極層，即可有效降低觸控模組100內線路的阻值，從而使觸控模組100適於用在中大尺寸產品上。

於一些實施方式中，第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143的材料包含氧化銦錫（ITO）。藉此，第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143可具有良好的透光度。於一些實施方式中，金屬層142的材料包含銀，但本揭露並不以此為限。於一些實施方式中，金屬層142可為奈米銀墨水層、奈米銀漿層或奈米濺鍍層等，但不以此為限。藉此，金屬層142可具有較低的阻值。

於一些實施方式中，第一透明氧化物導電層141的厚度為約40 nm，但本揭露並不以此為限。於一些實施方式中，金屬層142的厚度為約8.5 nm至約9.5 nm，但本揭露並不以此為限。於一些實施方式中，第二透明氧化物導電層143的厚度為約40 nm，但本揭露並不以此為限。

如第2圖與第3圖所示，於本實施方式中，第一絕緣層130包含分別形成於架橋電極121的相對兩端之第一絕緣塊131a以及第二絕緣塊131b，以及藉由裸露區130a、130b分隔地位於第一絕緣塊131a與第二絕緣塊131b之間之第三絕緣塊131c。詳細來說，第一絕緣塊131a與第二絕緣塊131b分別覆蓋架橋電極121的相對兩端而未暴露出。第一絕緣塊131a、第三絕緣塊131c與第二絕緣塊131b依序沿著架橋電極121的延伸方向覆蓋於架橋電極121上。裸露區130a、130b分別形成於第一絕緣塊131a與第三絕緣塊131c之間以及第三絕緣塊131c與第二絕緣塊131b之間。另外，如第3圖所示，第一絕緣塊131a、第二絕緣塊131b與第三絕緣塊131c具有斜坡。具體來說，第一絕緣塊131a、第二絕緣塊131b與第三絕緣塊131c的外型為具有斜坡的山丘狀。

藉由前述結構配置，即可有效改善設置於第一絕緣層130上之電極圖案層140產生裂隙的問題。具體來說，由於電極圖案層140是藉由爬上第一絕緣塊131a與第二絕緣塊131b而位於架橋電極121的相對兩端的上方，因此可有效改善電極圖案層140在爬上架橋電極121的相對兩端之處產生裂隙的問題。需說明的是，由於採用In-cell touch技術的顯示裝置上不具備OGS-SITO架構之平面式玻璃形成面為基礎的空間特徵設計前提，因此不存在前述裂隙問題。

如第2圖所示，於本實施方式中，裸露區130a、130b橫跨架橋電極121的相反兩側。藉此，即可增加電極圖案層140的第一電極區塊140a1、140a2與架橋電極121之間的接觸面積，進而減少阻抗。

請參照第4圖，其為繪示第2圖中之架橋圖案層120的局部剖面圖。如第4圖所示，於本實施方式中，架橋圖案層120包含氧化銅層120a、金屬層120b以及透明氧化物導電層120c。氧化銅層120a、金屬層120b與透明氧化物導電層120c依序堆疊於基板110上。需說明的是，由於氧化銅層120a的反射率小於約10%，因此在架橋圖案層120中添加氧化銅層120a可有效改善視覺效果。

於一些實施方式中，架橋圖案層120的金屬層120b的材料可包含銅，但本揭露並不以此為限。

於一些實施方式中，架橋圖案層120的透明氧化物導電層120c的材料包含氧化銦錫，但本揭露並不以此為限。

請參照第5圖，其為繪示第2圖中之電極圖案層140的局部剖面圖。如第5圖所示，於本實施方式中，第一透明氧化物導電層141具有第一區域141a以及第二區域141b。第一區域141a的含氧量大於第二區域141b的含氧量。第一透明氧化物導電層141的第二區域141b位於第一區域141a與金屬層142之間。第二透明氧化物導電層143具有第一區域143a以及第二區域143b。第二透明氧化物導電層143的第二區域143b位於第一區域143a與金屬層142之間。藉由此結構配置，可有效使第一透明氧化物導電層141具低含氧量之第二區域141b與第二透明氧化物導電層143具低含氧量之第二區域143b間夾設金屬層142，其目的在於降低不必要的氧化產生。

下表一為製造實施例A～C之電極圖案層140的製程參數表格。

	層1	層2	層3	層4	層5
通氧量/sccm	功率/kw	通氧量/sccm	功率/kw	功率/kw	通氧量/sccm	功率/kw	通氧量/sccm	功率/kw
A	1.0	5.1	1.0	5.1	1.0	1.0	5.1	1.0	5.1
B	0.3	5.1	0.3	5.1	1.0	0.3	5.1	0.3	5.1
C	1.0	5.1	0.3	5.1	1.0	1.0	0.3	1.0	5.1

