KR20180097451A - 멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치 - Google Patents

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유이찌 다까미네
츠도무 다까이
유지 도요타
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

탄성 표면파 필터의 송수신 단자측과 안테나 단자측에서 특성 임피던스가 상이한 경우에도, 삽입 손실을 저감할 수 있다. 멀티플렉서(1)는 필터(11∼14)와, 안테나 소자(2)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 인덕턴스 소자(31)가 접속되고 또한 당해 접속 경로에 캐패시턴스 소자(32)가 직렬로 접속되어 있는 공통 단자(50)와, 인덕턴스 소자(21)를 구비하고, 필터(11∼14) 중, 필터(12)의 입력 단자는, 인덕턴스 소자(21)를 통해 공통 단자(50)에 접속되고, 또한, 병렬 공진자와 접속되고, 필터(11∼14) 중, 수신측 필터(12) 이외의 송신측 필터(11, 13) 및 수신측 필터(14)의 입력 단자 및 출력 단자 중 안테나 소자(2)에 가까운 쪽의 단자는, 공통 단자(50)에 접속되고, 또한, 직렬 공진자와 접속되어 있다.

Description

멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치{MULTIPLEXER, TRANSMISSION DEVICE, AND RECEPTION DEVICE}
본 발명은 탄성파 필터를 구비하는 멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치에 관한 것이다.
근년의 휴대 전화에는, 하나의 단말기에서 복수의 주파수 대역 및 복수의 무선 방식, 소위 멀티 밴드화 및 멀티 모드화에 대응할 것이 요구되고 있다. 이것에 대응하기 위해, 하나의 안테나의 바로 아래에는, 복수의 무선 반송 주파수를 갖는 고주파 신호를 분파하는 멀티플렉서가 배치된다. 멀티플렉서를 구성하는 복수의 대역 통과 필터로서는, 통과 대역 내에 있어서의 저손실성 및 통과 대역 주변에 있어서의 통과 특성의 급준성을 특징으로 하는 탄성파 필터가 사용된다.
특허문헌 1에는, 복수의 탄성 표면파 필터가 접속된 구성을 갖는 탄성 표면파 장치(SAW 듀플렉서)가 개시되어 있다. 구체적으로는, 수신측 탄성 표면파 필터 및 송신측 탄성 표면파 필터의 안테나 단자와의 접속 경로와 안테나 소자 사이에, 안테나 소자와 안테나 단자의 임피던스 정합을 취하기 위해, 인덕턴스 소자가 직렬 접속되어 있다. 이 인덕턴스 소자에 의해, 용량성을 갖는 복수의 탄성 표면파 필터가 접속된 안테나 단자로부터 탄성 표면파 필터를 본 복소 임피던스를, 특성 임피던스에 근접시킬 수 있다. 이에 의해, 삽입 손실의 열화를 방지할 수 있다고 하고 있다.
국제 공개 제2016/208670호
근년, 송신측의 탄성 표면파 필터의 송신 단자를 PA(Power Amplifier), 수신측의 탄성 표면파 필터의 수신 단자를 LNA(Low Noise Amplifier)에 접속할 때, 임피던스 정합을 행하기 위한 정합 소자의 수를 저감하기 위해, 송신측의 탄성 표면파 필터의 송신 단자 및 수신측의 탄성 표면파 필터의 수신 단자측의 특성 임피던스를, 각각 PA 및 LNA에 맞추어 설계하는 경우가 있다. 그러나, 송신측 탄성 표면파 필터 및 수신측 탄성 표면파 필터의 안테나측의 단자의 특성 임피던스는 50Ω이기 때문에, 탄성 표면파 필터의 송신 단자 또는 수신 단자측과 안테나 단자측에서는 특성 임피던스가 상이한 경우가 있다. 이 경우, 특허문헌 1에 기재된 탄성 표면파 장치 및 임피던스 정합 방법에서는, 각 단자에 대하여 충분히 임피던스를 정합할 수 없어, 삽입 손실이 증가된다는 과제가 발생하고 있다.
따라서, 본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 탄성 표면파 필터의 송신 단자 또는 수신 단자측과 안테나 단자측에서 특성 임피던스가 상이한 경우에도, 각 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감할 수 있는 멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 따른 멀티플렉서는, 안테나 소자를 통해 복수의 고주파 신호를 송수신하는 멀티플렉서로서, 서로 다른 통과 대역을 갖는 복수의 탄성파 필터와, 상기 안테나 소자와의 접속 경로와 기준 단자 사이에 적어도 하나의 제1 회로 소자가 접속되어 있고, 또한, 상기 접속 경로에 적어도 하나의 제2 회로 소자가 직렬로 접속되어 있는 공통 단자와, 제1 인덕턴스 소자를 구비하고, 상기 복수의 탄성파 필터의 각각은, 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 직렬 공진자, 및, 상기 입력 단자와 상기 출력 단자를 접속하는 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속된 병렬 공진자 중 적어도 하나를 구비하고, 상기 복수의 탄성파 필터 중, 하나의 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자는, 당해 단자 및 상기 공통 단자에 접속된 상기 제1 인덕턴스 소자를 통해 상기 공통 단자에 접속되고, 또한, 상기 병렬 공진자와 접속되며, 상기 복수의 탄성파 필터 중, 상기 하나의 탄성파 필터 이외의 다른 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자는, 상기 공통 단자에 접속되고, 또한, 상기 직렬 공진자와 접속되어 있다.
이 구성에 따르면, 제1 회로 소자 및 제2 회로 소자의 종류, 특성, 접속 위치 및 조합 등에 의해, 임피던스 정합의 자유도를 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 탄성 표면파 필터의 송신 단자 또는 수신 단자측과 안테나 단자측에서 특성 임피던스가 상이한 경우에도, 각 단자에 대하여 충분히 임피던스를 정합할 수 있다. 따라서, 멀티플렉서를 구성하는 각 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감할 수 있다. 따라서, 각 탄성파 필터와 PA 또는 LNA 사이에 매칭 소자를 설치할 필요는 없고, 간편한 구성의 고주파 회로를 실현할 수 있다.
또한, 상기 하나의 탄성파 필터의 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자에 상기 제1 인덕턴스 소자가 접속됨으로써, 상기 하나의 탄성파 필터의 자기 대역 이외의 대역의 임피던스는, 유도성으로 되어도 된다.
이에 의해, 복소 공액의 관계를 이용하여, 복소 임피던스를 특성 임피던스로 용이하게 조정할 수 있다. 따라서, 탄성 표면파 필터의 송신 단자 또는 수신 단자측과 안테나 단자측에서 특성 임피던스가 상이한 경우에도, 각 단자에 대하여 충분히 임피던스를 정합할 수 있다. 따라서, 멀티플렉서를 구성하는 각 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감할 수 있다.
또한, 상기 공통 단자에 가장 가까운 측에 접속된 상기 제1 회로 소자 또는 상기 제2 회로 소자는, 인덕턴스 소자여도 된다.
이에 의해, 공통 단자측에서 보았을 때의 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 미만이고, 또한, 스미스차트에 있어서 멀티플렉서의 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 제3 사분면 또는 제4 사분면에 있는 경우에, 각 단자에 대하여 충분히 특성 임피던스를 정합할 수 있다. 따라서, 특히 공통 단자측에서 보았을 때의 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 미만이고 또한 스미스차트에 있어서 멀티플렉서의 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 제3 사분면 또는 제4 사분면에 있는 경우에, 멀티플렉서를 구성하는 각 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감할 수 있다.
또한, 상기 제1 회로 소자는 인덕턴스 소자이고, 상기 제2 회로 소자는 캐패시턴스 소자여도 된다.
이에 의해, 공통 단자측에서 보았을 때의 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 미만이고, 또한, 스미스차트에 있어서 멀티플렉서의 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 제4 사분면에 있는 경우에, 각 단자에 대하여 충분히 특성 임피던스를 정합할 수 있다. 따라서, 특히 공통 단자측에서 보았을 때의 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 미만이고 또한 스미스차트에 있어서 멀티플렉서의 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 제4 사분면에 있는 경우에, 멀티플렉서를 구성하는 각 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감할 수 있다.
또한, 상기 제1 회로 소자는 캐패시턴스 소자이고, 상기 제2 회로 소자는 인덕턴스 소자여도 된다.
이에 의해, 공통 단자측에서 보았을 때의 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 미만이고, 또한, 스미스차트에 있어서 멀티플렉서의 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 제3 사분면에 있는 경우, 및, 공통 단자측에서 보았을 때의 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 이상이고, 또한, 스미스차트에 있어서 멀티플렉서의 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 제3 사분면 또는 제4 사분면에 있는 경우에, 각 단자에 대하여 충분히 특성 임피던스를 정합할 수 있다. 따라서, 특히 공통 단자측에서 보았을 때의 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 미만이고, 또한, 스미스차트에 있어서 멀티플렉서의 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 제3 사분면에 있는 경우, 및, 공통 단자측에서 보았을 때의 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 이상이고, 또한, 스미스차트에 있어서 멀티플렉서의 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 제3 사분면 또는 제4 사분면에 있는 경우에, 멀티플렉서를 구성하는 각 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감할 수 있다.
또한, 상기 복수의 탄성 필터의 상기 입력 단자 및 상기 출력 단자 중 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자와 반대측의 단자의 특성 임피던스는, 각각 상이해도 된다.
이에 의해, 멀티플렉서를 구성하는 각 탄성파 필터의 특성 임피던스를 각각 조정할 수 있으므로, 각 탄성파 필터의 특성 임피던스의 통과 대역 내의 삽입 손실을 각각 적절하게 저감할 수 있다.
또한, 상기 복수의 탄성파 필터 중 상기 하나의 탄성파 필터와의 아이솔레이션이 필요한 상기 다른 탄성파 필터는, 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자와 반대측의 단자에, 직렬 또는 병렬로 제2 인덕턴스 소자를 갖고 있어도 된다.
이에 의해, 제2 인덕턴스 소자와 다른 인덕턴스 소자의 결합을 이용함으로써, 제2 인덕턴스 소자가 설치된 탄성파 필터의 아이솔레이션을 크게 할 수 있다.
또한, 상기 제1 인덕턴스 소자와 상기 하나의 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자가 직렬 접속된 상태에서, 상기 제1 인덕턴스 소자를 통해 상기 하나의 탄성파 필터 단체를 본 경우의, 소정의 통과 대역에 있어서의 복소 임피던스와, 상기 하나의 탄성파 필터 이외의 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자가 상기 공통 단자와 접속된 상태에서, 상기 공통 단자와 접속된 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자측으로부터 상기 하나의 탄성파 필터 이외의 탄성파 필터를 본 경우의, 상기 소정의 통과 대역에 있어서의 복소 임피던스는, 복소 공액의 관계에 있어도 된다.
이에 의해, 제1 인덕턴스 소자와 하나의 탄성파 필터가 직렬 접속된 회로와, 당해 하나의 탄성파 필터 이외의 탄성파 필터가 공통 단자에 병렬 접속된 회로가 합성된 회로를 갖는 멀티플렉서의 공통 단자로부터 본 복소 임피던스를, 통과 대역 내의 저손실성을 확보하면서 특성 임피던스와 정합시키는 것이 가능해진다. 또한, 공통 단자와 안테나 소자 사이에 제1 인덕턴스 소자를 직렬 접속함으로써, 공통 단자로부터 본 멀티플렉서의 복소 임피던스를 유도성측 방향으로 미세 조정하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 복수의 탄성 표면파 필터의 각각을 구성하는 압전 기판은, IDT(InterDigital Transducer) 전극이 한쪽 면 상에 형성된 압전막과, 상기 압전막을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 고속인 고음속 지지 기판과, 상기 고음속 지지 기판과 상기 압전막 사이에 배치되며, 상기 압전막을 전파하는 벌크파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 저속인 저음속막을 구비해도 된다.
하나의 탄성파 필터의 공통 단자측에 제1 인덕턴스 소자가 직렬 접속된 경우 등, 복수의 탄성파 필터간에서의 임피던스 정합을 취하기 위해, 인덕턴스 소자나 캐패시턴스 소자 등의 회로 소자가 부가된다. 이 경우, 각 공진자의 Q값이 등가적으로 작아지는 경우가 상정된다. 그러나, 본 압전 기판의 적층 구조에 따르면, 각 공진자의 Q값을 높은 값으로 유지할 수 있다. 따라서, 대역 내의 저손실성을 갖는 탄성파 필터를 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 멀티플렉서는, 상기 복수의 탄성파 필터로서, 제1 통과 대역을 갖고, 상기 안테나 소자에 송신 신호를 출력하는 제1 상기 탄성파 필터와, 상기 제1 통과 대역에 인접하는 제2 통과 대역을 갖고, 상기 안테나 소자로부터 수신 신호를 입력하는 제2 상기 탄성파 필터와, 상기 제1 통과 대역 및 상기 제2 통과 대역보다 저주파측에 있는 제3 통과 대역을 갖고, 상기 안테나 소자에 송신 신호를 출력하는 제3 상기 탄성파 필터와, 상기 제1 통과 대역 및 상기 제2 통과 대역보다 고주파측에 있는 제4 통과 대역을 갖고, 상기 안테나 소자로부터 수신 신호를 입력하는 제4 상기 탄성파 필터를 구비하고, 상기 제1 인덕턴스 소자가 직렬 접속된 상기 하나의 탄성파 필터는, 상기 제2 상기 탄성파 필터 및 상기 제4 상기 탄성파 필터 중 적어도 한쪽이어도 된다.
