TWI727027B - 電致變色調光構件、透光性導電膜及電致變色調光元件 - Google Patents

Abstract

本發明之電致變色調光構件依序具備透明基材、透光性導電層及電致變色調光層，且透光性導電層依序具備第1銦系導電性氧化物層、金屬層及第2銦系導電性氧化物層。

Description

電致變色調光構件、透光性導電膜及電致變色調光元件

本發明係關於一種電致變色調光構件、透光性導電膜及電致變色調光元件，詳細而言係關於一種電致變色調光構件、用於其之透光性導電膜及具備該電致變色調光構件之電致變色調光元件。

自先前以來，已知有使用藉由電化學氧化還原反應而使透光量或色彩等變化之電致變色材料之電流驅動型調光裝置。 例如提出有包含作用電極片材、相對電極片材、電致變色化合物及電解質，且作用電極片材具備玻璃片材及透明導電性氧化物膜之電致變色元件(例如參照專利文獻1)。於專利文獻1之電致變色元件中，使用包含結晶性ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)膜之單層作為透明導電性氧化膜。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2015-172666號公報

[發明所欲解決之問題] 然而，於電致變色元件中，就電致變色化合物之響應性之改良、節能等觀點而言，要求使作用電極片材等電極基板之表面電阻值變低(低電阻化)。作為低電阻化之方法，研究使ITO膜之膜厚變厚之方法。 然而，若使ITO膜之膜厚變厚，則將電極基板彎曲時容易產生龜裂。由於電致變色元件為電流驅動，故而若於電極基板產生龜裂，則龜裂部分之電致變色化合物之氧化還原會受到阻礙，產生調光功能明顯降低之不良情況。具體而言，例如有著色或脫色時之均勻性降低，產生色不均之情況。 本發明之目的在於提供一種低電阻及耐彎曲性優異之電致變色調光構件、透光性導電膜及電致變色調光元件。 [解決問題之技術手段] 本發明[1]包含一種電致變色調光構件，其依序具備透明基材、透光性導電層及電致變色調光層，且上述透光性導電層依序具備第1銦系導電性氧化物層、金屬層及第2銦系導電性氧化物層。 本發明[2]包含如[1]所記載之電致變色調光構件，其中上述透光性導電層之表面電阻值為50 Ω/□以下。 本發明[3]包含如[1]或[2]所記載之電致變色調光構件，其中上述透光性導電層之800 nm以上且1500 nm以下之近紅外線平均透過率為80%以下。 本發明[4]包含如[1]至[3]中任一項所記載之電致變色調光構件，其中上述透光性導電層之800 nm以上且1500 nm以下之近紅外線平均反射率為10%以上。 本發明[5]包含如[1]至[4]中任一項所記載之電致變色調光構件，其中上述透光性導電層之初期之表面電阻值R₀ 與將上述透光性導電層彎折後之表面電阻值R₁ 之比(R₁ /R₀ )為1.05以下。 本發明[6]包含如[1]至[5]中任一項所記載之電致變色調光構件，其中上述透明基材係具有可撓性之膜。 本發明[7]包含如[1]至[6]中任一項所記載之電致變色調光構件，其中上述第1銦系導電性氧化物層及上述第2銦系導電性氧化物層均為非晶質膜。 本發明[8]包含一種透光性導電膜，其係用於如[1]至[7]中任一項所記載之電致變色調光構件者，且依序具備透明基材及透光性導電層，上述透光性導電層自上述透明基材起依序具備第1銦系導電性氧化物層、金屬層及第2銦系導電性氧化物層。 本發明[9]包含一種電致變色調光元件，其具備：如[1]至[7]中任一項所記載之電致變色調光構件；及電極基板，其設置於上述電致變色調光層之相對於上述透明基材為相反側之表面。 [發明之效果] 根據本發明之電致變色調光構件、透光性導電膜及電致變色調光元件，由於透光性導電層之低電阻優異，故而電致變色調光層之響應性及節能優異。又，由於透光性導電層之耐彎曲性優異，故而於製造或操作之過程中，即便於將透光性導電膜彎曲之情形時，亦可抑制龜裂之產生，其結果為，可抑制調光功能之降低。

