KR20170126833A - 위치 검출 장치, 위치 검출 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

위치 검출 장치, 위치 검출 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 제1 방향으로 배열되는 패턴을 포함하는 제1 회절 격자와, 상기 제1 방향으로 배열되는 패턴을 포함하는 제2 회절 격자 사이의 중첩에 의해 발생하는 무아레를 검출하도록 구성되는 검출 유닛과, 상기 무아레에 기초하여, 상기 제1 회절 격자와 상기 제2 회절 격자의 상대 위치를 취득하도록 구성되는 처리 유닛을 포함하고, 상기 제1 회절 격자 및 상기 제2 회절 격자 중 하나 이상의 회절 격자에 포함되는 패턴의 단부 패턴의 상기 제1 방향에서의 폭이, 상기 하나 이상의 회절 격자의 잔여 패턴의 상기 제1 방향에서의 폭보다 작은 위치 검출 장치를 제공한다.

Description

위치 검출 장치, 위치 검출 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{POSITION DETECTION APPARATUS, POSITION DETECTION METHOD, IMPRINT APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 위치 검출 장치, 위치 검출 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
임프린트 기술은, 나노 스케일의 미세 패턴을 형성할 수 있는 기술이며, 반도체 디바이스 및 자기 기억 매체의 양산용 나노리소그래피 기술의 하나로서 제안되었다. 임프린트 기술을 사용한 임프린트 장치는, 패턴이 형성된 몰드와 기판 상의 수지(임프린트재)를 접촉시킨 상태에서 수지를 경화시키고, 그 후에 경화된 수지로부터 몰드를 분리함으로써, 기판 상에 패턴을 형성한다. 임프린트 장치는, 수지 경화법으로서, 일반적으로 자외광 등의 광의 조사에 의해 기판 상의 수지를 경화시키는 광경화법을 사용한다.
임프린트 장치는, 몰드와 기판 상의 수지를 접촉시킬 때, 몰드와 기판을 정확하게 위치 정렬(얼라인먼트)할 필요가 있다. 예를 들어, 몰드와 기판의 위치 정렬 방식으로서, 다이바이다이 얼라인먼트 방식이 사용된다. 다이바이다이 얼라인먼트 방식은, 기판의 샷 영역마다 형성된 마크와 몰드에 형성된 대응하는 마크를 검출함으로써 위치 정렬을 행하는 방식이다. 이러한 몰드와 기판의 위치 정렬에 관한 기술은, 미국 특허 제7,292,326호 및 일본 특허 공개 제2013-030757호에서 제안되었다.
미국 특허 제7,292,326호의 명세서에서는, 몰드와 기판의 위치 정렬에 사용하는 마크를 검출하는 마크 검출 기구를 포함하는 임프린트 장치가 제안되고 있다. 미국 특허 제7,292,326호의 명세서에 따르면, 몰드와 기판의 위치 정렬에 사용하는 마크로서, 회절 격자가 몰드 및 기판 각각에 설치된다. 몰드 측의 회절 격자는, 계측 방향으로 주기를 갖는 회절 격자이다. 기판 측의 회절 격자는, 계측 방향 및 계측 방향에 직교하는 방향(비계측 방향) 양쪽 모두에서 주기를 갖는 체커보드 패턴(checkerboard pattern)을 가지는 회절 격자이다. 마크 검출 기구는 기판 측의 회절 격자와 몰드 측의 회절 격자의 중첩에 의해 발생하는 무아레를 검출한다. 마크 검출 기구는, 회절 격자를 조명하는 조명 광학계와, 회절 격자로부터의 회절광을 검출하는 검출 광학계를 포함한다. 이들 기구 모두는 몰드 및 기판에 수직인 방향으로부터 비계측 방향에 기울어져 배치된다. 바꾸어 말하면, 조명 광학계는 회절 격자에 대하여 비계측 방향으로부터 사입사 조명을 행하게 구성된다. 기판 측의 회절 격자에 사입사하는 광은, 그 회절 격자에 의해 비계측 방향으로 회절되고, 검출 광학계에 의해 검출된다. 검출 광학계는, 0차 광 이외의 단일 회절광만을 검출하도록 비계측 방향으로 배치된다. 또한, 일본 특허 공개 제2013-030757호는 조명 광학계의 동공면에 복수의 극을 형성하고, 복수의 방향에 대한 몰드와 기판의 상대 위치를 계측하는 기술이 제안되고 있다.
그러나, 종래 기술에 따르면, 몰드 측의 회절 격자 및 기판 측의 회절 격자의 단부(각 회절 격자의 패턴의 2개의 단부)로부터 강한 회절광 또는 산란광이 발생하고, 그 영향이 마크 검출 기구에 의해 얻어지는 검출 신호에 반영되어, "디셉션(deception)"(오차)이 발생한다. 그 결과, 몰드와 기판의 위치 정렬 정밀도(중첩 정밀도)가 저하되어, 패턴의 전사 불량(제품 불량)을 초래한다.
미국 특허 제7,292,326호 일본 특허 공개 제2013-030757호
본 발명은, 무아레(moire)를 발생시키는 2개의 회절 격자의 상대 위치를 검출하는 데에 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 제1 방향으로 배열되는 패턴을 포함하는 제1 회절 격자와, 상기 제1 방향으로 배열되는 패턴을 포함하는 제2 회절 격자 사이의 중첩에 의해 발생하는 무아레를 검출하도록 구성되는 검출 유닛과, 상기 무아레에 기초하여, 상기 제1 회절 격자와 상기 제2 회절 격자의 상대 위치를 취득하도록 구성되는 처리 유닛을 포함하고, 상기 제1 회절 격자 및 상기 제2 회절 격자 중 하나 이상의 회절 격자에 포함되는 패턴의 단부 패턴의 상기 제1 방향에서의 폭이, 상기 하나 이상의 회절 격자의 잔여 패턴의 상기 제1 방향에서의 폭보다 작은 위치 검출 장치가 제공된다.
본 발명의 추가적인 측면은 첨부된 도면을 참조하여 아래의 예시적인 실시 형태의 설명으로부터 명확해 질 것이다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 측면에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도.
도 2는 도 1a 및 도 1b에 나타내는 임프린트 장치의 각각의 위치 검출 장치의 구성의 일례를 나타내는 개략도.
도 3은 각각의 위치 검출 장치의 조명 광학계의 동공 강도 분포와 각각의 검출 광학계의 개구수의 관계를 도시하는 도면.
도 4a 내지 도 4d는 무아레의 발생 원리 및 무아레를 사용한 마크의 상대 위치의 검출을 설명하기 위한 도면.
도 5a 내지 도 5d는 몰드 또는 기판에 설치되는 회절 격자의 일례를 각각 나타내는 도면.
도 6a 및 도 6b는 무아레 신호를 각각 나타내는 도면.
도 7a 및 도 7b는 몰드 또는 기판에 설치되는 회절 격자의 일례를 각각 나타내는 도면.
도 8은 회절 격자의 단부에서의 무아레 신호의 변화를 도시하는 도면.
도 9는 몰드 또는 기판에 설치되는 회절 격자의 일례를 나타내는 도면.
도 10은 회절 격자의 단부에서의 무아레 신호의 변화를 도시하는 그래프.
도 11은 몰드 또는 기판에 설치되는 회절 격자의 일례를 나타내는 도면.
도 12a 내지 12d는 몰드 또는 기판에 제공된 회절 격자의 일례를 도시하는 도면.
도 13a 내지 13d는 몰드 또는 기판에 제공된 회절 격자의 일례를 도시하는 도면.
도 14a 내지 14b는 몰드 또는 기판에 제공된 회절 격자의 일례를 도시하는 도면.
