TWI788464B - 透光性導電膜、其製造方法、調光膜、及調光構件 - Google Patents

透光性導電膜、其製造方法、調光膜、及調光構件 Download PDF

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Abstract

本發明之透光性導電膜係於第1方向、及與第1方向正交之第2方向上延伸者，且具備基材膜、及透光性導電層。於對透光性導電膜實施自20℃升溫至160℃後降溫至20℃之熱機械分析步驟時，第1方向上之分析步驟前後之尺寸變化、及第2方向上之分析步驟前後之尺寸變化兩者均顯示膨脹。

Description

透光性導電膜、其製造方法、調光膜、及調光構件
本發明係關於一種透光性導電膜、其製造方法、以及具備該透光性導電膜之調光膜及調光構件。
近年來，由於空調負載之降低或設計性等而對於以智慧型窗戶等為代表之調光裝置之需求提高。調光裝置係用於建築物或交通工具之窗玻璃、隔板、室內裝飾等各種用途。
作為用於調光裝置之調光膜，例如於專利文獻1中提出有具備2片透明導電性樹脂基材、及由2片透明導電性樹脂基材所夾持之調光層之膜(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1之調光膜藉由施加電場而調整通過調光層之光之吸收、散射，藉此可實現調光。關於此種調光膜之透明導電性樹脂基材，採用於聚酯膜等支持基材上積層包含銦錫複合氧化物(ITO)之透明電極而成之膜。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：WO2008/075773
[發明所欲解決之問題]
調光膜有貼附於大型玻璃(例如1～10 m2 之窗玻璃)等而使用之情形。具體而言，經由熱硬化性或熱熔融性之接著劑等於玻璃上配置與該玻璃大致相同尺寸之調光膜並進行加熱硬化或加熱熔融，藉此將調光膜貼附於玻璃。
然而，貼附後之調光膜會因加熱而產生較加熱前之狀態發生收縮之不良情況。其結果為，於玻璃(尤其是周端部)上產生未貼附調光膜之部位。成為對象之玻璃之面積越大，該未貼附之部位越明顯。
本發明在於提供一種可貼附於對象物整個面之透光性導電膜、其製造方法、調光膜、及調光構件。 [解決問題之技術手段]
本發明[1]包含一種透光性導電膜，其係於第1方向、及與上述第1方向正交之第2方向上延伸者，且具備基材膜、及透光性導電層，於對上述透光性導電膜實施自20℃升溫至160℃後降溫至20℃之熱機械分析步驟時，上述第1方向上之上述分析步驟前後之尺寸變化、及上述第2方向上之上述分析步驟前後之尺寸變化兩者均顯示膨脹。
本發明[2]包含如[1]所記載之透光性導電膜，其中於依據JIS C 2151對上述透光性導電膜實施自20℃升溫至150℃後降溫至20℃之加熱步驟時，上述第1方向上之上述加熱步驟前後之尺寸變化、及上述第2方向上之上述加熱步驟前後之尺寸變化兩者均顯示收縮，且上述第1方向上之上述加熱步驟前後之尺寸變化率之絕對值、及上述第2方向上之上述加熱步驟前後之尺寸變化率之絕對值兩者均未達0.35%。
本發明[3]包含如[1]或[2]所記載之透光性導電膜，其中上述基材膜為於大氣環境下經加熱處理之膜。
本發明[4]包含如[1]至[3]中任一項所記載之透光性導電膜，其特徵在於：上述基材膜為聚酯系膜。
本發明[5]包含一種調光膜，其依序具備第1透光性導電膜、調光功能層、及第2透光性導電膜，且上述第1透光性導電膜及/或上述第2透光性導電膜為如[1]至[4]中任一項所記載之透光性導電膜。
本發明[6]包含一種調光構件，其具備保護構件、及貼附於上述保護構件之如[5]所記載之調光膜。
本發明[7]包含一種透光性導電膜之製造方法，其係製造如[1]至[4]中任一項所記載之透光性導電膜之方法，且包括：於大氣環境下對基材膜進行加熱之步驟、及繼而於將上述基材膜冷卻至5℃以下之狀態下於上述基材膜上設置透光性導電層之步驟。 [發明之效果]
透光性導電膜於實施20℃-160℃-20℃之熱機械分析步驟時，第1方向上之尺寸變化、及第2方向上之尺寸變化兩者顯示膨脹。
因此，即便藉由加熱將本發明之透光性導電膜向對象物貼附，透光性導電膜亦較加熱前之狀態發生膨脹。因此，可防止對象物之端部之表面露出，可向對象物之整個面貼附透光性導電膜。
又，藉由將因膨脹而自對象物之端部伸出之透光性導電膜之端部切斷，可將與對象物相同尺寸之透光性導電膜貼附於對象物。又，亦可將其端部有效活用作配線設置區域。
本發明之調光膜由於具備本發明之透光性導電膜，故而可貼附於對象物之整個面。
本發明之調光構件由於在保護構件之整個面貼附有調光膜，故而可於保護構件之整個面具有調光功能。
本發明之製造方法可獲得一種可貼附於對象物整個面之透光性導電膜。