於圖1中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向、第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側、第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側、第1方向另一側)。於圖1中，紙面左右方向為左右方向(寬度方向、與第1方向正交之第2方向)，紙面左側為左側(第2方向一側)，紙面右側為右側(第2方向另一側)。於圖1中，紙厚方向為前後方向(與第1方向及第2方向正交之第3方向)，紙面近前側為前側(第3方向一側)，紙面裡側為後側(第3方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。 1.電致變色調光構件 電致變色調光構件(以下亦簡稱為EC調光構件)呈具有特定之厚度之膜形狀(包括片狀)，沿與厚度方向正交之特定方向(前後方向及左右方向，即面方向)延伸，具有平坦之上表面及平坦之下表面(兩個主面)。EC調光構件例如為調光裝置所具備之調光面板等之一零件，即並非調光裝置。即，EC調光構件係用以製作調光裝置等之零件，係不含LED等光源或外部電源，以零件單獨流通，於產業上可利用之器件。 具體而言，如圖1所示，EC調光構件1係依序具備透明基材2、保護層3、透光性導電層4及電致變色調光層5(以下亦簡稱為EC調光層)之積層膜。即，EC調光構件1具備透明基材2、配置於透明基材2之上側之保護層3、配置於保護層3之上側之透光性導電層4、及配置於透光性導電層4之上側之EC調光層5。較佳為EC調光構件1僅由透明基材2、保護層3、透光性導電層4、及EC調光層5所構成。以下，對各層進行詳細敍述。 2.透明基材 透明基材2係EC調光構件1之電極基板之一部分，係EC調光構件1之最下層，且為確保EC調光構件1之機械強度之支持材。透明基材2與保護層3一起支持透光性導電層4及EC調光層5。 透明基材2例如包含高分子膜。 高分子膜具有透明性及可撓性。作為高分子膜之材料，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂；例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)；例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物(COP)等烯烴樹脂；例如聚碳酸酯樹脂(PC)、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂、降𦯉烯等。該等高分子膜可單獨使用或併用兩種以上。就透明性、可撓性、耐熱性、機械特性等觀點而言，較佳可列舉聚酯樹脂、烯烴樹脂、PC，更佳可列舉PET、COP、PC。 透明基材2之厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下，更佳為150 μm以下，進而較佳為80 μm以下。藉由將透明基材2之厚度設為上述範圍，可使耐彎曲性及EC調光層5之著色均勻性更良好。 3.保護層 保護層3係EC調光構件1之電極基板之一部分，且係用以使透光性導電層4或EC調光層5之上表面不易產生擦傷(即，獲得優異之耐擦傷性)之擦傷保護層。又，於以配線圖案等圖案形狀形成透光性導電層4之情形時，保護層3亦為調整EC調光構件1之光學物性以抑制圖案之視認的光學調整層。 保護層3具有膜形狀(包括片狀)，以與透明基材2之上表面接觸之方式配置於透明基材2之整個上表面。 保護層3係由樹脂組合物形成。 樹脂組合物含有例如樹脂、粒子等。樹脂組合物較佳為含有樹脂，更佳為僅由樹脂構成。 作為樹脂，可列舉硬化性樹脂、熱塑性樹脂(例如聚烯烴樹脂)等，較佳可列舉硬化性樹脂。 作為硬化性樹脂，可列舉例如藉由活性能量射線(具體而言，紫外線、電子束等)之照射而硬化之活性能量射線硬化性樹脂、例如藉由加熱而硬化之熱硬化性樹脂等，較佳可列舉活性能量射線硬化性樹脂。 活性能量射線硬化性樹脂例如可列舉具有於分子中具有聚合性碳-碳雙鍵之官能基的聚合物。作為此種官能基，例如可列舉乙烯基、(甲基)丙烯醯基(甲基丙烯醯基及/或丙烯醯基)等。 作為活性能量射線硬化性樹脂，例如可列舉於側鏈含有官能基之(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)等。 該等樹脂可單獨使用或併用兩種以上。 作為粒子，例如可列舉無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，可列舉例如二氧化矽粒子、例如包含氧化鋯、氧化鈦等之金屬氧化物粒子、例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可列舉交聯丙烯酸系樹脂粒子等。 保護層3之厚度例如為0.1 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為5 μm以下。保護層3之厚度例如藉由利用透過型電子顯微鏡(TEM)之剖面觀察而進行測定。 4.透光性導電層 透光性導電層4係EC調光構件1之電極基板之一部分，係使來自外部電源(未圖示)之電流通電至EC調光層5之導電層。又，透光性導電層4亦為透明導電層。 如圖1所示，透光性導電層4具有膜形狀(包括片狀)，以與保護層3之上表面接觸之方式配置於保護層3之整個上表面。 透光性導電層4自透明基材2側依序具備第1銦系導電性氧化物層6(以下亦簡稱為第1氧化物層)、金屬層7、及第2銦系導電性氧化物層8(以下亦簡稱為第2氧化物層)。即，透光性導電層4具備配置於保護層3之上之第1氧化物層6、配置於第1氧化物層6之上之金屬層7、及配置於金屬層7之上之第2氧化物層8。透光性導電層4較佳為僅由第1氧化物層6、金屬層7及第2氧化物層8所構成。 透光性導電層4之表面電阻值(初期之表面電阻值R₀ 及彎折後之表面電阻值R₁ )例如為50 Ω/□以下，較佳為30 Ω/□以下，更佳為20 Ω/□以下，進而較佳為15 Ω/□以下，又，例如為0.1 Ω/□以上，較佳為1 Ω/□以上，更佳為5 Ω/□以上。 透光性導電層4之初期之表面電阻值R₀ 與將透光性導電層4彎折後之表面電阻值R₁ 之比(R₁ /R₀ )例如為1.05以下，較佳為1.02以下，更佳為1.00以下，又，例如為0.95以上。藉由將上述比設為上述範圍，耐彎曲性優異，可抑制因彎曲所引起之表面電阻值之增加。 所謂彎折後之透光性導電層4，係指如圖6所示，將後述之透光性導電膜9以透光性導電層4成為外側之狀態配置於直徑5 mm之心軸之上，朝向下側施加相對於透光性導電膜9之寬度為50 g/mm之荷重而彎折時的透光性導電膜9之透光性導電層4。 透光性導電層4之表面電阻值例如可藉由針對透光性導電膜9之透光性導電層4表面，依據JIS K7194(1994年)之四探針法進行測定而獲得。 透光性導電層4之比電阻例如為2.5×10^-4 Ω・cm以下，較佳為2.0×10^-4 Ω・cm以下，更佳為1.1×10^-4 Ω・cm以下，又，例如為0.01×10^-4 Ω・cm以上，較佳為0.1×10^-4 Ω・cm以上，更佳為0.5×10^-4 Ω・cm以上。 透光性導電層4之比電阻係使用透光性導電層4之厚度(第1氧化物層、金屬層7、第2氧化物層8之總厚度)與透光性導電層4之表面電阻值而算出。 透光性導電層4之厚度、即第1氧化物層6、金屬層7及第2氧化物層8之總厚度例如為20 nm以上，較佳為40 nm以上，更佳為60 nm以上，進而較佳為80 nm以上，又，例如為150 nm以下，較佳為120 nm以下，更佳為100 nm以下。 5.第1銦系導電性氧化物層 第1氧化物層6係與後述之金屬層7及第2氧化物層8一起對透光性導電層4賦予導電性之導電層。又，第1氧化物層6亦為用以與後述之第2氧化物層8一起抑制金屬層7之可見光反射率，提高透光性導電層4之可見光透過率之光學調整層。 