도 15a 내지 15c는 무아레 신호와 회절 격자의 관계를 도시하는 도면.
본 발명의 바람직한 실시 형태를 첨부된 도면을 참조하여 이하에서 설명한다. 도면에서 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타내며, 그 반복적인 설명은 생략한다.
<제1 실시 형태>
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 측면으로서의 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(100)는 기판 상의 임프린트재를 성형해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다. 본 실시 형태에서는, 임프린트재로서, 수지를 사용하고, 수지 경화법으로서, 자외광의 조사에 의해 수지를 경화시키는 광경화법을 사용한다.
임프린트 장치(100)는 임프린트 헤드(3), 위치 검출 장치(6), 기판 스테이지(13) 및 제어 유닛(30)을 포함한다. 또한, 임프린트 장치(100)는, 기판 상에 수지를 공급(도포)하기 위한 디스펜서를 포함하는 수지 공급 유닛, 임프린트 헤드(3)를 보유 지지하기 위한 브리지 정반 및 기판 스테이지(13)를 보유 지지하기 위한 베이스 정반을 포함한다.
임프린트 장치(100)는 기판 스테이지(13)에 보유 지지된 기판(1)에 수지를 도포하고, 미리 정해진 패턴이 형성된 몰드(2)(그의 패턴면)을 수지에 접촉시킨다. 그리고, 임프린트 장치(100)는 몰드(2)와 기판 상의 수지를 접촉시킨 상태에서, 수지에 자외광(7)을 조사해서 경화시키고, 경화된 수지로부터 몰드(2)를 분리(이형)함으로써, 기판 상에 수지의 패턴을 형성한다.
몰드(2)는 지지체인 임프린트 헤드(3)에 의해 보유 지지되고 있다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 각 위치 검출 장치(6)는 임프린트 헤드(3) 내부에 배열된다. 위치 검출 장치(6)는 몰드(2)에 설치된 마크(4)와, 기판(1)에 설치된 마크(5)를 광학적으로 관찰함으로써 마크의 상대 위치를 검출한다. 단, 각 위치 검출 장치(6)를 임프린트 헤드(3)의 내부(공간)에 배치하는 것이 곤란할 경우에는, 도 1b에 도시한 바와 같이, 결상 광학계(8)를 사용하여 마크(4) 및 마크(5)로부터의 광을 상방에서 결상하고, 그 상을 관찰해도 된다.
본 실시 형태에서는, 임프린트 처리를 행할 때에, 기판 상의 수지를 경화시키기 위한 자외광(7)을 상방으로부터 조사한다. 따라서, 결상 광학계(8)를 사용하는 경우에는, 도 1b에 도시한 바와 같이, 결상 광학계(8)의 내부에 합성 프리즘(8a)을 배치하여, 각 위치 검출 장치(6)로부터의 광의 광로와 자외광(7)의 광로를 합성해도 된다. 이 경우, 합성 프리즘(8a)은 자외광(7)을 반사하고, 위치 검출 장치(6)로부터의 광을 투과시키는 특성을 갖는다. 또한, 위치 검출 장치(6)와 자외광(7)의 관계는 반대이어도 되고, 합성 프리즘(8a)은 자외광(7)을 투과시키고, 위치 검출 장치(6)로부터의 광을 반사하는 특성을 가져도 된다.
제어 유닛(30)은 CPU 및 메모리를 포함하고, 임프린트 장치(100)의 전체(임프린트 장치(100)의 각각의 유닛)를 제어한다. 제어 유닛(30)은 임프린트 처리 및 그것에 관련된는 처리를 제어한다. 예를 들어, 제어 유닛(30)은, 임프린트 처리를 행할 때에, 위치 검출 장치(6)에 의해 취득되는 검출 결과에 기초하여, 임프린트 헤드(3) 및 기판 스테이지(13)를 x 및 y 방향으로 이동시킴으로써, 몰드(2)와 기판(1)을 위치 정렬한다.
각각의 위치 검출 장치(6)와, 몰드(2) 및 기판(1) 각각에 설치된 마크(4, 5)에 대하여 이하에서 상세하게 설명한다. 도 2는 각각의 위치 검출 장치(6)의 구성의 일례를 나타내는 개략도이다. 위치 검출 장치(6)는 검출 광학계(21)와 조명 광학계(22)를 포함한다. 도 2는 검출 광학계(21)(의 광축)와 조명 광학계(22)(의 광축)가 일부를 공유하는 것을 나타내고 있다.
조명 광학계(22)는 광원(23)로부터의 광을 프리즘(24) 등의 광학 부재를 사용해서 검출 광학계(21)와 동일한 광축 상에 유도하여, 마크(4, 5)를 조명한다. 광원(23)으로서, 예를 들어 할로겐 램프나 LED가 사용된다. 광원(23)은 자외광(7)의 파장과 다른 파장을 가지는 광을 사출한다. 본 실시 형태에서는, 수지를 경화시키기 위한 광으로서 자외광(7)을 사용하고 있기 때문에, 광원(23)은 가시광 또는 적외광을 사출한다.
검출 광학계(21)와 조명 광학계(22)는, 상술한 바와 같이, 그것들을 구성하는 광학 부재의 일부를 공유하도록 구성된다. 프리즘(24)은 검출 광학계(21) 및 조명 광학계(22)의 동공면 상에, 혹은 그 근방에 배치된다. 마크(4, 5) 각각은, 제1 방향(X 또는 Y 방향)으로 배열된 패턴을 포함하는 회절 격자로부터 구성된다. 검출 광학계(21)는 조명 광학계(22)에 의해 조명된 마크(4, 5)에 의해 회절된 광을 촬상 소자(25)에 결상한다. 마크(4, 5)로부터의 광은 무아레(무아레 무늬)로서 촬상 소자(25)에 결상된다. 촬상 소자(25)로서는, CCD 센서, CMOS 센서 등이 사용된다. 이와 같이, 검출 광학계(21)는, 마크(4)와 마크(5) 사이의 중첩에 의해 발생하는 무아레를 검출하는 검출 유닛으로서 기능한다. 처리 유닛(26)은 촬상 소자(25)에 의해 검출된 무아레에 기초하여, 마크(4)과 마크(5)의 상대 위치를 취득한다. 단, 제어 유닛(30)이 처리 유닛(26)의 기능을 구비하고 있어도 된다(즉, 처리 유닛(26)과 제어 유닛(30)을 일체적으로 구성해도 된다).
프리즘(24)은, 접합면에, 조명 광학계(22)의 동공면의 주변 부분의 광을 반사하기 위한 반사막(24a)을 갖는다. 반사막(24a)은 조명 광학계(22)의 동공 강도 분포의 형상을 규정하는 개구 조리개로서 기능한다. 또한, 반사막(24a)은, 검출 광학계(21)의 동공의 크기(검출 광학계(21)의 개구수 NAO)를 규정하는 개구 조리개로서도 기능한다.
프리즘(24)은 접합면에 반투막을 갖는 하프 프리즘이어도 되고, 또는, 표면에 반사막을 갖는 판상의 광학 소자에 의해 대체되어도 된다. 또는, 조명 광학계(22) 및 검출 광학계(21)의 동공 형상을 변화시키기 위해서, 프리즘(24)은 터렛(turret) 또는 슬라이드 기구 등의 절환 기구를 사용하여 다른 프리즘에 의해 교환되도록 구성되어도 된다. 또한, 프리즘(24)은 검출 광학계(21) 및 조명 광학계(22)의 동공면 또는 그 근방에 배치되지 않아도 된다.