또한, 본 발명의 일 형태에 따른 송신 장치는, 서로 다른 반송 주파수 대역을 갖는 복수의 고주파 신호를 입력하고, 당해 복수의 고주파 신호를 필터링하여 공통의 안테나 소자로부터 무선 송신시키는 송신 장치로서, 송신 회로로부터 상기 복수의 고주파 신호를 입력하고, 소정의 주파수 대역만을 통과시키는 복수의 송신용 탄성파 필터와, 상기 안테나 소자와의 접속 경로와 기준 단자 사이에 적어도 하나의 제1 회로 소자가 접속되어 있고, 또한, 상기 접속 경로에 적어도 하나의 제2 회로 소자가 직렬로 접속되어 있는 공통 단자를 구비하고, 상기 복수의 송신용 탄성파 필터의 각각은, 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 직렬 공진자, 및, 상기 입력 단자와 상기 출력 단자를 접속하는 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속된 병렬 공진자 중 적어도 하나를 구비하고, 상기 복수의 송신용 탄성파 필터 중, 하나의 송신용 탄성파 필터의 출력 단자는, 당해 출력 단자 및 상기 공통 단자에 접속된 인덕턴스 소자를 통해 상기 공통 단자에 접속되고, 또한, 상기 병렬 공진자와 접속되고, 상기 하나의 송신용 탄성파 필터 이외의 송신용 탄성파 필터의 출력 단자는, 상기 공통 단자에 접속되고, 또한, 상기 직렬 공진자 및 상기 병렬 공진자 중 상기 직렬 공진자와 접속되어 있다.
또한, 본 발명의 일 형태에 따른 수신 장치는, 서로 다른 반송 주파수 대역을 갖는 복수의 고주파 신호를, 안테나 소자를 통해 입력하고, 당해 복수의 고주파 신호를 분파하여 수신 회로에 출력하는 수신 장치로서, 상기 안테나 소자로부터 상기 복수의 고주파 신호를 입력하고, 소정의 주파수 대역만을 통과시키는 복수의 수신용 탄성파 필터와, 상기 안테나 소자와의 접속 경로와 기준 단자 사이에 적어도 하나의 제1 회로 소자가 접속되어 있고, 또한, 상기 접속 경로에 적어도 하나의 제2 회로 소자가 직렬로 접속되어 있는 공통 단자를 구비하고, 상기 복수의 수신용 탄성파 필터의 각각은, 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 직렬 공진자, 및, 상기 입력 단자와 상기 출력 단자를 접속하는 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속된 병렬 공진자 중 적어도 하나를 구비하고, 상기 복수의 수신용 탄성파 필터 중, 하나의 수신용 탄성파 필터의 입력 단자는, 당해 입력 단자 및 상기 공통 단자에 접속된 인덕턴스 소자를 통해 상기 공통 단자에 접속되고, 또한, 상기 병렬 공진자와 접속되고, 상기 하나의 수신용 탄성파 필터 이외의 수신용 탄성파 필터의 입력 단자는, 상기 공통 단자에 접속되고, 또한, 상기 직렬 공진자 및 상기 병렬 공진자 중 상기 직렬 공진자와 접속되어 있다.
또한, 본 발명의 일 형태에 따른 멀티플렉서의 임피던스 정합 방법은, 안테나 소자를 통해 복수의 고주파 신호를 송수신하는 멀티플렉서의 임피던스 정합 방법으로서, 서로 다른 통과 대역을 갖는 복수의 탄성파 필터 중, 하나의 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽으로부터, 당해 하나의 탄성파 필터 단체를 본 경우의, 다른 탄성파 필터의 통과 대역에 있어서의 복소 임피던스가 쇼트 상태로 되고, 상기 하나의 탄성파 필터 이외의 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽으로부터, 당해 탄성파 필터 단체를 본 경우의, 다른 탄성파 필터의 통과 대역에 있어서의 복소 임피던스가 오픈 상태로 되도록, 상기 복수의 탄성파 필터를 조정하는 스텝과, 상기 하나의 탄성파 필터에 필터 정합용 인덕턴스 소자가 직렬 접속된 경우의, 상기 필터 정합용 인덕턴스 소자측으로부터 상기 하나의 탄성파 필터를 본 경우의 복소 임피던스와, 상기 하나의 탄성파 필터 이외의 다른 탄성파 필터가 공통 단자에 병렬 접속된 경우의, 상기 공통 단자측으로부터 상기 다른 탄성파 필터를 본 경우의 복소 임피던스가, 복소 공액의 관계로 되도록, 상기 필터 정합용 인덕턴스 소자의 인덕턴스값을 조정하는 스텝과, 상기 필터 정합용 인덕턴스 소자를 통해 상기 하나의 탄성파 필터가 상기 공통 단자와 접속되고, 또한, 상기 공통 단자에 상기 다른 탄성파 필터가 병렬 접속된 합성 회로의, 상기 공통 단자로부터 본 복소 임피던스가 특성 임피던스와 일치하도록, 상기 안테나 소자와 상기 공통 단자의 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속되는 적어도 하나의 제1 회로 소자, 및, 상기 안테나 소자와 상기 공통 단자의 접속 경로에 직렬로 접속되는 적어도 하나의 제2 회로 소자를 조정하는 스텝을 포함하고, 상기 복수의 탄성파 필터를 조정하는 스텝에서는, 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 직렬 공진자, 및, 상기 입력 단자와 상기 출력 단자를 접속하는 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속된 병렬 공진자 중 적어도 하나를 갖는 상기 복수의 탄성파 필터 중, 상기 하나의 탄성파 필터에 있어서, 상기 병렬 공진자가 상기 필터 정합용 인덕턴스 소자와 접속되도록 상기 병렬 공진자 및 상기 직렬 공진자를 배치하고, 상기 다른 탄성파 필터에 있어서, 상기 병렬 공진자 및 상기 직렬 공진자 중 상기 직렬 공진자가 상기 공통 단자와 접속되도록, 상기 병렬 공진자 및 상기 직렬 공진자를 배치한다.
이에 의해, 제1 회로 소자 및 제2 회로 소자의 종류, 특성, 접속 위치 및 조합 등에 의해, 임피던스 정합의 자유도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 탄성 표면파 필터의 송신 단자 또는 수신 단자측과 안테나 단자측에서 특성 임피던스가 상이한 경우에도, 각 단자에 대하여 충분히 임피던스를 정합할 수 있다.
본 발명에 따른 멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치에 따르면, 탄성 표면파 필터의 송신 단자 또는 수신 단자측과 안테나 단자측에서 특성 임피던스가 상이한 경우에도, 각 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감할 수 있다.
도 1은 실시 형태 1에 따른 멀티플렉서의 회로 구성도.
도 2는 실시 형태 1에 따른 탄성 표면파 필터의 공진자를 모식적으로 도시하는 평면도 및 단면도.
도 3a는 실시 형태 1에 따른 멀티플렉서를 구성하는 Band25의 송신측 필터의 회로 구성도.
도 3b는 실시 형태 1에 따른 멀티플렉서를 구성하는 Band25의 수신측 필터의 회로 구성도.
도 3c는 실시 형태 1에 따른 멀티플렉서를 구성하는 Band66의 송신측 필터의 회로 구성도.
도 3d는 실시 형태 1에 따른 멀티플렉서를 구성하는 Band66의 수신측 필터의 회로 구성도.
도 4는 실시 형태 1에 따른 종결합형의 탄성 표면파 필터의 전극 구성을 도시하는 개략 평면도.
도 5a는 실시 형태 1 및 비교예에 따른 Band25의 송신측 필터의 통과 특성을 비교한 그래프.
도 5b는 실시 형태 1 및 비교예에 따른 Band25의 수신측 필터의 통과 특성을 비교한 그래프.
도 5c는 실시 형태 1 및 비교예에 따른 Band66의 송신측 필터의 통과 특성을 비교한 그래프.
도 5d는 실시 형태 1 및 비교예에 따른 Band66의 수신측 필터의 통과 특성을 비교한 그래프.
도 6a는 실시 형태 1에 따른 Band25의 송신측 필터 단체의 송신 출력 단자로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트.
도 6b는 실시 형태 1에 따른 Band25의 수신측 필터 단체의 수신 입력 단자로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트.
도 6c는 실시 형태 1에 따른 Band66의 송신측 필터 단체의 송신 출력 단자로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트.
도 6d는 실시 형태 1에 따른 Band66의 수신측 필터 단체의 수신 입력 단자로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트.
도 7은 실시 형태 1에 따른 Band25의 수신측 필터 이외의 모든 필터를 공통 단자에 병렬 접속한 회로 단체의 공통 단자로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트, 및, 실시 형태에 따른 Band25의 수신측 필터와 인덕턴스 소자가 직렬 접속된 회로 단체의 인덕턴스 소자측으로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트.
도 8a는 실시 형태 1에 따른 4개의 필터를 공통 단자에 병렬 접속한 회로의 공통 단자로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트.
도 8b는 실시 형태 1에 따른 4개의 필터를 공통 단자에 병렬 접속하고, 또한, 공통 단자와 안테나의 접속 경로와 기준 단자 사이에 인덕턴스 소자를 접속한 경우의 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트.
도 9는 실시 형태 2에 따른 멀티플렉서의 일례를 도시하는 회로 구성도.
도 10은 실시 형태 2에 따른 멀티플렉서에 있어서, 공통 단자로부터 본 복소 임피던스와, 공통 단자와 안테나 소자 사이에 접속되는 회로 소자의 종류 및 접속 위치와의 관계를 설명하기 위한 도면.
도 11a는 실시 형태 2에 따른 멀티플렉서에 있어서, 공통 단자와 안테나 소자 사이에 접속되는 회로 소자의 종류 및 접속 위치의 일례를 도시하는 도면.
도 11b는 실시 형태 2에 따른 멀티플렉서에 있어서, 공통 단자와 안테나 소자 사이에 접속되는 회로 소자의 종류 및 접속 위치의 다른 예를 도시하는 도면.
도 11c는 실시 형태 2에 따른 멀티플렉서에 있어서, 공통 단자와 안테나 소자 사이에 접속되는 회로 소자의 종류 및 접속 위치의 다른 예를 도시하는 도면.
도 11d는 실시 형태 2에 따른 멀티플렉서에 있어서, 공통 단자와 안테나 소자 사이에 접속되는 회로 소자의 종류 및 접속 위치의 다른 예를 도시하는 도면.
도 12는 실시 형태 2에 따른 멀티플렉서의 다른 예를 도시하는 회로 구성도.
도 13a는 실시 형태의 변형예 1에 따른 멀티플렉서의 구성을 도시하는 도면.
도 13b는 실시 형태의 변형예 2에 따른 멀티플렉서의 구성을 도시하는 도면.
도 14는 실시 형태에 따른 멀티플렉서의 임피던스 정합 방법을 설명하는 동작 플로우차트.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 실시 형태 및 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하에서 설명하는 실시 형태는, 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시 형태에서 나타내어지는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정한다는 주지는 아니다. 이하의 실시 형태에 있어서의 구성 요소 중, 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성 요소에 대해서는, 임의의 구성 요소로서 설명된다. 또한, 도면에 도시되는 구성 요소의 크기 또는 크기의 비는, 반드시 엄밀하지는 않다.
(실시 형태 1)
[1. 멀티플렉서의 기본 구성]
실시 형태 1에서는, TD-LTE(Time Division Long Term Evolution) 규격의 Band25(송신 통과 대역 : 1850-1915㎒, 수신 통과 대역 : 1930-1995㎒) 및 Band66(송신 통과 대역 : 1710-1780㎒, 수신 통과 대역 : 2010-2200㎒)에 적용되는 쿼드플렉서에 대하여 예시한다.
본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)는 Band25용 듀플렉서와 Band66용 듀플렉서가 공통 단자(50)에 접속된 쿼드플렉서이다.
도 1은 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 회로 구성도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 멀티플렉서(1)는 송신측 필터(11 및 13)와, 수신측 필터(12 및 14)와, 인덕턴스 소자(21)와, 공통 단자(50)와, 송신 입력 단자(10 및 30)와, 수신 출력 단자(20 및 40)를 구비한다. 또한, 멀티플렉서(1)는 공통 단자(50)에 있어서 안테나 소자(2)에 접속되어 있다. 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로와, 기준 단자인 그라운드 사이에는, 인덕턴스 소자(31)가 접속되어 있다. 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로에는, 캐패시턴스 소자(32)가 직렬로 접속되어 있다. 인덕턴스 소자(31)는 캐패시턴스 소자(32)보다도 공통 단자(50)측에 접속되어 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 인덕턴스 소자(31)는 제1 회로 소자, 캐패시턴스 소자(32)는 제2 회로 소자, 인덕턴스 소자(21)는 제1 인덕턴스 소자에 상당한다. 또한, 인덕턴스 소자(31) 및 캐패시턴스 소자(32)는 멀티플렉서(1)에 포함시킨 구성으로 해도 되고, 멀티플렉서(1)에 외장된 구성이어도 된다. 또한, 캐패시턴스 소자(32)는 인덕턴스 소자(31)보다도 공통 단자(50)측에 접속된 구성으로 해도 된다.