第1氧化物層6係透光性導電層4之最下層，且具有膜形狀(包括片狀)，以與保護層3之上表面接觸之方式配置於保護層3之整個上表面。 第1氧化物層6含有銦氧化物(In₂ O₃ )。亦可於第1氧化物層6中摻雜例如選自由Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少一種金屬原子。 形成第1氧化物層6之導電性氧化物(銦系導電性氧化物)可僅含有銦(In)作為金屬元素，又，亦可含有銦(In)以外之(半)金屬元素。較佳為主金屬元素為銦(In)。主金屬元素為銦之導電性氧化物具有優異之阻隔性等。 導電性氧化物藉由含有單數或複數種(半)金屬元素作為雜質元素，可進一步提高導電性、透明性、耐彎曲性。第1氧化物層6中之相對於主金屬元素In之原子數的雜質金屬元素之含有原子數比(雜質金屬元素之原子數/In之原子數)例如未達0.50，較佳為0.40以下，更佳為0.30以下，進而較佳為0.20以下，又，例如為0.01以上，較佳為0.05以上，更佳為0.10以上。藉此，透明性、耐彎曲性優異。 作為形成第1氧化物層6之導電性氧化物，就低電阻及透明性之觀點而言，較佳可列舉銦錫複合氧化物(ITO)、銦鎵複合氧化物(IGO)、銦鎵鋅複合氧化物(IGZO)等，更佳可列舉ITO。 ITO所含有之氧化錫(SnO₂ )之含量相對於氧化錫及氧化銦(In₂ O₃ )之合計量，例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為6質量%以上，進而較佳為8質量%以上，尤佳為10質量%以上，又，例如為35質量%以下，較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而較佳為13質量%以下。氧化銦之含量(In₂ O₃ )為氧化錫(SnO₂ )之含量之剩餘部分。藉由將ITO所含有之氧化錫(SnO₂ )之含量設為較佳之範圍，容易抑制ITO膜之經時之膜質變化。 第1氧化物層6之導電性氧化物可為結晶質及非晶質中之任一者，就金屬層7之均勻形成之觀點而言，較佳為非晶質。即，第1氧化物層6較佳為非晶質膜，更佳為非晶質ITO膜。 本發明中，於25,000倍下之平面TEM圖像中，於結晶粒所占之面積比率為80%以下(較佳為0%以上且50%以下)之情形時，設為非晶質，於超過80%之情形時，設為結晶質。 第1氧化物層6中之ITO之含有比率例如為95質量%以上，較佳為98質量%以上，更佳為99質量%以上，又，例如為100質量%以下。 第1氧化物層6之厚度T1例如為5 nm以上，較佳為20 nm以上，更佳為30 nm以上，又，例如為60 nm以下，較佳為50 nm以下。若第1氧化物層6之厚度為上述範圍，則容易將透光性導電層4之可見光透過率調整為較高之水準。第1氧化物層6之厚度例如藉由利用透過型電子顯微鏡(TEM)之剖面觀察而進行測定。 6.金屬層 金屬層7係與第1氧化物層6及第2氧化物層8一起對透光性導電層4賦予導電性之導電層。又，金屬層7亦為降低透光性導電層4之表面電阻值之低電阻化層。又，金屬層7較佳為亦為用以賦予較高之紅外線反射率(尤其為近紅外線之平均反射率)之紅外線反射層。 金屬層7具有膜形狀(包括片狀)，以與第1氧化物層6之上表面接觸之方式配置於第1氧化物層6之上表面。 形成金屬層7之金屬只要為表面電阻值較小之金屬，則無限定，例如可列舉包含選自由Ti、Si、Nb、In、Zn、Sn、Au、Ag、Cu、Al、Co、Cr、Ni、Pb、Pd、Pt、Cu、Ge、Ru、Nd、Mg、Ca、Na、W、Zr、Ta及Hf所組成之群中之一種金屬、或含有其等之兩種以上之金屬之合金。 作為金屬，較佳可列舉銀(Ag)、銀合金，更佳可列舉銀合金。若金屬為銀或銀合金，則可減小透光性導電層4之電阻值，並且可獲得近紅外線區域之平均反射率尤其高之透光性導電層4，亦可較佳地應用於使用於室外或窗之用途。 銀合金含有銀作為主成分，且含有其他金屬作為副成分，具體而言，例如可列舉：Ag-Cu合金、Ag-Pd合金、Ag-Sn合金、Ag-In合金、Ag-Pd-Cu合金、Ag-Pd-Cu-Ge合金、Ag-Cu-Au合金、Ag-Cu-Sn合金、Ag-Cu-In合金、Ag-Ru-Cu合金、Ag-Ru-Au合金、Ag-Nd合金、Ag-Mg合金、Ag-Ca合金、Ag-Na合金等。就低電阻、濕熱耐久性之觀點而言，作為銀合金，較佳可列舉Ag-Cu合金、Ag-Cu-In合金、Ag-Cu-Sn合金、Ag-Pd合金、Ag-Pd-Cu合金等。 銀合金中之銀之含有比率例如為80質量%以上，較佳為90質量%以上，更佳為95質量%以上，又，例如為99.9質量%以下。銀合金中之其他金屬之含有比率為上述銀之含有比率之剩餘部分。 金屬層7之厚度T3例如為1 nm以上，較佳為5 nm以上，更佳為8 nm以上，又，例如為20 nm以下，較佳為10 nm以下。藉由將金屬層7之厚度設為上述範圍，透光性導電層4之表面電阻值及耐彎曲性良好，並且亦可使可見光透過率及紅外線反射率變得更良好。其結果為，EC調光元件13之著色均勻性、響應性、隔熱性優異。金屬層7之厚度T3例如藉由利用透過型電子顯微鏡(TEM)之剖面觀察而進行測定。 7.第2銦系導電性氧化物層 第2氧化物層8係與第1氧化物層6及金屬層7一起對透光性導電層4賦予導電性之導電層。又，第2氧化物層8亦為用以抑制金屬層7之可見光反射率，提高透光性導電層4之可見光透過率之光學調整層。 第2氧化物層8係透光性導電層4之最上層，且具有膜形狀(包括片狀)，以與金屬層7之上表面接觸之方式配置於金屬層7之整個上表面。 作為形成第2氧化物層8之導電性氧化物，可列舉第1氧化物層6中所例示之導電性氧化物，較佳可列舉主金屬元素為銦(In)之導電性氧化物，更佳可列舉ITO。又，第2氧化物層8較佳為非晶質膜，更佳為非晶質ITO膜。 形成第2氧化物層8之導電性氧化物可與形成第1氧化物層6之導電性氧化物相同或不同，就耐彎曲性、導電性、透明性之觀點而言，較佳為與第1氧化物層6相同之導電性氧化物。 第2氧化物層8中之相對於主金屬元素In之原子數之雜質金屬元素之含有原子數比(雜質金屬元素之原子數/In之原子數)係與第1氧化物層6中之「雜質金屬元素之原子數/In之原子數」相同或為其以上(例如0.001以上)。 於第2氧化物層8包含ITO之情形時，ITO所含有之氧化錫(SnO₂ )之含量及Sn相對於In之原子數比係與第1氧化物層6相同。 第2氧化物層8中之ITO之含有比率例如為95質量%以上，較佳為98質量%以上，更佳為99質量%以上，又，例如為100質量%以下。 第2氧化物層8之厚度T2例如為5 nm以上，較佳為20 nm以上，進而較佳為30 nm以上，又，例如為60 nm以下，較佳為50 nm以下。若第2氧化物層8之厚度T2為上述範圍，則容易將透光性導電層4之可見光透過率調整為較高之水準。第2氧化物層8之厚度T2例如藉由利用透過型電子顯微鏡(TEM)之剖面觀察而進行測定。 第2氧化物層8之厚度T2相對於第1氧化物層6之厚度T1之比(T2/T1)例如為0.5以上，較佳為0.75以上，又，例如為1.5以下，較佳為1.25以下。 第2氧化物層8之厚度T2相對於金屬層7之厚度T3之比(T2/T3)例如為2.0以上，較佳為3.0以上，又，例如為10以下，較佳為8.0以下。 8.EC調光層 EC調光層5係藉由經由透光性導電層4通電之電流而使透光率或色彩變化之調光層。 EC調光層5係EC調光構件1之最上層，且具有膜形狀(包括片狀)，以與透光性導電層4之上表面接觸之方式配置於透光性導電層4之整個上表面。 EC調光層5依序具備第1電致變色化合物層10(第1EC層)、電解質層11及第2電致變色化合物層12(第2EC層)。即，EC調光層5具備配置於透光性導電層4之上之第1EC層10、配置於第1EC層10之上之電解質層11、及配置於電解質層11之上之第2EC層12。