본 실시 형태에서는, 조명 광학계(22)의 동공 형상을 프리즘(24)의 반사막(24a)에 의해 규정하고 있다. 그러나, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 조명 광학계(22)의 동공 위치에 기계적 조리개(mechanical stop), 유리면에 그래픽을 묘화하여 취득되는 조리개 등을 배치해도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
도 3은 각 위치 검출 장치(6)의 조명 광학계(22)의 동공 강도 분포(IL1 내지 IL4)와, 검출 광학계(21)의 개구수 NAO의 관계를 도시하는 도면이다. 도 3에서는, 조명 광학계(22)의 동공면에서의 동공의 크기를 검출 광학계(21)의 개구수 NAO로 나타내고 있다. 본 실시 형태에서는, 조명 광학계(22)의 동공 강도 분포는 제1 극 IL1, 제2 극 IL2, 제3 극 IL3 및 제4 극 IL4를 포함한다. 조명 광학계(22)는 마크(4) 또는 마크(5)의 패턴이 배열되는 방향(제1 방향)에 수직으로 입사하는 광과, 이러한 방향에 평행하게 입사하는 광에 의해, 마크(4) 및 마크(5)를 조명한다. 상술한 바와 같이, 개구 조리개로서 기능하는 반사막(24a)을 조명 광학계(22)의 동공면에 배치함으로써, 하나의 광원(23)으로부터 복수의 극, 즉, 제1 극 IL1 내지 제4 극 IL4를 형성할 수 있다. 이와 같이 복수의 극(피크)을 갖는 동공 강도 분포를 형성하는 경우에는, 복수의 광원을 사용할 필요가 없기 때문에, 위치 검출 장치(6)를 간략화 또는 소형화할 수 있다.
도 4a 내지 도 4d를 참조하여, 마크(4) 및 마크(5)로부터의 회절광을 사용한 무아레의 발생 원리 및 그러한 무아레를 사용한 마크(4)(몰드(2))와 마크(5)(기판(1))의 상대 위치의 검출에 대해서 설명한다. 도 4a 및 도 4b에 도시한 바와 같이, 마크(4)로서 몰드(2)에 제공된 회절 격자(제1 회절 격자)(31)는, 마크(5)로서 기판(1)에 제공된 회절 격자(제2 회절 격자)(32)와는 계측 방향의 패턴(격자)의 주기가 약간 상이하다. 이러한 격자의 주기가 상이한 2개의 회절 격자가 서로 중첩하면, 2개의 회절 격자로부터의 회절광 간의 간섭에 의해, 회절 격자 간의 주기 차를 반영한 주기를 갖는 패턴, 소위, 무아레가 나타난다. 이 경우, 회절 격자의 상대 위치에 따라 무아레의 위상이 변화하기 때문에, 무아레를 검출함으로써 마크(4)와 마크(5)의 상대 위치, 즉, 몰드(2)와 기판(1)의 상대 위치를 취득할 수 있다.
보다 구체적으로는, 주기가 약간 다른 회절 격자(31)와 회절 격자(32)가 서로 중첩하면, 회절 격자(31, 32)로부터의 회절광이 서로 중첩됨으로써, 도 4c에 도시한 바와 같이, 주기 차를 반영한 주기를 갖는 무아레가 발생한다. 무아레는, 상술한 바와 같이, 회절 격자(31)와 회절 격자(32)의 상대 위치에 따라 명부 및 암부의 위치(줄무늬의 위상)가 변화한다. 예를 들어, 회절 격자(31)와 회절 격자(32)의 상대 위치가 X 방향에서 변화하면, 도 4c에 나타내는 무아레는 도 4d에 나타내는 무아레로 변화한다. 무아레는 회절 격자(31)와 회절 격자(32)의 사이의 실제 위치 어긋남량(변화량)을 증가시키는 큰 주기의 줄무늬로서 발생한다. 따라서, 검출 광학계(21)의 해상도가 낮아도, 회절 격자(31)와 회절 격자(32)의 상대 위치를 정확하게 검출할 수 있다.
이러한 무아레를 검출하기 위해서, 회절 격자(31, 32)를 명시야에서 검출하는(회절 격자(31, 32)를 수직 방향으로부터 조명하고, 회절 격자(31, 32)에 의해 수직 방향으로 회절되는 광을 검출하는) 경우를 고려한다. 이 경우, 검출 광학계(21)는 회절 격자(31, 32)로부터의 0차 광 또한 검출한다. 이러한 0차 광은, 무아레의 콘트라스트를 저하시키는 요인이 되기 때문에, 각 위치 검출 장치(6)는 0차 광을 검출하지 않는(즉, 회절 격자(31, 32)를 사입사 광으로 조명하는) 암시야의 구성을 갖는다. 본 실시 형태에서는, 암시야의 구성에서도 무아레를 검출할 수 있도록, 회절 격자(31, 32) 중 하나의 회절 격자를 도 5a에 도시한 바와 같은 체커보드 패턴을 가지는 회절 격자로 하고, 다른 회절 격자를 도 5b에 도시한 바와 같은 회절 격자로 한다. 도 5a에 나타내는 회절 격자는 계측 방향(제1 방향)으로 주기적으로 배열된 패턴과, 계측 방향에 직교하는 방향(제2 방향)으로 주기적으로 배열된 패턴을 포함한다.
도 3, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 제1 극 IL1 및 제2 극 IL2로부터의 광은 각 회절 격자에 조사되어, 체커보드 패턴을 가지는 회절 격자에 의해 회절된다. 이러한 경우, 회절 격자에 의해 회절된 광 중 Z축 방향으로 회절된 광을 검출한다. Y 방향으로 회절된 광은 X 방향의 상대 위치 정보를 갖고서 검출 광학계(21)의 동공 상의 검출 영역(NAO)에 입사하고, 촬상 소자(25)에 의해 검출된다. 이것을 사용하면, 2개의 회절 격자의 상대 위치를 취득할 수 있다.
도 3에 도시하는 동공 강도 분포와 도 5a 및 도 5b에 나타내는 회절 격자의 관계에서는, 제3 극 IL3 및 제4 극 IL4로부터의 광선은, 이러한 회절 격자의 상대 위치의 검출에는 사용되지 않는다. 단, 도 5c 및 도 5d에 나타내는 회절 격자의 상대 위치를 검출하는 경우에는, 제3 극 IL3 및 제4 극 IL4로부터의 광선을 회절 격자의 상대 위치의 검출에 사용하고, 제1 극 IL1 및 제2 극 IL2로부터의 광선은 회절 격자의 상대 위치의 검출에 사용하지 않는다. 또한, 도 5a 및 도 5b에 나타내는 회절 격자의 쌍과 도 5c 및 도 5d에 나타내는 회절 격자의 쌍을 검출 광학계(21)의 동일 시야 내에 배치해서 동시에 2개의 방향의 상대 위치를 검출하는 경우에는, 도 3에 도시하는 동공 강도 분포는 매우 효과적이다.
