KR20180086189A - 은 합금-기반 스퍼터링 표적 - Google Patents

은 합금-기반 스퍼터링 표적 Download PDF

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마테리온 어드벤스드 머티리얼즈 저머니 게엠베하
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Abstract

본 발명은
- 인듐, 주석, 안티몬 및 비스무트로부터 선택된, 은 합금의 총 중량을 기준으로 0.01 내지 2 중량%의 양의 제1 요소, 및
- 은 합금의 총 중량을 기준으로 0.01 내지 2 중량%의 티타늄을 포함하고, 및
- 55 μm 이하의 평균 입자 크기를 가지는 은 합금을 포함하는 스퍼터링 표적에 관한 것이다.

Description

은 합금-기반 스퍼터링 표적
본 발명은 응집-저항층을 증착시키기 위한 은 합금을 포함하는 스퍼터링(sputtering) 표적 및 이 스퍼터링 표적의 제조 방법에 관한 것이다.
양호한 반사 특성으로 인해, 은은 광학 데이터 저장, 디스플레이 애플리케이션 및 광전자 공학 분야에서 통상적인 코팅 물질이다. 애플리케이션 환경 및 다른 인접한 층에 따라, 은은 부식되려는 경향이 있고, 그것은 반사 특성의 손상 및 심지어 그 성분의 파괴를 초래할 수 있다.
증착 중에 및/또는 후속되는 처리 단계에서 증가된 온도(예컨대 200℃ 이상의 온도)가 은 층의 광학 및/또는 전기적 특성을 응집으로 인해 상당히 손상시킬 수 있기 때문에, 은 층은 사용 중에 추가의 한계를 경험한다. 응집은 그 자체로 반사율 및 전기 전도성의 심각한 강하뿐만 아니라 헤이즈값(분산광 산란(diffuse light scattering))의 급격한 증가를 나타낸다.
부식 특성은 합금 요소들, 예컨대 인듐, 비스무트, 안티몬 또는 주석이 은에 첨가될 때 개선될 수 있는 것으로 알려져 있다, EP1489193 참조. 예를 들어 EP 2487274 A1은 최대 1.5 중량%의 인듐을 포함하고 150 내지 400 μm의 범위의 평균 입자 크기를 가지는 은 합금을 기술한다. US 7,767,041은 비스무트-함유 은 합금을 기술한다.
JP 2000-109943은 0.5 내지 4.9 원자%의 팔라듐을 함유하는 은 합금을 기술한다. US 2004/0048193은 사마륨의 첨가를 통해 부식 안정성을 개선한다.
EP 1 736 558은 반사 코팅으로서 사용하기 위한 은 합금을 기술한다. 이 은 합금은 적어도 두 가지 합금 요소를 포함하는데, 제1 합금 요소는 알루미늄, 인듐 또는 주석이고, 제2 합금 요소는 복수의 추가의 금속 요소들로부터 선택될 수 있다.
응집 저항을 개선시키는 것은 Ga 및 희토류, 또는 Cu, Sn의 첨가를 통해 US 7,413,618 에서 해결된다. 부식 안정성 및 응집 저항의 개선은 바람직한 합금 조성물을 스퍼터링함으로써 이루어진다.
저항률과 관련하여 인쇄된 전도성 페이스트의 부식 및 온도 안정성의 개선은, 다른 것들 중에서도 Sn, Pb, Zn, In, Ga 및, 추가 요소로서 예를 들면 Al, Cu 또는 티타늄을 포함하는 은 합금에 의해 이루어진다, US 2005/0019203 참조.
은 층의 응집 저항을 개선하기 위한 해결책이 CD "기록 층"에 대해 알려져 있다. JP 2004-0002929는 Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au, At, Zn, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn(0.1 내지 8 원자%)을 포함하는 은을 기술한다. EP 1889930, EP 1889931, EP 1889932 및 EP 18889933은 응집 저항을 개선하기 위하여 최대 20 원자%의 유사하게 포괄적인 물질 시스템을 보고한다. 마찬가지로, US 6,896,947은 은 합금을 포함하는 광학 기록층에 대한 층 시스템을 기술한다. US 5,853,872는 특히 합금에 내화 금속을 첨가함으로써 은의 응집 저항을 개선하지만, 이것은 부식 안정성을 의도적으로 제어하지 못한다. US 2007/0020138은 Mo 또는 Ni 및 인듐의 첨가를 통해 은의 응집 저항을 향상시킨다.
요약하면, 합금에 대한 첨가와 관련하여, 한편으로, 부식 안정성 및 응집 저항은 증가하는 양의 특정 요소로 향상될 수 있지만, 다른 한편으로 반사 특성이 불리하게 영향을 미치고, 전기 전도성이 감소하는 위험이 역시 증가하는 것이 주지될 수 있다. 다중-물질 시스템에서, 및 특히 고체 용액 형성을 갖지 않는 시스템에서, 요소들의 고른 분포가 중요하다.
원칙적으로, 그러한 반사층은 상이한 코팅 방법에 의해 기질에 적용될 수 있다. 바람직한 방법은 스퍼터링이고, 여기서 스퍼터링 표적이 사용된다. 당업자에게 알려져 있는 것과 같이, 스퍼터링 표적은 스퍼터링되는 캐소드 스퍼터링 시스템의 물질을 의미하는 것으로 인지된다.
제조될 코팅의 원하는 특성은 스퍼터링 표적의 화학적 조성물에서 고려되어야 한다. 만약, 예를 들어, 높은 부식 및 응집 안정성을 가지는 은-기반 반사 코팅이 스퍼터링 방법에 의해 제조되어야 한다면, 스퍼터링 표적은 부식-억제 및 응집-억제 합금 요소들을 포함하는 은 합금으로 구성될 수 있다.
스퍼터링 표적이 통상적으로 만나게 되는 한 가지 중요한 기준은, 바람직하게는 최소화된 층 두께 변동을 가지는 코팅의 형성을 가능하게 하기 위하여, 매우 일정한 스퍼터 속도(sputter rate)이다. 높은 층 두께 변동은 또한 다른 것들 중에서도, 은 코팅의 반사 특성에 불리하게 영향을 미친다. 특히 역시 투명도를 나타내야 하는 박층의 경우에, 고수준의 층 두께 균일성, 및 그로써 균일한 스퍼터링 거동이 중요하다. 균일한 스퍼터링 거동은 추가적으로 높은 표적 활용을 촉진하고, 그로써 과정의 효율을 증가시킨다.
나아가, 적합한 스퍼터링 표적은 가능한 최저 아크율(arc rate)에서 증착을 허용해야 한다. "아크 형성(arcing)"은 스퍼터링 표적 상의 국소적인 스파크 방전을 나타낸다. 스파크 방전은 스퍼터링 표적 물질이 국소적으로 융합되는 것을 유발하고, 이 융합된 물질의 작은 스플래시는 코팅될 기질에 도달하여 거기에서 결함을 발생시킬 수 있다.
