KR20180007303A - 복수의 반도체 다이를 포함하는 팬 아웃 반도체 장치 - Google Patents

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    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
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    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85051—Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
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    • H01L2224/85951—Forming additional members, e.g. for reinforcing
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    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
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    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
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    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
    • H01L25/043—Stacked arrangements of devices
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    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
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    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
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Abstract

와이어 본드를 통해 서로 전기적으로 연결되는 복수의 적층된 반도체 다이를 포함하는 반도체 패키지가 공개된다. 적층된 반도체 다이는 다이 스택의 최상부 다이와 몰드 컴파운드의 표면 사이에 간격이 존재하도록 몰드 컴파운드에 제공된다. 최상부 다이의 와이어 본드는 간격 사이에 제공될 수 있다. 재분배층 패드는 몰드 컴파운드의 표면에 고정된다. 열로 배열된 범프는 간격을 통과하여 재분배층 패드를 다이 스택에 전기적으로 커플링하기 위해, 다이 스택의 최상부 다이의 다이 결합 패드에 형성될 수 있다.

Description

복수의 반도체 다이를 포함하는 팬 아웃 반도체 장치{A FAN OUT SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR DIE}
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것이다.
휴대용 소비 전자 제품에 대한 수요의 급속 증가는 대용량 저장 장치의 수요를 촉진하고 있다. 플래시 메모리 카드와 같은 비휘발성 반도체 메모리 장치는 디지털 정보의 저장 및 교환에 대한 날로 증가하고 있는 요구를 만족시키기 위해 널리 사용되고 있다. 그 휴대성, 멀티 기능성과 견고한 디자인 및 높은 신뢰성과 대용량으로 이러한 메모리 장치는 디지털 카메라, 디지털 음악 플레이어, 비디오 게임 콘솔, 개인 휴대 정보 단말기(PDA)와 휴대 전화를 포함하는 다양한 전자 장치에 이상적으로 사용되고 있다.
여러가지 상이한 봉입 구성이 존재하고, 플래시 메모리 저장 카드는 통상적으로 시스템 인 패키지(SiP) 또는 멀티 칩 모듈(MCM)로 제조될 수 있으나, 이러한 경우에 복수의 다이는 작은 풋 프린트 기판에 설치되고 서로 연결된다. 기판은 통상적으로 전도층의 강성, 유전체 기저를 포함할 수 있는데, 기저는 일면 또는 양면에 에칭된 전도층을 구비한다. 다이와 (복수의)전도층 사이에는 전기적인 연결이 형성되고, (복수의)전도층은 다이를 호스트 장치에 연결하기 위한 전기 리드 구조를 제공한다. 일단 다이와 기판 사이의 전기적인 연결이 구축되면, 상기 어셈블리는 통상적으로 보호 패키지를 제공하는 몰드 컴파운드로 봉입된다.
한 유형의 반도체 패키지는 소위의 팬 아웃(fan out) 칩 스케일 패키지이고, 이런 경우에 반도체 다이는 몰드 컴파운드에 임베드되며, 상기 반도체 다이의 활성 표면은 몰드 컴파운드의 표면과 동일한 평면인 다이 결합 패드를 포함한다. 이어서 재분재층의 제1 표면은 반도체 다이의 활성 표면과 몰드 컴파운드에 고정된다. 재분배층은 팬 아웃 패키지를 호스트 장치에 장착하기 위한 솔더 볼을 구비하는 제2 표면을 포함한다.
도1은 통상의 팬 아웃 칩 스케일 반도체 패키지(20)의 단면 측면도이다. 패키지(20)는 플래시 메모리 다이(22)와 같은 반도체 다이를 포함한다. 반도체 다이(22)는 몰드 컴파운드(24)에 봉입될 수 있고, 다이(22)의 표면(26)은 몰드 컴파운드(24)의 표면과 동일 표면인 다이 결합 패드(28)를 포함한다. 이어서, 재분배층(30)을 다이(22)와 몰드 컴파운드(24)의 동일 평면에 고정시킬 수 있다. 재분배층(30)은 재분배층(30) 내의 전기 트레이스(34)와 통공(36)을 거쳐 다이(22)의 다이 결합 패드(28)를 솔더 범프(32)에 전기적으로 연결시킬 수 있다. 솔더 범프(32)는 패키지(20)를 호스트 장치에 전기적으로 연결시키기 위해 호스트 장치(예컨대 인쇄 회로 기판)에 표면 장착될 수 있다.
팬 아웃 칩 스케일 패키지(예컨대 패키지(20))에서, 단일 반도체 다이(즉 재분배층(30)에 직접적으로 접하는 반도체 다이(22))를 위한 공간이 있다. 다이(22)의 다이 결합 패드(28)가 직접적으로 재분배층(30)의 인접한 표면의 전기적인 연결에 놓이므로, 재분배층(30)에 추가적인 다이의 전기적인 연결을 위한 공간은 없다.