이하, 회절 격자의 상대 위치의 검출에 사용하지 않는 방향의 광의 영향에 대해서 설명한다. 예를 들어, 제3 극 IL3 및 제4 극 IL4로부터의 광선은 도 5a 및 도 5b에 나타내는 회절 격자 쌍의 각각의 단부(각 회절 격자의 패턴의 2개의 단부)에서 산란되거나 회절된다. 이러한 경우에, 광학 시뮬레이션에 의해 취득된 무아레 신호(의 단면)를 도 6a에 나타낸다. 도 6a를 참조하면, 회절 격자의 패턴의 2개의 단부에서 큰 신호(광)가 발생한다. 또한, 미소한 서브 피크가 발생하고 있는 것도 확인할 수 있다. 이들 신호는 회절 격자의 연속적인 패턴(격자 조건)이 중단되기 때문에 발생한 큰 신호로 생각될 수 있다. 이러한 현상은 회절 격자를 명시야에서 검출하는 경우에 발생하지만, 이러한 현상은 회절 격자를 암시야에서 검출하는 경우에 특히 현저해진다. 이러한 각 회절 격자의 패턴의 2개의 단부에서 발생하는 신호(불필요한 광) 및 서브 피크가 무아레 신호에 혼입되면, 회절 격자의 상대 위치의 검출에 오차가 발생한다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 몰드(2) 및 기판(1)에 설치되는 마크, 즉, 회절 격자의 디자인을 고안함으로써 이러한 영향을 저감시킨다. 도 7a는 제1 방향으로 주기적으로 배열된 패턴을 포함하는 회절 격자의 단부를 도시하는 도면이다. 도 7a에서는, 회절 격자의 2개의 단부의 패턴 중 한쪽 단부의 패턴 GP1(우측 단부의 패턴), 패턴 GP1에 가장 가까운 패턴 GP2 및 패턴 GP2에 가장 가까운 패턴 GP3을 나타내고 있다. 도 7a는 도 5b에 나타내는 회절 격자의 우측 단부의 3개의 패턴을 나타내고 있다. 패턴 GP3의 좌측에는 패턴이 주기적으로 형성된다. 회절 격자의 각 패턴의 선 폭 및 패턴 간의 간격을 모두 1μm로 가정한다.
도 7a에 나타내는 회절 격자의 패턴 GP1의 선 폭을 변화시켰을 때의 회절 격자의 단부(패턴 GP1)에서의 무아레 신호의 변화를 광학 시뮬레이션에 의해 취득한 결과를 도 8에 나타낸다. 도 8을 참조하면, 종축은 패턴 GP1의 선 폭 및 패턴 간의 간격이 1μm인 경우의 회절 격자의 단부에서의 무아레 신호의 강도를 1로 했을 때의 상대비(신호 강도비)를 나타내고, 횡축은 패턴 GP1의 선 폭을 나타낸다.
도 8을 참조하면, 회절 격자의 단부의 패턴 GP1의 선 폭을 패턴 GP2 및 GP3을 포함하는 잔여 패턴의 선 폭보다 작게 함으로써, 회절 격자의 단부에서의 무아레 신호의 강도를 저감시킬 수 있음이 명확하다. 또한, 패턴 GP1의 선 폭을 패턴 GP2 및 GP3을 포함하는 잔여 패턴의 선 폭의 1/2(본 실시 형태에서는 500nm)로 감소시킴으로써, 회절 격자의 단부에서의 무아레 신호의 강도를 최소화할 수 있음이 명확하다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 도 7b에 도시한 바와 같이, 회절 격자의 단부의 패턴 GP1의 선 폭을 패턴 GP2 및 GP3을 포함하는 잔여 패턴의 선 폭보다 작게 설정한다. 회절 격자의 단부의 패턴 GP1의 선 폭을 패턴 GP2 및 GP3을 포함하는 잔여 패턴의 선 폭의 1/2인 500nm로 설정했을 경우에 광학 시뮬레이션에 의해 취득된 무아레 신호(의 단면)을 도 6b에 나타낸다. 또한, 패턴 GP2 및 GP3을 포함하는 잔여 패턴은 동일한 선 폭을 가진다.
도 6b를 참조하면, 회절 격자의 패턴의 2개의 단부에서의 무아레 신호의 강도가 저감함에 따라, 서브 피크도 저감하는 것이 명백하다. 단, 회절 격자의 상대 위치의 검출에 사용되는 무아레 신호에는 변화가 없다. 이것은, 회절 격자의 2개의 단부의 패턴의 선 폭을 잔여 패턴의 선 폭보다 작게 설정함으로써, 2개의 단부의 패턴 및 잔여 패턴으로부터 다른 위상의 광선이 발생하여, 2개의 단부의 패턴으로부터의 광선을 저감(상쇄)하는 것으로 생각된다. 이와는 대조적으로, 회절 격자의 2개의 단부의 패턴의 선 폭을 잔여 패턴의 선 폭보다 크게 설정한 경우에는, 회절 격자의 각 단부로부터의 신호의 강도가 증가하는 것을 나타내는 결과가 취득된다. 전술한 바와 같이, 회절 격자에 포함되는 패턴 중, 상대 위치 계측에 필요한 신호에는 불필요한 광을 발생시키는 패턴의 선 폭을 잔여 패턴의 선 폭보다 작게 함으로써, 불필요한 광의 발생을 감소시킬 수 있다.
본 실시 형태에서는, 도 5b에 도시된 회절 격자를 예로 들어 설명하였다. 그러나, 도 5a에 도시한 바와 같은 체커보드 패턴을 가지는 회절 격자를 사용함으로써 유사한 결과를 얻을 수 있다. 일부 경우에는, 도 9에 도시한 바와 같이, 회절 격자의 단부의 패턴 GP1 및 패턴 GP2 및 GP3을 포함하는 잔여 패턴 각각이 복수의 세그먼트 SGP(소위, 미세한 선의 집합에 의해 구성된 세그먼트 마크)에 의해 구성된다. 이러한 경우에는, 1개의 패턴을 구성하는 복수의 세그먼트 SGP의 집합의 폭을 패턴의 선 폭으로 간주하고, 1개의 패턴을 구성하는 복수의 세그먼트 SGP의 집합과 다른 패턴을 구성하는 복수의 세그먼트 SGP의 집합 사이의 간격을 패턴 간의 간격으로 간주하면 된다. 또한, 회절 격자의 패턴 사이에 미세한 더미 패턴이 형성되는 경우도 있다. 그러나, 이러한 더미 패턴은, 회절 격자의 상대 위치의 검출에는 직접 관계하지 않는 패턴이기 때문에 고려하지 않아도 된다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 몰드(2)에 제공된 회절 격자(마크(4)) 및 기판(1)에 제공된 회절 격자(마크(5)) 중 하나 이상의 회절 격자의 2개의 단부의 패턴의 선 폭이 잔여 패턴의 선 폭보다 작게 한다. 이에 의해, 몰드(2) 또는 기판(1)에 제공된 회절 격자의 단부(2개의 단부의 패턴)로부터 강한 회절광 및 산란광이 발생하는 것을 저감(방지)하고, 위치 검출 장치(6)가 이러한 회절 격자의 상대 위치를 정확하게 검출할 수 있다. 따라서, 임프린트 장치(100)는, 위치 검출 장치(6)에 의해 취득된 검출 결과에 기초하여, 몰드(2)과 기판(1)을 정확하게 위치 정렬할 수 있고, 패턴의 전사 불량(제품 불량)을 저감시킬 수 있다.
<제2 실시 형태>
회절 격자의 단부의 패턴 GP1과 패턴 GP1에 가장 가까운(즉, 1개의 패턴 내측에 가장 가까이 위치한) 패턴 GP2 간의 간격을 변화시킴으로써, 도 7a에 나타내는 회절 격자의 패턴의 2개의 단부로부터의 신호를 변화시킬 수 있다. 도 7a에 나타내는 회절 격자의 패턴 GP1과 패턴 GP2의 간격을 변화시켰을 때의 회절 격자의 단부(패턴 GP1)로부터의 신호의 변화를 광학 시뮬레이션에 의해 취득한 결과를 도 10에 도시한다. 도 10을 참조하면, 회절 격자의 패턴 GP2 및 패턴 GP3을 포함하는 잔여 패턴 사이의 간격이 1μm이고, 횡축은 패턴 GP1과 GP2 사이의 간격과 1μm 사이의 차분(간격차)을 나타낸다. 횡축에서, 마이너스 방향은 패턴 GP1과 패턴 GP2 사이의 간격이 감소하는 방향을 나타내고, 플러스 방향은 패턴 GP1과 패턴 GP2 사이의 간격이 증가하는 방향을 나타낸다. 또한, 종축은 회절 격자의 패턴 GP1과 패턴 GP2 사이의 간격이 1μm이고, 회절 격자의 단부로부터의 신호의 강도를 1로 했을 때의 상대비(신호 강도비)를 나타낸다.