그러므로, 스퍼터링 표적 물질은 물질이 적용될 코팅의 원하는 종점 특성(예컨대 양호한 반사 특성 또는 전도성이지만, 가능한 최고의 부식 및 응집 안정성)을 제공할 뿐만 아니라, 층 두께 변동 및 코팅의 결함의 수를 최소화하기 위하여, 일정한 스퍼터 속도, 균일한 층 조성 및 가능한 최저의 아크 형성을 제공할 수 있어야 한다. 한 측면으로 개선(예를 들면 계획된 애플리케이션과 관련하여 층 특성을 최적화하는 것)은 제2 측면(가능한 정도로 큰 양호한 스퍼터링 특성)을 희생하여 이루어지지 않아야 한다. 그러나, 실제로 두 측면을 동시에 만족시키기는 어려운 것이라는 것이 빈번하게 증명된다.
본 발명의 목적은 고온에서 가능한 노화-저항성이고 응집-저항성이기 때문에, 낮은 층 두께 변동 및 낮은 아크 형성으로 제조될 수 있는 은-기반 반사 코팅에 의해 스퍼터링 표적을 제공하는 것이다.
본 발명의 추가의 목적은 그러한 스퍼터링 표적을 제조하기 위한 적합한 방법을 제공하는 것이다.
목적은
- 인듐, 주석, 안티몬 및 비스무트로부터 선택된, 은 합금의 총 중량을 기준으로 0.01 내지 2.0 중량%의 양의 제1 요소, 및
- 은 합금의 총 중량을 기준으로 0.01 내지 2.0 중량%의 양의 티타늄을 함유하고, 및
- 55 μm 이하의 평균 입자 크기를 가지는
은 합금을 포함하는 스퍼터링 표적에 의해 이루어진다.
도 1은 500배 배율의 에칭 후 은 합금의 광현미경 영상을 도시한다(스퍼터링 표면에 대해 수직인 부분).
도 2a 및 2b는 상이한 배율의 에칭 후 은 합금의 각각의 SEM 영상을 도시한다. Ti-함유 봉입체(inclusion)가 영상에서 검은색 반점 형태로 나타난다. SEM 영상이 증명하는 것과 같이, Ti-함유 봉입체는 매우 작은 평균 크기를 가지며 은 합금에서 매우 균일하게 분포된다.
도 3은 500배 배율의 에칭 후의 은 합금의 광현미경 영상을 도시한다(스퍼터링 표면에 대해 수직인 부분).
도 4a 및 4b는 상이한 배율의 에칭 후 은 합금의 각각의 SEM 영상을 도시한다. Ti-함유 봉입체가 영상에서 나타난다. SEM 영상이 증명하는 것과 같이, Ti-함유 봉입체는 매우 작은 평균 크기를 가지며 은 합금에서 모든 입자에 걸쳐 분포된다.
도 5는 500배 배율의 에칭 후의 은 합금의 광현미경 영상을 도시한다.
도 6은 Ag(비교예 2), AgIn0.43Ma%(비교예 3) 및 AgIn0.17Ti0.32Ma%(실시예 2)에 대한 노화 온도의 함수로서의 저항률을 도시한다.
도 7은 스퍼터링된 코팅들에 대한 가시광의 파장 범위(380 내지 780 nm) 위의 반사를 도시한다.
발명에 따르는 스퍼터링 표적은 높은 부식 안정성을 가지는 반사 코팅이 생성되는 것을 허용한다. 본 발명의 범주 내에서, 놀랍게도, 은 합금이 55 μm 이하의 평균 입자 크기를 가질 때, 스퍼터링 표적의 은 합금의 티타늄 함량에도 불구하고, 매우 낮은 아크 형성 속도 및 매우 일정한 스퍼터 속도, 및 그로써 매우 낮은 층 두께 변동이 증착된 코팅에서 이루어질 수 있는 것으로 밝혀졌다.
스퍼터링 표적의 은 합금은 바람직하게 1 내지 55 μm, 보다 바람직하게 3 내지 50 μm 및 보다 더 바람직하게 5 내지 45 μm 또는 5 내지 30 μm의 범위의 평균 입자 크기를 가진다.
은 합금은 바람직하게 은 합금의 총 중량을 기준으로, 0.1 내지 1.0 중량%의 양의 인듐, 주석, 안티몬 또는 비스무트, 및 0.1 내지 1.0 중량%의 양의 티타늄을 포함한다. 선택적으로, 은 합금은 하나 이상의 추가 요소를 함유할 수 있고, 이 추가 요소들은 바람직하게 인듐, 주석, 안티몬 또는 비스무트로부터 선택되며, 단 추가 요소는 제1 요소와 상이하다. 만약 이 추가 요소들 중 하나가 존재하면, 그것은 바람직하게 은 합금의 총 중량을 기준으로 0.01 내지 2.0 중량%의 양으로 존재한다. 만약 이 추가 요소들 중 둘 이상이 존재하면, 바람직한 그것들의 총량은 은 합금의 총 중량을 기준으로 0.01 내지 4.0 중량%, 보다 바람직하게는 0.01 내지 2.0 중량%의 양일 수 있다.
은 합금은 바람직하게 상기 기술된 합금 요소들만을 포함하고, 나머지는 은 및 불가피한 불순물이다.
인듐-함유 은 합금에 대해, 그러므로 이 합금은 인듐 및 티타늄, 및 선택적으로 요소 Bi, Sb 및 Sn 중 하나 이상을 포함하고, 나머지는 은 및 불가피한 불순물인 것이 바람직하다.
안티몬-함유 은 합금에 대해, 그러므로 이 합금은 안티몬 및 티타늄, 및 선택적으로 요소 Bi, In 및 Sn 중 하나 이상을 포함하고, 나머지는 은 및 불가피한 불순물인 것이 바람직하다.
비스무트-함유 은 합금에 대해, 그러므로 이 합금은 비스무트 및 티타늄, 및 선택적으로 요소 Sb, In 및 Sn 중 하나 이상을 포함하고, 나머지는 은 및 불가피한 불순물인 것이 바람직하다.
주석-함유 은 합금에 대해, 그러므로 이 합금은 주석 및 티타늄, 및 선택적으로 요소 Sb, In 및 Bi 중 하나 이상을 포함하고, 나머지는 은 및 불가피한 불순물인 것이 바람직하다.
이런 모든 불가피한 불순물은 금속성 불순물일 수 있다.
바람직하게, 불가피한 불순물은 최소량으로 유지되고, 전체적으로, 바람직하게 0.5 중량% 미만, 보다 바람직하게는 0.05 중량% 미만의 양으로 존재한다. 이것은 예를 들어, 은 합금의 제조에 사용되는 개시 금속이 이미 충분히 높은 순도를 가지고 있을 때 보장될 수 있다. 양의 세부 사항은 은 합금의 총 중량을 나타낸다.