於圖1A中，紙厚方向為前後方向(第1方向)，紙面近前側為前側(第1方向一側)，紙面裏側為後側(第1方向另一側)。於圖1A中，紙面左右方向為左右方向(寬度方向，與第1方向正交之第2方向)，紙面左側為左側(第2方向一側)，紙面右側為右側(第2方向另一側)。於圖1A中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向，與第1方向及第2方向正交之第3方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側，第3方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側，第3方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。
＜一實施形態＞ 1.透光性導電膜 作為本發明之一實施形態之透光性導電膜1為例如用於作為調光元件之例之調光膜、調光構件、調光裝置等之膜(即調光用透光性導電膜)。如圖1所示，透光性導電膜1形成具有特定厚度之膜形狀(包含片狀)，在與上下方向(厚度方向)正交之特定方向(前後方向及左右方向，即面方向)上延伸，且具有平坦之上表面(厚度方向一面)及平坦之下表面(厚度方向另一面)。透光性導電膜1例如為調光膜4(下文敍述，參照圖3)、調光構件6(下文敍述，參照圖4E)及調光裝置(下文敍述)等之一零件，即，並非調光膜4等。即，透光性導電膜1係用以製作調光膜4等之零件，不包含調光功能層5等而以單獨之零件之形式流通，為產業上可利用之器件。
具體而言，透光性導電膜1依序具備基材膜2、及透光性導電層3。即，透光性導電膜1具備基材膜2、及配置於基材膜2之上側之透光性導電層3。較佳為透光性導電膜1僅由基材膜2、及透光性導電層3構成。以下，對各層進行詳細敍述。
2.基材膜 基材膜2係透光性導電膜1之最下層，為確保透光性導電膜1之機械強度之支持材。又，基材膜2為具有透光性及可撓性之支持材。基材膜2支持透光性導電層3。
基材膜2具有膜形狀(包含片狀)。
基材膜2例如包含高分子膜。作為高分子膜之材料，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)、例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物等烯烴樹脂、例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂、降𦯉烯樹脂等。該等高分子膜可單獨使用或將2種以上併用。就透光性、耐熱性、機械強度等觀點而言，基材膜2較佳為可列舉由聚酯樹脂形成之聚酯系膜，更佳為可列舉聚對苯二甲酸乙二酯膜。
就耐熱性、機械強度進一步優異之觀點而言，基材膜2較佳為延伸膜，更佳為雙軸延伸膜。
基材膜2較佳為如下所述般於大氣環境下經加熱處理之膜，更佳為於大氣環境下經加熱處理之雙軸延伸膜。若使用此種基材膜2，則存在於基材膜2內部之應力得到緩和，故而於藉由加熱將透光性導電膜1貼附至對象物之情形時，可防止透光性導電膜1之收縮。
基材膜2之全光線透過率(JIS K-7105)例如為80%以上，較佳為85%以上，且例如為100%以下，較佳為95%以下。
基材膜2之霧度(JIS K-7105)例如為2.0%以下，較佳為1.8%以下，更佳為1.5%以下，進而較佳為1.2%以下，且例如為0.1%以上。
基材膜2之厚度例如為2 μm以上，較佳為50 μm以上，更佳為100 μm以上，且例如為300 μm以下，較佳為250 μm以下。若基材膜2之厚度為上述下限以上，則於形成透光性導電層3時，可更多地將高分子膜中所含有之水分賦予至透光性導電層3，故而可抑制透光性導電層3之結晶化。因此，可維持透光性導電層3之非晶質性。又，若基材膜2之厚度為上述下限以上，則透光性導電膜1之強度優異。
基材膜2之厚度例如可使用膜厚計進行測定。
於基材膜2之下表面亦可具備隔離膜等。
3.透光性導電層 透光性導電層3為視需要可於後續步驟中藉由蝕刻進行圖案化之透明性導電層。
透光性導電層3具有膜形狀(包含片狀)，且以與基材膜2之上表面接觸之方式配置於基材膜2之整個上表面。
作為透光性導電層3之材料，例如可列舉包含選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬之金屬氧化物。於金屬氧化物中亦可視需要進而摻雜上述群所示之金屬原子。
作為透光性導電層3，可列舉：例如銦錫複合氧化物(ITO)等銦系導電性氧化物、例如銻錫複合氧化物(ATO)等銻系導電性氧化物等。就可確保優異之導電性及透光性之觀點而言，透光性導電層3含有銦系導電性氧化物，更佳為含有銦錫複合氧化物(ITO)。即，透光性導電層3較佳為銦系導電性氧化物層，更佳為ITO層。
於使用ITO作為透光性導電層3之材料之情形時，氧化錫(SnO2 )含量相對於氧化錫及氧化銦(In2 O3 )之合計量例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為8質量%以上，進而較佳為超過10質量%，且例如為25質量%以下，較佳為15質量%以下，更佳為13質量%以下。若氧化錫之含量為上述下限以上，則可實現透光性導電層3之優異導電性，並且可更確實地抑制結晶化。又，若氧化錫之含量為上述上限以下，則可提高透光性或導電性之穩定性。