도 10을 참조하면, 회절 격자의 패턴 GP1과 패턴 GP2 사이의 간격을, 패턴 GP1 또는 패턴 GP2의 선 폭의 범위 내에서 잔여 패턴 사이의 간격보다 넓게 한다. 보다 구체적으로는, 회절 격자의 패턴 GP1과 패턴 GP2 사이의 간격을 잔여 패턴 사이의 간격의 1.3배 이하로 설정함으로써, 회절 격자의 단부로부터의 신호의 강도를 저감할 수 있다. 또한, 회절 격자의 패턴 GP1과 패턴 GP2 사이의 간격을 잔여 패턴 사이의 간격의 1.15배의 간격, 즉, 본 실시 형태에서는 간격차+150nm로 설정함으로써, 회절 격자의 단부로부터의 신호의 강도를 최소화할 수 있음이 명확하다. 이것은, 상술한 바와 같이, 회절 격자의 2개의 단부의 패턴 및 잔여 패턴으로부터 상이한 위상의 광선이 발생하여, 이 2개의 단부의 패턴으로부터의 광선을 저감(상쇄)하기 때문인 것으로 생각된다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 도 11에 도시한 바와 같이, 회절 격자의 단부의 패턴 GP1과, 패턴 GP1에 가장 가까운 패턴 GP2 사이의 간격을, 잔여 패턴 사이의 간격(예를 들어, 패턴 GP2와 패턴 GP3 사이의 간격)보다 넓게 설정한다. 또한, 회절 격자의 패턴 GP2 및 GP3을 포함하는 잔여 패턴 사이의 간격은 동일하다. 이에 의해, 몰드(2) 또는 기판(1)에 제공된 회절 격자의 단부(2개의 단부의 패턴)로부터 회절광 및 산란광이 발생하는 것을 저감(방지)하고, 위치 검출 장치(6)가 이러한 회절 격자의 상대 위치를 정확하게 검출하는 것을 가능하게 한다. 따라서, 임프린트 장치(100)는 위치 검출 장치(6)에 의해 취득된 검출 결과에 기초하여 몰드(2)와 기판(1)을 정확하게 위치 정렬할 수 있고, 패턴의 전사 불량(제품 불량)을 저감할 수 있다.
<제3 실시 형태>
회절 격자의 각 단부로부터의 신호의 강도를 저감하기 위해서는, 회절 격자의 2개의 단부의 패턴 및 잔여 패턴으로부터 각각 다른 위상의 광선이 발생하면 된다. 따라서, 몰드(2) 및 기판(1)에 각각 설치되는 회절 격자 중 하나 이상의 회절 격자가, 동일한 위상의 광이 회절 격자에 입사했을 때에, 2개의 단부의 패턴으로부터의 광과 잔여 패턴으로부터의 광이 상이한 위상을 가지도록 하는 구조를 가지면 된다.
회절 격자의 2개의 단부의 패턴으로부터의 광과 잔여 패턴으로부터의 광이 상이한 위상을 가지게 하는 구조는, 회절 격자의 2개의 단부의 패턴과 잔여 패턴에 대하여 상이한 굴절률을 가지는 물질을 사용함으로써 구성될 수 있다. 또한, 이러한 구조는, 회절 격자의 2개의 단부의 패턴과 잔여 패턴에 대하여 상이한 두께를 가지는 물질을 사용함으로써 구성될 수 있다. 또한, 이러한 구조는 회절 격자의 2개의 단부의 패턴을 구성하는 단차가 잔여 패턴을 구성하는 단차와는 상이한 깊이를 갖도록 함으로써 구성될 수 있다.
<제4 실시 형태>
제1 및 제2 실시 형태에서, 회절 격자의 패턴의 2개의 단부에서 발생된 신호(불필요한 광)는, 전술한 바와 같이, 회절 격자(마크(4) 또는 마크(5))의 크기를 증가시키지 않고서 회절 격자의 2개의 단부의 패턴의 선 폭을 감소시킴으로써 저감된다.
본 실시 형태는 회절 격자의 크기를 증가시킴으로써, 회절 격자의 패턴으로부터의 불필요한 광을 감소시키는 회절 격자의 패턴에 대해서 설명할 것이다. 전술한 바와 같이, 회절 격자의 단부(2개의 단부의 패턴)로부터의 불필요한 광은, 회절 격자의 연속적인 패턴이 계속되는 것이 중단되기 때문에 발생하는 것으로 생각된다.
본 실시 형태에서는, 회절 격자의 단부에서 연속적인 패턴의 지속이 중단되는 것을 완화시키기 위해서, 도 12a에 도시된 바와 같이, 회절 격자의 단부의 하나 이상의 패턴을 포함하는 복수의 패턴의 선 폭이 회절 격자의 잔여 패턴의 선 폭보다 작게 설정된다. 이것은 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광을 보다 효과적으로 감소시킬 수 있다. 도 12a에서, 계측에 사용되는 회절 격자의 일부에서의 패턴(이하, "제1 패턴"이라고 한다)의 선 폭은 d0으로 설정되고, 인접하는 제1 패턴 사이의 간격은 s0으로 설정된다. 또한, 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광을 감소시키기 위해서, 회절 격자의 단부의 하나 이상의 패턴을 포함하는 복수의 패턴(이하, "제2 패턴"이라고 한다)의 선 폭은 d1로 설정되고, 인접하는 제2 패턴 사이의 간격은 s1로 설정된다. 제2 패턴의 선 폭 d1은 제1 패턴의 선 폭 d0보다 더 작다(d0>d1). 인접하는 제2 패턴 사이의 간격 s1은 인접하는 제1 패턴 사이의 간격 s0 이상이다(s0≤s1)). 도 12a에 도시된 바와 같이, 인접하는 제2 패턴 사이의 간격 s1은 제1 패턴의 선 폭 d0로부터 제2 패턴의 선 폭 d1의 감소 (d0-d1)만큼 더 크다.
복수의 제2 패턴(도 12a의 회절 격자의 단부로부터 3개의 패턴)의 선 폭은, 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광을 감소시키기 위하여, 도 12a에 도시된 바와 같이 균일할 필요는 없다. 예를 들면, 도 12b에 도시된 바와 같이, 복수의 제2 패턴의 선 폭은 회절 격자의 단부를 향해 변경, 즉 연속적으로 감소될 수 있다. 이에 의해 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광을 보다 효과적으로 감소시킬 수 있다.
선 폭이 변경될 제2 패턴의 수가 n인 경우에 대해서 검사한다. 이 경우, (n+1)에 의한 변경 전에 선 폭(선 폭 d0)을 나누어서 얻어지는 값만큼 제2 패턴의 선 폭을 연속적으로 감소시킴으로써 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광을 감소시키는 효과가 얻어짐이 시뮬레이션에 의해 확인되었다.
3개의 제2 패턴의 선 폭을 변경하는 경우에, 도 12b에 도시된 바와 같이, 3개의 제2 패턴의 선 폭 d4, d3 및 d2는 회절 격자의 단부를 향하여 아래와 같이 설정된다.
d4=3/4×d0
d3=2/4×d0
d2=1/4×d0
회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광을 감소시키는 효과는 제2 패턴의 선 폭 d4, d3 및 d2를 이러한 방식으로 설정함으로써 향상됨을 알 수 있다.