은 합금의 스퍼터링 특성은 은 합금의 입자들이 특정 축비를 가질 때 추가로 최적화될 수 있다. 바람직한 구체예에서, 은 합금의 입자들은 적어도 40% 내지 최대 100%의 바람직한 평균 축비를 가진다.
또한, 은 합금의 스퍼터링 특성은 은 합금의 입자들이 가능한 낮은 입자 크기 변화를 가질 때 추가로 최적화될 수 있다. 바람직하게, 스퍼터링 표적의 은 합금은 33% 미만, 보다 바람직하게는 15% 미만, 보다 더 바람직하게는 12% 미만의 입자 크기 변화를 가진다.
스퍼터링 표적의 은 합금이 결정성 물질이기 때문에, X-선 회절 반사가 X-선 회절에서 상응하여 발견된다. 각각의 X-선 회절 반사의 세기는 결정 격자의 바람직한 방향 및 합금의 질감을 묘사한다. 바람직한 구체예에서, 제2의 가장 강렬한 X-선 회절 반사 세기 대 가장 강렬한 X-선 회절 반사 세기의 비율의 변화는 35% 미만이다. 이 조건을 충족하는 은 인듐 티타늄 합금이 일정한 스퍼터 속도에 대해 매우 유익한 것으로 밝혀져 있다.
Ti-함유 봉입체는 발명에 따르는 스퍼터링 표적의 은 합금에 존재할 수 있다. 이 봉입체들은 별도의 상(phase)의 형태로 존재할 수 있다. 이 경우에, 은 합금은 다중-상 합금이다. 그러한 다중-상 합금은 은, 제1 요소(In, Sb, Sn 또는 Bi) 및 선택적으로 Ti, 뿐만 아니라 하나 이상의 추가의 요소를 포함하는 매트릭스 상에 의해 형성되고, 이 매트릭스에 분포되는 Ti- 함유 봉입체를 형성한다. 상기 기술된 것과 같이, 스퍼터링 표적의 은 합금은 0.01 내지 2.0 중량%의 양으로 티타늄을 포함한다. 만약 은 합금이 Ti-함유 봉입체를 포함하며, 은 합금의 티타늄은 매트릭스 상(말하자면 Ag 및 In(대안적으로는: Bi, Sb 또는 Sn)과 함께 존재하고, 매트릭스를 형성함) 및 봉입체 둘 다에 존재할 수 있다. 대안으로서, 은 합금의 티타늄은 봉입체에만 존재하는 것이 또한 가능하다. Ti-함유 봉입체는, 선택적으로, 추가의 금속성 요소로서, 예를 들어 Ag Ti 합금 또는 금속간 화합물(예컨대 TiAg)의 형태로 Ag를 또한 포함할 수 있다. Ti-함유 봉입체는 순수하게 금속성 봉입체일 수 있다. 대안으로서, 봉입체는 Ti-함유 봉입체를, 예를 들어 산화물 또는 질화물(말하자면 부분적으로 또는 완전히 산화된 또는 질화된 Ti-함유 봉입체임)의 형태로 포함할 수 있다.
만약 Ti-함유 봉입체가 존재하면, μm²당 그것의 수는 바람직하게는 0.1 내지 5이다.
Ti-함유 봉입체는 바람직하게는 5 μm보다 작은, 보다 바람직하게는 2 μm보다 작은 평균 크기를 가진다.
본 발명의 범주 내에서, 대안으로서, 스퍼터링 표적의 은 합금은 단일-상 합금인 것이 또한 가능하다. 그러나, 바람직한 구체예에서, 은 합금은 상기-기술된 Ti-함유 봉입체를 포함하고, 그로써, 바람직하게는 다중-상 합금(말하자면 그 안에 분산된 Ti-함유 봉입체를 포함하는 매트릭스임)으로서 존재한다.
스퍼터링 표적은 바람직하게는 상기 기술된 은 합금으로 만들어진다.
용도에 따라, 스퍼터링 표적의 기하학적 구조는 달라질 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링 표적은 평면(예컨대 둥근 디스크 또는 다각형 판의 형상임), 원주형 또는 관형일 수 있다.
계획된 용도에 따라, 스퍼터링 표적의 치수는 또한 광범위하게 달라질 수 있다. 예를 들어, 평면의 스퍼터링 표적은 0.5 m2 내지 8 m2의 범위의 표면적을 가질 수 있다. 관형 스퍼터링 표적은 예를 들면 0.5 내지 4m의 범위의 길이를 가질 수 있다.
필요하다면, 스퍼터링 표적은 또한 기질, 예를 들면 후방판(back plate)에 적용될 수 있다. 스퍼터링 표적의 기질에의 결합은, 예를 들면 땜납(예컨대 인듐)에 의해 일어날 수 있다. 후방판에의 형태-맞춤 적용 또한 가능하다. 이것은 보통 기술분야의 숙련자들에게 알려져 있다.
추가의 측면으로, 본 발명은 상기 기술된 스퍼터링 표적의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 방법에서 은, 티타늄, 및 인듐, 안티몬, 주석 및 비스무트로부터 선택된 제1 요소를 함유하는 용융물이 성형체(shaped body)를 얻기 위해 고화되도록 허용되고, 성형체는 적어도 200℃의 형성 온도로 가열된 후 적어도 하나의 형성 단계가 수행되며, 성형체는 추가적으로 적어도 하나의 재결정화 단계가 수행된다.
상기에서 이미 언급한 것과 같이, 선택적으로, 인듐, 비스무트, 주석 또는 안티몬으로부터 선택된, 적어도 하나의 추가적 요소가 또한 첨가될 수 있다.
용융물은 기술분야의 숙련자에게 알려져 있는 통상적인 방법들에 의해, 예를 들면 유도 용해로(induction melting furnace)(예컨대 진공 유도 용해로)에서 제조될 수 있다. 이 목적에 대해, 용융물은 적합한 양으로 용해로에 넣어지고 용융될 수 있다. 가능한 큰 정도로 바람직하지 못한 불순물의 양을 최소화하기 위하여, 이미 충분히 고순도의, 예를 들면 적어도 99.5% 순도의 개시 금속을 사용하는 것이 유익할 수 있다. 용융 작업은 보통 진공하에서 및/또는 비활성 가스 분위기(예컨대 아르곤) 하에서 수행된다.
그런 다음, 용융물은 몰드 또는 다이(예컨대 흑연 몰드)에 부어질 수 있다. 만약 용융물이 이 몰드에서 냉각되고 고화되도록 허용된다면, 고체 성형체가 얻어진다.