송신측 필터(11)는 송신 회로(RFIC 등)에서 생성된 송신파를, 송신 입력 단자(10)를 경유하여 입력하고, 당해 송신파를 Band25의 송신 통과 대역(1850-1915㎒ : 제1 통과 대역)에서 필터링하여 공통 단자(50)에 출력하는 비평형 입력-비평형 출력형의 대역 통과 필터(제1 탄성파 필터)이다.
수신측 필터(12)는 공통 단자(50)로부터 입력된 수신파를 입력하고, 당해 수신파를 Band25의 수신 통과 대역(1930-1995㎒ : 제2 통과 대역)에서 필터링하여 수신 출력 단자(20)에 출력하는 비평형 입력-비평형 출력형의 대역 통과 필터(제2 탄성파 필터)이다. 또한, 수신측 필터(12)와 공통 단자(50) 사이에는, 인덕턴스 소자(21)가 직렬 접속되어 있다. 인덕턴스 소자(21)가 수신측 필터(12)의 공통 단자(50)측에 접속됨으로써, 수신측 필터(12)의 통과 대역 외의 대역을 통과 대역으로 하는 송신측 필터(11, 13) 및 수신측 필터(14)의 임피던스는 유도성으로 된다.
송신측 필터(13)는 송신 회로(RFIC 등)에서 생성된 송신파를, 송신 입력 단자(30)를 경유하여 입력하고, 당해 송신파를 Band66의 송신 통과 대역(1710-1780㎒ : 제3 통과 대역)에서 필터링하여 공통 단자(50)에 출력하는 비평형 입력-비평형 출력형의 대역 통과 필터(제3 탄성파 필터)이다.
수신측 필터(14)는 공통 단자(50)로부터 입력된 수신파를 입력하고, 당해 수신파를 Band66의 수신 통과 대역(2010-2200㎒ : 제4 통과 대역)에서 필터링하여 수신 출력 단자(40)에 출력하는 비평형 입력-비평형 출력형의 대역 통과 필터(제4 탄성파 필터)이다.
송신측 필터(11 및 13), 및, 수신측 필터(14)는 공통 단자(50)에 직접 접속되어 있다.
또한, 인덕턴스 소자(21)는 수신측 필터(12)와 공통 단자(50) 사이에 한하지 않고, 수신측 필터(14)와 공통 단자(50) 사이에 직렬 접속되어 있어도 된다.
[2. 탄성 표면파 공진자의 구조]
여기서, 송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(12 및 14)를 구성하는 탄성 표면파 공진자의 구조에 대하여 설명한다.
도 2는 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터의 공진자를 모식적으로 도시하는 개략도이며, (a)는 평면도, (b) 및 (c)는 (a)에 도시한 일점쇄선에 있어서의 단면도이다. 도 2에는, 송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(12 및 14)를 구성하는 복수의 공진자 중, 송신측 필터(11)의 직렬 공진자의 구조를 도시하는 평면 모식도 및 단면 모식도가 예시되어 있다. 또한, 도 2에 도시된 직렬 공진자는, 상기 복수의 공진자의 전형적인 구조를 설명하기 위한 것이며, 전극을 구성하는 전극 핑거의 개수나 길이 등은, 이것에 한정되지 않는다.
송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(12 및 14)를 구성하는 공진자(100)는 압전 기판(5)과, 빗형 형상을 갖는 IDT(InterDigital Transducer) 전극(101a 및 101b)을 포함하고 있다.
도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 압전 기판(5) 상에는, 서로 대향하는 한 쌍의 IDT 전극(101a 및 101b)이 형성되어 있다. IDT 전극(101a)은 서로 평행한 복수의 전극 핑거(110a)와, 복수의 전극 핑거(110a)를 접속하는 버스 바 전극(111a)을 포함하고 있다. 또한, IDT 전극(101b)은, 서로 평행한 복수의 전극 핑거(110b)와, 복수의 전극 핑거(110b)를 접속하는 버스 바 전극(111b)을 포함하고 있다. 복수의 전극 핑거(110a 및 110b)는 X축 방향과 직교하는 방향을 따라서 형성되어 있다.
또한, 복수의 전극 핑거(110a 및 110b), 및, 버스 바 전극(111a 및 111b)을 포함하는 IDT 전극(54)은, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 밀착층(541)과 주전극층(542)의 적층 구조로 되어 있다.
밀착층(541)은 압전 기판(5)과 주전극층(542)의 밀착성을 향상시키기 위한 층이며, 재료로서, 예를 들어, Ti가 사용된다. 밀착층(541)의 막 두께는, 예를 들어 12㎚이다.
주전극층(542)은, 재료로서, 예를 들어, Cu를 1％ 함유한 Al이 사용된다. 주전극층(542)의 막 두께는, 예를 들어 162㎚이다.
보호층(55)은 IDT 전극(101a 및 101b)을 덮도록 형성되어 있다. 보호층(55)은 주전극층(542)을 외부 환경으로부터 보호하는 것, 주파수 온도 특성을 조정하는 것, 및, 내습성을 높이는 것 등을 목적으로 하는 층이며, 예를 들어 이산화규소를 주성분으로 하는 막이다. 보호층(55)의 두께는, 예를 들어 25㎚이다.
또한, 밀착층(541), 주전극층(542) 및 보호층(55)을 구성하는 재료는, 상술한 재료에 한정되지 않는다. 또한, IDT 전극(54)은 상기 적층 구조가 아니어도 된다. IDT 전극(54)은, 예를 들어 Ti, Al, Cu, Pt, Au, Ag, Pd 등의 금속 또는 합금을 포함해도 되고, 또한, 상기의 금속 또는 합금을 포함하는 복수의 적층체를 포함해도 된다. 또한, 보호층(55)은 형성되어 있지 않아도 된다.
다음에, 압전 기판(5)의 적층 구조에 대하여 설명한다.
도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 압전 기판(5)은 고음속 지지 기판(51)과, 저음속막(52)과, 압전막(53)을 구비하고, 고음속 지지 기판(51), 저음속막(52) 및 압전막(53)이 이 순서로 적층된 구조를 갖고 있다.
압전막(53)은 50° Y커트 X전파 LiTaO3 압전 단결정 또는 압전 세라믹스(X축을 중심축으로 하여 Y축으로부터 50° 회전한 축을 법선으로 하는 면을 따라 절단한 탄탈산리튬 단결정 또는 세라믹스이며, X축 방향으로 탄성 표면파가 전파되는 단결정 또는 세라믹스)를 포함한다. 압전막(53)은, 예를 들어 두께가 600㎚이다. 또한, 송신측 필터(13) 및 수신측 필터(14)에 대해서는, 42∼45° Y커트 X전파 LiTaO3 압전 단결정, 또는 압전 세라믹스를 포함하는 압전막(53)이 사용된다.
고음속 지지 기판(51)은 저음속막(52), 압전막(53) 및 IDT 전극(54)을 지지하는 기판이다. 고음속 지지 기판(51)은, 또한, 압전막(53)을 전파하는 표면파나 경계파의 탄성파보다도, 고음속 지지 기판(51) 중의 벌크파의 음속이 고속으로 되는 기판이며, 탄성 표면파를 압전막(53) 및 저음속막(52)이 적층되어 있는 부분에 가두어, 고음속 지지 기판(51)보다 하방으로 누설되지 않도록 기능한다. 고음속 지지 기판(51)은, 예를 들어 실리콘 기판이며, 두께는, 예를 들어 200㎛이다.
저음속막(52)은 압전막(53)을 전파하는 벌크파보다도, 저음속막(52) 중의 벌크파의 음속이 저속으로 되는 막이며, 압전막(53)과 고음속 지지 기판(51) 사이에 배치된다. 이 구조와, 탄성파가 본질적으로 저음속의 매질에 에너지가 집중된다는 성질에 의해, 탄성 표면파 에너지의 IDT 전극 외로의 누설이 억제된다. 저음속막(52)은, 예를 들어 이산화규소를 주성분으로 하는 막이며, 두께는, 예를 들어 670㎚이다.
압전 기판(5)의 상기 적층 구조에 따르면, 압전 기판을 단층으로 사용하고 있는 종래의 구조와 비교하여, 공진 주파수 및 반공진 주파수에 있어서의 Q값을 대폭 높이는 것이 가능해진다. 즉, Q값이 높은 탄성 표면파 공진자를 구성할 수 있으므로, 당해 탄성 표면파 공진자를 사용하여, 삽입 손실이 작은 필터를 구성하는 것이 가능해진다.
또한, 수신측 필터(12)의 공통 단자(50)측에 임피던스 정합용의 인덕턴스 소자(21)가 직렬 접속된 경우 등, 복수의 탄성 표면파 필터간에서의 임피던스 정합을 취하기 위해, 인덕턴스 소자나 캐패시턴스 소자 등의 회로 소자가 부가된다. 이에 의해, 공진자(100)의 Q값이 등가적으로 작아지는 경우가 상정된다. 그러나, 이와 같은 경우에도, 압전 기판(5)의 상기 적층 구조에 따르면, 공진자(100)의 Q값을 높은 값으로 유지할 수 있다. 따라서, 대역 내의 저손실성을 갖는 탄성 표면파 필터를 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 고음속 지지 기판(51)은 지지 기판과, 압전막(53)을 전파하는 표면파나 경계파의 탄성파보다도, 전파하는 벌크파의 음속이 고속으로 되는 고음속막이 적층된 구조를 갖고 있어도 된다. 이 경우, 지지 기판은 사파이어, 리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트, 수정 등의 압전체, 알루미나, 마그네시아, 질화규소, 질화알루미늄, 탄화규소, 지르코니아, 코디어라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포르스테라이트 등의 각종 세라믹, 유리 등의 유전체 또는 실리콘, 질화갈륨 등의 반도체 및 수지 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 고음속막은, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 산질화규소, DLC막 또는 다이아몬드, 상기 재료를 주성분으로 하는 매질, 상기 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 매질 등, 다양한 고음속 재료를 사용할 수 있다.
또한, 도 2의 (a) 및 (b)에 있어서, λ는 IDT 전극(101a 및 101b)을 구성하는 복수의 전극 핑거(110a 및 110b)의 반복 피치, L은 IDT 전극(101a 및 101b)의 교차폭, W는 전극 핑거(110a 및 110b)의 폭, S는 전극 핑거(110a)와 전극 핑거(110b) 사이의 폭, h는 IDT 전극(101a 및 101b)의 높이를 나타내고 있다.
[3. 각 필터 및 인덕턴스 소자의 구성]
[3-1. 송신측 필터의 회로 구성]
이하, 도 3a∼도 3d, 도 4를 사용하여, 각 필터의 회로 구성에 대하여 설명한다.
도 3a는 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)를 구성하는 Band25의 송신측 필터(11)의 회로 구성도이다. 도 3a에 도시한 바와 같이, 송신측 필터(11)는 직렬 공진자(102∼105)와, 병렬 공진자(151∼154)와, 정합용의 인덕턴스 소자(141, 161 및 162)를 구비한다.
직렬 공진자(102∼105)는 송신 입력 단자(10)와 송신 출력 단자(61) 사이에 서로 직렬로 접속되어 있다. 또한, 병렬 공진자(151∼154)는 송신 입력 단자(10), 송신 출력 단자(61) 및 직렬 공진자(102∼105)의 각 접속점과 기준 단자(그라운드) 사이에 서로 병렬로 접속되어 있다. 직렬 공진자(102∼105) 및 병렬 공진자(151∼154)의 상기 접속 구성에 의해, 송신측 필터(11)는 래더형의 밴드 패스 필터를 구성하고 있다.
인덕턴스 소자(141)는 송신 입력 단자(10)와 직렬 공진자(102) 사이, 또한, 송신 입력 단자(10)와 병렬 공진자(151) 사이에 직렬 접속되어 있다. 인덕턴스 소자(141)는 제2 인덕턴스 소자이며, 후술하는 인덕턴스 소자(21)를 접속한 수신측 필터(12)와의 아이솔레이션이 필요한 송신측 필터(11)는, 안테나 소자(2)에 접속되는 공통 단자(50)와는 반대측의 송신 입력 단자(10)에 직렬로 인덕턴스 소자(141)를 갖고 있다. 또한, 인덕턴스 소자(141)는 송신 입력 단자(10)와 직렬 공진자(102)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속되어 있어도 된다. 인덕턴스 소자(141)를 가짐으로써, 인덕턴스 소자(141)와 다른 인덕턴스 소자(161, 162)의 결합을 이용함으로써, 송신측 필터(11)의 아이솔레이션을 크게 할 수 있다.