도 12b에서, 인접하는 제2 패턴 사이의 간격 s2 및 s3은, 도 12a와 같이 제1 패턴의 선 폭 d0으로부터 제2 패턴의 선 폭 d1의 감소만큼 넓어진다. 그러나, 이것에 한정되지는 않는다. 인접하는 제2 패턴 사이의 간격 s2 및 s3은, 도 12a와 같이, s0≤s2 및 s0≤s3을 충족하기만 하면 된다.
또는, 도 12c와 같이, 인접하는 패턴 사이의 간격 s0, s6, s5 및 s4는 회절 격자의 단부를 향하여 연속적으로 변경, 즉 연속적으로 넓어질 수 있다. 제1 패턴의 선 폭과 제2 패턴의 선 폭은 도 12b의 선 폭과 동일함에 주목한다(제1 패턴의 선 폭:d0, (회절 격자의 단부를 향한) 제2 패턴의 선 폭: d4, d3, d2). 특히 인접하는 패턴 사이의 간격 s6, s5, s4가 계측에 사용되는 회절 격자의 패턴, 즉 제1 패턴의 주기적인 피치 p와 동일한 주기적인 피치로 설정되는 경우, 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광이 효과적으로 감소될 수 있다.
또는, 도 12d에 도시된 바와 같이, 회절 격자의 단부의 패턴을 포함하는 복수의 제2 패턴의 선 폭이 도 12a에 도시된 바와 같이 d1로 설정되고, 인접하는 제1 패턴 사이의 간격뿐만 아니라, 인접하는 제2 패턴 사이의 간격도 s0으로 설정되어도 된다. 인접하는 제2 패턴 사이의 간격이 일정하게 설정된 경우에도, 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광은, 제2 패턴의 선 폭을 제1 패턴의 선 폭보다 작게 설정함으로써 감소될 수 있다. 또한, 도 12b에 도시된 바와 같이 제2 패턴의 선 폭이 회절 격자의 단부를 향하여 연속적으로 변경되는 경우에도, 인접하는 제1 패턴 사이의 간격뿐만 아니라 인접하는 제2 패턴 사이의 간격도 s0으로 설정되어도 된다.
<제5 실시 형태>
제4 실시 형태와 같이 회절 격자의 단부의 패턴을 포함하는 복수의 패턴의 선 폭을, 회절 격자의 잔여 패턴의 선 폭보다 작게 설정함으로써 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광이 감소되는 경우, 단부의 패턴의 선 폭은 최소가 되지 않아도 된다.
본 실시 형태에서, 단부의 패턴을 포함하는 복수의 제2 패턴 중 회절 격자의 단부의 패턴의 선 폭은, 잔여 제2 패턴의 선 폭보다 크게 설정된다. 예를 들어, 도 13a에 도시된 바와 같이, 계측에 사용되는 회절 격자의 제1 패턴의 선 폭은 d0으로 설정되고, 단부의 패턴의 선 폭 d0'는 단부의 패턴을 제외한 잔여 제2 패턴의 선 폭 d1보다 크게 설정된다(d0>d0'>d1). 따라서, 회절 격자의 선 폭이 일정한 종래 기술과는 달리, 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광을 감소시키는 효과가 얻어질 수 있다.
도 13a는 선 폭 d1보다 큰 선 폭 d0'(>d1)을 가지는 패턴이 도 12a에 도시된 회절 격자의 단부에 추가되는 회절 격자를 도시한다. 도 13b는 선 폭 d2보다 큰 선 폭 d0'(>d2)를 가지는 패턴이 도 12b에 도시된 회절 격자의 단부에 추가되는 회절 격자를 도시한다. 도 13c는 도 12c에 도시된 회절 격자의 단부의 패턴의 선 폭보다 큰 선 폭을 가지는 패턴이 회절 격자의 단부에 추가되는 회절 격자를 도시한다. 도 13d는 선 폭 d1보다 큰 선 폭 d0'(>d1)을 가지는 패턴이 도 12d에 도시된 회절 격자의 단부에 추가되는 회절 격자를 도시한다.
이러한 방식으로, 회절 격자의 단부의 패턴을 포함하는 복수의 패턴의 선 폭이 회절 격자의 잔여 패턴의 선 폭보다 작게 설정된 경우, 작은 선 폭을 가지는 패턴이 아닌, 선 폭이 더 큰 패턴이 회절 격자의 단부에 배치되어도 된다. 즉, 회절 격자의 단부의 패턴의 선 폭이 최소가 되지 않아도 된다. 이러한 경우에도, 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광을 감소시키는 효과는 얻어질 수 있다.
<제6 실시 형태>
제2 실시 형태에서, 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광은, 회절 격자의 단부의 패턴과 이 패턴에 가장 가까운 패턴 사이의 간격을, 잔여 패턴(계측에 사용되는 패턴) 사이의 간격보다 넓게 설정함으로써 감소된다. 이러한 경우에, 회절 격자의 단부의 패턴과 이 패턴에 가장 가까운 패턴 사이의 간격에 추가하여, 복수의 패턴 사이의 간격이 넓어질 수도 있다.
이 실시 형태에서, 회절 격자의 단부의 패턴을 포함하는 복수의 패턴 사이의 간격은 계측에 사용되는 회절 격자의 제1 패턴 사이의 간격 보다 넓게 설정된다. 예를 들면, 도 14a에서, 회절 격자의 단부로부터의 3개의 제2 패턴에 대하여, 인접하는 패턴 사이의 간격 s1은 제1 패턴 사이의 간격 s0보다 넓게 설정된다. 제1 패턴의 선 폭뿐만 아니라 제2 패턴의 선폭도 d0으로 설정된다. 이러한 방식으로, 회절 격자의 복수의 패턴 사이의 간격을 넓힘으로써 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광을 감소시키는 효과가 얻어질 수 있다. 도 14a에서, 복수의 패턴 사이의 모든 간격은 s1로 설정되지만, 이들 간격 중 일부는 s1보다 작아도 된다. 예를 들어, 회절 격자의 단부의 패턴과 이 패턴에 가장 가까운 패턴 사이의 간격은 s0으로 설정되어도 된다.
또한, 도 14b에 도시된 바와 같이, 회절 격자의 단부로부터의 3개의 제2 패턴에 대하여, 인접하는 패턴 사이의 간격은 회절 격자의 단부를 향해서 s1, s2 및 s3이 되도록 넓어져도 된다. 인접하는 패턴 사이의 간격 s1, s2 및 s3은 계측에 사용되는 제1 패턴 사이의 간격 s0보다 넓게 설정된다(s0<s1<s2<s3). 제1 패턴의 선 폭뿐만 아니라 제2 패턴의 선 폭도 d0으로 설정된다. 이러한 방식으로, 회절 격자의 복수의 패턴 사이의 간격을 넓게 함으로써 회절 격자의 단부로부터의 불필요한 광을 감소시키는 효과가 얻어질 수 있다. 도 14b에서, 인접하는 패턴 사이의 간격은 회절 격자의 단부를 향하여 순차적으로 넓어진다. 그러나, 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 복수의 패턴이 제1 패턴 사이의 간격 s0보다 넓은 간격으로 배열되기만 하면, 이러한 간격은 회절 격자의 단부를 향해서 순차적으로 넓어지지 않아도 된다. 예를 들어, 복수의 패턴 사이의 간격의 일부는 s0으로 설정되어도 된다.