상기에서 언급된 것과 같이, 성형체는 적어도 200℃의 형성 온도로 가열된 후 적어도 하나의 형성 단계가 수행된다. 더욱이, 성형체는 적어도 하나의 재결정화 단계가 수행된다. 하기에서 보다 상세하게 기술되는 것과 같이, 재결정화 단계는 형성 공정 중에 일어날 수 있다. 그러나, 재결정화 단계는 형성 공정 후에 수행되는 것이 또한 가능하다. 나아가, 재결정화 단계는 형성 공정 중에뿐만 아니라 형성 공정 후에 수행되는 것이 가능하다.
형성 공정은, 예를 들면 압연(rolling), 단조(forging), 압축, 연신, 압출 또는 압착, 또는 이 형성 공정 중 둘 이상의 조합에 의해 일어날 수 있다. 이 형성 공정들은 그 자체가 기술분야의 숙련자에게 알려져 있다.
원칙적으로, 발명에 따르는 방법의 범주 내에서 형성 작업은 단일 형성 단계(예컨대 압연 단계)로만 일어나는 것이 가능하다. 대안으로서, 적어도 둘, 및 보다 바람직하게는 적어도 4개의 형성 단계(바람직하게는 압연 단계들), 예컨대 2 내지 20 또는 8 내지 15개의 형성 단계(바람직하게는 압연 단계들)가 수행되는 것이 바람직할 수 있다.
만약 둘 이상의 압연 단계가 수행된다면, 각 후속 압연 단계에서의 압연 방향은 선행 압연 단계의 압연 방향에 부응하거나, 또는 대략 180°로 회전될 수 있다. 대안적으로, 둘 이상의 압연 단계에서, 교차 압연이 일어나는 것, 말하자면 각 후속 압연 단계에서 각각의 압연 방향이 선행 압연 단계와 비교하여 대략 90° 회전(시계 방향으로 또는 시계 반대방향으로)이 또한 가능하다. 또한 각 압연 단계에서 압연 방향이 선행 압연 단계와 비교하여 대략 360°/n으로 회전(시계 방향으로 또는 시계 반대방향으로)이 가능하고, 이때 n은 압연 단계의 횟수이다.
본 발명의 범주 내에서, 각 형성 단계가 바람직하게 적어도 1 s-1의 형성 속도 ε에서 수행될 때 유익한 것으로 증명되었다. 형성 속도의 상한선은 중요하지 않다. 그러나, 공정-관련 이유로, 형성 속도가 20 s-1 또는 15 s-1의 값을 초과하지 않는 것이 유익할 수 있다.
기술분야의 숙련자에게 알려져 있는 것과 같이, 형성 속도는 다음 식을 따라 계산된다:
Figure pct00001
식에서,
n은 롤의 회전 속도이고;
H0는 압연 단계 전 성형체의 두께이며;
r'는 r/1000이며, 여기서 r = 압연 단계당 성형체의 두께의 감소이며; 및
R은 롤 반경이다.
숙련된 전문가의 전문 지식을 기반으로, 그로써 숙련자는 예정된 형성 속도가 이루어지도록, 압연 단계당 두께의 감소를 예정함으로써 압연 단계를 쉽게 수행할 수 있다.
발명에 따르는 방법에서, 성형체는 적어도 하나의 재결정화 단계가 수행된다. 이것은 동적(dynamic) 또는 정적(static) 재결정화 단계일 수 있다. 기술분야의 숙련자에게 알려져 있는 것과 같이, 동적 재결정화는 형성 중에 일어난다. 형성은 정적 재결정화 중에는 일어나지 않는다. 숙련된 전문가는 그가 가진 기술분야에서의 일반적 지식을 기반으로, 특정 공정 조건 하에서 주어진 합금의 재결정화 온도를 쉽게 측정할 수 있을 것이다.
바람직하게, 성형체는 적어도 하나의 동적 재결정화 단계(말하자면 형성 중에, 성형체에 하나 이상의 형성 단계가 수행되는 한편으로 이것이 행해진다) 및 적어도 하나의 정적 재결정화 단계가 수행된다.
성형체가 형성 전에 가열되는 형성 온도는 바람직하게는 적어도 600℃, 특히 바람직하게는 적어도 750℃ 또는 심지어 적어도 900℃이다. 본 발명의 범주 내에서, 성형체는 또한 형성 중에 추가로 활성적으로 가열될 수 있다(예를 들면 외부 열원에 의해). 그러나, 만약 성형체가 형성 중에 상당히 냉각되지 않는다면, 외부 열원에 의한 추가의 활성 가열은 형성 단계 중에 필요하지 않다.
원칙적으로, 발명에 따르는 방법은 또한 하나 이상의 저온 형성 단계를 포함할 수 있다. 대안으로서, 발명에 따르는 방법은 저온 형성을 포함하지 않는 것이 가능하다.
정적 재결정화 단계는 바람직하게는 형성된 성형체를 어닐링함으로써 형성 후에 일어난다. 어닐링 온도는 바람직하게는 적어도 600℃, 특히 바람직하게는 적어도 750℃ 또는 심지어 적어도 900℃이다. 어닐링 단계 기간은 광범위에 걸쳐 다를 수 있다. 0.5 내지 5시간의 어닐링 기간이 예시로서 언급될 것이다.
형성 및, 수행되는 경우, 형성 후의 정적 재결정화는 진공 하에서, 비활성 가스 분위기(예컨대 질소)에서 또는 공기 중에서 일어날 수 있다.
정적 재결정화(예를 들면 상기 기술된 어닐링에 의한)에 이어서, 성형체는 냉각이 허용될 수 있다. 대안으로서, 성형체는 정적 재결정화 단계 후에, 예를 들면 수조 또는 오일에 침지함으로써 퀀칭되는 것이 바람직할 수 있다.
추가의 측면으로, 본 발명은 반사층을 제조하기 위한 상기 기술된 스퍼터링 표적의 사용에 관련된다.
이것은 예를 들면 디스플레이 또는 모니터의 반사층일 수 있다. 고품질 및 매우 낮은 층 두께 변동으로 인해, 반사층은 또한 가용성 디스플레이 또는 모니터에도 사용될 수 있다.
발명은 다음의 실시예를 기반으로 보다 상세하게 기술하기로 한다.
실시예
I. 측정 방법
본 발명에서 언급되는 매개변수들은 다음의 측정 방법들에 의해 측정한다. SEM 및 광현미경에 의한 광학 측정을 위해, 샘플을 수지에 삽입하고 120 내지 4000의 점점 더 작아지는 입자 크기를 사용하여 검경용 현미절편을 만들고, 마지막 단계에서 다이아몬드 페이스트로 닦았다. 그런 다음, 샘플의 표면을 과산화수소/암모니아로 25℃에서 60초 동안 에칭하였다.