전체적으로, 일 구현예에서 본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 복수의 적층된 반도체 다이 - 반도체 다이들 각각은 다이 결합 패드를 포함하고, 복수의 적층된 반도체 다이는 적층된 반도체 다이의 최상부에 제1 반도체 다이를 포함함 - ; 몰드 컴파운드 - 복수의 반도체 다이는 몰드 컴파운드 내에 봉입되고, 다이 결합 패드를 포함하는 제1 반도체 다이의 표면은 몰드 컴파운드 내부에 위치되며 몰드 컴파운드의 표면과 이격됨 - ; 와이어 본드 - 복수의 적층된 반도체 다이의 다이 결합 패드상에 고정되고, 복수의 적층된 반도체 다이를 전기적으로 커플링함 -; 열로 배열된 하나 또는 복수의 범프 -제1 반도체 다이의 다이 결합 패드의 와이어 본드 최상부에 형성되고, 열로 배열된 하나 또는 복수의 범프의 각 열이 몰드 컴파운드의 표면을 통해 노출되는 범프의 표면을 가짐 - ; 몰드 컴파운드의 표면에 고정되는 재분배층 패드를 포함하고, 재분배층 패드는, 재분배층 패드의 제1 표면상에 있고, 몰드 컴파운드의 표면에서 각 열의 노출된 범프와 매칭되는 접촉 패드; 재분배층 패드의 제2 표면에 있는 솔더 범프; 및 재분배층 패드의 제1 표면의 접촉 패드와 재분배층 패드의 제2 표면에서 선택된 솔더 범프들을 전기적으로 연결하는 전도 패턴을 포함한다.
다른 구현예에서, 본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 복수의 적층된 반도체 다이 - 반도체 다이의 각각은 다이 결합 패드를 포함하고, 복수의 적층된 반도체 다이는 적층된 반도체 다이의 최상부에 제1 반도체 다이를 포함함 - ; 몰드 컴파운드 - 복수의 반도체 다이는 몰드 컴파운드 내부에 봉입되고, 다이 결합 패드를 포함하는 제1 반도체 다이의 표면은 내부에 임베드되어, 제1 반도체 다이의 표면과의 몰드 컴파운드 표면 사이의 간격을 제한함 - ; 와이어 본드 - 복수의 적층된 반도체 다이의 다이 결합 패드상에 고정되고, 와이어 본드는 복수의 적층된 반도체 다이를 전기적으로 커플링하고, 제1 반도체 다이의 다이 결합 패드까지의 와이어 본드는 제1 반도체 다이의 표면 및 몰드 컴파운드 표면 사이의 간격에 제공됨 - ; 열로 배열된 하나 또는 복수의 범프 - 제1 반도체 다이상의 다이 결합 패드의 와이어 본드의 최상부에 형성되고, 하나 또는 복수의 범프의 각각의 열은 제1 반도체 다이의 표면과 몰드 컴파운드의 표면 사이의 간격을 충진함 - ; 몰드 컴파운드의 표면에 고정되는 재분배층 패드를 포함하고, 재분배층 패드는, 접촉 패드는 재분배층 패드의 제1 표면상에 있고, 몰드 컴파운드의 표면에서 각각의 열의 노출된 범프와 매칭되는 접촉 패드; 재분배층 패드의 제2 표면상에 있는 솔더 범프; 및 재분배층 패드의 제1 표면상의 접촉 패드와 재분배층 패드의 제2 표면에서 선택된 다수의 솔더 범프를 전기적으로 연결하는 전도 패턴을 포함한다.
또 다른 일 구현예에서 본 발명은 팬 아웃 반도체 패키지에 관한 것으로, 복수의 적층된 반도체 다이 - 반도체 다이 각각은 다이 결합 패드를 포함하고, 복수의 적층된 반도체 다이는 적층된 반도체 다이의 최상부에 제1 반도체 다이를 포함함 - ; 몰드 컴파운드 - 복수의 반도체 다이는 몰드 컴파운드 내부에 봉입되고, 다이 결합 패드를 포함하는 제1 반도체 다이의 표면은 몰드 컴파운드 내부에 임베드되어 제1 반도체 다이의 표면과 몰드 컴파운드의 표면 사이의 간격을 제한함 - ; 와이어 본드 - 복수의 적층된 반도체 다이의 다이 결합 패드상에 고정되고, 복수의 적층된 반도체 다이를 전기적으로 커플링하고, 제1 반도체 다이상의 다이 결합 패드의 와이어 본드는 제1 반도체 다이의 표면과 몰드 컴파운드의 표면 사이의 간격에 제공됨 - ; 몰드 컴파운드의 표면에 고정되는 재분배층 패드를 포함하고, 재분배층 패드는 재분배층 패드의 제1 표면상에 있는 접촉 패드; 재분배층 패드의 제2 표면상에 있는 솔더 범프; 및 재분배층 패드의 제1 표면상의 상기 접촉 패드와 상기 재분배층 패드의 제2 표면상에서 선택된 다수의 솔더 범프를 전기적으로 연결하는 전도 패턴을 포함하고, 간격에 제공되어 재분배층 패드의 접촉 패드와 제1 반도체 다이의 다이 결합 패드를 전기적으로 커플링하는 장치를 포함한다.
도1은 통상적인 팬 아웃 칩 스케일 반도체 패키지의 단면 측면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 조립 흐름도이다.
도3 및 도4는 각각 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하는 제1 중간 단계의 부분 사시도 및 측면도이다.
도5 및 도6은 각각 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하는 제2 중간 단계의 부분 사시도 및 측면도이다.
도6A는 본 발명의 실시예에 따른 하나의 열의 범프를 포함하는 상부 반도체 다이의 부분 확대 측면도이다.
도7 및 도8은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하는 제1 중간 단계의 반도체 장치의 부분 사시도 및 측면도이다.
도9 및 도10은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하는 제1 중간 단계의 반도체 장치의 부분 사시도 및 측면도이다.
도11은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 반도체 장치의 패널의 부분 사시도이다.
도12는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 반도체 장치와 캐리어를 분리시키는 것을 도시한 측면도이다.
도13은 호스트 장치에 고정된 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 측면도이다.