또한, 인덕턴스 소자(161)는 병렬 공진자(152, 153 및 154)의 접속점과 기준 단자 사이에 접속되어 있다. 인덕턴스 소자(162)는 병렬 공진자(151)와 기준 단자 사이에 접속되어 있다.
송신 출력 단자(61)는 공통 단자(50)(도 1 참조)에 접속되어 있다. 또한, 송신 출력 단자(61)는 직렬 공진자(105)에 접속되어 있고, 병렬 공진자(151∼154) 중 어느 것에도 직접 접속되어 있지 않다.
도 3c는 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)를 구성하는 Band66의 송신측 필터(13)의 회로 구성도이다. 도 3c에 도시한 바와 같이, 송신측 필터(13)는 직렬 공진자(301∼304)와, 병렬 공진자(351∼354)와, 정합용의 인덕턴스 소자(361∼363)를 구비한다.
직렬 공진자(301∼304)는 송신 입력 단자(30)와 송신 출력 단자(63) 사이에 서로 직렬로 접속되어 있다. 또한, 병렬 공진자(351∼354)는 송신 입력 단자(30), 송신 출력 단자(63) 및 직렬 공진자(301∼304)의 각 접속점과 기준 단자(그라운드) 사이에 서로 병렬로 접속되어 있다. 직렬 공진자(301∼304) 및 병렬 공진자(351∼354)의 상기 접속 구성에 의해, 송신측 필터(13)는 래더형의 밴드 패스 필터를 구성하고 있다. 또한, 인덕턴스 소자(361)는 병렬 공진자(351 및 352)의 접속점과 기준 단자 사이에 접속되어 있다. 인덕턴스 소자(362)는 병렬 공진자(353)와 기준 단자 사이에 접속되어 있다. 인덕턴스 소자(363)는 송신 입력 단자(30)와 직렬 공진자(301) 사이에 접속되어 있다. 인덕턴스 소자(363)는 상술한 송신측 필터(11)에 있어서의 인덕턴스 소자(141)와 마찬가지로, 제2 인덕턴스 소자이다. 인덕턴스 소자(363)는 송신 입력 단자(30)와 직렬 공진자(301)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속되어 있어도 된다.
송신 출력 단자(63)는 공통 단자(50)(도 1 참조)에 접속되어 있다. 또한, 송신 출력 단자(63)는 직렬 공진자(304)에 접속되어 있고, 병렬 공진자(351∼354) 중 어느 것에도 직접 접속되어 있지 않다.
또한, 송신 입력 단자(10 및 30)에는, 예를 들어 PA(도시하지 않음)가 접속된다. 송신 입력 단자(10 및 30)의 특성 임피던스는, 접속되는 PA의 특성에 따라서 상이해도 된다.
[3-2. 수신측 필터의 회로 구성]
도 3b는 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)를 구성하는 Band25의 수신측 필터(12)의 회로 구성도이다. 도 3b에 도시한 바와 같이, 수신측 필터(12)는, 예를 들어 종결합형의 탄성 표면파 필터부를 포함한다. 보다 구체적으로는, 수신측 필터(12)는 종결합형 필터부(203)와, 직렬 공진자(201)와, 병렬 공진자(251∼253)를 구비한다.
도 4는 실시 형태에 따른 종결합형 필터부(203)의 전극 구성을 도시하는 개략 평면도이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 종결합형 필터부(203)는 IDT(211∼219)와, 반사기(220 및 221)와, 입력 포트(230) 및 출력 포트(240)를 구비한다.
IDT(211∼215)는, 각각, 서로 대향하는 한 쌍의 IDT 전극을 포함하고 있다. IDT(212 및 214)는 IDT(213)를 X축 방향으로 끼워 넣도록 배치되고, IDT(211 및 215)는 IDT(212∼214)를 X축 방향으로 끼워 넣도록 배치되어 있다. 또한, 반사기(220 및 221)는 IDT(211∼215)를 X축 방향으로 끼워 넣도록 배치되어 있다. 또한, IDT(211, 213, 및 215)는 입력 포트(230)와 기준 단자(그라운드) 사이에 병렬 접속되고, IDT(212 및 214)는 출력 포트(240)와 기준 단자 사이에 병렬 접속되어 있다.
또한, 도 3b에 도시한 바와 같이, 직렬 공진자(201), 및, 병렬 공진자(251 및 252)는 래더형 필터부를 구성하고 있다.
수신 입력 단자(62)는 인덕턴스 소자(21)(도 1 참조)를 통해 공통 단자(50)(도 1 참조)에 접속되어 있다. 또한, 도 3b에 도시한 바와 같이, 수신 입력 단자(62)는 병렬 공진자(251)에 접속되어 있다.
도 3d는 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)를 구성하는 Band66의 수신측 필터(14)의 회로 구성도이다. 도 3d에 도시한 바와 같이, 수신측 필터(14)는 직렬 공진자(401∼405)와, 병렬 공진자(451∼454)와, 정합용의 인덕턴스 소자(461)를 구비한다.
직렬 공진자(401∼405)는 수신 출력 단자(40)와 수신 입력 단자(64) 사이에 서로 직렬로 접속되어 있다. 또한, 병렬 공진자(451∼454)는 수신 출력 단자(40), 수신 입력 단자(64) 및 직렬 공진자(401∼405)의 각 접속점과 기준 단자(그라운드) 사이에 서로 병렬로 접속되어 있다. 직렬 공진자(401∼405) 및 병렬 공진자(451∼454)의 상기 접속 구성에 의해, 수신측 필터(14)는 래더형의 밴드 패스 필터를 구성하고 있다. 또한, 인덕턴스 소자(461)는 병렬 공진자(451, 452 및 453)의 접속점과 기준 단자 사이에 접속되어 있다.
수신 입력 단자(64)는 공통 단자(50)(도 1 참조)에 접속되어 있다. 또한, 도 3d에 도시한 바와 같이, 수신 입력 단자(64)는 직렬 공진자(405)에 접속되어 있고, 병렬 공진자(454)에는 직접 접속되어 있지 않다.
또한, 수신 출력 단자(20 및 40)에는, 예를 들어 LNA(도시하지 않음)이 접속된다. 수신 출력 단자(20 및 40)의 특성 임피던스는, 접속되는 LNA의 특성에 따라서 상이해도 된다. 또한, 수신 출력 단자(20 및 40) 및 송신 입력 단자(10 및 30)의 특성 임피던스는, 각각 상이해도 된다.
또한, 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)가 구비하는 탄성 표면파 필터에 있어서의 공진자 및 회로 소자의 배치 구성은, 상기 실시 형태에 따른 송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(12 및 14)로 예시한 배치 구성에 한정되지 않는다. 상기 탄성 표면파 필터에 있어서의 공진자 및 회로 소자의 배치 구성은, 각 주파수 대역(Band)에 있어서의 통과 특성의 요구 사양에 따라 상이하다. 상기 배치 구성이란, 예를 들어 직렬 공진자 및 병렬 공진자의 배치수이며, 또한, 래더형 및 종결합형 등의 필터 구성의 선택이다.
본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)가 구비하는 탄성파 필터에 있어서의 공진자 및 회로 소자의 배치 구성 중, 본 발명의 주요부 특징은, (1) 송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(12 및 14)의 각각은, 직렬 공진자 및 병렬 공진자 중 적어도 하나를 구비하고, (2) 하나의 탄성파 필터인 수신측 필터(12)의 수신 입력 단자(62)는, 인덕턴스 소자(21)를 통해 공통 단자(50)에 접속되고, 또한, 병렬 공진자(251)와 접속되고, (3) 수신측 필터(12) 이외의 탄성파 필터인 송신측 필터(11, 13)의 송신 출력 단자(61 및 63) 및 수신측 필터(14)의 수신 입력 단자(64)는, 각각 공통 단자(50)에 접속되고, 또한, 직렬 공진자 및 병렬 공진자 중 직렬 공진자(105, 304 및 405)와 접속되어 있는 것이다.
즉, 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)는 서로 다른 통과 대역을 갖는 복수의 탄성 표면파 필터와, 안테나 소자(2)와의 접속 경로와 기준 단자 사이에 인덕턴스 소자(31)가 접속되어 있고 또한 안테나 소자(2)와의 접속 경로에 캐패시턴스 소자(32)가 직렬로 접속되어 있는 공통 단자(50)와, 공통 단자(50)와 하나의 탄성파 필터인 수신측 필터(12)의 수신 입력 단자(62) 사이에 직렬로 접속된 인덕턴스 소자(21)를 구비한다.
여기서, 복수의 탄성 표면파 필터의 각각은, 압전 기판(5)(도 2 참조) 상에 형성된 IDT 전극을 갖고 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 직렬 공진자, 및, 압전 기판(5) 상에 형성된 IDT 전극을 갖고 입력 단자와 출력 단자를 접속하는 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속된 병렬 공진자 중 적어도 하나를 구비한다. 또한, 복수의 탄성 표면파 필터 중, 수신측 필터(12)의 수신 입력 단자(62)는, 인덕턴스 소자(21)를 통해 공통 단자(50)에 접속되고, 또한, 병렬 공진자(251)와 접속된다. 한편, 송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(14)의 송신 출력 단자(61 및 63) 및 수신 입력 단자(64)는, 각각, 공통 단자(50)에 접속되고, 또한, 직렬 공진자(105, 304 및 405)와 접속되어 있고, 병렬 공진자와는 접속되어 있지 않다.
또한, 인덕턴스 소자(31)는 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속되고, 또한, 캐패시턴스 소자(32)는 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로에 직렬로 접속되어 있다. 인덕턴스 소자(31)의 인덕턴스값 및 캐패시턴스 소자(32)의 캐패시턴스값을 변경함으로써, 공통 단자(50)로부터 본 멀티플렉서(1)의 복소 임피던스를, 스미스차트에 있어서, 용량성측 또는 유도성측, 및, 오픈측 또는 쇼트측의 2개의 방향으로 이동하도록 조정할 수 있다.
[4. 탄성 표면파 필터의 동작 원리]
여기서, 본 실시 형태에 따른 래더형의 탄성 표면파 필터의 동작 원리에 대하여 설명한다.
예를 들어, 도 3a에 도시된 병렬 공진자(151∼154)는, 각각, 공진 특성에 있어서 공진 주파수 frp 및 반공진 주파수 fap(>frp)를 갖고 있다. 또한, 직렬 공진자(102∼105)는, 각각, 공진 특성에 있어서 공진 주파수 frs 및 반공진 주파수 fas(>frs>frp)를 갖고 있다. 또한, 직렬 공진자(102∼105)의 공진 주파수 frs는, 대략 일치하도록 설계되지만, 반드시 일치하고 있지는 않다. 또한, 직렬 공진자(102∼105)의 반공진 주파수 fas, 병렬 공진자(151∼154)의 공진 주파수 frp, 및, 병렬 공진자(151∼154)의 반공진 주파수 fap에 대해서도 마찬가지이며, 반드시 일치하고 있지는 않다.
래더형의 공진자에 의해 밴드 패스 필터를 구성할 때, 병렬 공진자(151∼154)의 반공진 주파수 fap와 직렬 공진자(102∼105)의 공진 주파수 frs를 근접시킨다. 이에 의해, 병렬 공진자(151∼154)의 임피던스가 0에 근접하는 공진 주파수 frp 근방은, 저역측 저지 영역으로 된다. 또한, 이것보다 주파수가 증가하면, 반공진 주파수 fap 근방에서 병렬 공진자(151∼154)의 임피던스가 높아지고, 또한, 공진 주파수 frs 근방에서 직렬 공진자(102∼105)의 임피던스가 0에 근접한다. 이에 의해, 반공진 주파수 fap∼공진 주파수 frs의 근방에서는, 송신 입력 단자(10)로부터 송신 출력 단자(61)로의 신호 경로에 있어서 신호 통과 영역으로 된다. 또한, 주파수가 높아져, 반공진 주파수 fas 근방으로 되면, 직렬 공진자(102∼105)의 임피던스가 높아져, 고주파측 저지 영역으로 된다. 즉, 직렬 공진자(102∼105)의 반공진 주파수 fas를, 신호 통과 영역 외의 어디에 설정하는지에 따라, 고주파측 저지 영역에 있어서의 감쇠 특성의 급준성이 크게 영향을 미친다.
송신측 필터(11)에 있어서, 송신 입력 단자(10)로부터 고주파 신호가 입력되면, 송신 입력 단자(10)와 기준 단자 사이에서 전위차가 발생하고, 이에 의해, 압전 기판(5)이 왜곡됨으로써 X 방향으로 전파되는 탄성 표면파가 발생한다. 여기서, IDT 전극(101a 및 101b)의 피치 λ와, 통과 대역의 파장을 대략 일치시켜 둠으로써, 통과시키고 싶은 주파수 성분을 갖는 고주파 신호만이 송신측 필터(11)를 통과한다.
이하, 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 고주파 전송 특성 및 임피던스 특성에 대하여, 비교예에 따른 멀티플렉서와 비교하면서 설명한다.
[5. 멀티플렉서의 고주파 전송 특성]
이하, 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 고주파 전송 특성을, 비교예에 따른 멀티플렉서의 고주파 전송 특성과 비교하면서 설명한다.