Ti-함유 봉입체의 평균 입자 크기 및 평균 크기
평균 입자 크기 M을 다음 식을 기반으로 선교차법(line-intercept method)(DIN EN ISO 643)에 의해 측정하였다:
M=(L*p)/(N*m)
식에서,
L: 측정하는 선의 길이
p: 측정하는 선의 수
N: 교차하는 바디(body)의 수
m: 배율
값을 각각 3가지 깊이의 3*3=9의 상이한 측정 지점에서 측정하였다(이 목적에 대해 상응하는 양의 물질을 표적에서 잘라냈다): 0 mm, 3 mm 및 6 mm. 그런 다음, 9개의 측정 결과로부터 산술 평균을 구한다.
Ti-함유 봉입체의 평균 크기를 상기 기술한 선교차법에 따라 마찬가지로 측정하였다.
입자 크기 변화
입자 크기 M으로부터, 두 개의 다음 식에 따라 변화를 측정하는 것이 가능하다(값 A1으로서 또는 대안적으로 값 B1으로서):
A1=(Mmax - Mave)/(Mave * 100)
B1=(Mave - Mmin)/(Mave * 100)
식에서,
Mmax: 모든 측정의 입자 크기의 최대 값
Mmin: 모든 측정의 입자 크기의 최소 값
Mave: 모든 측정의 평균 입자 크기
본 출원의 범주 내에서, 두 값(A1 또는 B1) 중 더 높은 값을 사용하여 입자 크기 변화의 상한선을 수립한다.
입자의 평균 축비(%)
평균 입자 축비의 측정을 위해, 입자들의 높이(스퍼터링 표적의 두께 방향(말하자면 스퍼터링 표면에 수직인)으로 입자의 최대 치수) 및 폭(두께 방향에 수직인 또는 스퍼터링 표면에 평행한 입자의 최대 치수)을 측정한다. 입자들에 대해, 입자 높이 대 입자 폭의 몫의 각각의 값 및 최종적으로 이 몫 값들의 평균 값을 계산한다.
입자의 높이 및 폭을 측정하는 과정은 다음과 같다: 스퍼터링 표면에 수직인 스퍼터링 표적으로부터 부분을 준비한다. 이 부분에 각각 적어도 40개의 입자를 가지는, 적어도 두 무작위 표면적을 선택한다. 이 입자들 각각에 대해, 그것들의 높이(말하자면 최대 치수) 및 폭(말하자면 최대 치수)을 측정한다. 이것은 크기 축척을 가진 광현미경(Olympus PMG3)에 의해 실시하였다. 높이 및 폭의 몫의 값을 각 입자에 대해 구한다. 이 몫의 값으로부터 평균 값을 계산한다.
Ti-함유 봉입체의 분포
Ti-함유 봉입체의 수를 에칭된 미세부분들에 의해 표적의 4개의 상이한 위치에서 측정하였다. 이 목적에 대해, 소위 점 계수 방법(point count method)(DIN EN ISO 643)을 사용하였다. 50*50 μm2의 표면적 내의 티타늄 바디의 수를 광현미경(Olympus PMG3)하의 광현미경 영상에서 계수하였다. 선택한 배율은 500배였다. 입자 계수를 μm2당 영상 부분에 대해 변환시켰고 10개의 상이한 샘플링 점에 대해 표준 편차를 가진 산술 평균으로서 표시하였다.
제2의 가장 강렬한 X-선 회절 반사 세기 대 가장 강렬한 X-선 회절 반사 세기의 비율의 변화
X-선 회절 측정을 5개의 상이한 위치에서 2-원 측각기, Stoe사 제품의 Stadi P를 사용하여 전송 모드로, CuK 알파 1 방사선으로, 2 쎄타 10 내지 105°사이에서, 0.03°씩의 증분으로, 스퍼터링 표적에 대해 수행하고, 측정한 표면적은 대략 10 mm2이다.
각 X-선 회절 측정에 대해, 제2의 가장 강렬한 회절 반사의 세기 I2(피크 높이에 따름) 및 가장 강렬한 회절 반사의 세기 I1(피크 높이)를 측정하고, 세기 비율 R=I2/I1을 이 값들을 기준으로 구한다. 그런 다음, 5회 측정 결과로부터의 산술 평균을 구한다.
세기 비율의 변화를 두개의 다음 식에 따라 측정할 수 있다(값 A2로서 또는 대안적으로 값 B2로서):
A2=(Rmax - Rave)/(Rave * 100)
B2=(Rave - Rmin)/(Rave * 100)
식에서,
Rmax: 세기 비율의 최대 값
Rmin: 세기 비율의 최소 값
Rave: 세기 비율 R의 평균 값
본 출원의 범주 내에서, 두 값 중 더 높은 값(A2 또는 B2)을 사용하여 X-선 회절 세기 비율의 변화를 수립한다.
스퍼터링에 의해 증착된 층의 광반사
질소 하에서 300℃, 30분 동안의 노화(Nabertherm N 150 용광로) 전과 후의 직접 반사의 측정(입사각 및 반사각은 동일함)을 Perkin Elmer Lambda 35를 사용하여 코팅된 유리 기질 위에서 이루어졌다.
스퍼터링에 의해 증착된 층의 층 두께
층 두께를 스타일러스-형(stylus-type) 조면계, 예컨대 Ambios Technology XP-200에 의해 측정하였다. 샘플 제조를 기질을 부분적으로 Kapton 테이프로 덮음으로써 수행하였고, 그에 부응하여 덮인 영역은 스퍼터링하지 않는다. 덮개를 제거하고, 코팅 영역과 코팅되지 않은 영역 사이에서 생성된 단계에서의 층 두께를 확인할 수 있다. 측정 장치의 다이아몬드 바늘이 편침(deflection)에 의해 층 두께를 측정한다. 장치를 공급된 표준을 사용하여 10 μm로 캘리브레이션하였다. 측정을 샘플의 10개의 상이한 위치에서 반복하고, 그 평균 값을 구하였다.
시트 저항의 측정을 위한 노화
열 로드 하에, 상이한 실시예로부터의 표적으로 스퍼터링된 층들의 노화 안정성 또는 응집 저항을 측정하기 위하여, 35 nm로 코팅된 유리 기질을 Nabertherm N 150 용광로에서 공기 중에서 노화시켰다. 노화를 100 내지 300℃의 온도에서 10℃씩의 증분으로 수행하였다. 이 목적에 대해, 샘플을 공기 중에서 온도 단계당 10분 동안, 상응하는 온도로 예열해놓은 용광로 안에 각각 넣었다. 측정 단계는 언제는 동일한 샘플에 대해 수행하였다. 용광로를 일정한 온도를 이루기 위하여 최소 30분 동안 예열하였고, 그런 후에만 샘플을 용광로 안에 넣었다. 샘플을 용광로로부터 제거한 후에, 샘플을 Al2O3 판 상에서 냉각시켰다.