도14는 통상적인 기판 반도체 패키지의 측면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 설명하도록 한다. 실시에서, 본 발명은 복수의 반도체 다이를 포함하는 팬 아웃 반도체 장치에 관한 것이다. 본 발명은 여러가지 상이한 형태로 실시될 수 있음을 이해할 수 있어야 하고, 본 명세서에서 진술되는 실시예에 한정되는 것으로 이해하여서는 아니된다. 다시 말하여, 이러한 실시예를 제공하여 본 발명이 철저하고 완전하도록 하며 본 발명을 완전하게 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 전달되도록 하는 것이다. 실제로, 본 발명의 의도는 이러한 대체 수단, 변형 수단 및 균등한 수단을 포함하고, 이러한 실시예의 대체, 변형, 균등 수단은 첨부되는 청구범위에 의해 한정되는 본 발명의 범위와 사상에 포함된다. 이 외에, 하기 본 발명에 대한 상세한 설명에서, 여러 내용을 서술하는 것은 본 발명에 대한 철저한 이해를 제공하기 위함이다. 그러나, 이러한 구체적인 내용이 없는 경우에도 본 발명을 실시할 수 있음은 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에거 있어서 자명한 것이다.
본 명세서에서 사용되는 “최상부”와 “저부”, “상”과 “하”, “수직”과 “수평” 등 용어는 단지 예시적인 것과 설명에 목적을 두는데 이는 본 발명의 설명을 한정하는 것이 아니고, 이는 인용된 항목이 위치와 방향에서 교환될 수 있기 때문이다. 마찬가지로, 본 명세서에서 사용되는 “대체로”, “유사하게” 및/또는 “대략”의 의미는 구체적인 사이즈 또는 파라미터가 주어진 애플리케이션에 대한 허용 가능한 제조 공차의 범위 내에서 변할 수 있음을 의미한다. 일 실시예에서, 상기 허용 가능한 제조 공차는 ±0.25%이다.
이하, 도2의 흐름도 및 도3 내지 도13의 부분 사시도와 측면도를 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다. 도3 내지 도10은 각각 단독적인 반도체 패키지(100)또는 그 일부를 도시한다. 그러나, 도11에 관한 하기의 설명과 같이, 패키지(100)는 캐리어의 복수의 기타 패키지와 함께 일괄 처리되어 규모의 경제를 실현할 수 있다. 캐리어의 패키지(100)의 행 및 열의 수량은 변화할 수 있다.
도 2의 흐름도 및 도3과 도4를 참조하면, 반도체 패키지(100)의 제조는 단계200에서 시작할 수 있고, 상기 단계200에서는, 강성 캐리어(112)상에 복수의 반도체 다이(104)를 적층한다. 반도체 다이(104)는 NAND 플래시 메모리 다이와 같은 메모리 다이일 수 있지만, 기타 유형의 다이(104)가 사용될 수 있다. 반도체 다이(104)는 편이 계단 배치로 상하로 적층되어 다이 스택(110)을 형성할 수 있다. 도시된 구현예에서, 반도체 패키지(100)는 4개의 반도체 다이(104)를 포함한다. 그러나, 다른 실시예에서, 다이 스택(110)은 2, 8, 16 및 32개의 반도체 다이를 포함하는 4개보다 많거나 적은 반도체 다이를 포함할 수 있다. 다이(104)는 DAF(다이 부착 필름)를 사용하여 스택(110)에 서로 고정시킬 수 있다. 일 구현예로, DAF는 미국 캘리포니아주 헨켈 사(Henkel Corp)의 8988UV 에폭시 수지일 수 있다.
캐리어(112)는 임의의 다양한 강성, 평면 재료로 형성된 박판일 수 있다. 일 실시예에서, 강성 캐리어(112)는 금속(예컨대 스테인리스강 등)으로 형성될 수 있다. 그러나, 다른 실시예에서, 강성 캐리어(112)는 실리콘, 실리콘 컴파운드, 플라스틱 또는 상이한 폴리머와 같은 재료를 포함하는 기타 재료로 형성될 수 있다.
임시의 본딩 필름(116)을 사용하여 다이 스택(110)을 강성 캐리어(112)에 고정시킬 수 있다. 적어도 초기에, 본딩 필름(116)은 강성 캐리어(112)상에 라미네이트되는 B 단계 접착제일 수 있다. 다이(104)는 임시의 본딩 필름(116)에 스태킹될 수 있고, 또한 다이 스택(110)을 임시로 강성 캐리어(112)에 본딩되도록 경화 또는 부분 경화된다. 하기의 서술과 같이, 일단 패키지(100)의 제조가 완료되면, 패키지(100)는 강성 캐리어(112)로부터 분리될 수 있다.
일단 다이 스택(110)이 형성되면, 단계204에서 와이어 본드(120)를 사용하여 스택(100)의 각 다이(104)를 서로 전기적으로 연결시킬 수 있다. 설명의 목적을 위해, 도3에서는 일부 와이어 본드를 구비하는 간소화 사사도를 도시한다. 도시된 것보다 더 많은 와이어 본드(120)가 있을 수 있다. 각 반도체 다이(104)는 다이(104)의 가장자리를 따라 하나의 열의 다이 결합 패드(122)를 포함할 수 있다. 각 다이(104)는 도9에 도시된 것보다 더 많은 다이 결합 패드(122)를 포함할 수 있음을 이해하여야 한다. 하기와 같이 형성된 와이어 본드(120)를 사용하여 반도체 다이의 행의 각 다이 결합 패드(122)를 다음 인접된 반도체 다이의 행의 대응되는 다이 결합 패드(122)에 전기적으로 연결시킬 수 있다.