所謂本說明書中之「ITO」，只要為至少包含銦(In)及錫(Sn)之複合氧化物即可，亦可包含該等以外之追加成分。作為追加成分，例如可列舉In、Sn以外之金屬元素，具體而言，可列舉Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。
透光性導電層3可為結晶質或非晶質(非晶)之任一者，較佳為非晶質，更具體而言，較佳為非晶質ITO層。若透光性導電層3為非晶質，則耐龜裂性、耐擦傷性優異，故而加工性優異。即，將透光性導電膜1貼附加工於供貼附之對象物(例如下文敍述之玻璃等保護構件)時，可抑制透光性導電膜1上所產生之龜裂或損傷之產生。因此，可良好地維持所貼附之透光性導電膜1之外觀或特性。
關於透光性導電層3為非晶質或結晶質之情況，例如於透光性導電層3為ITO層之情形時，可藉由如下方式進行判斷，即，於20℃之鹽酸(濃度5質量%)中浸漬15分鐘後，進行水洗、乾燥，測定15 mm左右間之端子間電阻。於本說明書中，於將透光性導電膜1於鹽酸(20℃，濃度：5質量%)中浸漬並進行水洗、乾燥後透光性導電層中之15 mm間之端子間電阻為10 kΩ以上之情形時，透光性導電層為非晶質。
透光性導電層3之表面電阻值例如為1 Ω/□以上，較佳為10 Ω/□以上，且例如為200 Ω/□以下，較佳為100 Ω/□以下，更佳為85 Ω/□以下。若透光性導電層3之表面電阻值為上述範圍內，則即便於作為大型調光裝置而使用之情形時，亦可實現良好之電氣驅動。
透光性導電層3之比電阻值例如為6×10-4 Ω・cm以下，較佳為5.5×10-4 Ω・cm以下，更佳為5×10-4 Ω・cm以下，進而較佳為4.8×10-4 Ω・cm以下，且例如為3×10-4 Ω・cm以上，較佳為3.5×10-4 Ω・cm以上，更佳為4.0×10-4 Ω・cm以上。若透光性導電層3之比電阻值為上述上限以下，則即便於作為大型調光裝置而使用之情形時，亦可實現良好之電氣驅動。又，若比電阻值為上述下限以上，則可更確實地維持透光性導電層3之非晶質性。
透光性導電層3之厚度例如為10 nm以上，較佳為30 nm以上，更佳為50 nm以上，且例如為200 nm以下，較佳為150 nm以下，更佳為100 nm以下。透光性導電層3之厚度例如可藉由使用穿透式電子顯微鏡之剖面觀察進行測定。
4.透光性導電膜之製造方法 接下來，對製造透光性導電膜1之方法進行說明。
透光性導電膜1之製造方法例如包括：預加熱步驟，其係於大氣環境下對基材膜2進行加熱；及導電層配置步驟，其係繼而於將基材膜2冷卻至5℃以下之狀態下於基材膜2上設置透光性導電層3。透光性導電膜1之製造方法較佳為如參照圖2般以捲對捲方式實施。
於預加熱步驟中，首先準備基材膜2。例如，於捲對捲方式之情形時，使用於搬送方向(例如第1方向)上為長條且捲繞成輥狀之基材膜2。
就機械強度、耐熱性、透光性之觀點而言，較佳為準備雙軸延伸基材膜2。
繼而，於大氣環境下對基材膜2進行加熱。即，於設置透光性導電層3之前對基材膜2進行加熱。基材膜2之加熱較佳為以捲對捲方式實施，例如於大氣環境下將捲繞成長條之輥狀之基材膜2捲出，一面加熱一面搬送後，再次捲繞成長條之輥狀。
藉由該加熱處理，可解除基材膜2所內在之應力，可抑制透光性導電膜1之貼附時之熱收縮。尤其是雙軸延伸膜於其製造時藉由延伸而被施加有較強之內部應力，因此可更確實地抑制作為基材膜2之雙軸延伸膜之熱收縮。
又，由於在大氣環境下進行加熱，故而與在真空下進行加熱相比，可抑制基材膜2上所產生之褶皺或損傷，而可良好地維持透光性導電膜1之外觀。即，於將輥狀之基材膜2自輥捲出時或捲取時，由於可使大氣介於所積層之基材膜2之間，故而可抑制基材膜2之密接或摩擦，從而抑制褶皺或損傷。又，於搬送基材膜2時，由於亦可使大氣介於搬送輥(例如導輥)與基材膜2之間，故而亦可抑制與搬送輥之過度密接，從而抑制褶皺或損傷。該等抑制對於大多以大面積使用之調光裝置之外觀尤其有效果。
加熱溫度例如為100℃以上，較佳為130℃以上，更佳為150℃以上，且例如為220℃以下，較佳為200℃以下，更佳為180℃以下。加熱溫度係用以對基材膜2進行加熱之加熱設備(例如IR(infrared，紅外線)加熱器或加熱輥)之設定溫度。
加熱時間例如為0.3分鐘以上，較佳為0.5分鐘以上，更佳為1分鐘以上，且例如為10分鐘以下，較佳為5分鐘以下。若加熱時間為上述上限以下，則可抑制自基材膜2產生過剩之析出物(低聚物等)，從而可抑制基材膜2之透明性降低或高霧度化。又，若加熱時間為上述下限以上，則可充分地解除基材膜2之殘留應力，而可更確實地抑制透光性導電膜1之貼附時之熱收縮。
於導電層配置步驟中，例如藉由乾式於基材膜2之上表面形成透光性導電層3。
作為乾式，例如可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳為可列舉濺鍍法。