비교예에 따른 멀티플렉서의 구성은, 도 1에 도시한 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)와 비교하여, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로와 기준 단자인 그라운드 사이에 인덕턴스 소자(31)가 접속되어 있지 않고, 당해 접속 경로에 직렬로 캐패시턴스 소자(32)가 형성되어 있지 않은 구성이다. 비교예에 따른 멀티플렉서는, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2) 사이에 직렬로 인덕턴스 소자가 접속된 구성이다.
도 5a는 실시 형태 및 비교예에 따른 Band25의 송신측 필터(11)의 통과 특성을 비교한 그래프이다. 도 5b는 실시 형태 및 비교예에 따른 Band25의 수신측 필터(12)의 통과 특성을 비교한 그래프이다. 도 5c는 실시 형태 및 비교예에 따른 Band66의 송신측 필터(13)의 통과 특성을 비교한 그래프이다. 도 5d는 실시 형태 및 비교예에 따른 Band66의 수신측 필터(14)의 통과 특성을 비교한 그래프이다.
도 5a∼도 5d로부터, Band25의 송신측 및 수신측, 및, Band66의 송신측 및 수신측에 있어서, 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 통과 대역 내의 삽입 손실이 비교예에 따른 멀티플렉서의 통과 대역 내의 삽입 손실보다도 우수한 것을 알 수 있다. 또한, 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)에서는, Band25의 송신측 및 수신측, 및, Band66의 수신측의 모든 주파수 대역에 있어서, 통과 대역 내의 요구 사양(송신측 삽입 손실 2.0㏈ 이하, 및, 수신측 삽입 손실 3.0㏈ 이하)을 만족시키고 있는 것을 알 수 있다.
한편, 비교예에 따른 멀티플렉서에서는, Band25의 송신측 및 수신측에 있어서, 통과 대역 내의 요구 사양을 만족시키고 있지 않은 것을 알 수 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)에 따르면, 대응해야 할 밴드수 및 모드수가 증가되어도, 그것들을 구성하는 각 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하는 것이 가능해진다.
이하, 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)가 통과 대역 내의 저손실성을 실현할 수 있는 이유를 포함하여, 멀티플렉서(1)에 있어서의 임피던스 정합에 대하여 설명한다.
[6. 멀티플렉서에 있어서의 임피던스 정합]
도 6a 및 도 6b는, 각각, 실시 형태에 따른 Band25의 송신측 필터(11) 단체의 송신 출력 단자(61)로부터 본 복소 임피던스, 및, 수신측 필터(12) 단체의 수신 입력 단자(62)로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트이다. 또한, 도 6c 및 도 6d는, 각각, 실시 형태에 따른 Band66의 송신측 필터(13) 단체의 송신 출력 단자(63)로부터 본 복소 임피던스, 및, 수신측 필터(14) 단체의 수신 입력 단자(64)로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트이다.
실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)에서는, 송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(14) 단체에서의 임피던스 특성에 있어서는, 통과 대역 외의 주파수 영역에서의 복소 임피던스가 오픈측에 오도록 설계된다. 구체적으로는, 도 6a에 있어서의, 인덕턴스 소자(21)가 접속되어 있지 않은 송신측 필터(11)의 통과 대역 외 영역 BOUT11, 도 6c에 있어서의, 인덕턴스 소자(21)가 접속되어 있지 않은 송신측 필터(13)의 통과 대역 외 영역 BOUT13, 및, 도 6d에 있어서의, 인덕턴스 소자(21)가 접속되어 있지 않은 수신측 필터(14)의 통과 대역 외 영역 BOUT14의 복소 임피던스를, 대략 오픈측에 배치하고 있다. 이들의 복소 임피던스 배치를 실현하기 위해, 상기 3개의 필터의, 공통 단자(50)에 접속되는 공진자를, 병렬 공진자가 아니라 직렬 공진자로 하고 있다.
한편, 인덕턴스 소자(21)가 접속되어 있는 수신측 필터(12)에서는, 공통 단자(50)에 접속되는 공진자를, 병렬 공진자로 하고 있다. 이 때문에, 도 6b에 도시한 바와 같이, 수신측 필터(12)의 통과 대역 외 영역 BOUT12의 복소 임피던스를, 대략 쇼트측에 배치하고 있다. 통과 대역 외 영역 BOUT12를 쇼트측에 배치한 목적에 대해서는 후술한다.
또한, 도 7은 실시 형태에 따른 Band25의 수신측 필터(12) 이외의 모든 필터를 공통 단자(50)에 병렬 접속한 회로 단체의 공통 단자(50)로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트(좌측) 및, 실시 형태에 따른 Band25의 수신측 필터(12)와 인덕턴스 소자(21)가 직렬 접속된 회로 단체의 공통 단자(50)로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트(우측)이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 인덕턴스 소자(21)와 수신측 필터(12)의 입력 단자가 직렬 접속된 상태에서, 인덕턴스 소자(21)를 통해 수신측 필터(12) 단체를 본 경우의, 소정의 통과 대역에 있어서의 복소 임피던스와, 송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(14)의 입력 단자 및 출력 단자 중 안테나 소자(2)에 가까운 쪽의 단자가 공통 단자(50)와 접속된 상태에서, 공통 단자(50)와 접속된 상기 단자측으로부터 송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(14)를 본 경우의, 상기 소정의 통과 대역에 있어서의 복소 임피던스는, 대략 복소 공액에 가까운 관계에 있는 것을 알 수 있다. 즉, 상기 2개의 복소 임피던스를 합성하면, 임피던스 정합이 취해져, 합성된 회로의 복소 임피던스가 특성 임피던스 부근에 오게 된다.
또한, 2개의 회로의 복소 임피던스가 복소 공액의 관계에 있다란, 서로의 복소 임피던스의 복소 성분의 정부가 반전되어 있는 관계를 포함하고, 복소 성분의 절댓값이 동일한 경우에 한정되지 않는다. 즉, 본 실시 형태에 있어서의 복소 공액의 관계란, 한쪽의 회로의 복소 임피던스가 용량성(스미스차트의 하부 반원)에 위치하고, 다른 쪽의 회로 복소 임피던스가 유도성(스미스차트의 상부 반원)에 위치하는 관계도 포함된다.
여기서, 도 6b에 도시한 바와 같이, 수신측 필터(12)의 통과 대역 외 영역 BOUT12의 복소 임피던스를 대략 쇼트측에 배치한 목적은, 통과 대역 외 영역 BOUT12(송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(14)의 통과 대역)의 복소 임피던스를, 인덕턴스 소자(21)에 의해, 상기 복소 공액의 관계를 갖는 위치로 시프트시키기 위해서이다. 또한, 이때의 인덕턴스 소자(21)의 인덕턴스값은, 예를 들어 5.9nH이다.
만약, 수신측 필터(12)의 통과 대역 외 영역 BOUT12가 오픈측에 위치하는 경우에는, 보다 큰 인덕턴스값을 갖는 인덕턴스 소자(21)에 의해, 통과 대역 외 영역 BOUT12를 상기 복소 공액의 관계를 갖는 위치로 시프트시켜야만 한다. 인덕턴스 소자(21)는 수신측 필터(12)에 직렬 접속되어 있으므로, 인덕턴스값이 크면 클수록 수신측 필터(12)의 통과 대역 내의 삽입 손실이 악화되어 버린다. 따라서, 실시 형태에 따른 수신측 필터(12)와 같이, 병렬 공진자(251)를 이용하여 통과 대역 외 영역 BOUT12의 복소 임피던스를 쇼트측에 배치시킴으로써, 인덕턴스 소자(21)의 인덕턴스값을 작게 할 수 있으므로, 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하는 것이 가능해진다.
도 8a는 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)를 공통 단자(50)로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트이다. 즉, 도 8a에 도시된 복소 임피던스는, 도 7에 도시된 2개의 회로를 합성한 멀티플렉서의 공통 단자(50)로부터 본 복소 임피던스를 나타내고 있다. 도 7에 도시된 2개의 회로의 복소 임피던스를, 서로 복소 공액으로 되는 관계로 배치함으로써, 합성된 회로의 복소 임피던스는, 4개의 통과 대역에 있어서 특성 임피던스에 접근한 것으로 되어 있어, 임피던스 정합이 실현되어 있다.
도 8b는 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 인덕턴스 소자(31)를 접속하고, 또한, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로에 직렬로 캐패시턴스 소자(32)를 접속한 경우의, 안테나 소자(2)측으로부터 본 복소 임피던스를 나타내는 스미스차트이다. 도 8a에 도시된 바와 같이, 서로 복소 공액으로 되는 관계로 배치된 2개의 회로를 합성한 회로에서는, 복소 임피던스가 특성 임피던스로부터 용량성측 또한 오픈측으로 어긋나 있다.
이에 반해, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 인덕턴스 소자(31)를 접속하고, 또한, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로에 캐패시턴스 소자(32)를 직렬로 접속함으로써, 공통 단자(50)로부터 본 멀티플렉서(1)의 복소 임피던스를 유도성측 또한 쇼트측으로 조정한다. 또한, 이때의 인덕턴스 소자(31)의 인덕턴스값은, 예를 들어 7.0nH, 캐패시턴스 소자(32)의 캐패시턴스값은 2.5pF이다.
이에 의해, 송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(12 및 14)에 있어서, 각각의 입력 단자와 출력 단자 중 안테나 소자(2)에 가까운 쪽과 반대측의 단자의 특성 임피던스를, 접속되는 PA나 LNA에 맞추어 조정할 수 있다. 따라서, 송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(12 및 14)의 설계를 복잡화하지 않고, 용이하게 안테나 단자에 있어서의 임피던스 정합을 취할 수 있다.
[7. 정리]
이상, 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)는, (1) 수신측 필터(12)와 공통 단자(50) 사이에 인덕턴스 소자(21)가 직렬 접속되어 있고, (2) 공통 단자(50)와 안테나 소자(2) 사이의 접속 경로와 기준 단자 사이에 인덕턴스 소자(31)가 접속되어 있고, 또한, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로에 캐패시턴스 소자(32)가 직렬로 접속되어 있고, (3) 수신측 필터(12)의 수신 입력 단자(62)에는 병렬 공진자(251)가 접속되어 있고, (4) 송신측 필터(11)의 송신 출력 단자(61), 송신측 필터(13)의 송신 출력 단자(63) 및 수신측 필터(14)의 수신 입력 단자(64)에는 각각 직렬 공진자(105, 304, 405)가 접속되어 있다.
이것에 따르면, 인덕턴스 소자(21)와 수신측 필터(12)가 직렬 접속된 회로 단체의 공통 단자(50)로부터 본 복소 임피던스와, 수신측 필터(12) 이외의 모든 필터를 공통 단자(50)에 병렬 접속한 회로 단체의 공통 단자(50)로부터 본 복소 임피던스를, 복소 공액의 관계로 할 수 있다. 이에 의해, 상기 2개의 회로가 합성된 회로를 갖는 멀티플렉서(1)의 공통 단자(50)로부터 본 복소 임피던스를, 통과 대역 내의 저손실성을 확보하면서 용이하게 특성 임피던스와 정합시키는 것이 가능해진다. 또한, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2) 사이의 접속 경로와 기준 단자 사이에 인덕턴스 소자(31)를 접속하고, 또한, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로에 캐패시턴스 소자(32)를 직렬로 접속함으로써, 멀티플렉서(1)의 공통 단자(50)로부터 본 복소 임피던스를, 스미스차트에 있어서 2개의 방향으로 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 상술한 바와 같이, 멀티플렉서(1)의 공통 단자(50)로부터 본 복소 임피던스를, 유도성측 또한 쇼트측으로 조정하는 것이 가능해진다. 따라서, 송신측 필터(11 및 13) 및 수신측 필터(12 및 14)의 설계를 복잡화하지 않고, 용이하게 안테나 단자에 있어서의 임피던스 정합을 취할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2) 사이의 접속 경로와 기준 단자 사이에 인덕턴스 소자(31), 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로에 캐패시턴스 소자(32)를 직렬로 접속하는 구성을 나타냈지만, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2) 사이의 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속되는 회로 소자, 및, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로에 직렬로 접속되는 회로 소자는, 인덕턴스 소자 및 캐패시턴스 소자를 어떻게 조합해도 된다. 또한, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2) 사이의 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속되는 회로 소자, 및, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로에 직렬로 접속되는 회로 소자는, 각각 적어도 하나씩 설치되어 있으면 되고, 2개 이상 설치되어 있어도 된다.
(실시 형태 2)
실시 형태 2에 따른 멀티플렉서(1)가 실시 형태 1에 나타낸 멀티플렉서(1)와 상이한 점은, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2) 사이에 접속되는 회로 소자의 종류 및 접속 위치가 상이한 점이다.
도 9는 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)의 일례를 도시하는 회로 구성도이다. 도 9에 도시한 멀티플렉서(1)는 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로에 직렬로 인덕턴스 소자(33)가 접속되고, 또한, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2) 사이의 접속 경로와 기준 단자 사이에 캐패시턴스 소자(34)가 접속되어 있다. 인덕턴스 소자(33)는 캐패시턴스 소자(34)보다도 공통 단자(50)측에 접속되어 있다.