실시예에서, 스터드 범프(126)는 초기에 각각의 다이 결합 패드(122)에 침지될 수 있다. 각각의 스터드 범프(126)는 와이어 본드 캐필러리(capillary) 내의 와이어의 말단에 전자 불꽃(electronic flame off, EFO)에 의해 볼을 형성함으로써 형성될 수 있으며, 이어서 압력, 승온 및 초음파 발진에 의해 스터드 범프(126)를 다이 결합 패드(122)에 고정한다. 일 실시예에서, 스터드 범프(126)는 120 KHz의 초음파 주파수를 사용하여 약 12ms 동안 145 ℃의 온도에서 20g의 압력하에 형성될 수 있다. 이러한 파라미터는 단지 구현예일뿐, 각 파라미터는 다른 실시예에서 변경될 수 있다. 일단 스터드 범프(126)가 고정되면, 와이어 본드 캐필러리는 와이어를 절단하고 스터드 범프(126)를 남기기 위해 멀리 놓을 수 있다.
스터드 범프(126)가 결합 패드(122)에 침지된 후, 스티치(stitch) 와이어 본드(120)는 다이(104) (예컨대, 저부 다이(104)에 위치함) 상의 스터드 범프(126) 상에 형성되어 다음의 더 높은 다이(예컨대, 저부로부터 시작되는 제2 다이(104))상의 대응되는 스터드 범프(126)까지 형성될 수 있다. 이 공정은 스택(110)의 하나의 열의 다이 결합 패드 중 모든 대응되는 다이 결합 패드(122) 사이에 와이어 본드(120)가 형성될 때까지 다이 스택(110)에서 반복된다.
다른 실시예에서, 와이어 본드(120)는 기타 방법(웨지 본딩 및/또는 볼 본딩을 포함)으로 형성될 수 있다. 와이어 본드(120)는 일반적으로 다이 스택(110) 중 하나의 다이로부터 다음 다이까지 직선 수직열로 나타난다. 그러나, 또 다른 실시예에서, 하나 또는 복수의 와이어 본드는 하나의 다이에서 다음 다이로 대각으로 연장될 수 있다. 이 외에, 와이어 본드는 다이 스택(110) 중 하나 또는 복수의 다이의 와이어 본드를 스킵(skip)할 수 있다.
단계208에서, 도6A의 부분 확대 측면도 및 도5와 도6에 도시된 내용과 같이, 하나 또는 복수의 범프(130)는 최상부 다이(104)의 각 다이 결합 패드(122)의 와이어 본드에 부가될 수 있다. 상기 서술과 같이, 각 범프(130)는 예컨대 금 또는 금합금으로 스터드 범프를 형성하는 것을 통해 형성될 수 있고, 즉, 와이어 본드 캐필러리 내의 와이어의 말단에 EFO에 의해 볼을 형성함으로써 형성될 수 있으며, 그 다음 범프(130)를 스터드 범프(126) 상에 고정시키고, 와이어 본드(120)를 스터드 범프(126)에 스티칭한다. 범프(130)는 스터드 범프(126) 및 와이어 본드(120)의 최상부에 수직 열로 직접 적층될 수 있다.
일 실시예에서, 각각의 열의 범프(130) 중 각 범프(130)는 120KHz의 초음파 주파수를 사용하여 145 ℃의 온도에서 18g의 압력하에 약 12ms 동안 지속하여 형성될 수 있다. 이러한 파라미터는 단지 구현예일뿐, 각 파라미터는 다른 실시예에서 변화될 수 있다. 일단 하나의 열의 제1 범프(130)가 고정되면, 와이어 본드 캐필러리은 와이어를 절단하기 위해 멀리 놓을 있다. 그 후 와이어 본드 캐필러리는 제2 범프를 상기 열에 침지할 수 있는 등등, 하나의 열의 범프(130)를 완성할 때까지 계속한다. 대체적으로는, 와이어 본드 캐필러리는 최상부 다이(104)의 각각의 다이 결합 패드(122)에 제1 범프(130)를 침지시키고, 각 다이 결합 패드 상의 제1 범프에 제2 범프(130)를 침지하는 등등을 모든 범프 열이 완성될 때까지 진행한다.
하나의 열의 범프(130)의 수량은 실시예에서 변화할 수 있으나, 그 수량은 스터드 범프(126)의 최상부에 있는 1개 내지 4개의 범프(130) 사이일 수 있다. 최상부 다이의 각 다이 결합 패드(122)는 동일한 수량의 범프를 구비할 수 있으나, 그 수량은 다른 실시예에서 변경될 수 있음을 생각할 수 있다. 실시예에서, 범프(130)는 30㎛ 내지 33㎛ 사이의 높이(결합 패드(122)에 수직한 방향으로)를 가질 수 있지만, 이 높이는 다른 실시예에서 그 범위보다 작거나 클 수 있다.
수직 열의 범프(130)의 크기 및 수량은 와이어 본드(120)의 높이와 같거나 또는 그보다 큰 높이로 제공된다. 일 구현예에서, 이 높이는 약 110㎛ 일 수 있다. 그러나, 이 높이는 변화할 수 있으며, 아래 서술한 내용과 같이, 범프(130)의 열 높이는 다른 실시예에서 와이어 본드의 높이보다 약간 낮을 수 있다. 큰 높이의 범프를 사용하는 경우 비교적 적은 범프를 사용할 수 있다. 하나의 열의 골드 범프 대신에, 하나의 큰 솔더 범프가 스터드 범프(126)의 최상부에 제공되는 것으로 생각할 수 있다. 상이한 대안으로서, 하나의 열의 기타 금속은 스터드 범프(126)의 최상부에 구성될 수 있다.