EC調光層5較佳為僅由第1EC層10、電解質層11及第2EC層12所構成。 EC調光層5之厚度、即第1EC層10、電解質層11及第2EC層12之總厚度例如為0.1 μm以上且5000 μm以下。 9.第1電致變色化合物層 第1EC層10係與後述之第2EC層12一起對應於第1EC層10中流通之電流而使其透光率或色彩變化之調光層。 第1EC層10係EC調光層5之最下層，且具有膜形狀(包括片狀)，以與透光性導電層4之上表面接觸之方式配置於透光性導電層4之整個上表面。 作為形成第1EC層10之電致變色化合物，並無限定，可列舉：例如氧化鎢(例如WO₃ )、氧化鉬、氧化釩、氧化釩、氧化銦、氧化銥、氧化鎳、普魯士藍等無機系電致變色化合物；例如酞菁系化合物、苯乙烯基系化合物、紫羅鹼系化合物、聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩(例如聚(乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))等有機系電致變色化合物等。較佳可列舉氧化鎢、聚噻吩。 第1EC層10之厚度例如為0.01 μm以上，較佳為0.05 μm以上，又，例如為3000 μm以下，較佳為100 μm以下，更佳為10 μm以下，進而較佳為0.5 μm以下。 10.電解質層 電解質層11係使第1EC層10及第2EC層12內部之電致變色化合物有效率地通電之層。 電解質層11係以與第1EC層10之上表面接觸之方式配置於第1EC層10之整個上表面。 電解質層11可由液狀電解質及將該液狀電解質密封之密封材形成，又，亦可由固體狀電解質膜形成。 作為形成電解質層11之電解質，並無限定，例如可列舉：LiClO₄ 、LiBF₄ 、LiAsF₆ 、LiPF₆ 、LiCF₃ SO₃ 、LiCF₃ COO、KCl、NaClO₃ 、NaCl、NaBF₄ 、NaSCN、KBF₄ 、Mg(ClO₄ )₂ 、Mg(BF₄ )₂ 等鹼金屬鹽或鹼土類金屬鹽等。又，亦可列舉四級銨鹽、四級鏻鹽等。 於使用液狀電解質作為電解質層11之情形時，較佳為與電解質一起併用有機溶劑。有機溶劑只要能夠溶解電解質，則無限定，可列舉：碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、碳酸甲酯等碳酸酯類；例如四氫呋喃等呋喃類；例如γ-丁內酯、1,2-二甲氧基乙烷、1,3-二氧雜環戊烷、4-甲基-1,3-二氧雜環戊烷、甲酸甲酯、乙酸甲酯、丙酸甲酯、乙腈、碳酸丙二酯、N,N-二甲基甲醯胺等。 作為電解質層11，較佳可列舉含有電解質、有機溶劑及黏合劑樹脂之電解質膜。此種電解質層例如可藉由將使電解質溶解於有機溶劑中而成之電解質溶液與黏合劑樹脂進行混合並加以乾燥而獲得。 作為黏合劑樹脂，例如可列舉聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂等。 電解質層11之厚度例如為0.01 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為3000 μm以下，較佳為1000 μm以下，更佳為100 μm以下。 11.第2電致變色化合物層 第2EC層12係與第1EC層10一起對應於第2EC層12中流通之電流而使其透光率或色彩變化之調光層。 第2EC層12係EC調光層5之最上層，且具有膜形狀(包括片狀)，以與電解質層11之上表面接觸之方式配置於電解質層11之整個上表面。 作為形成第2EC層12之電致變色化合物，並無限定，可列舉第1EC層10中所例示之化合物。較佳可列舉氧化鎢、聚噻吩。 第2EC層12之厚度例如為0.01 μm以上，較佳為0.05 μm以上，又，例如為3000 μm以下，較佳為100 μm以下，更佳為10 μm以下，進而較佳為0.5 μm以下。 12.透光性導電膜 構成EC調光構件1之構件中的透明基材2、保護層3及透光性導電層4構成本發明之透光性導電膜9之一實施形態。 即，如圖2所示，透光性導電膜9係依序具備透明基材2、保護層3及透光性導電層4之積層膜。即，透光性導電膜9具備透明基材2、配置於透明基材2之上側之保護層3、及配置於保護層3之上側之透光性導電層4。較佳為透光性導電膜9僅由透明基材2、保護層3及透光性導電層4所構成。 透光性導電膜9呈具有特定之厚度之膜形狀(包括片狀)，沿面方向延伸，具有平坦之上表面及平坦之下表面。透光性導電膜9係用以製作EC調光構件1之零件，具體而言係用於EC調光構件1之電極基板。透光性導電膜9係不含LED等光源或外部電源，以零件單獨流通，於產業上可利用之器件。又，透光性導電膜9係使可見光透過之膜，且包含透明導電性膜。 透光性導電膜9可為經熱收縮之透光性導電膜9，亦可為未加熱、即未收縮之透光性導電膜9。就耐彎曲性優異之觀點而言，較佳為經熱收縮之透光性導電膜9。 透光性導電膜9之總厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，又，例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下，更佳為150 μm以下。 13.EC調光構件之製造方法 其次，說明製造EC調光構件1之方法。 製造EC調光構件1時，首先製作透光性導電膜9，繼而於透光性導電膜9配置EC調光層5。 透光性導電膜9例如可藉由於透明基材2之上將保護層3與透光性導電層4按照上述順序配置而獲得。 於該方法中，如參照圖1般，首先準備透明基材2。 繼而，於透明基材2之上表面，藉由例如濕式方式而配置樹脂組合物。 具體而言，首先，將樹脂組合物塗佈於透明基材2之上表面。其後，於樹脂組合物含有活性能量射線硬化性樹脂之情形時照射活性能量射線。 藉此，將膜形狀之保護層3形成於透明基材2之整個上表面。即，獲得具備透明基材2與保護層3之附保護層之透明基材。 其後，視需要對附保護層之透明基材進行脫氣處理。 於對附保護層之透明基材進行脫氣處理時，將附保護層之透明基材放置於例如1×10^-1 Pa以下，較佳為1×10^-2 Pa以下，又，例如1×10^-3 Pa以上之減壓氛圍下。脫氣處理係使用例如乾式裝置所具備之排氣裝置(具體而言，渦輪分子泵等)而實施。 藉由該脫氣處理，透明基材2所含有之水之一部分或保護層3所含有之有機物之一部分釋出至外部。 繼而，藉由例如乾式方式而將透光性導電層4配置於保護層3之上表面。 具體而言，將第1氧化物層6、金屬層7及第2氧化物層8之各者依序藉由乾式方式而進行配置。 作為乾式方式，例如可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳為可列舉濺鍍法。具體而言，可列舉磁控濺鍍法。 作為濺鍍法所使用之氣體，例如可列舉Ar等惰性氣體。又，可視需要併用氧氣等反應性氣體。於併用反應性氣體之情形時，反應性氣體之流量比並無特別限定，以反應性氣體之流量相對於惰性氣體之流量之比計，例如為0.1/100以上，較佳為1/100以上，又，例如為5/100以下。 具體而言，於形成第1氧化物層6時，作為氣體，較佳為併用惰性氣體及反應性氣體。於形成金屬層7時，作為氣體，較佳為單獨使用惰性氣體。於形成第2氧化物層8時，作為氣體，較佳為併用惰性氣體及反應性氣體。 於採用濺鍍法之情形時，作為靶材，可列舉構成各層之上述導電性氧化物或金屬。 濺鍍法所使用之電源並無限定，例如可列舉DC電源、MF/AC電源及RF電源之單獨使用或併用，較佳可列舉DC電源。 又，較佳為於藉由濺鍍法形成第1氧化物層6時對透明基材2(及保護層3)進行冷卻。具體而言，使透明基材2之下表面與冷卻裝置(例如冷卻輥)等接觸而將透明基材2(及保護層3)冷卻。藉此，於形成第1氧化物層6時，可抑制藉由濺鍍產生之蒸鍍熱等使透明基材2所含有之水、及保護層3所含有之有機物釋出從而使第1氧化物層6中過量地含有水。冷卻溫度例如為-30℃以上，較佳為-10℃以上，又，例如為60℃以下，較佳為40℃以下，更佳為20℃以下，進而較佳為未達0℃。 