여기서, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2) 사이에 접속되는 소자의 종류 및 접속 위치의 최적의 조합에 대하여 설명한다. 도 10은 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)에 있어서, 공통 단자(50)로부터 본 복소 임피던스와, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2) 사이에 접속되는 회로 소자의 종류 및 접속 위치와의 관계를 설명하기 위한 도면이다. 도 11a∼도 11d는 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서에 있어서, 공통 단자와 안테나 소자 사이에 접속되는 회로 소자의 종류 및 접속 위치의 일례를 도시하는 도면이다. 또한 도 11a∼도 11d에서는, 안테나 소자(2)의 접속 단자를 단자(2a)로서 나타내고 있다.
공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 단자(2a) 사이에 접속되는 회로 소자의 종류 및 접속 위치의 최적의 조합은, 공통 단자(50)로부터 본 멀티플렉서(1)의 특성 임피던스의 실수부의 값과, 멀티플렉서(1)의 고주파 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 스미스차트에 있어서 어느 사분면에 위치하는지에 따라 상이하다.
멀티플렉서(1)의 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 이상인 경우에는, 멀티플렉서(1)의 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 도 10에 도시한 스미스차트에 있어서 제3 사분면 및 제4 사분면 중 어느 것에 있는 경우에도, 도 11a에 도시한 인덕턴스 소자(33) 및 캐패시턴스 소자(34)의 조합이 유효하다. 즉, 도 11a에 도시한 바와 같이, 멀티플렉서(1)의 공통 단자(50)(도 9 참조)와 단자(2a)의 접속 경로에 직렬로 인덕턴스 소자(33)가 접속되고, 인덕턴스 소자(33)와 공통 단자(50)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 캐패시턴스 소자(34)가 접속되어 있는 구성이다.
이 구성에 의해, 공통 단자로부터 본 멀티플렉서의 복소 임피던스를, 통과 대역 내의 저손실성을 확보하면서 특성 임피던스와 정합시키는 것이 가능해진다.
또한, 멀티플렉서(1)의 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 미만이며, 멀티플렉서(1)의 고주파 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 도 10에 도시한 스미스차트에 있어서 제3 사분면에 있는 경우에는, 도 11b에 도시한 인덕턴스 소자(33) 및 캐패시턴스 소자(34)의 조합이 유효하다.
즉, 도 11b에 도시한 바와 같이, 멀티플렉서(1)의 공통 단자(50)(도 9 참조)와 단자(2a)의 접속 경로에 직렬로 인덕턴스 소자(33)가 접속되고, 단자(2a)와 인덕턴스 소자(33)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 캐패시턴스 소자(34)가 접속되어 있는 구성이다. 이 구성은 도 9에 도시한 회로 소자의 조합과 마찬가지이다.
따라서, 도 9에 도시한 인덕턴스 소자(33)와 캐패시턴스 소자(34)의 조합 및 접속 위치는, 멀티플렉서(1)의 공통 단자(50)측으로부터 본 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 미만이며, 또한, 멀티플렉서(1)의 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 스미스차트에 있어서 제3 사분면에 있는 경우에 유효하다.
또한, 멀티플렉서(1)의 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 미만이며, 멀티플렉서(1)의 고주파 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 도 10에 도시한 스미스차트에 있어서 제4 사분면에 있는 경우에는, 도 11c에 도시한 인덕턴스 소자(31) 및 캐패시턴스 소자(32)의 조합, 및, 도 11d에 도시한 인덕턴스 소자(31 및 33)의 조합이 유효하다.
즉, 도 11c에 도시한 바와 같이, 멀티플렉서(1)의 공통 단자(50)(도 9 참조)와 단자(2a)의 접속 경로에 직렬로 캐패시턴스 소자(32)가 접속되고, 공통 단자(50)와 캐패시턴스 소자(32)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 인덕턴스 소자(31)가 접속되어 있는 구성이다. 이 구성은, 도 1에 도시한 인덕턴스 소자(31) 및 캐패시턴스 소자(32)의 조합과 마찬가지이다. 따라서, 도 1에 도시한 인덕턴스 소자(31)와 캐패시턴스 소자(32)의 조합 및 접속 위치는, 멀티플렉서(1)의 공통 단자(50)측으로부터 본 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 미만이며, 또한, 멀티플렉서(1)의 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 스미스차트에 있어서 제4 사분면에 있는 경우에 유효하다.
또한, 도 11d에 도시한 바와 같이, 멀티플렉서(1)의 공통 단자(50)(도 9 참조)와 단자(2a)의 접속 경로에 직렬로 인덕턴스 소자(33)가 접속되고, 공통 단자(50)와 인덕턴스 소자(33)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 인덕턴스 소자(31)가 접속되어 있는 구성으로 해도 된다. 이 구성에 대해서도, 멀티플렉서(1)의 공통 단자(50)측으로부터 본 특성 임피던스의 실수부가 50Ω 미만이며, 또한, 멀티플렉서(1)의 통과 대역에 있어서의 특성 임피던스가 스미스차트에 있어서 제4 사분면에 있는 경우에 유효하다.
또한, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2) 사이의 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속되는 회로 소자, 및, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로에 직렬로 접속되는 회로 소자는, 각각 하나씩에 한하지 않고, 2개 이상 설치되어 있어도 된다. 도 12는 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서의 다른 예를 도시하는 회로 구성도이다.
도 12에 도시한 멀티플렉서(1)는 공통 단자(50)와 안테나 소자(2) 사이의 접속 경로에 직렬로 캐패시턴스 소자(32)를 구비하고 있다. 또한, 공통 단자(50)와 캐패시턴스 소자(32)의 접속 경로와 기준 단자 사이에, 인덕턴스 소자(31)를 구비하고 있다. 또한, 도 12에 도시한 멀티플렉서(1)는 캐패시턴스 소자(32)와 안테나 소자(2) 사이의 접속 경로와 기준 단자 사이에, 인덕턴스 소자(35)를 구비하고 있다.
이 구성에 따르면, 공통 단자(50)와 안테나 소자(2)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 2개의 인덕턴스 소자(31 및 35)가 각각 배치되어 있으므로, 보다 미세 조정이 가능해진다. 따라서, 스미스차트에 있어서 특성 임피던스를 유도성측 및 쇼트측으로 용이하게 조정하여 임피던스 정합을 취할 수 있다.
(그 밖의 변형예 등)
이상, 본 발명의 실시 형태에 따른 멀티플렉서에 대하여, 쿼드플렉서의 실시 형태를 예로 들어 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 상기 실시 형태에 다음과 같은 변형을 실시한 형태도, 본 발명에 포함될 수 있다.
예를 들어, 실시 형태에 따른 압전 기판(5)의 압전막(53)은 50° Y 커트 X 전파 LiTaO3 단결정을 사용한 것이지만, 단결정 재료의 커트각은 이것에 한정되지 않는다. 즉, LiTaO3 기판을 압전 기판으로서 사용하고, 실시 형태에 따른 멀티플렉서를 구성하는 탄성 표면파 필터의 압전 기판의 커트각은, 50° Y인 것에 한정되지 않는다. 상기 이외의 커트각을 갖는 LiTaO3 압전 기판을 사용한 탄성 표면파 필터여도, 마찬가지의 효과를 발휘하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 따른 멀티플렉서(1)는, 또한, 안테나 소자(2)와 공통 단자(50)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 적어도 하나의 제1 회로 소자가 접속되어 있고 또한 안테나 소자(2)와 공통 단자(50)의 접속 경로에 적어도 하나의 제2 회로 소자가 직렬로 접속되어 있는 구성이어도 된다. 여기서, 제1 회로 소자 및 제2 회로의 소자는, 각각 인덕턴스 소자 또는 캐패시턴스 소자여도 된다. 예를 들어, 본 발명에 따른 멀티플렉서(1)는 고주파 기판 상에, 상술한 특징을 갖는 복수의 탄성파 필터와, 칩 상의 제1 인덕턴스 소자, 제1 회로 소자 및 제2 회로 소자가 실장된 구성을 갖고 있어도 된다.
또한, 인덕턴스 소자는, 예를 들어 칩 인덕터여도 되고, 고주파 기판의 도체 패턴에 의해 형성된 것이어도 된다. 또한, 캐패시턴스 소자는, 예를 들어 칩 캐패시터여도 되고, 고주파 기판의 도체 패턴에 의해 형성된 것이어도 된다.
또한, 본 발명에 따른 멀티플렉서는, 실시 형태와 같은 Band25+Band66의 쿼드플렉서에 한정되지 않는다.
도 13a는 실시 형태의 변형예 1에 따른 멀티플렉서의 구성을 도시하는 도면이다. 예를 들어, 본 발명에 따른 멀티플렉서는, 도 13a에 도시한 바와 같이, 송신 대역 및 수신 대역을 갖는 Band25, Band4 및 Band30을 조합한 시스템 구성에 적용되는 6개의 주파수 대역을 갖는 헥사플렉서여도 된다. 이 경우, 예를 들어 Band25의 수신측 필터에, 인덕턴스 소자(21)가 직렬 접속되고, Band25의 수신측 필터의 수신 입력 단자에는 병렬 공진자가 접속된다. 또한, Band25의 수신측 필터 이외의 5개의 필터의 공통 단자와 접속되는 단자에는, 직렬 공진자가 접속되고 병렬 공진자는 접속되지 않는다. 또한, 공통 단자와 안테나 소자(2)의 접속 경로에 캐패시턴스 소자(32)가 직렬로 접속되어 있고, 또한, 공통 단자와 캐패시턴스 소자(32)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 인덕턴스 소자(31)가 접속되어 있다.
도 13b는 실시 형태의 변형예 2에 따른 멀티플렉서의 구성을 도시하는 도면이다. 예를 들어, 본 발명에 따른 멀티플렉서는, 도 13b에 도시한 바와 같이, 송신 대역 및 수신 대역을 갖는 Band1, Band3 및 Band7을 조합한 시스템 구성에 적용되는 6개의 주파수 대역을 갖는 헥사플렉서여도 된다. 이 경우, 예를 들어 Band1의 수신측 필터에, 인덕턴스 소자(21)가 직렬 접속되고, Band1의 수신측 필터의 수신 입력 단자에는 병렬 공진자가 접속된다. 또한, Band1의 수신측 필터 이외의 5개의 필터의 공통 단자와 접속되는 단자에는, 직렬 공진자가 접속되고 병렬 공진자는 접속되지 않는다. 또한, 공통 단자와 안테나 소자(2)의 접속 경로에 캐패시턴스 소자(32)가 직렬로 접속되어 있고, 또한, 공통 단자와 캐패시턴스 소자(32)의 접속 경로와 기준 단자 사이에 인덕턴스 소자(31)가 접속되어 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 멀티플렉서에서는, 탄성 표면파 필터의 송신 단자 또는 수신 단자측과 안테나 단자측에서 특성 임피던스가 상이한 경우에도, 각 단자에 대하여 충분히 임피던스를 정합할 수 있다. 이에 의해, 구성 요소인 탄성파 필터의 수가 많아도, 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 멀티플렉서는, 송수신을 행하는 듀플렉서를 복수 갖는 구성이 아니어도 된다. 예를 들어, 복수의 송신 주파수 대역을 갖는 송신 장치로서 적용할 수 있다. 즉, 서로 다른 반송 주파수 대역을 갖는 복수의 고주파 신호를 입력하고, 당해 복수의 고주파 신호를 필터링하여 공통의 안테나 소자로부터 무선 송신시키는 송신 장치로서, 송신 회로로부터 복수의 고주파 신호를 입력하고, 소정의 주파수 대역만을 통과시키는 복수의 송신용 탄성파 필터와, 안테나 소자와의 접속 경로와 기준 단자 사이에 적어도 하나의 제1 회로 소자가 접속되어 있고 또한 안테나 소자와의 접속 경로에 적어도 하나의 제2 회로 소자가 직렬로 접속되어 있는 공통 단자를 구비하고 있어도 된다. 여기서, 복수의 송신용 탄성파 필터의 각각은, 압전 기판 상에 형성된 IDT 전극을 갖고 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 직렬 공진자, 및, 압전 기판 상에 형성된 IDT 전극을 갖고 입력 단자와 출력 단자를 접속하는 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속된 병렬 공진자 중 적어도 하나를 구비한다. 또한, 복수의 송신용 탄성파 필터 중, 하나의 송신용 탄성파 필터의 출력 단자는, 당해 출력 단자 및 공통 단자에 접속된 인덕턴스 소자를 통해 공통 단자에 접속되고, 또한, 병렬 공진자와 접속된다. 한편, 상기 하나의 송신용 탄성파 필터 이외의 송신용 탄성파 필터의 출력 단자는, 공통 단자에 접속되고, 또한, 직렬 공진자 및 병렬 공진자 중 직렬 공진자와 접속되어 있다. 제1 회로 소자 및 제2 회로 소자는, 인덕턴스 소자여도 되고, 캐패시턴스 소자여도 된다.