濺鍍法係於真空裝置之腔室(成膜室)內將靶及被附體(基材膜2)對向配置，供給氣體並且施加電壓，藉此加速氣體離子並使之照射至靶，從而使靶材料自靶表面彈出而使該靶材料積層於被附體表面。
作為濺鍍法，例如可列舉：二極濺鍍法、ECR(electron cyclotron resonance，電子回旋共振)濺鍍法、磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等。較佳為列舉磁控濺鍍法。
用於濺鍍法之電源例如可為直流(DC)電源、交流中頻(AC/MF)電源、高頻(RF)電源、重疊有直流電源之高頻電源之任一者。
作為靶，可列舉構成透光性導電層3之上述金屬氧化物。例如，於使用ITO作為透光性導電層3之材料之情形時，使用包含ITO之靶。靶中之氧化錫(SnO2 )含量相對於氧化錫及氧化銦(In2 O3 )之合計量，例如為0.5質量%以上，較佳為3質量%以上，更佳為8質量%以上，進而較佳為超過10質量%，且例如為25質量%以下，較佳為15質量%以下，更佳為13質量%以下。
於濺鍍時，較佳為於真空下實施，其氣壓例如為1.0 Pa以下，較佳為0.5 Pa以下，更佳為0.2 Pa以下，且例如為0.01 Pa以上。
作為濺鍍時之導入氣體，例如可列舉Ar等惰性氣體。又，於該方法中併用氧氣等反應性氣體。反應性氣體之流量相對於惰性氣體之流量之比(反應性氣體之流量(sccm)/惰性氣體之流量(sccm))例如為0.1/100以上且5/100以下。
形成透光性導電層3時之基材膜2之溫度為5℃以下，較佳為未達0℃，更佳為-3℃以下，且例如為-40℃以上，較佳為-20℃以上。若基材膜2之溫度超過上述上限，則基材膜2會因搬送方向之張力而於搬送方向上延伸，從而所獲得之透光性導電膜1之基材膜2上殘留有應力。其結果為，於將透光性導電膜1貼附至對象物時有熱收縮之虞。
為了將基材膜2進行冷卻，例如使基材膜2之下表面與冷卻裝置(例如冷卻輥)等接觸。
於捲對捲方式中，例如可將成膜輥或夾輥進行冷卻而製成冷卻輥。上述基材膜2之溫度係設為冷卻裝置之設定溫度。
濺鍍時之氛圍(腔室內)較佳為含水，水分氣體相對於濺鍍氣壓(全壓)之比(水分氣體之分壓(Pa)/濺鍍氣壓(Pa))例如為0.006以上，較佳為0.008以上，更佳為0.01以上，且例如為0.3以下，較佳為0.1以下，更佳為0.07以下，進而較佳為0.05以下。若將含水量設為上述範圍內，則可使透光性導電層3含有微量之水，而可抑制透光性導電層3之結晶化。
藉此獲得具備基材膜2、及透光性導電層3之透光性導電膜1。此時之透光性導電層3為非晶質。
於所獲得之透光性導電膜1中，其總厚度例如為2 μm以上，較佳為20 μm以上，且例如為300 μm以下，較佳為200 μm以下。
於對透光性導電膜1實施自20℃升溫至160℃後降溫至20℃之熱機械分析步驟(上述分析步驟；以下亦簡稱為「TMA」)時，前後方向(第1方向)上之TMA前後之尺寸變化、及左右方向(第2方向)上之TMA前後之尺寸變化兩者均顯示膨脹。
具體而言，將實施TMA前之20℃下之前後方向長度設為L1 ，將實施TMA後之20℃下之前後方向長度設為L1 '，將實施TMA前之20℃下之左右方向長度設為L2 ，將實施TMA後之20℃下之左右方向長度設為L2 '，而前後方向上之尺寸變化率ΔL1 、左右方向上之尺寸變化率ΔL2 、及面內尺寸變化率R係由下述式表示。
ΔL1 ＝{(L1 '－L1 )/L1 }×100 (%) ΔL2 ＝{(L2 '－L2 )/L2 }×100 (%) R＝{(ΔL1 )2 ＋(ΔL2 )2 }1/2 (%) 並且，所謂「前後方向(第1方向)上之TMA前後之尺寸變化顯示膨脹」，係指尺寸變化率ΔL1 顯示正值，所謂「左右方向(第2方向)上之TMA前後之尺寸變化顯示膨脹」，係指尺寸變化率ΔL2 顯示正值。
於TMA中，施加於透光性導電膜1之負荷為19.6 mN，測定時之透光性導電膜1(測定樣品)之大小係設為長邊(施加負荷之方向)20 mm、短邊3 mm。其他條件係依照實施例。
再者，於捲對捲方式之情形時，例如將搬送基材膜2之搬送方向(MD方向)設為前後方向(第1方向)，將與搬送方向正交之正交方向(TD方向)設為左右方向(第2方向)(參照圖2)。
尺寸變化率ΔL1 例如超過0%，較佳為0.10%以上，且例如為0.50%以下。
尺寸變化率ΔL2 例如超過0%，較佳為0.10%以上，且例如為0.50%以下。
面內尺寸變化率R例如為0.55%以下，較佳為0.50以下，更佳為0.40%以下，進而較佳為0.30%以下。
又，於依據JIS C 2151對透光性導電膜1實施自20℃(常溫)升溫至150℃後降溫至20℃(常溫)之加熱步驟時，前後方向上之加熱前後之尺寸變化率ΔM1 之絕對值、及左右方向上之加熱前後之尺寸變化率ΔM2 之絕對值之至少一者未達0.35%，較佳為0.30%以下，更佳為0.20%以下。又，較佳為ΔM1 之絕對值及ΔM2 之絕對值兩者均未達0.35%、較佳為0.30%以下、更佳為0.20%以下。