需說明的是，表一中的層1與層2分別為製造第一透明氧化物導電層141的第一區域141a與第二區域141b時採用的製程參數，層3為製造金屬層142時採用的製程參數，層4與層5分別為製造第二透明氧化物導電層143的第二區域143b與第一區域143a時採用的製程參數。由上表一可知，在製造實施例A的第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143時，第一區域141a、143a與第二區域141b、143b都是採用高通氧量（即1.0 sccm）。在製造實施例B的第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143時，第一區域141a、143a與第二區域141b、143b都是採用低通氧量（即0.3 sccm）。在製造實施例C的第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143時，第一區域141a、143a都是採用高通氧量（即1.0 sccm），而第二區域141b、143b都是採用低通氧量（即0.3 sccm）。

下表二為實施例A～C之電極圖案層140的物理參數表格。

	光學參數	烤後方阻/ ops
T%	Haze	L*	a*	b*
A	89.1	0.19	26.28	4.50	1.53	7.09
B	87.0	0.26	26.36	11.15	2.04	6.79
C	87.6	0.24	25.96	9.64	0.78	6.70

由上表二可知，實施例C之電極圖案層140（即第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143各包含具有不同含氧量之區域）的穿透率可維持在低於89%，且阻抗也可維持在低於10 ops。

請參照第6圖、第7A圖以及第7B圖。第6圖為繪示第1圖中之觸控模組100的另一局部放大圖。第7A圖為繪示第6圖中之結構沿著線段7A-7A的剖面圖。第7B圖為繪示第6圖中之結構沿著線段7B-7B的剖面圖。第6圖所繪示的區域在觸控區Z1與周邊區Z2的交界處。如第6圖至第7B圖所示，於本實施方式中，架橋圖案層120進一步包含周邊接合電極122。第一絕緣層130進一步包含擋牆結構132。擋牆結構132設置於周邊接合電極122上，並環繞形成另一裸露區132a。擋牆結構132具有貫通之複數個排水槽132b。因此，擋牆結構132的外型類似於水壩。電極圖案層140經由此裸露區132a及排水槽132b與周邊接合電極122電性連接。藉由在第一絕緣層130設置於周邊接合電極122上的擋牆結構132上設置排水槽132b，即可在製造電極圖案層140時，將用以蝕刻電極圖案層140的強蝕刻液排走，進而可有減少過蝕的問題。

請參照第8圖，其為繪示根據本揭露一實施方式之觸控模組的製造方法的流程圖。如第8圖所示，本揭露另提供一種觸控模組的製造方法，其至少包含步驟S101至步驟S105。以下配合第1圖至第7B圖說明。

步驟S101：於基板110上形成架橋圖案層120，其中架橋圖案層120包含架橋電極121。

步驟S102：於架橋圖案層120上形成第一絕緣層130，其中第一絕緣層130具有兩裸露區130a、130b分別鄰近架橋電極121的相對兩端，且第一絕緣層130包含分別形成於架橋電極121的相對兩端之第一絕緣塊131a以及第二絕緣塊131b，以及藉由裸露區130a、130b分隔地位於第一絕緣塊131a與第二絕緣塊131b之間之第三絕緣塊131c。

步驟S103：於第一絕緣層130上形成電極圖案層140，致使電極圖案層140經由裸露區130a、130b與架橋電極121電性連接。

步驟S104：於電極圖案層140上形成兩通孔區140c1、140c2於架橋電極121正上方。

步驟S105：於電極圖案層140上形成第二絕緣層150覆蓋且填充通孔區140c1、140c2。

於一些實施方式中，步驟S102進一步包含：於架橋圖案層120上形成絕緣材料；以及於絕緣材料上蝕刻出裸露區130a、130b，進而形成第一絕緣塊131a、第二絕緣塊131b以及藉由裸露區130a、130b分隔地位於第一絕緣塊131a與第二絕緣塊131b之間之第三絕緣塊131c。

於一些實施方式中，步驟S102係使得第一絕緣塊131a、第二絕緣塊131b與第三絕緣塊131c具有斜坡。具體來說，前述斜坡是蝕刻絕緣材料時發生的漏光所造成的。

於一些實施方式中，步驟S104進一步包含：於電極圖案層140上蝕刻出通孔區140c1、140c2，致使通孔區140c1、140c2連通至第三絕緣塊131c且橫跨第三絕緣塊131c之相反兩側。

於一些實施方式中，電極圖案層140包含依序堆疊且分別具有第一電阻值、第二電阻值與第三電阻值之第一透明氧化物導電層141、金屬層142以及第二透明氧化物導電層143。步驟S103進一步包含：以第一通氧量形成第一透明氧化物導電層141(即第一透明導電層)與第二透明氧化物導電層143(即第二透明導電層)中之至少一者的第一區域141a、143a；以及以低於第一通氧量之第二通氧量形成第一透明氧化物導電層141與第二透明氧化物導電層143中之前述至少一者的第二區域141b、143b。