藉此，如圖2所示，可獲得依序具備透明基材2、保護層3及透光性導電層4(第1氧化物層6、金屬層7及第2氧化物層8)之透光性導電膜9。 繼而，視需要實施加熱步驟。即，對透光性導電膜9進行加熱。藉由加熱透光性導電膜9使之收縮，而可提高耐彎曲性。 作為加熱條件，加熱溫度例如為50℃以上，較佳為80℃以上，又，例如為180℃以下，較佳為140℃以下。加熱時間例如為1分鐘以上，較佳為10分鐘以上，又，例如為120分鐘以下，較佳為60分鐘以下。藉由將加熱條件設為上述範圍，容易維持第1氧化物層6及第2氧化物層8之非晶質性並且使透光性導電膜9收縮。 加熱可於大氣氛圍下、惰性氛圍下及真空下之任一者實施。 藉由該加熱步驟，可獲得透光性導電膜9於前後方向及左右方向之至少一方向上(較佳為於任一方向上)略微地收縮之透光性導電膜9。 收縮率相對於收縮前之透光性導電膜9之前後方向長度或左右方向長度100%，收縮率例如為0.1%以上，較佳為0.2%以上，又，例如為1.0%以下，較佳為0.5%以下，更佳為0.3%以下。 繼而，於透光性導電膜9配置EC調光層5。 EC調光層5可使用公知材料。 以EC調光層5與第2銦系導電性氧化物層8接觸之方式將EC調光層5配置於透光性導電膜9之上表面。 藉此，如圖1所示，可獲得依序具備透明基材2、保護層3、透光性導電層4及EC調光層5之EC調光構件1。 再者，可藉由捲對捲方式實施上述製造方法。又，亦可藉由批次方式實施一部分或全部。 又，透光性導電層4亦可視需要藉由蝕刻而形成為配線圖案等圖案形狀。 14.作用效果 根據EC調光構件1，透光性導電層4之表面電阻值較低，低電阻優異。因此，EC調光層5之響應性及節能優異。又，由於EC調光構件1之耐彎曲性優異，故而即便於將EC調光構件1彎曲之情形時，亦可抑制透光性導電層4之龜裂之產生。因此，可抑制EC調光層5之調光功能之降低。 又，若第1氧化物層6及第2氧化物層8均為非晶質膜，則EC調光構件1之耐彎曲性更優異。 又，根據用於EC調光構件1之透光性導電膜9，透光性導電層4之表面電阻值較低，低電阻優異。因此，可提昇配置於透光性導電膜9之表面之EC調光層5之響應性及節能。又，由於透光性導電膜9之耐彎曲性優異，故而即便於將透光性導電膜9彎曲之情形時，亦可抑制透光性導電層4之龜裂之產生。因此，可抑制配置於透光性導電膜9之表面之EC調光層5之調光功能之降低。 又，根據該透光性導電膜9，具備於金屬層7之上表面及下表面具備第1氧化物層6及第2氧化物層8之透光性導電層4，因此即便透光性導電層4包含可見光反射率一般較高之金屬層7(具體而言，例如波長550 nm之反射率為15%以上、進而為30%以上之金屬層7)，亦可實現較高之可見光透過率。透光性導電膜9之可見光透過率例如為60%以上，較佳為80%以上，更佳為85%以上，又，例如為95%以下。藉此，透明性優異。 又，根據該透光性導電膜9，於透光性導電層4具備近紅外線區域之反射率較高之金屬層7(例如含有銀或銀合金之金屬層7)，因此近紅外線之平均反射率較高，可有效率地遮斷太陽光等熱線。因此，亦可較佳地應用於在面板溫度容易上升之環境(例如室外、窗等)下使用之調光裝置。 透光性導電膜9之近紅外線(波長800 nm以上且1500 nm以下)之平均反射率例如為10%以上，較佳為20%以上，更佳為40%以上，進而較佳為50%以上，又，例如為95%以下，較佳為90%以下。 透光性導電膜9之近紅外線(波長800 nm以上且1500 nm以下)之平均透過率例如為80%以下，較佳為60%以下，更佳為50%以下，進而較佳為40%以下，又，例如為10%以上，較佳為20%以上。 15.電致變色調光元件 電致變色調光元件13(以下亦簡稱為EC調光元件)呈具有特定之厚度之膜形狀(包括片狀)，沿與厚度方向正交之特定方向(前後方向及左右方向，即面方向)延伸，具有平坦之上表面及平坦之下表面(兩個主面)。EC調光元件13例如為調光裝置所具備之調光面板等之一零件，即並非調光裝置。即，EC調光元件13係用以製作調光裝置等之零件，係不含LED等光源或外部電源，以零件單獨流通，於產業上可利用之器件。 具體而言，如圖3所示，EC調光元件13係具備EC調光構件1及電極基板(上側電極基板)15之積層膜。即，EC調光元件13具備EC調光構件1、及配置於EC調光構件1之上側之電極基板15。較佳為EC調光元件13僅由EC調光構件1與電極基板15所構成。以下，對各層進行詳細敍述。 電極基板15較佳為上述透光性導電膜9，依序具備透光性導電層4、保護層3及透明基材2。電極基板15配置於EC調光構件1之上側。具體而言，電極基板15係以EC調光層5之上表面與透光性導電層4之下表面接觸之方式配置於EC調光層5之整個上表面(相對於下側之透光性導電膜9之透明基材2為相反側之表面)。 即，於EC調光元件13中，2片透光性導電膜9係以各自之透光性導電層4與EC調光層5之表面(下表面或上表面)接觸之方式對向配置。 根據EC調光元件13，透光性導電層4之表面電阻值較低，低電阻優異。因此，EC調光層5之響應性及節能優異。又，由於EC調光元件13之耐彎曲性優異，故而即便於將EC調光元件13彎曲之情形時，亦可抑制透光性導電層4之龜裂之產生。因此，可抑制EC調光層5之調光功能之降低。即，可抑制EC調光層5之著色或脫色時之均勻性之降低，抑制色不均之產生。又，EC調光元件13由於近紅外線之反射率良好，故而隔熱性亦優異。 16.變化例 於變化例中，對與上述實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，省略其詳細之說明。 於EC調光構件1之一實施形態中，如圖1所示，使保護層3介置於透明基材2與第1氧化物層6之間。然而，例如亦可如圖4所示般將第1氧化物層6直接配置於透明基材2之上表面。即，EC調光構件1依序具備透明基材2、透光性導電層4及EC調光層5。另一方面，EC調光構件1不具備保護層3。 於EC調光構件1之一實施形態中，如圖1所示，將第1氧化物層6直接配置於保護層3之上表面。然而，例如亦可如圖5所示般使無機物層16介置於保護層3與第1氧化物層6之間。 無機物層16係以與保護層3一起抑制透光性導電層4之配線圖案之視認之方式調整EC調光構件1之光學物性的光學調整層。無機物層16具有膜形狀(包括片狀)，以與保護層3之上表面接觸之方式配置於保護層3之整個上表面。無機物層16具有特定之光學物性，例如由氧化物、氟化物等無機物製備。無機物層16之厚度為1 nm以上，較佳為5 nm以上，更佳為10 nm以上，又，例如為80 nm以下，較佳為40 nm以下，更佳為25 nm以下。 再者，上述變化例係對EC調光構件1進行說明，但關於透光性導電膜9及EC調光元件13亦相同。 又，於EC調光元件13中，如圖3所示，使用本發明之透光性導電膜9作為上側電極基板15，例如雖未圖示，但上側電極基板15亦可包含透明基材2及單一之導電層。作為單一之導電層，例如可列舉ITO膜(結晶質ITO膜、非晶質ITO膜)、IGO膜、IGZO膜等。 實施例 以下例示實施例及比較例，進一步具體地說明本發明。再者，本發明並不受任何實施例及比較例限定。又，以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可替代為上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。 [透光性導電膜] 實施例1 (膜基材之準備及保護層之形成) 首先，準備包含長條狀聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜且厚度為50 μm之透明基材。 繼而，於透明基材之上表面塗佈包含丙烯酸系樹脂之紫外線硬化性樹脂，藉由紫外線照射使其硬化，形成包含硬化樹脂層且厚度為2 μm之保護層。藉此，獲得具備透明基材與保護層之附保護層之透明基材輥。 (第1銦系導電性氧化物層之形成) 繼而，將附保護層之透明基材輥設置於真空濺鍍裝置，進行真空排氣，直至未搬送時之氣壓成為4×10^-3 Pa為止(脫氣處理)。此時，於未導入濺鍍氣體(Ar及O₂ )之狀態下，搬送附保護層之透明基材之一部分，確認到氣壓上升至2×10^-2 Pa。藉此，確認於附保護層之透明基材輥殘存有充分量之氣體。 繼而，一面陸續送出附保護層之透明基材輥，一面藉由濺鍍而於硬化樹脂層之上表面形成包含非晶質ITO且厚度為40 nm之第1銦系導電性氧化物層。 具體而言，於導入有Ar及O₂ 之氣壓0.3 Pa之真空氛圍下(流量比為Ar：O₂ ＝100：1.4)，使用直流(DC)電源，濺鍍包含12質量%之氧化錫與88質量%之氧化銦之燒結體的靶。 再者，藉由濺鍍形成第1銦系導電性氧化物層時，使附保護層之透明基材輥之下表面(具體而言為透明基材之下表面)與-5℃之冷卻輥接觸，而將附保護層之透明基材輥冷卻。 (金屬層之形成) 藉由濺鍍而於第1銦系導電性氧化物層之上表面形成包含Ag-Cu合金且厚度為8 nm之金屬層。 具體而言，於導入有Ar之氣壓0.3 Pa之真空氛圍下，使用直流(DC)電源作為電源，濺鍍Ag合金(Mitsubishi Materials公司製造，產品編號「No.317」)。 (第2銦系導電性氧化物層之形成) 藉由濺鍍而於金屬層之上表面形成包含非晶質ITO且厚度為38 nm之第2銦系導電性氧化物層。 具體而言，於導入有Ar及O₂ 之氣壓0.4 Pa之真空氛圍下(流量比為Ar：O₂ ＝100：1.5)，使用直流(DC)電源，濺鍍包含12質量%之氧化錫與88質量%之氧化銦之燒結體的靶。 藉此，獲得於透明基材之上依序形成有保護層、第1銦系導電性氧化物層、金屬層及第2銦系導電性氧化物層之透光性導電膜(參照圖2)。 實施例2 將實施例1中獲得之透光性導電膜於大氣氛圍下以140℃、30分鐘之條件實施加熱步驟。藉此，使透光性導電膜之一方向(搬送方向)分別收縮0.3%而獲得實施例之透光性導電膜。 實施例3～7 將金屬層或透明基材之厚度變更為表1所記載之厚度，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得各實施例之透光性導電膜。 實施例8～9 將透明基材之材料變更為表1所記載之材料(COP：環烯烴聚合物，PC：聚碳酸酯樹脂)，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得各實施例之透光性導電膜。 比較例1 將第1銦系導電性氧化物層之厚度設為30 nm，且未形成金屬層及第2銦系導電性氧化物層，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得比較例1之透光性導電膜。 比較例2 將第1銦系導電性氧化物層之厚度設為100 nm，且未形成金屬層及第2銦系導電性氧化物層，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得比較例2之透光性導電膜。 比較例3 將第1銦系導電性氧化物層之厚度設為25 nm，且未形成金屬層及第2銦系導電性氧化物層，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得透光性導電膜。繼而，將該透光性導電膜於大氣氛圍下以140℃、60分鐘之條件實施加熱步驟。藉此，使透光性導電膜之一方向(搬送方向)收縮0.3%而獲得比較例3之透光性導電膜。 (測定) (1)厚度 藉由使用透過型電子顯微鏡(日立公司製造，HF-2000)之剖面觀察，測定保護層、第1銦系導電性氧化物層、金屬層及第2銦系導電性氧化物層之厚度。又，使用膜厚計(Peacock公司製造 數位度盤規DG-205)測定透明基材之厚度。 (2)透光性導電層之表面電阻值 依據JIS K7194(1994年)之四探針法，測定透光性導電層之初期之表面電阻值R₀ 。將其結果示於表1。 (3)耐彎曲性試驗 將各實施例及各比較例之透光性導電膜分別切斷為寬度10 mm、長度150 mm。將該切斷之透光性導電膜9以透光性導電層4成為外側之狀態且透明基材2成為與心軸20接觸之狀態之方式配置於直徑5 mm之心軸20之上。繼而，將透光性導電膜9之長度方向之兩端利用夾具21固定，於該夾具21之中央安裝500 g之砝碼22(參照圖6)。即，朝向下側施加相對於透光性導電膜9之寬度為50 g/mm之荷重，將透光性導電膜9彎折。使該彎折狀態持續10秒。 以與上述四探針法相同之方式測定彎折後之表面電阻值R₁ ，繼而，計算初期之表面電阻值R₀ 與彎折後之表面電阻值R₁ 之比(R₁ /R₀ )。將其結果示於表1。 又，變更心軸20之直徑，藉由與上述相同之方法(參照圖6)將透光性導電膜9彎折，求出R₁ /R₀ 超過1.05之直徑(極限直徑)。具體而言，將心軸20之直徑自大徑以每1 mm地變更為小徑，測定R₁ /R₀ 即將超過1.05之前之心軸20之直徑。將其結果示於表1。 (4)可見光透過率 使用測霧計(Suga Test Instruments公司製造，裝置名「HGM-2DP」)，測定透光性導電膜之全光線透過率，作為可見光透過率。將其結果示於表1。 (5)近紅外線平均透過率、近紅外線平均反射率 使用分光光度計(日立計測器公司製造，裝置名「U-4100」)，於波長800～1500 nm下測定透光性導電膜之平均透過率及平均反射率。將其結果示於表1。 [EC調光元件] (實施例1) 準備2片實施例1之透光性導電膜，使用直徑5 mm之心軸，藉由與上述相同之方法(參照圖6)進行彎折。將該等膜分別作為下側電極基板及上側電極基板。 準備EC調光層(第1電致變色化合物層/電解質層/第2電致變色化合物層之積層體)。以各自之透光性導電層與EC調光層之表面(上表面或下表面)接觸之方式，將EC調光層積層於下側電極基板與上側電極基板之間，製造實施例1之EC調光元件(參照圖3)。 再者，關於EC調光層，其第1EC化合物層為厚度200 nm之WO₃ 膜，第2EC化合物層為厚度60 nm之聚(3,4-乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)膜。又，電解質層係於將LiCF₃ SO₃ 溶解於乙腈/碳酸丙二酯溶劑而成之電解質液中混合聚甲基丙烯酸甲酯並加以乾燥而成之電解質膜(厚度80 μm)。 (實施例2～9) 下側電極基板及上側電極基板之各者使用各實施例之透光性導電膜，除此以外，以與上述相同之方式製造各實施例之EC調光元件。 (比較例1～3) 下側電極基板及上側電極基板之各者使用各比較例之透光性導電膜，除此以外，以與上述相同之方式製造各比較例之EC調光元件。 (1)著色均勻性試驗(耐彎曲性試驗) 於各實施例及各比較例之EC調光元件中流通電流，確認彎折部之EC調光層之色彩之變化。 於彎折部，將EC調光層均勻地變化之情形評價為○，將EC調光層之變化略微地產生不均之情形評價為△，將EC調光層之變化產生不均之情形評價為×。將其結果示於表1。 (2)響應性試驗 不對透光性導電膜實施心軸彎折，以與上述相同之方式製造各實施例及各比較例之EC調光元件。於各EC調光元件中流通電流，測定EC調光層之響應性，結果確認到對應於透光性導電層之表面電阻值之高低，顯示出優異之響應性。 具體而言，如下所述般進行評價。將其結果示於表1。 〇：施加電壓後10秒以內，EC調光元件之顏色變化。 △：施加電壓後10秒～1分鐘之間，EC調光元件之顏色變化。 ×：施加電壓後，即便超過1分鐘，EC調光元件之顏色亦無變化。 (3)隔熱性試驗 不對透光性導電膜實施心軸彎折，以與上述相同之方式製造各實施例及各比較例之EC調光元件。測定各EC調光元件之著色時之隔熱性。具體而言，對著色時之EC調光元件照射紅外燈，以手對通過EC調光元件之熱進行官能評價。此時，將未感受到熱度之情形評價為○，將僅略微地感受到熱度之情形評價為△，將明顯地感受到熱度之情形評價為×。將其結果示於表1。 [表1]