依據JIS C 2151之方法係於未對透光性導電膜1施加拉伸負荷等負荷之狀態下對透光性導電膜1進行加熱之方法。
具體而言，將實施上述加熱步驟前之20℃下之前後方向長度設為M1 ，將實施上述加熱步驟後之20℃下之前後方向長度設為M1 '，將實施加熱步驟前之20℃下之左右方向長度設為M2 ，將實施加熱步驟後之20℃下之左右方向長度設為M2 '，前後方向上之尺寸變化率ΔM1 、及左右方向上之尺寸變化率ΔM2 係由下述式表示。
ΔM1 ＝{(M1 '－M1 )/M1 }×100 (%) ΔM2 ＝{(M2 '－M2 )/M2 }×100 (%) 尺寸變化率ΔM1 例如超過-0.35%，較佳為-0.30%以上，更佳為-0.25%以上，且例如未達0.35%，較佳為0.30%以下，更佳為0.20%以下。
尺寸變化率ΔM2 例如超過-0.35%，較佳為-0.20%以上，更佳為-0.10%以上，且例如未達0.35%，較佳為0.20%以下，更佳為0.10%以下。
較佳為前後方向上之加熱步驟前後之尺寸變化、及左右方向(第2方向)上之加熱步驟前後之尺寸變化之至少任一者顯示收縮。前後方向上之加熱步驟前後之尺寸變化、及左右方向(第2方向)上之加熱步驟前後之尺寸變化兩者均顯示收縮。
再者，所謂「前後方向上之加熱步驟前後之尺寸變化顯示收縮」，係指尺寸變化率ΔM1 顯示負值。所謂「左右方向上之加熱步驟前後之尺寸變化顯示收縮」，係指尺寸變化率ΔM2 顯示負值。
透光性導電膜1之霧度(JIS K-7105)例如為2.0%以下，較佳為1.8%以下，更佳為1.5%以下，進而較佳為1.2%以下，且例如為0.1%以上。若透光性導電膜1之霧度為上述範圍內，則可較佳地用作調光用透光性導電膜。
該透光性導電膜1可視需要實施蝕刻而將透光性導電層3圖案化成特定形狀。
5.調光膜之製造方法 接下來，參照圖3對使用透光性導電膜1製造調光膜4之方法進行說明。
調光膜4之製造方法例如包括：製造2片透光性導電膜1之步驟、及繼而利用2片透光性導電膜1夾住調光功能層5之步驟。
首先，製造2片透光性導電膜1。再者，亦可對1片透光性導電膜1進行切斷加工而準備2片透光性導電膜1。
2片透光性導電膜1為第1透光性導電膜1A、及第2透光性導電膜1B。
繼而，例如藉由濕式於第1透光性導電膜1A中之透光性導電層3之上表面(表面)形成調光功能層5。
例如，將液晶組合物或其溶液塗佈於第1透光性導電膜1A中之透光性導電層3之上表面而形成塗膜。液晶組合物只要為可用於調光用途者，則無限定，可列舉公知者，例如可列舉日本專利特開平8-194209號公報中所記載之液晶分散樹脂。
繼而，以第2透光性導電膜1B之透光性導電層3與塗膜接觸之方式將第2透光性導電膜1B積層於塗膜之上表面。藉此，利用2片透光性導電膜1、即第1透光性導電膜1A及第2透光性導電膜1B夾住塗膜。
其後，視需要對塗膜實施適當之處理(例如熱乾燥處理、光硬化處理)而形成調光功能層5。調光功能層5係配置於第1透光性導電膜1A之透光性導電層3、與第2透光性導電膜1B之透光性導電層3之間。
藉此獲得依序具備第1透光性導電膜1A、調光功能層5、及第2透光性導電膜1B之調光膜4。
6.調光構件之製造方法 接下來，參照圖4A～E對使用調光膜4製造調光構件6之方法進行說明。
調光構件6之製造方法例如包括：於保護構件7上形成熱硬化性接著劑層8之步驟、於熱硬化性接著劑層8上配置調光膜4之步驟、將熱硬化性接著劑層8進行加熱硬化之步驟、及將調光膜4切斷之步驟。
首先，如圖4A所示，準備保護構件7。保護構件7係供貼附調光膜4之對象物，例如可列舉窗玻璃、隔板、室內裝飾等。具體而言，保護構件7係使用具有適當之機械強度及厚度之硬質性透明板，例如可列舉玻璃板、強化塑膠板(例如聚碳酸酯系樹脂)等。
繼而，如圖4B所示，於保護構件7上形成熱硬化性接著劑層8。例如將液狀之熱硬化性接著組合物塗佈於保護構件7之整個上表面(表面)。
作為熱硬化性接著組合物，例如可列舉：環氧系熱硬化性接著組合物、丙烯酸系熱硬化性接著組合物等。再者，熱硬化性接著組合物只要於熱硬化後可維持調光膜4與保護構件7之貼附，則可採用任意之樹脂，不限定於上述例示。
作為塗佈方法，例如可列舉：使用敷料器之方法、灌注、流延塗佈、旋轉塗佈、輥塗等。
繼而，如圖4C所示，於熱硬化性接著劑層8上配置調光膜4。即，介隔熱硬化性接著劑層8將調光膜4配置於保護構件7之上表面。
此時，調光膜4係以成為與保護構件7大致相同之尺寸之方式配置。具體而言，將調光膜4以成為與保護構件7大致相同之尺寸(相同之前後方向長度及相同之左右方向長度)之方式切斷，繼而，以保護構件7之周端緣與調光膜4之周端緣於投影至上下方向時一致之方式將調光膜4配置於熱硬化性接著劑層8之上表面。
繼而，如圖4D所示，將熱硬化性接著劑層8進行加熱硬化。
加熱溫度例如為80℃以上，較佳為100℃以上，且例如為180℃以下，較佳為160℃以下。
加熱時間例如為5分鐘以上，較佳為20分鐘以上，更佳為30分鐘以上，且例如為600分鐘以下，較佳為300分鐘以下。