도7 및 도8에 도시된 내용과 같이, 최상부 다이(104)에 범프(130)의 열을 형성한 후, 다이는 단계210에서 몰드 컴파운드(134)에 봉입될 수 있다. 몰드 컴파운드는 강성 캐리어(112)의 표면에 인가되어 강성 캐리어(112)의 반도체 다이(104)에 둘러싸여 고정될 수 있다. 몰드 컴파운드(134)은 예를 들어 고체 에폭시 수지, 페놀 수지, 용융 실리카, 결정질 실리카, 카본 블랙 및/또는 금속 수산화물 등을 포함할 수 있다. 이러한 몰드 컴파운드는 예컨대 일본에 본사를 두고 있는 스미토모 코포레이션(Sumitomo Corp)과 닛토 덴코 코포레이션(Nitto- Denko Corp)에서 구입할 수 있다. 다른 제조 업체의 다른 몰드 컴파운드도 고려할 수 있다. 몰드 컴파운드는 FFT(얇은 흐름이 자유로운(flow free thin))몰딩, 트랜스퍼 몰딩 또는 사출 성형 기술을 포함하는 다양한 공지된 공정에 따라 인가될 수 있다.
도시된 내용과 같이, 반도체 다이(104) 및 다이 스택(110)의 전체 풋프린트(길이 및 폭)는 몰드 컴파운드(134)의 풋프린트보다 작다. 아래 서술한 냉용과 같이, RDL 패드는 몰드 컴파운드에 고정되며, 몰드 컴파운드는 몰드 컴파운드가 고정되는 몰드 컴파운드의 표면과 동일한 풋프린트를 가질 수 있다. 확장된 RDL 패드(다이의 풋프린트가 아닌 몰드 컴파운드의 풋프린트)는 기존의 칩 스케일 패키지에 비해 증가된 I/O를 제공한다. 전술한 내용과 이하 설명할 내용 같이, 복수의 반도체 패키지(100)는 강성 캐리어(112)에 형성될 수 있다. 몰드 컴파운드는 강성 캐리어(112)의 전체 표면에 걸쳐 인가되어 캐리어(112)의 모든 패키지(100)를 봉입하는 몰드 컴파운드 블록을 형성한다.
도8에 도시된 내용과 같이, 몰드 컴파운드는 최상부 다이(104)와 몰드 컴파운드의 표면(134a) 사이에 간격을 구축하기 위해 인가될 수 있다. 범프(130)의 열은 이러한 간격을 충진시킬 높이를 가지도록 제공될 수 있다. 따라서, 도7에 도시된 내용과 같이, 최상부 다이(104) 상의 각각의 열의 범프(130) 중의 최상부 범프(130)의 적어도 일부는 몰드 컴파운드(134)의 표면(134a) 또는 그 상부에 노출된다. 다른 실시예(미도시)에서, 상부 다이까지의 와이어 본드(120)의 최고 부분은 또한 몰드 컴파운드(134)의 표면을 통해 노출될 수 있다. 몰드 컴파운드(134)은 표면(134a)이 평탄하고 평면인 것을 보장하기 위해 연마 또는 플라즈마 처리를 거칠 수 있다.
단계214에서, 재분배층(RDL) 패드(140)는 도9 및 도10에 도시된 내용과 같이 몰드 컴파운드(134)의 표면(134a)에 고정될 수 있다. RDL 패드(140)는 RDL 패드(140)를 직접적으로 표면(134a)에 고정시키는 접착제를 갖는 제1 표면을 포함한다. RDL 패드(140)는 몰드 컴파운드(134)의 표면(134a)의 길이 및 폭과 매칭되는 길이와 폭을 가질 수 있다. RDL 패드(140)의 제1 표면은 복수의 접촉 패드(142)를 포함하고, 상기 복수의 접촉 패드(142)의 위치와 배치는 몰드 컴파운드(134)의 표면(134a)을 통해 노출되는 범프(130)와 서로 매칭된다. 따라서, 일단RDL 패드(140)를 몰드 컴파운드(134)에 장착하면, 접촉 패드(142)는 하나의 열의 범프(130)에 전기적으로 커플링되고, 이어서 반도체 다이(104)의 다이 결합 패드(122)에 전기적으로 커플링된다.
RDL 패드(140)는 몰드 컴파운드(134)에 고정된 표면을 갖는 제1 폴리아미드층과 RDL 패드(140)의 반대 표면에서의 제2 폴리아미드층 사이에 끼워 전도 패턴으로 형성된다. 솔더 볼(144)의 패턴은 제2 폴리아미드층의 표면에 제공된다(RDL 패드(140)가 몰드 컴파운드(134)에 고정되기 전 또는 후). 전도 패턴은 복수의 전기 트레이스(148) 및 통공(150)을 포함하고, 전기 트레이스(148)와 통공(150)은 접촉 패드(142)를 선택된 솔더 볼(144)과 전기적으로 커플링시켜, 접촉 패드(142)를 선택된 솔더 볼(144)에 전기적으로 재분배한다. 도시된 솔더 볼(144)의 패턴과 전기 트레이스(148)는 단지 구현예일 뿐, RDL패드(140)는 솔더 볼(144) 및 트레이스(148)의 기타 패턴을 포함할 수 있고, 이는 더 많은 수량 또는 더 적은 수량의 솔더 볼(144) 및 트레이스(148)를 가질 수 있음을 이해할 수 있다.