於一些實施方式中，步驟S101係使架橋圖案層120進一步包含周邊接合電極122。步驟S102進一步包含：於架橋圖案層120上形成絕緣材料；於絕緣材料上蝕刻出擋牆結構132於周邊接合電極122上，其中擋牆結構132環繞形成另一裸露區132a；以及蝕刻擋牆結構132，以形成貫通之至少一排水槽132b。

於一些實施方式中，步驟S103係使電極圖案層140經由裸露區132a及排水槽132b與周邊接合電極122電性連接。

由以上對於本揭露之具體實施方式之詳述，可以明顯地看出，於本揭露的觸控模組中，由於電極圖案層為由具有較大阻值的兩透明氧化物導電層以及夾設於其間且具有較小阻值的金屬層所構成的複合導電結構，因此可以有效降低觸控模組內線路的阻值，從而使觸控模組適於用在中大尺寸產品上。更重要的是，本揭露針對複合導電結構於多層形成製作時容易產生裂隙問題，藉由使第一絕緣層包含三個絕緣塊形成緩衝爬坡設計(用以改善多層疊合時，例如蒸鍍/鍍膜等薄膜製程之各膜層之間覆蓋貼合度，藉助緩衝爬坡改善轉折處成膜死角)，並使其沿著架橋電極的延伸方向排列於架橋電極上，即可有效改善設置於第一絕緣層上之電極圖案層產生裂隙的問題。藉由在架橋圖案層中添加氧化銅層，即可有效改善視覺效果。藉由在第一絕緣層設置於周邊接合電極上的擋牆結構上設置排水槽，即可將用以蝕刻電極圖案層的強蝕刻液排走，進而可有減少過蝕的問題。

雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並不用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100,900:觸控模組 110,910:基板 120,920:架橋圖案層 120a:氧化銅層 120b,142:金屬層 120c:透明氧化物導電層 121:架橋電極 122:周邊接合電極 130,930:第一絕緣層 130a,130b,132a:裸露區 131a:第一絕緣塊 131b:第二絕緣塊 131c:第三絕緣塊 132:擋牆結構 132b:排水槽 140,940:電極圖案層 140a1,140a2:第一電極區塊 140b:第二電極區塊 140c1,140c2:通孔區 141:第一透明氧化物導電層 141a,143a:第一區域 141b,143b:第二區域 143:第二透明氧化物導電層 150,950:第二絕緣層 160:走線 170:軟性電路板 Z1:觸控區 Z2:周邊區

為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下： 第1圖為繪示根據本揭露一實施方式之觸控模組的示意圖。 第2圖為繪示第1圖中之觸控模組的局部放大圖。 第3圖為繪示第2圖中之結構沿著線段3-3的剖面圖。 第4圖為繪示第2圖中之架橋圖案層的局部剖面圖。 第5圖為繪示第2圖中之電極圖案層的局部剖面圖。 第6圖為繪示第1圖中之觸控模組的另一局部放大圖。 第7A圖為繪示第6圖中之結構沿著線段7A-7A的剖面圖。 第7B圖為繪示第6圖中之結構沿著線段7B-7B的剖面圖。 第8圖為繪示根據本揭露一實施方式之觸控模組的製造方法的流程圖。 第9圖為繪示一種現有觸控模組的示意圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:觸控模組

110:基板

120:架橋圖案層

121:架橋電極

130:第一絕緣層

130a,130b:裸露區

131a:第一絕緣塊

131b:第二絕緣塊

131c:第三絕緣塊

140:電極圖案層

140c1,140c2:通孔區

141:第一透明氧化物導電層

142:金屬層

143:第二透明氧化物導電層

150:第二絕緣層

Claims (18)