상기의 실시 형태에서는 선 폭이 배열되는 회절 격자를 예시하였지만, 이것에 한정되지는 않는다. 전술한 바와 같이, 체커보드 회절 격자에 의해서도 동일한 효과가 얻어질 수 있다. 상기의 실시 형태는 회절 격자의 패턴 중 우측 단부의 패턴의 선 폭 또는 간격이 변경되는 경우에 대하여 설명하였다. 그러나, 좌측 단부의 패턴의 선 폭 또는 간격 또한 동일한 방식으로 변경될 수 있다. 또한, 각 실시 형태에서 설명된 회절 격자는 회절 격자(제1 회절 격자)(31) 및 회절 격자(제2 회절 격자)(32) 중 하나 이상으로서 구성될 수도 있고, 회절 격자(31) 및 회절 격자(32) 양자 모두로서 구성될 수도 있다. 이러한 회절 격자를 사용함으로써, 무아래의 검출 시의 불필요한 광의 발생이 감소될 수 있다.
또한, 도 15a 내지 15c는 무아레 신호와 회절 격자의 관계를 나타내는 도면으로, 무아레 신호와 회절 격자의 마크 사이의 상대 위치를 비교한다. 회절 격자의 단부(2개의 단부의 패턴)에서 발생된 신호(불필요한 광)는 무아레 신호 내에 혼합되기 때문에, 회절 격자의 계측에 사용되는 패턴(계측 사용 범위)으로부터의 무아레 신호는 상대 위치의 계측에 사용된다. 따라서, 회절 격자 중 계측에 사용되지 않는 패턴(계측 비사용 범위), 즉 불필요한 광을 생성하는 패턴은 계측에 영향을 미치지 않는다. 제4, 제5 및 제6 실시 형태에서 설명된 회절 격자의 제1 패턴은 계측 사용 범위의 패턴으로서 사용되어도 되고, 회절 격자의 제2 패턴은 계측 비사용 범위의 패턴으로서 사용되어도 된다. 상기 각 실시 형태의 패턴은 도 15b 및 15c에 도시된 회절 격자의 패턴의 계측 비사용 범위의 패턴에도 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 계측 비사용 범위의 패턴의 적어도 일부의 패턴에 적용될 수 있으며, 본 발명은 계측 비사용 범위의 패턴의 모든 패턴에도 적용될 수 있다.
계측 사용 범위의 패턴이 증가하면, 회절 격자의 크기가 증가하여, 기판 또는 몰드 상에 회절 격자를 제공하는 것이 어려워진다. 그러나, 회절 격자의 크기가 증가하지 않으면, 계측 사용 범위의 패턴이 감소되어 계측 정밀도가 저하된다. 따라서, 계측 비사용 범위가 가능한 한 감소되거나, 계측 사용 범위가 증가되면, 패턴의 크기가 작아진다. 회절 격자의 패턴의 크기는 요구되는 정밀도에 기초하여 결정된다.
<제7 실시 형태>
물품으로서의 디바이스(반도체 디바이스, 자기 기억 매체, 액정 표시 소자 등)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 이러한 제조 방법은, 임프린트 장치(100)를 사용해서 패턴을 기판(웨이퍼, 글래스 플레이트, 필름 형상 기판 등)에 형성하는 공정을 포함한다. 이러한 제조 방법은, 패턴이 형성된 기판을 처리하는 공정을 더 포함한다. 이러한 처리 공정은 패턴의 잔막을 제거하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 방법은 패턴을 마스크로 사용해서 기판을 에칭하는 공정 등의 주지의 다른 스텝을 포함할 수 있다. 본 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은 종래 기술에 비하여 적어도 물품의 성능, 품질, 생산성 또는 생산 비용의 점에 있어서 유리하다.
또한, 제1, 제2, 제3, 제4, 제5 및 제6 실시 형태에서 각각 설명된 회절 격자의 구성을 필요에 따라 조합해도 된다.
본 발명이 예시적인 실시 형태를 참조하여 설명되었지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시 형태에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 아래의 청구범위의 범위는 모든 변경과, 등가 구조 및 기능을 포함하도록 최광의의 해석에 따라야 한다.

Claims (1)

  1. 위치 검출 장치로서,
    제1 방향으로 배열되는 패턴을 포함하는 제1 회절 격자와, 상기 제1 방향으로 배열되는 패턴을 포함하는 제2 회절 격자 사이의 중첩에 의해 발생하는 무아레(moire)를 검출하도록 구성되는 검출 유닛과,
    상기 무아레에 기초하여, 상기 제1 회절 격자와 상기 제2 회절 격자의 상대 위치를 취득하도록 구성되는 처리 유닛을 포함하고,
    상기 제1 회절 격자 및 상기 제2 회절 격자 중 하나 이상의 회절 격자에 포함되는 패턴의 단부 패턴의 상기 제1 방향에서의 폭은, 상기 하나 이상의 회절 격자의 잔여 패턴의 상기 제1 방향에서의 폭보다 작은 위치 검출 장치.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6701263B2 (ja) * 2014-06-27 2020-05-27 キヤノン株式会社 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP6341883B2 (ja) 2014-06-27 2018-06-13 キヤノン株式会社 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP6685821B2 (ja) * 2016-04-25 2020-04-22 キヤノン株式会社 計測装置、インプリント装置、物品の製造方法、光量決定方法、及び、光量調整方法
JP6884515B2 (ja) * 2016-05-10 2021-06-09 キヤノン株式会社 位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP6863836B2 (ja) * 2017-06-28 2021-04-21 キオクシア株式会社 ナノインプリント用テンプレート及び集積回路装置の製造方法
JP6937203B2 (ja) * 2017-09-14 2021-09-22 キオクシア株式会社 インプリント装置、インプリント方法および半導体装置の製造方法
EP3745166B1 (en) * 2017-12-27 2023-08-09 Hitachi High-Tech Corporation Manufacturing method of concave diffrraction grating
JP7030569B2 (ja) * 2018-03-12 2022-03-07 キヤノン株式会社 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP7182904B2 (ja) * 2018-05-31 2022-12-05 キヤノン株式会社 検出装置、インプリント装置、平坦化装置、検出方法及び物品製造方法
JP2020027000A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 株式会社エンプラス レンズマーカ画像の補正方法、補正装置、プログラム、および記録媒体
JP7222702B2 (ja) * 2018-12-26 2023-02-15 三星電子株式会社 ウエハの接合方法、半導体装置の製造方法、及びその装置
CN109751959B (zh) * 2019-01-17 2020-10-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 线宽测量方法
CN111752112B (zh) * 2019-03-27 2021-09-10 上海微电子装备（集团）股份有限公司 掩膜对准标记组合、掩膜对准系统、光刻装置及其方法
US11748869B1 (en) * 2019-07-08 2023-09-05 Intel Corporation Image-based overlay targets incorporating features for pattern recognition and moire fringe patterns for measurement
KR20220122743A (ko) 2020-01-29 2022-09-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 상의 주기적 구조체를 측정하는 메트롤로지 방법 및 디바이스
CN114688972B (zh) * 2020-12-31 2024-04-02 深圳中科飞测科技股份有限公司 检测设备及其检测方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4568189A (en) * 1983-09-26 1986-02-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus and method for aligning a mask and wafer in the fabrication of integrated circuits
JPH0784110A (ja) * 1993-09-20 1995-03-31 Toppan Printing Co Ltd 回折格子パターンを有するディスプレイ
JP2005172459A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Fujinon Corp 格子パターン投影形状測定装置
JP2007142419A (ja) * 2005-11-22 2007-06-07 Asml Netherlands Bv アライメントマークとしての２元正弦サブ波長回折格子
US7292326B2 (en) 2004-11-30 2007-11-06 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices
KR20120140622A (ko) * 2011-06-21 2012-12-31 캐논 가부시끼가이샤 위치 검출 장치, 임프린트 장치 및 위치 검출 방법

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1337010A (en) * 1969-12-24 1973-11-14 Shimadzu Corp Spectroscopic measurement systems
JPS4986980A (ko) 1972-12-23 1974-08-20
US4177255A (en) 1977-09-02 1979-12-04 Eastman Kodak Company Rumen-stable pellets
DE3809569A1 (de) 1988-03-22 1989-10-05 Frankl & Kirchner Positionsgeber
JPH08321452A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Nikon Corp アライメント結果評価方法及び該方法を使用するアライメント装置
JPH09152309A (ja) * 1995-11-29 1997-06-10 Nikon Corp 位置検出装置および位置検出方法
US5719676A (en) * 1996-04-12 1998-02-17 Tropel Corporation Diffraction management for grazing incidence interferometer