또한, 본 발명에 따른 멀티플렉서는, 예를 들어 복수의 수신 주파수 대역을 갖는 수신 장치로서 적용할 수 있다. 즉, 서로 다른 반송 주파수 대역을 갖는 복수의 고주파 신호를, 안테나 소자를 통해 입력하고, 당해 복수의 고주파 신호를 분파하여 수신 회로에 출력하는 수신 장치로서, 안테나 소자로부터 복수의 고주파 신호를 입력하고, 소정의 주파수 대역만을 통과시키는 복수의 수신용 탄성파 필터와, 안테나 소자와의 접속 경로와 기준 단자 사이에 적어도 하나의 제1 회로 소자가 접속되어 있고 또한 안테나 소자와의 접속 경로에 적어도 하나의 제2 회로 소자가 직렬로 접속되어 있는 공통 단자를 구비해도 된다. 여기서, 복수의 수신용 탄성파 필터의 각각은, 압전 기판 상에 형성된 IDT 전극을 갖고 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 직렬 공진자, 및, 압전 기판 상에 형성된 IDT 전극을 갖고 입력 단자와 출력 단자를 접속하는 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속된 병렬 공진자 중 적어도 하나를 구비한다. 또한, 복수의 수신용 탄성파 필터 중, 하나의 수신용 탄성파 필터의 입력 단자는, 당해 입력 단자 및 공통 단자에 접속된 인덕턴스 소자를 통해 공통 단자에 접속되고, 또한, 병렬 공진자와 접속된다. 한편, 상기 하나의 수신용 탄성파 필터 이외의 수신용 탄성파 필터의 입력 단자는, 공통 단자에 접속되고, 또한, 직렬 공진자 및 병렬 공진자 중 직렬 공진자와 접속되어 있다. 제1 회로 소자 및 제2 회로 소자는 인덕턴스 소자여도 되고, 캐패시턴스 소자여도 된다.
상기와 같은 구성을 갖는 송신 장치 또는 수신 장치여도, 본 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)와 마찬가지의 효과가 발휘된다.
또한, 본 발명은 상기와 같은 특징적인 탄성파 필터 및 인덕턴스 소자를 구비하는 멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치뿐만 아니라, 이와 같은 특징적인 구성 요소를 스텝으로 한 멀티플렉서의 임피던스 정합 방법으로서도 성립한다.
도 14는 실시 형태에 따른 멀티플렉서의 임피던스 정합 방법을 설명하는 동작 플로우차트이다.
본 발명에 따른 멀티플렉서의 임피던스 정합 방법은, (1) 서로 다른 통과 대역을 갖는 복수의 탄성파 필터 중, 하나의 탄성파 필터(탄성파 필터 A)의 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽으로부터, 당해 하나의 탄성파 필터 단체를 본 경우의, 다른 탄성파 필터의 통과 대역에 있어서의 복소 임피던스가 쇼트 상태로 되고, 상기 하나의 탄성파 필터 이외의 탄성파 필터(탄성파 필터 B)의 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽으로부터, 당해 탄성파 필터 단체를 본 경우의, 다른 탄성파 필터의 통과 대역에 있어서의 복소 임피던스가 오픈 상태로 되도록, 복수의 탄성파 필터를 조정하는 스텝(S10)과, (2) 상기 하나의 탄성파 필터(탄성파 필터 A)에 필터 정합용 인덕턴스 소자가 직렬 접속된 경우의, 필터 정합용 인덕턴스 소자측으로부터 상기 하나의 탄성파 필터를 본 경우의 복소 임피던스와, 상기 하나의 탄성파 필터 이외의 다른 탄성파 필터(복수의 탄성파 필터 B)가 공통 단자에 병렬 접속된 경우의, 공통 단자측으로부터 다른 탄성파 필터를 본 경우의 복소 임피던스가 복소 공액의 관계로 되도록, 필터 정합용 인덕턴스 소자의 인덕턴스값을 조정하는 스텝(S20)과, (3) 필터 정합용 인덕턴스 소자를 통해 상기 하나의 탄성파 필터(탄성파 필터 A)가 공통 단자와 접속되고, 또한, 공통 단자에 상기 다른 탄성파 필터(복수의 탄성파 필터 B)가 병렬 접속된 합성 회로의, 공통 단자로부터 본 복소 임피던스가, 특성 임피던스와 일치하도록, 안테나 소자와 공통 단자의 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속되는 적어도 하나의 제1 회로 소자, 및, 안테나 소자와 공통 단자의 접속 경로에 직렬로 접속되는 적어도 하나의 제2 회로 소자를 조정하는 스텝(S30)을 포함한다.
여기서, 제1 회로 소자 및 제2 회로 소자의 각각은, 예를 들어 안테나 정합용 인덕턴스 소자 또는 안테나 정합용 캐패시턴스 소자이다. 이 경우, 제1 회로 소자 및 제2 회로 소자의 조정이란, 안테나 정합용 인덕턴스 소자의 인덕턴스값 및 안테나 정합용 캐패시턴스 소자의 캐패시턴스값을 조정하는 것으로 해도 된다. 또한, 제1 회로 소자 및 제2 회로 소자의 조정으로서, 제1 회로 소자 및 제2 회로 소자의 종류, 특성, 접속 위치 및 조합 등을 변경하는 것을 포함해도 된다.
또한, (4) 복수의 탄성파 필터를 조정하는 스텝에서는, 압전 기판 상에 형성된 IDT 전극을 갖고 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 직렬 공진자, 및, 압전 기판 상에 형성된 IDT 전극을 갖고 입력 단자와 출력 단자를 접속하는 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속된 병렬 공진자 중 적어도 하나를 갖는 상기 복수의 탄성파 필터 중, 상기 하나의 탄성파 필터에 있어서, 병렬 공진자가 필터 정합용 인덕턴스 소자와 접속되도록 병렬 공진자 및 직렬 공진자를 배치하고, 상기 다른 탄성파 필터에 있어서, 병렬 공진자 및 직렬 공진자 중 직렬 공진자가 공통 단자와 접속되도록, 병렬 공진자 및 직렬 공진자를 배치한다.
이 구성에서는, 상술한 바와 같이 제1 회로 소자 및 제2 회로 소자를 조정함으로써, 임피던스 정합의 자유도를 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 탄성 표면파 필터의 송신 단자 또는 수신 단자측과 안테나 단자측에서 특성 임피던스가 상이한 경우에도, 각 단자에 대하여 충분히 임피던스를 정합할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 멀티플렉서, 쿼드플렉서, 송신 장치 및 수신 장치를 구성하는 송신측 필터 및 수신측 필터로서, IDT 전극을 갖는 탄성 표면파 필터를 예시하였다. 그러나, 본 발명에 따른 멀티플렉서, 쿼드플렉서, 송신 장치 및 수신 장치를 구성하는 각 필터는, 직렬 공진자 및 병렬 공진자를 포함하는 탄성 경계파나 BAW(Bulk Acoustic Wave)를 사용한 탄성파 필터여도 된다. 이것에 의해서도, 상기 실시 형태에 따른 멀티플렉서, 쿼드플렉서, 송신 장치 및 수신 장치가 갖는 효과와 마찬가지의 효과가 발휘된다.
또한, 상기 실시 형태에 따른 멀티플렉서(1)에서는, 수신측 필터(12)에 인덕턴스 소자(21)가 직렬 접속된 구성을 예시하였지만, 송신측 필터(11 또는 13), 또는, 수신측 필터(14)에 인덕턴스 소자(21)가 직렬 접속된 구성도 본 발명에 포함된다. 즉, 본 발명에 따른 멀티플렉서는, 서로 다른 통과 대역을 갖는 복수의 탄성파 필터와, 안테나 소자와의 접속 경로와 기준 단자 사이에 적어도 하나의 제1 회로 소자가 접속되어 있고 또한 안테나 소자와의 접속 경로에 적어도 하나의 제2 회로 소자가 직렬로 접속되어 있는 공통 단자와, 제1 인덕턴스 소자를 구비하고, 복수의 탄성파 필터 중, 송신측 필터의 출력 단자는, 당해 출력 단자 및 공통 단자에 접속된 제1 인덕턴스 소자를 통해 공통 단자에 접속되고, 또한, 병렬 공진자와 접속되고, 상기 송신측 필터 이외의 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 안테나 소자측의 단자는, 공통 단자에 접속되고, 또한, 직렬 공진자 및 병렬 공진자 중 직렬 공진자와 접속되어 있는 구성을 갖고 있어도 된다. 이것에 의해서도, 탄성 표면파 필터의 송신 단자 또는 수신 단자측과 안테나 단자측에서 특성 임피던스가 상이해도 충분히 임피던스를 정합할 수 있다. 따라서, 대응해야 할 밴드수 및 모드수가 증가해도, 저손실의 멀티플렉서를 제공하는 것이 가능해진다.
본 발명은 멀티 밴드화 및 멀티 모드화된 주파수 규격에 적용할 수 있는 저손실의 멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치로서, 휴대 전화 등의 통신 기기에 널리 이용할 수 있다.
1 : 멀티플렉서
2 : 안테나 소자
2a : 단자
5 : 압전 기판
10, 30 : 송신 입력 단자
11, 13 : 송신측 필터
12, 14 : 수신측 필터
20, 40 : 수신 출력 단자
21 : 인덕턴스 소자(제1 인덕턴스 소자, 필터 정합용 인덕턴스 소자)
31, 35 : 인덕턴스 소자(제1 회로 소자)
32 : 캐패시턴스 소자(제2 회로 소자)
33 : 인덕턴스 소자(제2 회로 소자)
34 : 캐패시턴스 소자(제1 회로 소자)
50 : 공통 단자
51 : 고음속 지지 기판
52 : 저음속막
53 : 압전막
54, 101a, 101b : IDT 전극
55 : 보호층
61, 63 : 송신 출력 단자
62, 64 : 수신 입력 단자
100 : 공진자
102, 103, 104, 105, 201, 301, 302, 303, 304, 401, 402, 403, 404, 405 : 직렬 공진자
110a, 110b : 전극 핑거
111a, 111b : 버스 바 전극
141, 363 : 인덕턴스 소자(제2 인덕턴스 소자)
151, 152, 153, 154, 251, 252, 253, 351, 352, 353, 354, 451, 452, 453, 454 : 병렬 공진자
161, 162, 361, 362, 461 : 인덕턴스 소자
203 : 종결합형 필터부
211, 212, 213, 214, 215 : IDT
220, 221 : 반사기
230 : 입력 포트
240 : 출력 포트
541 : 밀착층
542 : 주전극층

Claims (13)

  1. 안테나 소자를 통해 복수의 고주파 신호를 송수신하는 멀티플렉서로서,
    서로 다른 통과 대역을 갖는 복수의 탄성파 필터와,
    상기 안테나 소자와의 접속 경로와 기준 단자 사이에 적어도 하나의 제1 회로 소자가 접속되어 있고, 또한, 상기 접속 경로에 적어도 하나의 제2 회로 소자가 직렬로 접속되어 있는 공통 단자와,
    제1 인덕턴스 소자를 구비하고,
    상기 복수의 탄성파 필터의 각각은, 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 직렬 공진자, 및, 상기 입력 단자와 상기 출력 단자를 접속하는 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속된 병렬 공진자 중 적어도 하나를 구비하고,
    상기 복수의 탄성파 필터 중, 하나의 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자는, 당해 단자 및 상기 공통 단자에 접속된 상기 제1 인덕턴스 소자를 통해 상기 공통 단자에 접속되고, 또한, 상기 병렬 공진자와 접속되고,
    상기 복수의 탄성파 필터 중, 상기 하나의 탄성파 필터 이외의 다른 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자는, 상기 공통 단자에 접속되고, 또한, 상기 직렬 공진자와 접속되어 있는 멀티플렉서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하나의 탄성파 필터의 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자에 상기 제1 인덕턴스 소자가 접속됨으로써, 상기 하나의 탄성파 필터의 자기 대역 이외의 대역의 임피던스는, 유도성으로 되는 멀티플렉서.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 공통 단자에 가장 가까운 측에 접속된 상기 제1 회로 소자 또는 상기 제2 회로 소자는 인덕턴스 소자인 멀티플렉서.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 회로 소자는 인덕턴스 소자이고,
    상기 제2 회로 소자는 캐패시턴스 소자인 멀티플렉서.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 회로 소자는 캐패시턴스 소자이고,
    상기 제2 회로 소자는 인덕턴스 소자인 멀티플렉서.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 탄성 필터의 상기 입력 단자 및 상기 출력 단자 중 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자와 반대측의 단자의 특성 임피던스는, 각각 상이한 멀티플렉서.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 탄성파 필터 중 상기 하나의 탄성파 필터와의 아이솔레이션이 필요한 상기 다른 탄성파 필터는, 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자와 반대측의 단자에, 직렬 또는 병렬로 제2 인덕턴스 소자를 갖고 있는 멀티플렉서.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 인덕턴스 소자와 상기 하나의 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자가 직렬 접속된 상태에서, 상기 제1 인덕턴스 소자를 통해 상기 하나의 탄성파 필터 단체를 본 경우의, 소정의 통과 대역에 있어서의 복소 임피던스와, 상기 하나의 탄성파 필터 이외의 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자가 상기 공통 단자와 접속된 상태에서, 상기 공통 단자와 접속된 상기 안테나 소자에 가까운 쪽의 단자측으로부터 상기 하나의 탄성파 필터 이외의 탄성파 필터를 본 경우의, 상기 소정의 통과 대역에 있어서의 복소 임피던스는, 복소 공액의 관계에 있는 멀티플렉서.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 탄성 표면파 필터의 각각을 구성하는 압전 기판은,
    IDT(InterDigital Transducer) 전극이 한쪽 면 상에 형성된 압전막과,
    상기 압전막을 전파하는 탄성파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 고속인 고음속 지지 기판과,
    상기 고음속 지지 기판과 상기 압전막 사이에 배치되며, 상기 압전막을 전파하는 벌크파 음속보다도, 전파하는 벌크파 음속이 저속인 저음속막을 구비하는 멀티플렉서.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 멀티플렉서는, 상기 복수의 탄성파 필터로서,
    제1 통과 대역을 갖고, 상기 안테나 소자에 송신 신호를 출력하는 제1 상기 탄성파 필터와,
    상기 제1 통과 대역에 인접하는 제2 통과 대역을 갖고, 상기 안테나 소자로부터 수신 신호를 입력하는 제2 상기 탄성파 필터와,
    상기 제1 통과 대역 및 상기 제2 통과 대역보다 저주파측에 있는 제3 통과 대역을 갖고, 상기 안테나 소자에 송신 신호를 출력하는 제3 상기 탄성파 필터와,
    상기 제1 통과 대역 및 상기 제2 통과 대역보다 고주파측에 있는 제4 통과 대역을 갖고, 상기 안테나 소자로부터 수신 신호를 입력하는 제4 상기 탄성파 필터를 구비하고,
    상기 제1 인덕턴스 소자가 직렬 접속된 상기 하나의 탄성파 필터는, 상기 제2 상기 탄성파 필터 및 상기 제4 상기 탄성파 필터 중 적어도 한쪽인 멀티플렉서.