再者，上述發明係作為本發明例示之實施形態而提供，但其僅為例示，並非限定性地解釋。該技術領域之業者可知之本發明之變化例包含於後述申請專利範圍內。 [產業上之可利用性] 本發明之電致變色調光構件、透光性導電膜及電致變色調光元件可應用於各種工業製品，例如可較佳地用於調光面板等調光裝置。

1‧‧‧電致變色調光構件2‧‧‧透明基材3‧‧‧保護層4‧‧‧透光性導電層5‧‧‧電致變色調光層6‧‧‧第1銦系導電性氧化物層7‧‧‧金屬層8‧‧‧第2銦系導電性氧化物層9‧‧‧透光性導電膜10‧‧‧第1電致變色化合物層11‧‧‧電解質層12‧‧‧第2電致變色化合物層13‧‧‧電致變色調光元件15‧‧‧電極基板16‧‧‧無機物層20‧‧‧心軸21‧‧‧夾具22‧‧‧砝碼T1‧‧‧厚度T2‧‧‧厚度T3‧‧‧厚度

圖1表示本發明之電致變色調光構件之一實施形態之剖視圖。 圖2表示構成圖1所示之電致變色調光構件之本發明之透光性導電膜之一實施形態之剖視圖。 圖3表示具備圖1所示之電致變色調光構件之本發明之電致變色調光元件之一實施形態之剖視圖。 圖4係電致變色調光構件之變化例，且表示於透明基材之上表面直接配置有第1銦系導電性氧化物層之電致變色調光構件之剖視圖。 圖5係電致變色調光構件之變化例，且表示於保護層與第1銦系導電性氧化物層之間介置有無機物層之電致變色調光構件之剖視圖。 圖6表示測定透光性導電膜之耐彎曲性之試驗之模式立體圖。