직접 반사의 측정을 위한 노화
상이한 실시예로부터의 표적으로 스퍼터링된 층들의 노화 안정성을 측정하기 위하여, 35 nm로 코팅된 유리 기질을 Nabertherm N 150 용광로에서 질소 하에서 300℃에서 노화시켰다. 샘플을 예열된 용광로에 넣고 30분 동안 노화시켰다. 샘플을 용광로로부터 제거한 후에, 샘플을 Al2O3 판 상에서 공기 중에서 냉각시켰다.
저항률:
공기 중에서 노화된 샘플의 시트 저항을 Nagy 컴패니로부터의 4침 프로브(four point probe), 타입 SD 510을 사용하여, 실온에서 10개의 각각의 샘플에 대해 측정하였다. 산술 평균을 측정하였다. 층의 저항률을 시트 저항을 층 두께로 곱함으로써 계산하고 μΩcm의 단위로 나타낸다.
은 합금 중의 In, Bi, Sb, Sn, Ti의 양
은 합금 중의 이 요소들의 각각의 함량을 ICP-OES에 의해 측정할 수 있다.
II. 스퍼터링 표적의 제조
실시예 1: 0.5 중량% 인듐 및 0.14 중량% 티타늄을 포함하는 은 합금으로 구성된 스퍼터링 표적의 제조
각각 99.9%의 순도를 가지는 은, 인듐 및 티타늄을 예정된 종점 조성물에 상응하는 양으로 진공 유도 용해로에 넣고 1200℃ 및 10-1 mbar에서 용융시켰다(초기 중량: 950 kg). 용융물을 스틸 주조 몰드에 붓고, 용융물이 고화되도록 허용하였다.
그 결과의 성형체를 750℃로 예열하였다(1시간). 형성은 표 1에 따라 13개의 압연 단계로 일어났다. 압연 전 및 각 압연 단계 후의 성형체의 두께, 및 각각의 두께 감소 및 형성 속도를 표 1에, 압연 단계 1 내지 4 및 10 내지 13에 대한 실시예에 의해 나타낸다. 각각의 압연 단계 1 내지 13에 대한 형성 속도는 1.3 내지 2.6 s-1의 범위였다. 총 형성도는 87%였다.
실시예 1의 두께, 두께 감소 및 형성 속도
압연 단계 두께 [mm] 두께 감소 [mm] 두께 감소 [%] 형성 속도 [1/s]
0 (즉 압연 전) 155 0 0
1 128 27 17.4 1.3
2 105 23 18.0 1.5
3 86 19 18.1 1.6
4 70 16 18.6 1.8
10 26 4 13.3 2.6
11 23 3 11.5 2.6
12 21 2 8.7 2.3
13 20 1 4.7 1.7
상기에서 이미 언급한 것과 같이, 형성 속도를 다음 식에 따라 공지된 방식으로 계산한다:
Figure pct00002
식에서,
n은 롤의 회전 속도이고;
H0는 압연 단계 전 성형체의 두께이며;
r' = r/100이고, 여기서 r은 압연 단계당 성형체의 두께의 감소이며; 및
R은 롤 반경이다.
실시예 1에서, 1.3 내지 2.6 s-1의, 각각의 압연 단계 1 내지 13에 대한 형성 속도는 15 rpm의 롤러 속도 및 1050 mm의 롤러 반경에 대한 결과였다. 각각의 압연 단계의 형성도는 5 내지 18%의 범위였다.
마지막 압연 단계 후에, 대략 2000*2000*20으로 측정되는 판을 얻었다. 이 판을 재결정화를 위해 800℃에서 2시간 동안 어닐링하였다.
도 1은 500배 배율의 에칭 후 은 합금의 광현미경 영상을 도시한다(스퍼터링 표면에 대해 수직인 부분).
도 2a 및 2b는 상이한 배율의 에칭 후 은 합금의 각각의 SEM 영상을 도시한다. Ti-함유 봉입체(inclusion)가 영상에서 검은색 반점 형태로 나타난다. SEM 영상이 증명하는 것과 같이, Ti-함유 봉입체는 매우 작은 평균 크기를 가지며 은 합금에서 매우 균일하게 분포된다.
표 2는 은 합금 및 참조 물질로서 은에 대한 상이한 격자면의 X-선 회절 반사 세기들을 열거한다.
격자면 반사 AgIn0.5Ti0.14의 세기
격자면 2 쎄타(°) 은 (표적 값) AgIn0.5Ti0.14
111 38.12 100 100
200 44.28 40 19.5
220 64.43 25 23.7
311 77.48 26 10.0
222 81.54 12 8.0
은 합금은 다음의 특성을 가졌다:
평균 입자 크기: 8 μm
입자들의 평균 축비: 41%
입자 크기 변화: 10.1%
제2의 가장 강렬한 회절 반사 대 가장 강렬한 회절 반사의 세기 비율의 변화: 19.5%
티타늄 봉입체의 평균 값: 0.3+/-0.1 봉입체/μm²
그런 다음, 압연된 판의 조각을 스퍼터링 실험을 위해 기계적으로 작업하고(분쇄) 인듐과 결합시켰다(488*80*10 mm3). 결합은 인듐으로 미리 적셔진 구리판 위에서 일어난다. 표적의 후면은 후면 Cr/NiV/Ag 금속화가 이루어졌다.
실시예 2: 0.17 중량% 인듐 및 0.32 중량% 티타늄을 포함하는 은 합금으로 구성된 스퍼터링 표적의 제조
과정의 관점에서 정확하게 실시예 1과 같이 실시예 2를 제조하였고; 단지 합금 요소들의 양을 다르게 하였다.
도 3은 500배 배율의 에칭 후의 은 합금의 광현미경 영상을 도시한다(스퍼터링 표면에 대해 수직인 부분).
도 4a 및 4b는 상이한 배율의 에칭 후 은 합금의 각각의 SEM 영상을 도시한다. Ti-함유 봉입체가 영상에서 나타난다. SEM 영상이 증명하는 것과 같이, Ti-함유 봉입체는 매우 작은 평균 크기를 가지며 은 합금에서 모든 입자에 걸쳐 분포된다.
표 3은 은 합금 및 참조 물질로서 은에 대한 상이한 격자면의 X-선 회절 반사 세기들을 열거한다.
AgIn0.17Ti0.32에 대한 격자면 반사의 세기
격자면 2 쎄타 은 (표적 값) AgIn0.17Ti0.32
111 38.12 100 100
200 44.28 40 14.9
220 64.43 25 20.1
311 77.48 26 9.7
222 81.54 12 6.4
은 합금은 다음의 특성을 가졌다:
평균 입자 크기: 13 μm
입자들의 평균 축비: 51%
입자 크기 변화: 30.5%
제2의 가장 강렬한 회절 반사 대 가장 강렬한 회절 반사의 세기 비율의 변화: 14.9%
티타늄 봉입체의 평균 값: 0.5+/-0.06 봉입체/μm²
최종 단계로서, 판을 실시예 1에서와 같이 기계적으로 작업하고 인듐과 결합시켰다.