  11. 서로 다른 반송 주파수 대역을 갖는 복수의 고주파 신호를 입력하고, 당해 복수의 고주파 신호를 필터링하여 공통의 안테나 소자로부터 무선 송신시키는 송신 장치로서,
    송신 회로로부터 상기 복수의 고주파 신호를 입력하고, 소정의 주파수 대역만을 통과시키는 복수의 송신용 탄성파 필터와,
    상기 안테나 소자와의 접속 경로와 기준 단자 사이에 적어도 하나의 제1 회로 소자가 접속되어 있고, 또한, 상기 접속 경로에 적어도 하나의 제2 회로 소자가 직렬로 접속되어 있는 공통 단자를 구비하고,
    상기 복수의 송신용 탄성파 필터의 각각은, 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 직렬 공진자, 및, 상기 입력 단자와 상기 출력 단자를 접속하는 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속된 병렬 공진자 중 적어도 하나를 구비하고,
    상기 복수의 송신용 탄성파 필터 중, 하나의 송신용 탄성파 필터의 출력 단자는, 당해 출력 단자 및 상기 공통 단자에 접속된 인덕턴스 소자를 통해 상기 공통 단자에 접속되고, 또한, 상기 병렬 공진자와 접속되고,
    상기 하나의 송신용 탄성파 필터 이외의 송신용 탄성파 필터의 출력 단자는, 상기 공통 단자에 접속되고, 또한, 상기 직렬 공진자 및 상기 병렬 공진자 중 상기 직렬 공진자와 접속되어 있는 송신 장치.
  12. 서로 다른 반송 주파수 대역을 갖는 복수의 고주파 신호를, 안테나 소자를 통해 입력하고, 당해 복수의 고주파 신호를 분파하여 수신 회로에 출력하는 수신 장치로서,
    상기 안테나 소자로부터 상기 복수의 고주파 신호를 입력하고, 소정의 주파수 대역만을 통과시키는 복수의 수신용 탄성파 필터와,
    상기 안테나 소자와의 접속 경로와 기준 단자 사이에 적어도 하나의 제1 회로 소자가 접속되어 있고, 또한, 상기 접속 경로에 적어도 하나의 제2 회로 소자가 직렬로 접속되어 있는 공통 단자를 구비하고,
    상기 복수의 수신용 탄성파 필터의 각각은, 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 직렬 공진자, 및, 상기 입력 단자와 상기 출력 단자를 접속하는 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속된 병렬 공진자 중 적어도 하나를 구비하고,
    상기 복수의 수신용 탄성파 필터 중, 하나의 수신용 탄성파 필터의 입력 단자는, 당해 입력 단자 및 상기 공통 단자에 접속된 인덕턴스 소자를 통해 상기 공통 단자에 접속되고, 또한, 상기 병렬 공진자와 접속되고,
    상기 하나의 수신용 탄성파 필터 이외의 수신용 탄성파 필터의 입력 단자는, 상기 공통 단자에 접속되고, 또한, 상기 직렬 공진자 및 상기 병렬 공진자 중 상기 직렬 공진자와 접속되어 있는 수신 장치.
  13. 안테나 소자를 통해 복수의 고주파 신호를 송수신하는 멀티플렉서의 임피던스 정합 방법으로서,
    서로 다른 통과 대역을 갖는 복수의 탄성파 필터 중, 하나의 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽으로부터, 당해 하나의 탄성파 필터 단체를 본 경우의, 다른 탄성파 필터의 통과 대역에 있어서의 복소 임피던스가 쇼트 상태로 되고, 상기 하나의 탄성파 필터 이외의 탄성파 필터의 입력 단자 및 출력 단자 중 한쪽으로부터, 당해 탄성파 필터 단체를 본 경우의, 다른 탄성파 필터의 통과 대역에 있어서의 복소 임피던스가 오픈 상태로 되도록, 상기 복수의 탄성파 필터를 조정하는 스텝과,
    상기 하나의 탄성파 필터에 필터 정합용 인덕턴스 소자가 직렬 접속된 경우의, 상기 필터 정합용 인덕턴스 소자측으로부터 상기 하나의 탄성파 필터를 본 경우의 복소 임피던스와, 상기 하나의 탄성파 필터 이외의 다른 탄성파 필터가 공통 단자에 병렬 접속된 경우의, 상기 공통 단자측으로부터 상기 다른 탄성파 필터를 본 경우의 복소 임피던스가, 복소 공액의 관계로 되도록, 상기 필터 정합용 인덕턴스 소자의 인덕턴스값을 조정하는 스텝과,
    상기 필터 정합용 인덕턴스 소자를 통해 상기 하나의 탄성파 필터가 상기 공통 단자와 접속되고, 또한, 상기 공통 단자에 상기 다른 탄성파 필터가 병렬 접속된 합성 회로의, 상기 공통 단자로부터 본 복소 임피던스가 특성 임피던스와 일치하도록, 상기 안테나 소자와 상기 공통 단자의 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속되는 적어도 하나의 제1 회로 소자, 및, 상기 안테나 소자와 상기 공통 단자의 접속 경로에 직렬로 접속되는 적어도 하나의 제2 회로 소자를 조정하는 스텝을 포함하고,
    상기 복수의 탄성파 필터를 조정하는 스텝에서는,
    입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 직렬 공진자, 및, 상기 입력 단자와 상기 출력 단자를 접속하는 접속 경로와 기준 단자 사이에 접속된 병렬 공진자 중 적어도 하나를 갖는 상기 복수의 탄성파 필터 중, 상기 하나의 탄성파 필터에 있어서, 상기 병렬 공진자가 상기 필터 정합용 인덕턴스 소자와 접속되도록 상기 병렬 공진자 및 상기 직렬 공진자를 배치하고, 상기 다른 탄성파 필터에 있어서, 상기 병렬 공진자 및 상기 직렬 공진자 중 상기 직렬 공진자가 상기 공통 단자와 접속되도록, 상기 병렬 공진자 및 상기 직렬 공진자를 배치하는 멀티플렉서의 임피던스 정합 방법.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9698756B2 (en) 2014-12-24 2017-07-04 Qorvo Us, Inc. Acoustic RF resonator parallel capacitance compensation
US10581156B2 (en) 2016-05-04 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Compensation circuit to mitigate antenna-to-antenna coupling
US10581403B2 (en) * 2016-07-11 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Device having a titanium-alloyed surface
US11050412B2 (en) 2016-09-09 2021-06-29 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter using acoustic coupling
US11165413B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator structure
US11165412B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Zero-output coupled resonator filter and related radio frequency filter circuit
JP6790907B2 (ja) * 2017-02-23 2020-11-25 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置
US10873318B2 (en) 2017-06-08 2020-12-22 Qorvo Us, Inc. Filter circuits having acoustic wave resonators in a transversal configuration
WO2019188007A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、通信装置、および弾性波フィルタ
US11152913B2 (en) 2018-03-28 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Bulk acoustic wave (BAW) resonator
US11159144B2 (en) * 2019-02-07 2021-10-26 Qorvo Us, Inc. Radio frequency multiplexer
US11146247B2 (en) 2019-07-25 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Stacked crystal filter structures
US11742829B2 (en) 2019-08-28 2023-08-29 Skyworks Solutions, Inc. Multiplexer with filter having increased reflection characteristic
US11757430B2 (en) 2020-01-07 2023-09-12 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency
US11146245B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Mode suppression in acoustic resonators
US11146246B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Phase shift structures for acoustic resonators
WO2021153459A1 (ja) 2020-01-31 2021-08-05 株式会社村田製作所 マルチプレクサ
WO2021153458A1 (ja) 2020-01-31 2021-08-05 株式会社村田製作所 マルチプレクサ
JP2021125775A (ja) * 2020-02-04 2021-08-30 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、フロントエンド回路および通信装置
US11632097B2 (en) 2020-11-04 2023-04-18 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator filter device
US11575363B2 (en) 2021-01-19 2023-02-07 Qorvo Us, Inc. Hybrid bulk acoustic wave filter

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016208670A1 (ja) 2015-06-24 2016-12-29 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置、受信装置、高周波フロントエンド回路、通信装置、およびマルチプレクサのインピーダンス整合方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008067413A (ja) 1998-06-09 2008-03-21 Oki Electric Ind Co Ltd 分波器
JP2001313542A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Oki Electric Ind Co Ltd 分波器
JP3509773B2 (ja) 2001-04-26 2004-03-22 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP3855842B2 (ja) 2002-05-16 2006-12-13 株式会社村田製作所 弾性表面波分波器およびそれを有する通信装置
US20040227585A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-18 Norio Taniguchi Surface acoustic wave branching filter
CN2708566Y (zh) * 2004-01-30 2005-07-06 达方电子股份有限公司 频率多工器和多层频率多工器
EP1583254B1 (en) * 2004-03-30 2009-06-17 TDK Corporation Diplexer and matching circuit
JP2006135447A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Fujitsu Media Device Kk 分波器
JP4378703B2 (ja) 2005-06-07 2009-12-09 日立金属株式会社 高周波回路部品
KR100959992B1 (ko) * 2006-04-06 2010-05-27 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 듀플렉서
JP2008042609A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Toshiba Corp 分波器および無線受信機
CN101257286B (zh) * 2006-09-28 2012-07-18 英飞凌科技股份公司 具有∏型网络电路的天线多工器及∏型网络电路的应用
TW200835043A (en) * 2007-01-19 2008-08-16 Murata Manufacturing Co High-frequency part
JPWO2010131450A1 (ja) * 2009-05-14 2012-11-01 パナソニック株式会社 アンテナ共用器
WO2013080428A1 (ja) * 2011-11-28 2013-06-06 パナソニック株式会社 高周波フィルタ
WO2013118239A1 (ja) * 2012-02-06 2013-08-15 太陽誘電株式会社 分波器およびモジュール
US9246533B2 (en) * 2012-10-18 2016-01-26 Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd. Electronic device including filter
CN105556741A (zh) * 2013-09-17 2016-05-04 株式会社村田制作所 高频模块及通信装置
CN103888095B (zh) * 2014-02-21 2017-02-01 广东风华高新科技股份有限公司 双工器和多工器
CN104078727B (zh) * 2014-06-04 2016-08-17 中国电子科技集团公司第十研究所 串联型单侧椭圆函数传输线滤波器
JP6635113B2 (ja) * 2015-05-08 2020-01-22 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6398895B2 (ja) * 2015-06-30 2018-10-03 株式会社村田製作所 分波器
US20170012763A1 (en) * 2015-07-08 2017-01-12 Mediatek Inc. Multiband Filter Circuitry, Multiband Duplexer Circuitry, and Related Radio-Frequency System
CN105471445A (zh) * 2015-11-12 2016-04-06 邓志华 一种新型智能蓝牙、wifi二合一模块
CN105656446B (zh) * 2015-12-17 2018-09-04 东莞酷派软件技术有限公司 一种声表面波滤波器及其制作方法
JP6790907B2 (ja) * 2017-02-23 2020-11-25 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016208670A1 (ja) 2015-06-24 2016-12-29 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置、受信装置、高周波フロントエンド回路、通信装置、およびマルチプレクサのインピーダンス整合方法

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