하기의 설명과 같이, 와이어 본드(120), 하나의 열의 범프(130) 및 RDL 패드(140)는 다이(104) 상의 다이 결합 패드를 선택된 솔더 볼(144)에 전기적으로 커플링하여 반도체 패키지(100)와 패키지(100)가 장착되어 있는 호스트 장치 사이에서 통신하도록 한다. 범프(130)의 열은 와이어 본드(120)에 대해 상부 반도체 다이(104)와 RDL 패드(140) 사이에 필요한 간격을 제공하여, 복수의 반도체 다이(104)가 패키지(100)에 포함되도록 한다. 상기 다른 실시예에서, 상부 다이(104)까지의 하나 또는 복수의 와이어 본드(120)은 몰드 컴파운드(134)의 표면을 통해 노출될 수 있음을 생각할 수 있다. 이러한 경우가 발생하면, RDL 패드(140)의 인접한 표면이 폴리아미드 절연체로 형성됨에 따라, 임의의 노출된 와이어 본드(120)의 단락이 방지된다.
전술한 내용과 같이, 반도체 패키지(100)는 도11의 부분 사시도에 도시된 내용과 같이 강성 캐리어(112)에 대량 생산될 수있다. 단계218에서, 강성 캐리어는 몰드 컴파운드(134)의 블록 내에 함께 고정된 상태를 유지하는 반도체 패키지(100)로부터 분리될 수 있다. 단계220에서, 단독적인 반도체 패키지(100)는 몰드 컴파운드의 블록으로부터 단편화(singulated)되어 완성된 봉입된 반도체 패키지(100)를 형성한다.
전술한 바와 같이, 강성 캐리어(112)는 본딩 필름(116)의 접착력을 제거, 중화 또는 극복하는 열 과정 및 기계적 과정을 포함하는 임의의 각종 과정을 통해 분리될 수 있다. 실시예에서, 완성된 패키지(100)는 열 과정 중 강성 캐리어(112)로부터 분리될 수 있고, 이러한 상황에서 본딩 필름(116)이 용해되거나 본딩 필름(116)의 접착성이 감소되거나 중화된다. 이러한 열 과정에서 사용되는 본딩 필름(116)의 구현예로는 일본 오사카의 닛토 덴코 코포레이션(Nitto Denko Corp.)의 Revalpha이 있다. 다른 실시예에서, 완성된 패키지(100)는 기계 분리 과정에서 강성 캐리어로부터 분리되는데, 이러한 경우, 다이 스택(110)과 본딩 필름(116) 사이에 본딩 필름의 접착력을 극복하는 힘을 인가한다. 이러한 열 과정에 사용되는 본딩 필름(116)의 구현예로는 일본 동경의 히타치 케미컬 주식회사(Hitachi Chemical Corporation, Ltd)의 TM- X12- A1이 있다. 분리 시, 강성 캐리어(112)는 폐기되거나 재사용될 수 있다.
각 반도체 패키지(100)는 톱 절단, 워터 제트 절단, 레이저 절단, 물 가이드 레이저 절단, 건식 매체 절단 및 다이아몬드 코팅 와이어 절단을 포함하는 임의의 각종 절단 방법을 통해 단편화될 수 있다. 이러한 절단은 일반적으로 직사각형 또는 정사각형 형상의 반도체 패키지(100)를 한정하지만, 본 발명의 다른 실시예에서 반도체 패키지(100)는 직사각형과 정사각형 이외의 형상을 가질 수 있음을 이해하여야 한다.
도2의 흐름도에서는, 단편화 단계 이전에 발생한 강성 캐리어의 분리를 도시한다. 그러나, 강성 캐리어의 분리는 다른 실시예에서 단편화 단계 이후에 발생할 수 있다. 이 외에, 강성 캐리어의 분리는 단편화 단계(단편화 단계의 결과)와 동시에 발생할 수 있다.
일단 단독적인 반도체 패키지(100)로 단편화되면, 패키지(100)는 도13에 도시된 내용과 같이 호스트 장치(160)에 거꾸로 고정될 수 있다. 호스트 장치는 예컨대 인쇄 회로 기판일 수 있다. 패키지(100)는 솔더 볼(144)을 통해 물리적 또한 전기적으로 호스트 장치(160)에 커플링되고, 솔더 볼(144)은 리플로우 공정에서 경화되어 패키지(100)를 호스트 장치(160)에 영구적으로 고정시킬 수 있다.
본 기술은 통상적인 팬 아웃 칩 스케일 패키지보다 더 많은 메모리 다이를 하우징할 수 있는 팬 아웃 반도체 패키지를 제공하여, 통상적인 팬 아웃 칩 스케일 패키지에 비해 증가된 메모리 용량을 제공한다. 본 기술은 또한 통상적인 기판 반도체 패키지에 비해 훌륭한 장점을 제공한다. 도14에는 통상적인 기판 반도체 패키지(50)가 도시되어 있는데 기판(52), 서로 와이어 본딩된 반도체 다이(54)의 스택 및 몰드 컴파운드(56)를 포함한다. 통상적인 기판(52)은 80㎛ 내지 100㎛의 두께를 갖는다. 비교하면, 도13의 RDL 패드(140)의 두께는, 예컨대 10㎛ ~20 ㎛이다. 따라서, RDL 패드(140)는 통상적인 기판 패키지에 비해 적어도 60㎛의 높이가 절감된다.