1‧‧‧電致變色調光構件

2‧‧‧透明基材

3‧‧‧保護層

4‧‧‧透光性導電層

5‧‧‧電致變色調光層

6‧‧‧第1銦系導電性氧化物層

7‧‧‧金屬層

8‧‧‧第2銦系導電性氧化物層

9‧‧‧透光性導電膜

10‧‧‧第1電致變色化合物層

11‧‧‧電解質層

12‧‧‧第2電致變色化合物層

T1‧‧‧厚度

T2‧‧‧厚度

T3‧‧‧厚度

Claims (8)

1. 一種電致變色調光構件，其特徵在於依序具備透明基材、透光性導電層及電致變色調光層，且上述透光性導電層依序具備第1銦系導電性氧化物層、金屬層及第2銦系導電性氧化物層，上述第1銦系導電性氧化物層及上述第2銦系導電性氧化物層均為非晶質膜。
2. 如請求項1之電致變色調光構件，其中上述透光性導電層之表面電阻值為50Ω/□以下。
3. 如請求項1之電致變色調光構件，其中上述透光性導電層之800nm以上且1500nm以下之近紅外線平均透過率為80%以下。
4. 如請求項1之電致變色調光構件，其中上述透光性導電層之800nm以上且1500nm以下之近紅外線平均反射率為10%以上。
5. 如請求項1之電致變色調光構件，其中上述透光性導電層之初期之表面電阻值R₀與將上述透光性導電層彎折後之表面電阻值R₁之比(R₁/R₀)為1.05以下。
6. 如請求項1至5中任一項之電致變色調光構件，其中上述透明基材係 具有可撓性之膜。
7. 一種透光性導電膜，其特徵在於：其係用於如請求項1之電致變色調光構件者，且依序具備透明基材及透光性導電層，上述透光性導電層自上述透明基材起依序具備第1銦系導電性氧化物層、金屬層及第2銦系導電性氧化物層，上述第1銦系導電性氧化物層及上述第2銦系導電性氧化物層均為非晶質膜。
8. 一種電致變色調光元件，其特徵在於具備：如請求項1至6中任一項之電致變色調光構件；及電極基板，其設置於上述電致變色調光層之相對於上述透明基材而為相反側之表面。

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