비교예 1: 0.5 중량% 인듐 및 0.14 중량% 티타늄을 포함하는 은 합금으로 구성된 스퍼터링 표적의 제조
비교예 1을 다음의 변화를 예외로 하고, 과정의 관점에서 실시예 1과 같이 제조하였다:
실시예 1과 다르게, 압연은 실온에서 21회 통과를 사용하여 일어났다.
압연 전 및 각 압연 단계 후의 성형체의 두께, 및 각각의 두께 감소 및 형성 속도를 표 4에, 압연 단계 1 내지 4 및 18 내지 21에 대한 실시예에 의해 나타낸다.
비교예 1의 두께, 두께 감소 및 형성 속도
압연 단계 두께 [mm] 두께 감소 [mm] 두께 감소 [%] 형성 속도 [1/s]
0 (즉 압연 전) 155 0 0
1 135 20 12.9 1.1
2 115 20 14.8 1.3
3 95 20 17.4 1.5
4 80 15 15.8 1.6
18 23 1 4.17 1.5
19 22 1 4.35 1.6
20 21 1 4.55 1.7
21 20 1 4.76 1.7
마지막 압연 단계 후에, 대략 2000*2000*20으로 측정되는 판을 얻었다. 이 판을 재결정화를 위해 600℃에서 2시간 동안 어닐링하였다.
도 5는 500배 배율의 에칭 후의 은 합금의 광현미경 영상을 도시한다.
은 합금은 다음의 특성을 가졌다:
평균 입자 크기: 56 μm
입자들의 평균 축비: < 25%
입자 크기 변화: > 35%
최종 단계로서, 판을 실시예 1에서와 같이 스퍼터링을 위해 기계적으로 작업하고 인듐과 결합시켰다.
III. 층들의 스퍼터링, 층 특성
기술한 실시예 및 비교예로부터 488*80*10 mm3으로 측정되는 제조된 스퍼터링 표적을 사용하여, 35 nm 코팅을 저-나트륨 유리 기질 위에 스퍼터링하였다(500 V DC, 0.2 A, 100 W에서). 나아가, 추가의 비교예 2 및 3을 선택하였다. 이것들을 위해서는, 순수한 은(비교예 2) 및 0.43 중량%의 인듐 함량을 가지는 은 인듐 합금(AgIn0.43; 비교예 3)을 선택하였다. 두 경우에 모두, 제조는 비교예 1과 유사하게 이루어졌다. 비교예 2 및 3의 표적들의 입자 크기를 무작위로 평가하였고 5 내지 80 μm 범위였다. 입자는 69% 내지 88%의 축비를 가지는 등방상(equiaxed)이었다.
실시예 1에 대하여, 층은 유리 기질의 10개의 지점에서 측정된 바, 2% 미만의 층 두께 편차를 나타냈다. 표적의 아크 속도는 1 μarc/h보다 상당히 작았다.
비교예 1로부터의 스퍼터링 표적을 마찬가지로 사용하여 유리 기질 위에 코팅을 스퍼터링하였다(500 V DC, 0.2 A, 100 W에서). 층은 유리 기질의 10개의 지점에서 측정된 바, 8%보다 큰 층 두께 편차를 나타냈다. 비교예 1의 아크 속도는 50 μarc/h보다 컸다.
노화 온도의 함수로서의 시트 저항을 실시예 2(AgIn0.71Ti0.32) 및 비교예 2(순수 은) 및 3(AgIn0.43; 티타늄 없음)으로부터의 스퍼터링 표적으로 얻어진 코팅에 대해 측정하였다. 그 결과를 표 5에 열거한다.
온도 함수로서의 저항률을 또한 도 6에 나타낸다. 도 6의 설명으로부터 유추할 수 있는 것과 같이, 이 도면은 Ag(비교예 2), AgIn0.43Ma%(비교예 3) 및 AgIn0.17Ti0.32Ma%(실시예 2)에 대한 노화 온도의 함수로서의 저항률을 나타낸다.
저항률은 노화(말하자면 열 로드 하에서의) 후 응집을 향한 층의 경향의 척도이다. 발명에 따르는 스퍼터링 표적으로 생성된 코팅은 응집 저항에서 매우 상당한 개선을 나타낸다. 응집 및/또는 10 μΩcm를 초과하는 값들에 대한 저항률의 증가는 270℃를 초과하는 온도에서만 나타난다.
열 처리 후 저항률(μΩcm)
온도 저항률[μΩcm] AgIn0.17Ti0.32 (실시예 2로부터의 스퍼터링 표적으로 얻어진 코팅) 저항률 [μΩcm] Ag
(비교예 2로부터의 스퍼터링 표적으로 얻어진 코팅)		 저항률[μΩcm] AgIn0.43
(비교예 3으로부터의 스퍼터링 표적으로 얻어진 코팅)
150 4.514 3.78 -
160 4.588 7.504 -
170 4.588 57.204 4.34
180 4.699 - 5.075
190 4.773 - 5.985
200 4.958 - 7.56
210 5.143 - 8.715
220 5.476 - 10.465
230 5.513 - 12.495
240 5.994 - 21.7
250 6.66 - 36.89
260 7.437 - 96.6
270 10.767 - 668.5
280 16.724 - -
290 61.161 - -
가시광의 파장 범위(380 내지 780 nm) 위의 반사를 실시예 1 및 2로부터 및 비교예 3으로부터의 스퍼터링 표적으로 제조한 코팅에 대해 측정하였고, 그것들에 대해 상기 기술한 것을 따라 300℃에서 열 처리(노화)를 수행하였다.
그 결과를 도 7에 도시한다. 도 7의 설명으로부터 유추할 수 있는 것과 같이, 이 도면은 다음의 스퍼터링된 코팅에 대한 가시광의 파장 범위(380 내지 780 nm) 위의 반사를 도시한다:
노화 전의 AgIn0.17Ti0.32(상부의 점선)
노화 전의 AgIn0.43(상부의 쇄선)
노화 전의 AgIn0.50Ti0.14(상부의 실선)
노화 후의 AgIn0.17Ti0.32(하부의 점선)
노화 후의 AgIn0.43(하부의 쇄선)
노화 후의 AgIn0.50Ti0.14(하부의 실선)
표 6은 300℃에서 어닐링하기 전 및 후의 각각의 코팅의 550 nm에서의 반사 값(%)을 나타낸다.
열 처리의 결과로서 감소하는 반사율은 또한 본원에서는 증가된 응집의 표시이다. 실시예 1 및 2로부터의 발명에 따르는 스퍼터링 표적으로 얻어진 코팅들과 비교하여, 열 처리로 인한 반사율의 상당히 더 극적인 감소는 비교예 3으로부터의 스퍼터링 표적으로 얻어진 코팅에서 관찰할 수 있다.