이 외에, 통상적인 기판 패키지는 몰드 컴파운드를 위해 두께를 제공하여야 하는데, 상기 두께는 가장 높은 와이어 본드 상부에 간격 높이(h)를 남겨, 와이어 본드가 몰드 컴파운드의 표면을 통해 노출되지 않도록 한다. 상기 간격 높이(h)는 통상적으로 95μm ~ 110μm이다. 비교하면, 본 기술에 따라, 와이어 본드는 패키지(100)에서 몰드 컴파운드의 표면을 통해 노출될 수 있다. 따라서, 본 기술의 패키지(100)에서의 간격 높이는 감소되거나 완전히 제거될 수 있고, 이에 따라 통상적인 기판 패키지(100)에 비해 높이가 더욱 감소될 수 있다.
이외에, 통상적인 기판 패키지(50)의 저부 반도체 다이(54)가 DAF 층을 통해 기판(52)에 고정될 필요가 있기 때문에, 통상적인 기판 패키지에는 각 반도체 다이에 사용되는 DAF 층이 존재한다. 대조적으로, 본 기술에 따른 반도체 패키지의DAF 층은 반도체 다이보다 한 층이 적다(다이 스택(110)의 저부 또는 최상부 표면에는 DAF가 없음). 따라서, 본 기술에 따른 패키지(100)는 통상적인 기판 반도체 패키지(50)와 비교하면, 하나의 DAF 층이 적기 때문에(예컨대, 10㎛) 더욱 감소된다.
실시예에서, 본 기술은 반도체 패키지(100)에 관한 것으로 이는 팬 아웃 반도체 패키지일 수 있고, 이러한 경우, 반도체 다이로부터의 전기적인 연결이 팬 아웃되거나, 반도체 다이 및/또는 다이 스택의 풋프린트 이 외의 위치에 분배된다. 특히, 전기 콘택트(142)에 의한 신호는 비교적 큰 RDL 패드(140) 상의 솔더 볼(142)에 분배된다. 실시예에서, 반도체 패키지(100)는 칩 스케일 패키지 또는 CSP일 수도 있다. 실시예에서, RDL 패드(140)는 반도체 다이(104)의 영역에 비해 1.2배의 영역을 가질 수 있고, 하나의 열의 솔더 볼(130)은 RDL 패드(140)의 영역에 고정될 수 있다. 다른 실시예에서 RDL 패드(140)의 영역은 상기 반도체 다이의 1.2 배보다 작거나 클 수 있다.
본 발명의 전술한 상세한 설명은 예시 및 설명의 목적으로 제공되었다. 이는 본 발명을 정확한 형태로 제한하거나 한정하기 위한 것이 아니다. 상기 교시에 따른 허다한 보정 및 변형은 가능한 것이다. 설명된 실시예를 선택하는 것은 본 발명의 원리 및 그 실제 응용을 가장 잘 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 분야에서 통상의 기술자가 다양한 실시예들에서 본 발명을 가장 잘 이용할 수 있도록 하고, 의도된 특정 용도에 적합한 다양한 보정을 진행할 수 있다. 본 발명의 범위는 여기에 첨부된 특허청구범위에 의해 한정된다.

Claims (20)

  1. 반도체 패키지로서,
    복수의 적층된 반도체 다이 - 반도체 다이들 각각은 다이 결합 패드를 포함하고, 상기 복수의 적층된 반도체 다이는 상기 적층된 반도체 다이 최상부의 제1 반도체 다이를 포함함 - ;
    몰드 컴파운드 - 상기 복수의 반도체 다이는 상기 몰드 컴파운드 내에 봉입되어, 상기 다이 결합 패드를 포함하는 상기 제1 반도체 다이의 표면은 상기 몰드 컴파운드 내부에 위치되고 상기 몰드 컴파운드의 표면과 이격됨 - ;
    와이어 본드 - 상기 와이어 본드는 상기 복수의 적층된 반도체 다이의 다이 결합 패드상에 고정되고, 상기 복수의 적층된 반도체 다이를 전기적으로 커플링함;
    열로 배열된 하나 또는 복수의 범프 - 상기 열로 배열된 하나 또는 복수의 범프는 상기 제1 반도체 다이의 다이 결합 패드의 상기 와이어 본드의 최상부에 형성되고, 상기 열로 배열된 하나 또는 복수의 범프의 각 열이 상기 몰드 컴파운드의 표면을 통해 노출되는 범프의 표면을 가짐 - ;
    상기 몰드 컴파운드의 표면에 고정되는 재분배층 패드를 포함하고, 상기 재분배층 패드는,
    상기 재분배층 패드의 제1 표면상에 있고, 상기 몰드 컴파운드의 표면에서 각 열의 노출된 범프와 매칭되는 접촉 패드;
    상기 재분배층 패드의 제2 표면에 있는 솔더 범프; 및
    상기 재분배층 패드의 제1 표면의 상기 접촉 패드와 상기 재분배층 패드의 제2 표면상의 선택된 솔더 범프들을 전기적으로 연결하는 전도 패턴을 포함하는, 반도체 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다이 결합 패드 상방의 하나의 열의 범프의 높이는 상기 다이 결합 패드 상방의 와이어 본드의 높이보다 크거나 같은, 반도체 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이의 다이 결합 패드까지의 와이어 본드는 상기 몰드 컴파운드 내에 완전히 봉입되는, 반도체 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이의 다이 결합 패드까지의 와이어 본드는 상기 몰드 컴파운드의 표면을 통해 노출되는, 반도체 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    하나의 열의 범프에 1개 내지 4개의 범프가 있는, 반도체 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 와이어 본드는 상기 제1 반도체 다이의 상기 다이 결합 패드상의 스터드 범프를 포함하는, 반도체 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 스터드 범프의 최상부에 1개 내지 4개의 범프가 적층되어 있는, 반도체 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 재분배층 패드의 풋 프린트는 몰드 컴파운드의 표면의 풋 프린트와 동일한, 반도체 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 재분배층 패드 및 상기 몰드 컴파운드의 표면의 풋 프린트는 상기 복수의 적층된 반도체 다이의 풋 프린트보다 큰, 반도체 패키지.