加熱硬化可於大氣環境下或真空環境下實施，又，亦可施加適度之壓力。
其後，將貼附至保護構件7之調光膜4冷卻至室溫(5～35℃)。
藉此，使熱硬化性接著劑層8熱硬化而形成接著劑層8a。其結果為，調光膜4介隔接著劑層8a貼附(固著)於保護構件7。
並且，透光性導電膜1、乃至調光膜4向面方向側方(前後方向及左右方向)膨脹而調光膜4之端部(伸出部9)自保護構件7之端緣向面方向側方伸出。即，調光膜4之周端緣較保護構件7之周端緣位於更外側。
繼而，如圖4D之假想線所示般將調光膜4切斷。即，將調光膜4之端部沿上下方向切斷而將調光膜4之伸出部9去除。
藉此，如圖4E所示，獲得具備保護構件7、設置於其上表面之接著劑層8a、及配置於接著劑層8a之上表面之調光膜4的調光構件6。
於調光構件6中，保護構件7與調光膜4為大致相同之尺寸。即，投影至上下方向時，保護構件7之周端緣係與調光膜4之周端緣一致。
調光構件6藉由安裝配線(未圖示)、電源(未圖示)及控制裝置(未圖示)而例如製成電氣驅動型調光裝置(未圖示)而使用。作為電氣驅動型，可列舉電場驅動型及電流驅動型。作為一例，於電場驅動型調光裝置中，藉由配線及電源對第1透光性導電膜1A中之透光性導電層3與第2透光性導電膜1B中之透光性導電層3施加電壓，藉此於其等之間產生電場。並且，藉由基於控制裝置控制上述電場，而位於其等之間之調光功能層5成為配向狀態或不規則狀態，從而使光透過或將光遮斷(或使光散射)。
該透光性導電膜1及調光膜4於實施20℃-160℃-20℃之熱機械分析步驟(TMA)時，前後方向上之尺寸變化、及左右方向上之尺寸變化兩者顯示膨脹。因此，於藉由加熱貼附至保護構件7(對象物)之情形時，較加熱前之狀態發生膨脹。因此，可防止保護構件7之端部之表面露出，而可將透光性導電膜1確實地貼附於保護構件7之整個面。
雖然該機制不明確，但推測其原因在於：於藉由加熱將透光性導電膜1經由熱硬化性接著劑貼附至保護構件7之情形時、及對透光性導電膜1實施施加拉伸負荷並進行加熱之TMA之情形時，透光性導電膜1之膨脹、收縮顯示相同之行為。
又，於貼附後，藉由將透光性導電膜1及調光膜4之伸出部9切斷，可貼附與保護構件7大致相同之尺寸之透光性導電膜1及調光膜4。
使用有調光膜4之調光構件6由於在保護構件7之整個面貼附有調光膜4，故而能夠於保護構件7之整個面(尤其是即便於端部亦)具有調光功能。
7.變化例 於圖1所示之實施形態中，於基材膜2之上表面直接配置有透光性導電層3，但例如可於基材膜2之上表面及/或下表面設置功能層，但未圖示。
即，透光性導電膜1例如可具備基材膜2、配置於基材膜2之上表面之功能層、及配置於功能層之上表面之透光性導電層3。又，透光性導電膜1例如可具備基材膜2、配置於基材膜2之上表面之透光性導電層3、及配置於基材膜2之下表面之功能層。又，例如亦可於基材膜2之上側及下側依序具備功能層及透光性導電層3。
作為功能層，可列舉易接著層、底塗層、硬塗層等。易接著層係為了提高基材膜2與透光性導電層3之密接性所設置之層。底塗層係為了調整透光性導電膜1之反射率或光學色相所設置之層。硬塗層係為了提高透光性導電膜1之耐擦傷性所設置之層。該等功能層可為單獨1種，亦可將2種以上併用。
圖4E所示之實施形態中揭示了於保護構件7之上表面具備接著劑層8a及調光膜4之調光構件6，但例如亦可於調光膜4之上表面進而依序具備接著劑層8a及保護構件7，但未圖示。
又，於調光構件之製造方法中，如圖4D之假想線所示般將較保護構件7之周端緣位於更外側之調光膜4之端部9切斷，但例如亦可不將端部9之一部分切斷並使之以任意之大小殘留。該端部9之一部分例如可用作設置用以將第1透光性導電膜1A(或第2透光性導電膜1B)中之透光性導電層3與電源連接之配線之區域(配線設置區域)等。
又，亦可於將調光膜4貼附於保護構件7之前預先於調光膜4之透光性導電層3之外周部配置配線。
又，於圖4A～E中，調光構件6之製造方法係使用熱硬化性接著劑層8將調光膜4貼附於保護構件7，但作為接著劑層，只要藉由加熱可實現接著即可，不限定於熱硬化性接著層。例如亦可使用熱熔融性接著劑將調光膜4貼附於保護構件7，但未圖示。即，調光構件6之製造方法例如亦可包括：於保護構件7上形成熱熔融性接著劑層之步驟、於熱熔融性接著劑層上配置調光膜4之步驟、將熱熔融性接著劑層進行加熱熔融之步驟、及將調光膜4切斷之步驟。
作為形成熱熔融性接著劑層之方法，例如將包含熱熔融性接著組合物之片材積層於保護構件7之整個上表面。
作為熱熔融性接著組合物，例如可列舉：乙烯-乙酸乙烯酯系組合物、聚烯烴系組合物、聚醯胺系組合物、聚酯系組合物、聚丙烯系組合物、聚胺基甲酸酯系組合物等熱塑性樹脂組合物等。該等可為單獨1種，亦可將2種以上併用。此種熱熔融性接著組合物例如係用作熱熔接著劑。
熱熔融性接著劑層之加熱溫度例如與上述熱硬化性接著劑層8之加熱溫度相同。
＜其他實施形態＞ 於上述一實施形態中，例示有調光用透光性導電膜作為透光性導電膜1，但透光性導電膜例如亦可應用於調光用以外之用途。