300℃에서 어닐링하기 전 및 후의 550 nm에서의 반사율(%)
어닐링 전550 nm에서의 반사율 [%] 300℃에서 어닐링 후 550 nm에서의 반사율 [%] 감소, %
실시예 2로부터의 스퍼터링 표적으로 얻어진 코팅 87 62.6 28.0
실시예 1로부터의 스퍼터링 표적으로 얻어진 코팅 88.2 59.3 32.7
비교예 3으로부터의 스퍼터링 표적으로 얻어진 코팅 86.2 53.1 38.4
어닐링 전 및 300℃에서 어닐링한 후의 표면 조도(roughness)를 실시예 1로부터의 스퍼터링 표적 및 비교예 3으로부터의 스퍼터링 표적으로 증착한 코팅에 대해 측정하였다. 그 결과를 표 7에 나타낸다.
Bruker Dimension 3100을 사용하는 원자력 현미경검사(AFM)에 의해 측정한 증착된 층들의 표면 조도에 대해, 표 7로부터, 300℃에서 노화 후에 대략 1.1 nm의 두 코팅에 대해 동일한 개시 값을 사용하면, 발명에 따르는 스퍼터링 표적으로 얻어진 층은 1.3 nm로 단지 미미한 조도의 증가를 진행한 한편, 비교예 3으로부터의 스퍼터링 표적으로 제조한 코팅에 대한 조도 값은 2배보다 컸다. 표면 조도 비율 RR = Ran/Rav(여기서, Rav = 노화 전 Ra 및 Ran = 300℃에서 노화 후 Ra)는 또한 이것을 매우 분명하게 보여준다.
300℃에서 어닐링 전 및 후의 조도
샘플
R a [nm] R q [nm] RR
코팅,
실시예 1,
실온		 1.1 1.4 1.18
코팅,
실시예 1,
300℃에서 노화		 1.3 2.4
코팅,
비교예 3,
실온		 1.1 1.4 2.64
코팅,
비교예 3,
300℃에서 노화		 2.9 5.2
표 8에서 개별적인 샘플 및 스퍼터링의 비교 요약 및 그것들의 층 특성은 발명에 따르는 스퍼터링 표적에 대한 특히 유익한 특성, 예컨대 매우 일정한 층 두께를 가지는 반사 코팅을 보여준다. 균일하고 미세하게 분할된 티타늄 분포와 조합하여, 발명에 따르는 표적에 대해 매우 낮은 아크 속도를 유지하는 것이 또한 가능하다.
스퍼터링 및 층 특성의 평가
실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2 비교예 3
스퍼터링 특성 ++ ++ -- ++ ++
층 두께의 평탄성 ++ ++ - ++ ++
열 처리 후 시트 저항 ++ ++ -- --

Claims (18)

  1. 스퍼터링 표적으로서,
    - 인듐, 주석, 안티몬 및 비스무트로부터 선택된, 은 합금의 총 중량을 기준으로 0.01 내지 2 중량%의 양의 제1 요소, 및
    - 은 합금의 총 중량을 기준으로 0.01 내지 2 중량%의 티타늄을 포함하고, 및
    - 55 μm 이하의 평균 입자 크기를 가지는
    은 합금을 포함하는 스퍼터링 표적.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 은 합금은 인듐, 주석, 안티몬 및 비스무트로부터 선택된 하나 이상의 추가 요소를 포함하고, 단 제1 요소 및 추가 요소는 서로 상이하며, 추가 요소 또는 각각의 추가 요소들은 각각 바람직하게는 은 합금의 총 중량을 기준으로 0.01 내지 2 중량%의 양으로 존재하는 것인 스퍼터링 표적.
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서, 상기 은 합금은 제1 요소 및 티타늄, 및 선택적으로 추가 요소들 중 적어도 하나를 포함하고, 나머지는 은 및 불가피한 불순물인 것인 스퍼터링 표적.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은 합금은 35% 미만의 입자 크기 변화를 가지거나, 및/또는 은 합금의 입자들은 적어도 40%의 평균 축비를 가지는 것인 스퍼터링 표적.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은 합금은 Ti-함유 봉입체를 포함하고, μm2당 0.1 내지 5개의 Ti-함유 봉입체가 존재하는 것인 스퍼터링 표적.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 Ti-함유 봉입체의 평균 크기는 5 μm보다 작고, 바람직하게는 2 μm보다 작은 것인 스퍼터링 표적.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은 합금은 20% 미만의 제2의 가장 강렬한 X-선 회절 반사 대 가장 강렬한 X-선 회절 반사의 세기 비율의 변화를 가지는 것인 스퍼터링 표적.
  8. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 따르는 스퍼터링 표적의 제조 방법으로서,
    - 성형체를 얻기 위해 은, 제1 요소로서 인듐, 주석, 안티몬 및 비스무트로부터 선택된 제1 요소, 및 티타늄을 포함하는 용융물을 고화되도록 허용하는 단계, 및
    - 성형체를 적어도 200℃의 형성 온도로 가열한 후 적어도 하나의 형성 단계를 수행하고, 성형체는 추가적으로 적어도 하나의 재결정화 단계가 수행되는, 방법.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 형성 단계는 압연, 단조, 압축, 연신, 압출 또는 압착 단계인 것인 방법.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 압연 단계는 교차-압연 단계인 것인 방법.
  11. 제8 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 각각의 형성 단계는 적어도 1 s-1의 형성 속도에서 수행되는 것인 방법.
  12. 제8 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 성형체는 적어도 하나의 동적 재결정화 단계 및/또는 적어도 하나의 정적 재결정화 단계가 수행되는 것인 방법.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 동적 재결정화 단계는 형성 중에 일어나고 및/또는 정적 재결정화 단계는 최종 형성 단계 후에 일어나는 것인 방법.
  14. 제8 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 성형체가 제1 형성 단계 전에 가열되는 형성 온도는 적어도 600℃이고, 및/또는 상기 정적 재결정화는 최종 형성 단계 후에 적어도 650℃의 어닐링 온도에서 어닐링에 의해 일어나는 것인 방법.
  15. 제12 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 성형체는 정적 재결정화 단계에 이어서 퀀칭되는 것인 방법.
  16. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 따르는 스퍼터링 표적을 사용하여 제조된 반사층으로서, 250℃에서의 노화 후에 <10 μΩcm의 저항률을 가지는, 반사층.
  17. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 따르는 스퍼터링 표적을 사용하여 제조된 반사층으로서, 300℃에서의 노화 후에 35% 이하의 반사율의 감소를 경험하는, 반사층.
  18. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 따르는 스퍼터링 표적을 사용하여 제조된 반사층으로서, 2보다 작은 표면 조도 비율 RR을 가지는, 반사층.
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