1. 一種觸控模組，包含：一基板；一架橋圖案層，設置於該基板上，並包含一架橋電極，其中該架橋圖案層包含一氧化銅層設置於該基板上；一第一絕緣層，設置於該架橋圖案層上，並具有兩裸露區分別鄰近該架橋電極的相對兩端，其中該第一絕緣層包含分別形成於該架橋電極的該相對兩端之一第一絕緣塊以及一第二絕緣塊，以及藉由該些裸露區分隔地位於該第一絕緣塊與該第二絕緣塊之間之一第三絕緣塊；一電極圖案層，設置於該第一絕緣層上，並經由該些裸露區與該架橋電極電性連接，該電極圖案層包含依序堆疊且分別具有一第一電阻值、一第二電阻值與一第三電阻值之一第一透明導電層、一金屬層以及一第二透明導電層，並在該架橋電極正上方具有兩通孔區；以及一第二絕緣層，設置於該電極圖案層上，並覆蓋且填充該些通孔區。
2. 如請求項1所述之觸控模組，其中該第一絕緣塊、該第二絕緣塊與該第三絕緣塊具有斜坡。
3. 如請求項1所述之觸控模組，其中該些通孔區連通至該第三絕緣塊且橫跨該第三絕緣塊之相反兩側。
4. 如請求項1所述之觸控模組，其中每一該些裸露區橫跨該架橋電極的相反兩側。
5. 如請求項1所述之觸控模組，其中該電極圖案層包含：兩第一電極區塊，分別經由該些裸露區與該架橋電極電性連接；以及一第二電極區塊，藉由該些通孔區分隔地位於該些第一電極區塊之間。
6. 如請求項1所述之觸控模組，其中該架橋圖案層進一步包含一金屬層，堆疊於該氧化銅層上。
7. 如請求項6所述之觸控模組，其中該架橋圖案層進一步包含一透明氧化物導電層，堆疊於該金屬層上。
8. 如請求項1所述之觸控模組，其中該第一透明導電層係為第一透明氧化物導電層，且該第二透明導電層係為第二透明氧化物導電層。
9. 如請求項8所述之觸控模組，其中該第一透明氧化物導電層與該第二透明氧化物導電層中之至少一者具有一第一區域以及一第二區域，且該第一區域的含氧量大於該第二區域的含氧量。
10. 如請求項9所述之觸控模組，其中該第二區域位於該第一區域與該金屬層之間。
11. 如請求項1所述之觸控模組，其中該架橋圖案層進一步包含一周邊接合電極，該第一絕緣層進一步包含一擋牆結構，該擋牆結構設置於該周邊接合電極上，並環繞形成另一裸露區，該電極圖案層至少經由該另一裸露區與該周邊接合電極電性連接，並且該擋牆結構具有貫通之至少一排水槽。
12. 如請求項11所述之觸控模組，其中該電極圖案層還經由該至少一排水槽與該周邊接合電極電性連接。
13. 一種觸控模組的製造方法，包含：於一基板上形成一架橋圖案層，其中該架橋圖案層包含一架橋電極；於該架橋圖案層上形成一第一絕緣層，其中該第一 絕緣層具有兩裸露區分別鄰近該架橋電極的相對兩端，且該第一絕緣層包含分別形成於該架橋電極的該相對兩端之一第一絕緣塊以及一第二絕緣塊，以及藉由該些裸露區分隔地位於該第一絕緣塊與該第二絕緣塊之間之一第三絕緣塊；於該第一絕緣層上形成一電極圖案層，致使該電極圖案層經由該些裸露區與該架橋電極電性連接，該電極圖案層包含依序堆疊且分別具有一第一電阻值、一第二電阻值與一第三電阻值之一第一透明氧化物導電層、一金屬層以及一第二透明氧化物導電層；於該電極圖案層上形成兩通孔區於該架橋電極正上方；以及於該電極圖案層上形成一第二絕緣層覆蓋且填充該些通孔區，其中該於該第一絕緣層上形成該電極圖案層的步驟包含：以一第一通氧量形成該第一透明氧化物導電層與該第二透明氧化物導電層中之至少一者的一第一區域；以及以低於該第一通氧量之一第二通氧量形成該第一透明氧化物導電層與該第二透明氧化物導電層中之該至少一者的一第二區域。
14. 如請求項13所述之觸控模組的製造方法， 其中該於該架橋圖案層上形成該第一絕緣層的步驟包含：於該架橋圖案層上形成一絕緣材料；以及於該絕緣材料上蝕刻出該些裸露區，進而形成該第一絕緣塊、該第二絕緣塊以及該第三絕緣塊。
15. 如請求項14所述之觸控模組的製造方法，其中該於該絕緣材料中蝕刻出該些裸露區的步驟係使得該第一絕緣塊、該第二絕緣塊與該第三絕緣塊具有斜坡。
16. 如請求項14所述之觸控模組的製造方法，其中該於該電極圖案層上形成該些通孔區於該架橋電極正上方的步驟包含：於該電極圖案層上蝕刻出該些通孔區，致使該些通孔區連通至該第三絕緣塊且橫跨該第三絕緣塊之相反兩側。
17. 如請求項13所述之觸控模組的製造方法，其中該於該基板上形成該架橋圖案層的步驟係使該架橋圖案層進一步包含一周邊接合電極，且該於該架橋圖案層上形成該第一絕緣層的步驟進一步包含：於該架橋圖案層上形成一絕緣材料；於該絕緣材料上蝕刻出一擋牆結構於該周邊接合電 極上，其中該擋牆結構環繞形成另一裸露區；以及蝕刻該擋牆結構，以形成貫通之至少一排水槽。
18. 如請求項17所述之觸控模組的製造方法，其中該於該第一絕緣層上形成該電極圖案層的步驟係使該電極圖案層經由該另一裸露區及該至少一排水槽與該周邊接合電極電性連接。

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