具體而言，透光性導電膜例如包含於圖像顯示裝置(LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)、有機EL(Electroluminescence，電致發光))等光學裝置中。透光性導電膜較佳為用作觸控面板用基材。作為觸控面板之形式，可列舉光學方式、超音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等各種方式，尤其是可較佳地用於靜電電容方式之觸控面板。 實施例
以下，使用實施例詳細地對本發明進行說明，本發明只要不超出其主旨，則不限定於實施例，可基於本發明之技術思想進行各種變化及變更。又，以下記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可替代為上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限(定義為「以上」、「超過」之數值)。
實施例1 作為透光性基材膜，準備於第1方向(搬送方向，MD)上為長條之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度188 μm，雙軸延伸膜)。
將PET膜以捲對捲方式於大氣下以170℃加熱1分鐘(預加熱)。
繼而，將經加熱之PET膜設置於捲對捲型濺鍍裝置中，藉由DC磁控濺鍍法形成厚度65 nm之包含非晶質ITO之透光性導電層。再者，作為濺鍍之條件，將PET膜之溫度設定為-5℃。將濺鍍時之氛圍設為導入有Ar及O2 之氣壓設為0.2 Pa之真空氛圍(流量比為Ar：O2 ＝100：3.3)，其含水量(水分氣體/全壓)係設為0.05。作為靶，使用12質量%之氧化錫與88質量%之氧化銦之燒結體。
比較例1 不對PET膜實施預加熱，除此以外，以與實施例1相同之方式製造透光性導電膜。
比較例2 將PET膜之厚度設為50 μm，將濺鍍中之PET膜之溫度設定為0℃，將濺鍍時之氛圍設為導入有Ar及O2 之氣壓設為0.4 Pa之真空氛圍(流量比為Ar：O2 ＝100：3.0)，作為靶，使用10質量%之氧化錫與90質量%之氧化銦之燒結體，將透光性導電層之厚度設為25 nm，除此以外，以與實施例1相同之方式製造透光性導電膜。
比較例3 將濺鍍中之PET膜之溫度設定為140℃，將含水量設定為0.005，於形成透光性導電層後進而於大氣下以170℃、2分鐘之條件實施後加熱，除此以外，以與比較例2相同之方式製造透光性導電膜。
(評價) (1)厚度 PET膜(基材膜)之厚度係使用膜厚計(尾崎製作所公司製造，裝置名「digital dial gauge DG-205」)所測得。ITO層(透光性導電層)之厚度係藉由使用穿透式電子顯微鏡(日立製作所製造，裝置名「HF-2000」)之剖面觀察所測得。
(2)藉由熱機械分析(TMA)之尺寸變化之測定 將實施例及各比較例之透光性導電膜切成長邊20 mm、短邊3 mm之短條而製成測定樣品。再者，分別於測定MD方向(第1方向)之尺寸變化之情形時，以MD方向成為長邊且TD方向(與MD方向正交之方向，第2方向)成為短邊之方式進行切斷，又，於測定TD方向之尺寸變化之情形時，以TD方向成為長邊且MD方向成為短邊之方式進行切斷。藉此，製作用以測量各方向之尺寸變化之測定樣品。
將測定樣品設置於熱機械分析裝置(SII Technology公司製造，「TMA/SS71000」)中，對於MD方向及TD方向各者，測定自20℃升溫至160℃，進而降溫至20℃時之尺寸變化率。
即，將升溫前之20℃下之MD方向長度設為L1 ，將升溫後之20℃下之MD方向長度設為L1 '，利用「{(L1 '－L1 )/L1 }×100(%)」之式算出MD方向之尺寸變化率ΔL1 (%)。又，將升溫前之20℃下之TD方向長度設為M2 ，將升溫後之20℃下之TD方向長度設為L2 '，利用「{(L2 '－L2 )/L2 }×100(%)」之式算出TD方向之尺寸變化率ΔL2 (%)。進而，利用「{(ΔL1 )2 ＋(ΔL2 )2 }1/2 」之式算出測定樣品整體之面內尺寸變化率R。
再者，熱機械分析之條件係設為如下。
測定模式：拉伸法 負荷：19.6 mN 升溫速度：10℃/min 測定氛圍：大氣(流量200 ml/min) 夾持距離：10 mm (3)依據JIS C 2151之尺寸變化率之測定 將實施例及各比較例之透光性導電膜切斷成MD方向(第1方向)10 cm、TD方向(與MD方向正交之方向，第2方向)10 cm而製作樣品。此時之溫度為20℃。
依據JIS C 2151，將樣品於熱風烘箱中以150℃加熱30分鐘後，使之降溫至20℃。對於MD方向及TD方向各者測定該高溫處理後之尺寸變化率。
即，將升溫前之20℃下之MD方向之長度設為M1 ，將升溫後之20℃下之MD方向長度設為M1 '，利用「{(M1 '－M1 )/M1 }×100(%)」之式算出MD方向之尺寸變化率ΔM1 (%)。又，將升溫前之20℃下之TD方向長度設為M2 ，將升溫後之20℃下之TD方向長度設為M2 '，利用「{(M2 '－M2 )/M2 }×100(%)」之式算出TD方向之尺寸變化率ΔM2 (%)。