  10. 반도체 패키지로서,
    복수의 적층된 반도체 다이 - 상기 반도체 다이의 각각은 다이 결합 패드를 포함하고, 상기 복수의 적층된 반도체 다이는 상기 적층된 반도체 다이의 최상부의 제1 반도체 다이를 포함함 - ;
    몰드 컴파운드 - 상기 복수의 반도체 다이는 상기 몰드 컴파운드 내부에 봉입되고, 상기 다이 결합 패드를 포함하는 상기 제1 반도체 다이의 표면은 상기 몰드 컴파운드 내부에 임베드되어, 상기 제1 반도체 다이의 표면과 상기 몰드 컴파운드 표면 사이의 간격을 제한함 - ;
    와이어 본드 - 상기 와이어 본드는 상기 복수의 적층된 반도체 다이의 다이 결합 패드상에 고정되고, 상기 와이어 본드는 상기 복수의 적층된 반도체 다이를 전기적으로 커플링하고, 상기 제1 반도체 다이상의 다이 결합 패드까지의 상기 와이어 본드는 상기 제1 반도체 다이의 표면 및 상기 몰드 컴파운드 표면 사이의 상기 간격 내에 제공됨 - ;
    열로 배열된 하나 또는 복수의 범프 - 상기 열로 배열된 하나 또는 복수의 범프는 상기 제1 반도체 다이상의 다이 결합 패드의 상기 와이어 본드의 최상부에 형성되고, 상기 하나 또는 복수의 범프의 각각의 열은 상기 제1 반도체 다이의 표면과 상기 몰드 컴파운드의 표면 사이의 상기 간격을 충진함 - ; 및
    몰드 컴파운드의 표면에 고정되는 재분배층 패드를 포함하고, 상기 재분배층 패드는,
    상기 재분배층 패드의 제1 표면상에 있고, 상기 몰드 컴파운드의 표면에서 각각의 열의 노출된 범프와 매칭되는 접촉 패드;
    상기 재분배층 패드의 제2 표면상에 있는 솔더 범프; 및
    상기 재분배층 패드의 제1 표면상의 상기 접촉 패드와 상기 재분배층 패드의 제2 표면상의 선택된 다수의 솔더 범프를 전기적으로 연결하는 전도 패턴을 포함하는, 반도체 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 다이 결합 패드 상방의 하나의 열의 범프의 높이는 상기 다이 결합 패드 상방의 와이어 본드의 높이보다 크거나 같은, 반도체 패키지.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이의 다이 결합 패드까지의 와이어 본드는 상기 몰드 컴파운드 내에 완전히 봉입되는, 반도체 패키지.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이의 다이 결합 패드까지의 와이어 본드는 상기 몰드 컴파운드의 표면을 통해 노출되는, 반도체 패키지.
  14. 제10항에 있어서,
    하나의 열의 범프에는 1개 내지 4개의 범프가 있는, 반도체 패키지.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 와이어 본드는 상기 제1 반도체 다이의 다이 결합 패드상의 스터드 범프를 포함하는, 반도체 패키지.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 스터드 범프의 최상부에 1개 내지 4개의 범프가 적층되어 있는, 반도체 패키지.
  17. 팬 아웃 반도체 패키지로서,
    복수의 적층된 반도체 다이 - 상기 반도체 다이 각각은 다이 결합 패드를 포함하고, 상기 복수의 적층된 반도체 다이는 상기 적층된 반도체 다이의 최상부의 제1 반도체 다이를 포함함 - ;
    몰드 컴파운드 - 상기 복수의 반도체 다이는 상기 몰드 컴파운드 내부에 봉입되고, 상기 다이 결합 패드를 포함하는 상기 제1 반도체 다이의 표면은 상기 몰드 컴파운드 내부에 임베드되어 상기 제1 반도체 다이의 표면과 상기 몰드 컴파운드의 표면 사이의 간격을 제한함 - ;
    와이어 본드 - 상기 와이어 본드는 상기 복수의 적층된 반도체 다이의 다이 결합 패드상에 고정되고, 상기 와이어 본드는 복수의 적층된 반도체 다이를 전기적으로 커플링하고, 상기 제1 반도체 다이상의 다이 결합 패드까지의 상기 와이어 본드는 제1 반도체 다이의 표면과 상기 몰드 컴파운드의 표면 사이의 상기 간격 내에 제공됨 - ;
    몰드 컴파운드의 표면에 고정되는 재분배층 패드를 포함하고, 상기 재분배층 패드는,
    상기 재분배층 패드의 제1 표면상에 있는 접촉 패드;
    상기 재분배층 패드의 제2 표면상에 있는 솔더 범프; 및
    상기 재분배층 패드의 제1 표면상의 상기 접촉 패드와 상기 재분배층 패드의 제2 표면상의 선택된 다수의 솔더 범프를 전기적으로 연결하는 전도 패턴;을 포함하고,
    상기 간격에 제공되어 상기 재분배층 패드의 접촉 패드와 제1 반도체 다이의 다이 결합 패드를 전기적으로 커플링하는 장치를 포함하는, 반도체 패키지.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 장치는 와이어 본드와 동일한 재료로 형성된 하나의 열의 스터드 범프를 포함하는, 반도체 패키지.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 장치는 솔더 범프를 포함하는, 반도체 패키지.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 장치는 하나의 열의 전도 재료를 포함하는, 반도체 패키지.
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