US5971546A (en) * 1996-06-15 1999-10-26 Lg Electronics Inc. Image display device
US6590605B1 (en) * 1998-10-14 2003-07-08 Dimension Technologies, Inc. Autostereoscopic display
DE19918101A1 (de) * 1999-04-22 2000-10-26 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Optische Positionsmeßeinrichtung
US6509559B1 (en) * 2000-06-20 2003-01-21 Ppt Vision, Inc. Binary optical grating and method for generating a moire pattern for 3D imaging
EP1303795B1 (en) * 2000-07-18 2006-08-30 Optaglio Limited Achromatic diffractive device
JP2004103697A (ja) * 2002-09-06 2004-04-02 Sumitomo Heavy Ind Ltd 位置合わせマークおよび位置合わせ方法
SG152898A1 (en) * 2002-09-20 2009-06-29 Asml Netherlands Bv Alignment systems and methods for lithographic systems
SG124270A1 (en) * 2002-12-16 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus with alignment subsystem, device manufacturing method using alignment, and alignment structure
US7230704B2 (en) * 2003-06-06 2007-06-12 Tokyo Electron Limited Diffracting, aperiodic targets for overlay metrology and method to detect gross overlay
US7349105B2 (en) * 2004-09-01 2008-03-25 Intel Corporation Method and apparatus for measuring alignment of layers in photolithographic processes
US7485845B2 (en) * 2005-12-06 2009-02-03 Mitutoyo Corporation Photoelectric encoder capable of effectively removing harmonic components
CN2903975Y (zh) * 2006-01-17 2007-05-23 浙江大学 基于光纤布拉格光栅的湿度分布式检测装置
DE102006042743A1 (de) * 2006-09-12 2008-03-27 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Positionsmesseinrichtung
US7612882B2 (en) * 2006-10-20 2009-11-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical gratings, lithography tools including such optical gratings and methods for using same for alignment
NL1036080A1 (nl) * 2007-11-01 2009-05-07 Asml Netherlands Bv Position measurement system and Lithographic Apparatus.
CN100561258C (zh) * 2008-02-01 2009-11-18 黑龙江科技学院 一种三维测量系统中相移光栅
NL2002954A1 (nl) * 2008-06-11 2009-12-14 Asml Netherlands Bv Sub-segmented alignment mark arrangement.
US7608813B1 (en) * 2008-11-18 2009-10-27 Mitutoyo Corporation Scale track configuration for absolute optical encoder including a detector electronics with plurality of track detector portions
CN101441066B (zh) * 2008-12-23 2010-07-21 西安交通大学 彩色条纹编码的相位去包裹方法
WO2011048860A1 (ja) * 2009-10-19 2011-04-28 住友金属工業株式会社 板材の平坦度測定方法及びこれを用いた鋼板の製造方法
WO2011072897A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP5618588B2 (ja) 2010-03-24 2014-11-05 キヤノン株式会社 インプリント方法
KR101422971B1 (ko) * 2010-12-17 2014-07-23 파나소닉 주식회사 표면 형상 측정 방법 및 표면 형상 측정 장치
NL2008110A (en) * 2011-02-18 2012-08-21 Asml Netherlands Bv Measuring method, measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN102155914B (zh) * 2011-03-08 2012-07-04 西安邮电学院 基于伪随机序列的绝对位置栅尺编码和测量方法及其装置
WO2012127552A1 (ja) * 2011-03-23 2012-09-27 パナソニック株式会社 画像処理装置、撮像装置及び画像処理方法
DE102011076055A1 (de) * 2011-05-18 2012-11-22 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Optische Positionsmesseinrichtung
JP5706861B2 (ja) 2011-10-21 2015-04-22 キヤノン株式会社 検出器、検出方法、インプリント装置及び物品製造方法
JP5967924B2 (ja) 2011-12-21 2016-08-10 キヤノン株式会社 位置検出装置、インプリント装置およびデバイス製造方法
US9080899B2 (en) * 2011-12-23 2015-07-14 Mitutoyo Corporation Optical displacement encoder having plural scale grating portions with spatial phase offset of scale pitch
US8941052B2 (en) * 2011-12-23 2015-01-27 Mitutoyo Corporation Illumination portion for an adaptable resolution optical encoder
JP5924765B2 (ja) * 2012-02-23 2016-05-25 本田技研工業株式会社 距離測定装置及び距離測定方法
JP5943717B2 (ja) 2012-06-05 2016-07-05 キヤノン株式会社 位置検出システム、インプリント装置、デバイス製造方法、および位置検出方法
US8913237B2 (en) * 2012-06-26 2014-12-16 Kla-Tencor Corporation Device-like scatterometry overlay targets
CN102914276B (zh) * 2012-08-03 2015-04-22 南京理工大学 三维光学测量中基于三灰阶空间脉冲宽度调制的正弦光栅构造方法
CN102798354B (zh) * 2012-08-28 2014-11-05 西北工业大学 基于二进制条纹叠加的正弦光栅生成方法
CN103411540B (zh) * 2013-07-26 2016-01-20 广东工业大学 一种高精密的光栅位移测量装置
JP6359340B2 (ja) * 2014-05-27 2018-07-18 株式会社ミツトヨ スケール及び光学式エンコーダ
JP6341883B2 (ja) 2014-06-27 2018-06-13 キヤノン株式会社 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP6437802B2 (ja) * 2014-11-28 2018-12-12 株式会社ミツトヨ 光学式エンコーダ
JP2016188907A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 セイコーエプソン株式会社 体積ホログラフィック素子、体積ホログラフィック素子の製造方法、および表示装置
JP6651371B2 (ja) * 2016-02-05 2020-02-19 株式会社ミツトヨ 光電式エンコーダ
JP6400036B2 (ja) * 2016-03-14 2018-10-03 キヤノン株式会社 位置検出装置、工作装置、および、露光装置
JP6884515B2 (ja) * 2016-05-10 2021-06-09 キヤノン株式会社 位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4568189A (en) * 1983-09-26 1986-02-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus and method for aligning a mask and wafer in the fabrication of integrated circuits
JPH0784110A (ja) * 1993-09-20 1995-03-31 Toppan Printing Co Ltd 回折格子パターンを有するディスプレイ
JP2005172459A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Fujinon Corp 格子パターン投影形状測定装置
US7292326B2 (en) 2004-11-30 2007-11-06 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices
JP2007142419A (ja) * 2005-11-22 2007-06-07 Asml Netherlands Bv アライメントマークとしての２元正弦サブ波長回折格子
KR20120140622A (ko) * 2011-06-21 2012-12-31 캐논 가부시끼가이샤 위치 검출 장치, 임프린트 장치 및 위치 검출 방법
JP2013030757A (ja) 2011-06-21 2013-02-07 Canon Inc 位置検出装置、インプリント装置及び位置検出方法

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