(4)向玻璃之貼附試驗 於市售之玻璃板(前後方向長度30 cm×左右方向長度25 cm)之一整面塗佈熱硬化性樹脂(丙烯酸系接著劑)。繼而，準備與玻璃板相同尺寸之實施例及各比較例之透光性導電膜，將各透光性導電膜以玻璃板之周端緣與透光性導電膜之周端緣一致之方式配置於熱硬化性接著劑之上表面，其後，於大氣環境下以150℃加熱60分鐘。藉此，將透光性導電膜貼附至玻璃板。
將於玻璃之周端部亦貼附有透光性導電膜之情形評價為○。另一方面，將觀察到於玻璃板之周端部未貼附透光性導電膜之部位之情形評價為×。
再者，可知於實施例1中，所貼附之透光性導電膜較玻璃板自縱方向及橫方向略微膨脹，因此藉由將膨脹之膜端部切斷，而可於玻璃板整體貼附與玻璃板相同尺寸之透光性導電膜。
另一方面，於各比較例中，所貼附之透光性導電膜藉由貼附時之加熱而收縮，而透光性導電膜無法貼附於玻璃板之周端部。
(5)非晶質性 將實施例及各比較例之透光性導電膜於大氣環境下以80℃、20小時之條件進行加熱。其後，將經加熱之透光性導電膜於鹽酸(濃度：5質量%)中浸漬15分鐘後進行水洗、乾燥，測定各導電層之15 mm左右間之兩端子間電阻。將15 mm間之兩端子間電阻超過10 kΩ之情形判斷為非晶質並評價為○。將未超過10 kΩ之情形判斷為結晶質並評價為×。將結果示於表1。
(6)外觀 以肉眼觀察實施例及各比較例之透光性導電膜之表面。將於膜表面完全未觀察到褶皺或條紋之情形評價為◎，將觀察到少許褶皺或條紋，但為作為調光裝置不會產生故障之等級之情形評價為○，將觀察到稍大之褶皺或條紋，但為作為調光裝置不會產生較大故障之等級之情形評價為△，將觀察到作為調光裝置無法使用之等級之褶皺或條紋之情形評價為×。將結果示於表1。
[表1]
Figure 107141161-A0304-0001
再者，上述發明係作為本發明所例示之實施形態而提供，其只不過為例示，不能限定性地進行解釋。由該技術領域之業者明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性]
本發明之透光性導電膜可應用於各種工業製品，例如可較佳地應用於調光構件所具備之調光膜、或圖像顯示裝置所具備之觸控面板用基材等。
1‧‧‧透光性導電膜1A‧‧‧第1透光性導電膜1B‧‧‧第2透光性導電膜2‧‧‧基材膜3‧‧‧透光性導電層4‧‧‧調光膜5‧‧‧調光功能層6‧‧‧調光構件7‧‧‧保護構件8‧‧‧熱硬化性接著劑層8a‧‧‧接著劑層9‧‧‧伸出部
圖1A～B表示本發明之透光性導電膜之一實施形態，圖1A表示剖視圖，圖1B表示立體圖。 圖2表示製造圖1A所示之透光性導電膜之步驟之立體圖。 圖3表示具備圖1A所示之透光性導電膜之調光膜之剖視圖。 圖4A～E係使用圖2所示之調光膜製造調光構件之步驟圖，圖4A表示準備保護構件之步驟，圖4B表示於保護構件上設置熱硬化性接著劑層之步驟，圖4C表示將調光膜配置於熱硬化性接著劑層之步驟，圖4D表示將熱硬化性接著劑層進行加熱硬化之步驟，圖4E表示將調光膜切斷之步驟。
1‧‧‧透光性導電膜
2‧‧‧基材膜
3‧‧‧透光性導電層

Claims (7)

  1. 一種透光性導電膜，其特徵在於：其係於第1方向、及與上述第1方向正交之第2方向上延伸者，且 具備基材膜、及透光性導電層， 於對上述透光性導電膜實施自20℃升溫至160℃後降溫至20℃之熱機械分析步驟時， 上述第1方向上之上述分析步驟前後之尺寸變化、及上述第2方向上之上述分析步驟前後之尺寸變化兩者均顯示膨脹。
  2. 如請求項1之透光性導電膜，其中於依據JIS C 2151對上述透光性導電膜實施自20℃升溫至150℃後降溫至20℃之加熱步驟時， 上述第1方向上之上述加熱步驟前後之尺寸變化、及上述第2方向上之上述加熱步驟前後之尺寸變化兩者均顯示收縮，且 上述第1方向上之上述加熱步驟前後之尺寸變化率之絕對值、及上述第2方向上之上述加熱步驟前後之尺寸變化率之絕對值兩者均未達0.35%。
  3. 如請求項1或2之透光性導電膜，其中上述基材膜為於大氣環境下經加熱處理之膜。
  4. 如請求項1或2之透光性導電膜，其中上述基材膜為聚酯系膜。
  5. 一種調光膜，其特徵在於：依序具備第1透光性導電膜、調光功能層、及第2透光性導電膜，且 上述第1透光性導電膜及/或上述第2透光性導電膜為如請求項1至4中任一項之透光性導電膜。
  6. 一種調光構件，其特徵在於：具備保護構件、及 貼附於上述保護構件之如請求項5之調光膜。
  7. 一種透光性導電膜之製造方法，其特徵在於：其係製造如請求項1至4中任一項之透光性導電膜之方法，且包括 於大氣環境下對基材膜進行加熱之步驟、及 繼而於將上述基材膜冷卻至5℃以下之狀態下於上述基材膜上設置透光性導電層之步驟。
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